DE1487392A1 - Signaluebertragungssystem - Google Patents
SignaluebertragungssystemInfo
- Publication number
- DE1487392A1 DE1487392A1 DE19661487392 DE1487392A DE1487392A1 DE 1487392 A1 DE1487392 A1 DE 1487392A1 DE 19661487392 DE19661487392 DE 19661487392 DE 1487392 A DE1487392 A DE 1487392A DE 1487392 A1 DE1487392 A1 DE 1487392A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- voltage
- circuit
- transistors
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3083—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type
- H03F3/3086—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type two power transistors being controlled by the input signal
- H03F3/3098—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type two power transistors being controlled by the input signal using a transformer as phase splitter
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/42—Amplifiers with two or more amplifying elements having their dc paths in series with the load, the control electrode of each element being excited by at least part of the input signal, e.g. so-called totem-pole amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
Pat ent anme Idling
Anmelder: Radio Corporation of America New York, N. Y., V. St. A.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Signalverstärker und insbesondere auf B- und AB-Verstärker.
Es wurden bereits Leistungsendstufen mit B- oder AB-Schaltung
vorgeschlagen, die zumindest zwei in Reihe geschaltete Transistorelemente enthalten. Zwei derartige B- oder
AB-Stufen können an eine Belastung, z.B. an einen Lautsprecher,
angeschlossen werden, um einen Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang zu bilden. Die zu verstärkenden
Signale werden an einen der beiden Transistoren geliefert, der in üblicher Emitterschaltung betrieben wird
und seinerseits als Treiber-Transistor an den zweiten Transistor des Paares angeschlossen ist, der in der Haupt-
809808/0904
Sache als ein üblicher Basisverstärker arbeitet. Ferner
wurde ein Netzwefk vorgesehen, das an die Transistoren
geeignete Betriebsspannungen liefert. Ein einzelner Kondensator wurde hierbei parallel zu einem Teil des Betriebsspannungs-Netzwerkes
geschaltet, um die Spannungsverteilung längs des Netzwerkes als eine Funktion der
Signalspannung zu verteilen, derart, daß die Basis-Kollektor-Spannung des zweiten Transistors zu einer Durchlaßspannung
werden kann, d.h., daß der zweite Transistor in den Sättigungszustand gehen kann. Das Betriebsspannungs-Netzwerk
war derart eingestellt, daß der zweite Transistor im allgemeinen früher als der erste Transistor in
den Sättigungszustand geht.
Der erste Transistor des Paares (in üblicher Emitterschaltung) erbringt einen größeren Einfluß auf den Frequenz-
der
gang und die Linearität der Schaltung als/zweite Transistor,
(der hauptsächlich als üblicher Basisverstärker arbeitet). Hieraus ergibt sich, daß im allgemeinen für den
ersten Transistor ein Leistungstransistor mit hohem Verstärkungsfaktor (Beta), z.B. ein Germanium-Drift-Transistor
mit einem Frequenzgang für hohe Tonfrequenzen, verwendet werden muß. Andrerseits kann für den zweiten Transistor,
da dieser weniger kritisch ist als der erste, unter beträchtlicher Kosteneinsparung ein billiger Leistungstransistor
mit kleinerem Verstärkungsfaktor (Beta),
909808/0 9 04
z.B. ein Geraeoiium-Legierungs-Transistor, verwendet werden.
Unglücklicherweise ist der Frequenzgang eines Legierungs-Leistungstransistors im allgemeinen wesentlich
kleiner als der eines Drift-Transistors. Wenn ein Transistor, der einen beträchtlich kleineren Frequenzgang
als der erste Transistor besitzt, bei der Schaltung als zweiter Transistor vorgesehen wird, dann wird dieser nicht
bei hohen JPrequenzen in den Sättigungszustand getrieben, wobei sich eine Beschneidung bei hohen Frequenzen ergibt,
durch welche die mögliche Ausgangsleistung des Verstärkers bei hohen Frequenzen beträchtlich verringert wird·
Dementsprechend liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen billigen und verbesserten Gegentakt-Verstärker
mit Eintaktausgang zu schaffen, der einerseits zumindest zwei Leistungstransistoren enthält, wobei der
erste Leistungstransistor einen Frequenzgang besitzt, der beträchtlich größer als der des zweiten Leistungstransistors
ist, und andrerseits für eine SättigungjB beider Transistoren bei hohen Frequenzen sorgt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung sind zumindest zwei in Reihe liegende Transistoren als B- oder AB-Stufe in solcher
Weise geschaltet, daß sie eine Belastung, z.B. einen Lautsprecher, bei einem Gegentakt-Verstärker mit Eintaktausgang
betreiben können. Das zu verstärkende Signal wird
909808/090 4-
_ 4 —
an einen der beiden Transistoren geliefert, der in üblicher Emitterschaltung vorliegt und die zweite Stufe steuert,
welche in der Hauptsache als üblicher Basisverstärker arbeitet· Ein Betriebsspannungs-Netzwerk, das zwei Kondensatoren
enthält, ist an den Transistor angeschlossen, Die Kondensatoren arbeiten in der Art zusammen, daß sich die
Spannungsverteilung am Betriebsspannungs-Netzwerk mit der Signalspannung derart ändert, daß der zweite Transistor
bei höheren Frequenzen in den Sättigungszustand gelangen
kann, obwohl sein Stromverstärkungsfaktor bei hohen Frequenzen beträchtlich kleiner als der des ersten Transistors
ist.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnung beschrieben, die ein Schaltbild eines transistorisierten
Tonfrequenz-Signalverstärkers gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
Der dargestellte Tonfrequenz-Verstärker umfaßt (1) ein Paar von Eingangssignal-Verstärkerstufen, die als aktives
Verstärkungselement ein Paar von Transistoren 5 und 6 besitzen, (2) eine Treiberstufe mit einem Transistor 7
als aktives Verstärkungselement und (3) einen Gegentakt-Leistungsverstärker mit Eintaktausgang, der ein Paar in
Reihe geschalteter Transistoren 8 und 9 in der einen Hälfte und ein Paar von in Reihe geschalteten Transistoren 10
909808/0904
und 11 in der anderen Hälfte aufweist. Die Betriebsströme
imd -spannungen werden von einer negativen Versorgungsleitung
15t einer positiven Versorgungsleitung 16 und
einer aweiten negativen Versorgungsleitung 17 geliefert. Beispielsweise können die Leitung 15 i* wesentlichen
- 44 Volt, die Leitung 16 etwa +44 Volt und die Leitung 1? etwa -35 Volt führen, jeweils bezogön auf Erde 12 und
die übliche Erdleitung 18. Die Leitungen 15, 16 und 18
erhalten ihre Betriebsspannungen von einem geeigneten. Netzanschlußteil 19· Wie nachfolgend noch beschrieben
wird, ist die negative Versorgungsleitung 17 über ein geeignetes dynamisches Filternetzwerk 20 mit der negativen
Versorgungsleitung 15 verbunden.
Die Eingangsklemmen 25, 26 des Verstärkers sind an einen Signal-Vorverstärker 70 angeschlossen, der einen Teil
eines Empfängers, eines Grammophons oder eines äderen Gerätes bildet, bei dem der Verstärker verwendet ist und
der die üblichen Steuereinrichtungen einschließlich eines Lautstärkeregierβ 71 zur Steuerung des Eingangssignalpegels
enthält· Der Vorverstärker ist mit einer abgeschirmten Eingangsklemme 72 versehen, die am Chassis geerdet
ist und an eine abgeschirmte Zuführung 73 einer
geeigneten Signalquelle angeschlossen werden kann.
909808/09Oi
Die Signale werden von der Eingangsklemme 25 über eine
Reihenschaltung aus Eingangswiderstand 23 und Eingangs-Einkopplungskondensator 24 an die Basis 22 des Transistors
5 der ersten Stufe geliefert, bei dem es sich um einen pnp-Grermanium-Transistor handelt. Die Basis 22 ist
über eilte Leitung 27 und einen Basiswiderstand 28 bei geerdet·
Der Kollektor 30 des Transistors 5 der ersten Stufe ist
unmittelbar über eine Leitung 32 an die Basis 31 des Verstärkers
6 der zweiten Stufe angeschlossen, und zwar parallel zur Impedanz eines Kollektorkopplungswiderstandes
33» der zwischen den Kollektor 30 und die negative Versorgungsleitung 17 geschaltet ist. Der Emitter 34· ist
über eine Siliziumdiode 36 zur Spannungsstabilisierung
an die Erde 12 angeschlossen und erhält darüber seine Betriebsspannung.
Die Diode 36 liegt in Reihe mit dem Emitterstromkreis
des Transistors 5 und ihr genauer Durchlaßspannungs-Arbeitspunkt
wird durch den Widerstand 35 eingestellt, der zwischen die Kathode 36 und die negative
Leitung 17 geschaltet ist.
Der Kollektor 38 des Transistors 6 der zweiten Stufe ist
über einen Kollektorwiderstand 39 an die negative Leitung 17'angeschlossen, und zur Einstellung der richtigen Spannung
am Kollektor ist ein Belastungswiderstand 40 parallel
909808/0904
zu einem Filterkondensator 41 zwischen Kollektor und Erde geschaltet. Ih diesem Falle arbeitet der transistor 6 als
ein Emitterverstärker, und der Signalausgang wird vom Emitter 42 über eine Kopplungsleitung, die einen zwischen
den Emitter 42 und die Basis 45 des Transistors 7 der Treiberstufe
geschalteten Kopplungskondensator 44 besitzt, abgenommen*
Ein zwischen dem Emitter 42 der zweiten Verstärkerstufe
und der Basis 22 der ersten Verstärkerstufe vorgesehener Rückkopplungskreis enthält einen Widerstand 58, der zwischen
dem emitterseitigen Ende des Widerstandes 43 am
Schaltungspunkt 60 und einem Schaltungspunkt 61 auf der zur Basis 22 führenden Leitung 27 angeordnet ist. Man
beachte, daß die Vorspannung an der Basis 22 des Transistors 5 durch die Spannung am Emitter 42 des Transistors
6 und durch die relativen Größen der Widerstände 26 und
58 bestimmt wird·' Ein Kondensator 148 liegt parallel zum
Widerstand 58 und erbringt eine Phasenkorrektur der hohen
Frequenzen für optimal hohen Frequenzgang. Der Arbeitspunkt sowohl der ersten als auch der zweiten Verstärkerstufe
sind durch die Einführung der Diode 36 in den Emitterkreis
des Transistors 5 der ersten Stufe äußeret stabil, so daß in einem großen Umfange eine Gleichstromrückkopplung
über den Widerstand 58 erfolgen kann. Die Stabilität i3t wesentlich zur Aufrechterhaltung des optimalen
909306/0904
Arbeitspunktes für die Transistoren 5 und 6, wodurch sichergestellt
wird, daß die "Verzerrung durch die Vortreiber- oder Verstärkerstufen bei einem Leistungsverstärker
der vorliegenden Art gering ist.
Die zweite Verstärkerstufe 6 ist mit dem Treiber-Transistor 7 über eine "Schnürsenkel" (bootstrap)-Anordnung verbunden,
um die Wechselstrombelastung der zweiten Verstärkerstufe 6 und damit die von dieser erzeugte Verzerrung
zu verringern. Tonfrequente Signale treten am Basiswiderstand 46 auf, der zwischen die Basis 45 und Erde 12 geschaltet
ist.
Der Emitterwiderstand 43 liegt zwischen dem Emitter 42
des Transistors 6 und einem Schaltungspunkt 59» der mit dem Emitter 51 des Treiber-Transistors 7 und mit einem
Paar, im Emitterkreis liegender Rückkopplungsreihenwiderstände 52 und 53 geringen Widerstandswertes verbunden
ist. Der Widerstand 53 ist geerdet· Bei der "Schnürsenkel"-Anordnung
ändert sich die Spannung an beiden Enden des Widerstandes 43 gleichsinnig, wodurch sich ein kleiner
Signalstromfluß durch diesen ergibt. Der Grund hierfür besteht darin, daß sich die Spannung am Emitter 42 mit
dem Signal ändern will und daß sich in gleicher Weise die Spannung am Emitter 51 des Transistors 7 ebenfalls
mit dem Signal in gleicher Richtung und etwa mit demsel-
909808/0904
ben Amplitudenniveau gegenüber Erde ändert, was durch die starke Gegenkopplung verursacht wird, die an den Emitter
des Transistors 7 von den nachfolgenden Stufen geführt wird. Biese Schaltungsanordnung erbringt die Vorteile,
daß ein verhältnismäßig großer Gleichstrom durch den Widerstand 43 fließen kann, ohne daß ein zusätzlicher Signal-
oder Wechselstrom vom Transistor 6 verlangt wird· Insgesamt ergibt sich daraus, daß der Transistor 6 weniger
Signalstrom aufnimmt und hierdurch eine größere Verstärkung und eine verbesserte Linearität ermöglicht.
Der Ausgangskreis der Treiberstufe 7 umfaßt einen Belastungswider st and 62, der zwischen den Kollektor 63 und
die negative Versorgungsleitung 17 geschaltet ist. Parallel zur Impedanz des Widerstandes 62 liegt die Primärwicklung
64 eines Ausgangskopplungs- oder Treiber-Transformators
63» Bas auf hohem Signalpotential liegende Ende
der Primärwicklung 64 ist über eine Leitung 66 mit dem Kollektor 63 verbunden, und das auf niedrigem Potential
liegende Ende der Primärwicklung 64 ist über eine Leitung
67 und einen Signal-Ableitkondensator 48 geerdet. Infolgedessen fließt kein nennenswerter Gleichstrom durch die
Primärwicklung 64, welcher durch teilweise Sättigung des Kerns des Transformators 65 eine Verzerrung verursachen
könnte.
909808/0904
U87392 - ίο -
Ber große Gleichstrom-Lastwiderstand 62 im Kollektorkreis
des Transistors 7 erbringt über die Kollektor-Basis-Rückkopplungsvorspannung einen stabilen Arbeitspunkt, wodurch
es sich erübrigt, einen großen, im Nebenschluß liegenden Emitterwiderstand und dessen zugehörige niederfrequente
Phasenverschiebung vorzusehen· Die Gleichstrom-Rückkopplung erfolgt über einen Widerstand 47, der zwischen das
auf niedrigem Signalpotential liegende Ende der Primärwicklung 64 und die Basis 45 geschaltet ist.
Da der Kollektorstrom des Transistors 7 über den Widerstand 62 fließt, spiegelt die Gleichspannung am Kollektor
65 alle Änderungen im Stromfluß wieder, die durch Temperaturänderung oder dgl. hervorgerufen sein könnten.
Die Betriebsspannungsanschlüsse über die Widerstände 46 und 47 halten den ^etriebsstrom des Transistors konstant
und erbringen dadurch eiine Gleichstromstabilisierung. Bei dieser Schaltung ist die Anzahl der für die Gleichstromstabilisierung
erforderlichen Bauteile kleiner als bei den bekannten Schaltungen, die ein Paar von Reihenwiderständen
und einen zwischengeschalteten Nebenschlußkondensator besitzen, welcher zwischen den Kollektor und die
Basis eines Transistors zur Gleichstromstabilisierung geschaltet ist. Der Kondensator erbringt natürlich eine
Signalableitung zur Verhinderung einer Wechselstrom-Gegenkopplung. Bei der erliegenden Schaltung wird der Gleich-
909808/0904
strom-Sperrkondensator durch den Kondensator 48 gebildet,
der zwischen der auf niedrigem Signalpotential liegenden Seite des Ausgangstransformators und Erde geschaltet ist
und der ebenfalls als öignalableitkondensator im Gleichstrom-Rückkopplungskreis
arbeitet.
Die Verzerrung bei Niederfrequenz wird in der Treiberstufe
weitgehend durch die RC-Kopplung der Primärwicklung 64
des Treiber-Transformators mit dem Kollektor 63 des Transistors 7 verringert, wodurch eine Unausgeglichenheit
des Gleichstrom-Magnetflusses im Transformatorkern eliminiert wird. Infolgedessen bildet der Treiber-Transformator
65 keinen nennenswerten Begrenzungsfaktor hinsichtlich
der niedrigen Frequenzen beim dargestellten Hochleistungsverstärker, da kein unausgeglichener Gleichstrom-Magnetfluß
vorliegt, welcher die Niederfrequenzkurve und die Linearität begrenzen könnte. Eine Streuinduktivität
im Transformator 65 kann durch eine "pentafilare" Wicklungsart
auf ein Minimum herabgesetzt werden, wobei fünf Leiter gleichzeitig willkürlich auf einer Form gewickelt
und drei dieser Leiter als Primärwicklung in Reihe geschaltet werden, während die beiden anderen die beiden
Sekundärwicklungen bilden. Durch diese Konstruktion werden eine sehr feste Kopplung und eine sehr geringe Streuinduktivität
zwischen der Primär- und den beiden Sekundärwicklungen erreicht.
909808/0904
Um eine äußerst kleine Verzerrung vor der Rückkopplung zu erreichen, ist die Treiberstufe derart ausgelegt, daß
sie ein Vielfaches der Leistung liefert, die normalerweise erforderlich ist, um die Endstufe auf volle Ausgangsleistung zu bringen.
Der Leistungsverstärker oder die Endstufe liegt in Form
eines Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang vor, wobei eine Hälfte der Verstärkerschaltung die Transistoren 8
und 9 als Verstärkerelemente und die andere Hälfte die Transistoren 10 und 11 als Verstärkerelemente enthalten.
Der Kollektor-Emitterstromkreis eines jeden Paares der Verstärkungstransistoren und die Belastung, z.B. der ·£·.
Lautsprecher, sind in Reihe geschaltet. Da "beide Hälften
des Gegentakt-Leistungsverstärkers identisch sind, wird im folgenden nur der obere Verstärkerteil beschrieben.
3Pür die Transistoren 8 und 9 kann der Kollektor-Emitter-Reihenstromkreis
von der negativen Versorgungsleitung am Schaltungspunkt 74 aus über eine Leitung 76 zum Kollektor
77 des Transistors 8 und von dessen Emitter 78 bis zum Kollektor 80 des Transistors 9 verfolgt werden· Danach
verläuft dieser Stromkreis voniEmitter 81 des Transistors 9 über einen Begrenzungswiderstand 82 zur Leitung
75 und weiter über den Lautsprecher, den Emitterwiderstand 53 der Treiberstufe 7 zur Erde und weiterhin über
Netzanschlußteil zurück zum Kollektor 77 des Transistors 8# 909808/U90A
Die Basis 95 des Transistors 9 ist über eine Signalzuleitung
96 mit einer Sekundärwicklung 97 des Kopplungstransformators 65 verbunden, welche wiederum über eine
eine Vorspannung liefernde Leitung mit einem Schaltungspunkt 99 verbunden ist, der zwischen einer Diode 100 und
einem hiermit in Reihe liegenden Widerstand 101 liegt, wobei die Diode im Hinblick auf den Leiter 75 und den
Widerstand 101 derart gepolt ist, daß sie eine Durchlaßspannung erhält·
Die Diode 100 und der Widerstand 101 bilden einen Teil von einer Reihe von Spannungsteilerelementen oder-Widerständen,
die im wesentlichen parallel zu dem beschriebenen Kollektor-Emitterkreis der Transistoren 8 und 9
zwischen der negativen Versorgungsleitung 15 und dem Leiter 75 liegen. Der Spannungsteilerkreis oder das Spannungsteilernetzwerk
kann von dem Leiter 75 aus über die Diode 100 und den Widerstand 101 bis zu einem Schaltungspunkt 115» weiter üljter einen Widerstand 116 bis zu einem
Schaltungspunkt 117 und von diesem über einen weiteren Reihenwiderstand 118 bis zum Schaltungspunkt 119 auf der
Versorgungsleitung 15 verfolgt werden· Ein Nebenschlußkondensator
130 ist zwischen den Leiter 75 und den Anschlußpunkt
115 geschaltet, welch letzterer zwischen den Widerständen 101 und 116 des Spannungsteilers liegt·
909808/0904
U87392
Der zweite Transistor einer jeden Hälfte der Gegentakt-Schaltung, d.h. die Transistoren 8 und 10, haben in jeder
Hälfte der Schaltung einen Basisanschluß an das Spannungsteilernetzwerk. So ist die Basis 135 des Transistors 8
unmittelbar an den Schaltungspunkt 117 angeschlossen,
welcher eine Abgriffsstelle zwischen den Widerständen 116 und 118 bildet. Die durch die Erfindung erreichte
"Verbesserung besteht unter anderem darin, daß ein Kondensator 190 parallel zum Widerstand 116 geschaltet ist. Der
Kondensator 190 arbeitet mit dem Kondensator 130 zusammen,
um für eine Sättigung des Transistors 8 zu sorgen, obwohl der Frequenzgang (Verstärkungsfaktor gegen Frequenz)
des Transistors 8 wesentlich kleiner als der des Transistors 9 ist, wie nachfolgend noch erörtert wird.
Der ^eistujttgsausgang der Gegentakt-Verstärkerschaltung
wird an einen Lautsprecher 138 geführt, der zwischen dem Leiter 75 und dem Verbindungspunkt 5^ der Emitterwiderstände
52 und 53 des Transistors 7 geschaltet ist. Eine Versorgungsleitung 139 des Lautsprechers ist über die
Ausgangsklemme 56 an den Verbindungspunkt der Emitterwiderstände
52 und 53 des Treiber-Transistors 7 angeschlossen. Die andere Versorgungsleitung 140 ist mit
der Ausgangsklemme 141 verbunden, die ihrerseits über eine Leitung 142 und eine Schmelzsicherung 143 an einen
der Leitung
Punkt/75 angeschlossen ist· Die Klemme 144 der Schmelz-
Punkt/75 angeschlossen ist· Die Klemme 144 der Schmelz-
909808/09(K
U87392
sicherung 143 ist ferner an die Rückkopplungsleitung und über den in Reihe liegenden Rückkopplungs-Steuerwiderstand
146 an den Schaltungspunkt 50 und über die Emitter-Widerstandsschaltung
52-53 an Erde 12 angeschlossen. Der Rückkopplungewiderstand 146 ist durch einen "Beschleunigungs-Kondensator
147 nefcengeschlossen, der eine Phasenkorrektur bei hohen Frequenzen für optimalen hohen Frequenzgang
erbringt.
Der Ausgangskreis über den Lautsprecher 138 kann über den Widerstand 53 bis zur Erde 12 verfolgt werden. Dieser liefert
eine Rückkopplungsspannung proportional zum Strom durch den Lautsprecher an den Widerstand 53 im Emitterkreis
der Treiberstufe. Gleichzeitig ist eine Spannungsrückkopplung*, proportional zur Spannung am Lautsprecher
138, von der Klemme 144 über den Rückkopplungswiderstand
146 an die Reihenwiderstände 52 und 53 im Emitterkreis
der Treiberstufe vorgesehen· Dieses sind verhältnismäßig
kleine Widerstände von — beim vorliegenden Ausführungsbeispiel - 4,7 Ohm für den Widerstand 52 und etwa 0,18
Ohm für den Widerstand 53. Die übrigen Schaltungsparameter sind 220 Ohm für jeden der Widerstände 118 und 126, 68
Ohm für jeden der Widerstände 116 und 124 und 150 Ohm für
jeden der Widerstände 101 und 110· Die Widerstände 82 und
91 können einen Wert von etwa 0,33 Ohm besitzen, während die Kondensatoren 130 und 132 je 100 Mikrofarad und die
909808/0904
Kondensatoren 190 und 191 Je 0,2 Mikrofarad besitzen können.
Die Parameter der anderen Schaltungsbauteile sind in der Zeichnung eingetragen.
I1Ur den Netzanschluß des Systems kann jedes geeignete Gerät
mit entsprechender Stabilisierung verwendet werden. Das hier vorgesehene Netzgerät 19 besteht aus einem Zweiphasen-Brückegleichrichter.
Λ Di^ Sekundärwicklung 152 des
Netztransformators ist vorzugsweise bililar gewickelt, um jegliche 60-Hz-Rechteckwelle zu eliminieren, die durch
eine Nichtlinearität im Eisenkern hervorgerufen werden
könnte.
Die Kopplung und Filterung des Netzanschlusses für die
Treiberstufen 5, 6 und 7 wird durch das dynamische Filter
20 üblichen Aufbaus bewirkt. Bei der vorliegenden Schaltung kann angenommen werden, daß das filter 20 eine
effektive ^eitkonstante von etwa zwei Sekunden besitzt und eine Filterung besser als 66 Dezibel liefert· Da
dies eine einfache zeitkonstante ist, ist die Phasenverschiebung
der niederfrequenten Signale, die über die Leitungen 15 und 17 durch das dynamische Filter 20 rückgekoppelt
werden, auf 90° begrenzt, wodurch gegliche Tendenz zum Blubbern herabgesetzt ist. Die lange Zeitkonstante
bewirkt, daß alle Stufen mit niedrigem Pegel langsam einschalten, wodurch schädliche Einschaltströme weitgehend
eliminiert sind.
90 9806/0 90 4
Die Schmelzsicherung 143 ist wegen des hohen Leistungsvermögens des Verstärkers bei sehr kleinen Frequenzen
zum Schutz des Lautsprechers vorgesehen. Jedoch könnte der Lautsprecher auch unmittelbar an die Leitung 75 angeschlossen
werden, wie durch die gestrichelte Leitung angedeutet ist.
Etwa 35 Dezibel Rückkopplung werden bei den Endstufen verwendet· Eine kombinierte Strom- und ^annungsrückkopplung
von der Gegentakt-Endstufe über die leitungen 55 und 145 zu den Emitterwiderständen 52-53 wird verwendet,
um einen einheitlichen Dämpfungsfaktor auf der leitung zu erhalten, der durch Änderung der Widerstände 531» 53
und 146 und des Kondensators 147 von 0,2 bis 5 geändert werden kann. Die Gesamtleistungsverstärkung der Leistungsendstufen auf der Treiberendseite ist im wesentlichen
40 Dezibel beim vorliegenden Beispiel. Es kann festgestellt werden, daß die Vortreiber-Stufen, die durch die
Transistoren 5 und 6 dargestellt werden, etwa 30 Dezibel
Spannungsrückkopplung über den Widerstand 58 und den
Kondensator 148 zur ersten Basis 22 und eine Netto-Signalgesamtverstärkung
von etwa 30 Dezibel besitzen. Der Rückkopplungskreis für die Vortreiber-Stufen 5 und 6
ist im wesentlichen unabhängig von den Rückkopplungskreisen der Leistungsverstärkerstufe zum Transistor 7
der Treiberstufe.
909908/090/,
H87392
Bei der Betrachtung der Wirkungsweise des Verstärkers wird zunächst von der Schaltung für die Betriebsspannungen ausgegangen, welche es ermöglicht, daß "beide Transistoren
8 und 9 in den Sättigungszustand gelangen. An der Germanium-Diode 100 eine Vorwärtsvorspannung von etwa
0,25 Volt für die Basis 95 und den Emitter 81 des Transistors 9 aufgebaut. Eine Spannung von etwa -15 Volt erscheint
am Schaltungspunkt 117 und wird an die Basis 155
des Transistors 8 geliefert, während eine Spannung von etwa -9 Volt am Schaltungspunkt 115 erscheint. Diese Spannungen
sind auf Erde bezogen und für den Fall angegeben, daß kein Signal vorliegt. Wenn kein Signal vorliegt, befindet
sich die leitung 75 im wesentlichen auf Erdpotential, so daß die -9 Volt des Schaltungspunktes 115 unmittelbar
am Kondensator 130 und die -6VoIt unmittelbar
am Kondensator 190 liegen.
Wenn eine an den Transistor 9 gelieferte Signalspannung
in der Richtung schwpingt, daß sie diesen Transistor leitend macht, dann fließt der sich ergebende Kollektorstrom
über den Transistor 8 und den Lautsprecher 138. TJm eine beträchtliche Ausgangsleistung abgeben zu können, müssen
die Transistoren 8 und 9 in den Sättigungszustand gehen.
Um den Transistor 9 in Sättigung zu bringen, müssen Mittel vorgesehen werden, um einen großen Emitter 78-Basis
135-Strom herzustellen, wenn die Kollektor 77-Basis-135-
909808/0904
U87392
Spannung im wesentlichen Null ist· Wenn beide Transistoren
8 und 9 vom gleichen Typ sind, wenn z.B. beide Drift-Transistoren mit hohem Verstärkungsfaktor sind, ist die
Differenz im Frequenzgang bei diesen nicht groß, wobei der Kondensator 130 den erforderlichen Strom liefern kann,
um den Transistor 8 in den Sättigungszustand zu treiben.
Wie bereits erwähnt, fließt der durch die Transistoren 8 und 9 gehende Strom ebenfalls durch den Lautsprecher 138.
Hierdurch wird die Leitung 75 gegenüber Erde negativ. Die Spannung am Schaltungspunkt 115 ist gleich der Sumr.3 der
negativen Spannung auf der Leitung 75 und am Kondensator 130. An einem bestimmten Punkt während eines ^ignalwellenzyklusses
übersteigt die negative Spannung am Schaltungspunkt 115 die negative Spannung am Schaltungspunkt 119»
welcher fest auf -44 Volt liegt. Die Ströme im Spannungsteiler
werden dann erneut verteilt, so daß ein zusätzlicher Basis 135-Strom für die Sättigung über den Widerstand
116 zum Schaltungspunkt 115 fließt, und liegen folglich nicht in einer -dichtung vor, daß sie die umgekehrte Kollektor
77-Basis 135-spannung erhöhen oder aufrechterhalten. Unter diesen Bedingungen kann der Schaltungspunkt
117 etwas stärker negativ werden als die -44 Volt am Schaltungspunkt
119, so daß die Basis 135-Kollektor 77-Grensschicht
eine Durchlaßspannung erhält, so daß der Kollektor 8 in den Sättigungszustand gehen kann.
808/0 90/,
Eine Kosteneinsparung kann erreicht werden, indem man "billige Germanium-Leistungstransistoren vom Legierungstyp für die in der Hauptsache in üblicher Basisschaltung
vorliegenden Transistoren 8 und 10 verwendet und die Kondensatoren 190 und 191 hinzunimmt, ohne daß hierdurch der
!frequenzgang des Verstärkers beeinträchtigt wird. Beispielsweise kann ein billiger Legierungs-Leistungstransistor
mit niedrigem Frequenzgang oder niedriger Grenzffequenz (f^^), z.B. der Transistortyp RCA 40051, anstelle
des kostspieligeren 2N214-7 Drift=Transistors verwendet
werden. Der Legierungs-Leistungstransistor kann
nicht für die in üblicher Emitterschaltung vorliegenden Transistoren 9 und 11 verwendet werden, da seine Grenzfrequenz
oder sein Frequenzgang zu niedrig ist bei einer Anordnung in üblicher Emitterschaltung, um den erforderlichen
Frequenzgang für einen Hi-Fi-Verstärker zu liefern. Der Drift-Transistor, der eine höhere Grenzfrequenz oder
einen höheren Frequenzgang aufweist, ist für die Transistoren 9 und 11 besser verwendbar.
Der ßtromverstärkungsfaktor eines Legierungs-Transistors
ist merklich kleiner bei hohen Frequenzen als der eines Drift-Transistors, insbesondere bei Frequenzen über 5OOO
Hz. Ohne den Kondensator 190 und bei Verwendung eines
Legierungs-Transistors mit kleinerem Frequenzgang für den Transistor 8 kann dieser bei hohen Tonfrequenzen nicht
909808/D9OA
U87392 ~ 21 -
in den Sättigungszustand getrieben werden. Der Betrag des Basis-Steuerstromes, der bei Tonfrequenzen erforderlich
ist, um einen Legierungs-Transistor in den Sättigungszustand zu bringen, ist größer als der, der vom Kondensator
130 über den Widerstand 116 geliefert werden kann.
Der Kondensator 190 ist wirkungsmäßig durch den Widerstand
116 bei hohen Tonfrequenzen nebengeschlossen, wodurch ein Basisstromkreis niedriger Impedanz zwischen der
Basis des Transistors 8 und dem Kondensator 130 gegeben
ist. Infolgedessen steht ein größerer Betrag des Basissteuerstromes für die Sättigung des Transistors 8 zur
Verfügung, um die verringerte Verstärkung des Transistors bei hohen Tonfrequenzen zu kompensieren· Beispielsweise
konnte der Verstärker, ohne die Kondensatoren 190 und
191 und bei Verwendung eines Legierungs-Transistors (ROA
40051) für die Transistoren 8 und 10 und eines Drift-Transistors
(2N214-7) für die Transistoren 9 und 11, nur
15 Watt Ausgang bei 20 000 Hz liefern. Dagegen lieferte der Verstärker bei Verwendung der Kondensatoren 190 und
191 35 Watt Ausgang bei 20 000 Hz· Darüberhinaus wird ein optimaler Betrieb erreicht, wenn der Transistor 8 vor dem
Transistor 9 in Sättigungszustand geht. Dies kann dadurch
erreicht werden, daß man das Spannungsteilernetzwerk so ausgelegt, daß die Spannung am Schaltungspunkt 115 zur
Zeit der Sättigung ausreichend stärker negativ ist als
9Q9808/09CU
U87392
die Spannung am Schaltungspunkt 119, um den Basis 135-Strom
vom Transistor 8 über den Widerstand 116 und den Kondensator 190, der für die Sättigung erforderlich ist,
aufzunehmen.
Die andere Hälfte des Gegentakt-Leistungsverstärkers, welcher die Transistoren 10 und 11 enthält, arbeitet in der
gleichen vorbeschriebenen Weise« Die Signale, werden an
die beiden Hälften der Endstufen im Gegeriakt geliefert, so daß die eine Hälfte mit den Transistoren 8 und 9 leitet,
wenn die andere Hälfte mit den Transistoren 10 und 11 gesperrt ist und umgekehrt.
Der Transistor 9 wird gegen ein thermisches Durchgehen dadurch stabilisiert, daß man sichergestellt, daß der
Netzwerk
Widerstand in/für die Basisvorspannung, welches den dynamischen
Widerstand der Diode 100 enthält, der Gleichstromwiderstand
der Sekundärwicklung 97 und der Baä.s-Widerstand des Transistors klein gegenüber dem Beta der
Transistoren mal dem Emitterwiderstand 82 sind. Darüberhinaus ist eine thermische Stabilisierung durch die Diode
100 vorgesehen, an welcher eine DurchSloßspannung anliegt.
Der Transistor 11 ist in der gleichen Art stabilisiert.
Außer der Temperaturstabilisierung bewirkt die Diode eine Spannungsstabilisierung für den Transistor 9· Dies
909808/0904
ist erforderlich, weil die Spannung am Schaltungspunkt 115 bei einem starken Signal abnimmt und sich bei den
durch niederfrequente Signale ergebenden Bedingungen ändert. Jede der vorerwähnten Änderungen würde eine Überschneidungs-Verzerrung
bewirken, falls diese nicht, wie hier durch die Diode 100, stark unterdrückt wird· Dies
trifft ebenfalls für die ^iode 109 und den Transistor zu·
Da die Transistoren 8 und 10 von einer Emitterstromquelle hoher Impedanz gesteuert werden (den Transistoren 9 und
11), ist deren thermische Stabilität nicht kritisch. Von den vier Transistoren in der Leistungsendstufe müssen
nur zwei gegen ein thermisches Durchgehen stabilisiert werden.
Bei dem Leistungsverstärker der vorliegenden Erfindung
kann eine höhere Versorgungsspannung als bei anderen bekannten Arten von B- oder AB-Schaltungen verwendet werden,
da hier die zwei Transistoren 8-9 und 10-11 in Reihe geschaltet sind. Darüberhinaus ist die Kollektor 77-Emitter
78-Durchlaßspannung des Transistors 8, der in üblicher Basisschaltung betrieben wird, höher als die einer
üblichen Emitterstufe, z.B. die des Transistors 9· Die
höhere Versorgungsspannung hat den Vorteil, daß bei einer gegebenen Leistung weniger Strom aufgenommen wird, wodurch
909806/0 904
weniger teuere elektrolytische Kondensatoren mit geringerer Kapazität verwendet werden können, -^arüberhinaus
ist die Verzerrung herabgesetzt, da bei einer gegebenen Leistung die Strompendelung geringer ist, wodurch die
Schwierigkeitaivermieden werden, die beim Treiben der
Transistoren in nichtlineare Arbeitsbereiche auftreten.
Dies führt zu einem weiteren wesentlichen Vorteil der Erfindung. Die höhere Durchlaßspannung zwischen Emitter 78
und Kollektor 77 des Transistors 8 ermöglicht in Verbindung mit der größeren thermischen Stabilität des Transistors
8 gegenüber dem Transistor 9ι eine größere Ausgangsleistung
vom Transistor 8 an den Lautsprecher 138 zu ;
liefern, als dies bei dem Transistor 9 der Fall ist« Bei der in der Zeichnung dargestellten Verstärkerschaltung,
die über 50 Watt mit einer Verzerrung von weniger als (
0,1 % abzugeben vermag, können die Transistoren 8 und 10 beispielsweise etwa 35 Watt abgeben, während die Transistoren
9 und 11 ungefähr 15 Watt liefern. Der Vorteil dieses letzten Merkmales wird besonders deutlich, wenn £
man bedenkt, daß bei den bekannten Schaltungen der Leistungsausgang jedes Transistors gleich und durch die erforderlichen
Einrichtungen für die thermische Stabilisierung und für die Kollektor-Emitter-Durchlaßspannung
begrenzt ist.
90-.9&0.8V.0 90A
Bei den üblichen Schaltungen mit Gegentakt-Endstufe muß
der Versorgungsstrom sehr gut gefiltert sein, um Brumm ströme in dem Versorgungsgleichstrom herabzusetzen, da
die Brummströme in der Ausgangsschaltung nur unvollkommen ausgemenb werden· Bei der vorliegenden Erfindung
sind die Schwierigkeiten durch die Brummströme in der Gleichstromversorgung so stark herabgesetzt, daß die Filterung
des Versorgungsströmes weniger kritisch ist und
eine einfache Einheit, z.B, das Netzanschlußgerät 19>
wirkungsvoll verwendet werden kann· Es ist ersichtlich, daß die hohe Ausgangsimpedanz der üblichen Basisschaltung
der zweiten Transistoren 8 und 10 in der Endstufe den durch diese Transistoren gebildeten Signalkreis durchfließenden
Brummstrom auf einen sehr kleinen Wert begrenzt« Es werden keine Brummspannungen an die Basiselektroden
geliefert, die mit dem Signal verstärkt werden können· In anderen Worten ausgedrückt, hindert die
hohe Impedanz beim Emitter der zweiten Transistoren 8 und 10, welche die Ausgangsimpedanz der Treiber-Transistoren
9 und 1f ist, jede an der Basis der Transistoren 8 und
10 erscheinende Brummkomponente daran, verstärkt zu werden· An der Basis der Treiber-Transistoren 9 und 11
treten keine Brummkomponenten auf, was durch die Nebenschlußwirkung der Kondensatoren 130 und 132 bedingt ist.
Die einzigen Brummströme, die im Lautsprecher 138 fließen· sind dessen unausgeglichenen Teile, die durch die Span-
909808/0904
nungsteilernetzwerke und durch die Spannungsstabilisierungs-Kondensatoren
130 und 132 fließen. Der Widerstand der Spannungsteilernetzwerke ist groß gegenüber dem des
Lautsprechers 138, weshalb eine nichtausgeglichene Brummkomponente,
die bereits anfänglich klein ist, noch weiter gedämpft wird, Barüberhinaus ergibt sich eine weitere
Brummunterdrückung aufgrund der Strom— und Spannungbrückkopplung
zum Treiber-Transistor 7· Bei dem dargestellten
Verstärker ist der Brummausgang 100 Dezibel unter dem 50 Watt Ausgangspegel·
909808/0 9(H
Claims (4)
- Patentansprüche1·) Leistungsverstärkerstufe mit Eintaktausgang, welche in Reihe einen ersten Transistor in üblicher Emitterschaltung, zumindest einen zweiten Transistor in üblicher Basisechaltung und gesteuert vom ersten Transistor, einen gemeinsamen Belastungskreis für das Ausgangssignal und einen aus Widerständen aufgebauten Spannungsteiler umfaßt, welcher die Betriebsspannungen für die in Reihe geschalteten Transistoren liefert, wobei der Spannungsteiler für den ersten Transistor mit einer Spannungsstabilisierung ausgerüstet ist, die eine Diode enthält, an der eine Durchlaßspannung anliegt* dadurch gekennzeichnet, daß zwei in Reihe geschaltete Kondensatoren (130, 190) jeweils im Nebenschluß zu besonderen Widerständen (101 und 116) des Spannungsteilers liegen, welche die Spannungsverteilung längs des Spannungsteilers bestimmten, und daß die beiden Kondensatoren derart zusammenarbeiten, daß sie den zweiten (6) und ersten Transistor (9)$ sur Erzielung einer maximalen Ausgangsleistung für die Belastung (138) in Abhängigkeit von eingegebenen Signalen hoher Amplitude, nacheinander in den Sättigungszustand treiben.It
- 2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß einer der Transistoren bei hohen Tonfrequenzen eine Stromverstärkung erbringt, die wesentlich größer ist als die des anderen Transistors, und daß eine Einrichtung zur Eingabe eines Eingangssignales an die Basis des ersten Transistors (9) vorgesehen ist.
- J. Verstärker nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gelmnzeichnet, daß der zweite Transistor (8) bei hohen Tonfrequenzen einen niedrigeren Stromverstärkungsfaktor besitzt, und daß die beiden Transistoren (8, 9) in Reihe mit der Ausgangsbelastung (158) geschaltet sind,
- 4. Verstärker nach irgendeinem der Ansprüche 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler derart ausgelegt ist, daß er den zweiten Transistor(8) mit einer Voreilung vor dem ersten Transistor(9) in den Sättigungszustand gelangen läßt, derart, daß der erste Transistor eine bestimmte Leistung an den Ausgangskreis abgibt und daß der zweite Transistor wesentlich mehr als das Zweifache gegenüber dem ersten Transistor als Ausgangsleistung an die Belastung liefert.909806/0 90AU87392Verstärker nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 4-, dadurch gekennzeichnet, daß dieser einen dritten und vierten, in Reihe geschalteten Transistor (10, 11) enthält, die in gleicher Weise angeordnet und miteinander verbunden sind, und in gleicher Weise arbeiten wie der erste und zweite Transistor (8,9)» daß ferner ein Spannungsteiler zur'Versorgung des dritten und vierten Transistors mit den Betriebsspannungen vorgesehen ist, daß ein dritter und ein vierter in Reihe geschalteter Kondensator (132, 191) im Nebenschluß zu einzelnen Teilen des ^pannungs-■fceLlers zur Steuerung der Spannungsverteilung an diesem vorgesehen sind, und daß eine Verbindung vom Emitter (81) des ersten Transistors, der in üblicher Emitterschaltung vorliegt, zur Kollektorelektrode (86) des vierten Transistors vorgesehen ist, die in üblicher Basisschaltung vorliegt, und daß die Ausgangsbelastung (138) zwischen die Verbindung des ersten und vierten Transistors und einer Betriebspotentialquelle geschaltet ist.009808/0904
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US47294565A | 1965-07-19 | 1965-07-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1487392A1 true DE1487392A1 (de) | 1969-02-20 |
DE1487392B2 DE1487392B2 (de) | 1970-09-10 |
Family
ID=23877532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19661487392 Pending DE1487392B2 (de) | 1965-07-19 | 1966-07-15 | Leistungsverstärkerstufe mit unsymmetrischem Ausgang |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3421098A (de) |
BE (1) | BE684281A (de) |
DE (1) | DE1487392B2 (de) |
GB (1) | GB1117660A (de) |
NL (1) | NL6610090A (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3622899A (en) * | 1969-05-08 | 1971-11-23 | Hewlett Packard Co | High-voltage power amplifier circuit |
JPS631453Y2 (de) * | 1979-12-20 | 1988-01-14 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB859045A (en) * | 1956-04-19 | 1961-01-18 | Emi Ltd | Improvements relating to transistor or thermionic valve switching circuits |
FR1332168A (de) * | 1961-06-19 | 1963-12-16 |
-
1965
- 1965-07-19 US US472945A patent/US3421098A/en not_active Expired - Lifetime
-
1966
- 1966-01-28 NL NL6610090A patent/NL6610090A/xx unknown
- 1966-06-29 GB GB29310/66A patent/GB1117660A/en not_active Expired
- 1966-07-15 DE DE19661487392 patent/DE1487392B2/de active Pending
- 1966-07-18 BE BE684281D patent/BE684281A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE684281A (de) | 1967-01-03 |
DE1487392B2 (de) | 1970-09-10 |
NL6610090A (de) | 1967-01-20 |
GB1117660A (en) | 1968-06-19 |
US3421098A (en) | 1969-01-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0087175A1 (de) | Schaltung zur elektronischen Verstärkungsstellung | |
DE2146418B2 (de) | Gegentaktverstärker mit verbesserter Stromverstärkung bei hohen Frequenzen | |
DE2461163C3 (de) | Monolithischer Leistungsverstärker | |
DE2501407B2 (de) | Verstaerker | |
DE2623245B2 (de) | Halbleiterverstärker | |
DE3248552C2 (de) | ||
DE1562064A1 (de) | Gleichspannungsgekoppelter Gegentaktverstaerker fuer Tonfrequenzen | |
DE3019817A1 (de) | Sperrschaltung fuer einen differenzverstaerker | |
DE4111495A1 (de) | Gegentakt-endstufe | |
DE1904333A1 (de) | Spannungsregelschaltung fuer vorzugsweise monolithisch aufgebaute Spannungsregler | |
EP0351639A2 (de) | Eingangsschaltung für Hochfrequenzverstärker | |
DE1180000B (de) | Transistor-Leistungsverstaerkerstufe | |
DE19501236C2 (de) | Verstärker | |
DE3108514C2 (de) | "Verstärkerschaltung" | |
DE3125200C2 (de) | Rückführungsstabilisierter Zwischenfrequenzverstärker für Fernsehzwecke | |
DE2539269A1 (de) | Verstaerker | |
DE3026551C2 (de) | ||
DE1487392A1 (de) | Signaluebertragungssystem | |
DE3624391C2 (de) | ||
DE3032675C2 (de) | Tonfrequenz-Leistungsverstärker-Schaltung. | |
DE2120286A1 (de) | Pegelschiebeschaltung | |
DE1487392C (de) | Leistungsverstarkerstufe mit unsymmet nschem Ausgang | |
DE2557512B2 (de) | PDM-Verstärker | |
DE2115661B2 (de) | Schaltverstärker | |
DE3120689A1 (de) | "gegentaktendstufe" |