DE3624391C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltung zur Einstellung der Verstärkung eines Verstärkers.

Fig. 7 zeigt eine bekannte Verstärkungseinstellschaltung für einen Verstärker, der von einer Stromversorgungsquelle betrieben wird, wobei das Teilerverhältnis eines ohmschen Spannungsteilers durch die schaltende Betriebsweise eines Schalttransistors verändert wird. Die Schaltung findet bei einem Verstärker Anwendung, der in einer Audioausrüstung eines Kraftfahrzeugs enthalten ist. Diese Verstärkungseinstellschaltung ist aus der JP-OS 56-8306 bekannt. Eine vergleichbare Schaltung zeigt die JP-OS 56-77115.

Gemäß Fig. 7 ist ein Audiosignaleingang 1 mit dem nicht-invertierenden Eingang eines Operationsverstärkers 2 verbunden. Allgemein wird in dem Fall, in dem die Verstärkungseinstellschaltung im Verstärker eines Kraftfahrzeug-Audiogerätes verwendet wird, eine Vorspannung (plus B/2) erzeugt, die die Hälfte der Versorgungsspannung (plus B) ist und von einer Vorspannungserzeugungsschaltung 3 abgegeben wird. Die Vorspannung wird dem nicht-invertierenden Eingang des Operationsverstärkers 2 über einen Widerstand R₁ zugeführt. Diese zusätzliche Spannungszuführung wird verwendet, da der Verstärker allgemein mit einer einzigen Stromversorgungsquelle betrieben wird und der Ausgang des Verstärkers 2 eine Schwingung um eine Gleichspannung des Pegels plus B/2 darstellt. Der Ausgang des Operationsverstärkers 2 ist mit einem Signalausgang 4 sowie über einen Widerstand R₂ mit dem invertierenden Eingang des Operationsverstärkers 2 verbunden.

Ein Kondensator C₁ zum Abtrennen der Vorspannung und Wider­ stände R₃ sowie R₄ liegen in Reihe zwischen dem invertieren­ den Eingang des Operationsverstärkers 2 und Masse (dem Null-Potential), während ein Schalttransistor Q₁ parallel zum Widerstand R₄ angeschlossen ist. Die Versorgungsspannung (+B) wird wahlweise an die Basis des Transistors Q₁ über einen Schalter S zum Steuern des Einschaltens oder Ausschaltens des Transistors Q₁ angelegt. Diese geschaltete Versorgungsspannung (+B) wird über einen Widerstand R₅ zu der Basis des Transistors Q₁ zugeführt, um den Basisstrom des Transistors Q₁ zu steuern. Ein Widerstand R₆ und ein Kondensator C₂ liegen in Parallelschaltung zwischen der Basis des Transistors Q₁ und Masse. Diese parallele RC-Schaltung ergibt eine Zeitkonstante der Schwankung der Gleichspannung der Batterie am Signalausgang 4, wenn der Transistor Q₁ eingeschaltet oder ausgeschaltet wird, um das Rauschen zu vermindern. Der Widerstand R₆ bewirkt ebenfalls, daß das Basispotential des Transistors Q₁ auf dem Massepegel gehalten wird, um dadurch eine Fehlbetätigung des Transistors Q₁ in dem geöffneten Zustand des Schalters S zu verhindern.

Nachfolgend wird der Betrieb der derart angeordneten Verstärkungseinstellschaltung erläutert.

Es sei angenommen, daß ein Wechselstromeingangssignal (E_i=Ae^{j ω t}) an den nicht-invertierenden Eingang des Operationsverstärkers 2 über den Signaleingang 1 angelegt wird. Wenn der Schalter S in dem geöffneten Zustand ist, kann das Wechselstromausgangssignal E_oo (zusätzlich zu der Vorspannung von +B/2 am Signalausgang 4 durch die folgende Gleichung ausgedrückt werden, wenn der Transistor Q₁ in seinem ausgeschalteten Zustand ist:

Wenn der Schalter S in seinem geschlossenen Zustand ist, kann andererseits das Ausgangsignal E_OS, das am Signalausgang 4 erzeugt wird, durch die folgende Gleichung ausgedrückt werden, da der Transistor Q₁ in seinem eingeschalteten Zustand ist, so daß der Widerstand R₄ kurz geschlossen ist:

Daher kann das Signalverhältnis (E_OS/E_OO) durch folgende Gleichung ausgedrückt werden:

Bei der derart angeordneten bekannten Verstärkungseinstellschaltung ist das Gleichspannungs-Kollektorpotential des Schalttransistors Q₁ auf Masse gelegt. Wenn daher eine plötzliche Basis-Kollektor-Vorwärtsspannung V_F über Kollektor und Basis des Transistors Q₁ in dem geöffneten Zustand des Schalters S angelegt wird, beginnt ein Strom durch die Basis zu fließen. Das bedeutet, daß ein Strom von Masse in den Kollektor über den Basis-Kollektor-Weg des Transistors Q₁ und die Parallelschaltung des Widerstandes R₆ und des Kondensators C₂ fließen kann, wenn die Gleichstromkomponente am Kollektor des Transistors Q₁ kleiner ist als -V_F. Dies entspricht einer Verminderung des Widerstandswertes R_CE des Kollektor-Emitter-Weges des Transistors Q₁ in dessen ausgeschalteten Zustand, so daß die am Signalausgang 4 erscheinende Ausgangssignalform in vertikaler Richtung asymmetrisch wird, wie dies in Fig. 9 zu sehen ist.

Um diese Nachteile zu vermeiden, wurde bereits eine Verstärkungseinstellschaltung gemäß Fig. 10 vorgeschlagen, die eine Pufferschaltung aus einem Transistor Q₂, Widerständen R₆ und R₇ und einen Kondensator C₂ enthält. Diese Verstärkungseinstellschaltung weist jedoch den Nachteil auf, daß sie eine größere Anzahl von Bauelementen benötigt und Schaltgeräusche beim Einschalten des Schalters S erzeugt, da zu diesem Zeitpunkt keine Zeitkonstante wirksam ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Verstärkungseinstellschaltung anzugeben, bei der Verzerrungen des Verstärkerausgangssignals vermindert sind, ohne daß es zur Erreichung dieses Ziels erforderlich ist, die Anzahl der Schaltungsbauteile zu steigern.

Die Ansprüche 1, 7 und 10 zeigen Lösungen dieser Aufgabe, die von einem gemeinsamen Konzept regiert werden. Dieses besteht darin, daß ein Potential an einem Kollektor eines Schalttransistors so eingestellt wird, daß es im wesentlichen gleich dem Gleichspannungspotential am Ausgang des Verstärkers ist.

Nachfolgend werden unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen bevorzugte Ausführungsbeispiele näher erläutert.

Es zeigt

Fig. 1 ein Schaltungsdiagramm eines Ausführungsbeispieles der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 ein Schaltungsdiagramm eines weiteren Ausführungsbeispieles gemäß der vorliegenden Erfindung in Anwendung auf eine Verstärkerschaltung, die einen Operationsverstärker verwendet;

Fig. 3 ein Schaltungsdiagramm eines Ausführungsbeispieles nach dem Stand der Technik in Anwendung auf einen Transistorverstärker;

Fig. 4 ein Schaltungsdiagramm eines weiteren Ausführungsbeispieles gemäß der vorliegenden Erfindung in Anwendung auf eine Transistorverstärkerschaltung;

Fig. 5 ein Schaltungsdiagramm eines weiteren Ausführungsbeispieles nach dem Stand der Technik in Anwendung auf eine Transistorverstärkerschaltung;

Fig. 6 ein Schaltungsdiagramm wiederum eines weiteren Ausführungsbeispieles gemäß der vorliegenden Erfindung in Anwendung auf eine Transistorverstärkerschaltung;

Fig. 7 ein Schaltungsdiagramm eines weiteren Ausführungsbeispieles nach dem Stand der Technik in Anwendung auf eine Verstärkerschaltung mit einem Operationsverstärker;

Fig. 8 einen Signalverlauf zum erläutern der Betriebsweise der Schaltung gemäß Fig. 7;

Fig. 9 eine Ausgangssignalform der Schaltung gemäß Fig. 7;

Fig. 10 ein Schaltungsdiagramm einer weiteren Verstärkerschaltung nach dem Stand der Technik mit einem Operationsverstärker.

Fig. 1 zeigt ein Schaltungsdiagramm eines Ausführungsbeispieles gemäß der vorliegenden Erfindung. In der Zeichnung sind ein Kondensator C₁ und Widerstände R₃ und R₄ in Reihe zwischen einem invertierenden Eingang eines Operationsverstärkers 2 und einem Ausgang einer Vorspannungs-Erzeugungs- Schaltung 3 angeschlossen. Der Emitter eines Transistors Q₁ ist an den Ausgang der Vorspannungs-Erzeugungs- Schaltung 3 angeschlossen, die bei dem Potential +B/2 liegt. Mit Ausnahme der oben beschriebenen Verbindung des Emitters des Transistors Q an +B/2 ist die Schaltung in Fig. 1 im wesentlichen dieselbe wie diejenige gemäß Fig. 7.

Die Verbindung zwischen dem Widerstand R₄ und dem Emitter des Transistors Q₁ ist an den Ausgang der Vorspannungs-Erzeugungs- Schaltung 3 derart angeschlossen, daß das Gleichspannungspotential an dem Verbindungspunkt oder Knotenpunkt bei der Spannung +B/2 liegt, so daß die Spannung des Gleichstrom- Kollektorpotentials des Transistors Q₁ bei +B/2 liegt.

Wenn daher ein Schalter S in seinem geöffneten Zustand ist, so daß der Transistor Q₁ in seinem ausgeschalteten Zustand bleibt, ermöglicht der Pegel der Signalamplitude (Ap-p/2) an dem Kollektor des Transistors Q₁ einen beginnenden Stromfluß von Masse (Null-Potential) zum Kollektor über den Basis-Kollektor-Weg und eine parallele Schaltung eines Widerstandes R₆ und eines Kondensators C₂, wenn die Wechselspannung an dem Kollektor weniger als -(+B/2+V_F) beträgt. Diese Spannung -(+B/2+V_F), an der das Leiten der Basis beginnt, ist gleich oder größer als der halbe Spitzenwert des maximalen Ausgangspegels (d. h. des Abschneidepunktes) des üblichen Operationsverstärkers 2. Daher ist es möglich, ein Eingangssignal verzerrungsfrei von einem niedrigen Ausgangspegel auf den maximalen Pegel des Operationsverstärkers 2 wiederzugeben.

Wenn der Schalter S geschlossen ist , um den Transistor Q₁ einzuschalten, wird andererseits die gleiche Schaltungsbetriebsweise wie diejenige gemäß Fig. 7 ausgeführt. Das Gleichstrom-Emitterpotential des Transistors Q₁ beträgt +B/2 (Volt) zu dem vorliegenden Zeitpunkt. Eine RC- Zeitkonstantenschaltung liegt zwischen der Basis des Transistors Q₁ und Masse in ähnlicher Weise, wie dies bei der bekannten Schaltung der Fall ist. Daher ist es möglich, eine Zeitkonstante in der Schwankung der Gleichspannung am Signalausgang 4 festzulegen, wenn der Transistor Q₁ ein- oder ausgeschaltet wird, so daß ein Pop-Rauschen vermieden werden kann.

Die obige Beschreibung bezieht sich auf eine Verstärkungseinstellschaltung zum Einstellen des Ausgangspegels des Operationsverstärkers 2 durch eine Einstellung des Pegels am invertierenden Eingang des Operationsverstärkers 2 bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel. Darüber hinaus kann die vorliegende Erfindung auch auf eine sogenannte Stummtastschaltung angewendet werden, die ebenfalls eine Art der Verstärkungseinstellschaltung darstellt. Wie in Fig. 2 gezeigt ist, schaltet eine Stummtastschaltung den Ausgangspegel eines Operationsverstärkers 2 dadurch stumm, daß sie wahlweise den Signalausgang 4 durch die Schaltbetriebsweise des Transistors Q₁ auf Masse legt, um die gleiche Wirkung wie diejenige des obigen Ausführungsbeispieles zu erzielen. In der Fig. 2 liegt ein Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R₄ und dem Emitter des Transistors Q₁ am Ausgang der Vorspannungs-Erzeugungs-Schaltung 3, so daß ein Gleichstrom-Kollektorpotential des Transistors Q₁ am Ausgang des Operationsverstärkers 2 wahlweise an ein Gleichspannungspotential angeglichen werden kann. Daher ist es ohne Erhöhung der Anzahl der Bauteile möglich, die oben genannten Nachteile des Standes der Technik zu vermeiden, die darin bestehen, daß eine Signalform in vertikaler Richtung asymmetrisch wird, wenn ein Signal mit der Hälfte des Spitze- Spitze-Wertes des Ausgangspegels des Operationsverstärkers 2 die Basis-Kollektor-Vorwärtsspannung V_F des Stummstasttransistors Q₁ übersteigt und am Kollektor des Transistors Q₁ im ausgeschalteten Zustand der Stummtastung anliegt.

Obwohl die Beschreibung einen Fall betrifft, bei der die Erfindung auf eine Verstärkungsschaltung angewendet wird, die von einem Operationsverstärker bei dem obigen Ausführungsbeispiel Gebrauch macht, ist es möglich, die Erfindung auf eine übliche Verstärkerschaltung unter Verwendung eines Transistors anzuwenden. Fig. 3 zeigt eine Ausführungsform nach dem Stand der Technik, bei der eine übliche Verstärkungseinstellschaltung bei einem Transistorverstärker angewendet wird. In der Zeichnung ist ein Signaleingang 1 mit einer Basis eines Signaltransistors Q₃ verbunden, der den Verstärker bildet. Eine Vorspannung wird an die Basis des Signaltransistors Q₃ über Widerstände R₁₁ und R₁₂ zugeführt, die in Reihe zwischen einer Stromquelle +B und Masse liegen, um auf diese Weise einen Spannungsteiler zu bilden. Der Emitter des Signaltransistors Q₃ liegt über einen Widerstand R₁₄ an Masse, währenddessen Kollektor mit der Stromquelle +B über einen Widerstand R₁₃ verbunden ist und direkt an einen Signalausgang 4 angeschlossen ist. Ein die Vorspannung abschneidender Kondensator C₁ sowie Widerstände R₃ und R₄ liegen in Reihe zwischen dem Emitter des Signaltransistors Q₃ und Masse. Der Widerstand R₄ liegt parallel zu einem Schalttransistor Q₁. Die Schaltungsanordnung entspricht im wesentlichen derjenigen gemäß Fig. 1.

Bei der bekannten Verstärkungseinstellschaltung mit dem oben beschriebenen Aufbau ist die wesentliche Betriebsweise diejenige, daß die Impedanz des Emitters des Transistors Q₃ eingestellt wird, um dadurch den Pegel am Kollektor des Transistors einzustellen. Jedoch tritt hierbei der gleiche Nachteil auf wie bei der oben erwähnten üblichen Schaltung unter Verwendung eines Operationsverstärkers. Das bedeutet, daß bei Anlegen eines Signales mit einer Amplitude (Ap-p/2≦λτV_F) an den Kollektor des Transistors Q₁, welche die Basis-Kollektor- Vorwärtsspannung V_F übersteigt, während der Schalter S in seinem geöffneten Zustand ist, ein Strom von Masse über den Basis-Kollektor-Weg des Schalttransistors Q₁ und die Parallelschaltung des Widerstandes R₆ und des Kondensators C₂ fließt, so daß der Signalverlauf des Ausgangssignales am Kollektor des Transistors Q₃ in der vertikalen Richtung asymmetrisch wird.

Daher wird bei einem weiteren Ausführungsbeispiel gemäß der vorliegenden Erfindung, das in Fig. 4 gezeigt ist, ein Gleichstrom- Abtrenn-Kondensator C₁ zwischen Masse und einem Knotenpunkt zwischen einem Widerstand R₄ und den Emitter des Transistors Q₁ angeordnet, um dadurch das Gleichstrom-Emitterpotential des Signales Q₃ an das Kollektorpotential des Schalttransistors Q₁ anzugleichen.

Wenn als Ergebnis hiervon ein Schalter S in seinem geöffneten Zustand ist, kann das Emitterpotential V_E des Transistors Q₃ durch folgende Gleichung ausgedrückt werden:

Hieraus folgt, daß das Kollektorpotential des Transistors Q₁ höher ist als dessen Basispotential. Demgemäß ermöglicht der Signalamplitudenpegel (Ap-p/2) am Kollektor des Schalttransistors Q₁ einen beginnenden Stromfluß von Masse zum Kollektor über den Basis-Kollektor-Weg des Transistors Q₁ und eine Parallelschaltung eines Widerstandes R₆ und eines Kondensators C₂ in dem Fall, daß die Signalamplitude (Ap-p/2) kleiner als folgender Wert ist:

Die Spannung, bei der die Basis zu leiten beginnt, ist gleich oder größer als eine Hälfte des Spitze-Spitze-Wertes des maximalen Ausgangspegels (d. h. des Abschneidepunktes) des üblichen Transistorverstärkers, so daß es möglich ist, das Signal verzerrungsfrei zu verstärken.

Wenn der Schalter S geschlossen ist, um den Signaltransistor Q₁ einzuschalten, fließt ein Steuerstrom von dem Schalttransistor Q₃ durch die Widerstände R₃ und R₁₄, um den Emitter sowie die Imdedanz des Transistors Q₃ in der gleichen Art wie beim Ausführungsbeispiel nach dem Stand der Technik einzustellen.

Fig. 5 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel einer Stummtastschaltung nach dem Stand der Technik in Anwendung auf einen Transistorverstärker, bei der ein Widerstand R₄ durch eine Schaltbetriebsweise eines Schalttransistors Q₁ kurzgeschlossen wird, um einen Ausgangspegel des Stummtasttransistors Q₃ stummzuschalten. Bei dieser Anordnung tritt ähnlich wie beim oben beschriebenen Ausführungsbeispiel nach dem Stand der Technik der Nachteil auf, daß die Signalform des Ausgangssignales in vertikaler Richtung asymmetrisch wird, wenn ein Signal, das dem halben Spitze-Spitze-Wert des Ausgangspegels des Transistors Q₁ entspricht, eine Basis-Kollektor- Vorwärtsspannung V_F des Stummtasttransistors Q₁ überschreitet und an den Kollektor des Schalttransistors Q₁ in dem ausgeschalteten Zustand der Stummtastschaltung angelegt wird. Um diese Nachteile zu vermeiden, ist bei einem weiteren Ausführungsbeispiel gemäß der vorliegenden Erfindung nach Fig. 6 ein Gleichspannungs-Abtrenn-Kondensator C_1′ zwischen Masse und einem Verbindungspunkt zwischen einem Widerstand R₄ und dem Emitter des Stummtasttransistors Q₁ angeschhlossen, um dadurch das Gleichspannungs-Emitterpotential des Stummtasttransistors Q₃ an das Gleichspannungs-Kollektorpotential des Schalttransistors Q₁ anzugleichen. Dieselben vorteilhaften Wirkungen, wie sie das oben beschriebene Ausführungsbeispiel aufweist, werden durch diese Maßnahme erzielt.

Bei den Ausführungsbeispielen nach den Fig. 1 und 2 kann der Gleichspannungs-Abtrenn-Kondensator C₁ fortgelassen werden, falls es unnötig ist, ein Abschneiden des niederfrequenten Bandes durch Verwenden eines Kondensators C₁ durchzuführen.

Claims (10)

1. Verstärkungseinstellschaltung, enthaltend eine einzige Stromversorgungsquelle, einen von dieser versorgten Verstärker, einen Ohmschen Spannungsteiler, der mit dem Verstärker verbunden ist, um dessen Verstärkungsfaktor zu beeinflussen, und einen Schalttransistor zum Ändern des Teilerverhältnisses des Spannungsteilers, gekennzeichnet durch eine Einrichtung, die das Gleichspannungspotential am Kollektor des Schalttransistors (Q1) im wesentlichen auf dem Gleichspannungspotential am Ausgang (4) des Verstärkers (2) hält.

2. Verstärkungseinstellschaltung nach Anspruch 1, ferner gekennzeichnet durch eine Einrichtung (3) zum Einstellen des Gleichspannungspotentials am Ausgang des Verstärkers (2, Q₃) auf das Mittenpotential der Stromversorgungsquelle (+B).

3. Verstärkungseinstellschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die das Gleichspannungspotential aufrechterhaltende Einrichtung ferner das Gleichspannungspotential am Emitter des Schalttransistors (Q₁) im wesentlichen gleich dem Gleichspannungspotential am Ausgang dieses Verstärkers (2, Q₃) hält.

4. Verstärkungseinstellschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die das Potential aufrechterhaltende Einrichtung das Gleichspannungspotential am Kollektor des Schalttransistors (Q₁) auf einem Wert hält, der höher ist als der Wert, bei dem ein Stromfluß durch die Basis des Schalttransistors (Q₁) ermöglicht wird.

5. Verstärkungseinstellschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zum Aufrechterhalten des Potentials ein Gleichspannungspotential, das von der Stromversorgungsquelle (+B) abgeleitet wird, zum Schalttransistor (Q₁) zuführt.

6. Verstärkungseinstellschaltung nach Ansprüche 1 bis 5, ferner gekennzeichnet durch folgende Merkmale:
eine Zeitkonstanteneinrichtung (R₆, C₂), die zwischen die Basis des Schalttransistors (Q₁) und ein festes Potential geschaltet ist; und
eine Schalteinrichtung (S), die an ein anderes festes Potential angeschlossen ist, um die Basis des Schalttransistors (Q₁) zu steuern.

7. Verstärkungseinstellschaltung, enthaltend eine einzige Stromversorgungsquelle, eine Spannungsreduktionseinrichtung, die mit der Stromversorgungsquelle verbunden ist, um eine Ausgangsspannung in Höhe eines festen Bruchteils der Spannung der Stromversorgungsquelle bereitzustellen, einen Operationsverstärker, der von der Stromversorgungsquelle versorgt ist und an seinem nicht-invertierenden Eingang ein Eingangssignal erhält und über einen Widerstand mit dem Ausgang der Spannungsreduktionseinrichtung verbunden ist und dessen Ausgang mit seinem invertierenden Eingang verbunden ist, einen ersten und einen zweiten Widerstand, die in Serie geschaltet und zwischen den invertierenden Eingang des Operationsverstärkers und den Ausgang der Spannungsreduktionseinrichtung geschaltet sind, einen Schalttransistor mit zwei Hauptelektroden, die parallel über den zweiten Widerstand geschaltet sind, einen Kondensator und einen Widerstand, die zueinander parallel zwischen die Steuerelektrode des Schalttransistors und ein festes Potential geschaltet sind, und einen Schalter und einen Widerstand, die in Serie zwischen die Stromversorgungsquelle und die Steuerelektrode des Schalttransistors geschaltet sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgang der Spannungsreduktionseinrichtung (3) mit dem Emitter des Schalttransistors (Q1) so verbunden ist, daß das Gleichspannungspotential am Ausgang des Operationsverstärkers (2) und der Kollektor des Schalttransistors (Q1) im wesentlichen das gleiche Potential aufweisen.

8. Verstärkungseinstellschaltung nach Anspruch 7, ferner gekennzeichnet durch einen Rückkopplungswiderstand (R₂), der zwischen den Ausgang und den invertierenden Eingang des Operationsverstärkers (2) geschaltet ist, wobei die ersten und zweiten Widerstände (R₃, R₄) an den Verbindungspunkt des Rückkoppelungswiderstandes (R₂) mit dem invertierenden Eingang geschaltet sind und der Ausgang des Operationsverstärkers (2) der Ausgang der Schaltung ist.

9. Verstärkungseinstellschaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgang (4) und der invertierende Eingang des Operationsverstärkers (2) auf dem gleichen Potential liegen und daß der Verbindungspunkt des ersten mit dem zweiten Widerstand den Ausgang (4) der Schaltung bildet.

10. Verstärkungseinstellschaltung, enthaltend einen Signaltransistor mit einer ersten Hauptelektrode, die über einen ersten Widerstand mit einem ersten festen Potential verbunden ist, eine zweite Hauptelektrode, die über einen zweiten Widerstand mit einem zweiten festen Potential verbunden ist, und eine Steuerelektrode, die mit einem Eingangsanschluß verbunden ist, der über einen dritten Widerstand mit dem ersten festen Potential und über einen vierten Widerstand mit dem zweiten festen Potential verbunden ist, einen fünften Widerstand und einen sechsten Widerstand, die in Serie zwischen die erste Hauptelektrode und das zweite Potential geschaltet sind, einen Kondensator, der zwischen den sechsten Widerstand und das zweite feste Potential geschaltet ist, einen Schalttransistor mit zwei Hauptelektroden, die parallel über den sechsten Widerstand geschaltet sind, einen Kondensator und einen Widerstand, die parallel zueinander zwischen die Steuerelektrode des Schalttransistors und das zweite feste Potential geschaltet sind, und einen Widerstand und einen Schalter, die in Serie und zwischen die Steuerelektrode des Schalttransistors und das erste feste Potential geschaltet sind, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kondensator (C1) zwischen den Emitter des Schalttransistors (Q1) und das zweite feste Potential (Masse) geschaltet ist, so daß die erste Hauptelektrode (Kollektor) des Signaltransistors (Q3) und der Kollektor des Schalttransistors (Q1) auf im wesentlichen dem gleichen Potential liegen (Fig. 4).