DE1439349C - Verfahren zur Serienfertigung von Halbleiterbauelementen - Google Patents
Verfahren zur Serienfertigung von HalbleiterbauelementenInfo
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Description
1 2
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur . Legierung bestehendes Transportband 1 das HaIb-Serienfertigung
von Halbleiterbauelementen oder ' Ieitersystenr2 auflegiert. In Fig 2 ist die gleiche
Mikroschaltungen, bei dem die Halbleitersysteme auf Anordnung von der Seite gesehen dargestellt. Hiereinem
leitenden, Anschlüsse für die herzustellenden bei sind die Ränder 3 nach oben gebogen. Die Kon-Halbleiterbauelemente
aufweisenden Trägerkörper 5 taktierungsdrähte 4 und 5 des Halbleitersystems lieauflegiert
werden, wobei der Trägerkörper entspre- gen dabei, wie in F i g. 3 gezeigt, an diesen an. Die
chend den erforderlichen Anschlüssen für die zu fer- Kontaktierungsdrähte werden durch Punktschweißen
tigenden Halbleiterbauelemente rasterförmig, insbe- mit den als Anschluß dienenden Randstreifen versondere
durch Ausstanzen, mit Einschnitten versehen bunden. Daneben sind jedoch auch andere Kontakist,
und bei dem weiterhin Kontaktierungsdrähte der io tierungsverfahren möglich. Anschließend wird das
Halbleitersysteme mit entsprechenden Anschlüssen . Halbleitersystem, wie aus F i g. 4 hervorgeht, bis
verbunden werden. mindestens zu den Verbindungsstellen zwischen Kon-
Es ist aus der österreichischen Patentschrift taktierungsdrähten und Anschlußleisten mit einem
229 365 bekannt, ein Halbleitersystem in Form eines aushärtbaren Kunststoff vergossen, so daß ein Ge-Halbleiterplättchens
aufzumontieren, bei welchem 15 häuse6 in Fig. 4 entsteht. Zum Schluß wird das
von einem zusammenhängendem Rand Streifen ins Transportband derart zerlegt, daß die einzelnen Bau-Innere
der Plättchenfläche vorstehen, die als An- elemente erhalten werden, die dann gegebenenfalls
Schlüsse für die aufgesetzten Halbleitersysteme die- noch mit einem kennzeichnenden Lack bzw. einem
nen. Eine solche Anordnung benötigt während der gefärbten Kunststoff durch Eintauchen überzogen
Montage der Einzelhalbleitersysteme eine Unterstüt- 20 werden.
zung in Form einer Keramikunterlage, die später In den F i g. 5 bis 8 ist eine analoge Ausführung
Teil eines umgebenden Gehäuses wird. des Herstellungsverfahrens für Halbleiterschaltkreise
Der vorliegenden Erfindung liegt demgegenüber dargestellt. So zeigt Fig. 5 ein ebenfalls aus einer
die Aufgabe zugrunde, ein besonders einfaches Ver- Eisen-Kobalt-Nickel-Legierung bestehendes, mit einer
fahren zur Serienfertigung von Halbleiterbauelemen- 25 dünnen Goldschicht überzogenes Transportband 11,
ten oder Mikroschaltungen anzugeben. dem ein für die Kontaktierung eines Halbleiterschalt-
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einem kreises geeignetes Muster eingestanzt ist.
Verfahren der eingangs genannten Art dadurch ge- Auf diesem Transportband wird, wie in F i g. 6
löst, daß als Trägerkörper ein während der Herstel- dargestellt, ein Silicium-Festkörperschaltkreis 12 mit
lung der Halbleiterbauelemente als frei tragendes 30 Kontaktierungsdrähten auflegiert. Diese Kontaktie-
Transportmittel dienendes Band aus Kontaktierungs- rungsdrähte des Schaltkreises werden, wie in F i g. 7
material verwendet wird, das zur Bildung von An- gezeigt, mit dem durch Ausstanzen des Bandes ent-
Schlüssen für eine Vielzahl von Bauelementen mit sprechend einem vorgegebenen Muster hergestellten
periodisch wiederkehrenden Einschnitten versehen ist, Anschlußstreifen an den Stellen 13 verbunden. An-
so daß Muster von Anschlußstreifen entstehen, die 35 schließend wird die gesamte Anordnung, d. h. SiIi-
jeweils innerhalb eines Musters mit einem Halb- cium-Schaltkreis und Anschlußstreifen bis mindestens
leitersystem in entsprechender Weise verbunden wer- zu den Verbindungsstellen der Kontaktierungsdrähte
den, daß alle Halbleitersysteme bis mindestens zu mit einem aushärtbaren Kunststoff vergossen. Auf
den Verbindungsstellen ihrer Kontaktierungsdrähte diese Weise erhält man ein, wie in Fig. 8 dargestellt,
und den jeweils zugehörigen Anschlüssen mit einer 40 gegen äußere Einwirkungen stabiles Bauelement 14
zusammenhängenden Vergußmasse umhüllt werden, mit einem Gehäuse 15. Das einzelne Bauelement ent-
und daß danach der bandförmige Trägerkörper und steht durch Zerschneiden des aus Kontaktierungs-
die Anschlußstreifen in einem abschließenden material bestehenden Transportbandes. Zur Kenn-
Arbeitsgang zur Herstellung von Einzelhalbleiterbau- zeichnung kann, wie am Beispiel des Mikro-Planar-
elementen zerteilt werden. 45 transistors beschrieben, abschließend ein Überzug
Bei einer Ausführungsform des auf dem Erfin- aus einem gefärbten Kunststoff aufgebracht werden,
dungsgedanken beruhenden Verfahrens wird das Für die Herstellung von Dioden bzw. Transistoren
Transportband nach dem Auflegieren der Halbleiter- eignen sich Transportbänder, die entsprechend den in
Systeme an beiden Seiten nach oben gebogen, so daß den F i g. 9 und 10 dargestellten Mustern ausgestanzt
die Kontaktierungsdrähte der Halbleitersysteme mit 50 sind.
einer gewissen Vorspannung an den aufgebogenen Das in F i g. 9 dargestellte Band 21 ist zum Her-Rändern
anliegen. stellen von Dioden geeignet und ist so ausgebildet,
Bei einer weiteren Ausführungsform werden dem daß zur Kontaktierung des Bauelements zwei An-
Transportband wiederkehrende Muster entsprechend schlußstreifen 22 und 23 zur Verfügung stehen. Das
elektrisch miteinander zu verschaltender Gruppen von 55 für die Herstellung von Transistoren geeignete Band
verschiedenartigen Bauelementen eingestanzt, die ge- 25 in Fig. 10 weist drei Anschlußstreifen26, 27 und
meinsam eingegossen weiden. 28 für die Kontaktierung des Bauelements auf. Die
Das Verfahren gemäß der Erfindung ist damit so- fertigen Bauelemente sind mit einem Kunststoffwohl
für die Herstellung von Mikrobauelementen, gehäuse 33 bzw. 34 umgeben und zeigen die in den
wie Mikroplanartransistoren oder Mikroplanar- 60 Figuren 31 (Diode) bzw. 32 (Transistor) dargestellte
dioden, als auch zur Herstellung bzw. Kontaktierung Ausbildung,
von Festkörperschaltkreisen geeignet. Die Anwendung des Verfahrens auf die Herstel-
von Festkörperschaltkreisen geeignet. Die Anwendung des Verfahrens auf die Herstel-
Nähere Einzelheiten gehen aus den an Hand der lung von Schaltkreisen aus konventionellen Bau-
F ig. 1 bis 12 beschriebenen Ausführungsbeispielen elementen bzw. auf solche Schaltkreise, die eine Kom-
hervor. 65 bination von konventionellen Bauelementen und
Zur Herstellung eines Mikroplanartransistors wird Halbleiterbauelementen darstellen, erfordert ledig-
beispielsweise, wie in F i g. 1 in Draufsicht dargestellt, lieh die Anpassung des in das Transportband einge-
auf ein vergoldetes aus einer Eisen-Kobalt-Nickel- stanzten Musters an die Abmessungen der Bauteile.
Claims (3)
1. Verfahren zur Serienfertigung von Halbleiterbauelementen oder Mikroschaltungen, bei
dem die Halbleitersysteme auf einem leitenden, Anschlüsse für die herzustellenden Halbleiterbauelemente
aufweisenden Trägerkörper auflegiert werden, wobei der Trägerkörper entsprechend
den erforderlichen Anschlüssen für die zu fertigenden Halbleiterbauelemente rasterförmig, insbesondere
durch Ausstanzen, mit Einschnitten versehen ist, und bei dem weiterhin Kontaktierungsdrähte
der Halbleitersysteme mit entsprechenden Anschlüssen verbunden werden, dadurch
gekennzeichnet, daß als Trägerkörper ein während der Herstellung der Halbleiterbauelemente
als frei tragendes Transportmittel dienendes Band aus Kontaktierungsmaterial verwendet wird, das zur Bildung von Anschlüssen
für eine Vielzahl von Bauelementen mit periodisch wiederkehrenden Einschnitten versehen ist,
so daß Muster von Anschlußstreifen entstehen, die jeweils innerhalb eines Musters mit einem
Halbleitersystem in entsprechender Weise verbunden werden, daß alle Halbleitersysteme bis mindestens zu den Verbindungsstellen ihrer Kontaktierungsdrähte
und den jeweils zugehörigen Anschlüssen mit einer zusammenhängenden Vergußmasse umhüllt werden und daß danach der bandförmige
Trägerkörper und die Anschlußstreifen in einem abschließenden Arbeitsgang zur Herstellung
von Einzelhalbleiterbauelementen zerteilt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Transportband nach dem
Auflegieren der Halbleitersysteme an beiden Seiten nach oben gebogen wird, so daß die Kontaktierungsdrähte
der Halbleitersysteme mit einer gewissen Vorspannung an den aufgebogenen Rändern
des Bandes anliegen.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß dem Transportband wiederkehrende
Muster entsprechend elektrisch miteinander zu verschaltender Gruppen von verschiedenartigen
Bauelementen eingestanzt werden, die gemeinsam eingegossen werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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