DE1439349C - Verfahren zur Serienfertigung von Halbleiterbauelementen - Google Patents

Description

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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur . Legierung bestehendes Transportband 1 das HaIb-Serienfertigung von Halbleiterbauelementen oder ' Ieitersystenr2 auflegiert. In Fig 2 ist die gleiche Mikroschaltungen, bei dem die Halbleitersysteme auf Anordnung von der Seite gesehen dargestellt. Hiereinem leitenden, Anschlüsse für die herzustellenden bei sind die Ränder 3 nach oben gebogen. Die Kon-Halbleiterbauelemente aufweisenden Trägerkörper 5 taktierungsdrähte 4 und 5 des Halbleitersystems lieauflegiert werden, wobei der Trägerkörper entspre- gen dabei, wie in F i g. 3 gezeigt, an diesen an. Die chend den erforderlichen Anschlüssen für die zu fer- Kontaktierungsdrähte werden durch Punktschweißen tigenden Halbleiterbauelemente rasterförmig, insbe- mit den als Anschluß dienenden Randstreifen versondere durch Ausstanzen, mit Einschnitten versehen bunden. Daneben sind jedoch auch andere Kontakist, und bei dem weiterhin Kontaktierungsdrähte der io tierungsverfahren möglich. Anschließend wird das Halbleitersysteme mit entsprechenden Anschlüssen . Halbleitersystem, wie aus F i g. 4 hervorgeht, bis verbunden werden. mindestens zu den Verbindungsstellen zwischen Kon-

Es ist aus der österreichischen Patentschrift taktierungsdrähten und Anschlußleisten mit einem 229 365 bekannt, ein Halbleitersystem in Form eines aushärtbaren Kunststoff vergossen, so daß ein Ge-Halbleiterplättchens aufzumontieren, bei welchem 15 häuse6 in Fig. 4 entsteht. Zum Schluß wird das von einem zusammenhängendem Rand Streifen ins Transportband derart zerlegt, daß die einzelnen Bau-Innere der Plättchenfläche vorstehen, die als An- elemente erhalten werden, die dann gegebenenfalls Schlüsse für die aufgesetzten Halbleitersysteme die- noch mit einem kennzeichnenden Lack bzw. einem nen. Eine solche Anordnung benötigt während der gefärbten Kunststoff durch Eintauchen überzogen Montage der Einzelhalbleitersysteme eine Unterstüt- 20 werden.

zung in Form einer Keramikunterlage, die später In den F i g. 5 bis 8 ist eine analoge Ausführung

Teil eines umgebenden Gehäuses wird. des Herstellungsverfahrens für Halbleiterschaltkreise

Der vorliegenden Erfindung liegt demgegenüber dargestellt. So zeigt Fig. 5 ein ebenfalls aus einer

die Aufgabe zugrunde, ein besonders einfaches Ver- Eisen-Kobalt-Nickel-Legierung bestehendes, mit einer

fahren zur Serienfertigung von Halbleiterbauelemen- 25 dünnen Goldschicht überzogenes Transportband 11,

ten oder Mikroschaltungen anzugeben. dem ein für die Kontaktierung eines Halbleiterschalt-

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einem kreises geeignetes Muster eingestanzt ist.

Verfahren der eingangs genannten Art dadurch ge- Auf diesem Transportband wird, wie in F i g. 6

löst, daß als Trägerkörper ein während der Herstel- dargestellt, ein Silicium-Festkörperschaltkreis 12 mit

lung der Halbleiterbauelemente als frei tragendes 30 Kontaktierungsdrähten auflegiert. Diese Kontaktie-

Transportmittel dienendes Band aus Kontaktierungs- rungsdrähte des Schaltkreises werden, wie in F i g. 7

material verwendet wird, das zur Bildung von An- gezeigt, mit dem durch Ausstanzen des Bandes ent-

Schlüssen für eine Vielzahl von Bauelementen mit sprechend einem vorgegebenen Muster hergestellten

periodisch wiederkehrenden Einschnitten versehen ist, Anschlußstreifen an den Stellen 13 verbunden. An-

so daß Muster von Anschlußstreifen entstehen, die 35 schließend wird die gesamte Anordnung, d. h. SiIi-

jeweils innerhalb eines Musters mit einem Halb- cium-Schaltkreis und Anschlußstreifen bis mindestens

leitersystem in entsprechender Weise verbunden wer- zu den Verbindungsstellen der Kontaktierungsdrähte

den, daß alle Halbleitersysteme bis mindestens zu mit einem aushärtbaren Kunststoff vergossen. Auf

den Verbindungsstellen ihrer Kontaktierungsdrähte diese Weise erhält man ein, wie in Fig. 8 dargestellt,

und den jeweils zugehörigen Anschlüssen mit einer 40 gegen äußere Einwirkungen stabiles Bauelement 14

zusammenhängenden Vergußmasse umhüllt werden, mit einem Gehäuse 15. Das einzelne Bauelement ent-

und daß danach der bandförmige Trägerkörper und steht durch Zerschneiden des aus Kontaktierungs-

die Anschlußstreifen in einem abschließenden material bestehenden Transportbandes. Zur Kenn-

Arbeitsgang zur Herstellung von Einzelhalbleiterbau- zeichnung kann, wie am Beispiel des Mikro-Planar-

elementen zerteilt werden. 45 transistors beschrieben, abschließend ein Überzug

Bei einer Ausführungsform des auf dem Erfin- aus einem gefärbten Kunststoff aufgebracht werden,

dungsgedanken beruhenden Verfahrens wird das Für die Herstellung von Dioden bzw. Transistoren

Transportband nach dem Auflegieren der Halbleiter- eignen sich Transportbänder, die entsprechend den in

Systeme an beiden Seiten nach oben gebogen, so daß den F i g. 9 und 10 dargestellten Mustern ausgestanzt

die Kontaktierungsdrähte der Halbleitersysteme mit 50 sind.

einer gewissen Vorspannung an den aufgebogenen Das in F i g. 9 dargestellte Band 21 ist zum Her-Rändern anliegen. stellen von Dioden geeignet und ist so ausgebildet,

Bei einer weiteren Ausführungsform werden dem daß zur Kontaktierung des Bauelements zwei An-

Transportband wiederkehrende Muster entsprechend schlußstreifen 22 und 23 zur Verfügung stehen. Das

elektrisch miteinander zu verschaltender Gruppen von 55 für die Herstellung von Transistoren geeignete Band

verschiedenartigen Bauelementen eingestanzt, die ge- 25 in Fig. 10 weist drei Anschlußstreifen26, 27 und

meinsam eingegossen weiden. 28 für die Kontaktierung des Bauelements auf. Die

Das Verfahren gemäß der Erfindung ist damit so- fertigen Bauelemente sind mit einem Kunststoffwohl für die Herstellung von Mikrobauelementen, gehäuse 33 bzw. 34 umgeben und zeigen die in den wie Mikroplanartransistoren oder Mikroplanar- 60 Figuren 31 (Diode) bzw. 32 (Transistor) dargestellte dioden, als auch zur Herstellung bzw. Kontaktierung Ausbildung,
von Festkörperschaltkreisen geeignet. Die Anwendung des Verfahrens auf die Herstel-

Nähere Einzelheiten gehen aus den an Hand der lung von Schaltkreisen aus konventionellen Bau-

F ig. 1 bis 12 beschriebenen Ausführungsbeispielen elementen bzw. auf solche Schaltkreise, die eine Kom-

hervor. 65 bination von konventionellen Bauelementen und

Zur Herstellung eines Mikroplanartransistors wird Halbleiterbauelementen darstellen, erfordert ledig-

beispielsweise, wie in F i g. 1 in Draufsicht dargestellt, lieh die Anpassung des in das Transportband einge-

auf ein vergoldetes aus einer Eisen-Kobalt-Nickel- stanzten Musters an die Abmessungen der Bauteile.

Claims (3)

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Serienfertigung von Halbleiterbauelementen oder Mikroschaltungen, bei dem die Halbleitersysteme auf einem leitenden, Anschlüsse für die herzustellenden Halbleiterbauelemente aufweisenden Trägerkörper auflegiert werden, wobei der Trägerkörper entsprechend den erforderlichen Anschlüssen für die zu fertigenden Halbleiterbauelemente rasterförmig, insbesondere durch Ausstanzen, mit Einschnitten versehen ist, und bei dem weiterhin Kontaktierungsdrähte der Halbleitersysteme mit entsprechenden Anschlüssen verbunden werden, dadurch gekennzeichnet, daß als Trägerkörper ein während der Herstellung der Halbleiterbauelemente als frei tragendes Transportmittel dienendes Band aus Kontaktierungsmaterial verwendet wird, das zur Bildung von Anschlüssen für eine Vielzahl von Bauelementen mit periodisch wiederkehrenden Einschnitten versehen ist, so daß Muster von Anschlußstreifen entstehen, die jeweils innerhalb eines Musters mit einem Halbleitersystem in entsprechender Weise verbunden werden, daß alle Halbleitersysteme bis mindestens zu den Verbindungsstellen ihrer Kontaktierungsdrähte und den jeweils zugehörigen Anschlüssen mit einer zusammenhängenden Vergußmasse umhüllt werden und daß danach der bandförmige Trägerkörper und die Anschlußstreifen in einem abschließenden Arbeitsgang zur Herstellung von Einzelhalbleiterbauelementen zerteilt werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Transportband nach dem Auflegieren der Halbleitersysteme an beiden Seiten nach oben gebogen wird, so daß die Kontaktierungsdrähte der Halbleitersysteme mit einer gewissen Vorspannung an den aufgebogenen Rändern des Bandes anliegen.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß dem Transportband wiederkehrende Muster entsprechend elektrisch miteinander zu verschaltender Gruppen von verschiedenartigen Bauelementen eingestanzt werden, die gemeinsam eingegossen werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen