DE10240730B4

DE10240730B4 - Leiterplatte, Speichermodul und Herstellungsverfahren

Info

Publication number: DE10240730B4
Application number: DE10240730A
Authority: DE
Inventors: Ki-hyun Suwon Ko; Kwang-seop Suwon Kim
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2001-09-10
Filing date: 2002-09-02
Publication date: 2007-11-29
Anticipated expiration: 2022-09-03
Also published as: US20030048616A1; TW595273B; KR100429878B1; DE10240730A1; JP4865182B2; US6891729B2; KR20030021901A; JP2003142646A

Abstract

Leiterplatte für ein Speichermodul mit
– einem Leiterplattenpanel (101) mit zwei Längskanten und zwei lateralen Kanten,
– einer Mehrzahl von Speicherchip-Kontaktstellengruppen (115), die jeweils mehrere Kontaktstellen zur Kontaktierung von auf beiden Seiten des Panels an entsprechenden Speicherchipplätzen anzuordnenden Speicherchips (110) beinhalten, wobei die Speicherchipplätze zu den Leiterplattenpanel-Längskanten parallele Längskanten und zu den lateralen Kanten des Leiterplattenpanels parallele laterale Kanten beinhalten,
– einer Mehrzahl von Verbindern (130), die entlang der Längskanten des Panels angeordnet sind, wobei die Verbinder so konfiguriert sind, dass sie die Speicherchip-Kontaktstellengruppen mit einem externen Bauelement elektrisch verbinden, und
– einer Mehrzahl von Dämpfungschip-Kontaktstellengruppen (117) zur Kontaktierung von eingebauten Dämpfungschips (120), wobei die Dämpfungschip-Kontaktstellengruppen so konfiguriert sind, dass sie eine elektrische Verbindung zu den Verbindern herstellen und Signalrauschen dämpfen,
dadurch gekennzeichnet, dass
– die Dämpfungschip-Kontaktstellengruppen (117) sämtlich benachbart zu lateralen Kanten der Speicherchipplätze, die zu den lateralen Kanten des Leiterplattenpanels (101) parallel...

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Leiterplatte (PCB) nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, auf ein Speichermodul mit einer Leiterplatte und auf ein Verfahren zur Herstellung eines Speichermoduls.
Ein herkömmliches Speichermodul, das für eine Installation in einem Personalcomputer (PC), einem Systemserver oder einem Kommunikationsverbindungssystem konfiguriert ist, beinhaltet typischerweise eine chipexterne Leiterplatte, die mit einem integrierten Speicherschaltkreis (IC) bestückt ist. Das Speichermodul beinhaltet des Weiteren typischerweise einen Verbinder, um das Speichermodul mit einem externen Bauelement zu verbinden. Der Verbinder tauscht ein elektrisches Datenanfragesignal (DQ) mit dem externen Bauelement aus, um Daten von dem Speicherchip zu lesen und Daten auf ihm aufzuzeichnen.
Ohne einen Dämpfungswiderstand zwischen einem synchronen DRAM (SDRAM) und einer kantenseitigen Anschlussstelle kann eine Signalreflexion (wie ein Überschwingen oder ein Unterschwingen des DQ-Signals) auftreten. Daher ist im Allgemeinen in dem Speichermodul ein Dämpfungschip enthalten, der ein Über-/Unterschwingen verhindern kann.
Die 5 und 6 zeigen schematisch ein herkömmliches Speichermodul. Wie in den 5 und 6 gezeigt, beinhaltet ein herkömmliches Speichermodul eine rechteckige, panelartige PCB 1100 mit einer Länge, die größer als ihre Höhe ist. Speicherchips 1110 sind in einer einzigen Linie entlang der Länge der PCB 1100 angeordnet, und Verbinder 1130 sind entlang einer unteren Kante der PCB 1100 ausgebildet. Dämpfungschips 1120 sind zwischen den Verbindern 1130 und den Speicherchips 1110 angeordnet, um ein Über-/Unterschwingen des DQ(Dateneingangs-/Datenausgangs)-Signals zu verhindern. Diese Speichermodulkonfiguration erhöht die Speicherkapazität des Systems, beschränkt jedoch die Fähigkeit, die Abmessung des Speichermoduls zu reduzieren, um kleinere Systemausführungen zu ermöglichen. Da insbesondere die Dämpfungschips 1120 zwischen den Speicherchips 1110 und den Verbindern 1130 positioniert sind, gibt es eine Begrenzung für das Maß, um das die Höhe des Speichermoduls reduziert werden kann, und daher für die Reduktion der Abmessung des Bauelements, in welches das Speichermodul eingesetzt werden soll.
In der Patentschrift US 6.115.278 ist ein Speichermodul mit einer Leiterplatte gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 offenbart, wobei dort Dämpfungschips in Form von entsprechenden Widerstands-/Kondensatorkonfigurationen hauptsächlich benachbart zu der den Verbindern entgegengesetzten Längsseite der Speicherchips, aber auch zwischen je einem letzten Speicherchip und der benachbarten lateralen Kante des Leiterplattenpanels sowie in einem chipfreien Mittenbereich angeordnet sind, der außerdem zur Aufnahme eines Adress-/Steuerpuffers dient und auf dessen beiden Seiten die Speicherchips in zwei Gruppen aufgeteilt angeordnet sind.
Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung einer Leiterplatte der eingangs genannten Art, eines entsprechenden Speichermoduls und eines Herstellungsverfahrens für ein solches zugrunde, mit denen sich die vorstehend beschriebenen Schwierigkeiten ganz oder teilweise beheben lassen und die insbesondere eine Speichermodulkonfiguration mit einer PCB reduzierter Abmessung ermöglichen, um eine Implementierung in ein kleineres System zu erlauben, während die gleiche oder eine vergrößerte Speicherkapazität erzielt wird.
Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung einer Leiterplatte mit den Merkmalen des Anspruchs 1, eines Speichermoduls mit den Merkmalen des Anspruchs 9 und eines Speichermodul-Herstellungsverfahrens mit den Merkmalen des Anspruchs 20.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die PCB gemäß der Erfindung ist vorzugsweise eine rechteckige, panelartige PCB mit einer Länge, die größer als deren Höhe ist. Kontaktstellen, die zu den in den Speicherchips ausgebildeten Leiterbahnen gehören, sind vorzugsweise auf einer Seite der PCB angeordnet. Mehrere Speicherchips, jeweils mit mehreren Leiterbahnen, sind auf der Vorder- und/oder der Rückseite der PCB angeordnet. Verbinder sind entlang einer Kante der PCB ausgebildet, um die Speicherchips mit einem externen Bauelement elektrisch zu verbinden. Dämpfungschips sind zwischen den Speicherchips angeordnet, um die Verbinder mit den Speicherchips elektrisch zu verbinden und die elektrischen Signale zu dämpfen.
Die Speicherchips sind vorzugsweise rechteckige, doppelseitige Speicherchips mit mehreren Leiterbahnen, die entlang beider Längskanten ausgebildet sind. Die Leiterbahnen sind vorzugsweise in regelmäßigen Intervallen in einer einzigen Linie entlang der Länge der PCB angeordnet. Im Fall eines dynamischen Speichers mit wahlfreiem Zugriff (DRAM) können verschiedene Typen von Speicherchips verwendet werden. Es kann auch ein synchrones DRAM (SDRAM) verwendet werden.
Die entlang einer Unterkante der PCB ausgebildeten Verbinder beinhalten vorzugsweise mehrere Verbindungskontaktstellen, die so ausgelegt sind, dass sie mit den Leiterbahnen der Speicherchips elektrisch verbunden sind. Die Verbindungskontaktstellen sind in regelmäßigen Intervallen in einer einzigen Linie entlang der Länge der Verbinder angeord net. Da die Verbindungskontaktstellen aus dünnen Metallplättchen mit hoher Leitfähigkeit bestehen, können sie außerdem ungedämpfte elektrische Signale ohne Rauschen übertragen.
In einem Dämpfungsbauelement ist vorzugsweise ein Dämpfungsschaltkreis vorgesehen, der wenigstens einen Widerstand beinhaltet, um das Über-/Unterschwingen zu verhindern, das durch den Signalaustausch zwischen den Speicherchips und dem externen Bauelement verursacht werden kann. Am bevorzugtesten wird ein Vierfeldregister mit vier Widerständen in der Schaltkreiskonfiguration verwendet. Zwei Dämpfungschips, welche die Dämpfungsschaltkreise beinhalten, sind vorzugsweise entlang der Speicherchips in einer Linie parallel zu den lateralen Kanten der PCB angeordnet, um weniger Raum einzunehmen.
Wie vorstehend beschrieben, kann in einem Speichermodul, das gemäß der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung aufgebaut ist, die PCB mit einer geringeren Höhe gefertigt werden, da zwei Dämpfungsschaltkreise entlang der Speicherchips angeordnet sind, und die Abmessung der PCB für das Speichermodul kann daher effektiv reduziert werden. Demzufolge können Bauelemente mit Speichermodulen kompakter hergestellt werden.
Die PCB, die zur Fertigung des vorstehend beschriebenen Speichermoduls verwendet wird, beinhaltet vorzugsweise eine rechteckige, panelartige PCB. Mehrere Speicherchip-Kontaktstellengruppen, die aus mehreren Kontaktstellen entsprechend den mehreren Speicherchips bestehen, sind auf beiden Seiten der PCB angeordnet. Jeder der Speicherchips beinhaltet mehrere Leiterbahnen. Verbinder sind entlang einer Kante der PCB ausgebildet, um die Speicherchip-Kontaktstellengruppen mit einem externen Bauelement elektrisch zu verbinden. Mehrere Dämpfungschip-Kontaktstellengruppen, die jeweils eingebaute Dämpfungschips aufweisen, sind entlang der Speicherchip-Kontaktstellengruppen angeordnet, um die Verbinder elektrisch zu verbinden und das Signalrauschen zu dämpfen.
Die mehreren Speicherchip-Kontaktstellengruppen sind in regelmäßigen Intervallen in einer einzigen Linie entlang der Länge der PCB angeordnet. Außerdem beinhaltet jede Speicherchip-Kontaktstellengruppe mehrere Kontaktstellen, die zu den Leiterbahnen der Speicherchips ausgerichtet sind. Die Speicherchip-Kontaktstellengruppen sind derart angeordnet, dass sich Seiten der Speicherchips, wo Leiterbahnen ausgebildet sind, parallel zu der Längskante der PCB befinden.
In dem Verbinder sind mehrere Verbindungskontaktstellen mit den Speicherchip-Kontaktstellen elektrisch verbunden. Die Verbindungskontaktstellen sind in regelmäßigen Intervallen entlang der Längskante des Verbinders angeordnet und aus dünnen Metallplättchen aufgebaut, die dafür ausgelegt sind, einen Austausch elektrischer Signale ohne Widerstand zu unterstützen. Zwei Dämpfungschip-Kontaktstellengruppen sind benachbart zu jeder der benachbarten Speicherchip-Kontaktstellengruppen positioniert. Die Dämpfungchips sind in einer Linie parallel zu den lateralen Kanten der PCB angeordnet. Die Höhe der Längskante der PCB kann daher reduziert werden.
Vorteilhafte, nachfolgend beschriebene Ausführungsformen der Erfindung sowie die zu deren besserem Verständnis erläuterten herkömmlichen Ausführungsbeispiele sind in den Zeichnungen dargestellt, in denen zeigen:
1 eine perspektivische Draufsicht auf ein Speichermodul, das erfindungsgemäß aufgebaut ist,
2A und 2B Draufsichten, die eine Vorderseite beziehungsweise eine Rückseite des Speichermoduls von 1 zeigen,
3 ein Blockschaltbild einer Leiterplatte (PCB) für das Speichermodul von 1,
4A und 4B Draufsichten, die eine Vorderseite beziehungsweise eine Rückseite der PCB für das Speichermodul von 1 darstellen, und
5 und 6 Draufsichten, die eine Speichermodulanordnung gemäß dem Stand der Technik zeigen.
1 ist eine perspektivische Draufsicht auf ein Rechnerbauelement 200, das mit Speichermodulen 100 versehen ist, die erfindungsgemäß aufgebaut sind. Um beide Seiten des Speichermoduls 100 darzustellen, ist eine Vorderseite 102a des Speichermoduls 100 auf der linken Seite gezeigt, und eine Rückseite 102b eines gleichartigen, benachbarten Speichermoduls 100 ist auf der rechten Seite gezeigt.
Bezugnehmend auf 1 beinhaltet das Speichermodul 100, das erfindungsgemäß aufgebaut ist, eine rechteckige, panelartige Leiterplatte (PCB) 101. Mehrere Speicherchips 110 sind entlang der Länge der PCB 101 angeordnet. Jeder Speicherchip beinhaltet mehrere Leiterbahnen 111. Verbinder 130, die entlang einer Kante der PCB 101 ausgebildet sind, sind physisch auf dem externen Rechnerbauelement 200 getragen und kommunizieren elektrisch mit den Speicherchips 110. Spezieller übertragen die Speicherchips 110 durch die Verbinder 130 elektrische Signale zu dem externen Bauelement 200 und empfangen elektrische Signale von diesem. Dämpfungschips 120 sind benachbart zu den Speicherchips 110 angeordnet und so ausgelegt, dass sie ein durch externes Rauschen verursachtes Überschwingen und Unterschwingen der elektrischen Signale zwischen den Verbindern 130 und den Speicherchips 110 eliminieren.
Die 2A und 2B sind Draufsichten auf das Speichermodul 100 von 1. 2A zeigt eine Vorderseite 102a des Speichermoduls 100, während 2B eine Rückseite 102b desselben zeigt. Bezugnehmend auf die 2A und 2B besteht das Speichermodul 100 jeweils vorzugsweise aus einer rechteckigen, panelartigen PCB 201 mit darauf ausgebildeten gedruckten Schaltkreisen. Die gedruckten Schaltkreise beinhalten Metalldrahtleitungen, die innerhalb der PCB 101 angeordnet sind, um eine Mehrzahl von auf der PCB 101 angeordneten Speicherchips 110 elektrisch miteinander zu verbinden.
Flüchtige Speicherbauelemente, wie synchrone dynamische Speicher mit wahlfreiem Zugriff (SDRAMs) können zum Beispiel als die Speicherchips 110 verwendet werden. Die mehreren Speicherchips 110 sind vorzugsweise rechteckige, panelartige Chips, deren Längskante länger als eine laterale Kante bzw. Querkante desselben ist. Die Speicherchips 110 können auf beiden Seiten 102a, 102b der PCB 101 entlang ihrer Länge angeordnet sein. Mehrere Leiterbahnen 111 stehen in regelmäßigen Intervallen von den Längskanten jedes Speicherchips 110 vor. Die Längskanten der Speicherchips 110 sind vorzugsweise parallel zu der Längskante der PCB 101 angeordnet. Die Leiterbahnen 111 sind mit Verbindungskontaktstellen 131 der Verbinder 130 durch die in der PCB 101 angeordneten Metalldrahtleitungen verbunden.
Jedes Speichermodul 100 beinhaltet vorzugsweise insgesamt neun Speicherchips 110, wobei fünf Speicherchips 110 auf der Vorderseite 102a der PCB 101 angeordnet sind und vier Speicherchips 110 auf der Rückseite 102b der PCB 101 angeordnet sind. Die Anzahl der Speicherchips 110 auf der PCB 101 kann in Abhängigkeit von der notwendigen Speicherkapazität für das System eingestellt werden, in dem das Speichermodul 100 zu verwenden ist.
Die Verbinder 130 sind vorzugsweise in einer gürtelartigen Weise auf der Oberfläche der PCB 101 in einer geringen Distanz zu der unteren Längskante angeordnet. In den Verbindern 130 sind Verbindungskontaktstellen 131 mit Metalldrahtleitungen auf der Innenseite der PCB 101 elektrisch verbunden, die ihrerseits mit den Drahtleitungen der gedruckten Schaltkreise der PCB 101 verbunden sind. Außerdem bezugnehmend auf 1 bestehen die Verbindungskontaktstellen 131 aus hoch leitfähigen Metallen, die elektrische Signale zwischen dem externen Bauelement 200 und den Speicherchips 110 gleichmäßig übertragen können. Die Verbinder 130 beinhalten mehrere Antideformationsvertiefungen 105, die in regelmäßigen Intervallen entlang der Länge der Verbinder 130 angeordnet sind, um eine Deformation der PCB 101 zu verhindern. Die Verbinder 130 entsprechen den Verbindern 230 des externen Bauelements 200, um Daten durch Übertragen/Empfangen von Signalen zu/von den Speicherchips (z.B. SDRAM) 110 auszutauschen und um das Speichermodul 100 physisch fest auf dem externen Bauelement 200 zu tragen.
Um Rauschen zu eliminieren, das vom Austausch elektrischer Signale zwischen den Speicherchips 110 und dem externen Bauelement 200 verursacht werden kann, und um die Signalauflösung zu steigern, sind außerdem Dämpfungschips 120 in horizontal orientierten Paaren benachbart zu den Speicherchips 110 angeordnet. Spezieller sind die zwei Dämpfungschips 120 in jedem Paar vorzugsweise in einer Linie parallel zu den lateralen Kanten der PCB 101 angeordnet. Längskanten der Dämpfungschips 120 sind ebenfalls bevorzugt parallel zu den lateralen Kanten der PCB 101 angeordnet. Die Dämpfungschips 120 sind vorzugsweise Vierfeld-Registerchips, die mehrere Widerstandselemente aufweisen. Die Dämpfungschips 120 übertragen die Signale von dem externen Bauelement 200 zu den Speicherchips 110 ohne Überschwingen der Signale.
Mehrere Leiterbahnen 121 sind auf jeder der Längskanten der Dämpfungschips 120 ausgebildet. Die mehreren Leiterbahnen 121 sind mit Leiterbahnen 111 der Speicherchips 110 verbunden. Die Leiterbahnen 111 der Speicherchips 110 sind mit Verbindungsanschlüssen 131, die in den Verbindern 130 ausgebildet sind, durch interne Metalldrahtleitungen der gedruckten Schaltkreise der PCB 101 elektrisch verbunden, um Eingangs-/Ausgangssignale mit dem externen Bauelement 200 auszutauschen. Durch Anordnen von Dämpfungschips 120 benachbart zu lateralen Kanten der Speicherchips 110 kann die Höhe der PCB 101 drastisch reduziert werden, und die Abmessung des Speichermoduls kann dadurch reduziert werden.
3 ist ein Blockdiagramm, das eine elektrische Kommunikation zwischen Komponenten des Speichermoduls 100 der 2A und 2B darstellt. Bezugnehmend auf die 1, 2A, 2B und 3 wird, wenn ein elektrisches Signal von dem externen Bauelement 200 über den Verbindungsanschluss 131 des Verbinders 130 zu der PCB 101 übertragen wird, das Eingangssignal zu dem Dämpfungschip 120 übertragen. Der Dämpfungschip 120 dämpft elektrisches Signalrauschen heraus, um lediglich das reale Signal zu der Eingangsleitung des Speicherchips 110 mittels Filtern durchzulassen. In Abhängigkeit von dem zu dem Speicherchip 110 übertragenen Signal können Daten von dem externen Bauelement 200 gesendet und im Inneren des Speicherchips 110 gesichert werden, oder es können Daten, die in dem Speicherchip 110 gesichert sind, in ein elektrisches Ausgangssignal gewandelt und über eine Ausgangsleitung des Speicherchips 110 zu dem Dämpfungschip 120 übertragen werden. Das Ausgangssignal wird vom Dämpfungschip 120 durch den Verbinder 130 zu dem externen Bauelement 200 übertragen. In dieser Ausführungsform können das externe Bauelement 200 und der Speicherchip 110 ohne irgendein Rauschen kommunizieren, indem Daten gleichmäßig über den Dämpfungschip 120 ausgetauscht werden.
In einem Speichermodul 100, das gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung konfiguriert ist, kann der Abstand zwischen dem Verbinder 130 und dem Speicherchip 110 reduziert werden, da Dämpfungschips 120 benachbart zu den Speicherchips 110 angeordnet sind. Die Höhe der PCB für das Speichermodul 100 kann daher verringert werden. Die Gesamthöhe des Speichermoduls 100 kann beispielsweise so reduziert werden, dass es in Bauelemente der nächsten Generation mit einer Abmessung von 900mm oder weniger passt.
Die 4a und 4B sind Draufsichten, die eine Vorderseite 102a und eine Rückseite 102b der PCB 101 für das Speichermodul gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung darstellen. Bezugnehmend auf die 1, 4A und 4B beinhaltet ein Speichermodul 100 vorzugsweise eine rechteckige, panelartige PCB 101 mit mehreren Speicherchip-Kontaktstellengruppen 115, die aus mehreren Kontaktstellen 115a bestehen. Die Chip-Kontaktstellengruppen 115 entsprechen der Mehrzahl von Speicherchips 110, die auf beiden Seiten der PCB 101 angeordnet sind. Verbinder 130 sind entlang einer Kante der PCB 101 ausgebildet, um die Speicherchip-Kontaktstellengruppen 115 mit dem externen Bauelement 200 elektrisch zu verbinden. Mehrere Dämpfungschip-Kontaktstellengruppen 117 mit eingebauten Dämpfungschips sind zwischen den Speicherchip-Kontaktstellengruppen 115 angeordnet und mit den Verbindern 130 elektrisch verbunden, um Signalrauschen zu dämpfen.
Die Speicherchip-Kontaktstellengruppen 115 sind in regelmäßigen Intervallen in einer einzelnen Linie entlang der Länge der PCB 101 angeordnet. Außerdem sind die mehreren Kontaktstellen 115a jeder Speicherchip-Kontaktstellengruppe 115 bezüglich der Leiterbahnen 111 eines entsprechenden Speicherchips 110 auf der PCB 101 ausgerichtet. Mit anderen Worten sind mehrere Kontaktstellen 115a benachbart zu den Längskanten eines entsprechenden Speicherchips 110 angeordnet, um eine Speicherchip-Kontaktstellengruppe 115 zu bilden. Die Speicher chip-Kontaktstellengruppen 115 sind daher vorzugsweise in Linien angeordnet, die parallel zu der Längskante der PCB 101 verlaufen. Mehrere Verbindungskontaktstellen 131 des Verbinders 130 sind mit den Speicherchip-Kontaktstellen 115a elektrisch verbunden. Die Verbindungskontaktstellen 131 bestehen vorzugsweise aus dünnem Metall und sind in regelmäßigen Intervallen nahe der Längskante des Verbinders 130 angeordnet.
Jede der Dämpfungschip-Kontaktstellengruppen 117 beinhaltet vorzugsweise eine Mehrzahl von Dämpfungschip-Kontaktstellen 117a, die den Leiterbahnen 121 eines zugehörigen Dämpfungschips 120 auf der PCB 101 entsprechen. Zwei Dämpfungschip-Kontaktstellengruppen 117 sind vorzugsweise benachbart zu einer Speicherchip-Kontaktstellengruppe 115 in einer Linie parallel zu der lateralen Kante der PCB 101 angeordnet. Durch Anordnen von mehreren Dämpfungschip-Kontaktstellengruppen in einer Linie parallel zu der lateralen Kante der PCB 101 kann die Länge der PCB 101 ebenso wie ihre Höhe reduziert werden. Wird eine PCB 101 mit der vorstehenden Konfiguration verwendet, können die Komponenten (z.B. Speicherchips 110 und Dämpfungschips 120) eines Speichermoduls 100 mit einer derart hohen Dichte angeordnet werden, dass die gleiche Menge an Speicher in einem kleineren Modul 100 angeordnet werden kann. Wie aus den 4A und 4B ersichtlich, resultiert diese Konfiguration außerdem darin, dass einige der Dämpfungschip-Kontaktstellengruppen 117 in einem Zwischenraum zwischen benachbarten Speicherchip-Kontaktstellengruppen 115 angeordnet sind.
Die Dämpfungschips 120, die für das Speichermodul 100 verwendet werden, können Vierfeld-Registerchips sein, die unter Verwendung einer Kombination eines Kondensators und eines Widerstands konfiguriert sind. Spezieller können ein Kondensator und ein Widerstand parallel geschaltet sein, um einen Dämpfungsschaltkreis 120 zu bilden. Für die Speicherchips 110 können zum Beispiel SDRAM, Rambus-DRAM oder elektrisch löschbare, programmierbare Festwertspeicher (EEPROM) verwendet werden. Die Speicherchips 110 sind vorzugsweise auf der Oberfläche der PCB 101 basierend auf der Abmessung der Chips 110 angeordnet. Die Anzahl an Kontaktstellen, die auf der Oberfläche der PCB 101 angeordnet sind, entspricht vorzugsweise der Anzahl an Leiterbahnen, die von den Chips vorstehen.
Außerdem sind in der PCB 101 vorzugsweise Metalldrahtleitungen ausgebildet. Die Metalldrahtleitungen sind vorzugsweise in einer geraden Linie zwischen der Verbindungskontaktstelle 131 des Verbinders 130 und den Leiterbahnen 121 angeordnet, die sich von dem Dämpfungschip 120 aus erstrecken. Diese direkte, geradlinige Metallverdrahtung hilft dabei, eine Dämpfung des elektrischen Signals zu verhindern, die in längeren Drahtleitungen aufgrund des Linienwiderstands der Metalldrahtleitungen auftreten kann.
Des Weiteren ist der Abstand von der Verbindungskontaktstelle 131 des Verbinders 130 zu der Leiterbahn 111 des Speicherchips 110 im Vergleich zu jenem des existierenden Speichermoduls (siehe 5 und 6) drastisch reduziert. Insbesondere führt die Metallleitung nicht über den Dämpfungsschaltkreis 120 zu der externen Seite des Speicherchips 110 über den Dämpfungsschaltkreis 120. Die Metallleitung führt stattdessen über die PCB 101 unterhalb des Speicherchips und führt von der Verbindungskontaktstelle 131 des Verbinders 130 zu der Leiterbahn 121 des Dämpfungschips 120. Demzufolge ist in dem Speichermodul, das gemäß dieser Ausführungsform der Erfindung aufgebaut ist, die Pfadlänge des elektrischen Signals nicht vergrößert, selbst wenn ein Pfad zwischen dem Verbinder 130, dem Dämpfungschip 120 und dem Speicherchip 110 länger sein kann, und die Signaldämpfung kann reduziert oder verhindert werden.
Wie zuvor beschrieben, sind in der PCB 101, die gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung konfiguriert ist, die Dämpfungschips 120 vorzugsweise benachbart zu einer lateralen Kante von einem oder mehreren der longitudinal ausgerichteten Speicherchips 101 angeordnet. Die Höhe und die Abmessung des Speichermoduls 100 kann dadurch etwas reduziert werden. Außerdem kann in der PCB 101, die gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung aufgebaut ist, durch Anordnen der Längskanten der Speicherchips parallel zu der Längskante der PCB die Höhe der PCB reduziert werden.

Claims

Leiterplatte für ein Speichermodul mit – einem Leiterplattenpanel (101) mit zwei Längskanten und zwei lateralen Kanten, – einer Mehrzahl von Speicherchip-Kontaktstellengruppen (115), die jeweils mehrere Kontaktstellen zur Kontaktierung von auf beiden Seiten des Panels an entsprechenden Speicherchipplätzen anzuordnenden Speicherchips (110) beinhalten, wobei die Speicherchipplätze zu den Leiterplattenpanel-Längskanten parallele Längskanten und zu den lateralen Kanten des Leiterplattenpanels parallele laterale Kanten beinhalten, – einer Mehrzahl von Verbindern (130), die entlang der Längskanten des Panels angeordnet sind, wobei die Verbinder so konfiguriert sind, dass sie die Speicherchip-Kontaktstellengruppen mit einem externen Bauelement elektrisch verbinden, und – einer Mehrzahl von Dämpfungschip-Kontaktstellengruppen (117) zur Kontaktierung von eingebauten Dämpfungschips (120), wobei die Dämpfungschip-Kontaktstellengruppen so konfiguriert sind, dass sie eine elektrische Verbindung zu den Verbindern herstellen und Signalrauschen dämpfen, dadurch gekennzeichnet, dass – die Dämpfungschip-Kontaktstellengruppen (117) sämtlich benachbart zu lateralen Kanten der Speicherchipplätze, die zu den lateralen Kanten des Leiterplattenpanels (101) parallel sind, zwischen je zwei benachbarten Speicherchipplätzen und/oder zwischen einem benachbarten Speicherchipplatz und einer benachbarten lateralen Kante des Leiterplattenpanels angeordnet sind.
Leiterplatte nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die mehreren Speicherchip-Kontaktstellengruppen in regelmäßigen Intervallen in einer Linie parallel zu den Längskanten des Leiterplattenpanels angeordnet sind.
Leiterplatte nach Anspruch 1 oder 2, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Speicherchip-Kontaktstellengruppen so konfiguriert sind, dass sie an Längskanten der Speicherchips ausgebildete Kontakte aufnehmen.
Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 3, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Verbinder eine Mehrzahl von Verbindungskontaktstellen beinhalten, die mit den Speicherchip-Kontaktstellen elektrisch verbunden sind.
Leiterplatte nach Anspruch 4, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungskontaktstellen in regelmäßigen Intervallen angeordnet sind.
Leiterplatte nach Anspruch 4 oder 5, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungskontaktstellen aus einem dünnen Metallfilm bestehen.
Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 6, weiter dadurch gekennzeichnet, dass je zwei Dämpfungschip-Kontaktstellengruppen benachbart zu der lateralen Kante eines benachbarten Speicherchipplatzes angeordnet sind.
Leiterplatte nach Anspruch 7, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die zwei Dämpfungschip-Kontaktstellengruppen in einer Linie parallel zu den lateralen Kanten des Leiterplattenpanels angeordnet sind.
Speichermodul mit – einer Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 8, – einer Mehrzahl von Speicherchips (110), die auf den Speicherchipplätzen angeordnet sind, und – einer Mehrzahl von Dämpfungschips (120), die mit den Dämpfungschip-Kontaktstellengruppen kontaktiert sind und von denen jeder einen Dämpfungsschaltkreis beinhaltet, der dafür ausgelegt ist, Rauschen in elektrischen Signalen zu dämpfen, die zwischen den Speicherchips und den Verbindern ausgetauscht werden, wobei die Dämpfungschips (120) sämtlich benachbart zu lateralen Kanten der Speicherchips angeordnet sind.
Speichermodul nach Anspruch 9, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Speicherchips von rechteckiger Form sind und mehrere Kontakte an Längskanten der Speicherchips ausgebildet sind.
Speichermodul nach Anspruch 9 oder 10, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Speicherchips jeweils einen flüchtigen Speicherchip beinhalten.
Speichermodul nach Anspruch 11, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Speicherchip einen synchronen dynamischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff beinhaltet.
Speichermodul nach einem der Ansprüche 9 bis 12, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Verbinder mehrere Verbindungskontaktstellen beinhalten, die durch im Inneren des Leiterplattenpanels ausgebildete Metalldrahtleitungen mit den Kontakten der Speicherchips elektrisch verbunden sind.
Speichermodul nach einem der Ansprüche 9 bis 13, weiter dadurch gekennzeichnet, dass jeder Dämpfungschip wenigstens einen Widerstand beinhaltet.
Speichermodul nach einem der Ansprüche 9 bis 14, weiter dadurch gekennzeichnet, dass jeder Dämpfungschip ein Vierfeldregister beinhaltet.
Speichermodul nach einem der Ansprüche 9 bis 15, weiter dadurch gekennzeichnet, dass jeder Dämpfungschip einen Kondensator beinhaltet.
Speichermodul nach einem der Ansprüche 9 bis 16, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Dämpfungsschaltkreis einen Widerstand und einen Kondensator beinhaltet, die parallel geschaltet sind.
Speichermodul nach einem der Ansprüche 9 bis 17, weiter dadurch gekennzeichnet, dass je zwei Dämpfungschips zwischen benachbarten Speicherchips angeordnet sind.
Speichermodul nach einem der Ansprüche 9 bis 18, weiter dadurch gekennzeichnet, dass je zwei Dämpfungschips in einer Linie parallel zu einer lateralen Kante der Leiterplatte angeordnet sind.
Verfahren zur Herstellung eines Speichermoduls, bei dem – eine Mehrzahl von Speicherchips (110) auf einer Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 8 in einer Linie parallel zu den Längskanten des Leiterplattenpanels angeordnet wird, wobei die Längskanten der Speicherchips parallel zu den Längskanten des Leiterplattenpanels angeordnet sind, und – eine Mehrzahl von Dämpfungschips (120) sämtlich auf der Leiterplatte benachbart zu lateralen Kanten der Speicherchips angeordnet wird.
Verfahren nach Anspruch 20, weiter gekennzeichnet durch das Anordnen von mehreren Dämpfungschips benachbart zu der lateralen Kante von einem jeweiligen Speicherchip in einer Linie parallel zu den lateralen Kanten des Leiterplattenpanels.