DE10238812B4 - Halbleiterspeichervorrichtung mit veränderbarer Kontaktbelegung und entsprechende Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleiterspeichervorrichtung mit veränderbarer Kontaktbelegung und entsprechende Halbleitervorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE10238812B4
DE10238812B4 DE10238812A DE10238812A DE10238812B4 DE 10238812 B4 DE10238812 B4 DE 10238812B4 DE 10238812 A DE10238812 A DE 10238812A DE 10238812 A DE10238812 A DE 10238812A DE 10238812 B4 DE10238812 B4 DE 10238812B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor memory
int
signal
allocation
memory device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10238812A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10238812A1 (de
Inventor
Andreas TÄUBER
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Polaris Innovations Ltd
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE10238812A priority Critical patent/DE10238812B4/de
Priority to US10/646,166 priority patent/US6992940B1/en
Publication of DE10238812A1 publication Critical patent/DE10238812A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10238812B4 publication Critical patent/DE10238812B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657Stacked arrangements of devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06517Bump or bump-like direct electrical connections from device to substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06527Special adaptation of electrical connections, e.g. rewiring, engineering changes, pressure contacts, layout
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

Halbleiterspeichervorrichtung (14), umfassend einen integrierten Halbleiterspeicher (18) und eine Anschlußvorrichtung (16), wobei
die Anschlußvorrichtung (16) umfaßt:
– ein Vielzahl von matrixartig angeordneten Kontakten (20), mittels welchen die Halbleiterspeichervorrichtung (14) mit einer Leiterplatteneinrichtung (12) signalverbindbar ist, wobei die Vielzahl von Kontakten (20) eine erste Kontaktgruppe (K1), deren Belegung nicht-veränderbar ist, eine zweite Kontaktgruppe (K2), deren Belegung veränderbar ist, und einen Zuordnungskontakt zum Empfangen eines externen Zuordnungssignals, umfaßt; und
der integrierte Halbleiterspeicher (18) umfaßt:
– eine Vielzahl von internen Anschlüssen (22), wobei die Vielzahl von internen Anschlüssen (22) eine erste Gruppe (I) von internen Anschlüssen (22), deren Anschlüsse Kontakten (20) der ersten Kontaktgruppe (K1) der Anschlußvorrichtung (16), zugeordnet und mit diesen signalverbunden sind, und eine zweite Gruppe (II) von internen Anschlüssen (22), deren Anschlüsse mit verschiedenen Kontakten (20) der zweiten Kontaktgruppe (K2) der Anschlußvorrichtung (16) signalverbindbar sind, umfaßt,
– einen Zuordnungsanschluß (30), welcher mit dem Zuordnungskontakt...

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterspeichervorrichtung und eine Halbleitervorrichtung.
  • Es sind Halbleiterspeichervorrichtungen bekannt, welche Kontakte in Form eines Ball-Grid-Arrays (BGA) zum Kontaktieren mit einer Leiterplatte aufweisen. Ferner ist es bekannt, an einer Leiterpaltte Halbleiterspeichervorrichtungen mittels einem sogenannten "clamp-shelling" symmetrisch zueinander auf zwei Leiterplattenseiten anzubringen. Hierdurch wird ermöglicht, daß mehrere Halbleiterspeichervorrichtungen eine Leitung der Leiterplatte gemeinsam verwenden. Hierzu muß die Belegung der Kontakte der zwei Halbleiterspeichervorrichtungen jedoch spiegelsymmetrisch sein. Bei einer großen Anzahl nicht vertauschbarer Pins, z.B. Adresspins oder Kommandopins, führt dies zu Halbleiterspeichervorrichtungen die sehr viele Kontakte aufweisen, wobei ein Großteil der Kontakte nicht genutzt werden kann und nur zu Symmetriezwecken vorhanden ist.
  • Die DE 197 56 529 A1 beschreibt eine integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung bei welcher von außen angelegte Signale abhängig von einem Spiegelsignal spiegelsymmetrisch invertiert werden können. Die spiegelsymmetrisch invertierten Signale werden dann an einen internen Schaltkreis weitergegeben.
  • Die US 5473198 beschreibt eine Halbleiterspeichereinrichtung bei welcher eine bestimmte, teilweise symmetrische Anordnung von Bondpads vorgesehen ist.
  • Die US 5502621 beschreibt eine Halbleiterspeichereinrichtung bei welcher die Pin-Belegung zumindest teilweise symmetrisch ausgebildet ist.
  • Es ist somit eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleiterspeichervorrichtung und eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, die eine vorteilhafte Ausnutzung der vorhandenen Ressourcen und eine einfache Handhabung der Halbleiterspeichervorrichtung ermöglichen.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Halbleiterspeichervorrichtung mit den in Anspruch 1 angegebenen Merkmalen und eine Halbleitervorrichtung mit den in Anspruch 11 angegebenen Merkmalen. Bevorzugte Ausführungsformen sind Inhalt der ab hängigen Ansprüche.
  • Gemäß der Erfindung wird eine Halbleiterspeichervorrichtung bzw. Speicherchip bereitgestellt, umfassend einen integrierten Halbleiterspeicher und eine Anschlußvorrichtung bzw. ein Package, wobei die Anschlußvorrichtung umfaßt:
    • – ein Vielzahl von matrixartig angeordneten Kontakten, mittels welchen die Halbleiterspeichervorrichtung mit einer insbesondere zu bestückenden Leiterplatteneinrichtung bzw. Platine signalverbindbar ist, wobei die Vielzahl von Kontakten eine erste Kontaktgruppe, deren Belegung bzw. Signalbelegung nicht veränderbar ist, eine zweite Kontaktgruppe, deren Belegung bzw. Signalbelegung veränderbar ist, und einen Zuordnungskontakt bzw. Spiegel-Pin bzw. Mirror-Pin zum Empfangen eines externen Zuordnungssignals bzw. Spiegel-Signals bzw. Mirror-Signals, umfaßt; und der integrierte Halbleiterspeicher umfaßt:
    • – eine Vielzahl von internen Anschlüssen, wobei die Vielzahl von internen Anschlüssen eine erste Gruppe von internen Anschlüssen, deren Anschlüsse Kontakten der ersten Kontaktgruppe der Anschlußvorrichtung zugeordnet und mit diesen signalverbunden sind, und eine zweite Gruppe von internen Anschlüssen, deren Anschlüsse mit verschiedenen Kontakten der zweiten Kontaktgruppe der Anschlußvorrichtung signalverbindbar sind, umfaßt,
    • – einen Zuordnungsanschluß, welcher mit dem Zuordnungskontakt der Anschlußvorrichtung in Signalverbindung steht;
    • – eine Signalerzeugungseinrichtung, welche mit dem Zuordnungsanschluß in Signalverbindung steht, und ausgelegt ist zum Erzeugen eines internen Zuordnungssignals, welches zumindest zwei verschiedene Zustände annehmen kann, abhängig von dem über den Zuordnungskontakt empfangenen externen Zuordnungssignal,
    • – eine Zuordnungseinrichtung bzw. Remapping-Einheit bzw. Steering-Unit, welche zwischen der zweiten Gruppe der inter nen Anschlüsse und der zweiten Kontaktgruppe der Anschlußvorrichtung angeordnet ist und mit diesen und der Signalerzeugungseinrichtung in Signalverbindung steht, wobei die Zuordnungseinrichtung ausgelegt ist zum Durchführen einer Zuordnung zwischen den internen Anschlüssen der zweiten Gruppe und den Kontakten der zweiten Kontaktgruppe der Anschlußvorrichtung durch Herstellen elektrischer Signalverbindungen zwischen diesen in Abhängigkeit des von der Signalerzeugungseinrichtung erzeugten internen Zuordnungssignals.
  • Hierbei wird als der integrierte Halbleiterspeicher der Siliziumchip bzw. das sog. "die" auf bzw. an welchem integrierte Schaltungen ausgebildet sind, als solcher betrachtet. Die Anschlußvorrichtung wird zum Anbringen des Halbleiterspeichers an eine Leiterplatteneinrichtung verwendet. Dabei werden Signalverbindungen zwischen dem Halbleiterspeicher und dem matrixartig angeordneten Kontakten der Anschlußvorrichtung ausgebildet.
  • Vorliegend bedeutet der Ausdruck "Belegung" der Kontakte, daß über den jeweiligen Kontakt eine bestimmte Art von Signal bzw. ein bestimmtes Signal übertragen wird. Die Belegung ist nicht veränderbar, wenn eine feste Zuordnung zwischen den internen Anschlüssen des Halbleiterspeichers und den jeweiligen Kontakten der Anschlußvorrichtung besteht. Hingegen ist die Belegung veränderbar, wenn keine feste Zuordnung zwischen den internen Anschlüssen des Halbleiterspeichers und den Kontakten der Anschlußvorrichtung besteht, d.h. daß z.B. die Belegung von zwei Kontakten intern vertauscht werden kann. Die Zuordnung erfolgt erst beim Betrieb der Halbleitervorrichtung. Dies wird gemäß der Erfindung durch Zwischenschalten der Zuordnungseinrichtung ermöglicht.
  • Somit kann durch geeignetes Beschalten der Zuordnungseinrichtung ein und dieselbe Halbleiterspeichervorrichtung verschiedene Belegungen der Kontakte haben. In der Herstellung ist es somit nurmehr nötig, einen Typ eines Halbleiterspeichers herzustellen. Bei diesem können dann je nach Bedarf die Kontakte mit unterschiedlichen Signalen belegt werden. Es ist nicht notwendig, daß die Belegung der Kontakte der Halbleiterspeichervorrichtung bezüglich einer der Mittelachsen der Halbleiterspeichervorrichtung symmetrisch ist. Somit kann die Größe der Halbleiterspeichervorrichtung reduziert werden, da nahezu keine ungenutzten Kontakte, die zu Symmetriezwecken notwendig waren, mehr vorgesehen werden müssen.
  • Vorzugsweise umfaßt der integrierte Halbleiterspeicher ferner eine Vielzahl von äußeren Anschlüssen, welche mit den Kontakten der Anschlußvorrichtung unveränderbar signalverbunden sind, die internen Anschlüsse der ersten Gruppe von internen Anschlüssen sind mit den jeweiligen äußeren Anschlüssen signalverbunden, und die internen Anschlüsse der zweiten Gruppe von internen Anschlüssen sind über die Zuordnungseinrichtung mit den jeweiligen äußeren Anschlüssen signalverbindbar.
  • Die Belegung eines Teils der äußeren Anschlüsse ist somit veränderbar. Innerhalb des integrierten Halbleiterspeichers findet das Verändern der Belegung statt.
  • Bevorzugt ist die Vielzahl von äußeren Anschlüssen in zumindest einer Reihe, vorzugsweise im wesentlichen mittig, auf dem integrierten Halbleiterspeicher angeordnet.
  • Weiter bevorzugt umfaßt die zweite Gruppe von internen Anschlüssen Anschlüsse, auf die schnell zugegriffen werden soll, vorzugsweise Adressierungsanschlüsse, Clockanschlüsse und/oder Kommandoanschlüsse.
  • Die Kontakte der Anschlußvorrichtung, welche mit dieser Art von Anschlüssen verbunden sind müssen jeweils an einer bestimmten Position bezüglich der Leiterplatteneinrichtung, an welche der Halbleiterspeicher befestigt wird, vorgesehen sein. Die erfindungsgemäße Halbleiterspeichervorrichtung ermöglicht es somit, diese Art von Anschlüssen jeweils mit den benötigten Kontakten zu verbinden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Signalerzeugungseinrichtung ausgelegt, ein internes Zuordnungssignal mit zwei verschiedenen Zuständen zu erzeugen, wobei
    • – wenn das interne Zuordnungssignal den ersten Zustand annimmt, die Belegung der Kontakte der zweiten Kontaktgruppe der Anschlußvorrichtung eine vorbestimmbare erste Belegung annimmt, und
    • – wenn das interne Zuordnungssignal den zweiten Zustand annimmt, die Belegung der Kontakte der zweiten Kontaktgruppe der Anschlußvorrichtung im wesentlichen der entlang der Längsmittelachse oder Quermittelachse der Halbleiterspeichervorrichtung gespiegelten ersten Belegung entspricht.
  • Dadurch ist es möglich, Halbleiterspeichervorrichtungen bereitzustellen, die eine Belegung der Kontakte der Anschlußvorrichtung aufweisen, die zumindest teilweise zueinander spiegelsymmetrisch sind. Es wird somit ermöglicht, das nur eine Art von Halbleiterspeichervorrichtung hergestellt werden muß, jedoch beim Bestücken der Halbleiterspeichervorrichtung unterschiedliche Belegungen der Kontakte der Anschlußvorrichtung erreichbar sind und somit nur eine Art von Halbleiterspeichervorrichtung verwendet werden muß. Somit kann auch die Ausschußrate der bestückten Leiterplatten reduziert werden.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist die Signalerzeugungseinrichtung ausgelegt, ein internes Zuordnungssignal mit dreiverschiedenen Zuständen zu erzeugen und wenn das interne Zuordnungssignal den dritten Zustand annimmt, die Belegung der Kontakte der zweiten Kontaktgruppe der Anschlußvorrichtung im wesentlichen der entlang der anderen Mittelachse der Halbleiterspeichervorrichtung als im zweiten Zustand gespiegelten ersten Belegung entspricht.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist die Signalerzeugungseinrichtung ausgelegt, ein internes Zuordnungssignal mit vier verschiedenen Zuständen zu erzeugen und wenn das interne Zuordnungssignal den vierten Zustand annimmt, die Belegung der Kontakte der zweiten Kontaktgruppe der Anschlußvorrichtung im wesentlichen der entlang der Längsmittelachse und Quermittelachse der Halbleiterspeichervorrichtung gespiegelten ersten Belegung entspricht.
  • Vorzugsweise sind die Kontakte der Anschlußvorrichtung als ein Ball-Grid-Array ausgebildet.
  • Bevorzugt umfaßt die Zuordnungseinrichtung Logikgatter.
  • Weiter bevorzugt sind die Kontakte der zweiten Kontaktgruppe im wesentlichen symmetrisch zu Längsmittelsachse und/oder Quermittelachse der Halbleiterspeichervorrichtung angeordnet.
  • Vorzugsweise werden die zwischen den internen Anschlüssen des integrierten Halbleiterspeichers und den Kontakten der Anschlußvorrichtung zu übertragenden Signale durch die Übertragung im wesentlichen nicht verändert. Jedoch können die Signale die Signale aufbereitet, z.B. verstärkt werden.
  • Gemäß der Erfindung wird ferner einen Halbleitervorrichtung bereitgestellt, umfassend zumindest zwei Halbleiterspeichervorrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung oder einer bevorzugten Ausführungsform davon und eine Leiterplatteneinrichtung, wobei
    • – die zwei Halbleiterspeichervorrichtungen auf entgegengesetzten Seiten der Leiterplatteneinrichtung einander im wesentlichen gegenüberliegend angeordnet sind, und
    • – die Leiterplatteneinrichtung zumindest einen Zuordnungsversorgungsanschluß, welcher mit dem Zuordnungskontakt einer Halbleiterspeichervorrichtung signalverbindbar ist, umfaßt.
  • Vorzugsweise ist die Halbleitervorrichtung derart ausgestaltet, daß beim Betrieb der Halbleitervorrichtung
    • – der Zuordnungskontakt der ersten Halbleiterspeichervorrichtung nicht mit der Leiterplatteneinrichtung in Signalverbindung steht und das interne Zuordnungssignal der ersten Halbleiterspeichervorrichtung den ersten Zustand annimmt, und
    • – der Zuordnungskontakt der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung mit einem vorbestimmten Zuordnungsversorgungsanschluß der Leiterplatteneinrichtung in Signalverbindung steht und das interne Zuordnungssignal der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung den zweiten Zustand annimmt.
  • Somit wird es ermöglicht, daß zwei in der Produktion identische Halbleitervorrichtungen in einer Clamp-Shell-Anordnung mit einer Leiterplatteneinrichtung verwendet werden können.
  • Die erste Halbleiterspeichervorrichtung wird beim Bestücken der Leiterplatteneinrichtung mit der "richtigen Orientierung" auf der ersten Seite der Leiterplatteneinrichtung angeordnet und befestigt. Beim Anbringen der Halbleiterspeichervorrichtung müssen die Kontakte der Halbleiterspeichervorrichtung deckungsgleich mit den Anschlüssen der Leiterplatteneinrichtung angeordnet werden. Hierbei ist es jedoch möglich, daß die Halbleiterspeichervorrichtung "richtig herum", d.h. mit der richtigen Orientierung, oder "falsch herum" bzw. "auf dem Kopf", d.h. mit der falschen Orientierung, angeordnet werden. In der Regel weisen Halbleiterspeichervorrichtungen eine Markierung auf, um eine richtige Orientierung sicherzustellen.
  • Hierbei wird der Zuordnungskontakt der ersten Halbleiterspeichervorrichtung nicht mit der Leiterplatteneinrichtung kontaktiert, er "floatet". Das Zuordnungssignal der ersten Halbleiterspeichervorrichtung nimmt den ersten Zustand an und die Belegung der Kontakte der Halbleiterspeichervorrichtung ist die erste Belegung.
  • Die zweite Halbleiterspeichervorrichtung wird auf der anderen Seite der Leiterplatteneinrichtung mit der richtigen Orientierung positioniert. Hierbei wird der Zuordnungsversorgungsanschluß der Leiterplatteneinrichtung in Signalverbindung gebracht mit dem Zuordnungskontakt der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung. Das Zuordnungssignal der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung nimmt den zweiten Zustand an, wobei die Belegung der zweiten Kontaktgruppe nun entlang der Längsmittelachse oder Quermittelachse der Halbleiterspeichervorrichtung bezüglich der Belegung der ersten Halbleiterspeichervorrichtung ausgebildet wird. Somit wird eine Clamp-Shell-Anordnung ermöglicht.
  • Bevorzugt umfaßt die Leiterplatteneinrichtung zumindest zwei Zuordnungsversorgungsanschlüsse, welche mit dem Zuordnungskontakt einer Halbleiterspeichervorrichtung signalverbindbar sind, und abhängig davon, mit welchem Zuordnungsversorgungsanschluß der Leiterplatteneinrichtung der Zuordnungskontakt der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung in Signalverbindung steht, nimmt das interne Zuordnungssignal der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung den zweiten oder dritten Zustand an.
  • In dieser Ausführungsform muß nur die erste Halbleiterspeichervorrichtung in der richtigen Orientierung bezüglich der Leiterplatteneinrichtung angeordnet werden. Die zweite Halbleiterspeichervorrichtung kann "richtig orientiert" oder "falsch orientiert" angeordnet werden, d.h. für beide Orientierungen wird jeweils die richtige Belegung der Kontakte der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung ermöglicht.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Halbleitervorrichtung derart ausgestaltet, daß
    • – die Leiterplatteneinrichtung zumindest vier Zuordnungsversorgungsanschlüsse umfaßt;
    • – der Zuordnungskontakt der ersten und zweiten Halbleiterspeichervorrichtung mit jeweils einem vorbestimmten Zuordnungsversorgungsanschluß der Leiterplatteneinrichtung in Signalverbindung steht; und
    • – abhängig davon, mit welchem Zuordnungsversorgungsanschluß der Leiterplatteneinrichtung der Zuordnungskontakt der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung in Signalverbindung steht, das interne Zuordnungssignal der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung den zweiten oder dritten Zustand annimmt und das interne Zuordnungssignal der ersten Halbleiterspeichervorrichtung den ersten oder vierten Zustand annimmt.
  • In dieser Ausführungsform können beide Halbleiterspeichervorrichtungen "beliebig" orientiert werden. Hierbei muß jedoch auch der Zuordnungskontakt der ersten Halbleiterspeichervorrichtung mit einem Zuordnungsversorgungsanschluß der Leiterplatteneinrichtung in Signalverbindung gebracht werden. Es wird "automatisch" die passende Belegung der Kontakte der Halbleiterspeichervorrichtung ausgebildet.
  • Weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der beispielhaften Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform mit Bezug auf die Zeichnungen ersichtlich.
  • 1 zeigt eine schematische Seitenansicht einer erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung;
  • 2A und 2B zeigen schematische teilweise Ansichten der Flächenseiten einer Leiterplatteneinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 3 zeigt eine schematische Querschnittansicht einer erfindungsgemäßen Halbleiterspeichervorrichtung;
  • 4 zeigt eine schematische Ansicht eines integrierten Halbleiters einer erfindungsgemäßen Halbleiterspeichervorrichtung;
  • 5A-5D zeigen schematische Ansichten der Belegung der Kontakte einer erfindungsgemäßen Anschlußvorrichtung.
  • 6 zeigt eine schematische Darstellung einer ersten Ausführungsform einer Signalerzeugungseinrichtung einer erfindungsgemäßen Halbleiterspeichervorrichtung;
  • 7A zeigt eine schematische Ansicht einer ersten Ausführungsform einer Zuordnungseinrichtung einer erfindungsgemäßen Halbleiterspeichervorrichtung;
  • 7B zeigt eine Detailansicht eines Teils der Zuordnungseinrichtung von 7A;
  • 8 zeigt eine schematische Darstellung einer zweiten Ausführungsform einer Signalerzeugungseinrichtung einer erfindungsgemäßen Halbleiterspeichervorrichtung;
  • 9 zeigt eine Detailansicht eines Teils einer Zuordnungseinrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;
  • 10 zeigt eine schematische Darstellung einer dritten Ausführungsform einer Signalerzeugungseinrichtung einer erfindungsgemäßen Halbleiterspeichervorrichtung;
  • 11 zeigt einen Spannungsteiler gemäß der dritten Ausführungsform der Erfindung; und
  • 12 zeigt eine Detailansicht eines Teils einer Zuordnungseinrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung.
  • Gemäß der Erfindung wird eine Halbleiterspeichervorrichtung bereitgestellt, bei welcher die Belegung der Anschlußkontakte bzw. das sog "pin-out" beim Betrieb zumindest teilweise veränderbar ist. Dies wird intern in der Halbleiterspeichervorrichtung durchgeführt, wenn ein entsprechendes Signal von Außen empfangen wird.
  • Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung 10 und deren Elemente Bezug auf die Figuren im Detail beschrieben.
  • 1 zeigt eine schematische Seitenansicht einer erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung 10. Die erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung 10 umfaßt eine Leiterplatteneinrichtung 12 und zumindest zwei Halbleiterspeichervorrichtungen 14. Je eine Halbleiterspeichervorrichtung 14 ist an einer Seite der Leiterplatteneinrichtung 12 angeordnet und mit dieser signalverbunden. Die Halbleiterspeichervorrichtungen 14 sind in einer sogenannten "clamp-shell-Anordnung" an der Leiterplatteneinrichtung 12 angeordnet. Hierbei liegen sich die Halbleiterspeichervorrichtungen 14 an der ersten und zweiten Seite der Leiterplatteneinrichtung 12 im wesentlichen symmetrisch gegenüber.
  • Bezugnehmend auf 2A und 2B wird die Leiterplatteneinrichtung 12 näher beschrieben.
  • 2A und 2B zeigen schematische Ansichten der Flächenseiten einer Leiterplatteneinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung. Hierbei ist jeweils nur ein Ausschnitt der ersten und zweiten Seite der Leiterplatteneinrichtung 12 zu sehen. Der sichtbare Ausschnitt ist jeweils ein Abschnitt der Leiterplatteneinrichtung 12, an welchem eine Halbleiterspeichervorrichtung 14 angeordnet werden soll. Das schwarze Dreieck markiert jeweils die selbe imaginäre Kante des jeweiligen Abschnitts der Leiterplatteneinrichtung 12.
  • Die mit den Buchstaben A bis H, M1 bis M4 und X markierten Stellen repräsentieren Anschlüsse bzw. Pins der Leiterplatteneinrichtung 12, an welche eine später beschriebene Halbleiterspeichervorrichtung 14 angeschlossen werden kann. Hierbei bezeichnen die Buchstaben die Belegung der Anschlüsse, d.h. welche Signale über den Anschluß übertragen werden sollen. Hierbei sind die Anschlüsse A bis H z.B. Adressierungs-, Kommando- oder Clock-Anschlüsse. Anschlüsse X sind z.B. Datenanschlüsse. M1 bis M4 sind Zuordnungsversorgungsanschlüsse, mittels welcher ein später beschriebenes externes Zuordnungssignal an die Halbleiterspeichervorrichtung 14 übertragen wird. Erfindungsgemäß muß zumindest ein Zuordnungsversorgungsanschluß M1-M4 je zwei gegenüberliegenden Halbleiterspeichervorrichtungen 14 vorgesehen sein.
  • Bei der clamp-shell-Anordnung werden über manche Leitungen der Leiterplatteneinrichtung 12 Signale für zwei an jeweils entgegengesetzten Seiten der Leiterplatteneinrichtung 12 angeordnete Halbleiterspeichervorrichtungen 14 übertragen. Dies sind bevorzugt Adressierungs-, Kommando- oder Clock-Signale, welche über die Anschlüsse A-H an eine angeschlossene Halbleiterspeichervorrichtung 14 übertragen werden. Um einen sicheren Betrieb zu ermöglichen, sollen die Signalwege dieser Signale möglichst gleich sein. Somit ist es vorteilhaft, wenn die Anschlüsse A-H an den zwei Seiten der Leiterplatteneinrichtung 12 zueinander spiegelsymmetrisch bezüglich der Leiterplatteneinrichtung 12 angeordnet sind. Eine schematische Anordnung bzw. Belegung der Anschlüsse der beiden Seiten der Leiterplatteneinrichtung 12 zu Beispielzwecken ist in 2A und 2B zu sehen.
  • Eine Halbleiterspeichervorrichtung 14 gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist in 3 gezeigt.
  • Die erfindungsgemäße Halbleiterspeichervorrichtung 14 umfaßt eine Anschlußvorrichtung 16 und eine integrierten Halbleiterspeicher bzw. Siliziumchip 18, an welchem integrierte Schaltkreise ausgebildet sind.
  • Die Anschlußvorrichtung 16 umfaßt eine Vielzahl von Kontakten 20 mittels welcher die Halbleiterspeichervorrichtung 14 an eine Leiterplatteneinrichtung 12 befestigt werden kann und über welche Signale übertragen werden können. Die Kontakte 20 sind matrixartig bzw. rasterförmig, vorzugsweise in Form eines sog. "ball grid array" (BGA), an einer Flächenseite der Halbleiterspeichervorrichtung 14 ausgebildet. Hierbei sind die Kontakte 20 bevorzugt Lötpunkte bzw. BGA-Balls.
  • 4 zeigt eine schematische Ansicht eines integrierten Halbleiterspeichers 18 einer erfindungsgemäßen Halbleiterspeichervorrichtung 14.
  • Der integrierte Halbleiter 18 weist eine Vielzahl von internen Anschlüssen 22 und externen bzw. äußeren Anschlüssen 24 auf. Die internen Anschlüsse 22 werden hierbei in zwei Gruppen aufgeteilt, eine erste Gruppe I und eine zweite Gruppe II. Die internen Anschlüsse 22 der Gruppe I sind fest mit einem jeweiligen äußeren Anschluß 24 signalverbunden. Hierbei kann zwischen dem internen Anschluß 22 der Gruppe I und dem jeweiligen äußeren Anschluß 24 ferner eine nicht dargestellte Verstärkungsreinrichtung vorgesehen sein. Hierdurch kann das Signal beispielsweise aufbereitet werden.
  • Zwischen den internen Anschlüssen 22 der zweiten Gruppe II und den jeweiligen äußeren Anschlüssen 24 ist gemäß der vorliegenden Erfindung eine Zuordnungseinrichtung 26 vorgesehen. Die Zuordnungseinrichtung 26 ermöglicht eine veränderbare Zuordnung der internen Anschlüsse 22 der Gruppe II zu den jeweiligen äußeren Anschlüssen 24. Die Funktionsweise der Zuordnungseinrichtung 26 wird später im Detail beschrieben.
  • Der integrierte Halbleiterspeicher 18 umfaßt ferner eine in 3 und 4 nicht gezeigte Signalerzeugungseinrichtung. Mittels dieser wird aus einem externen Zuordnungssignal ein internes Zuordnungssignal erzeugt, welches ein logisches Signal mit zumindest zwei Zuständen ist. Das interne Zuordnungssignal wird der Zuordnungseinrichtung 26 zugeführt. Die Funktionsweise der Signalerzeugungseinrichtung wird später im Detail beschrieben.
  • Ein äußerer Anschluß 24 ist als ein Zuordnungsanschluß 30 ausgebildet, welcher ein übertragenes externes Zuordnungssignal empfangen und zu der Signalerzeugungseinrichtung weiterleiten kann. Es können jedoch auch mehrere äußere Anschlüsse 24 als Zuordnungsanschluß 30 vorgesehen sein.
  • Die äußeren Anschlüsse 24 sind mittels sog. Bond-Drähten 28 mit der Anschlußvorrichtung 16 und über nicht gezeigte interne Leitungen der Anschlußvorrichtung 16 mit den Kontakten 20 signalverbunden (3).
  • Wenn eine Halbleiterspeichervorrichtung 14 an eine Leiterplatteneinrichtung 12 angebracht werden soll, müssen die Kontakte 20 der Anschlußvorrichtung 16 eine zu der Belegung der Anschlüsse der Leiterplatteneinrichtung 12 passende Belegung aufweisen. Hierbei muß die Belegung einer an die in 2A gezeigte Seite der Leiterplatteneinrichtung 12 anzuordnenden Halbleiterspeichervorrichtung 14 verschieden sein von der Belegung einer an die in 2B gezeigte Seite der Leiterplatteneinrichtung 12 anzuordnenden Halbleiterspeichervorrichtung 14 sein.
  • Die erfindungsgemäße Halbleiterspeichervorrichtung 14 ermöglicht es, die Belegung zumindest eines Teils der Kontakte 20 zu verändern. Dies wird ermöglicht durch die Zuordnungseinrichtung 26, welche eine Veränderung der Belegung der äußeren Anschlüsse 24 ermöglicht, die wiederum mit den Kontakten 20 verbunden sind.
  • 5A-5D zeigen schematische Ansichten von verschiedenen Belegungen der Kontakte 20 einer erfindungsgemäßen Anschlußvorrichtung 16. Das schwarze Dreieck markiert hierbei jeweils die selbe Kante der Anschlußvorrichtung 16. Die Buchstaben bezeichnen jeweils die Belegung der Kontakte 20, d.h. welche Signale über den jeweiligen Kontakt 20 übertragen werden sollen.
  • 5B-5D zeigen bezüglich 5A zumindest teilweise gespiegelte und diese entsprechende Anschlußvorrichtungen 16. Aus diesem Grund wird lediglich die in 5A gezeigte Anschlußvorrichtung 16 im Detail beschrieben.
  • Die Kontakte 20 der Anschlußvorrichtung 16 umfassen eine erste Kontaktgruppe K1 deren Belegung nicht veränderbar ist und eine zweite Kontaktgruppe K2 deren Belegung veränderbar ist. Die Kontaktgruppe K2 umfaßt ferner einen Zuordnungskontakt 44, über welchen ein externes Zuordnungsignal M_ext von der Leiterplatteneinrichtung 12 empfangen werden kann. Der Zuordnungskontakt 44 steht in Signalverbindung mit dem Zuordnungsanschluß 30 der Halbleiterspeichervorrichtung 14.
  • 5A zeigt eine Belegung, die zu der Belegung der Anschlüsse der Leiterplatteneinrichtung 12 von 2A paßt, wenn die Halbleiterspeichervorrichtung 14 an der entsprechenden Seite der Leiterplatteneinrichtung 12 angeordnet wird und die mit den schwarzen Dreieck markierten Kanten übereinstimmen. Diese Belegung wird nachfolgend als Ausgangsbelegung bezeichnet.
  • Die in den 5B-5C gezeigten Belegungen können durch die erfindungsgemäße Halbleiterspeichervorrichtung 14 realisiert werden, wenn ein entsprechendes Zuordnungsignal M_ext über den Zuordnungskontakt 44 empfangen wird.
  • Die in 5C gezeigte Belegung paßt zu der in 2B gezeigten Belegung der zweiten Seite der Leiterplatteneinrichtung 12, wenn die mit den schwarzen Dreieck markierten Kanten übereinstimmen. Die Belegung von 2C ist hinsichtlich der Belegung der mit A-H bezeichneten Kontakte 20 zu der Belegung von 2A spiegelsymmetrisch bezüglich der Achse A-A.
  • Die in 5B gezeigte Belegung paßt zu der in 2B gezeigten Belegung, wenn die mit den schwarzen Dreieck markierten Kanten sich gegenüberliegen. Die Belegung von 2B ist hinsichtlich der Belegung der mit A-H bezeichneten Kontakte 20 zu der Belegung von 2A spiegelsymmetrisch bezüglich der Achse B-B. Bezüglich der Belegung von 5C ist diese um 180 Grad gedreht.
  • Im folgenden wird angenommen, daß wenn die Halbleiterspeichervorrichtung 14 kein externes Zuordnungssignal empfängt, die Ausgangsbelegung von 5A vorhanden ist. Es ist jedoch ebenfalls denkbar, daß ein externes Zuordnungssignal zugeführt werden muß, um hier eine Belegung durchzuführen.
  • Wenn die Halbleiterspeichervorrichtung 14 ein bestimmtes externes Zuordnungssignal M_ext über den mit M bezeichneten Zuordnungskontakt 44 empfängt, kann die Belegung entsprechend verändert werden.
  • Gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können zwei verschiedene Belegungen der Kontakte 20 realisiert werden. Dies können z.B. zum einen die in 5A gezeigte Belegung und die in 5B oder 5C gezeigte Belegung, d.h. ein entlang der Achse A-A oder B-B gespiegelte Belegung, sein. Hierzu werden zwei verschiedene externe Zuordnungssignale M_ext benötigt. Hierbei wird das Zuführen keines Signals bzw. das Nicht-Kontaktieren des Zuordnungskontakts 44 als ein externes Zuordnungssignal betrachtet.
  • 6 zeigt eine schematische Darstellung einer ersten Ausführungsform einer Signalerzeugungseinrichtung 32 einer erfindungsgemäßen Halbleiterspeichervorrichtung 14.
  • Die Signalerzeugungseinrichtung 32 umfaßt gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung einen Widerstand R und eine Vergleichseinrichtung 34. Die Vergleichseinrichtung 34 umfaßt einen ersten Eingang 36, einen zweiten Eingang 38 und einen Ausgang 40, an welchem ein internes Zuordnungssignal M_int ausgegeben wird. Die Vergleichseinrichtung 34 vergleicht im wesentlichen die an den Eingängen 36 und 38 anliegenden Spannungen. Ist die am ersten Eingang 36 anliegende Spannung größer als die am zweiten Eingang 38 anliegende Spannung, wird am Ausgang 40 das logische Signal "1" ausgegeben. Ist hingegen die am ersten Eingang 36 anliegende Spannung kleiner als die am zweiten Eingang 38 anliegende Spannung, wird am Ausgang 40 das logische Signal "0" ausgegeben.
  • Der erste Eingang 36 ist über den Widerstand mit einer Spannung VDD, welche vorzugsweise die Versorgungsspannung ist, beaufschlagt. Der weiteren ist der erste Eingang 36 mit dem Zuordnungsanschluß 30, über welchen das externe Zuordnungssignal M_ext übertragen wird, verbunden. Der zweite Eingang 38 ist mit einer Spannung VDD/2 beaufschlagt.
  • Wenn an den Zuordnungsanschluß 30 keine Spannung angelegt wird, "floatet" der Eingang 36 nach VDD. Es wird somit als M_int eine "1" ausgegeben. Wenn über den Zuordnungsanschluß 30 ein Spannung, bevorzugt Ground (GND), übertragen wird, wird als M_int eine "0" ausgegeben. Die M_int in Abhängigkeit von M_ext ist in der nachfolgenden Tabelle 1 dargestellt.
    Figure 00190001
    Figure 00200001
    Tabelle 1
  • 7A zeigt eine schematische Ansicht einer ersten Ausführungsform einer Zuordnungseinrichtung 26 einer erfindungsgemäßen Halbleiterspeichervorrichtung 14. 7B zeigt eine Detailansicht eines Teils der Zuordnungseinrichtung 26 von 7A.
  • Die Zuordnungseinrichtung 26 gemäß der ersten Ausführungsform umfaßt eine Vielzahl der in 7B dargestellten Gatter 42. Wie der Tabelle in 7B zu entnehmen ist, wird, wenn M_int "1" ist, das an einem ersten Eingang anliegenden Signal "S" und, wenn M_int "0" ist, das an einem zweiten Eingang anliegenden Signal "S_R" ausgegeben. Das Signal "S" kann beispielsweise ein Signal der Belegung gemäß 5A sein. Hingegen kann das Signal "S_R" ein Signal der Belegung gemäß 5B oder 5C sein.
  • Wie aus 7A ersichtlich, sind jeweils zwei interne Anschlüsse 22 über zwei Gatter 42 mit zwei äußeren Anschlüssen 24 verbunden. Somit können jeweils zwei Signalbelegungen miteinander vertauscht werden. Gemäß 7A kann z.B. an dem äußeren Anschluß 24 der mit "out1" bezeichnet ist, das Signal A oder B ausgegeben werden. An dem mit "out2" bezeichneten äußeren Anschluß 24 wird dann das jeweils andere Signal, d.h. B oder A, ausgegeben.
  • Somit können die Belegungen gemäß 5A und 5B realisiert werden. Bei einer entsprechenden Veränderung der Belegung der internen Anschlüsse 22, könnten die Belegungen gemäß 5A und 5C realisiert werden.
  • Nachfolgend wird das Bestücken einer Halbleitervorrichtung 10 gemäß der ersten Ausführungsform beschrieben.
  • Beim Bestücken der Leiterplatteneinrichtung 12 mit den Halbleiterspeichervorrichtungen 14 wird zunächst die erste Halbleiterspeichervorrichtung 14 an der ersten Seite der Leiterplatteneinrichtung 12 befestigt bzw. kontaktiert. Die Halbleiterspeichervorrichtungen 14 ist hierbei bezüglich der Leiterplatteneinrichtung 12 richtig orientiert, d.h. die mit dem schwarzen Dreieck markierten Kanten liegen im wesentlichen aufeinander. Hierbei wird der Zuordnungskontakt 44 der ersten Halbleiterspeichervorrichtung 14 nicht mit der Leiterplatteneinrichtung 12 kontaktiert. Somit weist die erste Halbleiterspeichervorrichtung 14 die Ausgangsbelegung auf.
  • Die zweite Halbleiterspeichervorrichtung 14 wird ebenfalls mit der richtigen Orientierung an der zweiten Seite der Leiterplatteneinrichtung 12 befestigt bzw. kontaktiert. Hierbei kann je nach Ausgestaltung der Leiterplatteneinrichtung 12, d.h. abhängig davon, ob der Zuordnungsversorgungsanschluß bei M3 oder M4 angeordnet ist, eine Halbleiterspeichervorrichtung 14 verwendet werden, bei welcher die Belegung entweder an der Achse A-A oder B-B von 5A gespiegelt wird.
  • Dies bedeutet, wenn der Zuordnungsversorgungsanschluß M3 vorhanden ist, wird vorzugsweise eine Halbleiterspeichervorrichtung 14 verwendet, bei welcher die Belegung an der Achse A-A gespiegelt werden kann und eine Belegung gemäß 5C realisieren kann. Hierbei wird die Halbleiterspeichervorrichtung 14 derart orientiert, daß die mit den schwarzen Dreiecken markierten Kanten im wesentlichen aufeinanderliegen. Wenn hingegen der Zuordnungsversorgungsanschluß M4 vorhanden ist, wird vorzugsweise eine Halbleiterspeichervorrichtung 14 verwendet, bei welcher die Belegung an der Achse B-B gespiegelt werden kann und eine Belegung gemäß 5B realisieren kann. Hierbei wird die Halbleiterspeichervorrichtung 14 der art orientiert, daß die mit den schwarzen Dreiecken markierten Kanten sich im wesentlichen gegenüberliegen.
  • Der Zuordnungkontakt 44 der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung 14 wird mit dem Zuordnungsversorgungsanschluß der Leiterplatteneinrichtung 12 kontaktiert. Beim Betrieb der Halbleitervorrichtung 10 liegt dann an dem Zuordnungkontakt 44 der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung 14 eine von VDD verschiedene Spannung, vorzugsweise Ground (GND) an. Somit weist die Halbleiterspeichervorrichtung 14 eine zu der Ausgangsbelegung veränderte Belegung auf.
  • Somit kann das Bestücken der Halbleitervorrichtung 10 bedeutend vereinfacht werden. Es muß nur ein Typ einer Halbleitervorrichtung 10 vorgesehen werden.
  • Gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können drei verschiedene Belegungen der Kontakte 20 realisiert werden. Dies sind z.B. die in den 5A-5C gezeigten Belegungen.
  • 8 zeigt eine schematische Darstellung einer Signalerzeugungseinrichtung einer erfindungsgemäßen Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform.
  • Die Signalerzeugungseinrichtung 52 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfaßt sechs Widerstände R, eine erste Vergleicheinrichtung 54 und eine zweite Vergleicheinrichtung 62. Die Vergleicheinrichtungen 54 und 62 haben die selbe Funktionsweise wie die Vergleicheinrichtung 34 gemäß der ersten Ausführungsform. Die Vergleicheinrichtungen 54 bzw. 62 weisen jeweils einen ersten Eingang 56 bzw. 64, einen zweiten Eingang 58 bzw. 66 und einen Ausgang 60 bzw. 68 zum Ausgeben eines Signals M1_int bzw. M2_int, auf. Das interne Zuordnungssignal wird in dieser Ausführungsform durch die beiden Signale M1_int und M2_int gebildet.
  • Am ersten Eingang 56 der ersten Vergleichseinrichtung 54 liegt 3/4 VDD an. Am zweiten Eingang 58 der ersten Vergleichseinrichtung 54 liegt VDD/2 an. Ferner ist dieser Eingang mit dem Zuordnungsanschluß 30 verbunden. Am Ausgang 60 der ersten Vergleichseinrichtung 54 wird ein erstes internes Zuordnungssignal M1_int ausgegeben.
  • Am ersten Eingang 64 der zweiten Vergleichseinrichtung 62 liegt ebenfalls VDD/2 an und dieser Eingang ist ebenfalls mit dem Zuordnungsanschluß 30 verbunden. Am zweiten Eingang 66 liegt VDD/4 an. Am Ausgang 68 der zweiten Vergleichseinrichtung 62 wird ein zweites internes Zuordnungssignal M2_int ausgegeben.
  • Wird an dem Zuordnungsanschluß 30 keine Spannung angelegt, liegt an den Eingängen 58 und 64 VDD/2 an und es wird als M1_int eine "0" und M2_int eine "1" ausgegeben. Wenn M_ext gleich 0 ist, wird als M1_int eine "0" und M2_int eine "0" ausgegeben. Wenn M_ext gleich VDD ist, wird als M1_int eine "1" und M2_int eine "1" ausgegeben. Der Zusammenhang zwischen M_ext und M1_int und M2_int ist in der nachfolgenden Tabelle 2 dargestellt.
    Figure 00230001
    Tabelle 2
  • Die nicht dargestellte Zuordnungseinrichtung 26 gemäß der zweiten Ausführungsform umfaßt eine Vielzahl der in 9 dargestellten Gatter 70. Das Gatter 70 umfaßt drei Eingänge und einen Ausgang. Je nach dem, was für Werte M1_int und M2_int annehmen wird eines der drei Eingangssignale gemäß der Tabelle von 9 ausgegeben. Bei der Zuordnungseinrichtung 26 gemäß der zweiten Ausführungsform sind jeweils drei interne Anschlüsse 22 über drei Gatter 70 mit drei externen Anschlüssen 24 verbunden.
  • Wie der Tabelle in 9 zu entnehmen ist, wird, wenn M1_int "0" und M2_int "1" ist, das an einem ersten Eingang anliegenden Signal "S", wenn M1_int und M2_int "1" sind, das an einem zweiten Eingang anliegenden Signal "S_R" und wenn M1_int und M2_int "0" sind, das an einem dritten Eingang anliegenden Signal "S_Rr" ausgegeben. Das Signal "S" kann beispielsweise ein Signal der Belegung gemäß 5A sein. Hingegen kann das Signal "S_R" ein Signal der Belegung gemäß 5B und das Signal "S_Rr" ein Signal der Belegung gemäß 5C oder umgekehrt sein.
  • Nachfolgend wird das Bestücken einer Halbleitervorrichtung 10 gemäß der zweiten Ausführungsform beschrieben.
  • Die erste Halbleiterspeichervorrichtung 14 wird wie in der ersten Ausführungsform richtig orientiert an der ersten Seite der Leiterplatteneinrichtung 12 angeordnet. Hierbei wird vorzugsweise der Zuordnungskontakt 44 der ersten Halbleiterspeichervorrichtung 14 nicht mit der Leiterplatteneinrichtung 12 kontaktiert und die erste Halbleiterspeichervorrichtung 14 weist somit die Ausgangsbelegung auf.
  • An der Leiterplatteneinrichtung 12 gemäß der zweiten Ausführungsform sind zumindest zwei Zuordnungsversorgungsanschlüsse M3 und M4 an der zweiten Seite der Leiterplatteneinrichtung 12 vorgesehen, über welche jeweils verschiedene externe Zuordnungssignale übertragen werden können. Die zwei Zuordnungsversorgungsanschlüsse M3 und M4 sind hierbei vorzugsweise punktsymmterisch zur Mitte der Belegung der Anschlüsse der Leiterplatteneinrichtung 12 angeordnet. Die zweite Halblei terspeichervorrichtung 14 kann in einer beliebigen Orientierung angeordnet werden. Je nach dem, mit welchem Zuordnungsversorgungsanschluß die zweite Halbleiterspeichervorrichtung 14 kontaktiert wird, wird die passende Belegung der Kontakte 20 der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung 14 realisiert.
  • 10 zeigt eine schematische Darstellung einer Signalerzeugungseinrichtung einer erfindungsgemäßen Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform.
  • Die Signalerzeugungseinrichtung 72 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfaßt fünf Widerstände R, eine erste Vergleicheinrichtung 74, eine zweite Vergleicheinrichtung 82 und eine dritte Vergleicheinrichtung 90. Die Vergleicheinrichtungen 74, 82 und 90 haben die selbe Funktionsweise wie die Vergleicheinrichtung 34 gemäß der ersten Ausführungsform. Die Vergleicheinrichtungen 74, 82 bzw. 90 weisen jeweils einen ersten Eingang 76, 84 bzw. 92, einen zweiten Eingang 78, 86 bzw. 94 und einen Ausgang 80, 88 bzw. 96 zum Ausgeben eines Signals M1_int, M2_int bzw. M3_int, auf. Das interne Zuordnungssignal wird in dieser Ausführungsform durch die drei Signale M1_int, M2_int und M3_int gebildet.
  • Am ersten Eingang 76 der ersten Vergleichseinrichtung 74 liegt VDD an. Ferner ist dieser Eingang mit dem Zuordnungsanschluß 30 verbunden. Am zweiten Eingang 78 der ersten Vergleichseinrichtung 74 liegt 1/4 VDD an. Am Ausgang 80 der ersten Vergleichseinrichtung 74 wird ein erstes internes Zuordnungssignal M1_int ausgegeben.
  • Am ersten Eingang 84 der zweiten Vergleichseinrichtung 82 liegt ebenfalls VDD an und dieser Eingang ist ebenfalls mit dem Zuordnungsanschluß 30 verbunden. Am zweiten Eingang 86 liegt VDD/2 an. Am Ausgang 88 der zweiten Vergleichseinrichtung 82 wird ein zweites internes Zuordnungssignal M2_int ausgegeben.
  • Am ersten Eingang 92 der dritten Vergleichseinrichtung 90 liegt ebenfalls VDD an und dieser Eingang ist ebenfalls mit dem Zuordnungsanschluß 30 verbunden. Am zweiten Eingang 94 liegt 3/4 VDD an. Am Ausgang 96 der dritten Vergleichseinrichtung 90 wird ein dritte internes Zuordnungssignal M3_int ausgegeben.
  • Wird an dem Zuordnungsanschluß 30 keine Spannung angelegt, liegt an den Eingängen 76, 84 und 92 VDD an und es wird als M1_int, M2_int und M3_int jeweils eine "0" ausgegeben. Wenn M_ext gleich 5/8 VDD ist, wird als M1_int und M2_int eine "0" und M3_int eine "1" ausgegeben. Wenn M_ext gleich 3/8 VDD ist, wird als M1_int eine "0" und M2_int und M3_int eine "1" ausgegeben. Ist M_ext gleich dem Ground-Signal (GND), wird als M1_int, M2_int und M3_int jeweils eine "1" ausgegeben. Der Zusammenhang zwischen M_ext und M1_int, M2_int und M3_int ist in der nachfolgenden Tabelle 3 dargestellt.
    Figure 00260001
    Tabelle 3
  • Die nicht dargestellte Zuordnungseinrichtung 26 gemäß der dritten Ausführungsform umfaßt eine Vielzahl der in 12 dargestellten Gatter 98. Das Gatter 98 umfaßt vier Eingänge und einen Ausgang. Je nach dem, was für Werte M1_int, M2_int und M3_int annehmen, wird eines der drei Eingangssignale gemäß der Tabelle von 12 ausgegeben. Bei der Zuordnungseinrichtung 26 gemäß der dritten Ausführungsform sind jeweils vier interne Anschlüsse 22 über drei Gatter 98 mit vier externen Anschlüssen 24 verbunden.
  • Wie der Tabelle in 12 zu entnehmen ist, wird, wenn M1_int, M2_int und M3_int "0" sind, das an einem ersten Eingang anliegenden Signal "S", wenn M1_int und M2_int "0" sind und M3_int "1" ist, das an einem zweiten Eingang anliegenden Signal "S_R", wenn M1_int "0" ist und M2_int und M3_int "1" sind, das an einem dritten Eingang anliegenden Signal "S_Rr" und wenn M1_int, M2_int und M3_int "1" sind, das an einem vierten Eingang anliegenden Signal "S_Q" ausgegeben.
  • Das Signal "S" kann beispielsweise ein Signal der Belegung gemäß 5A und das Signal "S_Q" ein Signal der Belegung gemäß 5D oder umgekehrt sein. Hingegen kann das Signal "S_R" ein Signal der Belegung gemäß 5B und das Signal "S_Rr" ein Signal der Belegung gemäß 5C oder umgekehrt sein.
  • Nachfolgend wird das Bestücken einer Halbleitervorrichtung 10 gemäß der dritten Ausführungsform beschrieben.
  • An der Leiterplatteneinrichtung 12 gemäß der dritten Ausführungsform sind an der ersten Seite der Leiterplatteneinrichtung 12 zumindest zwei, Zuordnungsversorgungsanschlüsse M1 und M2 und an der zweiten Seite der Leiterplatteneinrichtung 12 zumindest zwei Zuordnungsversorgungsanschlüsse M3 und M4 vorgesehen, über welche jeweils verschiedene externe Zuordnungssignale übertragen werden können. Die zwei Zuordnungsversorgungsanschlüsse M1 und M2 sind hierbei vorzugsweise punktsymmterisch zur Mitte der Belegung der Anschlüsse der Leiterplatteneinrichtung 12 angeordnet. Ferner sind die Zuordnungsversorgungsanschlüsse M3 und M4 ebenfalls vorzugsweise punktsymmterisch zur Mitte der Belegung der Anschlüsse der Leiterplatteneinrichtung 12 angeordnet.
  • Die erste Halbleiterspeichervorrichtung 14 wird beliebig orientiert an der Leiterplatteneirichtung 12 angeordnet. Der Zuordnungskontakt der ersten Halbleiterspeichervorrichtung 14 mit einem der beiden Zuordnungsversorgungsanschlüsse M1 oder M2 kontaktiert. Je nach dem, mit welchem Zuordnungsversorgungsanschluß M1 oder M2 die erste Halbleiterspeichervorrichtung 14 kontaktiert wird, wird die passende Belegung der Kontakte 20 der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung 14 realisiert, d.h. entweder eine Belegung gemäß 5A oder 5D.
  • Die zweite Halbleiterspeichervorrichtung 14 wird wie in der zweiten Ausführungsform vorgesehen angeordnet.
  • In den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen wurde zu Beispielszwecken eine stark vereinfachte Halbleitervorrichtung beschrieben. In der Regel wird eine Halbleiterspeichervorrichtung 14 eine größere Anzahl von Kontakten 20 aufweisen. Ferner können an einer Leiterplatteneinrichtung 12 mehrere Paare von Halbleiterspeichervorrichtungen 14 erfindungsgemäß angeordnet werden.
  • 10
    Halbleitervorrichtung
    12
    Leiterplatteneinrichtung
    14
    Halbleiterspeichervorrichtung
    16
    Anschlußvorrichtung
    18
    integrierter Halbleiterspeicher
    20
    Kontakte
    22
    interne Anschlüsse
    24
    äußere Anschlüsse
    26
    Zuordnungseinrichtung
    28
    Bond-Draht
    30
    Zuordnungsanschluß
    32
    Signalerzeugungseinrichtung
    34
    Vergleichseinrichtung
    36
    erster Eingang
    38
    zweiter Eingang
    40
    Ausgang
    42
    Gatter
    44
    Zuordnungskontakt
    52
    Signalerzeugungseinrichtung
    54
    erste Vergleichseinrichtung
    56
    erster Eingang
    58
    zweiter Eingang
    60
    Ausgang
    62
    zweite Vergleichseinrichtung
    64
    erster Eingang
    66
    zweiter Eingang
    68
    Ausgang
    70
    Gatter
    72
    Signalerzeugungseinrichtung
    74
    erste Vergleichseinrichtung
    76
    erster Eingang
    78
    zweiter Eingang
    80
    Ausgang
    82
    zweite Vergleichseinrichtung
    84
    erster Eingang
    86
    zweiter Eingang
    88
    Ausgang
    90
    dritte Vergleichseinrichtung
    92
    erster Eingang
    94
    zweiter Eingang
    96
    Ausgang
    98
    Gatter
    A-H, X
    Anschlüsse
    M1-M4
    Zuordnungsversorgungsanschlüsse
    R
    Widerstand
    M_ext
    externes Zuordnungssignal
    M_int
    internes Zuordnungssignal
    M1_int
    erstes internes Zuordnungssignal
    M2_int
    zweites internes Zuordnungssignal
    M3_int
    drittes internes Zuordnungssignal
    I
    erste Gruppe von internen Anschlüssen
    II
    zweite Gruppe von internen Anschlüssen
    K1
    erste Kontaktgruppe
    K2
    zweite Kontaktgruppe

Claims (15)

  1. Halbleiterspeichervorrichtung (14), umfassend einen integrierten Halbleiterspeicher (18) und eine Anschlußvorrichtung (16), wobei die Anschlußvorrichtung (16) umfaßt: – ein Vielzahl von matrixartig angeordneten Kontakten (20), mittels welchen die Halbleiterspeichervorrichtung (14) mit einer Leiterplatteneinrichtung (12) signalverbindbar ist, wobei die Vielzahl von Kontakten (20) eine erste Kontaktgruppe (K1), deren Belegung nicht-veränderbar ist, eine zweite Kontaktgruppe (K2), deren Belegung veränderbar ist, und einen Zuordnungskontakt zum Empfangen eines externen Zuordnungssignals, umfaßt; und der integrierte Halbleiterspeicher (18) umfaßt: – eine Vielzahl von internen Anschlüssen (22), wobei die Vielzahl von internen Anschlüssen (22) eine erste Gruppe (I) von internen Anschlüssen (22), deren Anschlüsse Kontakten (20) der ersten Kontaktgruppe (K1) der Anschlußvorrichtung (16), zugeordnet und mit diesen signalverbunden sind, und eine zweite Gruppe (II) von internen Anschlüssen (22), deren Anschlüsse mit verschiedenen Kontakten (20) der zweiten Kontaktgruppe (K2) der Anschlußvorrichtung (16) signalverbindbar sind, umfaßt, – einen Zuordnungsanschluß (30), welcher mit dem Zuordnungskontakt (44) der Anschlußvorrichtung (16) in Signalverbindung steht; – eine Signalerzeugungseinrichtung (32; 52; 72) welche mit dem Zuordnungsanschluß (30) in Signalverbindung steht, und ausgelegt ist zum Erzeugen eines internen Zuordnungssignals (M_int; M1_int, M2_int), welches zumindest zwei verschiedene Zustände annehmen kann, abhängig von dem über den Zuordnungskontakt (44) empfangenen externe Zuordnungssignal, – eine Zuordnungseinrichtung (26), welche zwischen der zweiten Gruppe (II) der internen Anschlüsse (22) und der zweiten Kontaktgruppe (K2) der Anschlußvorrichtung (16) angeordnet ist und mit diesen und der Signalerzeugungseinrichtung (32; 52; 72) in Signalverbindung steht, wobei die Zuordnungseinrichtung (26) ausgelegt ist zum Durchführen einer Zuordnung zwischen den internen Anschlüssen (22) der zweiten Gruppe (II) und den Kontakten (20) der zweiten Kontaktgruppe (K2) der Anschlußvorrichtung (16) durch Herstellen elektrischer Signalverbindungen zwischen diesen in Abhängigkeit des von der Signalerzeugungseinrichtung (32; 52; 72) erzeugten internen Zuordnungssignals (M_int; M1_int, M2_int).
  2. Halbleiterspeichervorrichtung (14) gemäß Anspruch 1, wobei – der integrierte Halbleiterspeicher (18) ferner eine Vielzahl von äußeren Anschlüssen (24) umfaßt, welche mit den Kontakten (20) der Anschlußvorrichtung (16) unveränderbar signalverbunden sind, – die internen Anschlüsse (22) der ersten Gruppe von internen Anschlüssen mit den jeweiligen äußeren Anschlüssen (24) signalverbunden sind, und – die internen Anschlüsse (22) der zweiten Gruppe von internen Anschlüssen über die Zuordnungseinrichtung (26) mit den jeweiligen äußeren Anschlüssen (24) signalverbindbar sind.
  3. Halbleiterspeichervorrichtung (14) gemäß Anspruch 2, wobei die Vielzahl von äußeren Anschlüssen (24) in zumindest einer Reihe, vorzugsweise im wesentlichen mittig, auf dem integrierten Halbleiterspeicher (18) angeordnet ist.
  4. Halbleiterspeichervorrichtung (14) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die zweite Gruppe (II) von internen Anschlüssen (22) Anschlüsse umfaßt, auf die schnell zugegriffen werden soll, vorzugsweise Adressierungsanschlüsse und/oder Kommandoanschlüsse.
  5. Halbleiterspeichervorrichtung (14) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Signalerzeugungseinrichtung (32; 52; 72) ausgelegt ist, ein internes Zuordnungssignal (M_int) mit zwei verschiedenen Zuständen zu erzeugen, wobei – wenn das interne Zuordnungssignal (M_int) den ersten Zustand annimmt, die Belegung der Kontakte (20) der zweiten Kontaktgruppe (K2) der Anschlußvorrichtung (16) eine vorbestimmbare erste Belegung annimmt, und – wenn das interne Zuordnungssignal (M_int) den zweiten Zustand annimmt, die Belegung der Kontakte (20) der zweiten Kontaktgruppe (K2) der Anschlußvorrichtung (16) im wesentlichen der entlang der Längsmittelachse oder Quermittelachse der Halbleiterspeichervorrichtung (14) gespiegelten ersten Belegung entspricht.
  6. Halbleiterspeichervorrichtung (14) gemäß Anspruch 5, wobei die Signalerzeugungseinrichtung (32; 52; 72) ausgelegt ist, ein internes Zuordnungssignal (M1_int, M2_int) mit drei verschiedenen Zuständen zu erzeugen und wenn das interne Zuordnungssignal (M1_int, M2_int) den dritten Zustand annimmt, die Belegung der Kontakte (20) der zweiten Kontaktgruppe (K2) der Anschlußvorrichtung (16) im wesentlichen der entlang der anderen Mittelachse der Halbleiterspeichervorrichtung (14) als im zweiten Zustand gespiegelten ersten Belegung entspricht.
  7. Halbleiterspeichervorrichtung (14) gemäß Anspruch 6, wobei die Signalerzeugungseinrichtung (32; 52; 72) ausgelegt ist, ein internes Zuordnungssignal (M1_int, M2_int, M3_int) mit vier verschiedenen Zuständen zu erzeugen und wenn das interne Zuordnungssignal (M1_int, M2_int, M3_int) den vierten Zustand annimmt, die Belegung der Kontakte (20) der zweiten Kontaktgruppe (K2) der Anschlußvorrichtung (16) im wesentlichen der entlang der Längsmittelachse und Quermittelachse der Halbleiterspeichervorrichtung (14) gespiegelten ersten Belegung entspricht.
  8. Halbleiterspeichervorrichtung (14) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Kontakte (20) der Anschlußvorrichtung (16) als ein Ball Grid Array ausgebildet sind.
  9. Halbleiterspeichervorrichtung (14) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Zuordnungseinrichtung (26) Logikgatter (42; 70) umfaßt.
  10. Halbleiterspeichervorrichtung (14) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Kontakte (20) der zweiten Kontaktgruppe (K2) im wesentlichen symmetrisch zu Längmittelsachse (A-A) und/oder Quermittelachse (B-B) der Halbleiterspeichervorrichtung (14) angeordnet sind.
  11. Halbleiterspeichervorrichtung (14) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die zwischen den internen Anschlüssen (22) des integrierten Halbleiterspeichers (18) und den Kontakten (20) der Anschlußvorrichtung (16) zu übertragenden Signale durch die Übertragung im wesentlichen nicht verändert werden.
  12. Halbleitervorrichtung, umfassend zumindest zwei Halbleiterspeichervorrichtungen (14) gemäß einem der vorangehenden Ansprüche und eine Leiterplatteneinrichtung (12), wobei – die zwei Halbleiterspeichervorrichtungen (14) auf entgegengesetzten Seiten der Leiterplatteneinrichtung (12) einander im wesentlichen gegenüberliegend angeordnet sind, und – die Leiterplatteneinrichtung (12) zumindest einen Zuordnungsversorgungsanschluß (M1 – M4), welcher mit dem Zuordnungskontakt (44) einer Halbleiterspeichervorrichtung (14) signalverbindbar ist, umfaßt.
  13. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 12, wobei beim Betrieb der Halbleitervorrichtung – der Zuordnungskontakt (44) der ersten Halbleiterspeichervorrichtung (14) nicht mit der Leiterplatteneinrichtung (12) in Signalverbindung steht und das interne Zuordnungssignal (M_int; M1_int, M2_int) der ersten Halbleiterspeichervorrichtung (14) den ersten Zustand annimmt, und – der Zuordnungskontakt (44) der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung (14) mit einem vorbestimmten Zuordnungsversorgungsanschluß (M1 – M4) der Leiterplatteneinrichtung (12) in Signalverbindung steht und das interne Zuordnungssignal (M_int; M1_int, M2_int) der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung (14) den zweiten Zustand annimmt.
  14. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 13, wobei die Leiterplatteneinrichtung (12) zumindest zwei Zuordnungsversorgungsanschlüsse (M1 – M4), welche mit dem Zuordnungskontakt einer Halbleiterspeichervorrichtung (14) signalverbindbar sind, umfaßt und abhängig davon, mit welchem Zuordnungsversorgungsanschluß (M1 – M4) der Leiterplatteneinrichtung (12) der Zuordnungskontakt (44) der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung (14) in Signalverbindung steht, das interne Zuordnungssignal (M_int; M1_int, M2_int) der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung (14) den zweiten oder dritten Zustand annimmt.
  15. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 12, wobei – die Leiterplatteneinrichtung (12) zumindest vier Zuordnungsversorgungsanschlüsse (M1 – M4) umfaßt; – der Zuordnungskontakt (44) der ersten und zweiten Halbleiterspeichervorrichtung (14) mit jeweils einem vorbestimmten Zuordnungsversorgungsanschluß (M1 – M4) der Leiterplatteneinrichtung (12) in Signalverbindung steht; und – abhängig davon, mit welchem Zuordnungsversorgungsanschluß (M1 – M4) der Leiterplatteneinrichtung (12) der Zuordnungskontakt der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung (14) in Signalverbindung steht, das interne Zuordnungssignal (M_int; M1_int, M2_int) der zweiten Halbleiterspeichervorrichtung (14) den zweiten oder dritten Zustand annimmt und das interne, Zuordnungssignal (M_int; M1_int, M2_int) der ersten Halblei terspeichervorrichtung (14) den ersten oder vierten Zustand annimmt.
DE10238812A 2002-08-23 2002-08-23 Halbleiterspeichervorrichtung mit veränderbarer Kontaktbelegung und entsprechende Halbleitervorrichtung Expired - Fee Related DE10238812B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10238812A DE10238812B4 (de) 2002-08-23 2002-08-23 Halbleiterspeichervorrichtung mit veränderbarer Kontaktbelegung und entsprechende Halbleitervorrichtung
US10/646,166 US6992940B1 (en) 2002-08-23 2003-08-22 Semiconductor memory apparatus with variable contact connections, and a corresponding semiconductor apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10238812A DE10238812B4 (de) 2002-08-23 2002-08-23 Halbleiterspeichervorrichtung mit veränderbarer Kontaktbelegung und entsprechende Halbleitervorrichtung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10238812A1 DE10238812A1 (de) 2004-03-11
DE10238812B4 true DE10238812B4 (de) 2005-05-25

Family

ID=31501906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10238812A Expired - Fee Related DE10238812B4 (de) 2002-08-23 2002-08-23 Halbleiterspeichervorrichtung mit veränderbarer Kontaktbelegung und entsprechende Halbleitervorrichtung

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6992940B1 (de)
DE (1) DE10238812B4 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202012004532U1 (de) * 2012-03-08 2013-06-10 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Halbleiterschaltung mit elektrischen Anschlüssen mit mehrfacher Signal- oder Potentialbelegung

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050195629A1 (en) 2004-03-02 2005-09-08 Leddige Michael W. Interchangeable connection arrays for double-sided memory module placement
US8228679B2 (en) * 2008-04-02 2012-07-24 Spansion Llc Connections for electronic devices on double-sided circuit board
US8218329B2 (en) * 2010-03-29 2012-07-10 Xerox Corporation Back-to-back package accomplishing short signal path lengths
CN103137210A (zh) * 2011-11-23 2013-06-05 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 Ddr信号测试辅助治具
US10410950B1 (en) * 2018-05-11 2019-09-10 Micron Technology, Inc. Heat spreaders for use with semiconductor devices
US20200349984A1 (en) * 2019-05-01 2020-11-05 Western Digital Technologies, Inc. Semiconductor package configuration for reduced via and routing layer requirements

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5473198A (en) * 1993-06-11 1995-12-05 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory device bonding pad arrangement
US5502621A (en) * 1994-03-31 1996-03-26 Hewlett-Packard Company Mirrored pin assignment for two sided multi-chip layout
DE19756529A1 (de) * 1997-04-30 1998-11-12 Mitsubishi Electric Corp Halbleitereinrichtung

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5469334A (en) * 1991-09-09 1995-11-21 Power Integrations, Inc. Plastic quad-packaged switched-mode integrated circuit with integrated transformer windings and mouldings for transformer core pieces
JPH0823149A (ja) * 1994-05-06 1996-01-23 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5473198A (en) * 1993-06-11 1995-12-05 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory device bonding pad arrangement
US5502621A (en) * 1994-03-31 1996-03-26 Hewlett-Packard Company Mirrored pin assignment for two sided multi-chip layout
DE19756529A1 (de) * 1997-04-30 1998-11-12 Mitsubishi Electric Corp Halbleitereinrichtung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202012004532U1 (de) * 2012-03-08 2013-06-10 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Halbleiterschaltung mit elektrischen Anschlüssen mit mehrfacher Signal- oder Potentialbelegung

Also Published As

Publication number Publication date
US6992940B1 (en) 2006-01-31
DE10238812A1 (de) 2004-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68918040T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit Ein- und Ausgangsanschlüssen, die einen unabhängigen Verbindungstest erlauben.
DE68909111T2 (de) Elektronisches Modul, das Substratelemente enthält.
DE3709032C2 (de)
DE3712178C2 (de)
DE10126310B4 (de) Leiterplattenvorrichtung, deren Verwendung und Halbleiterspeichervorrichtung
DE10139085A1 (de) Leiterplattensystem, Verfahren zum Betreiben eines Leiterplattensystems, Leiterplatteneinrichtung und deren Verwendung, und Halbleitervorrichtung und deren Verwendung
DE10238812B4 (de) Halbleiterspeichervorrichtung mit veränderbarer Kontaktbelegung und entsprechende Halbleitervorrichtung
DE4416583C1 (de) Chipkartenbus für die Verbindung unterschiedlicher Kartenchips
DE102006003377B3 (de) Halbleiterbaustein mit einem integrierten Halbleiterchip und einem Chipgehäuse und elektronisches Bauteil
DE10126610A1 (de) Halbleiterchip, Speichermodul und Verfahren zum Testen des Halbleiterchips
DE69029905T2 (de) Steuervorrichtung
EP0938749A1 (de) Integrierte schaltung mit einem diese in sich aufnehmenden gehäuse
EP1503307B1 (de) Vorrichtung zur Emulation von Entwürfen für integrierte Schaltkreise
DE10060585A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Untersuchung einer integrierten Halbleiterschaltung
DE112005000980T5 (de) Einzelzeilen-Verbindungsfeld-Anordnung eines integrierten Schaltungs Chips
DE10134986A1 (de) Verbindung gehäusegefaßter integrierter Speicherbausteine mit einer Leiterplatte
DE102004037826A1 (de) Halbleitervorrichtung mit miteinander verbundenen Halbleiterbauelementen
DE10121241B4 (de) Integrierte Schaltung
DE10338675A1 (de) Reserve-Eingangs-/Ausgangs-Puffer
DE69433618T2 (de) Gerät zur prüfung der verbindung zwischen dem ausgang einer schaltung mit fester logischer ausgabe und dem eingang eines weiteren schaltkreises
DE10162583B4 (de) Verzweigte Befehls/Adressbus-Architektur für registrierte Speichereinheiten
EP1256168B1 (de) Systemträger für frei programmierbare bausteine
DE10149590B4 (de) Halbleiterbaustein mit konfigurierbarer Datenbreite eines Ausgangsbusses und Gehäuseanordnung mit einem Halbleiterbaustein
DE19922186C1 (de) IC-Chip
DE10259300B4 (de) Halbleiter-Bauelement-Test-Gerät, Halbleiter-Bauelement-Test-System und Halbleiter-Bauelement-Test-Verfahren zum Testen der Kontaktierung bei übereinanderliegenden Halbleiter-Bauelementen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee