DE102018207255A1 - Waferbearbeitungsverfahren - Google Patents

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Abstract

Ein Waferbearbeitungsverfahren umfasst einen Schritt eines in engen Kontakt Bringens mit einem Drücken eines Schutzfilms gegen die vordere Seite eines Wafers beginnend bei dem Mittelpunkt des Wafers in einer Richtung radial nach außen, um dadurch den Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt zu bringen, einen Schutzelementfixierungsschritt mit einem Bedecken des Schutzfilms mit einem Schutzelement, das durch Härten eines flüssigen Harzes ausgebildet wird, um dadurch das Schutzelement über den Schutzfilm an der vorderen Seite des Wafers zu fixieren, einen Schleifschritt mit einem Schleifen der hinteren Seite des Wafers, um die Dicke des Wafers zu reduzieren und einen Abziehschritt mit einem Abziehen des Schutzfilms und des Schutzelements von dem durch den Schleifschritt verdünnten Wafer.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferbearbeitungsverfahren für eine Verwendung beim Schleifen eines Wafers, der an der vorderen Seite ausgebildete Unebenheiten aufweist.
  • BESCHREIBUNG DES IN BEZIEHUNG STEHENDEN STANDS DER TECHNIK
  • Es gibt eine steigende Tendenz einen Wafer vor einem Teilen des Wafers in Bauelementchips zu verdünnen, um so die Größe und das Gewicht von jedem Bauelementchip zu reduzieren, der eingerichtet ist, um in vielfältiger elektronischer Ausrüstung oder Ähnlichem eingebaut zu werden. Zum Beispiel kann der Wafer durch Halten der vorderen Seite des Wafers, an der Bauelemente ausgebildet sind, an einem Spanntisch, Drehen eines Schleifrads und Drücken des Schleifrads gegen die hintere Seite des Wafers verdünnt werden, um dadurch die hintere Seite des Wafers zu schleifen.
  • Beim Schleifen des Wafers durch Verwenden des obigen Verfahrens wird normalerweise ein Schutzelement an der vorderen Seite des Wafers angebracht (siehe zum Beispiel das japanische offengelegte Patent mit der Nummer Hei 10-50642). Das Schutzelement kann dem Risiko vorbeugen, dass die an der vorderen Seite des Wafers ausgebildeten Bauelemente durch eine Kraft beschädigt werden können, die beim Schleifen des Wafers auf den Wafer aufgebracht wird. Beispiele für das Schutzelement schließen ein aus einem Harz ausgebildetes Haftband und ein Substrat mit einer hohen Härte ein.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • In vielen Fällen werden Unebenheiten, wie zum Beispiel Kontakthöcker, die an jedem Bauelement als Elektroden dienen, an der vorderen Seite des Wafers ausgebildet. Wenn jedoch solche Unebenheiten an der vorderen Seite des Wafers vorliegen, entsteht das Problem, dass eine Höhendifferenz aufgrund der Unebenheiten nicht ausreichend durch ein Haftband aufgenommen werden und die der jeweiligen Unebenheit entsprechende Form nach dem Schleifen an der hinteren Seite des Wafers erscheinen kann.
  • Durch Verwenden eines Substrats mit einer hohen Härte als Schutzelement, kann das obige Problem nahezu eliminiert werden. Jedoch wird dieses Substrat durch Verwenden eines Haftmittels, wie zum Beispiel eines thermoplastischen Wachses, mit dem Wafer verklebt. Dementsprechend ist es beim Abziehen des Substrats von dem Wafer nach dem Schleifen notwendig, umfangreiche dem Abziehen gewidmete Arbeiten auszuführen, wie zum Beispiel ein Eintauchen des Wafers in eine Lösung oder ein Erwärmen des Wafers auf hohe Temperaturen.
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, das den Einfluss der Unebenheiten, die an der vorderen Seite des Wafers vorliegen, beim Schleifen der hinteren Seite des Wafers ausreichend unterdrücken kann, und einen Abziehvorgang nach dem Schleifen auf einfache Weise ausführen kann.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Waferbearbeitungsverfahren bereitgestellt, umfassend einen Schritt eines in engen Kontakt Bringens mit einem Gegenüberlegen eines Schutzfilms, und zwar der vorderen Seite eines Wafers, an dem ein mittiger Bauelementbereich und ein den Bauelementbereich umgebender Umfangsrandbereich ausgebildet sind, wobei eine Vielzahl von Bauelementen, die jeweils in dem Bauelementbereich ausgebildete Unebenheiten aufweisen, ausgebildet ist, und als Nächstes einem Drücken des Schutzfilms gegen die vordere Seite des Wafers beginnend bei dem Mittelpunkt des Wafers in einer Richtung radial nach außen, um dadurch den Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt zu bringen, sodass er den Unebenheiten von jedem an der vorderen Seite des Wafers ausgebildeten Bauelement folgt; einen Schutzelementfixierungsschritt mit einem Bedecken des Schutzfilms mit einem Schutzelement, das mit einem flüssigen Harz ausgebildet wird, welches nach dem Ausführen des Schritts eines in engen Kontakt Bringens durch einen externen Stimulus härtbar ist, wodurch das Schutzelement über den Schutzfilm an der vorderen Seite des Wafers fixiert wird; einen Schleifschritt mit einem Halten des an dem Wafer fixierten Schutzelements an einer Haltefläche eines Spanntischs in dem Zustand, in dem die hintere Seite des Wafers nach dem Ausführen des Schutzelementfixierungsschritts exponiert ist, und als Nächstes einem Schleifen der hinteren Seite des Wafers, um dadurch die Dicke des Wafers zu reduzieren; und einen Abziehschritt mit einem Abziehen des Schutzelements und des Schutzfilms von dem Wafer nach dem Ausführen des Schleifschritts.
  • Vorzugsweise weist der Schutzfilm eine erste Fläche und eine der ersten Fläche gegenüberliegende zweite Fläche auf, wobei die erste Fläche dem Wafer gegenüberliegt, wobei der Kontaktherstellungsschritt den Schritt eines Entladens eines Gases in Richtung der zweiten Fläche des Schutzfilms einschließt, um dadurch den Schutzfilm gegen die vordere Seite des Wafers zu drücken.
  • Vorzugsweise schließt das Gas ein erwärmtes Gas ein.
  • Vorzugsweise schließt der Schritt eines in engen Kontakt Bringens den Schritt eines Erwärmens des Schutzfilms ein, um dadurch den Schutzfilm beim Drücken des Schutzfilms gegen die vordere Seite des Wafers weicher zu machen.
  • Vorzugsweise schließt der Schutzelementfixierungsschritt die Schritte eines Aufbringens des flüssigen Harzes auf einen flachen Bogen, als Nächstes eines Drückens des Wafers gegen das flüssige Harz über den Schutzfilm, um dadurch den Schutzfilm vollständig mit dem flüssigen Harz zu bedecken, und als Nächstes eines Aufbringens des äußeren Stimulus auf das flüssige Harz, um dadurch das flüssige Harz zu härten, ein, wodurch das Schutzelement aus dem flüssigen Harz ausgebildet wird und das Schutzelement an dem Wafer fixiert wird.
  • Vorzugsweise schließt der Schritt eines in engen Kontakt Bringens die Schritte eines Drückens des Schutzfilms gegen die vordere Seite des Wafers unter einem Unterdruck und als Nächstes eines Aufbringens eines atmosphärischen Drucks auf den Schutzfilm ein, um den Schutzfilm dadurch mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt zu bringen, sodass er den Unebenheiten folgt.
  • Vorzugsweise schließt das Waferbearbeitungsverfahren ferner einen Flüssigkeitszuführschritt mit einem Zuführen einer Flüssigkeit zu der vorderen Seite des Wafers vor dem Ausführen des Schritts eines in engen Kontakt Bringens ein, wobei der Schritt eines in engen Kontakt Bringens den Schritt eines Drückens des Schutzfilms gegen die vordere Seite des Wafers mit der dazwischen eingefügten Flüssigkeit einschließt.
  • Vorzugsweise schließt der Abziehschritt den Schritt eines Verdampfens der Flüssigkeit ein, die zwischen dem Schutzfilm und der vorderen Seite des Wafers zurückgelassen wird.
  • Bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung wird der Schutzfilm als Erstes mit der vorderen Seite des Wafers, an den die Bauelemente ausgebildet sind, die jeweils Unebenheiten aufweisen, auf so eine Weise in engen Kontakt gebracht, sodass er den Unebenheiten folgt. Danach wird der Schutzfilm mit dem Schutzelement bedeckt, das mit dem durch einen externen Stimulus härtbaren flüssigen Harz ausgebildet wird, wodurch das Schutzelement über den Schutzfilm an der vorderen Seite des Wafers fixiert wird. Dementsprechend können durch Ausbilden des Schutzelements, das eine ausreichende Dicke aufweist, die an der vorderen Seite des Wafers ausgebildeten Unebenheiten ausreichend aufgenommen werden.
  • Bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung wird der Schutzfilm nicht an den Bauelementbereich des Wafers geklebt, sondern ist lediglich mit dem Bauelementbereich in engem Kontakt. Dementsprechend können das Schutzelement und der Schutzfilm auf einfache Weise von dem Wafer abgezogen werden, ohne die Notwendigkeit irgendwelcher auf das Abziehen gerichteter, umfangreicher Arbeiten, wie zum Beispiel einem Eintauchen des Wafers in eine Lösung oder einem Erwärmen des Wafers auf hohe Temperaturen. Folglich ist es in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung möglich, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, das die Effekte zeigt, dass der Einfluss der an der vorderen Seite des Wafers vorliegenden Unebenheiten beim Schleifen der hinteren Seite des Wafers ausreichend unterdrückt werden kann und dass der Abziehvorgang nach dem Schleifen zudem auf einfache Weise ausgeführt werden kann.
  • Ferner wird bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens der Schutzfilm beginnend von dem Mittelpunkt des Wafers in einer Richtung radial nach außen gegen die vordere Seite des Wafers gedrückt. Dementsprechend ist es möglich, dagegen vorzubeugen, dass Luft zwischen dem Wafer und dem Schutzfilm zurückgelassen wird, wodurch der Schutzfilm auf zuverlässige Weise mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt gebracht wird. Obwohl der Schutzfilm keine Haftung durch ein Haftmittel (Klebstoff) aufweist, existiert im Ergebnis keine Möglichkeit, dass der Schutzfilm und das Schutzelement beim Schleifen des Wafers von dem Wafer abgezogen werden können.
  • Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise ihrer Umsetzung werden durch ein Studium der folgenden Beschreibung und angehängten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1A ist eine schematische perspektivische Ansicht, die eine Weise eines der vorderen Seite eines Wafers Gegenüberlegens eines Schutzfilms zeigt;
    • 1B ist eine schematische perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engem Kontakt ist;
    • 2A ist eine schematische Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Schutzfilm bei einem Schritt eines in engen Kontakts bringen in Übereinstimmung mit einer bevorzugten Ausführungsform der vorderen Seite des Wafers gegenüberliegt;
    • 2B ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms mit der vorderen Seite des Wafers bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens zeigt;
    • 3A ist eine schematische Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt gebracht worden ist;
    • 3B ist eine vergrößerte Schnittansicht eines Teils des Wafers in dem Zustand, in dem der Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engem Kontakt ist;
    • 4A ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Drückens des Wafers über den Schutzfilm gegen ein flüssiges Harz zeigt, das in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform während eines Schutzelementfixierungsschritts auf einen Bogen aufgetragen wird;
    • 4B ist eine schematische Schnittansicht, die eine Härtungsweise des flüssigen Harzes zeigt, um dadurch ein Schutzelement auszubilden, wodurch das Schutzelement über den Schutzfilm an der vorderen Seite des Wafers bei dem Schutzelementfixierungsschritt fixiert wird;
    • 4C ist eine schematische Schnittansicht, die den Wafer in dem Zustand zeigt, in dem das an dem Bogen unterstützte Schutzelement über den Schutzfilm an der vorderen Seite des Wafers fixiert ist;
    • 5A ist eine schematische Seitenansicht, teilweise in Schnittansicht, die eine Weise eines Schleifens der hinteren Seite des Wafers bei einem Schleifschritt in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 5B ist eine schematische Schnittansicht des durch den Schleifschritt bearbeiteten Wafers;
    • 6 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Abziehens des Schutzfilms und des Schutzelements von dem Wafer bei einem Abziehschritt in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 7A ist eine schematische Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Schutzfilm der vorderen Seite des Wafers bei einem Schritt eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit einer ersten Abwandlung gegenüberliegt;
    • 7B ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms mit der vorderen Seite des Wafers bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit der ersten Abwandlung zeigt;
    • 8A ist eine schematische Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Schutzfilm der vorderen Seite des Wafers bei einem Schritt eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit einer zweiten Abwandlung zeigt;
    • 8B ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms mit der vorderen Seite des Wafers bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit der zweiten Abwandlung zeigt;
    • 9A ist eine schematische Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Schutzfilm bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit der zweiten Abwandlung mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt gebracht worden ist;
    • 9B ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Abziehens des Schutzfilms und des Schutzelements von dem Wafer während eines Abziehschritts in Übereinstimmung mit der zweiten Abwandlung zeigt; und
    • 10 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Abziehens des Schutzfilms und des Schutzelements von dem Wafer während eines Abziehschritts in Übereinstimmung mit einer dritten Abwandlung zeigt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Es wird nunmehr eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen beschrieben. Das Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform schließt einen Schritt eines in engen Kontakt Bringens (siehe 1A, 1B, 2A, 2B, 3A und 3B), einen Schutzelementfixierungsschritt (siehe 4A, 4B und 4C), einen Schleifschritt (siehe 5A und 5B) und einen Abziehschritt (siehe 6) ein. Bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens wird ein Schutzfilm, der keine Haftung beziehungsweise Hafteigenschaften aufweist, durch ein Haftmittel (Klebstoff) mit der vorderen Seite eines Wafers in engen Kontakt gebracht, sodass er an der vorderen Seite des Wafers ausgebildeten Unebenheiten folgt. Bei dem Schutzelementfixierungsschritt wird der Schutzfilm mit einem Schutzelement bedeckt, das mit einem flüssigen Harz ausgebildet ist, um dadurch das Schutzelement über den Schutzfilm an der vorderen Seite des Wafers zu fixieren. Bei dem Schleifschritt wird die hintere Seite des Wafers in dem Zustand geschliffen, in dem das Schutzelement, das über den Schutzfilm an der vorderen Seite des Wafers fixiert ist, an einer Haltefläche eines Spanntischs gehalten wird. Bei dem Abziehschritt werden das Schutzelement und der Schutzfilm zusammen von dem Wafer abgezogen, der durch den Schleifschritt verdünnt worden ist. Das Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform wird nunmehr detaillierter beschrieben.
  • Bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform wird als Erstes der Schritt eines in engen Kontakt Bringens ausgeführt um einen Schutzfilm, der keine Haftung aufweist, durch ein Haftmittel mit der vorderen Seite eines Wafers so in engen Kontakt zu bringen, um Unebenheiten, die an der vorderen Seite des Wafers ausgebildet sind, zu folgen. Insbesondere wird der Schutzfilm ohne Haftung als Erstes der vorderen Seite des Wafers gegenübergelegt. In diesem Zustand wird der Schutzfilm beginnend von dem Mittelpunkt des Wafers in einer radialen Richtung nach außen gegen die vordere Seite des Wafers gedrückt, um dadurch den Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt zu bringen. 1A ist eine schematische perspektivische Ansicht, die eine Weise eines der vorderen Seite des Wafers Gegenüberlegens des Schutzfilms zeigt, und 1B ist eine schematische perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engem Kontakt ist. 2A ist eine schematische Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Schutzfilm der vorderen Seite des Wafers gegenüberliegt, und 2B ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms mit der vorderen Seite des Wafers zeigt. 3A ist eine schematische Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt gebracht worden ist, und 3B ist eine vergrößerte Schnittansicht eines Teils des Wafers in dem Zustand, in dem der Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engem Kontakt ist. In den 2A, 2B und 3A wird ein Teil der Komponenten durch Funktionsblocks gezeigt.
  • Bezug nehmend auf 1A wird ein bei dieser bevorzugten Ausführungsform zu verwendender Wafer 11 gezeigt. Der Wafer 11 ist ein scheibenförmiger Wafer, der zum Beispiel aus Silizium (Si) ausgebildet ist. Der Wafer 11 weist eine vordere Seite 11a, eine hintere Seite 11b und einen äußeren Umfang 11c auf. Der äußere Umfang 11c ist entlang der Kanten sowohl der vorderen Seite 11a als auch der hinteren Seite 11b angefast. Die vordere Seite 11a des Wafers 11 ist mit einem mittigen Bauelementbereich lld und einem Umfangsrandbereich 11e aufgebaut, der den Bauelementbereich 11d umgibt. Der Bauelementbereich 11d ist durch eine Vielzahl sich schneidender Trennlinien (Straßen) 13 unterteilt, um dadurch eine Vielzahl getrennter Bereiche zu definieren, in der eine Vielzahl von Bauelementen 15, wie zum Beispiel ICs (integrierte Schaltkreise) einzeln ausgebildet sind. Ferner sind eine Vielzahl von Kontakthöckern (Unebenheiten) 17, die als Elektroden dienen, an der vorderen Seite von jedem Bauelement 15 vorgesehen. Jeder Kontakthöcker 17 ist zum Beispiel mit einem Lötmittel ausgebildet. Obwohl der Wafer 11 bei dieser bevorzugten Ausführungsform zum Beispiel ein scheibenförmiger mit Silizium ausgebildeter Wafer ist, ist der Wafer 11 nicht auf dieses Material, diese Form, diese Struktur, diese Größe etc. beschränkt. Das heißt, dass der Wafer 11 aus einem beliebigen anderen Halbleiter, einer Keramik, einem Harz, einem Metall, etc. ausgebildet sein kann. Gleichermaßen sind die Bauelemente 15 und die Kontakthöcker 17 nicht in ihrer Art, Anzahl, Form, Struktur, Größe, Layout, etc. beschränkt. Die Kontakthöcker 17 können durch beliebige Strukturen (Unebenheiten) ersetzt sein, die eine beliebige andere Funktion aufweisen. Das heißt, dass die Kontakthöcker 17 nicht an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildet sein müssen, sondern beliebige andere Unebenheiten an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildet sein können.
  • Bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform wird ein Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11, wie in den 1A und 1B gezeigt, in engen Kontakt gebracht. Der Schutzfilm 21 ist ein flexibler Film, der zum Beispiel mit Harz ausgebildet ist. Der Schutzfilm 21 ist ein kreisförmiges Element mit einem Durchmesser, der im Wesentlichen dem des Wafers 11 gleicht. Ferner ist der Schutzfilm 21 ohne ein Haftmittel bereitgestellt. Die Dicke des Schutzfilms 21 ist nicht besonders beschränkt. Zum Beispiel wird die Dicke des Schutzfilms 21 vorzugsweise auf in etwa 30 µm bis 150 µm festgelegt.
  • Der Schritt eines in engen Kontakt Bringens kann durch Verwendung einer in 2A gezeigten Vorrichtung zum in engen Kontakt Bringen 2 ausgeführt werden. Die Vorrichtung zum in engen Kontakt Bringen 2 schließt einen Stütztisch 4 zum Unterstützen des Wafers 11 ein. Der Stütztisch 4 weist eine im Wesentlichen flache obere Fläche auf, die als eine Stützfläche 4a zum Unterstützen des Wafers 11 dient. Die Stützfläche 4a ist mit einem hervorstehenden Führungsabschnitt 4b zum Positionieren des Wafers 11 an der Stützfläche 4a vorgesehen. Über dem Stütztisch 4 ist eine Schutzfilmhalteeinheit 6 zum Halten des Schutzfilms 21 unter Saugkraft und zum in engen Kontakt Bringen mit dem Wafer 11 vorgesehen. Die Schutzfilmhalteeinheit 6 weist eine im Wesentlichen flache untere Fläche auf, die als Haltefläche 6a zum Halten des Schutzfilms 21 unter Saugkraft dient. Die Schutzfilmhalteeinheit 6 ist in vertikaler Richtung bewegbar durch einen nicht gezeigten Bewegungsmechanismus so unterstützt, dass die Schutzfilmhalteeinheit 6, die den Schutzfilm 21 unter Saugkraft hält, durch Betätigen dieses Bewegungsmechanismus in einer vertikalen Richtung bewegt werden kann.
  • Ein erster Durchgang 6b ist im Inneren der Schutzfilmhalteeinheit 6 ausgebildet, und ein Ende des ersten Durchgangs 6b öffnet sich in einem Umfangsbereich zum Halten des Umfangsabschnitts des Schutzfilms 21 zu der Haltefläche 6a. Das andere Ende des ersten Durchgangs 6b ist in eine Vielzahl von Abschnitten verzweigt, und zwar insbesondere einem ersten Verzweigungsabschnitt, einem zweiten Verzweigungsabschnitt und einem dritten Verzweigungsabschnitt. Eine Unterdruckquelle 10 ist über ein Ventil 8 mit dem ersten Verzweigungsabschnitt des ersten Durchgangs 6b verbunden. Eine Druckluftquelle 14 ist über ein Ventil 12 mit dem zweiten Verzweigungsabschnitt des ersten Durchgangs 6b verbunden. Ferner ist zudem ein zweiter Durchgang 6c im Inneren der Schutzfilmhalteeinheit 6 ausgebildet, und ein Ende des zweiten Durchgangs 6c öffnet sich in einem mittigen Bereich zum Halten des mittigen Abschnitts des Schutzfilms 21 zu der Haltefläche 6a. Das andere Ende des zweiten Durchgangs 6c ist auch in eine Vielzahl von Abschnitten verzweigt, insbesondere in einem ersten Verzweigungsabschnitt und einem zweiten Verzweigungsabschnitt. Der erste Verzweigungsabschnitt des zweiten Durchgangs 6c ist über ein Ventil 16 mit dem dritten Verzweigungsabschnitt des ersten Durchgangs 6b verbunden. Die Druckluftquelle 14 ist über ein Ventil 18 mit dem zweiten Verzweigungsabschnitt des zweiten Durchgangs 6c verbunden. Ferner ist eine Heizvorrichtung 20 zum Erwärmen der Haltefläche 6a im Inneren der Schutzfilmhalteeinheit 6 vorgesehen.
  • Bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens wird der Wafer 11 als Erstes an dem Stütztisch 4 in dem Zustand platziert, in dem die hintere Seite 11b des Wafers 11, wie in 2A gezeigt, mit der Stützfläche 4a des Stütztischs 4 in Kontakt ist. Dementsprechend wird der Wafer 11 in dem Zustand an dem Stütztisch 4 unterstützt, in dem die vordere Seite 11a des Wafers 11 nach oben exponiert ist. Danach wird der Schutzfilm 21 mit der Haltefläche 6a der Schutzfilmhalteeinheit 6 in Kontakt gebracht, sodass er mit dem Wafer 11 ausgerichtet ist. Insbesondere wird der äußere Umfang des Schutzfilms 21 direkt über dem äußeren Umfang 11c des Wafers 11 positioniert. In diesem Zustand werden die Ventile 8 und 16 geöffnet, um einen Unterdruck auf den Schutzfilm 21 aufzubringen, der durch die Unterdruckquelle 10 erzeugt wird. Dementsprechend wird der Schutzfilm 21 unter Saugkraft an der Haltefläche 6a der Schutzfilmhalteeinheit 6 gehalten, sodass er der vorderen Seite 11a des Wafers 11 gegenüberliegt. Vor dem Öffnen der Ventile 8 und 16, werden die Ventile 12 und 18 geschlossen, um die Zufuhr verdichteter Luft (Gas) von der Druckluftquelle 14 zu dem ersten Durchgang 6b und dem zweiten Durchgang 6c anzuhalten. Die vertikale Position der Schutzfilmhalteeinheit 6 wird so eingestellt, dass der Abstand zwischen der vorderen Seite 11a des Wafers 11 und dem Schutzfilm 21 zum Beispiel in etwa 0,1 bis 10 mm wird.
  • Nach dem der vorderen Seite 11a des Wafers 11 Gegenüberlegen des Schutzfilms 21 wird die Haltefläche 6a durch die Heizvorrichtung 20 erwärmt, um dadurch Wärme auf den Schutzfilm 21 aufzubringen, wodurch der Schutzfilm 21 weicher gemacht wird. Danach wird das Ventil 16, wie in 2B gezeigt, geschlossen, um den Unterdruck von der Unterdruckquelle 10 zu dem zweiten Durchgang 6c zu unterbrechen, und das Ventil 18 wird als Nächstes geöffnet, um Druckluft von der Druckluftquelle 14 dem zweiten Durchgang 6c zuzuführen. Dementsprechend wird die Druckluft in Richtung des mittigen Abschnitts der oberen Fläche des Schutzfilms 21 abgegeben, indem der mittige Abschnitt der oberen Fläche des Schutzfilms 21 zu diesem Zeitpunkt gerade eben mit der Haltefläche 6a in Kontakt ist (die obere Fläche des Schutzfilms 21 entspricht der zweiten Fläche, die der ersten Fläche des Schutzfilms 21 gegenüberliegt, welche dem Wafer 11 gegenüberliegt). Als Ergebnis schwillt der mittige Abschnitt des Schutzfilms 21 nach unten an, und wird, wie in 2B gezeigt, gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt. Danach wird das Abgeben der Druckluft in Richtung des Schutzfilms 21 fortgeführt, sodass der Schutzfilm 21 beginnend von dem Mittelpunkt des Wafers 11 in einer Richtung radial nach außen gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt wird.
  • Nach dem Drücken des Schutzfilms 21 gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 in dem gesamten Bereich mit Ausnahme des weiterhin unter Saugkraft gehaltenen Umfangsbereichs wird das Ventil 8 geschlossen, um den Unterdruck von der Unterdruckquelle zu dem ersten Durchgang 6b abzuschneiden, und das Ventil 12 wird als Nächstes geöffnet, um, wie in 3A gezeigt, die Druckluft von der Druckluftquelle 14 zu dem ersten Durchgang 6B zu führen. Dementsprechend wird Druckluft auch in Richtung des Umfangsabschnitts der oberen Fläche des Schutzfilms 21 abgegeben, sodass der Umfangsabschnitt des Schutzfilms 21 ebenfalls gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt wird. Als Ergebnis kann der Schutzfilm 21, wie in den 1B, 3A und 3B gezeigt, mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht werden, sodass er der Form von jedem Kontakthöcker 17 folgt, der an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildet ist. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform wird der Schutzfilm 21 durch die Heizvorrichtung 20 erwärmt, um weicher gemacht zu werden. Dementsprechend kann der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht werden, um so ordnungsgemäß an jeden Kontakthöcker 17 angepasst zu werden.
  • Nach dem Ausführen des Schritts eines in engen Kontakt Bringens wird der Schutzelementfixierungsschritt ausgeführt, um den Schutzfilm 21 mit einem Schutzelement zu bedecken, das mit einem flüssigen Harz ausgebildet wird, um dadurch das Schutzelement über den Schutzfilm 21 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zu fixieren. 4A ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Drückens des Wafers 11 über den Schutzfilm 21 gegen ein auf einen Bogen aufgetragenes flüssiges Harz zeigt. 4B ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Härtens des flüssigen Harzes zeigt, um dadurch das Schutzelement auszubilden, wodurch das Schutzelement über den Schutzfilm 21 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 fixiert wird, und 4C ist eine schematische Schnittansicht, die den Wafer 11 in dem Zustand zeigt, in dem das an dem Bogen unterstützte Schutzelement über den Schutzfilm 21 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 fixiert ist. In den 4A und 4B wird ein Teil der Komponenten durch Funktionsblocks gezeigt.
  • Der Schutzelementfixierungsschritt kann durch Verwendung einer in den 4A und 4B gezeigten Schutzelementfixierungsvorrichtung 22 ausgeführt werden. Die Schutzelementfixierungsvorrichtung 22 schließt einen Haltetisch 24 zum Halten eines im Wesentlichen flachen Bogens (Trägerbogen) 23 ein, der zum Beispiel mit einem Harz ausgebildet ist. Der Haltetisch 24 weist eine obere Fläche auf, die mit einer mittigen kreisförmigen Aussparung 24a ausgebildet ist, welche einen größeren Durchmesser aufweist, als der Wafer 11. Eine Quelle ultravioletten Lichts 26 ist in der Aussparung 24a vorgesehen. Die obere Endöffnung der Aussparung 24a ist mit einer Platte 28 bedeckt, die im Stande ist, zumindest einen Teil des von der Quelle ultravioletten Lichts 26 aufgebrachten ultravioletten Lichts zu übertragen. Der Bogen 23 wird bei seinem mittigen Abschnitt durch die Platte 28 unterstützt. Ein Saugdurchgang 24b ist im Inneren des Haltetischs 24 in einem die Aussparung 24a umgebenden Umfangsbereich ausgebildet, und ein Ende des Saugdurchgangs 24b öffnet sich zu der oberen Fläche des Haltetischs 24 in diesem Umfangsbereich, um so einen Umfangsabschnitt des Bogens 23 unter Saugkraft zu halten.
  • Das andere Ende des Saugdurchgangs 24b ist durch ein Ventil 30 mit einer Unterdruckquelle 32 verbunden. Dementsprechend kann der Bogen 23 durch Aufbringen eines durch die Unterdruckquelle 32 erzeugten Unterdrucks über den Saugdurchgang 24b auf den Umfangsabschnitt des Bogens 23 unter Saugkraft an dem Haltetisch 24 gehalten werden. Über dem Haltetisch 24 ist eine Waferhalteeinheit 34 zum Halten des Wafers 11 vorgesehen. Die Waferhalteeinheit 34 weist eine untere Fläche 34a zum Halten des Wafers 11 auf. Die Waferhalteeinheit 34 wird durch einen nicht gezeigten Bewegungsmechanismus in vertikaler Richtung bewegbar unterstützt, sodass die den Wafer 11 haltende Waferhalteeinheit 34 durch Betätigen dieses Bewegungsmechanismus in einer vertikalen Richtung bewegt werden kann. Die Waferhalteeinheit 34 kann ein Unterdrucksaugtyp sein, sodass ein Unterdruck verwendet wird, um den Wafer 11 unter Saugkraft zu halten, oder kann ein Typ mit elektrostatischer Anziehung sein, sodass eine elektrostatische Kraft verwendet wird, um den Wafer 11 zu halten.
  • Bei dem Schutzelementfixierungsschritt wird ein flüssiges Harz 25, wie in 4A gezeigt, zuvor auf die obere Fläche des Bogens 23 aufgetragen, und die untere Fläche des Bogens 23 wird an dem Haltetisch 24 gehalten. Ferner wird die hintere Seite 11b des Wafers 11 an der unteren Fläche 34a der Waferhalteeinheit 34 gehalten. Dementsprechend liegt der Schutzfilme 21, der mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engem Kontakt gehalten wird, dem auf den Bogen 23 aufgetragenen flüssigen Harz 25 gegenüber. Das flüssige Harz 25 ist ein flüssiges Harz, das durch das von der Quelle ultravioletten Lichts 26 aufgebrachte ultraviolette Licht härtbar ist. Zum Beispiel kann TEMPLOC (Registered Trademark) hergestellt durch Denka Co., Ltd., als das flüssige Harz 25 verwendet werden. Obwohl der Bogen 23 bei dieser bevorzugten Ausführungsform in dem Zustand an dem Haltetisch 24 gehalten wird, in dem das flüssige Harz 25 zuvor auf die obere Fläche des Bogens 23 aufgetragen worden ist, kann der Bogen 23 als Erstes nur an dem Haltetisch 24 gehalten werden und das flüssige Harz 25 kann als Nächstes auf die obere Fläche des Bogens 23 aufgetragen werden. Wie in 4A gezeigt, ist das flüssige Harz 25 auf dem Bogen 23 nicht vollständig flach, sondern der mittige Abschnitt des flüssigen Harzes 25 ist vorzugsweise leicht erhoben.
  • Danach wird die Waferhalteeinheit 34, wie in 4B gezeigt, abgesenkt, um die vordere Seite 11a des Wafers 11 über den Schutzfilm 21 gegen das flüssige Harz 25 zu drücken. Als Ergebnis wird das flüssige Harz 25 in der radialen Richtung des Wafers 11 verteilt, um so den Schutzfilm 21 vollständig zu bedecken. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform werden die Menge an aufzutragendem flüssigen Harz 25 und das Ausmaß des Absenkens der Waferhalteeinheit 34 so eingestellt, dass die gesamte vordere Seite 11a des Wafers 11 mit dem flüssigen Harz 25 bedeckt wird. Danach wird ultraviolettes Licht von der Quelle ultravioletten Lichts 26 in Richtung des flüssigen Harzes 25 aufgebracht, um dadurch das flüssige Harz 25 zu härten. Dementsprechend wird das flüssige Harz 25, wie in 4C gezeigt, zu einem Schutzelement 27 ausgebildet, das den Schutzfilm 21 vollständig bedeckt, und dieses Schutzelement 27 ist an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 fixiert. Auf diese Weise wird der Schutzfilm 21 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 vollständig mit dem Schutzelement 27 bedeckt, das mit dem flüssigen Harz 25 ausgebildet wird, um dadurch das Schutzelement 27 über den Schutzfilm 21 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zu fixieren. Ferner wird der Bogen 23 an dem Schutzelement 27 fixiert.
  • Nach dem Ausführen des Schutzelementfixierungsschritts wird der Schleifschritt ausgeführt, um die hintere Seite 11b des Wafers 11 zu schleifen. 5A ist eine schematische Seitenansicht, teilweise in Schnittansicht, die eine Weise eines Schleifens der hinteren Seite 11b des Wafers 11 zeigt, und 5B ist eine schematische Schnittansicht des Wafers 11, der durch den Schleifschritt bearbeitet worden ist.
  • Der Schleifschritt kann unter Verwendung einer in 5A gezeigten Schleifvorrichtung 42 ausgeführt werden. Die Schleifvorrichtung 42 schließt einen Haltetisch (Spanntisch) 44 zum Halten des Wafers 11 unter Saugkraft ein. Der Haltetisch 44 ist mit einer nicht gezeigten Rotationsantriebsquelle, wie zum Beispiel einem Motor, verbunden. Dementsprechend ist der Haltetisch 44 eingerichtet, um um seine Achse, die im Wesentlichen parallel zu einer vertikalen Richtung ist, durch Betätigen dieser Rotationsantriebsquelle gedreht zu werden. Ein nicht gezeigter Bewegungsmechanismus ist unter dem Haltetisch 44 vorgesehen, um den Haltetisch 44 so in einer horizontalen Richtung zu bewegen. Der Haltetisch 44 weist eine obere Fläche auf, von der ein Teil als Haltefläche 44a zum Halten des Bogens 23 unter Saugkraft ausgebildet ist, der über das Schutzelement 27 an dem Wafer 11 fixiert ist. Die Haltefläche 44a ist über einen nicht gezeigten Saugdurchgang mit einer nicht gezeigten Unterdruckquelle verbunden, wobei der Saugdurchgang im Inneren des Haltetischs 44 ausgebildet ist. Dementsprechend kann der Wafer 11 durch Aufbringen eines durch die Unterdruckquelle erzeugten Unterdrucks über den Saugdurchgang auf die Haltefläche 44a in dem Zustand, in dem der Bogen 23 mit der Haltefläche 44a in Kontakt ist, durch den Bogen 23 und das Schutzelement 27 unter Saugkraft an dem Haltetisch 44 gehalten werden.
  • Eine Schleifeinheit 46 ist über dem Haltetisch 44 vorgesehen. Die Schleifeinheit 46 schließt ein nicht gezeigtes Spindelgehäuse ein, das durch einen nicht gezeigten Hebemechanismus unterstützt wird. Eine Spindel 48 ist drehbar in dem Spindelgehäuse unterstützt. Eine scheibenförmige Halterung 50 ist an dem unteren Ende der Spindel 48 befestigt. Ein Schleifrad 52 ist an der unteren Fläche der Halterung 50 montiert, wobei das Schleifrad 52 im Wesentlichen den gleichen Durchmesser wie den der Halterung 50 aufweist. Das Schleifrad 52 schließt eine Radbasis 54 ein, die aus einem Metall, wie zum Beispiel rostfreiem Stahl und Aluminium, ausgebildet ist. Eine Vielzahl von Schleifelementen 56 sind an der unteren Fläche der Radbasis 54 befestigt, sodass sie ringförmig entlang des äußeren Umfangs der Radbasis 54 angeordnet ist. Eine nicht gezeigte Rotationsantriebsquelle, wie zum Beispiel ein Motor, ist mit dem oberen Ende (Basisende) der Spindel 48 verbunden. Dementsprechend ist das Schleifrad 52, das an der Spindel 48 befestigt ist, eingerichtet, durch Betätigen dieser Rotationsantriebsquelle zum Erzeugen einer Rotationskraft um seine Achse gedreht zu werden, die im Wesentlichen parallel zu einer vertikalen Richtung ist. Eine nicht gezeigte Düse zum Zuführen eines Schleiffluids, wie zum Beispiel pures Wasser, auf dem Wafer 11 ist im Inneren oder in der Umgebung der Schleifeinheit 46 vorgesehen.
  • Bei dem Schleifschritt wird der Wafer 11 als Erstes unter Saugkraft an dem Haltetisch 44 der Schleifvorrichtung 42 gehalten. Insbesondere wird der Wafer 11 als Erstes in dem Zustand an dem Haltetisch 44a des Haltetischs 44 platziert, in dem der Bogen 23, der über das Schutzelement 27 an dem Wafer 11 fixiert beziehungsweise befestigt ist, mit der Haltefläche 44a in Kontakt ist. Das heißt, dass die hintere Seite 11b des Wafers 11 in diesem Zustand nach oben gerichtet ist. Danach wird die Unterdruckquelle betätigt, um einen Unterdruck auf die Haltefläche 44a des Haltetischs 44 aufzubringen. Dementsprechend wird der Wafer 11 in dem Zustand unter Saugkraft über den Bogen 23 und des Schutzelements 27 an dem Haltetisch 44 gehalten, indem die hintere Seite 11b des Wafers 11 nach oben exponiert ist. Danach wird der Haltetisch 44 zu der Position unter der Schleifeinheit 46 bewegt. In diesem Zustand werden sowohl der Haltetisch 44 als auch das Schleifrad 52 gedreht, und das Spindelgehäuse (die Spindel 48 und das Schleifrad 52) wird dann, wie in 5A gezeigt, bei einem Zuführen des Schleiffluids zu der hinteren Seite 11b des Wafers 11 abgesenkt.
  • Die Absenkgeschwindigkeit (Zuführgeschwindigkeit) des Spindelgehäuses wird so eingestellt, dass die untere Fläche von jedem Schleifelement 56 durch eine ausreichende Kraft gegen die hintere Seite 11b des Wafers 11 gedrückt wird. Dementsprechend kann die hintere Seite 11b des Wafers 11 durch das Schleifrad 52 geschliffen werden, um dadurch die Dicke des Wafers 11 zu reduzieren. Wenn die Dicke des Wafers 11, wie in 5B gezeigt, auf eine vorbestimmte Dicke (fertiggestellte Dicke) reduziert ist, ist der Schleifschritt abgeschlossen. Obwohl bei dieser bevorzugten Ausführungsform ein Satz einer Schleifeinheit 46 verwendet wird, um die hintere Seite 11b des Wafers 11 zu schleifen, können zwei oder mehr Sätze von Schleifeinheiten verwendet werden, um die hintere Seite 11b des Wafers 11 zu schleifen. Zum Beispiel kann als Erstes ein erster Satz Schleifelemente, die jeweils Schleifkörner großer Größe enthalten, verwendet werden, um an der hinteren Seite 11b des Wafers 11 ein Grobschleifen auszuführen, und als Nächstes kann ein zweiter Satz Schleifelemente, die jeweils Schleifkörner kleiner Größe enthalten, verwendet werden, um an der hinteren Seite 11b des Wafers 11 ein Feinschleifen auszuführen. In diesem Fall kann die Flachheit der hinteren Seite 11b des Wafers 11 verbessert werden, ohne die zum Schleifen benötigte Zeit stark zu erhöhen.
  • Nach dem Ausführen des Schleifschritts wird der Abziehschritt ausgeführt, um den Schutzfilm 21 und das Schutzelement 27 von dem durch den Schleifschritt verdünnten Wafer 11 abzuziehen. 6 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Abziehens des Schutzfilms 21 und des Schutzelements 27 von dem Wafer 11 zeigt.
  • Bei dem Abziehschritt wird eine Waferhalteeinheit 62, die eine Haltefläche 62a aufweist, verwendet, um den Wafer 11 zu halten. Das heißt, dass die hintere Seite 11b des Wafers 11 an der Haltefläche 62a der Waferhalteeinheit 62 gehalten wird. Die Waferhalteeinheit 62 kann ein Unterdruckansaugtyp sein, sodass ein Unterdruck verwendet wird, um den Wafer 11 an der Haltefläche 62a unter Saugkraft zu halten, oder kann ein Typ mit elektrostatischer Anziehung sein, sodass eine elektrostatische Kraft verwendet wird, um den Wafer 11 an der Haltefläche 62a zu halten. Nach dem Halten des Wafers 11 an der Haltefläche 62a der Waferhalteeinheit 62 wird eine Abzieheinheit 64 verwendet, um das Schutzelement 27 und den Schutzfilm 21 abzuziehen. Insbesondere wird ein Umfangsabschnitt des Bogens 23 durch die Abzieheinheit 64 gegriffen. Danach werden die Waferhalteeinheit 62 und die Abzieheinheit 64 relativ zueinander bewegt, sodass der Umfangsabschnitt des Bogens 23, wie in 6 gezeigt, von dem Wafer 11 wegbewegt wird. Dementsprechend können der Schutzfilm 21, das Schutzelement 27 und der Bogen 23, wie in 6 gezeigt, zusammen von dem Wafer 11 abgezogen werden.
  • Bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der oben erläuterten bevorzugten Ausführungsform wird der Schutzfilm 21 als Erstes mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht, an der die Bauelemente 15 ausgebildet sind, die jeweils die Kontakthöcker (Unebenheiten) 17 aufweisen, und zwar auf so eine Weise, dass er der Form jeden Kontakthöckers 17 folgt. Danach wird der Schutzfilm 21 mit dem Schutzelement 27 bedeckt, das mit dem flüssigen Harz 25 ausgebildet ist, welches durch ultraviolettes Licht (äußerer Stimulus) härtbar ist, um dadurch das Schutzelement 27 über den Schutzfilm 21 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zu fixieren. Durch Ausbilden des Schutzelements 27, das eine geeignete Dicke aufweist, können dementsprechend die Unebenheiten aufgrund der an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildeten Kontakthöcker 17 ausreichend aufgenommen werden.
  • Bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform wird der Schutzfilm 21 nicht an den Bauelementbereich lld des Wafers 11 geklebt, sondern ist lediglich mit dem Bauelementbereich lld in engem Kontakt. Dementsprechend können das Schutzelement 27 und der Schutzfilm 21 auf einfache Weise von dem Wafer 11 abgezogen werden, ohne die Notwendigkeit irgendwelcher auf das Abziehen gerichteter umfangreicher Arbeiten, wie zum Beispiel ein Eintauchen des Wafers 11 in eine Lösung oder ein Erwärmen des Wafers 11 auf hohe Temperaturen. Folglich ist es in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform möglich, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, welche die Effekte zeigt, dass der Einfluss der Unebenheiten aufgrund der Kontakthöcker 17, die an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 vorliegen, beim Schleifen der hinteren Seite 11b des Wafers 11 auf ausreichende Weise unterdrückt werden kann und dass der Abziehvorgang nach dem Schleifen ebenfalls auf einfache Weise ausgeführt werden kann.
  • Ferner wird der Schutzfilm 21 bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform während des Schritts eines in engen Kontakt Bringens beginnend von dem Mittelpunkt des Wafers 11 in einer radialen Richtung nach außen gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt. Dementsprechend ist es möglich, dagegen vorzubeugen, dass Luft zwischen dem Wafer 11 und dem Schutzfilm 21 zurückbleibt, wodurch der Schutzfilm 21 zuverlässig mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht werden kann. Obwohl der Schutzfilm 21 keine Haftung durch ein Haftmittel (Klebstoff) aufweist, existiert als Ergebnis keine Möglichkeit, dass der Schutzfilm 21 und das Schutzelement 27 beim Schleifen des Wafers 11 von dem Wafer 11 abgezogen werden können.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die obige bevorzugte Ausführungsform beschränkt, sondern es können vielfältige Abwandlungen ausgeführt werden. Obwohl das flüssige Harz 25 ein flüssiges Harz ist, das bei dieser bevorzugten Ausführungsform durch ultraviolettes Licht als äußeren Stimulus härtbar ist, kann zum Beispiel eine andere Art von flüssigem Harz als das flüssige Harz 25 verwendet werden, das durch einen anderen äußeren Stimulus (zum Beispiel Wärme) als ultraviolettes Licht härtbar ist.
  • Obwohl der kreisförmige Schutzfilm 21, der einen Durchmesser aufweist, welcher im Wesentlichen gleich dem des Wafers 11 ist, bei dieser bevorzugten Ausführungsform verwendet wird, kann der Durchmesser des Schutzfilms 21 ferner kleiner sein als der Durchmesser des Wafers 11. Zum Beispiel kann der Durchmesser des Schutzfilms 21 mit dem Durchmesser des Bauelementbereichs lld des Wafers 11 korrespondieren. In diesem Fall haftet das Schutzelement 27, das mit dem flüssigen Harz 25 ausgebildet ist, direkt an dem Umfangsrandbereich 11e des Wafers 11. Obwohl der Schutzfilm 21 keine Haftung durch ein Haftmittel (Klebstoff) aufweist, können der Schutzfilm 21 und das Schutzelement 27 dementsprechend fest an dem Wafer 11 fixiert werden.
  • Ferner wird der Wafer 11 bei dieser bevorzugten Ausführungsform über den Schutzfilm 21 gegen das flüssige Harz 25 gedrückt, das auf dem Bogen 23 aufgebracht ist, um dadurch das Schutzelement 27 an dem Wafer 11 zu fixieren. Als Abwandlung kann das flüssige Harz 25 ohne Verwendung des Bogens 23 auf den Wafer 11 oder den Schutzfilm 21 getropft werden, um dadurch das Schutzelement 27 an dem Wafer 11 zu fixieren. In diesem Fall wird die exponierte Fläche des Schutzelementes 27 vorzugsweise durch Verwendung einer Flächenplanarisierungsvorrichtung oder Ähnlichem abgeflacht. Durch Abflachen der exponierten Flächen des Schutzelements 27, das beim Schleifen des Wafers 11 an dem Haltetisch 44 zu halten ist, kann die hintere Seite 11b des Wafers 11 als Arbeitsfläche bei dem Schleifschritt flach geschliffen werden.
  • Obwohl der Schutzfilm 21 bei dieser bevorzugten Ausführungsform durch die von der Heizeinrichtung 20 während des Schritts eines in engen Kontakt Bringens aufgebrachte Wärme weicher gemacht wird, ist das weicher machen des Schutzfilms 21 ferner bei dem Schritt eines engen in Kontakt Bringens nicht essenziell. Ferner kann der Schutzfilm 21 durch beliebige andere Verfahren als ein Erwärmen durch die Heizvorrichtung 20 weicher gemacht werden. Zum Beispiel kann der Schutzfilm 21 durch Abgabe warmer Luft (Gas) in Richtung des Schutzfilms 21 weicher gemacht werden.
  • Obwohl die Druckluft (Gas) in Richtung der oberen Fläche des Schutzfilms 21 abgegeben wird (das heißt die zweite Fläche, die der ersten Fläche gegenüberliegt, welche dem Wafer 11 gegenüberliegt), um dadurch den Schutzfilm 21 bei dieser bevorzugten Ausführungsform gegen den Wafer 11 zu drücken, kann ein anderes Verfahren verwendet werden, um den Schutzfilm auf die folgende Weise gegen den Wafer 11 zu drücken. Es wird nunmehr ein Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit einer ersten Abwandlung beschrieben.
  • 7A ist eine schematische Schnittansicht, die einen Schritt eines in engen Kontakt Bringens während des Waferbearbeitungsverfahrens in Übereinstimmung mit der ersten Abwandlung zeigt, wobei der Schutzfilm 21 der vorderen Seite 11a des Wafers 11 gegenüberliegt. 7B ist eine schematische Schnittansicht ähnlich der 7A, die eine Weise eines in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zeigt.
  • Der Schritt eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit der ersten Abwandlung kann durch Verwendung einer in 7A gezeigten Unterdruckkammer 72 ausgeführt werden. Die Unterdruckkammer 72 schließt ein Gehäuseelement 72a ein, das eine obere Öffnung mit einer Größe, die den Durchgang des Wafers 11 zulässt, und ein Türelement 72b zum Schließen der oberen Öffnung des Gehäuseelements 72a aufweist. Das Gehäuseelement 72a ist über ein Auslassrohr 74 und ein Ventil 76 mit einer nicht gezeigten Unterdruckquelle verbunden. Das Gehäuseelement 72a ist zudem mit einem Einlassrohr 78 und einem Ventil 80 zum Einführen der Außenluft (Atmosphärenluft) in die Vakuumkammer 72 verbunden.
  • Ein Stütztisch 82 zum Unterstützen des Wafers 11 ist in dem Gehäuseelement 72a vorgesehen. Der Stütztisch 82 weist eine im Wesentlichen flache obere Fläche auf, die als eine Stützfläche 82a zum Unterstützen des Wafers 11 dient. Die Stützfläche 82a ist mit einem Vorsprungsführungsabschnitt 82b zum Positionieren des Wafers 11 an der Stützfläche 82a bereitgestellt. Eine Heizvorrichtung 84 zum Erwärmen der Stützfläche 82a ist im Inneren des Stütztischs 82 vorgesehen.
  • Das Türelement 72b ist mit einem sich in vertikaler Richtung erstreckenden Durchgangsloch 72c ausgebildet. Eine Andruckeinheit 88 wird mit einem hermetischen Lager 86 dazwischen angeordnet durch das Durchgangsloch 72c eingeführt, sodass die Andruckeinheit 88 durch das hermetische Lager 86 in vertikaler Richtung an dem Führelement 72b unterstützt ist. Die Andruckeinheit 88 weist eine im Wesentlichen flache untere Fläche auf, die einen größeren Durchmesser aufweist als der Wafer 11. Ein Polsterelement 90, wie zum Beispiel ein Schaum, ist an der unteren Fläche der Andruckeinheit 88 vorgesehen. Das Polsterelement 90 weist einen größeren Durchmesser als der Wafer 11 auf. Das Polsterelement 90 weist eine Dicke auf, die in der radialen Richtung graduell von dem äußeren Umfang zu dem Mittelpunkt ansteigt.
  • Bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit der ersten Abwandlung wird der Wafer 11 durch die obere Öffnung des Gehäuseelements 72a in die Unterdruckkammer 72 geladen und dann auf dem Stütztisch 82 in dem Zustand platziert, in dem die hintere Seite 11b des Wafers 11 mit der Stützfläche 82a des Stütztischs 82 in Kontakt ist. Dementsprechend wird der Wafer 11 in dem Zustand an dem Stütztisch 82 unterstützt, in dem die vordere Seite 11a des Wafers 11 nach oben exponiert ist. Danach wird der Schutzfilm 21 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 platziert. Das heißt, dass der Schutzfilm 21 der vorderen Seite 11a des Wafers 11 gegenüberliegt. Als eine Abwandlung kann der Schutzfilm 21 als Erstes der vorderen Seite 11a des Wafers 11 gegenüberliegen, und der Wafer 11 wird als Nächstes auf dem Stütztisch 82 platziert.
  • Danach wird das Türelement 72b geschlossen, um die obere Öffnung des Gehäuseelements 72a abzudecken, und das Ventil 80 wird geschlossen. Danach wird das Ventil 76 geöffnet, um dadurch den Innenraum der Unterdruckkammer 72 zu evakuieren. Danach wird die Andruckeinheit 88 graduelle abgesenkt, bis der Mittelpunkt des Polsterelements 90, wie in 7A gezeigt, mit der oberen Fläche des Schutzfilms 21 in Kontakt kommt. Danach wird die Andruckeinheit 88 weiter abgesenkt, um dadurch das Polsterelement 90 gegen den Schutzfilm 21 zu drücken. Als Ergebnis wird der Schutzfilm 21 beginnend bei dem Mittelpunkt des Wafers 11 in einer Richtung radial nach außen gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt. Das Absenken der Andruckeinheit 88 wird fortgeführt, bis der gesamte Schutzfilm 21 gegen den Wafer 11 gedrückt wird. Nachdem der gesamte Schutzfilm 21 gegen den Wafer 11 gedrückt wird, wird das Ventil 76 geschlossen, und das Ventil 80 wird als Nächstes geöffnet, um dadurch die Außenluft (Atmosphärenluft) in die Unterdruckkammer 72 einzuführen. Als Ergebnis wirkt ein atmosphärischer Druck auf den Schutzfilm 21, um dadurch den Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt zu bringen, sodass er der Form jeden Kontakthöckers 17 folgt, der an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildet ist. Durch Drücken des Schutzfilms 21 gegen den Wafer 11 wird die Heizvorrichtung 84 vorzugsweise betätigt, um den Schutzfilm 21 zu erwärmen, wodurch der Schutzfilm 21 weicher gemacht wird. In diesem Fall kann der Schutzfilm 21 auf einfachere Weise mit dem Wafer 11 in engen Kontakt gebracht werden.
  • Auch bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der ersten Abwandlung wird der Schutzfilm 21 während des Schritts in engen Kontakt Bringens beginnend von dem Mittelpunkt des Wafers 11 in einer Richtung radial nach außen gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt. Dementsprechend ist es möglich, dagegen vorzubeugen, dass Luft zwischen dem Wafer 11 und dem Schutzfilm 21 zurückgelassen wird, sodass der Schutzfilm 21 auf zuverlässige Weise in engen Kontakt mit dem Wafer 11 gebracht werden kann. Obwohl der Schutzfilm 21 keine Haftung durch ein Haftmittel (Klebstoff) aufweist, gibt es als Ergebnis keine Möglichkeit, dass der Schutzfilm 21 und das Schutzelement 27 beim Schleifen des Wafers 11 von dem Wafer 11 abgezogen werden können.
  • Es wird nunmehr ein Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit einer zweiten Abwandlung beschrieben. Bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der zweiten Abwandlung wird ein Flüssigkeitszuführschritt zum Zuführen einer Flüssigkeit 29 zu der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgeführt, bevor der Schritt eines in engen Kontakt Bringens ausgeführt wird (siehe 8A). Die dem Wafer 11 zuzuführende Flüssigkeit 29 (siehe 8A) ist in ihrer Art nicht besonders beschränkt, jedoch ist es wünschenswert, eine Flüssigkeit zu verwenden, die schwer bei Raumtemperatur (20 °C) zu verdampfen ist und einen nicht so hohen Siedepunkt (zum Beispiel 100 °C oder weniger) aufweist. Zum Beispiel kann Wasser als Flüssigkeit 29 verwendet werden. Bei dieser Abwandlung wird die Flüssigkeit 29 dem Mittelpunkt der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zugeführt.
  • Nach dem Ausführen des Flüssigkeitszuführschritts wird der Schritt eines in engen Kontakt Bringens ausgeführt. 8A ist eine schematische Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, in dem der Schutzfilm 21 während des Schritts eines in engen Kontakt Bringens bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der zweiten Abwandlung gegenüberliegt, und 8B ist eine schematische Schnittansicht, die bei der zweiten Abwandlung eine Weise eines in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zeigt. 9A ist eine schematische Schnittansicht, die bei der zweiten Abwandlung einen Zustand zeigt, in dem der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht worden ist. 9B ist eine schematische Schnittansicht, die während des Abziehschritts des Waferbearbeitungsverfahrens in Übereinstimmung mit der zweiten Abwandlung eine Weise eines Abziehens des Schutzfilms 21 und des Schutzelements 27 von dem Wafer 11 zeigt. In den 8A, 8B und 9A wird ein Teil der Komponenten durch Funktionsblocks gezeigt.
  • Der Schritt eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit der zweiten Abwandlung kann durch Verwendung einer in 8A gezeigten Vorrichtung zum in engen Kontakt Bringen 2 ausgeführt werden. Der Aufbau der Vorrichtung zum in engen Kontakt Bringen 2, die in 8A gezeigt wird, ist der gleiche, wie der der in 2A gezeigten Vorrichtung zum in engen Kontakt Bringen 2. Bei dem Schritt eines in engen Kontakt Bringens in Übereinstimmung mit der zweiten Abwandlung wird der Wafer 11 als Erstes auf dem Stütztisch 4 bin dem Zustand platziert, in dem die hintere Seite 11b des Wafers 11, wie in 8A gezeigt, mit der Stützfläche 4a des Stütztischs 4 in Kontakt ist. Dementsprechend wird der Wafer 11 auf dem Stütztisch 4 in dem Zustand unterstützt, in dem die vordere Seite 11a des Wafers 11 nach oben exponiert ist. Danach wird der Schutzfilm 21 mit der Haltefläche 6a der Schutzfilmhalteeinheit 6 so in Kontakt gebracht, dass er mit dem Wafer 11 ausgerichtet ist. Insbesondere wird der äußere Umfang des Schutzfilms 21 direkt über dem äußeren Umfang 11c des Wafers 11 positioniert.
  • Danach werden die Ventile 8 und 16 geöffnet, um einen von der Unterdruckquelle 10 erzeugten Unterdruck auf den Schutzfilm 21 aufzubringen. Dementsprechend wird der Schutzfilm 21 an der Haltefläche 6a der Schutzfilmhalteeinheit 6 so unter Saugkraft gehalten, dass er der vorderen Seite 11a des Wafers 11 gegenüberliegt. Vor dem Öffnen der Ventile 8 und 16 werden die Ventile 12 und 18 geschlossen, um die Zufuhr von Druckluft (Gas) von der Druckluftquelle 14 zu dem ersten Durchgang 6b und dem zweiten Durchgang 6c anzuhalten. Nach dem der vorderen Seite 11a des Wafers 11 Gegenüberlegen des Schutzfilms 21 wird die Haltefläche 6a durch die Heizvorrichtung 20 erwärmt, um dadurch Wärme auf den Schutzfilm 21 aufzubringen, wodurch der Schutzfilm 21 weicher gemacht wird. Danach wird das Ventil 16, wie in 8B gezeigt, geschlossen, um den Unterdruck von der Unterdruckquelle 10 zu dem zweiten Durchgang 6c zu trennen, und das Ventil 18 wird als Nächstes geöffnet, um die Druckluft von der Druckluftquelle 14 dem zweiten Durchgang 6c zuzuführen.
  • Dementsprechend wird Druckluft in Richtung des mittigen Abschnitts der oberen Fläche des Schutzfilms 21 abgegeben, bei dem der mittige Abschnitt der oberen Fläche des Schutzfilms 21 zu diesem Zeitpunkt gerade mit der Haltefläche 6a in Kontakt ist (die obere Fläche des Schutzfilms 21 entspricht der zweiten Fläche, die der ersten Fläche des Schutzfilms 21 gegenüberliegt, welche dem Wafer 11 gegenüberliegt). Als Ergebnis schwillt der mittige Abschnitt des Schutzfilms 21 nach unten an und drückt, wie in 8B gezeigt, gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11. Bei dieser zweiten Abwandlung wird die Flüssigkeit 29 bei dem oben erwähnten Flüssigkeitszuführschritt zuvor dem mittigen Abschnitt der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zugeführt, sodass der Schutzfilm 21 gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 mit einem Flüssigkeitsfilm 29 dazwischen eingefügt gedrückt wird. Danach wird die Abgabe der Druckluft in Richtung des Schutzfilms 21 fortgeführt, sodass der Schutzfilm 21 beginnend von dem Mittelpunkt des Wafers 11 in einer Richtung radial nach außen gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt wird. Nach dem Drücken des Schutzfilms 21 gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 in dem gesamten Bereich mit Ausnahme des Umfangsbereichs, der weiterhin unter Saugkraft gehalten wird, wird das Ventil 8 geschlossen, um den Unterdruck von der Unterdruckquelle 10 zu dem ersten Durchgang 6b abzuschneiden, und das Ventil 12 wird als Nächstes geöffnet, um die Druckluft, wie in 9A gezeigt, von der Druckluftquelle 14 dem ersten Durchgang 6b zuzuführen. Dementsprechend wird auch die Druckluft in Richtung des Umfangsabschnitts der oberen Fläche des Schutzfilms 21 abgegeben, sodass der Umfangsabschnitt des Schutzfilms 21 ebenfalls gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt wird.
  • Als Ergebnis kann der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 so in engen Kontakt gebracht werden, dass er der Form von jedem Kontakthöcker 17 folgt, der an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildet ist. Ferner wird der zu erweichende Schutzfilm 21 durch die Heizvorrichtung 20 erwärmt, sodass der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 so in engen Kontakt gebracht werden kann, dass er jedem Kontakthöcker 17 ausreichend angepasst wird. Wenn der Schutzfilm 21 bei dieser zweiten Abwandlung gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt wird, wird die Flüssigkeit 29 durch den Schutzfilm 21 bewegt, um die zwischen dem Schutzfilm 21 und der vorderen Seite 11a des Wafers 11 zurückgelassene Luft herauszudrücken. Dementsprechend kann der Schutzfilm 21 auf zuverlässige Weise mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht werden. Bei dieser zweiten Abwandlung wird ein Flüssigkeitsfilm 29 zwischen dem Schutzfilm 21 und dem Wafer 11 zurückgelassen. Das heißt, dass der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 mit einem Flüssigkeitsfilm 29 dazwischen eingefügt in engen Kontakt gebracht wird.
  • Nach dem Ausführen des Schritts eines in engen Kontakt Bringens werden der Schutzelementfixierungsschritt und der Schleifschritt auf eine Weise nacheinander ausgeführt, die der der obigen bevorzugten Ausführungsform ähnlich ist. Nach dem Ausführen des Schleifschritts wird ein Abziehschritt in Übereinstimmung mit der zweiten Abwandlung ausgeführt. Bei dem Abziehschritt wird die hintere Seite 11b des Wafers 11, wie in 9B gezeigt, an der Haltefläche 62a der Waferhalteeinheit 62 gehalten. Die Waferhalteeinheit 62 kann ein Unterdruckansaugtyp sein, sodass ein Unterdruck verwendet wird, um den Wafer 11 unter Saugkraft an der Haltefläche 62a zu halten, oder kann ein Typ mit elektrostatischer Anziehung sein, sodass eine elektrostatische Kraft verwendet wird, um den Wafer 11 an der Haltefläche 62a zu halten. Bei dieser zweiten Abwandlung wird vorzugsweise eine Heizvorrichtung 66, wie in 9B gezeigt, im Inneren der Waferhalteeinheit 62 bereitgestellt.
  • Nach dem Halten des Wafers 11 an der Haltefläche 62a der Waferhalteeinheit 62 wird ein Umfangsabschnitt des Bogens 23 durch die Abzieheinheit 64 gegriffen. Danach werden die Waferhalteeinheit 62 und die Abzieheinheit 64 so relativ zueinander bewegt, dass der Umfangsabschnitt des Bogens 23, wie in 9B gezeigt, von dem Wafer 11 wegbewegt wird. Zu diesem Zeitpunkt wird die Heizvorrichtung 66 vorzugsweise betätigt, um die Flüssigkeit 29, die zwischen dem Schutzfilm 21 und dem Wafer 11 zurückgelassen worden ist zu erwärmen, um dadurch die Flüssigkeit 29 zu verdampfen. Folglich können der Schutzfilm 21, das Schutzelement 27 und der Bogen 23, wie in 9B gezeigt, zusammen von dem Wafer abgezogen werden.
  • Auch bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der zweiten Abwandlung wird der Schutzfilm 28 während des Schritts eines in engen Kontakt Bringens beginnend bei dem Mittelpunkt des Wafers 11 in einer Richtung radial nach außen gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt. Dementsprechend ist es möglich, dagegen vorzubeugen, dass Luft zwischen dem Wafer 11 und dem Schutzfilm 21 zurückgelassen wird, wodurch der Schutzfilm 21 auf zuverlässige Weise mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht wird. Obwohl der Schutzfilm 21 keine Haftung durch ein Haftmittel (Klebstoff) aufweist, besteht als Ergebnis keine Möglichkeit, dass der Schutzfilm 21 und das Schutzelement 27 beim Schleifen des Wafers 11 von dem Wafer 11 abgezogen werden. Ferner wird bei der zweiten Abwandlung während des Schritts eines in engen Kontakt Bringens die Flüssigkeit 29 zwischen dem Schutzfilm 21 und dem Wafer 11 zurückgelassen. Dementsprechend kann der Schutzfilm 21 durch Erwärmen der Flüssigkeit 29, um sie bei dem Abziehschritt zu verdampfen, auf einfache Weise von dem Wafer 11 abgezogen werden.
  • Es wird nunmehr ein Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit einer dritten Abwandlung beschrieben. Das Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der dritten Abwandlung wird auf eine ähnliche Weise wie die der obigen bevorzugten Ausführungsform und die der zweiten Abwandlung ausgeführt. Das heißt, dass der Flüssigkeitszuführschritt, der Schritt eines in engen Kontakt Bringens, der Schutzelementfixierungsschritt und der Schleifschritt in dieser Reihenfolge auf ähnliche Weise ausgeführt werden. Nach dem Ausführen des Schleifschritts wird ein Abziehschritt in Übereinstimmung mit der dritten Abwandlung ausgeführt. 10 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Abziehens des Schutzfilms 21 und des Schutzelements 27 von dem Wafer 11 bei dem Abziehschritt während des Waferbearbeitungsverfahrens in Übereinstimmung mit der dritten Abwandlung zeigt.
  • Der Abziehschritt in Übereinstimmung mit der dritten Abwandlung kann durch Verwendung einer in 10 gezeigten Unterdruckkammer 102 ausgeführt werden. Die Unterdruckkammer 102 schließt ein Gehäuseelement 102a, das eine obere Öffnung mit einer Größe aufweist, die den Durchgang des Wafers 11 zulässt, und ein Türelement 102b zum Schließen der oberen Öffnung des Gehäuseelements 102a ein. Das Gehäuseelement 102a ist über ein Auslassrohr 104 und ein Ventil 106 mit einer nicht gezeigten Unterdruckquelle verbunden. Das Gehäuseelement 102a ist auch mit einem Einlassrohr 108 und einem Ventil 110 zum Einführen der Außenluft (Atmosphärenluft) in die Unterdruckkammer 102 verbunden. Das Türelement 102b ist mit einem sich in vertikaler Richtung erstreckenden Durchgangsloch 102c ausgebildet. Eine Waferhalteeinheit 114 wird durch das Durchgangsloch 102c mit einem dazwischen eingefügten hermetischen Lager 112 eingeführt, sodass die Waferhalteeinheit 114 durch das hermetische Lager 112 in vertikaler Richtung bewegbar an dem Türelement 102b unterstützt wird. Die Waferhalteeinheit 114 weist eine im Wesentlichen flache untere Fläche 114a als eine Haltefläche auf, die einen größeren Durchmesser aufweist als der Wafer 11.
  • Die Waferhalteeinheit 114 kann ein Typ mit elektrostatischer Anziehung sein, sodass eine elektrostatische Kraft verwendet wird, um den Wafer 11 an der unteren Fläche 114a zu halten. Ferner ist im Inneren der Waferhalteeinheit 114 eine Heizvorrichtung 116 vorgesehen. Eine Abzieheinheit 118 ist in der Umgebung der Waferhalteeinheit 114 vorgesehen.
  • Bei dem Abziehschritt in Übereinstimmung mit der dritten Abwandlung wird die hintere Seite 11b des Wafers 11 an der unteren Fläche 114a der Waferhalteeinheit 114 gehalten. Danach wird das Türelement 102b geschlossen, um die obere Öffnung des Gehäuseelements 102a zu bedecken, und das Ventil 110 wird geschlossen. Danach wird das Ventil 106 geöffnet, um dadurch den Innenraum der Unterdruckkammer 102 zu evakuieren. Danach wird ein Umfangsabschnitt des Bogens 23 durch die Abzieheinheit 118 gegriffen, und die Waferhalteeinheit 114 und die Abzieheinheit 118 werden relativ zueinander bewegt, sodass der Umfangsabschnitt des Bogens 23 von dem Wafer 11 wegbewegt wird. Zu diesem Zeitpunkt kann die Heizvorrichtung 116 betätigt werden, um die zwischen dem Schutzfilm 21 und dem Wafer 11 zurückgelassene Flüssigkeit 29 zu erwärmen, wodurch die Flüssigkeit 29 verdampft wird. Folglich können der Schutzfilm 21, das Schutzelement 27 und der Bogen 23, wie in 10 gezeigt, zusammen von dem Wafer 11 abgezogen werden.
  • Bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der dritten Abwandlung wird der Schutzfilm 21 unter Unterdruck von dem Wafer 11 abgezogen. Dementsprechend wird die zwischen dem Schutzfilm 21 und dem Wafer 11 zurückgelassene Flüssigkeit 29 bei dem Abziehschritt verdampft, sodass der Schutzfilm 21 auf einfache Weise abgezogen werden kann.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die angehängten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.

Claims (8)

  1. Waferbearbeitungsverfahren, das umfasst: einen Schritt eines in engen Kontakt Bringens mit einem Gegenüberlegen eines Schutzfilms der vorderen Seite eines Wafers, an dem ein mittiger Bauelementbereich und ein Umfangsrandbereich, der den Bauelementbereich umgibt, ausgebildet sind, wobei eine Vielzahl von Bauelementen, die jeweils Unebenheiten aufweisen, in dem Bauelementbereich ausgebildet ist, und als Nächstes einem Drücken des Schutzfilms gegen die vordere Seite des Wafers, beginnend bei dem Mittelpunkt des Wafers in einer Richtung radial nach außen, um dadurch den Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt zu bringen, sodass er den Unebenheiten von jedem an der vorderen Seite des Wafers ausgebildeten Bauelement folgt; nach dem Ausführen des Schritts eines in engen Kontakt Bringens einen Schutzelementfixierungsschritt mit einem Bedecken des Schutzfilms mit einem Schutzelement, das mit einem flüssigen Harz ausgebildet ist, welches durch einen äußeren Stimulus härtbar ist, wodurch das Schutzelement über den Schutzfilm an der vorderen Seite des Wafers fixiert wird; einen Schleifschritt mit einem Halten des an dem Wafer fixierten Schutzelements an einer Haltefläche eines Spanntischs in dem Zustand, in dem die hintere Seite des Wafers nach dem Ausführen des Schutzelementfixierungsschritts exponiert ist, und als Nächstes einem Schleifen der hinteren Seite des Wafers, um dadurch die Dicke des Wafers zu reduzieren; und einen Abziehschritt mit einem Abziehen des Schutzelements und des Schutzfilms von dem Wafer nach dem Ausführen des Schleifschritts.
  2. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schutzfilm eine erste Fläche und eine der ersten Fläche gegenüberliegende zweite Fläche aufweist, wobei die erste Fläche dem Wafer gegenüberliegt; wobei der Schritt eines in engen Kontakt Bringens den Schritt eines Abgebens eines Gases in Richtung der zweiten Fläche des Schutzfilms einschließt, um dadurch den Schutzfilm gegen die vordere Seite des Wafers zu drücken.
  3. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 2, bei dem das Gas ein erwärmtes Gas aufweist.
  4. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Schritt eines in engen Kontakt Bringens den Schritt eines Erwärmens des Schutzfilms einschließt, um dadurch den Schutzfilm beim Drücken des Schutzfilms gegen die vordere Seite des Wafers weicher zu machen.
  5. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Schutzelementfixierungsschritt die Schritte eines Aufbringens des flüssigen Harzes auf einen flachen Bogen, als Nächstes eines Drückens des Wafers gegen das flüssige Harz über den Schutzfilm, um dadurch den Schutzfilm mit dem flüssigen Harz vollständig zu bedecken, und als Nächstes eines Aufbringens des äußeren Stimulus auf das flüssige Harz, um dadurch das flüssige Harz zu härten, einschließt, wodurch das Schutzelement mit dem flüssigen Harz ausgebildet wird und das Schutzelement an dem Wafer fixiert wird.
  6. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Schritt eines in engen Kontakt Bringens die Schritte eines Drückens des Schutzfilms gegen die vordere Seite des Wafers unter einem Unterdruck und als Nächstes eines Aufbringens eines atmosphärischen Drucks auf den Schutzfilm einschließt, um dadurch den Schutzfilm in engen Kontakt mit der vorderen Seite des Wafers zu bringen, sodass er den Unebenheiten folgt.
  7. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, ferner mit: einem Flüssigkeitszuführschritt mit einem Zuführen einer Flüssigkeit zu der vorderen Seite des Wafers vor einem Ausführen des Schritts eines in engen Kontakt Bringens; wobei der Schritt eines in engen Kontakt Bringens den Schritt eines Drückens des Schutzfilms gegen die vordere Seite des Wafers mit der Flüssigkeit dazwischen eingefügt einschließt.
  8. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 7, bei dem der Abziehschritt den Schritt eines Verdampfens der Flüssigkeit einschließt, die zwischen dem Schutzfilm und der vorderen Seite des Wafers zurückgelassen wird.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108155270B (zh) * 2017-12-13 2019-09-20 北京创昱科技有限公司 一种薄膜与晶片的分离装置和分离方法
JP7071782B2 (ja) * 2017-12-28 2022-05-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7257199B2 (ja) * 2019-03-18 2023-04-13 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2021012936A (ja) * 2019-07-05 2021-02-04 株式会社ディスコ 光デバイスの移設方法
JP7286250B2 (ja) * 2019-08-07 2023-06-05 株式会社ディスコ 保護部材形成装置
JP7266953B2 (ja) * 2019-08-07 2023-05-01 株式会社ディスコ 保護部材形成方法及び保護部材形成装置
JP7382171B2 (ja) * 2019-08-09 2023-11-16 株式会社ディスコ 樹脂シートの剥離方法
WO2022190916A1 (ja) * 2021-03-08 2022-09-15 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5927993A (en) * 1992-02-03 1999-07-27 Motorola, Inc. Backside processing method
JP3556399B2 (ja) 1996-07-29 2004-08-18 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの研磨方法
US6908784B1 (en) * 2002-03-06 2005-06-21 Micron Technology, Inc. Method for fabricating encapsulated semiconductor components
JP4397625B2 (ja) * 2003-06-02 2010-01-13 株式会社ディスコ チップの剥離方法
US7226812B2 (en) * 2004-03-31 2007-06-05 Intel Corporation Wafer support and release in wafer processing
US7507638B2 (en) * 2004-06-30 2009-03-24 Freescale Semiconductor, Inc. Ultra-thin die and method of fabricating same
JP2007266191A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Nec Electronics Corp ウェハ処理方法
JP2009123835A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体デバイスの製造方法
JP5317267B2 (ja) * 2008-11-14 2013-10-16 株式会社タカトリ ウエハのマウント装置
JP2011165741A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
CN102763211B (zh) * 2010-06-02 2014-11-05 三井化学东赛璐株式会社 半导体晶片表面保护用薄片、使用其的半导体晶片的保护方法以及半导体装置的制造方法
JP5600035B2 (ja) * 2010-06-30 2014-10-01 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
US9064883B2 (en) * 2011-08-25 2015-06-23 Intel Mobile Communications GmbH Chip with encapsulated sides and exposed surface
TW201338058A (zh) 2011-12-13 2013-09-16 Hitachi Chemical Co Ltd 半導體裝置的製造方法
JP2013162096A (ja) * 2012-02-08 2013-08-19 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体チップの製造方法及びラミネート装置
US8845854B2 (en) * 2012-07-13 2014-09-30 Applied Materials, Inc. Laser, plasma etch, and backside grind process for wafer dicing
JP6061590B2 (ja) * 2012-09-27 2017-01-18 株式会社ディスコ 表面保護部材および加工方法
JP2014165338A (ja) * 2013-02-25 2014-09-08 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法
KR102136844B1 (ko) * 2013-09-30 2020-07-22 삼성전자 주식회사 웨이퍼 가공 방법 및 그 가공 방법을 이용한 반도체 소자 제조방법
JP6366351B2 (ja) * 2014-05-13 2018-08-01 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6390040B2 (ja) * 2014-07-30 2018-09-19 リンテック株式会社 粘着シートの貼付部材、貼付装置、および貼付方法
JP2017005158A (ja) * 2015-06-12 2017-01-05 株式会社ディスコ ウエーハの裏面研削方法
JP6559013B2 (ja) * 2015-08-20 2019-08-14 リンテック株式会社 シート貼付装置および貼付方法
DE102015216619B4 (de) * 2015-08-31 2017-08-10 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
WO2017036512A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-09 Karl Heinz Priewasser Method of processing wafer and protective sheeting for use in this method
JP2017076643A (ja) * 2015-10-13 2017-04-20 日東電工株式会社 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置
JP2017079291A (ja) * 2015-10-21 2017-04-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US9865477B2 (en) * 2016-02-24 2018-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Backside polisher with dry frontside design and method using the same
US10109475B2 (en) * 2016-07-29 2018-10-23 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer and method of reducing wafer thickness with asymmetric edge support ring encompassing wafer scribe mark

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