DE102018206483A1 - Waferbearbeitungsverfahren - Google Patents

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Abstract

Ein Waferbearbeitungsverfahren schließt einen Schutzfilmbereitstellungsschritt mit einem Bereitstellen eines Schutzfilms an der vorderen Seite eines Wafers, einen Wafereinheitausbildungsschritt mit einem Aufbringen eines flüssigen Harzes, das durch einen äußeren Stimulus härtbar ist, auf die vordere Seite des Wafers und dann einem Härten des flüssigen Harzes durch Aufbringen des äußeren Stimulus, um ein Schutzelement auszubilden, wodurch eine Wafereinheit ausgebildet wird, die mit dem Wafer, dem Schutzfilm und dem Schutzelement in dem Zustand aufgebaut ist, in dem die vordere Seite des Wafers mit dem Schutzelement bedeckt ist, einen Schleifschritt mit einem Halten des Schutzelements der Wafereinheit an einer Haltefläche eines Spanntisches und dann einem Schleifen der hinteren Seite des Wafers der Wafereinheit, um dadurch die Dicke des Wafers zu reduzieren, und einen Abziehschritt mit einem Abziehen des Schutzelements und des Schutzfilms von dem in seiner Dicke reduzierten Wafers ein.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferbearbeitungsverfahren für eine Verwendung bei einem Schleifen eines Wafers, der an dessen vorderen Seite eine Unebenheit aufweist.
  • Beschreibung des in Beziehung stehenden Stands der Technik
  • Es gibt eine höhere Anzahl von Fällen, bei denen ein Wafer für eine Verdünnung bearbeitet wird, bevor er in Bauelementchips unterteilt wird, um die Größe und das Gewicht von jedem Bauelementchip zu reduzieren, die in vielfältiger elektronischer Ausrüstung oder Ähnlichem verbaut werden. Zum Beispiel kann der Wafer auf so eine Weise durch Schleifen verdünnt werden, dass der Wafer in dem Zustand an einem Spanntisch gehalten wird, in dem die vordere Seite des Wafers, auf welcher die Bauelemente ausgebildet sind, der oberen Fläche des Spanntischs gegenüberliegt und bei dem ein sich drehendes Schleifrad mit der hinteren Seite des an dem Spanntisch gehaltenen Wafers in Druckkontakt gebracht wird.
  • Beim Schleifen des Wafers durch Verwenden solch eines Verfahrens wird üblicherweise ein Schutzelement an der vorderen Seite des Wafers angebracht (siehe zum Beispiel das japanische offengelegte Patent mit der Nummer Hei 10-50642). Dementsprechend ist es möglich, dagegen vorzubeugen, dass die an der vorderen Seite des Wafers ausgebildeten Bauelemente durch einen auf den Wafer während des Schleifvorgangs aufgebrachten Schleifdruck beschädigt werden. Zum Beispiel ist das Schutzelement durch ein Haftband, das aus Harz oder Ähnlichem ausgebildet ist, oder durch ein eher hartes Substrat bereitgestellt.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Oft wird eine Unebenheit, wie zum Beispiel Kontakthöcker, an der vorderen Seite des Wafers ausgebildet, wobei die Kontakthöcker für jedes Bauelement als Elektroden dienen. Wenn jedoch so eine Unebenheit an der vorderen Seite des Wafers vorliegt, kann ein Höhenunterschied aufgrund der Unebenheit durch das Haftband nicht ausreichend reduziert werden, sodass die mit der Unebenheit korrespondierende Form nach dem Schleifen auf der hinteren Seite des Wafers erscheint.
  • Für den Fall eines Verwendens von einem eher harten Substrat als Schutzelement tritt so ein Problem kaum auf. Jedoch wir dieses Substrat unter Verwendung eines Haftmittels, wie zum Beispiel thermoplastischem Wachs, an den Wafer geklebt. Dementsprechend ist es beim Abziehen des Substrats von dem Wafer nach dem Schleifen notwendig, einen zusätzlichen Vorgang auszuführen, der sich mit dem Abziehen des Substrats befasst, wie zum Beispiel ein Eintauchen in eine Lösung oder ein Aufheizen.
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, das den Einfluss der an der vorderen Seite des Wafers vorhandenen Unebenheit beim Schleifen der hinteren Seite des Wafers ausreichend reduzieren kann und auch die Notwendigkeit irgendeines zusätzlichen Vorgangs nach dem Schleifen des Wafers eliminieren kann.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Waferbearbeitungsverfahren bereitgestellt, das einschließt: einen Schutzfilmbereitstellungsschritt mit einem Bereitstellen eines Schutzfilms an der vorderen Seite eines Wafers, der einen Bauelementbereich, wo eine Vielzahl von Bauelementen, die jeweils eine Unebenheit aufweisen, ausgebildet ist und der einen Umfangsrandbereich aufweist, der den Bauelementbereich in dem Zustand umgibt, in dem der Bauelementbereich mit dem Schutzfilm bedeckt ist, und der Schutzfilm dann mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt gebracht wird, um der Form der Unebenheit zu folgen; einen Wafereinheitausbildungsschritt mit einem Auftragen eines flüssigen Harzes, das durch einen äußeren Stimulus härtbar ist, auf die vordere Seite des Wafers und dann einem Härten des flüssigen Harzes durch Aufbringen des äußeren Stimulus, um ein Schutzelement auszubilden, das den Schutzfilm und den Umfangsrandbereich des Wafers bedeckt, wodurch eine Wafereinheit ausgebildet wird, die mit dem Wafer, dem Schutzfilm und dem Schutzelement in dem Zustand aufgebaut ist, in dem die vordere Seite des Wafers mit dem Schutzelement bedeckt ist; einen Schleifschritt mit einem Halten des Schutzelements der Wafereinheit an einer Haltefläche eines Spanntischs und dann einem Schleifen der hinteren Seite des Wafers der Wafereinheit, um dadurch die Dicke des Wafers zu reduzieren; und einen Abziehschritt mit einem Abziehen des Schutzelements und des Schutzfilms von dem in seiner Dicke reduzierten Wafer.
  • Vorzugsweise ist ein Kantenabschnitt zwischen dem äußeren Umfang des Wafers und der vorderen Seite des Wafers angefast, und die vordere Seite des Wafers ist mit einem Schutzelement bedeckt, um so den Kantenabschnitt einzuschließen, der bei dem Wafereinheitausbildungsschritt angefast wird.
  • Vorzugsweise schließt der Wafereinheitausbildungsschritt die Schritte eines Aufbringens des flüssigen Harzes auf einen flachen Bogen, als Nächstes eines Andrückens des Wafers über den Schutzfilm gegen das auf den flachen Bogen aufgetragene flüssige Harz und als Nächstes eines Härtens des flüssigen Harzes durch Aufbringen des äußeren Stimulus ein, um dadurch das Schutzelement an dem Wafer zu fixieren.
  • Vorzugsweise schließt der Schutzfilmbereitstellungsschritt die Schritte eines Pressens des Schutzfilms gegen die vordere Seite des Wafers unter einem reduzierten Druck und als Nächstes eines Aufbringens eines atmosphärischen Drucks auf den Schutzfilm ein, um dadurch den Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt zu bringen, um so der Form der Unebenheit zu folgen.
  • Vorzugsweise schließt der Schutzfilmbereitstellungsschritt den Schritt eines Aufbringens eines Drucks über ein Polster auf den Schutzfilm ein, um dadurch den Schutzfilm gegen die vordere Seite des Wafers zu drücken.
  • Vorzugsweise schließt der Schutzfilmbereitstellungsschritt den Schritt eines Anbringens eines Gewichts über ein Polster an dem Schutzfilm ein, um dadurch den Schutzfilm gegen die vordere Seite des Wafers zu drücken. Noch bevorzugter schließt der Schutzfilmbereitstellungsschritt die Schritte eines Anbringens des Gewichts über das Polster an dem Schutzfilm unter atmosphärischem Druck und als Nächstes eines Ladens des Wafers in eine Unterdruckkammer in dem Zustand ein, in dem das Gewicht an dem Wafer angebracht ist.
  • Vorzugsweise schließt der Schutzfilmbereitstellungsschritt die Schritte eines Ladens des Wafers in eine Unterdruckkammer in dem Zustand, in dem der Bauelementbereich mit dem Schutzfilm bedeckt ist, und als Nächstes eines Verwendens eines Druckmittels ein, das zu der Unterdruckkammer gehört, um den Schutzfilm gegen die vordere Seite des Wafers zu drücken.
  • Bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung wird der Bauelementbereich, wo die Bauelemente ausgebildet sind, die jeweils Unebenheiten aufweisen, als erstes mit dem Schutzfilm bedeckt, und der Schutzfilm wird als Nächstes mit dem Bauelementbereich in engen Kontakt gebracht, um so der Form der Unebenheit zu folgen. Danach wird das flüssige Harz, das durch einen äußeren Stimulus härtbar ist, auf die vordere Seite des Wafers aufgetragen und dann gehärtet, um das Schutzelement auszubilden, welches den Schutzfilm und den Umfangsrandbereich bedeckt. Folglich wird die Wafereinheit, die mit dem Wafer, dem Schutzfilm und dem Schutzelement aufgebaut ist, in dem Zustand ausgebildet, in dem die vordere Seite des Wafers über den Schutzfilm mit dem Schutzelement bedeckt ist. Da das Schutzelement eine ausreichende Dicke aufweist, kann der Einfluss der an der vorderen Seite des Wafers ausgebildeten Unebenheit ausreichend reduziert werden.
  • Ferner wird der Schutzfilm bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung nicht an den Bauelementbereich geklebt, sondern lediglich in engem Kontakt mit dem Bauelementbereich gehalten. Dementsprechend ist es nicht notwendig, einen besonderen Vorgang zum Abziehen des Schutzfilms auszuführen, wie zum Beispiel ein Eintauchen in eine Lösung oder ein Aufheizen. Das heißt, dass der Schutzfilm und das Schutzelement auf einfache Weise von dem Wafer abgezogen werden können. Wie oben beschrieben, kann der Einfluss der an der vorderen Seite des Wafers vorliegenden Unebenheit beim Schleifen der hinteren Seite des Wafers ausreichend reduziert werden. Darüber hinaus ist kein zusätzlicher Vorgang nach dem Schleifen des Wafers notwendig.
  • Ferner werden der Schutzfilm und der Umfangsrandbereich des Wafers bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung mit dem Schutzelement bedeckt, das aus dem durch einen äußeren Stimulus härtbaren flüssigen Harz ausgebildet ist. Das heißt, dass das Schutzelement an dem Umfangsrandbereich des Wafers fixiert wird. Obwohl der Schutzfilm, der keine Haftung durch ein Haftmittel (Kleber) aufweist, verwendet wird, existiert keine Möglichkeit, dass der Schutzfilm und das Schutzelement beim Schleifen des Wafers von dem Wafer abgezogen werden.
  • Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise ihrer Umsetzung werden durch ein Studium der folgenden Beschreibung und angehängten Ansprüche unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen, deutlicher und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1A ist eine schematische perspektivische Ansicht, die eine Weise eines Abdeckens der vorderen Seite eines Wafers mit einem Schutzfilm darstellt;
    • 1B ist eine schematische perspektivische Ansicht, die den Zustand darstellt, bei dem die vordere Seite des Wafers mit dem Schutzfilm bedeckt ist;
    • 2A ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Andrückens des Schutzfilms an die vordere Seite des Wafers darstellt;
    • 2B ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms mit der vorderen Seite des Wafers darstellt;
    • 2C ist eine schematische Schnittansicht, die den Zustand darstellt, bei dem der Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engem Kontakt ist;
    • 3A ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Andrückens des Wafers über den Schutzfilm gegen ein flüssiges Harz darstellt, das zuvor auf einen Bogen aufgebracht worden ist;
    • 3B ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Härtens des flüssigen Harzes darstellt, um ein Schutzelement auszubilden, wodurch das Schutzelement an dem Wafer befestigt wird;
    • 3C ist eine schematische Schnittansicht einer Wafereinheit, die durch Befestigen des Schutzelements an dem Wafer ausgebildet wird;
    • 4A ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Schleifens der Rückseite des Wafers darstellt;
    • 4B ist eine schematische Schnittansicht, die den Zustand darstellt, bei dem die Rückseite des Wafers geschliffen worden ist;
    • 5 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Abziehens des Schutzfilms, des Schutzelements und des Bogens von dem Wafer darstellt;
    • die 6A, 6B und 6C sind schematische Schnittansichten, die eine erste Abwandlung des Schutzfilmbereitstellungsschritts darstellen; und
    • die 7A und 7B sind schematische Schnittansichten, die eine zweite Abwandlung des Schutzfilmbereitstellungsschritts darstellen.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Es wird nunmehr eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Das Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform schließt einen Schutzfilmbereitstellungsschritt (siehe 1A, 1B, 2A, 2B und 2C), einen Wafereinheitausbildungsschritt (siehe 3A, 3B und 3C), einen Schleifschritt (siehe 4A und 4B) und einen Abziehschritt (siehe 5) ein. Bei dem Schutzfilmbereitstellungsschritt wird ein Schutzfilm, der keine Haftkraft aufweist, durch ein Haftmittel (Kleber) mit der vorderen Seite eines Wafers so in engen Kontakt gebracht, dass der Schutzfilm der unebenen Form folgt, die an der vorderen Seite des Wafers vorgesehen ist. Bei dem Wafereinheitausbildungsschritt wird der Schutzfilm mit einem Schutzelement bedeckt, das aus einem flüssigen Harz ausgebildet wird, um dadurch eine Wafereinheit auszubilden, die mit dem Wafer, dem Schutzfilm und dem Schutzelement aufgebaut ist. Bei dem Schleifschritt wird die Rückseite des Wafers in dem Zustand geschliffen, in dem das Schutzelement der Wafereinheit an einer Haltefläche eines Spanntischs gehalten wird. Bei dem Abziehschritt werden das Schutzelement und der Schutzfilm von dem durch den Schleifschritt verdünnten Wafer abgezogen. Diese Schritte des Waferbearbeitungsverfahrens in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform werden nun im Detail beschrieben.
  • Bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform wird der Schutzfilmbereitstellungsschritt als erstes auf so eine Weise ausgeführt, dass ein Schutzfilm, der keine Haftkraft aufweist, durch ein Haftmittel mit der vorderen Seite eines Wafers so in engen Kontakt gebracht wird, dass der Schutzfilm der unebenen Form folgt, die an der vorderen Seite des Wafers vorgesehen ist. Insbesondere wird die vordere Seite des Wafers als erstes mit einem Schutzfilm bedeckt, der keine Haftschicht aufweist, und der Schutzfilm wird als Nächstes mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt gebracht.
  • 1A ist eine schematische perspektivische Ansicht, die eine Weise eines Abdeckens der vorderen Seite eines Wafers 11 mit einem Schutzfilm 21 zeigt, und 1B ist eine schematische perspektivische Ansicht, die den Zustand zeigt, in dem die vordere Seite des Wafers 11 mit dem Schutzfilm 21 bedeckt ist. Wie in 1A dargestellt, ist der Wafer 11 ein scheibenförmiges Element mit einer vorderen Seite 11a und einer hinteren Seite 11b. Zum Beispiel ist der Wafer 11 mit Silizium (Si) ausgebildet. Der Wafer 11 weist einen äußeren Umfang 11c auf, wobei die Kante zwischen dem äußeren Umfang 11c und der vorderen Seite 11a angefast ist und die Kante zwischen dem äußeren Umfang 11c und der hinteren Seite 11b ebenfalls angefast ist. Die vordere Seite 11a des Wafers 11 ist mit einem zentralen Bauelementbereich 11d und einem Umfangsrandbereich 11e aufgebaut, der den Bauelementbereich 11d umgibt. Der Bauelementbereich 11d wird durch eine Vielzahl sich schneidender Trennlinien (Straßen) 13 unterteilt, um eine Vielzahl getrennter Bereiche zu definieren, wo eine Vielzahl von Bauelementen 15, wie zum Beispiel integrierte Schaltkreise (ICs) ausgebildet werden. Eine Vielzahl von Kontakthöckern (Unebenheiten) 17, die als Elektroden dienen, ist an der vorderen Seite von jedem Bauelement 15 vorgesehen. Zum Beispiel ist jeder Kontakthöcker 17 mit Lötmittel ausgebildet. Obwohl der Wafer 11 bei dieser bevorzugten Ausführungsform ein scheibenförmiges Element ist, das mit Silizium ausgebildet ist, ist der Wafer 11 nicht auf dieses Material, diese Form, diese Struktur, diese Größe, usw. beschränkt. Zum Beispiel kann der Wafer 11 mit beliebigen anderen Halbleitern, Keramiken, Harzen oder Metallen ausgebildet sein. Gleichermaßen sind die Bauelemente 15 und die Kontakthöcker 17 nicht auf diese Art, Menge, Form, Struktur, Größe, Anordnung usw. beschränkt. Zum Beispiel können die Kontakthöcker 17 durch beliebige Strukturen (Unebenheiten) mit anderen Funktionen ersetzt werden. Mit anderen Worten können die Kontakthöcker 17 von der vorderen Seite 11a des Wafers 11 weggelassen werden.
  • Bei dem Schutzfilmbereitstellungsschritt wird der Bauelementbereich 11d des Wafers 11 als erstes mit dem Schutzfilm 21 bedeckt. Der Schutzfilm 21 ist ein weicher Film, der zum Beispiel aus Harz ausgebildet ist. Der Schutzfilm 21 ist ein kreisförmiges Element mit einer Größe (Durchmesser), die mit der Größe des Bauelementbereichs 11d korrespondiert. Das heißt, der Durchmesser des Schutzfilms 21 ist geringer als der Durchmesser des Wafers 11. Der Schutzfilm 21 weist keine Haftschicht auf. Obwohl nicht besonders darauf beschränkt, ist die Dicke des Schutzfilms 21 zum Beispiel vorzugsweise auf in etwa 30 bis 150 µm eingestellt. Wie in 1A dargestellt, wird der Schutzfilm 21 auf der vorderen Seite 11a des Wafers 11 auf so eine Weise platziert, dass der äußere Umfang des Schutzfilms 21 mit dem äußeren Umfang des Bauelementbereichs 11d, das heißt der Grenze zwischen dem Bauelementbereich 11d und dem Umfangsrandbereich 11e, übereinstimmt, sodass der Bauelementbereich 11d des Wafers 11 vollständig mit dem Schutzfilm 21 bedeckt ist. Mit anderen Worten ist der Umfangsrandbereich 11e des Wafers 11, wie in 1B dargestellt, exponiert.
  • Nach dem Bedecken der vorderen Seite 11a (genauer gesagt des Bauelementbereichs 11d) des Wafers 11 mit dem Schutzfilm 21, wird der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 auf die folgende Weise in engen Kontakt gebracht. 2A ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Andrückens des Schutzfilms 21 an die vordere Seite 11a des Wafers 11 darstellt. 2B ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 darstellt. 2C ist eine schematische Schnittansicht, die den Zustand darstellt, in dem der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engem Kontakt ist. Insbesondere wird ein Gewicht 4, wie in 2A dargestellt, unter Umgebungsdruck über ein Polster 2, wie zum Beispiel ein Schaum, an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 (genauer gesagt auf den Schutzfilm 21, der die vordere Seite 11a bedeckt) montiert, um dadurch den Schutzfilm 21 gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 zu drücken. Mit anderen Worten wird ein Druck über das Polster 2 auf den Schutzfilm 21 aufgebracht, wodurch der Schutzfilm 21 gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt wird. Als Ergebnis wird ein Teil des Schutzfilms 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in Kontakt gebracht.
  • Danach wird der Wafer 11 in eine Unterdruckkammer 6 in dem Zustand geladen, in dem das Gewicht 4, wie in 2B dargestellt, an dem Wafer 11 angebracht ist. Die Vakuumkammer 6 schließt ein Gehäuse 6a, das eine obere Öffnung mit einer Größe aufweist, die den Durchgang des Wafers 11 zulässt, und eine Tür 6b zum Schließen der oberen Öffnung des Gehäuses 6a ein. Das Gehäuse 6a ist über ein Luftauslassrohr 8 und ein Ventil 10 mit einer nicht dargestellten Unterdruckquelle verbunden, wobei die Luft in der Unterdruckkammer 6 durch das Luftauslassrohr 8 entfernt wird. Ferner sind ein Lufteinlassrohr 12 und ein Ventil 14 mit dem Gehäuse 6a verbunden, wobei die Außenluft (Atmosphäre) durch das Lufteinlassrohr 12 in die Unterdruckkammer 6 gesaugt wird. Ein Stütztisch 16 zum Unterstützen des Wafers 11 ist in dem Gehäuse 6a vorgesehen. Der Stütztisch 16 weist eine im wesentlichen flache obere Fläche auf, die als eine Stützfläche 16a zum darauf Unterstützen des Wafers 11 dient. Die Stützfläche 16a ist mit einem hervorstehenden Führungsabschnitt 16b zum Positionieren des Wafers 11 versehen. Eine Heizvorrichtung 18 zum Aufheizen des Schutzfilms 21 ist in dem Stütztisch 16 verbaut. In Betrieb wird die Tür 6b als erstes geöffnet, um den Wafer 11 durch die obere Öffnung des Gehäuses 6a in die Unterdruckkammer 6 in dem Zustand zu laden, in dem das Gewicht 4 über das Polster 2 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 angebracht ist, der mit dem Schutzfilm 21 bedeckt ist. Nachdem der Wafer 11 an der Stützfläche 16a des Stütztischs 16 so unterstützt wird, dass er durch den Führungsabschnitt 16b positioniert ist, wird die Tür 6b, wie in 2B dargestellt, geschlossen und das Ventil 14 wird als Nächstes geschlossen. Ferner wird das Ventil 10 geöffnet, um dadurch den Innenraum der Unterdruckkammer 6 zu evakuieren. Als Ergebnis wird der Schutzfilm 21 durch das Gewicht 4 unter einem verminderten Druck auf die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt. Ferner wird das Gas (Luft), das zwischen der vorderen Seite 11a des Wafers 11 und dem Schutzfilm 21 verbleibt, entfernt.
  • Nachdem der Innenraum der Unterdruckkammer 6 ausreichend evakuiert ist, wird das Ventil 10 geschlossen und als Nächstes das Ventil 14 geöffnet, um die Außenluft (Atmosphäre) in den Innenraum der Unterdruckkammer 6 einzuführen. Als Ergebnis wird ein atmosphärischer Druck auf den Schutzfilm 21 ausgeübt, sodass der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht werden kann, sodass er der Form der Kontakthöcker 17, wie in 2C dargestellt, folgt, die an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 vorgesehen sind. Beim Aufbringen des atmosphärischen Drucks auf den Schutzfilm 21 kann die Heizvorrichtung 18 betätigt werden, um den Schutzfilm 21 aufzuheizen und dadurch denselbigen weicher zu machen. In diesem Fall kann der Schutzfilm 21 mit dem Wafer 11 auf einfachere Weise in Kontakt gebracht werden.
  • Nach dem Ausführen des Schutzfilmbereitstellungsschritts wird der Wafereinheitausbildungsschritt auf so eine Weise ausgeführt, dass der Schutzfilm 21 mit einem Schutzelement abgedeckt wird, das aus einem flüssigen Harz ausgebildet ist, um dadurch eine Wafereinheit auszubilden, die mit dem Wafer 11, dem Schutzfilm 21 und dem Schutzelement aufgebaut ist, wobei die vordere Seite 11a des Wafers 11 mit dem Schutzelement bedeckt wird. 3a ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Andrückens des Wafers 11 über den Schutzfilm 21 gegen ein flüssiges Harz darstellt, das zuvor auf einen Bogen aufgebracht worden ist. 3B ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Härtens des flüssigen Harzes darstellt, um ein Schutzelement auszubilden, wodurch das Schutzelement an dem Wafer 11 befestigt wird. 3C ist eine schematische Schnittansicht einer Wafereinheit, die durch Fixieren des Schutzelements an dem Wafer 11 ausgebildet wird. In den 3A und 3B wird ein Teil der Komponenten durch einen Funktionsblock dargestellt.
  • Der Wafereinheitausbildungsschritt wird durch Verwendung einer Schutzelementfixierungsvorrichtung 22 ausgeführt, die in den 3A und 3B dargestellt ist. Die Schutzelementfixierungsvorrichtung 22 schließt einen Haltetisch 24 zum Halten eines im wesentlichen flachen Bogens (Trägerbogen) 23 auf, der zum Beispiel aus einem Harz ausgebildet ist. Die obere Fläche des Haltetischs 24 ist mit einer kreisförmigen Aussparung 24a ausgebildet, die einen Durchmesser aufweist, der größer ist als der des Wafers 11. Eine ultraviolette Lichtquelle 26 ist im Inneren der Aussparung 24a vorgesehen. Das obere Ende der Aussparung 24a ist mit einer Platte 28 bedeckt, die imstande ist, zumindest einen Teil ultravioletten Lichts zu übertragen, das von der Quelle ultravioletten Lichts 26 emittiert wird. Ein mittiger Teil des Bogens 23 ist eingerichtet, durch die Platte 28 unterstützt zu werden. Ein Saugdurchgang 24b zum Ansaugen eines Umfangsabschnitts des Bogens 23 ist in dem Haltetisch 24 ausgebildet. Ein Ende des Saugdurchgangs 24b öffnet sich zu der oberen Fläche um die Aussparung 24a des Haltetischs 24, und das andere Ende des Saugdurchgangs 24b ist über ein Ventil 30 mit einer Unterdruckquelle 32 verbunden. Durch Aufbringen eines Unterdrucks durch die Unterdruckquelle 32 über den Saugdurchgang 24b auf den Umfangsabschnitt des Bogens 23, wird der Bogen 23 unter Saugkraft an dem Haltetisch 24 gehalten. Eine Waferhalteeinheit 34 zum Halten des Wafers 11 unter Saugkraft ist über den Haltetisch 24 vorgesehen. Die Waferhalteeinheit 34 wird durch einen nicht dargestellten Bewegungsmechanismus unterstützt. Der Wafer 11 ist eingerichtet, um an einer unteren Fläche 34a der Waferhalteeinheit 34 unter Saugkraft gehalten zu werden. Der durch die Waferhalteeinheit 34 gehaltene Wafer 11 ist durch Betätigen des Bewegungsmechanismus in vertikaler Richtung bewegbar.
  • Bei dem Wafereinheitausbildungsschritt wird zuvor ein flüssiges Harz 25 auf die obere Fläche des Bogens 23 aufgebracht, und die untere Fläche des Bogens 23 wird, wie in 3A dargestellt, an dem Haltetisch 24 gehalten. Andererseits wird die hintere Seite 11b des Wafers 11, wie in 3A dargestellt, an der unteren Fläche 34a der Waferhalteeinheit 34 gehalten. Dementsprechend liegt der Schutzfilm 21, der mit der vorderen Seite 11a des Wafers in engem Kontakt gehalten wird, dem flüssigen Harz 25 gegenüber, das auf den Bogen 23 aufgetragen wird. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform ist das flüssige Harz 25 ein durch ultraviolettes Licht härtbares Harz, das imstande ist, durch von der Quelle ultravioletten Lichts 26 emittiertes ultraviolettes Licht gehärtet zu werden. Zum Beispiel kann TEMPLOC (registered Trademark), hergestellt durch Denka Company Ltd., als das flüssige Harz 25 verwendet werden. Obwohl bei dieser bevorzugten Ausführungsform das flüssige Harz 25 zuvor auf die obere Fläche des Bogens 23 aufgebracht wird und der Bogen 23 als Nächstes an dem Haltetisch 24 gehalten wird, kann der Bogen 23 als erstes an dem Haltetisch 24 gehalten werden und das flüssige Harz 25 als Nächstes auf den Bogen 23 aufgetragen werden.
  • Danach wird die Waferhalteeinheit 34 abgesenkt, um die vordere Seite 11a des Wafers 11 über den Schutzfilm 21 gegen das flüssige Harz 25, wie in 3B dargestellt, zu drücken. Dementsprechend wird das flüssige Harz 25 in der radialen Richtung des Wafers 11 verteilt und bedeckt den Schutzfilm 21 und den Umfangsrandbereich 11e. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform werden die Menge an flüssigem Harz 25, das auf den Bogen 23 aufzutragen ist und das Ausmaß eines Absenkens der Waferhalteeinheit 34 so eingestellt, dass das flüssige Harz 25 die angefaste Kante zwischen dem äußeren Umfang 11c und der vorderen Seite 11a des Wafers 11 bedeckt. Danach wird ultraviolettes Licht von der Quelle ultravioletten Lichts 26 emittiert, um dadurch das flüssige Harz 25 zu härten. Als Ergebnis wird das flüssige Harz 25 als ein Schutzelement 27 ausgebildet, das den Schutzfilm 21 und den Umfangsrandbereich 11e, wie in 3C dargestellt, bedeckt. Das Schutzelement 27 ist an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 fixiert, um dadurch eine Wafereinheit auszubilden, die mit dem Wafer 11, dem Schutzfilm 21 und dem Schutzelement 27 aufgebaut ist, wobei die vordere Seite 11a des Wafers 11 mit dem an dem Bogen 23 unterstützten Schutzelement 27 bedeckt ist. Es ist anzumerken, dass die angefaste Kante zwischen dem äußeren Umfang 11c und der vorderen Seite 11a des Wafers 11 bei dieser bevorzugten Ausführungsform auch durch das Schutzelement 27 bedeckt ist.
  • Nach dem Ausführen des Wafereinheitausbildungsschritts wird der Schleifschritt ausgeführt, um die hintere Seite 11b des Wafers 11 zu schleifen. 4A ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Schleifens der hinteren Seite 11b des Wafers 11 darstellt, und 4B ist eine schematische Schnittansicht, die den Zustand darstellt, in dem die hintere Seite 11b des Wafers 11 geschliffen worden ist. Der Schleifschritt wird unter Verwendung einer in 4A dargestellten Schleifvorrichtung 42 ausgeführt. Die Schleifvorrichtung 42 schließt einen Haltetisch (Spanntisch) 44 zum Halten des Wafers 11 (Wafereinheit) unter Saugkraft ein. Der Haltetisch 44 ist mit einer nicht dargestellten Rotationsantriebsquelle, wie zum Beispiel einem Motor, verbunden und eingerichtet, um um eine Achse gedreht zu werden, die im Wesentlichen parallel zu einer vertikalen Richtung ist. Ein nicht dargestellter Bewegungsmechanismus ist unter dem Haltetisch 44 vorgesehen, und der Haltetisch 44 ist durch diesen Bewegungsmechanismus in horizontaler Richtung bewegbar. Ein Teil der oberen Fläche des Haltetischs 44 ist als eine Haltefläche 44a zum Halten des Bogens 23 unter Saugkraft ausgebildet, der über das Schutzelement 27 an dem Wafer 11 fixiert ist. Die Haltefläche 44a ist über einen nicht dargestellten Saugdurchgang mit einer nicht dargestellten Unterdruckquelle verbunden. Der Saugdurchgang ist in dem Haltetisch 44 ausgebildet. Durch Aufbringen eines Unterdrucks von der Unterdruckquelle auf die Haltefläche 44a, wird der Wafer 11 über den Bogen 23 und das Schutzelement 27 unter Saugkraft an dem Haltetisch 44 gehalten.
  • Die Schleifvorrichtung 42 schließt ferner eine Schleifeinheit 46 ein, die über den Haltetisch 44 vorgesehen ist. Die Schleifeinheit 46 schließt ein nicht dargestelltes Spindelgehäuse ein, das durch einen nicht dargestellten Hebemechanismus unterstützt wird. Eine Spindel 48 ist drehbar in dem Spindelgehäuse unterstützt. Eine scheibenförmige Halterung 50 ist an dem unteren Ende der Spindel 48 befestigt. Ein Schleifrad 52, das im Wesentlichen den gleichen Durchmesser aufweist, wie den der Halterung 50, ist an der unteren Fläche der Halterung 50 angebracht. Das Schleifrad 52 schließt eine Radbasis 54 ein, die aus einem Metall, wie zum Beispiel rostfreiem Stahl oder Aluminium, ausgebildet ist. Eine Vielzahl von Schleifelementen 56 ist an der unteren Fläche der Radbasis 54 befestigt, sodass sie ringförmig angeordnet ist. Eine nicht dargestellte Rotationsantriebsquelle, wie zum Beispiel ein Motor, ist mit dem oberen Ende (Basisende) der Spindel 48 verbunden, sodass das Schleifrad 52 durch eine über die Rotationsantriebsquelle erzeugte Kraft um eine Achse gedreht wird, die im Wesentlichen parallel zu einer vertikalen Richtung ist. Eine nicht dargestellte Düse zum Zuführen eines Schleiffluids, wie zum Beispiel reinen Wassers, auf den Wafer 11 ist im Inneren oder nahe der Schleifeinheit 46 vorgesehen.
  • Bei dem Schleifschritt wird der Wafer 11 (Wafereinheit) als erstes an dem Haltetisch 44 der Schleifvorrichtung 42 unter Saugkraft gehalten. Insbesondere wird der Bogen 23, der über das Schutzelement 27 an dem Wafer 11 fixiert ist, mit der Haltefläche 44a des Haltetischs 44 in Kontakt gebracht, und ein Unterdruck von der Unterdruckquelle wird auf die Haltefläche 44a aufgebracht. Dementsprechend wird der Wafer 11 unter Saugkraft an dem Haltetisch 44 in dem Zustand gehalten, in dem die hintere Seite 11b des Wafers 11 nach oben exponiert ist. Danach wir der Haltetisch 44 zu einer Position unter der Schleifeinheit 46 bewegt. Danach werden sowohl der Haltetisch 44 als auch das Schleifrad 52, wie in 4A dargestellt, gedreht, und das Spindelgehäuse (die Spindel 48 und das Schleifrad 52) wird bei einem Zuführen eines Schleiffluids zu der hinteren Seite 11b des Wafers 11 abgesenkt. Eine Absenkgeschwindigkeit (Zuführbetrag) des Spindelgehäuses wird so eingestellt, dass die untere Fläche von jedem Schleifelement 56 an der hinteren Seite 11b des Wafers 11 anliegt. Als Ergebnis kann die hintere Seite 11b des Wafers 11 geschliffen werden, um die Dicke des Wafers 11 zu reduzieren. Wenn die Dicke des Wafers 11 auf eine vorbestimmte Dicke (fertiggestellte Dicke), wie in 4B dargestellt, reduziert ist, ist der Schleifschritt abgeschlossen.
  • Obwohl bei dieser bevorzugten Ausführungsform die hintere Seite 11b des Wafers 11 unter Verwendung der einzelnen Schleifeinheit 46 geschliffen wird, können zwei oder mehr Schleifeinheiten verwendet werden, um den Wafer 11 zu schleifen. In diesem Fall kann als erstes ein grobes Schleifen unter Verwendung von Schleifelementen ausgeführt werden, von denen jedes Schleifkörner großer Größe aufweist, und als Nächstes ein Fertigschleifen unter Verwendung von Schleifelementen ausgeführt werden, von denen jedes Schleifkörner kleiner Größe aufweist. In Übereinstimmung mit diesem Schleifen kann die Flachheit der hinteren Seite 11b verbessert werden, ohne die zum Schleifen benötigte Zeit nennenswert zu erhöhen.
  • Nach dem Ausführen des Schleifschritts wird der Abziehschritt ausgeführt, um den Schutzfilm 21, das Schutzelement 27 und den Bogen 23 von dem Wafer 11 abzuziehen, der in seiner Dicke reduziert wurde. 5 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Weise eines Abziehens des Schutzfilms 21, des Schutzelements 27 und des Bogens 23 von dem Wafer 11 darstellt. Bei dem Abziehschritt wird als Erstes eine Waferhalteeinheit 62 vorbereitet, die eine Haltefläche 62a zum Halten des Wafers 11 (an dem Bogen 23 fixierte Wafereinheit) unter Saugkraft aufweist, und die hintere Seite 11b des Wafers 11 wird unter Saugkraft an der Haltefläche 62a der Waferhalteeinheit 62 gehalten. Danach wird eine Abzieheinheit 64 verwendet, um einen Endabschnitt des Bogens 23 zu greifen. Danach werden die Waferhalteeinheit 62 und die Abzieheinheit 64 relativ zueinander bewegt, um den Bogen 23 von dem Wafer 11 zu trennen. Dementsprechend können der Schutzfilm 21, das Schutzelement 27 und der Bogen 23, wie in 5 dargestellt, als eine Einheit von dem Wafer 11 abgezogen werden.
  • Bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform wird der Bauelementbereich 11d, wo die Bauelemente 15, die jeweils die Kontakthöcker (Unebenheit) 17 aufweisen, ausgebildet sind, als erstes mit dem Schutzfilm 21 bedeckt, und der Schutzfilm 21 wird als Nächstes mit dem Bauelementbereich 11d in engen Kontakt gebracht, um der Form der Kontakthöcker 17 zu folgen. Danach wird das durch ultraviolettes Licht (äußerem Stimulus) härtbare flüssige Harz 25 auf die vordere Seite 11a des Wafers 11 aufgetragen und dann gehärtet, um das Schutzelement 27 auszubilden, das den Schutzfilm 21 und den Umfangsrandbereich 11e bedeckt. Folglich wird die Wafereinheit, die mit dem Wafer 11, dem Schutzfilm 21 und dem Schutzelement 27 aufgebaut ist, in dem Zustand ausgebildet, in dem die vordere Seite 11a des Wafers 11 mit dem Schutzelement 27 über den Schutzfilm 21 bedeckt ist. Da das Schutzelement 27 eine ausreichende Dicke aufweist, kann der Einfluss der an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildeten Unebenheit ausreichend reduziert werden. Ferner haftet der Schutzfilm 21 bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform nicht an dem Bauelementbereich 11d an, sondern wird lediglich in engem Kontakt mit dem Bauelementbereich 11d gehalten. Dementsprechend ist es nicht notwendig, einen speziellen Vorgang zum Abziehen des Schutzfilms 21 auszuführen, wie zum Beispiel ein Eintauchen in eine Lösung oder ein Aufheizen. Das heißt, der Schutzfilm 21 und das Schutzelement 27 können auf einfache Weise von dem Wafer 11 abgezogen werden. Wie oben beschrieben, kann durch Schleifen der hinteren Seite 11b des Wafers 11 der Einfluss der Unebenheit, wie zum Beispiel die Kontakthöcker 17, welche an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 vorliegen, auf ausreichende Weise reduziert werden. Darüber hinaus ist kein zusätzlicher Vorgang nach dem Schleifen des Wafers 11 notwendig. Ferner werden der Schutzfilm 21 und der Umfangsrandbereich 11e des Wafers 11 bei dem Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform mit dem Schutzelement 27 bedeckt, das mit dem flüssigen Harz 25 ausgebildet wird, das durch ultraviolettes Licht härtbar ist. Das heißt, das Schutzelement 27 wird an dem Umfangsrandbereich 11e des Wafers 11 fixiert. Obwohl der Schutzfilm 21, der keine Haftung durch ein Haftmittel (Kleber) aufweist, verwendet wird, ist es dementsprechend unwahrscheinlich bzw. ausgeschlossen, dass der Schutzfilm und das Schutzelement 27 beim Schleifen des Wafers 11 von dem Wafer 11 abgezogen werden können.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die obige bevorzugte Ausführungsform beschränkt, sondern es können vielfältige Abwandlungen ausgeführt werden. Obwohl das flüssige Harz 25 ein flüssiges Harz ist, das bei der obigen bevorzugten Ausführungsform durch ultraviolettes Licht härtbar ist, kann bei der vorliegenden Erfindung zum Beispiel ein beliebiger anderer Typ flüssigen Harzes verwendet werden, der durch einen beliebigen anderen äußeren Stimulus (zum Beispiel Wärme) als ultraviolettes Licht härtbar ist.
  • Bei dieser bevorzugten Ausführungsform wird das Schutzelement 27 durch Andrücken des Wafers 11 über den Schutzfilm 21 an das auf dem Bogen 23 aufgetragene flüssige Harz 25 an dem Wafer 11 fixiert. Als Abwandlung kann das flüssige Harz 25 auf den Wafer 11 und den Schutzfilm 21 getropft werden, um dadurch das Schutzelement 27 an dem Wafer 11 zu fixieren. In diesem Fall wird die vordere Seite (exponierte Fläche) des Schutzelements 27 vorzugsweise durch Verwendung einer Abflachungsvorrichtung oder Ähnlichem abgeflacht (planarisiert). Durch Abflachen der vorderen Seite des an dem Wafer 11 fixierten Schutzelements 27 kann die hintere Seite 11b (Bearbeitungsfläche) des Wafers 11 durch Schleifen abgeflacht werden.
  • Bei der obigen bevorzugten Ausführungsform wird das Gewicht 4 über das Polster 2 an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 (genauer gesagt an dem Schutzfilm 21, der die vordere Seite 11a bedeckt) angebracht, um dadurch den Schutzfilm 21 gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 zu drücken. Danach wird der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht. Jedoch kann ein beliebiges anderes Verfahren als Schutzfilmbereitstellungsschritt eingesetzt werden.
  • Die 6A, 6B und 6C stellen eine erste Abwandlung des Schutzfilmbereitstellungsschritts dar, wobei 6A eine schematische Schnittansicht ist, die einen Zustand darstellt, in dem die vordere Seite 11a des Wafers 11 mit dem Schutzfilm 21 bedeckt ist, und die 6B und 6C schematische Schnittansichten sind, die eine Weise eines in engen Kontakt Bringens des Schutzfilms 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 darstellen. Bei dem Schutzfilmbereitstellungsschritt in Übereinstimmung mit der ersten Abwandlung wird der Schutzfilm 21, wie in 6A dargestellt, an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 (genauer gesagt an dem Bauelementbereich 11d) auf eine Weise platziert, die ähnlich zu der der obigen bevorzugten Ausführungsform ist. Folglich wird die vordere Seite 11a des Wafers 11 mit dem Schutzfilm 21 bedeckt. Danach wird der Wafer 11, wie in 6B dargestellt, in eine Unterdruckkammer 6 geladen.
  • Wie in 6B dargestellt, ist die bei der ersten Abwandlung zu verwendende Unterdruckkammer 6 im Wesentlichen gleich aufgebaut wie jene der obigen bevorzugten Ausführungsform. Jedoch schließt die bei der ersten Abwandlung zu verwendende Unterdruckkammer 6 eine Andruckeinheit (Andruckmittel) 72 zum Andrücken des Schutzfilms 21 an den Wafer 11 ein. Die Andruckeinheit 72 ist an der inneren Wandfläche der Tür 6b vorgesehen. Die Andruckeinheit 72 weist eine Fläche als Andruckfläche, die dem Stütztisch 16 gegenüberliegt, auf, und ein Polster 74, wie zum Beispiel ein Schaum, ist an der unteren Fläche der Andruckeinheit 72 vorgesehen. Wenn die Tür 6b in dem Zustand geschlossen ist, in dem der Wafer 11 an dem Stütztisch 16 der Unterdruckkammer 6 platziert ist, wird der Schutzfilm 21, der die vordere Seite 11a des Wafers 11 bedeckt, dementsprechend, wie in den 6b und 6C dargestellt, durch die Andruckeinheit 72 über das Polster 74 gegen den Wafer 11 gedrückt. Folglich wird der Schutzfilm 21 gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt. Als Ergebnis wird ein Teil des Schutzfilms 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in Kontakt gebracht.
  • Danach wird das Ventil 14 geschlossen und als Nächstes wird das Ventil 10 geöffnet, um dadurch den Innenraum der Unterdruckkammer 6 zu evakuieren. Dementsprechend wird der Schutzfilm 21, wie in 6C dargestellt, durch die Andruckeinheit 72 unter einem reduzierten Druck gegen die vordere Seite 11a des Wafers 11 gedrückt. Ferner wird das Gas (Luft), das zwischen der vorderen Seite 11a des Wafers 11 und dem Schutzfilm 21 verbleibt, entfernt. Nachdem der Innenraum der Unterdruckkammer 6 ausreichend evakuiert ist, wird das Ventil 10 geschlossen und das Ventil 14 wird als Nächstes geöffnet, um Außenluft (Atmosphäre) in den Innenraum der Unterdruckkammer 6 einzuführen. Als Ergebnis wird ein atmosphärischer Druck auf den Schutzfilm 21 aufgebracht, sodass der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 in engen Kontakt gebracht werden kann, um so der Form der Kontakthöcker 17 zu folgen, die an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 vorgesehen sind.
  • Die 7A und 7B sind schematische Schnittansichten, die eine zweite Abwandlung des Schutzfilmbereitstellungsschritts darstellen. Bei dem Schutzfilmbereitstellungsschritt in Übereinstimmung mit der zweiten Abwandlung wird ein Haltetisch 82 mit einer oberen Fläche als Haltefläche 82a vorbereitet, und die hintere Seite 11b des Wafers 11 wird in dem Zustand an der Haltefläche 82a des Haltetischs 82 gehalten, in dem der Schutzfilm 21 nicht an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 angebracht ist. Der Aufbau des Haltetischs 82 ist im Wesentlichen der gleiche wie der des Haltetischs 44. Eine Heizvorrichtung 84 ist in dem Haltetisch 82 verbaut. Der Schutzfilm 21 wird zuvor an der unteren Fläche eines Bogens (Ablösebogens) 29 gehalten. Danach liegt der durch den Bogen 29 gehaltene Schutzfilm 21 der vorderen Seite 11a (dem Bauelementbereich 11d) des Wafers 11 gegenüber, und eine Walze 86 wird verwendet, um die obere Fläche des Bogens 29, wie in 7A dargestellt, walzend zu drücken. Zu diesem Zeitpunkt kann die Heizvorrichtung 84 betätigt werden, um den Schutzfilm 21 aufzuheizen und diesen dadurch weicher zu machen. Dementsprechend wird der Schutzfilm 21 so an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 angebracht, dass er den Bauelementbereich 11d bedeckt. Folglich kann die vordere Seite 11a des Wafers 11 (genauer gesagt der Bauelementbereich 11d) mit dem Schutzfilm 21 bedeckt sein. Danach wird der Bogen 29, wie in 7B dargestellt, von dem Schutzfilm 21 entfernt. Dieser Abdeckvorgang unter Verwendung der Walze 86 kann in der Unterdruckkammer 6 ausgeführt werden. Nach dem Abdecken der vorderen Seite 11a (dem Bauelementbereich 11d) des Wafers 11 mit dem Schutzfilm 21 wird der Schutzfilm 21 mit der vorderen Seite 11a des Wafers 11 auf eine ähnliche Weise in Kontakt gebracht, wie die der obigen bevorzugten Ausführungsform oder der ersten Abwandlung.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die angehängten Ansprüche definiert, und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.

Claims (8)

  1. Waferbearbeitungsverfahren, das umfasst: einen Schutzfilmbereitstellungsschritt mit einem Bereitstellen eines Schutzfilms an der vorderen Seite eines Wafers, der einen Bauelementbereich, wo eine Vielzahl von Bauelementen ausgebildet ist, die jeweils eine Unebenheit aufweisen, und einen Umfangsrandbereich aufweist, der den Bauelementbereich in dem Zustand umgibt, in dem der Bauelementbereich mit dem Schutzfilm bedeckt ist, und dann einem in engen Kontakt Bringen des Schutzfilms mit der vorderen Seite des Wafers, um so der Form der Unebenheit zu folgen; einen Wafereinheitausbildungsschritt mit einem Aufbringen eines flüssigen Harzes, das durch einen äußeren Stimulus härtbar ist, auf die vordere Seite des Wafers und dann einem Härten des flüssigen Harzes durch Aufbringen des äußeren Stimulus, um ein Schutzelement auszubilden, das den Schutzfilm und den Umfangsrandbereich des Wafers bedeckt, wodurch eine Wafereinheit ausgebildet wird, die mit dem Wafer, dem Schutzfilm und dem Schutzelement in dem Zustand aufgebaut ist, in dem die vordere Seite des Wafers mit dem Schutzelement bedeckt ist; einen Schleifschritt mit einem Halten des Schutzelements der Wafereinheit an einer Haltefläche eines Spanntisches und dann einem Schleifen der hinteren Seite des Wafers der Wafereinheit, um dadurch die Dicke des Wafers zu reduzieren; und einen Abziehschritt mit einem Abziehen des Schutzelements und des Schutzfilms von dem Wafer, der in seiner Dicke reduziert ist.
  2. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, bei dem ein Kantenabschnitt zwischen dem äußeren Umfang des Wafers und der vorderen Seite des Wafers angefast ist; und die vordere Seite des Wafers mit dem Schutzelement bedeckt ist, um so den angefasten Kantenabschnitt bei dem Wafereinheitausbildungsschritt einzubeziehen.
  3. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der Wafereinheitausbildungsschritt die Schritte eines Aufbringens des flüssigen Harzes auf einen flachen Bogen, als Nächstes eines Pressens des Wafers über den Schutzfilm gegen das flüssige auf den flachen Bogen aufgebrachte Harz und als Nächstes eines Härtens des flüssigen Harzes durch Aufbringen des äußeren Stimulus, um dadurch das Schutzelement an dem Wafer zu fixieren, einschließt.
  4. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Schutzfilmbereitstellungsschritt die Schritte eines Andrückens des Schutzfilms gegen die vordere Seite des Wafers unter einem reduziertem Druck und als Nächstes eines Aufbringens eines atmosphärischen Drucks auf den Schutzfilm einschließt, um dadurch den Schutzfilm mit der vorderen Seite des Wafers in engen Kontakt zu bringen, um so der Form der Unebenheit zu folgen.
  5. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Schutzfilmbereitstellungsschritt den Schritt eines Aufbringens eines Drucks über ein Polster auf den Schutzfilm einschließt, um dadurch den Schutzfilm gegen die vordere Seite des Wafers zu drücken.
  6. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Schutzfilmbereitstellungsschritt den Schritt eines Anbringens eines Gewichts über ein Polster auf den Schutzfilm einschließt, um dadurch den Schutzfilm gegen die vordere Seite des Wafers zu drücken.
  7. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 6, bei dem der Schutzfilmbereitstellungsschritt die Schritte eines Anbringens des Gewichts über das Polster an dem Schutzfilm unter atmosphärischem Druck und als Nächstes eines Ladens des Wafers in eine Unterdruckkammer in dem Zustand einschließt, in dem das Gewicht an dem Wafer angebracht ist.
  8. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Schutzfilmbereitstellungsschritt die Schritte eines Ladens des Wafers in eine Unterdruckkammer in dem Zustand, in dem der Bauelementbereich mit dem Schutzfilm bedeckt ist, und als Nächstes eines Verwendens eines Druckmittels einschließt, das zu der Unterdruckkammer gehört, um den Schutzfilm gegen die vordere Seite des Wafers zu drücken.
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