CN1877451B - 基板处理***及基板处理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 96
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 56
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 56
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 35
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 2
- 230000026676 system process Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 89
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 101150075071 TRS1 gene Proteins 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 101100328883 Arabidopsis thaliana COL1 gene Proteins 0.000 description 3
- YVGGHNCTFXOJCH-UHFFFAOYSA-N DDT Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C(C(Cl)(Cl)Cl)C1=CC=C(Cl)C=C1 YVGGHNCTFXOJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101710189714 Major cell-binding factor Proteins 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 3
- 101000588012 Homo sapiens SREBP regulating gene protein Proteins 0.000 description 2
- 102100031580 SREBP regulating gene protein Human genes 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 102100031077 Calcineurin B homologous protein 3 Human genes 0.000 description 1
- 101000777270 Homo sapiens Calcineurin B homologous protein 3 Proteins 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000014347 soups Nutrition 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 230000009182 swimming Effects 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
本发明的基板处理***具备多个模块，所述模块在多个工序范围内，对多个基板进行单张式处理，并且在连续的处理工序中分别进行处理，可容易确定在基板上产生不良部位时成为原因的有问题，在基板的处理张数较多的情况下，可抑制处理量的降低。本发明的基板处理***具备多个上述模块，并具有：基板运送机构(A4)，将基板(W)从运送源的模块运送至运送目的地的模块；控制机构(6)，基于规定运送源和运送目的地的模块分配方法的至少两个运送模式的某一种，控制基板运送机构(A4)，控制机构(6)在基板的处理工序中，接受运送模式的切换指令后，从执行中的运送模式切换成其他运送模式，基于切换后的运送模式，使基板运送机构(A4)运送基板。
Description
技术领域
本发明涉及对例如半导体晶体或LCD基板(液晶显示屏用玻璃基板)等基板进行抗蚀剂液的涂敷处理、和曝光后的显影处理等的基板处理***及基板处理方法。
背景技术
在半导体器件和LCD基板的制造工序中，利用显影处理、即称为光刻法的技术，形成电路图形，所述显影处理指：在作为被处理体的基板上形成规定的膜后，涂敷作为处理液的光致抗蚀剂(以下称为抗蚀剂)而形成抗蚀剂膜，与电路图形对应地对抗蚀剂膜进行曝光。在该光刻法技术中，基板经过下述一连串处理，而在抗蚀剂层形成规定的电路图形，所述一连串处理的主要工序为清洗处理→脱水烘焙→附着(疏水化)处理→抗蚀剂涂敷→预烘焙→曝光→显影前烘焙→显影→后烘焙。
这样的处理，一般在进行抗蚀剂的涂敷和显影的涂敷显影装置上，使用连接有曝光装置的抗蚀剂图形形成装置进行。作为这样的装置，提出的是例如专利文献1所示的装置，在该装置中，例如如图10所示，收纳有多片晶片W的承载体10被运入承载区1A的承载台11，承载体10内的晶片W由交接臂12交接至处理区1B。然后运送至处理区1B内的涂敷组件13A，涂敷抗蚀剂液，接下来经由接口区1C运送至曝光装置1D。
曝光处理后的晶片再次返回至处理区1B，并在显影组件13B中进行显影处理，然后返回至原来的承载体10内。图中搁板组件14(14a～14c)具有用于在涂敷组件13A和显影组件13B的处理前后对晶片W进行规定的加热处理和冷却处理的加热组件、冷却组件、和交接台等。在此，晶片W由设在处理区1B上的2个运送机构15A、15B，在涂敷组件13A、显影组件13B和搁板组件14a～14c的各部分等在处理区1B内放置有晶片W的模块间运送。
另外，晶片W在实施前述处理时，按照预先规定各晶片W分别在哪个时刻运送至哪个处理组件中的运送计划进行运送。该运送计划例如生成为：通过2个运送机构15A、15B将晶片W依次运送至进行曝光处理前的处理的组件后，将其交接至接口区1C，然后从接口区1C接受曝光处理后的晶片W，依次运送至进行曝光处理后的处理的组件中。这样，通过使运送机构15A、15B在处理区1B内行进1周，而执行1次运送循环，每次运送循环都将从承载体10取出的新晶片W运送至处理区1B内。
专利文献1：特开2004-193597号公报
在前述运送计划中，预先决定运送被实施处理的多个晶片W的组件的顺序。但是，在搭载多个可在同一组件内或多个组件中进行相同处理的同一结构的模块的情况下，通常实际上对于从哪个模块运送至哪个模块，并没有固定分配。例如，对于从涂敷组件13A向搁板组件14a～14c的晶片W的运送，在分别搭载有多个进行涂敷处理和热处理的模块的情况下，通常并不进行这些涂敷处理和热处理的模块间的运送的具体分配。原因在于，为了提高处理量，而采用柔性分配，即结束了涂敷模块中的处理的晶片W从多个热处理模块中的空模块依次运入。
但是，根据这样的柔性分配方法，例如热处理后在晶片上发现因涂敷处理而不良的部位(膜厚异常等)的情况下，很难确定该晶片式从哪个涂敷模块运送来的。即，存在下述技术问题：很难确定具有问题的运送源的模块。另外，若进行这样的柔性晶片运送，则有时运送臂的移动距离会变长，在晶片的处理片数较大的情况下，也存在运送作业效率变低，相反地导致生长量下降的问题。
发明内容
本发明是鉴于前述问题而作成的，目的在于提供基板处理***和基板处理方法，所述基板处理***具备多个模块，所述模块在多个工序范围内，对多个基板进行单张式处理，并且在连续的处理工序中分别进行处理，可容易确定在基板上产生不良部位时成为原因的有问题的处理装置，并且在基板的处理张数较多的情况下，可抑制处理量的降低。
为解决前述问题，本发明的基板处理***具备多个模块，所述模块在多个工序范围内，对多个基板进行单张式处理，并且在连续的处理工序中分别进行处理，其特征在于，具有：基板运送机构，将前述基板从运送源的模块运送至运送目的地的模块；控制机构，基于规定运送源和运送目的地的模块分配方法的至少两个运送模式的某一种，控制前述基板运送机构，前述控制机构在前述基板的处理工序中，接受前述运送模式的切换指令后，从执行中的运送模式切换成其他运送模式，基于切换后的运送模式，使前述基板运送机构运送基板。
另外，优选地，前述运送模式的至少一种是在规定条件下预先固定分配与一个或多个运送源的模块对应的一个或多个运送目的地的模块的模式，优选地，分配前述运送目的地的模块时的前述规定条件之一是前述运送目的地的模块为从运送源的模块的运送距离更短的模块。
另外，优选地，其他运送模式的之一是从空的运送目的地的模块中以优先运送为目的进行分配的模式。
为解决前述问题，本发明的基板处理方法在基板处理***中执行，所述基板处理***具备多个模块，所述模块在多个工序范围内，对多个基板进行单张式处理，并且在连续的处理工序中分别进行处理，其特征在于，执行下述两个步骤：基于规定运送源和运送目的地的模块分配方法的至少两个运送模式的某一种，运送前述基板；在前述基板的处理工序中，接受前述运送模式的切换指令后，从执行中的运送模式切换成其他运送模式，基于切换后的运送模式，运送基板。
另外，优选地，前述运送模式的至少一种是对各基板在规定条件下预先固定分配与一个或多个运送源的模块对应的一个或多个运送目的地的模块的模式，优选地分配前述运送目的地的模块时的前述规定条件之一是前述运送目的地的模块为从运送源的模块的运送距离更短的模块。
另外，优选地，其他运送模式的之一是从空的运送目的地的模块中以优先运送为目的进行分配的模式。
由此，例如在执行分配使得优先从空的运送目的地的模块运送的柔性模式作为基本运送模式时，在运送源的某一模块产生问题的情况下，可通过切换成预先固定分配运送源和运送目的地的运送模式，容易指定具有问题的运送源的模块。另外，在这种情况下，可通过使该具有问题的模块停止工作，返回柔性模式，而继续对多个基板的处理。
另外，在执行柔性模式作为基本运送模式时，在处理的基板张数较多的情况下，可通过切换成预先固定分配运送源和运送目的地的运送模式，而将各基板的运送路径固定成较短路径，可抑制处理量降低。
根据本发明，可得到如下的基板处理***和基板处理方法，所述基板处理***具备多个模块，所述模块在多个工序范围内，对多个基板进行单张式处理，并且在连续的处理工序中分别进行处理，可容易确定在基板上产生不良部位时成为原因的有问题的处理装置，并且在基板的处理张数较多的情况下，可抑制处理量的降低。
附图说明
图1是使用本发明的基板处理***及基板处理方法的抗蚀剂图形形成装置的俯视图。
图2是使用本发明的基板处理***及基板处理方法的抗蚀剂图形形成装置的概略立体图。
图3是使用本发明的基板处理***及基板处理方法的抗蚀剂图形形成装置的概略立体图。
图4是表示图1至图3的抗蚀剂图形形成装置所具有的COT层的隔板组件的构成和涂敷组件之间的配置关系的图。
图5是示意性表示隔板模块构成的图。
图6是表示控制部的存储机构的构成例的框图。
图7是表示运送模块的选择动作的流程图。
图8是柔性模式中的运送源和运送目的地的模块分配的例子。
图9是固定分配模式中的运送源和运送目的地的模块分配的例子。
图10是表示以往的抗蚀剂图形形成装置的整体构成的俯视图。
具体实施方式
下面，基于附图，说明本发明的实施方式。图1至图3是表示使用本发明的基板处理***及基板处理方法的抗蚀剂图形形成装置的整体构成的图，图1是COT层处理部的俯视图，图2是概略立体图，图3是概略侧视图。
该抗蚀剂图形形成装置100如图2所示，具备：用于运入运出密闭收纳有多片作为基板的晶片W的承载体20的承载区S1；纵向排列多个例如5个单位区B1～B5构成的处理区S2；接口区S3和曝光装置S4。
在上述承载区S1上，设置有：可以载置多个上述承载体20的载置台21；从该载置台21看设在前方壁面上的开闭部22；和用于经由开闭部22将晶片W从承载体20取出的作为运送机构的传送臂C。该传送臂C构成为，进退自如、升降自如、绕铅直轴旋转自如、在承载体20的排列方向移动自如，以便在后述的处理区S2的交接台TRS1、TRS2、TRS-F等之间进行晶片W的交接。
在承载区S1的里侧连接有被筐体24包围周围的处理区S2。处理区S2在该例中如图2、图3所示，下层侧的2层为用于进行显影处理的第1和第2单元区((DEV层)B1、B2。作为涂敷膜形成用的单位区，分配有：用于进行在抗蚀剂膜的上层侧形成的反射防止膜的形成处理的第3单位区(TCT层)B3；用于进行抗蚀剂液的涂敷处理的第4单位区(COT层)B4；和用于进行形成在抗蚀剂膜的下层侧的反射防止膜的形成处理的第5单位区(BCT层)B5。
进而，关于处理区S2的第1～第5单位区B1～B5的构成进行说明。这些各单位区B1～B5具备：用于对晶片W涂敷药液的液体处理组件；用于进行在上述液体处理组件中进行的处理的前处理和后处理的各种加热。冷却类的处理组件；和作为用于在上述液体处理组件和加热·冷却类的处理组件之间进行晶片W的交接的专用运送机构的主臂部A1～A5。
这些单位区B1～B5，在该例中大致以同样的布局构成，所以以图1所示的COT层B4为例进行说明。在该COT层B4的大致中央，沿图中Y轴方向，形成用于连接承载区S1和接口区S3的晶片W的运送区域R1。
在从该运送区域R1的承载区S1侧观察的两侧，在从近前侧(承载区S1侧)朝向内侧的右侧，设置有具备用于进行抗蚀剂的涂敷处理的多个(例如3个)涂敷模块的涂敷组件31作为上述液体处理组件。在涂敷组件31的里侧，设置有作成退避用的第1基板收容部的收容组件4D。该收容组件4D设置有用于收容与该单位区B4中的晶片W的收容片数对应片数晶片的多个载置台。
另外，在从COT层的近前侧朝向内侧的左侧，依次设置有将加热·冷却类组件多层化的5个搁板组件U1～U5，多层例如2层层叠用于进行在涂敷组件31中进行的处理的前处理和后处理的各种组件。这样，上述运送区域R1被划分，通过例如向该划分的运送区域R1喷出清洁空气进行排气，来抑制该区域内的微粒的浮游。
用于进行上述前处理和后处理的各种组件中，例如如图4的立体图所示，包括用于在抗蚀剂的涂敷前将晶片W调整成规定的温度的冷却组件(COL4)、用于在抗蚀剂涂敷后进行晶片W的加热处理的被称为预烘焙组件等的加热组件(CHP4)、用于选择性地只对晶片W周缘部进行曝光的周缘曝光组件(WEE)等。
这些冷却组件(COL4)和加热组件(CHP4)等各处理模块分别收纳在处理容器51内，搁板组件U1～U5构成为上述处理容器51分别层叠为2层，在各处理容器51的朝向运送区域R1的表面上形成晶片运入运出口52。
另外，COT层以外的搁板组件的模块构成例如如图5所示。图5是从运送区域R1一侧观察搁板组件U1～U5的图。如图所示，TCT层B 3的构成与COT层B4的构成一样，BCT层B5也大致与COT层的构成一样。另外，在DEV层B1、B2中，具备对曝光后的晶片W进行加热处理的称为曝光后烘焙组件等的加热组件(PEB1、PEB2)；用于在该加热组件(PEB1、PEB2)中的处理后将晶片W调节至规定温度的冷却组件(COL1、COL2)；和为了蒸发显影处理后的晶片W的水分而进行加热处理的称为后烘焙组件等的加热组件(POST1、POST2)等。
在此，作为加热组件(CHP 3～5、POST1、2和PEB1、2)，例如如图1所示，具备加热板53、和兼用作运送臂的冷却板54。即，可在一个组件中进行加热处理和冷却处理，例如，在COT层B4中，冷却板54构成为，在进行在主臂部A4和加热板53之间的晶片W的交接。另外，作为冷却组件(COL1～5)，使用例如具有水冷方式的冷却板的构成的装置。
此外，图5所示的构成为表示这些处理组件的布局的一个例子的构成，该布局比较方便，处理组件不限于加热组件(CHP、PEB、POST)、冷却组件(COL)、和周缘曝光装置(WEE)。也可以设置为提高抗蚀剂液和晶片W的密贴性而在HMDS气氛中对涂敷膜形成用的单位区B 3～B5的任意一个进行气体处理的疏水化处理组件(ADH)。在实际的装置中，考虑各处理组件的处理时间等来确定组件的设置数量。
另外，在COT层中，在上述运送区域R1上，如上述那样设置主臂部A4。该主臂部A4构成为在该COT层B4内的全部模块(放置晶片W的位置)，例如在搁板组件U1～U5的各处理组件、涂敷组件31、收容组件4D、后述的搁板组件U6和搁板组件U7各部分之间进行晶片的交接，因此构成为进退自如、升降自如、绕铅直轴旋转自如、沿Y轴方向移动自如。
具体地说，如图4所示，主臂部A4具备用于支承晶片W的内面侧周缘区域的2个臂部101、102，这些臂部101、102相互独立地构成为沿基台103进退自如。
再者，该基台103构成为借助旋转机构104绕铅直轴旋转自如，并且借助移动机构105沿Y轴轨道107在Y轴方向移动自如，并且沿升降轨道108升降自如，所述Y轴轨道107安装在支承搁板组件U1～U5的台部106朝向运送区域的表面上。这样，臂部101、102构成为进退自如，沿Y轴方向移动自如，升降自如，绕铅直轴旋转自如，并可以在搁板组件U1～U7的各交接台TRS1～TRS10、液体处理组件、收容组件4之间进行晶片W的交接。
再者，运送区域R1与承载区S1邻接的区域，成为第1晶片交接区域R2。在该区域R2中，如图1和图3所示，在传送臂C和主臂部A1可以访问的位置设置搁板组件U6，并且，如图1所示，具备用于对该搁板组件U6进行晶片W的交接的第1交接臂D1。
上述搁板组件U6如图3所示，在该例中各单位区B1～B5，分别具备1个以上例如2个第1交接台TRS1～TRS5，以便在各单位区B1～B5的主臂部A1～A5之间进行晶片W的交接。再者上述第1交接臂D1构成为进退自如和升降自如，以便可以向各第1交接台TRS1～TRS5进行晶片W的交接。
再者，上述第1及第2单位区B1、B2的第1交接台TRS1～TRS2在该例中构成为在其与传送臂C之间以进行晶片W的交接。进而，在该例中，第2单位区B2具备例如2个第1交接台TRS-F，该交接台TRS-F可以设置在第1单位区B1上，也可以不另外设置该交接台TRS-F，在将晶片W从传送臂C运入处理区S2中时，使用第1交接台TRS1和TRS2进行。
进而，在运送区域R1与接口区S 3邻接的区域，成为第2晶片交接区域R 3，在该区域R3上，如图1和图3所示，在主臂部A4可以访问的位置设置搁板组件U7，并且，如图1所示，具有用于对该搁板组件U7进行晶片W的交接的第2交接臂D2。
在该例中，如图3所示，各单位区B1～B5具备1个以上、例如2个第2交接台TRS6～TRS10，以便使上述搁板组件U7在各单位区B1～B5的主臂部A1～A5之间进行晶片W的交接。第2交接臂D2构成为进退自如和升降自如，以便可以向各第2交接台TRS6～TRS10进行晶片W的交接。
这样，在本实施方式中构成为，在层叠了5层的各单位区B1～B5之间，由上述第1交接臂D1和第2交接臂D2，分别经由第1交接台TRS1～TRS5、TRS-F、第2交接台TRS6～TRS10，可以自由进行晶片W的交接。
另外，如图1及图2所示，在处理区S2中的搁板组件U7的内侧，经由接口区S3连接有曝光装置S4。在接口区S3中，具备用于向处理区S2的搁板组件U7和曝光装置S4进行晶片W的交接的接口臂B。该接口臂B，成为夹在处理区S2和曝光装置S4之间的晶片W的运送机构，在该例中，如图3所示，构成为进退自如、升降自如、绕铅直轴旋转自如，以便向第1～第4单位区B1～B4的第2交接台TRS6～TRS 9进行晶片W的交接。另外，该接口臂B也可构成为，对所有单位区B1～B5的第2交接台TRS6～TRS10进行晶片W的交接。
接下来，以在抗蚀剂膜上下分别形成反射防止膜的情况为例说明该抗蚀剂图形形成装置100中的单张式处理的晶片W的路径。
首先，从外部向承载区S1运入承载体20，利用传送臂C把晶片W从该承载体20内取出。晶片W从传送臂C交接至搁板组件U6的第1交接台TRS-F，接着，为了把晶片W交接至BCT层B5，由第1交接臂D1经由搁板组件U6的第1交接台TRS5交接至BCT层B5的主臂部A5。然后在BCT层B5中，由主臂部A5，以冷却组件(COL5)→第1反射防止膜形成组件(未图示)→加热组件(CHP 5)→搁板组件U7的第2交接台TRS10的顺序进行运送，而形成有第1反射防止膜。
接下来，为了把晶片W交接至COT层B4，由第2交接臂D2将第2交接台TRS 10的晶片W运送至搁板组件U7的第2交接台TRS 9，接下来，交接至该COT层B4的主臂部A4。另外，在COT层B4中，由主臂部A4，以冷却组件COL4→涂敷组件31→加热组件CHP4→搁板组件U6的第1交接台TRS4的顺序运送晶片W，在第1反射防止膜的上层形成抗蚀剂膜。
然后，为了把晶片W交接至TCT层B3，由第1交接臂D1将第1交接台TRS4的晶片W运送至第1交接台TRS3，然后交接至该TCT层B3的主臂部A3。另外，在TCT层B3中，由主臂部A3，以冷却组件(COL3)→第2反射防止膜形成组件(未图示)→加热组件(CHP3)→周缘曝光装置(WEE)→搁板组件U7的第2交接台TRS8的顺序运送晶片W，并在抗蚀剂膜的上层形成第2反射防止膜。接下来由接口臂B把第2交接台TRS8的晶片W运送至曝光装置S4，并在这里进行规定的曝光处理。
为了把晶片W交接至DEV层B1(DEV层B2)，曝光处理后的晶片W，由接口臂B运送至搁板组件U7的第2交接台TRS6(或TRS7)，该交接台TRS6(或TRS7)上的晶片W被接受至DEV层B1(DEV层B2)的主臂部A1(主臂部A2)，在该DEV层B1(DEV层B2)中，首先以加热组件(PEB1(PEB2))→冷却组件(COL1(COL2))→显影组件(未图示)→加热组件(POST1(POST2))的顺序运送，进行规定的显影处理。为了把晶片W交接至传送臂C，这样进行了显影处理的晶片W，被运送至搁板组件U6的第1交接台TRS1(TRS2)，并借助传送臂C返回至载置在承载区S1上的原来的承载体20。
接下来，对该抗蚀剂图形形成装置100的运送控制进行说明。如图1所示，该抗蚀剂图形形成装置100所具有的运送臂(基板运送机构)、即例如第1交接臂D1、第2交接臂D2、主臂部A4、传送臂C、交接臂B等的动作被由计算机构成的控制部6(控制机构)控制。
控制部6中，如图6的框图所示，在其存储机构6A中，存储有例如运送计划主程序61、和固定分配信息62。再次，所谓运送计划主程序61对抗蚀剂图形形成装置100具有的运送臂进行控制，是用于实施晶片运送的程序，以哪种处理顺序进行运送，取决于从外部输入的运送方法。
进而，该搬运计划主程序61采用柔性模式作为运送源和运送目的地的模块分配方法的基本模式。所谓柔性模式是在连续的处理工序中具有多个进行各工序处理的模块时，将在运送源的模块中的处理结束后的晶片W优先运送至运送目的地空的模块中的运送模式。即，根据该模式，由于缩短运送的待机时间，所以在晶片的处理片数不是很大的情况下，可以实现处理量的提高。
另外，固定分配信息62是由从外部输入的上述运送方法信息、和各模块的配置信息形成的信息，是在规定的条件下预先固定分配与运送源的模块对应的运送目的地的模块的信息。
具体地说，在从涂敷模块向加热模块运送中，若涂敷模块为3个，加热模块为6个，则上述固定分配信息62中预先相对于各涂敷模块固定分配例如2个加热模块。作为分配条件，优选地以运送距离更短的对策进行分配。其结果，晶片W从各涂敷模块运送至分配的2个加热模块中的任何一个。
另外，在本例中，对1个涂敷模块分配2个加热模块，而与运送源和远送目的地的各模块数对应地决定各对应的模块数的比率。
另外，该固定分配信息62在运送计划为固定分配模式时使用。即，所谓固定分配模式是在规定的条件下预先固定分配与一个或多个运送源模块对应的一个或多个运送目的地模块的模式。
在执行该固定分配模式时，通过从外部向控制部6输入模式切换指令，而使固定分配信息62和运送计划主程序链接，切换成柔性模式并执行。
再次，进而对具体的运送源和运送目的地的模块分配的例子进行说明。在本实施方式中，在COT层B4中，涂敷组件31具有例如3个涂敷模块，搁板组件U1～U5具有6个加热组件(加热模块)CHP4。在涂敷组件31的某个模块中实施了涂敷处理的晶片W通过主臂部A4运送至某个加热组件CHP4的模块中。以该情况的运送源和运送目的地的模块分配为例，基于图7至图9进行说明。图7是表示运送模式的选择动作的流程图，图8是柔性模式中的运送源和运送目的地的模块分配的例子，图9是固定分配模式中的运送源和运送目的地的模块分配的例子。
另外，在此，如图8、图9所示，涂敷组件31搭载3个涂敷处理模块SP1～SP3，加热组件CHP4搭载6个加热处理模块CHP4A～CHP4F。另外，处理的晶片片数为21片，图8、图9中，为了方便，以运送至涂敷组件31上的顺序对晶片W进行编号。
首先，控制部6读入决定关于各晶片W的处理工序的顺序等的运送方法信息(图7的步骤S 1)，进而读入模块配置信息(图7的步骤S2)。所谓模块配置信息，是表示各模块设置在哪个位置的信息，在本例中，是涂敷组件31的涂敷模块SP1～SP3的各配置信息、和加热组件CHP4A～CHPAF的各配置信息。
控制部6基于在步骤S1、S2中读入的信息，生成固定分配信息62(图7的步骤S3)。所谓该固定分配信息62是预先固定分配运送源的涂敷模块SP1～SP3和运送目的地的加热组件(加热模式)CHP4A～CHPAF的对应情况的信息。
接着，控制部6基于在步骤S1中读入的运送方法，执行运送计划主程序61，通过作为基本模式的柔性模式，使晶片的运送开始(图7的步骤S4)。在执行该柔性模式时，例如如图8所示，在涂敷组件31的模块SP1～SP3中，按实施了涂敷处理的顺序，进行晶片W向热处理组件CHP4的运送，而此时，优先运送至CHP4A～CHPAF中不工作的模块中运送用的移动路径更短的模块中。
若在运送计划主程序61的执行中，输入运送计划的模式切换指令(图7的步骤S5)，则程序将运送计划从柔性模式切换成固定分配模式，继续执行基板运送(图7的步骤S6)。在基于上述固定分配信息62执行该固定分配模式时，例如如图9所示，一定将SP1中处理了的晶片W运送至CHP4A，将在SP2中处理了的晶片运送至CHP4C和CHP4D，将在SP3中处理了的晶片运送至CHP4E和CHP4F。
另一方面，若在步骤S5中，没有输入模式切换指令，所有的晶片运送结束(图7的步骤S7)，则使运送作业结束。
另外，上述步骤S5中的运送计划的模式切换指令，例如在检测出由于涂敷处理而引起的晶片上的不良部位(膜厚异常等)时，将该情况作为脉冲输入。这由于容易确定出成为其问题的原因的涂敷模块。即，在柔性模式中，很难确定加热处理后的晶片W是从SP1～SP3中的哪个涂敷模块运送来的，而通过由于切换成固定分配模式，固定晶体W的运送路径，所以可容易确定成为不良品产生原因的涂敷模块。
另外，在步骤S7中所有的晶片运送没有结束期间，再次输入模式切换指令，也能返回柔性模式。即，若通过固定分配模式确定具有问题的涂敷模块，则通过只使该模块停止工作，使用其余涂敷模块，便能以柔性模式继续处理。
另外，在柔性模式中，在处理的基板的数目较大的情况下，可能存在由基板导致运送路径变长、相反处理量下降的问题，而通过切换成固定分配模式，可将各基板的运送路径固定成较短的路径，可抑制处理量降低。
如上所述，根据本实施方式，通过采用可在下述模式之间切换的结构，即在优先向空模块中运送路径较短的模块运送的柔性模式、和预先固定地分配与运送源地模块对应的运送目的地的模块的固定分配模式之间切换的结构，在模块产生问题时，通过固定分配模式，可容易确定该模块，进而，可切换成柔性模式继续处理。
另外，在柔性模式中处理的晶片的数目较大时，通过切换成固定分配模式，而将运送路径固定为较小的路径，可抑制处理量降低。
另外，在上述实施方式中，对将基本模式设为柔性模式的情况进行了说明，但是也可将基板模式设成固定分配模式。
另外，在上述实施方式中，以涂敷模块31和加热组件CHP4之间的运送计划为例进行了说明，但本发明的基板处理方法并不限于该例，也可用于其他处理模块键的运送计划。
另外，在上述实施方式中，作为被处理基板以半导体晶片为例，但本发明的基板并不限于半导体晶片，可以是LCD基板、CD基板、玻璃基板、光掩膜、印刷基板等。
本发明可用于处理半导体晶片等基板的抗蚀剂图形形成装置等，可优选地用于半导体制造业、电子显示屏制造业等。
Claims (2)
1.一种基板处理***，具备多个模块，所述模块在多个工序范围内，对多个基板进行单张式处理，并且在连续的处理工序中分别进行处理，其特征在于，
该基板处理***包括：
基板运送机构，将所述基板从运送源的模块运送至运送目的地的模块；和
控制机构，基于规定运送源和运送目的地的模块分配方法的至少两个运送模式中的某一种，控制所述基板运送机构；
其中，所述控制机构在所述基板的处理工序中，接受所述运送模式的切换指令后，从执行中的运送模式切换成其他运送模式，基于切换后的运送模式，使所述基板运送机构运送基板；
所述至少两个运送模式包括：
固定分配模式，其是在规定条件下预先固定分配与一个或多个运送源的模块对应的一个或多个运送目的地的模块的模式；和
柔性模式，其是从空的运送目的地的模块中以优先运送为目的进行分配的模式；
分配所述运送目的地的模块时的所述规定条件之一是所述运送目的地的模块为从运送源的模块运送的运送距离更短的模块；
所述运送源的模块是对所述基板进行抗蚀剂涂敷处理的涂敷模块；
所述运送目的地的模块是对已经进行抗蚀剂涂敷处理的所述基板进行热处理的热处理模块；
所述运送模式的切换指令，在检测出所述柔性模式中运送、处理的基板上的不良部位时，为了确定出进行不良处理的模块，将该情况作为脉冲输入，使运送模式切换成所述固定分配模式。
2.一种基板处理方法，在基板处理***中执行，所述基板处理***具备多个模块，所述模块在多个工序范围内，对多个基板进行单张式处理，并且在连续的处理工序中分别进行处理，其特征在于，
执行下述两个步骤：
基于规定运送源和运送目的地的模块分配方法的至少两个运送模式中的某一种，运送所述基板；和
在所述基板的处理工序中，接受所述运送模式的切换指令后，从执行中的运送模式切换成其他运送模式，基于切换后的运送模式，运送基板；
所述至少两个运送模式包括：
固定分配模式，其是在规定条件下预先固定分配与一个或多个运送源的模块对应的一个或多个运送目的地的模块的模式；
柔性模式，其是从空的运送目的地的模块中以优先运送为目的进行分配的模式；
分配所述运送目的地的模块时的所述规定条件之一是所述运送目的地的模块为从运送源的模块运送的运送距离更短的模块；
所述运送源的模块是对所述基板进行抗蚀剂涂敷处理的涂敷模块；
所述运送目的地的模块是对已经进行抗蚀剂涂敷处理的所述基板进行热处理的热处理模块；
所述运送模式的切换指令，在检测出所述柔性模式中运送、处理的基板上的不良部位时，为了确定出进行不良处理的模块，将该情况作为脉冲输入，使运送模式切换成所述固定分配模式。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005-166939 | 2005-06-07 | ||
| JP2005166939 | 2005-06-07 | ||
| JP2005166939A JP4716362B2 (ja) | 2005-06-07 | 2005-06-07 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1877451A CN1877451A (zh) | 2006-12-13 |
| CN1877451B true CN1877451B (zh) | 2011-05-25 |
Family
ID=37494719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200610091623XA Expired - Fee Related CN1877451B (zh) | 2005-06-07 | 2006-06-07 | 基板处理***及基板处理方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7645713B2 (zh) |
| JP (1) | JP4716362B2 (zh) |
| KR (1) | KR101092065B1 (zh) |
| CN (1) | CN1877451B (zh) |
| TW (1) | TWI305943B (zh) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4999415B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法 |
| TW200919117A (en) * | 2007-08-28 | 2009-05-01 | Tokyo Electron Ltd | Coating-developing apparatus, coating-developing method and storage medium |
| JP5458633B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2014-04-02 | 株式会社Ｉｈｉ | 処理設備及び搬送制御方法 |
| JP4954162B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2012-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
| JP5469015B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板搬送方法 |
| JP5713081B2 (ja) * | 2010-07-09 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置 |
| JP2012080077A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-04-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP5566265B2 (ja) * | 2010-11-09 | 2014-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板の搬送方法 |
| US9196551B2 (en) * | 2011-08-26 | 2015-11-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Automatically adjusting baking process for low-k dielectric material |
| JP5459279B2 (ja) * | 2011-09-02 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
| JP6105982B2 (ja) * | 2012-09-21 | 2017-03-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | スケジュール作成装置、基板処理装置、スケジュール作成プログラム、スケジュール作成方法、および基板処理方法 |
| JP6003859B2 (ja) * | 2013-09-18 | 2016-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
| SG11201804595XA (en) * | 2015-12-08 | 2018-06-28 | Murata Machinery Ltd | Conveyance system |
| JP7302358B2 (ja) * | 2019-01-28 | 2023-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN1456939A (zh) * | 2002-05-01 | 2003-11-19 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和基板处理装置 |
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| CN1574271A (zh) * | 2003-05-30 | 2005-02-02 | 东京毅力科创株式会社 | 基板运送装置和基板运送方法以及真空处理装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10112487A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-04-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2002110496A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
| JP4342147B2 (ja) * | 2002-05-01 | 2009-10-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP4087328B2 (ja) | 2002-11-28 | 2008-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法 |
| JP4202220B2 (ja) * | 2003-09-22 | 2008-12-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 検査装置、基板処理装置および基板処理方法 |
-
2005
- 2005-06-07 JP JP2005166939A patent/JP4716362B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-05-19 US US11/436,810 patent/US7645713B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-05 KR KR1020060050415A patent/KR101092065B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-06 TW TW095120073A patent/TWI305943B/zh active
- 2006-06-07 CN CN200610091623XA patent/CN1877451B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-11-18 US US12/621,252 patent/US7880859B2/en active Active
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| Title |
|---|
| JP特开2001-93791A 2001.04.06 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006344658A (ja) | 2006-12-21 |
| KR20060127795A (ko) | 2006-12-13 |
| US7645713B2 (en) | 2010-01-12 |
| US20100063623A1 (en) | 2010-03-11 |
| CN1877451A (zh) | 2006-12-13 |
| JP4716362B2 (ja) | 2011-07-06 |
| US20060276046A1 (en) | 2006-12-07 |
| TW200711027A (en) | 2007-03-16 |
| TWI305943B (en) | 2009-02-01 |
| US7880859B2 (en) | 2011-02-01 |
| KR101092065B1 (ko) | 2011-12-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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