JP2009231623A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】処理部における基板搬送を効率よく行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】塗布ブロックＢｃと現像ブロックＢｄとＩＦ部５とが隣接して設けられている。さらに、現像ブロックＢｄを経由せずに塗布ブロックＢｃからＩＦ部５へ基板Ｗを搬送する第１迂回ブロックＢｂ１を備えている。このように構成される装置では、現像ブロックＢｄを経由する基板Ｗを、ＩＦ部５から塗布ブロックＢｃ側へ移動する基板Ｗのみとすることができる。よって、現像ブロックＢｄにおける基板Ｗの搬送を効率よく行うことができる。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して一連の処理を行う基板処理装置に関する。
従来、この種の装置として、基板に塗布処理を行う塗布ブロックと、別体の露光機で露光された基板に現像処理を行う現像ブロックとが隣接して設けられた処理部を備える。露光機は、現像ブロックの塗布ブロックが隣接している側とは反対側に設置される。また、カセットなどを載置するインデクサ部は、塗布ブロックに隣接されている。この装置では、塗布ブロックで基板に処理を行い、この基板を露光機で露光し、露光後の基板を現像ブロックで現像する（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−３２４１３９号公報
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置では、一連の処理を基板に行うためにインデクサ部とインターフェイス部との間で基板を往復させる。この際、塗布ブロックおよび現像ブロックではそれぞれ基板が双方向に移動する。各ブロックに設けられた搬送機構は、両側から搬送されてくる基板をそれぞれ受け取るとともに、受け取った各基板を反対側へ払い出す。このように各ブロックの搬送機構の動作は複雑である。このため、搬送機構の構造や搬送機構の制御も複雑になり、搬送ロスが発生し易いという不都合がある。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理部における基板搬送を効率よく行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、基板に処理液を塗布する塗布処理を行う塗布ブロックと、前記塗布ブロックの一側面である背面に隣接して設けられ、基板を現像する現像処理を行う現像ブロックと、前記現像ブロックの前記塗布ブロックが隣接している側とは反対側に前記現像ブロックと隣接して設けられ、前記装置とは別体の露光機に対して基板を搬送するインターフェイス部と、前記現像ブロックを経由せずに前記塗布ブロックから前記インターフェイス部へ基板を搬送する第１迂回ブロックと、を備えていることを特徴とする。
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、第１迂回ブロックを備えているので、塗布ブロックからインターフェイス部への基板搬送を、現像ブロックを経由せず第１迂回ブロックが直接行うことができる。このため、現像ブロックを経由する基板は、インターフェイス部から塗布ブロック側（塗布ブロックまたは塗布ブロックが設けられている側）への一方向に移動する基板のみとすることができる。よって、現像ブロックにおける基板搬送を効率よく行うことができる。
本発明において、前記第１迂回ブロックは、前記塗布ブロックと前記インターフェイス部との間に、前記現像ブロックと並んで設けられていることが好ましい（請求項２）。第１迂回ブロックは、塗布ブロックの背面から基板を受け取ることができ、現像ブロックを挟んで塗布ブロックの背面と対向するインターフェイス部の面（前面）に対して基板を搬出することができる。このため、第１迂回ブロックの搬送距離を短く抑えることができ、第１迂回ブロックは基板の搬送を効率よく行うことができる。
本発明において、前記第１迂回ブロックは、前記現像ブロックの側方に配置されていることが好ましい（請求項３）。これによれば、現像ブロックの上方または下方に第１迂回ブロックが配置される場合に比べて、現像ブロックの高さの上限を大きくすることができる。
本発明において、前記現像ブロックに搬入される基板は、専ら前記インターフェイス部のみからであることが好ましい（請求項４）。現像ブロックで搬送する基板は全て一方（インターフェイス部）から搬入される基板であるため、現像ブロックにおける基板搬送を効率よく行うことができる。
本発明において、前記現像ブロックおよび前記第１迂回ブロックの各雰囲気は遮断されておらず、前記第１迂回ブロックは前記現像ブロックに対して開放されていることが好ましい（請求項５）。現像ブロックおよび第１迂回ブロックを含む構造を簡略化することができる。
本発明において、前記現像ブロックは、基板に現像液を供給する現像処理ユニットと、前記現像処理ユニットの側方に設けられ、前記インターフェイス部および前記現像処理ユニットに対して基板を搬送する現像用主搬送機構と、を備え、前記第１迂回ブロックは、専ら前記塗布ブロックおよび前記インターフェイス部のみに対して基板を搬送する第１迂回搬送機構を備えていることが好ましい（請求項６）。現像ブロックと第１迂回ブロックとを好適に構成することができる。
本発明において、前記現像用主搬送機構と前記第１迂回搬送機構とはそれぞれ前記塗布ブロックの背面に対向するように並んで設けられていることが好ましい（請求項７）。簡易な構成で第１迂回ブロックを構成することができる。また、現像用主搬送機構と第１迂回搬送機構とを直接隣り合うように並べる場合は、より構成を簡略化することができる。
本発明において、前記第１迂回搬送機構は、前記現像用主搬送機構の前記現像処理ユニットが設けられている側とは反対側に配置されていることが好ましい（請求項８）。現像用主搬送機構が現像処理ユニットに対して基板を搬送する際、第１迂回搬送機構が干渉するおそれがない。
本発明において、前記現像用主搬送機構および前記第１迂回搬送機構は、同じ空間に配備されていることが好ましい（請求項９）。構成を簡略化することができる。
本発明において、前記現像用主搬送機構が前記現像ブロックの外部に基板を払い出す位置と、前記第１迂回搬送機構が前記塗布ブロックから基板を受け取る位置とは、平面視で略同じであることが好ましい（請求項１０）。現像用主搬送機構による基板の搬送領域と第１迂回搬送機構による基板の搬送領域を平面視で重複させることで、本装置の設置面積を低減することができる。なお、外部とは、塗布ブロックでもよいし、平面視で塗布ブロックに積層されるその他のブロック（たとえば、後述する第２迂回ブロックなど）であってもよい。
本発明において、前記現像用主搬送機構が前記インターフェイス部から基板を受け取る位置と、前記第１迂回搬送機構が前記インターフェイス部に基板を受け渡す位置とは、互いに上下方向に近接していることが好ましい（請求項１１）。現像用主搬送機構による基板の搬送領域と第１迂回搬送機構による基板の搬送領域を平面視で重複させることで、本装置の設置面積を低減することができる。また、現像用主搬送機構および第１迂回搬送機構の両者と基板の受け渡しを行うインターフェイス部を、コンパクトに構成することができる。
本発明において、前記塗布ブロックは上下方向に並べられている複数の階層を備え、各階層はそれぞれ、基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットと、当該階層の塗布処理ユニットに対して基板を搬送する塗布用主搬送機構と、を有し、前記第１迂回搬送機構は少なくとも前記塗布用主搬送機構のいずれかとの間で基板の受け渡しを行うことが好ましい（請求項１２）。塗布ブロックは複数の塗布用主搬送機構を備えているので、塗布ブロックにおける基板搬送を効率よく行うことができる。
本発明において、前記第１迂回搬送機構は全ての塗布用主搬送機構との間で基板の受け渡しを行い、前記塗布用主搬送機構同士の間で基板を受け渡す際は、前記第１迂回搬送機構を介して行うことが好ましい（請求項１３）。塗布ブロックにおける塗布用主搬送機構同士の基板の受け渡しを第１迂回搬送機構が行うことで、比較的搬送負担の少ない第１迂回搬送機構の利用効率を高めることができる。
本発明において、前記塗布ブロックの背面とは反対側の側面である前面に隣接して設けられ、基板を収容するカセットに対して基板を搬送するとともに前記塗布ブロックに基板を搬送するインデクサ部と、前記塗布ブロックを経由せずに前記現像ブロックから前記インデクサ部へ基板を搬送する第２迂回ブロックと、を備えていることが好ましい（請求項１４）。請求項１４に記載の発明によれば、第２迂回ブロックを備えているので、インターフェイス部からインデクサ部への基板搬送を、塗布ブロックを経由せず第２迂回ブロックが直接行うことができる。このため、塗布ブロックを経由する基板は、インデクサ部からインターフェイス部への一方向に移動する基板のみとすることができる。よって、塗布ブロックにおける基板搬送を効率よく行うことができる。
本発明において、前記第２迂回ブロックは、前記インデクサ部と前記現像ブロックとの間に、前記塗布ブロックと並んで設けられていることが好ましい（請求項１５）。第２迂回ブロックは、インデクサ部の背面（塗布ブロックと隣接するインデクサ部の一側面）に対して基板を搬出することができ、現像ブロックの前面（塗布ブロックを挟んでインデクサ部の背面と対向する現像ブロックの面）から基板を受け取ることができる。このため、第２迂回ブロックの搬送距離を短く抑えることができ、第２迂回ブロックは基板の搬送を効率よく行うことができる。
本発明において、前記第２迂回ブロックは、前記塗布ブロックの上方または下方に配置されていることが好ましい（請求項１６）。第２迂回ブロックを備えることによって設置面積が増大することを抑制することができる。
本発明において、前記塗布ブロックに搬入される基板は専ら前記インデクサ部のみからであることが好ましい（請求項１７）。塗布ブロックで搬送する基板は全て一方（インデクサ部）から搬入される基板であるため、塗布ブロックにおける基板搬送を効率よく行うことができる。
本発明において、前記塗布ブロックおよび前記第２迂回ブロックの各雰囲気は遮断されていることが好ましい（請求項１８）。塗布ブロックおよび第２迂回ブロックの各雰囲気が相互に影響することがない。たとえば、一方で塵埃が生じてもその影響が他方に及ばない。
本発明において、前記第２迂回ブロックは、前記インデクサ部および前記現像ブロックのみに対して直接基板を搬送する第２迂回搬送機構を備えていることが好ましい（請求項１９）。第２迂回ブロックを簡易に構成することができる。
本発明において、前記第２迂回搬送機構は、前記塗布用主搬送機構の上方または下方に配置されていることが好ましい（請求項２０）。塗布ブロックは、上下方向に並ぶ複数の階層ごとに塗布用主搬送機構を有している。これら各塗布用主搬送機構と並んで第２迂回搬送機構が設けられているので、装置構成が複雑になることを避けることができる。
本発明において、前記インデクサ部と前記塗布ブロックとの間で基板の受け渡しが行われる位置と、前記インデクサ部と前記第２迂回搬送機構との間で基板の受け渡しが行われる位置とは近接していることが好ましい（請求項２１）。塗布ブロックと第２迂回搬送機構の双方と基板の受け渡しを行うインデクサ部を、コンパクトに構成することができる。
本発明において、前記現像用主搬送機構と前記第１迂回搬送機構とを制御して、前記インターフェイス部への基板搬送は前記第１迂回搬送機構によって行い、前記インターフェイス部から払い出される基板は現像用主搬送機構によって受け取らせる制御部を備えていることが好ましい（請求項２２）。現像用主搬送機構および第１迂回搬送機構がそれぞれ現像ブロックおよび第１迂回ブロックの外部から基板を受け取る動作が一様であるため、制御部による制御を簡易にすることができる。
本発明において、前記塗布用主搬送機構と前記第２迂回搬送機構とを制御して、前記インデクサ部から搬送される基板は前記塗布用主搬送機構によって受け取らせ、前記インデクサ部への基板搬送は前記第２迂回搬送機構によって行わせる制御部を備えていることが好ましい（請求項２３）。塗布用主搬送機構および第２迂回搬送機構がそれぞれ塗布ブロックおよび第２迂回ブロックの外部から基板を受け取る動作が一様であるため、制御部による制御を簡易にすることができる。
また、請求項２４に記載の発明は、基板を収容するカセットに対して基板を搬送するインデクサ部と、前記インデクサ部の側方に隣接して設けられ、基板に処理液を塗布する塗布処理を行う塗布ブロックと、前記塗布ブロックの前記インデクサ部が隣接している側とは反対側に前記塗布ブロックと隣接して設けられ、基板を現像する現像処理を行う現像ブロックと、前記塗布ブロックを経由せずに前記現像ブロックから前記インデクサ部へ基板を搬送する第２迂回ブロックと、を備えていることを特徴とする。
［作用・効果］請求項２４に記載の発明によれば、第２迂回ブロックを備えているので、インターフェイス部からインデクサ部への基板搬送を、塗布ブロックを経由せず第２迂回ブロックが直接行うことができる。このため、塗布ブロックを経由する基板は、インデクサ部からインターフェイス部への一方向に移動する基板のみとすることができる。よって、塗布ブロックにおける基板搬送を効率よく行うことができる。
本発明において、前記第２迂回ブロックは、前記インデクサ部と前記現像ブロックとの間に、前記塗布ブロックと並んで設けられていることが好ましい（請求項２５）。第２迂回ブロックは、インデクサ部の背面（塗布ブロックと隣接するインデクサ部の一側面）に対して基板を搬出することができ、現像ブロックの前面（塗布ブロックを挟んでインデクサ部の背面と対向する現像ブロックの面）から基板を受け取ることができる。このため、第２迂回ブロックの搬送距離を短く抑えることができ、第２迂回ブロックは基板の搬送を効率よく行うことができる。
本発明において、前記第２迂回ブロックは前記塗布ブロックの上方または下方に配置されていることが好ましい（請求項２６）。第２迂回ブロックを備えることによって設置面積が増大することを抑制することができる。
本発明において、前記塗布ブロックに搬入される基板は専ら前記インデクサ部のみからであることが好ましい（請求項２７）。塗布ブロックで搬送する基板は全て一方（インデクサ部）から搬入される基板であるため、塗布ブロックにおける基板搬送を効率よく行うことができる。
本発明において、前記塗布ブロックと前記第２迂回ブロックとの間には雰囲気を遮断する遮断部材が設けられていることが好ましい（請求項２８）。塗布ブロックおよび第２迂回ブロックの各雰囲気が相互に影響することがない。たとえば、一方で塵埃が生じてもその影響が他方に及ばない。
本発明において、前記第２迂回ブロックは、前記インデクサ部および前記現像ブロックに対して直接基板を搬送する第２迂回搬送機構を備えていることが好ましい（請求項２９）。第２迂回ブロックを簡易に構成することができる。
本発明において、前記第２迂回搬送機構は、前記塗布用主搬送機構の上方または下方に配置されていることが好ましい（請求項３０）。塗布ブロックは、上下方向に並ぶ複数の階層ごとに塗布用主搬送機構を有している。これら各塗布用主搬送機構が並ぶ方向に第２迂回搬送機構が設けられているので、装置構成が複雑になることを避けることができる。
本発明において、前記インデクサ部と前記塗布ブロックとの間で基板の受け渡しが行われる位置と、前記インデクサ部と前記第２迂回搬送機構との間で基板の受け渡しが行われる位置とは近接していることが好ましい（請求項３１）。塗布ブロックと第２迂回搬送機構の双方と基板の受け渡しを行うインデクサ部を、コンパクトに構成することができる。
本発明において、前記塗布ブロックは上下方向に並べられている複数の階層を備え、各階層はそれぞれ、基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットと、当該階層の塗布処理ユニットに対して基板を搬送する塗布用主搬送機構と、を有し、前記インデクサ部は、前記塗布用主搬送機構のうち、前記第２迂回搬送機構の最も近くに配置されている塗布用主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うことが好ましい（請求項３２）。塗布ブロックは複数の塗布用主搬送機構を備えているので、塗布ブロックにおける基板搬送を効率よく行うことができる。また、塗布用主搬送機構および第２迂回搬送機構との間でインデクサ部が基板を受け渡す各位置を近接させることができる。
本発明において、前記塗布用主搬送機構と前記第２迂回搬送機構とを制御して、前記インデクサ部から搬送される基板は前記塗布用主搬送機構によって受け取らせ、前記インデクサ部への基板搬送は前記第２迂回搬送機構によって行わせる制御部を備えていることが好ましい（請求項３３）。塗布用主搬送機構および第２迂回搬送機構がそれぞれ塗布ブロックおよび第２迂回ブロックの外部から基板を受け取る動作が一様であるため、制御部による制御を簡易にすることができる。
なお、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示している。
（１）請求項１から請求項２４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第１迂回ブロックは、さらに前記インターフェイス部から前記塗布ブロックへ前記現像ブロックを経由せずに基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。
前記（１）に記載の基板処理装置によれば、基板の搬送経路を自由に選択・変更することができる。
（２）請求項１から請求項２４のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第１迂回ブロックは露光前の基板を搬送し、前記現像ブロックには露光後の基板のみが搬入されることを特徴とする基板処理装置。
前記（２）に記載の基板処理装置によれば、基板を好適に管理することができる。ここで、露光前の基板とは、露光前の処理、たとえば、レジスト膜材料を塗布する処理などが行われた基板を意味する。ここで、露光後の基板とは、露光が行われた基板と、露光および露光後の処理、たとえば、現像処理などが行われた基板の双方を含む。
（３）請求項１に記載の基板処理装置において、前記第１迂回ブロックは、前記インターフェイス部と隣接し、前記塗布ブロックおよび前記現像ブロックと並んで設けられていることを特徴とする基板処理装置。
前記（３）に記載の基板処理装置によれば、第１迂回ブロックは、塗布ブロックの背面以外から払い出される基板を受け取ってインターフェイス部へ直接搬送することができる。
（４）前記（３）に記載の基板処理装置において、前記第１迂回ブロックは、前記塗布ブロックの背面とは反対側の側面である前面から払い出された基板を前記インターフェイス部へ搬送することを特徴とする基板処理装置。
前記（４）に記載の基板処理装置によれば、第１迂回ブロックは、塗布ブロックの前面から払い出される基板を受け取ってインターフェイス部へ直接搬送することができる。
（５）請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第１迂回搬送機構は、前記現像用主搬送機構の上方または下方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
前記（５）に記載の基板処理装置によれば、設置面積の増大を抑制することができる。
（６）請求項１０に記載の基板処理装置において、前記現像用主搬送機構が基板を払い出す前記現像ブロックの外部は、前記塗布ブロックであることを特徴とする基板処理装置。
（７）請求項１２または請求項１３に記載の基板処理装置において、前記第１迂回搬送機構と前記塗布用主搬送機構との間の基板の受け渡しは、基板を載置する載置部を介して行うことを特徴とする基板処理装置。
前記（７）に記載の基板処理装置によれば、基板を好適に受け渡すことができる。
（８）前記（７）に記載の基板処理装置において、各載置部は前記塗布ブロックの背面側に互いに上下方向に並べて配置されていることを特徴とする基板処理装置。
前記（８）に記載の基板処理装置によれば、現像用主搬送機構による基板の搬送領域と第１迂回搬送機構による基板の搬送領域を平面視で重複させることができる。
（９）請求項１２から請求項２１および請求項２３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記塗布処理ユニットは、塗布する処理液の種類に応じて複数種に分けられ、各階層には、それぞれ同種の塗布処理ユニットが設けられ、前記塗布ブロックでは、基板を２以上の階層に順次搬送して前記塗布処理を行い、最後に基板が搬送される階層の塗布用主搬送機構は、当該階層における処理が行われた基板を前記第１迂回搬送機構へ受け渡すことを特徴とする基板処理装置。
前記（９）に記載の基板処理装置によれば、各階層の塗布処理ユニット間で基板の処理品質を精度よく均一にすることができる。
（１０）請求項１２から請求項２１、請求項２３、請求項３２および請求項３３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記塗布処理ユニットは、レジスト膜材料を基板に塗布する複数のレジスト膜用塗布処理ユニットと、反射防止膜用の処理液を基板に塗布する複数の反射防止膜用塗布処理ユニットと、を含むことを特徴とする基板処理装置。
（１１）請求項１４、請求項１５および請求項２４から請求項２９のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第２迂回ブロックは前記塗布ブロックの側方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
前記（１１）に記載の基板処理装置によれば、塗布ブロックの高さの上限値を大きくすることができる。
（１２）請求項１４から請求項１８および請求項２４から請求項３３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第２迂回ブロックは、さらに前記インデクサ部から前記現像ブロックへ前記塗布ブロックを経由せずに基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。
前記（１２）に記載の基板処理装置によれば、基板の搬送経路を自由に選択・変更することができる。
（１３）請求項１４から請求項１８および請求項２４から請求項３３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第２迂回ブロックは露光後の基板を搬送し、前記塗布ブロックには露光前の基板のみが搬入されることを特徴とする基板処理装置。
前記（１３）に記載の基板処理装置によれば、基板を好適に管理することができる。
この発明に係る基板処理装置によれば、第１迂回ブロックを備えているので、塗布ブロックからインターフェイス部への基板搬送を、現像ブロックを経由せず第１迂回ブロックが直接行うことができる。このため、現像ブロックを経由する基板は、インターフェイス部から塗布ブロック側（塗布ブロックまたは塗布ブロックが設けられている側）への一方向に移動する基板のみとすることができる。よって、現像ブロックにおける基板搬送を効率よく行うことができる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例１を説明する。
図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図２と図３は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図４と図５は、図１におけるａ−ａ矢視、ｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。
実施例１は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗにレジスト膜等を形成するとともに露光された基板Ｗを現像する基板処理装置である。本装置は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と記載する）１と処理部３とインターフェイス部（以下、「ＩＦ部」と記載する）５とを備えている。ＩＤ部１、処理部３およびＩＦ部５はこの順番に略水平一方向に並べられ、互いに隣接して設置されている。本装置はさらに、各所に配置される載置部Ｐなどを備えている。また、本装置とは別体の外部装置である露光機ＥＸＰがＩＦ部５に隣接して設けられる。
ＩＤ部１は基板Ｗを収容するカセットＣに対して基板Ｗを搬送するとともに処理部３に基板Ｗを搬送する。
処理部３は、基板Ｗに処理液を塗布する塗布処理と、基板Ｗを現像する現像処理を行う。処理部３は、塗布ブロックＢｃと現像ブロックＢｄと第１迂回ブロックＢｂ１と第２迂回ブロックＢｂ２とを有する。塗布ブロックＢｃは塗布処理を行う。現像ブロックＢｄは基板Ｗに現像処理を行う。第１迂回ブロックＢｂ１は、現像ブロックＢｄを経由せずに塗布ブロックＢｃからＩＦ部５へ基板Ｗを搬送する。第２迂回ブロックＢｂ２は、塗布ブロックＢｃを経由せずに現像ブロックＢｄからＩＤ部１へ基板Ｗを搬送する。
第２迂回ブロックＢｂ２は、塗布ブロックＢｃの下方に配置されている。第２迂回ブロックＢｂ２は平面視で塗布ブロックＢｃと略同じ形状を呈している。これら第２迂回ブロックＢｂ２および塗布ブロックＢｃはそれぞれ、ＩＤ部１の一側面（以下、適宜「背面」と呼ぶ）に隣接して配置されている。ＩＤ部１の背面と隣接する塗布ブロックＢｃの各側面をそれぞれ「塗布ブロックＢｃの前面」と呼ぶ。
現像ブロックＢｄは塗布ブロックＢｃの背面に隣接して配置されている。塗布ブロックＢｃと隣接する現像ブロックＢｄの一側面（前面）は、第２迂回ブロックＢｂ２にも隣接している。このように第２迂回ブロックＢｂ２は、ＩＤ部１と現像ブロックＢｄとの間に、塗布ブロックＢｃと並んで設けられる。
現像ブロックＢｄの塗布ブロックＢｃが隣接している側とは反対側には、ＩＦ部５が隣接している。第１迂回ブロックＢｂ１は、塗布ブロックＢｃとＩＦ部５との間に、現像ブロックＢｄと並んで設けられている。本実施例では、第１迂回ブロックＢｂ１は現像ブロックＢｄの側方に配置されている。第１迂回ブロックＢｂ１は塗布ブロックＢｃおよびＩＦ部５と隣接している。
ＩＦ部５は本装置とは別体の露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを搬送する。露光機ＥＸＰは基板Ｗを露光する。以下、ＩＤ部１、処理部３、ＩＦ部５などについてそれぞれ説明する。
［ＩＤ部１］
ＩＤ部１はカセット載置台９とＩＤ用搬送機構ＴＩＤを備えている。カセット載置台９は複数（例えば４個）のカセットＣを１列に並べて載置可能である。各カセットＣは複数枚の基板Ｗを略水平姿勢で上下方向に並べて収容する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、各カセットＣに対して基板Ｗを搬送するとともに、塗布ブロックＢｃに対して基板Ｗを搬送する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、カセット載置台９の側方をカセットＣの並び方向に水平移動する可動台２１と、可動台２１に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸２３と、この昇降軸２３に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム２５とを備えている。
［塗布ブロックＢｃ］
塗布ブロックＢｃは、上下方向に並べられている複数（３層）の階層Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３を備えている。各階層Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３は、基板Ｗに処理液を塗布する塗布処理ユニット３１と、当該階層Ｋに設けられる塗布処理ユニット３１に対して基板Ｗを搬送する塗布用主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３と、をそれぞれ有している。なお、階層Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３はそれぞれ、塗布ブロックＢｃの下段、中段および上段の配置されている。以下では、塗布用主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３を特に区別しないときは、単に「塗布用主搬送機構Ｔ」と記載する。また、階層Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３を特に区別しないときは、単に「階層Ｋ」と記載する。
塗布ブロックＢｃは塗布処理ユニット３１を、塗布する処理液の種類ごとにそれぞれ複数有している。処理液の種類としては、レジスト膜材料や、反射防止膜用の処理液などが例示される。さらに、反射防止膜用の処理液については、レジスト膜の上部に形成する反射防止膜用の処理液と、レジスト膜の下部に形成する反射防止膜用の処理液とで種類が異なる。
本明細書では、レジスト膜材料を塗布する塗布処理ユニット３１を特に、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴと記載する。同様に、レジスト膜の上部に形成する反射防止膜用の処理液を塗布する塗布処理ユニット３１を特に、上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣと記載し、レジスト膜の下部に形成する反射防止膜用の処理液を塗布する塗布処理ユニット３１を特に、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと記載する。また、レジスト膜の下部、上部に形成する反射防止膜をそれぞれ下部反射防止膜、上部反射防止膜と適宜に記載する。
本実施例では、塗布ブロックＢｃは、３台のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴと、３台の上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣと、３台の下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣとを備えている。
これら各種の塗布処理ユニット３１は、種類ごとに異なる階層Ｋにそれぞれ配置されている。本実施例では、階層Ｋ１には全て（３台）の下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣが設けられ、階層Ｋ２には全てのレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴが設けられ、階層Ｋ３には全ての上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣが設けられている。
このように複数の階層Ｋにわたって積層された一群の塗布処理ユニット３１は、平面視でＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向と略平行な塗布ブロックＢｃの一辺側（言い換えれば、ＩＤ部１及び現像ブロックＢｄと隣接しない塗布ブロックＢｃの一側部）に配置されている。
各塗布用主搬送機構Ｔはそれぞれ平面視で塗布ブロックＢｃの略中央部に配置されている。各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３がそれぞれ基板Ｗを搬送する領域（以下、単に「搬送領域」という）Ａ１、Ａ２、Ａ３は、平面視で塗布ブロックＢｃの略中央を通り、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向に、塗布ブロックＢｃの両側部まで延びた領域である。この搬送領域Ａの一側方は、上述した各塗布処理ユニット３１と隣接している。
塗布ブロックＢｃは、各階層Ｋに設けられ、基板Ｗに熱処理を行う複数の熱処理ユニットＰＨＰｃを備えている。各熱処理ユニットＰＨＰｃは各塗布用主搬送機構Ｔを挟んで塗布処理ユニット３１と略水平方向に対向する位置に配置されている。各塗布用主搬送機構Ｔに対応する熱処理ユニットＰＨＰｃは、略上下方向と略水平方向に行列状に並べられている。本実施例では、各塗布用主搬送機構Ｔに対応して９台（略上下方向に３台、略水平方向に３台）の熱処理ユニットＰＨＰｃが設けられている。各塗布用主搬送機構Ｔはそれぞれ、対応する熱処理ユニットＰＨＰｃに対して基板Ｗを搬送する。
各塗布用主搬送機構Ｔはそれぞれ、対応する塗布処理ユニット３１の各高さ位置と略同じ高さ位置に別個に配置されている。各塗布用主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３の間には、各搬送領域Ａ１、Ａ２、Ａ３の雰囲気を互いに遮断する遮断板２７が設けられている。
ＩＤ部１と塗布ブロックＢｃとの間には、基板Ｗを載置する載置部Ｐ１が設けられている。載置部Ｐ１は、塗布用主搬送機構Ｔ３と略水平方向に対向する位置に配置されている。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと塗布用主搬送機構Ｔ１とは載置部Ｐ１を介して基板Ｗの受け渡しを行う。
また、塗布ブロックＢｃの背面側（塗布ブロックＢｃと現像ブロックＢｄとの間）には、載置部Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６が設けられている。載置部Ｐ２は塗布用主搬送機構Ｔ１に対向して設けられ、載置部Ｐ３、Ｐ４は塗布用主搬送機構Ｔ２に対向して設けられ、載置部Ｐ５、Ｐ６は塗布用主搬送機構Ｔ３に対向して設けられている。各載置部Ｐ２−Ｐ６は互いに略上下方向に並んでいる。各載置部Ｐ２−Ｐ６を介して各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３はそれぞれ、後述する第１迂回搬送機構Ｔｂ１との間で基板Ｗの受け渡しを行う。
各載置部Ｐ１、Ｐ２−Ｐ６には、基板Ｗの有無を検知するセンサ（図示省略）がそれぞれ付設されており、各センサの検出信号に基づいて、当該センサが設けられた載置部Ｐを介して基板Ｗの受け渡しを行う各搬送機構が動作する。同様のセンサは後述する載置部Ｐ７−Ｐ１２にも付設されている。
塗布用主搬送機構Ｔを具体的に説明する。図６を参照する。図６は、塗布用主搬送機構の斜視図である。
塗布用主搬送機構Ｔは、略上下方向に案内する２本の第１ガイドレール５１と略水平方向に案内する第２ガイドレール５２を有している。２本の第１ガイドレール５１は搬送スペースＡの両端側付近の各位置に互いに対向するように固定されている。本実施例では、各第１ガイドレール５１は搬送領域Ａの塗布処理ユニット３１が配置されている側に配置されている。第２ガイドレール５２は第１ガイドレール５１に摺動可能に取り付けられている。このとき、第２ガイドレール５２が案内する方向がＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向とほぼ一致することが好ましい。
第２ガイドレール５２にはベース部５３が摺動可能に設けられている。ベース部５３は搬送領域Ａの略中央まで横方向に張り出している。
ベース部５３には縦軸心周りに回転可能に回転台５５が設けられている。回転台５５には基板Ｗを保持する２つの保持アーム５７ａ、５７ｂがそれぞれ水平方向に移動可能に設けられている。２つの保持アーム５７ａ、５７ｂは互いに上下方向に近接した位置に配置されている。
塗布用主搬送機構Ｔはさらに、第２ガイドレール５２、ベース部５３、回転台５５、各保持アーム５７ａ、５７ｂをそれぞれ駆動する各種の駆動機構を備えている。これら各種の駆動機構によって、第２ガイドレール５２が第１ガイドレール５１に対して略上下方向に昇降し、ベース部５３が第２ガイドレール５２に対して略水平方向に移動し、回転台５５がベース部５３に対して回転し、各保持アーム５７ａ、５７ｂが回転台５５に対して進退移動する。これにより、塗布用主搬送機構Ｔは、当該塗布用主搬送機構Ｔに対応して設けられる各塗布処理ユニット３１および各熱処理ユニットＰＨＰｃに対して基板Ｗを搬送する。また、塗布用主搬送機構Ｔは、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向に塗布ブロックＢｃの両側部まで移動して、当該塗布用主搬送機構Ｔに対応する各載置部Ｐに対して基板Ｗを搬送する。以下では、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向を、「塗布用主搬送機構Ｔの搬送方向」と呼ぶこととする。
次に、塗布処理ユニット３１について図１、図７を参照して説明する。図７（ａ）は、塗布処理ユニット３１の平面図であり、図７（ｂ）は（ａ）におけるａ−ａ矢視の垂直断面図である。
略水平方向に並べられる各塗布処理ユニット３１の間には隔壁又は仕切り壁等は設けられていない。したがって、各塗布処理ユニット３１の周囲の雰囲気は互いに遮断されていない（連通している）。
図１に示するように、略同じ高さ位置（同じ層）の各塗布処理ユニット３１が並ぶ方向は、塗布用主搬送機構Ｔの搬送方向と一致させていない。本実施例では、各塗布処理ユニット３１が略円弧形状の曲線上に位置するように配置されている。
各塗布処理ユニット３１はそれぞれ、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部３２と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ３３とを備えている。各塗布処理ユニット３１の側方には、３つの塗布処理ユニット３１が共用する単一の供給部３４を備えている。
供給部３４は、複数個のノズル３５と、ノズル３５を移動させるノズル移動機構３６を備えている。複数個のノズル３５は図示省略のノズルホルダによって保持されて、略水平方向に並べられている。ノズル３５から塗出される処理液は、塗布処理ユニット３１に応じてレジスト膜材料、レジスト膜の下部に形成する反射防止膜用の処理液、または、レジスト膜の上部に形成する反射防止膜用の処理液となる。なお、同じ種類の処理液であれば、各ノズル３５間で成分や濃度等の性状が異なる処理液を吐出させるように構成してもよい。
ノズル移動機構３６は、基台３７と昇降軸３８と第１リンク部３９と第２リンク部４０と把持部４１とを備えている。基台３７は、塗布処理ユニット３１を挟んで塗布用主搬送機構Ｔが設けられている側とは反対側に固定されている。基台３７の位置は、３つの塗布処理ユニット３１の中心との各距離のばらつきが少ないほど好ましい。この基台３７には昇降軸３８が昇降可能に取り付けられている。昇降軸３８の上端には、第１リンク部３９の一端が鉛直軸周りに回転可能に取り付けられている。第１リンク部３９の他端には第２リンク部４０の一端が鉛直軸周りに回転可能に取り付けられている。第２リンク部４０の他端には把持部４１が取り付けられている。
そして、昇降軸３８が昇降することで把持部４１を基台３７に対して上下動させ、第１、第２リンク部３９、４０が屈伸運動することで把持部４１を昇降軸３８に対して水平面内で進退移動させる。これにより、把持部４１は任意のノズル３５を把持し、かつ、任意の塗布処理ユニット３１で保持される基板Ｗの略中心上方の位置に把持したノズル３５を移動する。
熱処理ユニットＰＨＰｃについて説明する。各熱処理ユニットＰＨＰｃはそれぞれ基板Ｗを載置する２つのプレート４３と、２つのプレート４３間で基板Ｗを移動させる図示省略のローカル搬送機構を備えている。各熱処理ユニットＰＨＰｃでは、基板Ｗに加熱処理と冷却処理を続けて行う。なお、熱処理ユニットＰＨＰｃはこのような構成に限られない。例えば、単に加熱処理または冷却処理のみを行う熱処理ユニットであってもよい。また、基板Ｗと被膜の密着性を向上させるためにヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気雰囲気で熱処理するアドヒージョン処理ユニットであってもよい。
［第２迂回ブロックＢｂ２］
第２迂回ブロックＢｂ２について説明する。第２迂回ブロックＢｂ２は、第２迂回搬送機構Ｔｂ２と検査ユニットＭＩと熱処理ユニットＰＨＰｂ２とを備えている。
検査ユニットＭＩは、塗布処理ユニット３１（下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ）の下方に設けられている。第２迂回搬送機構Ｔｂ２は、塗布用主搬送機構Ｔ３の下方であって、検査ユニットＭＩの側方に設けられている。第２迂回搬送機構Ｔｂ２の搬送領域Ａｂ２は、平面視で各塗布用主搬送機構Ｔの搬送領域Ａと同じ範囲に形成されている。熱処理ユニットＰＨＰｂ２は、第２迂回搬送機構Ｔｂ２を挟んで検査ユニットＭＩと略水平方向に対向するように設けられている。第２迂回搬送機構Ｔｂ２は、検査ユニットＭＩと熱処理ユニットＰＨＰｂ２に対して基板Ｗを搬送する。
第２迂回ブロックＢｂ２と塗布ブロックＢｃとの間には、雰囲気を遮断する遮断板２８が設けられている。また、第２迂回ブロックＢｂ２とＩＤ部１との間には、基板Ｗを載置する載置部Ｐ１２が設けられている。また、第２迂回ブロックＢｂ２と現像ブロックＢｄとの間には、載置部Ｐ１１が設けられている。各載置部Ｐ１１、Ｐ１２はそれぞれ、第２迂回搬送機構Ｔｂ２と略水平方向に対向する位置に配置されている。また、載置部Ｐ１２は載置部Ｐ１と互いに上下方向に並ぶように配置され、載置部Ｐ１１は各載置部Ｐ２−Ｐ６と互いに上下方向に並ぶように配置されている。載置部Ｐ１２は載置部Ｐ１に近接して配置されることが好ましい。この載置部Ｐ１２を介して、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと第２迂回搬送機構Ｔｂ２とは基板Ｗの受け渡しを行う。また、載置部Ｐ１１を介して、第２迂回搬送機構Ｔｂ２と後述する現像用主搬送機構Ｔ５とは基板Ｗの受け渡しを行う。
検査ユニットＭＩと第２迂回搬送機構Ｔｂ２について簡単に説明する。検査ユニットＭＩは、現像処理が行われた後の基板Ｗについてレジスト膜の線幅を計測・検査する。第２迂回搬送機構Ｔｂ２は、図４において塗布用主搬送機構Ｔと同じ符号を付して示すように、塗布用主搬送機構Ｔと略同じ構成である。
［塗布ブロックＢｃと第２迂回ブロックＢｂ２について］
上述した塗布ブロックＢｃと第２迂回ブロックＢｂ２の塗布処理ユニット３１および検査ユニットＭＩが設置されるスペースの端部には、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには、処理液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。また、竪穴部ＰＳには、各層の塗布処理ユニット３１や検査ユニットＭＩ、または、各搬送領域Ａ１−Ａ３、Ａｂ２を清浄な雰囲気に保つための給気用および排気用の配管類も設置されている。
［現像ブロックＢｄ］
現像ブロックＢｄについて説明する。なお、塗布ブロックＢｃと同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
現像ブロックＢｄは、複数の現像処理ユニットＤＥＶと、単一の現像用主搬送機構Ｔ５と、複数の熱処理ユニットＰＨＰｄを備えている。各現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗに現像液を供給して基板Ｗを現像する。現像処理ユニットＤＥＶは略上下方向に並べて配置されている。また、現像処理ユニットＤＥＶは略水平方向にも複数並べて配置されている。現像処理ユニットＤＥＶが略水平方向に並ぶ方向は、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向と略同じである。一群の現像処理ユニットＤＥＶは、平面視でＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向と略平行な現像ブロックＢｄの一辺側（言い換えれば、塗布ブロックＢｃ及びＩＦ部５と隣接しない現像ブロックＢｄの一側部側）に配置されている。
現像用主搬送機構Ｔ５は、各現像処理ユニットＤＥＶと各熱処理ユニットＰＨＰｄに対して基板Ｗを搬送する。現像用主搬送機構Ｔ５が基板を搬送する領域（以下、単に「搬送領域」と記載する）Ａ５は、平面視で現像ブロックＢｄの略中央を通り、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向に現像ブロックＢｄの両側部まで延びた領域である。この搬送領域Ａ５の一側方には、上述した各現像処理ユニットＤＥＶが位置している。現像用主搬送機構Ｔ５の搬送領域Ａ５は、図１に示すように、平面視で各塗布用主搬送機構Ｔおよび第２迂回搬送機構Ｔｂ２の各搬送領域Ａと連続するような範囲に形成されることが好ましい。
現像用主搬送機構Ｔ５の搬送領域Ａ５を側面からみると、搬送領域Ａ５は少なくとも上下方向に並ぶ全ての現像処理ユニットＤＥＶの範囲に及んでいる。また、搬送領域Ａ５は、図２に示すように、塗布用主搬送機構Ｔ１および第２迂回搬送機構Ｔｂ２の各搬送領域Ａ１−Ａ３、Ａｂ２とそれぞれ連続するように形成されている。
熱処理ユニットＰＨＰｄは基板Ｗに熱処理を行う。各熱処理ユニットＰＨＰｄはＩＦ部５に面する位置に配置されている。本実施例では、現像用主搬送機構Ｔ５を挟んで現像処理ユニットＤＥＶが設けられている側とは反対側であって、ＩＦ部５側の一画に上下方向に並べて配置されている。各熱処理ユニットＰＨＰｄの上側には基板Ｗを載置する載置部Ｐ７、Ｐ１０が上下方向に並ぶように積層されている。載置部Ｐ７と載置部Ｐ１０とは互いに近接している。この載置部Ｐ７を介して、後述する第１迂回搬送機構Ｔｂ１と第１搬送機構ＴＩＦＡとの間で基板Ｗの受け渡しが行われる。また、載置部Ｐ１０を介して第１搬送機構ＴＩＦＡと現像用主搬送機構Ｔ５との間で基板Ｗの受け渡しが行われる。
現像用主搬送機構Ｔ５を具体的に説明する。現像用主搬送機構Ｔ５は、固定台６１と、上下方向に昇降可能に固定台６１に保持される昇降軸６２と、昇降軸６２に旋回可能に保持される回転台６３と、回転台６３に進退可能に保持される二つの保持アーム６５ａ、６５ｂとを備えている。そして、現像用主搬送機構Ｔ５は、現像処理ユニットＤＥＶと熱処理ユニットＰＨＰｄのほかに、載置部Ｐ１０と載置部Ｐ１１とに対して基板Ｗを搬送する。さらに、本実施例では、現像用主搬送機構Ｔ５は載置部Ｐ２−Ｐ６に対しても基板Ｗを搬送可能に構成されている。
現像処理ユニットＤＥＶについて説明する。図１を参照する。各現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部７１と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ７３とを備えている。１段に並設される２つの現像処理ユニットＤＥＶは仕切り壁等で間仕切りされることなく設けられている。さらに、並設される各現像処理ユニットＤＥＶの側方には、２つの現像処理ユニットＤＥＶに対して、現像液を供給する単一の供給部７５が設けられている。供給部７５は鉛直軸周りに旋回可能に構成され、各現像処理ユニットＤＥＶで処理する基板Ｗに対して現像液を供給する。
熱処理ユニットＰＨＰｄについて説明する。熱処理ユニットＰＨＰｄは、ＩＦ部５に面する側部に形成される搬送口を有している。この搬送口を通じて、ＩＦ用搬送機構ＴＩＦは熱処理ユニットＰＨＰｄに対して基板Ｗを搬送する。このような現像ブロックＢｄの熱処理ユニットＰＨＰｄでは、露光機ＥＸＰで露光された基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行う。
［第１迂回ブロックＢｂ１］
第１迂回ブロックＢｂ１は、現像ブロックＢｄとの間で雰囲気が遮断されていない。すなわち、第１迂回ブロックＢｂ１と現像ブロックＢｄとは連通しており、相互に開放されている。第１迂回ブロックＢｂ１は、平面視で、塗布ブロックＢｃと、現像ブロックＢｄの搬送領域Ａ５と、熱処理ユニットＰＨＰｄ（載置部Ｐ７、Ｐ１０を含む）とで囲まれるスペースに設けられている。
第１迂回ブロックＢｂ１は、第１迂回ブロックＢｂ１とＩＦ部５とに対してそれぞれ基板Ｗを直接搬送する第１迂回搬送機構Ｔｂ１を備えている。第１迂回搬送機構Ｔｂ１は、現像用主搬送機構Ｔ５と並んで塗布ブロックＢｃの背面に対向して設けられている。本実施例では、現像用主搬送機構Ｔ５の現像処理ユニットＤＥＶが設けられている側とは反対側に設けられている。第１迂回搬送機構Ｔｂ１の搬送領域Ａｂ１の雰囲気は、現像用主搬送機構Ｔ５の搬送領域Ａ５の雰囲気と遮断されておらず、第１迂回搬送機構Ｔｂ１と現像用主搬送機構Ｔ５とは同じ空間に配置されている。
第１迂回搬送機構Ｔｂ１は単一の保持アーム６６を備えている。その他の構成は、現像用主搬送機構Ｔ５と同様の構成である。そして、第１迂回搬送機構Ｔｂ１は、載置部Ｐ６、Ｐ７に対して基板Ｗを搬送する。また、第１迂回搬送機構Ｔｂ１は、各載置部Ｐ２−Ｐ５に対しても基板Ｗを搬送する。そして、各載置部Ｐ２−Ｐ５の間で基板Ｗを移動することによって、各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３の相互の間で基板Ｗの受け渡しを行わせる。さらに、本実施例では、第１迂回搬送機構Ｔｂ１は載置部Ｐ１０、Ｐ１１にも基板Ｗを搬送可能である。
このように、第１迂回搬送機構Ｔｂ１の搬送領域Ａｂ１は、少なくとも平面視では、載置部Ｐ２−Ｐ６、Ｐ１１の周囲で現像用主搬送機構Ｔ５の搬送領域Ａ５と重なる。同様に、第１迂回搬送機構Ｔｂ１の搬送領域Ａｂ１は、少なくとも平面視では、載置部Ｐ７、Ｐ１０の周囲で現像用主搬送機構Ｔ５の搬送領域Ａ５と重なる。
［現像ブロックＢｄと第１迂回ブロックＢｂ１について］
上述した現像処理ユニットＤＥＶが設置されるスペースの端部には、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには、現像液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。また、竪穴部ＰＳには、各現像処理ユニットＤＥＶや各搬送領域Ａ５、Ａｂ１を清浄な雰囲気に保つための給気用および排気用の配管類も設置されている。
［ＩＦ部５］
ＩＦ部５は基板Ｗを搬送するＩＦ用搬送機構ＴＩＦを備えている。ＩＦ用搬送機構ＴＩＦは、相互に基板Ｗを受け渡し可能な第１搬送機構ＴＩＦＡと第２搬送機構ＴＩＦＢで構成される。第１搬送機構ＴＩＦＡは、載置部Ｐ７を介して第１迂回搬送機構Ｔｂ１との間で基板Ｗの受け渡しを行うとともに、載置部Ｐ１０を介して現像用主搬送機構Ｔ５との間で基板Ｗの受け渡しを行う。さらに、第１搬送機構ＴＩＦＡは、現像ブロックＢｄの熱処理ユニットＰＨＰｄに対して基板Ｗを搬送する。第２搬送機構ＴＩＦＢは、露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送する。
第１搬送機構ＴＩＦＡと第２搬送機構ＴＩＦＢとは、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向と略直交する横方向に並んで設けられている。第１搬送機構ＴＩＦＡは現像ブロックＢｄの熱処理ユニットＰＨＰｄが位置する側に配置されている。第２搬送機構ＴＩＦＢは現像ブロックＢｄの現像処理ユニットＤＥＶが位置する側に配置されている。また、第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢの間には基板Ｗを載置する載置部Ｐ８、Ｐ９と、基板Ｗを一時的に収容するバッファＢＦが多段に積層されている。第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢは、載置部Ｐ８、Ｐ９を介して基板Ｗを受け渡す。バッファＢＦには、専ら第１搬送機構ＴＩＦＡのみがアクセスする。
第１搬送機構ＴＩＦＡは、固定的に設けられる基台８３と、基台８３に対して鉛直上方に伸縮する昇降軸８５と、この昇降軸８５に対して旋回可能に取り付けられる回転台８６と、この回転台８６に対して進退して基板Ｗを保持する保持アーム８７とを備えている。第２搬送機構ＴＩＦＢも基台８３と昇降軸８５と保持アーム８７とを備えている。
次に本装置１０の制御系につい説明する。図８は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。本装置１０は制御部９０を備えている。制御部９０は、図示するように、各搬送機構ＴＩＤ、Ｔ１−Ｔ３、Ｔ５、Ｔｂ１、Ｔｂ２、ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢ、各処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、ＢＡＲＣ、ＴＡＲＣ、ＤＥＶ、ＰＨＰｃ、ＰＨＰｄ、ＰＨＰｂ２を制御する。なお、熱処理ユニットＰＨＰｃについては、各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３に対応する熱処理ユニットＰＨＰｃごとに制御する。
具体的には制御部９０は次のように制御する。すなわち、ＩＦ部５への基板Ｗの搬送は第１迂回搬送機構Ｔｂ１によって行わせ、第１搬送機構ＴＩＦＡから払い出される基板Ｗは現像用主搬送機構Ｔ５によって受け取らせる。すなわち、現像ブロックＢｄに搬入される基板Ｗは専らＩＦ部５のみからとなるように制御する。また、ＩＤ部１から搬送される基板Ｗは塗布用主搬送機構Ｔ１によって受け取らせ、ＩＤ部１への基板Ｗの搬送は第２迂回搬送機構Ｔｂ２によって行わせる。すなわち、塗布ブロックＢｃに搬入される基板Ｗは専らＩＤ部１のみからとなるように制御する。
制御部９０は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、予め設定されている処理レシピ（処理プログラム）など各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。
次に、実施例に係る基板処理装置の動作例について説明する。図９は基板Ｗに一連の処理を行う際のフローチャートであり、基板Ｗが順次搬送される処理ユニットまたは載置部などを示すものである。図１０は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。以下では、搬送機構ごとに分けて説明する。なお、以下の各動作は、制御部９０による制御に基づいて行われる。
［ＩＤ用搬送機構ＴＩＤ］
ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは一のカセットＣに対向する位置に移動し、カセットＣに収容される一枚の未処理の基板Ｗを保持アーム２５に保持してカセットＣから搬出する（図１０におけるステップＳ１に対応する。以下、ステップの記号のみ付記する。）。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは保持アーム２５を旋回し昇降軸２３を昇降して載置部Ｐ１に対向する位置に移動し、保持している基板Ｗを載置部Ｐ１に載置する（ステップＳ２）。続いて、載置部Ｐ１２に移動する。通常、載置部Ｐ１２には第２迂回ブロックＢｂ２から払い出された基板Ｗが載置されている。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは載置部Ｐ１２に載置される基板Ｗを受け取って（ステップＳ２０）、カセットＣに収納する（ステップＳ２１）。なお、載置部Ｐ１２に基板Ｗがない場合はステップＳ２０、ステップＳ２１は省略される。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは上述した動作を繰り返し行う。
このようなＩＤ用搬送機構ＴＩＤの動作により、ＩＤ部１は、カセットＣから塗布ブロックＢｃへ基板Ｗを搬送するとともに、第２迂回ブロックＢｂ２からカセットＣへ基板Ｗを搬送する。
［塗布用主搬送機構Ｔ１］
塗布用主搬送機構Ｔ１は載置部Ｐ１に対向する位置に移動し、保持アーム５７で載置部Ｐ１に載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ２）。続いて、塗布用主搬送機構Ｔ１は、一の下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに対向する位置に移動する。下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣには既に下部反射防止膜が形成された基板Ｗがある。塗布用主搬送機構Ｔ１は、基板Ｗを保持していない方の保持アーム５７で下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ内にある基板Ｗを搬出するとともに、載置部Ｐ１から受け取った基板Ｗを下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに搬入する（ステップＳ３）。なお、以下の説明においても、その他の各種処理ユニットに搬送機構Ｔがアクセスする際には、既に所定の処理を終えた基板Ｗが当該処理ユニットにあるものとする。
反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは新たに搬入された基板Ｗに対して所定の処理を開始する（ステップＳ３）。具体的には、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに搬入された基板Ｗは、回転保持部３２に水平姿勢で載置される。回転保持部３２は基板Ｗを回転させる。ノズル移動機構３６は一のノズル３５を、回転する基板Ｗの略中心の上方まで移動させる。ノズル３５は下部反射防止膜用の処理液を基板Ｗに吐出する。基板Ｗの表面に供給さえた処理液は、基板Ｗの全面に広がる。基板Ｗの周縁部から捨てられる処理液は、カップ３３によって回収される。このようにして、基板Ｗに下部反射防止膜用の処理液が塗布され、基板Ｗに下部反射防止膜が形成される。
塗布用主搬送機構Ｔ１は下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣから搬出した基板Ｗを載置部Ｐ２に載置する（ステップＳ４）。
その後、塗布用主搬送機構Ｔ１は再び載置部Ｐ１にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。そして、各下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに基板Ｗを搬送する。これにより、各下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは、それぞれ並行して基板Ｗに処理を行う。
なお、上述した動作説明や図９、図１０では、便宜上、基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰｃに対して搬送する動作および熱処理ユニットＰＨＰｃで基板Ｗを処理する動作を省略している。すなわち、実際は、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣで基板Ｗに処理を行う前および／または後に、熱処理ユニットＰＨＰｃで基板Ｗに熱処理が行われる。以下の説明においても、熱処理ユニットＰＨＰｃに関連する動作を省略するものとする。
［塗布用主搬送機構Ｔ２］
塗布用主搬送機構Ｔ２は載置部Ｐ３に対向する位置に移動する。載置部Ｐ３には、載置部Ｐ２に払いだされた基板Ｗが第１迂回搬送機構Ｔｂ１によって搬送、載置されている。塗布用主搬送機構Ｔ２は載置部Ｐ３に載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ５）。塗布用主搬送機構Ｔ２は受け取った基板Ｗを一のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴに搬入するとともに、この処理ユニットＲＥＳＩＳＴから処理済の基板Ｗを搬出する（Ｓ６）。
レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴは新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ６）。具体的な動作は、塗布する処理液がレジスト膜材料であることを除けば、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの動作とほぼ同様である。これにより、基板Ｗに形成された下部反射防止膜の上部にレジスト膜が形成される。
塗布用主搬送機構Ｔ２はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴから搬出した基板Ｗを載置部Ｐ４に載置する（ステップＳ７）。
その後、塗布用主搬送機構Ｔ２は再び載置部Ｐ３にアクセスして上述した動作を繰り返し行い、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴに基板Ｗを搬送する。これにより、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴは、それぞれ並行して基板Ｗに処理を行う。
［塗布用主搬送機構Ｔ３］
塗布用主搬送機構Ｔ３による基板Ｗの搬送は、上述した塗布用主搬送機構Ｔ１、２と略同様である。すなわち、載置部Ｐ５から各上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣに基板Ｗを搬送するとともに（ステップＳ８、Ｓ９）、各上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣから処理済の基板Ｗを載置部Ｐ６へ搬送する（ステップＳ９、Ｓ１０）。このような動作を、塗布用主搬送機構Ｔ３は繰り返す。
上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣでは、基板Ｗに上部反射防止膜用の処理液を塗布する（ステップＳ９）。これにより、基板Ｗ上のレジスト膜の上部に上部反射防止膜が形成される。
［第１迂回搬送機構Ｔｂ１］
第１迂回搬送機構Ｔｂ１は、載置部Ｐ２に対向する位置に移動する。載置部Ｐ２には、塗布用主搬送機構Ｔ１から払い出された基板Ｗが載置されている。第１迂回搬送機構Ｔｂ１は載置部Ｐ２に載置されている基板Ｗを受け取り（ステップＳ４）、受け取った基板Ｗを載置部Ｐ３に載置する（ステップＳ５）。
続いて、第１迂回搬送機構Ｔｂ１は、載置部Ｐ４に載置されている基板Ｗを受け取り（ステップＳ７）、受け取った基板Ｗを載置部Ｐ５に載置する（ステップＳ８）。なお、載置部Ｐ４には、塗布用主搬送機構Ｔ２によって払い出された基板Ｗが載置される。
さらに、第１迂回搬送機構Ｔｂ１は、載置部Ｐ６に載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ７）。第１迂回搬送機構Ｔｂ１は旋回してＩＦ部５に対向する位置に移動する。そして、受け取った基板Ｗを載置部Ｐ７に載置する（ステップＳ８）。
その後、第１迂回搬送機構Ｔｂ１は再び載置部Ｐ２にアクセスして上述した動作を繰り返し行い、載置部Ｐ２−Ｐ３間および載置部Ｐ４−Ｐ５間で、基板Ｗを昇降移動させる。また、第１迂回搬送機構Ｔｂ１は、塗布ブロックＢｃから載置部Ｐ６に払い出された基板Ｗを、載置部Ｐ７を介してＩＦ部５へ搬送する。基板Ｗが塗布ブロックＢｃからＩＦ部５へ搬送される際、基板Ｗは現像ブロックＢｄを経由しない。
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜第１搬送機構ＴＩＦＡ］
第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部Ｐ７にアクセスし、載置部Ｐ７に載置される基板Ｗを受け取る（ステップＳ１１）。第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部Ｐ８に対向する位置まで移動し、受け取った基板Ｗを載置部Ｐ８に載置する（ステップＳ１２）。
次に、第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部Ｐ９から基板Ｗを受け取り（ステップＳ１４）、熱処理ユニットＰＨＰｄに対向する位置に移動する。そして、第１搬送機構ＴＩＦＡは熱処理ユニットＰＨＰｄからすでに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出し、載置部Ｐ９から受け取った基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰｄに搬入する。熱処理ユニットＰＨＰｄでは新たに搬入された基板Ｗを熱処理する（ステップＳ１５）。これにより、基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が行われる。第１搬送機構ＴＩＦＡは熱処理ユニットＰＨＰｄから取り出した基板Ｗを載置部Ｐ１０に搬送する（ステップＳ１６）。
その後、第１搬送機構ＴＩＦＡは再び載置部Ｐ７にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜第２搬送機構ＴＩＦＢ］
第２搬送機構ＴＩＦＢは載置部Ｐ８から基板Ｗを取り出して、露光機ＥＸＰに搬送する。そして、露光機ＥＸＰから払い出される露光済みの基板Ｗを受け取ると、載置部Ｐ９に搬送する。
その後、第２搬送機構ＴＩＦＢは再び載置部Ｐ７にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。
［現像用主搬送機構Ｔ５］
現像用主搬送機構Ｔ５は載置部Ｐ１０に対向する位置に移動する。載置部Ｐ１０には、第１搬送機構ＴＩＦＡによって払い出された基板Ｗが載置されている。現像用主搬送機構Ｔ５は載置部Ｐ１０に載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ１６）。続いて、現像用主搬送機構Ｔ５は、一の現像処理ユニットＤＥＶに対向する位置に移動する。この現像処理ユニットＤＥＶには既に現像処理が行われた基板Ｗがある。現像用主搬送機構Ｔ５は、現像処理ユニットＤＥＶから処理済みの基板Ｗを搬出するとともに、載置部Ｐ１０から受け取った基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶに搬入する（ステップＳ１７）。
現像処理ユニットＤＥＶは新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ１７）。具体的には、現像処理ユニットＤＥＶに搬入された基板Ｗは、回転保持部７１に水平姿勢で載置される。回転保持部７１は基板Ｗを回転させる。供給部７５は基板Ｗの略中心の上方まで旋回移動し、現像液を基板Ｗに供給する。これにより、現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを現像する。
現像用主搬送機構Ｔ５は、現像処理ユニットＤＥＶから搬出した基板Ｗを載置部Ｐ１１に載置する（ステップＳ１８）。
その後、現像用主搬送機構Ｔ５は再び載置部Ｐ１０にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。そして、各現像処理ユニットＤＥＶに基板Ｗを搬送する。これにより、現像処理ユニットＤＥＶはそれぞれ並行して基板Ｗを現像する。
［第２迂回搬送機構Ｔｂ２］
第２迂回搬送機構Ｔｂ２は載置部Ｐ１１に対向する位置に移動する。載置部Ｐ１１には、現像ブロックＢｄから払い出された基板Ｗが現像用主搬送機構Ｔ５によって載置されている。第２迂回搬送機構Ｔｂ２は載置部Ｐ１１に載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ１８）。第２迂回搬送機構Ｔｂ２は受け取った基板Ｗを検査ユニットＭＩに搬入するとともに、この検査ユニットＭＩから処理済の基板Ｗを搬出する（Ｓ１９）。
検査ユニットＭＩは、新たに搬入された基板Ｗに形成されたパターンの線幅を計測・検査する（ステップＳ１９）。第２迂回搬送機構Ｔｂ２は検査ユニットＭＩから搬出した基板Ｗを載置部Ｐ１２に載置する（ステップＳ２０）。
その後、第２迂回搬送機構Ｔｂ２は再び載置部Ｐ１１にアクセスして上述した動作を繰り返し行い、各検査ユニットＭＩに基板Ｗを搬送する。これにより、各検査ユニットＭＩは、それぞれ並行して基板Ｗに処理を行う。
なお、上述した第２迂回搬送機構Ｔｂ２の動作説明においても、便宜上、第２迂回搬送機構Ｔｂ２に対応する熱処理ユニットＰＨＰｂ２を省略している。この熱処理ユニットＰＨＰｂ２における熱処理は、検査ユニットＭＩにおける検査に関連して行われるほか、現像処理ユニットＤＥＶにおける現像処理に関連して行われる。
このように、実施例１に係る基板処理装置によれば、第１迂回ブロックＢｂ１を備えて、現像ブロックＢｄを経由せず、塗布ブロックＢｃからＩＦ部５へ基板Ｗを直接搬送することができる。このため、現像ブロックＢｄを経由する基板Ｗは、ＩＦ部５からＩＤ部１への一方向に移動する基板Ｗのみとすることができる。よって、現像ブロックＢｄにおける基板Ｗの搬送効率がよい。
また、第１迂回ブロックＢｂ１は、塗布ブロックＢｃとＩＦ部５との間に現像ブロックＢｄと並んで設けられている。このため、第１迂回ブロックＢｂ１では、塗布ブロックＢｃの背面から、現像ブロックＢｄを挟んで塗布ブロックＢｃの背面と対向するＩＦ部５の前面まで基板Ｗを搬送すればよい。このように第１迂回ブロックＢｂ１における基板Ｗの搬送距離が短く抑えられており、基板Ｗの搬送効率がよい。
また、第１迂回ブロックＢｂ１は現像ブロックＢｄの側方に配置されている。このため、現像ブロックＢｄの上方または下方に第２迂回ブロックＢｂ２を配置する場合に比べて、現像ブロックＢｄの高さが制限されることがない。よって、現像ブロックＢｄはより多くの台数の現像処理ユニットＤＥＶを搭載可能に構成できる。
また、現像ブロックＢｄに搬入される基板Ｗは専らＩＦ部５のみからであるため、現像ブロックＢｄにおける基板Ｗの搬送を効率よく行うことができる。
また、現像ブロックＢｄおよび第１迂回ブロックＢｂ１の各雰囲気は遮断されておらず、第１迂回ブロックＢｂ１は現像ブロックＢｄに対して開放されている。このため、現像ブロックＢｄおよび第１迂回ブロックＢｂ１を含む構造を簡略化することができる。
また、現像用主搬送機構Ｔ５は、塗布ブロックＢｃの背面に対向するように、第１迂回搬送機構Ｔｂ１と並んで設けられている。このため、第１迂回ブロックＢｂ１を簡易に構成することができる。また、現像用主搬送機構Ｔ５および第１迂回搬送機構Ｔｂ１は、同じ空間に配備されているため、現像ブロックＢｄおよび第１迂回ブロックＢｂ１の構成を簡略化することができる。
また、第１迂回搬送機構Ｔｂ１は、現像用主搬送機構Ｔ５の現像処理ユニットＤＥＶが設けられている側とは反対側に配置されているため、現像用主搬送機構Ｔ５が現像処理ユニットＤＥＶに対して基板Ｗを搬送する際、第１迂回搬送機構Ｔｂ１が邪魔になることはない。
また、第１迂回搬送機構Ｔｂ１が塗布ブロックＢｃから基板Ｗを受け取る位置（載置部Ｐ６）と、現像用主搬送機構Ｔ５が第２迂回ブロックＢｂ２に基板Ｗを払い出す位置（載置部Ｐ１１）とを平面視で略同じとし、現像用主搬送機構Ｔ５による基板Ｗの搬送領域Ａ５と第１迂回搬送機構Ｔｂ１による基板Ｗの搬送領域Ａｂ１を平面視で重複させている。これにより、本装置の設置面積を低減することができる。
また、第１迂回搬送機構Ｔｂ１がＩＦ部５に基板Ｗを払い出す位置（載置部Ｐ７）と、現像用主搬送機構Ｔ５がＩＦ部５から基板Ｗを受け取る位置（載置部Ｐ１０）とは、平面視で略同じとし、かつ、互いに近接させている。このように、現像用主搬送機構Ｔ５の搬送領域Ａ５と第１迂回搬送機構Ｔｂ１の搬送領域Ａｂ１とを平面視で重複させているので、本装置の設置面積を低減することができる。また、搬送領域Ａ５、Ａｂ１とを互いに近接させているので、第１搬送機構ＴＩＦＡの移動範囲を小さくすることができる。
さらに、第１迂回搬送機構Ｔｂ１は各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３との間で基板Ｗの受け渡しを行うように構成されている。このため、第１迂回搬送機構Ｔｂ１を介して、各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３同士の間で基板Ｗの受け渡しを好適に行うことができる。
また、第２迂回ブロックＢｂ２を備えているため、ＩＦ部５からＩＤ部１への基板Ｗの搬送を、塗布ブロックＢｃを経由せず第２迂回ブロックＢｂ２が直接行うことができる。これにより、塗布ブロックＢｃを経由する基板Ｗは、ＩＤ部１からＩＦ部５への一方向に移動する基板Ｗのみとすることができ、塗布ブロックＢｃにおける基板Ｗの搬送を効率よく行うことができる。
第２迂回ブロックＢｂ２は、ＩＤ部１と現像ブロックＢｄとの間に、塗布ブロックＢｃと並んで設けられている。このため、第２迂回ブロックＢｂ２では、ＩＤ部１の背面と、現像ブロックＢｄの前面とで挟まれる間で基板Ｗを搬送すれば足りる。このように第２迂回ブロックＢｂ２における基板Ｗの搬送距離を短く抑えることができるので、基板Ｗの搬送効率がよい。
また、第２迂回ブロックＢｂ２は、塗布ブロックＢｃの下方に配置されているため、装置の設置面積が増大することを抑制することができる。
また、塗布ブロックＢｃに搬入される基板Ｗは専らＩＤ部１のみからである。よって、塗布ブロックＢｃにおける基板Ｗの搬送を効率よく行うことができる。
また、塗布ブロックＢｃおよび第２迂回ブロックＢｂ２の各雰囲気を遮断する遮断板２８を備えているので、塗布ブロックＢｃおよび第２迂回ブロックＢｂ２の各雰囲気が相互に影響することがない。
また、ＩＤ部１と塗布ブロックＢｃとの間で基板Ｗの受け渡しが行われる位置（載置部Ｐ１）と、ＩＤ部１と第２迂回ブロックＢｂ２との間で基板Ｗの受け渡しが行われる位置（載置部Ｐ１２）とを近接させているため、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤの移動範囲を抑えることができ、ＩＤ部１をコンパクトに構成することができる。
また、制御部９０は、現像用主搬送機構Ｔ５と第１迂回搬送機構Ｔｂ１とを制御して、ＩＦ部５への基板Ｗの搬送は第１迂回搬送機構Ｔｂ１によって行い、ＩＦ部５から払い出される基板Ｗは現像用主搬送機構Ｔ５によって受け取らせる。これによって、現像用主搬送機構Ｔ５および第１迂回搬送機構Ｔｂ１の動作を簡略化することができる。さらに、制御部９０による制御を簡略化することができる。具体的には、現像ブロックＢｄまたは第１迂回ブロックＢｂ１に双方向から基板Ｗが搬入される場合、各方向から基板Ｗが搬入されるタイミングを想定することは非常に複雑な計算を要し、それらのタイミングを調整することはさらに複雑な制御となる。これに対し、現像ブロックＢｄまたは第１迂回ブロックＢｂ１に一方向から基板Ｗが搬入される場合は、相前後して搬入される基板Ｗの時間間隔に基づいて簡易に制御することも可能である。また、この時間間隔を試算することは比較的容易である。
さらに、制御部９０は、塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３と第２迂回搬送機構Ｔｂ２とを制御して、ＩＤ部１から搬送される基板Ｗは塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３によって受け取らせ、ＩＤ部１への基板Ｗの搬送は第２迂回搬送機構Ｔｂ２によって行わせる。これによって、塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３および第２迂回搬送機構Ｔｂ２の動作を簡略化することができる。さらに、制御部９０による制御を簡略化することができる。
この結果、処理部３では、露光前の基板Ｗを搬送する搬送機構（塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３、第１迂回搬送機構Ｔｂ１）と、露光後の基板Ｗを搬送する搬送機構（現像用主搬送機構Ｔ５、第２迂回搬送機構Ｔｂ２）とを異ならせることができる。これにより、基板Ｗの品質管理を好適に行うことができる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例２を説明する。実施例２は、実施例１と同様に、基板Ｗにレジスト膜等を形成するとともに露光された基板Ｗを現像する基板処理装置である。図１１は、実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図１２は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図１３は、図１１におけるａ−ａ矢視の垂直断面図である。なお、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
ＩＤ部１と塗布ブロックＢｃとの間には載置部Ｐ１のほかに、載置部Ｐ２´、Ｐ３´、Ｐ４´、Ｐ５´が設けられている。載置部Ｐ２´は載置部Ｐ１と同様に塗布用主搬送機構Ｔ１に対向して設けられている。載置部Ｐ３´、Ｐ４´は塗布用主搬送機構Ｔ２に対向して設けられている。載置部Ｐ５´は、塗布用主搬送機構Ｔ３と略水平方向に対向して設けられている。これら載置部Ｐ１、Ｐ２´−Ｐ５´は上下方向に並ぶように配置されている。
ＩＤ部１と塗布ブロックＢｃとの間には、載置部Ｐ１、Ｐ２´−Ｐ５´に対して基板Ｗを搬送する昇降搬送機構ＴＥを備えている。昇降搬送機構ＴＥは図示省略の駆動機構により昇降可能に構成され、各載置部Ｐ２´−Ｐ５´間で基板Ｗを搬送する。この昇降搬送機構ＴＥを介して、各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３の相互の間で基板Ｗの受け渡しが行われる。さらに、昇降搬送機構ＴＥは旋回可能に構成されて、所定位置で待機する載置部Ｐ１３（後述）に対して基板Ｗを搬送する。
現像ブロックＢｄはさらに、熱処理ユニットＰＨＰ５を備えている。熱処理ユニットＰＨＰ５は、現像用主搬送機構Ｔ５の現像処理ユニットＤＥＶが設けられている側とは反対側に設けられている。熱処理ユニットＰＨＰ５の両側は、それぞれ塗布ブロックＢｃと熱処理ユニットＰＨＰｄとに隣接している。この熱処理ユニットＰＨＰ５には、現像用主搬送機構Ｔ５によって基板Ｗが搬送される。
第１迂回ブロックＢｂ１はＩＦ部５と隣接し、塗布ブロックＢｃおよび現像ブロックＢｄと並んで設けられている。第１迂回ブロックＢｂ１の他端側はＩＤ部１まで及んでいる。第１迂回ブロックＢｂ１は、塗布ブロックＢｃおよび現像ブロックＢｄの上方に配置されている。第１迂回ブロックＢｂ１と塗布ブロックＢｃおよび現像ブロックＢｄの間には遮断板２９が設けられている。これにより、第１迂回ブロックＢｂ１の雰囲気は、塗布ブロックＢｃ及び現像ブロックＢｄの雰囲気と遮断されている。
第１迂回ブロックＢｂ１は、第３ガイドレール１０１と載置部Ｐ１３とを備えている。第３ガイドレール１０１は、ＩＤ部１とＩＦ部５とを結ぶ方向に略水平に設置されている。第３ガイドレール１０１は、ＩＤ部１と塗布ブロックＢｃとの間から、ＩＦ部５の前面までにわたって延びている。載置部Ｐ１３は、この第３ガイドレール１０１に摺動可能に取り付けられている。そして、図示省略の駆動機構により、載置部Ｐ１３は第３ガイドレール１０１の両端間で水平移動する。以下では、塗布ブロックＢｃから払い出された基板Ｗを受け取る位置を「受取位置」（図１１、１３において実線で明示する位置）と呼び、載置している基板ＷをＩＦ部５に受け渡す位置を「受渡位置」（図１１、１３において一点鎖線で明示する位置）と呼ぶ。第３ガイドレール１０１、載置部Ｐ１３および図示省略の駆動機構は、この発明における第１迂回搬送機構に相当する。
次に、実施例２に係る基板処理装置の動作について簡単に説明する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、カセットＣから載置部Ｐ１に基板Ｗを搬送するとともに、載置部Ｐ１２から基板Ｗを受け取ってカセットＣに搬送する。
塗布用主搬送機構Ｔ１は、載置部Ｐ１に載置された基板Ｗを受け取り、下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに搬送する。下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣで処理が行われた基板Ｗを載置部Ｐ２´に払い出す。
昇降搬送機構ＴＥは、載置部Ｐ２´に払い出された基板Ｗを載置部Ｐ３´に移す。塗布用主搬送機構Ｔ２は、載置部Ｐ３´から基板Ｗを受け取り、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴに搬送するとともに、所定の処理が済んだ基板Ｗを載置部Ｐ４´に払い出す。
載置部Ｐ４´に払い出された基板Ｗは、昇降搬送機構ＴＥを介して、塗布用主搬送機構Ｔ３に受け渡される。塗布用主搬送機構Ｔ３は、上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣに搬送した後、載置部Ｐ５´に払い出す。
昇降搬送機構ＴＥは、載置部Ｐ５´に載置された基板Ｗを、受取位置にある載置部Ｐ１３に搬送する。載置部Ｐ１３に基板Ｗが載置されると、載置部Ｐ１３は受渡位置に向かって水平移動する。載置部Ｐ１３が受渡位置に移動すると、第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部Ｐ１３に載置されている基板Ｗを受け取る。第１搬送機構ＴＩＦＡは受け取った基板Ｗを載置部Ｐ８へ搬送する。その後は、実施例１と同様に載置部Ｐ９、熱処理ユニットＰＨＰｄ、載置部Ｐ１０に順次アクセスする。また、第１搬送機構ＴＩＦＢ、現像用主搬送機構Ｔ５および第２迂回搬送機構Ｔｂ２の動作は実施例１と略同様である。
このように、実施例２においても、第１迂回ブロックＢｂ１を備えて、現像ブロックＢｄを経由せず、塗布ブロックＢｃからＩＦ部５へ基板Ｗを直接搬送することができる。このため、現像ブロックＢｄを経由する基板Ｗは、ＩＦ部５からＩＤ部１への一方向に移動する基板Ｗのみとすることができる。よって、現像ブロックＢｄにおける基板Ｗの搬送効率がよい。
また、実施例２における第１迂回ブロックＢｂ１は、塗布ブロックＢｃおよび現像ブロックＢｄと並んで設けられているため、塗布ブロックＢｃの前面から払い出された基板ＷをＩＦ部５へ好適に搬送することができる。
また、遮断板２９を備えているので、塗布ブロックＢｃおよび現像ブロックＢｄに対して、第１迂回ブロックＢｂ１の雰囲気を遮断することができる。
また、第３ガイドレール１０１、載置部Ｐ１３などで構成される第１迂回搬送機構とは別個に昇降搬送機構ＴＥを備え、この昇降搬送機構ＴＥを介して各塗布用主搬送機構Ｔ１−Ｔ３間で基板Ｗの受け渡しを行うように構成している。これにより、実施例２における第１迂回搬送機構の搬送負担を低減することができる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例３を説明する。実施例３は、実施例１と同様に、基板Ｗにレジスト膜等を形成するとともに露光された基板Ｗを現像する基板処理装置である。図１４は、実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図１５と図１３は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図１６は、図１４におけるａ−ａ矢視の垂直断面図である。なお、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
塗布ブロックＢｃは、２台のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴと、２台の下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと、２台の上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣとを備えている。上下方向に２層に積層されている。各層には、各種の塗布処理ユニット３１が１台ずつ略水平方向に並べられている。
塗布ブロックＢｃは、２台の塗布用主搬送機構Ｔ６、Ｔ７を備えている。塗布用搬送機構Ｔ６は、上側の層に並ぶ３台の塗布処理ユニット３１に基板Ｗを搬送する。塗布用主搬送機構Ｔ７は、下側の層に並ぶ３台の塗布処理ユニット３１に基板Ｗを搬送する。各塗布用主搬送機構Ｔ６、Ｔ７の搬送領域は区画されておらず、各搬送領域の雰囲気は互いに連通している（互いに遮断されていない）。
塗布ブロックＢｃの前面側（塗布ブロックＢｃとＩＤ部１との間）には、基板Ｗを載置する載置部Ｐ２１、Ｐ２４、Ｐ２５、Ｐ２８が上下方向に並んで設けられている。載置部Ｐ２１、Ｐ２４は塗布用主搬送機構Ｔ６に対向しており、載置部Ｐ２５、Ｐ２８は塗布用主搬送機構Ｔ７に対向している。
塗布ブロックＢｃの背面側（塗布ブロックＢｃと現像ブロックＢｄの間）には、載置部Ｐ２２、Ｐ２３、Ｐ２６、Ｐ２７が上下方向に並んで設けられている。載置部Ｐ２２、Ｐ２３は塗布用主搬送機構Ｔ６に対向しており、載置部Ｐ２６、Ｐ２７は塗布用主搬送機構Ｔ７に対向している。
塗布用主搬送機構Ｔ６、Ｔ７について説明する。各塗布用主搬送機構Ｔ６、Ｔ７はともに支柱１１１に昇降自在に支持されている。支柱１１１は、塗布ブロックＢｃの略中央に垂直に設置されている。主搬送機構Ｔ６、Ｔ７はそれぞれ昇降ベース部１１３と、回転台１１５と、１対の保持アーム１１７ａ、１１７ｂとを備えている。昇降ベース部１１３は、支柱１１１に昇降可能かつ回転可能に取り付けられている。回転台１１５は、昇降ベース部１１３に回転可能に保持されている。保持アーム１１７ａ、１１７ｂはそれぞれ、回転台１１５にスライド移動可能に取り付けられている。
そして、塗布用主搬送機構Ｔ６は、上側の層の塗布処理ユニット３１および熱処理ユニットＰＨＰｃと、載置部Ｐ２１−Ｐ２４に対して基板Ｗを搬送する。塗布用主搬送機構Ｔ７は、下側の層の塗布処理ユニット３１および熱処理ユニットＰＨＰｃと、載置部Ｐ２５−Ｐ２８に対して基板Ｗを搬送する。なお、現像用主搬送機構Ｔ５および第１迂回搬送機構Ｔｂ１は、各載置部Ｐ２２、Ｐ２３、Ｐ２５、Ｐ２６に対して基板Ｗを搬送可能である。
次に、実施例３に係る基板処理装置の動作について簡単に説明する。図１７は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。
ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、カセットＣから載置部Ｐ２１に基板Ｗを搬送するとともに、載置部Ｐ２４から基板Ｗを受け取ってカセットＣに搬送する。続いて、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、カセットＣから載置部Ｐ２５に基板Ｗを搬送するとともに、載置部Ｐ２８から基板Ｗを受け取ってカセットＣに搬送する。
塗布用主搬送機構Ｔ６は、載置部Ｐ２１から基板Ｗを受け取り、上側の層に並べられる下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、上部反射防止膜用塗布処理ユニットＴＡＲＣに順番に基板Ｗを搬送する。これにより、塗布ブロックＢｃにおける一連の処理が基板Ｗに行われる。その後、基板Ｗを載置部Ｐ２２に払い出す。また、塗布用主搬送機構Ｔ６は、載置部Ｐ２３から基板Ｗを受け取り、載置部Ｐ２４に払い出す。塗布用主搬送機構Ｔ７は、塗布用主搬送機構Ｔ６と略同様の動作をする。
第１迂回搬送機構Ｔｂ１は、載置部Ｐ２２から基板Ｗを受け取り、載置部Ｐ７に搬送する。また、載置部Ｐ２６から基板Ｗを受け取り、載置部Ｐ７に搬送する。第１迂回搬送機構Ｔｂ１は、この一連の動作を繰り返す。
第１搬送機構ＴＩＦＡと、第２搬送機構ＴＩＦＢの動作は実施例１と同様である。
現像用主搬送機構Ｔ５は、載置部Ｐ１０に載置された基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶに搬送し、その後、載置部Ｐ２３に基板Ｗを搬送する。続いて、載置部Ｐ１０に載置された基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶに搬送し、その後、載置部Ｐ２７に基板Ｗを搬送する。現像用主搬送機構Ｔ５は、この一連の動作を繰り返す。
このように、実施例３に係る基板処理装置によっても、第１迂回ブロックＢｂ１を備えて、現像ブロックＢｄを経由せず、塗布ブロックＢｃからＩＦ部５へ基板Ｗを直接搬送することができる。このため、現像ブロックＢｄを経由する基板Ｗは、ＩＦ部５からＩＤ部１への一方向に移動する基板Ｗのみとすることができる。よって、現像ブロックＢｄにおける基板Ｗの搬送効率がよい。
また、第１迂回搬送機構Ｔｂ１は昇降可能な昇降軸６２を有して構成されているので、塗布ブロックＢｃの複数箇所（載置部Ｐ２３、Ｐ２６）から払い出された各基板Ｗを好適に受け取ることができる。
また、第２迂回ブロックＢｂ２（第２迂回搬送機構Ｔｂ２）を省略した構成であっても、第１迂回搬送機構Ｔｂ１は露光前の基板Ｗを搬送し、現像用主搬送機構Ｔ５は露光後の基板Ｗを搬送するように動作させることができる。これにより、基板Ｗの品質管理を好適に行うことができる。
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した各実施例では、第１迂回ブロックＢｂ１の配置をそれぞれ例示したが、これに限られない。現像ブロックＢｄを経由することなく、塗布ブロックＢｃからＩＦ部５へ基板Ｗを搬送できれば、適宜の位置に配置することができる。例えば、第１迂回ブロックＢｂ１を、現像ブロックＢｄの下方に配置してもよい。この際、塗布ブロックＢｃから基板Ｗが払い出される位置、ＩＦ部５に対して基板Ｗを搬入させる位置に応じて柔軟に変更することができる。
（２）上述した実施例１、２では、第２迂回ブロックＢｂ２の配置をそれぞれ例示したが、これに限られない。塗布ブロックＢｃを経由することなく、現像ブロックＢｄからＩＤ部１へ基板Ｗを搬送できれば、適宜の位置に配置することができる。例えば、第２迂回ブロックＢｂ２を塗布ブロックＢｃの側方に配置してもよい。この際、現像ブロックＢｄから基板Ｗが払い出される位置、ＩＤ部１に対して基板Ｗを搬入させる位置に応じて柔軟に変更することができる。
なお、上記した塗布ブロックＢｃから基板Ｗが払い出される位置と、ＩＤ部１に対して基板Ｗを搬入させる位置は、実施例２の構成のように、近接する場合がある。このような場合には、第１迂回ブロックＢｂ１と第２迂回ブロックＢｂ２の一部または全部を共通としてもよい。これにより、装置の省スペース化に資する。
（３）上述した各実施例では、第１、第２迂回ブロックＢｂ１、Ｂｂ２による基板Ｗの搬送を例示したがこれに限られない。すなわち、第１迂回ブロックＢｂ１によってさらに、ＩＦ部５から塗布ブロックＢｃまたは第２迂回ブロックＢｂ２に基板Ｗを搬送させてもよい。この場合であっても、塗布ブロックＢｃからＩＦ部５への基板Ｗの搬送は第１迂回ブロックＢｂ１によって行われるので、当該基板Ｗが現像処理ユニットＤＥＶを経由することがない。第２迂回ブロックＢｂ２の動作についても同様に変更することができる。
（４）上述した各実施例では、全て第１迂回ブロックＢｂ１を有していたが、これに限られない。すなわち、第１迂回ブロックＢｂ１を省略して第２迂回ブロックＢｂ２のみを備えるように構成してもよい。このように構成される装置によっても、ＩＦ部５からＩＤ部１への基板Ｗの搬送を、塗布ブロックＢｃを経由せず第２迂回ブロックＢｂ２が直接行うことができる。したがって、塗布ブロックＢｃにおける基板Ｗの搬送を効率よく行うことができるという効果を奏する。
（５）上述した各実施例では、塗布ブロックＢｃに搭載する塗布処理ユニット３１について、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴや下部反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣなどを例示したが、これに限られない。基板Ｗの処理内容に応じて、塗布処理ユニット３１の種類や、塗布ブロックＢｃに搭載する塗布処理ユニット３１の組み合わせを適宜に処理液の種類選択、変更することができる。また、各種の塗布処理ユニット３１を積層する順番も、実施例の例示に限定されることなく、適宜に選択、変更することができる。
（６）上述した実施例１、２では、検査ユニットＭＩは、現像処理が行われた後の基板Ｗについてレジスト膜の線幅を計測・検査すると説明したが、計測、検査の内容はこれに限られない。たとえば、基板Ｗに塗布されたレジスト膜や反射防止膜の厚みを計測・検査する検査ユニットに変更してもよい。
（７）上述した各実施例および各変形例で説明した基板処理装置の各構成を適宜に組み合わせるように変更してもよい。
実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 図１におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。 図１におけるｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。 塗布用主搬送機構の斜視図である。 （ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるａ−ａ矢視の垂直断面図である。 実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。 基板に行う一連の処理をフローチャートである。 各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。 実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 図１１におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。 実施例３に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 図１４におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。 各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。
符号の説明
１ …インデクサ部（ＩＤ部）
３ …処理部
５ …インターフェイス部（ＩＦ部）
２７、２８、２９ …遮断板
３１ …塗布処理ユニット
９０ …制御部
１０１ …第３ガイドレール
Ｂｃ …塗布ブロック
Ｂｄ …現像ブロック
Ｂｂ１ …第１迂回ブロック
Ｂｂ２ …第２迂回ブロック
Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３ …階層
ＢＡＲＣ …下部反射防止膜用塗布処理ユニット
ＲＥＳＩＳＴ …レジスト膜用塗布処理ユニット
ＴＡＲＣ …上部反射防止膜用塗布処理ユニット
ＤＥＶ …現像処理ユニット
ＰＨＰｃ、ＰＨＰｄ、ＰＨＰｂ２、ＰＨＰ５ …熱処理ユニット
ＭＩ …検査ユニット
ＴＩＤ…ＩＤ用搬送機構
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ６、Ｔ７ …塗布用主搬送機構
Ｔ５ …現像用主搬送機構
Ｔｂ１ …第１迂回搬送機構
Ｔｂ２ …第２迂回搬送機構
ＴＩＦ …ＩＦ用搬送機構
Ｐ …載置部
Ａ …搬送領域
ＥＸＰ …露光機
Ｃ …カセット
Ｗ …基板

Claims (33)

  1. 基板に処理を行う基板処理装置において、
    基板に処理液を塗布する塗布処理を行う塗布ブロックと、
    前記塗布ブロックの一側面である背面に隣接して設けられ、基板を現像する現像処理を行う現像ブロックと、
    前記現像ブロックの前記塗布ブロックが隣接している側とは反対側に前記現像ブロックと隣接して設けられ、前記装置とは別体の露光機に対して基板を搬送するインターフェイス部と、
    前記現像ブロックを経由せずに前記塗布ブロックから前記インターフェイス部へ基板を搬送する第１迂回ブロックと、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記第１迂回ブロックは、前記塗布ブロックと前記インターフェイス部との間に、前記現像ブロックと並んで設けられていることを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
    前記第１迂回ブロックは、前記現像ブロックの側方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記現像ブロックに搬入される基板は、専ら前記インターフェイス部のみからであることを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記現像ブロックおよび前記第１迂回ブロックの各雰囲気は遮断されておらず、前記第１迂回ブロックは前記現像ブロックに対して開放されていることを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記現像ブロックは、
    基板に現像液を供給する現像処理ユニットと、
    前記現像処理ユニットの側方に設けられ、前記インターフェイス部および前記現像処理ユニットに対して直接基板を搬送する現像用主搬送機構と、
    を備え、
    前記第１迂回ブロックは、専ら前記塗布ブロックおよび前記インターフェイス部のみに対して基板を搬送する第１迂回搬送機構を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  7. 請求項６に記載の基板処理装置において、
    前記現像用主搬送機構と前記第１迂回搬送機構とはそれぞれ前記塗布ブロックの背面に対向するように並んで設けられていることを特徴とする基板処理装置。
  8. 請求項６または請求項７に記載の基板処理装置において、
    前記第１迂回搬送機構は、前記現像用主搬送機構の前記現像処理ユニットが設けられている側とは反対側に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  9. 請求項６から請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記現像用主搬送機構および前記第１迂回搬送機構は、同じ空間に配備されていることを特徴とする基板処理装置。
  10. 請求項６から請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記現像用主搬送機構が前記現像ブロックの外部に基板を払い出す位置と、前記第１迂回搬送機構が前記塗布ブロックから基板を受け取る位置とは、平面視で略同じであることを特徴とする基板処理装置。
  11. 請求項６から請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記現像用主搬送機構が前記インターフェイス部から基板を受け取る位置と、前記第１迂回搬送機構が前記インターフェイス部に基板を受け渡す位置とは、互いに上下方向に近接していることを特徴とする基板処理装置。
  12. 請求項６から請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記塗布ブロックは上下方向に並べられている複数の階層を備え、
    各階層はそれぞれ、
    基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットと、
    当該階層の塗布処理ユニットに対して基板を搬送する塗布用主搬送機構と、
    を有し、
    前記第１迂回搬送機構は少なくとも前記塗布用主搬送機構のいずれかとの間で基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理装置。
  13. 請求項１２に記載の基板処理装置において、
    前記第１迂回搬送機構は全ての塗布用主搬送機構との間で基板の受け渡しを行い、
    前記塗布用主搬送機構同士の間で基板を受け渡す際は、前記第１迂回搬送機構を介して行うことを特徴とする基板処理装置。
  14. 請求項１２または請求項１３に記載の基板処理装置において、
    前記塗布ブロックの背面とは反対側の側面である前面に隣接して設けられ、基板を収容するカセットに対して基板を搬送するとともに前記塗布ブロックに基板を搬送するインデクサ部と、
    前記塗布ブロックを経由せずに前記現像ブロックから前記インデクサ部へ基板を搬送する第２迂回ブロックと、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  15. 請求項１４に記載の基板処理装置において、
    前記第２迂回ブロックは、前記インデクサ部と前記現像ブロックとの間に、前記塗布ブロックと並んで設けられていることを特徴とする基板処理装置。
  16. 請求項１４または請求項１５に記載の基板処理装置において、
    前記第２迂回ブロックは、前記塗布ブロックの上方または下方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  17. 請求項１４から請求項１６のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記塗布ブロックに搬入される基板は専ら前記インデクサ部のみからであることを特徴とする基板処理装置。
  18. 請求項１４から請求項１７に記載の基板処理装置において、
    前記塗布ブロックおよび前記第２迂回ブロックの各雰囲気は遮断されていることを特徴とする基板処理装置。
  19. 請求項１４から請求項１８のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第２迂回ブロックは、前記インデクサ部および前記現像ブロックのみに対して直接基板を搬送する第２迂回搬送機構を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  20. 請求項２０に記載の基板処理装置において、
    前記第２迂回搬送機構は、前記塗布用主搬送機構の上方または下方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  21. 請求項１９または請求項２０に記載の基板処理装置において、
    前記インデクサ部と前記塗布ブロックとの間で基板の受け渡しが行われる位置と、前記インデクサ部と前記第２迂回搬送機構との間で基板の受け渡しが行われる位置とは近接していることを特徴とする基板処理装置。
  22. 請求項６から請求項２１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記現像用主搬送機構と前記第１迂回搬送機構とを制御して、前記インターフェイス部への基板搬送は前記第１迂回搬送機構によって行い、前記インターフェイス部から払い出される基板は現像用主搬送機構によって受け取らせる制御部を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  23. 請求項１９から請求項２１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記塗布用主搬送機構と前記第２迂回搬送機構とを制御して、前記インデクサ部から搬送される基板は前記塗布用主搬送機構によって受け取らせ、前記インデクサ部への基板搬送は前記第２迂回搬送機構によって行わせる制御部を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  24. 基板に処理を行う基板処理装置において、
    基板を収容するカセットに対して基板を搬送するインデクサ部と、
    前記インデクサ部の側方に隣接して設けられ、基板に処理液を塗布する塗布処理を行う塗布ブロックと、
    前記塗布ブロックの前記インデクサ部が隣接している側とは反対側に前記塗布ブロックと隣接して設けられ、基板を現像する現像処理を行う現像ブロックと、
    前記塗布ブロックを経由せずに前記現像ブロックから前記インデクサ部へ基板を搬送する第２迂回ブロックと、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  25. 請求項２４に記載の基板処理装置において、
    前記第２迂回ブロックは、前記インデクサ部と前記現像ブロックとの間に、前記塗布ブロックと並んで設けられていることを特徴とする基板処理装置。
  26. 請求項２４または請求項２５に記載の基板処理装置において、
    前記第２迂回ブロックは前記塗布ブロックの上方または下方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  27. 請求項２４から請求項２６のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記塗布ブロックに搬入される基板は専ら前記インデクサ部のみからであることを特徴とする基板処理装置。
  28. 請求項２４から請求項２７のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記塗布ブロックと前記第２迂回ブロックとの間には雰囲気を遮断する遮断部材が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
  29. 請求項２４から請求項２８のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第２迂回ブロックは、前記インデクサ部および前記現像ブロックに対して直接基板を搬送する第２迂回搬送機構を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  30. 請求項２９に記載の基板処理装置において、
    前記第２迂回搬送機構は、前記塗布用主搬送機構の上方または下方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  31. 請求項２９または請求項３０に記載の基板処理装置において、
    前記インデクサ部と前記塗布ブロックとの間で基板の受け渡しが行われる位置と、前記インデクサ部と前記第２迂回搬送機構との間で基板の受け渡しが行われる位置とは近接していることを特徴とする基板処理装置。
  32. 請求項２９から請求項３１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記塗布ブロックは上下方向に並べられている複数の階層を備え、
    各階層はそれぞれ、
    基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットと、
    当該階層の塗布処理ユニットに対して基板を搬送する塗布用主搬送機構と、
    を有し、
    前記インデクサ部は、前記塗布用主搬送機構のうち、前記第２迂回搬送機構の最も近くに配置されている塗布用主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理装置。
  33. 請求項３２に記載の基板処理装置において、
    前記塗布用主搬送機構と前記第２迂回搬送機構とを制御して、前記インデクサ部から搬送される基板は前記塗布用主搬送機構によって受け取らせ、前記インデクサ部への基板搬送は前記第２迂回搬送機構によって行わせる制御部を備えていることを特徴とする基板処理装置。
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