CN1816422B - 用于化学机械平整化的功能分级垫的合成 - Google Patents

Abstract

CMP工艺的材料去除速率、缺陷率、腐蚀性和凹陷以及有效平整化长度取决于抛光垫材料的局部摩擦学特性(硬度、顺应性)和物理性质(孔尺寸和密度以及粗糙度)。分级垫表现出对适应于平整化的不同材料/摩擦学性质的空间调节：(i)具有最小凹陷、腐蚀、过度抛光和纳米形态的不同材料叠层，例如金属/阻挡层或氧化物/氮化物[STI]；(ii)具有最小腐蚀、浆料选择性的特定材料(低k、应变硅和SOI)；(iii)具有不同图案密度和芯片尺寸的复杂设计和结构的装置(单芯片***和垂直栅极)。这里描述的若干类型的分级包括环状、岛状、阶梯状和连续的分级。用于特殊浆料化学和垫上晶片清扫的CMP工艺用垫分级设计是基于局部垫材料(硬度、顺应性、孔尺寸和粗糙度)性质的。预计所述功能分级聚合物垫对平整化级(小于100nm)的硅IC、盘驱动器、微机械(MEM)和纳米复合衬底具有重大影响。

Description

用于化学机械平整化的功能分级垫的合成

相关申请的交叉引用

本申请根据U.S.C.119要求如下申请的优先权：

a)2003年6月3日提交的题目为“MODULATION OF POLISH PADPROPERTIES THROUGH A RAMIFIED ALKYL AND ARYLFUNCTIONAL GROUP OF PRECURSORS”的美国临时申请No.60/475/305(57718-30003.00)；

b)2003年6月3日提交的题目为“SYNTHESIS OF A GRADED PADSTRUCTURE FOR CHEMICAL-MECHANICAL PLANARIZATIONUSING REACTIVE INJECTION MOLDING”的美国临时申请No.60/475/374(57718-30004.00)；

c)2003年6月3日提交的题目为“REINFORCEDCHIP-CUSTOMIZED PADS FOR CHEMICAL-MECHANICALPLANARIZATION PROCESSES”的美国临时申请No.60/475/283(57718-30005.00)；

d)2003年6月3日提交的题目为“INCORPORATION OFMULTI-FUNCTIONAL CURATIVE AGENTS IN PADS USED FOR ACHEMICAL-MECHANICAL PLANARIZATION PROCESS”的美国临时申请No.60/475/307(57718-30006.00)；其全部内容通过引入并入本文。

技术领域

本发明涉及适于半导体晶片的化学机械平整化(CMP)的抛光垫。具体地说，本发明涉及合成用以提供材料性质/摩擦学性质的空间分级的抛光垫。这些微分分级可以用于在硅集成电路(IC)加工过程中获得不同电介质膜和金属膜的自定义抛光。

背景技术

化学机械平整化(CMP)被用于在集成电路(IC)制造过程中平整化半导体晶片上的单独层(电介质层或金属层)。CMP可除去所述晶片上IC的不希望的形貌特征，例如大马士革工艺(damascene process)之后的金属淀积物。CMP可用于除去在浅沟槽隔离(shallow trench isolation)步骤中产生的过量氧化物和平整化层间电介质(ILD)以及金属间电介质(IMD)(包括那些具有低介电常数(低k)的材料在内)。

CMP通常使用反应液体介质和抛光垫表面的组合，以提供适于获得平整性的机械和化学控制。所述反应液体和抛光垫的抛光表面之一或二者可以包含无机颗粒(通常为纳米尺寸的)以增强晶片上CMP工艺的化学反应性和/或机械活性。目前常用的抛光垫通常由实质上刚性的微孔聚氨酯材料构成，选择所述材料以同时实现以下功能：提供均匀的浆料传输、提供所得微粒产物的分布和去除、以及提供施加到晶片上的压力的均匀分布。

在CMP工艺中，所述浆料流与晶片的化学相互作用导致在抛光表面处形成化学改性层。同时，该浆料中的研磨剂与所述化学改性表面层发生机械相互作用，从而导致材料去除。所述研磨剂颗粒通常通过机械摩擦作用参与材料去除步骤。当从纳米水平考虑时，薄表面层的形成动力学和随后去除动力学可控制CMP的生产效率，即去除速率(RR)、表面平整性、表面缺陷性、以及浆料选择性。因此，所述抛光垫局部的材料性质/摩擦学性质/机械性质对于CMP工艺过程中的局部和整体平整化而言均是重要的。

在CMP工艺中的材料去除速率(RR)是若干因素的函数，但尤其是浆料研磨剂浓度和在抛光垫/浆料/晶片界面区中的平均摩擦系数(“f”)的函数。CMP过程中的法向力和切向力以及“实时f”的程度依赖于抛光垫的摩擦学特性和浆料的流变学特性。近来研究(ref.1&2)表明垫材料的顺应性(compliance)、晶片和浆料研磨剂颗粒之间的接触面积、以及所述***的润滑程度在任何CMP工艺过程中都起着重要的作用。

作为定性这些因素在CMP工艺中的作用的方法，可以采用Stribeck曲线。作为背景技术，Stribeck曲线是平均摩擦系数“f”与Sommerfield数So[So＝μV/p·d_eff]的曲线图，并示出了晶片、旋转垫和被包封的研磨剂颗粒之间的接触程度。(其中μ＝浆料粘度、V＝相对垫-晶片速率以及d_eff＝α·R_a+[1-α]·d_沟槽，其中R_a是抛光垫平均粗糙度，d_沟槽是抛光垫沟槽深度，以及‘α’(衡量晶片压力的无量纲面积参数)＝A_向上特征/A_平整垫；p_eff＝p/α。)

图1中提供的一般Stribeck曲线示出了三种不同状态：“边界润滑状态”、“过渡状态”和“流体动压润滑状态”。首先，在“边界润滑状态”中，所有固体与浆料研磨剂颗粒密切接触，以及“f”随着“So”保持恒定。在该状态中，出现“f”和“RR”的较大值。

其次，对于中间“So”值或在“部分润滑状态”或“过渡区状态”中，由于存在流体膜层或可能部分地由于抛光垫的粗糙性，抛光垫和晶片不直接接触。在该过渡状态中，“f”的斜率为负。

最后，在“流体动压润滑”状态或在较大的So值下，较厚流体层的存在会导致较小的“RR”和“f”值。随着So的增加“f”的任何微小增加均可能由于在流体流动场中出现漩涡(f＝k·So^β，其中k是常数，β是该润滑状态的摩擦学机制指标)而引起。对于β＞0，边界润滑机制占主导。对于负β值，部分润滑状态显著并且RR较低(RR＝K_Pr·p_eff·V，其中K_Pr是Preston常数，其依赖于该工艺的化学-机械方面特性)。

部分润滑状态(或过渡区状态)可提供延长的垫寿命。然而，在边界润滑状态中的操作可提供较高的稳定性、控制和RR的可预见性以及晶片均匀性。‘f’和‘β’与K_Pr呈线性关系，从而与RR呈线性关系。K_Pr与抛光垫的储能模量成反比。因此具有较高压缩性的较软抛光垫提供较大RR，而具有较低压缩性的较硬抛光垫提供较小RR。在抛光过程中，较软抛光垫会在晶片的前缘处经历较大切向力，因为其被相对更大程度地压缩，并从而产生晶片在其运动过程必须持续克服的阻挡。就微观而言，在晶片/抛光垫界面处抛光垫的粗糙性被削弱，因此增大了切向力、f和β的分量。

所述垫材料的顺应性、微摩擦学和纳米摩擦学连同浆料流变学、种类、润滑性、沟槽或穿孔的结构、研磨剂浓度、pH以及温度分别可以改变特定Stribeck曲线的形状，并可以改变不同润滑状态的相对程度以及K_Pr、f和β的值。

本文描述的抛光垫具有不同的垫摩擦学区。通过调节垫摩擦学和针对这些被调节的或不同的区选择具有Stribeck曲线润滑性的合适操作状态，可以同时获得局部和整体平整化，甚至对于如下材料而言也是如此：具有不同材料叠层(例如可以在金属/阻挡层、氧化物/氮化物结构中见到的，如在浅沟槽隔离(STI)中见到的)的晶片、或者具有通过亚90nm技术层叠的材料(例如低k和应变-Si材料和绝缘体上硅(SOI)结构)的那些、以及具有复杂器件设计和结构(例如“***芯片”(SoC)中所见的那些以及多种垂直栅极结构(例如FinFET))的那些。针对具有宽变化范围的图案密度和芯片尺寸的晶片可以设计本发明的被调节的或功能分级的抛光垫。

具有基本上均匀的摩擦学、化学和摩擦特性的常规开孔和闭孔聚合物垫已经适用于CMP中。然而，250nm CMOS技术的引入探究了这些垫的适用性的限制。对于亚250nm技术，例如具有增加的设计(例如SoC)、工艺(例如SOI，FinFET)或材料(例如Cu或低k材料)的复杂性的技术，尤其当与芯片图案密度的实质变化和增大的芯片尺寸结合时，这些常规开孔和闭孔均匀聚合物垫的使用与在早期晶片中的相同措施相比已经伴有芯片产量、器件性能和器件可靠性的下降。

改变垫厚度(层叠或未层叠的)和垫表面结构(例如穿孔、K-沟槽、X-Y沟槽和K-沟槽/X-Y沟槽的组合)的多种尝试未能特别地解决芯片图案密度、芯片尺寸、结构复杂性和电介质/金属工艺流程对集成电路的最终产量、器件性能和可靠性的影响。

本文描述的具有垫摩擦学特性/材料特性空间变化的功能分级垫适于将CMP工艺用于这些新技术、甚至是使用亚130nm技术节点的那些。

发明内容

本文描述了一种用于CMP工艺的功能分级抛光垫，其由具有用于抛光含硅晶片的抛光表面并设计用于CMP工艺的抛光垫构成，其中所述抛光表面为大体平整的整体(one piece)，并包含至少两个具有不同物理特性的区域。所述至少两个区域可以具有不连续的边界，或者由组分聚合物的混合物形成的边界。所述至少两个区域可以分别包含组成不同的聚合物材料，并且这些区域之间的区可以包含所述组成不同的聚合物材料的混合物。

所述至少两个区域中至少一个的形状可以为环状、岛状或任意形状。所述至少两个区域分别包含具有不同物理参数的不同聚合物材料，并且所述至少两个区域之间的组成变化可以是阶梯式变化、连续变化或两者的组合。该抛光垫可以包括边缘和中心，该边缘占据一个区域而该中心占据另一个区域，所述边缘和中心之间的组成变化可以是连续的、阶梯的或其它形式。

所述功能分级的抛光垫可以通过至少两种聚合物组分的顺序或同时注射成型以形成所述至少两个区域的方法制造。该功能分级的抛光垫可以具有包含嵌段共聚物的至少两个聚合物组分中的至少一个，其中所述嵌段共聚物中可能在该嵌段共聚物中随着距离(over distance)具有不同组成聚合物组分。

在分级垫中，所述关键的垫机械性质(例如尤其是硬度和模量)和物理性质(例如孔隙率)可在空间上变化。可以构思若干类型的分级，其包括可被分类成环状分级、岛状分级和阶梯状分级的图案。取决于操作类型，许多其它分级图案也是可以的。基于包括在CMP过程中的晶片清扫和停留时间分布、摩擦系数及其它物理性质在内的参数采用模拟方法可以形成用于特定操作的最合适的垫分级。

附图说明

图1描述了表示在不同润滑状态中旋转晶片、旋转垫和被包封的研磨剂颗粒之间接触程度的示意性的一般Stribeck曲线。

图2图解性地描述了当将异氰酸酯、多聚胺/多元醇、扩链剂和其它添加剂全部混合在一起时制造分级抛光垫的单步技术。

图3图解性地描述了用于制造分级抛光垫的预聚物或“两步”技术。

图4图解性地描述了一种阶梯分级垫，其具有一种配方的外环和摩擦学特性不同的另一配方的内部区域。

图5描述了一种阶梯分级垫，其具有一种聚合物配方的岛状物和摩擦学特性不同的聚合物基质的周围区域。

图6描述了一种复杂分级的分级垫，其具有不同的形状、尺寸和摩擦学特性材料。

图7表示一种连续分级的垫，其中所述中心包含在该中心处的第一配方，所述边缘包含第二配方。在该变化分案中，两种配方完全混溶。

图8表示一种分级垫，其中该分级是采用注射嵌段共聚物或接枝共聚物形成的微相畴(micro-domain)形态结构。

图9图解性地描述了具有不同平衡结构(bcc、hcp和片层)的嵌段共聚物的(温度-组成)相图。

发明详述

功能分级的抛光垫

下面对适合在CMP工艺中用于抛光上述含硅晶片的抛光垫进行描述。这些垫在邻近被抛光硅晶片的抛光表面上具有至少两个区域，其具有不同的材料特性。这些区域可以是不连续的并且是由清晰边界良好界定的。这些区域可以是其中材料特性随着距离而变化的类型。本发明的抛光垫包含一种或多种聚合物材料，其分别含有以下的一种或多种：具有特定分子量或分子量分布的纯聚合物、一种或多种聚合物的混合物或合金、两种或更多物种的共聚物、以及两种或更多物种的嵌段共聚物。该聚合物组分可以填充有其它聚合物或非聚合物材料(例如聚合物纤维、天然纤维)、颗粒材料(例如聚合物材料的离散“小碎片”)等。

本发明描述的抛光垫的邻近被抛光晶片表面的表面可以在完成了这里描述的合成步骤之后是大体上平整的。凹陷和突起的表面具有这里指出的特性。

适合所述CMP抛光垫的材料包括很宽范围的众多聚合物，其例如包括聚氨酯、聚脲、聚碳酸酯、尼龙、多种其它聚酯、聚砜和多种聚缩醛等。这些聚合物材料及其化学相关的类似物可以用于制造所述CMP垫。当然，也可以采用其它聚合物化学。采用这些材料的配方必须涉及对聚合物材料结构和所得物理性质之间关系的一定理解。其包括不同组分和复合材料的加工特性，例如在不同区域之间的聚合物间的相容性、反应性和粘度。

具有重要的科学、工程和商业历史的一种聚合物体系是聚氨酯和聚脲化学体系。这些聚合物制品常常包括异氰酸酯、多元醇、多聚胺和扩链剂等。从商业上说，超过90％的异氰酸酯为甲苯-二异氰酸酯(TDI)或二苯甲烷-二异氰酸酯(MDI)及其衍生物。其它包括聚亚甲基聚苯基异氰酸酯(PAPI)。异氰酸酯官能团是重要的，因为其可导致交联以及由此导致的硬度和其它垫顺应性。多聚胺/多元醇反应物的尺寸和分子量可对所得聚合物的柔韧性、低温度特性、亲水性、光稳定性和加工特性产生影响。

扩链剂常常是低分子量的二胺或二醇，其用于提高最终聚合物中的脲/氨基甲酸酯的含量。它们与所述异氰酸酯反应并成为所得聚合物中的“硬段”部分，并且常常影响着硬度以及弹性顺从性。许多可获得的扩链剂还可以改变加工特性例如胶凝时间和粘度累积(viscosity build-up)。最终制品的强度也常常受到影响。交联剂的特征在于分子量和官能度。低分子量分子对交联基于摩尔的聚合物基质是有效的，并且可实现提高的耐受溶胀性、低温柔韧性和加工动力学特性。

存在两种公知的配制聚脲/聚氨酯的方法。它们被称为(i)“单步”技术，以及(ii)“两步”技术。图2图解性地表示所述单步技术。概括而言，将所述组分(例如，长链二醇、二异氰酸酯、以及如果需要的扩链剂)在一起混合并反应。然而，该技术难以控制。在反应混合物中反应物的局部浓度和随机的温度控制有时会导致大大地改变聚合物产物的特性。

图3图解性地描述了两步技术。在第一步中，将异氰酸酯与长链二胺/二醇预反应以形成高分子量异氰酸酯，一般称之为“预聚物”。该官能化的预聚物随后与二胺/二醇固化剂或扩链剂进一步反应以完成聚脲/聚氨酯的形成。该工艺更容易控制，但需要更高的加工温度，常常在100℃左右。

应当显见的是本发明的抛光垫可以包含纯聚合物(如上面刚刚讨论的聚氨酯或聚脲材料)，或者可以在抛光面的不同区域包含两种或更多种不同分子量产物的聚氨酯或聚脲材料。

对制备聚氨酯或聚脲材料的这两种方法的解释既应看作制备这些聚合物的一个实例，又应看作是在分级垫合成中采用其它聚合物的一个实例。不应当认为所述实例是对本公开范围的限定。

多重注射成型

用于制造功能分级垫的该工艺的另一变换方案包括已知为多点注射成型的工艺(也称为共注射夹层成型)。多重注射成型是一种其中采用两种或更多种聚合物材料的顺序工艺，然而每一种材料在不同的时间被注射入模具中。该工艺不同于下文描述的原位多重注射成形工艺。

下面是合成其中采用两种不同聚合物组成(每个区域采用一种)的两区域分级垫工艺的一个实例。如图4所示，采用注射成型工艺使得成型所述垫的第一外环。随后将完成的外环放置在第二模具中，随后向该垫环的中心填充第二聚合物材料。重申一下：在第一和第二成型步骤中，采用两种不同的材料，从而在所得垫中具有不同(机械和物理)性质的两个不同区域。在两种材料之间界面处的适当粘结可能需要选择彼此相容的材料。这方面的信息在公开文献中容易获得。两种聚合物之间的界面相容性通常良好。

也可以采用该方法形成具有多于两个区域和具有多于两个阶梯的分级垫。此外，该方法可以用于实现从最简单、最容易定义的环状图案到最复杂和随机的图案的任意阶梯状分级图案。

图5和图6表示可以通过该工艺制造的更复杂的图案。通过十字形模子或隔离体将如图5所示的十字(区域2)围住以使得没有聚合物进入其它空间。在所述一个或另一区域填充之后，从部分成型的垫中除去该十字形模具或模子。

图6表示在CMD抛光垫(200)上定义多种被选定区域的一系列不规则图案，所述选定区为：椭圆(202、203、204)和旗形(205)。在每一个指定区域中，相应的聚合物可以分别为上面讨论的类型的不同聚合物，或者至少两种不同聚合物。另外，所述图案可以采用适当模具几何形状来实现。

多重原位(live-feed)注射成型

也可以使用包括多重原位注射浇料口的模具来制造分级垫。在该方法中，选择的模具具有用于注射聚合物的至少两个浇料口，一般是独立的。在相同注射步骤中，常常是同时，通过所述浇料口注射至少两种不同聚合物以填充所述模具。根据垫所需要的分级要求，可以使用通常的聚合物工程计算方法来计算选择适当注射点和不同聚合物被供入模具的注射速率所需要的流体流量和传热作用。

图7表示采用该工艺通过从模具外周(212)注射第一聚合物并同时从中心注射第二聚合物材料而制得的连续分级聚合物垫(210)。

嵌段共聚物

可以采用嵌段共聚物体系来制造分级垫。图8表示以功能方式描述最终制品的嵌段共聚物组成(相对％组分)与晶体结构(BCC、HCP等)之间关系的相图。为了得到性质上的分级，嵌段共聚物的组成是逐步变化的。因此，以可控方式，通过空间变化在嵌段共聚物中实现几何形状的差别。因为几何形状和(A或B)的百分比随着空间而变化，以及A和B为不同的单元这一事实，因此该变化提供了在物理性质(例如硬度、模量、孔隙率(通过对A或B进行溶液脱除)、粗糙度和粗糙性)上的分级。

具体地，硬度分级可以通过改变嵌段共聚物的分子单元随着距离的浓度来实现，因为用于制造所述垫的两个分子单元A和B可以具有不同的硬度值。此外，如图9所示由组成关系导致的所制造的晶体结构的变化产生了物理参数上另外的可控变化。

适合于涉及嵌段共聚物的这些工艺的分子单元包括例如苯乙烯、异戊二烯、丁二烯、氨基甲酸酯/脲、长链二醇和二胺等材料。

气体辅助注射成型

一种制造其中包含微孔的分级垫的方法应当在注射成型步骤中包括气体以在聚合物抛光垫中得到孔隙率的功能分级。可以从不同浇料口以不同的流率将气体分散到和注射到模具中，从而实现分级。所得的抛光垫可以在不同位置包含不同量的被包封气体并实现硬度或密度上的差别。

反应注射成型(RIM)

特殊的聚合物体系(例如聚氨酯)可以经受采用RIM工艺的成型步骤。在该成型工艺中，代替注射预先合成的聚合物，添加组分单体材料、适当的交联剂(例如丙三醇)及引发剂和扩链剂，在成型的同时聚合所得的混合物。为了制造分级垫，使用多个浇料口注射两种或更多种类型的单体单元(以及相应的扩链剂)以实现化学结构上的分级。化学结构上的分级可以导致机械和物理性质上的分级。

通过有差别地向模具中添加所述单体，该方法可以用于制造上面讨论的连续垫以及阶梯状分级垫。

层状注射成型

通过使用已经预先挤出(可能以层状形式)的聚合物混合物，在例如上面讨论的注射成型工艺中，可以制造具有分级特性的抛光垫。这种制造聚合物的简单物理混合物的方法是直接的并且容易根据制造者而改变需求。所得的分级特性将取决于单个聚合物的机械和物理性质。

该方法可以得到微相畴分级。

微孔(Mucell成型)

在该工艺中，将被成型的聚合物流体与空气混合以形成溶液混合物。采用两种或更多种具有不同化学性质的所述溶液可同时得到机械性质和孔隙率的分级。

采用用于CMP工艺的分级垫的目的是允许以选择的方式使待抛光晶片的不同区域曝露在聚合物垫的不同选择区域上。例如，将晶片的外周曝露在抛光垫的较软区域(其摩擦切向力比抛光垫的较硬区域更高)可能是有利的；与之相比，将晶片的内部区域曝露在抛光垫的较硬区域以得到更高的平整化长度可能是有利的。由于在任何CMP工艺中晶片和抛光垫都在运动(旋转、振荡)，采用这些分级聚合物垫联合停留时间分布模型将可以同时实现局部和整体平整化。该晶片的材料去除速率、缺陷率、腐蚀率和凹陷以及有效的CMP工艺平整化长度取决于抛光垫材料的局部摩擦学特性(硬度、顺应性)和物理性质(孔尺寸和密度、粗糙度)。本发明的功能分级抛光垫允许选择局部和整体的抛光垫物理参数以使得能够改善这些CMP工艺的不足。

Claims (13)

1.一种用于CMP工艺的功能分级抛光垫，其包括具有用于抛光含硅晶片的抛光表面并设计用于CMP工艺的抛光垫，其中所述抛光表面为大体平整的整体，并至少包含具有不同物理特性的第一和第二区域，

其中所述第一区域和第二区域分别包含两种或更多种不同分子量且具有硬段和软段的聚氨酯或聚脲材料，

其中通过将异氰酸酯与长链二胺/二醇预反应以形成异氰酸酯预聚物，该预聚物随后与二胺/二醇固化剂或扩链剂进一步反应而形成所述聚脲/聚氨酯。

2.如权利要求1所述的功能分级抛光垫，其中所述第一和第二区域具有不连续的边界。

3.如权利要求1所述的功能分级抛光垫，其中所述第一和第二区域分别包含组成不同的聚氨酯或聚脲材料。

4.如权利要求3所述的功能分级抛光垫，其中所述第一和第二区域分别包含具有不同物理参数的不同聚合物材料，并且其中所述第一和第二区域之间的区包含组成不同的聚合物材料的混合物。

5.如权利要求1所述的功能分级抛光垫，其中所述第一和第二区域中的至少一个为环状。

6.如权利要求1所述的功能分级抛光垫，其中所述第一和第二区域中的至少一个为岛状。

7.如权利要求1所述的功能分级抛光垫，其中所述第一和第二区域分别包含具有不同物理参数的不同聚合物材料，并且其中所述第一和第二区域之间的区中的组成变化是阶梯式变化。

8.如权利要求1所述的功能分级抛光垫，其中所述第一和第二区域分别包含具有不同物理参数的不同聚合物材料，并且其中所述至少两个区域之间的区中的组成变化是连续变化。

9.如权利要求1所述的功能分级抛光垫，其中所述第一和第二区域分别包含具有不同物理参数的不同聚合物材料，并且其中所述抛光垫是具有边缘和中心的环状物，所述边缘占据第一区域，所述中心占据第二区域，其中所述边缘与所述中心之间的区中的组成变化是连续变化。

10.如权利要求1所述的功能分级抛光垫，其通过至少两种聚合物组分的顺序注射成型以形成所述第一和第二区域的方法得到。

11.如权利要求1所述的功能分级抛光垫，其通过至少两种聚合物组分同时注射成型以形成所述第一和第二区域的方法制造。

12.如权利要求10或11所述的功能分级抛光垫，其中所述两种聚合物组分中的至少一种包含嵌段共聚物。

13.如权利要求12所述的功能分级抛光垫，其中所述嵌段共聚物在该嵌段共聚物中随着距离具有不同组成的聚合物组分。

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