CN1758126A - 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板。其中，薄膜晶体管阵列面板包括：基底；形成在所述基底上的多个栅极线；形成在所述基底上并与所述多个栅极线交叉的多个数据线；多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管都包括连接到所述多个栅极线之一的栅电极、连接到所述多个数据线之一的源电极和漏电极；多个象素电极，每个象素电极都连接到所述漏电极之一，具有一对相互平行的弯边，并完全覆盖所述漏电极的至少一部分。

Description

液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板
技术领域
本发明涉及的是液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板。
背景技术
液晶显示器(LCD)是使用最广泛的平板显示器中的一种。LCD包括设置于一对面板之间的液晶(LC)层，该对面板上设有场发生电极。LC层受到电极产生的电场的作用，场强的变化改变了LC层的分子取向，LC层的分子取向的变化又改变了通过LC层的光的偏振。适当设置偏振器能够根据光的偏振改变光的透射率。
LCD质量的一个量度是视角。视角是由LCD表现出预定对比度比的情形下的角度定义的。已经提出了各种技术来扩大视角，包括利用垂直取向LC层并在象素电极、公共电极等场发生电极上设置切口或者突起的技术。
但是，切口和突起降低了透射率。为了补偿透射率，提出了增大象素电极的尺寸。然而，增大象素电极的尺寸导致象素电极间的距离变密，在象素电极间造成了强横向电场。这种强电场造成LC分子取向不期望的变化，产生了纹路、光泄漏，恶化了显示特征。这些纹路和光泄漏可以用宽的黑矩阵遮蔽。宽的黑矩阵遮蔽也减小了孔径比。
另外，增大象素电极的尺寸会增加象素电极和数据线间的寄生电容。当LCD底板上的有效区域太大，无法使用曝光掩模时，整个的曝光是通过称为“步骤-反复法”的反复分区曝光实现的。一个分区曝光单元或者区域叫做“节”。由于在曝光过程中发生的渐变、旋转和扭曲等，这些节没有精确对齐。相应地，信号线和象素电极间的寄生电容随着这些节而不同，造成了节间的亮度差。节间的边界处可以分辩出这种亮度差。因此，由于节间亮度的不连续，在LCD的屏幕上产生了拼接缺陷。
同时，在数据线和公共电极间也有寄生电容，这种寄生电容会使LC分子无序化。
发明内容
根据本发明实施方式的薄膜晶体管阵列面板，包括：基底；形成在所述基底上的多个栅极线；形成在所述基底上并与所述多个栅极线交叉的多个数据线；多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管都包括连接到所述多个栅极线之一的栅电极、连接到所述多个数据线之一的源电极和漏电极；多个象素电极，每个象素电极都连接到所述漏电极之一，具有一对相互平行的弯边，并完全覆盖所述漏电极的至少一部分。
每个所述数据线都可与一行中的两个相邻的象素电极叠置。
每个所述象素电极都可与两个数据线叠置。
每个所述象素电极与所述两个数据线之一的重叠面积可等于每个所述象素电极与所述两个数据线的另一个的重叠面积的大约一半到大约2倍。
每个所述数据线可包括位于两个相邻数据线之间并与所述象素电极叠置的一对弯曲部分。
每个所述数据线还可包括连接所述数据线的所述弯曲部分并与所述象素电极完全重叠的直部分。
每个所述数据线可包括位于两个相邻栅极线之间并弯曲至少两次的部分。
所述数据线的所述弯曲部分可距离所述象素电极的所述弯边的距离相等，或者以大约直角与所述象素电极的所述弯边交叉。
每个所述数据线都可包括相对于所述象素电极的所述弯边倾斜并与所述象素电极完全重叠的直部分。
每个所述数据线都可包括基本上平行于所述象素电极的所述弯边延伸的弯曲部分和与所述栅极线交叉的直部分。
每个所述数据线的所述弯曲部分都可包括与所述栅极线成大约45度角的一对倾斜部分。
所述数据线的所述弯曲部分可与所述象素电极叠置。
所述数据线的所述弯曲部分可位于所述象素电极的中心附近并由所述象素电极完全覆盖。
所述薄膜晶体管阵列面板还可包括多个包括与所述漏电极叠置的存储电极的存储电极线。
所述存储电极线还可包括位于所述象素电极之间并与所述象素电极部分重叠的分支。
所述薄膜晶体管阵列面板还可包括多个与所述存储电极线的所述分支部分重叠并与所述象素电极叠置的滤色器。
所述数据线的宽度可为大约4微米到大约8微米。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明的实施方式，本发明会变得更加清楚。
附图中，
图1是根据本发明一个实施方式的LCD TFT阵列面板的布局视图；
图2是根据本发明一个实施方式的LCD公共电极面板的布局视图；
图3是包括图1所示TFT阵列面板和图2所示公共电极面板的LCD布局视图；
图4是图3所示LCD沿着IV-IV′线截取的剖视图；
图5是图3所示LCD沿着V-V′线截取的剖视图；
图6是根据本发明另一个实施方式的LCD TFT阵列面板的布局视图；
图7是根据本发明另一个实施方式的LCD公共电极面板的布局视图；
图8是包括图6所示TFT阵列面板和图7所示公共电极面板的LCD布局视图；
图9是图8所示LCD沿着IX-IX′线截取的剖视图；
图10和图11是根据本发明另外的实施方式的LCD布局视图。
具体实施方式
下面参照附图更充分地描述本发明。本发明的优选实施方式表示在附图中。但是，本发明可以按照多种不同的形式实施，不应该将本发明理解成限制于这里所提到的实施方式。
在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜和区的厚度。在整个说明书中相同的附图标记表示相同的元件。可以理解，当谈到层、膜、区或基底等元件位于另一个元件“上”时，可以直接位于该另一个元件上面，也可以在之间夹有若干元件。作为对比，当谈到一个元件“直接”位于另一个元件“上面”时，二者间没有夹元件。
参照图1到图5来详细描述本发明一个实施方式的LCD。
图1是根据本发明一个实施方式的LCD TFT阵列面板的布局视图，图2是根据本发明一个实施方式的LCD公共电极面板的布局视图，图3是包括图1所示TFT阵列面板和图2所示公共电极面板的LCD布局视图，图4是图3所示LCD沿着IV-IV′线截取的剖视图，图5是图3所示LCD沿着V-V′线截取的剖视图。
根据本发明一个实施方式的LCD包括TFT阵列面板100、面对TFT阵列面板100的公共电极面板200、位于TFT阵列面板100和公共电极面板200之间的LC层3。
现在参照图1和图3到图5来详细描述TFT阵列面板100。
多个栅极线121和多个存储电极线131形成在透明玻璃或者塑料等绝缘基底110上。
栅极线121传送栅极信号并基本上沿着横向延伸。每个栅极线121包括多个向上突出的栅电极124和端部129。端部129的面积大，用来与其他层或外驱动电路接触。用来产生栅极信号的栅极驱动电路(未示出)可安装在柔性印刷电路(FPC)膜(未示出)上。而FPC膜可结合到基底110或者直接安装在基底110上或者集成在基底110上。栅极线121可延伸而连接到集成于基底110上的驱动电路。
存储电极线131被供给预定电压，并基本上平行于栅极线121延伸。每个存储电极线131位于两个相邻的栅极线121之间，靠近这两个相邻的栅极线121中下面的一个。每个存储电极线131包括多个存储电极137。存储电极137的形状是转过约45度角的菱形或者矩形。然而，存储电极137可具有各种形状和布局。
栅极线121和存储电极线131包括物理特性不同的两个导电膜，下膜和位于下膜上的上膜。上膜优选地由低电阻金属制成，以减小信号延迟或者压降。低电阻金属包括Al和Al合金等含Al金属、Ag和Ag合金等含Ag金属、Cu和Cu合金等含Cu金属。下膜优选地由Mo和Mo合金等含Mo金属、Cr、Ta、Ti等材料制成。这些材料具有良好的物理、化学特性，而且与氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)等其他材料具有良好的电接触特性。这两种膜比较好的组合例子是Cr下膜和Al(合金)上膜。栅极线121端部129的上膜129q要去掉，以露出下膜129p。
不过，上膜可以用良好接触性的材料制成，而下膜可以用低电阻材料制成。另外，栅极线121和存储电极线131可以包括优选地用上述材料制成的单一层。此外，栅极线121和存储电极线131可以用各种金属或者导体制成。
在图4和图5中，对于栅电极124和存储电极137来说，通过分别加上字母p和q来代表下膜和上膜。
栅极线121和存储电极线131的侧面相对于基底110的表面是倾斜的，倾角范围为大约30度到80度。
在栅极线121和存储电极线131上形成栅绝缘层140。栅绝缘层140优选地由硅氮化物(SiNx)或者硅氧化物(SiOx)制成。
在栅绝缘层140上形成多个半导体带151。半导体带151优选地由氢化非晶硅(简称为“a-Si”)或者多晶硅制成。每个半导体带151基本上沿着纵向延伸并同时周期性地弯曲。每个半导体带151具有多个向着栅电极124分支出来的突起154。
在半导体带151上形成多个欧姆接触带161和欧姆接触岛165。欧姆接触带161和欧姆接触岛165优选地由用磷等n型杂质重掺杂的n+氢化a-Si制成，或者由硅化物制成。每个欧姆接触带161包括多个突起163，这些突起163和欧姆接触岛165成对地位于半导体带151的突起154上。
半导体带151和欧姆接触带161以及欧姆接触岛165的侧面相对于基底110的表面是倾斜的，倾角优选地在大约30度到80度的范围。
在欧姆接触带161和欧姆接触岛165以及栅绝缘层140上形成多个数据线171和多个漏电极175。
数据线171传送数据信号，并基本上沿着纵向延伸而与栅极线121和存储电极线131交叉。每个数据线171包括多个弯曲部分和多个直部分，这两部分交替地相互连接而周期性地弯曲。每个弯曲部分包括一对倾斜部分，这对倾斜部分相互连接形成V形。数据线171的倾斜部分与栅极线121成大约45度角。每个直部分与栅极线交叉并包括多个突向栅电极124的源电极173。每个弯曲部分可以弯曲两次或者更多次。
每个数据线171还包括端部179。端部179的面积大，用来与其他层或者外部器件接触。用来产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可安装在FPC膜(未示出)上。而FPC膜可结合到基底110或者直接安装在基底110上或者集成在基底110上。数据线171可延伸而连接到集成于基底110上的驱动电路。
一对倾斜部分的长度是直部分长度的大约1到9倍，即占该对倾斜部分和该直部分总长度的50％～90％。一对倾斜部分可以用三个或者更多的倾斜部分来代替，这样，相邻的两个直部分之间的部分数据线171弯曲两次或者更多次。
漏电极175与数据线171是分开的，并相对于栅电极124与源电极173相对。每个漏电极175都包括一个矩形或者菱形端部和一个窄端部。菱形端部与存储电极叠置，窄端部由象字母“J”那样弯曲的源电极173部分围绕。
栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体带151一起形成了TFT，TFT在位于源电极173和漏电极175之间的突起154中形成有沟道。
数据线171和漏电极175包括物理特性不同的两个导电膜，下膜171p、175p和位于下膜上的上膜171q、175q。上膜171q、175q优选地由低电阻金属制成，以减小信号延迟或者压降。低电阻金属包括Al和Al合金等含Al金属、Ag和Ag合金等含Ag金属、Cu和Cu合金等Cu铜金属。下膜171p、175p优选地由Cr、Mo、Ta、Ti，及其合金等难熔金属制成。这两种膜比较好的组合例子是Cr/Mo(合金)下膜和Al(合金)上膜。数据线171端部179的上膜179q要去掉，以露出下膜179p。不过，数据线171和漏电极175可以包括优选地用上述材料制成的单一层。此外，数据线171和漏电极175可以用各种金属或者导体制成。
在图4和图5中，对于源电极173来说，通过分别加上字母p和q来代表下膜和上膜。
数据线171和漏电极175具有倾斜的边缘形貌，倾角范围为大约30度到80度。
欧姆接触带161和欧姆接触岛165仅位于下面半导体带151和其上的上覆导体171、175之间，减少了它们间的接触电阻。半导体带151包括一些没有被数据线171和漏电极175覆盖的暴露部分，比如位于源电极173和漏电极175之间的部分。
钝化层180形成在数据线171、漏电极175和半导体带151的暴露部分上。钝化层180优选地由无机或者有机绝缘材料制成，可具有平的顶面。无机绝缘材料的例子包括硅氮化物和硅氧化物。有机绝缘材料具有光敏性，介电常数小于4.0。钝化层180可包括无机绝缘材料制成的下膜和有机绝缘材料制成的上膜，这样，它能够获得有机绝缘材料的优良绝缘特性，同时防止了半导体带151的暴露部分受到有机绝缘材料的损坏。
钝化层180具有多个接触孔182、185，分别暴露出数据线171端部179的下膜179p和漏电极175菱形端部的下膜175p。钝化层180和栅绝缘层140具有多个接触孔181，暴露出栅极线121端部129的下膜129p。
在钝化层180上形成多个象素电极190和多个辅助接触件81、82。这些元件优选地由ITO或者IZO等透明导体或者Ag、Al、Cr或者Ag、Al、Cr的合金等反射导体制成。
象素电极190经过接触孔185物理并电连接到TFT的漏电极175，这样，象素电极190能够从漏电极175接受数据电压。施加了数据电压的象素电极190和施加了公共电压的公共电极面板200的公共电极270一起产生了电场，这些电场决定了位于这两个电极190、270之间的LC层3的LC分子31的取向。象素电极190和公共电极270形成了被称作“液晶电容器”的电容器，在TFT关断后存储所施加的电压。
每个象素电极190都包括多个基本上平行于数据线171倾斜部分的倾斜边和多个分别基本上平行于栅极线121和数据线171的横向部分、直部分，因此，也形成了V形。象素电极190覆盖了包括存储电极137的存储电极线131和漏电极175的菱形端部。
另外，每个象素电极190都基本上完全地覆盖了数据线171，使数据线171将象素电极190近似分成左、右两半。每个象素电极190都与在TFT附近将数据电压传送到相邻象素电极190的相邻数据线171部分重叠。
象素电极190这样基本上完全覆盖数据线171，即使没有对齐也能够获得均匀的寄生电容，并能够防止在数据线171和公共电极270之间产生寄生电场。而且，象素电极190与两个相邻的数据线171叠置，在相邻数据线171传送极性与公共电压相反的数据电压时，补偿了由于象素电极190和数据线171之间的寄生电容导致的电压变化。详细地讲，象素电极190的电压变化取决于数据线171的电压变化，这两个数据线171沿着相反的方向改变它们的电压，即，这两个数据线171中的一个从正到负地改变该一个数据线所运载的数据电压的极性，而这两个数据线171中的另一个从负到正地改变该另一个数据线所运载的数据电压的极性。相应地，与象素电极190只叠置于一个数据线171的情况相比，象素电极190的电压变化减小了。
象素电极190和连接到象素电极190上的漏电极175的菱形端部叠置于包括存储电极137的存储电极线131。象素电极190、连接到象素电极190上的漏电极175和存储电极线131形成了被称作“存储电容器”的另一个电容器，增强LC电容器的电压存储能力。
象素电极190与数据线171以及栅极线121叠置，增加了孔径比。
辅助接触件81、82分别经接触孔181、182连接到栅极线121的端部129和数据线171的端部179。辅助接触件81、82保护端部129、179，并增强端部129、179与外部器件间的粘合力。
下面参照图2到图5描述公共电极面板200。
叫做黑矩阵的挡光件220形成在透明玻璃或者塑料等绝缘基底210上。挡光件220包括多个面对象素电极190之间的间隙的弯曲部分和多个面对TFT的平部分，这样，挡光件220能挡住象素电极190间的光泄漏，并限定了面对象素电极190的开口区域。此外，挡光件220可具有多个开口(未示出)，这些开口面对象素电极190并与象素电极190具有几乎相同的形状。
在基底210和挡光件220上形成多个滤色器230。滤色器230基本上位于挡光件220所限定的开口区域内，可沿着象素电极190的列延伸。每个滤色器230代表包括红、绿、蓝的基色之一。
在滤色器230和挡光件220上形成优选地由(有机)绝缘材料制成的保护层250。保护层250防止滤色器露出并提供平面。可以省略保护层250。
在保护层250上形成公共电极270。公共电极270优选地由ITO和IZO等透明导电材料制成，并具有多个V形切口71。
每个切口71都包括弯曲部分、横向部分、直部分。弯曲部分包括一对相互平行的倾斜部分，横向部分连接到弯曲部分的一端，直部分连接到弯曲部分的另一端。切口71的弯曲部分沿着数据线171的弯曲部分延伸，面对着象素电极190，这样，切口71的弯曲部分可以将象素电极190分成左、右两半。切口71的横向部分和直部分与切口71的弯曲部分成钝角，可以与象素电极190的横向边和直边对齐。切口71的宽度可等于大约9微米到到大约12微米。
在面板100和200的内表面上可涂取向层(未示出)。取向层可以是同向扭曲的。在面板100和200的外表面设置偏振器12、22，使它们的偏振轴线交叉，并且一个偏振轴线可平行于栅极线121。当LCD为反射型LCD时，可省略掉偏振器12、22中的一个。
LCD还可以包括至少一个延迟膜(未示出)，用来补偿LC层3的延迟。
LCD还可以包括背光单元(未示出)，将光经偏振器12、22、延迟膜、面板100、200，供给LC层3。
优选地，LC层3具有负的介电各向异性，并进行垂直取向。垂直取向是在没有电场时，LC层3的LC分子31以它们的长轴基本上垂直于面板100、200表面的方式取向。因此，入射光不能通过交叉的偏振***12、22。
当给公共电极270施加公共电压并给象素电极190施加数据电压时，生成基本上垂直于面板100、200表面的主电场。象素电极190和公共电极270共同称为“场发生电极”。LC分子31趋向于响应电场而改变它们的取向，使其长轴可垂直场的方向。
公共电极270的切口71和象素电极190的边使主电场扭曲而具有横向分量。该横向分量决定了LC分子31的倾斜方向。主电场的横向分量垂直于切口71的边和象素电极190的边。
参见图3，分开象素电极190的切口71和连接象素电极190的弯曲点的假想横向线将象素电极190分成了4个子区域。每个子区域都具有两个由切口71的弯曲部分限定的主边和象素电极290的倾斜边缘。子区域的主边可与偏振器11、21的偏振轴线成大约45度角，以使光效率最大。各子区域的主边间的距离等于大约20微米到大约30微米。
由于各子区域上的大部分LC分子31垂直于主边倾斜，所以，倾斜方向的方位分布局限于大约4个方向。各种分子倾斜角度增加了LCD的基准视角。
子区域的数目可以是8或者6，这可以通过改变公共电极270上的切口71的数目来实现。通过在象素电极190上设置切口或者改变象素电极190边上弯曲点的数目可以改变公共电极270上的切口71的数目。
同时，由于象素电极190间电压差而产生的副电场的方向垂直于子区域的主边。因此，副电场的电场方向与主电场横向分量的方向一致。于是，象素电极190间的副电场增强了对LC分子31倾斜方向的决定作用。
切口71可以用突起(未示出)或者凹部(未示出)来代替。突起优选地由有机或者无机材料制成，位于场发生电极190或270上或下。突起的宽度可等于大约5微米到大约10微米。
图1到图5所示的LCD可具有各种变型。
例如，象素电极190以及公共电极270可具有切口(未示出)来产生边缘电场。而且，这些切口可以用位于公共电极270或者象素电极190上的突起代替。
切口或者突起的形状和布局可依据象素尺寸、象素电极横向边和直边的比值、LC层3的特性和类型等等设计因素而改变。
作为另一个变型例子，象素电极190和公共电极270可以没有切口或者突起来控制LC层分子倾斜方向。
作为又一个变型例子，LC层3可具有正的介电各向异性，并按照扭曲向列模式排列。在这种情形下，在没有电场时，LC层3中的LC分子平行于面板100、200的表面排列，并从TFT阵列面板100向着公共电极面板200扭曲大约90度角。
作为再一个变型例子，象素电极190、数据线171、半导体带151、欧姆接触带161、挡光件220、滤色器230等可以是直的或者矩形，而不是弯曲的、斜的、菱形或者平行四边形。
下面详细描述图1到图5所示的根据本发明一个实施方式的TFT阵列面板的制造方法。
首先，在绝缘基底110上按顺序溅射优选地由Cr、Mo或者Mo合金制成的下导电膜和优选地由含Al金属或含Ag金属制成的上导电膜。然后，按顺序对这两个导电膜进行湿法或者干法蚀刻，而形成多个包括栅电极124和端部129的栅极线121以及多个包括存储电极137的存储电极线131。
按顺序地化学汽相淀积厚度为大约1500到5000的栅绝缘层140、厚度为大约500到2000的本征a-Si层、厚度为大约300到600的非本征a-Si层。之后，对非本征a-Si层和本征a-Si层进行光刻，而在栅绝缘层140上形成多个包括突起154的本征半导体带和多个非本征半导体带151。
接着，按顺序溅射包括下导电膜和上导电膜。厚度为1500到3000的两个导电膜，并进行构图而形成多个包括源电极173和端部179的数据线171和多个漏电极175。下导电膜优选地由Cr、Mo或者Mo合金制成，上导电膜优选地由含Al金属或含Ag金属制成。
随后，去掉没覆盖有数据线171和漏电极175的部分非本征半导体带，作出多个包括突起163的欧姆接触带161和多个欧姆接触岛165，并暴露出本征半导体带151。优选地，接着进行氧等离子体处理，以使半导体带151的暴露表面稳定。
接下来涂覆由光敏有机绝缘材料制成的钝化层180，然后经具有多个透光区域和多个位于透光区域周围的狭缝区域的光掩膜对钝化层180进行曝光。于是，钝化层180面对透光区域的部分吸收了全部的光能，而钝化层180面对狭缝区域的部分部分地吸收了光能。然后，对钝化层180进行显影，形成分别露出数据线171的端部179和漏电极175的多个接触孔182、185，并形成多个接触孔181的上部。接触孔181露出位于栅极线121端部129上的部分栅绝缘层140。由于面对透光区域的那部分钝化层180被去掉整个厚度，而面对狭缝区域的部分保留下来，厚度减小，所以，接触孔181、182、185的侧壁呈台阶形貌。
去掉栅绝缘层140的露出部分露出下面部分的栅极线121端部129之后，去掉栅极线121端部129的、漏电极175的和数据线171端部179的上导电膜129q、175q、179q的露出部分，露出下面部分的栅极线121端部129的、漏电极175的和数据线171端部179的下导电膜129p、175p、179p。
最后，通过溅射并光刻厚度为大约400到500的IZO或者ITO层，在钝化层180上、在栅极线121端部129的、漏电极175的和数据线171端部179的下导电膜129p、175p、179p的露出部分上形成多个象素电极190和多个辅助接触件81、82。
下面参照图6、7、8、9详细描述根据本发明另一实施方式的LCD。
图6是根据本发明另一实施方式的LCD TFT阵列面板的布局视图，图7是根据本发明另一实施方式的LCD公共电极面板的布局视图，图8是包括图6所示TFT阵列面板和图7所示公共电极面板的LCD布局视图，图9是图8所示LCD沿着IX-IX′线截取的剖视图。
参见图6到图9，根据这个实施方式的LCD也包括TFT阵列面板100、公共电极面板200、位于面板100、200之间的LC层300和结合在面板100、200上的一对偏振器12、22。
根据本实施方式的面板100、200的层结构与图1到图5所示结构几乎相同。
关于TFT阵列面板100，在基底110上形成多个包括栅电极124和端部129的栅极线121以及多个包括多个存储电极137的存储电极线131。在设有栅极线121和存储电极线131的基底110上，按顺序形成栅绝缘层140、多个包括突起154的半导体带151、多个包括突起163的欧姆接触带161、多个欧姆接触岛165。在欧姆接触带161和欧姆接触岛165上形成多个包括源电极173和端部179的数据线171、多个漏电极175，接着在上面形成钝化层180。在钝化层180上形成多个接触孔181、182、185，然后在钝化层180上形成栅绝缘层140、多个象素电极190和多个辅助接触件81、82。取向层11形成在象素电极190和钝化层180上。
关于公共电极面板200，在绝缘基底210上形成挡光件220、多个滤色器230、保护层250、具有多个切口71的公共电极270、取向层21。
与图1到图5所示的LCD不同的是，根据本实施方式的LCD中的数据线171具有较长的直部分和较短的弯曲部分。数据线171的弯曲部分位于象素电极190的中心附近。
每个象素电极190都和与其相邻的两个数据线171叠置，象素电极190与这两个数据线171中之一的重叠面积近乎等于象素电极190与这两个数据线171中另一个的重叠面积，这样，象素电极190和两个数据线171产生的寄生电容近乎相同。如参照图1到图5所描述的那样，当两个数据线171传送极性相反的数据电压时，由于寄生电容而产生的象素电极190的电压变化相互补偿，减小了象素电极190的净电压改变量。
重叠面积比可以从大约1∶1变化到大约1∶2。
数据线171的宽度可等于大约4微米到大约8微米，考虑到减小数据线171的寄生电容和阻抗，优选地等于大约5微米到大约6微米。
存储电极线131的存储电极137和漏电极175的扩大端部为矩形或方形。存储电极线131还包括沿着象素电极190间的间隙从存储电极137延伸出来的弯曲部分133。
TFT阵列面板100还包括多个位于钝化层180下的滤色器带230，而公共电极面板200没有滤色器。滤色器带230沿着象素电极190延伸，在接触孔185附近没有滤色器带。两个相邻的滤色器带230在数据线171上相互分开。不过，滤色器带230可相互叠置，以防止象素电极190间的光泄漏。当滤色器带230相互叠置时，可省略位于公共电极面板200上的挡光件220。
公共电极面板200上的挡光件220包括多个面对TFT阵列面板100上的TFT的挡光岛。
公共电极270的每个切口71都有中央的横向部分和一对倾斜部分，但没有端部的横向部分。每个倾斜部分具有一个象字母V的下凹缺口。
每个象素电极190都有切口191，切口191在沿着一条从公共电极270的切口71的中央横向部分延伸出来的直横向线的横向方向延伸。
根据本实施方式的TFT阵列面板100的半导体带151与数据线171、漏电极175以及下面欧姆接触161、165具有几乎相同的平面形状。但是，半导体带151的突起154包括一些没盖有数据线171和漏电极175的暴露部分，比如位于源电极173和漏电极175之间的那些部分。
根据一个实施方式的TFT阵列面板的制造方法，利用一个照相平版印刷术步骤，能够同时形成数据线171、漏电极175、半导体带151和欧姆接触161、165。
照相平版印刷术法的光阻材料图案具有取决于位置的厚度，具体地说，具有厚度变小的第一部分和第二部分。第一部分位于将被数据线171、漏电极175占据的布线区域，第二部分位于TFT的沟道区域。
光阻材料取决于位置的厚度是通过几种技术实现的，例如在曝光掩膜上设置半透明区域以及透明区域和挡光的不透明区域。半透明区域可具有狭缝图案、网格图案和具有中等透射率或厚度的一层或几层薄膜。当使用狭缝图案时，优选的是，狭缝的宽度或者狭缝间的距离小于照相平版印刷术所用曝光机的分辨率。另一个例子是使用可回流的光阻材料。详细地讲，当使用只有透明、半透明区域的普通曝光掩膜形成可回流材料制成的光阻图案时，对该图案进行回流处理，使其流到没有光阻材料的区域上，由此形成了薄部分。
于是，通过略去照相平版印刷术步骤简化了制造工艺。
图1到图5所示的LCD的许多上述特征都适用于图6到图9所示的TFT阵列面板。
下面参照图10和图11详细描述根据本发明其它实施方式的LCD。
图10和图11是根据本发明其它实施方式的LCD布局视图。
参见图10和图11，根据本实施方式的LCD也包括TFT阵列面板100、公共电极面板200、位于两个面板100、200间的LC层300和结合在面板100、200上的一对偏振器12、22。
根据本实施方式的面板100、200的层结构与图1到图5所示结构几乎相同。
关于TFT阵列面板100，在基底110上形成多个包括栅电极124和端部129的栅极线121以及多个包括多个存储电极137的存储电极线131。在设有栅极线121和存储电极线131的基底110上，按顺序形成栅绝缘层140、多个包括突起154的半导体带151、多个包括突起163的欧姆接触带161、多个欧姆接触岛165。在欧姆接触带161和欧姆接触岛165上形成多个包括源电极173和端部179的数据线171、多个漏电极175，接着在上面形成钝化层180。在钝化层180上形成多个接触孔181、182、185，然后在钝化层180上形成栅绝缘层140、多个象素电极190和多个辅助接触件81、82。取向层11形成在象素电极190和钝化层180上。
关于公共电极面板200，在绝缘基底210上形成挡光件220、多个滤色器230、保护层250、具有多个切口71的公共电极270、取向层21。
与图1到图5所示的LCD不同的是，在图10所示的LCD中，数据线171的每个弯曲部分都以大约直角弯曲两次，这样，弯曲部分包括3个倾斜部分。另外，弯曲部分沿着切口71与两个象素电极190叠置。换言之，每个象素电极190与两个数据线171叠置。
同时，在图11所示的LCD中，每个数据线171位于数据线171中两个相邻TFT间的部分包括两个相互隔开的弯曲部分和连接这两个弯曲部分的竖向部分。弯曲部分相对于与象素电极190交叉的横线对称布置，每个弯曲部分都包括一对相互成直角的倾斜部分。位于TFT附近的两个倾斜部分与切口71叠置。
在图10和图11所示的公共电极面板200中，挡光件220包括面对TFT阵列面板100中的TFT的多个挡光岛。
图1到图5所示的LCD的许多上述特征都适用于图10和图11所示的TFT阵列。
尽管参照优选实施方式详细地描述了本发明，但是，本领域技术人员应该明白，可以对上述优选实施方式作出各种变型和替换，而不会超出权利要求所限定的本发明的精神和范围。

Claims (17)

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
基底；
形成在所述基底上的多个栅极线；
形成在所述基底上并与所述多个栅极线交叉的多个数据线；
多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管都包括连接到所述多个栅极线之一的栅电极、连接到所述多个数据线之一的源电极和漏电极；
多个象素电极，每个象素电极都连接到所述漏电极之一，具有一对相互平行的弯边，并完全覆盖所述漏电极的至少一部分。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，每个所述数据线都与一行中的两个相邻的象素电极叠置。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，每个所述象素电极都与两个数据线叠置。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，每个所述象素电极与所述两个数据线之一的重叠面积等于每个所述象素电极与所述两个数据线的另一个的重叠面积的大约一半到大约2倍。
5.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，每个所述数据线包括位于两个相邻数据线之间并与所述象素电极叠置的一对弯曲部分。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，每个所述数据线还包括连接所述数据线的所述弯曲部分并与所述象素电极完全重叠的直部分。
7.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，每个所述数据线包括位于两个相邻栅极线之间并弯曲至少两次的部分。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述数据线的所述弯曲部分距离所述象素电极的所述弯边的距离相等，或者以大约直角与所述象素电极的所述弯边交叉。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，每个所述数据线都包括相对于所述象素电极的所述弯边倾斜并与所述象素电极完全重叠的直部分。
10.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，每个所述数据线都包括基本上平行于所述象素电极的所述弯边的弯曲部分和与所述栅极线交叉的直部分。
11.如权利要求10所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，每个所述数据线的所述弯曲部分都包括与所述栅极线成大约45度角的一对倾斜部分。
12.如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述数据线的所述弯曲部分与所述象素电极叠置。
13.如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述数据线的所述弯曲部分位于所述象素电极的中心附近并由所述象素电极完全覆盖。
14.如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括多个包括与所述漏电极叠置的存储电极的存储电极线。
15.如权利要求14所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述存储电极线还包括位于所述象素电极之间并与所述象素电极部分叠置的分支。
16.如权利要求15所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括多个与所述存储电极的所述分支部分重叠并与所述象素电极叠置的滤色器。
17.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述数据线的宽度为大约4微米到大约8微米。
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