JP4828557B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、液晶表示装置に関する。
表示装置は情報を視覚的に人間に伝えるメディアであり、高度な情報社会となった現代では、人間、社会にとって重要な存在となっている。液晶表示装置は近年性能が著しく向上し、携帯電話からパーソナルコンピューターさらには大画面テレビ等の表示装置として採用されている。液晶表示装置は一般に液晶表示パネルと、その背面に配置して液晶表示パネルに光を照射するバックライト(照明装置)とから構成される。カラー画像を表示する場合、1つの画素(ピクセル)が例えば赤色、青色、緑色の3原色に対応する3つの副画素(サブピクセル)から構成され、各色に対応した副画素を独立に制御することでさまざまな色を再現する。
携帯電話などのモバイル機器に使用される液晶表示装置では、幅広い照明環境に対応できることから、半透過型液晶表示装置が使用されている。半透過型液晶表示装置は、その液晶表示パネルの表示領域を構成する一つの副画素(サブピクセル)内に、透過領域と反射領域を有するものである。透過領域は、バックライトからの光の透過量を制御することで、透過型表示を実現する。一方、反射領域は外部からの光の反射量を制御することで、反射型表示を実現する。つまり、半透過型液晶表示装置は暗い環境では、主に透過型表示、明るい環境では、主に反射型表示により表示画像の視認性を確保できるので幅広い照明環境での使用が可能となる。
半透過型液晶表示装置を実現する方式として、VA(Vertical Alignment)方式が知られている。これは、一対の透明基板と、これら透明基板の間に挟持される液晶層と、各透明基板の液晶層とは反対側の面にそれぞれ配置した一対の円偏光板とを有し、液晶層に入射する光の偏光状態を変化させることで光の透過及び反射の量を制御して画像を表示するものである。従来のVA方式による半透過型液晶表示装置では円偏光板を利用しており、この円偏光板の性能で画像のコントラスト比が左右される。
円偏光板は所定の直線偏光成分は吸収し、これと軸が直交する直線偏光は透過する機能を有する偏光板と、1/4波長板を積層したものである。円偏光板の性能を高めるには位相差の波長依存性が小さな1/4波長板を用い、さらに1/4波長板の遅相軸と偏光板の吸収軸が所定の角度になるよう正確に積層することが必要になる。しかしながら、実際の量産では、1/4波長板の位相差や、1/4波長板の遅相軸と偏光板の吸収軸との角度にはばらつきが生じるため、円偏光板を備える半透過型液晶表示装置では透過表示のコントラスト比を高めにくいという課題がある。つまり、VA方式による半透過型液晶表示装置で透過表示のコントラスト比を向上するには円偏光板を使わない方式が望ましい。
特許文献1には、円偏光板を使わないVA方式の液晶表示装置が記載されている。これは、液晶表示装置を構成する一対の偏光板の他に、画素電極及び金属反射層を被覆するように、新たに偏光層を設けるものである。一対の偏光板は、互いにその吸収軸を直交するように配置し、偏光層の吸収軸は、バックライト側に配置する偏光板の吸収軸と一致させる。この場合、透過表示は駆動電圧が零の場合に黒(暗)表示となり、駆動電圧が印加されると明表示となる、所謂、ノーマリーブラック型となる。一方、画素電極と接続された金属反射層を反射領域とすることで、透過表示と同様、駆動電圧が零の場合に黒(暗)表示となり、駆動電圧が印加されると明表示となるノーマリーブラック型の反射表示が実現できる。つまり、円偏光板を使用しなくてもVA方式で半透過型の液晶表示装置が実現できる。
なお、特許文献1では偏光層の材料としてOPTIVA社のTCFTCF(Thin crystal Film)を用いると記載されている。つまり、偏光層としては塗布型の材料を利用する。
特開2005−250430号公報
円偏光板を使わないVA方式の液晶表示装置では、円偏光板を構成する1/4波長板に起因したコントラスト比の低下を回避できる。しかし、この場合は、透過領域において円偏光板を利用する時に表示の明るさに寄与していた液晶分子が偏光板の吸収軸と平行、もしくは直交する方向に向いた領域が表示の明るさに寄与しなくなる。
また、VA方式の液晶表示装置では広視野角化のために、液晶層に電界が印加されたときに液晶分子が傾く方向を複数の方向にするために突起あるいは電極にスリット状の隙間を設ける。この液晶分子の傾く方向を規定する突起や電極のスリット部では、液晶層に電界が印加されても液晶分子はほとんど動かないので表示の明るさに寄与しない。さらに、液晶分子の傾く方向を規定する突起を設ける場合、液晶層に電界が印加されていない状況であっても突起の傾斜面にそって液晶分子が傾いており、これが光漏れの原因となってコントラスト比の低下要因となる。
本発明の目的は、明るくコントラスト比が高い広視野角な液晶表示装置を実現することにある。
本発明は、上記目的を達成するため、複数のデータ線と、複数のデータ線と交差して形成されたゲート線と、複数のデータ線と複数のゲート線とが交差する位置に形成された複数のスイッチング素子と、画素内に形成された反射領域及び透過領域と、第1の基板と第2の基板との間に狭持された液晶層と、第1の基板と液晶層との間に配置された共通電極と、第2の基板と前記液晶層との間に配置された画素電極と、を有し、共通電極は、スリット部もしくは共通電極に被覆された突起部を有し、データ線は、第1の基板面の法線方向において、共通電極のスリット部もしくは共通電極に被覆された突起部と重なり、共通電極のスリット部もしくは共通電極に被覆された突起部は屈曲しており、データ線は、ゲート線の延在方向およびデータ線の延在方向に隣り合う複数の画素にまたがって配置されたことを特徴とする。
また、本発明は、複数のデータ線と、複数のデータ線と交差して形成されたゲート線と、複数のデータ線と複数のゲート線とが交差する位置に形成された複数のスイッチング素子と、画素内に形成された反射領域及び透過領域と、第1の基板と第2の基板との間に狭持された液晶層と、第1の基板と前記液晶層との間に配置された共通電極と、第2の基板と前記液晶層との間に配置された画素電極と、を有し、画素電極は、スリット部もしくは画素電極に被覆された突起部を有し、データ線は、第1の基板面の法線方向において、画素電極のスリット部もしくは画素電極に被覆された突起部と重なり、画素電極のスリット部もしくは画素電極に被覆された突起部は屈曲しており、データ線は、ゲート線の延在方向およびデータ線の延在方向に隣り合う複数の画素にまたがって配置されたことを特徴とする。
また、本発明は、複数のデータ線と、複数のデータ線と交差して形成されたゲート線と、複数のデータ線と複数のゲート線とが交差する位置に形成された複数のスイッチング素子と、画素内に形成された反射領域及び透過領域と、第1の基板と第2の基板との間に狭持された液晶層と、第1の基板と液晶層との間に配置された共通電極と、第2の基板と液晶層との間に配置された画素電極と、を有し、共通電極は、共通電極に被覆された突起部を有し、画素電極は、スリット部を有し、データ線は、第1の基板面の法線方向において、画素電極のスリット部と重なり、反射層は、第1の基板面の法線方向において、共通電極に被覆された突起部と重なり、画素電極のスリット部、及び共通電極に被覆された突起部は屈曲しており、データ線は、ゲート線の延在方向およびデータ線の延在方向に隣り合う複数の画素にまたがって配置されたことを特徴とする。
明るくコントラスト比が高い広視野角な液晶表示装置を実現することができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明するが、種々の変更は可能であり、また、下記実施形態同士の組み合わせは本発明に包含されるものである。
〔実施例1〕
図1は、本発明の半透過型液晶表示装置に係る液晶表示パネルの副画素(サブピクセル)100の主要部の概略構成を示す平面図である。尚、ここでは、カラー表示を実現するために1つの画素(ピクセル)が例えば赤色、青色、緑色の三原色に対応する3つの副画素(サブピクセル)から構成される場合を示すため、独立して明るさを制御できる領域の単位として副画素という表現を用いる。このため、独立して明るさを制御できる領域の単位を画素と定義すれば、画素と副画素は実質的に同じ意味となるものである。
図2は、本発明の半透過型液晶表示装置に係る液晶表示パネルにおける、副画素100の主要部の概略構成を示す断面図である。尚、図2は図1のA−A´線に沿った断面構造を模式的に示す図である。
また、図3は、本発明の半透過型液晶表示装置に係る液晶表示パネル1における、全体のレイアウトの一例を模式的に示すブロック図であり、図3に示すように,液晶表示パネル1は第2の透明基板111の中央部を含む領域に表示領域2が設けられる。表示領域2の上側には,データ線(信号線)7に対して画像信号を出力するデータ駆動回路3,左側にはゲート線(走査線)8に対して走査信号を出力する走査駆動回路4が設置されている。これらのデータ駆動回路3、走査駆動回路4はNチャネル型とPチャネル型の薄膜トランジスタ(TFT; Thin Film Transistor )による相補型回路から構成されるシフトレジスタ回路,レベルシフタ回路,アナログスイッチ回路などから構成される。液晶表示パネル1は、従来のアクティブマトリクス駆動型の液晶表示パネルと同様、複数のゲート線8と、ゲート線8の延在方向に対して交差する方向に延在させた複数のデータ線7が設けられており、ゲート線8とデータ線7とが交差するところに、マトリクス状に副画素100が配置される。また、図1及び図2に示すとおり、本発明にかかる液晶表示パネルの副画素100は、一つの副画素100内に透過領域TAと反射領域RAを有する。
図2に示すとおり、本発明に係る液晶表示パネルは絶縁性を有し、平坦かつ透明で光学的に等方な透明体からなる第1の透明基板110及び第2の透明基板111と、これらの基板の間に液晶層200を有する。第1の透明基板110及び第2の透明基板111としては、ガラスが一般的であるが、上記要件を満たし、さらに耐熱性や耐久性を改良した高分子フィルムを用いることができる。
第1の透明基板110は、透明な導電材料からなる共通電極170を備え、その一部には液晶層に電界を印加した際に液晶分子の傾く方向を規定するためのスリット状の開口部(以下、共通電極スリット部175と呼ぶ)を有する。共通電極170は透明な導電材料で構成する。共通電極170としては、例えばITO(Indium tin oxide)が好適であり、InZnOやZnOなど、その他の透明な導電材料を使用することもできる。
共通電極のスリット部175は、後述の理由から第2の基板110上に形成されるデータ線7と重なる位置に設けられる。
第1の透明基板110には、共通電極170のほかに、カラーフィルターや、配向膜(いずれも不図示)を備える。カラーフィルターは透明基板110と共通電極170との間に設けられる。カラーフィルターは個々の副画素100が担当する色、例えば赤色、緑色、青色などの加法混色の3原色、あるいは、黄色、マゼンタ色、シアン色など減法混色の3原色、あるいは青緑色や黄緑色など、その副画素に所望の色を透過するものを用いる。また、反射領域RAでは,外部からの光がカラーフィルターを2回通るため、反射領域RAと透過領域TAとで色の濃さ、厚み、あるいは被覆面積を変えるようにしても良い。配向膜は、共通電極170の液晶層200側の面に設けられる。配向膜は液晶層200の液晶分子がその分子長軸を第1の基板110の基板面に対し、垂直方向に並ばせる機能を有し、例えばポリイミド系の高分子を用いることができる。
第2の透明基板111には、スイッチング素子120を備える。スイッチング素子120は、複数のデータ線7と複数のゲート線8とが交差する位置に形成され、ポリシリコンやアモルファスシリコンあるいは有機物からなる半導体層を備える薄膜トランジスタから構成される。ここでは一例として、ポリシリコンからなる薄膜トランジスタの場合を説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。ポリシリコン薄膜トランジスタからなるスイッチング素子120は、ソース・ドレイン領域やチャネル領域となる半導体層121などを含むポリシリコン層の上に、ゲート絶縁層122、ゲート電極123、第1の層間絶縁層124、電極層125A、電極層125B、第2の層間絶縁層126を有する。
ゲート絶縁層122、第1の層間絶縁層124は、例えばSiOx(酸化シリコン)からなり、第2の層間絶縁層126は、例えばSiNx(窒化シリコン)からなる。
電極層125A、電極層125B、及びデータ線7としては、金属電極材料を用いればよく、例えば、アルミニウム層の上下をチタン(Ti)やタングステン(W)などでサンドイッチした三層積層構造の膜を用いることができるが、これに限定されるものではない。電極層125A及び電極層125Bは、第1の層間絶縁層124に形成した開口を通して、半導体層121のソース領域とドレイン領域とにそれぞれ接続する。
なお、スイッチング素子120と第2の透明基板111との間には、透明基板111から半導体層121やゲート絶縁層122へのNaやKなどのイオンの混入をブロックするために下地層113を設けると良い。下地層113は、第2の透明基板111側から順にSiNxなどからなる層とSiOxなどからなる層を積層した構造とする。
スイッチング素子120の上には、絶縁層127が設けられる。この絶縁層127は、スイッチング素子120や配線などによる段差を平坦化する機能と、後述する反射層130に凹凸形状を持たせる機能を有する。
段差を平坦化するには、溶液状態で層形成可能な材料が望ましい。従って、絶縁層127としては、有機系の材料、あるいは溶剤に分散させ塗布成膜を可能とした無機材料を用いることができる。さらに、絶縁層127は、その表面を凹凸形状にする工程を必要とするため、材料自身に感光性があれば、工程が簡略化できるという利点がある。また、絶縁層127は、透過領域TAでは、バックライトからの光を効率よく通過させるために、可視光に対する吸収が小さい透明な材料が望ましい。従って、絶縁膜127としては、感光性のポリイミドやアクリル系樹脂などの有機材料が望ましい。
絶縁層127の表面は、反射領域RAにおいては、反射層130の表面を凹凸形状にするために凹凸形状を形成する。この凹凸形状は、フォトリソグラフィー技術により凹凸パターンを形成した後、温度を上げ溶融することで実現してもよいし、露光工程の際にマスクとして、ハーフトーンマスクを使用して実現するなどしても良い。一方、透過領域TAにおいては、絶縁層127の表面は平坦とする。
絶縁層127の上には、反射領域RAに相当する部分に、反射層130を形成する。反射層130は、アルミニウムや銀などの反射率が高い金属材料を用いると良い。反射層130は、フォトリソグラフィー技術などにより、透過領域TAからは除去する。なお、反射層130、はその下層にある絶縁層127の表面に形成された凹凸形状を反映して、その表面が凹凸形状となる。反射層130が凹凸形状となっていることで、液晶表示パネル1に外部から入射する光が反射層130で反射する角度に広がりが生じ、実使用時においては反射表示がより明るくなる。
反射層130の上には、必要に応じて平坦化層140を設ける。平坦化層140は、反射層130の上層に形成する偏光層150の光学性能が、反射層130が凹凸形状となっていることに起因して劣化することを防止するための層である。つまり、偏光層150が形成される下地面を平坦化するための層である。この平坦化層140を設けることにより、偏光層130の光学性能の劣化は抑制され、より明るく、よりコントラスト比が高い画像表示に貢献できる。
平坦化層140は、絶縁材料から構成し、溶液状態で層形成が可能で、可視光に対する吸収が小さい透明な材料が望ましい。つまり、絶縁膜127と同様、ポリイミド系樹脂あるいはアクリル系樹脂などの有機材料が望ましい。
反射層130の上層には、偏光層150を形成する。この際、上記の通り、必要に応じて反射層130と偏光層150の間に平坦化層140を設けると良い。偏光層150は、所定の軸方向に振動面を有する直線偏光は吸収し、この軸と直交する方向に振動面を有する直線偏光は透過するものである。偏光層150は、例えば「Y.Ukai et al., ”Current Status and Future Prospect of In-Cell Polarizer Technology”, SID 04 DIGEST, p1170-1173, 2004」や「Ir Gvon Khan et al., ”Ultra-Thin O-Polarizers’Superiority over E-Polarizers for LCDs ”, SID 04 DIGEST, p1316-1319, 2004」に記載されているリオトロピック液晶染料を用い、それを塗布することで形成することができる。例えば、「Y.Ukai et al., ”Current Status and Future Prospect of In-Cell Polarizer Technology”, SID 04 DIGEST, p1170-1173, 2004」に記載の材料を用いる場合、偏光層150の塗布には、スリットダイコーターを用いると良い。スリットダイコーターは、溶液状態の偏光層150の材料を塗布面に供給しつつ、当該材料へ圧力を加えながら、塗布方向に引き伸ばすことができる。この工程により、染料は配向し、固定化することで偏光層150が形成できる。この場合、偏光層の吸収軸は塗布方向と直交する方向となる。なお、偏光層150としては、直線偏光を照射することで偏光性を発現する材料を用いても良い。
偏光層150は、後述する理由においては透過領域TAに形成しないことが望ましい。このため、本実施例では、偏光層150は、透過領域TAには形成しない場合を述べる。
なお、本実施例では、偏光層150を透過領域TAに形成していないが、図13にも記載した通り、他の実施例では透過領域TAにも形成する場合がある。
つまり、本発明の効果は、偏光層150の配置位置は関係なく達成することができる。例えば、偏光層150を液晶層200と画素電極190間に形成しても良い。
反射領域RA及び透過領域TAには共に、偏光層150よりも上層に位置する部分に画素電極190を形成する。この際、偏光層150と共通電極170の間に必要に応じて保護層160を設けても良い。
保護層160は、偏光層150形成後の工程で、偏光層150が劣化することを抑制すること、あるいは、偏光層150から不純物が染み出し他の構造物を汚染することを防止するために設けると良い。保護層160としては、可視光に対して透明な材料が良く、ポリイミド系やアクリル系などの透明樹脂材料、あるいはSiOx(酸化シリコン)やSiNx(窒化シリコン)などの、透明な無機材料が使用できる。特に保護層として高い性能を求めるなら、緻密な層が形成できるSiNxが望ましい。
なお、例えば、フォトリソグラフィ技術により、偏光層150を透過領域TAから除去する場合、レジスト材料として、透明な感光性レジスト材料を用い透過領域TAから偏光層150を除去した後も、反射領域RAでは、このレジスト材を偏光層150上に残し、これを保護膜160としても良い。この場合は、工程数が少なく出来るという効果がある。
画素電極190は、透明な導電材料で構成することが望ましく、共通電極170と同様、例えば、ITO(Indium tin oxide)が好適であり、InZnOやZnOなどその他の透明な導電材料を使用することもできる。また、画素電極190、保護層160、偏光層150、平坦化層140、反射層130、絶縁層127、及び絶縁層126を貫通する開口(スルーホール)195を介して、スイッチング素子120を構成する電極層125Aと接続する。スルーホール195は直接、画素電極と同じ導電材料で充填する。あるいは、電極層125Aと画素電極190を構成する電極材料の電気的な接続を確実にするために、図示しない導電性の材料からなる中間層を設けるようにしても良い。
反射層130が導電材料の場合は、スルーホール195において、画素電極190と接触することがないように、スルーホールに195に相当する位置に開口を設けて、画素電極とは完全に分離する。
画素電極190は、図1及び図2に例示するとおり、隣接する副画素100との間、及び、ひとつの副画素100内にスリット状の開口部(以下、画素電極スリット部191と呼ぶ)を形成する。また、図1に示すとおり、電極層125Bはデータ線7と接続し、ゲート電極123はゲート線8と接続するが、それぞれデータ線7の一部を電極層125Bとし、ゲート線8の一部をゲート電極123としても良い。
画素電極190の上には。これらを被覆する配向膜(図示せず)を形成する。配向膜は、第1の透明基板110に形成する配向膜と同様、ポリイミド系高分子を用いることができる。
第1の透明基板110と第2の透明基板111は、配向膜形成面を向かい合わせ、図示しないスペーサ−により、一定の間隙を設けた状態で枠状のシール材で周囲を接着することで内部に空間を形成する。この空間に、誘電異方性が負のネマチック液晶を封入し封止することで、液晶層200が設けられる。液晶層200は第1の透明基板110と第2の透明基板111上に形成された配向膜に施される配向処理により、その液晶分子長軸の配向方向が第1の基板110及び第2の基板111の基板面に対し、垂直方向となる。すなわち、液晶層200は、いわゆるホメオトロピック配向とする。
液晶層200の厚さdは、液晶層200に所定の電界を印加して、液晶分子が基板面に対して傾いたときに、基板面に対して垂直方向から観察した場合に、そのリタデーションが1/2波長となる条件に設定する。つまり、液晶材料の屈折率異方性をΔnとすると、リタデーションΔndが例えば波長550nmの光に対して275nmとなる厚さdを選択すると良い。
第1の透明基板110と、第2の透明基板111の液晶層200とは反対側の面には、それぞれ第1の偏光板210と、第2の偏光板211を配置する。第1の偏光板210及び第2の偏光板211としては、例えば延伸したポリビニルアルコールにヨウ素を吸着させることにより偏光機能を付与した膜の両面に、トリアセチルセルロースの保護層を施したものを用いることができる。なお、第1の偏光板210及び第2の偏光板211は、それぞれ第1の透明基板110及び第2の透明基板111に、透明な接着剤により接着すると良い。
図4は、第1の偏光板210の直線偏光の吸収軸210Aと、第2の偏光板211の直線偏光の吸収軸211Aと、偏光層150の直線偏光の吸収軸150Aと、データ線7の延在方向7Aと、画素電極スリット部191の長手方向191Aと、共通電極スリット部175の長手方向175Aとの関係の一例を示す説明図である。尚、画素電極スリット部191の長手方向191Aと、共通電極スリット部175の長手方向175Aは、一つの副画素100内に直交する2つの方向が存在する。
第1の偏光板の吸収軸210Aと第2の偏光板の吸収軸211Aは互いに直交し、偏光層150の直線偏光の吸収軸150Aは第2の偏光板211の直線偏光の吸収軸211Aと平行な方向とする。
第1の偏光板の直線偏光の吸収軸210Aと、画素電極スリット部191の長手方向191A、及び共通電極スリット部175の長手方向175Aがなす角度θは、45°あるいは135°とする。
本発明においても、従来のVA方式の液晶表示装置と同様、液晶層200に電界が印加されたときに液晶分子が傾く方向は、近接する画素電極スリット部191、あるいは共通電極スリット部175の長手方向175Aに対し、垂直な方向となる。このため、液晶層200に電界を印加したときに液晶分子が傾く方向は、第1の偏光板の直線偏光の吸収軸210Aや、第2の偏光板の直線偏光の吸収軸211A、及び偏光層150の直線偏光の吸収軸150Aに対して、45°あるいは135°となる。
なお、偏光層150として、例えば、「Y.Ukai et al., ”Current Status and Future Prospect of In-Cell Polarizer Technology”, SID 04 DIGEST, p1170-1173, 2004」に記載の材料を用いる場合は、その塗布方向をデータ線の延在方向に対し、45°傾いた方向とすれば良い。
また、第1の偏光板の直線偏光の吸収軸210Aと第2の偏光板の直線偏光の吸収軸211A、及び偏光層150の直線偏光の吸収軸150Aは、図4に例示した方向に対して、共に90°回転していても良い。
図5は、本発明の液晶表示装置に係る液晶表示パネル1の表示領域2に構成されたアクティブマトリクスの等価回路図である。液晶表示パネル1は、従来のアクティブマトリクス駆動型の液晶表示パネルと同様、複数のゲート線と、該ゲート線の延在方向に対して交差する方向に延在させた複数のデータ線が設けられており、図5に示すように、m本のゲート線G1,G2,…,Gmとn本のデータ線D1,D2,…,Dnとが交差するところにマトリクス状に副画素100が配置される。また、共通電極170は、図5では便宜上、m本の共通電極CT1,CT2, …,CTmと表記してあるが、分離されている必要はなく、一つの電極として表示領域全面を覆っていてもよい。
各副画素100は、等価回路図では第2の透明基板111上に形成される容量素子(蓄積容量)Cstと、液晶層200により形成される容量素子Clcと、スイッチング素子120とで表現できる。
副画素100の駆動は、1行目のゲート線G1からターンオン電圧を順次供給し、1フレーム期間内にm行のゲート線に対して順次この電圧(走査信号)を供給する。走査信号によってスイッチング素子120がオン状態になると、データ線7から画像信号に応じた電圧が、スイッチング素子120を介して画素電極190に供給される。つまり、あるゲート線にターンオン電圧が供給されている間は、そのデータ線に接続されたスイッチング素子120は全てオン状態となり、それに同期して、n列のデータ線にデータ電圧が供給される。すなわち、液晶表示パネル1の駆動方法は、従来のアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置と同じであるので詳細な説明は省略する。
図6は、本発明における、液晶表示装置の主要部の構成を示す概略断面図である。この液晶表示装置は、液晶表示パネル1と、その背面に配置するバックライト5とから構成される。
液晶表示パネル1は、上記説明の通り、第1の透明基板110と第2の透明基板111を有する。
一般に、第2の透明基板111は、第1の透明基板110よりも大きな基板とし、第2の透明基板111における、第1の透明基板110側の面上であって、第1の透明基板110に覆われない領域には、画像信号などの映像情報を電気的信号として外部から受け取るための領域を有する。つまり、液晶表示パネル1は、第2の透明基板111上であって、第1の透明基板110が重なっていない領域に、フレキシブルプリント回路板(FPC)50を備え、このFPC50を介して、外部と電気的に接続する。また、この領域には、必要に応じてドライバとして機能する半導体チップ(不図示)を実装してもよい。
バックライト5は、液晶表示パネル1の表示領域を、その背面側から照明するものである。バックライト5としては、エッジライト方式(導光体方式)、直下方式(反射板方式)、面状光源方式などがある。バックライト5、はこれらの方式やその他の方式の中から用途や目的、表示領域の大きさに合わせて最適な方式を選べばよい。ここでは、エッジライト方式のバックライトについて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
バックライト5は、裏面に白色顔料によるドット印刷、或いは、微細な凹凸形状やレンズ形状等の光の進行方向を変える手段を形成した、透明な樹脂からなる導光体60と、導光体60の端面に配置した光源61と、導光体60の裏面側に配置した反射シート62と、導光体60の表面側に配置したプリズムシートや、拡散シートなどの光学フィルム類63とを有する。
光源61としては、冷陰極管や熱陰極管などの線状光源や発光ダイオード(LED)などの点状光源を使用することができる。ここでは、光源61としてLEDを使用する場合を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。光源61としてLEDを用いる場合は、光源からの光を、導光体60に効率よく入射させるため、図示しない反射体を設けたり、LEDの発光部の周囲に形成するモールド樹脂の形状を工夫すると良い。
この構成において、光源61から出射し、導光体60に入射する光は、全反射しながら導光体60内を伝播する。導光体60内を伝播する光のうち、導光体裏面に施された光の進行方向を変える手段に至った光は、その進行方向が変わり、導光体60の表面側から出射する。導光体60から出射する光は、プリズムシートや拡散シートなどの光学フィルム類63により、出射角度の分布や、面内での輝度分布が調整された後、液晶表示パネル1に照射される。
バックライト5から出射し、液晶表示パネル1に照射される光のうち、透過領域TAに入射する光は第2の偏光板211を通過した後、液晶層200を通過して、第1の偏光板200に入射する。
この際、映像情報発生部(不図示)から伝えられる映像情報に対応した駆動電圧を画素電極190に印加し、画素電極190と共通電極170との間に電位差を生じさせ電界を形成することで、液晶分子の方向を変えることが出来る。この作用により、液晶層200を通過する光の偏光状態を変化させて、第1の偏光板210を透過する光の量を制御することができる。
例えば、駆動電圧が0V、つまり、画素電極190と共通電極170とに電位差がなく電界が形成されない場合、液晶分子の配向方向は変わらないので、液晶層200を通過する光の偏光状態は維持される。このため、液晶層200を通過する光は、第1の偏光板210で吸収されて黒(暗)表示となる。
一方、所定の駆動電圧を画素電極190に印加し、共通電極175との間に所定の電界を形成すると、液晶分子の方向が変わり、液晶層200を通過する光の偏光状態は変化する。このため、液晶層200を通過する光は、その偏光状態の変化に応じた量の光が第1の偏光板210を透過するため、所定の明るさの表示となる。つまり、駆動電圧が零の場合に黒(暗)表示となり、所定の駆動電圧が印加されると明表示となる、所謂、ノーマリーブラック型となる。
また、外部から液晶表示パネル1の反射領域RAに入射する光は、第1の偏光板210を通過した後、液晶層200を通過し、偏光層150に入射する。
この際、透過領域TAと同様、映像情報発生部(不図示)から伝えられる映像情報に対応した駆動電圧を画素電極190に印加し、画素電極190と共通電極170との間に電位差を生じさせ電界を形成することで、液晶分子の方向を変えることができる。この作用により、液晶層200を通過する光の偏光状態を変化させて、偏光層150を透過する光の量を制御することができる。
例えば、駆動電圧が0V、つまり、画素電極190と共通電極170とに電位差がなく電界が形成されない場合、液晶分子の配向方向は変わらないので、液晶層200を通過する光の偏光状態は維持される。このため、液晶層200を通過する光は、その大部分が偏光層150で吸収され、観察者側20へはほとんど反射しないので黒(暗)表示となる。
一方、所定の駆動電圧を画素電極190に印加し、共通電極170との間に所定の電界を形成すると、液晶の配向方向が変わり、液晶層200を通過する光に偏光状態の変化が生じる。このため、液晶層200を通過する光は、その偏光状態の変化に応じた量の光が偏光層150を透過して、反射層130に入射する。反射層130に入射する光は、反射層130で反射して再び偏光層150に入射するが、反射層130での反射の際、偏光層150を透過した光の偏光状態はほぼ維持される。このため、再び偏光層150に入射する光は、その大部分が透過し、液晶層200を通過して第1の偏光板210に入射する。この際、液晶層200を通過する光の偏光状態は、同様に変化する。このため、液晶層200を通過する光は、その偏光状態の変化に応じた量の光が第1の偏光板210を透過するため、所定の明るさの表示となる。つまり、駆動電圧が零の場合に黒(暗)表示となり、所定の駆動電圧が印加されると明表示となる、所謂、ノーマリーブラック型の反射表示を実現する。
次に、本実施例の特徴について、詳細に説明する。本実施例では、図1に示す通り、データ線7が画素の中央部に設けられている。また、反射層130及び偏光層150により形成される反射領域RAが、一つの画素内に2箇所存在し、この反射領域RAによって、透過領域TAは3つに分離している。この際、共通電極スリット部191や画素電極スリット部175がデータ線7と重なる位置、或いは反射領域RAと重なる位置、或いは画素間に設けられる。
本発明は、明るく高コントラスト比で広視野角な透過表示の実現が目的である。広視野角化のために、液晶層200に電界を印加した際に、液晶分子が傾く方向が4方向となるように、共通電極スリット部191や画素電極スリット部175を配置する。ただし、共通電極スリット部191や画素電極スリット部175は、液晶層200に電界を印加したとき、液晶分子の方向はほとんど変わらないため、表示の明るさに寄与しない。また、電極がある部分とない部分との段差は、液晶分子の並び方に乱れを生じさせ、これが黒表示の際に光漏れの原因となる可能性がある。
そこで、本発明では、共通電極スリット部191や画素電極スリット部175が透過表示に影響を与えないように構成した。具体的には、データ線7と、反射領域RAを構成する反射層130とが、共通電極スリット部191、或いは画素電極スリット部175と重なるように構成する。ここで、データ線7や反射層130は、上記の通り、金属から構成されるので、バックライトからの光を遮光することができる。このため、データ線7や反射層130と重なる領域は、透過表示に影響を与えることがないので、共通電極スリット部191や画素電極スリット部175が透過表示に与える悪影響を排除できる。
なお、広視野角化のためには、共通電極スリット部191や画素電極スリット部175は液晶層200に電界が印加された際、液晶分子が傾く方向が4方向となるように、その一部を画素内に配置する必要がある。この場合、透過領域TAは、液晶層200に電界が印加された際、液晶分子が傾く方向が異なる4つの領域に分離されることになる。この際、液晶分子が傾く方向が異なる4つの領域を、一つの画素内に均等に形成するには、共通電極スリット部や画素電極スリット部の一部を画素の中央部に配置する必要がある。
そこで、本実施例では、データ線7を画素中央部に配置した。また、反射層130も同じ理由で画素内に配置するが、この際、反射層130を、一つの画素内に2箇所形成し、この反射層130によって、透過領域を3つに分離する。反射層130により、分離された透過領域の一つは、データ線7により光学的に2つの領域に分離されるため、透過領域は液晶層200に電界が印加された際、液晶分子が傾く方向が異なる4つの領域に分離される。
上記の通り、本実施例では透過表示の明るさに寄与せず、コントラスト比低下の要因となる共通電極スリット部と画素電極スリット部をデータ線7及び反射層130と重ねることで、その悪影響を軽減できる。この際、データ線7及び反射層130は元々透過表示に寄与しない領域なので、透過領域TAの明るさを損なうことがない。さらに本実施例では、データ線7や反射層130と同じく透過表示に寄与しないスイッチング素子120やゲート線8を反射層130と重なる位置、つまり画素の中央近傍に配置する。このため、明るく、高コントラスト比で、広視野角なVA方式による液晶表示装置が実現できる。
なお、本実施例では、画素電極190と反射層130との間に、偏光層150を配置している。この場合、画素電極190を偏光層150で被覆する場合に対して、より低い駆動電圧でより高い反射率が得られる。つまり、液晶層200と画素電極190との間に、偏光層150を設けない構成としたことで、偏光層150に起因した液晶駆動への悪影響を排除できる。このため、反射率の向上、およびそれに伴うコントラスト比の向上、駆動電圧の低下による消費電力の低減、あるいは低耐圧な汎用ドライバの使用によるコストの削減といった効果が得られる。
また、本実施例では、透過領域TAには偏光層150を設けない。このため、画素電極190を被覆する偏光層150がある場合に対して、低い駆動電圧で、より高い透過率が得られる。つまり、液晶層200と、画素電極190との間に偏光層150を設けないことで、偏光層150に起因した液晶駆動への悪影響を軽減できること、及び偏光層150をなくすことで、透過領域TAにおいて光を吸収する部材が減るからである。
このため、透過率の向上、およびそれに伴うコントラスト比向上の効果が得られ、さらに同じ明るさの画像表示であれば、透過率の向上分、バックライトの電力が下げられるという効果がある。また、駆動電圧の低下による消費電力の低減、低耐圧な汎用ドライバの使用によるコストの削減といった効果が得られる。
なお、本実施例においては、画素電極にスリット部を設けているが、突起部を設けた場合においても、本発明の効果を達成することができる。
また、第一の透明基板110の法線方向において、データ線7に対し、共通電極スリット部191が一部でも重なっていれば、本発明の効果を達成することが出来るが、データ線7の幅は、共通電極のスリット部191の幅より大きく、データ線7は、共通電極のスリット部191に対応して配置されることにより、本発明の効果をより達成することができる。
また、反射層130は、反射領域RAにおいて、画素電極190の上方(液晶層側)に設けても良い。この場合、反射層130は、画素電極190としての機能を兼用するための導電体であることが望ましい。このような反射層130としては、例えば、クロム、アルミ、銀などの金属や合金を用いることができる。これは他の実施例も同様である。尚、偏光層150の位置は、本発明の効果を達成するには反射層130よりも上方に設けることが必要であるため、この場合、偏光層150の位置は、画素電極190の上層になる。
〔実施例2〕
次に、本発明の液晶表示装置の他の実施の形態について、図面を参照して説明する。図7は、本発明の液晶表示装置に係る液晶表示パネルにおける、副画素100の主要部の概略構成を示す平面図である。また、図8は。本発明の液晶表示装置に係る液晶表示パネルにおける、副画素100の主要部の概略構成を示す断面図であり、図7のA−A´線に沿った断面構造を模式的に示す図である。
本実施例は、実施例1に記載の液晶表示装置において、共通電極スリット部175が設けられていた位置に、共通電極スリット部175に代わって共通電極170に被覆された突起部(共通電極突起部220)を備えたものであり、それ以外の構造は実施例1に記載の液晶表示装置と同じであるため、同一機能を有するものには同じ符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
共通電極突起部220は、液晶層200に電界を印加したときに液晶分子が傾く方向を規定するものである。共通電極突起部220は、絶縁性の有機材料や無機材料、或いは導電材料を用いることができ、フォトリソグラフィー技術によりパターニングすればよい。尚、所定の位置に緩やかな傾斜をもつ突起形状を形成する必要があることから、共通電極突起部220は、材料自身に感光性があれば工程が簡略化できるという利点がある。さらに、外部からの光を反射しないために、着色されていることが望ましい。従って、共通電極突起部220としては、着色された感光性のポリイミドやアクリル系樹脂などの有機材料が望ましい。尚、緩やかな傾斜をもつ突起形状の形成は、パターン形成後、温度を上げ溶融することで実現してもよいし、露光工程の際にマスクとしてハーフトーンマスクを使用して実現するなどしても良い。
次に、本実施例の特徴について、詳細に説明する。本実施例では、実施例1と同様、データ線7が画素の中央部に設けられている。また、反射層130及び偏光層150により形成される反射領域RAが、一つの画素内に2箇所存在し、この反射領域RAによって、透過領域TAは3つに分離している。この際、共通電極突起部220や、画素電極スリット部175は、データ線7と重なる位置、或いは反射領域RAと重なる位置、或いは画素間に設けられる。
ここで、共通電極突起部220や画素電極スリット部175は、液晶層200に電界を印加したとき、液晶分子の方向はほとんど変わらないため、表示の明るさに寄与しない。また、特に共通電極突起部220では、液晶層200に電界が印加されていなくても、その傾斜面に垂直な方向に並ぶ液晶分子が存在するため、黒表示の際に光漏れの原因となる。さらに、画素電極スリット部191では、電極がある部分とない部分との段差が液晶分子の並び方に乱れを生じさせ、これが黒表示の際に光漏れの原因となる可能性がある。
このため、本実施例においても、透過表示の明るさに寄与せず、コントラスト比低下の要因となる共通電極突起部220と画素電極スリット部191を、データ線7及び反射層130と重ねることで、その悪影響を排除できる。この際、データ線7及び反射層130は、元々透過表示に寄与しない領域なので、透過領域の明るさを損なうことがない。さらに、本実施例では、データ線7や反射層130と同じく透過表示に寄与しない、スイッチング素子120やゲート線8を、反射層130と重なる位置、つまり画素の中央近傍に配置する。このため、明るく、高コントラスト比で、広視野角なVA方式による液晶表示装置が実現できる。本実施例では、特に、データ線7と重なる共通電極突起部220を着色することで、外光がデータ線7で反射して、コントラスト比が低下することを抑制できるという効果がある。
なお、本実施例においては、画素電極にスリット部を設けているが、突起部を設けた場合においても、本発明の効果を達成することができる。
〔実施例3〕
次に、本発明の液晶表示装置の他の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、上記実施例に記載の液晶表示装置と同一機能を有するものには同じ符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図9は、本発明の液晶表示装置に係る液晶表示パネルにおける、副画素100の主要部の概略構成を示す平面図である。また、図10は本発明の液晶表示装置に係る液晶表示パネルにおける、隣接する3つの副画素100の主要部の概略構成を示す平面図である。また、図11は本発明の液晶表示装置に係る液晶表示パネルにおける、副画素100の主要部の概略構成を示す断面図であり、図9のA−A´線に沿った断面構造を模式的に示す図である。
本実施例では、第1の透明基板110に共通電極突起部220を設け、第2の透明基板111に画素電極スリット部191を設ける。画素電極スリット部191は、その長手方向がデータ線7の延在方向に対して角度αをなし、共通電極突起部220は、その長手方向がデータ線7の延在方向に対して角度βをなす。角度αと角度βは同じ角度とすることで、画素電極スリット部191と共通電極突起220は、その長手方向を平行とする。また、角度α及びβは、45°となる部分と、135°となる部分を有することが、後述する理由から望ましい。つまり、共通電極突起部220と画素電極スリット部191は、屈曲角度が90°のジグザグな形状とすることが望ましい。
データ線7は、液晶表示パネル1を構成する基板面に垂直な方向から観察した際、画素電極スリット部191と重なる位置に形成する。つまり、データ線7はその延在方向に対して、角度αだけ傾いたジグザグな形状とする。この際、図10に例示するとおり、データ線は隣り合う複数の副画素に重なる、別な言い方をすれば、隣り合う複数の副画素にまたがって配置されている。具体的には、図中のデータ線7bは、副画素100a、及び副画素100bと重なっている。このように、データ線を隣り合う複数の副画素に重なるように構成することで、データ線7を、画素電極スリット部191と効率よく重ねることができる。つまり、透過表示の明るさに寄与しない画素電極スリット部191とデータ線7を、無駄が少ない状態で重ね合わせられるので、表示の明るさが犠牲になることが少なくなり、より明るい表示が得られるという効果がある。さらに、画素電極スリット部191の電極の段差に起因して生じる可能性がある黒表示時の光漏れは、データ線で遮光されることで抑制されるため、高いコントラスト比が期待できる。
一方、反射層130及び偏光層150により形成される反射領域RAも、データ線7と一定の距離を保ちながらデータ線7の延在方向に対して、角度βだけ傾いたジグザグな形状をなす。また、ゲート線8及びスイッチング素子120と重なる位置にも、反射層130及び偏光層150により形成される反射領域RAを形成する。この際、反射領域RAは、液晶表示パネル1を構成する基板面に垂直な方向から観察した際、共通電極突起部220と重なる位置に形成する。共通電極突起部220は、液晶層200に電界を印加したとき、液晶分子の方向はほとんど変わらないため、表示の明るさに寄与しない。また、共通電極突起部220では、液晶層200に電界が印加されていなくても、その傾斜面に垂直な方向に並ぶ液晶分子が存在するため、黒表示の際に光漏れの原因となる。このため、透過表示の明るさに寄与せず、コントラスト比低下の要因となる共通電極突起部220を反射層130と重ねることで、その悪影響を排除できる。この際、反射層130は、透過表示に寄与しない領域なので、透過領域の明るさを損なうことがない。このため、明るく、高コントラスト比で、広視野角なVA方式による液晶表示装置が実現できる。
図12は、第1の偏光板210の直線偏光の吸収軸210Aと、第2の偏光板211の直線偏光の吸収軸211Aと、偏光層150の直線偏光の吸収軸150Aと、データ線7の延在方向7Aと、画素電極スリット部191の長手方向191Aと、共通電極突起部220の長手方向220Aとの関係の一例を示す説明図である。なお、画素電極スリット部の長手方向191Aと、共通電極突起部の長手方向220Aは、1つの副画素100内に直交する2つの方向が存在する。
データ線の延在方向7Aに対し、第1の偏光板の直線偏光の吸収軸210Aは平行とする。また、第1の偏光板の直線偏光の吸収軸210Aと第2の偏光板の直線偏光の吸収軸211Aは互いに直交し、偏光層150の吸収軸150Aは、第2の偏光板211の直線偏光の吸収軸211Aと平行な方向とする。つまり、第2の偏光板の直線偏光の吸収軸211Aは、データ線の延在方向7Aと直交する。
また、データ線の延在方向7Aと、画素電極スリット部191の長手方向191A、及び共通電極スリット部175の長手方向175Aがなす角度α及び角度βは、上記のとおり45°あるいは135°とする。
本発明においても、従来のVA方式の液晶表示装置と同様、液晶層200に電界が印加されたときに液晶分子が傾く方向は、近接する画素電極スリット部191、あるいは共通電極突起部220の長手方向に対し、垂直な方向となる。このため、液晶層200に電界を印加したときに液晶分子が傾く方向は、第1の偏光板の直線偏光の吸収軸210Aや第2の偏光板の直線偏光の吸収軸211A、及び偏光層150の吸収軸150Aに対して、45°あるいは135°となる。
偏光層150の吸収軸150Aは、上記の通り、データ線7の延在方向7Aと直交する。従って、偏光層150として、例えば「Y.Ukai et al., ”Current Status and Future Prospect of In-Cell Polarizer Technology”, SID 04 DIGEST, p1170-1173, 2004」に記載の材料と同様の材料を用いる場合は、その塗布方向は、データ線の延在方向7Aと平行な方向とすればよい。
ここで、通常、液晶表示パネル1を構成する第2の透明基板111は、データ線7あるいはゲート線8の延在方向と、平行な辺を有する矩形形状をしている。このため、実施例1に記載の通り、偏光層150の吸収軸が、データ線7の延在方向7Aに対して傾いており、偏光層150として、例えば、「Y.Ukai et al., ”Current Status and Future Prospect of In-Cell Polarizer Technology”, SID 04 DIGEST, p1170-1173, 2004」に記載の材料、あるいはこの材料と同様に、塗布方向に対して直交する方向に吸収軸が形成される材料を用いる場合は、その塗布方向をデータ線7の延在方向7A、つまり、第2の透明基板111の辺に対して45°傾ける必要がある。この場合、一般のスリットダイコーターでは、透明基板の角の部分に材料を塗布することができないため、基板上に塗布できない無効な領域が必要となる。
これに対し、本実施例では、偏光層150の吸収軸150Aは、データ線7の延在方向7Aと直交とする。従って、偏光層150として、例えば、「Y.Ukai et al., ”Current Status and Future Prospect of In-Cell Polarizer Technology”, SID 04 DIGEST, p1170-1173, 2004」に記載の材料、あるいは、この材料と同様に、塗布方向に対して直交する方向に吸収軸が形成される材料を用いる場合は、その塗布方向をデータ線7の延在方向7A、つまり、第2の透明基板111の辺に平行な方向とすればよい。この場合は、基板上に偏光層材料を塗布できない無効な領域が小さくなり、生産性が向上するという利点がある。
また、一般に、液晶表示パネル1を構成する第2の透明基板111は、1枚の大きなマザー基板の状態でさまざまな工程を経た後、複数枚に切り出し、取得している。マザー基板も矩形形状をしているため、本実施例のように、偏光層材料の塗布方向がデータ線7の延在方向7A、つまり、第2の透明基板111の辺と平行な方向であれば、マザー基板上においても、偏光層材料を塗布できない無効な領域が小さくなり、第2の透明基板111を効率よく取得できる。つまり、1枚のマザー基板から取得できる第2の透明基板111の枚数が多くなり、生産性が向上してコストを下げられるという効果がある。
本実施例においても、共通電極突起部220や画素電極スリット部175は、液晶層200に電界を印加したとき、液晶分子の方向はほとんど変わらないため、表示の明るさに寄与しない。また、共通電極突起部220では、液晶層200に電界が印加されていなくても、その傾斜面に垂直な方向に並ぶ液晶分子が存在するため、黒表示の際に光漏れの原因となる。さらに画素電極スリット部191では、電極がある部分とない部分との段差が液晶分子の並び方に乱れを生じさせ、これが黒表示の際に光漏れの原因となる可能性がある。
本実施例においても、透過表示の明るさに寄与せず、コントラスト比低下の要因となる共通電極突起部220と画素電極スリット部175を、データ線7及び反射層130と重ねることで、その悪影響を排除できる。この際、データ線7及び反射層130は元々透過表示に寄与しない領域なので、透過領域TAの明るさを損なうことがない。このため、明るく、高コントラスト比で、広視野角なVA方式による液晶表示装置が実現できる。
また、本実施例では、データ線7と画素電極スリット部191を重ねている。この場合、どちらの構造も第2の透明基板111上での加工となるため、異なる基板に形成した部分を位置合せする場合よりも、高い精度で位置合せができる。つまり、第1の透明基板110と第2の透明基板111の位置合せマージンが小さくて良いため、表示に利用できる領域が広がり、より明るい表示が得られるという効果がある。
本実施例においても、上記実施例と同様、反射領域RAにおいて画素電極190及び共通電極170と反射層130との間に偏光層150を配置することで、画素電極190及び共通電極170を偏光層150で被覆する場合、つまり、液晶層200と画素電極190、及び共通電極170との間に偏光層150を設ける場合に対して、より低い駆動電圧、かつ、より高い反射率が得られる。このため、反射率の向上、およびそれに伴うコントラスト比の向上と、駆動電圧の低下による消費電力の低減、及び低耐圧なドライバの使用によるコストの低減といった効果が得られる。
また、透過領域TAでは、偏光層150を除去しており、画素電極190を被覆する偏光層150がある場合に対して、より低い駆動電圧、かつより高い透過率が得られる。このため、透過率の向上、およびそれに伴うコントラスト比の向上という効果が得られ、さらに同じ明るさの画像表示であれば、透過率の向上分、バックライトの電力が下げられるという効果がある。また、駆動電圧の低下による消費電力の低減、及び低耐圧な汎用ドライバの使用によるコストの低減といった効果が得られる。
なお、第1の偏光板210の直線偏光の吸収軸210Aと第2の偏光板211の直線偏光の吸収軸211A、及び偏光層150の吸収軸150Aは、図12に例示した方向に対して、共に90°回転しても同様の効果が得られる。
なお、本実施例においては、画素電極にスリット部を設けているが、画素電極に突起部を設けた場合においても、本発明の効果を達成することができる。
〔実施例4〕
次に、本発明の液晶表示装置の他の実施の形態について、図面を参照して説明する。図13は、本発明の液晶表示装置に係る液晶表示パネルにおける、副画素100の主要部の概略構成を示す断面図である。
本実施例は、偏光層150を透過領域TAにも設けること以外は、実施例3で説明した液晶表示パネルと同じであり、上記実施例に記載の液晶表示装置と同一機能を有するものには同じ符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
本実施例では、透過領域TAにおいて、液晶を駆動するための画素電極190と第2の透明基板111との間に偏光層150を設ける。偏光層150は、反射領域に形成する偏光層150と同じ材料を用いることができ、偏光層150の吸収軸150Aは、反射領域RAと同じく、第2の偏光板211の直線偏光の吸収軸と一致させる。
本実施例では、上記実施例と異なり、透過領域TAにも偏光層150を設けているが、画素電極190と液晶層200との間には偏光層150を設けない。このため、偏光層150に起因した、液晶駆動への悪影響を全て排除できる。このため、画素電極190を被覆する偏光層150がある場合、つまり液晶層200と画素電極190との間に偏光層150を配置する場合に対して、低い駆動電圧でより高い透過率が得られる。
なお、本実施例では、透過領域TAに偏光層150を設けることで透過率が低下して表示の明るさは低下してしまう。しかし、偏光層150を設けたことによる黒(暗)表示の透過率の低下が、白(明)表示における透過率の低下よりも大きいため、透過表示のコントラスト比は向上するという効果がある。例えば、厚さ300nm、2色比約25の偏光層を透過領域に形成すると、透過領域から偏光層を除去する場合に比べてコントラスト比が約1.9倍に向上する。
また、本実施例では、透過領域TAに偏光層150を設けるため、データ線7と重なる領域にも偏光層150が存在する。この場合、外光のデータ線7での反射を抑制できるため、外光によるコントラスト比の低下が抑制できるという効果がある。
なお、本実施例においては、画素電極にスリット部、共通電極に突起部を設けているが、画素電極に突起部、共通電極にスリット部を設けた場合においても、本発明の効果を達成することができる。
〔実施例5〕
次に、本発明の液晶表示装置の他の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、上記実施例に記載の液晶表示装置と同一機能を有するものには同じ符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図14は、本発明の液晶表示装置に係る液晶表示パネルにおける、副画素100の主要部の概略構成を示す平面図である。また、図15は、本発明の液晶表示装置に係る液晶表示パネルにおける、隣接する3つの副画素100の主要部の概略構成を示す平面図である。また、図16は、本発明の液晶表示装置に係る液晶表示パネルにおける、副画素100の主要部の概略構成を示す断面図であり、図14のA−A´線に沿った断面構造を模式的に示す図である。
本実施例では、実施例3において、第1の透明基板110に設けられた共通電極突起部220の代わりに共通電極スリット部175を設け、第2の透明基板111に設けられた画素電極スリット部191の代わりに画素電極で被覆された突起部(以下、画素電極突起部225と呼ぶ)を設けたものである。これら以外の構造は、実施例3に記載の液晶表示装置と同じであるため、同一機能を有するものには同じ符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
画素電極突起部225は、絶縁性の有機材料や無機材料、或いは導電材料を用いることができ、フォトリソグラフィー技術によりパターニングすればよい。尚、所定の位置に緩やかな傾斜をもつ突起形状を形成する必要があることから、共通電極突起部220は、材料自身に感光性があれば工程が簡略化できるという利点がある。さらに、外部からの光を反射しないために、着色されていることが望ましい。従って、共通電極突起部220としては、着色された感光性のポリイミドやアクリル系樹脂などの有機材料が望ましい。なお、緩やかな傾斜をもつ突起形状の形成は、パターン形成後、温度を上げ溶融することで実現してもよいし、露光工程の際にマスクとしてハーフトーンマスクを使用して実現するなどしても良い。
本実施例では、画素電極突起部225の長手方向がデータ線7の延在方向7Aに対して角度αをなし、共通電極突起部220は、その長手方向がデータ線7の延在方向7Aに対して角度βをなす。角度αと角度βは同じ角度とすることで画素電極突起部225と共通電極スリット部175はその長手方向を平行とする。角度α及びβは、45°となる部分と、135°となる部分を有し、画素電極突起部225と共通電極スリット部175は、屈曲角度が90°のジグザグな形状とする。
データ線7は、液晶表示パネル1を構成する基板面に垂直な方向から観察した際、画素電極突起部225と重なる位置に形成する。つまり、データ線7は、データ線7の延在方向7Aに対して、角度α傾いたジグザグな形状とする。この際、図15に例示するとおり、データ線7は、隣り合う複数の副画素100に重なる。具体的には、図中のデータ線7bは副画素100b及び、副画素100aと重なっている。このように、データ線7を隣り合う複数の画素100に重なるように構成することで、データ線7を、画素電極突起部225と効率よく重ねることができる。つまり、透過表示の明るさに寄与しない画素電極突起部225とデータ線7を、無駄が少ない状態で重ね合わせられるので、表示の明るさが犠牲になることが少なくなり、より明るい表示が得られるという効果がある。さらに、画素電極突起部225の傾斜面において、液晶分子が斜めになっている領域が黒表示時に光漏れの原因となるが、本実施例では、この領域がデータ線で遮光されるため高いコントラスト比が実現できる。
一方、反射層130及び偏光層150により形成される反射領域RAも、データ線7と一定の距離を保ちながらデータ線7の延在方向に対し角度β傾いたジグザグな形状をなす。また、ゲート線8及びスイッチング素子120と重なる位置にも、反射層130及び偏光層150により形成される反射領域RAを形成する。この際、反射領域RAは、液晶表示パネル1を構成する基板面に垂直な方向から観察した際、共通電極スリット部175と重なる位置に形成する。共通電極スリット部175の中央部は、液晶層200に電界を印加したとき、液晶分子の方向がほとんど変わらないため、表示の明るさに寄与しない。また、共通電極スリット部175は電極の段差において液晶分子の方向が乱れ、黒表示の際に光漏れの原因となる可能性がある。このため、透過表示の明るさに寄与せず、コントラスト比低下要因の可能性がある共通電極スリット部175を反射層130と重ねてバックライトからの光を遮光することで、その悪影響を排除できる。この際、反射層130は元々、透過表示に寄与しない領域なので透過領域の明るさを損なうことがない。このため、明るく、高コントラスト比で、広視野角なVA方式による液晶表示装置が実現できる。
本実施例においても、実施例3と同様、偏光層150の吸収軸150Aは、データ線7の延在方向7Aと直交する。従って、偏光層150として、例えば、「Y.Ukai et al., ”Current Status and Future Prospect of In-Cell Polarizer Technology”, SID 04 DIGEST, p1170-1173, 2004」に記載の材料と同様の材料を用いる場合は、その塗布方向は、データ線7の延在方向7Aと平行な方向とすればよい。この場合、その塗布方向は、第2の透明基板111の辺に平行な方向となるので、基板上に偏光層材料を塗布できない無効な領域が小さくなり、生産性が向上するという利点がある。
また、本実施例においても、データ線7と画素電極突起部225を重ねている。この場合、どちらの構造も第2の透明基板111上での加工となるため、異なる基板に形成した部分を位置合せする場合よりも高い精度で位置合せができる。つまり、第1の透明基板110と第2の透明基板111の位置合せマージンが小さくて良いため、表示に利用できる領域が広がり、より明るい表示が得られるという効果がある。
また、本実施例では、データ線7と画素電極突起部225を重ねている。この場合、画素電極突起部225を着色することで、外光のデータ線7での反射によるコントラスト比の低下を抑制できるという効果がある。
なお、本実施例においては、画素電極に突起部を設けているが、画素電極にスリットを設けた場合においても、本発明の効果を達成することができる。
〔実施例6〕
次に、本発明の液晶表示装置の他の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、上記実施例に記載の液晶表示装置と同一機能を有するものには同じ符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図17は、本発明の液晶表示装置に係る液晶表示パネルにおける、副画素100の主要部の概略構成を示す平面図である。また、図18は、本発明の液晶表示装置に係る液晶表示パネルにおける、副画素100の主要部の概略構成を示す断面図であり、図17のA−A´線に沿った断面構造を模式的に示す図である。
本実施例は、実施例3において、第2の透明基板111に設けられた画素電極スリット部191とデータ線7との間に、反射層130及び偏光層150を選択的に設けるものである。つまり、液晶表示パネル1を構成する基板の基板面に対して、垂直な方向から観察したときに、画素電極スリット部191及びデータ線7と重なる領域に反射領域を新たに設けたものである。これ以外の構造は、実施例3に記載の液晶表示装置と同じであるため、同一機能を有するものには同じ符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
画素電極スリット部191及びデータ線7と重なる反射領域は、その幅を画素電極スリット部191及びデータ線7よりも太くして、画素電極スリット部191及びデータ線7が完全に覆われるように構成する。この際、透過領域の面積を確保するために、画素電極スリット部191及びデータ線7と重なる反射領域は、共通電極突起部220と重なる反射領域と一定の間隔を保つことが望ましい。つまり、画素電極スリット部191及びデータ線7と重なる反射領域は、データ線7と同じ屈曲角度で、なおかつ共通電極突起部220と重なる反射領域と一定の間隔を保つ太さのジグザグ形状とすることが望ましい。
本実施例においても、上記実施例3と同様、明るく、高コントラスト比で、広視野角なVA方式による液晶表示装置が実現できる。
本実施例では、特に、画素電極スリット部191及びデータ線7は、反射領域と重なる。つまり、透過表示の明るさに寄与しない画素電極スリット部191及びデータ線7を元々透過表示に寄与しない反射領域と、効率よく重ね合わせることができる。このため、透過表示の明るさをほとんど犠牲にすることなく、反射表示に利用できるのでより明るい表示が得られるという効果がある。
また、ゲート線7に反射領域が重なっていることで、明るい環境において外光がデータ線7で反射してコントラスト比が低下することを抑制できる。さらに、表示に寄与していなかったゲート線7に反射領域を重ねたことで、反射表示に利用できることから、より明るい反射表示が実現できるという効果がある。
なお、本実施例においては、画素電極にスリット部、共通電極に突起部を設けているが、画素電極に突起部、共通電極にスリット部を設けた場合においても、本発明の効果を達成することができる。
本発明の液晶表示装置の液晶表示パネルの(副)画素の主要部の概略構成を示す平面図である。 本発明の液晶表示装置の液晶表示パネルの(副)画素の主要部の概略構成を示す断面図である。 本発明の液晶表示装置の液晶表示パネルの全体レイアウトの一例を模式的に示すブロック図である。 本発明の液晶表示装置の液晶表示パネルを構成する部材の光学軸の関係の説明図である。 本発明の液晶表示装置の液晶表示パネル1の表示領域2に構成されたアクティブマトリクスの等価回路図である。 本発明の液晶表示装置の主要部の構成を示す概略断面図である。 本発明の液晶表示装置の液晶表示パネルの(副)画素の主要部の概略構成を示す平面図である。 本発明の液晶表示装置の液晶表示パネルの(副)画素の主要部の概略構成を示す断面図である。 本発明の液晶表示装置の液晶表示パネルの(副)画素の主要部の概略構成を示す平面図である。 本発明の液晶表示装置の液晶表示パネルにおいて、隣接する3つの(副)画素の主要部の概略構成を示す平面図である。 本発明の液晶表示装置の液晶表示パネルの(副)画素の主要部の概略構成を示す断面図である。 本発明の液晶表示装置の液晶表示パネルを構成する部材の光学軸の関係の説明図である。 本発明の液晶表示装置の液晶表示パネルの(副)画素の主要部の概略構成を示す断面図である。 本発明の液晶表示装置の液晶表示パネルの(副)画素の主要部の概略構成を示す平面図である。 本発明の液晶表示装置の液晶表示パネルにおいて、隣接する3つの(副)画素の主要部の概略構成を示す平面図である。 本発明の液晶表示装置の液晶表示パネルの(副)画素の主要部の概略構成を示す断面図である。 本発明の液晶表示装置の液晶表示パネルにおいて、隣接する3つの(副)画素の主要部の概略構成を示す平面図である。 本発明の液晶表示装置の液晶表示パネルの(副)画素の主要部の概略構成を示す断面図である。
符号の説明
1………………液晶表示パネル
2………………表示領域
3………………データ駆動回路
4………………走査駆動回路
5………………バックライト
7a,7b……データ線
8………………ゲート線
50……………FPC
60……………導光体
61……………光源
62……………反射シート
63……………光学フィルム類
100a,100b,100c……副画素(サブピクセル)
110…………第1の透明基板
111…………第2の透明基板
120…………スイッチング素子
121…………半導体層
122…………ゲート絶縁層
123…………ゲート電極
124…………第1の層間絶縁層
125A,125B………電極層
126…………第2の層間絶縁層
127…………絶縁層
130…………反射層
140…………平坦化層
150…………偏光層
170…………共通電極
175…………共通電極スリット部
180…………絶縁層
190…………画素電極
191…………画素電極スリット部
195…………スルーホール
200…………液晶層
210…………第1の偏光板
211…………第2の偏光板
220…………共通電極突起部
225…………画素電極突起部
TA透…………過領域
RA反…………射領域

Claims (20)

  1. 複数のデータ線と、
    前記複数のデータ線と交差して形成されたゲート線と、
    前記複数のデータ線と前記複数のゲート線とが交差する位置に形成された複数のスイッチング素子と、
    画素内に形成された反射領域及び透過領域と、
    第1の基板と第2の基板との間に狭持された液晶層と、
    前記第1の基板と前記液晶層との間に配置された共通電極と、
    前記第2の基板と前記液晶層との間に配置された画素電極と、を有し、
    前記共通電極は、スリット部もしくは前記共通電極に被覆された突起部を有し、
    前記データ線は、前記第1の基板面の法線方向において、前記共通電極のスリット部もしくは前記共通電極に被覆された突起部と重なり、
    前記共通電極のスリット部もしくは前記共通電極に被覆された突起部は屈曲しており、
    前記データ線は、前記ゲート線の延在方向および前記データ線の延在方向に隣り合う複数の画素にまたがって配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 請求項1に記載の液晶表示装置において、
    前記データ線の幅は、前記共通電極のスリット部の幅もしくは前記共通電極に被覆された突起部の幅より大きく、
    前記第1の基板面の法線方向において、前記データ線は、前記共通電極のスリット部もしくは前記共通電極に被覆された突起部に対応して配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
  3. 請求項1又は2に記載の液晶表示装置において、
    反射領域に反射層が設けられ、
    前記画素電極は、スリット部もしくは前記画素電極に被覆された突起部を有し、
    前記反射層は、前記第1の基板面の法線方向において、前記画素電極のスリット部もしくは前記画素電極に被覆された突起部と重なることを特徴とする液晶表示装置。
  4. 請求項3に記載の液晶表示装置において、
    前記画素電極のスリット部もしくは前記画素電極に被覆された突起部は屈曲していることを特徴とする液晶表示装置。
  5. 請求項1に記載の液晶表示装置において、
    前記反射領域において、前記第2の基板と前記画素電極との間に配置された反射層と、
    前記反射領域において、前記反射層と前記画素電極との間に配置された偏光層と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
  6. 複数のデータ線と、
    前記複数のデータ線と交差して形成されたゲート線と、
    前記複数のデータ線と前記複数のゲート線とが交差する位置に形成された複数のスイッチング素子と、
    画素内に形成された反射領域及び透過領域と、
    第1の基板と第2の基板との間に狭持された液晶層と、
    前記第1の基板と前記液晶層との間に配置された共通電極と、
    前記第2の基板と前記液晶層との間に配置された画素電極と、とを有し、
    前記画素電極は、スリット部もしくは前記画素電極に被覆された突起部を有し、
    前記データ線は、前記第1の基板面の法線方向において、前記画素電極のスリット部もしくは前記画素電極に被覆された突起部と重なり、
    前記画素電極のスリット部もしくは前記画素電極に被覆された突起部は屈曲しており、
    前記データ線は、前記ゲート線の延在方向および前記データ線の延在方向に隣り合う複数の画素にまたがって配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
  7. 請求項6に記載の液晶表示装置において、
    前記データ線の幅は、前記画素電極のスリット部の幅もしくは前記画素電極に被覆された突起部の幅より大きく、
    前記第1の基板面の法線方向において、前記データ線は、前記画素電極のスリット部もしくは前記画素電極に被覆された突起部に対応して配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
  8. 請求項6又は7に記載の液晶表示装置において、
    前記第1の基板面に法線方向から観察したときに、前記画素電極のスリット部もしくは前記画素電極に被覆された突起部及び前記データ線と重なる領域に反射領域を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
  9. 請求項8に記載の液晶表示装置において、
    前記共通電極のスリット部もしくは前記共通電極に被覆された突起部は屈曲していることを特徴とする液晶表示装置。
  10. 請求項1に記載の液晶表示装置において、
    前記反射領域において、前記第2の基板と前記画素電極との間に配置された反射層と、
    前記反射領域において、前記反射層と前記画素電極との間に配置された偏光層と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
  11. 請求項1乃至9のいずれかに記載の液晶表示装置において、
    前記透過領域において、前記第2の基板と前記画素電極との間に偏光層が配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
  12. 請求項1乃至4のいずれかに記載の液晶表示装置において、
    前記データ線と前記共通電極のスリット部もしくは前記共通電極に被覆された突起部との間に配置された前記反射層の幅は、前記データ線の幅及び前記共通電極のスリット部の幅、もしくは前記データ線の幅及び前記共通電極に被覆された突起部の幅より大きいことを特徴とする液晶表示装置。
  13. 請求項6乃至9のいずれかに記載の液晶表示装置において、
    前記データ線と前記画素電極のスリット部もしくは前記画素電極に被覆された突起部との間に配置された前記反射層の幅は、前記データ線の幅及び前記画素電極のスリット部の幅、もしくは前記データ線の幅及び前記画素電極に被覆された突起部の幅より大きいことを特徴とする液晶表示装置。
  14. 請求項1乃至13のいずれかに記載の液晶表示装置において、
    前記画素内において、前記透過領域は複数に分割されていることを特徴とする液晶表示装置。
  15. 複数のデータ線と、
    前記複数のデータ線と交差して形成されたゲート線と、
    前記複数のデータ線と前記複数のゲート線とが交差する位置に形成された複数のスイッチング素子と、
    画素内に形成された反射領域及び透過領域と、
    第1の基板と第2の基板との間に狭持された液晶層と、
    前記第1の基板と前記液晶層との間に配置された共通電極と、
    前記第2の基板と前記液晶層との間に配置された画素電極と、を有し、
    前記共通電極は、前記共通電極に被覆された突起部を有し、
    前記画素電極は、スリット部を有し、
    前記データ線は、前記第1の基板面の法線方向において、前記画素電極のスリット部と重なり、
    前記反射層は、前記第1の基板面の法線方向において、前記共通電極に被覆された突起部と重なり、
    前記画素電極のスリット部、及び前記共通電極に被覆された突起部は屈曲しており、
    前記データ線は、前記ゲート線の延在方向および前記データ線の延在方向に隣り合う複数の画素にまたがって配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
  16. 請求項15に記載の液晶表示装置において、
    前記データ線の幅は、前記画素電極のスリット部の幅より大きく、
    前記第1の基板面の法線方向において、前記データ線は、前記画素電極のスリット部に対応して配置されたことを特徴とする液晶表示装置。
  17. 請求項15に記載の液晶表示装置において、
    前記反射領域において、前記第2の基板と前記画素電極との間に配置された反射層と、
    前記反射領域において、
    前記反射層と前記画素電極との間に配置された偏光層と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
  18. 請求項1に記載の液晶表示装置において、
    反射領域に反射層が設けられ、
    前記画素電極は、スリット部もしくは前記画素電極に被覆された突起部を有し、
    前記データ線を含んでいる透過領域と、前記反射層を含んでいる反射領域は、交互に隣り合う複数の画素にまたがって屈曲した形状で存在し、
    透過領域では、前記データ線が前記共通電極のスリット部または前記共通電極に被覆された突起部を全て覆い、
    反射領域では、前記反射層が前記共通電極のスリット部または前記画素電極に被覆された突起を全て覆い、
    前記反射層の幅は前記画素電極のスリット部または前記画素電極に被覆された突起の幅より大きいことを特徴とする液晶表示装置。
  19. 請求項9に記載の液晶表示装置において、
    反射領域に反射層が設けられ、
    前記共通電極は、スリット部もしくは前記共通電極に被覆された突起部を有し、前記データ線を含んでいる透過領域と、前記反射層を含んでいる反射領域は、交互に隣り合う複数の画素にまたがって屈曲した形状で存在し、
    透過領域では、前記データ線が前記画素電極のスリット部または前記画素電極に被覆された突起部を全て覆い、
    反射領域では、前記反射層が前記共通電極のスリット部または前記共通電極に被覆された突起を全て覆い、
    前記反射層の幅は前記共通電極のスリット部または前記共通電極に被覆された突起の幅より大きいことを特徴とする液晶表示装置。
  20. 請求項9に記載の液晶表示装置において、
    反射領域に反射層が設けられ、
    前記共通電極は、スリット部もしくは前記共通電極に被覆された突起部を有し、
    透過領域および反射領域が隣り合う複数の画素にまたがって屈曲した形状で交互に存在し、
    反射領域は、前記反射層、前記共通電極のスリット部または前記共通電極に被覆された突起部から成る領域(領域1)と、前記データ線、前記反射層および前記画素電極のスリット部または前記画素電極に被覆された突起部から成る領域(領域2)とが交互に存在し、
    領域1では、前記反射層が前記共通電極のスリット部または共通電極に被覆された突起を全て覆い、
    前記反射層の幅は前記共通電極のスリット部または前記共通電極に被覆された突起の幅より大きく、
    領域2では、前記データ線および前記反射層が前記画素電極のスリット部または前記画素電極に被覆された突起部を全て覆い、
    前記反射層の幅、前記データ線の幅、前記画素電極のスリット部または前記画素電極に被覆された突起部の順に大きいことを特徴とする液晶表示装置。
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