CN1573491A - 薄膜晶体管阵列板和包含该板的液晶显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种薄膜晶体管阵列板，其包括：形成在基底上并包括多个倾斜部分和栅极的多个栅极线；在栅极线上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的半导体层；多个至少形成在该半导体层上并与栅极线相交以限定梯形像素区域的数据线；多个与数据线分开的漏极；至少形成在该半导体层部分上的第二绝缘层，该半导体部分未覆盖有数据线和漏极；多个形成在第二绝缘层上并与漏极相连的像素电极，在每个像素区域内至少设置两个像素电极；以及多个形成在第二绝缘层上的公共电极，其与像素电极交替设置并与漏极相连，每个公共电极具有与像素电极边缘相分隔的边缘，并基本平行于所述像素电极的边缘。

Description

薄膜晶体管阵列板和包含该板的液晶显示器
技术领域
本发明涉及一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列板，更特别地，本发明涉及包括两种用于产生水平电场的场发生电极的薄膜晶体管阵列板。
背景技术
美国专利No.5598285公开一种使用水平电场驱动液晶的现有技术。
美国专利No.5598285中披露的液晶显示器(LCD)包括像素电极和用于产生水平电场的公共电极。所述LCD存在一个问题，即液晶分子的状态(behaviors)在像素的顶部和底部附近发生扭曲，在该处公共电极和与其相连用于传递公共信号的存储电极线彼此邻接。通过加宽黑矩阵能盖住所述扭曲，可是减小了孔径比。
另外，存在一个问题，即用于对像素电极施加电压的数据线和像素电极或平行于数据线的公共电极之间的耦合使液晶驱动变形，从而引起光泄漏和串扰。该问题可以通过加宽与数据线相邻的公共电极予以解决，但其也降低孔径比。
另外，因为公共电极和像素电极平行于数据线延伸，也就是，平行于由栅极线和数据线所限定的像素的长边延伸，所以难于增加电极的数量。
发明内容
提供一种薄膜晶体管，其包括：多个形成在基底上并包括多个倾斜部分和多个栅极的栅极线；在栅极线上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的半导体层；多个至少形成在所述半导体层上并与栅极线相交以限定梯形像素区域的数据线；多个与数据线分隔的漏极；至少形成在所述半导体层部分上的第二绝缘层，所述半导体部分未覆盖有数据线和漏极；多个形成在第二绝缘层上并与漏极相连的像素电极，在每个像素区域内至少设置两个像素电极；以及多个形成在第二绝缘层上的公共电极，其与像素电极交替设置并与漏极相连，每个公共电极具有与像素电极边缘分开的边缘，并基本平行于所述像素电极边缘。
所述栅极线在像素区域的边缘附近可以是弯曲的。
公共电极和像素电极可以基本平行于所述栅极线的倾斜部分延伸。
所述薄膜晶体管阵列板可以进一步包括多个存储电极线，该电极线具有多个基本平行于数据线延伸的第一部分。
所述薄膜晶体管阵列板可以进一步包括多个与存储电极重叠的信号线，从而形成存储电容。
所述像素电极和公共电极包含透明材料。
所述薄膜晶体管阵列板可以进一步包括在像素区中位于钝化层下方的多个彩色滤光片。
提供一种液晶显示器，其包括：第一基板；与第一基板相对的第二基板；以及在第一基板和第二基板之间***的液晶层。第一基板包括：多个形成在基底上并包括多个倾斜部分和多个栅极的栅极线；在栅极线上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的半导体层；多个至少形成在所述半导体层上并与栅极线相交以限定梯形像素区域的数据线；多个与数据线分开的漏极；至少形成在所述半导体层部分上的第二绝缘层，所述半导体部分未覆盖有数据线和漏极；多个形成在第二绝缘层上并与漏极相连的像素电极，在每个像素区域内至少设置两个像素电极；以及多个形成在第二绝缘层上的公共电极，其与像素电极交替设置并与漏极相连，每个公共电极具有与像素电极边缘相分开的边缘，并基本平行于所述像素电极边缘。
所述液晶显示器可进一步包括设置在第二基板周围并限制液晶层的密封材料。
所述液晶显示器进一步包括位于密封材料中并用于定义显示图像的显示区域的阻光元件。
所述阻光元件可以包括有机材料并通过光刻法构图。
所述液晶显示器还进一步包括多个间隔物，其包括与阻光元件相同层。
所述间隔物可具有和阻光元件不同的高度。
所述阻光元件可以具有多个凹陷处。
附图说明
本发明通过结合附图详细说明实施例而变得更加清楚，其中：
附图1为根据本发明实施例的LCD的平面示意图；
附图2为附图1中所示LCD沿II-II′线的截面图；
附图3为根据本发明实施例的LCD的TFT阵列板中像素的线路示意图；
附图4为附图3中所示TFT阵列板沿IV-IV′线的截面图；
附图5A、6A、7A、8A和9A为根据本发明实施例，附图3和4中所示TFT阵列板在其制造方法的中间步骤中的线路图；
附图5B、6B、7B、8B和9B分别为附图5A、6A、7A、8A和9A中所示TFT阵列板沿VB-VB′、VIB-VIB′、VIIB-VIIB′、VIIIB-VIIIB′和IX-IX′线的截面图；
附图10为根据本发明另一实施例的LCD的示例性TFT阵列板的截面图；
附图11为根据本发明另一实施例的LCD的示例性TFT阵列板的截面图；
附图12为根据本发明另一实施例的LCD的线路示意图；
附图13和14分别为附图12中所示LCD相对板沿XIII-XIII′和XIV-XIV′线的截面图。
具体实施方式
下面，结合附图更加充分地说明本发明，所述附图示出本发明的优选实施例。可是，本发明可以用多种不同的形式来实现而不应当理解为受限于在此所阐述的实施例。
在附图中，层、薄膜以及区域的厚度为了说明清楚而被夸大。相同的附图标记在全文中表示相同的元件。应当理解，当诸如涂层、薄膜、区域或基底的元件涉及被置于另一元件“上”时，其可能被直接置于其他元件上面或***到元件之间。相反，当元件涉及在另一元件的“径直上方”时，不存在***到元件之间的情况。
现在，参照附图说明根据本发明实施例的液晶显示器(LCDs)和薄膜晶体管(TFT)阵列板。
参照附图1和2详细说明根据本发明实施例的LCD。
附图1为根据本发明实施例的LCD的平面示意图，以及附图2为附图1中所示LCD沿II-II′线的截面图。
参照附图1和2，根据本发明实施例的LCD包括相对设置并在其之间设置有间隙的下基板100和上基板200，被填充到下基板100和上基板200之间所述的间隙中的液晶层300，所述液晶层包括许多基本平行于基板100和200表面排列的液晶分子，被设置在下基板100和上基板200之间并封存液晶层的密封材料400，以及设置在密封材料400中的阻光层500(称作“黑矩阵”)，其限定显示图像的显示区域并阻止在显示区域附近的光泄漏。阻光层500优选由有机材料制成并具有维持基板100和200之间间隙的间隔物功能。
当制造LCD时，所述阻光层500和密封材料400被形成在上基板200，其也称作反面板，而在下基板100上形成多个信号线和多个TFT，而其也称作TFT阵列板。阻光层500和密封材料400之一或二者都可形成在TFT阵列板100上。
详细地，多个栅极线和多个限定多个具有梯形像素区域的数据线设置在TFT阵列板100上，多个像素电极和公共电极相互平行设置。与公共电极相连的多个存储电极线平行于数据线延伸并延伸到像素区域的长边。液晶分子在没有电场的情况下，垂直于数据线和公共信号线排列，并且所述栅极线包括多个与数据线相交的横向部分以及多个平行于所述公共电极延伸的倾斜部分。
首先，参照附图3和4说明根据本发明第一实施例的TFT阵列板。
附图3为根据本发明实施例的LCD的TFT阵列板中像素的线路示意图，以及附图4为附图3中所示TFT阵列板沿IV-IV′线的截面图。
参照附图3和4，在绝缘基底110上形成有多个栅极线121和多个存储电极线131，其与栅极线121分开。
用于传送栅极信号的栅极线121基本沿横向延伸并彼此分离。每条栅极线121的多个部分形成栅极123，但栅极123可以从栅极线121分出。每个栅极线121包括多个倾斜部分和多个交替连接的横向部分。所述倾斜部分从左至右包括抬起部分和下落部分，所述抬起部分和下落部分在纵向和横向交替设置。每个栅极线121可以包括用于与其他层或外部设备相连接的端部(未示出)。栅极123可以从栅极线121分出。
每个存储电极线131基本沿横向延伸并与相邻的两个栅极线121等间距。每个存储电极线131包括多个向上和向下延伸的纵向分支132，以及多个具有大面积的扩展部分134。每个扩展部分134从左至右具有抬起边缘和下落边缘，其基本平行于栅极线121的抬起部分和下落部分。所述抬起边缘面向栅极线121的抬起部分，以及下落边缘面向栅极线121的下落部分。为存储电极线131施加诸如公共电压的预定电压。
所述栅极线121和存储电极线131优选由Al和Al合金、包含如Ag和Ag合金的Ag、包含如Cu和Cu合金的Cu、Cr、Mo、Mo合金、Ta或Ti制成。它们具有多层结构。栅极线121和存储电极线131可以包括具有不同物理特性的两个薄膜，底膜和顶膜。顶膜优选由包括Al的低阻抗金属制成，用于降低信号延迟或栅极线121和存储电极线131中的压降，该材料含有如Al和Al合金的Al。另一方面，底膜优选由诸如Cr、Mo、Mo合金、Ta或Ti具有与其他材料、如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)良好的物理、化学和电连接特性的材料制成。底膜材料和顶膜材料的一个良好的典型组合为Cr和Al-Nd合金。
另外，栅极线121和存储电极线131的侧边(lateral side)相对于基底表面倾斜，其倾斜角大约为20-80度。
优选由氮化硅(SiNx)制成的栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上。
优选由氢化非晶硅(简写为a-Si)或多晶硅制成的多个半导体岛(islands)150形成在栅极绝缘层140上并与栅极123相对放置。优选由硅化物或大量地掺杂n型杂质的n+型氢化a-Si制成的多对电阻触点163和165形成在半导体岛150上。每对电阻触点163和165都位于半导体岛150上。所述半导体岛150和电阻触点163可沿纵向延伸。
半导体岛151的侧边和电阻触点163和165相对于基底110的表面倾斜，并且倾斜角度优选处于30-80度的范围内。
多个数据线171和多个漏极175形成在电阻触点163和165以及栅极绝缘层140上。
所述传递数据电压的数据线171基本沿纵向延伸并与栅极线121相交以限定梯形像素区域。每个数据线171可包括用于和其他涂层或外部设备相连接的端部(未示出)。
每个数据线171的多个分支延伸到电阻触点163上以形成多个面向漏极175端部的源极173。每对源极173和漏极175彼此分开并相对于栅极123彼此相对。栅极123、源极173和漏极175沿半导体岛154形成具有通道的TFT，所述通道形成于源极173和漏极175之间的半导体岛150中。
每个漏极175包括从电阻触点165纵向延伸到与存储电极线131的分支132相重叠的纵向部分172，以及横向延伸到与存储电极线131相重叠的横向部分176。所述横向部分176具有与存储电极线131的扩展部分134相重叠的扩展部分174，其具有与扩展部分134基本相同的平面形状。
数据线171和漏极175优选由如Cr、Mo、Mo合金、Ta或Ti的耐熔材料制成。它们可包括优选由Mo、Mo合金或Cr制成的底膜和位于底膜之上并优选由包含金属材料的Al和包含金属材料的Ag制成的顶膜。
与栅极线121和存储电极线131类似，数据线171和漏极175相对于基底110的表面具有锥形侧边，并且其倾斜角范围大约为30-80度。
电阻触点163和165仅***在下面的半导体岛150和上面的数据线171与漏极175之间，并降低它们之间的接触阻抗。半导体岛150包括多个暴露部分，其未覆盖有数据线171和漏极175，例如位于源极173和漏极175之间的部分。
多个红色、绿色和蓝色的彩色滤光片R、G和B形成在数据线171、漏极175和半导体条纹151的暴露部分。每个彩色滤光片R、G和B基本设置在两个相邻的数据线171之间并沿纵向延伸。彩色滤光片R、G和B没有设置在***区域，所述***区域设置有栅极线121和数据线171的端部。尽管附图4示出了相邻彩色滤光片R、G和B的边缘相互精确匹配，但彩色滤光片R、G和B可以是相互分开的。彩色滤光片R、G和B在数据线171上可相互重叠以阻止光泄漏，并且在这种情况中，其边缘优选相对于基底表面倾斜。
优选由二氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料制成的中间绝缘层(未示出)可设置在彩色滤光片R、G和B下面。
钝化层180形成在彩色滤光片R、G和B上。所述钝化层180优选由氮化硅或具有良好平直特性的有机材料制成。
钝化层180和彩色滤光片R、G和B具有多个曝露于漏极175的纵向部分172的三个一组的接触孔182。另外，所述钝化层180和彩色滤光片R、G和B可以具有多个曝露于栅极线121和数据线171的端部的接触孔(未示出)。
多个像素电极192和194以及包括多个纵向晶体管座(stem)和多个与相邻纵向晶体座至少其中一个相连的公共电极191、193和195的公共电极网形成在钝化层180上。像素电极192和194以及公共电极网可以由诸如ITO和IZO的透明传导材料制成，以便增加光束的透射度。
像素电极192和194通过接触孔182被物理和电连接到漏极175的纵向部分，使得像素电极190接收来自漏极175的数据电压。每个像素电极194与存储电极线131的扩展部分134以及漏极175的扩展部分174重叠，并包括基本平行于扩展部分134的抬起边缘和下落边缘分别延伸的两个分支196。(为了说明方便，分支196也称为像素电极。)基本为直线的每个像素电极192设置在栅极线121的倾斜部分和像素电极196之间，并基本平行于它们延伸。
每个公共电极195与一个纵向晶体管座相连并与存储电极线131重叠。公共电极195设置在像素电极194的分支196之间并具有与所述分支196平行的抬起边缘和下落边缘。每个公共电极191与纵向晶体管座相连并覆盖栅极线121的倾斜部分，使得公共电极191的两边相对于栅极线121相对设置并平行于倾斜部分延伸。基本为直线的每个公共电极193被设置在相邻的像素电极192和196之间并基本平行于它们延伸。
相应地，交错地设置公共电极191、193和195以及像素电极192和196，并且公共电极191、193和195以及像素电极192和196的边缘基本相互平行。
与漏极175相连的像素电极192和196以及与其相邻的公共电极191、193和195形成液晶电容器，其在关闭TFT后存储施加的电压。与液晶电容器平行连接的其他电容器也称作“存储电容器”，其被用作提高电压存储容量。所述存储电容器通过使像素电极192和194与存储电极线131重叠而形成。存储电容器的容量，也就是，通过延伸和重叠漏极175而被增加的存储容量，所述漏极175被连接到并且定位在像素电极192和194下，其连接到存储电级线131用于减少端子之间的距离，并且通过在漏极175和存储电级线131处提供延伸来增加重叠区域。
多个接触辅助部分(未示出)可以形成在钝化层180上并通过设置在钝化层180和彩色滤光片R、G和B上的接触孔与栅极线121和数据线171的端部相连接。
用于使液晶分子定向的取向层(未示出)形成在钝化层180上。所述取向层优选以垂直于数据线171的方向磨擦。
公共电极191、193和195以及像素电极192和194可以分别由与栅极线121和数据线171相同的层形成。公共电极191、193和195以及像素电极192和196具有大约2000或更少的厚度，用于防止由于高度不同而引起的取向缺陷。
在根据本发明实施例的LCD的TFT阵列板中，彩色滤光片R、G和B以及由低介电有机材料制成并***在电极191、192、193、196和195与栅极线121和数据线171之间的钝化层180减弱它们之间的横向电场，并且由此电极191、192、193、196和195与栅极线121和数据线171重叠从而增加孔径比。
另外，设置在TFT阵列板100上的彩色滤光片R、G和B能减少取向边距以防止孔径比的减小。
此外，存储电极线131的纵向分支132沿像素区域的长边平行于数据线171延伸，并且确定磨擦方向使得液晶分子在没有电场的情况下垂直于数据线171排列。因此，由数据线171和存储电极线131的纵向分支132之间的电压差所产生的电场使得液晶分子处于其初始方向并且相应的区域被暗显示以防止横向交扰。
另外，因为公共电极191、193和195以及像素电极192和196不同于现有技术而沿像素区域的长边设置，所以很容易调整电极191、192、193、196和195的数量。
进一步，因为位于像素区域边缘附近的像素电极和公共电极平行于由栅极线121和数据线171所限定的像素区域的边缘延伸，所以有效的显示区域可以被扩大到像素区域的角落。此外，位于像素区域中心附近的存储电容器，阻止像素区域透射度的降低以最大化像素区域的透射度，其中在所述像素区域中，产生的纹理使得图像质量变差。
下面根据本发明实施例，在附图3和4中所示的TFT阵列板的制造方法将参照附图5A至9B以及附图3和4予以详细说明。
附图5A、6A、7A、8A和9A为根据本发明实施例，附图3和4中所示TFT阵列板在其制造方法的中间步骤中的线路图，附图5B、6B、7B、8B和9B分别为附图5A、6A、7A、8A和9A中所示TFT阵列板沿VB-VB′、VIB-VIB′、VIIB-VIIB′、VIIIB-VIIIB′和IX-IX′线的截面图。
参照附图5A和5B，多个包括多个栅极123的栅极线121和多个包括多个纵向分支132和扩展部分134的存储电极线131通过光刻形成在绝缘板110上。
参照附图6A和6B，在栅极绝缘层140、内部a-Si层和外部a-Si层顺序沉积后，外部a-Si层和内部a-Si层被光刻以便在栅极绝缘层140上形成多个外部半导体岛160和多个内部半导体岛150。
参照附图7A和7B，通过光刻形成包括多个源极173的多个数据线171与包括多个纵向部分172和具有扩展部分174的横向部分176的多个漏极175。
此后，外部半导体岛160上未覆盖有数据线171和漏极175的部分被移除以形成多个电阻接触岛163和165并使内部半导体岛条纹150暴露。紧接着优选进行氧等离子体处理以稳定半导体岛150所暴露的表面。
如附图8A和8B中所示，形成中间绝缘层(未示出)并且包括红色、绿色和蓝色色素的光敏薄膜顺次涂覆和排列以形成具有使漏极175纵向部分172曝光的开口的多个红色、绿色和蓝色彩色滤光片R、G和B。沿中间绝缘层和栅极绝缘层140设置和排列钝化层180以形成多个具有密封侧壁的接触孔182。
最后，如附图3和4中所示，通过沉积和光蚀刻大约具有400-500厚度的ITO或IZO，在钝化层180上形成多个像素电极192和194，包括公共电极191、193和195的公共电极网和多个接触辅助部分(未示出)。
下面，参照附图10详细说明根据本发明另一实施例的LCD的TFT阵列板。
附图10为根据本发明另一实施例的LCD的TFT阵列板的截面图。
如附图10所示，根据该实施例的LCD的TFT阵列板的层构造几乎与附图4中所示的相同。即包括多个栅极123的多个栅极线121和包括多个纵向分支132和扩展部分134的多个存储电极线131形成在基底110上，以及在其上顺序形成的栅极绝缘层140、多个半导体岛150和多个电阻接触岛163和165。多个包括源极173的数据线171和包括具有扩展部分174的纵向部分172与横向部分176的多个漏极175形成在电阻触点163和165上，并在其上形成钝化层180。多个接触孔182设置在钝化层180和栅极绝缘层140中，在钝化层180上形成多个像素电极192和194以及包括多个公共电极191、193和195的公共电极网。
不同于附图4中所示的TFT阵列板，根据该实施例的TFT阵列板不包括彩色滤光片。所述彩色滤光片可设置在相对基板上。
图3和图4中所示的TFT阵列板的许多上述特征合乎于图10中所示的TFT阵列板。
下面，参照附图11详细说明根据本发明另一实施例的LCD的TFT阵列板。
附图11为根据本发明另一实施例，LCD优选TFT阵列板的截面图。
如附图11所示，根据该实施例的LCD的TFT阵列板的层构造几乎与附图4中所示的相同。即包括多个栅极123的多个栅极线121和包括多个纵向分支132和扩展部分134的多个存储电极线131形成在基底110上，以及在其上顺序形成的栅极绝缘层140、多个半导体150和多个电阻触点163和165。多个包括源极173的数据线171和包括具有扩展部分174的纵向部分172与横向部分176的多个漏极175形成在电阻触点163和165上，并在其上形成多个彩色滤光片R、G和B以及钝化层180。多个接触孔182设置在钝化层180和栅极绝缘层140中，在钝化层180上形成多个像素电极192和194以及包括多个公共电极191、193和195的公共电极网。
不同于附图4中所示的TFT阵列板，除了在半导体150处设有TFTs外，半导体150具有与数据线171和漏极175以及下面的电阻触点163和165相同的平面形状。即半导体150包括一些未覆盖有数据线171和漏极175的暴露部分，如位于源极173和漏极175之间的部分。
根据本发明的TFT阵列板的制造方法，使用光刻方法同时形成数据线171、漏极175、半导体151以及电阻触点161和165。
用于光刻处理的光致抗蚀剂图案(photoresist pattern)具有依赖于位置的厚度，特别地，其具有减少厚度的第一和第二部分。所述第一部分位于由数据线171和漏极175所填充的导线区域，第二部分位于TFTs的信道区域。
通过几种技术，如在曝光掩膜上设置半透明区域以及透明区域和阻光的不透明区域，获得上述光致抗蚀剂的依赖于位置的厚度。所述半透明区域可以具有狭缝图案、网格图案以及具有中间透明度或中间厚度的(多个)薄膜。当使用狭缝图案时，优选地使狭缝的宽度或狭缝之间的距离小于光刻中所使用的曝光器(exposer)的分辨率。另一个实例是使用可重熔的光致抗蚀剂。详细地讲，一旦通过仅使用具有透明和不透明区域的常规曝光掩膜形成由可重熔材料制成的光致抗蚀剂图案，那么其承受重熔处理以使其流到没有光致抗蚀剂的区域，进而形成薄的部分。
因此，通过忽略光刻步骤从而使制造方法得以简化。
附图3和4中所示的TFT阵列板的上述一些特征也适合于附图11中所示的TFT阵列板。
首先，参照附图12-14说明根据本发明实施例的LCD的相对基板。
附图12为根据本发明实施例的LCD的线路示意图，而附图13和14为附图12中所示LCD相对基板分别沿XIII-XIII′和XIV-XIV′线的截面图。
参照附图12-14，在绝缘基底210上形成用于限定液晶层的密封材料400、用于阻止光泄漏的阻光层500和多个用于维持TFT阵列板100和相对基板200之间空隙的圆柱形间隔物550。
密封材料沿基底210的边界延伸并具有用于注入液晶的开口，而所述开口在液晶注入之后封闭。
阻光层500和间隔物550优选由包含黑色素的有机材料制成。但也可以由金属和金属氧化物制成。
阻光层500设置在由密封材料400所围绕的区域中并沿密封材料延伸以限定显示区域。阻光层500具有多个与密封材料400的入口相对的凹陷520，以促进液晶的注入。所述阻光层500可以进一步包括与所述凹陷520相对的其他凹陷。
间隔物550被设置在显示区域并规则分布。考虑到TFT阵列板100中元件的高度，间隔物500具有比阻光层500大的厚度。在这种情况中，通过使用具有半透明区域和光透射区域以及阻光的不透明区域的光掩膜对阻光层500和间隔物550定型。所述半透明区域可以具有狭缝图案、网格图案以及具有中等透明度或中等厚度的(多个)薄膜。另外，可使用上述光掩膜形成所述凹陷520。
因为在相对基板上没有彩色滤光片，所以这种结构有助于相对基板200的形成。另外，阻光层500阻止液晶与密封材料400直接接触，进而阻止液晶因密封材料400的污染。
虽然参照优选实施例已经详细说明本发明，但本领域技术人员会理解，在不脱离所属权利要求所述的本发明的范围和精神的情况下，可进行各种改进和替换。

Claims (14)

1.一种薄膜晶体管阵列板，包括：
多个形成在基底上并包括多个倾斜部分和多个栅极的栅极线；
在栅极线上的第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成的半导体层；
至少形成在半导体层上并与栅极线相交以限定梯形像素区域的多个数据线；
与所述数据线分开的多个漏极；
至少形成在所述半导体层部分上的第二绝缘层，所述半导体部分未覆盖有数据线和漏极；
多个形成在第二绝缘层上并与漏极相连的像素电极，在每个像素区域内至少设置两个像素电极；以及
多个形成在第二绝缘层上的公共电极，其与像素电极交替设置并与漏极相连，每个公共电极具有与像素电极边缘相分隔的边缘，并基本平行于所述像素边缘。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述栅极线在靠近像素区域的边缘处弯曲。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中公共电极和像素电极基本平行于所述栅极线的倾斜部分延伸。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其特征在于，它进一步包括多个存储电极线，其具有多个基本平行于数据线延伸的第一部分。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列板，其特征在于，它进一步包括多个与存储电极线重叠的信号线，从而形成存储电容。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中所述像素电极和公共电极包括透明材料。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列板，其中进一步包括在像素区域中位于钝化层下方的多个彩色滤光片。
8.一种液晶显示器，包括：
第一基板；
与第一基板相对的第二基板；以及
在第一基板和第二基板之间***的液晶层，
其中所述第一基板包括：
多个形成在基底上并包括多个倾斜部分和多个栅极的栅极线；
在栅极线上的第一绝缘层；
形成在第一绝缘层上的半导体层；
多个至少形成在所述半导体层上并与栅极线相交以限定梯形像素区域的数据线；
多个与数据线分开的漏极；
至少形成在所述半导体层部分上的第二绝缘层，所述半导体部分未覆盖有数据线和漏极；
多个形成在第二绝缘层上并与漏极相连的像素电极，在每个像素区域内至少设置两个像素电极；以及
多个形成在第二绝缘层上的公共电极，其与像素电极交替设置并与漏极相连，每个公共电极具有与像素电极边缘相分隔的边缘，并基本平行于所述像素电极的边缘。
9.根据权利要求8所述的液晶显示器，其中，它进一步包括设置在第二基板周围并限制液晶层的密封材料。
10.根据权利要求9所述的液晶显示器，其中，它进一步包括位于密封材料之中并根据显示图像限定显示范围的阻光元件。
11.根据权利要求10所述的液晶显示器，其中所述阻光元件包括有机材料并通过光刻构图。
12.根据权利要求11所述的液晶显示器，其中，它进一步包括多个间隔物，该间隔物包括与阻光元件相同的层。
13.根据权利要求12所述的液晶显示器，其中所述间隔物具有和阻光元件不同的高度。
14.根据权利要求13所述的液晶显示器，其中所述阻光元件具有多个凹陷处。
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