CN1372716A - 弹性表面波装置的制造方法以及弹性表面波装置 - Google Patents

弹性表面波装置的制造方法以及弹性表面波装置 Download PDF

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Abstract

对于在一个组件中安装了多个频率特性不同的弹性表面波元件的多片式组件,能够减小组件体积。为此,在将多个弹性表面波元件面朝下焊接到组件中时,使得施加超声波的方向与并列设置弹性表面波元件的方向基本垂直。

Description

弹性表面波装置的制造方法以及弹性表面波装置
技术领域
本发明涉及将弹性表面波元件面朝下安装在一个组件内的弹性表面波装置，特别地涉及在一个组件内并列设置多个弹性表面波元件的弹性表面波装置及其制造方法。
背景技术
(以往技术的说明)
近年，在移动通信领域中，为了对应于国际漫游服务(例如US-CDMA方式与JAPAN-CDMA方式相互连通服务)，正在开发通过单一组件而能够对应于多个通信方式的弹性表面波装置。作为实现这样组件的手段之一，存在将与各种通信方式对应并且具有相互不同频率特性的多个弹性表面波元件安装在共用组件内的方法(以下，简称多片式组件)。
另一方面，作为将一个个的弹性表面波元件安装在组件内的方法，正在推进比以往的丝焊(wire bonding)方式更能够减小装置体积的倒装焊接(facedown bonding，即面朝下焊接)方式的开发以及实用。
对于多片式组件适用倒装焊接方式时，首先，将第1个元件以倒装方式安装在组件的基板上，通过作为接合材料的金属凸起将弹性表面波的梳状电极的连接端与设置在基板内面(模片固定面die attach)的金属导电层接合。接着，在与该元件相邻的基板上安装第2个元件，同样地通过金属凸起将元件与组件的金属导电层接合。在该接合工序中，向金属凸起同时施加来自固定元件的工具重量以及通过工具的超声波，通过金属凸起熔融，使得电极连接端与金属导电层连接。
作为以往的多片式弹性表面波装置的示例，存在特开平11-122072号公报所揭示的装置(参照图1)。对于该公报所揭示的装置，采用上述的“倒装焊接方式”。
(问题)
然而，在上述的接合工序中，由于向保持工具施加超声波振动，会导致偏移地安装弹性表面波元件。由于位置偏移的程度，在组件中***第2元件时(第2元件)会与第1元件以及组件的侧壁接触，而产生不良情况，因此，必须预先使得在各个元件的安装位置上具有相应的(较大)余量。
然而，当使之具有上述这样的(较大)余量时，很难进一步实现装置的小型化，因此，需要进一步改进。
(目的)
本发明鉴于上述问题，目的在于提供一种比以往装置更小型的、多片式组件的弹性表面波装置及其制造方法。
发明内容
为了达成上述目的，在本发明的弹性表面波装置的制造方法中，在将弹性表面波元件的电极端连接到组件模片固定面上的工序中，使得施加超声波的方向与元件配置方向基本垂直。
弹性表面波元件的位置偏移沿着施加超声波的方向而变大。通过使得该超声波的施加方法面向没有安装其他基片(其他弹性表面波元件)的方向，与使得超声波施加方向面向芯片安装方向的情况相比，能够使得安装位置的余量急剧减小(大致使得减小一半)，结果能够减小弹性表面波装置的体积。
又，本发明的弹性表面波装置具有这样的特点，即金属凸起具有将与多个弹性表面波元件并列配置方向基本垂直的方向作为主轴而形成的铺开形状(如图4所示那样的上下方向上的细长形状14)。
在接合工序中，通过使得超声波等的施加方向与元件并列配置方向基本垂直，金属凸起沿接合工序中超声波施加方向而铺开的形状。使得梳状电极的连接端形状为与该金属凸起的铺开形状一致的细长形状，能够确保实际的接合强度/接合面积，同时能够减少连接端的占有面积而减小组件的体积。
附图简述
图1表示本发明一实施形态的弹性表面波装置的内部布局示例。
图2是模式性地表示本发明一实施形态的弹性表面波元件(A或B)构造的平面图。
图3表示将弹性表面波元件(A以及B)安装在组件内的状态的剖面构造。
图4模式性地表示在弹性表面元件10的连接端13上附有金属凸起的状态。
图5是用于说明本发明一实施形态的弹性表面波装置的制造工序的流程图。
最佳实施形态
以下，参照附图，对于本发明一实施形态的弹性表面波装置的制造方法以及弹性表面波装置进行说明。
该实施形态的弹性表面波装置1如图1所示，例如是采用具有陶瓷制的基板3以及框状侧壁2的组件2P而构成(在该组件2P上，在与基板3相对的一侧上设置密封用的盖帽，这里省略图示)。在该组件2P内，收纳并列设置的通过频率特性相互不同的2种弹性表面波元件A以及B(分别相对于图2的10)(元件A的频率特性例如具有US-CDMA方式用的带通特性，元件B的频率特性例如具有JAPAN-CDMA方式用的带通特性)。
图2是模式性地表示弹性表面波元件10(图1的元件A或B)的构造(单个的叉指式换能器IDT)的平面图。弹性表面波元件10例如具有形成在钽酸锂制的压电性基板上的铝合金形成的梳状电极12。在该电极12的4个角端部上分别设置连接端13。在将弹性表面波元件10安装在图1的基板3上的状态中，图2所示的水平方向H与图1的左右方向X对应，图2所示的垂直方向V与图1的上下方向USa1或USb1对应。
图3表示在将弹性表面波元件10(A、B)安装在组件2P内基板3的状态下的剖面构造。将弹性表面波元件10的连接端13通过由金属凸起5形成的接合材料而连接在形成于基板3的模片固定面上的金属导电层4的规定位置上。
在该实施形态中，作为基板3的材料，采用氧化铝陶瓷。作为金属导电层4，采用将钨层镀镍并且在该镀镍层再镀金后的导电层。又，作为金属凸起5采用金。使得金属凸起5同与该凸起接合的金属导电层4为相同材料(这里为金)，由此，两者的接合会变得良好。
图4是模式性的表示在连接端13上附有金属凸起5的状态的示例。该图表示连接端13为具有依照金属凸起5的细长形状(延伸形状)14而延伸的矩形的情况。又，图4所示的矩形仅仅是一个示例而已，当然也可以采取其他形状。
其次，参照图1～图3并且按照图5的流程图对于本发明一实施形态的弹性表面波装置1的制造工序进行说明。
首先，在压电性底层11上形成铝合金层并且采用规定的掩模图对其进行蚀刻(步骤ST10)。由此，如图2所示的示例那样，获得梳状电极12以及连接端13一体形成的电极图案(IDT图案)。通过该蚀刻步骤ST10，作成必要个数的弹性表面波元件10(在图1的示例中对于每一个弹性表面波装置作成2个弹性表面波元件A以及B)。
接着，在形成于基板3的模片固定面上的金属层4中与第1弹性表面波元件10(这里为元件A)的连接端13进行接合的规定位置(在模片固定面上面朝下地安装元件A时与该元件的各连接端13相对的位置)上配置(附着)金属凸起5(步骤ST12)。
又，对于金属层4侧较高精度地管理金属凸起5的配置位置，对于弹性表面波元件10的各连接端13侧相对地较为粗略。
接着，利用吸附头(没有图示)吸附固定第1弹性表面波元件10(A)，每个吸附头将元件A传送到基板3上的规定元件安装区域15A(步骤ST14)。
在吸附固定了元件A的吸附头上，在图1的USa1方向或者图2的V方向上施加超声波。能够利用没有图示的超声波喇叭等的手段，进行通过施加该超声波的振动激励。这里，施加超声波的方向(Usa1方向)与没有图示的吸附头的主振动方向(元件A的主振动方向或者图2的V方向)一致。
利用上述的超声波振动激励，如下所述，将弹性表面波元件10(A)安装在基板3的模片固定面上。
首先，使得超声波的主振动方向(图1的Usa1方向)与弹性表面波元件10(A以及B)的并列配置方向(图1的箭头X方向)基本垂直，将吸附固定了弹性表面波元件10(A)的吸附头(没有图示)朝着基板3模片固定面上的元件安装区域15A下移，将弹性表面波元件10(A)下押到基板3上(步骤ST16)。
又，当多个弹性表面波元件10(A以及B)的并列配置方向(图1的箭头X方向)与矩形基板3的下边(或者上边)的延伸方向平行时，也可以使得超声波的主振动方向为与基板3的下边(或者上边)延伸方向基本垂直的方向。
这里，上述的“超声波的主振动方向(USa1方向)”与弹性表面波元件的并列配置方向(箭头X方向)基本垂直的方向是表示使得USa1方向与箭头X方向之间的角度为90°±α时，α也不一定要为零。
这样，允许α为多大值是指使得具有余量地包含因下述误差所产生的90°起的“偏差”的最大值。
(1)将弹性表面波元件10的基片安装在基板3上时的对准误差；
(2)将弹性表面波元件10的基片与在基板3上的金属导电层4接合(焊接)的装置本体的振动方向误差。
通过步骤ST16的下押，在向夹在弹性表面波元件10(A)的连接端13与基板3上的金属导电层4的规定位置之间的金属凸起5施加重量的状态下，同时从超声波喇叭等(没有图示)施加超声波(步骤ST18)。由此，金属凸起5(因高速振动产生的摩擦热)熔融，使得弹性表面波元件10(A)的各连接端13与金属导电层4的规定位置接合(电性连接并同时机械性结合)。
又，上述的吸附头以及超声波喇叭的具体构造例如特开平10-223694号公报所揭示。吸附头以及超声波喇叭的具体构造由于已经在文献中公开，这里省略该内容的详细说明，而上述公报所揭示的内容(特别地是图1以及其说明的部分)被采纳在本申请中。
如上所述，当完成第1弹性表面波元件10(A)的结合之后，当还残留下需要接合的元件时(步骤ST20的“是”)，在与步骤ST12～ST18相同的工序中，进行对于第2弹性表面波元件10(B)的接合。
即，在与第2元件B的连接端13接合的金属导电层4的规定位置上配置金属凸起5(步骤ST12)。接着，通过吸附头吸附固定元件B并且将其传送到基板3上的规定元件安装区域15B(步骤ST14)。在吸附固定元件B的吸附头上，在图1的USb1方向或者图2的V方向上施加超声波。这里，超声波的施加方向(USb1方向)与吸附头的主振动方向一致。
接着，使得超声波主振动方向(Usb1方向)与弹性表面波元件的并列配置方向(箭头X方向)基本垂直，使得吸附固定元件B的吸附头向基板3上的元件安装区域15B下押并且将元件押于基板3(步骤ST16)。
这里，上述的“超声波的主振动方向(USb1方向)”与弹性表面波元件的并列配置方向(箭头X方向)基本垂直的方向是表示使得USb1方向与箭头方向之间的角度为90°±β时β也不一定要为零。该β的允许范围也可以上述的α相同。
通过步骤ST16的下押，在向夹在元件B的连接端13与基板3上的金属导电层4的规定位置之间的金属凸起5施加重量的状态下施加超声波(步骤ST18)。由此，使得金属凸起5(因高速振动产生的摩擦热)熔融，将元件B的各连接端13与金属导电层4的规定位置接合。
如上所述，当完成第2弹性表面波元件10(B)的接合工序，并且已不残留要接合的弹性表面波元件时(步骤ST20的“否”)，从元件A、B的上侧起覆盖没有图示的盖帽，将该盖帽与组件的侧壁2相接合(步骤ST22)。如此，制成一个弹性表面波装置1。
通过重复图5的处理工序，能够批量生产要求数目的弹性表面波装置1。
又，蚀刻步骤ST10也可以与此后的步骤ST12～ST22在不同的时间和/或处所实行。即，在实行步骤ST12以后的工序之前，也可以准备要求数目的弹性表面波元件10。具体地，作为完工的部件可以预先从其他途径获得(购买)多个弹性表面波元件，采用这些弹性表面波元件并实施图5的步骤ST12之后的制造工序，也能够实施本发明。
通过图5的接合工序(步骤ST12～ST18)，金属凸起5如图4所示，具有沿着超声波施加方向延伸的细长形状14。弹性表面波元件10与基板3之间的接合强度依赖于连接端13与金属凸起5之间的接合面积大小。因此，若使得连接端13的形状为包含金属凸起5其细长形状(延伸形状)14的范围中的尽可能小的尺寸，则能够在确保连接强度的同时减少连接端13的占地面积。即，使得连接端13的形状与金属凸起5的细长形状(延伸形状)14一致地为细长形状(矩形、4个角为圆角的矩形等)，则在确保必要的连接强度的同时能够提高多个弹性表面波元件10(A、B)的安装密度。
能够提高多大程度的安装密度，若要举出数值进行示例，则如下所述。
现在，图2以及图4所示的连接端子13的形状是长边(与元件A、B的并列设置方向垂直的方向；图1为USa1/USb1；图2为V方向)为150μm、短边(元件A、B的并列设置方向；图1为X方向；图2为H方向)为120μm。
采用具有上述示例的矩形连接端13的弹性表面波元件10以图5的方法制造弹性表面波装置1时，结果是弹性表面波元件10(A或B)的位置偏移是在元件并列配置方向(图1的X方向)上最大为31μm、在与元件并列配置方向垂直的超声波施加方向(图1的Usa1/USb1方向)上最大为76μm。此时，图1的弹性表面波元件A与弹性表面波元件B之间的元件间距离L1作为具有31μm位置偏移所对应的余量而可以为位置偏移的2倍即L1＝62μm。
另一方面，不根据本发明，在元件并列配置的方向上施加超声波并接合弹性表面波元件时，弹性表面波元件A与弹性表面波元件B之间的元件间距离L1作为具有76μm位置偏移所对应的余量而必要使之为位置偏移的2倍即L1＝152μm。
即，根据本发明的实施形态，能够使得元件间的余量L1迅速下降到一半以下。由此，能够提高多个弹性表面波元件的安装密度，能够减小多片式组件的弹性表面波装置的体积。
又，在接合工序中，超声波施加方向与元件并列配置方向的角度从90°起产生偏移时，上述位置偏移也增大，体现出本发明的实施效果(通过位置偏移的减小而增加安装密度)，而且若在上述的90°±α或者90°±β的范围内，则能够充分体现实施本发明的有效效果。
在本发明的实施中，弹性表面波元件10的构造以及构造材料等不仅限于上述示例，也能够进行各种变更。例如，在一个压电性基板11上多段地纵向连接多个IDT(梳状电极12)并能够构成滤波元件。而且，各段的IDT数目能够为一以上的任意数目。再者，组装在一个组件内的弹性表面波元件的数目也不仅限于2个，也可以将3个以上的要求数目的弹性表面波元件组装到一个组件中。
如上所述，根据本发明的弹性表面波装置及其制造方法，能够获得极其小型的多片式组件弹性表面波装置。

Claims (7)

1.一种弹性表面波装置的制造方法，具备分别将具有梳状电极以及连接端的多个弹性表面波元件并列配置在规定的模片固定面上并且通过接合材料将所述多个弹性表面波元件的各个所述连接端与所述模片固定面上的规定位置进行接合的接合工序，其特征在于，
所述接合工序包含向所述接合材料施加超声波并使得所述接合材料熔融的工序，
在所述接合工序中，将施加超声波的方向设定为与并列设置所述弹性表面波元件的方向基本垂直的方向。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，
在所述接合工序之前，设有在多个压电性基板上分别形成梳状电极并制成多个弹性表面波元件的工序。
3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，
所述接合工序包含在吸附固定所述弹性表面波元件的状态下向所述接合材料施加超声波的工序。
4.一种弹性表面波装置，其特征在于，
利用权利要求1、2或3所述的制造方法制造而成。
5.一种弹性表面波装置，其特征在于，
具备：分别具有在压电性基板上形成的梳状电极以及与所述梳状电极相连的连接端的多个弹性表面波元件；具有各个所述的连接端通过接合材料而连接的模片固定面并且并列配置、***述多个弹性表面波元件的组件，
所述接合材料具有在与并列配置所述弹性表面波元件的方向基本垂直的方向上延伸的形状。
6.如权利要求5所述的弹性表面波装置，其特征在于，
所述多个弹性表面波元件包含频率特性与其他弹性表面波元件不同的弹性表面波元件。
7.如权利要求5或6所述的弹性表面波装置，其特征在于，
所述连接端沿着并列设置所述弹性表面波元件的方向而形成短的纵长形状。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102652435A (zh) * 2010-11-25 2012-08-29 株式会社东芝 超声波探头

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62105514A (ja) * 1985-11-01 1987-05-16 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 弾性表面波フイルタバンク
JPS62173814A (ja) * 1986-01-28 1987-07-30 Alps Electric Co Ltd 弾性表面波素子搭載ユニツト
JPH02170611A (ja) * 1988-12-22 1990-07-02 Clarion Co Ltd 弾性表面波装置
JP3194849B2 (ja) * 1995-05-30 2001-08-06 日本無線株式会社 弾性表面波デバイス製造方法
JPH10223694A (ja) 1997-02-05 1998-08-21 Toshiba Corp ボンディング装置
JP3982876B2 (ja) * 1997-06-30 2007-09-26 沖電気工業株式会社 弾性表面波装置
JP3794792B2 (ja) * 1997-07-22 2006-07-12 Ｔｄｋ株式会社 回路基板
JPH11122072A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Fujitsu Ltd 弾性表面波装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102652435A (zh) * 2010-11-25 2012-08-29 株式会社东芝 超声波探头

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