CN1375930A - 表面声波装置以及包括该装置的通信设备 - Google Patents

表面声波装置以及包括该装置的通信设备 Download PDF

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Abstract

一种表面声波装置,该装置以倒装片法构造并生产,这样可以使由于温度而在一表面声波元件与一电子元件封装件之间的结合部分所产生的应力最小化。该表面声波装置包括一压电基片,该基片通过多个金属凸起物与电子元件封装件相结合,其中压电基片具有设有金属凸起物的一个大致矩形的结合表面,并且沿结合表面的两侧的方向具有不同的线性热膨胀系数,在压电基片与封装件具有的线性热膨胀系数之差较大的两方向之一中所设置的金属凸起物之间的最大距离小于在压电基片与封装件具有的线性热膨胀系数之差较小的另一个方向中所设置金属凸起物之间的最大距离。

Description

表面声波装置以及包括该装置的通信设备
发明背景
1.发明领域
本发明的涉及一种表面声波装置，该装置包括一压电基片，该压电基片具有若干个设置在位于压电基片上的一电极极板上的金属凸起物，并且通过倒装片法或其它适当的方法，使该基片与由陶瓷或其它适当的材料制成的电子元件封装件的内部电极图纹相结合；以及本发明还涉及一种通信设备，该通信设备包括此种新颖的表面声波装置。
2.相关技术的描述
目前，要求能够减小便携式通信终端中使用的电子元件的尺寸与高度(厚度)，而同时还要实现便携式通信终端的充分的小型化以及功能改进。在使用于便携式通信终端的电子元件中，表面声波装置是必须被减小尺寸与高度的最重要的电子元件之一。
为了实现表面声波装置的尺寸与高度的减小，使用了一种倒装片法作为表面声波装置的组装方法。用于组装表面声波装置的倒装片法是这样一种方法：预先在表面声波装置的电极极板上设置若干金属凸起物，将表面声波装置的功能表面压在与之相对的一电子元件封装件之上，使金属凸起物与设置在电子元件封装件的安装表面上的电极图纹相结合。
在倒装片法之前，有一种普遍使用的方法，该方法在下文中被称为“导线结合法”。在导线结合法中，表面声波装置以一种粘合剂与电子元件封装件相固定，以使用由Al或Au制成的金属导线与电子元件相导通。
当使用倒装片法时，与使用导线结合法的结构相比，这些金属凸起物必须具有能充分地将表面声波装置与电子元件封装件固定的机械强度与导电性。因此，在金属凸起物与表面声波装置之间的或者在金属凸起物与电子元件封装件之间的结合部必须具有显著的可靠性。在结合部中的间隔的产生会引起导电线路的断路，这将会损坏表面声波装置。
一般而言，在声波装置的表面中，通常使用钽酸锂与铌酸锂作为一压电基片，而通常使用氧化铝陶瓷作为电子元件封装件。在这种情况下，表面声波装置与电子元件封装件将具有不同的线性热膨胀系数。
因此，在倒装片法中，具有不同线性热膨胀系数的表面声波装置与电子元件封装件通过金属凸起物而结合在一起。然而，当具有不同的线性热膨胀的材料被结合在一起并受到温度变化影响时，由于线性热膨胀系数之间的差异，会在结合部会产生应力。结果，使用倒装片法的表面声波装置在受到较大的温度差或重复的温度变化影响时，在该装置中就会存在由于应力而产生的结合部断开的问题。
导线结合法引起上述问题会少一些。这是因为，使用导线结合法的表面声波装置包括设置在表面声波元件的背部充足区域上的一种粘合剂，以防止表面声波装置从电子元件封装件上分开。在某些情况下，使用导线结合法的结构也可使用一些附加的技术以缓减应力，例如可使用一种固化后会***的粘合材料。另外，在导电部分中，由于将表面声波元件与电子元件相连的金属导线细长又软且被形成环状，因此，通过金属导线的变形，线性热膨胀系数之间的差异所产生的应力可显著地被缓解。出于这些因素，导线结合法不会引起由于温度变化而产生的应力问题。
另外，表面声波装置不能包括禁止表面声波元件的功能板振动的材料。因此，通常使用在半导体装置中的下面薄膜树脂不能被用于表面声波装置来抑制由线性热膨胀系数之间的差异所引起的应力。
如上所述，在倒装片法中，表面声波元件仅通过带有相对较小的结合面积的若干金属凸起物与电子元件封装件固定并电气连接。因此，由于线性热膨胀系数之间的差异而产生的应力的问题是严重的。
发明内容
为了克服上述问题，本发明的较佳实施例提供了一种表面声波装置，该表面声波装置通过倒装片法而制成，并且它在一表面声波元件与一电子元件之间的结合部分由于温度变化而产生的应力大大减少，以及本发明的较佳实施例还提供了一种包括此种新颖的表面声波装置的通信装置。
根据本发明的较佳实施例的一种表面声波装置包括一压电基片，该基片通过若干金属凸起物与封装件相连，其中压电基片在设有金属凸起物的结合表面的两个不同的方向中具有不同的线性热膨胀系数，在压电基片与封装件具有的线性热膨胀系数之差较大的两方向之一中所设置的金属凸起物之间的最大距离小于在压电基片与封装件具有的线性热膨胀系数之差较小的另一个方向中所设置金属凸起物之间的最大距离。
在本发明的另一个实施例中，一表面声波装置包括一通过若干金属凸起物而与封装件相结合的压电基片，其中，该压电基片具有一设有若干金属凸起物的、大致为矩形的结合表面，并且该基片沿结合表面的两侧的方向具有不同的线性热膨胀系数，以及在压电基片与封装件具有的线性热膨胀系数之差较大的两个方向中的一个中所设置的金属凸起物之间的最大距离比在压电基片与封装件具有的线性热膨胀系数之差较小的另一个方向中所设置金属凸起物之间的最大距离小。
在上述独特的结构中，若干金属凸起物被设置成，在压电基片与封装件具有的线性热膨胀系数之差较大的两方向之一中所设置的金属凸起物之间的最大距离小于在压电基片与封装件具有的线性热膨胀系数之差较小的另一个方向中所设置金属凸起物之间的最大距离。
这样可减少由温度引起的压电基片与封装件的位移之间的差，并且可以使由于温度变化而在金属凸起物中所产生的应力最小化。这样，可以防止由于温度变化而在压电基片与封装件之间的结合部分中产生断路。
因此，表面声波元件可以牢靠地与封装件固定，并且仅通过具有相对较小面积的金属凸部就可以在它们之间可靠地实现导电。由此，可以大大提高采用倒装片法制造的尺寸与厚度减小的表面声波装置的可靠性。
在根据本发明的另一实施例的表面声波装置中，至少三个金属凸起物设置在压电基片的结合表面的任何四个角中附近。
在上述独特的结构中，使表面声波元件与封装件相结合的金属凸起物无偏差地设置在压电基片上的最大距离处。
因此，表面声波元件可以牢靠地与封装件相固定，并且仅通过具有相对较小面积的金属凸部就可以实现稳定的导电。由此，采用倒装片法的表面声波装置的可靠性得以大大提高。
在根据本发明的又一种较佳实施例的表面声波装置中，压电基片较佳地是由钽酸锂与铌酸锂中的一种作为主要成分制成的，而封装件较佳地是以氧化铝陶瓷作为主要成分制成的。
钽酸锂与铌酸锂适于作为压电基片的主要成分。氧化铝陶瓷适于作为封装件的主要成分。
根据本发明的另一较佳实施例，提供了一种通信设备，该设备至少包括如上所述的本发明的较佳实施例的表面声波装置中的任何一种。
根据上述独特的结构，表面声波装置是采用倒装片法生产的，由此可以大大减小表面声波装置的尺寸与厚度。通过设置本发明的较佳实施例的表面声波装置，通信装置的尺寸可以大大减小。
从下列参照附图对本发明的较佳实施例所述的描述中将可以显而易见本发明的其它特征、特点、元件以及优点。
附图的简要说明
图1A为示出了根据本发明的一较佳实施例的表面声波装置的平面示意图。
图1B为图1A所示的表面声波装置的侧视图。
图2为示出了包括图1A与1B中的表面声波装置的一通信设备的示意框图。
较佳实施例的详细描述
本发明的一较佳实施例将参照图1A、图1B与图2进行描述。
如图1A与1B所示，根据此较佳实施例的表面声波装置10包括一表面声波元件，该表面声波元件具有一梳状的电极(未图示)以及设置在一压电基片1的表面(一电极成形表面或结合表面)上的若干电极极板，而该压电基片1通过金属凸起物3c与3m与一电子元件封装件(封装件)2相结合。
压电基片1较佳地由钽酸锂(或铌酸锂)制成，并且包括若干电极极板，这些极板设置在面向电子元件封装件2的表面(结合表面)的几个位置处，在这些极板处设有若干金属凸起物3c与3m。电子元件封装件2较佳地以氧化铝陶瓷作为主要成分而制成的，而金属凸起物3c与3m是以Au作为主要成分而制成的。
在声波装置10中，压电基片较佳地大致为矩形或正方形。压电基片1被构造成，短边的方向形成一侧边方向，在该侧边方向中压电基片1与电子元件封装件2的线性热膨胀系数之间有较大的差别。金属凸起物3c的位置被选定为，在较短侧的方向中的金属凸起物3之间的最大的距离(L1)比较长侧的方向中的最大距离(L2)小。
具体地说，例如如图1所示，四个金属凸起物3c设置在大致矩形的压电基片1的四个角处，而金属凸起物3m设置在基片的大致中心处。在短边方向中的金属凸起物3c之间的中心距离L1较佳地可以约为1.0毫米，而长边方向中的金属凸起物3c的中心距离L2较佳地约为1.5毫米。
表面声波装置10被构造成，电子元件封装件2(氧化铝陶瓷)的线性热膨胀系数较佳地可以为7×10-6/℃，压电基片1(钽酸锂)的长边方向的热膨胀系数较佳可以约为8×10-6/℃，而压电基片1的短边方向的热膨胀系数较佳可约为14×10-6/℃，压电基片1的长边与短边是根据电极成形表面的外部尺寸而确定的。
以下，将描述压电基片1的线性热膨胀系数。钽酸锂(LT)与铌酸锂(LN)的线性热膨胀系数根据切割的角度与晶向会有所不同。同样，线性热膨胀系数也被描述为晶向的物理参数值。
因此，以上述用于表面声波元件的基片的材料，可用作一表面声波的传播方向的晶向将被限定为一定范围内的某种程度。更具体地说，表面声波元件的基片较佳地具有一种晶向，在此种晶向中在表面声波的传播方向的线性热膨胀系数较大，而在与传播方向基本垂直的方向中的则较小。
具体地，表面声波元件的基片较佳地具有一种晶向，在该种晶向中，在表面声波的传播方向中的线性热膨胀系数较佳地可以约为14×10-6/℃，而与传播方向基本垂直的方向的线性热膨胀系数较佳地可以约为6×10-6/℃。
在具有上述结构的表面声波装置10中，压电基片1与电子元件封装件2具有不同的线性热膨胀系数，因此，当温度变化时，结合表面上的金属凸起物3c与3m中所产生的应力会施加在表面声波装置10中。最大的应力产生在设置在最大距离的金属凸起物3c之间。因此，现在要对在四个角处的金属凸起物中所产生的应力加以考虑，而该应力主要是由于温度变化而引起的。
由于温度变化而在金属凸起物3c中产生应力要归因于电子元件封装件2的位移与压电基片1的位移之间的差，而该位移差是由温度变化而引起的。应力的大小大致与位移差成正比。
即使当温度改变时，在中心处(接近金属凸起物3m处)也不会产生应力。因此，在设置在四个角上的各个金属凸起物3c的位置处，由于温度变化而产生的压电基片1与电子元件封装件2的位移可相对于压电基片1的中心计算。
表1示出了如图1A与图1B中的表面声波装置10发生温度变化时，位于四个角处的各个金属凸起物3c的位置处的电子元件封装件2与压电基片1的位移以及相对于中心表面声波元件(压电基片1)的位移之间的差。表1还示出了在一个比较实例中，在四个角上的各个金属凸起物3c的位置处的压电基片与电子元件封装件的位移以及该位移的差，在该比较实例中，表面声波元件被构造成，其长边与短边方向的线性热膨胀系数相对于图1A与图1B中的表面声波装置那些系数相反。表1
电子元件封装件 表面声波元件(实例) 表面声波元件(比较实例)
长边方向 短边方向 长边方向 短边方向 长边方向 短边方向
线性热膨胀系数(/℃) 7×10-6 7×10-6 8×10-6 14×10-6 14×10-6 8×10-6
自芯片中心线的长度(m) 0.75×10-3 0.5×10-3 0.75×10-3 0.5×10-3 0.75×10-3 0.5×10-3
位移(m/℃) 5.25×10-9 3.5×10-9 6.0×10-9 7.0×10-9 10.5×10-9 4.0×10-9
位移的合成分量(m/℃) 6.31×10-9 9.22×10-9 11.2×10-9
与电子元件封装件的差(m/℃) 2.91×10-9 4.89×10-9
在表1中，“自芯片中心线的长度”表示从基片1的中心到各个侧边方向的中的四个角的各金属凸起物3c的距离。“位移”是作为各侧边方向的线性热膨胀系数与自芯片中心线的长度的乘积而确定的。另外，“位移的合成分量”是作为两侧边方向中的位移的均方值而确定。
表1表示出在根据本发明的较佳实施例的表面声波装置中，表面声波元件与电子元件封装件2的位移之间的差可显著地减少为比较实例的约60％左右，而在比较实例中的长边与短边的线性热膨胀系数是与本发明的较佳实施例的相比是被颠倒的。因此，在根据本发明的较佳实施例的结构中，由于温度变化而在结合部分(金属凸起物3c)产生的应力比比较实例的结构中的低得多。
如上所述，在表面声波装置10中，在金属凸起物3c之间距离较大的压电基片1的平面方向与压电基片1与电子元件2具有较小的线性热膨胀系数差的方向相一致。
如图1所示，大致矩形的压电基片1被构造成，金属凸起物3之间的距离较大的侧边方向与线性热膨胀系数较小的方向相一致。在这种情况下，压电基片1与电子元件封装件2具有的线性热膨胀系数的差较大的侧边方向中所设置的金属凸起物3之间的最大距离比压电基片1与电子元件封装件2具有的线性热膨胀系数的差较小的侧边方向中设置的金属凸起物3之间的最大距离短。
这样可以大大减小由温度变化所引起的压电基片1与电子元件封装件2的位移之间的差。由此，由于温度变化而在金属凸起物3中所产生的应力可达到最小化。这样，可以防止在压电基片1与电子元件封装件2之间的结合部分中由于温度变化引起的断路的产生，并且可以大大提高表面声波装置10的可靠性。
以下，将参照图2描述包括该表面声波装置10的一种通信设备100。
该通信设备100较佳地包括一用于接收信号的接收器，该接收器包括一天线101、一天线共用部分/RF顶部过滤器102、一放大器103、一Rx级间过滤器104、一混合器105、一一级IF过滤器106、一混频器107、一二级IF过滤器108、一一级+二级局部合成器111、一TCXO(温度补偿晶体振荡器)112、一分频器113以及一局部过滤器114。
通信装置100还包括一用于传输信号的收发器，该收发器包括一天线101、一天线共用部分/RF顶部过滤器102、一Tx IF过滤器121、一混合器122、一Tx级间过滤器123、一放大器124、一耦合器125、一隔离器126以及一APC(自动功率控制)127。
上述表面声波装置10适用于Rx级间过滤器104、一级IF过滤器106、TxIF过滤器121以及Tx级间过滤器123。由于表面声波装置10是以倒装片法生产的，所以其尺寸与厚度可以大大地减小。因此，通过设置表面声波装置10可以实现通信设备100的小型化。因此，通信设备100最适宜用于移动通信中。
本发明不仅限于上述较佳实施例，在本发明的范围内还可作出各种变型。例如，本发明可以按以下方式构造而成。
在表面声波装置10中，压电基片1在沿电极成形表面(结合表面)的两个不同方向中具有不同的线性热膨胀系数，而金属凸起物3c在压电基片1上被设置成，在压电基片1与电子元件封装件2具有的线性热膨胀系数之差较大的方向中所设置的金属凸起物3c之间的最大的距离比在压电基片1与电子元件封装件2具有的线性热膨胀系数之差较小的方向中所设置的金属凸起物3c之间的最大的距离短。这两个方向分别与压电基片1与电子元件封装件2的线性热膨胀系数差最大的那个方向以及差最小的那个方向相一致。压电基片1与电子元件封装件2的形状可以根据线性热膨胀系数之间的最大差以及最小差所在的方向，以及根据这些方向中的线性热膨胀系数的差而确定。
尽管，图1中所示的压电基片大致为矩形，但压电基片1的形状并不仅限于此。较佳地用于压电基片1的材料包括钽酸锂以及铌酸锂，但也可以采用其它的压电材料。
虽然，上述的实例中设置了五个金属凸起物3c与3m，但金属凸起物的数量并不仅限于此。上述实例中包括了设置在压电基片1的四个角上的多金属凸起物3c与3m，然而，该金属凸起物3c与3m也可以设置在任何所需位置。同样，此处金属凸起物3c所作的材料为Au，但是，也可以使用含Au的金属、焊锡或其它适合的材料。
虽然，以上描述的电子元件封装件具有一平板结构，但也可以采用凹腔结构。同样，电子元件封装件2可以采用除氧化铝陶瓷之外的其它材料进行制造，并且其线性热膨胀系数可以为各向异性，压电基片1也同样如此。
如上所述，根据本发明的较佳实施例的一种表面声波装置包括一压电基片，该基片通过若干金属凸起物与一封装件相结合，其中该压电基片在设有金属凸起物的结合表面的两个不同方向中具有不同的线性热膨胀系数，而设置在压电基片与封装件具有的线性热膨胀系数差较大的那个方向中的金属凸起物之间的最大距离比设置在压电基片与封装件所具有的线性热膨胀系数差较小的另一个方向中的金属凸起物之间的最大距离要短。
或者，根据本发明的表面声波装置包括一压电基片，该压电基片通过若干金属凸起物与一封装件相结合，其中该压电基片大致具有一矩形的表面，在该表面上设有金属凸起物，并且该基片在结合表面两侧方向中具有不同的线性热膨胀系数，而设置在压电基片与封装件所具有的线性热膨胀系数差较大的那个方向中的金属凸起物之间的最大距离比设置在压电基片与封装件所具有的线性热膨胀系数差较小的另一个方向中的金属凸起物之间的最大距离要短。
因此，金属凸起物是基于压电基片与封装件的线性热膨胀系数之间的差的。这样，由温度变化引起的压电基片与封装件的位移之间的差可以减少，从而使由于温度变化而在金属凸起物中产生的应力最小化。这样，便可以可靠地防止由于温度变化而在压电基片与封装件之间的结合部引起的断路的发生。
因此，一表面声波装置可以被牢靠地与封装件固定，而仅通过具有相对较小的结合面积的若干金属凸起物便可获得稳定的电气连接。因此，本发明大大提高了通过倒装片法而减小了尺寸与厚度的表面声波装置的可靠性。
如上所述，在本发明的表面声波装置中，在接近压电基片的结合表面的四个角处的任何位置至少设置三个金属凸起物。
另外，用于使基本矩形的压电基片与封装件相结合的金属凸起物，被无偏差地设置在压电基片上的最大距离处，其中的压电基片也就是表面声波元件。
这样，一个表面声波元件可以牢靠地与封装件相固定，而仅通过具有相对较小的结合面积的若干金属凸起物便可获得稳定的电气连接。因此，本发明大大提高了通过倒装片法而减小了尺寸与厚度的表面声波装置的可靠性。
如上所述，在本发明的较佳实施例的表面声波装置中，压电基片较佳地是以钽酸锂或铌酸锂作为主要成分而制成的，而封装件较佳地是以氧化铝陶瓷作为主要成分而制成的。钽酸锂和铌酸锂适于作为压电基片的主要成分，而氧化铝陶瓷适于作为封装件的主要成分。
如上所述，本发明的一种通信装置可包括上述的表面声波装置。
因此，由倒装片法生产的表面声波装置的尺寸与厚度均得到了减小。通过将表面声波装置设置在通信装置中，可有效地减小该通信装置的体积。
需理解的是，上述描述仅对本发明起说明作用。本技术领域的人员在不脱离本发明的前提下，还可设计出各种替代方案与改进形式。因此，本发明将涵盖在所附权利要求书的范围内的所有的替代方案、改进形式与变化。

Claims (19)

1.一种表面声波装置，该装置包括：
一封装件；
多个金属凸起物；以及
一压电基片，该基片通过多个金属凸起物与封装件相结合；
其中，在设有多个金属凸起物的压电基片的一个结合表面的两个不同方向中，压电基片具有不同的线性热膨胀系数；以及
在压电基片与封装件具有的线性热膨胀系数之差较大的两方向之一中所设置的金属凸起物之间的最大距离小于在压电基片与封装件具有的线性热膨胀系数之差较小的另一个方向中所设置金属凸起物之间的最大距离。
2.如权利要求1所述的表面声波装置，其特征在于，至少三个金属凸起物设置在压电基片的结合表面的四个角的任何位置的附近。
3.如权利要求1所述的表面声波装置，其特征在于，压电基片是由钽酸锂与铌酸锂中的一种作为主要成分制成的，而封装件是以氧化铝陶瓷作为主要成分制成的。
4.如权利要求1所述的表面声波装置，其特征在于，每一个金属凸起物设置在压电基片结合表面的四个角中的每一个的附近。
5.如权利要求1所述的表面声波装置，其特征在于，至少三个金属凸起物设置在压电基片的结合表面的四个角的任意位置的附近，而至少一个金属凸起物设置在压电基片的结合表面的大致中心处。
6.如权利要求1所述的表面声波装置，其特征在于，压电基片大致为矩形。
7.如权利要求1所述的表面声波装置，其特征在于，金属凸起物由Au制成。
8.如权利要求1所述的表面声波装置，其特征在于，金属凸起物由焊锡制成。
9.如权利要求1所述的表面声波装置，其特征在于，金属凸起物由含有Au的金属制成。
10.一种通信设备，该设备包括如权利要求1所述的表面声波装置。
11.一种表面声波装置，该装置包括：
一封装件；
多个金属凸起物；以及
一压电基片，该基片通过多个金属凸起物与封装件相结合；
其中，该压电基片具有一设有若干金属凸起物的、大致为矩形的结合表面，并且该基片沿结合表面的两侧的方向具有不同的线性热膨胀系数；以及
在压电基片与封装件具有的线性热膨胀系数之差较大的两个方向中的一个中所设置的金属凸起物之间的最大距离小于在压电基片与封装件具有的线性热膨胀系数之差较小的另一个方向中所设置金属凸起物之间的最大距离。
12.如权利要求11所述的表面声波装置，其特征在于，至少三个金属凸起物设置在压电基片的结合表面的四个角的任意地方的附近。
13.如权利要求11所述的表面声波装置，其特征在于，压电基片是由钽酸锂与铌酸锂中的一种作为主要成分制成的，而封装件是以氧化铝陶瓷作为主要成分制成的。
14.如权利要求11所述的表面声波装置，其特征在于，一个金属凸起物设置在压电基片的结合表面的四个角的每一个的附近。
15.如权利要求11所述的表面声波装置，其特征在于，至少三个金属凸起物设置在压电基征的结合表面的四个角的任意位置的附近，而至少一个金属凸起物设置在压电基片的结合表面的大致中心处。
16.如权利要求11所述的表面声波装置，其特征在于，金属凸起物由Au制成。
17.如权利要求11所述的表面声波装置，其特征在于，金属凸起物由焊锡制成。
18.如权利要求11所述的表面声波装置，其特征在于，金属凸起物由含有Au的金属制成。
19.一种通信设备，该设备包括如权利要求11所述的表面声波装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103022013A (zh) * 2011-09-23 2013-04-03 英飞凌科技股份有限公司 带有无线saw温度传感器的功率半导体模块

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3770111B2 (ja) * 2001-07-09 2006-04-26 株式会社村田製作所 圧電型電気音響変換器
DE102004037817B4 (de) * 2004-08-04 2014-08-07 Epcos Ag Elektrisches Bauelement in Flip-Chip-Bauweise
DE102007003281A1 (de) * 2007-01-23 2008-07-24 Epcos Ag Piezoelektrischer Transformator und Transformatoranordnung
JP5381188B2 (ja) * 2009-03-16 2014-01-08 株式会社村田製作所 弾性表面波素子
JP6472945B2 (ja) * 2013-06-13 2019-02-20 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
JP2018032848A (ja) * 2016-08-25 2018-03-01 株式会社村田製作所 半導体装置
US10461668B2 (en) 2017-11-09 2019-10-29 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Systems for protecting and monitoring power electronic devices
JP7013855B2 (ja) 2017-12-26 2022-02-01 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、電子機器および移動体

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07303022A (ja) * 1994-05-09 1995-11-14 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
EP0840369A4 (en) * 1995-06-30 2001-12-19 Toshiba Kk ELECTRONIC COMPONENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
JPH11239037A (ja) * 1998-02-20 1999-08-31 Nec Corp 弾性表面波装置
US5969461A (en) * 1998-04-08 1999-10-19 Cts Corporation Surface acoustic wave device package and method
JP2000114916A (ja) * 1998-09-29 2000-04-21 Nec Corp 表面弾性波デバイス及びその製造方法
JP3726998B2 (ja) * 1999-04-01 2005-12-14 株式会社村田製作所 表面波装置
JP2001267881A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びこれを用いた通信装置、並びにアンテナデュプレクサ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103022013A (zh) * 2011-09-23 2013-04-03 英飞凌科技股份有限公司 带有无线saw温度传感器的功率半导体模块
CN103022013B (zh) * 2011-09-23 2015-10-28 英飞凌科技股份有限公司 带有无线saw温度传感器的功率半导体模块

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