CN117083694A - 层叠体、层叠体的制造方法以及半导体基板的制造方法 - Google Patents

层叠体、层叠体的制造方法以及半导体基板的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种具有在半导体基板的加工后将半导体基板与支承基板分离时能够容易地剥离且能够抑制凸块变形的粘接层的层叠体等。一种层叠体，具备：带凸块的半导体基板；支承基板；保护用粘接层，以与所述带凸块的半导体基板相接的方式形成；以及剥离用粘接层，在所述保护用粘接层与所述支承基板之间形成，所述保护用粘接层由保护用粘接剂组合物形成，所述保护用粘接剂组合物包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)，不含不发生固化反应的剥离剂成分(B)，所述剥离用粘接层由剥离用粘接剂组合物形成，所述剥离用粘接剂组合物包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)和不发生固化反应的剥离剂成分(B)。

Description

层叠体、层叠体的制造方法以及半导体基板的制造方法
技术领域
本发明涉及层叠体、层叠体的制造方法以及半导体基板的制造方法。
背景技术
就以往在二维平面方向上集成的半导体晶圆而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步在三维方向集成(层叠)的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极(TSV：through silicon via)一边接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，利用研磨使所集成的各个晶圆的与所形成的电路面相反一侧(即背面)薄化，层叠经薄化的半导体晶圆。
为了利用研磨装置对薄化前的半导体晶圆(在此也简称为晶圆)进行研磨而将其粘接于支承体。
此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接。该临时粘接必须容易从支承体拆卸，当对拆卸施加大的力时，有时经薄化的半导体晶圆被切断或变形，为了避免这样的情况发生，该临时粘接容易拆卸。但是，在半导体晶圆的背面研磨时，会因研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的。因此，对于临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，在研磨后容易拆卸。
例如追求以下性能：相对于研磨时的平面方向具有高应力(强粘接力)，相对于拆卸时的纵向具有低应力(弱粘接力)。
作为这样的粘接工艺，已经提出了一种晶圆支承结构体(例如，参照专利文献1的实施例)，在作为半导体晶圆的晶圆1与作为支承体的支承层6之间，从晶圆1侧起具有硅油层、作为等离子体聚合物层的分离层4、以及经部分固化的或固化性弹性体材料的层5，其中弹性体材料完全固化后的支承层体系与分离层4之间的粘接结合大于晶圆1与分离层4之间的粘接结合。
在将半导体晶圆薄化后，从支承体拆卸经薄化的半导体晶圆时，始终要求拆卸不需要大的力就能够容易地将半导体晶圆从支承体拆卸的技术。
此外，半导体晶圆例如借助由金属的导电性材料构成的凸块球而与半导体晶片(chip)电连接，通过使用具备这样的凸块球的晶片，谋求半导体封装的小型化。
由铜、锡这样的金属构成的凸块球有时由于在加工半导体基板的过程等中施加的加热、压力等来自外部的负荷而损伤或变形，随着近来在半导体领域的进展，始终要求能够减轻或防止这样的由加热、压力引起的变形的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5335443号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种具有能够将半导体基板与支承基板容易地剥离且能够抑制凸块变形的粘接层的层叠体、和使用了该层叠体的半导体基板的制造方法、以及该层叠体的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明人等为了解决上述问题而进行了深入研究，结果完成了具有以下主旨的本发明。
即，本发明包括以下内容。
[1]一种层叠体，具备：带凸块的半导体基板；支承基板；保护用粘接层，以与所述带凸块的半导体基板相接的方式形成；以及剥离用粘接层，在所述保护用粘接层与所述支承基板之间形成，所述保护用粘接层由保护用粘接剂组合物形成，所述保护用粘接剂组合物包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)，不含不发生固化反应的剥离剂成分(B)，所述剥离用粘接层由剥离用粘接剂组合物形成，所述剥离用粘接剂组合物包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)和不发生固化反应的剥离剂成分(B)。
[2]根据[1]所述的层叠体，其中，所述保护用粘接层中所含有的所述成分(A)含有：具有与硅原子键合的碳原子数2～40的烯基的聚有机硅氧烷(a1)、具有Si－H基的聚有机硅氧烷(a2)以及铂族金属系催化剂(A2)，所述剥离用粘接层中所含有的所述成分(A)含有：具有与硅原子键合的碳原子数2～40的烯基的聚有机硅氧烷(a1)、具有Si－H基的聚有机硅氧烷(a2)以及铂族金属系催化剂(A2)。
[3]根据[1]或[2]所述的层叠体，其中，所述剥离用粘接层中所含有的所述剥离剂成分(B)为任选地被改性的聚二甲基硅氧烷。
[4]一种半导体基板的制造方法，包括以下工序：对如[1]～[3]中任一项所述的层叠体中的所述半导体基板进行加工的工序；以及通过使所述保护用粘接层与所述剥离用粘接层分离来使所述支承基板与加工后的所述半导体基板分离的工序。
[5]根据[4]所述的半导体基板的制造方法，其中，所述进行加工的工序包括对所述半导体基板的与存在所述凸块的面相反一侧的面进行研磨，使所述半导体基板变薄的处理。
[6]一种层叠体的制造方法，其制造如[1]～[3]中任一项所述的层叠体，所述层叠体的制造方法包括：保护用粘接剂涂布层形成工序，通过在所述半导体基板的存在所述凸块的面上涂布所述保护用粘接剂组合物而形成保护用粘接剂涂布层；保护用粘接层形成工序，对所述保护用粘接剂涂布层进行加热而形成所述保护用粘接层；剥离用粘接剂涂布层形成工序，通过在所述支承基板上涂布所述剥离用粘接剂组合物、或在所述保护用粘接层上涂布所述剥离用粘接剂组合物而形成剥离用粘接剂涂布层；以及剥离用粘接层形成工序，在所述剥离用粘接剂涂布层与所述保护用粘接层相接、且所述剥离用粘接剂涂布层与所述支承基板相接的状态下，对所述剥离用粘接剂涂布层进行加热而形成所述剥离用粘接层。
发明效果
根据本发明，能提供一种具有能够将半导体基板与支承基板容易地剥离且能够抑制凸块变形的粘接层的层叠体、和使用了该层叠体的半导体基板的制造方法、以及该层叠体的制造方法。
附图说明
图1是层叠体的一个例子的概略剖视图。
图2A是用于对进行层叠体的制造和薄化晶圆的制造的一个方案进行说明的图(其一)。
图2B是用于对进行层叠体的制造和薄化晶圆的制造的一个方案进行说明的图(其二)。
图2C是用于对进行层叠体的制造和薄化晶圆的制造的一个方案进行说明的图(其三)。
图2D是用于对进行层叠体的制造和薄化晶圆的制造的一个方案进行说明的图(其四)。
图2E是用于对进行层叠体的制造和薄化晶圆的制造的一个方案进行说明的图(其五)。
图2F是用于对进行层叠体的制造和薄化晶圆的制造的一个方案进行说明的图(其六)。
图2G是用于对进行层叠体的制造和薄化晶圆的制造的一个方案进行说明的图(其七)。
图2H是用于对进行层叠体的制造和薄化晶圆的制造的一个方案进行说明的图(其八)。
具体实施方式
(层叠体)
本发明的层叠体具有支承基板、半导体基板、保护用粘接层以及剥离用粘接层。
半导体基板在支承基板侧具有凸块。
保护用粘接层介于支承基板与半导体基板之间。
保护用粘接层与半导体基板相接。
剥离用粘接层介于支承基板与保护用粘接层之间。
剥离用粘接层优选与支承基板和保护用粘接层相接。
层叠体用于在层叠体中的半导体基板的加工后使支承基板与半导体基板分离的用途。
在层叠体中，通过保护用粘接层与半导体基板相接而形成，在制造加工后的半导体基板时，能够抑制凸块变形。可认为其原因在于，容易因加工半导体基板时的热和压力而熔融或变形的凸块被不易熔融和变形的保护用粘接层保护，结果其形状得到保持。
此外，在层叠体中，剥离用粘接层形成于支承基板与保护用粘接层之间，因此在将支承基板与半导体基板分离时，不会对基板施加过度的负荷，能够良好地分离两张基板。可认为其原因在于，如后所述，剥离用粘接层含有剥离剂成分，因此在将基板彼此分离时，能够良好地实现选择性地将剥离用粘接层内部或剥离用粘接层和与其邻接的层或与基板的界面处的剥离，其结果是，能够避免对基板的过度负荷。
＜支承基板＞
作为支承基板，只要是在加工半导体基板时能够支承半导体基板的构件，就没有特别限定，例如可列举出玻璃制支承基板、硅制支承基板等。
作为支承基板的形状，没有特别限定，例如可列举出圆盘状。需要说明的是，圆盘状的支承基板的面的形状无需为完全的圆形，例如，支承基板的外周可以具有被称为定向平面的直线部，也可以具有被称为凹槽(notch)的切口。
圆盘状的支承基板的厚度只要根据半导体基板的大小等适当决定即可，没有特别限定，例如为500～1000μm。
圆盘状的支承基板的直径只要根据半导体基板的大小等适当决定即可，没有特别限定，例如为100～1000mm。
支承基板的一个例子为直径300mm、厚度700μmm左右的玻璃晶圆、硅晶圆。
＜半导体基板＞
半导体基板具有凸块。凸块是指突起状的端子。
在层叠体中，半导体基板在支承基板侧具有凸块。
在半导体基板中，凸块通常形成在形成有电路的面上。电路可以是单层，也可以是多层。作为电路的形状没有特别限制。
在半导体基板中，与具有凸块的面相反一侧的面(背面)是供于加工的面。
作为构成半导体基板整体的主要材质，只要是用于这种用途的材质就没有特别限定，例如可列举出：硅、碳化硅、化合物半导体等。
半导体基板的形状没有特别限定，例如为圆盘状。需要说明的是，圆盘状的半导体基板的面的形状无需为完全的圆形，例如，半导体基板的外周可以具有被称为定向平面的直线部，也可以具有被称为凹槽的切口。
圆盘状的半导体基板的厚度只要根据半导体基板的使用目的等适当决定即可，没有特别限定，例如为500～1000μm。
作为圆盘状的半导体基板的直径，只要根据半导体基板的使用目的等适当决定即可，没有特别限定，例如，可列举为100～1000mm。
半导体基板的一个例子为直径300mm、厚度770μm左右的硅晶圆。
作为半导体基板所具有的凸块的材质、大小、形状、结构、密度，没有特别限定。
作为凸块，例如可列举出：球凸块、印刷凸块、柱形凸块、镀覆凸块等。
通常，从凸块高度1～200μm左右、凸块直径1～200μm、凸块间距1～500μm这样的条件中适当决定凸块的高度、直径以及间距。
作为凸块的材质，例如可列举出低熔点焊料、高熔点焊料、锡、铟、金、银、铜等。凸块可以仅由单一的成分构成，也可以由多个成分构成。更具体而言，可列举出SnAg凸块、SnBi凸块、Sn凸块、AuSn凸块等以Sn为主体的合金镀敷等。
此外，凸块也可以具有包含由这些成分中的至少任一种构成的金属层的层叠结构。
＜保护用粘接层＞
保护用粘接层介于支承基板与半导体基板之间。
保护用粘接层与半导体基板相接。
保护用粘接层由保护用粘接剂组合物形成，该保护用粘接剂组合物包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)，不含不发生固化反应的剥离剂成分(B)。
需要说明的是，规定为在保护用粘接剂组合物中不含的剥离剂成分(B)是通过与规定为在剥离用粘接剂组合物中含有的剥离剂成分(B)的对比而规定的，关于剥离剂成分(B)的详细内容，在下述＜剥离用粘接层＞的＜＜剥离用粘接剂组合物＞＞处记载。
＜＜保护用粘接剂组合物＞＞
保护用粘接剂组合物包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)。
在优选的方案中，本发明中使用的保护用粘接剂组合物含有聚有机硅氧烷。
在另一优选的方案中，本发明中使用的保护用粘接剂组合物含有成为粘接剂成分的固化的成分(A)。
在另一优选的方案中，成分(A)可以是通过氢化硅烷化反应而固化的成分，也可以是通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分(A’)。
在另一优选的方案中，成分(A)例如含有作为成分(A’)的一个例子的、具有与硅原子键合的碳原子数2～40的烯基的聚有机硅氧烷(a1)、具有Si－H基的聚有机硅氧烷(a2)、以及铂族金属系催化剂(A2)。在此，碳原子数2～40的烯基任选地被取代。作为取代基，例如可列举出：卤素原子、硝基、氰基、氨基、羟基、羧基、芳基、杂芳基等。
在另一优选的方案中，通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分(A’)包含聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)，上述聚硅氧烷(A1)包含选自由SiO2所示的硅氧烷单元(Q单元)、R1R2R3SiO1/2所示的硅氧烷单元(M单元)、R4R5SiO2/2所示的硅氧烷单元(D单元)以及R6SiO3/2所示的硅氧烷单元(T单元)构成的组中的一种或两种以上的单元，聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1’)和聚有机硅氧烷(a2’)，上述聚有机硅氧烷(a1’)包含选自由SiO2所示的硅氧烷单元(Q’单元)、R1’R2’R3’SiO1/2所示的硅氧烷单元(M’单元)、R4’R5’SiO2/2所示的硅氧烷单元(D’单元)以及R6’SiO3/2所示的硅氧烷单元(T’单元)构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由M’单元、D’单元以及T’单元构成的组中的至少一种，上述聚有机硅氧烷(a2’)包含选自由SiO2所示的硅氧烷单元(Q”单元)、R1”R2”R3”SiO1/2所示的硅氧烷单元(M”单元)、R4”R5”SiO2/2所示的硅氧烷单元(D”单元)以及R6”SiO3/2所示的硅氧烷单元(T”单元)构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由M”单元、D”单元以及T”单元构成的组中的至少一种。
需要说明的是，(a1’)是(a1)的一个例子，(a2’)是(a2)的一个例子。
R1～R6为与硅原子键合的基团或原子，分别独立地表示任选地被取代的烷基，任选地被取代的烯基或氢原子。作为取代基，例如可列举出：卤素原子、硝基、氰基、氨基、羟基、羧基、芳基、杂芳基等。
R1’～R6’为与硅原子键合的基团，分别独立地表示任选地被取代的烷基或任选地被取代的烯基，R1’～R6’的至少一个为任选地被取代的烯基。作为取代基，例如可列举出：卤素原子、硝基、氰基、氨基、羟基、羧基、芳基、杂芳基等。
R1”～R6”为与硅原子键合的基团或原子，分别独立地表示任选地被取代的烷基或氢原子，R1”～R6”的至少一个为氢原子。作为取代基，例如可列举出：卤素原子、硝基、氰基、氨基、羟基、羧基、芳基、杂芳基等。
烷基可以为直链状、支链状、环状中的任一种，但优选为直链状或支链状烷基，其碳原子数没有特别限定，通常为1～40，优选为30以下，更优选为20以下，更进一步优选为10以下。
作为任选地被取代的直链状或支链状烷基的具体例子，可列举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、1－甲基正丁基、2－甲基正丁基、3－甲基正丁基、1，1－二甲基正丙基、1，2－二甲基正丙基、2，2－二甲基正丙基、1－乙基正丙基、正己基、1－甲基正戊基、2－甲基正戊基、3－甲基正戊基、4－甲基正戊基、1，1－二甲基正丁基、1，2－二甲基正丁基、1，3－二甲基正丁基、2，2－二甲基正丁基、2，3－二甲基正丁基、3，3－二甲基正丁基、1－乙基正丁基、2－乙基正丁基、1，1，2－三甲基正丙基、1，2，2－三甲基正丙基、1－乙基－1－甲基正丙基、1－乙基－2－甲基正丙基等，但并不限定于此，其碳原子数通常为1～14，优选为1～10，更优选为1～6。其中，特别优选甲基。
作为任选地被取代的环状烷基的具体例子，可列举出：环丙基、环丁基、1－甲基环丙基、2－甲基环丙基、环戊基、1－甲基环丁基、2－甲基环丁基、3－甲基环丁基、1，2－二甲基环丙基、2，3－二甲基环丙基、1－乙基环丙基、2－乙基环丙基、环己基、1－甲基环戊基、2－甲基环戊基、3－甲基环戊基、1－乙基环丁基、2－乙基环丁基、3－乙基环丁基、1，2－二甲基环丁基、1，3－二甲基环丁基、2，2－二甲基环丁基、2，3－二甲基环丁基、2，4－二甲基环丁基、3，3－二甲基环丁基、1－正丙基环丙基、2－正丙基环丙基、1－异丙基环丙基、2－异丙基环丙基、1，2，2－三甲基环丙基、1，2，3－三甲基环丙基、2，2，3－三甲基环丙基、1－乙基－2－甲基环丙基、2－乙基－1－甲基环丙基、2－乙基－2－甲基环丙基、2－乙基－3－甲基环丙基等环烷基、双环丁基、双环戊基、双环己基、双环庚基、双环辛基、双环壬基、双环癸基等双环烷基等，但并不限定于此，其碳原子数通常为3～14，优选为4～10，更优选为5～6。
烯基可以为直链状、支链状中的任一种，其碳原子数没有特别限定，通常为2～40，优选为30以下，更优选为20以下，更进一步优选为10以下。
作为任选地被取代的直链状或支链状烯基的具体例子，可列举出：乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基等，但并不限定于此，其碳原子数通常为2～14，优选为2～10，更优选为1～6。其中，特别优选乙烯基、2－丙烯基。
作为任选地被取代的环状烯基的具体例子，可列举出环戊烯基、环己烯基等，但并不限定于此，其碳原子数通常为4～14，优选为5～10，更优选为5～6。
如上所述，聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1’)和聚有机硅氧烷(a2’)，聚有机硅氧烷(a1’)中所含的烯基与聚有机硅氧烷(a2’)中所含的氢原子(Si－H基)通过利用铂族金属系催化剂(A2)的氢化硅烷化反应来形成交联结构而固化。其结果是，形成固化膜。
聚有机硅氧烷(a1’)包含选自由Q’单元、M’单元、D’单元以及T’单元构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由M’单元、D’单元以及T’单元构成的组中的至少一种。作为聚有机硅氧烷(a1’)，可以组合使用两种以上满足这样的条件的聚有机硅氧烷。
作为选自由Q’单元、M’单元、D’单元以及T’单元构成的组中的两种以上的优选的组合，可列举出：(Q’单元和M’单元)、(D’单元和M’单元)、(T’单元和M’单元)、(Q’单元和T’单元和M’单元)，但并不限定于此。
此外，在聚有机硅氧烷(a1’)中包含的聚有机硅氧烷含有两种以上的情况下，优选(Q’单元和M’单元)与(D’单元和M’单元)的组合、(T’单元和M’单元)与(D’单元和M’单元)的组合、(Q’单元、T’单元以及M’单元)和(T’单元和M’单元)的组合，但并不限定于此。
聚有机硅氧烷(a2’)包含选自由Q”单元、M”单元、D”单元以及T”单元构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由M”单元、D”单元以及T”单元构成的组中的至少一种。作为聚有机硅氧烷(a2’)，可以组合使用两种以上满足这样的条件的聚有机硅氧烷。
作为选自由Q”单元、M”单元、D”单元以及T”单元构成的组中两种以上的优选的组合，可列举出：(M”单元和D”单元)、(Q”单元和M”单元)、(Q”单元、T”单元以及M”单元)，但并不限定于此。
聚有机硅氧烷(a1’)由其硅原子键合有烷基和/或烯基的硅氧烷单元构成，R1’～R6’所示的全部取代基中的烯基的比例优选为0.1～50.0摩尔％，更优选为0.5～30.0摩尔％，剩余的R1’～R6’可以设为烷基。
聚有机硅氧烷(a2’)由其硅原子键合有烷基和/或氢原子的硅氧烷单元构成，R1”～R6”所示的全部取代基和取代原子中的氢原子的比例优选为0.1～50.0摩尔％，更优选为10.0～40.0摩尔％，剩余的R1”～R6”可以设为烷基。
在成分(A)包含(a1)和(a2)的情况下，在本发明的优选的方案中，聚有机硅氧烷(a1)中所含的烯基与聚有机硅氧烷(a2)中所含的构成Si－H键的氢原子的摩尔比为1.0∶0.5～1.0∶0.66的范围。
聚有机硅氧烷(a1)、聚有机硅氧烷(a2)等聚硅氧烷的重均分子量没有特别限定，通常分别为500～1000000，从再现性良好地实现本发明效果的观点考虑，优选为5000～50000。
需要说明的是，在本发明中，聚有机硅氧烷的重均分子量和数均分子量以及分散度例如可以使用GPC装置(Tosoh(株)制EcoSEC，HLC-8320GPC)和GPC色谱柱(Tosoh(株)TSKgel SuperMultiporeHZ-N，TSKgel SuperMultiporeHZ-H)，将色谱柱温度设为40℃，将四氢呋喃用作洗脱液(洗脱溶剂)，将流量(流速)设为0.35mL/分钟，将聚苯乙烯(昭和电工(株)制，Shodex)用作标准试样进行测定。
聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)的粘度没有特别限定，通常分别为10～1000000(mPa·s)，从再现性良好地实现本发明效果的观点考虑，优选为50～20000(mPa·s)。需要说明的是，聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)的粘度是在25℃下利用E型旋转粘度计测定出的值。
聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)通过氢化硅烷化反应相互反应而形成膜。因此，其固化的机理例如与借助硅烷醇基的机理不同，由此，所有硅氧烷均无需包含硅烷醇基、烷基氧基那样的通过水解形成硅烷醇基的官能团。
在本发明的优选的方案中，粘接剂组合物包含聚有机硅氧烷成分(A’)和铂族金属系催化剂(A2)。
这样的铂系金属催化剂是用于促进聚有机硅氧烷(a1)的烯基与聚有机硅氧烷(a2)的Si－H基的氢化硅烷化反应的催化剂。
作为铂系金属催化剂的具体例子，可列举出：铂黑、四氯化铂、氯铂酸、氯铂酸与一元醇的反应物、氯铂酸与烯烃类的络合物、双乙酰乙酸铂等铂系催化剂，但并不限定于此。
作为铂与烯烃类的络合物，例如可列举出二乙烯基四甲基二硅氧烷与铂的络合物，但并不限定于此。
铂族金属系催化剂(A2)的量没有特别限定，通常，相对于聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)的合计量在1.0～50.0ppm的范围。
聚有机硅氧烷成分(A’)以抑制氢化硅烷化反应的进行为目的，也可以包含聚合抑制剂(A3)。
聚合抑制剂只要能抑制氢化硅烷化反应的进行，就没有特别限定，作为其具体例子，可列举出：1－乙炔基－1－环己醇、1，1－二苯基－2－丙炔－1－醇等炔醇等。
聚合抑制剂的量没有特别限定，相对于聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)的合计量，通常从得到其效果的观点考虑为1000.0ppm以上，从防止过度抑制氢化硅烷化反应的观点考虑为10000.0ppm以下。
出于粘度的调整等目的，本发明中使用的保护用粘接剂组合物也可以包含溶剂，作为其具体例子，可列举出：脂肪族烃、芳香族烃、酮等，但并不限定于此。
更具体而言，作为溶剂，可列举出：己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、异十二烷、薄荷烷、柠檬烯、甲苯、二甲苯、均三甲苯、异丙苯、MIBK(甲基异丁基酮)、乙酸丁酯、二异丁基酮、2－辛酮、2－壬酮、5－壬酮等，但并不限定于此。这样的溶剂可以单独使用一种或组合使用两种以上。
在本发明中使用的保护用粘接剂组合物包含溶剂的情况下，其含量是考虑所期望的组合物的粘度、采用的涂布方法、制作的膜的厚度等而适当决定的，相对于保护用粘接剂组合物整体为10～90质量％左右的范围。
本发明中使用的保护用粘接剂组合物的粘度没有特别限定，在25℃下通常为500～20000mPa·s，优选为1000～6000mPa·s。本发明中使用的保护用粘接剂组合物的粘度可以通过考虑使用的涂布方法、所期望的膜厚等各种因素，通过变更使用的溶剂的种类、它们的比率、膜构成成分浓度等来调整。
在本发明中，膜构成成分是指组合物中所含的溶剂以外的成分。
本发明中使用的保护用粘接剂组合物的一个例子可以通过将成分(A)与在使用的情况下的溶剂混合来制造。
需要说明的是，在制备保护用粘接剂组合物时，可以在成分不分解或不变质的范围内适当加热。
在本发明中，出于去除异物的目的，可以在制造保护用粘接剂组合物的中途或将全部成分混合后，使用过滤器等过滤使用的溶剂、溶液等。
本发明的层叠体所具备的保护用粘接层的厚度没有特别限定，从为了再现性良好地得到良好的凸块变形抑制效果的观点考虑，优选为10～100μm，更优选为20～50μm。
＜剥离用粘接层＞
剥离用粘接层介于支承基板与保护用粘接层之间。
从为了再现性良好地得到良好的凸块变形抑制效果的观点考虑，剥离用粘接层优选与支承基板和保护用粘接层相接。
剥离用粘接层由剥离用粘接剂组合物形成，该剥离用粘接剂组合物包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)和不发生固化反应的剥离剂成分(B)。
＜＜剥离用粘接剂组合物＞＞
剥离用粘接剂组合物包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)。
在优选的方案中，本发明中使用的剥离用粘接剂组合物含有聚有机硅氧烷。
在另一优选的方案中，本发明中使用的剥离用粘接剂组合物含有成为粘接剂成分的固化的成分(A)和不发生固化反应的剥离剂成分(B)。作为不发生固化反应的剥离剂成分(B)，例如可列举出聚有机硅氧烷。需要说明的是，在本发明中，“不发生固化反应”并不是指不发生任何固化反应，而是指不发生在固化的成分(A)中发生的固化反应。
在另一优选的方案中，成分(A)可以是通过氢化硅烷化反应而固化的成分，也可以是通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分(A’)。
作为成分(A)、聚有机硅氧烷成分(A’)的说明，如上述的＜保护用粘接层＞的＜＜保护用粘接剂组合物＞＞处所记载的那样。
保护用粘接剂组合物所含有的成分(A)、聚有机硅氧烷成分(A’)与剥离用粘接剂组合物所含有的成分(A)、聚有机硅氧烷成分(A’)可以是相同种类的成分，也可以是不同种类的成分。
剥离用粘接剂组合物含有不发生固化反应的剥离剂成分(B)，但作为组合物整体，发生通过氢化硅烷化进行的交联反应，进行固化。
剥离用粘接剂组合物中的固化的成分(A)优选不含有包含芳香环的成分。
本发明中使用的剥离用粘接剂组合物的一个例子包含固化的成分(A)和不发生固化反应的剥离剂成分(B)。通过在剥离用粘接剂组合物中含有这样的剥离剂成分(B)，能容易地剥离与剥离用粘接层邻接的层或基板。
作为这样的剥离剂成分(B)，典型而言，可列举出聚有机硅氧烷。在某一优选的方案中，作为其具体例子，可列举出：含环氧基的聚有机硅氧烷、含甲基的聚有机硅氧烷、含苯基的聚有机硅氧烷等，但并不限定于此。
此外，在另一优选的方案中，作为剥离剂成分(B)，可列举出聚二甲基硅氧烷，该聚二甲基硅氧烷任选地被改性。作为任选地被改性的聚二甲基硅氧烷，例如可列举出：含环氧基的聚二甲基硅氧烷、未改性的聚二甲基硅氧烷、含苯基的聚二甲基硅氧烷等，但并不限定于此。
就作为剥离剂成分(B)的聚有机硅氧烷的优选的例子而言，可列举出：含环氧基的聚有机硅氧烷、含甲基的聚有机硅氧烷、含苯基的聚有机硅氧烷等，但并不限定于此。
作为剥离剂成分(B)的聚有机硅氧烷的重均分子量没有特别限定，通常为100000～2000000，从再现性良好地实现本发明效果的观点考虑，优选为200000～1200000，更优选为300000～900000。此外，其分散度没有特别限定，但通常为1.0～10.0，从再现性良好地实现适当的剥离的观点等考虑，优选为1.5～5.0，更优选为2.0～3.0。需要说明的是，重均分子量和分散度可以通过与聚硅氧烷相关的上述方法进行测定。
作为剥离剂成分(B)的聚有机硅氧烷的复数黏度可以在25℃下使用流变仪(例如，AntonPaar(株)制流变仪MCR-302)进行测定。
作为含环氧基的聚有机硅氧烷，例如可列举出包含R11R12SiO2/2所示的硅氧烷单元(D10单元)的含环氧基的聚有机硅氧烷。
R11为与硅原子键合的基团，表示烷基，R12为与硅原子键合的基团，表示环氧基或含环氧基的有机基团，作为烷基的具体例子，可列举出上述的示例。
包含环氧基的有机基团中的环氧基可以不与其他环缩合而为独立的环氧基，也可以是如1，2－环氧环己基那样与其他环形成稠环的环氧基。
作为包含环氧基的有机基团的具体例子，可列举出：3－环氧丙氧基丙基、2－(3，4－环氧环己基)乙基，但并不限定于此。
在本发明中，作为含环氧基的聚有机硅氧烷的优选的一个例子，可列举出含环氧基的聚二甲基硅氧烷，但并不限定于此。
含环氧基的聚有机硅氧烷包含上述的硅氧烷单元(D10单元)，但除了D10单元以外，也可以包含Q单元、M单元和/或T单元。
在本发明的优选的方案中，作为含环氧基的聚有机硅氧烷的具体例子，可列举出：仅由D10单元构成的聚有机硅氧烷；包含D10单元和Q单元的聚有机硅氧烷；包含D10单元和M单元的聚有机硅氧烷；包含D10单元和T单元的聚有机硅氧烷；包含D10单元、Q单元以及M单元的聚有机硅氧烷；包含D10单元、M单元以及T单元的聚有机硅氧烷；包含D10单元、Q单元、M单元以及T单元的聚有机硅氧烷等。
含环氧基的聚有机硅氧烷优选环氧值为0.1～5的含环氧基的聚二甲基硅氧烷。此外，其重均分子量没有特别限定，通常为1500～500000，从抑制粘接剂中的析出的观点考虑，优选为100000以下。
作为含环氧基的聚有机硅氧烷的具体例子，可列举出式(E1)～(E3)所示的含环氧基的聚有机硅氧烷，但并不限定于此。
(m1和n1表示各重复单元的数量，为正整数。)
(m2和n2表示各重复单元的数量，为正整数，R为碳原子数1～10的亚烷基。)
(m3、n3以及o3表示各重复单元的数量，为正整数，R为碳原子数1～10的亚烷基。)
作为含甲基的聚有机硅氧烷，例如可列举出包含R210R220SiO2/2所示的硅氧烷单元(D200单元)的含甲基的聚有机硅氧烷，优选包含R21R21SiO2/2所示的硅氧烷单元(D20单元)的含甲基的聚有机硅氧烷。
R210和R220为与硅原子键合的基团，分别独立地表示烷基，但至少一方为甲基，作为烷基的具体例子，可列举出上述的示例。
R21为与硅原子键合的基团，表示烷基，作为烷基的具体例子，可列举出上述的示例。其中，作为R21，优选甲基。
在本发明中，作为含甲基的聚有机硅氧烷的优选的一个例子，可列举出聚二甲基硅氧烷，但并不限定于此。
含甲基的聚有机硅氧烷包含上述的硅氧烷单元(D200单元或D20单元)，但除了D200单元和D20单元以外，还可以包含Q单元、M单元和/或T单元。
在本发明的某一方案中，作为含甲基的聚有机硅氧烷的具体例子，可列举出：仅由D200单元构成的聚有机硅氧烷；包含D200单元和Q单元的聚有机硅氧烷；包含D200单元和M单元的聚有机硅氧烷；包含D200单元和T单元的聚有机硅氧烷；包含D200单元、Q单元以及M单元的聚有机硅氧烷；包含D200单元、M单元以及T单元的聚有机硅氧烷；包含D200单元、Q单元、M单元以及T单元的聚有机硅氧烷。
在本发明的优选的方案中，作为含甲基的聚有机硅氧烷的具体例子，可列举出：仅由D20单元构成的聚有机硅氧烷；包含D20单元和Q单元的聚有机硅氧烷；包含D20单元和M单元的聚有机硅氧烷；包含D20单元和T单元的聚有机硅氧烷；包含D20单元、Q单元以及M单元的聚有机硅氧烷；包含D20单元、M单元以及T单元的聚有机硅氧烷；包含D20单元、Q单元、M单元以及T单元的聚有机硅氧烷。
作为含甲基的聚有机硅氧烷的具体例子，可列举出式(M1)所示的聚有机硅氧烷，但并不限定于此。
(n4表示重复单元的数量，为正整数。)
作为含苯基的聚有机硅氧烷，例如可列举出包含R31R32SiO2/2所示的硅氧烷单元(D30单元)的含苯基的聚有机硅氧烷。
R31为与硅原子键合的基团，表示苯基或烷基，R32为与硅原子键合的基团，表示苯基，作为烷基的具体例子，可列举出上述的示例，优选甲基。
含苯基的聚有机硅氧烷包含上述的硅氧烷单元(D30单元)，但除了D30单元以外，还可以包含上述Q单元、M单元和/或T单元。
在本发明的优选的方案中，作为含苯基的聚有机硅氧烷的具体例子，可列举出：仅由D30单元构成的聚有机硅氧烷；包含D30单元和Q单元的聚有机硅氧烷；包含D30单元和M单元的聚有机硅氧烷；包含D30单元和T单元的聚有机硅氧烷；包含D30单元、Q单元以及M单元的聚有机硅氧烷；包含D30单元、M单元以及T单元的聚有机硅氧烷；包含D30单元、Q单元、M单元以及T单元的聚有机硅氧烷。
作为含甲基的聚有机硅氧烷的具体例子，可列举出式(P1)或式(P2)所示的含甲基的聚有机硅氧烷，但并不限定于此。
(m5和n5表示各重复单元的数量，为正整数。)
(m6和n6表示各重复单元的数量，为正整数。)
作为剥离剂成分(B)的聚有机硅氧烷可以是市售品，也可以是合成的聚有机硅氧烷。
作为聚有机硅氧烷的市售品，例如可列举出：作为Wacker Chemie公司制的制品的WACKERSILICONE FLUID AK系列(AK50、AK 350、AK 1000、AK 10000、AK 1000000)或GENIOPLAST GUM、信越化学工业(株)制二甲基硅油(KF－96L、KF－96A、KF－96、KF－96H、KF－69、KF－965、KF－968)、环状二甲基硅油(KF－995)；Gelest公司制含环氧基的聚有机硅氧烷(商品名CMS－227、ECMS－327)、信越化学工业(株)制含环氧基的聚有机硅氧烷(KF－101、KF－1001、KF－1005、X－22－343)、Dow Corning公司制含环氧基的聚有机硅氧烷(BY16－839)；Gelest公司制含苯基的聚有机硅氧烷(PMM－1043、PMM－1025、PDM－0421、PDM－0821)、信越化学工业(株)制含苯基的聚有机硅氧烷(KF50－3000CS)、MOMENTIVE公司制含苯基的聚有机硅氧烷(TSF431、TSF433)等，但并不限定于此。
本发明中使用的剥离用粘接剂组合物包含固化的成分(A)和不发生固化反应的剥离剂成分(B)，在更优选的方案中，作为剥离剂成分(B)，含有聚有机硅氧烷。
本发明中使用的剥离用粘接剂组合物的一个例子可以按任意的比率包含成分(A)和剥离剂成分(B)，但若考虑粘接性与剥离性的平衡，则成分(A)与剥离剂成分(B)的比率以质量比〔(A)∶(B)〕计优选为99.995∶0.005～30∶70，更优选为99.9∶0.1～75∶25。
即，在包含通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分(A’)的情况下，成分(A’)与剥离剂成分(B)的比率以质量比〔(A’)∶(B)〕计优选为99.995∶0.005～30∶70，更优选为99.9∶0.1～75∶25。
出于粘度的调整等目的，本发明中使用的剥离用粘接剂组合物也可以包含溶剂，作为其具体例子，可列举出：脂肪族烃、芳香族烃、酮等，但并不限定于此。
更具体而言，作为溶剂，可列举出：己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、异十二烷、薄荷烷、柠檬烯、甲苯、二甲苯、均三甲苯、异丙苯、MIBK(甲基异丁基酮)、乙酸丁酯、二异丁基酮、2－辛酮、2－壬酮、5－壬酮等，但并不限定于此。这样的溶剂可以单独使用一种或组合使用两种以上。
在本发明中使用的剥离用粘接剂组合物包含溶剂的情况下，其含量是考虑所期望的组合物的粘度、采用的涂布方法、制作的膜的厚度等而适当决定的，但相对于剥离用粘接剂组合物整体为10～90质量％左右的范围。
本发明中使用的剥离用粘接剂组合物的粘度没有特别限定，但在25℃下通常为500～20000mPa·s，优选为1000～5000mPa·s。本发明中使用的剥离用粘接剂组合物的粘度可以考虑使用的涂布方法、所期望的膜厚等各种因素，通过变更使用的溶剂的种类、它们的比率、膜构成成分浓度等来调整。
本发明中使用的剥离用粘接剂组合物的一个例子可以通过将成分(A)、剥离剂成分(B)以及在使用的情况下的溶剂混合来制造。
其混合顺序没有特别限定，作为能容易且再现性良好地制造剥离用粘接剂组合物的方法的一个例子，例如可列举出：使成分(A)和剥离剂成分(B)溶解于溶剂中的方法；使成分(A)和剥离剂成分(B)的一部分溶解于溶剂中，使其余成分溶解于溶剂中，将所得到的溶液混合的方法，但并不限定于这些。需要说明的是，在制备剥离用粘接剂组合物时，也可以在成分不分解或不变质的范围内适当加热。
在本发明中，也可以出于去除异物的目的，在制造剥离用粘接剂组合物的中途或将全部成分混合后，使用过滤器等过滤使用的溶剂、溶液等。
本发明的层叠体所具备的剥离用粘接层的厚度没有特别限定，从再现性良好地得到良好的剥离效果的观点考虑，优选为10～100μm，更优选为20～50μm。
以下，使用附图对层叠体的一个例子进行说明。
图1是层叠体的一个例子的概略剖视图。
图1的层叠体依次具有：具有凸块1a的半导体基板1、保护用粘接层2、剥离用粘接层3以及支承基板4。
半导体基板1所具有的凸块1a配置于支承基板4侧。
保护用粘接层2介于半导体基板1与支承基板4之间。保护用粘接层2与半导体基板1相接。而且，保护用粘接层2覆盖凸块1a。
剥离用粘接层3介于保护用粘接层2与支承基板4之间。剥离用粘接层3与保护用粘接层2和支承基板4相接。
本发明的层叠体例如通过以下的本发明的层叠体的制造方法适当地制造。
(层叠体的制造方法)
本发明的层叠体的制造方法包括保护用粘接剂涂布层形成工序、保护用粘接层形成工序、剥离用粘接剂涂布层形成工序、以及剥离用粘接层形成工序，还根据需要包括贴合工序等其他工序。
＜保护用粘接剂涂布层形成工序＞
保护用粘接剂涂布层形成工序通常是通过在半导体基板的存在凸块的面上涂布保护用粘接剂组合物而形成保护用粘接剂涂布层的工序。通过将保护用粘接剂组合物涂布于带凸块的半导体基板，能以追随由凸块引起的凹凸而在保护用粘接剂涂布层与基板之间不产生间隙的方式形成保护用粘接剂涂布层，其结果是，即使在所形成的保护用粘接层的厚度比凸块高度薄的情况下，也不会引起凸块上部从保护用粘接层露出等情况，能够适当地形成可实现良好的凸块保护的保护用粘接层。需要说明的是，这一点并不妨碍在本发明的层叠体中保护用粘接层比半导体基板的凸块高度厚，即使在这样的情况下，也能够适当地形成能够可良好的凸块保护的保护用粘接层。
如此，保护用粘接剂涂布层形成于带凸块的半导体基板上。
涂布方法没有特别限定，通常为旋涂法。需要说明的是，也可以采用另行利用旋涂法等形成涂布膜，粘贴片状的涂布膜作为保护用粘接剂涂布层的方法。
保护用粘接剂涂布层的厚度考虑层叠体中的保护用粘接层所期望的厚度、凸块高度等而适当决定。
因保护用粘接剂组合物包含溶剂等理由，出于使所涂布的保护用粘接剂组合物的涂膜干燥的目的，也可以对所涂布的保护用粘接剂组合物进行加热。
所涂布的保护用粘接剂组合物的加热温度根据保护用粘接剂组合物所包含的粘接剂成分的种类、量、是否包含溶剂、所使用的溶剂的沸点、所期望的保护用粘接层的厚度等而不同，因此无法笼统地规定，但通常为80～150℃，其加热时间通常为30秒～5分钟。
加热可以使用加热板、烘箱等来进行。
＜保护用粘接层形成工序＞
在保护用粘接层形成工序中，对保护用粘接剂涂布层进行加热而形成保护用粘接层。
作为加热的温度和时间，只要是保护用粘接剂涂布层转化为保护用粘接层的温度和时间，就没有特别限定。
作为加热的温度，从实现充分的固化速度的观点等考虑，优选为120℃以上，更优选为150℃以上，从防止构成层叠体的各层(包括支承基板和半导体基板)变质的观点等考虑，优选为250℃以下。进一步优选为180～200℃。
作为加热的时间，从实现构成层叠体的各层(包括支承基板和半导体基板)的适当的接合的观点考虑，优选为1分钟以上，更优选为5分钟以上，从抑制或避免过度的加热对各层的不良影响等的观点考虑，优选为180分钟以下，更优选为120分钟以下。从基板处理效率的观点考虑，进一步优选为1～20分钟。
加热可以使用加热板、烘箱等来进行。
＜剥离用粘接剂涂布层形成工序＞
剥离用粘接剂涂布层形成工序例如是通过在支承基板上涂布剥离用粘接剂组合物、或在保护用粘接层上涂布剥离用粘接剂组合物而形成剥离用粘接剂涂布层的工序。
作为剥离用粘接剂涂布层形成工序，只要是形成剥离用粘接剂涂布层的工序，就没有特别限制，例如可列举出包括如下方法的工序：在保护用粘接层上或支承基板上涂布剥离用粘接剂组合物后，进行加热(前加热处理)，形成作为未固化或未完全固化的剥离用粘接层的剥离用粘接剂涂布层。如此，剥离用粘接剂涂布层形成在半导体基板上的保护用粘接层上或支承基板上。
涂布方法没有特别限定，通常为旋涂法。需要说明的是，也可以采用另行利用旋涂法等形成涂布膜，粘贴片状的涂布膜作为剥离用粘接剂涂布层的方法。
剥离用粘接剂涂布层的厚度考虑层叠体中的剥离用粘接层所期望的厚度等而适当决定。
因剥离用粘接剂组合物包含溶剂等理由，出于使所涂布的剥离用粘接剂组合物的涂膜干燥的目的，也可以对所涂布的剥离用粘接剂组合物进行加热。
所涂布的剥离用粘接剂组合物的加热温度根据剥离用粘接剂组合物所包含的粘接剂成分的种类、量、是否包含溶剂、所使用的溶剂的沸点、所期望的剥离用粘接层的厚度等而不同，因此无法笼统地规定，但通常为80～150℃，其加热时间通常为30秒～5分钟。
加热可以使用加热板、烘箱等来进行。
＜剥离用粘接层形成工序＞
剥离用粘接层形成工序是对剥离用粘接剂涂布层进行加热而形成剥离用粘接层的工序。
作为剥离用粘接层形成工序，只要是对剥离用粘接剂涂布层进行加热而形成剥离用粘接层的工序，就没有特别限定(后加热处理)。例如，使用形成有保护用粘接层和剥离用粘接剂涂布层的半导体基板和支承基板，或者使用形成有保护用粘接层的半导体基板和形成有剥离用粘接剂涂布层的支承基板，以夹着两个层(保护用粘接层和剥离用粘接剂涂布层)的方式配置两个基板(半导体基板和支承基板)，由此使支承基板与剥离用粘接剂涂布层相接，并且在使剥离用粘接剂涂布层与保护用粘接层相接后，实施加热处理即可。
作为加热的温度和时间，只要是剥离用粘接剂涂布层转化为剥离用粘接层的温度和时间，就没有特别限定。
作为加热的温度，从实现充分的固化速度的观点等考虑，优选为120℃以上，更优选为150℃以上，从防止构成层叠体的各层(包括支承基板和半导体基板)变质的观点等考虑，优选为250℃以下。进一步优选为180～200℃。
作为加热的时间，从实现构成层叠体的各层(包括支承基板和半导体基板)的适当的接合的观点考虑，优选为1分钟以上，更优选为5分钟以上，从抑制或避免过度的加热对各层的不良影响等的观点考虑，优选为180分钟以下，更优选为120分钟以下。从基板处理效率的观点考虑，进一步优选为1～20分钟。
加热可以使用加热板、烘箱等来进行。
＜贴合工序＞
在剥离用粘接剂涂布层形成工序与剥离用粘接层形成工序之间，为了使半导体基板与支承基板的贴合充分，优选进行贴合工序。
作为贴合工序，只要能够进行基板与层的贴合且不对基板、层造成损伤，就没有特别限定，但典型而言，贴合工序是可在支承基板和半导体基板的厚度方向上施加载荷的工序，更优选为可在减压下在支承基板和半导体基板的厚度方向上施加载荷的工序。
只要能够进行基板与层的贴合且不对基板、层造成损伤，载荷就没有特别限定，例如为10～1000N。
只要能够进行基板与层的贴合且不对基板、层造成损伤，减压度就没有特别限定，例如为10～10000Pa。
(半导体基板的制造方法)
本发明的层叠体在为了对半导体基板进行加工而用于临时粘接，在层叠体中的半导体基板的加工后使支承基板与半导体基板分离的用途中使用。
本发明的半导体基板的制造方法至少包括对半导体基板进行加工的加工工序、使支承基板与加工后的半导体基板分离的剥离工序，还根据需要包括去除工序等其他工序。
＜加工工序＞
作为加工工序，只要是对本发明的层叠体中的半导体基板进行加工的工序，就没有特别限定，例如包括研磨处理、贯通电极形成处理等。
例如，在各种加工工序中，有时在高温高压下进行加工处理，但本发明的层叠体即使在高温(例如250～350℃)、高压下进行处理，也能有效地防止半导体基板的凸块变形。
＜＜研磨处理＞＞
作为研磨处理，例如只要是对半导体基板的与存在凸块的面相反一侧的面进行研磨来使半导体基板变薄的处理，就没有特别限定，例如可列举出使用研磨剂、磨具的物理研磨等。
研磨处理可以使用在半导体基板的研磨中使用的通常的研磨装置来进行。
通过研磨处理，半导体基板的厚度减少，能得到薄化至所期望的厚度的半导体基板。作为经薄化的半导体基板的厚度，没有特别限定，例如，可以为10～300μm，也可以为30～100μm。
＜＜贯通电极形成工序＞＞
有时在经研磨的半导体基板上形成贯通电极，该贯通电极用于在层叠多个经薄化的半导体基板时实现经薄化的半导体基板间的导通。
因此，半导体基板的制造方法也可以在研磨处理之后且剥离工序之前，包括在经研磨的半导体基板上形成贯通电极的贯通电极形成处理。
作为在半导体基板上形成贯通电极的方法，没有特别限定，例如可列举出形成贯通孔，在所形成的贯通孔中填充导电性材料等。
贯通孔的形成例如通过光刻来进行。
导电性材料向贯通孔的填充例如通过镀敷技术来进行。
＜剥离工序＞
作为剥离工序，只要是在加工工序之后通过使支承基板与加工后的半导体基板分离的工序，就没有特别限定。
例如可列举出利用具有尖锐部的机械材料(所谓的剥离器)进行机械剥离的方法。具体而言，例如通过将尖锐部***至半导体基板与支承基板之间，使半导体基板与支承基板分离。通常，剥离在剥离用粘接层内部、剥离用粘接层与保护用粘接层的界面以及剥离用粘接层与支承基板的界面中的任一处发生，也经常会组合它们中的两种以上而发生剥离。需要说明的是，在剥离用粘接层内部发生剥离是指剥离用粘接层开裂。
＜去除工序＞
作为去除工序，只要是在剥离工序之后去除半导体基板上的保护用粘接层、其上的剥离用粘接层残渣的工序，就没有特别限定，例如可列举出使用清洗剂组合物将它们溶解去除的方法。此外，也可以在溶解去除中组合使用了去除带等的去除。
在使用清洗剂组合物的情况下，例如可以将带有保护用粘接层的半导体基板浸渍于清洗剂组合物中，或者喷涂清洗剂组合物。
在使用清洗剂组合物清洗半导体基板的情况下，注意避免损伤凸块。
作为本发明中使用的清洗剂组合物的适当的一个例子，可列举出包含季铵盐和溶剂的清洗剂组合物。
季铵盐由季铵阳离子和阴离子构成，只要是用于这种用途，就没有特别限定。
作为这样的季铵阳离子，典型而言，可列举出四(烃)铵阳离子。另一方面，作为与其成对的阴离子，可列举出：氢氧根离子(OH－)；氟离子(F－)、氯离子(Cl－)、溴离子(Br－)、碘离子(I－)等卤素离子；四氟硼酸根离子(BF4 －)；六氟磷酸根离子(PF6 －)等，但并不限定于此。
在本发明中，季铵盐优选为含卤素季铵盐，更优选为含氟季铵盐。
在季铵盐中，卤素原子可以包含在阳离子中，也可以包含在阴离子中，但优选包含在阴离子中。
在优选的一个方案中，含氟季铵盐为氟化四(烃)铵。
作为氟化四(烃)铵中的烃基的具体例子，可列举出：碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基、碳原子数2～20的炔基、碳原子数6～20的芳基等。
在更优选的一个方案中，氟化四(烃)铵包含氟化四烷基铵。
作为氟化四烷基铵的具体例子，可列举出：氟化四甲基铵、氟化四乙基铵、氟化四丙基铵、氟化四丁基铵(也称为四丁基氟化铵)等，但并不限定于此。其中，优选氟化四丁基铵。
使用图2A～图2H对一系列地进行层叠体的制造和薄化晶圆的制造的方案的一个例子进行说明。
图2A～图2H是用于对进行层叠体的制造和薄化晶圆的制造的一个方案进行说明的图。
首先，准备具有凸块1a的晶圆1(图2A)。
接着，在晶圆1的存在凸块1a的面上，通过使用涂布装置11的旋涂来涂布保护用粘接剂组合物，形成保护用粘接剂涂布层2a(图2B)。
接着，在晶圆1的与存在凸块1a的面相反一侧的面配置加热装置(加热板)12，利用加热装置12对保护用粘接剂涂布层2a进行加热使其固化，转化为保护用粘接层2(图2C)。
接着，在保护用粘接层2上，通过使用涂布装置13的旋涂来涂布剥离用粘接剂组合物，形成剥离用粘接剂涂布层3a(图2D)。
接着，在剥离用粘接剂涂布层3a上配置支承基板4(图2E)。
接着，在减压下在晶圆1和支承基板4的厚度方向上施加载荷后，在晶圆1的与存在凸块1a的面相反一侧的面配置加热装置(加热板)14，利用加热装置14对剥离用粘接剂涂布层3a进行加热使其固化，转化为剥离用粘接层3(图2F)。
通过图2A～图2F所示的工序，得到层叠体。
接着，对薄化晶圆的制造的一个例子进行说明。
接着，使用研磨装置(未图示)对晶圆1的与存在凸块1a的面相反一侧的面进行研磨，使晶圆1薄化(图2G)。需要说明的是，也可以对经薄化的晶圆1实施贯通电极的形成等。
接着，使用剥离装置(未图示)，将经薄化的晶圆1与支承基板4剥离(图2H)。
接着，使用清洗装置(未图示)，通过从利用清洗剂组合物薄化后的晶圆1上溶解去除保护用粘接层2等，对经薄化的晶圆1进行清洗。
通过以上方式得到经薄化的晶圆1。
实施例
以下，列举出实施例对本发明更具体地进行说明，但本发明不限定于下述实施例。需要说明的是，使用的装置如下所述。
(1)搅拌机A：(株)THINKY制自转公转搅拌机ARE―500。
(2)复数黏度的测定：AntonPaar(株)制流变仪MCR-302。
(3)真空贴合装置X：SUSS MicroTec(株)制，Manual Bonder。
(4)真空贴合装置Y：SUSS MicroTec(株)制，Auto Bonder。
(5)剥离装置X：SUSS MicroTec(株)制，Manual Debonder。
实施例中使用的各成分的结构式如下所示。
(n4表示重复单元的数量，为正整数。)
(n表示重复单元的数量，为正整数。)
(n、m分别表示重复单元的数量，为正整数。)
[分子量的测定]
聚二甲基硅氧烷的重均分子量和数均分子量以及分散度使用GPC装置(Tosoh(株)制EcoSEC HLC-8320GPC)和GPC色谱柱(Tosoh(株)TSKgel SuperMultiporeHZ―N，TSKgelSuperMultiporeHZ-H)，将色谱柱温度设为40℃，将四氢呋喃用作洗脱液(洗脱溶剂)，将流量(流速)设为0.35mL/分钟，将聚苯乙烯(昭和电工(株)制，Shodex)用作标准试样进行测定。
[1－1]保护用粘接剂组合物的制备
[制备例1]
向搅拌机A的600mL搅拌容器中加入作为上述成分(a1)的由式(V)所示的粘度200mPa·s的含乙烯基的直链状聚二甲基硅氧烷62.10g和含乙烯基的MQ树脂构成的基体聚合物(Wacker Chemie公司制)82.25g、作为上述成分(a2)的粘度100mPa·s的含SiH基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)15.23g、以及作为上述成分(A3)的1－乙炔基－1－环己醇(Wacker Chemie公司制)0.42g，利用搅拌机A搅拌5分钟，得到混合物(I)。
在螺口管(Screw tube)50mL中，作为上述成分(A2)的铂催化剂(Wacker Chemie(株)制)0.24g和作为所述成分(a1)的式(W)所示的粘度1000mPa·s的含乙烯基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)10.07g，利用搅拌机A搅拌5分钟，得到混合物(II)。
向得到的混合物(II)中加入7.14g的混合物(I)，利用搅拌机A搅拌5分钟，得到混合物(III)。
最后，将所得到的混合物(III)利用尼龙过滤器300目进行过滤，得到保护用粘接剂组合物1。需要说明的是，使用旋转粘度计测定的保护用粘接剂组合物1的粘度为9900mPa·s。
[1－2]剥离用粘接剂组合物的制备
[制备例2]
向搅拌机A专用的600mL搅拌容器中加入作为上述成分(a1)的具有聚硅氧烷骨架和乙烯基的MQ树脂(Wacker Chemie公司制)的对孟烷溶液(浓度80.6质量％)104.14g、作为上述成分(B)的式(M1)所示的聚有机硅氧烷(复数黏度800Pa·s，重均分子量171899(分散度2.18)，Wacker Chemie公司制)58.11g、作为溶剂的对孟烷(Nippon Terpene Chemicals(株)制)34.94g以及正癸烷(三协化学(株)制)6.20g，利用搅拌机A搅拌5分钟，得到混合物(I)。
向得到的混合物(I)中加入作为上述成分(a2)的粘度100mPa·s的含SiH基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)16.79g和作为上述成分(a1)的式(V)所示的粘度200mPa·s的含乙烯基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)24.54g，得到混合物(II)。
将作为上述成分(A3)的1，1－二苯基－2－丙炔－1－醇(东京化成工业(株)制)1.61g和1－乙炔基－1－环己醇(Wacker Chemie公司制)1.61g、以及作为溶剂的对孟烷(Nippon Terpene Chemicals(株)制)3.23g利用搅拌机A搅拌60分钟，得到混合物(III)。
将所得到的混合物(III)中的1.29g加入到混合物(II)中，利用搅拌机A搅拌5分钟，得到混合物(IV)。
将作为上述成分(A2)的铂催化剂(Wacker Chemie公司制)0.65g和作为上述成分(a1)的式(W)所示的粘度1000mPa·s的含乙烯基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)19.37g利用搅拌机A搅拌5分钟，得到混合物(V)。
将所得到的混合物(V)中的4.00g加入到混合物(IV)中，利用搅拌机A搅拌5分钟，得到混合物(VI)。
最后，将所得到的混合物(VI)利用尼龙过滤器300目进行过滤，得到了剥离用粘接剂组合物1。需要说明的是，所得到的剥离用粘接剂组合物1的粘度为3000mPa·s。
[制备例3]
向搅拌机A专用的600mL搅拌容器中加入作为上述成分(a1)的具有聚硅氧烷骨架和乙烯基的MQ树脂(Wacker Chemie公司制)的对孟烷溶液(浓度80.6质量％)105.26g、作为上述成分(B)的式(M1)所示的聚有机硅氧烷(复数黏度6000Pa·s，重均分子量642000(分散度2.6)，Wacker Chemie公司制，商品名GENIOPLAST GUM)35.24g、对孟烷(Nippon TerpeneChemicals(株)制)54.11g以及正癸烷(三协化学(株)制)8.35g，以中途停止片刻的方式重复共计8次利用搅拌机A的5分钟的搅拌，得到混合物(I)。
向得到的混合物(I)中加入作为上述成分(a2)的粘度100mPa·s的含SiH基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)16.97g和作为上述成分(a1)的粘度200mPa·s的含乙烯基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)24.80g，得到混合物(II)。
将作为上述成分(A3)的1，1－二苯基－2－丙炔－1－醇(东京化成工业(株)制)1.63g、作为(A3)的1－乙炔基－1－环己醇(Wacker Chemie公司制)1.63g、以及对孟烷(Nippon Terpene Chemicals(株)制)3.26g利用搅拌机A搅拌5分钟，得到混合物(III)。
将所得到的混合物(III)中的1.31g加入到混合物(II)中，利用搅拌机A搅拌5分钟，得到混合物(IV)。
将作为上述成分(A2)的铂催化剂(Wacker Chemie公司制)0.26g、作为上述成分(a1)的粘度1000mPa·s的含乙烯基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)19.58g利用搅拌机A搅拌5分钟，得到混合物(V)。
将所得到的混合物(V)中的3.97g加入到混合物(IV)中，利用搅拌机A搅拌5分钟，得到混合物(VI)。
最后，将所得到的混合物(VI)利用尼龙过滤器300目进行过滤，得到了剥离用粘接剂组合物2。需要说明的是，所得到的剥离用粘接剂组合物2的粘度为3900mPa·s。
[2]粘接性和剥离性的评价
[实施例1－1]
在作为器件侧的晶圆的300mm的硅晶圆(厚度：770μm)上，利用旋涂涂布制备例1中得到的保护用粘接剂组合物1，在200℃下加热10分钟，由此在晶圆的电路面形成厚度为约32.5μm的保护用粘接层。
接着，在保护用粘接层上，利用旋涂涂布制备例2中得到的剥离用粘接剂组合物1，在120℃下加热(前加热处理)1.5分钟，由此在保护用粘接层上以层叠体中的剥离用粘接层的厚度成为约32.5μm的方式形成了剥离用粘接剂涂布层。
然后，在真空贴合装置Y内，将具有保护用粘接层和剥离用粘接剂涂布层的硅晶圆与作为载体侧的晶圆(支承体)的300mm玻璃晶圆(厚度：700μm)以夹着保护用粘接层和剥离用粘接剂涂布层的方式贴合，以将器件侧晶圆朝下的方式在加热板上在200℃下加热(后加热处理)10分钟，由此制作出层叠体。需要说明的是，贴合在温度23℃、减压度1000Pa下施加30N的载荷来进行。
[实施例1－2]
在作为器件侧的晶圆的300mm的硅晶圆(厚度：770μm)上，利用旋涂涂布制备例1中得到的保护用粘接剂组合物1，在200℃下加热10分钟，由此在晶圆的电路面形成厚度为约32.5μm的保护用粘接层。
接着，在保护用粘接层上，利用旋涂涂布制备例3中得到的剥离用粘接剂组合物2，在120℃下加热(前加热处理)1.5分钟，由此在保护用粘接层上以层叠体中的剥离用粘接层的厚度成为约32.5μm的方式形成了剥离用粘接剂涂布层。
然后，在真空贴合装置内Y，将具有保护用粘接层和剥离用粘接剂涂布层的硅晶圆与作为载体侧的晶圆(支承体)的300mm玻璃晶圆(厚度：700μm)以夹着保护用粘接层和剥离用粘接剂涂布层的方式贴合，以将器件侧晶圆朝下的方式在加热板上在200℃下加热(后加热处理)10分钟，由此制作出层叠体。需要说明的是，贴合在温度23℃、减压度1000Pa下施加30N的载荷来进行。
[比较例1－1]
在作为器件侧的晶圆的300mm的硅晶圆(厚度：770μm)上，利用旋涂涂布制备例1中得到的保护用粘接剂组合物1，由此在晶圆的电路面以层叠体中的保护用粘接层的厚度成为约65μm的方式形成了保护用粘接剂涂布层。
然后，在真空贴合装置内Y，将具有保护用粘接剂涂布层的硅晶圆与作为载体侧的晶圆(支承体)的300mm玻璃晶圆(厚度：700μm)以夹着保护用粘接剂涂布层的方式贴合，以将器件侧晶圆朝下的方式在加热板上在200℃下加热(后加热处理)10分钟，由此制作出层叠体。需要说明的是，贴合在温度23℃、减压度1000Pa下施加30N的载荷来进行。
[比较例1－2]
在作为器件侧的晶圆的300mm的硅晶圆(厚度：770μm)上，利用旋涂涂布制备例2中得到的剥离用粘接剂组合物1，在120℃下加热(前加热处理)1.5分钟，由此在晶圆的电路面以层叠体中的剥离用粘接层的厚度成为约65μm的方式形成了剥离用粘接剂涂布层。
然后，在真空贴合装置内Y，将具有剥离用粘接剂涂布层的硅晶圆与作为载体侧的晶圆(支承体)的300mm玻璃晶圆(厚度：700μm)以夹着剥离用粘接剂涂布层的方式贴合，以将器件侧晶圆朝下的方式在加热板上在200℃下加热(后加热处理)10分钟，由此制作出层叠体。需要说明的是，贴合在温度23℃、减压度1000Pa下施加30N的载荷来进行。
[比较例1－3]
在作为器件侧的晶圆的300mm的硅晶圆(厚度：770μm)上，利用旋涂涂布制备例3中得到的剥离用粘接剂组合物2，在120℃下加热(前加热处理)1.5分钟，由此在晶圆的电路面以层叠体中的剥离用粘接层的厚度成为约65μm的方式形成了剥离用粘接剂涂布层。
然后，在真空贴合装置内Y，将具有剥离用粘接剂涂布层的硅晶圆与作为载体侧的晶圆(支承体)的300mm玻璃晶圆(厚度：700μm)以夹着粘接层的方式贴合，以将器件侧晶圆朝下的方式在加热板上在200℃下加热(后加热处理)10分钟，由此制作出层叠体。需要说明的是，贴合在温度23℃、减压度1000Pa下施加30N的载荷来进行。
使用实施例1－1、实施例1－2、比较例1－1、比较例1－2以及比较例1－3中得到的层叠体，对各层叠体中的粘接层的粘接性和剥离性进行了评价。
粘接性的评价通过从层叠体的玻璃晶圆(支承体)侧通过目视确认空隙的有无来进行，将未确认到空隙的情况设为良好，确认到空隙的情况设为不良。在此，空隙是指层叠体的基板与层之间、两个层之间或层中存在气泡的状态，在存在不希望的气泡的这样的状态下无法期待半导体基板的充分保护。
剥离性评价测定了将半导体基板与支承基板剥离时所需的力，将能用剥离装置X剥离的情况设为良好，将无法剥离的情况设为不良。
其结果是，在所有层叠体中未确认到空隙。关于剥离性，在实施例1－1和实施例1－2中，能以15N的力将半导体基板与支承基板良好地剥离。此外，可知比较例1－1无法用剥离装置X剥离。需要说明的是，比较例1－2和比较例1－3能以15N的力剥离。
如此，可知本发明的层叠体即使在不能剥离的保护用粘接剂组合物1的存在下，也通过具有剥离用粘接层而表现良好的剥离性。
[3－1]凸块保护性能的确认
[实施例2－1]
在作为器件侧的基板的PI TEG 4×4cm的晶片(厚度：770μm，凸块直径：0.03mm，凸块高度：0.04mm，凸块间距：0.06×0.1mm)上利用旋涂涂布制备例1中得到的保护用粘接剂组合物1，在200℃下加热10分钟，由此在晶片的电路面形成了厚度为约32.5μm的保护用粘接层。
接着，在保护用粘接层上利用旋涂涂布制备例2中得到的剥离用粘接剂组合物1，在120℃下加热(前加热处理)1.5分钟，由此以层叠体中的剥离用粘接层的厚度成为约32.5μm的方式形成了剥离用粘接剂涂布层。
然后，在真空贴合装置X内将具有保护用粘接层和剥离用粘接剂涂布层的晶片与作为载体侧的晶圆(支承体)的100mm的玻璃晶圆(厚度：770μm)以夹着保护用粘接层和剥离用粘接剂涂布层的方式贴合，以将器件侧晶圆朝下的方式在加热板上在200℃下加热(后加热处理)10分钟，由此制作出层叠体。需要说明的是，贴合在温度23℃、减压度1000Pa下施加30N的载荷来进行。
[实施例2－2]～[实施例2－8]
在实施例2－1中，如下述表1所示，变更了各粘接剂组合物的种类和各层的膜厚，除此以外，通过与实施例2－1同样的方法，得到了实施例2－2～2－8的层叠体。
[比较例2－1]
在作为器件侧的基板的PI TEG 4×4cm的晶片(厚度：770μm，凸块直径：0.03mm，凸块高度：0.04mm，凸块间距：0.06×0.1mm)上利用旋涂涂布制备例2中得到的剥离用粘接剂组合物1，在120℃下加热(前加热处理)1.5分钟，由此在晶片上以层叠体中的剥离用粘接层的厚度成为约65μm的方式形成了剥离用粘接剂涂布层。
然后，在真空贴合装置X内，将具有剥离用粘接剂涂布层的晶片与作为载体侧的晶圆(支承体)的100mm的玻璃晶圆(厚度：770μm)以夹着剥离用粘接剂涂布层的方式贴合，以将器件侧晶圆朝下的方式在加热板上在200℃下加热(后加热处理)10分钟，由此制作出层叠体。需要说明的是，贴合在温度23℃、减压度1000Pa下施加30N的载荷来进行。
[比较例2－2]
在作为器件侧的基板的PI TEG 4×4cm的晶片(厚度：770μm，凸块直径：0.03mm，凸块高度：0.04mm，凸块间距：0.06×0.1mm)上利用旋涂涂布制备例3中得到的剥离用粘接剂组合物2，在120℃下加热(前加热处理)1.5分钟，由此在晶片上以层叠体中的剥离用粘接层的厚度成为约65μm的方式形成了剥离用粘接剂涂布层。
然后，在真空贴合装置X内，将具有剥离用粘接剂涂布层的晶片与作为载体侧的晶圆(支承体)的100mm的玻璃晶圆(厚度：770μm)以夹着剥离用粘接剂涂布层的方式贴合，以将器件侧晶圆朝下的方式在加热板上在200℃下加热(后加热处理)10分钟，由此制作出层叠体。需要说明的是，贴合在温度23℃、减压度1000Pa下施加30N的载荷来进行。
[比较例2－3]
在作为器件侧的基板的PI TEG 4×4cm的晶片(厚度：770μm，凸块直径：0.03mm，凸块高度：0.04mm，凸块间距：0.06×0.1mm)上利用旋涂涂布制备例1中得到的保护用粘接剂组合物1，由此在晶片上以层叠体中的保护用粘接层的厚度成为约65μm的方式形成了保护用粘接剂涂布层。
然后，在真空贴合装置X内，将具有该粘接层的晶片与作为载体侧的晶圆(支承体)的100mm的玻璃晶圆(厚度：770μm)以夹着粘接层的方式贴合，以将器件侧晶圆朝下的方式在加热板上在200℃下加热(后加热处理)10分钟，由此制作出层叠体。需要说明的是，贴合在温度23℃、减压度1000Pa下施加30N的载荷来进行。
[比较例2－4]
在作为器件侧的基板的PI TEG 4×4cm的晶片(厚度：770μm，凸块直径：0.03mm，凸块高度：0.04mm，凸块间距：0.06×0.1mm)上利用旋涂涂布制备例2中得到的剥离用粘接剂组合物1，在120℃下加热(前加热处理)1.5分钟，由此去除晶片上的残留溶剂，进一步在200℃下加热10分钟，由此在晶片上以层叠体中的剥离用粘接层的厚度成为约32.5μm的方式形成了剥离用粘接剂涂布层。
接着，在剥离用粘接剂涂布层上利用旋涂涂布制备例1中得到的保护用粘接剂组合物1，在剥离用粘接剂涂布层之上以层叠体中的保护用粘接层的厚度成为约32.5μm的方式形成了保护用粘接剂涂布层。
然后，在真空贴合装置X内，将具有剥离用粘接剂涂布层和保护用粘接剂涂布层的晶片与作为载体侧的晶圆(支承体)的100mm的玻璃晶圆(厚度：770μm)以夹着剥离用粘接剂涂布层和保护用粘接剂涂布层的方式贴合，以将器件侧晶圆朝下的方式在加热板上在200℃下加热(后加热处理)10分钟，由此制作出层叠体。需要说明的是，贴合在温度23℃、减压度1000Pa下施加30N的载荷来进行。
[3－2]高温处理的评价
使用加热板，对实施例2－1、实施例2－2、实施例2－3、实施例2－4、实施例2－5、实施例2－6、实施例2－7、实施例2－8、比较例2－1、比较例2－2、比较例2－3以及比较例2－4中得到的各层叠体实施了高温处理。对于各层叠体，在制作日当天(制作放置前)和从制作日起10天后(制作放置后)进行高温处理。高温处理按以下顺序进行。
将层叠体的玻璃晶圆(支承基板)以朝下的方式放置于设定为270℃的加热板上，加热5分钟。
使用光学显微镜隔着作为支承基板的玻璃晶圆观察作为处理后的各层叠体的半导体基板的硅晶圆的状况，通过目视确认凸块变形的有无。
一个层叠体中的凸块存在5044个，将变形的凸块的数量为0个以上且小于50个的情况设为○，将50个以上且小于100个的情况设为△，将100个以上的情况设为×。
将结果示于表1。表1中，括号内的数字表示各层的膜厚。
[表1]
如表1的结果所示，在实施例2－1～实施例2－8中得到的层叠体中具有良好的凸块保护性能，特别是，制作放置后也具有良好的凸块保护性能。
另一方面，在比较例2－1、比较例2－2以及比较例2－4的层叠体中，确认到在制作放置后许多凸块变形。
由实施例的结果可知，本发明的层叠体是能够将半导体基板与支承基板容易地剥离且能够抑制凸块变形的凸块保护性能优异的层叠体。
产业上的可利用性
根据本发明，能提供能够将半导体基板与支承基板容易地剥离且能够抑制凸块变形的层叠体，因此在加工后的半导体基板的制造中是有用的。
附图标记说明
1：晶圆；1a：凸块；2：保护用粘接层；2a：保护用粘接剂涂布层；3：剥离用粘接层；3a：剥离用粘接剂涂布层；4：支承基板；11：涂布装置；12：加热装置；13：涂布装置；14：加热装置。

Claims (6)

1.一种层叠体，具备：带凸块的半导体基板；支承基板；保护用粘接层，以与所述带凸块的半导体基板相接的方式形成；以及剥离用粘接层，在所述保护用粘接层与所述支承基板之间形成，
所述保护用粘接层由保护用粘接剂组合物形成，所述保护用粘接剂组合物包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分A，不含不发生固化反应的剥离剂成分B，
所述剥离用粘接层由剥离用粘接剂组合物形成，所述剥离用粘接剂组合物包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分A和不发生固化反应的剥离剂成分B。
2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，
所述保护用粘接层中所含有的所述成分A含有：具有与硅原子键合的碳原子数2～40的烯基的聚有机硅氧烷a1、具有Si－H基的聚有机硅氧烷a2以及铂族金属系催化剂A2，
所述剥离用粘接层中所含有的所述成分A含有：具有与硅原子键合的碳原子数2～40的烯基的聚有机硅氧烷a1、具有Si－H基的聚有机硅氧烷a2以及铂族金属系催化剂A2。
3.根据权利要求1或2所述的层叠体，其中，
所述剥离用粘接层中所含有的所述剥离剂成分B为任选地被改性的聚二甲基硅氧烷。
4.一种半导体基板的制造方法，包括以下工序：
对如权利要求1～3中任一项所述的层叠体中的所述半导体基板进行加工的工序；以及
通过使所述保护用粘接层与所述剥离用粘接层分离来使所述支承基板与加工后的所述半导体基板分离的工序。
5.根据权利要求4所述的半导体基板的制造方法，其中，
所述进行加工的工序包括对所述半导体基板的与存在所述凸块的面相反一侧的面进行研磨，使所述半导体基板变薄的处理。
6.一种层叠体的制造方法，其制造如权利要求1～3中任一项所述的层叠体，所述层叠体的制造方法包括：
保护用粘接剂涂布层形成工序，通过在所述半导体基板的存在所述凸块的面上涂布所述保护用粘接剂组合物而形成保护用粘接剂涂布层；
保护用粘接层形成工序，对所述保护用粘接剂涂布层进行加热而形成所述保护用粘接层；
剥离用粘接剂涂布层形成工序，通过在所述支承基板上涂布所述剥离用粘接剂组合物、或在所述保护用粘接层上涂布所述剥离用粘接剂组合物而形成剥离用粘接剂涂布层；以及
剥离用粘接层形成工序，在所述剥离用粘接剂涂布层与所述保护用粘接层相接、且所述剥离用粘接剂涂布层与所述支承基板相接的状态下，对所述剥离用粘接剂涂布层进行加热而形成所述剥离用粘接层。
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JP6583639B2 (ja) * 2014-06-10 2019-10-02 日産化学株式会社 仮接着剤を用いた積層体
JP6588404B2 (ja) * 2015-10-08 2019-10-09 信越化学工業株式会社 仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法
KR102538886B1 (ko) * 2017-05-24 2023-06-01 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 에폭시변성 폴리실록산을 함유하는 가접착제
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