WO2024128199A1 - 光照射剥離用の剥離剤組成物、及び光照射剥離用の接着剤組成物 - Google Patents

光照射剥離用の剥離剤組成物、及び光照射剥離用の接着剤組成物 Download PDF

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WO2024128199A1
WO2024128199A1 PCT/JP2023/044256 JP2023044256W WO2024128199A1 WO 2024128199 A1 WO2024128199 A1 WO 2024128199A1 JP 2023044256 W JP2023044256 W JP 2023044256W WO 2024128199 A1 WO2024128199 A1 WO 2024128199A1
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group
formula
layer
semiconductor substrate
release agent
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PCT/JP2023/044256
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Inventor
昌樹 柳井
徹也 新城
貴久 奥野
Original Assignee
日産化学株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a release agent composition for light irradiation peeling, an adhesive composition for light irradiation peeling, a laminate, and a method for producing a processed semiconductor substrate or electronic device layer.
  • Unthinned semiconductor wafers (here simply referred to as wafers) are adhered to a support in order to be polished with a polishing device.
  • the adhesion used in this process is called temporary adhesion, as it must be easily peeled off after polishing.
  • This temporary adhesion must be easily removed from the support, and applying a large force to remove it can cause the thinned semiconductor wafer to be cut or deformed, so it is easily removed to prevent this from happening.
  • the material is required to have high stress (strong adhesive strength) in the planar direction during polishing and low stress (weak adhesive strength) in the vertical direction during removal.
  • Methods using laser irradiation have been disclosed for such bonding and separation processes (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
  • Patent Documents 1 and 2 show that new techniques relating to peeling by irradiation with light such as a laser are constantly in demand.
  • the applicant has proposed a laminate for processing a workpiece having an intermediate layer releasably adhered between a support and the workpiece, the intermediate layer including at least a release layer in contact with the support side, the release layer including a novolac resin that absorbs and changes properties when light having a wavelength of 190 nm to 600 nm is irradiated through the support (see Patent Document 3).
  • the release agent layer is altered by light irradiation, making it easier to peel the semiconductor substrate from the support substrate. Since foreign matter such as an adhesive layer, a release agent layer, and their residues may adhere to the surface of the semiconductor substrate/support substrate after peeling, the semiconductor substrate and/or support substrate are cleaned. However, depending on the type of release agent layer, it may be difficult to remove the foreign matter on the semiconductor substrate and support substrate, making cleaning difficult.
  • the release agent layer is altered by light irradiation, making it easier to release the semiconductor substrate from the support substrate.
  • the adhesive layer by light irradiation to facilitate peeling of the semiconductor substrate from the support substrate.
  • foreign matter on the semiconductor substrate and the support substrate may be difficult to remove, making cleaning difficult.
  • the present invention has been made in consideration of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a release agent composition for light irradiation peeling that is capable of forming a release agent layer that has excellent releasability as well as excellent cleanability, and a method for producing a laminate using the release agent composition, and a processed semiconductor substrate or electronic device layer.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and has an object to provide an adhesive composition for peeling by light irradiation that is capable of forming an adhesive layer that has excellent releasability as well as excellent cleanability, as well as a method for producing a laminate using the adhesive composition, and a processed semiconductor substrate or electronic device layer.
  • the present invention includes the following.
  • C1 represents a group derived from an aromatic compound containing a nitrogen atom.
  • C2 represents a group containing a tertiary carbon atom or a quaternary carbon atom having at least one selected from the group consisting of a secondary carbon atom, a quaternary carbon atom, and an aromatic ring in a side chain, or represents a methylene group.
  • C3 represents a group derived from an aliphatic polycyclic compound.
  • C4 represents a group derived from phenol, a group derived from bisphenol, a group derived from naphthol, a group derived from biphenyl, or a group derived from biphenol.
  • C5 represents a single bond or a group having a structure derived from styrene.
  • at least one of C 1 , C 2 and C 5 has at least one of a hydroxy group directly bonded to the aromatic ring and a carboxy group directly bonded to the aromatic ring.
  • formula (C1-2) at least one of C 1 , C 3 and C 5 has at least one of a hydroxy group directly bonded to the aromatic ring and a carboxy group directly bonded to the aromatic ring.
  • At least one of C 2 , C 4 and C 5 has at least one of a hydroxy group directly bonded to the aromatic ring and a carboxy group directly bonded to the aromatic ring.
  • R 901 and R 902 represent substituents on the ring, and each independently represents a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amino group, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted alkenyl group, or an optionally substituted aryl group.
  • R 903 represents a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted alkenyl group, or an optionally substituted aryl group.
  • R 904 represents a hydrogen atom, an optionally substituted aryl group, or an optionally substituted heteroaryl group.
  • R 905 represents an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, or an optionally substituted heteroaryl group. The group of R 904 and the group of R 905 may be bonded to each other to form a divalent group.
  • Ar 901 and Ar 902 each independently represent an aromatic ring.
  • X1 and X2 each independently represent a hydroxy group or a carboxy group.
  • Z1 represents a single bond or a group having a structure derived from styrene.
  • h1 and h2 each independently represent an integer of 0 to 3.
  • k1 and k2 each independently represent an integer of 0 to 3.
  • the sum of h1 and k1 is less than or equal to 3.
  • the sum of h2 and k2 is less than or equal to 3.
  • n represents an integer of 1 or 2.
  • the structural unit represented by formula (C1-1-1) and the structural unit represented by formula (C1-1-2) each independently have at least one of a hydroxy group directly bonded to an aromatic ring and a carboxy group directly bonded to an aromatic ring.
  • R 801 represents a substituent substituted on the ring, and each independently represents a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amino group, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted alkenyl group, or an optionally substituted aryl group.
  • R 802 represents a hydrogen atom, an optionally substituted aryl group, or an optionally substituted heteroaryl group.
  • R 803 represents a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, or an optionally substituted heteroaryl group.
  • the group of R 802 and the group of R 803 may be bonded to each other to form a divalent group.
  • Ar 801 represents a benzene ring, a naphthalene ring, or a biphenyl structure.
  • X11 represents a hydroxy group or a carboxy group.
  • Z1 represents a single bond or a group having a structure derived from styrene. Each of h11 independently represents an integer of 0 to 4.
  • Each of k11 independently represents an integer of 0 to 4.
  • the structural unit represented by formula (C1-3-1) has at least one of a hydroxy group directly bonded to the aromatic ring and a carboxy group directly bonded to the aromatic ring.
  • [5] The release agent composition or adhesive composition according to any one of [1] to [4], wherein the siloxane skeleton-containing epoxy resin contains a structure represented by the following formula (A):
  • R 1 represents a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • R 2 represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms.
  • Y represents a single bond or -O-.
  • Ep represents a group represented by the following formula (A-1) or formula (A-2).
  • Y 101 represents a hydrogen atom, a hydroxy group, or a monovalent group having 1 to 30 carbon atoms (however, different from X 101 ).
  • l represents 0 or an integer of 1 or more.
  • m represents an integer of 1 or more.
  • n represents 0 or an integer of 1 or more.
  • R 201 to R 207 each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • X 201 and X 202 each independently represent a group represented by the following formula (EA).
  • Y 201 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a monovalent group having 1 to 30 carbon atoms.
  • l represents 0 or an integer of 1 or more.
  • m represents 0 or an integer of 1 or more.
  • R 301 to R 304 each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • X 301 to X 304 each independently represent a group represented by the following formula (EA).
  • m represents an integer of 1 to 3.
  • R2 represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms.
  • Y represents a single bond or -O-.
  • Ep represents a group represented by formula (A-1) or (A-2) below. * represents a bond.) (In formula (A-1) and formula (A-2), * represents a bond.)
  • [7] The release agent composition or adhesive composition according to any one of [1] to [6], wherein the content of the siloxane skeleton-containing epoxy resin is 5% by mass to 40% by mass relative to the novolac resin.
  • a method for producing a processed semiconductor substrate or electronic device layer comprising the steps of: A step 5A in which the semiconductor substrate of the laminate according to [8] is processed, or a step 5B in which the electronic device layer of the laminate according to [8] is processed; a 6A step in which the semiconductor substrate processed in the 5A step is separated from the support substrate, or a 6B step in which the electronic device layer processed in the 5B step is separated from the support substrate; 2.
  • a method for producing a processed semiconductor substrate or electronic device layer comprising: [11] The method for producing a processed semiconductor substrate or electronic device layer according to [10], wherein the step 6A or the step 6B includes a step of irradiating the laminate with a laser from the supporting substrate side. [12] A semiconductor substrate or an electronic device layer; A light-transmitting supporting substrate; an adhesive layer provided between the semiconductor substrate or the electronic device layer and the support substrate; The adhesive layer is an adhesive layer formed from the adhesive composition according to any one of [1] to [7].
  • a method for producing a processed semiconductor substrate or electronic device layer comprising the steps of: A step 5A in which the semiconductor substrate of the laminate according to [12] is processed, or a step 5B in which the electronic device layer of the laminate according to [12] is processed; a 6A step in which the semiconductor substrate processed in the 5A step is separated from the support substrate, or a 6B step in which the electronic device layer processed in the 5B step is separated from the support substrate; 2.
  • a method for producing a processed semiconductor substrate or electronic device layer comprising: [14] The method for producing a processed semiconductor substrate or electronic device layer according to claim 13, wherein step 6A or step 6B includes a step of irradiating the laminate with a laser from the support substrate side.
  • a release agent composition for light irradiation peeling that is capable of forming a release agent layer that has excellent releasability as well as excellent cleanability, as well as a method for producing a laminate using the release agent composition, and a processed semiconductor substrate or electronic device layer.
  • an adhesive composition for peeling by light irradiation that is capable of forming an adhesive layer that has excellent peelability as well as excellent cleanability, as well as a method for producing a laminate using the adhesive composition, and a processed semiconductor substrate or electronic device layer.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of a laminate in the first embodiment A.
  • FIG. 2A is a schematic cross-sectional view (part 1) illustrating a method for producing a laminate showing one example of the first embodiment A.
  • FIG. 2B is a schematic cross-sectional view (part 2) illustrating a method for producing a laminate showing one example of the first embodiment A.
  • FIG. 2C is a schematic cross-sectional view (part 3) illustrating a method for producing a laminate showing one example of the first embodiment A.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an example of the laminate in the second embodiment A.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of another example of the laminate in the second embodiment A.
  • FIG. 5A is a schematic cross-sectional view (part 1) illustrating a method for producing a laminate showing one example of the second embodiment A.
  • FIG. 5B is a schematic cross-sectional view (part 2) illustrating a method for producing a laminate showing one example of the second embodiment A.
  • FIG. 5C is a schematic cross-sectional view (part 3) illustrating a method for producing a laminate showing one example of the second embodiment A.
  • FIG. 5D is a schematic cross-sectional view (part 4) illustrating a method for producing a laminate showing one example of the second embodiment A.
  • FIG. 6A is a schematic cross-sectional view (part 1) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the first embodiment A.
  • FIG. 6A is a schematic cross-sectional view (part 1) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the first embodiment A.
  • FIG. 6B is a schematic cross-sectional view (part 2) illustrating a method for processing the laminate showing one example of the first embodiment A.
  • FIG. 6C is a schematic cross-sectional view (part 3) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the first embodiment A.
  • FIG. 6D is a schematic cross-sectional view (part 4) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the first embodiment A.
  • FIG. 7A is a schematic cross-sectional view (part 1) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the second embodiment A.
  • FIG. 7B is a schematic cross-sectional view (part 2) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the second embodiment A.
  • FIG. 7C is a schematic cross-sectional view (part 3) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the second embodiment A.
  • FIG. 7D is a schematic cross-sectional view (part 4) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the second embodiment A.
  • FIG. 7E is a schematic cross-sectional view (part 5) illustrating a method for processing a laminate showing an example of the second embodiment A.
  • FIG. 7F is a schematic cross-sectional view (part 6) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the second embodiment A.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of an example of a laminate in the first embodiment B.
  • FIG. 9A is a schematic cross-sectional view (part 1) for explaining a method for producing a laminate showing one example of the first embodiment B.
  • FIG. 9B is a schematic cross-sectional view (part 2) for explaining a method for producing a laminate showing one example of the first embodiment B.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of an example of a laminate in the second embodiment B.
  • FIG. 11A is a schematic cross-sectional view (part 1) for explaining a method for producing a laminate showing one example of the second embodiment B.
  • FIG. 11B is a schematic cross-sectional view (part 2) for explaining a method for producing a laminate showing one example of the second embodiment B.
  • FIG. 11C is a schematic cross-sectional view (part 3) illustrating a method for producing a laminate showing one example of the second embodiment B.
  • FIG. 12A is a schematic cross-sectional view (part 1) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the first embodiment B.
  • FIG. 12B is a schematic cross-sectional view (part 2) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the first embodiment B.
  • FIG. 12C is a schematic cross-sectional view (part 3) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the first embodiment B.
  • FIG. 12D is a schematic cross-sectional view (part 4) illustrating a method for processing a laminate showing an example of the first embodiment B.
  • FIG. 12A is a schematic cross-sectional view (part 1) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the first embodiment B.
  • FIG. 12B is a schematic cross-sectional view (part 2) illustrating a method for processing a laminate showing one example
  • FIG. 13A is a schematic cross-sectional view (part 1) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the second embodiment B.
  • FIG. 13B is a schematic cross-sectional view (part 2) illustrating a method for processing a laminate showing one example of the second embodiment B.
  • FIG. 13C is a schematic cross-sectional view (part 3) illustrating a method for processing a laminate showing an example of the second embodiment B.
  • FIG. 13D is a schematic cross-sectional view (part 4) illustrating a method for processing a laminate showing an example of the second embodiment B.
  • FIG. 13E is a schematic cross-sectional view (part 5) illustrating a method for processing a laminate showing an example of the second embodiment B.
  • FIG. 13F is a schematic cross-sectional view (part 6) illustrating a method for processing a laminate showing an example of the second embodiment B.
  • the stripping composition for stripping by light irradiation of the present invention contains a novolac resin, a siloxane skeleton-containing epoxy resin, and a solvent.
  • the adhesive composition for peeling off by light irradiation of the present invention (hereinafter, may be referred to as "adhesive composition”) contains a novolac resin, a siloxane skeleton-containing epoxy resin, and a solvent. Each component of the release agent composition and the adhesive composition will be described below.
  • Novolac resins have at least one of a hydroxy group directly bonded to an aromatic ring and a carboxy group directly bonded to an aromatic ring.
  • Novolac resins are resins obtained by, for example, condensation reaction of at least one of a phenolic compound, a carbazole compound, and an aromatic amine compound with at least one of an aldehyde compound, a ketone compound, and a divinyl compound, and optionally with a styrene compound, in the presence of an acid catalyst.
  • phenolic compounds include phenols, naphthols, anthrols, and hydroxypyrenes.
  • examples of the phenols include phenol, cresol, xylenol, resorcinol, bisphenol A, p-tert-butylphenol, p-octylphenol, 9,9-bis(4-hydroxyphenyl)fluorene, and 1,1,2,2-tetrakis(4-hydroxyphenyl)ethane.
  • Examples of the naphthols include 1-naphthol, 2-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 2,7-dihydroxynaphthalene, and 9,9-bis(6-hydroxynaphthyl)fluorene.
  • Examples of the anthrols include 9-anthrol.
  • Examples of the hydroxypyrenes include 1-hydroxypyrene and 2-hydroxypyrene.
  • carbazole compound examples include carbazole, 1,3,6,8-tetranitrocarbazole, 3,6-diaminocarbazole, 3,6-dibromo-9-ethylcarbazole, 3,6-dibromo-9-phenylcarbazole, 3,6-dibromocarbazole, 3,6-dichlorocarbazole, 3-amino-9-ethylcarbazole, 3-bromo-9-ethylcarbazole, 4,4'bis(9H-carbazol-9-yl)biphenyl, 4-glycidylcarbazole, 4-hydroxycarbazole, 9-(1H-benzotriazol-1-yl)phenyl, 4-methyl-1H-phenylcarbazole ...
  • aromatic amine compound examples include diphenylamine and N-phenyl-1-naphthylamine. These may be used alone or in combination of two or more. These may have a substituent, for example, a substituent on the aromatic ring.
  • aldehyde compounds include saturated aliphatic aldehydes, unsaturated aliphatic aldehydes, heterocyclic aldehydes, aromatic aldehydes, etc.
  • saturated aliphatic aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, propylaldehyde, butylaldehyde, isobutyraldehyde, valeraldehyde, capronaldehyde, 2-methylbutyraldehyde, hexylaldehyde, undecanealdehyde, 7-methoxy-3,7-dimethyloctylaldehyde, cyclohexanealdehyde, 3-methyl-2-butylaldehyde, 2-ethylhexylaldehyde, glyoxal, malonaldehyde, succinaldehyde, glutaraldehyde,
  • Examples of the unsaturated aliphatic aldehydes include acrolein, methacrolein, etc.
  • Examples of heterocyclic aldehydes include furfural, pyridine aldehyde, etc.
  • Examples of aromatic aldehydes include benzaldehyde, naphthyl aldehyde, anthryl aldehyde, phenanthryl aldehyde, salicyl aldehyde, phenylacetaldehyde, 3-phenylpropionaldehyde, tolyl aldehyde, (N,N-dimethylamino)benzaldehyde, acetoxybenzaldehyde, etc.
  • saturated aliphatic aldehydes and aromatic aldehydes are preferred.
  • the ketone compound include diaryl ketone compounds, such as diphenyl ketone, phenyl naphthyl ketone, dinaphthyl ketone, phenyl tolyl ketone, and ditolyl ketone.
  • the divinyl compound include divinylbenzene, dicyclopentadiene, tetrahydroindene, 4-vinylcyclohexene, 5-vinylnorborna-2-ene, divinylpyrene, limonene, and 5-vinylnorbornadiene. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the styrene compound is not particularly limited as long as it is a compound having a styrene structure, and examples thereof include styrene, ⁇ -methylstyrene, hydroxystyrene (vinylphenol), carboxystyrene (vinylbenzoic acid), alkylstyrene, and tertiary-butoxystyrene. These may be used alone or in combination of two or more.
  • Novolac resin is, for example, a novolac resin that absorbs light and changes in quality.
  • the change is, for example, photodecomposition.
  • the novolac resin contains, for example, at least one of a structural unit represented by the following formula (C1-1), a structural unit represented by the following formula (C1-2), and a structural unit represented by the following formula (C1-3).
  • the novolac resin may contain at least one structural unit selected from the structural units represented by the following formula (C1-1), the structural units represented by the following formula (1-2), and the structural units represented by the following formula (C1-3).
  • C1 represents a group derived from an aromatic compound containing a nitrogen atom.
  • C2 represents a group containing a tertiary carbon atom or a quaternary carbon atom having at least one selected from the group consisting of a secondary carbon atom, a quaternary carbon atom, and an aromatic ring in a side chain, or represents a methylene group.
  • C3 represents a group derived from an aliphatic polycyclic compound.
  • C4 represents a group derived from phenol, a group derived from bisphenol, a group derived from naphthol, a group derived from biphenyl, or a group derived from biphenol.
  • C5 represents a single bond or a group having a structure derived from styrene.
  • at least one of C 1 , C 2 and C 5 has at least one of a hydroxy group directly bonded to the aromatic ring and a carboxy group directly bonded to the aromatic ring.
  • at least one of C 1 , C 3 and C 5 has at least one of a hydroxy group directly bonded to the aromatic ring and a carboxy group directly bonded to the aromatic ring.
  • at least one of C 2 , C 4 and C 5 has at least one of a hydroxy group directly bonded to the aromatic ring and a carboxy group directly bonded to the aromatic ring.
  • the novolac resin contains, for example, one or more of the following structural units: A structural unit having a bond between a group derived from an aromatic compound containing a nitrogen atom, and a group containing a tertiary or quaternary carbon atom or a methylene group having at least one member selected from the group consisting of a secondary carbon atom, a quaternary carbon atom, and an aromatic ring in a side chain, and optionally a group having a structure derived from styrene (formula (C1-1)).
  • a structural unit having a bond between a group derived from an aromatic compound containing a nitrogen atom, and a group containing a tertiary or quaternary carbon atom or a methylene group having at least one member selected from the group consisting of a secondary carbon atom, a quaternary carbon atom, and an aromatic ring in a side chain and optionally a group having a structure derived from styren
  • the group derived from an aromatic compound containing a C1 nitrogen atom can be, for example, a group derived from carbazole, a group derived from N-phenyl-1-naphthylamine, a group derived from N-phenyl-2-naphthylamine, a group derived from N,N'-diphenyl-1,4-phenylenediamine, etc., but is not limited thereto.
  • the group containing a tertiary or quaternary carbon atom or a methylene group having at least one selected from the group consisting of a secondary carbon atom, a quaternary carbon atom, and an aromatic ring in a side chain of C2 can be, for example, a group derived from 1-naphthaldehyde, a group derived from 1-pyrenecarboxaldehyde, a group derived from 4-(trifluoromethyl)benzaldehyde, a group derived from 2-ethylhexylaldehyde, a group derived from acetaldehyde, or the like, but is not limited thereto.
  • the group derived from a C3 aliphatic polycyclic compound can be, but is not limited to, a group derived from dicyclopentadiene.
  • C4 is a group derived from phenol, a group derived from bisphenol, a group derived from naphthol, a group derived from biphenyl, or a group derived from biphenol.
  • C5 is a single bond or a group having a structure derived from styrene.
  • C5 When C5 is a group having a structure derived from styrene, C5 may have at least one of a hydroxy group directly bonded to the aromatic ring and a carboxy group directly bonded to the aromatic ring.
  • the novolac resin contains, as the structural unit represented by formula (C1-1), for example, a structural unit represented by the following formula (C1-1-1):
  • R 901 and R 902 represent substituents on the ring, and each independently represents a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amino group, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted alkenyl group, or an optionally substituted aryl group.
  • R 903 represents a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted alkenyl group, or an optionally substituted aryl group.
  • R 904 represents a hydrogen atom, an optionally substituted aryl group, or an optionally substituted heteroaryl group.
  • R 905 represents an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, or an optionally substituted heteroaryl group.
  • the group of R 904 and the group of R 905 may be bonded to each other to form a divalent group.
  • Substituents for the alkyl and alkenyl groups include halogen atoms, nitro groups, cyano groups, amino groups, hydroxy groups, carboxy groups, aryl groups, and heteroaryl groups.
  • Substituents for the aryl group and heteroaryl group include a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amino group, a hydroxy group, a carboxy group, an alkyl group, and an alkenyl group.
  • X1 and X2 each independently represent a hydroxy group or a carboxy group.
  • Z1 represents a single bond or a group having a structure derived from styrene.
  • h1 and h2 each independently represent an integer of 0 to 3.
  • k1 and k2 each independently represent an integer of 0 to 3.
  • the sum of h1 and k1 is less than or equal to 3.
  • the sum of h2 and k2 is less than or equal to 3.
  • the structural unit represented by formula (C1-1-1) has at least one of a hydroxy group directly bonded to an aromatic ring and a carboxy group directly bonded to an aromatic ring.
  • k 1 and k 2 when at least one of R 904 , R 905 and Z 1 has a hydroxy group or a carboxy group, k 1 and k 2 may be 0.
  • k 1 and k 2 when at least one of R 904 and R 905 is an aryl group having a hydroxy group or a carboxy group, or when Z 1 has at least one of a hydroxy group directly bonded to the aromatic ring and a carboxy group directly bonded to the aromatic ring, k 1 and k 2 may be 0.
  • R 904 and R 905 is an aryl group having a hydroxy group or a carboxy group, or Z 1 has at least one of a hydroxy group directly bonded to the aromatic ring and a carboxy group directly bonded to the aromatic ring.
  • the number of carbon atoms in the optionally substituted alkyl group and the optionally substituted alkenyl group is usually 40 or less, and from the viewpoint of solubility, preferably 30 or less, and more preferably 20 or less.
  • the number of carbon atoms in an optionally substituted aryl group and heteroaryl group is usually 40 or less, and from the viewpoint of solubility, preferably 30 or less, more preferably 20 or less.
  • halogen atoms include fluorine atoms, chlorine atoms, bromine atoms, and iodine atoms.
  • examples of the substituent of the optionally substituted alkyl group include a halogen atom, an alkoxy group, a halogenated alkoxy group and the like.
  • examples of the substituent of the optionally substituted alkenyl group include a halogen atom, an alkoxy group, a halogenated alkoxy group and the like.
  • examples of the substituent of the optionally substituted aryl group include a halogen atom, a hydroxy group, a carboxy group, a cyano group, an alkyl group, a halogenated alkyl group, an alkoxy group, and a halogenated alkoxy group.
  • examples of the substituent of the optionally substituted heteroaryl group include a halogen atom, a hydroxy group, a carboxy group, a cyano group, an alkyl group, a halogenated alkyl group, an alkoxy group, and a halogenated alkoxy group.
  • alkyl groups which may be substituted include methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, i-butyl, s-butyl, t-butyl, n-pentyl, 1-methyl-n-butyl, 2-methyl-n-butyl, 3-methyl-n-butyl, 1,1-dimethyl-n-propyl, 1,2-dimethyl-n-propyl, 2,2-dimethyl-n-propyl, 1-ethyl-n-propyl, n-hexyl, 1-methyl-n-pentyl, 2-methyl-n-pentyl, 3-methyl-n-pentyl, 4-methyl-n-pentyl, 5-methyl-n-pentyl, 6-methyl-n-pentyl, 7-methyl-n-pentyl, 8-methyl-n-pentyl, 9-methyl-n-pentyl, 10-methyl-n-penty
  • alkenyl groups which may be substituted include ethenyl, 1-propenyl, 2-propenyl, 1-methyl-1-ethenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 2-methyl-1-propenyl, 2-methyl-2-propenyl, 1-ethylethenyl, 1-methyl-1-propenyl, 1-methyl-2-propenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 4-pentenyl, and 1-n-propyl.
  • ethenyl group 1-methyl-1-butenyl group, 1-methyl-2-butenyl group, 1-methyl-3-butenyl group, 2-ethyl-2-propenyl group, 2-methyl-1-butenyl group, 2-methyl-2-butenyl group, 2-methyl-3-butenyl group, 3-methyl-1-butenyl group, 3-methyl-2-butenyl group, 3-methyl-3-butenyl group, 1,1-dimethyl-2-propenyl group, 1-i-propylethenyl group, 1,2-dimethyl-1-propenyl group, 1,2-dimethyl a 2-methyl-2-propenyl group, a 1-cyclopentenyl group, a 2-cyclopentenyl group, a 3-cyclopentenyl group, a 1-hexenyl group, a 2-hexenyl group, a 3-hexenyl group, a 4-hexenyl group, a 5-hexenyl group, a 1-methyl-1-penteny
  • aryl groups that may be substituted include, but are not limited to, phenyl, 2-methylphenyl, 3-methylphenyl, 4-methylphenyl, 2-chlorophenyl, 3-chlorophenyl, 4-chlorophenyl, 2-fluorophenyl, 3-fluorophenyl, 4-fluorophenyl, 4-methoxyphenyl, 4-ethoxyphenyl, 4-nitrophenyl, 4-cyanophenyl, 2-hydroxyphenyl, 3-hydroxyphenyl, 4-hydroxyphenyl, 2-carboxyphenyl, 3-carboxyphenyl, 4-carboxyphenyl, 4-amyloxyphenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, biphenyl-4-yl, biphenyl-3-yl, biphenyl-2-yl, 1-anthryl, 2-anthryl, 9-anthryl, 1-phenanthryl, 2-phenanthryl, 3-phenanthryl, 4-phenanthryl, 4-
  • optionally substituted heteroaryl groups include, but are not limited to, 2-thienyl, 3-thienyl, 2-furanyl, 3-furanyl, 2-oxazolyl, 4-oxazolyl, 5-oxazolyl, 3-isoxazolyl, 4-isoxazolyl, 5-isoxazolyl, 2-thiazolyl, 4-thiazolyl, 5-thiazolyl, 3-isothiazolyl, 4-isothiazolyl, and 5-isothiazolyl groups.
  • Z1 examples include groups represented by the following formula (Z).
  • R 910 represents a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amino group, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted alkenyl group or an optionally substituted aryl group.
  • R 911 represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • X10 represents a hydroxy group or a carboxy group.
  • h10 and k10 each independently represent an integer of 0 to 3. The sum of h10 and k10 is 5 or less. * represents a bond.
  • R 910 include the specific examples given in the description of R 901 and R 902 .
  • the novolac resin contains, as the structural unit represented by formula (C1-1), for example, a structural unit represented by the following formula (C1-1-2).
  • Ar 901 and Ar 902 each independently represent an aromatic ring, and R 901 to R 905 , X 1 and X 2 , Z 1 , h 1 and h 2 , and k 1 and k 2 have the same meanings as above.
  • the sum of h1 and k1 is less than or equal to 3.
  • the sum of h2 and k2 is less than or equal to 3.
  • n represents an integer of 1 or 2.
  • the structural unit represented by formula (C1-1-2) has at least one of a hydroxy group directly bonded to the aromatic ring and a carboxy group directly bonded to the aromatic ring.
  • the aromatic ring include a benzene ring and a naphthalene ring.
  • k 1 and k 2 when at least one of R 904 , R 905 and Z 1 has a hydroxy group or a carboxy group, k 1 and k 2 may be 0.
  • k 1 and k 2 when at least one of R 904 and R 905 is an aryl group having a hydroxy group or a carboxy group, or when Z 1 has at least one of a hydroxy group directly bonded to the aromatic ring and a carboxy group directly bonded to the aromatic ring, k 1 and k 2 may be 0.
  • R 904 and R 905 is an aryl group having a hydroxy group or a carboxy group, or Z 1 has at least one of a hydroxy group directly bonded to the aromatic ring and a carboxy group directly bonded to the aromatic ring.
  • the novolac resin contains, as the structural unit represented by formula (C1-2), for example, a structural unit represented by the following formula (C1-2-1) or (1-2-2).
  • R 906 to R 909 are substituents bonded to the ring, and each independently represents a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amino group, a hydroxy group, a carboxy group, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted alkenyl group, or an optionally substituted aryl group.
  • Specific examples and suitable numbers of carbon atoms of the halogen atom, the optionally substituted alkyl group, the optionally substituted alkenyl group, and the optionally substituted aryl group are the same as those described above, and h 3 to h 6 each independently represent an integer of 0 to 3.
  • R 901 to R 905 , X 1 and X 2 , Z 1 , h 1 and h 2 , and k 1 and k 2 have the same meanings as defined above.
  • the sum of h1 and k1 is less than or equal to 3.
  • the sum of h2 and k2 is less than or equal to 3.
  • the structural unit represented by formula (C1-2-1) and the structural unit represented by formula (C1-2-2) each independently have at least one of a hydroxy group directly bonded to an aromatic ring and a carboxy group directly bonded to an aromatic ring.
  • the novolak resin contains, as the structural unit represented by formula (C1-3), for example, a structural unit represented by the following formula (C1-3-1).
  • R 801 represents a substituent on the ring, and each independently represents a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amino group, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted alkenyl group, or an optionally substituted aryl group.
  • R 802 represents a hydrogen atom, an optionally substituted aryl group, or an optionally substituted heteroaryl group.
  • R 803 represents a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, or an optionally substituted heteroaryl group.
  • the group of R 802 and the group of R 803 may be bonded to each other to form a divalent group.
  • Substituents for the aryl group and heteroaryl group include a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amino group, a hydroxy group, a carboxy group, an alkyl group, and an alkenyl group.
  • Ar 801 represents a benzene ring, a naphthalene ring, or a biphenyl structure.
  • X11 represents a hydroxy group or a carboxy group.
  • Z1 represents a single bond or a group having a structure derived from styrene.
  • Each of h11 independently represents an integer of 0 to 4.
  • Each of k11 independently represents an integer of 0 to 4.
  • Ar 801 is a benzene ring, the sum of h 11 and k 11 is 4 or less; when Ar 801 is a naphthalene ring, the sum of h 11 and k 11 is 6 or less; and when Ar 801 is a biphenyl structure, the sum of h 11 and k 11 is 8 or less.
  • the structural unit represented by formula (C1-3-1) has at least one of a hydroxy group directly bonded to an aromatic ring and a carboxy group directly bonded to an aromatic ring.
  • k 11 when at least one of R 802 , R 803 and Z 1 has a hydroxy group or a carboxy group, k 11 may be 0.
  • R 802 and R 803 when at least one of R 802 and R 803 is an aryl group having a hydroxy group or a carboxy group, or when Z 1 has at least one of a hydroxy group directly bonded to the aromatic ring and a carboxy group directly bonded to the aromatic ring, k 11 may be 0.
  • R 802 and R 803 when k 11 is 0, at least one of R 802 and R 803 is an aryl group having a hydroxy group or a carboxy group, or a heteroaryl group having a hydroxy group or a carboxy group.
  • the novolac resin is a resin obtained by, for example, a condensation reaction of at least one of a phenolic compound, a carbazole compound, and an aromatic amine compound with at least one of an aldehyde compound, a ketone compound, and a divinyl compound, and optionally a styrene compound, in the presence of an acid catalyst.
  • the aldehyde compound or ketone compound is usually used in a ratio of 0.1 to 10 equivalents per equivalent of the benzene ring constituting the ring of the carbazole compound.
  • the styrene compound as a reaction raw material may have a protecting group.
  • An example of a styrene compound having a protecting group is tertiary-butoxystyrene.
  • an acid catalyst is usually used.
  • the acid catalyst include mineral acids such as sulfuric acid, phosphoric acid, and perchloric acid; organic sulfonic acids such as p-toluenesulfonic acid and p-toluenesulfonic acid monohydrate; and carboxylic acids such as formic acid and oxalic acid, but are not limited to these.
  • the amount of the acid catalyst cannot be generally defined since it is appropriately determined depending on the type of acid used, but it is usually appropriately determined within the range of 0.001 to 10,000 parts by mass per 100 parts by mass of the carbazole compound.
  • the above condensation reaction can be carried out without using a solvent when either the starting compounds or the acid catalyst used are liquid, but is usually carried out using a solvent.
  • a solvent is not particularly limited as long as it does not inhibit the reaction, but typical examples include ether compounds, ether ester compounds, and the like.
  • the ether compound include cyclic ether compounds such as tetrahydrofuran and dioxane.
  • ether ester compound examples include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, and propylene glycol monopropyl ether propionate.
  • PMEA propylene glycol monomethyl ether acetate
  • PMEA propylene glycol monoethyl ether acetate
  • propylene glycol monopropyl ether acetate propylene glycol monomethyl ether propionate
  • propylene glycol monoethyl ether propionate propylene glycol monopropyl ether propionate
  • the reaction temperature is usually set appropriately within the range of 40°C to 200°C, and the reaction time cannot be generally determined as it varies depending on the reaction temperature, but is usually set appropriately within the range of 30 minutes to 50 hours.
  • novolak resin is used for the preparation of a release agent composition and an adhesive composition.
  • a person skilled in the art can determine the production conditions for the novolak resin based on the above explanation and common technical knowledge without excessive burden, and can therefore produce the novolak resin.
  • the weight average molecular weight of the novolak resin is usually 500 to 200,000. From the viewpoint of ensuring solubility in a solvent, etc., it is preferably 100,000 or less, more preferably 50,000 or less, even more preferably 10,000 or less, still more preferably 5,000 or less, and even more preferably 3,000 or less. From the viewpoint of improving the strength of the film, etc., it is preferably 600 or more, more preferably 700 or more, even more preferably 800 or more, even more preferably 900 or more, and even more preferably 1,000 or more.
  • the weight average molecular weight, number average molecular weight and dispersity of the novolak resin can be measured, for example, using a GPC apparatus (EcoSEC, HLC-8320GPC, manufactured by Tosoh Corporation) and a GPC column (TSKgel SuperMultiporeHZ-N, TSKgel SuperMultiporeHZ-H, manufactured by Tosoh Corporation), at a column temperature of 40° C., using tetrahydrofuran as an eluent (elution solvent), at a flow rate (flow velocity) of 0.35 mL/min, and using polystyrene (manufactured by Sigma-Aldrich Co.) as a standard sample.
  • GPC apparatus EuSEC, HLC-8320GPC, manufactured by Tosoh Corporation
  • GPC column TSKgel SuperMultiporeHZ-N, TSKgel SuperMultiporeHZ-H, manufactured by Tosoh Corporation
  • flow rate flow velocity
  • the content of the novolac resin in the stripping composition is not particularly limited, but is preferably 50% by mass to 100% by mass, more preferably 60% by mass to 99% by mass, and particularly preferably 70% by mass to 95% by mass, based on the film-constituting components of the stripping composition.
  • the content of the novolac resin in the adhesive composition is not particularly limited, but is preferably 50% by mass to 100% by mass, more preferably 60% by mass to 99% by mass, and particularly preferably 70% by mass to 95% by mass, based on the film-constituting components of the adhesive composition.
  • the film constituent components refer to components other than the solvent contained in the composition.
  • the siloxane skeleton-containing epoxy resin has a siloxane bond and an epoxy group.
  • the siloxane skeleton-containing epoxy resin has, for example, two or more silicon atoms, and preferably has four or more silicon atoms.
  • the siloxane skeleton-containing epoxy resin may be linear or cyclic.
  • the siloxane skeleton-containing epoxy resin preferably contains a structure represented by the following formula (A).
  • R 1 represents a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • R 2 represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms.
  • Y represents a single bond or -O-.
  • Ep represents a group represented by the following formula (A-1) or formula (A-2). * represents a bond.)
  • * represents a bond.
  • alkyl group in the "substituted or unsubstituted alkyl group” of R 1 in formula (A) is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
  • alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, a sec-pentyl group, a tert-pentyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclopentylmethyl group, a 2-cyclohexylmethyl group, a 2-cyclopentylethyl group, and a 2-cyclohexylethyl group.
  • alkenyl group in the "substituted or unsubstituted alkenyl group” of R 1 in formula (A) is preferably an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms.
  • alkenyl group include a vinyl group, a 1-propenyl group, a 2-propenyl group, a 2-methyl-1-propenyl group, a 1-butenyl group, a 2-butenyl group, a 3-butenyl group, a 3-methyl-2-butenyl group, a 1-pentenyl group, a 2-pentenyl group, a 3-pentenyl group, a 4-pentenyl group, a 4-methyl-3-pentenyl group, a 1-hexenyl group, a 3-hexenyl group, a 5-hexenyl group, and a 2-cyclohexenyl group.
  • the substituent of the alkyl group in the "substituted or unsubstituted alkyl group" of R 1 in formula (A) and the substituent of the alkenyl group in the "substituted or unsubstituted alkenyl group” are not particularly limited, and examples thereof include a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl-oxy group, an alkyl-carbonyl group, an alkyl-oxy-carbonyl group, an alkyl-carbonyl-oxy group, an alkenyl-oxy group, an alkenyl-carbonyl group, an alkenyl-oxy-carbonyl group, an alkenyl-carbonyl-oxy group, an alkenyl-carbonyl-oxy group, an aryl group, an aryl-oxy group, an aryl-carbonyl group, an aryl-oxy-carbonyl group, an aryl-carbonyl-oxy group, and the like, or
  • the "aryl group” in the "substituted or unsubstituted aryl group” of R 1 in formula (A) is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms.
  • Examples of the "aryl group” include a phenyl group, a 1-naphthyl group, and a 2-naphthyl group.
  • the substituent of the aryl group in the "substituted or unsubstituted aryl group" of R 1 is not particularly limited, but examples thereof include a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group, an alkyl-oxy group, an alkyl-carbonyl group, an alkyl-oxy-carbonyl group, an alkyl-carbonyl-oxy group, an alkenyl group, an alkenyl-oxy group, an alkenyl-carbonyl group, an alkenyl-oxy-carbonyl group, an alkenyl-carbonyl-oxy group, an aryl group, an aryl-alkyl group, an aryl-alkenyl group, an aryl-oxy group, an aryl-carbonyl group, an aryl-oxy-carbonyl group, an aryl-carbonyl-oxy group, and the like, or a combination thereof.
  • the number of the substituents is preferably
  • halogen atom includes, for example, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and the like.
  • R 1 in formula (A) is preferably a substituted or unsubstituted alkyl group, more preferably an (unsubstituted) alkyl group, further more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or an isopropyl group, and particularly preferably a methyl group.
  • the siloxane skeleton-containing epoxy resin is preferably represented by any one of the following formulas (SE1) to (SE3), for example.
  • the repeating units may be arranged randomly.
  • R 101 to R 110 each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • X 101 represents a group represented by formula (EA) below.
  • Y 101 represents a hydrogen atom, a hydroxy group, or a monovalent group having 1 to 30 carbon atoms (however, different from X 101 ).
  • l represents 0 or an integer of 1 or more.
  • m represents an integer of 1 or more.
  • n represents 0 or an integer of 1 or more.
  • R 201 to R 207 each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • X 201 and X 202 each independently represent a group represented by the following formula (EA).
  • Y 201 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a monovalent group having 1 to 30 carbon atoms.
  • l represents 0 or an integer of 1 or more.
  • m represents 0 or an integer of 1 or more.
  • R 301 to R 304 each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • X 301 to X 304 each independently represent a group represented by the following formula (EA).
  • m represents an integer of 1 to 3.
  • R2 represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms.
  • Y represents a single bond or -O-.
  • Ep represents a group represented by formula (A-1) or (A-2) below. * represents a bond.) (In formula (A-1) and formula (A-2), * represents a bond.)
  • substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted alkenyl group, and substituted or unsubstituted aryl group of R 101 to R 110 in formula (SE1), R 201 to R 207 in formula (SE2), and R 301 to R 304 in formula (SE3) include the specific and suitable examples in the description of R 1 in formula (A).
  • examples of the monovalent group having 1 to 30 carbon atoms for Y 101 and Y 201 include monovalent groups represented by any one of the following (i) to (iv).
  • a hydrocarbon group having 7 to 30 carbon atoms a monovalent hydrocarbon group having 2 to 30 carbon atoms, which is constituted by at least one of an ether bond, a thioether bond, an amide bond, a urethane bond, and an ester bond being inserted between the carbon-carbon bonds of the hydrocarbon group;
  • a monovalent hydrocarbon group having 2 to 30 carbon atoms which is constituted by at least one of an ether bond, a thioether bond, an amide bond, a
  • siloxane skeleton-containing epoxy resin examples include as follows.
  • Epoxy resins containing a chain siloxane skeleton such as 1,3,5-tris(2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl)-1,1,3,5,5-pentamethyltrisiloxane;
  • Epoxy resins containing a cyclic siloxane skeleton such as 2,4,6,8-tetrakis(4-(3,4-epoxycyclopentyl)butyl)-2,4,6,8-tetramethylcyclotetrasiloxane, 2,4,6,8-tetrakis(3-(3,4-epoxycyclopentyl)propyl)-2,4,6,8-tetramethylcyclotetrasiloxane, 2,4,6,8-tetrakis(2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl)-2,4,6,8-tetramethylcyclotetrasiloxane,
  • the molecular weight of the siloxane skeleton-containing epoxy resin is not particularly limited, but the upper limit is preferably 15,000 or less, more preferably 10,000 or less, even more preferably 8,000 or less, and particularly preferably 5,000 or less.
  • the lower limit can be, for example, 200 or more, 400 or more, 600 or more, etc.
  • the epoxy equivalent of the siloxane skeleton-containing epoxy resin is not particularly limited, but the upper limit is preferably 1,000 g/eq. or less, more preferably 500 g/eq. or less, even more preferably 300 g/eq. or less, and particularly preferably 250 g/eq. or less.
  • the lower limit is preferably 50 g/eq. or more, more preferably 100 g/eq. or more, even more preferably 130 g/eq. or more, and particularly preferably 150 g/eq. or more.
  • the siloxane skeleton-containing epoxy resin may be a commercially available product.
  • commercially available products include "KF-105", “KF-1005”, and “KR-470” (main component: 2,4,6,8-tetrakis(2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl)-2,4,6,8-tetramethylcyclotetrasiloxane) and "X-40-2667” (main component: 1,3,5-tris(2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl)-1,1,3,5,5-pentamethyltrisiloxane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and "EP-3400L” manufactured by ADEKA Corporation.
  • the viscosity (25°C) of the siloxane skeleton-containing epoxy resin is not particularly limited, but is preferably 100 mPa ⁇ s to 10,000 mPa ⁇ s, and more preferably 1,000 mPa ⁇ s to 5,000 mPa ⁇ s.
  • the content of the siloxane skeleton-containing epoxy resin in the release agent composition is not particularly limited, but is preferably 1% by mass to 70% by mass, more preferably 3% by mass to 55% by mass, and particularly preferably 5% by mass to 40% by mass, based on the novolac resin in the release agent composition.
  • the content of the siloxane skeleton-containing epoxy resin in the adhesive composition is not particularly limited, but is preferably 1 mass % to 70 mass %, more preferably 3 mass % to 55 mass %, and particularly preferably 5 mass % to 40 mass %, relative to the novolac resin in the adhesive composition.
  • the release agent composition may contain a curing catalyst.
  • the adhesive composition may contain a curing catalyst.
  • the curing catalyst is not particularly limited, but examples thereof include amines, imidazoles, organic phosphines, Lewis acids, and the like.
  • examples of the amines include tertiary amines, such as 1,8-diazabicyclo(5.4.0)undec-7-ene (DBU), triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, and tris(dimethylaminomethyl)phenol.
  • DBU 1,8-diazabicyclo(5.4.0)undec-7-ene
  • Examples of the imidazoles include 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole, 2-heptadecylimidazole, and 2-phenyl-1-benzyl-1H-imidazole.
  • Examples of the organic phosphines include tributylphosphine, methyldiphenylphosphine, triphenylphosphine, diphenylphosphine, and phenylphosphine.
  • curing catalysts include, for example, tetra-substituted phosphonium tetra-substituted borates such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium ethyltriphenylborate, and tetrabutylphosphonium tetrabutylborate; tetraphenylboron salts such as 2-ethyl-4-methylimidazole tetraphenylborate and N-methylmorpholine tetraphenylborate; and tetrabutylphosphonium O,O-diethylphosphorodithioate.
  • tetra-substituted phosphonium tetra-substituted borates such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium ethyltriphenylborate, and t
  • the amount of the curing catalyst contained in the release agent composition is not particularly limited, but is preferably 1% by mass to 20% by mass relative to the siloxane skeleton-containing epoxy resin in the release agent composition.
  • the amount of the curing catalyst contained in the adhesive composition is not particularly limited, but is preferably 1% by mass to 20% by mass relative to the siloxane skeleton-containing epoxy resin in the adhesive composition.
  • the release agent composition and the adhesive composition may contain a surfactant for the purposes of adjusting the liquid properties of the composition itself and the film properties of the resulting film, and for the purpose of preparing a highly uniform release agent composition and an adhesive composition with good reproducibility.
  • the surfactant examples include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; polyoxyethylene alkyl allyl ethers such as polyoxyethylene octyl phenol ether and polyoxyethylene nonyl phenol ether; polyoxyethylene-polyoxypropylene block copolymers; sorbitan fatty acid esters such as sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, and sorbitan tristearate; polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate,
  • the surfactant include nonionic surfactants such as polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters, such as polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, and poly
  • the surfactants can be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the surfactant in the stripping composition is usually 2% by mass or less based on the film-constituting components of the stripping composition.
  • the amount of the surfactant in the adhesive composition is usually 2 mass % or less based on the film-constituting components of the adhesive composition.
  • the stripper composition includes a solvent.
  • the adhesive composition includes a solvent.
  • the solvent for example, a high polarity solvent capable of dissolving well the film constituent components such as the above-mentioned novolac resin and siloxane skeleton-containing epoxy resin can be used, and a low polarity solvent may be used as necessary for the purpose of adjusting viscosity, surface tension, etc.
  • a low polarity solvent is defined as a solvent having a relative dielectric constant of less than 7 at a frequency of 100 kHz
  • a high polarity solvent is defined as a solvent having a relative dielectric constant of 7 or more at a frequency of 100 kHz.
  • the solvents can be used alone or in combination of two or more.
  • highly polar solvents include amide-based solvents such as N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylisobutyramide, N-methylpyrrolidone, and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone; ketone-based solvents such as ethyl methyl ketone, isophorone, and cyclohexanone; cyano-based solvents such as acetonitrile and 3-methoxypropionitrile; polyhydric alcohol-based solvents such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, dipropylene glycol, 1,3-butanediol, and 2,3-butanediol; Examples of the solvent include monohydric alcohol solvents other than aliphatic alcohols, such as propylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, dipropylene
  • low polarity solvents include chlorine-based solvents such as chloroform and chlorobenzene; aromatic hydrocarbon-based solvents such as alkylbenzenes such as toluene, xylene, tetralin, cyclohexylbenzene, and decylbenzene; aliphatic alcohol-based solvents such as 1-octanol, 1-nonanol, and 1-decanol; ether-based solvents such as tetrahydrofuran, dioxane, anisole, 4-methoxytoluene, 3-phenoxytoluene, dibenzyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, and triethylene glycol butyl methyl ether; and ester-based solvents such as methyl benzoate, ethyl benzoate, butyl benzoate, isoamyl benzoate, bis(2-ethyl
  • the amount of solvent is appropriately determined taking into consideration the viscosity of the desired composition, the coating method to be used, the thickness of the film to be produced, etc., but is 99% by mass or less of the entire composition, preferably 70 to 99% by mass, and more preferably 85 to 97% by mass of the entire composition; in other words, the amount of the film components in this case is preferably 1 to 30% by mass, and more preferably 3 to 15% by mass of the entire composition.
  • the viscosity and surface tension of the stripping agent composition and adhesive composition are appropriately adjusted by changing the types of solvents used, their ratios, the concentrations of the film constituent components, etc., taking into consideration various factors such as the application method used and the desired film thickness.
  • the release agent composition and adhesive composition contain a glycol-based solvent from the viewpoint of reproducibly obtaining a highly uniform composition, a highly storage stable composition, and a composition that gives a highly uniform film.
  • glycol-based solvent here is a general term for glycols, glycol monoethers, glycol diethers, glycol monoesters, glycol diesters, and glycol ester ethers.
  • R G1 each independently represents a linear or branched alkylene group having 2 to 4 carbon atoms
  • R G2 and R G3 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or an alkylacyl group in which the alkyl portion is a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms
  • n g is an integer from 1 to 6.
  • linear or branched alkylene group having 2 to 4 carbon atoms include, but are not limited to, an ethylene group, a trimethylene group, a 1-methylethylene group, a tetramethylene group, a 2-methylpropane-1,3-diyl group, a pentamethylene group, and a hexamethylene group.
  • a linear or branched alkylene group having 2 to 3 carbon atoms is preferred, and a linear or branched alkylene group having 3 carbon atoms is more preferred.
  • linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, an s-butyl group, a tertiary butyl group, an n-pentyl group, a 1-methyl-n-butyl group, a 2-methyl-n-butyl group, a 3-methyl-n-butyl group, a 1,1-dimethyl-n-propyl group, a 1,2-dimethyl-n-propyl group, a 2,2-dimethyl-n-propyl group, a 1-ethyl-n-propyl group, an n-hexyl group, a 1-methyl-n-pentyl group, a 2-methyl-n-pentyl group, a 3-methyl
  • dimethyl-n-butyl groups include, but are
  • a methyl group and an ethyl group are preferred, and a methyl group is more preferred.
  • linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms in the alkyl acyl group in which the alkyl portion is a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include the same as the specific examples mentioned above.
  • a methylcarbonyl group and an ethylcarbonyl group are preferred, and a methylcarbonyl group is more preferred.
  • n g is preferably 4 or less, more preferably 3 or less, even more preferably 2 or less, and most preferably 1.
  • R G2 and R G3 are a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and more preferably, one of R G2 and R G3 is a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and the other is a hydrogen atom or an alkyl acyl group in which the alkyl moiety is a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
  • the content of the glycol-based solvent in the release agent composition is preferably 50% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, even more preferably 80% by mass or more, even more preferably 90% by mass or more, and even more preferably 95% by mass or more, based on the solvent contained in the release agent composition.
  • the film constituent components are uniformly dispersed or dissolved in the solvent, and preferably dissolved.
  • the content of the glycol-based solvent in the adhesive composition is preferably 50 mass % or more, more preferably 70 mass % or more, even more preferably 80 mass % or more, even more preferably 90 mass % or more, and even more preferably 95 mass % or more, relative to the solvent contained in the adhesive composition.
  • the film constituent components are uniformly dispersed or dissolved in the solvent, and preferably dissolved.
  • the solvents, solutions, etc. used may be filtered using a filter during the production of the release agent composition and adhesive composition or after all the components have been mixed.
  • Embodiment A of the laminate according to the present invention comprises a semiconductor substrate or an electronic device layer, a supporting substrate, and a release agent layer for peeling by light irradiation.
  • Embodiment A of the laminate according to the present invention preferably further comprises an adhesive layer, and has a configuration comprising a semiconductor substrate or electronic device layer, a supporting substrate, a release agent layer for peeling by light irradiation, and an adhesive layer.
  • the laminate may be formed of a single-layer structure of the release agent layer having adhesive performance, rather than a two-layer structure of the release agent layer and the adhesive layer.
  • the supporting substrate is optically transparent.
  • the release agent layer for light irradiation peeling is provided between the semiconductor substrate or electronic device layer and the supporting substrate.
  • the embodiment A of the laminate is used in such a manner that the semiconductor substrate or electronic device layer and the supporting substrate are peeled off after the release agent layer absorbs light irradiated from the supporting substrate side.
  • the release agent layer for peeling off by light irradiation is a layer formed from the above-mentioned release agent composition for peeling off by light irradiation of the present invention.
  • Embodiment A of the laminate of the present invention is used for temporary bonding for processing a semiconductor substrate or an electronic device layer, and can be suitably used for processing such as thinning a semiconductor substrate or an electronic device layer.
  • the semiconductor substrate is supported by the support substrate.
  • the release agent layer is irradiated with light, and then the support substrate and the semiconductor substrate are separated.
  • the novolac resin contained in the release agent composition for light irradiation peeling of the present invention absorbs light (e.g., laser light) in the release agent layer formed from the release agent composition, and alters the release agent layer (e.g., separates or decomposes).
  • the release agent layer is irradiated with light
  • the semiconductor substrate and the support substrate are easily peeled off.
  • the electronic device layer is supported by the support substrate.
  • the release agent layer is irradiated with light, and then the support substrate and the electronic device layer are separated from each other.
  • the release agent layer according to the present invention facilitates peeling of the semiconductor substrate or electronic device layer from the supporting substrate after irradiation with light.
  • residues of the release agent layer or adhesive layer remaining on the semiconductor substrate, electronic device layer, or supporting substrate after the semiconductor substrate or electronic device layer is peeled from the supporting substrate can be removed, for example, with a cleaning composition for cleaning semiconductor substrates and the like.
  • the wavelength of the light used for peeling is, for example, preferably 250 to 600 nm, more preferably 250 to 370 nm. More preferably, the wavelength is 308 nm, 343 nm, 355 nm, 365 nm, or 532 nm.
  • the amount of light required for peeling is an amount that can cause suitable alteration, such as decomposition, of the novolac resin.
  • the light used for the peeling may be laser light or non-laser light emitted from a light source such as an ultraviolet lamp.
  • the laminated body will be described in detail below, with respect to the case where the laminated body includes a semiconductor substrate and the case where the laminated body includes an electronic device layer.
  • the case where the laminate has a semiconductor substrate is described below in ⁇ First embodiment A>, and the case where the laminate has an electronic device layer is described below in ⁇ Second embodiment A>.
  • the laminate having the semiconductor substrate is used for processing the semiconductor substrate. During the processing of the semiconductor substrate, the semiconductor substrate is adhered to the support substrate. After the processing of the semiconductor substrate, the release agent layer is irradiated with light, and then the semiconductor substrate is separated from the support substrate.
  • the main material constituting the entire semiconductor substrate is not particularly limited as long as it is used for this type of application, but examples thereof include silicon, silicon carbide, and compound semiconductors.
  • the shape of the semiconductor substrate is not particularly limited, but may be, for example, a disk shape. Note that the disk-shaped semiconductor substrate does not need to have a perfectly circular surface, and for example, the outer periphery of the semiconductor substrate may have a straight line portion called an orientation flat, or may have a cut called a notch.
  • the thickness of the disk-shaped semiconductor substrate may be appropriately determined depending on the intended use of the semiconductor substrate, and is not particularly limited, but is, for example, 500 to 1,000 ⁇ m.
  • the diameter of the disk-shaped semiconductor substrate may be appropriately determined depending on the intended use of the semiconductor substrate, and is not particularly limited, but is, for example, 100 to 1,000 mm.
  • the semiconductor substrate may have bumps, which are protruding terminals.
  • the semiconductor substrate when the semiconductor substrate has bumps, the semiconductor substrate has the bumps on the supporting substrate side.
  • bumps are usually formed on a surface on which a circuit is formed.
  • the circuit may be a single layer or a multilayer.
  • the surface opposite to the surface having the bumps (back surface) is the surface to be processed.
  • the material, size, shape, structure, and density of the bumps on the semiconductor substrate are not particularly limited. Examples of the bump include a ball bump, a printed bump, a stud bump, and a plated bump.
  • the height, radius and pitch of the bumps are appropriately determined based on the conditions of a bump height of about 1 to 200 ⁇ m, a bump radius of 1 to 200 ⁇ m and a bump pitch of 1 to 500 ⁇ m.
  • materials for the bump include low melting point solder, high melting point solder, tin, indium, gold, silver, copper, etc.
  • the bump may be composed of only a single component, or may be composed of multiple components. More specifically, examples of the bump include alloy plating mainly composed of Sn, such as SnAg bump, SnBi bump, Sn bump, and AuSn bump.
  • the bump may have a laminated structure including a metal layer made of at least one of these components.
  • An example of a semiconductor substrate is a silicon wafer with a diameter of about 300 mm and a thickness of about 770 ⁇ m.
  • the supporting substrate is not particularly limited as long as it is optically transparent to the light irradiated onto the release agent layer and is capable of supporting the semiconductor substrate when the semiconductor substrate is processed.
  • a glass supporting substrate can be used.
  • the shape of the support substrate is not particularly limited, but may be, for example, a disk shape.
  • the thickness of the disk-shaped support substrate may be appropriately determined depending on the size of the semiconductor substrate, and is not particularly limited, but is, for example, 500 to 1,000 ⁇ m.
  • the diameter of the disk-shaped support substrate may be appropriately determined depending on the size of the semiconductor substrate, and is not particularly limited, but is, for example, 100 to 1,000 mm.
  • An example of a support substrate is a glass wafer with a diameter of about 300 mm and a thickness of about 700 ⁇ m.
  • the release agent layer is a layer formed from a release agent composition.
  • the release agent layer is provided between the semiconductor substrate and the supporting substrate.
  • the release agent layer may be in contact with either the supporting substrate or the semiconductor substrate.
  • the release agent layer is formed using the above-mentioned release agent composition for photo-exposure peeling of the present invention.
  • the release agent composition of the present invention can be suitably used for forming a release agent layer of a laminate having a semiconductor substrate, a support substrate, and a release agent layer provided between the semiconductor substrate and the support substrate.
  • the laminate is used in such a manner that the semiconductor substrate and the support substrate are peeled off after the release agent layer absorbs light irradiated from the support substrate side.
  • One of the features of the release agent layer obtained from the release agent composition of the present invention is that the semiconductor substrate and the supporting substrate can be easily peeled off after irradiation with light.
  • the novolac resin is thought to react with the siloxane skeleton-containing epoxy resin.
  • the thickness of the release agent layer is not particularly limited, but is usually 0.05 to 3 ⁇ m. From the viewpoint of maintaining the film strength, the thickness is preferably 0.07 ⁇ m or more, more preferably 0.1 ⁇ m or more, and even more preferably 0.2 ⁇ m or more. From the viewpoint of avoiding non-uniformity due to a thick film, the thickness is preferably 2 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or less, even more preferably 0.8 ⁇ m or less, and even more preferably 0.5 ⁇ m or less.
  • the method for forming the release agent layer from the release agent composition will be described in detail in the description of ⁇ An example of a method for producing the laminate in the first embodiment A>> below.
  • the adhesive layer is provided between the support substrate and the semiconductor substrate.
  • the adhesive layer may be in contact with, for example, a semiconductor substrate.
  • the adhesive layer may be in contact with, for example, a support substrate.
  • the adhesive layer is not particularly limited, but is preferably a layer formed from an adhesive composition.
  • Adhesive composition examples include, but are not limited to, polysiloxane-based adhesives, acrylic resin-based adhesives, epoxy resin-based adhesives, polyamide-based adhesives, polystyrene-based adhesives, polyimide adhesives, phenolic resin-based adhesives, and the like.
  • polysiloxane-based adhesives are preferred as the adhesive composition, because they exhibit suitable adhesive performance during processing of semiconductor substrates and the like, can be suitably peeled off after processing, have excellent heat resistance, and can be suitably removed by a cleaning composition.
  • the adhesive composition here is usually not the photoirradiation peelable adhesive composition of the present invention.
  • the adhesive composition contains a polyorganosiloxane. In another preferred embodiment, the adhesive composition includes a component that cures via a hydrosilylation reaction.
  • the adhesive composition used in the present invention contains a curable component (A) that becomes an adhesive component.
  • the adhesive composition used in the present invention may contain a curable component (A) that becomes an adhesive component and a component (B) that does not undergo a curing reaction.
  • an example of the component (B) that does not undergo a curing reaction is polyorganosiloxane.
  • "does not cause a curing reaction” does not mean that any curing reaction does not occur, but means that the curing reaction occurring in the curable component (A) does not occur.
  • component (A) may be a component that cures by a hydrosilylation reaction, or may be a polyorganosiloxane component (A') that cures by a hydrosilylation reaction.
  • component (A) contains, for example, polyorganosiloxane (a1) having an alkenyl group having 2 to 40 carbon atoms bonded to a silicon atom, as an example of component (A'), polyorganosiloxane (a2) having a Si-H group, and platinum group metal catalyst (A2).
  • the alkenyl group having 2 to 40 carbon atoms may be substituted.
  • the substituent include a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amino group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an aryl group, and a heteroaryl group.
  • the polyorganosiloxane component (A' ) that cures by a hydrosilylation reaction comprises a polysiloxane ( A1 ) containing one or more units selected from the group consisting of siloxane units represented by SiO2 (Q units), siloxane units represented by R1R2R3SiO1/2 ( M units ), siloxane units represented by R4R5SiO2 / 2 (D units ) , and siloxane units represented by R6SiO3/2 ( T units ), and a platinum group metal catalyst ( A2 ).
  • R 1 to R 6 are groups or atoms bonded to the silicon atom, and each independently represents an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted alkenyl group, or a hydrogen atom.
  • substituents include a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amino group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an aryl group, and a heteroaryl group.
  • R 1 ' to R 6 ' are groups bonded to a silicon atom and each independently represents an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted alkenyl group, with at least one of R 1 ' to R 6 ' being an optionally substituted alkenyl group.
  • substituents include a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amino group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an aryl group, and a heteroaryl group.
  • R 1 ′′ to R 6 ′′ are groups or atoms bonded to the silicon atom and each independently represents an optionally substituted alkyl group or a hydrogen atom, with at least one of R 1 ′′ to R 6 ′′ being a hydrogen atom.
  • substituents include a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an amino group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an aryl group, and a heteroaryl group.
  • the alkyl group may be linear, branched, or cyclic, but linear or branched alkyl groups are preferred, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is usually 1 to 40, preferably 30 or less, more preferably 20 or less, and even more preferably 10 or less.
  • optionally substituted straight-chain or branched-chain alkyl groups include methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, i-butyl, s-butyl, tertiary butyl, n-pentyl, 1-methyl-n-butyl, 2-methyl-n-butyl, 3-methyl-n-butyl, 1,1-dimethyl-n-propyl, 1,2-dimethyl-n-propyl, 2,2-dimethyl-n-propyl, 1-ethyl-n-propyl, n-hexyl, 1-methyl-n-pentyl, 2-methyl-n-pentyl, 3-methyl-n-pentyl, 4-methyl-n-pentyl, and 5-methyl-n-pentyl.
  • alkyl group examples include, but are not limited to, 1,1-dimethyl-n-butyl, 1,2-dimethyl-n-butyl, 1,3-dimethyl-n-butyl, 2,2-dimethyl-n-butyl, 2,3-dimethyl-n-butyl, 3,3-dimethyl-n-butyl, 1-ethyl-n-butyl, 2-ethyl-n-butyl, 1,1,2-trimethyl-n-propyl, 1,2,2-trimethyl-n-propyl, 1-ethyl-1-methyl-n-propyl, and 1-ethyl-2-methyl-n-propyl groups.
  • the number of carbon atoms is usually 1 to 14, preferably 1 to 10, and more preferably 1 to 6.
  • the methyl group is particularly preferred.
  • optionally substituted cyclic alkyl groups include cyclopropyl, cyclobutyl, 1-methylcyclopropyl, 2-methylcyclopropyl, cyclopentyl, 1-methylcyclobutyl, 2-methylcyclobutyl, 3-methylcyclobutyl, 1,2-dimethylcyclopropyl, 2,3-dimethylcyclopropyl, 1-ethylcyclopropyl, 2-ethylcyclopropyl, cyclohexyl, 1-methylcyclopentyl, 2-methylcyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 1-ethylcyclobutyl, 2-ethylcyclobutyl, 3-ethylcyclobutyl, 1,2-dimethylcyclobutyl, 1,3-dimethylcyclobutyl, 2,2-dimethylcyclobutyl, 2,3-dimethylcyclobutyl, 2,4-dimethylcyclobutyl, 3,3-dimethylcyclobutyl, 3,
  • the alkenyl group may be either linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is usually 2 to 40, preferably 30 or less, more preferably 20 or less, and even more preferably 10 or less.
  • the optionally substituted linear or branched alkenyl group include, but are not limited to, a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, and the like, and the number of carbon atoms is usually 2 to 14, preferably 2 to 10, and more preferably 1 to 6. Among these, an ethenyl group and a 2-propenyl group are particularly preferred.
  • Specific examples of the optionally substituted cyclic alkenyl group include, but are not limited to, cyclopentenyl, cyclohexenyl, and the like, and the number of carbon atoms is usually 4 to 14, preferably 5 to 10, and more preferably 5 to 6.
  • polysiloxane (A1) contains polyorganosiloxane (a1') and polyorganosiloxane (a2'), and the alkenyl groups contained in polyorganosiloxane (a1') and the hydrogen atoms (Si-H groups) contained in polyorganosiloxane (a2') form a crosslinked structure through a hydrosilylation reaction caused by a platinum group metal catalyst (A2), and the crosslinked structure hardens. As a result, a hardened film is formed.
  • Polyorganosiloxane (a1') contains one or more units selected from the group consisting of Q' units, M' units, D' units, and T' units, and also contains at least one unit selected from the group consisting of M' units, D' units, and T' units.
  • polyorganosiloxane (a1') a combination of two or more polyorganosiloxanes satisfying such conditions may be used.
  • Q' units, M' units, D' units and T' units include, but are not limited to, (Q' units and M' units), (D' units and M' units), (T' units and M' units), and (Q' units, T' units and M' units).
  • the polyorganosiloxane (a1') contains two or more types of polyorganosiloxane, combinations of (Q' units and M' units) and (D' units and M' units), combinations of (T' units and M' units) and (D' units and M' units), and combinations of (Q' units, T' units and M' units) and (T' units and M' units) are preferred, but are not limited to these.
  • Polyorganosiloxane (a2') contains one or more units selected from the group consisting of Q" units, M" units, D" units, and T" units, and also contains at least one unit selected from the group consisting of M" units, D" units, and T" units.
  • polyorganosiloxane (a2') a combination of two or more polyorganosiloxanes satisfying these conditions may be used.
  • Preferred combinations of two or more selected from the group consisting of Q" units, M" units, D" units and T" units include, but are not limited to, (M" units and D" units), (Q" units and M” units), and (Q" units, T" units and M” units).
  • the polyorganosiloxane (a1') is composed of siloxane units having alkyl and/or alkenyl groups bonded to the silicon atoms thereof, and the proportion of alkenyl groups in all the substituents represented by R 1 ' to R 6 ' is preferably 0.1 to 50.0 mol %, more preferably 0.5 to 30.0 mol %, and the remaining R 1 ' to R 6 ' can be alkyl groups.
  • the polyorganosiloxane (a2') is composed of siloxane units in which alkyl groups and/or hydrogen atoms are bonded to the silicon atoms, and the proportion of hydrogen atoms in all the substituents and substituted atoms represented by R 1 "to R 6 " is preferably 0.1 to 50.0 mol %, more preferably 10.0 to 40.0 mol %, and the remaining R 1 "to R 6 " can be alkyl groups.
  • component (A) contains (a1) and (a2)
  • the molar ratio of the alkenyl groups contained in polyorganosiloxane (a1) to the hydrogen atoms constituting the Si-H bonds contained in polyorganosiloxane (a2) is in the range of 1.0:0.5 to 1.0:0.66.
  • the weight average molecular weight of polysiloxanes such as polyorganosiloxane (a1) and polyorganosiloxane (a2) is not particularly limited, but is usually 500 to 1,000,000, and from the viewpoint of realizing the effects of the present invention with good reproducibility, it is preferably 5,000 to 50,000.
  • the weight average molecular weight, number average molecular weight and dispersity of polyorganosiloxane can be measured using, for example, a GPC apparatus (EcoSEC, HLC-8320GPC manufactured by Tosoh Corporation) and a GPC column (TSKgel SuperMultiporeHZ-N, TSKgel SuperMultiporeHZ-H manufactured by Tosoh Corporation), a column temperature of 40 ° C., tetrahydrofuran as an eluent (elution solvent), a flow rate (flow rate) of 0.35 mL / min, and polystyrene (Shodex, manufactured by Showa Denko K.K.) as a standard sample.
  • a GPC apparatus EuSEC, HLC-8320GPC manufactured by Tosoh Corporation
  • GPC column TSKgel SuperMultiporeHZ-N, TSKgel SuperMultiporeHZ-H manufactured by Tosoh Corporation
  • a column temperature 40 ° C.
  • tetrahydrofuran
  • the viscosities of polyorganosiloxane (a1) and polyorganosiloxane (a2) are not particularly limited, but are usually 10 to 1,000,000 (mPa ⁇ s), and from the viewpoint of achieving the effects of the present invention with good reproducibility, are preferably 50 to 10,000 (mPa ⁇ s).
  • the viscosities of polyorganosiloxane (a1) and polyorganosiloxane (a2) are values measured with an E-type rotational viscometer at 25°C.
  • Polyorganosiloxane (a1) and polyorganosiloxane (a2) react with each other to form a film by a hydrosilylation reaction.
  • the mechanism of curing is therefore different from that via, for example, silanol groups, and therefore neither siloxane needs to contain a silanol group or a functional group that forms a silanol group by hydrolysis, such as an alkyloxy group.
  • the adhesive composition contains a platinum group metal catalyst (A2) together with the polyorganosiloxane component (A').
  • a platinum-based metal catalyst is a catalyst for promoting the hydrosilylation reaction between the alkenyl groups of the polyorganosiloxane (a1) and the Si-H groups of the polyorganosiloxane (a2).
  • platinum-based metal catalysts include platinum black, platinic chloride, chloroplatinic acid, a reaction product of chloroplatinic acid with a monohydric alcohol, a complex of chloroplatinic acid with an olefin, platinum bisacetoacetate, and other platinum-based catalysts, but are not limited to these.
  • An example of a complex of platinum with an olefin is, but is not limited to, a complex of divinyltetramethyldisiloxane with platinum.
  • the amount of the platinum group metal catalyst (A2) is not particularly limited, but is usually in the range of 1.0 to 50.0 ppm based on the total amount of the polyorganosiloxane (a1) and the polyorganosiloxane (a2).
  • the polyorganosiloxane component (A') may contain a polymerization inhibitor (A3) for the purpose of inhibiting the progress of the hydrosilylation reaction.
  • the polymerization inhibitor is not particularly limited as long as it can inhibit the progress of the hydrosilylation reaction. Specific examples include alkynyl alcohols such as 1-ethynyl-1-cyclohexanol and 1,1-diphenyl-2-propion-1-ol.
  • the amount of the polymerization inhibitor is not particularly limited, but is usually 1000.0 ppm or more based on the total amount of polyorganosiloxane (a1) and polyorganosiloxane (a2) from the viewpoint of obtaining the effect, and 10000.0 ppm or less from the viewpoint of preventing excessive inhibition of the hydrosilylation reaction.
  • An example of the adhesive composition used in the present invention may or may not contain a component (B) that does not undergo a curing reaction to become a release agent component together with the curable component (A).
  • a component (B) that does not undergo a curing reaction to become a release agent component together with the curable component (A).
  • the resulting adhesive layer can be suitably peeled off with good reproducibility.
  • component (B) is a non-curable polyorganosiloxane.
  • Specific examples thereof include, but are not limited to, epoxy group-containing polyorganosiloxanes, methyl group-containing polyorganosiloxanes, and phenyl group-containing polyorganosiloxanes.
  • the component (B) may be polydimethylsiloxane. The polydimethylsiloxane may be modified.
  • polydimethylsiloxane examples include, but are not limited to, epoxy group-containing polydimethylsiloxane, unmodified polydimethylsiloxane, and phenyl group-containing polydimethylsiloxane.
  • Preferred examples of the polyorganosiloxane of component (B) include, but are not limited to, epoxy group-containing polyorganosiloxane, methyl group-containing polyorganosiloxane, and phenyl group-containing polyorganosiloxane.
  • the weight average molecular weight of the polyorganosiloxane, which is component (B), is not particularly limited, but is usually 100,000 to 2,000,000, and from the viewpoint of reproducibly realizing the effects of the present invention, it is preferably 200,000 to 1,200,000, more preferably 300,000 to 900,000.
  • the dispersity is not particularly limited, but is usually 1.0 to 10.0, and from the viewpoint of reproducibly realizing suitable peeling, it is preferably 1.5 to 5.0, more preferably 2.0 to 3.0.
  • the weight average molecular weight and dispersity can be measured by the above-mentioned method for polyorganosiloxane.
  • the viscosity of the polyorganosiloxane, which is component (B), is not particularly limited, but is usually 1,000 to 2,000,000 mm 2 /s.
  • An example of the epoxy group-containing polyorganosiloxane is one containing a siloxane unit ( D10 unit) represented by R 11 R 12 SiO 2/2 .
  • R 11 is a group bonded to a silicon atom and represents an alkyl group
  • R 12 is a group bonded to a silicon atom and represents an epoxy group or an organic group containing an epoxy group
  • specific examples of the alkyl group include those mentioned above.
  • the epoxy group in the organic group containing an epoxy group may be an independent epoxy group that is not condensed with other rings, or may be an epoxy group that forms a condensed ring with other rings, such as a 1,2-epoxycyclohexyl group.
  • Specific examples of organic groups containing an epoxy group include, but are not limited to, 3-glycidoxypropyl and 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl.
  • a preferred example of the epoxy group-containing polyorganosiloxane is epoxy group-containing polydimethylsiloxane, but is not limited thereto.
  • the epoxy group-containing polyorganosiloxane contains the above-mentioned siloxane units ( D10 units), but may contain Q units, M units and/or T units in addition to the D10 units.
  • specific examples of the epoxy group-containing polyorganosiloxane include a polyorganosiloxane consisting of only D10 units, a polyorganosiloxane containing D10 units and Q units, a polyorganosiloxane containing D10 units and M units, a polyorganosiloxane containing D10 units and T units, a polyorganosiloxane containing D10 units, Q units and M units, a polyorganosiloxane containing D10 units, M units and T units, a polyorganosiloxane containing D10 units, Q units, M units and T units, a polyorganosiloxane containing D10 units, Q units, M units and T units, a polyorganosiloxane containing D10
  • the epoxy group-containing polyorganosiloxane is preferably an epoxy group-containing polydimethylsiloxane having an epoxy value of 0.1 to 5.
  • the weight average molecular weight is not particularly limited, but is usually 1,500 to 500,000, and from the viewpoint of suppressing precipitation in the composition, is preferably 100,000 or less.
  • epoxy group-containing polyorganosiloxanes include, but are not limited to, those represented by formulas (E1) to (E3).
  • Examples of the methyl group-containing polyorganosiloxane include those containing siloxane units (D 200 units) represented by R 210 R 220 SiO 2/2 , preferably those containing siloxane units (D 20 units) represented by R 21 R 21 SiO 2/2 .
  • R 210 and R 220 are groups bonded to a silicon atom, and each independently represents an alkyl group, with at least one being a methyl group. Specific examples of the alkyl group include those listed above.
  • R21 is a group bonded to a silicon atom and represents an alkyl group, specific examples of which include those mentioned above, with a methyl group being preferred as R21 .
  • a preferred example of the methyl group-containing polyorganosiloxane is polydimethylsiloxane, but is not limited thereto.
  • the methyl group-containing polyorganosiloxane contains the above-mentioned siloxane units (D 200 units or D 20 units), but may contain Q units, M units and/or T units in addition to the D 200 units and D 20 units.
  • methyl group-containing polyorganosiloxane examples include a polyorganosiloxane consisting of only D 200 units, a polyorganosiloxane containing D 200 units and Q units, a polyorganosiloxane containing D 200 units and M units, a polyorganosiloxane containing D 200 units and T units, a polyorganosiloxane containing D 200 units, Q units and M units, a polyorganosiloxane containing D 200 units, M units and T units, and a polyorganosiloxane containing D 200 units, Q units, M units and T units.
  • methyl group-containing polyorganosiloxane examples include a polyorganosiloxane consisting only of D20 units, a polyorganosiloxane containing D20 units and Q units, a polyorganosiloxane containing D20 units and M units, a polyorganosiloxane containing D20 units and T units, a polyorganosiloxane containing D20 units, Q units and M units, a polyorganosiloxane containing D20 units, M units and T units, and a polyorganosiloxane containing D20 units, Q units, M units and T units.
  • methyl group-containing polyorganosiloxanes include, but are not limited to, those represented by formula (M1).
  • n4 indicates the number of repeating units and is a positive integer.
  • phenyl group-containing polyorganosiloxane is one containing a siloxane unit ( D30 unit) represented by R 31 R 32 SiO 2/2 .
  • R 31 is a group bonded to a silicon atom and represents a phenyl group or an alkyl group.
  • R 32 is a group bonded to a silicon atom and represents a phenyl group. Specific examples of the alkyl group include those mentioned above, but a methyl group is preferred.
  • the phenyl group-containing polyorganosiloxane contains the above-mentioned siloxane units ( D30 units), and may contain Q units, M units and/or T units in addition to the D30 units.
  • phenyl group-containing polyorganosiloxane examples include a polyorganosiloxane consisting of only D30 units, a polyorganosiloxane containing D30 units and Q units, a polyorganosiloxane containing D30 units and M units, a polyorganosiloxane containing D30 units and T units, a polyorganosiloxane containing D30 units, Q units and M units, a polyorganosiloxane containing D30 units, M units and T units, and a polyorganosiloxane containing D30 units, Q units, M units and T units.
  • phenyl-containing polyorganosiloxanes include, but are not limited to, those represented by formula (P1) or (P2).
  • the polyorganosiloxane which is the release agent component (B) may be a commercially available product or may be synthesized.
  • Commercially available polyorganosiloxanes include, for example, WACKERSILICONE FLUID AK series (AK50, AK 350, AK 1000, AK 10000, AK 1000000) and GENIOPLAST GUM, which are products of Wacker Chemical Co., Ltd., dimethyl silicone oils (KF-96L, KF-96A, KF-96, KF-96H, KF-69, KF-965, KF-968), and cyclic dimethyl silicone oil (KF-995) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.; epoxy group-containing polyorganosiloxanes (product names CMS-227 and ECMS-327) manufactured by Gelest Co., Ltd., and polyorganosiloxanes (product names CMS-227 and ECMS-327) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • Epoxy group-containing polyorganosiloxanes (KF-101, KF-1001, KF-1005, X-22-343), epoxy group-containing polyorganosiloxane (BY16-839) manufactured by Dow Corning; phenyl group-containing polyorganosiloxanes (PMM-1043, PMM-1025, PDM-0421, PDM-0821) manufactured by Gelest, phenyl group-containing polyorganosiloxane (KF50-3000CS) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., phenyl group-containing polyorganosiloxanes (TSF431, TSF433) manufactured by MOMENTIVE, and the like can be mentioned, but are not limited thereto.
  • the adhesive composition used in the present invention contains a component (A) that cures and a component (B) that does not undergo a curing reaction, and in another embodiment, component (B) contains a polyorganosiloxane.
  • the adhesive composition used in the present invention can contain component (A) and component (B) in any ratio.
  • the ratio of component (A) to component (B) in terms of mass ratio [(A):(B)] is preferably 99.995:0.005 to 30:70, and more preferably 99.9:0.1 to 75:25. That is, when a polyorganosiloxane component (A') that cures by a hydrosilylation reaction is included, the ratio of component (A') to component (B) is, in mass ratio [(A'):(B)], preferably 99.995:0.005 to 30:70, more preferably 99.9:0.1 to 75:25.
  • the viscosity of the adhesive composition used in the present invention is not particularly limited, but is usually 500 to 20,000 mPa ⁇ s at 25°C, and preferably 1,000 to 1,0000 mPa ⁇ s.
  • An example of an adhesive composition for use in the present invention can be prepared by mixing component (A) and, if used, component (B) and a solvent.
  • the mixing order is not particularly limited, but examples of a method for easily and reproducibly producing an adhesive composition include, but are not limited to, a method of dissolving component (A) and component (B) in a solvent, or a method of dissolving a part of component (A) and component (B) in a solvent and the rest in a solvent, and mixing the obtained solutions.
  • heating may be performed appropriately within a range that does not cause the components to decompose or deteriorate.
  • the solvent, solution, etc. used may be filtered using a filter during the production of the adhesive composition or after all of the components have been mixed.
  • the thickness of the adhesive layer in the laminate of the present invention is not particularly limited, but is usually 5 to 500 ⁇ m, and from the viewpoint of maintaining film strength, it is preferably 10 ⁇ m or more, more preferably 20 ⁇ m or more, and even more preferably 30 ⁇ m or more, and from the viewpoint of avoiding non-uniformity due to a thick film, it is preferably 200 ⁇ m or less, more preferably 150 ⁇ m or less, even more preferably 120 ⁇ m or less, and even more preferably 70 ⁇ m or less.
  • the laminate in FIG. 1 includes a semiconductor substrate 1, an adhesive layer 2, a release agent layer 3, and a support substrate 4, in this order.
  • the adhesive layer 2 and the release agent layer 3 are provided between the semiconductor substrate 1 and the support substrate 4.
  • the adhesive layer 2 is in contact with the semiconductor substrate 1.
  • the release agent layer 3 is in contact with the adhesive layer 2 and the support substrate 4.
  • An example of the laminate of the present invention can be produced by a method including the following First Step A to Third Step A.
  • First step A A step of applying an adhesive composition onto a semiconductor substrate to form an adhesive coating layer.
  • Second step A A step of applying a release agent composition onto a supporting substrate to form a release agent layer.
  • Third step A A step of heating the adhesive coating layer while the adhesive coating layer and the release agent layer are in contact with each other to form an adhesive layer.
  • the method for applying the adhesive composition is not particularly limited, but is usually a spin coating method. Alternatively, a method may be adopted in which a coating film is formed by a separate spin coating method or the like to form a sheet-like coating film, and the sheet-like coating film is attached as an adhesive coating layer.
  • the heating temperature of the applied adhesive composition cannot be generally specified because it varies depending on the type and amount of adhesive components contained in the adhesive composition, whether or not a solvent is contained, the boiling point of the solvent used, the desired thickness of the adhesive layer, etc., but is usually 80 to 150°C, and the heating time is usually 30 seconds to 5 minutes.
  • the applied adhesive composition is usually heated.
  • the thickness of the adhesive coating layer obtained by applying the adhesive composition and, if necessary, heating it is usually about 5 to 500 ⁇ m, and is appropriately determined so that the final thickness of the adhesive layer falls within the above-mentioned range.
  • the method for applying the release agent composition is not particularly limited, but is usually a spin coating method.
  • the heating temperature of the applied release agent composition cannot be generally specified because it varies depending on the type and amount of the release agent component contained in the release agent composition, the desired thickness of the release agent layer, etc., but from the viewpoint of realizing a suitable release agent layer with good reproducibility, it is 80°C or higher and 300°C or lower, and the heating time is appropriately determined usually within the range of 10 seconds to 10 minutes depending on the heating temperature.
  • the heating temperature is preferably 100°C or higher and 280°C or lower, more preferably 150°C or higher and 250°C or lower.
  • the heating time is preferably 30 seconds or higher and 8 minutes or lower, more preferably 1 minute or higher and 5 minutes or lower. Heating can be carried out using a hot plate, an oven, or the like.
  • the thickness of the release agent film obtained by applying the release agent composition and, if necessary, heating it is usually about 5 nm to 100 ⁇ m.
  • such coating layers are placed together so that they are in contact with each other, and while performing a heat treatment or a decompression treatment or both, a load is applied in the thickness direction of the semiconductor substrate and the support substrate to adhere the two layers together, and then a post-heat treatment is performed, thereby obtaining the laminate of the present invention.
  • the choice of treatment conditions to be adopted, whether heat treatment, decompression treatment, or a combination of both, is appropriately determined taking into consideration various factors such as the type of adhesive composition, the specific composition of the release agent composition, the compatibility of the films obtained from the two compositions, the film thickness, and the desired adhesive strength.
  • the heating temperature is usually determined appropriately from the range of 20 to 150°C from the viewpoint of removing the solvent from the composition, softening the adhesive coating layer to realize suitable bonding with the release agent layer, etc.
  • it is preferably 130°C or less, more preferably 90°C or less
  • the heating time is determined appropriately depending on the heating temperature and the type of adhesive, but from the viewpoint of reliably achieving suitable adhesion, it is usually 30 seconds or more, preferably 1 minute or more, but from the viewpoint of suppressing deterioration of the adhesive layer and other members, it is usually 10 minutes or less, preferably 5 minutes or less.
  • the reduced pressure treatment can be carried out by exposing the adhesive coating layer and the release agent layer, which are in contact with each other, to an air pressure of 10 to 10,000 Pa.
  • the reduced pressure treatment time is usually 1 to 30 minutes.
  • the two layers that contact each other are preferably bonded together by a vacuum treatment, more preferably by a combination of a heat treatment and a vacuum treatment.
  • the load applied in the thickness direction of the semiconductor substrate and the support substrate is not particularly limited as long as it does not adversely affect the semiconductor substrate and the support substrate or the two layers between them and can firmly adhere them to each other, but is usually within the range of 10 to 1000 N.
  • the post-heating temperature is preferably 120° C. or higher from the viewpoint of realizing a sufficient curing speed, and is preferably 260° C. or lower from the viewpoint of preventing deterioration of the substrate and each layer.
  • the post-heating time is usually 1 minute or more, and preferably 5 minutes or more, from the viewpoint of achieving suitable bonding of the substrates and layers constituting the laminate, and is usually 180 minutes or less, and preferably 120 minutes or less, from the viewpoint of suppressing or avoiding adverse effects on each layer due to excessive heating. Heating can be performed using a hot plate, an oven, etc.
  • the laminate When post-heating is performed using a hot plate, the laminate may be heated with either the semiconductor substrate or the support substrate facing down, but from the viewpoint of achieving suitable peeling with good reproducibility, post-heating is preferably performed with the semiconductor substrate facing down.
  • post-heat treatment is to realize an adhesive layer and a release agent layer that are more suitable as self-supporting films, and in particular to realize favorable hardening by a hydrosilylation reaction.
  • FIGS. 2A to 2C are diagrams for explaining one embodiment of manufacturing a laminate.
  • a laminate is prepared in which an adhesive coating layer 2a is formed on a semiconductor substrate 1 (FIG. 2A).
  • This laminate can be obtained, for example, by coating an adhesive composition on the semiconductor substrate 1 and heating it.
  • a laminate in which a release agent layer 3 is formed on a supporting substrate 4 is prepared ( FIG. 2B ).
  • This laminate can be obtained, for example, by applying a release agent composition onto the supporting substrate 4 and heating it.
  • 2A and 2B are bonded together so that the adhesive coating layer 2a contacts the release agent layer 3.
  • a laminate is obtained by the steps shown in FIGS. 2A to 2C.
  • the laminate is formed in the order of the semiconductor substrate 1, the adhesive layer 2, the release agent layer 3, and the support substrate 4, and therefore the above-mentioned manufacturing method is taken as an example.
  • the laminate can be manufactured by a method including a first step A of applying a release agent composition to the surface of the semiconductor substrate and, if necessary, heating it to form a release agent layer, a second step A of applying a release agent composition to the surface of the support substrate and, if necessary, heating it to form an adhesive coating layer, and a third step A of bonding the release agent layer of the semiconductor substrate and the adhesive coating layer of the support substrate by applying a load in the thickness direction of the semiconductor substrate and the support substrate while carrying out at least one of a heat treatment and a decompression treatment, and then carrying out a post-heat treatment to form a laminate.
  • the laminate having the electronic device layer is used for processing the electronic device layer.
  • the electronic device layer is adhered to a supporting substrate.
  • the release agent layer is irradiated with light, and then the electronic device layer is separated from the supporting substrate.
  • the electronic device layer refers to a layer having an electronic device, and in the present invention, refers to a layer in which a plurality of semiconductor chip substrates are embedded in a sealing resin, that is, a layer consisting of a plurality of semiconductor chip substrates and sealing resin disposed between the semiconductor chip substrates.
  • “electronic device” means a member constituting at least a part of an electronic component.
  • the electronic device is not particularly limited, and may be one in which various mechanical structures or circuits are formed on the surface of a semiconductor substrate.
  • the electronic device is preferably a composite of a member made of a metal or semiconductor and a resin that seals or insulates the member.
  • the electronic device may be one in which a rewiring layer, which will be described later, and/or a semiconductor element or other element is sealed or insulated with a sealing material or an insulating material, and has a single-layer or multi-layer structure.
  • the release agent layer is formed using the above-mentioned release agent composition for photo-exposure peeling of the present invention.
  • the detailed description of the release agent layer is as described above in the section ⁇ Release Agent Layer>> of the ⁇ First Embodiment A>>.
  • ⁇ Adhesive Layer>> The adhesive layer is formed using the adhesive composition described above. The detailed description of the adhesive layer is as described above in the section ⁇ Adhesive Layer>> of the ⁇ First Embodiment A>>.
  • FIG. 3 shows a schematic cross-sectional view of an example of the laminate of the second embodiment A.
  • the laminate of FIG. 3 includes, in order, a support substrate 24, a release agent layer 23, an adhesive layer 22, and an electronic device layer 26.
  • the electronic device layer 26 includes a plurality of semiconductor chip substrates 21 and sealing resin 25 that serves as a sealing material disposed between the semiconductor chip substrates 21 .
  • the adhesive layer 22 and the release agent layer 23 are provided between the electronic device layer 26 and the support substrate 24.
  • the adhesive layer 22 contacts the electronic device layer 26.
  • the release agent layer 23 contacts the adhesive layer 22 and the support substrate 24.
  • the laminate may be formed of a single layer structure of a release agent layer having adhesive properties, rather than a two-layer structure of a release agent layer and an adhesive layer.
  • FIG. 4 shows a schematic cross-sectional view of another example of the laminate.
  • the laminate of FIG. 4 includes, in order, a support substrate 24, a release agent layer 27 having adhesive properties, and an electronic device layer 26.
  • the release agent layer 27 having adhesive properties is provided between the support substrate 24 and the electronic device layer 26.
  • the release agent layer 27 having adhesive properties can be prepared by mixing the components of a release agent composition that forms a release agent and the components of an adhesive composition that forms an adhesive layer.
  • the method for producing the laminate will be described below by taking the laminate shown in FIG. 3 as an example among the laminates in the second embodiment A.
  • the laminate of the present invention can be produced, for example, by a method including the following first step A to fifth step A.
  • First step A a step of applying a release agent composition to the surface of the support substrate to form a release agent coating layer (if necessary, further heating to form a release agent layer);
  • Second step A a step of applying an adhesive composition to the surface of the release agent coating layer or release agent layer to form an adhesive coating layer (if necessary, further heating to form an adhesive layer);
  • Third step A a step of placing a semiconductor chip substrate on the adhesive coating layer or adhesive layer, and bonding the semiconductor chip substrate to the adhesive coating layer or adhesive layer while performing at least one of a heat treatment and a decompression treatment;
  • Fourth step A a step of curing the adhesive coating layer by post-heating to form an adhesive layer;
  • Fifth step A a step of sealing the semiconductor chip substrate fixed on the adhesive layer with a sealing resin.
  • step A of (iA) below can be mentioned.
  • (iA) A semiconductor chip substrate is placed on the adhesive coating layer or adhesive layer, and while performing at least one of a heat treatment and a decompression treatment, a load is applied in the thickness direction of the semiconductor chip substrate and the support substrate to bring them into close contact, and the semiconductor chip substrate is bonded to the adhesive coating layer or adhesive layer.
  • the fourth step A may be performed after bonding the semiconductor chip substrate to the adhesive coating layer in the third step A, or may be performed in conjunction with the third step A.
  • the semiconductor chip substrate may be placed on the adhesive coating layer, and the adhesive coating layer may be heated and cured while a load is applied in the thickness direction of the semiconductor chip substrate and the support substrate, thereby bonding the adhesive layer to the semiconductor chip substrate and the adhesive coating layer together and curing the adhesive coating layer to the adhesive layer.
  • the fourth step A may be performed before the third step A, and the semiconductor chip substrate may be placed on the adhesive layer, and the adhesive layer and the semiconductor chip substrate may be bonded together while applying a load in the thickness direction of the semiconductor chip substrate and the support substrate.
  • the application method, the heating temperature of the applied release agent composition or adhesive composition, the heating means, etc. are as described in the above ⁇ An example of the manufacturing method of the laminate in the first embodiment A>> of the above ⁇ First embodiment A>.
  • the laminate shown in FIG. 3 is produced.
  • a release agent coating layer 23' made of a release agent composition is formed on a supporting substrate 24. At that time, the release agent coating layer 23' may be heated to form the release agent layer 23.
  • an adhesive coating layer 22' made of an adhesive composition is formed on the release agent coating layer 23' or the release agent layer 23. At that time, the adhesive coating layer 22' may be heated to form the adhesive layer 22.
  • the semiconductor chip substrate 21 is placed on the adhesive layer 22 or the adhesive coating layer 22', and while performing at least one of a heating treatment and a decompression treatment, a load is applied in the thickness direction of the semiconductor chip substrate 21 and the support substrate 24 to bring them into close contact, and the semiconductor chip substrate 21 is bonded to the adhesive layer 22 or the adhesive coating layer 22'.
  • the adhesive coating layer 22' is post-heated to harden it into the adhesive layer 22, and the semiconductor chip substrate 21 is fixed to the adhesive layer 22.
  • the release agent coating layer 23' may also be post-heat-treated at the same time, thereby forming the release agent layer 23.
  • the semiconductor chip substrate 21 fixed on the adhesive layer 22 is sealed with sealing resin 25.
  • the multiple semiconductor chip substrates 21 temporarily bonded onto the support substrate 24 via the adhesive layer 22 are sealed with sealing resin 25.
  • An electronic device layer 26 having the semiconductor chip substrates 21 and the sealing resin 25 disposed between the semiconductor chip substrates 21 is formed on the adhesive layer 22. In this manner, the electronic device layer 26 is a base material layer in which the multiple semiconductor chip substrates are embedded in the sealing resin.
  • the semiconductor chip substrate 21 is sealed with a sealing material.
  • a sealing material for sealing the semiconductor chip substrate 21 a material capable of insulating or sealing a member made of a metal or a semiconductor is used.
  • a resin composition (sealing resin) is used as the sealing material.
  • the type of sealing resin is not particularly limited as long as it can seal and/or insulate metals or semiconductors, but it is preferable to use, for example, an epoxy resin or a silicone resin.
  • the sealing material may contain other components such as a filler in addition to the resin component. Examples of the filler include spherical silica particles.
  • the temperature condition is, for example, 130 to 170° C.
  • the pressure applied to the semiconductor chip substrate 21 is, for example, 50 to 500 N/cm 2 .
  • a method for producing a processed semiconductor substrate or electronic device layer By using embodiment A of the laminate according to the present invention, a method for producing a processed semiconductor substrate or a method for producing a processed electronic device layer can be provided.
  • the "method of manufacturing a processed semiconductor substrate” uses the laminate described in the above (Laminate) in the ⁇ First embodiment A> section.
  • the "method of manufacturing a processed electronic device layer” uses the laminate described in the above (Laminate) in the ⁇ Second embodiment A> section.
  • the "method for producing a processed semiconductor substrate” will be described in the ⁇ Third embodiment A> below, and the "method for producing a processed electronic device layer” will be described in the ⁇ Fourth embodiment A> below.
  • the method of producing a processed semiconductor substrate of the present invention includes the following step 5A A and the following step 6A A.
  • the method of producing a processed electronic device layer may further include the following step 7A A.
  • the 5A step A is a step of processing the semiconductor substrate in the laminate described in the above section ⁇ First embodiment A>.
  • the 6A step A is a step A of separating the semiconductor substrate processed in the 5A step A from the supporting substrate.
  • the 7A step is a step of cleaning the processed semiconductor substrate after the 6A step.
  • the processing performed on the semiconductor substrate in the 5A step A is, for example, processing of the opposite side of the circuit surface of the wafer, and includes thinning the wafer by polishing the back surface of the wafer. After that, for example, through-silicon vias (TSVs) are formed, and then the thinned wafer is peeled off from the support substrate to form a wafer stack, which is then three-dimensionally mounted. In addition, for example, wafer back electrodes are formed before and after that. In the wafer thinning and TSV process, heat of about 250 to 350° C. is applied while the wafer is attached to the support substrate.
  • the laminate of the present invention, including the adhesive layer is usually heat-resistant to the load.
  • the processing performed on the semiconductor substrate in the 5A step A may be a step of dicing (dividing) the semiconductor substrate.
  • the processing is not limited to the above, and also includes, for example, the implementation of a mounting process for semiconductor components when a base material for mounting semiconductor components is temporarily bonded to a support substrate to support the base material.
  • the method of separating (peeling) the semiconductor substrate and the support substrate may be, after irradiating the release agent layer with light, mechanical peeling using a tool having a sharp part, peeling by pulling between the support and the semiconductor wafer, or the like, but is not limited to these.
  • the release agent layer is altered (e.g., separated or decomposed) as described above, and then, for example, one of the substrates can be pulled up to easily separate the semiconductor substrate and the supporting substrate.
  • the light irradiation to the release agent layer does not necessarily have to be performed on the entire area of the release agent layer. Even if the light-irradiated area and the non-irradiated area are mixed, as long as the release ability of the release agent layer as a whole is sufficiently improved, the semiconductor substrate and the support substrate can be separated by a slight external force such as pulling up the support substrate.
  • the ratio and positional relationship between the light-irradiated area and the non-irradiated area vary depending on the type and specific composition of the adhesive used, the thickness of the adhesive layer, the thickness of the adhesive layer, the thickness of the release agent layer, the intensity of the light irradiated, etc., but a person skilled in the art can set the conditions appropriately without requiring excessive testing.
  • the manufacturing method of the processed semiconductor substrate of the present invention for example, when the support substrate of the laminate used has light transparency, it is possible to shorten the light irradiation time when peeling by light irradiation from the support substrate side, and as a result, not only can the throughput be improved, but also the physical stress for peeling can be avoided, and the semiconductor substrate and the support substrate can be easily and efficiently separated only by light irradiation.
  • the amount of light irradiation for peeling is 50 to 3,000 mJ/cm 2.
  • the irradiation time is appropriately determined depending on the wavelength and the amount of irradiation.
  • the wavelength of the light used for peeling is, for example, preferably 250 to 600 nm, more preferably 250 to 370 nm. More preferred wavelengths are 308 nm, 343 nm, 355 nm, 365 nm, or 532 nm.
  • the amount of light required for peeling is an amount that can cause suitable alteration, such as decomposition, of the novolac resin.
  • the light used for the peeling may be laser light or non-laser light emitted from a light source such as an ultraviolet lamp.
  • the substrates can be cleaned by spraying the cleaning composition onto at least one of the surfaces of the separated semiconductor substrate and the supporting substrate, or by immersing the separated semiconductor substrate or the supporting substrate in the cleaning composition.
  • the surface of the processed semiconductor substrate or the like may be cleaned using a removal tape or the like.
  • a seventh A step of cleaning the processed semiconductor substrate may be performed after the sixth A step.
  • the detergent composition used for cleaning include the following.
  • the cleaning composition typically contains a salt and a solvent.
  • a suitable example of the cleaning composition is a cleaning composition containing a quaternary ammonium salt and a solvent.
  • the quaternary ammonium salt is composed of a quaternary ammonium cation and an anion, and is not particularly limited as long as it is used for this type of application.
  • Such quaternary ammonium cations typically include tetra(hydrocarbon)ammonium cations, while their counter anions include, but are not limited to, hydroxide ion (OH ⁇ ), halogen ions such as fluoride ion (F ⁇ ), chloride ion (Cl ⁇ ), bromide ion (Br ⁇ ), and iodide ion (I ⁇ ), tetrafluoroborate ion (BF 4 ⁇ ), and hexafluorophosphate ion (PF 6 ⁇ ).
  • hydroxide ion OH ⁇
  • halogen ions such as fluoride ion (F ⁇ ), chloride ion (Cl ⁇ ), bromide ion (Br ⁇ ), and iodide ion (I ⁇ ), tetrafluoroborate ion (BF 4 ⁇ ), and hexafluorophosphate i
  • the quaternary ammonium salt is preferably a halogen-containing quaternary ammonium salt, and more preferably a fluorine-containing quaternary ammonium salt.
  • the halogen atom may be contained in either the cation or the anion, but is preferably contained in the anion.
  • the fluorine-containing quaternary ammonium salt is a tetra(hydrocarbon)ammonium fluoride.
  • the hydrocarbon group in tetra(hydrocarbon)ammonium fluoride include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
  • the tetra(hydrocarbon)ammonium fluoride comprises a tetraalkylammonium fluoride.
  • tetraalkylammonium fluoride examples include, but are not limited to, tetramethylammonium fluoride, tetraethylammonium fluoride, tetrapropylammonium fluoride, tetrabutylammonium fluoride (also called tetrabutylammonium fluoride), etc. Among these, tetrabutylammonium fluoride is preferred.
  • the quaternary ammonium salts such as tetra(hydrocarbon)ammonium fluoride may be used in the form of a hydrate.
  • the quaternary ammonium salts such as tetra(hydrocarbon)ammonium fluoride may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the quaternary ammonium salt is not particularly limited as long as it dissolves in the solvent contained in the cleaning composition, but it is usually 0.1 to 30% by mass based on the cleaning composition.
  • the solvent contained in the cleaning composition is not particularly limited as long as it is used for this type of application and dissolves salts such as quaternary ammonium salts.
  • the cleaning composition preferably contains one or more amide solvents.
  • a suitable example of the amide solvent is an acid amide derivative represented by the formula (Z).
  • R 0 represents an ethyl group, a propyl group, or an isopropyl group, preferably an ethyl group or an isopropyl group, and more preferably an ethyl group.
  • R A and R B each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms may be linear, branched, or cyclic, and specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a cyclopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, an s-butyl group, a t-butyl group, and a cyclobutyl group.
  • R A and R B are preferably a methyl group or an ethyl group, more preferably both are a methyl group or an ethyl group, and even more preferably both are a methyl group.
  • the acid amide derivatives represented by formula (Z) include N,N-dimethylpropionamide, N,N-diethylpropionamide, N-ethyl-N-methylpropionamide, N,N-dimethylbutyric acid amide, N,N-diethylbutyric acid amide, N-ethyl-N-methylbutyric acid amide, N,N-dimethylisobutyric acid amide, N,N-diethylisobutyric acid amide, N-ethyl-N-methylisobutyric acid amide, etc.
  • N,N-dimethylpropionamide and N,N-dimethylisobutyric acid amide are particularly preferred, and N,N-dimethylpropionamide is more preferred.
  • the acid amide derivative represented by formula (Z) may be synthesized by a substitution reaction between the corresponding carboxylic acid ester and an amine, or a commercially available product may be used.
  • Another example of a preferred amide solvent is a lactam compound represented by the formula (Y).
  • R 101 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms
  • R 102 represents an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms.
  • Specific examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, and an n-butyl group
  • specific examples of the alkylene group having 1 to 6 carbon atoms include, but are not limited to, a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, a pentamethylene group, and a hexamethylene group.
  • lactam compounds represented by formula (Y) include ⁇ -lactam compounds, ⁇ -lactam compounds, ⁇ -lactam compounds, ⁇ -lactam compounds, etc., which can be used alone or in combination of two or more.
  • the lactam compound represented by formula (Y) includes 1-alkyl-2-pyrrolidone (N-alkyl- ⁇ -butyrolactam), in a more preferred embodiment, it includes N-methylpyrrolidone (NMP) or N-ethylpyrrolidone (NEP), and in an even more preferred embodiment, it includes N-methylpyrrolidone (NMP).
  • the cleaning composition may contain one or more other organic solvents different from the above-mentioned amide compound.
  • Such other organic solvents are not particularly limited as long as they are used for this type of application and are compatible with the above-mentioned amide compound.
  • Preferred other solvents include, but are not limited to, alkylene glycol dialkyl ethers, aromatic hydrocarbon compounds, cyclic structure-containing ether compounds, and the like.
  • the amount of the organic solvent other than the above-mentioned amide compound is appropriately determined so as to be usually 95 mass % or less of the solvent contained in the cleaning composition, as long as the quaternary ammonium salt contained in the cleaning composition does not precipitate or separate and is uniformly mixed with the above-mentioned amide compound.
  • the cleaning composition may contain water as a solvent, but from the viewpoint of avoiding corrosion of the substrate, etc., usually, only an organic solvent is intentionally used as the solvent. In this case, it is not denied that the hydration water of the salt or a trace amount of water contained in the organic solvent may be contained in the cleaning composition.
  • the water content of the cleaning composition is usually 5 mass% or less.
  • embodiment A of the method for producing a processed semiconductor substrate of the present invention may be modified in various ways without departing from the spirit and scope of the present invention.
  • the embodiment A of the method for producing a processed semiconductor substrate of the present invention may include steps other than the steps described above.
  • the semiconductor substrate and the supporting substrate of the laminate of the present invention are separated by irradiating the release agent layer with light from the semiconductor substrate side or the supporting substrate side.
  • the semiconductor substrate and the support substrate are temporarily bonded by the adhesive layer and the release agent layer in a suitably peelable manner, so that, for example, when the support substrate has optical transparency, the semiconductor substrate and the support substrate can be easily separated by irradiating the release agent layer with light from the support substrate side of the laminate.
  • the peeling is performed after the semiconductor substrate of the laminate has been processed.
  • FIG. 6A This laminate is the same as the laminate shown in FIGS. 1 and 2C.
  • a polishing device (not shown) is used to polish the surface of the semiconductor substrate 1 opposite to the surface in contact with the adhesive layer 2, thereby thinning the semiconductor substrate 1 ( FIG. 6B ).
  • the thinned semiconductor substrate 1 may be subjected to formation of a through electrode or the like.
  • the release agent layer 3 is irradiated with light from the support substrate 4 side, and then the thinned semiconductor substrate 1 and the support substrate 4 are separated using a peeling device (not shown) (FIG. 6C). A thinned semiconductor substrate 1 is then obtained (FIG. 6D).
  • residues of the adhesive layer 2 and the release agent layer 3 may remain on the thinned semiconductor substrate 1. Therefore, it is preferable to clean the thinned semiconductor substrate 1 with a cleaning agent composition to remove the residues of the adhesive layer 2 and the release agent layer 3 from the semiconductor substrate 1.
  • the method for producing a processed electronic device layer of the present invention includes the following Step 5B A and the following Step 6B A.
  • the method for producing a processed electronic device layer may further include the following Step 7B A.
  • the 5B step A is a step of processing the electronic device layer in the laminate described in the above section ⁇ Second embodiment A>.
  • the 6B step A is a step of separating the electronic device layer processed in the 5B step A from the supporting substrate.
  • the 7B step A is a step of cleaning the processed electronic device layer after the 6B step A.
  • the processing performed on the electronic device layer in step 5BA includes, for example, a grinding process and a wiring layer formation process.
  • the grinding step is a step of grinding away the resin portion of the sealing resin 25 in the electronic device layer 26 so that a part of the semiconductor chip substrate 21 is exposed. Grinding of the sealing resin portion is performed, for example, as shown in Fig. 7B, by grinding the layer of sealing resin 25 of the stack shown in Fig. 7A until it has a thickness substantially equal to that of the semiconductor chip substrate 21.
  • the stack shown in Fig. 7A is the same stack as the stacks shown in Figs. 3 and 5D.
  • the wiring layer forming step is a step of forming a wiring layer on the semiconductor chip substrate 21 exposed after the grinding step.
  • a wiring layer 28 is formed on an electronic device layer 26 made up of a semiconductor chip substrate 21 and a layer of sealing resin 25 .
  • the wiring layer 28 is also called an RDL (Redistribution Layer), and is a thin-film wiring body that constitutes wiring connected to a substrate, and may have a single-layer or multi-layer structure.
  • the wiring layer may be, but is not limited to, wiring formed by a conductor (e.g., metals such as aluminum, copper, titanium, nickel, gold, and silver, and alloys such as silver-tin alloy) between dielectrics (e.g., silicon oxide (SiO x ), photosensitive resins such as photosensitive epoxy, etc.).
  • the wiring layer 28 may be formed, for example, by the following method. First, a dielectric layer made of silicon oxide (SiO x ), photosensitive resin, or the like is formed on the layer of sealing resin 25.
  • the dielectric layer made of silicon oxide can be formed by, for example, a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like.
  • the dielectric layer made of photosensitive resin can be formed by applying the photosensitive resin onto the layer of sealing resin 25 by, for example, a method such as spin coating, dipping, roller blade, spray coating, or slit coating.
  • wiring is formed on the dielectric layer using a conductor such as a metal.
  • a known semiconductor process such as a lithography process such as photolithography (resist lithography) or an etching process can be used.
  • a lithography process for example, a lithography process using a positive resist material and a lithography process using a negative resist material can be used.
  • the laminate of the fourth embodiment A may be a laminate produced in a process based on fan-out technology, in which terminals provided on a semiconductor chip substrate are mounted on a wiring layer extending outside the chip area.
  • examples of a method for separating (peeling) the electronic device layer from the support substrate include, but are not limited to, mechanical peeling using a material having a sharp portion after irradiating the release agent layer with light, and peeling between the support and the electronic device layer.
  • the release agent layer is altered (e.g., separated or decomposed) as described above, and then, for example, one of the substrates can be pulled up to easily separate the electronic device layer from the supporting substrate.
  • FIG. 7D to 7E are schematic cross-sectional views for explaining a method for separating the stack
  • Fig. 7F is a schematic cross-sectional view for explaining a cleaning method after separation of the stack.
  • Fig. 7D to Fig. 7F can explain one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor package (electronic component).
  • the step of separating the laminate is a step of irradiating release agent layer 23 with light (arrow) through support substrate 24 as shown in FIG. 7D to alter release agent layer 23, thereby separating electronic device layer 26 from support substrate 24.
  • Release agent layer 23 is irradiated with light (arrow) to modify release agent layer 23, and then support substrate 24 is separated from electronic device layer 26 as shown in FIG. 7E.
  • the conditions and method of irradiating the adhesive layer with light are as explained in the section of ⁇ Third embodiment A> above.
  • the substrate can be cleaned by spraying the cleaning composition onto at least one of the surfaces of the separated electronic device layer and the supporting substrate, or by immersing the separated electronic device layer or the supporting substrate in the cleaning composition.
  • the surface of the processed electronic device layer or the like may be cleaned using a removal tape or the like.
  • the adhesive layer 22 and the release agent layer 23 are attached to the electronic device layer 26, but the adhesive layer 22 and the release agent layer 23 can be removed by decomposing the adhesive layer 22 and the release agent layer 23 using a cleaning composition such as an acid or an alkali.
  • a processed electronic device layer electroactive component
  • Embodiment A of the method for producing a textured electronic device layer of the present invention may include steps other than those described above.
  • the electronic device layer and the support substrate are temporarily bonded by the adhesive layer in a manner that allows them to be suitably peeled off.
  • the support substrate is optically transparent, the electronic device layer and the support substrate can be easily separated by irradiating the release agent layer with light from the support substrate side of the laminate. Peeling is usually performed after the electronic device layer of the laminate has been processed.
  • Embodiment B of the laminate according to the present invention comprises a semiconductor substrate or an electronic device layer, a supporting substrate, and an adhesive layer for peeling off by light irradiation.
  • the supporting substrate is optically transparent.
  • the light-release adhesive is provided between the semiconductor substrate or electronic device layer and the supporting substrate.
  • the embodiment B of the laminate is used in such a manner that the semiconductor substrate or electronic device layer and the supporting substrate are peeled off after the adhesive layer absorbs light irradiated from the supporting substrate side.
  • the adhesive layer for peeling off by light irradiation is a layer formed from the above-mentioned adhesive composition for peeling off by light irradiation of the present invention.
  • the laminate by using an adhesive layer formed from the adhesive composition for peeling by light irradiation of the present invention, the laminate has excellent peelability even without a release agent layer.
  • the embodiment B of the laminate of the present invention is used for temporary bonding in order to process a semiconductor substrate or an electronic device layer, and can be suitably used for processing such as thinning a semiconductor substrate or an electronic device layer. While the semiconductor substrate is being processed, such as thinned, the semiconductor substrate is supported by the support substrate. On the other hand, after processing the semiconductor substrate, the adhesive layer is irradiated with light, and then the support substrate and the semiconductor substrate are separated.
  • the novolac resin contained in the adhesive composition for light irradiation peeling of the present invention absorbs light (e.g., laser light) in the adhesive layer formed from the adhesive composition, and alters the adhesive layer (e.g., separates or decomposes).
  • the adhesive layer is irradiated with light
  • the semiconductor substrate and the support substrate are easily peeled off.
  • the electronic device layer is supported by the support substrate.
  • the adhesive layer is irradiated with light, and then the support substrate and the electronic device layer are separated from each other.
  • the adhesive layer according to the present invention facilitates peeling of the semiconductor substrate or electronic device layer from the supporting substrate after irradiation with light.
  • the residue of the adhesive layer remaining on the semiconductor substrate, electronic device layer, or supporting substrate after the semiconductor substrate or electronic device layer is peeled from the supporting substrate can be removed, for example, with a cleaning composition for cleaning semiconductor substrates and the like.
  • the laminate of the present invention has a single adhesive layer, and therefore can be easily produced and has excellent productivity.
  • the wavelength of the light used for peeling is, for example, preferably 250 to 600 nm, more preferably 250 to 370 nm. More preferably, the wavelength is 308 nm, 343 nm, 355 nm, 365 nm, or 532 nm.
  • the amount of light required for peeling is an amount that can cause suitable alteration, such as decomposition, of the novolac resin.
  • the light used for the peeling may be laser light or non-laser light emitted from a light source such as an ultraviolet lamp.
  • the laminated body will be described in detail below, with respect to the case where the laminated body includes a semiconductor substrate and the case where the laminated body includes an electronic device layer.
  • the case where the laminate has a semiconductor substrate is described below in ⁇ First embodiment B>, and the case where the laminate has an electronic device layer is described below in ⁇ Second embodiment B>.
  • the semiconductor substrate may be the semiconductor substrate described in the first embodiment A.
  • the supporting substrate may be the supporting substrate described in the first embodiment A.
  • the adhesive layer is a layer formed from an adhesive composition.
  • the adhesive layer is provided between the semiconductor substrate and the support substrate.
  • the adhesive layer may be in contact with either the supporting substrate or the semiconductor substrate.
  • the adhesive layer is formed using the above-mentioned adhesive composition for peeling off by light irradiation of the present invention.
  • the adhesive composition of the present invention can be suitably used for forming an adhesive layer of a laminate having a semiconductor substrate, a support substrate, and an adhesive layer provided between the semiconductor substrate and the support substrate.
  • the laminate is used in such a way that the semiconductor substrate and the support substrate are peeled off after the adhesive layer absorbs light irradiated from the support substrate side.
  • One of the features of the adhesive layer obtained from the adhesive composition of the present invention is that the semiconductor substrate and the supporting substrate can be easily peeled off after irradiation with light.
  • the novolac resin When forming an adhesive layer from the adhesive composition, the novolac resin is thought to react with the siloxane skeleton-containing epoxy resin.
  • the thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but is usually 1 to 500 ⁇ m. From the viewpoint of maintaining film strength, it is preferably 1.5 ⁇ m or more, more preferably 2 ⁇ m or more, and even more preferably 3 ⁇ m or more. From the viewpoint of avoiding non-uniformity due to a thick film, it is preferably 500 ⁇ m or less, more preferably 200 ⁇ m or less, even more preferably 100 ⁇ m or less, and even more preferably 50 ⁇ m or less.
  • the thickness of the adhesive layer can be measured, for example, by using an optical or contact type film thickness meter. The method for forming the adhesive layer from the adhesive composition will be described in detail in the section below entitled "Production method of an example of the laminate in the first embodiment B.”
  • the laminate in FIG. 8 includes a semiconductor substrate 1, an adhesive layer 2, and a support substrate 4 in this order.
  • the adhesive layer 2 is provided between the semiconductor substrate 1 and the support substrate 4.
  • the adhesive layer 2 is in contact with the semiconductor substrate 1 and the support substrate 4.
  • An example of the laminate of the present invention can be produced, for example, by a method including the following First Step B to Second Step B.
  • First step B A step of applying an adhesive composition onto a semiconductor substrate to form an adhesive coating layer.
  • Second step B A step of heating the adhesive coating layer to form an adhesive layer.
  • the method for applying the adhesive composition is not particularly limited, but is usually a spin coating method. Alternatively, a method may be adopted in which a coating film is formed by a separate spin coating method or the like to form a sheet-like coating film, and the sheet-like coating film is attached as an adhesive coating layer.
  • the heating temperature of the applied adhesive composition cannot be generally specified because it varies depending on the type and amount of adhesive components contained in the adhesive composition, the boiling point of the solvent used, the desired thickness of the adhesive layer, etc., but from the viewpoint of realizing a suitable adhesive layer with good reproducibility, it is 80°C or higher and 300°C or lower, and the heating time is appropriately determined usually within the range of 10 seconds to 10 minutes depending on the heating temperature.
  • the heating temperature is preferably 100°C or higher and 280°C or lower, more preferably 150°C or higher and 250°C or lower.
  • the heating time is preferably 30 seconds or higher and 8 minutes or lower, more preferably 1 minute or higher and 5 minutes or lower. Heating can be carried out using a hot plate, an oven, or the like.
  • the applied adhesive composition is heated.
  • the thickness of the adhesive coating layer obtained by applying the adhesive composition and heating it if necessary is usually about 1 to 500 ⁇ m, and is appropriately determined so that the final thickness of the adhesive layer falls within the above-mentioned range.
  • the laminate of the present invention can be obtained by applying a load in the thickness direction of the semiconductor substrate and the support substrate while performing a heat treatment or a decompression treatment or both, and then performing a post-heat treatment.
  • the treatment conditions to be adopted, whether a heat treatment, a decompression treatment, or a combination of both, are appropriately determined taking into consideration various factors such as the type of adhesive composition, the film thickness, and the desired adhesive strength.
  • the heating temperature is usually determined appropriately from the range of 20 to 160°C, from the viewpoint of removing the solvent from the composition. In particular, from the viewpoint of suppressing or avoiding excessive hardening or unnecessary deterioration of the adhesive components, it is preferably 150°C or less, more preferably 130°C or less.
  • the heating time is determined appropriately depending on the heating temperature and type of adhesive, but from the viewpoint of reliably achieving suitable adhesion, it is usually 30 seconds or more, preferably 1 minute or more, and from the viewpoint of suppressing deterioration of the adhesive layer and other components, it is usually 10 minutes or less, preferably 5 minutes or less.
  • the reduced pressure treatment can be carried out by exposing the adhesive coating layers that come into contact with each other to an air pressure of 10 to 10,000 Pa.
  • the reduced pressure treatment time is usually 1 to 30 minutes.
  • the load applied in the thickness direction of the semiconductor substrate and the support substrate is not particularly limited as long as it does not adversely affect the semiconductor substrate and the support substrate and the layers between them and can firmly adhere them to each other, but is usually within the range of 10 to 50,000 N.
  • the post-heating temperature is preferably 120° C. or higher from the viewpoint of realizing a sufficient curing speed, and is preferably 260° C. or lower from the viewpoint of preventing deterioration of the substrate and each layer.
  • the post-heating time is usually 1 minute or more, and preferably 5 minutes or more, from the viewpoint of achieving suitable bonding of the substrates and layers constituting the laminate, and is usually 180 minutes or less, and preferably 120 minutes or less, from the viewpoint of suppressing or avoiding adverse effects on each layer due to excessive heating.
  • the post-heating can be performed using a hot plate, an oven, etc.
  • either the semiconductor substrate or the support substrate of the laminate may be placed face down, but from the viewpoint of achieving suitable peeling with good reproducibility, it is preferable to perform the post-heating with the semiconductor substrate placed face down.
  • One purpose of the post-heat treatment is to achieve an adhesive layer that is a more suitable free-standing film.
  • FIGS. 9A and 9B are diagrams for explaining one embodiment of manufacturing a laminate.
  • a laminate is prepared in which an adhesive coating layer 2a is formed on a semiconductor substrate 1 (FIG. 9A).
  • This laminate can be obtained, for example, by coating an adhesive composition on the semiconductor substrate 1 and heating it.
  • the laminate shown in Fig. 9A and the support substrate 4 are bonded together so that the adhesive coating layer 2a contacts the support substrate 4.
  • a heating device (not shown; hot plate) is disposed on the surface of the semiconductor substrate 1 opposite to the surface where the adhesive coating layer 2a contacts, and the adhesive coating layer 2a is heated and hardened by the heating device to be converted into the adhesive layer 2 (Fig. 9B).
  • FIGS. 9A and 9B results in the laminate shown in FIG.
  • the adhesive composition may be applied to one of the substrates and heated in sequence.
  • ⁇ Second embodiment B> The laminate having the electronic device layer is used for processing the electronic device layer. During the processing of the electronic device layer, the electronic device layer is adhered to a supporting substrate. After processing of the electronic device layer, the adhesive layer is irradiated with light, and then the electronic device layer is separated from the supporting substrate.
  • ⁇ Adhesive Layer>> The adhesive layer is formed using the above-mentioned light-peelable adhesive composition of the present invention.
  • the detailed description of the adhesive layer is as described above in the section ⁇ Adhesive Layer>> of ⁇ First Embodiment B>>.
  • FIG. 10 shows a schematic cross-sectional view of an example of the laminate of the second embodiment B.
  • the laminate of FIG. 10 includes, in order, a support substrate 24, an adhesive layer 22, and an electronic device layer 26.
  • the electronic device layer 26 includes a plurality of semiconductor chip substrates 21 and sealing resin 25 that serves as a sealing material disposed between the semiconductor chip substrates 21 .
  • the adhesive layer 22 is provided between the electronic device layer 26 and the support substrate 24. The adhesive layer 22 contacts the electronic device layer 26 and the support substrate 24.
  • a method for producing a laminate will be described below by taking the laminate shown in FIG. 10 as an example among the laminates in the second embodiment B.
  • the laminate of the present invention can be produced, for example, by a method including the following first step B to fourth step B.
  • First step B A step of applying an adhesive composition to the surface of the support substrate to form an adhesive coating layer (further heating to form an adhesive layer, if necessary);
  • Second step B A step of placing a semiconductor chip substrate on the adhesive coating layer or adhesive layer, and bonding the semiconductor chip substrate to the adhesive coating layer or adhesive layer while performing at least one of a heating treatment and a decompression treatment;
  • Third step B A step of hardening the adhesive coating layer by post-heating to form an adhesive layer;
  • Fourth step B A step of sealing the semiconductor chip substrate fixed on the adhesive layer using a sealing resin.
  • a semiconductor chip substrate is placed on the adhesive coating layer or adhesive layer, and while performing at least one of a heating treatment and a decompression treatment, a load is applied in the thickness direction of the semiconductor chip substrate and the support substrate to bring them into close contact, and the semiconductor chip substrate is bonded to the adhesive coating layer or adhesive layer.
  • the third step B may be performed after bonding the semiconductor chip substrate to the adhesive coating layer in the second step B, or may be performed in conjunction with the second step B.
  • the semiconductor chip substrate may be placed on the adhesive coating layer, and the adhesive coating layer may be heated and cured while a load is applied in the thickness direction of the semiconductor chip substrate and the support substrate, thereby bonding the adhesive layer to the semiconductor chip substrate and the adhesive coating layer together and curing the adhesive coating layer to the adhesive layer.
  • the third step B may be performed before the second step B, and the semiconductor chip substrate may be placed on the adhesive layer, and the adhesive layer and the semiconductor chip substrate may be bonded together while applying a load in the thickness direction of the semiconductor chip substrate and the support substrate.
  • the application method, the heating temperature of the applied adhesive composition, the heating means, etc. are as described in the above ⁇ An example of the manufacturing method of the laminate in the first embodiment B>> of the above ⁇ First embodiment B>.
  • the laminate shown in FIG. 10 is produced.
  • 11A an adhesive coating layer 22' made of an adhesive composition is formed on a supporting substrate 24.
  • the adhesive coating layer 22' may be heated to form the adhesive layer 22.
  • 11B the semiconductor chip substrate 21 is placed on the adhesive layer 22 or the adhesive coating layer 22', and while performing at least one of a heating treatment and a decompression treatment, a load is applied in the thickness direction of the semiconductor chip substrate 21 and the support substrate 24 to bring them into close contact, and the semiconductor chip substrate 21 is bonded to the adhesive layer 22 or the adhesive coating layer 22'.
  • the adhesive coating layer 22' is post-heated to harden it into the adhesive layer 22, and the semiconductor chip substrate 21 is fixed to the adhesive layer 22.
  • the semiconductor chip substrate 21 fixed on the adhesive layer 22 is sealed with sealing resin 25.
  • the multiple semiconductor chip substrates 21 temporarily attached to the support substrate 24 via the adhesive layer 22 are sealed with sealing resin 25.
  • An electronic device layer 26 having the semiconductor chip substrates 21 and the sealing resin 25 disposed between the semiconductor chip substrates 21 is formed on the adhesive layer 22. In this manner, the electronic device layer 26 is a base material layer in which the multiple semiconductor chip substrates are embedded in the sealing resin.
  • the semiconductor chip substrate 21 is sealed with a sealing material.
  • a sealing material for sealing the semiconductor chip substrate 21 a material capable of insulating or sealing a member made of a metal or a semiconductor is used.
  • a resin composition (sealing resin) is used as the sealing material.
  • the type of sealing resin is not particularly limited as long as it can seal and/or insulate metals or semiconductors, but it is preferable to use, for example, an epoxy resin or a silicone resin.
  • the sealing material may contain other components such as a filler in addition to the resin component. Examples of the filler include spherical silica particles.
  • the temperature condition is, for example, 130 to 170° C.
  • the pressure applied to the semiconductor chip substrate 21 is, for example, 50 to 500 N/cm 2 .
  • the laminate according to the invention can be used to provide a method for producing a processed semiconductor substrate or a processed electronic device layer.
  • the "method of manufacturing a processed semiconductor substrate” uses the laminate described in the above (Laminate) in the ⁇ First embodiment> section.
  • the "method of manufacturing a processed electronic device layer” uses the laminate described in the above (Laminate) in the ⁇ Second embodiment B> section.
  • the "method for producing a processed semiconductor substrate” will be described in the ⁇ Third embodiment B> below, and the "method for producing a processed electronic device layer” will be described in the ⁇ Fourth embodiment B> below.
  • the method of producing a processed semiconductor substrate of the present invention includes the following step 5A B and the following step 6A B.
  • the method of producing a processed electronic device layer may further include the following step 7A B.
  • the 5A step B is the step B of processing the semiconductor substrate in the laminate described in the above section ⁇ First embodiment B>.
  • the 6A step is a step of separating the semiconductor substrate processed in the 5A step B from the supporting substrate.
  • the 7A step B is a step of cleaning the processed semiconductor substrate after the 6A step B.
  • the processing performed on the semiconductor substrate in the 5A step B is, for example, processing of the opposite side of the circuit surface of the wafer, and includes thinning the wafer by polishing the back surface of the wafer. After that, for example, through-silicon vias (TSVs) are formed, and then the thinned wafer is peeled off from the support substrate to form a wafer stack, which is then three-dimensionally mounted. In addition, for example, wafer back electrodes are formed before and after that. In the wafer thinning and TSV process, heat of about 250 to 350° C. is applied while the wafer is attached to the support substrate.
  • the laminate of the present invention, including the adhesive layer is usually heat-resistant to the load.
  • the processing performed on the semiconductor substrate in the 5A step B may be a step of dicing (dividing) the semiconductor substrate.
  • the processing is not limited to the above, and also includes, for example, the implementation of a mounting process for semiconductor components when a base material for mounting semiconductor components is temporarily bonded to a support substrate to support the base material.
  • the method of separating (peeling) the semiconductor substrate and the support substrate may be, after irradiating the adhesive layer with light, mechanical peeling using a tool having a sharp portion, peeling by pulling between the support and the semiconductor wafer, or the like, but is not limited to these.
  • the adhesive layer is altered (e.g., separated or decomposed) as described above, and then, for example, one of the substrates can be pulled up to easily separate the semiconductor substrate and the supporting substrate.
  • the irradiation of the adhesive layer with light does not necessarily have to be performed on the entire area of the adhesive layer. Even if the adhesive layer has a mixture of areas irradiated with light and areas not irradiated with light, as long as the adhesive layer as a whole has a sufficiently improved peeling ability, the semiconductor substrate and the support substrate can be separated by a slight external force, such as pulling up the support substrate.
  • the ratio and positional relationship between the areas irradiated with light and the areas not irradiated with light vary depending on the type of adhesive used, its specific composition, the thickness of the adhesive layer, the intensity of the irradiated light, etc., but a person skilled in the art can set the conditions appropriately without requiring excessive testing.
  • the manufacturing method of the processed semiconductor substrate of the present invention for example, when the support substrate of the laminate used has optical transparency, it is possible to shorten the light irradiation time when peeling by light irradiation from the support substrate side, and as a result, not only can the throughput be improved, but also the physical stress for peeling can be avoided, and the semiconductor substrate and the support substrate can be easily and efficiently separated only by light irradiation.
  • the amount of light irradiation for peeling is 50 to 3,000 mJ/cm 2.
  • the irradiation time is appropriately determined depending on the wavelength and the amount of irradiation.
  • the wavelength of the light used for peeling is, for example, preferably 250 to 600 nm, more preferably 250 to 370 nm. More preferred wavelengths are 308 nm, 343 nm, 355 nm, 365 nm, or 532 nm.
  • the amount of light required for peeling is an amount that can cause suitable alteration, such as decomposition, of the novolac resin.
  • the light used for the peeling may be laser light or non-laser light emitted from a light source such as an ultraviolet lamp.
  • the substrates can be cleaned by spraying the cleaning composition onto at least one of the surfaces of the separated semiconductor substrate and the supporting substrate, or by immersing the separated semiconductor substrate or the supporting substrate in the cleaning composition.
  • the surface of the processed semiconductor substrate or the like may be cleaned using a removal tape or the like.
  • a 7A step of cleaning the processed semiconductor substrate may be performed.
  • the cleaning composition used for cleaning may be the same as that described in the above ⁇ Third embodiment A>.
  • embodiment B of the method for producing a processed semiconductor substrate of the present invention may be modified in various ways without departing from the spirit and scope of the present invention.
  • the embodiment B of the method for producing a processed semiconductor substrate of the present invention may include steps other than the steps described above.
  • the peeling method of the present invention is a method for separating the semiconductor substrate and the supporting substrate of the laminate of the present invention from each other by irradiating the adhesive layer with light from the semiconductor substrate side or the supporting substrate side when the semiconductor substrate or the supporting substrate of the laminate of the present invention has optical transparency.
  • the semiconductor substrate and the support substrate are temporarily bonded by the adhesive layer in a suitably peelable manner, so that, for example, when the support substrate has optical transparency, the semiconductor substrate and the support substrate can be easily separated by irradiating the adhesive layer with light from the support substrate side of the laminate.
  • the peeling is performed after the semiconductor substrate of the laminate has been processed.
  • FIG. 12A This laminate is the same as the laminate shown in FIGS. 8 and 9B.
  • a polishing device (not shown) is used to polish the surface of the semiconductor substrate 1 opposite to the surface in contact with the adhesive layer 2, thereby thinning the semiconductor substrate 1 ( FIG. 12B ).
  • the thinned semiconductor substrate 1 may be subjected to formation of a through electrode or the like.
  • the adhesive layer 2 is irradiated with light from the side of the supporting substrate 4, and then the thinned semiconductor substrate 1 and the supporting substrate 4 are separated using a peeling device (not shown) (FIG. 12C). A thinned semiconductor substrate 1 is then obtained (FIG. 12D).
  • residues of the adhesive layer 2 may remain on the thinned semiconductor substrate 1. Therefore, it is preferable to clean the thinned semiconductor substrate 1 with a cleaning agent composition to remove the residues of the adhesive layer 2 from the semiconductor substrate 1.
  • the method for producing a processed electronic device layer of the present invention includes the following 5B step B and the following 6B step B.
  • the method for producing a processed electronic device layer may further include the following 7B step B.
  • the 5B step B is a step B of processing the electronic device layer in the laminate described in the above section ⁇ Second embodiment B>.
  • the 6B step is a step of separating the electronic device layer processed in the 5B step from the supporting substrate.
  • the 7B step is a step of cleaning the processed electronic device layer after the 6B step.
  • a specific example of the fourth embodiment B will be described below with reference to FIGS. 13A to 13F.
  • the processing performed on the electronic device layer in step 5B B includes, for example, a grinding process and a wiring layer formation process.
  • the grinding step is a step of grinding away the resin portion of the sealing resin 25 in the electronic device layer 26 so that a part of the semiconductor chip substrate 21 is exposed. Grinding of the sealing resin portion is performed, for example, as shown in Fig. 13B, by grinding the layer of sealing resin 25 of the stack shown in Fig. 13A until it has a thickness substantially equal to that of the semiconductor chip substrate 21.
  • the stack shown in Fig. 13A is the same stack as the stack shown in Figs. 10 and 11C.
  • the wiring layer forming step is a step of forming a wiring layer on the semiconductor chip substrate 21 exposed after the grinding step.
  • a wiring layer 28 is formed on an electronic device layer 26 made up of a semiconductor chip substrate 21 and a layer of sealing resin 25 .
  • the wiring layer 28 is also called an RDL (Redistribution Layer), and is a thin-film wiring body constituting wiring connected to a substrate, and may have a single-layer or multiple-layer structure.
  • the wiring layer 28 may be, but is not limited to, wiring formed by a conductor (e.g., metals such as aluminum, copper, titanium, nickel, gold, and silver, and alloys such as silver-tin alloy) between dielectrics (e.g., silicon oxide (SiO x ), photosensitive resins such as photosensitive epoxy, etc.).
  • the method for forming the wiring layer 28 may be, for example, the method mentioned in the ⁇ Wiring Layer Forming Step>> of the above ⁇ Fourth Embodiment A>.
  • the laminate of the fourth embodiment B may be a laminate produced in a process based on fan-out technology, in which terminals provided on a semiconductor chip substrate are mounted on a wiring layer extending outside the chip area.
  • the method of separating (peeling) the electronic device layer from the support substrate may be, after irradiating the adhesive layer with light, mechanical peeling using a material having a sharp portion, or peeling by pulling the support and the electronic device layer apart, but is not limited to these.
  • the adhesive layer is altered (e.g., separated or decomposed) as described above, and then, for example, one of the substrates can be lifted up to easily separate the electronic device layer from the supporting substrate.
  • FIG. 13D to 13E are schematic cross-sectional views for explaining a method for separating the stack
  • Fig. 13F is a schematic cross-sectional view for explaining a cleaning method after separation of the stack.
  • Fig. 13D to Fig. 13F can explain one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor package (electronic component).
  • the process of separating the laminate is a process in which, as shown in FIG. 13D , light (arrow) is irradiated onto adhesive layer 22 through support substrate 24 to alter adhesive layer 22, thereby separating electronic device layer 26 from support substrate 24.
  • the adhesive layer 22 is irradiated with light (arrow) to change the properties of the adhesive layer 22, the support substrate 24 is separated from the electronic device layer 26 as shown in FIG. 13E.
  • the conditions and method of irradiating the adhesive layer 22 with light are as described above in the section ⁇ Third embodiment B>.
  • the substrate can be cleaned by spraying the cleaning composition onto at least one of the surfaces of the separated electronic device layer and the supporting substrate, or by immersing the separated electronic device layer or the supporting substrate in the cleaning composition.
  • the surface of the processed electronic device layer or the like may be cleaned using a removal tape or the like.
  • the adhesive layer 22 is attached to the electronic device layer 26, but the adhesive layer 22 can be removed by decomposing the adhesive layer 22 using a cleaning composition such as an acid or an alkali. By removing the adhesive layer, a processed electronic device layer (electronic component) as shown in Fig. 13F can be suitably obtained.
  • Embodiment B of the method for producing a textured electronic device layer of the present invention may include steps other than those described above.
  • the electronic device layer and the support substrate are temporarily bonded by the adhesive layer in a suitably peelable manner, so that, for example, when the support substrate has optical transparency, the electronic device layer and the support substrate can be easily separated by irradiating the adhesive layer with light from the support substrate side of the laminate. Peeling is usually performed after processing of the electronic device layer of the laminate.
  • the resulting precipitate was collected by filtration, washed with methanol, and dried under reduced pressure at 60°C to obtain a novolac resin.
  • the weight average molecular weight of the novolac resin, which is a polymer was 5,300.
  • the weight average molecular weight was measured using a GPC apparatus (EcoSEC, HLC-8220GPC manufactured by Tosoh Corporation) and GPC columns (Shodex KF-803L, KF-802 and KF-801 manufactured by Showa Denko K.K., in this order), at a column temperature of 40° C., using tetrahydrofuran as an eluent (elution solvent), at a flow rate (flow velocity) of 1.00 mL/min, and using polystyrene (manufactured by Sigma-Aldrich Co.) as a standard sample.
  • the resulting novolak resin has the following repeating units:
  • the weight average molecular weight of the polymer novolac resin was 9,300.
  • the weight average molecular weight was measured using a GPC apparatus (EcoSEC, HLC-8220GPC manufactured by Tosoh Corporation) and GPC columns (Shodex KF-803L, KF-802 and KF-801 manufactured by Showa Denko K.K., in this order), at a column temperature of 40° C., using tetrahydrofuran as an eluent (elution solvent), at a flow rate (flow velocity) of 1.00 mL/min, and using polystyrene (manufactured by Sigma-Aldrich Co.) as a standard sample.
  • the resulting novolak resin has the following repeating units:
  • the weight average molecular weight of the novolac resin which is a polymer, was 1,200.
  • the weight average molecular weight was measured using a GPC apparatus (EcoSEC, HLC-8220GPC manufactured by Tosoh Corporation) and GPC columns (Shodex KF-803L, KF-802 and KF-801 manufactured by Showa Denko K.K., in this order), at a column temperature of 40° C., using tetrahydrofuran as an eluent (elution solvent), at a flow rate (flow velocity) of 1.00 mL/min, and using polystyrene (manufactured by Sigma-Aldrich Co.) as a standard sample.
  • Preparation Example A8 2.9 g of the novolak resin obtained in Synthesis Example A2 and 0.6 g of epoxy-modified silicone EP-3400L (manufactured by ADEKA CORPORATION) as a crosslinking agent were dissolved in 23.3 g of propylene glycol monomethyl ether acetate and 23.3 g of propylene glycol monomethyl ether as a solvent, and the resulting solution was filtered using a polyethylene microfilter having a pore size of 0.2 ⁇ m to obtain release agent composition 6.
  • Epoxy modified silicone KF-105 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
  • Epoxy modified silicone KF-1005 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
  • Epoxy modified silicone EP-3400L (made by ADEKA Corporation)
  • Epoxy modified silicone KR-470 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
  • Example A1-1 Confirmation of film removability
  • the release agent composition 1 obtained in Preparation Example A3 was spin-coated onto a 4-inch bare silicon wafer so as to give a final film thickness of 200 nm, and heated at 250° C. for 5 minutes to form a film on the bare silicon wafer. Substrates on which films were formed were prepared in the number required for evaluation.
  • Examples A1-2 to A1-5 A film was formed on a bare silicon wafer in the same manner as in Example A1, except that the release agent composition 1 obtained in Preparation Example A3 was replaced with the release agent composition 2 to 5 obtained in Preparation Examples A4 to A7, respectively.
  • Example A1-6 The release agent composition 6 obtained in Preparation Example A8 was spin-coated onto a 4-inch bare silicon wafer so as to give a final film thickness of 200 nm, and heated at 230° C. for 30 minutes to form a film on the bare silicon wafer.
  • Example A1-7 The release agent composition 7 obtained in Preparation Example A9 was spin-coated onto a 4-inch bare silicon wafer so as to give a final film thickness of 200 nm, and heated at 250° C. for 30 minutes to form a film on the bare silicon wafer.
  • Examples A1-8 to A1-10 A film was formed on a bare silicon wafer in the same manner as in Example A1, except that the release agent composition 1 obtained in Preparation Example A3 was replaced with the release agent composition 8 to 10 obtained in Preparation Examples A10 to A12, respectively.
  • Example A1-11 The release agent composition 11 obtained in Preparation Example A13 was spin-coated on a 4-inch bare silicon wafer so as to give a final film thickness of 300 nm, and heated at 230° C. for 5 minutes to form a film on the substrate. The required number of substrates on which films were formed were produced.
  • Example A2-1 Production of laminate
  • the release agent composition 1 obtained in Preparation Example A3 was spin-coated onto a 300 mm glass wafer (EAGLE-XG, manufactured by Corning Incorporated, thickness 700 ⁇ m) as a carrier-side substrate, and baked on a hot plate at 250° C. for 5 minutes to form a release agent coating layer on the glass wafer as a supporting substrate such that the film thickness in the finally obtained laminate would be 200 nm.
  • the adhesive composition 1 obtained in Preparation Example A1 was spin-coated on the silicon wafer on the device wafer side to form an adhesive coating layer so that the film thickness in the final laminate was 60 ⁇ m.
  • the device wafer on which the adhesive coating layer was formed and the carrier-side support substrate on which the release agent coating layer was formed were bonded together so as to sandwich the adhesive coating layer and the release agent coating layer, and then a post-heat treatment was performed at 200° C. for 10 minutes to produce a laminate.
  • the bonding was performed at a temperature of 23° C. and a reduced pressure of 1,500 Pa. The required number of laminates were produced.
  • the silicon wafer of the obtained laminate was attached and fixed to a dicing tape (DU-300, manufactured by Nitto Denko Corporation).
  • the silicon wafer of the laminate fixed with the dicing tape was diced into individual chips of 4 x 4 cm using a dicing machine (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.).
  • a laser irradiation device a laser having a wavelength of 308 nm was irradiated from the glass wafer side of the individualized laminate to the peeling layer at 200 mJ/ cm2 , and the lowest irradiation amount at which peeling occurred was determined as the optimal irradiation amount.
  • Laminates were prepared in the same manner as in Example A2-1, except that the release agent composition 2 to 5 obtained in Preparation Examples A4 to A7 were used instead of the release agent composition 1 obtained in Preparation Example A3.
  • the evaluation was carried out in the same manner as in Example A2-1, and the results are shown in Table 2-1.
  • Example A2-6 A laminate was produced in the same manner as in Example A2-1, except that the release agent composition 6 obtained in Preparation Example A8 was used instead of the release agent composition 1 obtained in Preparation Example A3, and the baking conditions after application of the release agent composition were changed to 230° C. for 30 minutes. The evaluation was carried out in the same manner as in Example A2-1, and the results are shown in Table 2-1.
  • Example A2-7 A laminate was produced in the same manner as in Example A2-1, except that the release agent composition 7 obtained in Preparation Example A9 was used instead of the release agent composition 1 obtained in Preparation Example A3, and the baking conditions after application of the release agent composition were changed to 250° C. for 30 minutes.
  • the evaluation was carried out in the same manner as in Example A2-1, and the results are shown in Table 2-2.
  • Laminates were prepared in the same manner as in Example A2-1, except that the release agent composition 1 obtained in Preparation Example A3 was replaced with the release agent compositions 8 to 10 obtained in Preparation Examples A10 to A12, respectively.
  • the evaluation was carried out in the same manner as in Example A2-1, and the results are shown in Table 2-2.
  • Example A2-11 A laminate was produced in the same manner as in Example A2-1, except that the release agent composition 1 obtained in Preparation Example A3 was replaced with the release agent composition 11 obtained in Preparation Example A13, and the baking conditions after application of the release agent composition were changed to 230° C. and 5 minutes. The evaluation was carried out in the same manner as in Example A2-1, and the results are shown in Table 2-2.
  • Example A2-1 A laminate was produced in the same manner as in Example A2-1, except that the release agent composition 1 obtained in Preparation Example A3 was replaced with the release agent compositions 12 and 13 obtained in Comparative Preparation Examples A1 and A2, respectively, and the baking conditions after application of the release agent composition were changed to 250° C. and 30 minutes.
  • the evaluation was carried out in the same manner as in Example A2-1, and the results are shown in Table 2-2.
  • Second Example An example of the adhesive composition of the present invention will be described below as a second example.
  • Vacuum bonding device XBS300 manufactured by SUSS MicroTec Co., Ltd.
  • Inert gas oven INL-60NI, manufactured by Koyo Thermo Systems Co., Ltd.
  • Laser irradiation device Lambda SX manufactured by Coherent Corporation
  • Dicing machine SS30 manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.
  • the weight average molecular weight was measured using a GPC apparatus (EcoSEC, HLC-8220GPC manufactured by Tosoh Corporation) and GPC columns (Shodex KF-803L, KF-802 and KF-801 manufactured by Showa Denko K.K., in this order), at a column temperature of 40° C., using tetrahydrofuran as an eluent (elution solvent), at a flow rate (flow velocity) of 1.00 mL/min, and using polystyrene (manufactured by Sigma-Aldrich Co.) as a standard sample.
  • the resulting novolak resin has the following repeating units:
  • the weight average molecular weight of the novolac resin which is a polymer
  • the weight average molecular weight was measured using a GPC apparatus (EcoSEC, HLC-8220GPC manufactured by Tosoh Corporation) and GPC columns (Shodex KF-803L, KF-802 and KF-801 manufactured by Showa Denko K.K., in this order), at a column temperature of 40° C., using tetrahydrofuran as an eluent (elution solvent), at a flow rate (flow velocity) of 1.00 mL/min, and using polystyrene (manufactured by Sigma-Aldrich Co.) as a standard sample.
  • the resulting novolak resin has the following repeating units:
  • Preparation Example B6 11.5 g of the novolak resin obtained in Synthesis Example B2 and 3.5 g of epoxy-modified silicone KF-005 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a crosslinking agent were dissolved in 15.0 g of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent, and the resulting solution was filtered using a polyethylene microfilter having a pore size of 0.2 ⁇ m, thereby obtaining adhesive composition 5.
  • Laminates were produced in the same manner as in Example B1-1, except that adhesive compositions B2 to B5 obtained in Preparation Examples B3 to B6 were used instead of the adhesive composition 1 obtained in Preparation Example B2.
  • an adhesive coating layer was formed by spin coating so that the film thickness in the final laminate was 15 ⁇ m, and evaluation was performed.
  • Comparative Example B1-1 The adhesive composition 6 obtained in Comparative Preparation Example B1 was spin-coated on a 12-inch bare silicon wafer so that the thickness of the final laminate was 3 ⁇ m to form an adhesive coating layer. Then, a laminate was produced using a vacuum lamination device in the same manner as in Example B1-1.
  • Example B2-1 Heat resistance test
  • Example B2-1 The laminate produced in Example B1-1 was placed in an inert gas oven and subjected to a heat treatment at 260° C. for 12 hours.
  • Examples B2-2 to B2-5 The laminates produced in Examples B1-2 to B1-5 were placed in an inert gas oven and subjected to a heat treatment under the same conditions as in Example B2-1.
  • Comparative Example B2-1 The laminate produced in Comparative Example B1-1 was placed in an inert gas oven and subjected to a heat treatment under the same conditions as in Example B2-1.
  • Example B6 Evaluation of peelability
  • a laser having a wavelength of 308 nm was irradiated from the glass wafer side to the adhesive layer at 200 mJ/ cm2 using a laser irradiation device, and the lowest irradiation amount at which peeling occurred was determined as the optimal irradiation amount.
  • a laser having a wavelength of 308 nm was irradiated from the glass wafer side of the laminate to the entire adhesive layer at the optimal irradiation amount, and the support substrate was manually lifted to confirm whether peeling was possible. If peeling was possible, it was determined as "OK”, and if peeling was not possible, it was determined as "NO".
  • the results are shown in Table 5.
  • Examples B3-2 to B3-5 The evaluation was carried out in the same manner as in Example B3-1, except that the laminates that had been subjected to the post-heat treatment in Examples B2-2 to B2-5 were used. The results are shown in Table 5.
  • Example B3-1 The evaluation was carried out in the same manner as in Example B3-1, except that the laminate that had been subjected to the post-heat treatment in Comparative Example B2-1 was used. The results are shown in Table 5.
  • Example B4-1 Evaluation of cleaning properties
  • the 12-inch bare silicon wafer obtained in Example B3-1 was attached and fixed on a dicing tape (DU-300, manufactured by Nitto Denko Corporation).
  • the silicon wafer fixed with the dicing tape was cut into 4 ⁇ 4 cm pieces using a dicing machine.
  • the individualized silicon wafer was immersed in 7 mL of the cleaning composition prepared in Preparation Example B1 for 5 minutes and dried with an air gun, and then the removability (cleanability) of the adhesive layer was investigated.
  • the surface of the silicon wafer was observed using an optical microscope. If no residue was observed after laser irradiation, it was rated as "OK”, and if residue was observed, it was rated as "NG”.
  • the results are shown in Table 6.
  • Examples B4-2 to B4-5 Evaluation was performed in the same manner as in Example B4-1, except that the 12-inch bare silicon wafers obtained in Examples B3-2 to B3-5 were used. The results are shown in Table 6. In Comparative Example B3-1, the adhesive layer could not be peeled off, so this evaluation was not performed.

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Abstract

光照射剥離用の剥離剤組成物又は光照射剥離用の接着剤組成物であって、　芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有するノボラック樹脂と、　シロキサン骨格含有エポキシ樹脂と、　溶媒と を含有する、剥離剤組成物又は接着剤組成物。

Description

光照射剥離用の剥離剤組成物、及び光照射剥離用の接着剤組成物
　本発明は、光照射剥離用の剥離剤組成物、光照射剥離用の接着剤組成物、積層体、及び加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法に関する。
　従来２次元的な平面方向に集積してきた半導体ウエハーは、より一層の集積化を目的に平面を更に３次元方向にも集積（積層）する半導体集積技術が求められている。この３次元積層はシリコン貫通電極（ＴＳＶ：ｔｈｒｏｕｇｈ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｖｉａ）によって結線しながら多層に集積していく技術である。多層に集積する際に、集積されるそれぞれのウエハーは形成された回路面とは反対側（即ち、裏面）を研磨によって薄化し、薄化された半導体ウエハーを積層する。
　薄化前の半導体ウエハー（ここでは単にウエハーとも呼ぶ）が、研磨装置で研磨するために支持体に接着される。その際の接着は研磨後に容易に剥離されなければならないため、仮接着と呼ばれる。この仮接着は支持体から容易に取り外されなければならず、取り外しに大きな力を加えると薄化された半導体ウエハーは、切断されたり変形したりすることがあり、その様なことが生じない様に、容易に取り外される。しかし、半導体ウエハーの裏面研磨時に研磨応力によって外れたりずれたりすることは好ましくない。従って、仮接着に求められる性能は研磨時の応力に耐え、研磨後に容易に取り外されることである。
　例えば研磨時の平面方向に対して高い応力（強い接着力）を持ち、取り外し時の縦方向に対して低い応力（弱い接着力）を有する性能が求められる。
　このような接着と分離プロセスのためにレーザー照射による方法が開示（例えば特許文献１、２を参照）されているが、昨今の半導体分野における更なる進展に伴い、レーザー等の光の照射による剥離に関わる新たな技術は、常に求められている。
　本出願人は、支持体と被加工物との間に剥離可能に接着した中間層を有し被加工物を加工するための積層体であり、該中間層は少なくとも支持体側に接した剥離層を含み、剥離層が支持体を介して照射される波長１９０ｎｍ～６００ｎｍの光を吸収し変質するノボラック樹脂を含む上記積層体を提案している（特許文献３を参照）。
特開２００４－６４０４０号公報 特開２０１２－１０６４８６号公報 国際公開第２０１９／０８８１０３号パンフレット
　光照射により剥離する方法においては、半導体ウエハーなどの半導体基板を加工した後に、光照射により剥離剤層を変質させ、支持基板からの半導体基板の剥離を容易にさせる。剥離後の半導体基板／又は支持基板の表面には、接着剤層、剥離剤層、及びそれらの残渣などの異物が付着していることがあるため、半導体基板及び／又は支持基板の洗浄が行われる。しかし、剥離剤層の種類によっては、半導体基板上及び支持基板上の異物が取り除かれにくく、洗浄が困難となることがある。
　また、特許文献３の技術によれば、光照射により剥離剤層を変質させ、支持基板からの半導体基板の剥離を容易にしている。
　しかしながら、光照射により接着剤層を変質させ、支持基板からの半導体基板の剥離を容易にすることについては検討されていない。また、接着剤層の種類によっては、半導体基板上及び支持基板上の異物が取り除かれにくく、洗浄が困難となることがある。
　本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであって、剥離性に優れることに加えて、洗浄性にも優れる剥離剤層が形成可能な光照射剥離用の剥離剤組成物、並びに、当該剥離剤組成物を用いた積層体、及び加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法を提供することを目的とする。
　また、本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであって、剥離性に優れることに加えて、洗浄性にも優れる接着剤層が形成可能な光照射剥離用の接着剤組成物、並びに、当該接着剤組成物を用いた積層体、及び加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、前記の課題を解決する為、鋭意検討を行った結果、前記の課題を解決出来ることを見出し、以下の要旨を有する本発明を完成させた。
　すなわち、本発明は以下を包含する。
　［１］　光照射剥離用の剥離剤組成物又は光照射剥離用の接着剤組成物であって、
　芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有するノボラック樹脂と、
　シロキサン骨格含有エポキシ樹脂と、
　溶媒と
を含有する、剥離剤組成物又は接着剤組成物。
　［２］　前記ノボラック樹脂が、下記式（Ｃ１－１）で表される構造単位、下記式（１－２）で表される構造単位、及び下記式（Ｃ１－３）で表される構造単位の少なくともいずれかを含む、［１］に記載の剥離剤組成物又は接着剤組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 （式中、Ｃ１は、窒素原子を含む芳香族化合物に由来する基を表す。
　Ｃ２は、第２級炭素原子、第４級炭素原子及び芳香族環からなる群から選ばれる少なくとも１種を側鎖に有する、第３級炭素原子又は第４級炭素原子を含む基を表すか又はメチレン基を表す。
　Ｃ３は、脂肪族多環化合物に由来する基を表す。
　Ｃ４は、フェノールに由来する基、ビスフェノールに由来する基、ナフトールに由来する基、ビフェニルに由来する基又はビフェノールに由来する基を表す。
　Ｃ５は、単結合、又はスチレンに由来する構造を有する基を表す。
　式（Ｃ１－１）中、Ｃ１、Ｃ２及びＣ５の少なくともいずれかは、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。
　式（Ｃ１－２）中、Ｃ１、Ｃ３及びＣ５の少なくともいずれかは、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。
　式（Ｃ１－３）中、Ｃ２、Ｃ４及びＣ５の少なくともいずれかは、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。）
　［３］　前記ノボラック樹脂が、前記式（Ｃ１－１）で表される構造単位として、下記式（Ｃ１－１－１）で表される構造単位及び下記式（Ｃ１－１－２）で表される構造単位の少なくともいずれかを含む、［２］に記載の剥離剤組成物又は接着剤組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 （式（Ｃ１－１－１）及び式（Ｃ１－１－２）中、Ｒ９０１及びＲ９０２は、環に置換する置換基を表し、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基又は置換されていてもよいアリール基を表す。
　Ｒ９０３は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基又は置換されていてもよいアリール基を表す。
　Ｒ９０４は、水素原子、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。
　Ｒ９０５は、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。
　Ｒ９０４の基とＲ９０５の基とは、互いに結合して２価の基を形成してもよい。
　Ａｒ９０１及びＡｒ９０２は、それぞれ独立して、芳香族環を表す。
　Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を表す。
　Ｚ１は、単結合、又はスチレンに由来する構造を有する基を表す。
　ｈ１及びｈ２は、それぞれ独立して、０～３の整数を表す。
　ｋ１及びｋ２は、それぞれ独立して、０～３の整数を表す。
　ｈ１とｋ１の合計は３以下である。ｈ２とｋ２の合計は３以下である。
　ｎは、１又は２の整数を表す。
　ただし、式（Ｃ１－１－１）で表される構造単位及び式（Ｃ１－１－２）で表される構造単位は、それぞれ独立して、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。）
　［４］　前記ノボラック樹脂が、前記式（Ｃ１－３）で表される構造単位として、下記式（Ｃ１－３－１）で表される構造単位を含む、［２］に記載の剥離剤組成物又は接着剤組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 （式（Ｃ１－３－１）中、Ｒ８０１は、環に置換する置換基を表し、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基又は置換されていてもよいアリール基を表す。
　Ｒ８０２は、水素原子、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。
　Ｒ８０３は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。
　Ｒ８０２の基とＲ８０３の基とは、互いに結合して２価の基を形成してもよい。
　Ａｒ８０１は、ベンゼン環、ナフタレン環、又はビフェニル構造を表す。
　Ｘ１１は、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を表す。
　Ｚ１は、単結合、又はスチレンに由来する構造を有する基を表す。
　ｈ１１は、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。
　ｋ１１は、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。
　Ａｒ８０１がベンゼン環のときｈ１１とｋ１１の合計は４以下であり、Ａｒ８０１がナフタレン環のときｈ１１とｋ１１の合計は６以下であり、Ａｒ８０１がビフェニル構造のときｈ１１とｋ１１の合計は８以下である。
　ただし、式（Ｃ１－３－１）で表される構造単位は、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。）
　［５］　前記シロキサン骨格含有エポキシ樹脂が、下記式（Ａ）で表される構造を含む、［１］から［４］のいずれかに記載の剥離剤組成物又は接着剤組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 （式（Ａ）中、Ｒ１は、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルケニル基、又は置換又は無置換のアリール基を表す。Ｒ２は、炭素原子数１～１０のアルキレン基を表す。Ｙは、単結合又は－Ｏ－を表す。Ｅｐは、下記式（Ａ－１）又は式（Ａ－２）で表される基を表す。＊は、結合手を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 （式（Ａ－１）及び式（Ａ－２）中、＊は、結合手を表す。）
　［６］　前記シロキサン骨格含有エポキシ樹脂が、下記式（ＳＥ１）～式（ＳＥ３）のいずれかで表される、［１］から［４］のいずれかに記載の剥離剤組成物又は接着剤組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 （式（ＳＥ１）中、Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立して、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルケニル基、又は置換又は無置換のアリール基を表す。Ｘ１０１は、下記式（ＥＡ）で表される基を表す。Ｙ１０１は、水素原子、ヒドロキシ基、又は炭素原子数１～３０の１価の基（ただし、Ｘ１０１とは異なる。）を表す。ｌは０又は１以上の整数を表す。ｍは１以上の整数を表す。ｎは０又は１以上の整数を表す。
　式（ＳＥ２）中、Ｒ２０１～Ｒ２０７は、それぞれ独立して、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルケニル基、又は置換又は無置換のアリール基を表す。Ｘ２０１及びＸ２０２は、それぞれ独立して、下記式（ＥＡ）で表される基を表す。Ｙ２０１は、水素原子、ヒドロキシ基、又は炭素原子数１～３０の１価の基を表す。ｌは０又は１以上の整数を表す。ｍは０又は１以上の整数を表す。
　式（ＳＥ３）中、Ｒ３０１～Ｒ３０４は、それぞれ独立して、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルケニル基、又は置換又は無置換のアリール基を表す。Ｘ３０１～Ｘ３０４は、それぞれ独立して、下記式（ＥＡ）で表される基を表す。ｍは１～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 （式（ＥＡ）中、Ｒ２は、炭素原子数１～１０のアルキレン基を表す。Ｙは、単結合又は－Ｏ－を表す。Ｅｐは、下記式（Ａ－１）又は式（Ａ－２）で表される基を表す。＊は、結合手を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
 （式（Ａ－１）及び式（Ａ－２）中、＊は、結合手を表す。）
　［７］　前記シロキサン骨格含有エポキシ樹脂の含有量が、前記ノボラック樹脂に対して、５質量％～４０質量％である、［１］から［６］のいずれかに記載の剥離剤組成物又は接着剤組成物。
　［８］　半導体基板又は電子デバイス層と、
　光透過性の支持基板と、
　前記半導体基板又は前記電子デバイス層と前記支持基板との間に設けられた、剥離剤層とを有し、
　前記剥離剤層が、［１］から［７］のいずれかに記載の剥離剤組成物から形成された剥離剤層である、積層体。
　［９］　前記半導体基板又は前記電子デバイス層と前記支持基板との間に設けられた、接着剤層を有する、［８］に記載の積層体。
　［１０］　加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法であって、
　［８］に記載の積層体の前記半導体基板が加工される第５Ａ工程、又は［８］に記載の積層体の前記電子デバイス層が加工される第５Ｂ工程と、
　前記第５Ａ工程によって加工された前記半導体基板と前記支持基板とが分離される第６Ａ工程、又は前記第５Ｂ工程によって加工された前記電子デバイス層と前記支持基板とが分離される第６Ｂ工程と、
を含む、加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法。
　［１１］　前記第６Ａ工程又は第６Ｂ工程が、前記積層体に対して、前記支持基板側からレーザーを照射する工程を含む、［１０］に記載の加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法。
　［１２］　半導体基板又は電子デバイス層と、
　光透過性の支持基板と、
　前記半導体基板又は前記電子デバイス層と前記支持基板との間に設けられた、接着剤層とを有し、
　前記接着剤層が、［１］から［７］のいずれかに記載の接着剤組成物から形成された接着剤層である、積層体。
　［１３］　加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法であって、
　［１２］に記載の積層体の前記半導体基板が加工される第５Ａ工程、又は［１２］に記載の積層体の前記電子デバイス層が加工される第５Ｂ工程と、
　前記第５Ａ工程によって加工された前記半導体基板と前記支持基板とが分離される第６Ａ工程、又は前記第５Ｂ工程によって加工された前記電子デバイス層と前記支持基板とが分離される第６Ｂ工程と、
を含む、加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法。
　［１４］　前記第６Ａ工程又は第６Ｂ工程が、前記積層体に対して、前記支持基板側からレーザーを照射する工程を含む、請求項１３に記載の加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法。
　本発明によれば、剥離性に優れることに加えて、洗浄性にも優れる剥離剤層が形成可能な光照射剥離用の剥離剤組成物、並びに、当該剥離剤組成物を用いた積層体、及び加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法を提供することができる。
　また、本発明によれば、剥離性に優れることに加えて、洗浄性にも優れる接着剤層が形成可能な光照射剥離用の接着剤組成物、並びに、当該接着剤組成物を用いた積層体、及び加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法を提供することができる。
図１は、第１の実施態様Ａにおける積層体の一例の概略断面図である。 図２Ａは、第１の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その１）。 図２Ｂは、第１の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その２）。 図２Ｃは、第１の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その３）。 図３は、第２の実施態様Ａにおける積層体の一例の概略断面図である。 図４は、第２の実施態様Ａにおける積層体の他の一例の概略断面図である。 図５Ａは、第２の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その１）。 図５Ｂは、第２の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その２）。 図５Ｃは、第２の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その３）。 図５Ｄは、第２の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その４）。 図６Ａは、第１の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その１）。 図６Ｂは、第１の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その２）。 図６Ｃは、第１の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その３）。 図６Ｄは、第１の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その４）。 図７Ａは、第２の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その１）。 図７Ｂは、第２の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その２）。 図７Ｃは、第２の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その３）。 図７Ｄは、第２の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その４）。 図７Ｅは、第２の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その５）。 図７Ｆは、第２の実施態様Ａにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その６）。 図８は、第１の実施態様Ｂにおける積層体の一例の概略断面図である。 図９Ａは、第１の実施態様Ｂにおける一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その１）。 図９Ｂは、第１の実施態様Ｂにおける一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その２）。 図１０は、第２の実施態様Ｂにおける積層体の一例の概略断面図である。 図１１Ａは、第２の実施態様Ｂにおける一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その１）。 図１１Ｂは、第２の実施態様Ｂにおける一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その２）。 図１１Ｃは、第２の実施態様Ｂにおける一例を示す積層体の製造方法を説明するための概略断面図である（その３）。 図１２Ａは、第１の実施態様Ｂにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その１）。 図１２Ｂは、第１の実施態様Ｂにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その２）。 図１２Ｃは、第１の実施態様Ｂにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その３）。 図１２Ｄは、第１の実施態様Ｂにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その４）。 図１３Ａは、第２の実施態様Ｂにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その１）。 図１３Ｂは、第２の実施態様Ｂにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その２）。 図１３Ｃは、第２の実施態様Ｂにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その３）。 図１３Ｄは、第２の実施態様Ｂにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その４）。 図１３Ｅは、第２の実施態様Ｂにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その５）。 図１３Ｆは、第２の実施態様Ｂにおける一例を示す積層体の加工方法を説明するための概略断面図である（その６）。
（光照射剥離用の剥離剤組成物、及び光照射剥離用の接着剤組成物）
　本発明の光照射剥離用の剥離剤組成物（以下、「剥離剤組成物」と称することがある）は、ノボラック樹脂と、シロキサン骨格含有エポキシ樹脂と、溶媒とを含有する。
　本発明の光照射剥離用の接着剤組成物（以下、「接着剤組成物」と称することがある）は、ノボラック樹脂と、シロキサン骨格含有エポキシ樹脂と、溶媒とを含有する。
　以下に、剥離剤組成物及び接着剤組成物の各成分を説明する。
＜ノボラック樹脂＞
　ノボラック樹脂は、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。
　ノボラック樹脂は、例えば、フェノール性化合物、カルバゾール化合物、及び芳香族アミン化合物の少なくともいずれかと、アルデヒド化合物、ケトン化合物、及びジビニル化合物の少なくともいずれかと、任意にスチレン化合物とを酸触媒下で縮合反応させて得られる樹脂である。
　フェノール性化合物としては、例えば、フェノール類、ナフトール類、アントロール類、ヒドロキシピレン類などが挙げられる。フェノール類としては、例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、ビスフェノールＡ、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ｐ－オクチルフェノール、９，９－ビス（４－ヒドロキシフェニル）フルオレン、１，１，２，２－テトラキス（４－ヒドロキシフェニル）エタンなどが挙げられる。ナフトール類としては、例えば、１－ナフトール、２－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、２，７－ジヒドロキシナフタレン、９，９－ビス（６－ヒドロキシナフチル）フルオレンなどが挙げられる。アントロール類としては、例えば、９－アントロールなどが挙げられる。ヒドロキシピレン類としては、例えば、１－ヒドロキシピレン、２－ヒドロキシピレンなどが挙げられる。
　カルバゾール化合物としては、例えば、カルバゾール、１，３，６，８－テトラニトロカルバゾール、３，６－ジアミノカルバゾール、３，６－ジブロモ－９－エチルカルバゾール、３，６－ジブロモ－９－フェニルカルバゾール、３，６－ジブロモカルバゾール、３，６－ジクロロカルバゾール、３－アミノ－９－エチルカルバゾール、３－ブロモ－９－エチルカルバゾール、４，４’ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル、４－グリシジルカルバゾール、４－ヒドロキシカルバゾール、９－（１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イルメチル）－９Ｈ－カルバゾール、９－アセチル－３，６－ジヨードカルバゾール、９－ベンゾイルカルバゾール、９－ベンゾイルカルバゾール－６－ジカルボキシアルデヒド、９－ベンジルカルバゾール－３－カルボキシアルデヒド、９－メチルカルバゾール、９－フェニルカルバゾール、９－ビニルカルバゾール、カルバゾールカリウム、カルバゾール－Ｎ－カルボニルクロリド、Ｎ－エチルカルバゾール－３－カルボキシアルデヒド、Ｎ－（（９－エチルカルバゾール－３－イル）メチレン）－２－メチル－１－インドリニルアミン等が挙げられる。
　芳香族アミン化合物としては、例えば、ジフェニルアミン、Ｎ－フェニル－１－ナフチルアミンなどが挙げられる。
　これらは、１種単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
　これらは、置換基を有していてもよい。例えば、これらは、芳香族環に置換基を有していてもよい。
　アルデヒド化合物としては、例えば、飽和脂肪族アルデヒド類、不飽和脂肪族アルデヒド類、ヘテロ環式アルデヒド類、芳香族アルデヒド類などが挙げられる。飽和脂肪族アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、バレルアルデヒド、カプロンアルデヒド、２－メチルブチルアルデヒド、ヘキシルアルデヒド、ウンデカンアルデヒド、７－メトキシ－３、７－ジメチルオクチルアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、３－メチル－２－ブチルアルデヒド、２－エチルヘキシルアルデヒド、グリオキザール、マロンアルデヒド、スクシンアルデヒド、グルタルアルデヒド、アジピンアルデヒドなどが挙げられる。不飽和脂肪族アルデヒド類としては、例えば、アクロレイン、メタクロレインなどが挙げられる。ヘテロ環式アルデヒド類としては、例えば、フルフラール、ピリジンアルデヒドなどが挙げられる。芳香族アルデヒド類としては、例えば、ベンズアルデヒド、ナフチルアルデヒド、アントリルアルデヒド、フェナントリルアルデヒド、サリチルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、３－フェニルプロピオンアルデヒド、トリルアルデヒド、（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）ベンズアルデヒド、アセトキシベンズアルデヒドなどが挙げられる。中でも、飽和脂肪族アルデヒド類、芳香族アルデヒド類が好ましい。
　ケトン化合物としては、例えば、ジアリールケトン化合物が挙げられる。ジアリールケトン化合物としては、例えば、ジフェニルケトン、フェニルナフチルケトン、ジナフチルケトン、フェニルトリルケトン、ジトリルケトンなどが挙げられる。
　ジビニル化合物としては、例えば、ジビニルベンゼン、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、４－ビニルシクロヘキセン、５－ビニルノルボルナ－２－エン、ジビニルピレン、リモネン、５－ビニルノルボルナジエンなどが挙げられる。
　これらは、１種単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
　スチレン化合物としては、スチレン構造を有する化合物であれば、特に制限されず、例えば、スチレン、α－メチルスチレン、ヒドロキシスチレン（ビニルフェノール）、カルボキシスチレン（ビニル安息香酸）、アルキルスチレン、ターシャリーブトオキシスチレンなどが挙げられる。
　これらは、１種単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
　ノボラック樹脂は、例えば、光を吸収し変質するノボラック樹脂である。当該変質は、例えば、光分解である。
　ノボラック樹脂は、例えば、下記式（Ｃ１－１）で表される構造単位、下記式（１－２）で表される構造単位、及び下記式（Ｃ１－３）で表される構造単位の少なくともいずれかを含む。
　例えば、ノボラック樹脂に含まれる、下記式（Ｃ１－１）で表される構造単位、下記式（１－２）で表される構造単位、及び下記式（Ｃ１－３）で表される構造単位の少なくともいずれかの構造単位は、少なくとも１単位あればよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
　式中、Ｃ１は、窒素原子を含む芳香族化合物に由来する基を表す。
　Ｃ２は、第２級炭素原子、第４級炭素原子及び芳香族環からなる群から選ばれる少なくとも１種を側鎖に有する、第３級炭素原子又は第４級炭素原子を含む基を表すか又はメチレン基を表す。
　Ｃ３は、脂肪族多環化合物に由来する基を表す。
　Ｃ４は、フェノールに由来する基、ビスフェノールに由来する基、ナフトールに由来する基、ビフェニルに由来する基又はビフェノールに由来する基を表す。
　Ｃ５は、単結合、又はスチレンに由来する構造を有する基を表す。
　式（Ｃ１－１）中、Ｃ１、Ｃ２及びＣ５の少なくともいずれかは、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。
　式（Ｃ１－２）中、Ｃ１、Ｃ３及びＣ５の少なくともいずれかは、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。
　式（Ｃ１－３）中、Ｃ２、Ｃ４及びＣ５の少なくともいずれかは、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。
　すなわち、ノボラック樹脂は、例えば、以下の構造単位の１種又は２種以上を含む。
　・窒素原子を含む芳香族化合物に由来する基と、第２級炭素原子、第４級炭素原子、及び芳香族環からなる群から選ばれる少なくとも１種を側鎖に有する、第３級炭素原子若しくは第４級炭素原子を含む基又はメチレン基と、任意にスチレンに由来する構造を有する基との結合を有する構造単位（式（Ｃ１－１））
　・窒素原子を含む芳香族化合物に由来する基と、脂肪族多環化合物に由来する基と、任意にスチレンに由来する構造を有する基との結合を有する構造単位（式（Ｃ１－２））
　・フェノールに由来する基、ビスフェノールに由来する基、ナフトールに由来する基、ビフェニルに由来する基又はビフェノールに由来する基と、第４級炭素原子、及び芳香族環からなる群から選ばれる少なくとも１種を側鎖に有する、第３級炭素原子若しくは第４級炭素原子を含む基又はメチレン基と、任意にスチレンに由来する構造を有する基との結合を有する構造単位（（式（Ｃ１－３））
　Ｃ１の窒素原子を含む芳香族化合物に由来する基は、例えば、カルバゾールに由来する基、Ｎ－フェニル－１－ナフチルアミンに由来する基、Ｎ－フェニル－２－ナフチルアミンに由来する基、Ｎ、Ｎ’－ジフェニル－１，４－フェニレンジアミンに由来する基等にすることができるが、これらに限定されない。
　Ｃ２の第２級炭素原子、第４級炭素原子及び芳香族環からなる群から選ばれる少なくとも１種を側鎖に有する、第３級炭素原子若しくは第４級炭素原子を含む基又はメチレン基は、例えば、１－ナフトアルデヒドに由来する基、１－ピレンカルボキシアルデヒドに由来する基、４－（トリフルオロメチル）ベンズアルデヒドに由来する基、２－エチルヘキシルアルデヒドに由来する基、アセトアルデヒドに由来する基等とすることができるが、これらに限定されない。
　Ｃ３の脂肪族多環化合物に由来する基は、ジシクロペンタジエンに由来する基とすることができるが、これに限定されない。
　Ｃ４は、フェノールに由来する基、ビスフェノールに由来する基、ナフトールに由来する基、ビフェニルに由来する基又はビフェノールに由来する基である。
　Ｃ５は、単結合、又はスチレンに由来する構造を有する基である。
　Ｃ５がスチレンに由来する構造を有する基である場合、Ｃ５は、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有していてもよい。
　好ましい態様においては、ノボラック樹脂は、式（Ｃ１－１）で表される構造単位として、例えば、下記式（Ｃ１－１－１）で表される構造単位を含む。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　式（Ｃ１－１－１）中、Ｒ９０１及びＲ９０２は、環に置換する置換基を表し、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基又は置換されていてもよいアリール基を表す。
　Ｒ９０３は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基又は置換されていてもよいアリール基を表す。
　Ｒ９０４は、水素原子、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。
　Ｒ９０５は、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。
　Ｒ９０４の基とＲ９０５の基とは、互いに結合して２価の基を形成してもよい。
　アルキル基及びアルケニル基の置換基としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アリール基、ヘテロアリール基等が挙げられる。
　アリール基及びヘテロアリール基の置換基としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルキル基、アルケニル基等が挙げられる。
　Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を表す。
　Ｚ１は、単結合、又はスチレンに由来する構造を有する基を表す。
　ｈ１及びｈ２は、それぞれ独立して、０～３の整数を表す。
　ｋ１及びｋ２は、それぞれ独立して、０～３の整数を表す。
　ｈ１とｋ１の合計は、３以下である。ｈ２とｋ２の合計は３以下である。
　ただし、式（Ｃ１－１－１）で表される構造単位は、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。
　例えば、式（Ｃ１－１－１）において、Ｒ９０４、Ｒ９０５及びＺ１の少なくともいずれかがヒドロキシ基又はカルボキシ基を有する場合、ｋ１及びｋ２は０であってもよい。
　例えば、式（Ｃ１－１－１）において、Ｒ９０４及びＲ９０５の少なくともいずれかがヒドロキシ基又はカルボキシ基を有するアリール基である場合であるか、又はＺ１が芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有している場合には、ｋ１及びｋ２は０であってもよい。
　例えば、式（Ｃ１－１－１）において、ｋ１及びｋ２が０の場合、Ｒ９０４、Ｒ９０５及びＺ１の少なくともいずれかはヒドロキシ基又はカルボキシ基を有することが好ましい。
　例えば、式（Ｃ１－１－１）において、ｋ１及びｋ２が０の場合、Ｒ９０４及びＲ９０５の少なくともいずれかはヒドロキシ基又はカルボキシ基を有するアリール基であるか、又はＺ１は芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有していることが好ましい。
　本明細書において、置換されていてもよいアルキル基及び置換されていてもよいアルケニル基の炭素原子数は、通常４０以下であり、溶解性の観点から、好ましくは３０以下、より好ましくは２０以下である。
　本明細書において、置換されていてもよいアリール基及びヘテロアリール基の炭素原子数は、通常４０以下であり、溶解性の観点から、好ましくは３０以下、より好ましくは２０以下である。
　本明細書において、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
　本明細書において、置換されていてもよいアルキル基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、ハロゲン化アルコキシ基などが挙げられる。
　本明細書において、置換されていてもよいアルケニル基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、ハロゲン化アルコキシ基などが挙げられる。
　本明細書において、置換されていてもよいアリール基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルコキシ基などが挙げられる。
　本明細書において、置換されていてもよいヘテロアリール基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルコキシ基などが挙げられる。
　置換されていてもよいアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、１－メチル－ｎ－ブチル基、２－メチル－ｎ－ブチル基、３－メチル－ｎ－ブチル基、１，１－ジメチル－ｎ－プロピル基、１，２－ジメチル－ｎ－プロピル基、２，２－ジメチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－ｎ－プロピル基、ｎ－ヘキシル、１－メチル－ｎ－ペンチル基、２－メチル－ｎ－ペンチル基、３－メチル－ｎ－ペンチル基、４－メチル－ｎ－ペンチル基、１,１－ジメチル－ｎ－ブチル基、１，２－ジメチル－ｎ－ブチル基、１，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、２，２－ジメチル－ｎ－ブチル基、２，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、３，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、１－エチル－ｎ－ブチル基、２－エチル－ｎ－ブチル基、１，１，２－トリメチル－ｎ－プロピル基、１，２，２－トリメチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－１－メチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－２－メチル－ｎ－プロピル基、２－エチルヘキシル基等が挙げられるが、これらに限定されない。
　置換されていてもよいアルケニル基の具体例としては、エテニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、１－メチル－１－エテニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、２－メチル－１－プロペニル基、２－メチル－２－プロペニル基、１－エチルエテニル基、１－メチル－１－プロペニル基、１－メチル－２－プロペニル基、１－ペンテニル基、２－ペンテニル基、３－ペンテニル基、４－ペンテニル基、１－ｎ－プロピルエテニル基、１－メチル－１－ブテニル基、１－メチル－２－ブテニル基、１－メチル－３－ブテニル基、２－エチル－２－プロペニル基、２－メチル－１－ブテニル基、２－メチル－２－ブテニル基、２－メチル－３－ブテニル基、３－メチル－１－ブテニル基、３－メチル－２－ブテニル基、３－メチル－３－ブテニル基、１，１－ジメチル－２－プロペニル基、１－ｉ－プロピルエテニル基、１，２－ジメチル－１－プロペニル基、１，２－ジメチル－２－プロペニル基、１－シクロペンテニル基、２－シクロペンテニル基、３－シクロペンテニル基、１－ヘキセニル基、２－ヘキセニル基、３－ヘキセニル基、４－ヘキセニル基、５－ヘキセニル基、１－メチル－１－ペンテニル基、１－メチル－２－ペンテニル基、１－メチル－３－ペンテニル基、１－メチル－４－ペンテニル基、１－ｎ－ブチルエテニル基、２－メチル－１－ペンテニル基、２－メチル－２－ペンテニル基、２－メチル－３－ペンテニル基、２－メチル－４－ペンテニル基、２－ｎ－プロピル－２－プロペニル基、３－メチル－１－ペンテニル基、３－メチル－２－ペンテニル基、３－メチル－３－ペンテニル基、３－メチル－４－ペンテニル基、３－エチル－３－ブテニル基、４－メチル－１－ペンテニル基、４－メチル－２－ペンテニル基、４－メチル－３－ペンテニル基、４－メチル－４－ペンテニル基、１，１－ジメチル－２－ブテニル基、１，１－ジメチル－３－ブテニル基、１，２－ジメチル－１－ブテニル基、１，２－ジメチル－２－ブテニル基、１，２－ジメチル－３－ブテニル基、１－メチル－２－エチル－２－プロペニル基、１－ｓ－ブチルエテニル基、１，３－ジメチル－１－ブテニル基、１，３－ジメチル－２－ブテニル基、１，３－ジメチル－３－ブテニル基、１－ｉ－ブチルエテニル基、２，２－ジメチル－３－ブテニル基、２，３－ジメチル－１－ブテニル基、２，３－ジメチル－２－ブテニル基、２，３－ジメチル－３－ブテニル基、２－ｉ－プロピル－２－プロペニル基、３，３－ジメチル－１－ブテニル基、１－エチル－１－ブテニル基、１－エチル－２－ブテニル基、１－エチル－３－ブテニル基、１－ｎ－プロピル－１－プロペニル基、１－ｎ－プロピル－２－プロペニル基、２－エチル－１－ブテニル基、２－エチル－２－ブテニル基、２－エチル－３－ブテニル基、１，１，２－トリメチル－２－プロペニル基、１－ターシャリーブチルエテニル基、１－メチル－１－エチル－２－プロペニル基、１－エチル－２－メチル－１－プロペニル基、１－エチル－２－メチル－２－プロペニル基、１－ｉ－プロピル－１－プロペニル基、１－ｉ－プロピル－２－プロペニル基、１－メチル－２－シクロペンテニル基、１－メチル－３－シクロペンテニル基、２－メチル－１－シクロペンテニル基、２－メチル－２－シクロペンテニル基、２－メチル－３－シクロペンテニル基、２－メチル－４－シクロペンテニル基、２－メチル－５－シクロペンテニル基、２－メチレン－シクロペンチル基、３－メチル－１－シクロペンテニル基、３－メチル－２－シクロペンテニル基、３－メチル－３－シクロペンテニル基、３－メチル－４－シクロペンテニル基、３－メチル－５－シクロペンテニル基、３－メチレン－シクロペンチル基、１－シクロヘキセニル基、２－シクロヘキセニル基、３－シクロヘキセニル基等が挙げられるが、これらに限定されない。
　置換されていてもよいアリール基の具体例としては、フェニル基、２－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、４－メチルフェニル基、２－クロロフェニル基、３－クロロフェニル基、４－クロロフェニル基、２－フルオロフェニル基、３－フルオロフェニル基、４－フルオロフェニル基、４－メトキシフェニル基、４－エトキシフェニル基、４－ニトロフェニル基、４－シアノフェニル基、２－ヒドロキシフェニル基、３－ヒドロキシフェニル基、４－ヒドロキシフェニル基、２－カルボキシフェニル基、３－カルボキシフェニル基、４－カルボキシフェニル基、４－アミルオキシフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、ビフェニル－４－イル基、ビフェニル－３－イル基、ビフェニル－２－イル基、１－アントリル基、２－アントリル基、９－アントリル基、１－フェナントリル基、２－フェナントリル基、３－フェナントリル基、４－フェナントリル基、９－フェナントリル基等が挙げられるが、これらに限定されない。
　置換されていてもよいヘテロアリール基の具体例としては、２－チエニル基、３－チエニル基、２－フラニル基、３－フラニル基、２－オキサゾリル基、４－オキサゾリル基、５－オキサゾリル基、３－イソオキサゾリル基、４－イソオキサゾリル基、５－イソオキサゾリル基、２－チアゾリル基、４－チアゾリル基、５－チアゾリル基、３－イソチアゾリル基、４－イソチアゾリル基、５－イソチアゾリル基等が挙げられるが、これらに限定されない。
　Ｚ１としては、例えば、下記式（Ｚ）で表される基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
 　式（Ｚ）中、Ｒ９１０は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基又は置換されていてもよいアリール基を表す。
　Ｒ９１１は、水素原子、又はメチル基を表す。
　Ｘ１０は、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を表す。
　ｈ１０及びｋ１０は、それぞれ独立して、０～３の整数を表す。ｈ１０とｋ１０の合計は５以下である。
　＊は、結合手を表す。
　Ｒ９１０の具体例としては、Ｒ９０１及びＲ９０２の説明で挙げた具体例が挙げられる。
　以下、式（Ｃ１－１－１）で表される構造単位の具体例を挙げるが、これらに限定されない。また芳香環上のヒドロキシ基やカルボキシ基の置換位置も限定されるわけではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　好ましい態様においては、ノボラック樹脂は、式（Ｃ１－１）で表される構造単位として、例えば、下記式（Ｃ１－１－２）で表される構造単位を含む。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
　式（Ｃ１－１－２）中、Ａｒ９０１及びＡｒ９０２は、それぞれ独立して、芳香族環を表し、Ｒ９０１～Ｒ９０５、Ｘ１及びＸ２、Ｚ１、ｈ１及びｈ２、並びにｋ１及びｋ２は、上記と同じ意味を表す。
　ｈ１とｋ１の合計は３以下である。ｈ２とｋ２の合計は３以下である。
　ｎは、１又は２の整数を表す。
　ただし、式（Ｃ１－１－２）で表される構造単位は、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。
　芳香族環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。
　例えば、式（Ｃ１－１－２）において、Ｒ９０４、Ｒ９０５及びＺ１の少なくともいずれかがヒドロキシ基又はカルボキシ基を有する場合、ｋ１及びｋ２は０であってもよい。
　例えば、式（Ｃ１－１－２）において、Ｒ９０４及びＲ９０５の少なくともいずれかがヒドロキシ基又はカルボキシ基を有するアリール基である場合であるか、又はＺ１が芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有している場合には、ｋ１及びｋ２は０であってもよい。
　例えば、式（Ｃ１－１－２）において、ｋ１及びｋ２が０の場合、Ｒ９０４、Ｒ９０５及びＺ１の少なくともいずれかはヒドロキシ基又はカルボキシ基を有することが好ましい。
　例えば、式（Ｃ１－１－２）において、ｋ１及びｋ２が０の場合、Ｒ９０４及びＲ９０５の少なくともいずれかはヒドロキシ基又はカルボキシ基を有するアリール基であるか、又はＺ１は芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有していることが好ましい。
　以下、式（Ｃ１－１－２）で表される構造単位の具体例を挙げるが、これらに限定されない。また芳香環上のヒドロキシ基やカルボキシ基の置換位置も限定されるわけではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
　好ましい態様においては、ノボラック樹脂は、式（Ｃ１－２）で表される構造単位として、例えば、下記式（Ｃ１－２－１）又は（１－２－２）で表される構造単位を含む。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
　上記式中、Ｒ９０６～Ｒ９０９は、環に結合する置換基であり、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基又は置換されていてもよいアリール基を表し、ハロゲン原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基及び置換されていてもよいアリール基の具体例及び好適な炭素原子数は、上述のものと同じものが挙げられ、ｈ３～ｈ６は、それぞれ独立して、０～３の整数を表す。
　Ｒ９０１～Ｒ９０５、Ｘ１及びＸ２、Ｚ１、ｈ１及びｈ２、並びにｋ１及びｋ２は、上記と同じ意味を表す。
　ｈ１とｋ１の合計は３以下である。ｈ２とｋ２の合計は３以下である。
　ただし、式（Ｃ１－２－１）で表される構造単位及び式（Ｃ１－２－２）で表される構造単位は、それぞれ独立して、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。
　以下、式（Ｃ１－２－１）及び（Ｃ１－２－２）で表される構造単位の具体例を挙げるが、これらに限定されない。また芳香環上のヒドロキシ基やカルボキシ基の置換位置も限定されるわけではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
　好ましい態様においては、ノボラック樹脂は、式（Ｃ１－３）で表される構造単位として、例えば、下記式（Ｃ１－３－１）で表される構造単位を含む。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
 　式（Ｃ１－３－１）中、Ｒ８０１は、環に置換する置換基を表し、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基又は置換されていてもよいアリール基を表す。
　Ｒ８０２は、水素原子、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。
　Ｒ８０３は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。
　Ｒ８０２の基とＲ８０３の基とは、互いに結合して２価の基を形成してもよい。
　アリール基及びヘテロアリール基の置換基としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルキル基、アルケニル基等が挙げられる。
　Ａｒ８０１は、ベンゼン環、ナフタレン環、又はビフェニル構造を表す。
　Ｘ１１は、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を表す。
　Ｚ１は、単結合、又はスチレンに由来する構造を有する基を表す。
　ｈ１１は、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。
　ｋ１１は、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。
　Ａｒ８０１がベンゼン環のときｈ１１とｋ１１の合計は４以下であり、Ａｒ８０１がナフタレン環のときｈ１１とｋ１１の合計は６以下であり、Ａｒ８０１がビフェニル構造のときｈ１１とｋ１１の合計は８以下である。
　ただし、式（Ｃ１－３－１）で表される構造単位は、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。
　例えば、式（Ｃ１－３－１）において、Ｒ８０２、Ｒ８０３及びＺ１の少なくともいずれかがヒドロキシ基又はカルボキシ基を有する場合、ｋ１１は０であってもよい。
　例えば、式（Ｃ１－３－１）において、Ｒ８０２及びＲ８０３の少なくともいずれかがヒドロキシ基若しくはカルボキシ基を有するアリール基である場合であるか、又はＺ１は芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有している場合には、ｋ１１は０であってもよい。
　例えば、式（Ｃ１－３－１）において、ｋ１１が０の場合、Ｒ８０２及びＲ８０３の少なくともいずれかは、ヒドロキシ基若しくはカルボキシ基を有するアリール基、又はヒドロキシ基若しくはカルボキシ基を有するヘテロアリール基である。
　以下、式（Ｃ１－３）で表される構造単位の具体例を挙げるが、これらに限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
　前述の通り、ノボラック樹脂は、例えば、フェノール性化合物、カルバゾール化合物、及び芳香族アミン化合物の少なくともいずれかと、アルデヒド化合物、ケトン化合物、及びジビニル化合物の少なくともいずれかと、任意にスチレン化合物とを酸触媒下で縮合反応させて得られる樹脂である。
　この縮合反応においては、例えば、カルバゾール化合物の環を構成するベンゼン環１当量に対して、通常、アルデヒド化合物又はケトン化合物を０．１～１０当量の割合で用いる。
　スチレン化合物を用いて、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかをノボラック樹脂に導入する際、反応原料としてのスチレン化合物は、保護基を有していてもよい。保護基を有するスチレン化合物としては、例えば、ターシャリーブトオキシスチレンが挙げられる。
　上記縮合反応では、通常、酸触媒を用いる。
　酸触媒としては、例えば硫酸、リン酸、過塩素酸等の鉱酸、ｐ－トルエンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸一水和物等の有機スルホン酸、蟻酸、シュウ酸等のカルボン酸が挙げられるが、これらに限定されない。
　酸触媒の量は、使用する酸の種類等に応じて適宜決定されるため一概に規定できないが、カルバゾール化合物１００質量部に対して、通常０．００１～１００００質量部の範囲から適宜定められる。
　上記縮合反応は、用いる原料化合物や酸触媒のいずれかが液体である場合には溶媒を用いずに行うことができるときもあるが、通常、溶媒を用いて行われる。
　このような溶媒は、反応を阻害しない限り特に限定されるものではないが、典型的には、エーテル化合物、エーテルエステル化合物などが挙げられる。
　エーテル化合物としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル化合物が挙げられる。
　エーテルエステル化合物としては、例えば、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネートなどが挙げられる。
　反応温度は、通常４０℃～２００℃の範囲から適宜定められ、反応時間は、反応温度によって異なるため一概に規定できないが、通常３０分～５０時間の範囲から適宜定められる。
　反応終了後は、必要があれば、定法に従って精製及び単離を行って、得られたノボラック樹脂を、剥離剤組成物及び接着剤組成物の調製に用いる。
　当業者であれば、上記説明及び技術常識に基づき、過度の負担なく、ノボラック樹脂の製造条件を定めることができ、それ故、ノボラック樹脂を製造することができる。
　ノボラック樹脂の重量平均分子量は、通常５００～２００，０００であり、溶媒への溶解性を確保する観点等から、好ましくは１００，０００以下、より好ましくは５０，０００以下、より一層好ましくは１０，０００以下、更に好ましくは５，０００以下、更に一層好ましくは３，０００以下であり、膜の強度を向上させる観点等から、好ましくは６００以上、より好ましくは７００以上、より一層好ましくは８００以上、更に好ましくは９００以上、更に一層好ましくは１，０００以上である。
　なお、本発明において、ノボラック樹脂の重量平均分子量及び数平均分子量並びに分散度は、例えば、ＧＰＣ装置（東ソー（株）製ＥｃｏＳＥＣ，ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ）及びＧＰＣカラム（東ソー（株）ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＭｕｌｔｉｐｏｒｅＨＺ－Ｎ，　ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＭｕｌｔｉｐｏｒｅＨＺ－Ｈ）を用い、カラム温度を４０℃とし、溶離液（溶出溶媒）としてテトラヒドロフランを用い、流量（流速）を０．３５ｍＬ／分とし、標準試料としてポリスチレン（シグマアルドリッチ社製）を用いて、測定することができる。
　剥離剤組成物におけるノボラック樹脂の含有量としては、特に制限されないが、剥離剤組成物の膜構成成分に対して、５０質量％～１００質量％が好ましく、６０質量％～９９質量％がより好ましく、７０質量％～９５質量％が特に好ましい。
　接着剤組成物におけるノボラック樹脂の含有量としては、特に制限されないが、接着剤組成物の膜構成成分に対して、５０質量％～１００質量％が好ましく、６０質量％～９９質量％がより好ましく、７０質量％～９５質量％が特に好ましい。
　なお、本発明において、膜構成成分とは、組成物に含まれる溶媒以外の成分を意味する。
＜シロキサン骨格含有エポキシ樹脂＞
　シロキサン骨格含有エポキシ樹脂は、シロキサン結合と、エポキシ基とを有する。
　シロキサン骨格含有エポキシ樹脂は、例えば、２以上のケイ素原子を有し、好ましくは４以上のケイ素原子を有する。
　シロキサン骨格含有エポキシ樹脂は、鎖状であってもよいし、環状であってもよい。
　シロキサン骨格含有エポキシ樹脂は、下記式（Ａ）で表される構造を含むことが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
 （式（Ａ）中、Ｒ１は、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルケニル基、又は置換又は無置換のアリール基を表す。Ｒ２は、炭素原子数１～１０のアルキレン基を表す。Ｙは、単結合又は－Ｏ－を表す。Ｅｐは、下記式（Ａ－１）又は式（Ａ－２）で表される基を表す。＊は、結合手を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
 （式（Ａ－１）及び式（Ａ－２）中、＊は、結合手を表す。）
　式（Ａ）中のＲ１の「置換又は無置換のアルキル基」における「アルキル基」としては、炭素原子数１～１０のアルキル基が好ましい。「アルキル基」としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、２－シクロヘキシルメチル基、２－シクロペンチルエチル基、２－シクロヘキシルエチル基等が挙げられる。
　式（Ａ）中のＲ１の「置換又は無置換のアルケニル基」における「アルケニル基」としては、炭素原子数２～１０のアルケニル基が好ましい。「アルケニル基」としては、例えば、ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、２－メチル－１－プロペニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、３－メチル－２－ブテニル基、１－ペンテニル基、２－ペンテニル基、３－ペンテニル基、４－ペンテニル基、４－メチル－３－ペンテニル基、１－ヘキセニル基、３－ヘキセニル基、５－ヘキセニル基、２－シクロヘキセニル基等が挙げられる。
　式（Ａ）中のＲ１の「置換又は無置換のアルキル基」におけるアルキル基の置換基、及び「置換又は無置換のアルケニル基」におけるアルケニル基の置換基としては、特に制限されないが、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル－オキシ基、アルキル－カルボニル基、アルキル－オキシ－カルボニル基、アルキル－カルボニル－オキシ基、アルケニル－オキシ基、アルケニル－カルボニル基、アルケニル－オキシ－カルボニル基、アルケニル－カルボニル－オキシ基、アリール基、アリール－オキシ基、アリール－カルボニル基、アリール－オキシ－カルボニル基、アリール－カルボニル－オキシ基等、或いはこれらの組み合わせが挙げられる。置換基数としては、１～３個であることが好ましく、１個であることがより好ましい。
　式（Ａ）中のＲ１の「置換又は無置換のアリール基」における「アリール基」としては、炭素原子数６～１４のアリール基が好ましい。「アリール基」としては、例えば、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等が挙げられる。
　Ｒ１の「置換又は無置換のアリール基」におけるアリール基の置換基としては、特に限定されるものではないが、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルキル－オキシ基、アルキル－カルボニル基、アルキル－オキシ－カルボニル基、アルキル－カルボニル－オキシ基、アルケニル基、アルケニル－オキシ基、アルケニル－カルボニル基、アルケニル－オキシ－カルボニル基、アルケニル－カルボニル－オキシ基、アリール基、アリール－アルキル基、アリール－アルケニル基、アリール－オキシ基、アリール－カルボニル基、アリール－オキシ－カルボニル基、アリール－カルボニル－オキシ基等、或いはこれらの組み合わせが挙げられる。置換基数としては、１～３個であることが好ましく、１個であることがより好ましい。
　「ハロゲン原子」としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる
。
　式（Ａ）中のＲ１としては、置換又は無置換のアルキル基が好ましく、（無置換）アルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、又はイソプロピル基が更により好ましく、メチル基が特に好ましい。
　シロキサン骨格含有エポキシ樹脂は、例えば、下記式（ＳＥ１）～式（ＳＥ３）のいずれかで表されることが好ましい。なお、下記式（ＳＥ１）～式（ＳＥ３）で表されるシロキサン骨格含有エポキシ樹脂において、繰り返し単位は、ランダムに配列していてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
 （式（ＳＥ１）中、Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立して、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルケニル基、又は置換又は無置換のアリール基を表す。Ｘ１０１は、下記式（ＥＡ）で表される基を表す。Ｙ１０１は、水素原子、ヒドロキシ基、又は炭素原子数１～３０の１価の基（ただし、Ｘ１０１とは異なる。）を表す。ｌは０又は１以上の整数を表す。ｍは１以上の整数を表す。ｎは０又は１以上の整数を表す。
　式（ＳＥ２）中、Ｒ２０１～Ｒ２０７は、それぞれ独立して、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルケニル基、又は置換又は無置換のアリール基を表す。Ｘ２０１及びＸ２０２は、それぞれ独立して、下記式（ＥＡ）で表される基を表す。Ｙ２０１は、水素原子、ヒドロキシ基、又は炭素原子数１～３０の１価の基を表す。ｌは０又は１以上の整数を表す。ｍは０又は１以上の整数を表す。
　式（ＳＥ３）中、Ｒ３０１～Ｒ３０４は、それぞれ独立して、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルケニル基、又は置換又は無置換のアリール基を表す。Ｘ３０１～Ｘ３０４は、それぞれ独立して、下記式（ＥＡ）で表される基を表す。ｍは１～３の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
 （式（ＥＡ）中、Ｒ２は、炭素原子数１～１０のアルキレン基を表す。Ｙは、単結合又は－Ｏ－を表す。Ｅｐは、下記式（Ａ－１）又は式（Ａ－２）で表される基を表す。＊は、結合手を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
 （式（Ａ－１）及び式（Ａ－２）中、＊は、結合手を表す。）
　式（ＳＥ１）中のＲ１０１～Ｒ１１０、式（ＳＥ２）中のＲ２０１～Ｒ２０７、及び式（ＳＥ３）中のＲ３０１～Ｒ３０４の置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルケニル基、及び置換又は無置換のアリール基の具体例及び好適例としては、例えば、式（Ａ）中のＲ１の説明における具体例及び好適例が挙げられる。
　式（ＳＥ１）中のＹ１０１、及びＹ２０１の炭素原子数１～３０の１価の基としては、例えば、以下の（ｉ）～（ｉｖ）のいずれかで表される１価の基が挙げられる。
　（ｉ）　炭素原子数７～３０の炭化水素基
　（ｉｉ）　エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合、ウレタン結合、及びエステル結合の少なくとも１つが炭化水素基の炭素－炭素結合間に挿入されて構成される炭素原子数２～３０の１価の炭化水素基
　（ｉｉｉ）　炭化水素基中の少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基、又はシアノ基で置換された炭素原子数１～３０の１価の炭化水素基
　（ｉｖ）　エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合、ウレタン結合、及びエステル結合の少なくとも１つが炭化水素基の炭素－炭素結合間に挿入されて構成され、かつ、炭化水素基中の少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基、又はシアノ基で置換された炭素原子数２～３０の１価の炭化水素基
　なお、「炭素原子数１～３０の１価の基」における「炭素原子数１～３０」の炭素には、シアノ基、アミド結合、ウレタン結合及びエステル結合中の炭素は含まれない。
　シロキサン骨格含有エポキシ樹脂の具体例としては、例えば、以下のとおりである。
　・１，３，５－トリス（２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル）－１，１，３，５，５－ペンタメチルトリシロキサン等の鎖状シロキサン骨格含有エポキシ樹脂
　・２，４，６，８－テトラキス（４－（３，４－エポキシシクロペンチル）ブチル）－２，４，６，８－テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８－テトラキス（３－（３，４－エポキシシクロペンチル）プロピル）－２，４，６，８－テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８－テトラキス（２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル）－２，４，６，８－テトラメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６，８，１０－ペンタキス（２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル）－２，４，６，８，１０－ペンタメチルシクロペンタシロキサン等の環状シロキサン骨格含有エポキシ樹脂
　シロキサン骨格含有エポキシ樹脂の分子量は、特に制限されないが、上限は、好ましくは１５，０００以下、より好ましくは１０，０００以下、さらに好ましくは８，０００以下、特に好ましくは５，０００以下である。下限は、例えば、２００以上、４００以上、６００以上等とし得る。
　シロキサン骨格含有エポキシ樹脂のエポキシ当量は、特に制限されないが、上限は、好ましくは１，０００ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは５００ｇ／ｅｑ．以下、さらに好ましくは３００ｇ／ｅｑ．以下、特に好ましくは２５０ｇ／ｅｑ．以下である。下限は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは１００ｇ／ｅｑ．以上、さらに好ましくは１３０ｇ／ｅｑ．以上、特に好ましくは１５０ｇ／ｅｑ．以上である。
　シロキサン骨格含有エポキシ樹脂は、市販品であってもよい。市販品としては、例えば、信越化学（株）製の「ＫＦ－１０５」、「ＫＦ－１００５」、「ＫＲ－４７０」（主成分：２，４，６，８－テトラキス（２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル）－２，４，６，８－テトラメチルシクロテトラシロキサン）、「Ｘ－４０－２６６７」（主成分：１，３，５－トリス（２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル）－１，１，３，５，５－ペンタメチルトリシロキサン）、（株）ＡＤＥＫＡ製の「ＥＰ－３４００Ｌ」等が挙げられる
。
　シロキサン骨格含有エポキシ樹脂の粘度（２５℃）は、特に制限されないが、好ましくは１００ｍＰａ・ｓ～１０，０００ｍＰａ・ｓ、より好ましくは１，０００ｍＰａ・ｓ～５，０００ｍＰａ・ｓである。
　剥離剤組成物におけるシロキサン骨格含有エポキシ樹脂の含有量としては、特に制限されないが、剥離剤組成物中のノボラック樹脂に対して、１質量％～７０質量％が好ましく、３質量％～５５質量％がより好ましく、５質量％～４０質量％が特に好ましい。
　接着剤組成物におけるシロキサン骨格含有エポキシ樹脂の含有量としては、特に制限されないが、接着剤組成物中のノボラック樹脂に対して、１質量％～７０質量％が好ましく、３質量％～５５質量％がより好ましく、５質量％～４０質量％が特に好ましい。
＜硬化触媒＞
　硬化反応の促進等を目的として、剥離剤組成物は、硬化触媒を含んでもよい。
　硬化反応の促進等を目的として、接着剤組成物は、硬化触媒を含んでもよい。
　硬化触媒としては、特に制限されないが、例えば、アミン類、イミダゾール類、有機ホスフィン類、ルイス酸などが挙げられる。
　アミン類としては、例えば、三級アミン類が挙げられる。三級アミン類としては、例えば、１，８－ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデカ－７－エン（ＤＢＵ）、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどが挙げられる。
　イミダゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、４－メチル－２－フェニルイミダゾール、２－へプタデシルイミダゾール、２－フェニル－１－ベンジル－１Ｈ－イミダゾールなどが挙げられる。
　有機ホスフィン類としては、例えば、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフイン、トリフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィンなどが挙げられる。
　その他の硬化触媒としては、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムエチルトリフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムテトラブチルボレート等のテトラ置換ホスホニウムテトラ置換ボレート類；２－エチル－４－メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、Ｎ－メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩；テトラブチルホスホニウムＯ，Ｏ－ジエチルホスホロジチオエートなどが挙げられる。
　剥離剤組成物に含まれる硬化触媒の量は、特に制限されないが、剥離剤組成物中のシロキサン骨格含有エポキシ樹脂に対して、１質量％～２０質量％が好ましい。
　接着剤組成物に含まれる硬化触媒の量は、特に制限されないが、接着剤組成物中のシロキサン骨格含有エポキシ樹脂に対して、１質量％～２０質量％が好ましい。
＜界面活性剤＞
　剥離剤組成物及び接着剤組成物は、組成物自体の液物性や得られる膜の膜物性を調整することや、均一性の高い剥離剤組成物及び接着剤組成物を再現性よく調製すること等を目的として、界面活性剤を含んでもよい。
　界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロツクコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトツプＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（（株）トーケムプロダクツ製、商品名）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｒ－３０、Ｒ－３０Ｎ（ＤＩＣ（株）製、商品名）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製、商品名）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳー３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（ＡＧＣ（株）製、商品名）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）等を挙げることができる。
　界面活性剤は、一種単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
　剥離剤組成物における界面活性剤の量は、剥離剤組成物の膜構成成分に対して、通常２質量％以下である。
　接着剤組成物における界面活性剤の量は、接着剤組成物の膜構成成分に対して、通常２質量％以下である。
＜溶媒＞
　剥離剤組成物は、溶媒を含む。
　接着剤組成物は、溶媒を含む。
　溶媒としては、例えば、前述のノボラック樹脂、シロキサン骨格含有エポキシ樹脂等の膜構成成分を良好に溶解できる高極性溶媒を用いることができ、必要に応じて、粘度、表面張力等の調整等を目的に、低極性溶媒を用いてもよい。なお、本発明において、低極性溶媒とは周波数１００ｋＨｚでの比誘電率が７未満のものを、高極性溶媒とは周波数１００ｋＨｚでの比誘電率が７以上のものと定義する。溶媒は、１種単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。
　また、高極性溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルイソブチルアミド、Ｎ－メチルピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等のアミド系溶媒；エチルメチルケトン、イソホロン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；アセトニトリル、３－メトキシプロピオニトリル等のシアノ系溶媒；エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、１，３－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール等の多価アルコール系溶媒；
プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ベンジルアルコール、２－フェノキシエタノール、２－ベンジルオキシエタノール、３－フェノキシベンジルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール等の脂肪族アルコール以外の１価アルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒等が挙げられる。
　低極性溶媒としては、例えば、クロロホルム、クロロベンゼン等の塩素系溶媒；トルエン、キシレン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、デシルベンゼン等のアルキルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；１－オクタノール、１－ノナノール、１－デカノール等の脂肪族アルコール系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、４－メトキシトルエン、３－フェノキシトルエン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸ブチル、安息香酸イソアミル、フタル酸ビス（２－エチルヘキシル）、マレイン酸ジブチル、シュウ酸ジブチル、酢酸ヘキシル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒等が挙げられる。
　溶媒の含有量は、所望の組成物の粘度、採用する塗布方法、作製する膜の厚さ等を勘案して適宜決定されるものではあるが、組成物全体の９９質量％以下であり、好ましくは、組成物全体に対して７０～９９質量％、より好ましくは、組成物全体に対して８５～９７質量％、すなわち、その場合における膜構成成分の量は、好ましくは、組成物全体に対して１～３０質量％であり、より好ましくは、組成物全体に対して３～１５質量％である。
　剥離剤組成物及び接着剤組成物の粘度及び表面張力は、用いる塗布方法、所望の膜厚等の各種要素を考慮して、用いる溶媒の種類やそれらの比率、膜構成成分濃度等を変更することで適宜調整される。
　本発明のある態様においては、均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、剥離剤組成物及び接着剤組成物は、グリコール系溶媒を含む。なお、ここでいう「グリコール系溶媒」とは、グリコール類、グリコールモノエーテル類、グリコールジエーテル類、グリコールモノエステル類、グリコールジエステル類及びグリコールエステルエーテル類の総称である。
　好ましいグリコール系溶媒の一例は、式（Ｇ）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
　式（Ｇ）中、ＲＧ１は、それぞれ独立して、炭素数２～４の直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基を表し、ＲＧ２及びＲＧ３は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状若しくは分岐鎖状の炭素数１～８のアルキル基、又はアルキル部が炭素数１～８の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基であるアルキルアシル基を表し、ｎｇは、１～６の整数である。
　炭素数２～４の直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基の具体例としては、エチレン基、トリメチレン基、１－メチルエチレン基、テトラメチレン基、２－メチルプロパン－１，３－ジイル基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、等が挙げられるが、これらに限定されない。
　中でも、均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、炭素数２～３の直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基が好ましく、炭素数３の直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基がより好ましい。
　直鎖状若しくは分岐鎖状の炭素数１～８のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ターシャリーブチル基、ｎ－ペンチル基、１－メチル－ｎ－ブチル基、２－メチル－ｎ－ブチル基、３－メチル－ｎ－ブチル基、１，１－ジメチル－ｎ－プロピル基、１，２－ジメチル－ｎ－プロピル基、２，２－ジメチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－ｎ－プロピル基、ｎ－ヘキシル、１－メチル－ｎ－ペンチル基、２－メチル－ｎ－ペンチル基、３－メチル－ｎ－ペンチル基、４－メチル－ｎ－ペンチル基、１，１－ジメチル－ｎ－ブチル基、１，２－ジメチル－ｎ－ブチル基、１，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、２，２－ジメチル－ｎ－ブチル基、２，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、３，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、１－エチル－ｎ－ブチル基、２－エチル－ｎ－ブチル基、１，１，２－トリメチル－ｎ－プロピル基、１，２，２－トリメチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－１－メチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－２－メチル－ｎ－プロピル基等が挙げられるが、これらに限定されない。
　中でも、均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
　アルキル部が炭素数１～８の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基であるアルキルアシル基における炭素数１～８の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基であるの具体例としては、上述の具体例と同じものが挙げられる。
　中でも、均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基が好ましく、メチルカルボニル基がより好ましい。
　ｎｇは、均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、好ましくは４以下、より好ましくは３以下、より一層好ましくは２以下であり、最も好ましくは１である。
　均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、式（Ｇ）において、好ましくは、ＲＧ２及びＲＧ３の少なくともいずれか一方は、直鎖状若しくは分岐鎖状の炭素数１～８のアルキル基であり、より好ましくは、ＲＧ２及びＲＧ３の一方は、直鎖状若しくは分岐鎖状の炭素数１～８のアルキル基であり、他方は、水素原子又はアルキル部が炭素数１～８の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基であるアルキルアシル基である。
　均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、剥離剤組成物におけるグリコール系溶媒の含有量は、剥離剤組成物に含まれる溶媒に対して、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、より一層好ましくは８０質量％以上、更に好ましくは９０質量％以上、更に一層好ましくは９５質量％以上である。
　均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、剥離剤組成物においては、膜構成成分は、溶媒に均一に分散又は溶解しており、好ましくは溶解している。
　均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、接着剤組成物におけるグリコール系溶媒の含有量は、接着剤組成物に含まれる溶媒に対して、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、より一層好ましくは８０質量％以上、更に好ましくは９０質量％以上、更に一層好ましくは９５質量％以上である。
　均一性の高い組成物を再現性よく得る観点、保存安定性の高い組成物を再現性よく得る観点、均一性の高い膜を与える組成物を再現性よく得る観点等から、接着剤組成物においては、膜構成成分は、溶媒に均一に分散又は溶解しており、好ましくは溶解している。
　本発明においては、異物を除去する目的で、剥離剤組成物及び接着剤組成物を製造する途中で又は全ての成分を混合した後に、用いる溶媒や溶液等をフィルター等を用いてろ過してもよい。
（積層体＜実施態様Ａ＞）
　本発明に係る積層体の実施態様Ａは、半導体基板又は電子デバイス層と、支持基板と、光照射剥離用の剥離剤層とを有する。
　本発明に係る積層体の実施態様Ａは、さらに接着剤層を有し、半導体基板又は電子デバイス層と、支持基板と、光照射剥離用の剥離剤層と、接着剤層とを有する構成であることが好ましい。
　なお、本発明に係る剥離剤層が、光照射により半導体基板又は電子デバイス層と支持基板とを剥離する剥離機能だけでなく、半導体基板又は電子デバイス層と支持基板とを接着する接着機能も併せ持つように形成されている場合には（つまり、両機能を発揮するような成分を含有する剥離剤組成物を用いて剥離剤層が形成されている場合には）、積層体は、剥離剤層と接着剤層との２層構成ではなく、接着性能を有する剥離剤層の１層構成で形成されていてもよい。
　支持基板は光透過性を有する。
　光照射剥離用の剥離剤層は、半導体基板又は電子デバイス層と支持基板との間に設けられている。
　積層体の実施態様Ａは、支持基板側から照射された光を剥離剤層が吸収した後に半導体基板又は電子デバイス層と支持基板とが剥がされることに用いられる。
　光照射剥離用の剥離剤層は、上述した本発明の光照射剥離用の剥離剤組成物から形成される層である。
　本発明の積層体の実施態様Ａは、半導体基板又は電子デバイス層を加工するため仮接着するために使用され、半導体基板又は電子デバイス層の薄化等の加工に好適に用いることができる。
　半導体基板に薄化等の加工が施されている間は、半導体基板は、支持基板に支持されている。他方、半導体基板の加工後は、剥離剤層に光が照射され、その後は、支持基板と半導体基板とが離される。本発明の光照射剥離用の剥離剤組成物が含有するノボラック樹脂によって、当該剥離剤組成物から形成された剥離剤層において、ノボラック樹脂が光（例えば、レーザー光）を吸収して剥離剤層を変質（例えば、分離又は分解）させる。その結果、剥離剤層に光が照射された後は、半導体基板と支持基板とが剥がされやすくなる。
　また、電子デバイス層に薄化等の加工が施されている間は、電子デバイス層は、支持基板に支持されている。他方、電子デバイス層の加工後は、剥離剤層に光が照射され、その後は、支持基板と電子デバイス層とが離される。
　本発明に係る剥離剤層により、光が照射された後は、半導体基板又は電子デバイス層と支持基板とが剥がされやすくなる。さらに、半導体基板又は電子デバイス層と支持基板とが剥がされた後に半導体基板、電子デバイス層、又は支持基板に残る剥離剤層や接着剤層の残渣は、例えば、半導体基板等を洗浄するための洗浄剤組成物によって除去することができる。
　剥離に用いる光の波長は、例えば、２５０～６００ｎｍの波長であることが好ましく、２５０～３７０ｎｍの波長であることがより好ましい。より好適な波長は、３０８ｎｍ、３４３ｎｍ、３５５ｎｍ、３６５ｎｍ、又は５３２ｎｍである。剥離に必要な光の照射量は、ノボラック樹脂の好適な変質、例えば分解を引き起こせる照射量である。
　剥離に用いる光は、レーザー光でもよく、紫外線ランプ等の光源から発される非レーザー光でもよい。
　積層体が、半導体基板を有している場合と、電子デバイス層を有している場合とで、それぞれ場合分けして、以下詳しく説明する。
　積層体が半導体基板を有している場合を、下記＜第１の実施態様Ａ＞で説明し、積層体が電子デバイス層を有している場合を、下記＜第２の実施態様Ａ＞で説明する。
＜第１の実施態様Ａ＞
　半導体基板を有する積層体は、半導体基板の加工に使用される。半導体基板に加工が施されている間は、半導体基板は支持基板に接着されている。半導体基板の加工後は、剥離剤層に光を照射した後、半導体基板は支持基板から離される。
＜＜半導体基板＞＞
　半導体基板全体を構成する主な材質としては、この種の用途に用いられるものであれば特に限定されないが、例えば、シリコン、シリコンカーバイド、化合物半導体などが挙げられる。
　半導体基板の形状は、特に限定されないが、例えば、円盤状である。なお、円盤状の半導体基板は、その面の形状が完全な円形である必要はなく、例えば、半導体基板の外周は、オリエンテーション・フラットと呼ばれる直線部を有していてもよいし、ノッチと呼ばれる切込みを有していてもよい。
　円盤状の半導体基板の厚さとしては、半導体基板の使用目的などに応じて適宜定めればよく、特に限定されないが、例えば、５００～１，０００μｍである。
　円盤状の半導体基板の直径としては、半導体基板の使用目的などに応じて適宜定めればよく、特に限定されないが、例えば、１００～１，０００ｍｍである。
　半導体基板は、バンプを有していてもよい。バンプとは、突起状の端子である。
　積層体において、半導体基板がバンプを有する場合、半導体基板は、支持基板側にバンプを有する。
　半導体基板において、バンプは、通常、回路が形成された面上に形成されている。回路は、単層であってもよし、多層であってもよい。回路の形状としては特に制限されない。
　半導体基板において、バンプを有する面と反対側の面（裏面）は、加工に供される面である。
　半導体基板が有するバンプの材質、大きさ、形状、構造、密度としては、特に限定されない。
　バンプとしては、例えば、ボールバンプ、印刷バンプ、スタッドバンプ、めっきバンプなどが挙げられる。
　通常、バンプ高さ１～２００μｍ程度、バンプ半径１～２００μｍ、バンプピッチ１～５００μｍという条件からバンプの高さ、半径及びピッチは適宜決定される。
　バンプの材質としては、例えば、低融点はんだ、高融点はんだ、スズ、インジウム、金、銀、銅などが挙げられる。バンプは、単一の成分のみで構成されていてもよいし、複数の成分から構成されていてもよい。より具体的には、ＳｎＡｇバンプ、ＳｎＢｉバンプ、Ｓｎバンプ、ＡｕＳｎバンプ等のＳｎを主体とした合金めっき等が挙げられる。
　また、バンプは、これらの成分の少なくともいずれかからなる金属層を含む積層構造を有してもよい。
　半導体基板の一例は、直径３００ｍｍ、厚さ７７０μｍ程度のシリコンウエハーである。
＜＜支持基板＞＞
　支持基板としては、剥離剤層に照射される光に対して光透過性があり、半導体基板が加工される際に、半導体基板を支持できる部材であれば、特に限定されないが、例えば、ガラス製支持基板などが挙げられる。
　支持基板の形状としては、特に限定されないが、例えば、円盤状が挙げられる。
　円盤状の支持基板の厚さとしては、半導体基板の大きさなどに応じて適宜定めればよく、特に限定されないが、例えば、５００～１，０００μｍである。
　円盤状の支持基板の直径としては、半導体基板の大きさなどに応じて適宜定めればよく、特に限定されないが、例えば、１００～１，０００ｍｍである。
　支持基板の一例は、直径３００ｍｍ、厚さ７００μｍ程度のガラスウエハーである。
＜＜剥離剤層＞＞
　剥離剤層は、剥離剤組成物から形成される層である。
　剥離剤層は、半導体基板と支持基板との間に設けられる。
　剥離剤層は、支持基板と接していてもよく半導体基板と接していてもよい。
　剥離剤層は、上述した本発明の光照射剥離用の剥離剤組成物を用いて形成される。
　本発明の剥離剤組成物は、半導体基板と、支持基板と、半導体基板と支持基板との間に設けられた剥離剤層とを有する積層体の剥離剤層を形成するために好適に用いることができる。積層体は、支持基板側から照射された光を剥離剤層が吸収した後に半導体基板と支持基板とが剥がされることに用いられる。
　本発明の剥離剤組成物から得られる剥離剤層の特徴の一つは、光照射後、半導体基板と支持基板とを容易に剥離することができることである。
　剥離剤組成物から剥離剤層を形成する際に、ノボラック樹脂は、シロキサン骨格含有エポキシ樹脂と反応していると考えられる。
　剥離剤層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常０．０５～３μｍであり、膜強度を保つ観点から、好ましくは０．０７μｍ以上、より好ましくは０．１μｍ以上、より一層好ましくは０．２μｍ以上であり、厚膜に起因する不均一性を回避する観点から、好ましくは２μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、より一層好ましくは０．８μｍ以下、更に好ましくは０．５μｍ以下である。
　剥離剤組成物から剥離剤層を形成する方法については、以下で記載する＜＜第１の実施態様Ａにおける積層体の一例の製造方法＞＞の説明箇所で詳しく述べる。
＜＜接着剤層＞＞
　接着剤層は、支持基板と半導体基板との間に設けられる。
　接着剤層は、例えば、半導体基板と接している。接着剤層は、例えば、支持基板と接していてもよい。
　接着剤層としては、特に限定されないが、接着剤組成物から形成される層であることが好ましい。
＜＜接着剤組成物＞＞
　接着剤組成物（以下、「本発明で用いる接着剤組成物」と称されることがある。）としては、例えば、ポリシロキサン系接着剤、アクリル樹脂系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、ポリアミド系接着剤、ポリスチレン系接着剤、ポリイミド接着剤、フェノール樹脂系接着剤等が挙げられるが、これらに限定されない。
　これらの中でも、半導体基板等の加工時は好適な接着能を示し、加工の後は好適に剥離可能であり、更に耐熱性にも優れるとともに、洗浄剤組成物によって好適に除去できるため、接着剤組成物としては、ポリシロキサン系接着剤が好ましい。
　ここでの接着剤組成物は、通常、本発明の光照射剥離用の接着剤組成物ではない。
　好ましい態様においては、接着剤組成物は、ポリオルガノシロキサンを含有する。
　また、他の好ましい態様においては、接着剤組成物は、ヒドロシリル化反応によって硬化する成分を含む。
　例えば、本発明で用いる接着剤組成物は、接着剤成分となる硬化する成分（Ａ）を含有する。本発明で用いる接着剤組成物は、接着剤成分となる硬化する成分（Ａ）と、硬化反応を起こさない成分（Ｂ）とを含有してもよい。ここで、硬化反応を起こさない成分（Ｂ）としては、例えば、ポリオルガノシロキサンが挙げられる。なお、本発明において「硬化反応を起こさない」とは、あらゆる硬化反応を起こさないことを意味するのではなく、硬化する成分（Ａ）に生じる硬化反応を起こさないことを意味する。
　好ましい態様においては、成分（Ａ）は、ヒドロシリル化反応によって硬化する成分であってもよいし、ヒドロシリル化反応によって硬化するポリオルガノシロキサン成分（Ａ’）であってもよい。
　他の好ましい態様においては、成分（Ａ）は、例えば、成分（Ａ’）の一例としての、ケイ素原子に結合した炭素原子数２～４０のアルケニル基を有するポリオルガノシロキサン（ａ１）と、Ｓｉ－Ｈ基を有するポリオルガノシロキサン（ａ２）と、白金族金属系触媒（Ａ２）と、を含有する。ここで、炭素原子数２～４０のアルケニル基は置換されていてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アリール基、ヘテロアリール基等が挙げられる。
　他の好ましい態様においては、ヒドロシリル化反応によって硬化するポリオルガノシロキサン成分（Ａ’）は、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）、Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）、Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）及びＲ６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）からなる群より選ばれる１種又は２種以上の単位を含むポリシロキサン（Ａ１）と、白金族金属系触媒（Ａ２）とを含み、ポリシロキサン（Ａ１）は、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ’単位）、Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ’単位）、Ｒ４’Ｒ５’ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ’単位）及びＲ６’ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ’単位）からなる群より選ばれる１種又は２種以上の単位を含むとともに、Ｍ’単位、Ｄ’単位及びＴ’単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むポリオルガノシロキサン（ａ１’）と、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ”単位）、Ｒ１”Ｒ２”Ｒ３”ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ”単位）、Ｒ４”Ｒ５”ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ”単位）及びＲ６”ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ”単位）からなる群より選ばれる１種又は２種以上の単位を含むとともに、Ｍ”単位、Ｄ”単位及びＴ”単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むポリオルガノシロキサン（ａ２’）とを含む。
　なお、（ａ１’）は、（ａ１）の一例であり、（ａ２’）は、（ａ２）の一例である。
　Ｒ１～Ｒ６は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基又は水素原子を表す。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アリール基、ヘテロアリール基等が挙げられる。
　Ｒ１’～Ｒ６’は、ケイ素原子に結合する基であり、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル基又は置換されていてもよいアルケニル基を表すが、Ｒ１’～Ｒ６’の少なくとも１つは、置換されていてもよいアルケニル基である。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アリール基、ヘテロアリール基等が挙げられる。
　Ｒ１”～Ｒ６”は、ケイ素原子に結合する基又は原子であり、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル基又は水素原子を表すが、Ｒ１”～Ｒ６”の少なくとも１つは、水素原子である。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アリール基、ヘテロアリール基等が挙げられる。
　アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよいが、直鎖状又は分岐鎖状アルキル基が好ましく、その炭素原子数は、特に限定されるものではないが、通常１～４０であり、好ましくは３０以下、より好ましくは２０以下、より一層好ましくは１０以下である。
　置換されていてもよい直鎖状又は分岐鎖状アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ターシャリーブチル基、ｎ－ペンチル基、１－メチル－ｎ－ブチル基、２－メチル－ｎ－ブチル基、３－メチル－ｎ－ブチル基、１，１－ジメチル－ｎ－プロピル基、１，２－ジメチル－ｎ－プロピル基、２，２－ジメチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－ｎ－プロピル基、ｎ－ヘキシル基、１－メチル－ｎ－ペンチル基、２－メチル－ｎ－ペンチル基、３－メチル－ｎ－ペンチル基、４－メチル－ｎ－ペンチル基、１，１－ジメチル－ｎ－ブチル基、１，２－ジメチル－ｎ－ブチル基、１，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、２，２－ジメチル－ｎ－ブチル基、２，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、３，３－ジメチル－ｎ－ブチル基、１－エチル－ｎ－ブチル基、２－エチル－ｎ－ブチル基、１，１，２－トリメチル－ｎ－プロピル基、１，２，２－トリメチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－１－メチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－２－メチル－ｎ－プロピル基等が挙げられるが、これらに限定されず、その炭素原子数は、通常１～１４であり、好ましくは１～１０、より好ましくは１～６である。中でもメチル基が特に好ましい。
　置換されていてもよい環状アルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、１－メチル－シクロプロピル基、２－メチル－シクロプロピル基、シクロペンチル基、１－メチル－シクロブチル基、２－メチル－シクロブチル基、３－メチル－シクロブチル基、１，２－ジメチル－シクロプロピル基、２，３－ジメチル－シクロプロピル基、１－エチル－シクロプロピル基、２－エチル－シクロプロピル基、シクロヘキシル基、１－メチル－シクロペンチル基、２－メチル－シクロペンチル基、３－メチル－シクロペンチル基、１－エチル－シクロブチル基、２－エチル－シクロブチル基、３－エチル－シクロブチル基、１，２－ジメチル－シクロブチル基、１，３－ジメチル－シクロブチル基、２，２－ジメチル－シクロブチル基、２，３－ジメチル－シクロブチル基、２，４－ジメチル－シクロブチル基、３，３－ジメチル－シクロブチル基、１－ｎ－プロピル－シクロプロピル基、２－ｎ－プロピル－シクロプロピル基、１－ｉ－プロピル－シクロプロピル基、２－ｉ－プロピル－シクロプロピル基、１，２，２－トリメチル－シクロプロピル基、１，２，３－トリメチル－シクロプロピル基、２，２，３－トリメチル－シクロプロピル基、１－エチル－２－メチル－シクロプロピル基、２－エチル－１－メチル－シクロプロピル基、２－エチル－２－メチル－シクロプロピル基、２－エチル－３－メチル－シクロプロピル基等のシクロアルキル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等のビシクロアルキル基等が挙げられるが、これらに限定されず、その炭素原子数は、通常３～１４であり、好ましくは４～１０、より好ましくは５～６である。
　アルケニル基は、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、その炭素原子数は、特に限定されるものではないが、通常２～４０であり、好ましくは３０以下、より好ましくは２０以下、より一層好ましくは１０以下である。
　置換されていてもよい直鎖状又は分岐鎖状アルケニル基の具体例としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基等が挙げられるが、これらに限定されず、その炭素原子数は、通常２～１４であり、好ましくは２～１０、より好ましくは１～６である。中でも、エテニル基、２－プロペニル基が特に好ましい。
　置換されていてもよい環状アルケニル基の具体例としては、シクロペンテニル、シクロヘキセニル等が挙げられるが、これらに限定されず、その炭素原子数は、通常４～１４であり、好ましくは５～１０、より好ましくは５～６である。
　上述の通り、ポリシロキサン（Ａ１）は、ポリオルガノシロキサン（ａ１’）とポリオルガノシロキサン（ａ２’）を含むが、ポリオルガノシロキサン（ａ１’）に含まれるアルケニル基と、ポリオルガノシロキサン（ａ２’）に含まれる水素原子（Ｓｉ－Ｈ基）とが白金族金属系触媒（Ａ２）によるヒドロシリル化反応によって架橋構造を形成し硬化する。その結果、硬化膜が形成される。
　ポリオルガノシロキサン（ａ１’）は、Ｑ’単位、Ｍ’単位、Ｄ’単位及びＴ’単位からなる群から選ばれる１種又は２種以上の単位を含むとともに、Ｍ’単位、Ｄ’単位及びＴ’単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むものである。ポリオルガノシロキサン（ａ１’）としては、このような条件を満たすポリオルガノシロキサンを２種以上組み合わせて用いてもよい。
　Ｑ’単位、Ｍ’単位、Ｄ’単位及びＴ’単位からなる群から選ばれる２種以上の好ましい組み合わせとしては、（Ｑ’単位とＭ’単位）、（Ｄ’単位とＭ’単位）、（Ｔ’単位とＭ’単位）、（Ｑ’単位とＴ’単位とＭ’単位）、が挙げられるが、これらに限定されない。
　また、ポリオルガノシロキサン（ａ１’）に包含されるポリオルガノシロキサンが２種以上含まれる場合、（Ｑ’単位とＭ’単位）と（Ｄ’単位とＭ’単位）との組み合わせ、（Ｔ’単位とＭ’単位）と（Ｄ’単位とＭ’単位）との組み合わせ、（Ｑ’単位とＴ’単位とＭ’単位）と（Ｔ’単位とＭ’単位）との組み合わせが好ましいが、これらに限定されない。
　ポリオルガノシロキサン（ａ２’）は、Ｑ”単位、Ｍ”単位、Ｄ”単位及びＴ”単位からなる群から選ばれる１種又は２種以上の単位を含むとともに、Ｍ”単位、Ｄ”単位及びＴ”単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むものである。ポリオルガノシロキサン（ａ２’）としては、このような条件を満たすポリオルガノシロキサンを２種以上組み合わせて用いてもよい。
　Ｑ”単位、Ｍ”単位、Ｄ”単位及びＴ”単位からなる群から選ばれる２種以上の好ましい組み合わせとしては、（Ｍ”単位とＤ”単位）、（Ｑ”単位とＭ”単位）、（Ｑ”単位とＴ”単位とＭ”単位）が挙げられるが、これらに限定されない。
　ポリオルガノシロキサン（ａ１’）は、そのケイ素原子にアルキル基及び／又はアルケニル基が結合したシロキサン単位で構成されるものであるが、Ｒ１’～Ｒ６’で表される全置換基中におけるアルケニル基の割合は、好ましくは０．１～５０．０モル％、より好ましくは０．５～３０．０モル％であり、残りのＲ１’～Ｒ６’はアルキル基とすることができる。
　ポリオルガノシロキサン（ａ２’）は、そのケイ素原子にアルキル基及び／又は水素原子が結合したシロキサン単位で構成されるものであるが、Ｒ１”～Ｒ６”で表される全ての置換基及び置換原子中における水素原子の割合は、好ましくは０．１～５０．０モル％、より好ましくは１０．０～４０．０モル％であり、残りのＲ１”～Ｒ６”はアルキル基とすることができる。
　成分（Ａ）が（ａ１）と（ａ２）とを含む場合、本発明の好ましい態様においては、ポリオルガノシロキサン（ａ１）に含まれるアルケニル基とポリオルガノシロキサン（ａ２）に含まれるＳｉ－Ｈ結合を構成する水素原子とのモル比は、１．０：０．５～１．０：０．６６の範囲である。
　ポリオルガノシロキサン（ａ１）、ポリオルガノシロキサン（ａ２）等のポリシロキサンの重量平均分子量は、特に限定されないが、それぞれ、通常５００～１，０００，０００であり、本発明の効果を再現性よく実現する観点から、好ましくは５，０００～５０，０００である。
　なお、本発明において、ポリオルガノシロキサン（上記オルガノシロキサンポリマーを除く）の重量平均分子量及び数平均分子量並びに分散度は、例えば、ＧＰＣ装置（東ソー（株）製ＥｃｏＳＥＣ，ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ）及びＧＰＣカラム（東ソー（株）ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＭｕｌｔｉｐｏｒｅＨＺ－Ｎ，　ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＭｕｌｔｉｐｏｒｅＨＺ－Ｈ）を用い、カラム温度を４０℃とし、溶離液（溶出溶媒）としてテトラヒドロフランを用い、流量（流速）を０．３５ｍＬ／分とし、標準試料としてポリスチレン（昭和電工（株）製、Ｓｈｏｄｅｘ）を用いて、測定することができる。
　ポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）の粘度は、特に限定されないが、それぞれ、通常１０～１００００００（ｍＰａ・ｓ）であり、本発明の効果を再現性よく実現する観点から、好ましくは５０～１００００（ｍＰａ・ｓ）である。なお、ポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）の粘度は、２５℃においてＥ型回転粘度計で測定した値である。
　ポリオルガノシロキサン（ａ１）とポリオルガノシロキサン（ａ２）は、ヒドロシリル化反応によって、互いに反応して膜となる。従って、その硬化のメカニズムは、例えばシラノール基を介したそれとは異なり、それ故、いずれのシロキサンも、シラノール基や、アルキルオキシ基のような加水分解によってシラノール基を形成する官能基を含む必要は無い。
　本発明の好ましい態様においては、接着剤組成物は、ポリオルガノシロキサン成分（Ａ’）とともに、白金族金属系触媒（Ａ２）を含む。
　このような白金系の金属触媒は、ポリオルガノシロキサン（ａ１）のアルケニル基とポリオルガノシロキサン（ａ２）のＳｉ－Ｈ基とのヒドロシリル化反応を促進するための触媒である。
　白金系の金属触媒の具体例としては、白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と１価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒が挙げられるが、これらに限定されない。
　白金とオレフィン類との錯体としては、例えばジビニルテトラメチルジシロキサンと白金との錯体が挙げられるが、これに限定されない。
　白金族金属系触媒（Ａ２）の量は、特に限定されないが、通常、ポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）の合計量に対して、１．０～５０．０ｐｐｍの範囲である。
　ポリオルガノシロキサン成分（Ａ’）は、ヒドロシリル化反応の進行を抑制する目的で、重合抑制剤（Ａ３）を含んでもよい。
　重合抑制剤は、ヒドロシリル化反応の進行を抑制できる限り特に限定されるものではなく、その具体例としては、１－エチニル－１－シクロヘキサノール、１，１－ジフェニル－２－プロピオン－１－オール等のアルキニルアルコール等が挙げられる。
　重合抑制剤の量は、特に限定されないが、ポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）の合計量に対して、通常、その効果を得る観点から１０００．０ｐｐｍ以上であり、ヒドロシリル化反応の過度な抑制を防止する観点から１００００．０ｐｐｍ以下である。
　本発明で用いる接着剤組成物の一例は、硬化する成分（Ａ）とともに剥離剤成分となる硬化反応を起こさない成分（Ｂ）を含んでもよいし、含んでいなくてもよい。このような成分（Ｂ）を接着剤組成物に含めることで、得られる接着剤層を再現性よく好適に剥離することができるようになる。
　このような成分（Ｂ）として、典型的には、非硬化性のポリオルガノシロキサンが挙げられ、その具体例としては、エポキシ基含有ポリオルガノシロキサン、メチル基含有ポリオルガノシロキサン、フェニル基含有ポリオルガノシロキサン等が挙げられるが、これらに限定されない。
　また、成分（Ｂ）としては、ポリジメチルシロキサンが挙げられる。当該ポリジメチルシロキサンは変性されていてもよい。変性されていてもよいポリジメチルシロキサンとしては、例えば、エポキシ基含有ポリジメチルシロキサン、無変性のポリジメチルシロキサン、フェニル基含有ポリジメチルシロキサン等が挙げられるが、これらに限定されない。
　成分（Ｂ）であるポリオルガノシロキサンの好ましい例としては、エポキシ基含有ポリオルガノシロキサン、メチル基含有ポリオルガノシロキサン、フェニル基含有ポリオルガノシロキサン等が挙げられるが、これらに限定されない。
　成分（Ｂ）であるポリオルガノシロキサンの重量平均分子量は、特に限定されないものの、通常１００，０００～２，０００，０００であり、本発明の効果を再現性よく実現する観点から、好ましくは２００，０００～１，２００，０００、より好ましくは３００，０００～９００，０００である。また、その分散度は、特に限定されないものの、通常１．０～１０．０であり、好適な剥離を再現性よく実現する観点等から、好ましくは１．５～５．０、より好ましくは２．０～３．０である。なお、重量平均分子量及び分散度は、ポリオルガノシロキサンに関する上述の方法で測定することができる。
　成分（Ｂ）であるポリオルガノシロキサンの粘度は、特に限定されないが、通常１，０００～２，０００，０００ｍｍ２／ｓである。なお、成分（Ｂ）であるポリオルガノシロキサンの粘度の値は、動粘度で示され、センチストークス（ｃＳｔ）＝ｍｍ２／ｓである。粘度（ｍＰａ・ｓ）を密度（ｇ／ｃｍ３）で割って求めることもできる。すなわち、その値は、２５℃で測定したＥ型回転粘度計で測定した粘度と密度から求めることができ、動粘度（ｍｍ２／ｓ）＝粘度（ｍＰａ・ｓ）／密度（ｇ／ｃｍ３）という式から算出することができる。
　エポキシ基含有ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、Ｒ１１Ｒ１２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ１０単位）を含むものが挙げられる。
　Ｒ１１は、ケイ素原子に結合する基であり、アルキル基を表し、Ｒ１２は、ケイ素原子に結合する基であり、エポキシ基又はエポキシ基を含む有機基を表し、アルキル基の具体例としては、上述の例示を挙げることができる。
　エポキシ基を含む有機基におけるエポキシ基は、その他の環と縮合せずに、独立したエポキシ基であってもよく、１，２－エポキシシクロヘキシル基のように、その他の環と縮合環を形成しているエポキシ基であってもよい。
　エポキシ基を含む有機基の具体例としては、３－グリシドキシプロピル、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルが挙げられるが、これらに限定されない。
　本発明において、エポキシ基含有ポリオルガノシロキサンの好ましい一例としては、エポキシ基含有ポリジメチルシロキサンを挙げることができるが、これに限定されない。
　エポキシ基含有ポリオルガノシロキサンは、上述のシロキサン単位（Ｄ１０単位）を含むものであるが、Ｄ１０単位以外に、Ｑ単位、Ｍ単位及び／又はＴ単位を含んでもよい。
　本発明の好ましい態様においては、エポキシ基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、Ｄ１０単位のみからなるポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＱ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＱ単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ１０単位とＱ単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン等が挙げられる。
　エポキシ基含有ポリオルガノシロキサンは、エポキシ価が０．１～５であるエポキシ基含有ポリジメチルシロキサンが好ましい。また、その重量平均分子量は、特に限定されないものの、通常１，５００～５００，０００であり、組成物中での析出抑制の観点から、好ましくは１００，０００以下である。
　エポキシ基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、式（Ｅ１）～（Ｅ３）で表されるものが挙げられるが、これらに限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
 （ｍ１及びｎ１は、各繰り返し単位の数を示し、正の整数である。）
（ｍ２及びｎ２は、各繰り返し単位の数を示し、正の整数であり、Ｒは、炭素原子数１～１０のアルキレン基である。）
（ｍ３、ｎ３及びｏ３は、各繰り返し単位の数を示し、正の整数であり、Ｒは、炭素原子数１～１０のアルキレン基である。）
　メチル基含有ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、Ｒ２１０Ｒ２２０ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ２００単位）を含むもの、好ましくはＲ２１Ｒ２１ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ２０単位）を含むものが挙げられる。
　Ｒ２１０及びＲ２２０は、ケイ素原子に結合する基であり、それぞれ独立して、アルキル基を表すが、少なくとも一方はメチル基であり、アルキル基の具体例としては、上述の例示を挙げることができる。
　Ｒ２１は、ケイ素原子に結合する基であり、アルキル基を表し、アルキル基の具体例としては、上述の例示を挙げることができる。中でも、Ｒ２１としては、メチル基が好ましい。
　本発明において、メチル基含有ポリオルガノシロキサンの好ましい一例としては、ポリジメチルシロキサンを挙げることができるが、これに限定されない。
　メチル基含有ポリオルガノシロキサンは、上述のシロキサン単位（Ｄ２００単位又はＤ２０単位）を含むものであるが、Ｄ２００単位及びＤ２０単位以外に、Ｑ単位、Ｍ単位及び／又はＴ単位を含んでもよい。
　本発明のある態様においては、メチル基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、Ｄ２００単位のみからなるポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＱ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＱ単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２００単位とＱ単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサンが挙げられる。
　本発明の好ましい態様においては、メチル基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、Ｄ２０単位のみからなるポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＱ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＱ単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ２０単位とＱ単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサンが挙げられる。
　メチル基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、式（Ｍ１）で表されるものが挙げられるが、これに限定されない。
（ｎ４は、繰り返し単位の数を示し、正の整数である。）
　フェニル基含有ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、Ｒ３１Ｒ３２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ３０単位）を含むものが挙げられる。
　Ｒ３１は、ケイ素原子に結合する基であり、フェニル基又はアルキル基を表し、Ｒ３２は、ケイ素原子に結合する基であり、フェニル基を表し、アルキル基の具体例としては、上述の例示を挙げることができるが、メチル基が好ましい。
　フェニル基含有ポリオルガノシロキサンは、上述のシロキサン単位（Ｄ３０単位）を含むものであるが、Ｄ３０単位以外に、Ｑ単位、Ｍ単位及び／又はＴ単位を含んでもよい。
　本発明の好ましい態様においては、フェニル基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、Ｄ３０単位のみからなるポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＱ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＱ単位とＭ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサン、Ｄ３０単位とＱ単位とＭ単位とＴ単位とを含むポリオルガノシロキサンが挙げられる。
　フェニル基含有ポリオルガノシロキサンの具体例としては、式（Ｐ１）又は（Ｐ２）で表されるものが挙げられるが、これらに限定されない。
（ｍ５及びｎ５は、各繰り返し単位の数を示し、正の整数である。）
（ｍ６及びｎ６は、各繰り返し単位の数を示し、正の整数である。）
　剥離剤成分（Ｂ）であるポリオルガノシロキサンは、市販品であってもよいし、合成したものであってもよい。
　ポリオルガノシロキサンの市販品としては、例えば、ワッカーケミ社製の製品であるＷＡＣＫＥＲＳＩＬＩＣＯＮＥ　ＦＬＵＩＤ　ＡＫ　シリーズ（ＡＫ５０、ＡＫ　３５０、ＡＫ　１０００、ＡＫ　１００００、ＡＫ　１００００００）やＧＥＮＩＯＰＬＡＳＴ　ＧＵＭ、信越化学工業（株）製　ジメチルシリコーンオイル（ＫＦ－９６Ｌ、ＫＦ－９６Ａ、ＫＦ－９６、ＫＦ－９６Ｈ、ＫＦ－６９、ＫＦ－９６５、ＫＦ－９６８）、環状ジメチルシリコーンオイル（ＫＦ－９９５）；ゲレスト社製　エポキシ基含有ポリオルガノシロキサン（商品名ＣＭＳ－２２７、ＥＣＭＳ－３２７）、信越化学工業（株）製　エポキシ基含有ポリオルガノシロキサン（ＫＦ－１０１、ＫＦ－１００１、ＫＦ－１００５、Ｘ－２２－３４３）、ダウコーニング社製　エポキシ基含有ポリオルガノシロキサン（ＢＹ１６－８３９）；ゲレスト社製　フェニル基含有ポリオルガノシロキサン（ＰＭＭ－１０４３、ＰＭＭ－１０２５、ＰＤＭ－０４２１、ＰＤＭ－０８２１）、信越化学工業（株）製　フェニル基含有ポリオルガノシロキサン（ＫＦ５０－３０００ＣＳ）、ＭＯＭＥＮＴＩＶＥ社製　フェニル基含有ポリオルガノシロキサン（ＴＳＦ４３１、ＴＳＦ４３３）等が挙げられるが、これらに限定されない。
　ある態様においては、本発明で用いる接着剤組成物は、硬化する成分（Ａ）とともに、硬化反応を起こさない成分（Ｂ）を含み、別の態様においては、成分（Ｂ）として、ポリオルガノシロキサンが含まれる。
　本発明で用いる接着剤組成物の一例は、成分（Ａ）と成分（Ｂ）とを、任意の比率で含むことができるが、接着性と剥離性のバランスを考慮すると、成分（Ａ）と成分（Ｂ）との比率は、質量比〔（Ａ）：（Ｂ）〕で、好ましくは９９．９９５：０．００５～３０：７０、より好ましくは９９．９：０．１～７５：２５である。
　すなわち、ヒドロシリル化反応によって硬化するポリオルガノシロキサン成分（Ａ’）が含まれる場合、成分（Ａ’）と成分（Ｂ）との比率は、質量比〔（Ａ’）：（Ｂ）〕で、好ましくは９９．９９５：０．００５～３０：７０、より好ましくは９９．９：０．１～７５：２５である。
　本発明で用いる接着剤組成物の粘度は、特に限定されないが、２５℃で、通常５００～２０，０００ｍＰａ・ｓであり、好ましくは１，０００～１，００００ｍＰａ・ｓである。
　本発明で用いる接着剤組成物の一例は、成分（Ａ）と、用いる場合には成分（Ｂ）及び溶媒とを混合することによって製造できる。
　その混合順序は特に限定されるものではないが、容易にかつ再現性よく接着剤組成物を製造できる方法の一例としては、例えば、成分（Ａ）と成分（Ｂ）を溶媒に溶解させる方法や、成分（Ａ）と成分（Ｂ）の一部を溶媒に溶解させ、残りを溶媒に溶解させ、得られた溶液を混合する方法が挙げられるが、これらに限定されない。なお、接着剤組成物を調製する際、成分が分解したり変質したりしない範囲で、適宜加熱してもよい。
　本発明においては、異物を除去する目的で、接着剤組成物を製造する途中で又は全ての成分を混合した後に、用いる溶媒や溶液等をフィルター等を用いてろ過してもよい。
　本発明の積層体が備える接着剤層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常５～５００μｍであり、膜強度を保つ観点から、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上、より一層好ましくは３０μｍ以上であり、厚膜に起因する不均一性を回避する観点から、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、より一層好ましくは１２０μｍ以下、更に好ましくは７０μｍ以下である。
　接着剤組成物から接着剤層を形成する方法については、以下で記載する＜＜第１の実施態様Ａにおける積層体の一例の製造方法＞＞の説明箇所で詳しく述べる。
　以下、第１の実施態様Ａの積層体の構成の一例を、図を用いて説明する。
　図１の積層体は、半導体基板１と、接着剤層２と、剥離剤層３と、支持基板４とをこの順で有する。
　接着剤層２及び剥離剤層３は、半導体基板１と支持基板４との間に設けられている。接着剤層２は、半導体基板１に接する。剥離剤層３は、接着剤層２と支持基板４に接する。
＜＜第１の実施態様Ａにおける積層体の一例の製造方法＞＞
　第１の実施態様Ａにおける積層体のうち図１で示される積層体を例に、以下積層体の製造方法について説明する。
　本発明の積層体の一例は、例えば、以下の第１工程Ａ～第３工程Ａを含む方法で製造することができる。
　第１工程Ａ：半導体基板上に接着剤組成物を塗布し接着剤塗布層を形成する工程
　第２工程Ａ：支持基板上に剥離剤組成物を塗布し剥離剤層を形成する工程
　第３工程Ａ：接着剤塗布層と剥離剤層が接した状態で、接着剤塗布層が加熱され、接着剤層が形成される工程
　接着剤組成物の塗布方法は、特に限定されるものではないが、通常、スピンコート法である。なお、別途スピンコート法等で塗布膜を形成し、シート状の塗布膜を形成し、シート状の塗布膜を、接着剤塗布層として貼付する方法を採用し得る。
　塗布した接着剤組成物の加熱温度は、接着剤組成物が含む接着剤成分の種類や量、溶媒が含まれるか否か、用いる溶媒の沸点、所望の接着剤層の厚さ等に応じて異なるため一概に規定できないが、通常８０～１５０℃、その加熱時間は、通常３０秒～５分である。
　接着剤組成物が溶媒を含む場合、通常、塗布した接着剤組成物を加熱する。
　接着剤組成物を塗布し、必要があればそれを加熱して得られる接着剤塗布層の膜厚は、通常５～５００μｍ程度であり、最終的に、上述の接着剤層の厚さの範囲となるように適宜定められる。
　剥離剤組成物の塗布方法は、特に限定されるものではないが、通常、スピンコート法である。
　塗布した剥離剤組成物の加熱温度は、剥離剤組成物が含む剥離剤成分の種類や量、所望の剥離剤層の厚さ等に応じて異なるため一概に規定できないが、好適な剥離剤層を再現性よく実現する観点から、８０℃以上３００℃以下であり、その加熱時間は、加熱温度に応じて、通常１０秒～１０分の範囲で適宜決定される。加熱温度は好ましくは１００℃以上２８０℃以下であり、より好ましくは１５０℃以上２５０℃以下である。加熱時間は好ましくは３０秒以上８分以下、より好ましくは１分以上５分以下である。
　加熱は、ホットプレート、オーブン等を用いて行うことができる。
　剥離剤組成物を塗布し、必要があればそれを加熱して得られる剥離剤の膜厚は、通常５ｎｍ～１００μｍ程度である。
　本発明においては、このような塗布層を互いに接するように合わせ、加熱処理若しくは減圧処理又はこれら両方を実施しながら、半導体基板及び支持基板の厚さ方向の荷重をかけて２つの層を密着させ、その後、後加熱処理を実施することによって、本発明の積層体を得ることができる。なお、加熱処理、減圧処理、両者の併用のいずれの処理条件を採用するかは、接着剤組成物の種類、剥離剤組成物の具体的組成、両組成物から得られる膜の相性、膜厚、求める接着強度等の各種事情を勘案した上で適宜決定される。
　加熱処理は、組成物から溶媒を除去する観点、接着剤塗布層を軟化させて剥離剤層との好適に貼り合せを実現する観点等から、通常２０～１５０℃の範囲から適宜決定される。特に、接着剤成分（Ａ）の過度の硬化や不要な変質を抑制又は回避する観点から、好ましくは１３０℃以下、より好ましくは９０℃以下であり、その加熱時間は、加熱温度や接着剤の種類に応じて適宜決定されるものではあるが、好適な接着を確実に発現させる観点から、通常３０秒以上であり、好ましくは１分以上であるが、接着剤層やその他の部材の変質を抑制する観点から、通常１０分以下、好ましくは５分以下である。
　減圧処理は、互いに接する接着剤塗布層及び剥離剤層を１０～１０，０００Ｐａの気圧下にさらせばよい。減圧処理の時間は、通常１～３０分である。
　基板が良好に分離可能な積層体を再現性よく得る観点から、互いに接する２つの層は、好ましくは減圧処理によって、より好ましくは加熱処理と減圧処理の併用によって、貼り合せられる。
　半導体基板及び支持基板の厚さ方向の荷重は、半導体基板及び支持基板とそれらの間の２つの層に悪影響を及ぼさず、かつこれらをしっかりと密着させることができる荷重である限り特に限定されないが、通常１０～１０００Ｎの範囲内である。
　後加熱の温度は、十分な硬化速度を実現する観点等から、好ましくは１２０℃以上であり、基板や各層の変質を防ぐ観点等から、好ましくは２６０℃以下である。
　後加熱の時間は、積層体を構成する基板及び層の好適な接合を実現する観点から、通常１分以上、好ましくは５分以上であり、過度の加熱による各層への悪影響等を抑制又は回避する観点から、通常１８０分以下、好ましくは１２０分以下である。
　加熱は、ホットプレート、オーブン等を用いて行うことができる。ホットプレートを用いて後加熱をする場合、積層体の半導体基板と支持基板のいずれを下にして加熱してもよいが、好適な剥離を再現性よく実現する観点から、半導体基板を下にして後加熱することが好ましい。
　なお、後加熱処理の一つの目的は、より好適な自立膜である接着剤層と剥離剤層を実現することであり、特にヒドロシリル化反応による硬化を好適に実現することである。
　以下、図１の積層体を製造する方法の一例を、図２Ａ～図２Ｃを用いて、説明する。
　図２Ａ～図２Ｃは、積層体の製造を行う一態様を説明するための図である。
　まず、半導体基板１上に接着剤塗布層２ａが形成された積層体を用意する（図２Ａ）。この積層体は、例えば、半導体基板１上に接着剤組成物を塗布し、加熱することで得ることができる。
　また、別途、支持基板４上に剥離剤層３が形成された積層体を用意する（図２Ｂ）。この積層体は、例えば、支持基板４上に剥離剤組成物を塗布し、加熱することで得ることができる。
　次に、図２Ａに示す積層体と図２Ｂに示す積層体とを、接着剤塗布層２ａと剥離剤層３が接するように貼り合せる。そして、減圧下で半導体基板１と支持基板４との厚さ方向に荷重を掛けた後、半導体基板１の接着剤塗布層２ａが接する面と反対側の面に、加熱装置（不図示；ホットプレート）を配し、加熱装置によって接着剤塗布層２ａを加熱して硬化させ接着剤層２に転化する（図２Ｃ）。
　図２Ａ～図２Ｃで示した工程によって、積層体が得られる。
　尚、図１では、積層体が、半導体基板１、接着剤層２、剥離剤層３、支持基板４の順で積層されているため、上記製造方法を例に挙げたが、例えば、半導体基板１、剥離剤層３、接着剤層２、支持基板４の順で積層されている積層体を製造する場合には、半導体基板の表面に剥離剤組成物を塗布し、必要があればそれを加熱して剥離剤層を形成する第１工程Ａと、支持基板の表面に剥離剤組成物を塗布し、必要があればそれを加熱して接着剤塗布層を形成する第２工程Ａと、半導体基板の剥離剤層と、支持基板の接着剤塗布層とを、加熱処理及び減圧処理の少なくとも一方を実施しながら、半導体基板及び支持基板の厚さ方向の荷重をかけて密着させ、その後、後加熱処理を実施することによって、積層体とする第３工程Ａと、を含む方法で、製造することができる。
　なお、本発明の効果が損なわれない限り、いずれか一方の基板に、各組成物の塗布及び加熱をそれぞれ順次行ってもよい。
＜第２の実施態様Ａ＞
　電子デバイス層を有する積層体は、電子デバイス層の加工に使用される。電子デバイス層に加工が施されている間は、電子デバイス層は支持基板に接着されている。電子デバイス層の加工後は、剥離剤層に光を照射した後、電子デバイス層は支持基板から離される。
＜＜電子デバイス層＞＞
　電子デバイス層とは、電子デバイスを有する層をいい、本発明においては、封止樹脂に複数の半導体チップ基板が埋め込まれた層、つまり複数の半導体チップ基板と該半導体チップ基板間に配された封止樹脂とからなる層をいう。
　ここで、「電子デバイス」とは、電子部品の少なくとも一部を構成する部材を意味する。電子デバイスは、特に制限されず、半導体基板の表面に、各種機械構造や回路が形成されたものであることができる。電子デバイスは、好ましくは、金属又は半導体により構成される部材と、該部材を封止又は絶縁する樹脂と、の複合体である。電子デバイスは、後述する再配線層、及び／又は半導体素子若しくはその他素子が、封止材又は絶縁材で封止又は絶縁されたものであってもよく、単層又は複数層の構造を有してなる。
＜＜支持基板＞＞
　支持基板としては、上記＜第１の実施態様Ａ＞の上記＜＜支持基板＞＞の欄で説明したものと同様のものが例示される。
＜＜剥離剤層＞＞
　剥離剤層は、上述した本発明の光照射剥離用の剥離剤組成物を用いて形成される。
　剥離剤層の詳しい説明は、上記＜第１の実施態様Ａ＞の上記＜＜剥離剤層＞＞の欄で説明したとおりである。
＜＜接着剤層＞＞
　接着剤層は、上述した接着剤組成物を用いて形成される。
　接着剤層の詳しい説明は、上記＜第１の実施態様Ａ＞の上記＜＜接着剤層＞＞の欄で説明したとおりである。
　以下、第２の実施態様Ａの積層体の構成の一例を、図を用いて説明する。
　図３は、第２の実施態様Ａの積層体の一例の概略断面図を示す。
　図３の積層体は、支持基板２４と、剥離剤層２３と、接着剤層２２と、電子デバイス層２６とをこの順で有する。
　電子デバイス層２６は、複数の半導体チップ基板２１と、該半導体チップ基板２１間に配された封止材である封止樹脂２５とを有してなる。
　接着剤層２２及び剥離剤層２３は、電子デバイス層２６と支持基板２４との間に設けられている。接着剤層２２は、電子デバイス層２６に接する。剥離剤層２３は、接着剤層２２と支持基板２４に接する。
　また、第２の実施態様Ａの積層体の構成の他の一例を、図４に示す。
　本発明に係る剥離剤層が、剥離機能と接着機能を併せ持つ接着性能を有する剥離剤層である場合には、積層体は、剥離剤層と接着剤層との２層構成ではなく、接着性能を有する剥離剤層の１層構成で形成されていてもよい。
　図４は積層体の他の一例の概略断面図を示す。
　図４の積層体は、支持基板２４と、接着性能を有する剥離剤層２７と、電子デバイス層２６とをこの順で有する。
　接着性能を有する剥離剤層２７は、支持基板２４と電子デバイス層２６との間に設けられている。接着性能を有する剥離剤層２７は、剥離剤を形成する剥離剤組成物の構成成分と接着剤層を形成する接着剤組成物の構成成分とを混合することにより作製することができる。
＜＜第２の実施態様Ａにおける積層体の一例の製造方法＞＞
　第２の実施態様Ａにおける積層体のうち図３で示される積層体を例に、以下積層体の製造方法について説明する。
　本発明の積層体は、例えば、以下の第１の工程Ａ～第５の工程Ａを含む方法で製造することができる。
　第１の工程Ａ：上記支持基板の表面に剥離剤組成物を塗布し剥離剤塗布層を形成する（必要に応じ、さらに加熱して剥離剤層を形成する）工程
　第２の工程Ａ：上記剥離剤塗布層又は剥離剤層の表面に接着剤組成物を塗布し接着剤塗布層を形成する（必要に応じ、さらに加熱して接着剤層を形成する）工程
　第３の工程Ａ：半導体チップ基板を接着剤塗布層又は接着剤層上に載置して、加熱処理及び減圧処理の少なくともいずれかを実施しながら、半導体チップ基板を接着剤塗布層又は接着剤層に貼り合わせる工程
　第４の工程Ａ：接着剤塗布層を後加熱処理することにより硬化させ接着剤層を形成する工程
　第５の工程Ａ：接着剤層上に固定された半導体チップ基板に対して封止樹脂を用いて封止する工程
　第３の工程Ａについてより詳しく説明すると、例えば、下記（ｉＡ）の実施態様Ａの工程が挙げられる。
　（ｉＡ）接着剤塗布層又は接着剤層上に半導体チップ基板を載置して、加熱処理及び減圧処理の少なくとも一方を実施しながら、半導体チップ基板及び支持基板の厚さ方向の荷重をかけて密着させ、半導体チップ基板を接着剤塗布層又は接着剤層に貼り合わせる。
　尚、第４の工程Ａは、第３の工程Ａの半導体チップ基板を接着剤塗布層に貼り合わせた後に行ってもよいし、あるいは、第３の工程Ａと併せて行うようにしてもよい。例えば、半導体チップ基板を接着剤塗布層上に載置して、半導体チップ基板及び支持基板の厚さ方向の荷重をかけながら、接着剤塗布層を加熱し硬化させることで、半導体チップ基板と接着剤塗布層との密着及び接着剤塗布層から接着剤層への硬化を一緒に行い、接着剤層と半導体チップ基板とを貼り合わせるようにしてもよい。
　また、第４の工程Ａは、第３の工程Ａの前に行ってもよく、接着剤層上に半導体チップ基板を載置して、半導体チップ基板及び支持基板の厚さ方向の荷重をかけながら、接着剤層と半導体チップ基板とを貼り合わせてもよい。
　塗布方法、塗布した剥離剤組成物や接着剤組成物の加熱温度、加熱手段等は、上記＜第１の実施態様Ａ＞の上記＜＜第１の実施態様Ａにおける積層体の一例の製造方法＞＞に記載したとおりである。
　第２の実施態様Ａの積層体の製造方法について、以下、図を用いてその手順をさらに詳しく説明する。この製造方法では、図３に示す積層体が製造される。
　図５Ａで示すように、支持基板２４上に、剥離剤組成物からなる剥離剤塗布層２３’を形成する。その際、剥離剤塗布層２３’を加熱し、剥離剤層２３を形成してもよい。
　次に、図５Ｂで示すように、剥離剤塗布層２３’又は剥離剤層２３上に、接着剤組成物からなる接着剤塗布層２２’を形成する。その際、接着剤塗布層２２’を加熱し、接着剤層２２を形成してもよい。
　次に、図５Ｃで示すように、接着剤層２２又は接着剤塗布層２２’上に半導体チップ基板２１を載置し、加熱処理及び減圧処理の少なくとも一方を実施しながら、半導体チップ基板２１及び支持基板２４の厚さ方向の荷重をかけて密着させ、半導体チップ基板２１を接着剤層２２又は接着剤塗布層２２’に貼り合わせる。接着剤塗布層２２’に半導体チップ基板２１が貼り合わされている場合には、接着剤塗布層２２’を後加熱処理することにより硬化させ接着剤層２２とし、半導体チップ基板２１を接着剤層２２に固定する。
　尚、接着剤塗布層２２’に対して後加熱処理する際、剥離剤塗布層２３’も併せて後加熱処理することにより、剥離剤層２３を形成させるようにしてもよい。
　次に、図５Ｄで示すように、接着剤層２２上に固定された半導体チップ基板２１を、封止樹脂２５を用いて封止する。図５Ｄでは、接着剤層２２を介して、支持基板２４上に仮接着された複数の半導体チップ基板２１が、封止樹脂２５により封止されている。接着剤層２２上に、半導体チップ基板２１と半導体チップ基板２１間に配された封止樹脂２５とを有する電子デバイス層２６が形成されており、このように、電子デバイス層２６は、封止樹脂に複数の半導体チップ基板が埋め込まれた基材層となっている。
＜＜＜封止工程＞＞＞
　封止材を用いて、半導体チップ基板２１を封止する。
　半導体チップ基板２１を封止するための封止材としては、金属または半導体により構成される部材を絶縁または封止可能な部材が用いられる。
　本発明では、封止材として、例えば、樹脂組成物（封止樹脂）が用いられる。封止樹脂の種類としては、金属または半導体を封止および／または絶縁可能なものであれば、特に限定されないが、例えば、エポキシ系樹脂又はシリコーン系樹脂等を用いることが好ましい。
　封止材は、樹脂成分のほか、フィラー等の他の成分を含んでいてもよい。フィラーとしては、例えば、球状シリカ粒子等が挙げられる。
　封止工程においては、例えば１３０～１７０℃に加熱された封止樹脂が、高粘度の状態を維持しつつ、半導体チップ基板２１を覆うように、接着剤層２２上に供給され、圧縮成形されることによって、接着剤層２２上に封止樹脂２５からなる層が形成される。その際、温度条件は、例えば１３０～１７０℃である。また、半導体チップ基板２１に加えられる圧力は、例えば５０～５００Ｎ／ｃｍ２である。
（加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法＜実施態様Ａ＞）
　本発明に係る積層体の実施態様Ａを用いると、加工された半導体基板の製造方法、あるいは加工された電子デバイス層の製造方法を提供することができる。
　「加工された半導体基板の製造方法」は、上記（積層体）の上記＜第１の実施態様Ａ＞の欄で記載した積層体を用いる。また、「加工された電子デバイス層の製造方法」は、上記（積層体）の上記＜第２の実施態様Ａ＞の欄で記載した積層体を用いる。
　「加工された半導体基板の製造方法」について、下記＜第３の実施態様Ａ＞で説明し、「加工された電子デバイス層の製造方法」について、下記＜第４の実施態様Ａ＞で説明する。
＜第３の実施態様Ａ＞
　本発明の加工された半導体基板の製造方法は、下記第５Ａ工程Ａと、下記第６Ａ工程Ａとを含む。加工された電子デバイス層の製造方法は、更に、下記第７Ａ工程Ａを含んでいてもよい。
　ここで、第５Ａ工程Ａは、上記＜第１の実施態様Ａ＞の欄で記載の積層体における半導体基板を加工する工程である。
　また、第６Ａ工程Ａは、第５Ａ工程Ａによって加工された半導体基板と、支持基板とを分離する工程Ａである。
　また、第７Ａ工程Ａは、第６Ａ工程Ａの後に、加工された半導体基板を洗浄する工程である。
　第５Ａ工程Ａにおいて半導体基板に施される加工とは、例えば、ウエハーの回路面の反対側の加工であり、ウエハー裏面の研磨によるウエハーの薄化が挙げられる。その後、例えば、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）等の形成を行い、その後に支持基板から薄化ウエハーを剥離してウエハーの積層体を形成し、３次元実装化される。また、例えば、それに前後してウエハー裏面電極等の形成も行われる。ウエハーの薄化とＴＳＶプロセスには支持基板に接着された状態で２５０～３５０℃程度の熱が負荷される。本発明の積層体は、通常、接着剤層を含め、その負荷に対する耐熱性を備えるものである。
　第５Ａ工程Ａにおいて半導体基板に施される加工は、半導体基板をダイシング（個片化）する工程であってもよい。
　なお、加工は、上述したものに限定されず、例えば、半導体部品を実装するための基材をサポートするために支持基板と仮接着した場合の半導体部品の実装プロセスの実施等も含まれる。
　第６Ａ工程Ａにおいて、半導体基板と支持基板とを分離（剥離）する方法は、剥離剤層への光照射の後に、鋭部を有する機材による機械的な剥離、支持体と半導体ウエハーとの間で引きはがす剥離等が挙げられるが、これらに限定されない。
　支持基板側から剥離剤層に光を照射することによって、上述の通りに剥離剤層の変質（例えば、剥離剤層の分離又は分解）を生じさせ、その後、例えば、いずれか一方の基板を引き上げて、容易に、半導体基板と支持基板とを分離することができる。
　剥離剤層に対する光の照射は、必ずしも剥離剤層の全領域に対してなされる必要はない。光が照射された領域と照射されていない領域とが混在していても、剥離剤層全体として剥離能が十分に向上していれば、例えば支持基板を引き上げる等のわずかな外力によって半導体基板と支持基板を分離できる。光を照射する領域と照射しない領域との比率及び位置関係は、用いる接着剤の種類やその具体的な組成、接着剤層の厚さ、接着剤層の厚さ、剥離剤層の厚さ照射する光の強度等によって異なるが、当業者であれば、過度の試験を要することなく、適宜条件を設定できる。このような事情のため、本発明の加工された半導体基板の製造方法によれば、例えば、用いる積層体の支持基板が光透過性を有する場合において支持基板側からの光照射によって剥離をする際に光照射時間を短くすることが可能となり、その結果、スループットの改善が期待できるだけでなく、剥離のための物理的な応力等を回避して、光の照射のみによって半導体基板と支持基板とを容易かつ効率的に分離できる。
　通常、剥離のための光の照射量は、５０～３，０００ｍＪ／ｃｍ２である。照射時間は、波長及び照射量に応じて適宜決定される。
　剥離に用いる光の波長は、上述したように、例えば、２５０～６００ｎｍの波長であることが好ましく、２５０～３７０ｎｍの波長であることがより好ましい。より好適な波長は、３０８ｎｍ、３４３ｎｍ、３５５ｎｍ、３６５ｎｍ、又は５３２ｎｍである。剥離に必要な光の照射量は、ノボラック樹脂の好適な変質、例えば分解を引き起こせる照射量である。
　剥離に用いる光は、レーザー光でもよく、紫外線ランプ等の光源から発される非レーザー光でもよい。
　分離した半導体基板及び支持基板の少なくともいずれかの表面に、洗浄剤組成物を吹き付けたり、分離した半導体基板又は支持基板を洗浄剤組成物に浸漬したりして基板を洗浄することができる。
　また、除去テープ等を用いて、加工された半導体基板等の表面を洗浄してもよい。
　基板の洗浄の一例として、第６Ａ工程Ａの後に、加工された半導体基板を洗浄する第７Ａ工程Ａを行ってもよい。
　洗浄に用いる洗浄剤組成物は、以下のものが挙げられる。
　洗浄剤組成物は、通常、塩と、溶媒を含む。
　洗浄剤組成物の好適な一例としては、第四級アンモニウム塩と、溶媒とを含む洗浄剤組成物が挙げられる。
　第四級アンモニウム塩は、第四級アンモニウムカチオンと、アニオンとから構成されるものであって、この種の用途に用いられるものであれば特に限定されるものではない。
　このような第四級アンモニウムカチオンとしては、典型的には、テトラ（炭化水素）アンモニウムカチオンが挙げられる。一方、それと対を成すアニオンとしては、水酸化物イオン（ＯＨ－）；フッ素イオン（Ｆ－）、塩素イオン（Ｃｌ－）、臭素イオン（Ｂｒ－）、ヨウ素イオン（Ｉ－）等のハロゲンイオン；テトラフルオロホウ酸イオン（ＢＦ４ －）；ヘキサフルオロリン酸イオン（ＰＦ６ －）等が挙げられるが、これらに限定されない。
　第四級アンモニウム塩は、好ましくは含ハロゲン第四級アンモニウム塩であり、より好ましくは含フッ素第四級アンモニウム塩である。
　第四級アンモニウム塩中、ハロゲン原子は、カチオンに含まれていても、アニオンに含まれていてもよいが、好ましくはアニオンに含まれる。
　好ましい一態様においては、含フッ素第四級アンモニウム塩は、フッ化テトラ（炭化水素）アンモニウムである。
　フッ化テトラ（炭化水素）アンモニウムにおける炭化水素基の具体例としては、炭素原子数１～２０のアルキル基、炭素原子数２～２０のアルケニル基、炭素原子数２～２０のアルキニル基、炭素原子数６～２０のアリール基等が挙げられる。
　より好ましい一態様においては、フッ化テトラ（炭化水素）アンモニウムは、フッ化テトラアルキルアンモニウムを含む。
　フッ化テトラアルキルアンモニウムの具体例としては、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラエチルアンモニウム、フッ化テトラプロピルアンモニウム、フッ化テトラブチルアンモニウム（テトラブチルアンモニウムフルオリドともいう）等が挙げられるが、これらに限定されない。中でも、フッ化テトラブチルアンモニウムが好ましい。
　フッ化テトラ（炭化水素）アンモニウム等の第四級アンモニウム塩は、水和物を用いてもよい。また、フッ化テトラ（炭化水素）アンモニウム等の第四級アンモニウム塩は、１種単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。
　第四級アンモニウム塩の量は、洗浄剤組成物に含まれる溶媒に溶解する限り特に制限されるものではないが、洗浄剤組成物に対して、通常０．１～３０質量％である。
　洗浄剤組成物が含む溶媒は、この種の用途に用いられ、かつ第四級アンモニウム塩等の塩を溶解するものであれば特に限定されるものではないが、優れた洗浄性を有する洗浄剤組成物を再現性よく得る観点、第四級アンモニウム塩等の塩を良好に溶解させて、均一性に優れる洗浄剤組成物を得る観点等から、好ましくは、洗浄剤組成物は、１種又は２種以上のアミド系溶媒を含む。
　アミド系溶媒の好適な一例としては、式（Ｚ）で表される酸アミド誘導体が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
　式中、Ｒ０は、エチル基、プロピル基又はイソプロピル基を表し、エチル基、イソプロピル基が好ましく、エチル基がより好ましい。ＲＡ及びＲＢは、それぞれ独立して、炭素原子数１～４のアルキル基を表す。炭素原子数１～４のアルキル基は直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、シクロブチル基等が挙げられる。これらのうち、ＲＡ及びＲＢとしては、メチル基又はエチル基が好ましく、ともにメチル基又はエチル基がより好ましく、ともにメチル基がより一層好ましい。
　式（Ｚ）で表される酸アミド誘導体としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルプロピオンアミド、Ｎ－エチル－Ｎ－メチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル酪酸アミド、Ｎ，Ｎ－ジエチル酪酸アミド、Ｎ－エチル－Ｎ－メチル酪酸アミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルイソ酪酸アミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルイソ酪酸アミド、Ｎ－エチル－Ｎ－メチルイソ酪酸アミド等が挙げられる。これらのうち、特に、Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルイソブチルアミドが好ましく、Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミドがより好ましい。
　式（Ｚ）で表される酸アミド誘導体は、対応するカルボン酸エステルとアミンの置換反応によって合成してもよいし、市販品を使用してもよい。
　好ましいアミド系溶媒の他の一例としては、式（Ｙ）で表されるラクタム化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
　式（Ｙ）において、Ｒ１０１は水素原子又は炭素原子数１～６のアルキル基を表し、Ｒ１０２は炭素原子数１～６のアルキレン基を表す。炭素原子数１～６のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基等が挙げられ、炭素原子数１～６のアルキレン基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等が挙げられるが、これらに限定されない。
　式（Ｙ）で表されるラクタム化合物の具体例としては、α－ラクタム化合物、β－ラクタム化合物、γ－ラクタム化合物、δ－ラクタム化合物等を挙げることができ、これらは１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　好ましい一態様においては、式（Ｙ）で表されるラクタム化合物は、１－アルキル－２－ピロリドン（Ｎ－アルキル－γ－ブチロラクタム）を含み、より好ましい一態様においては、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）又はＮ－エチルピロリドン（ＮＥＰ）を含み、より一層好ましい一態様においては、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）を含む。
　洗浄剤組成物は、上述のアミド化合物とは異なる、１種又は２種以上のその他の有機溶媒を含んでもよい。
　このようなその他の有機溶媒は、この種の用途に用いられるものであって、上述のアミド化合物と相溶性がある有機溶媒であれば特に限定されるものではない。
　好ましいその他の溶媒としては、アルキレングリコールジアルキルエーテル、芳香族炭化水素化合物、環状構造含有エーテル化合物等が挙げられるが、これらに限定されない。
　上述のアミド化合物とは異なるその他の有機溶媒の量は、洗浄剤組成物に含まれる第四級アンモニウム塩が析出又は分離せず、かつ上述のアミド化合物と均一に混ざり合う限りにおいて、通常、洗浄剤組成物に含まれる溶媒中９５質量％以下で適宜決定される。
　なお、洗浄剤組成物は、溶媒として、水を含んでもよいが、基板の腐食等を回避する観点等から、通常、有機溶媒のみが、溶媒として意図して用いられる。なお、この場合において、塩の水和水や、有機溶媒に含まれる微量含まれる水が、洗浄剤組成物に含まれてしまうことまでもが、否定される訳ではない。洗浄剤組成物の含水量は、通常５質量％以下である。
　本発明の加工された半導体基板の製造方法の実施態様Ａの上述の工程に関する構成要素及び方法的要素については、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々変更しても差し支えない。
　本発明の加工された半導体基板の製造方法の実施態様Ａは、上述の工程以外の工程を含んでもよい。
　本発明の剥離方法は、本発明の積層体の半導体基板又は支持基板が光透過性を有する場合に、半導体基板側又は支持基板側から剥離剤層に光を照射することで、積層体の半導体基板と支持基板とを分離するものである。
　本発明の積層体の一例においては、半導体基板と支持基板とが接着剤層及び剥離剤層によって好適に剥離可能に仮接着されているので、例えば、支持基板が光透過性を有する場合には、積層体の支持基板側から光を剥離剤層に照射することで、半導体基板と支持基板とを容易に分離できる。通常、剥離は、積層体の半導体基板に加工が行われた後に実施される。
　第３の実施態様Ａの一例を、図６Ａ～図６Ｄを用いて、説明する。この一例は、薄化した半導体基板の製造の一例である。
　まず、積層体を用意する（図６Ａ）。この積層体は、図１及び図２Ｃに示す積層体と同じ積層体である。
　次に、研磨装置（不図示）を用いて半導体基板１の接着剤層２が接する面と反対側の面を研磨し、半導体基板１を薄化する（図６Ｂ）。なお、薄化された半導体基板１に対して貫通電極の形成などが施されてもよい。
　次に、支持基板４側から剥離剤層３に光照射をした後に、剥離装置（不図示）を用いて、薄化した半導体基板１と支持基板４とを離す（図６Ｃ）。
　そうすると、薄化された半導体基板１が得られる（図６Ｄ）。
　ここで、薄化された半導体基板１上には、接着剤層２及び剥離剤層３の残渣が残っていることがある。そこで、洗浄剤組成物を用いて薄化した半導体基板１を洗浄し、半導体基板１上から接着剤層２及び剥離剤層３の残渣を取り除くことが好ましい。
＜第４の実施態様Ａ＞
　本発明の加工された電子デバイス層の製造方法は、下記第５Ｂ工程Ａと、下記第６Ｂ工程Ａとを含む。加工された電子デバイス層の製造方法は、更に、下記第７Ｂ工程Ａを含んでいてもよい。
　ここで、第５Ｂ工程Ａは、上記＜第２の実施態様Ａ＞の欄で記載の積層体における電子デバイス層を加工する工程である。
　また、第６Ｂ工程Ａは、第５Ｂ工程Ａによって加工された電子デバイス層と、支持基板とを分離する工程である。
　また、第７Ｂ工程Ａは、第６Ｂ工程Ａの後に、加工された電子デバイス層を洗浄する工程である。
　以下、第４の実施態様Ａの具体例について、図７Ａ～図７Ｆを用いつつ、説明する。
　第５Ｂ工程Ａにおいて電子デバイス層に施される加工とは、例えば、研削工程や配線層形成工程等が挙げられる。
＜＜研削工程＞＞
　研削工程は、電子デバイス層２６における封止樹脂２５の層の樹脂部分を、半導体チップ基板２１の一部が露出するように研削する工程である。
　封止樹脂部分の研削は、例えば図７Ｂに示すように、図７Ａに示す積層体の封止樹脂２５の層を、半導体チップ基板２１とほぼ同等の厚さになるまで削ることにより行う。なお、図７Ａに示す積層体は、図３及び図５Ｄに示す積層体と同じ積層体である。
＜＜配線層形成工程＞＞
　配線層形成工程は、上記研削工程の後、露出した半導体チップ基板２１上に配線層を形成する工程である。
　図７Ｃでは、半導体チップ基板２１及び封止樹脂２５の層からなる電子デバイス層２６上に、配線層２８が形成されている。
　配線層２８は、ＲＤＬ（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ：再配線層）とも呼ばれ、基板に接続する配線を構成する薄膜の配線体であり、単層又は複数層の構造を有し得る。配線層は、誘電体（酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、感光性エポキシ等の感光性樹脂など）の間に導電体（例えば、アルミニウム、銅、チタン、ニッ ケル、金及び銀等の金属並びに銀一錫合金等の合金）によって配線が形成されたものであり得るが、これに限定されない。
　配線層２８を形成する方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。
　まず、封止樹脂２５の層上に、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、感光性樹脂等の誘電体層を形成する。酸化シリコンからなる誘電体層は、例えばスパッタ法、真空蒸着法等により形成することができる。感光性樹脂からなる誘電体層は、例えばスピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により、封止樹脂２５の層上に、感光性樹脂を塗布することで形成することができる。
　続いて、誘電体層に、金属等の導電体によって配線を形成する。配線を形成する方法としては、例えば、フォトリソグラフィー（レジストリソグラフィー）等のリソグラフィー処理、エッチング処理等の公知の半導体プロセス手法を用いることができる。このような、リソグラフィー処理としては、例えば、ポジ型レジスト材料を用いたリソグラフィー処理、ネガ型レジスト材料を用いたリソグラフィー処理が挙げられる。
　第４の実施態様Ａに係る積層体の製造方法においては、さらに、配線層２８上にバンプの形成、又は素子の実装を行うことができる。配線層２８上への素子の実装は、例えば、チップマウンター等を用いて行うことができる。
　第４の実施態様Ａに係る積層体は、半導体チップ基板に設けられた端子がチップエリア外に広がる配線層に実装される、ファンアウト型技術に基づく過程において作製される積層体であってもよい。
　第６Ｂ工程Ａにおいて、電子デバイス層と支持基板とを分離（剥離）する方法は、剥離剤層への光照射の後に、鋭部を有する機材による機械的な剥離、支持体と電子デバイス層との間で引きはがす剥離等が挙げられるが、これらに限定されない。
　支持基板側から剥離剤層に光を照射することによって、上述の通りに剥離剤層の変質（例えば、剥離剤層の分離又は分解）を生じさせ、その後、例えば、いずれか一方の基板を引き上げて、容易に、電子デバイス層と支持基板とを分離することができる。
　図７Ｄ～図７Ｅは、積層体の分離方法を説明するための概略断面図であり、図７Ｆは、積層体の分離後における洗浄方法を説明するための概略断面図である。図７Ｄ～図７Ｆにより、半導体パッケージ（電子部品）の製造方法の一実施態様を説明することができる。
　積層体を分離する工程は、図７Ｄで示すように、支持基板２４を介して剥離剤層２３に光（矢印）を照射して、剥離剤層２３を変質させることにより、電子デバイス層２６と支持基板２４とを分離する工程である。
　剥離剤層２３に光（矢印）を照射して剥離剤層２３を変質させた後、図７Ｅで示すように、電子デバイス層２６から支持基板２４を分離する。
　接着剤層に対する光照射の照射条件や照射方法等については、上記＜第３の実施態様Ａ＞の欄で説明した通りである。
　分離した電子デバイス層及び支持基板の少なくともいずれかの表面に、洗浄剤組成物を吹き付けたり、分離した電子デバイス層又は支持基板を洗浄剤組成物に浸漬したりして基板を洗浄することができる。
　また、除去テープ等を用いて、加工された電子デバイス層等の表面を洗浄してもよい。
　例えば、図７Ｅでは、分離工程の後、電子デバイス層２６に接着剤層２２や剥離剤層２３が付着しているが、酸又はアルカリ等の洗浄剤組成物を用いて、接着剤層２２や剥離剤層２３を分解することにより、接着剤層２２や剥離剤層２３を除去することができる。剥離剤層や接着剤層を除去することにより、図７Ｆで示すような加工された電子デバイス層（電子部品）を好適に得ることができる。
　本発明の加工された電子デバイス層の製造方法の上述の工程に関する構成要素及び方法的要素については、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々変更しても差し支えない。
　本発明の加工された電子デバイス層の製造方法の実施態様Ａは、上述の工程以外の工程を含んでもよい。
　本発明の積層体の実施態様Ａにおいては、電子デバイス層と支持基板とが接着剤層によって好適に剥離可能に仮接着されているので、例えば、支持基板が光透過性を有する場合には、積層体の支持基板側から光を剥離剤層に照射することで、電子デバイス層と支持基板とを容易に分離できる。通常、剥離は、積層体の電子デバイス層に加工が行われた後に実施される。
（積層体＜実施態様Ｂ＞）
　本発明に係る積層体の実施態様Ｂは、半導体基板又は電子デバイス層と、支持基板と、光照射剥離用の接着剤層とを有する。
　支持基板は光透過性を有する。
　光照射剥離用の接着剤は、半導体基板又は電子デバイス層と支持基板との間に設けられている。
　積層体の実施態様Ｂは、支持基板側から照射された光を接着剤層が吸収した後に半導体基板又は電子デバイス層と支持基板とが剥がされることに用いられる。
　光照射剥離用の接着剤層は、上述した本発明の光照射剥離用の接着剤組成物から形成される層である。
　積層体の実施態様Ｂでは、本発明の光照射剥離用の接着剤組成物から形成される接着剤層を用いることで、剥離剤層を有さなくても、剥離性に優れる。
　本発明の積層体の実施態様Ｂは、半導体基板又は電子デバイス層を加工するため仮接着するために使用され、半導体基板又は電子デバイス層の薄化等の加工に好適に用いることができる。
　半導体基板に薄化等の加工が施されている間は、半導体基板は、支持基板に支持されている。他方、半導体基板の加工後は、接着剤層に光が照射され、その後は、支持基板と半導体基板とが離される。本発明の光照射剥離用の接着剤組成物が含有するノボラック樹脂によって、当該接着剤組成物から形成された接着剤層において、ノボラック樹脂が光（例えば、レーザー光）を吸収して接着剤層を変質（例えば、分離又は分解）させる。その結果、接着剤層に光が照射された後は、半導体基板と支持基板とが剥がされやすくなる。
　また、電子デバイス層に薄化等の加工が施されている間は、電子デバイス層は、支持基板に支持されている。他方、電子デバイス層の加工後は、接着剤層に光が照射され、その後は、支持基板と電子デバイス層とが離される。
　本発明に係る接着剤層により、光が照射された後は、半導体基板又は電子デバイス層と支持基板とが剥がされやすくなる。さらに、半導体基板又は電子デバイス層と支持基板とが剥がされた後に半導体基板、電子デバイス層、又は支持基板に残る接着剤層の残渣は、例えば、半導体基板等を洗浄するための洗浄剤組成物によって除去することができる。
　本発明の積層体は、接着剤層が単層で形成されているため、容易に製造することができ、生産性に優れる。
　剥離に用いる光の波長は、例えば、２５０～６００ｎｍの波長であることが好ましく、２５０～３７０ｎｍの波長であることがより好ましい。より好適な波長は、３０８ｎｍ、３４３ｎｍ、３５５ｎｍ、３６５ｎｍ、又は５３２ｎｍである。剥離に必要な光の照射量は、ノボラック樹脂の好適な変質、例えば分解を引き起こせる照射量である。
　剥離に用いる光は、レーザー光でもよく、紫外線ランプ等の光源から発される非レーザー光でもよい。
　積層体が、半導体基板を有している場合と、電子デバイス層を有している場合とで、それぞれ場合分けして、以下詳しく説明する。
　積層体が半導体基板を有している場合を、下記＜第１の実施態様Ｂ＞で説明し、積層体が電子デバイス層を有している場合を、下記＜第２の実施態様Ｂ＞で説明する。
＜第１の実施態様Ｂ＞
　半導体基板を有する積層体は、半導体基板の加工に使用される。半導体基板に加工が施されている間は、半導体基板は支持基板に接着されている。半導体基板の加工後は、接着剤層に光を照射した後、半導体基板は支持基板から離される。
　半導体基板としては、＜第１の実施態様Ａ＞で説明した半導体基板が挙げられる。
　支持基板としては、＜第１の実施態様Ａ＞で説明した支持基板が挙げられる。
＜＜接着剤層＞＞
　接着剤層は、接着剤組成物から形成される層である。
　接着剤層は、半導体基板と支持基板との間に設けられる。
　接着剤層は、支持基板と接していてもよく半導体基板と接していてもよい。
　接着剤層は、上述した本発明の光照射剥離用の接着剤組成物を用いて形成される。
　本発明の接着剤組成物は、半導体基板と、支持基板と、半導体基板と支持基板との間に設けられた接着剤層とを有する積層体の接着剤層を形成するために好適に用いることができる。積層体は、支持基板側から照射された光を接着剤層が吸収した後に半導体基板と支持基板とが剥がされることに用いられる。
　本発明の接着剤組成物から得られる接着剤層の特徴の一つは、光照射後、半導体基板と支持基板とを容易に剥離することができることである。
　接着剤組成物から接着剤層を形成する際に、ノボラック樹脂は、シロキサン骨格含有エポキシ樹脂と反応していると考えられる。
　接着剤層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常１～５００μｍであり、膜強度を保つ観点から、好ましくは１．５μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上、より一層好ましくは３μｍ以上であり、厚膜に起因する不均一性を回避する観点から、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下、より一層好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下である。
　接着剤層の厚さは、例えば、光学式や接触式の膜厚計を用いること等により測定できる。
　接着剤組成物から接着剤層を形成する方法については、以下で記載する＜＜第１の実施態様Ｂにおける積層体の一例の製造方法＞＞の説明箇所で詳しく述べる。
　以下、第１の実施態様Ｂの積層体の構成の一例を、図を用いて説明する。
　図８の積層体は、半導体基板１と、接着剤層２と、支持基板４とをこの順で有する。
　接着剤層２は、半導体基板１と支持基板４との間に設けられている。接着剤層２は、半導体基板１及び支持基板４に接する。
＜＜第１の実施態様Ｂにおける積層体の一例の製造方法＞＞
　第１の実施態様Ｂにおける積層体のうち図８で示される積層体を例に、以下積層体の製造方法について説明する。
　本発明の積層体の一例は、例えば、以下の第１工程Ｂ～第２工程Ｂを含む方法で製造することができる。
　第１工程Ｂ：半導体基板上に接着剤組成物を塗布し接着剤塗布層を形成する工程
　第２工程Ｂ：接着剤塗布層が加熱され、接着剤層が形成される工程
　接着剤組成物の塗布方法は、特に限定されるものではないが、通常、スピンコート法である。なお、別途スピンコート法等で塗布膜を形成し、シート状の塗布膜を形成し、シート状の塗布膜を、接着剤塗布層として貼付する方法を採用し得る。
　塗布した接着剤組成物の加熱温度は、接着剤組成物が含む接着剤成分の種類や量、用いる溶媒の沸点、所望の接着剤層の厚さ等に応じて異なるため一概に規定できないが、好適な接着剤層を再現性よく実現する観点から、８０℃以上３００℃以下であり、その加熱時間は、加熱温度に応じて、通常１０秒～１０分の範囲で適宜決定される。加熱温度は好ましくは１００℃以上２８０℃以下であり、より好ましくは１５０℃以上２５０℃以下である。加熱時間は好ましくは３０秒以上８分以下、より好ましくは１分以上５分以下である。
　加熱は、ホットプレート、オーブン等を用いて行うことができる。
　通常、塗布した接着剤組成物を加熱する。
　接着剤組成物を塗布し、必要があればそれを加熱して得られる接着剤塗布層の膜厚は、通常１～５００μｍ程度であり、最終的に、上述の接着剤層の厚さの範囲となるように適宜定められる。
　本発明においては、加熱処理若しくは減圧処理又はこれら両方を実施しながら、半導体基板及び支持基板の厚さ方向の荷重をかけて、その後、後加熱処理を実施することによって、本発明の積層体を得ることができる。なお、加熱処理、減圧処理、両者の併用のいずれの処理条件を採用するかは、接着剤組成物の種類、膜厚、求める接着強度等の各種事情を勘案した上で適宜決定される。
　加熱処理は、組成物から溶媒を除去する観点等から、通常２０～１６０℃の範囲から適宜決定される。特に、接着剤成分の過度の硬化や不要な変質を抑制又は回避する観点から、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１３０℃以下であり、その加熱時間は、加熱温度や接着剤の種類に応じて適宜決定されるものではあるが、好適な接着を確実に発現させる観点から、通常３０秒以上であり、好ましくは１分以上であるが、接着剤層やその他の部材の変質を抑制する観点から、通常１０分以下、好ましくは５分以下である。
　減圧処理は、互いに接する接着剤塗布層を１０～１０，０００Ｐａの気圧下にさらせばよい。減圧処理の時間は、通常１～３０分である。
　半導体基板及び支持基板の厚さ方向の荷重は、半導体基板及び支持基板とそれらの間の層に悪影響を及ぼさず、かつこれらをしっかりと密着させることができる荷重である限り特に限定されないが、通常１０～５０，０００Ｎの範囲内である。
　後加熱の温度は、十分な硬化速度を実現する観点等から、好ましくは１２０℃以上であり、基板や各層の変質を防ぐ観点等から、好ましくは２６０℃以下である。
　後加熱の時間は、積層体を構成する基板及び層の好適な接合を実現する観点から、通常１分以上、好ましくは５分以上であり、過度の加熱による各層への悪影響等を抑制又は回避する観点から、通常１８０分以下、好ましくは１２０分以下である。
　後加熱は、ホットプレート、オーブン等を用いて行うことができる。ホットプレートを用いて後加熱をする場合、積層体の半導体基板と支持基板のいずれを下にして加熱してもよいが、好適な剥離を再現性よく実現する観点から、半導体基板を下にして後加熱することが好ましい。
　なお、後加熱処理の一つの目的は、より好適な自立膜である接着剤層を実現することである。
　以下、図８の積層体を製造する方法の一例を、図９Ａ～図９Ｂを用いて、説明する。
　図９Ａ～図９Ｂは、積層体の製造を行う一態様を説明するための図である。
　まず、半導体基板１上に接着剤塗布層２ａが形成された積層体を用意する（図９Ａ）。この積層体は、例えば、半導体基板１上に接着剤組成物を塗布し、加熱することで得ることができる。
　次に、図９Ａに示す積層体と支持基板４とを、接着剤塗布層２ａと支持基板４が接するように貼り合せる。そして、減圧下で半導体基板１と支持基板４との厚さ方向に荷重を掛けた後、半導体基板１の接着剤塗布層２ａが接する面と反対側の面に、加熱装置（不図示；ホットプレート）を配し、加熱装置によって接着剤塗布層２ａを加熱して硬化させ接着剤層２に転化する（図９Ｂ）。
　図９Ａ～図９Ｂで示した工程によって、図８に示す積層体が得られる。
　なお、本発明の効果が損なわれない限り、いずれか一方の基板に、接着剤組成物の塗布及び加熱をそれぞれ順次行ってもよい。
＜第２の実施態様Ｂ＞
　電子デバイス層を有する積層体は、電子デバイス層の加工に使用される。電子デバイス層に加工が施されている間は、電子デバイス層は支持基板に接着されている。電子デバイス層の加工後は、接着剤層に光を照射した後、電子デバイス層は支持基板から離される。
＜＜電子デバイス層＞＞
　電子デバイス層としては、上記＜第２の実施態様Ａ＞の上記＜＜電子デバイス層＞＞の欄で説明したものと同様のものが例示される。
＜＜支持基板＞＞
　支持基板としては、上記＜第１の実施態様Ａ＞の上記＜＜支持基板＞＞の欄で説明したものと同様のものが例示される。
＜＜接着剤層＞＞
　接着剤層は、上述した本発明の光照射剥離用の接着剤組成物を用いて形成される。
　接着剤層の詳しい説明は、上記＜第１の実施態様Ｂ＞の上記＜＜接着剤層＞＞の欄で説明したとおりである。
　以下、第２の実施態様Ｂの積層体の構成の一例を、図を用いて説明する。
　図１０は、第２の実施態様Ｂの積層体の一例の概略断面図を示す。
　図１０の積層体は、支持基板２４と、接着剤層２２と、電子デバイス層２６とをこの順で有する。
　電子デバイス層２６は、複数の半導体チップ基板２１と、該半導体チップ基板２１間に配された封止材である封止樹脂２５とを有してなる。
　接着剤層２２は、電子デバイス層２６と支持基板２４との間に設けられている。接着剤層２２は、電子デバイス層２６と支持基板２４に接する。
＜＜第２の実施態様Ｂにおける積層体の一例の製造方法＞＞
　第２の実施態様Ｂにおける積層体のうち図１０で示される積層体を例に、以下積層体の製造方法について説明する。
　本発明の積層体は、例えば、以下の第１の工程Ｂ～第４の工程Ｂを含む方法で製造することができる。
　第１の工程Ｂ：上記支持基板の表面に接着剤組成物を塗布し接着剤塗布層を形成する（必要に応じ、さらに加熱して接着剤層を形成する）工程
　第２の工程Ｂ：半導体チップ基板を接着剤塗布層又は接着剤層上に載置して、加熱処理及び減圧処理の少なくともいずれかを実施しながら、半導体チップ基板を接着剤塗布層又は接着剤層に貼り合わせる工程
　第３の工程Ｂ：接着剤塗布層を後加熱処理することにより硬化させ接着剤層を形成する工程
　第４の工程Ｂ：接着剤層上に固定された半導体チップ基板に対して封止樹脂を用いて封止する工程
　第２の工程Ｂについてより詳しく説明すると、例えば、下記（ｉＢ）の実施態様の工程が挙げられる。
　（ｉＢ）接着剤塗布層又は接着剤層上に半導体チップ基板を載置して、加熱処理及び減圧処理の少なくとも一方を実施しながら、半導体チップ基板及び支持基板の厚さ方向の荷重をかけて密着させ、半導体チップ基板を接着剤塗布層又は接着剤層に貼り合わせる。
　尚、第３の工程Ｂは、第２の工程Ｂの半導体チップ基板を接着剤塗布層に貼り合わせた後に行ってもよいし、あるいは、第２の工程Ｂと併せて行うようにしてもよい。例えば、半導体チップ基板を接着剤塗布層上に載置して、半導体チップ基板及び支持基板の厚さ方向の荷重をかけながら、接着剤塗布層を加熱し硬化させることで、半導体チップ基板と接着剤塗布層との密着及び接着剤塗布層から接着剤層への硬化を一緒に行い、接着剤層と半導体チップ基板とを貼り合わせるようにしてもよい。
　また、第３の工程Ｂは、第２の工程Ｂの前に行ってもよく、接着剤層上に半導体チップ基板を載置して、半導体チップ基板及び支持基板の厚さ方向の荷重をかけながら、接着剤層と半導体チップ基板とを貼り合わせてもよい。
　塗布方法、塗布した接着剤組成物の加熱温度、加熱手段等は、上記＜第１の実施態様Ｂ＞の上記＜＜第１の実施態様Ｂにおける積層体の一例の製造方法＞＞に記載したとおりである。
　第２の実施態様Ｂの積層体の製造方法について、以下、図を用いてその手順をさらに詳しく説明する。この製造方法では、図１０に示す積層体が製造される。
　図１１Ａで示すように、支持基板２４上に、接着剤組成物からなる接着剤塗布層２２’を形成する。その際、接着剤塗布層２２’を加熱し、接着剤層２２を形成してもよい。
　次に、図１１Ｂで示すように、接着剤層２２又は接着剤塗布層２２’上に半導体チップ基板２１を載置し、加熱処理及び減圧処理の少なくとも一方を実施しながら、半導体チップ基板２１及び支持基板２４の厚さ方向の荷重をかけて密着させ、半導体チップ基板２１を接着剤層２２又は接着剤塗布層２２’に貼り合わせる。接着剤塗布層２２’に半導体チップ基板２１が貼り合わされている場合には、接着剤塗布層２２’を後加熱処理することにより硬化させ接着剤層２２とし、半導体チップ基板２１を接着剤層２２に固定する。
　次に、図１１Ｃで示すように、接着剤層２２上に固定された半導体チップ基板２１を、封止樹脂２５を用いて封止する。図１１Ｃでは、接着剤層２２を介して、支持基板２４上に仮接着された複数の半導体チップ基板２１が、封止樹脂２５により封止されている。接着剤層２２上に、半導体チップ基板２１と半導体チップ基板２１間に配された封止樹脂２５とを有する電子デバイス層２６が形成されており、このように、電子デバイス層２６は、封止樹脂に複数の半導体チップ基板が埋め込まれた基材層となっている。
＜＜＜封止工程＞＞＞
　封止材を用いて、半導体チップ基板２１を封止する。
　半導体チップ基板２１を封止するための封止材としては、金属または半導体により構成される部材を絶縁または封止可能な部材が用いられる。
　本発明では、封止材として、例えば、樹脂組成物（封止樹脂）が用いられる。封止樹脂の種類としては、金属または半導体を封止および／または絶縁可能なものであれば、特に限定されないが、例えば、エポキシ系樹脂又はシリコーン系樹脂等を用いることが好ましい。
　封止材は、樹脂成分のほか、フィラー等の他の成分を含んでいてもよい。フィラーとしては、例えば、球状シリカ粒子等が挙げられる。
　封止工程においては、例えば１３０～１７０℃に加熱された封止樹脂が、高粘度の状態を維持しつつ、半導体チップ基板２１を覆うように、接着剤層２２上に供給され、圧縮成形されることによって、接着剤層２２上に封止樹脂２５からなる層が形成される。その際、温度条件は、例えば１３０～１７０℃である。また、半導体チップ基板２１に加えられる圧力は、例えば５０～５００Ｎ／ｃｍ２である。
（加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法）
　本発明に係る積層体を用いると、加工された半導体基板の製造方法、あるいは加工された電子デバイス層の製造方法を提供することができる。
　「加工された半導体基板の製造方法」は、上記（積層体）の上記＜第１の実施態様＞の欄で記載した積層体を用いる。また、「加工された電子デバイス層の製造方法」は、上記（積層体）の上記＜第２の実施態様Ｂ＞の欄で記載した積層体を用いる。
　「加工された半導体基板の製造方法」について、下記＜第３の実施態様Ｂ＞で説明し、「加工された電子デバイス層の製造方法」について、下記＜第４の実施態様Ｂ＞で説明する。
＜第３の実施態様Ｂ＞
　本発明の加工された半導体基板の製造方法は、下記第５Ａ工程Ｂと、下記第６Ａ工程Ｂとを含む。加工された電子デバイス層の製造方法は、更に、下記第７Ａ工程Ｂを含んでいてもよい。
　ここで、第５Ａ工程Ｂは、上記＜第１の実施態様Ｂ＞の欄で記載の積層体における半導体基板を加工する工程Ｂである。
　また、第６Ａ工程は、第５Ａ工程Ｂによって加工された半導体基板と、支持基板とを分離する工程である。
　また、第７Ａ工程Ｂは、第６Ａ工程Ｂの後に、加工された半導体基板を洗浄する工程である。
　第５Ａ工程Ｂにおいて半導体基板に施される加工とは、例えば、ウエハーの回路面の反対側の加工であり、ウエハー裏面の研磨によるウエハーの薄化が挙げられる。その後、例えば、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）等の形成を行い、その後に支持基板から薄化ウエハーを剥離してウエハーの積層体を形成し、３次元実装化される。また、例えば、それに前後してウエハー裏面電極等の形成も行われる。ウエハーの薄化とＴＳＶプロセスには支持基板に接着された状態で２５０～３５０℃程度の熱が負荷される。本発明の積層体は、通常、接着剤層を含め、その負荷に対する耐熱性を備えるものである。
　第５Ａ工程Ｂにおいて半導体基板に施される加工は、半導体基板をダイシング（個片化）する工程であってもよい。
　なお、加工は、上述したものに限定されず、例えば、半導体部品を実装するための基材をサポートするために支持基板と仮接着した場合の半導体部品の実装プロセスの実施等も含まれる。
　第６Ａ工程Ｂにおいて、半導体基板と支持基板とを分離（剥離）する方法は、接着剤層への光照射の後に、鋭部を有する機材による機械的な剥離、支持体と半導体ウエハーとの間で引きはがす剥離等が挙げられるが、これらに限定されない。
　支持基板側から接着剤層に光を照射することによって、上述の通りに接着剤層の変質（例えば、接着剤層の分離又は分解）を生じさせ、その後、例えば、いずれか一方の基板を引き上げて、容易に、半導体基板と支持基板とを分離することができる。
　接着剤層に対する光の照射は、必ずしも接着剤層の全領域に対してなされる必要はない。光が照射された領域と照射されていない領域とが混在していても、接着剤層全体として剥離能が十分に向上していれば、例えば支持基板を引き上げる等のわずかな外力によって半導体基板と支持基板を分離できる。光を照射する領域と照射しない領域との比率及び位置関係は、用いる接着剤の種類やその具体的な組成、接着剤層の厚さ、照射する光の強度等によって異なるが、当業者であれば、過度の試験を要することなく、適宜条件を設定できる。このような事情のため、本発明の加工された半導体基板の製造方法によれば、例えば、用いる積層体の支持基板が光透過性を有する場合において支持基板側からの光照射によって剥離をする際に光照射時間を短くすることが可能となり、その結果、スループットの改善が期待できるだけでなく、剥離のための物理的な応力等を回避して、光の照射のみによって半導体基板と支持基板とを容易かつ効率的に分離できる。
　通常、剥離のための光の照射量は、５０～３，０００ｍＪ／ｃｍ２である。照射時間は、波長及び照射量に応じて適宜決定される。
　剥離に用いる光の波長は、上述したように、例えば、２５０～６００ｎｍの波長であることが好ましく、２５０～３７０ｎｍの波長であることがより好ましい。より好適な波長は、３０８ｎｍ、３４３ｎｍ、３５５ｎｍ、３６５ｎｍ、又は５３２ｎｍである。剥離に必要な光の照射量は、ノボラック樹脂の好適な変質、例えば分解を引き起こせる照射量である。
　剥離に用いる光は、レーザー光でもよく、紫外線ランプ等の光源から発される非レーザー光でもよい。
　分離した半導体基板及び支持基板の少なくともいずれかの表面に、洗浄剤組成物を吹き付けたり、分離した半導体基板又は支持基板を洗浄剤組成物に浸漬したりして基板を洗浄することができる。
　また、除去テープ等を用いて、加工された半導体基板等の表面を洗浄してもよい。
　基板の洗浄の一例として、第６Ａ工程Ｂの後に、加工された半導体基板を洗浄する第７Ａ工程を行ってもよい。
　洗浄に用いる洗浄剤組成物は、上記＜第３の実施態様Ａ＞で説明したものが挙げられる。
　本発明の加工された半導体基板の製造方法の実施態様Ｂの上述の工程に関する構成要素及び方法的要素については、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々変更しても差し支えない。
　本発明の加工された半導体基板の製造方法の実施態様Ｂは、上述の工程以外の工程を含んでもよい。
　本発明の剥離方法は、本発明の積層体の半導体基板又は支持基板が光透過性を有する場合に、半導体基板側又は支持基板側から接着剤層に光を照射することで、積層体の半導体基板と支持基板とを分離するものである。
　本発明の積層体の一例においては、半導体基板と支持基板とが接着剤層によって好適に剥離可能に仮接着されているので、例えば、支持基板が光透過性を有する場合には、積層体の支持基板側から光を接着剤層に照射することで、半導体基板と支持基板とを容易に分離できる。通常、剥離は、積層体の半導体基板に加工が行われた後に実施される。
　第３の実施態様Ｂの一例を、図１２Ａ～図１２Ｄを用いて、説明する。この一例は、薄化した半導体基板の製造の一例である。
　まず、積層体を用意する（図１２Ａ）。この積層体は、図８及び図９Ｂに示す積層体と同じ積層体である。
　次に、研磨装置（不図示）を用いて半導体基板１の接着剤層２が接する面と反対側の面を研磨し、半導体基板１を薄化する（図１２Ｂ）。なお、薄化された半導体基板１に対して貫通電極の形成などが施されてもよい。
　次に、支持基板４側から接着剤層２に光照射をした後に、剥離装置（不図示）を用いて、薄化した半導体基板１と支持基板４とを離す（図１２Ｃ）。
　そうすると、薄化された半導体基板１が得られる（図１２Ｄ）。
　ここで、薄化された半導体基板１上には、接着剤層２の残渣が残っていることがある。そこで、洗浄剤組成物を用いて薄化した半導体基板１を洗浄し、半導体基板１上から接着剤層２の残渣を取り除くことが好ましい。
＜第４の実施態様Ｂ＞
　本発明の加工された電子デバイス層の製造方法は、下記第５Ｂ工程Ｂと、下記第６Ｂ工程Ｂとを含む。加工された電子デバイス層の製造方法は、更に、下記第７Ｂ工程Ｂを含んでいてもよい。
　ここで、第５Ｂ工程Ｂは、上記＜第２の実施態様Ｂ＞の欄で記載の積層体における電子デバイス層を加工する工程Ｂである。
　また、第６Ｂ工程Ｂは、第５Ｂ工程Ｂによって加工された電子デバイス層と、支持基板とを分離する工程である。
　また、第７Ｂ工程Ｂは、第６Ｂ工程Ｂの後に、加工された電子デバイス層を洗浄する工程である。
　以下、第４の実施態様Ｂの具体例について、図１３Ａ～図１３Ｆを用いつつ、説明する。
　第５Ｂ工程Ｂにおいて電子デバイス層に施される加工とは、例えば、研削工程や配線層形成工程等が挙げられる。
＜＜研削工程＞＞
　研削工程は、電子デバイス層２６における封止樹脂２５の層の樹脂部分を、半導体チップ基板２１の一部が露出するように研削する工程である。
　封止樹脂部分の研削は、例えば図１３Ｂに示すように、図１３Ａに示す積層体の封止樹脂２５の層を、半導体チップ基板２１とほぼ同等の厚さになるまで削ることにより行う。なお、図１３Ａに示す積層体は、図１０及び図１１Ｃに示す積層体と同じ積層体である。
＜＜配線層形成工程＞＞
　配線層形成工程は、上記研削工程の後、露出した半導体チップ基板２１上に配線層を形成する工程である。
　図１３Ｃでは、半導体チップ基板２１及び封止樹脂２５の層からなる電子デバイス層２６上に、配線層２８が形成されている。
　配線層２８は、ＲＤＬ（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ：再配線層）とも呼ばれ、基板に接続する配線を構成する薄膜の配線体であり、単層又は複数層の構造を有し得る。配線層２８は、誘電体（酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、感光性エポキシ等の感光性樹脂など）の間に導電体（例えば、アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、金及び銀等の金属並びに銀―錫合金等の合金）によって配線が形成されたものであり得るが、これに限定されない。
　配線層２８を形成する方法としては、例えば、上記＜第４の実施態様Ａ＞の＜＜配線層形成工程＞＞で挙げた方法が挙げられる。
　第４の実施態様Ｂに係る積層体の製造方法においては、さらに、配線層２８上にバンプの形成、又は素子の実装を行うことができる。配線層２８上への素子の実装は、例えば、チップマウンター等を用いて行うことができる。
　第４の実施態様Ｂに係る積層体は、半導体チップ基板に設けられた端子がチップエリア外に広がる配線層に実装される、ファンアウト型技術に基づく過程において作製される積層体であってもよい。
　第６Ｂ工程Ｂにおいて、電子デバイス層と支持基板とを分離（剥離）する方法は、接着剤層への光照射の後に、鋭部を有する機材による機械的な剥離、支持体と電子デバイス層との間で引きはがす剥離等が挙げられるが、これらに限定されない。
　支持基板側から接着剤層に光を照射することによって、上述の通りに接着剤層の変質（例えば、接着剤層の分離又は分解）を生じさせ、その後、例えば、いずれか一方の基板を引き上げて、容易に、電子デバイス層と支持基板とを分離することができる。
　図１３Ｄ～図１３Ｅは、積層体の分離方法を説明するための概略断面図であり、図１３Ｆは、積層体の分離後における洗浄方法を説明するための概略断面図である。図１３Ｄ～図１３Ｆにより、半導体パッケージ（電子部品）の製造方法の一実施態様を説明することができる。
　積層体を分離する工程は、図１３Ｄで示すように、支持基板２４を介して接着剤層２２に光（矢印）を照射して、接着剤層２２を変質させることにより、電子デバイス層２６と支持基板２４とを分離する工程である。
　接着剤層２２に光（矢印）を照射して接着剤層２２を変質させた後、図１３Ｅで示すように、電子デバイス層２６から支持基板２４を分離する。
　接着剤層２２に対する光照射の照射条件や照射方法等については、上記＜第３の実施態様Ｂ＞の欄で説明した通りである。
　分離した電子デバイス層及び支持基板の少なくともいずれかの表面に、洗浄剤組成物を吹き付けたり、分離した電子デバイス層又は支持基板を洗浄剤組成物に浸漬したりして基板を洗浄することができる。
　また、除去テープ等を用いて、加工された電子デバイス層等の表面を洗浄してもよい。
　例えば、図１３Ｅでは、分離工程の後、電子デバイス層２６に接着剤層２２が付着しているが、酸又はアルカリ等の洗浄剤組成物を用いて、接着剤層２２を分解することにより、接着剤層２２を除去することができる。接着剤層を除去することにより、図１３Ｆで示すような加工された電子デバイス層（電子部品）を好適に得ることができる。
　本発明の加工された電子デバイス層の製造方法の上述の工程に関する構成要素及び方法的要素については、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々変更しても差し支えない。
　本発明の加工された電子デバイス層の製造方法の実施態様Ｂは、上述の工程以外の工程を含んでもよい。
　本発明の積層体の実施態様Ｂにおいては、電子デバイス層と支持基板とが接着剤層によって好適に剥離可能に仮接着されているので、例えば、支持基板が光透過性を有する場合には、積層体の支持基板側から光を接着剤層に照射することで、電子デバイス層と支持基板とを容易に分離できる。通常、剥離
は、積層体の電子デバイス層に加工が行われた後に実施される。
　以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、使用した装置は以下のとおりである。
（第１の実施例）
　以下に、第１の実施例として本発明の剥離剤組成物の実施例を記載する。
［装置］
（１）撹拌機：（株）シンキー製　自転公転ミキサー　ＡＲＥ－５００
（２）真空貼り合わせ装置：ズースマイクロテック（株）製　ＸＢＳ３００
（３）ダイシングマシン：（株）東京精密製　ＳＳ３０
（４）光学式膜厚計（膜厚測定）：フィルメトリクス（株）製　Ｆ－５０
（５）レーザー照射装置：コヒレント（株）製　Ｌａｍｂｄａ　ＳＸ
［Ａ１］接着剤組成物の調製
［調製例Ａ１］
　撹拌機専用６００ｍＬ撹拌容器に、ポリシロキサンとビニル基とを含有するＭＱ樹脂（ワッカーケミ社製）８０ｇ、粘度１００ｍＰａ・ｓのＳｉＨ基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン（ワッカーケミ社）２．５２ｇ、粘度７０ｍＰａ・ｓのＳｉＨ基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン（ワッカーケミ社製）５．８９ｇおよび１－エチニル－１－シクロヘキサノール（ワッカーケミ社製）０．２２ｇを入れ、撹拌機で５分間撹拌し、混合物（Ｉ）を得た。
　白金触媒（ワッカーケミ社製）０．１４７ｇと粘度１０００ｍＰａ・ｓのビニル基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン（ワッカーケミ社製）５．８１ｇを撹拌機で５分間撹拌して混合物（ＩＩ）を得た。
　混合物（Ｉ）に、混合物（ＩＩ）のうち３．９６ｇを加え、撹拌機で５分間撹拌して混合物（ＩＩＩ）を得た。
　最後に、得られた混合物（ＩＩＩ）をナイロンフィルター３００メッシュでろ過し、接着剤組成物を得た。粘度計で測定した接着剤組成物の粘度は、１０，０００ｍＰａ・ｓであった。
［Ａ２］洗浄剤組成物の調製
［調製例Ａ２］
　テトラブチルアンモニウムフルオリド３水和物（関東化学（株）製）５ｇを、Ｎ－メチル－２－ピロリドン９５ｇと混合してよく撹拌し、洗浄剤組成物を得た。
［Ａ３］ノボラック樹脂の合成
［合成例Ａ１］
　フラスコ内に、２，２’－ジヒドロキシビフェニル１０．０ｇと、１－ナフタレンアルデヒド４．１９ｇと、１－ピレンカルボキシアルデヒド６．２４ｇと、メタンスルホン酸７７ｇと、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４９．４８ｇを入れて、窒素雰囲気下で終夜還流撹拌した。得られた反応混合物を放冷した後、テトラヒドロフラン９６ｇを加えて希釈し、得られた希釈液をメタノール中に滴下させることで沈殿物を得た。得られた沈殿物をろ過で回収し、ろ物をメタノールで洗浄し、６０℃で減圧乾燥することで、ノボラック樹脂を得た。以下の方法で測定した結果、ポリマーであるノボラック樹脂の重量平均分子量は５，３００であった。
　重量平均分子量は、ＧＰＣ装置（東ソー（株）製ＥｃｏＳＥＣ，ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ）及びＧＰＣカラム（昭和電工（株）製　Ｓｈｏｄｅｘ　ＫＦ－８０３Ｌ、ＫＦ－８０２及びＫＦ－８０１をこの順序で使用）を用い、カラム温度を４０℃とし、溶離液（溶出溶媒）としてテトラヒドロフランを用い、流量（流速）を１．００ｍＬ／分とし、標準試料としてポリスチレン（シグマアルドリッチ社製）を用いて、測定した。
　得られたノボラック樹脂は、以下の繰り返し単位を有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
［合成例Ａ２］
　フラスコ内にカルバゾール１０．０ｇと、テレフタルアルデヒド酸７．６９ｇと、メタンスルホン酸０．７４ｇと、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４２．９９ｇを入れて、窒素雰囲気下で終夜１２０℃で加熱撹拌した。得られた反応混合物を放冷した後、テトラヒドロフラン９６ｇを加えて希釈し、得られた希釈液をメタノール中に滴下させることで沈殿物を得た。得られた沈殿物をろ過で回収し、ろ物をメタノールで洗浄し、６０℃で減圧乾燥することで、ノボラック樹脂を得た。以下の方法で測定した結果、ポリマーであるノボラック樹脂の重量平均分子量は９，３００であった。
　重量平均分子量は、ＧＰＣ装置（東ソー（株）製ＥｃｏＳＥＣ，ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ）及びＧＰＣカラム（昭和電工（株）製　Ｓｈｏｄｅｘ　ＫＦ－８０３Ｌ、ＫＦ－８０２及びＫＦ－８０１をこの順序で使用）を用い、カラム温度を４０℃とし、溶離液（溶出溶媒）としてテトラヒドロフランを用い、流量（流速）を１．００ｍＬ／分とし、標準試料としてポリスチレン（シグマアルドリッチ社製）を用いて、測定した。
　得られたノボラック樹脂は、以下の繰り返し単位を有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
［合成例Ａ３］
　フラスコ内にターシャリーブトオキシスチレン７．４ｇと、４－アミルオキシベンズアルデヒド７．３８ｇと、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル１０．０ｇを入れて撹拌した。撹拌後、Ｎ、Ｎ’－ジフェニル－１，４－フェニレンジアミン１０．０ｇと、メタンスルホン酸１．１ｇと、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル３１．１ｇをいれて、窒素雰囲気下で終夜１１０℃で加熱撹拌した。反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと純水を加えて、撹拌した。その後、分液処理を行い、有機層を回収し濃縮することでノボラック樹脂を得た。以下の方法で測定した結果、ポリマーであるノボラック樹脂の重量平均分子量は１，２００であった。
　重量平均分子量は、ＧＰＣ装置（東ソー（株）製ＥｃｏＳＥＣ，ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ）及びＧＰＣカラム（昭和電工（株）製　Ｓｈｏｄｅｘ　ＫＦ－８０３Ｌ、ＫＦ－８０２及びＫＦ－８０１をこの順序で使用）を用い、カラム温度を４０℃とし、溶離液（溶出溶媒）としてテトラヒドロフランを用い、流量（流速）を１．００ｍＬ／分とし、標準試料としてポリスチレン（シグマアルドリッチ社製）を用いて、測定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
［Ａ４］剥離剤組成物の調製
［調製例Ａ３］
　合成例Ａ１で得られたノボラック樹脂３．４ｇと、架橋剤としてエポキシ変性シリコーンＫＦ－１０５（信越化学（株）製）０．４ｇと、エポキシ変性シリコーンＫＦ－１００５（信越化学（株）製）０．４ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６．０ｇに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、剥離剤組成物１を得た。
［調製例Ａ４］
　合成例Ａ２で得られたノボラック樹脂２．７ｇと、架橋剤としてエポキシ変性シリコーンＫＦ－１００５（信越化学（株）製）０．８ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６．０ｇに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、剥離剤組成物２を得た。
［調製例Ａ５］
　合成例Ａ１で得られたノボラック樹脂３．３ｇと、架橋剤としてエポキシ変性シリコーンＥＰ－３４００Ｌ（（株）ＡＤＥＫＡ製）０．７ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６．０ｇに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、剥離剤組成物３を得た。
［調製例Ａ６］
　合成例Ａ１で得られたノボラック樹脂３．７ｇと、架橋剤としてエポキシ変性シリコーンＫＲ－４７０（信越化学（株）製）０．４ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６．０ｇに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、剥離剤組成物４を得た。
［調製例Ａ７］
　合成例Ａ２で得られたノボラック樹脂２．９ｇと、架橋剤としてエポキシ変性シリコーンＫＲ－４７０（信越化学（株）製）０．６ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６．０ｇに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、剥離剤組成物５を得た。
［調製例Ａ８］
　合成例Ａ２で得られたノボラック樹脂２．９ｇと、架橋剤としてエポキシ変性シリコーンＥＰ－３４００Ｌ（（株）ＡＤＥＫＡ製）０．６ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２３．３ｇと、プロピレングリコールモノメチルエーテル２３．３ｇとに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、剥離剤組成物６を得た。
［調製例Ａ９］
　合成例Ａ２で得られたノボラック樹脂３．３ｇと、架橋剤として１，３－ビス［２－（７－オキサビシクロ［４．１．０］ヘプタン－３－イル）エチル］－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン０．７ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２３．３ｇと、プロピレングリコールモノメチルエーテル２３．３ｇとに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、剥離剤組成物７を得た。
［調製例Ａ１０］
　合成例Ａ１で得られたノボラック樹脂３．３ｇと、架橋剤としてエポキシ変性シリコーンＫＦ－１０５（信越化学（株）製）０．３ｇと、エポキシ変性シリコーンＫＦ－１００５（信越化学（株）製）０．３ｇと、硬化触媒として２－フェニル－１－ベンジル－１Ｈ－イミダゾール０．０３ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６．０ｇに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、剥離剤組成物８を得た。
［調製例Ａ１１］
　合成例Ａ１で得られたノボラック樹脂３．６ｇと、架橋剤としてエポキシ変性シリコーンＫＲ－４７０（信越化学（株）製）０．４ｇと、硬化触媒として２－フェニル－１－ベンジル－１Ｈ－イミダゾール０．０４ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６．０ｇに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、剥離剤組成物９を得た。
［調製例Ａ１２］
　合成例Ａ１で得られたノボラック樹脂３．６ｇと、架橋剤としてエポキシ変性シリコーンＫＲ－４７０（信越化学（株）製）０．４ｇと、硬化触媒としてテトラブチルアンモニウムブロミド０．０４ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２３．３ｇと、プロピレングリコールモノメチルエーテル２３．３ｇにに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、剥離剤組成物１０を得た。
［調製例Ａ１３］
　合成例Ａ３で得られたノボラック樹脂２．７ｇと、架橋剤としてエポキシ変性シリコーンＫＦ－１００５（信越化学（株）製）０．３ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２７．０ｇに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、剥離剤組成物１１を得た。
［比較調製例Ａ１］
　合成例Ａ１で得られたノボラック樹脂４．０ｇを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６．０ｇに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、剥離剤組成物１２を得た。
［比較調製例Ａ２］
　合成例Ａ１で得られたノボラック樹脂３．６ｇと、架橋剤としてフェニルメチルシリコーンＫＦ－５４（信越化学（株）製）０．４ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６．０ｇに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、剥離剤組成物１３を得た。
　第１の実施例及び第２の実施例で使用した架橋剤の構造を以下に示す。
　エポキシ変性シリコーンＫＦ－１０５（信越化学（株）製）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
　エポキシ変性シリコーンＫＦ－１００５（信越化学（株）製）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
  
　エポキシ変性シリコーンＥＰ－３４００Ｌ（（株）ＡＤＥＫＡ製）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
　エポキシ変性シリコーンＫＲ－４７０（信越化学（株）製）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
　１，３－ビス［２－（７－オキサビシクロ［４．１．０］ヘプタン－３－イル）エチル］－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
［Ａ５］膜の除去性の確認
［実施例Ａ１－１］
　調製例Ａ３で得られた剥離剤組成物１を、４インチベアシリコンウエハ上に最終的な膜厚を２００ｎｍとしてスピンコートし、２５０℃で５分間加熱し、ベアシリコンウエハ上に膜を形成した。膜が形成された基板は評価に必要な数だけ作製した。
［実施例Ａ１－２～Ａ１－５］
　調製例Ａ３で得られた剥離剤組成物１の代わりに、それぞれ、調製例Ａ４～Ａ７で得られた剥離剤組成物２～５を用いた以外は、実施例Ａ１と同様の方法でベアシリコンウエハ上に膜を形成した。
［実施例Ａ１－６］
　調製例Ａ８で得られた剥離剤組成物６を、４インチベアシリコンウエハ上に最終的な膜厚を２００ｎｍとしてスピンコートし、２３０℃で３０分間加熱し、ベアシリコンウエハ上に膜を形成した。
［実施例Ａ１－７］
　調製例Ａ９で得られた剥離剤組成物７を、４インチベアシリコンウエハ上に最終的な膜厚を２００ｎｍとしてスピンコートし、２５０℃で３０分間加熱し、ベアシリコンウエハ上に膜を形成した。
［実施例Ａ１－８～Ａ１－１０］
　調製例Ａ３で得られた剥離剤組成物１の代わりに、それぞれ、調製例Ａ１０～Ａ１２で得られた剥離剤組成物８～１０を用いた以外は、実施例Ａ１と同様の方法でベアシリコンウエハ上に膜を形成した。
［実施例Ａ１－１１］
　調製例Ａ１３で得られた剥離剤組成物１１を、４インチベアシリコンウエハ上に最終的な膜厚を３００ｎｍとしてスピンコートし、２３０℃で５分間加熱し、基板上に膜を形成した。膜が形成された基板は必要な数だけ作製した。
［比較例Ａ１－１～Ａ１－２］
　比較調製例Ａ１およびＡ２で得られた剥離剤組成物１２および１３を、それぞれ、４インチベアシリコンウエハ上に最終的な膜厚を２００ｎｍとしてスピンコートし、２５０℃で３０分間加熱し、ベアシリコンウエハ上に膜を形成した。
　実施例Ａ１－１～Ａ１－１１及び比較例Ａ１－１～Ａ１－２で得られた各膜の膜厚を測定した（浸漬前の膜厚）。そして、各膜を、基板ごと、調製例Ａ２で得られた洗浄剤組成物７ｍＬに５分間浸漬し、エアガンで乾燥した後、各膜の膜厚を再度測定した（浸漬後の膜厚）。また、洗浄剤組成物の代わりに。ＯＫ７３シンナー（成分はプロピレングリコールモノメチルエーテル７０％、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート３０％）（東京応化工業（株）製）を用いた以外に同様の作業を行い、膜厚を測定した。浸漬による残膜率（％）を、下記式によって算出した。
　残膜率（％）＝［浸漬後の膜厚（ｎｍ）／浸漬前の膜厚（ｎｍ）］×１００
　結果を表１－１及び表１－２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000051
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000052
［Ａ６］積層体の製造
［実施例Ａ２－１］
　調製例Ａ３で得られた剥離剤組成物１を、キャリア側の基板としての３００ｍｍのガラスウエハー（ＥＡＧＬＥ－ＸＧ、コーニング社製、厚さ７００μｍ）にスピンコートし、２５０℃５分間ホットプレート上で焼成し、最終的に得られる積層体中の膜厚が２００ｎｍとなるように支持基板であるガラスウエハー上に剥離剤塗布層を形成した。
　デバイスウエハ側のシリコンウエハーに調製例Ａ１で得られた接着剤組成物１を、スピンコートして、最終的に得られる積層体中の膜厚が６０μｍとなる様に接着剤塗布層を形成した。
　そして、貼り合せ装置を用いて、接着剤塗布層の形成されたデバイスウエハと剥離剤塗布層の形成されたキャリア側の支持基板を、接着剤塗布層と剥離剤塗布層を挟み込むように貼り合わせた後、２００℃１０分間の後加熱処理をすることにより積層体を作製した。なお、貼り合せは、温度２３℃、減圧度１，５００Ｐａで行った。なお、積層体は、必要な数だけ製造した。
＜剥離性、洗浄性の評価＞
　得られた積層体のシリコンウエハーをダイシングテープ（日東電工（株）製、ＤＵ－３００）に貼り付け、固定した。ダイシングテープで固定した積層体のシリコンウエハーをダイシングマシン（（株）東京精密製）を用いて、４ｘ４ｃｍチップに個片化した。
　レーザー照射装置を用いて、波長３０８ｎｍのレーザーを、個片化した積層体のガラスウエハー側から剥離層に２００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、剥離が生じた最も低い照射量を最適照射量とした。そして、最適照射量にて波長３０８ｎｍのレーザーを、個片化した積層体のガラスウエハー側から剥離層全面に照射し、支持基板をマニュアルで持ち上げることによって、剥離可否を確認した。剥離できた場合を「可」とし、剥離できなかった場合を「不可」とした。結果を表２－１に示す。
　また、剥離後の個片化したガラスウエハーを調製例Ａ２で作製した洗浄剤組成物で５分間浸漬して、剥離剤層の除去性（洗浄可否）を調査した。光学顕微鏡を用いてガラス表面を観察し、レーザー照射後の残渣が見られなかった場合を「可」とし、残渣が見られた場合を「不可」とした。結果を表２－１に示す。
［実施例Ａ２－２～Ａ２－５］
　調製例Ａ３で得られた剥離剤組成物１の代わりに、それぞれ、調製例Ａ４～Ａ７で得られた剥離剤組成物２～５を用いた以外は、実施例Ａ２－１と同様の方法で積層体を作製した。
　実施例Ａ２－１と同様の方法で評価を行った。結果を表２－１に示す。
［実施例Ａ２－６］
　調製例Ａ３で得られた剥離剤組成物１の代わりに、調製例Ａ８で得られた剥離剤組成物６を用いた点と剥離剤組成物塗布後の焼成条件を２３０℃で３０分に変えた点以外は、実施例Ａ２－１と同様の方法で積層体を作製した。
　実施例Ａ２－１と同様の方法で評価を行った。結果を表２－１に示す。
［実施例Ａ２－７］
　調製例Ａ３で得られた剥離剤組成物１の代わりに、調製例Ａ９で得られた剥離剤組成物７を用いた点と剥離剤組成物塗布後の焼成条件を２５０℃で３０分に変えた点以外は、実施例Ａ２－１と同様の方法で積層体を作製した。
　実施例Ａ２－１と同様の方法で評価を行った。結果を表２－２に示す。
［実施例Ａ２－８～Ａ２－１０］
　調製例Ａ３で得られた剥離剤組成物１の代わりに、それぞれ、調製例Ａ１０～Ａ１２で得られた剥離剤組成物８～１０を用いた以外は、実施例Ａ２－１と同様の方法で積層体を作製した。
　実施例Ａ２－１と同様の方法で評価を行った。結果を表２－２に示す。
［実施例Ａ２－１１］
　調製例Ａ３で得られた剥離剤組成物１の代わりに、調製例Ａ１３で得られた剥離剤組成物１１を用いた点と剥離剤組成物塗布後の焼成条件を２３０℃で５分に変えた点以外は、実施例Ａ２－１と同様の方法で積層体を作製した。
　実施例Ａ２－１と同様の方法で評価を行った。結果を表２－２に示す。
［比較例Ａ２－１～Ａ２－２］
　調製例Ａ３で得られた剥離剤組成物１の代わりに、それぞれ、比較調製例Ａ１～Ａ２で得られた剥離剤組成物１２～１３を用いた点と剥離剤組成物塗布後の焼成条件を２５０℃で３０分に変えた点以外は、実施例Ａ２－１と同様の方法で積層体を作製した。
　実施例Ａ２－１と同様の方法で評価を行った。結果を表２－２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000053
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000054
（第２の実施例）
　以下に、第２の実施例として本発明の接着剤組成物の実施例を記載する。
［装置］
（１）真空貼り合わせ装置：ズースマイクロテック（株）製　ＸＢＳ３００
（２）イナートガスオーブン：光洋サーモシステム（株）製、ＩＮＬ－６０ＮＩ
（３）レーザー照射装置：コヒレント（株）製　Ｌａｍｂｄａ　ＳＸ
（４）ダイシングマシン：（株）東京精密製　ＳＳ３０
［Ｂ１］洗浄剤組成物の調製
［調製例Ｂ１］
　テトラブチルアンモニウムフルオリド３水和物（関東化学（株）製）５ｇを、Ｎ－メチル－２－ピロリドン９５ｇと混合してよく撹拌し、洗浄剤組成物を得た。
［Ｂ２］ノボラック樹脂の合成
［合成例Ｂ１］
　フラスコ内にターシャリーブトキシスチレン７．４ｇと、４－アミルオキシベンズアルデヒド７．３８ｇと、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル１０．０ｇを入れて撹拌した。撹拌後、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，４－フェニレンジアミン１０．０ｇと、メタンスルホン酸１．１ｇと、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル３１．１ｇを入れて、窒素雰囲気下で終夜１１０℃で加熱撹拌し、反応溶液を得た。反応溶液にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと、純水とを加えて、撹拌した。その後、分液処理を行い、有機層を回収し濃縮することでノボラック樹脂を得た。以下の方法で測定した結果、ポリマーであるノボラック樹脂の重量平均分子量は１，２００であった。
　重量平均分子量は、ＧＰＣ装置（東ソー（株）製ＥｃｏＳＥＣ，ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ）及びＧＰＣカラム（昭和電工（株）製　Ｓｈｏｄｅｘ　ＫＦ－８０３Ｌ、ＫＦ－８０２及びＫＦ－８０１をこの順序で使用）を用い、カラム温度を４０℃とし、溶離液（溶出溶媒）としてテトラヒドロフランを用い、流量（流速）を１．００ｍＬ／分とし、標準試料としてポリスチレン（シグマアルドリッチ社製）を用いて、測定した。
　得られたノボラック樹脂は、以下の繰り返し単位を有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000055
［合成例Ｂ２］
　フラスコ内にジフェニルアミン４．２ｇと、３－ヒドロキシジフェニルアミン７．４ｇと、２－エチルヘキシルアルデヒド１０．４ｇと、メタンスルホン酸０．２ｇと、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２２．３ｇとを入れて窒素雰囲気下で１２０℃１時間加熱撹拌し、反応溶液を得た。反応溶液にメタノールを加えて、希釈した。希釈した溶液を再沈殿して溶媒を留去することでノボラック樹脂を得た。以下の方法で測定した結果、ポリマーであるノボラック樹脂の重量平均分子量は１２，０００であった。
　重量平均分子量は、ＧＰＣ装置（東ソー（株）製ＥｃｏＳＥＣ，ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ）及びＧＰＣカラム（昭和電工（株）製　Ｓｈｏｄｅｘ　ＫＦ－８０３Ｌ、ＫＦ－８０２及びＫＦ－８０１をこの順序で使用）を用い、カラム温度を４０℃とし、溶離液（溶出溶媒）としてテトラヒドロフランを用い、流量（流速）を１．００ｍＬ／分とし、標準試料としてポリスチレン（シグマアルドリッチ社製）を用いて、測定した。
　得られたノボラック樹脂は、以下の繰り返し単位を有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
［Ｂ３］接着剤組成物の調製
　［調製例Ｂ２］
　合成例Ｂ１で得られたノボラック樹脂１１．５ｇと、架橋剤としてエポキシ変性シリコーンＥＰ－３４００Ｌ（（株）ＡＤＥＫＡ製）３．５ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１５．０ｇに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、接着剤組成物１を得た。
［調製例Ｂ３］
　合成例Ｂ１で得られたノボラック樹脂１１．５ｇと、架橋剤としてエポキシ変性シリコーンＫＦ－１００５（信越化学（株）製）３．５ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１５．０ｇに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、接着剤組成物２を得た。
［調製例Ｂ４］
　合成例Ｂ１で得られたノボラック樹脂１１．５ｇと、架橋剤として１，３－ビス［２－（７－オキサビシクロ［４．１．０］ヘプタン－３－イル）エチル］－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン３．５ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１５．０ｇに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、接着剤組成物３を得た。
［調製例Ｂ５］
　合成例Ｂ２で得られたノボラック樹脂１１．５ｇと、架橋剤として１，３－ビス［２－（７－オキサビシクロ［４．１．０］ヘプタン－３－イル）エチル］－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン３．５ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１５．０ｇに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、接着剤組成物４を得た。
［調製例Ｂ６］
　合成例Ｂ２で得られたノボラック樹脂１１．５ｇと、架橋剤としてエポキシ変性シリコーンＫＦ－００５（信越化学（株）製）３．５ｇとを、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１５．０ｇに溶解させ、得られた溶液を孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、接着剤組成物５を得た。
［比較調製例Ｂ１］
　自転公転ミキサー専用６００ｍＬ撹拌容器に、ポリシロキサン骨格とビニル基とを含有するＭＱ樹脂（ワッカーケミ社製）８０ｇ、粘度１００ｍＰａ・ｓのＳｉＨ基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン（ワッカーケミ社製）２．５２ｇ、粘度７０ｍＰａ・ｓのＳｉＨ基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン（ワッカーケミ社製）５．８９ｇ、及び１－エチニル－１－シクロヘキサノール（ワッカーケミ社製）０．２２ｇを入れ、撹拌機で５分間撹拌し、混合物（Ｉ）を得た。
　白金触媒（ワッカーケミ社製）０．１４７ｇと粘度１，０００ｍＰａ・ｓのビニル基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン（ワッカーケミ社製）５．８１ｇを撹拌機で５分間撹拌して混合物（ＩＩ）を得た。
　混合物（Ｉ）全量に、混合物（ＩＩ）３．９６ｇを加え、撹拌機で５分間撹拌し混合物（ＩＩＩ）を得た。最後に、得られた混合物（ＩＩＩ）をナイロンフィルター３００メッシュでろ過し、接着剤組成物６を得た。
［Ｂ４］貼り合わせ試験
［実施例Ｂ１－１］
　調製例Ｂ２で得られた接着剤組成物１を、１２インチベアシリコンウエハ上に最終的に得られる積層体中の膜厚が３μｍとなるようにスピンコートして、接着剤塗布層を形成した。そして、真空貼り合わせ装置を用いて、接着剤塗布層の形成されたデバイスウエハとキャリア側の支持基板としての１２インチガラスウエハ（コーニング社製、厚さ７００μｍ）とを、接着剤塗布層を挟み込むように貼り合わせた後、２５０℃５分間の加熱処理をすることにより積層体を作製した。なお、貼り合わせは、温度２３℃、減圧度１，０００Ｐａで行った。積層体は、評価に必要な数だけ作製した。
［実施例Ｂ１－２～Ｂ１－５］
　調製例Ｂ２で得られた接着剤組成物１の代わりに、それぞれ、調製例Ｂ３～Ｂ６で得られた接着剤組成物Ｂ２～Ｂ５を用いた以外は、実施例Ｂ１－１と同様の方法で積層体を作製した。なお、実施例Ｂ１－４～Ｂ１－５では、最終的に得られる積層体中の膜厚が１５μｍとなるようにスピンコートして、接着剤塗布層を形成し、評価を行った。
［比較例Ｂ１－１］
　比較調製例Ｂ１で得られた接着剤組成物６を、１２インチベアシリコンウエハ上に最終的に得られる積層体中の膜厚が３μｍとなるようにスピンコートして、接着剤塗布層を形成した。そして、真空貼り合わせ装置を用いて、実施例Ｂ１－１と同様の方法で積層体を作製した。
　実施例Ｂ１－１～Ｂ１－５及び比較例Ｂ１－１で作製した積層体の外観を目視で観察して、ボイドやデラミネーションが発生しているかを確認した。ボイド及びデラミネーションの発生がない場合、積層体の貼り合わせが良好であると判断した。結果を表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000057
［Ｂ５］耐熱性試験
［実施例Ｂ２－１］
　実施例Ｂ１－１で作製した積層体をイナートガスオーブンに入れ、２６０℃で１２時間加熱処理を施した。
［実施例Ｂ２－２～Ｂ２－５］
　実施例Ｂ１－２～Ｂ１－５で作製した積層体をイナートガスオーブンに入れ、実施例Ｂ２－１と同様の条件で加熱処理を施した。
［比較例Ｂ２－１］
　比較例Ｂ１－１で作製した積層体をイナートガスオーブンに入れ、実施例Ｂ２－１と同様の条件で加熱処理を施した。
　実施例Ｂ２－１～Ｂ２－５及び比較例Ｂ２－１で加熱処理を施した積層体の外観を目視で観察して、ボイドやデラミネーションが発生しているかを確認し、耐熱性を評価した。ボイド及びデラミネーションの発生がない場合、耐熱性が良好であると判断した。結果を表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000058
［Ｂ６］剥離性の評価
［実施例Ｂ３－１］
　実施例Ｂ２－１で後加熱処理を施した積層体に対して、レーザー照射装置を用いて、波長３０８ｎｍのレーザーを、ガラスウエハ側から接着剤層に２００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、剥離が生じた最も低い照射量を最適照射量とした。そして、最適照射量にて波長３０８ｎｍのレーザーを、積層体のガラスウエハ側から接着剤層全面に照射し、支持基板をマニュアルで持ち上げることによって、剥離可否を確認した。剥離できた場合を「可」とし、剥離できなかった場合を「不可」とした。結果を表５に示す。
［実施例Ｂ３－２～Ｂ３－５］
　実施例Ｂ２－２～Ｂ２－５で後加熱処理を施した積層体を用いた以外は、実施例Ｂ３－１と同様の方法で評価を行った。結果を表５に示す。
［比較例Ｂ３－１］
　比較例Ｂ２－１で後加熱処理を施した積層体を用いた以外は、実施例Ｂ３－１と同様の方法で評価を行った。結果を表５に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000059
［Ｂ７］洗浄性の評価
［実施例Ｂ４－１］
　実施例Ｂ３－１で得られた１２インチベアシリコンウエハをダイシングテープ（日東電工（株）製、ＤＵ－３００）に貼り付け、固定した。ダイシングテープで固定したシリコンウエハをダイシングマシンを用いて４×４ｃｍにカットして、個片化した。個片化したシリコンウエハを調製例Ｂ１で作製した洗浄剤組成物７ｍＬに５分間浸漬し、エアガンで乾燥した後、接着剤層の除去性（洗浄可否）を調査した。光学顕微鏡を用いてシリコンウエハの表面を観察し、レーザー照射後の残渣が見られなかった場合を「可」とし、残渣が見られた場合を「不可」とした。結果を表６に示す。
［実施例Ｂ４－２～Ｂ４－５］
　実施例Ｂ３－２～Ｂ３－５で得られた１２インチベアシリコンウエハを用いた以外は、実施例Ｂ４－１と同様の方法で評価を行った。結果を表６に示す。なお、比較例Ｂ３－１では、接着剤層を剥離できなかったため、本評価を行わなかった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000060
　１　　　半導体基板
　２　　　接着剤層
　２ａ　　接着剤塗布層
　３　　　剥離剤層
　４　　　支持基板
　２１　　半導体チップ基板
　２２　　接着剤層
　２２’　接着剤塗布層
　２３　　剥離剤層
　２４　　支持基板
　２５　　封止樹脂
　２６　　電子デバイス層
　２７　　接着性能を有する剥離剤層
　２８　　配線層

 

Claims (14)

  1. 　光照射剥離用の剥離剤組成物又は光照射剥離用の接着剤組成物であって、
    　芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有するノボラック樹脂と、
    　シロキサン骨格含有エポキシ樹脂と、
    　溶媒と
    を含有する、剥離剤組成物又は接着剤組成物。
  2. 　前記ノボラック樹脂が、下記式（Ｃ１－１）で表される構造単位、下記式（１－２）で表される構造単位、及び下記式（Ｃ１－３）で表される構造単位の少なくともいずれかを含む、請求項１に記載の剥離剤組成物又は接着剤組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式中、Ｃ１は、窒素原子を含む芳香族化合物に由来する基を表す。
    　Ｃ２は、第２級炭素原子、第４級炭素原子及び芳香族環からなる群から選ばれる少なくとも１種を側鎖に有する、第３級炭素原子又は第４級炭素原子を含む基を表すか又はメチレン基を表す。
    　Ｃ３は、脂肪族多環化合物に由来する基を表す。
    　Ｃ４は、フェノールに由来する基、ビスフェノールに由来する基、ナフトールに由来する基、ビフェニルに由来する基又はビフェノールに由来する基を表す。
    　Ｃ５は、単結合、又はスチレンに由来する構造を有する基を表す。
    　式（Ｃ１－１）中、Ｃ１、Ｃ２及びＣ５の少なくともいずれかは、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。
    　式（Ｃ１－２）中、Ｃ１、Ｃ３及びＣ５の少なくともいずれかは、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。
    　式（Ｃ１－３）中、Ｃ２、Ｃ４及びＣ５の少なくともいずれかは、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。）
  3. 　前記ノボラック樹脂が、前記式（Ｃ１－１）で表される構造単位として、下記式（Ｃ１－１－１）で表される構造単位及び下記式（Ｃ１－１－２）で表される構造単位の少なくともいずれかを含む、請求項２に記載の剥離剤組成物又は接着剤組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （式（Ｃ１－１－１）及び式（Ｃ１－１－２）中、Ｒ９０１及びＲ９０２は、環に置換する置換基を表し、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基又は置換されていてもよいアリール基を表す。
    　Ｒ９０３は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基又は置換されていてもよいアリール基を表す。
    　Ｒ９０４は、水素原子、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。
    　Ｒ９０５は、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。
    　Ｒ９０４の基とＲ９０５の基とは、互いに結合して２価の基を形成してもよい。
    　Ａｒ９０１及びＡｒ９０２は、それぞれ独立して、芳香族環を表す。
    　Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を表す。
    　Ｚ１は、単結合、又はスチレンに由来する構造を有する基を表す。
    　ｈ１及びｈ２は、それぞれ独立して、０～３の整数を表す。
    　ｋ１及びｋ２は、それぞれ独立して、０～３の整数を表す。
    　ｈ１とｋ１の合計は３以下である。ｈ２とｋ２の合計は３以下である。
    　ｎは、１又は２の整数を表す。
    　ただし、式（Ｃ１－１－１）で表される構造単位及び式（Ｃ１－１－２）で表される構造単位は、それぞれ独立して、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。）
  4. 　前記ノボラック樹脂が、前記式（Ｃ１－３）で表される構造単位として、下記式（Ｃ１－３－１）で表される構造単位を含む、請求項２に記載の剥離剤組成物又は接着剤組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
     （式（Ｃ１－３－１）中、Ｒ８０１は、環に置換する置換基を表し、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基又は置換されていてもよいアリール基を表す。
    　Ｒ８０２は、水素原子、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。
    　Ｒ８０３は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。
    　Ｒ８０２の基とＲ８０３の基とは、互いに結合して２価の基を形成してもよい。
    　Ａｒ８０１は、ベンゼン環、ナフタレン環、又はビフェニル構造を表す。
    　Ｘ１１は、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を表す。
    　Ｚ１は、単結合、又はスチレンに由来する構造を有する基を表す。
    　ｈ１１は、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。
    　ｋ１１は、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。
    　Ａｒ８０１がベンゼン環のときｈ１１とｋ１１の合計は４以下であり、Ａｒ８０１がナフタレン環のときｈ１１とｋ１１の合計は６以下であり、Ａｒ８０１がビフェニル構造のときｈ１１とｋ１１の合計は８以下である。
    　ただし、式（Ｃ１－３－１）で表される構造単位は、芳香族環に直接結合したヒドロキシ基及び芳香族環に直接結合したカルボキシ基の少なくともいずれかを有する。）
  5. 　前記シロキサン骨格含有エポキシ樹脂が、下記式（Ａ）で表される構造を含む、請求項１に記載の剥離剤組成物又は接着剤組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
     （式（Ａ）中、Ｒ１は、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルケニル基、又は置換又は無置換のアリール基を表す。Ｒ２は、炭素原子数１～１０のアルキレン基を表す。Ｙは、単結合又は－Ｏ－を表す。Ｅｐは、下記式（Ａ－１）又は式（Ａ－２）で表される基を表す。＊は、結合手を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
     （式（Ａ－１）及び式（Ａ－２）中、＊は、結合手を表す。）
  6. 　前記シロキサン骨格含有エポキシ樹脂が、下記式（ＳＥ１）～式（ＳＥ３）のいずれかで表される、請求項１に記載の剥離剤組成物又は接着剤組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
     （式（ＳＥ１）中、Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立して、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルケニル基、又は置換又は無置換のアリール基を表す。Ｘ１０１は、下記式（ＥＡ）で表される基を表す。Ｙ１０１は、水素原子、ヒドロキシ基、又は炭素原子数１～３０の１価の基（ただし、Ｘ１０１とは異なる。）を表す。ｌは０又は１以上の整数を表す。ｍは１以上の整数を表す。ｎは０又は１以上の整数を表す。
    　式（ＳＥ２）中、Ｒ２０１～Ｒ２０７は、それぞれ独立して、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルケニル基、又は置換又は無置換のアリール基を表す。Ｘ２０１及びＸ２０２は、それぞれ独立して、下記式（ＥＡ）で表される基を表す。Ｙ２０１は、水素原子、ヒドロキシ基、又は炭素原子数１～３０の１価の基を表す。ｌは０又は１以上の整数を表す。ｍは０又は１以上の整数を表す。
    　式（ＳＥ３）中、Ｒ３０１～Ｒ３０４は、それぞれ独立して、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアルケニル基、又は置換又は無置換のアリール基を表す。Ｘ３０１～Ｘ３０４は、それぞれ独立して、下記式（ＥＡ）で表される基を表す。ｍは１～３の整数を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
     （式（ＥＡ）中、Ｒ２は、炭素原子数１～１０のアルキレン基を表す。Ｙは、単結合又は－Ｏ－を表す。Ｅｐは、下記式（Ａ－１）又は式（Ａ－２）で表される基を表す。＊は、結合手を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
     （式（Ａ－１）及び式（Ａ－２）中、＊は、結合手を表す。）
  7. 　前記シロキサン骨格含有エポキシ樹脂の含有量が、前記ノボラック樹脂に対して、５質量％～４０質量％である、請求項１に記載の剥離剤組成物又は接着剤組成物。
  8. 　半導体基板又は電子デバイス層と、
    　光透過性の支持基板と、
    　前記半導体基板又は前記電子デバイス層と前記支持基板との間に設けられた、剥離剤層とを有し、
    　前記剥離剤層が、請求項１から７のいずれかに記載の剥離剤組成物から形成された剥離剤層である、積層体。
  9. 　前記半導体基板又は前記電子デバイス層と前記支持基板との間に設けられた、接着剤層を有する、請求項８に記載の積層体。
  10. 　加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法であって、
    　請求項８に記載の積層体の前記半導体基板が加工される第５Ａ工程、又は請求項８に記載の積層体の前記電子デバイス層が加工される第５Ｂ工程と、
    　前記第５Ａ工程によって加工された前記半導体基板と前記支持基板とが分離される第６Ａ工程、又は前記第５Ｂ工程によって加工された前記電子デバイス層と前記支持基板とが分離される第６Ｂ工程と、
    を含む、加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法。
  11. 　前記第６Ａ工程又は第６Ｂ工程が、前記積層体に対して、前記支持基板側からレーザーを照射する工程を含む、請求項１０に記載の加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法。
  12. 　半導体基板又は電子デバイス層と、
    　光透過性の支持基板と、
    　前記半導体基板又は前記電子デバイス層と前記支持基板との間に設けられた、接着剤層とを有し、
    　前記接着剤層が、請求項１から７のいずれかに記載の接着剤組成物から形成された接着剤層である、積層体。
  13. 　加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法であって、
    　請求項１２に記載の積層体の前記半導体基板が加工される第５Ａ工程、又は請求項１２に記載の積層体の前記電子デバイス層が加工される第５Ｂ工程と、
    　前記第５Ａ工程によって加工された前記半導体基板と前記支持基板とが分離される第６Ａ工程、又は前記第５Ｂ工程によって加工された前記電子デバイス層と前記支持基板とが分離される第６Ｂ工程と、
    を含む、加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法。
  14. 　前記第６Ａ工程又は第６Ｂ工程が、前記積層体に対して、前記支持基板側からレーザーを照射する工程を含む、請求項１３に記載の加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法。

     
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