TW202238709A - 積層體、積層體之製造方法、及半導體基板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供積層體等，其係具有在半導體基板之加工後將半導體基板與支撐基板分離時可輕易地剝離且能夠抑制凸塊變形之接著層。 本發明之積層體，其係具備：附凸塊之半導體基板；支撐基板；保護用接著層，其形成為與前述附凸塊之半導體基板接觸；以及剝離用接著層，其形成在前述保護用接著層與前述支撐基板之間；其特徵係， 前述保護用接著層係由保護用接著劑組成物所形成，前述保護用接著劑組成物係含有藉由矽氫化反應而硬化之成分（A），且不含有不會發生硬化反應之剝離劑成分（B）； 前述剝離用接著層係由剝離用接著劑組成物所形成，前述剝離用接著劑組成物係含有藉由矽氫化反應而硬化之成分（A）、以及不會發生硬化反應之剝離劑成分（B）。

Description

積層體、積層體之製造方法、及半導體基板之製造方法
本發明係關於一種積層體、積層體之製造方法、及半導體基板之製造方法。
過去在二維平面方向上集積之半導體晶圓，以更進一步的集積化為目的，不斷追求一種亦將平面進一步集積（積層）於三維方向上之半導體集積技術。該三維積層係藉由矽穿孔電極（TSV：through silicon via）進行接線並集積為多層之技術。集積為多層時，被集積之各晶圓藉由對與已形成之電路面為相反之側（即背面）進行研磨而薄化，並積層已薄化之半導體晶圓。 為了以研磨裝置研磨薄化前的半導體晶圓（於此亦簡稱為晶圓），而接著於支撐體。 此時的接著必須在研磨後能輕易地剝離，故被稱為暫時接著。該暫時接著必須能輕易地從支撐體上拆除，若為了拆除而施加很大的力，則已薄化之半導體晶圓可能會有被切斷或變形之情形，為了避免如此情形發生，須能輕易地被拆除。然而，當研磨半導體晶圓的背面時因研磨應力而脫落或偏離之情形並不理想。因此，暫時接著所要求之性能係能承受研磨時之應力，並且在研磨後能輕易地被拆除。 追求一種例如對研磨時的平面方向持有高的應力（強的接著力），對拆除時的縱向具有低的應力（弱的接著力）之性能。
作為如此接著製程，已揭露一種晶圓支撐結構體，其係在作為半導體晶圓之晶圓（1）與作為支撐體之支撐層（6）之間，從晶圓（1）側具有矽油層、作為電漿聚合物層之分離層（4）、及已部分硬化或硬化性彈性體材料之層（5），並且彈性體材料完全硬化後之支撐層系統與分離層（4）之間的接著黏合大於晶圓（1）與分離層（4）之間的接著黏合（例如參照專利文獻1的實施例）。
始終追求一種在半導體晶圓薄化後，從支撐體拆除已薄化之半導體晶圓時，不需很大的力來進行拆除，且可輕易地從支撐體拆除半導體晶圓之技術。 此外，半導體晶圓，經由例如由金屬之導電性材料所成之凸塊球與半導體晶片電連接，藉由使用具備如此凸塊球之晶片，實現半導體封裝之小型化。 由銅或錫等金屬所成之凸塊球，可能會因為在加工半導體基板之過程等中所施予之加熱、壓力等來自外部之負荷而受到損傷或變形，而伴隨近期半導體領域的進展，始終追求一種能夠減少或防止如此因加熱或壓力而造成之變形之技術。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本發明專利第5335443號公報
［發明所欲解決之技術問題］
本發明係有鑑於前述情事所成者，目的在於提供一種積層體、及使用該積層體之半導體基板之製造方法、以及該積層體之製造方法；該積層體係具有可將半導體基板與支撐基板輕易地剝離並且能夠抑制凸塊變形之接著層。 ［技術手段］
本發明人為了解決前述課題而進行深入研究後，完成具有以下要旨之本發明。
即，本發明包含如下。 〔1〕一種積層體，其係具備：附凸塊之半導體基板；支撐基板；保護用接著層，其形成為與前述附凸塊之半導體基板接觸；以及剝離用接著層，其形成在前述保護用接著層與前述支撐基板之間；其特徵係， 前述保護用接著層係由保護用接著劑組成物所形成，前述保護用接著劑組成物係含有藉由矽氫化反應而硬化之成分（A），且不含有不會發生硬化反應之剝離劑成分（B）； 前述剝離用接著層係由剝離用接著劑組成物所形成，前述剝離用接著劑組成物係含有藉由矽氫化反應而硬化之成分（A）、以及不會發生硬化反應之剝離劑成分（B）。 ［2〕如〔1〕所述之積層體，其中，前述保護用接著層中所含之前述成分（A）含有：具有與矽原子鍵結之碳數2～40之烯基之聚有機矽氧烷（a1）、具有Si-H基之聚有機矽氧烷（a2）、以及鉑族金屬系觸媒（A2）； 前述剝離用接著層中所含之前述成分（A）含有：具有與矽原子鍵結之碳數2～40之烯基之聚有機矽氧烷（a1）、具有Si-H基之聚有機矽氧烷（a2）、以及鉑族金屬系觸媒（A2）。 〔3〕如〔1〕或〔2〕所述之積層體，其中，前述剝離用接著層中所含之前述剝離劑成分（B）為可經改性之聚二甲基矽氧烷。 〔4〕一種半導體基板之製造方法，其特徵係包含： 加工步驟，對如〔1〕至〔3〕中任一項所述之積層體中之前述半導體基板進行加工；以及 分離步驟，藉由使前述保護用接著層與前述剝離用接著層分離，從而將前述支撐基板與加工後之前述半導體基板分離。 〔5〕如〔4〕所述之半導體基板之製造方法，其中，前述加工步驟包含薄化處理，對前述半導體基板中與存在前述凸塊之面為相反側的面進行研磨，以薄化前述半導體基板。 〔6〕一種積層體之製造方法，其係製造如〔1〕至〔3〕中任一項所述之積層體，其特徵係包含： 保護用接著劑塗布層形成步驟，藉由將前述保護用接著劑組成物塗布於前述半導體基板中存在前述凸塊之面上而形成保護用接著劑塗布層； 保護用接著層形成步驟，對前述保護用接著劑塗布層進行加熱，形成前述保護用接著層； 剝離用接著劑塗布層形成步驟，藉由將前述剝離用接著劑組成物塗布於前述支撐基板上、或者將前述剝離用接著劑組成物塗布於前述保護用接著層上，形成剝離用接著劑塗布層；以及 剝離用接著層形成步驟，在前述剝離用接著劑塗布層與前述保護用接著層接觸，且前述剝離用接著劑塗布層與前述支撐基板接觸之狀態下，對前述剝離用接著劑塗布層進行加熱，形成前述剝離用接著層。 ［發明之效果］
根據本發明，可提供一種積層體、及使用該積層體之半導體基板之製造方法、以及該積層體之製造方法；該積層體係具有可將半導體基板與支撐基板輕易地剝離並且能夠抑制凸塊變形之接著層。
（積層體） 本發明之積層體係具有：支撐基板、半導體基板、保護用接著層、以及剝離用接著層。 半導體基板，係在支撐基板側具有凸塊。 保護用接著層，係介於支撐基板與半導體基板之間。 保護用接著層，係與半導體基板接觸。 剝離用接著層，係介於支撐基板與保護用接著層之間。 剝離用接著層，理想係與支撐基板及保護用接著層接觸。 積層體，係用於在對積層體中之半導體基板進行加工後使支撐基板與半導體基板分離之用途。
積層體中，藉由保護用接著層形成為與半導體基板接觸，可於製造加工後之半導體基板時抑制凸塊變形。此認為是容易因加工半導體基板時的熱及壓力而熔融或變形之凸塊，受到不易熔融及變形之保護用接著層所保護，結果可保持其形狀之故。 此外，積層體中，由於剝離用接著層形成於支撐基板與保護用接著層之間，使得將支撐基板與半導體基板分離時，可在不對基板施加過度負荷之情況下，良好地分離兩個基板。此認為是因為：如後述所述，剝離用接著層含有剝離劑成分，因此將基板彼此分離時，選擇性地，能夠良好地實現在剝離用接著層內部或在剝離用接著層與其鄰接之層、或者與基板之界面之剝離，其結果，能夠避免對基板之過度負荷。
＜支撐基板＞ 支撐基板，只要係在對半導體基板進行加工時能夠支撐半導體基板之部件，則無特別限定，可列舉例如玻璃製支撐基板、矽製支撐基板等。
支撐基板的形狀無特別限定，可列舉例如圓盤狀。又，圓盤狀的支撐基板的面的形狀不需要為完整的圓形，例如支撐基板的外周可具有被稱為定向平面之直線部，亦可具有被稱為缺口之切口。 圓盤狀的支撐基板的厚度，可根據半導體基板的大小等而適宜決定，並無特別限定，例如為500～1,000μm。 圓盤狀的支撐基板的直徑，可根據半導體基板的大小等而適宜決定，並無特別限定，例如為100～1,000mm。
支撐基板之一例為直徑300mm、厚度700μm左右的玻璃晶圓或矽晶圓。
＜半導體基板＞ 半導體基板具有凸塊。所謂凸塊係指突起狀的端子。 積層體中，半導體基板係在支撐基板側具有凸塊。 半導體基板中，凸塊通常係形成於形成有電路之面上。電路可為單層，亦可為多層。電路的形狀並無特別限制。 半導體基板中，與具有凸塊之面為相反側之面（背面）係施予加工之面。
構成半導體基板整體之主要材質只要可用於此種用途，則無特別限定，可列舉例如：矽、碳化矽、化合物半導體等。 半導體基板的形狀無特別限定，例如為圓盤狀。又，圓盤狀的半導體基板的面的形狀不需要為完整的圓形，例如半導體基板的外周可具有被稱為定向平面之直線部，亦可具有被稱為缺口之切口。 圓盤狀的半導體基板的厚度，可根據半導體基板的使用目的等而適宜決定，並無特別限定，例如為500～1,000μm。 圓盤狀的半導體基板的直徑，可根據半導體基板的使用目的等而適宜決定，並無特別限定，可列舉例如100～1,000mm。
半導體基板之一例為直徑300mm、厚度770μm左右的矽晶圓。
半導體基板所具有之凸塊的材質、大小、形狀、結構、密度無特別限定。 凸塊可列舉例如：球凸塊、印刷凸塊、柱形凸塊（stud bump）、鍍凸塊等。 凸塊的高度、直徑及間距（pitch）通常係從凸塊高度1～200μm左右、凸塊直徑1～200μm、凸塊間距1～500μm之條件中適宜決定。 凸塊的材質可列舉例如：低熔點焊料、高熔點焊料、錫、銦、金、銀、銅等。凸塊可僅由單一成分構成，亦可由複數成分構成。更具體而言，可列舉：SnAg凸塊、SnBi凸塊、Sn凸塊、AuSn凸塊等以Sn為主體之合金鍍等。 此外，凸塊亦可具有積層結構，該積層結構包含由至少任一個此等成分所成之金屬層。
＜保護用接著層＞ 保護用接著層，係介於支撐基板與半導體基板之間。 保護用接著層，係與半導體基板接觸。
保護用接著層，係由保護用接著劑組成物所形成，該保護用接著劑組成物係含有藉由矽氫化反應而硬化之成分（A），且不含有不會發生硬化反應之剝離劑成分（B）。 又，規定不含在保護用接著劑組成物中之剝離劑成分（B）係藉由與規定含在剝離用接著劑組成物中之剝離劑成分（B）進行比較而規定者，關於剝離劑成分（B）之詳細內容，將在下述＜剝離用接著層＞之＜＜剝離用接著劑組成物＞＞一節中記載。
＜＜保護用接著劑組成物＞＞ 保護用接著劑組成物，係含有藉由矽氫化反應而硬化之成分（A）。 理想態樣中，本發明所使用之保護用接著劑組成物係含有聚有機矽氧烷。 另一理想態樣中，本發明所使用之保護用接著劑組成物係含有成為接著劑成分之硬化之成分（A）。 另一理想態樣中，成分（A）可為藉由矽氫化反應而硬化之成分，亦可為藉由矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A’）。 另一理想態樣中，成分（A）例如含有：作為成分（A’）之一例之具有與矽原子鍵結之碳數2～40之烯基之聚有機矽氧烷（a1）、具有Si-H基之聚有機矽氧烷（a2）、以及鉑族金屬系觸媒（A2）。於此，碳數2～40之烯基亦可經取代。取代基可列舉例如：鹵素原子、硝基、氰基、胺基、羥基、羧基、芳基、雜芳基等。 另一理想態樣中，藉由矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A’）係含有聚矽氧烷（A1）以及鉑族金屬系觸媒（A2），且該聚矽氧烷（A1）含有選自以SiO 2表示之矽氧烷單元（Q單元）、以R 1R 2R 3SiO 1/2表示之矽氧烷單元（M單元）、以R 4R 5SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D單元）及以R 6SiO 3/2表示之矽氧烷單元（T單元）所成群中一種或兩種以上的單元；聚矽氧烷（A1）係含有聚有機矽氧烷（a1’）以及聚有機矽氧烷（a2’），且該聚有機矽氧烷（a1’）含有選自以SiO 2表示之矽氧烷單元（Q’單元）、以R 1’R 2’R 3’SiO 1/2表示之矽氧烷單元（M’單元）、以R 4’R 5’SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D’單元）及以R 6’SiO 3/2表示之矽氧烷單元（T’單元）所成群中一種或兩種以上的單元，並含有選自M’單元、D’單元及T’單元所成群中至少一種，該聚有機矽氧烷（a2’）含有選自以SiO 2表示之矽氧烷單元（Q”單元）、以R 1”R 2”R 3”SiO 1/2表示之矽氧烷單元（M”單元）、以R 4”R 5”SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D”單元）及以R 6”SiO 3/2表示之矽氧烷單元（T”單元）所成群中一種或兩種以上的單元，並含有選自M”單元、D”單元及T”單元所成群中至少一種。 又，（a1’）為（a1）之一例，（a2’）為（a2）之一例。
R 1～R 6係與矽原子鍵結之基團或原子，各自獨立表示可經取代之烷基、可經取代之烯基或氫原子。取代基可列舉例如：鹵素原子、硝基、氰基、胺基、羥基、羧基、芳基、雜芳基等。
R 1’～R 6’係與矽原子鍵結之基團，各自獨立表示可經取代之烷基或可經取代之烯基，但R 1’～R 6’中至少一個為可經取代之烯基。取代基可列舉例如：鹵素原子、硝基、氰基、胺基、羥基、羧基、芳基、雜芳基等。
R 1”～R 6”係與矽原子鍵結之基團或原子，各自獨立表示可經取代之烷基或氫原子，但R 1”～R 6”中至少一個為氫原子。取代基可列舉例如：鹵素原子、硝基、氰基、胺基、羥基、羧基、芳基、雜芳基等。
烷基可為直鏈狀、支鏈狀、環狀中任一種，理想為直鏈狀或支鏈狀烷基，其碳數無特別限定，通常為1～40，理想為30以下，更理想為20以下，再更理想為10以下。
可經取代之直鏈狀或支鏈狀烷基之具體例，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、正戊基、1-甲基-正丁基、2-甲基-正丁基、3-甲基-正丁基、1,1-二甲基-正丙基、1,2-二甲基-正丙基、2,2-二甲基-正丙基、1-乙基-正丙基、正己基、1-甲基-正戊基、2-甲基-正戊基、3-甲基-正戊基、4-甲基-正戊基、1,1-二甲基-正丁基、1,2-二甲基-正丁基、1,3-二甲基-正丁基、2,2-二甲基-正丁基、2,3-二甲基-正丁基、3,3-二甲基-正丁基、1-乙基-正丁基、2-乙基-正丁基、1,1,2-三甲基-正丙基、1,2,2-三甲基-正丙基、1-乙基-1-甲基-正丙基、1-乙基-2-甲基-正丙基等，但不限於此等，其碳數通常為1～14，理想為1～10，更理想為1～6。其中特別理想為甲基。
可經取代之環狀烷基之具體例，可列舉：環丙基、環丁基、1-甲基-環丙基、2-甲基-環丙基、環戊基、1-甲基-環丁基、2-甲基-環丁基、3-甲基-環丁基、1,2-二甲基-環丙基、2,3-二甲基-環丙基、1-乙基-環丙基、2-乙基-環丙基、環己基、1-甲基-環戊基、2-甲基-環戊基、3-甲基-環戊基、1-乙基-環丁基、2-乙基-環丁基、3-乙基-環丁基、1,2-二甲基-環丁基、1,3-二甲基-環丁基、2,2-二甲基-環丁基、2,3-二甲基-環丁基、2,4-二甲基-環丁基、3,3-二甲基-環丁基、1-正丙基-環丙基、2-正丙基-環丙基、1-異丙基-環丙基、2-異丙基-環丙基、1,2,2-三甲基-環丙基、1,2,3-三甲基-環丙基、2,2,3-三甲基-環丙基、1-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-1-甲基-環丙基、2-乙基-2-甲基-環丙基、2-乙基-3-甲基-環丙基等環烷基；雙環丁基、雙環戊基、雙環己基、雙環庚基、雙環辛基、雙環壬基、雙環癸基等雙環烷基等，但不限於此等，其碳數通常為3～14，理想為4～10，更理想為5～6。
烯基可為直鏈狀、支鏈狀中任一種，其碳數無特別限定，通常為2～40，理想為30以下，更理想為20以下，再更理想為10以下。
可經取代之直鏈狀或支鏈狀烯基之具體例，可列舉：乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基等，但不限於此等，其碳數通常為2～14，理想為2～10，更理想為1～6。其中特別理想為乙烯基、2-丙烯基。 可經取代之環狀烯基之具體例，可列舉環戊烯基、環己烯基等，但不限於此等，其碳數通常為4～14，理想為5～10，更理想為5～6。
如前所述，聚矽氧烷（A1）係含有聚有機矽氧烷（a1’）以及聚有機矽氧烷（a2’），而聚有機矽氧烷（a1’）中所含之烯基與聚有機矽氧烷（a2’）中所含之氫原子（Si-H基）係藉由鉑族金屬系觸媒（A2）經由矽氫化反應而形成交聯結構並硬化。其結果會形成硬化膜。
聚有機矽氧烷（a1’）係含有選自Q’單元、M’單元、D’單元及T’單元所成群中一種或兩種以上的單元，並含有選自M’單元、D’單元及T’單元所成群中至少一種。聚有機矽氧烷（a1’）亦可組合使用兩種以上滿足如此條件之聚有機矽氧烷。
選自Q’單元、M’單元、D’單元及T’單元所成群中兩種以上的理想組合，可列舉：（Q’單元及M’單元）、（D’單元及M’單元）、（T’單元及M’單元）、（Q’單元、T’單元及M’單元），但不限於此等。
此外，當含有兩種以上聚有機矽氧烷（a1’）所包含之聚有機矽氧烷之情形時，理想為（Q’單元及M’單元）與（D’單元及M’單元）之組合、（T’單元及M’單元）與（D’單元及M’單元）之組合、（Q’單元、T’單元及M’單元）與（T’單元及M’單元）之組合，但不限於此等。
聚有機矽氧烷（a2’）係含有選自Q”單元、M”單元、D”單元及T”單元所成群中一種或兩種以上的單元，並含有選自M”單元、D”單元及T”單元所成群中至少一種。聚有機矽氧烷（a2’）亦可組合使用兩種以上滿足如此條件之聚有機矽氧烷。
選自Q”單元、M”單元、D”單元及T”單元所成群中兩種以上的理想組合，可列舉：（M”單元及D”單元）、（Q”單元及M”單元）、（Q”單元、T”單元及M”單元），但不限於此等。
聚有機矽氧烷（a1’）係由在其矽原子上鍵結有烷基及／或烯基之矽氧烷單元所構成，以R 1’～R 6’表示之所有取代基中之烯基的比例理想為0.1～50.0莫耳%，更理想為0.5～30.0莫耳%，其餘的R 1’～R 6’可為烷基。
聚有機矽氧烷（a2’）係由在其矽原子上鍵結有烷基及／或氫原子之矽氧烷單元所構成，以R 1”～R 6”表示之所有取代基及取代原子中之氫原子的比例理想為0.1～50.0莫耳%，更理想為10.0～40.0莫耳%，其餘的R 1”～R 6”可為烷基。
當成分（A）含有（a1）及（a2）之情形時，本發明之理想態樣中，聚有機矽氧烷（a1）中所含之烯基與聚有機矽氧烷（a2）中所含之構成Si-H鍵之氫原子的莫耳比係在1.0：0.5～1.0：0.66的範圍。
聚有機矽氧烷（a1）、聚有機矽氧烷（a2）等之聚矽氧烷的重量平均分子量無特別限定，通常各別為500～1,000,000，從再現性良好地實現本發明之效果之觀點而言，理想係各別為5,000～50,000。 又，本發明中，聚有機矽氧烷的重量平均分子量、數平均分子量及分散度，例如可使用凝膠滲透層析（GPC）裝置（東曹股份有限公司製之EcoSEC，HLC-8320GPC）及GPC管柱（東曹股份有限公司之TSKgel SuperMultiporeHZ-N、TSKgel SuperMultiporeHZ-H），將管柱溫度設為40℃，使用四氫呋喃作為溶離液（溶出溶劑），流量（流速）設為0.35mL/min，使用聚苯乙烯（昭和電工股份有限公司製之Shodex）作為標準樣品來測定。
聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2）的黏度無特別限定，通常各別為10～1000000（mPa･s），從再現性良好地實現本發明之效果之觀點而言，理想係各別為50～20000（mPa･s）。又，聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2）的黏度係在25℃下以E型旋轉黏度計所測定之值。
聚有機矽氧烷（a1）與聚有機矽氧烷（a2）係藉由矽氫化反應而相互反應後成為膜。因此，其硬化機制係與例如經由矽醇基之機制不同，因而任一矽氧烷皆無需含有矽醇基、或如烷氧基之藉由水解來形成矽醇基之官能基。
本發明之理想態樣中，接著劑組成物係同時含有聚有機矽氧烷成分（A’）及鉑族金屬系觸媒（A2）。 如此之鉑系金屬觸媒，係用以促進聚有機矽氧烷（a1）的烯基與聚有機矽氧烷（a2）的Si-H基之矽氫化反應的觸媒。
鉑系金屬觸媒之具體例可列舉：鉑黑、四氯化鉑、氯鉑酸、氯鉑酸與一元醇的反應物、氯鉑酸與烯烴類的錯合物、雙乙醯乙酸鉑等鉑系觸媒，但不限於此等。 鉑與烯烴類的錯合物，可列舉例如二乙烯基四甲基二矽氧烷與鉑的錯合物，但不限於此。 鉑族金屬系觸媒（A2）的量無特別限定，相對於聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2）的合計量，通常係在1.0～50.0ppm的範圍。
聚有機矽氧烷成分（A’）亦能基於抑制矽氫化反應進行之目的而含有聚合抑制劑（A3）。 聚合抑制劑，只要能抑制矽氫化反應進行則無特別限定，其具體例可列舉1-乙炔基-1-環己醇、1,1-二苯基-2-丙炔-1-醇等炔基醇等。 聚合抑制劑的量無特別限定，相對於聚有機矽氧烷（a1）及聚有機矽氧烷（a2）的合計量，從獲得其效果之觀點而言，通常為1000.0ppm以上；從防止過度抑制矽氫化反應之觀點而言，通常為10000.0ppm以下。
本發明所使用之保護用接著劑組成物，亦能以調整黏度等目的而含有溶劑，其具體例可列舉脂肪族烴、芳香族烴、酮等，但不限於此等。
更具體而言，溶劑可列舉：己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、異十二烷、薄荷烷、檸檬烯、甲苯、二甲苯、對稱三甲苯、異丙苯、MIBK(甲基異丁基酮)、乙酸丁酯、二異丁基酮、2-辛酮、2-壬酮、5-壬酮等，但不限於此等。如此溶劑可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
當本發明所使用之保護用接著劑組成物含有溶劑之情形時，其含量雖是思酌所期望之組成物的黏度、所採用之塗布方法、所製作之膜的厚度等而適宜決定，但相對於保護用接著劑組成物整體，係在10～90質量%左右之範圍。
本發明所使用之保護用接著劑組成物的黏度無特別限定，在25℃下通常為500～20,000mPa･s，理想為1,000～6,000mPa･s。本發明所使用之保護用接著劑組成物的黏度，可考慮所使用之塗布方法、所期望之膜厚等各種要素，藉由變更所使用之溶劑的種類或其等比率、膜構成成分濃度等進行調整。 本發明中，所謂膜構成成分係意指組成物所含之溶劑以外的成分。
本發明所使用之保護用接著劑組成物之一例，可藉由混合成分（A），如有使用時再混合溶劑來製造。 又，在調製保護用接著劑組成物時，亦可在成分不會分解或變質之範圍內適宜加熱。 本發明中，亦能基於除去異物之目的，在製造保護用接著劑組成物之過程中或在混合所有成分後，使用過濾器等對所使用之溶劑或溶液等進行過濾。
本發明之積層體所具備之保護用接著層的厚度無特別限定，惟從為了再現性良好地獲得良好的凸塊變形抑制效果之觀點而言，理想為10～100μm，更理想為20～50μm。
＜剝離用接著層＞ 剝離用接著層，係介於支撐基板與保護用接著層之間。 剝離用接著層，從為了再現性良好地獲得良好的凸塊變形抑制效果之觀點而言，理想係與支撐基板及保護用接著層接觸。
剝離用接著層，係由剝離用接著劑組成物所形成，該剝離用接著劑組成物係含有藉由矽氫化反應而硬化之成分（A）、及不會發生硬化反應之剝離劑成分（B）。
＜＜剝離用接著劑組成物＞＞ 剝離用接著劑組成物，係含有藉由矽氫化反應而硬化之成分（A）。 理想態樣中，本發明所使用之剝離用接著劑組成物係含有聚有機矽氧烷。 另一理想態樣中，本發明所使用之剝離用接著劑組成物係含有成為接著劑成分之硬化之成分（A）、及不會發生硬化反應之剝離劑成分（B）。不會發生硬化反應之剝離劑成分（B）可列舉例如聚有機矽氧烷。又，本發明中所謂「不會發生硬化反應」並非係意指不會發生任何硬化反應，而係意指不會發生在硬化之成分（A）中發生之硬化反應。 另一理想態樣中，成分（A）可為藉由矽氫化反應而硬化之成分，亦可為藉由矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A’）。 關於成分（A）及聚有機矽氧烷成分（A’）之說明係如前述之＜保護用接著層＞之＜＜保護用接著劑組成物＞＞一節中所記載。 保護用接著劑組成物所含之成分（A）及聚有機矽氧烷成分（A’）與剝離用接著劑組成物所含之成分（A）及聚有機矽氧烷成分（A’），可為相同種類之成分，亦可為不同種類之成分。 剝離用接著劑組成物，雖含有不會發生硬化反應之剝離劑成分（B），但組成物整體仍因矽氫化而發生交聯反應並硬化。 剝離用接著劑組成物中之硬化之成分（A），理想係不含有含芳香環之成分。
本發明所使用之剝離用接著劑組成物之一例，係同時含有硬化之成分（A）以及不會發生硬化反應之剝離劑成分（B）。藉由剝離用接著劑組成物中含有如此之剝離劑成分（B），可將剝離用接著層與鄰接之層或基板輕易地剝離。 典型而言，如此之剝離劑成分（B）可列舉聚有機矽氧烷。某一理想態樣中，其具體例可列舉：含環氧基之聚有機矽氧烷、含甲基之聚有機矽氧烷、含苯基之聚有機矽氧烷等，但不限於此等。 此外，另一理想態樣中，剝離劑成分（B）可列舉聚二甲基矽氧烷，該聚二甲基矽氧烷亦可經改性。可經改性之聚二甲基矽氧烷，可列舉例如：含環氧基之聚二甲基矽氧烷、未改性之聚二甲基矽氧烷、含苯基之聚二甲基矽氧烷等，但不限於此等。
作為剝離劑成分（B）之聚有機矽氧烷之理想例可列舉：含環氧基之聚有機矽氧烷、含甲基之聚有機矽氧烷、含苯基之聚有機矽氧烷等，但不限於此等。
作為剝離劑成分（B）之聚有機矽氧烷的重量平均分子量無特別限定，通常為100,000～2,000,000，從再現性良好地實現本發明之效果之觀點而言，理想為200,000～1,200,000，更理想為300,000～900,000。此外，其分散度無特別限定，通常為1.0～10.0，從再現性良好地實現適當的剝離之觀點等而言，理想為1.5～5.0，更理想為2.0～3.0。又，重量平均分子量及分散度能以與聚矽氧烷相關之前述方法進行測定。 作為剝離劑成分（B）之聚有機矽氧烷的複數黏度，可在25℃下使用流變儀（例如安東帕股份有限公司製之流變儀MCR-302）進行測定。
含環氧基之聚有機矽氧烷，可列舉例如含有以R 11R 12SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D 10單元）。
R 11係與矽原子鍵結之基團，表示烷基；R 12係與矽原子鍵結之基團，表示環氧基或含環氧基之有機基；烷基之具體例可列舉前述例示。 含環氧基之有機基中之環氧基，可不與其他環縮合而為獨立之環氧基，亦可如1,2-環氧環己基，為與其他環形成縮合環之環氧基。 含環氧基之有機基之具體例，可列舉3-環氧丙氧基丙基(3-glycidoxypropyl)、2-(3,4-環氧環己基)乙基，但不限於此等。 本發明中，含環氧基之聚有機矽氧烷之一理想例，可列舉含環氧基之聚二甲基矽氧烷，但不限於此。
含環氧基之聚有機矽氧烷係含有前述之矽氧烷單元（D 10單元），但除了D 10單元以外，亦可含有Q單元、M單元及／或T單元。 本發明之理想態樣中，含環氧基之聚有機矽氧烷之具體例，可列舉：僅由D 10單元所成之聚有機矽氧烷；含有D 10單元及Q單元之聚有機矽氧烷；含有D 10單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 10單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 10單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 10單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 10單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷等。
含環氧基之聚有機矽氧烷，理想係環氧值為0.1～5之含環氧基之聚二甲基矽氧烷。此外，其重量平均分子量無特別限定，通常為1,500～500,000，從抑制接著劑中之析出之觀點而言，理想為100,000以下。
含環氧基之聚有機矽氧烷之具體例，可列舉以式（E1）至（E3）表示之例示，但不限於此等。
〔化1〕
Figure 02_image001
（m 1及n 1表示各重複單元的數量，且為正整數。）
〔化2〕
Figure 02_image003
（m 2及n 2表示各重複單元的數量，且為正整數；R為碳數1～10之伸烷基。）
〔化3〕
Figure 02_image005
（m 3、n 3及o 3表示各重複單元的數量，且為正整數；R為碳數1～10之伸烷基。）
含甲基之聚有機矽氧烷，可列舉例如含有以R 210R 220SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D 200單元），理想為含有以R 21R 21SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D 20單元）。
R 210及R 220係與矽原子鍵結之基團，各自獨立表示烷基，但至少一者為甲基；烷基之具體例可列舉前述例示。 R 21係與矽原子鍵結之基團，表示烷基；烷基之具體例可列舉前述例示。其中，R 21理想為甲基。 本發明中，含甲基之聚有機矽氧烷之一理想例，可列舉聚二甲基矽氧烷，但不限於此。
含甲基之聚有機矽氧烷係含有前述之矽氧烷單元（D 200單元或D 20單元）者，但除了D 200單元及D 20單元以外，亦可含有Q單元、M單元及／或T單元。
本發明之某一態樣中，含甲基之聚有機矽氧烷之具體例可列舉：僅由D 200單元所成之聚有機矽氧烷；含有D 200單元及Q單元之聚有機矽氧烷；含有D 200單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 200單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 200單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 200單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 200單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷。
本發明之理想態樣中，含甲基之聚有機矽氧烷之具體例可列舉：僅由D 20單元所成之聚有機矽氧烷；含有D 20單元及Q單元之聚有機矽氧烷；含有D 20單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 20單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 20單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 20單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 20單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷。
含甲基之聚有機矽氧烷之具體例，可列舉以式（M1）表示之例示，但不限於此。
〔化4〕
Figure 02_image007
（n 4表示各重複單元的數量，且為正整數。）
含苯基之聚有機矽氧烷，可列舉例如含有以R 31R 32SiO 2/2表示之矽氧烷單元（D 30單元）。
R 31係與矽原子鍵結之基團，表示苯基或烷基；R 32係與矽原子鍵結之基團，表示苯基；烷基之具體例可列舉前述例示，理想為甲基。
含苯基之聚有機矽氧烷係含有前述之矽氧烷單元（D 30單元），但除了D 30單元以外，亦可含有Q單元、M單元及／或T單元。
本發明之理想態樣中，含苯基之聚有機矽氧烷之具體例可列舉：僅由D 30單元所成之聚有機矽氧烷；含有D 30單元及Q單元之聚有機矽氧烷；含有D 30單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 30單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 30單元、Q單元及M單元之聚有機矽氧烷；含有D 30單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷；含有D 30單元、Q單元、M單元及T單元之聚有機矽氧烷。
含甲基之聚有機矽氧烷之具體例，可列舉以式（P1）或（P2）表示之例示，但不限於此等。
〔化5〕
Figure 02_image009
（m 5及n 5表示各重複單元的數量，且為正整數。）
〔化6〕
Figure 02_image011
（m 6及n 6表示各重複單元的數量，且為正整數。）
作為剝離劑成分（B）之聚有機矽氧烷可為市售品，亦可為合成者。 聚有機矽氧烷之市售品，可列舉例如：瓦克化學公司製之製品之WACKERSILICONE FLUID AK系列（AK50、AK350、AK1000、AK10000、AK1000000）或GENIOPLAST GUM，信越化學工業股份有限公司製之二甲基矽油（KF-96L、KF-96A、KF-96、KF-96H、KF-69、KF-965、KF-968）、環狀二甲基矽油（KF-995）；Gelest公司製之含環氧基之聚有機矽氧烷（商品名CMS-227、ECMS-327），信越化學工業股份有限公司製之含環氧基之聚有機矽氧烷（KF-101、KF-1001、KF-1005、X-22-343），道康寧公司製之含環氧基之聚有機矽氧烷（BY16-839）；Gelest公司製之含苯基之聚有機矽氧烷（PMM-1043、PMM-1025、PDM-0421、PDM-0821），信越化學工業股份有限公司製之含苯基之聚有機矽氧烷（KF50-3000CS），邁圖（MOMENTIVE）公司製之含苯基之聚有機矽氧烷（TSF431、TSF433）等，但不限於此等。
本發明所使用之剝離用接著劑組成物，係同時含有硬化之成分（A）、及不會發生硬化反應之剝離劑成分（B）；更理想態樣中，含有聚有機矽氧烷作為剝離劑成分（B）。
本發明所使用之剝離用接著劑組成物之一例，係能以任意比率含有成分（A）與剝離劑成分（B），惟若考慮到接著性與剝離性的平衡，成分（A）與剝離劑成分（B）的比率以質量比〔（A）：（B）〕計，理想為99.995：0.005～30：70，更理想為99.9：0.1～75：25。 即，在含有藉由矽氫化反應而硬化之聚有機矽氧烷成分（A’）之情形時，成分（A’）與剝離劑成分（B）的比率以質量比〔（A’）：（B）〕計，理想為99.995：0.005～30：70，更理想為99.9：0.1～75：25。
本發明所使用之剝離用接著劑組成物，亦能以調整黏度等目的而含有溶劑，其具體例可列舉：脂肪族烴、芳香族烴、酮等，但不限於此等。
更具體而言，溶劑可列舉：己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、異十二烷、薄荷烷、檸檬烯、甲苯、二甲苯、對稱三甲苯、異丙苯、MIBK(甲基異丁基酮)、乙酸丁酯、二異丁基酮、2-辛酮、2-壬酮、5-壬酮等，但不限於此等。如此溶劑可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
當本發明所使用之剝離用接著劑組成物含有溶劑之情形時，其含量雖是思酌所期望之組成物的黏度、所採用之塗布方法、所製作之膜的厚度等而適宜設定，但相對於剝離用接著劑組成物整體，係在10～90質量%左右之範圍。
本發明所使用之剝離用接著劑組成物的黏度無特別限定，在25℃下通常為500～20,000mPa･s，理想為1,000～5,000mPa･s。本發明所使用之剝離用接著劑組成物的黏度，可考慮所使用之塗布方法、所期望之膜厚等各種要素，藉由變更所使用之溶劑的種類或其等比率、膜構成成分濃度等進行調整。
本發明所使用之剝離用接著劑組成物之一例，可藉由混合成分（A）、剝離劑成分（B），如有使用時再混合溶劑來製造。 其混合順序無特別限定，作為可輕易且再現性良好地製造剝離用接著劑組成物之方法之一例，可列舉例如：使成分（A）與剝離劑成分（B）溶解於溶劑中之方法；或者使一部分的成分（A）與剝離劑成分（B）溶解於溶劑中，並使剩餘部分溶解於溶劑中，再將所獲得之溶液混合之方法，但不限於此等。又，在調製剝離用接著劑組成物時，亦可在成分不會分解或變質之範圍內適宜加熱。 本發明中，亦能基於除去異物之目的，在製造剝離用接著劑組成物之過程中或在混合所有成分後，使用過濾器等對所使用之溶劑或溶液等進行過濾。
本發明之積層體所具備之剝離用接著層的厚度無特別限定，惟從為了再現性良好地獲得良好的剝離效果之觀點而言，理想為10～100μm，更理想為20～50μm。
以下使用圖式說明積層體之一例。 圖1為積層體之一例之概略斷面圖。 圖1之積層體依序具有：具有凸塊1a之半導體基板1、保護用接著層2、剝離用接著層3、以及支撐基板4。 半導體基板1所具有之凸塊1a係被配置於支撐基板4側。 保護用接著層2係介於半導體基板1與支撐基板4之間。保護用接著層2係與半導體基板1接觸。並且，保護用接著層2覆蓋凸塊1a。 剝離用接著層3係介於保護用接著層2與支撐基板4之間。剝離用接著層3係與保護用接著層2及支撐基板4接觸。
本發明之積層體，例如係藉由以下本發明之積層體之製造方法而適當地製造。
（積層體之製造方法） 本發明之積層體之製造方法係包含：保護用接著劑塗布層形成步驟、保護用接著層形成步驟、剝離用接著劑塗布層形成步驟、以及剝離用接著層形成步驟，並且進一步根據需要而包含貼合步驟等其他步驟。
＜保護用接著劑塗布層形成步驟＞ 保護用接著劑塗布層形成步驟，通常係藉由將保護用接著劑組成物塗布於半導體基板中存在凸塊之面上而形成保護用接著劑塗布層之步驟。藉由將保護用接著劑組成物塗布於附凸塊之半導體基板上，能夠以在保護用接著劑塗布層與基板之間不會產生間隙且跟隨著由凸塊引起之凹凸之方式形成保護用接著劑塗布層，其結果，即使在所形成之保護用接著層的厚度比凸塊高度薄之情形，亦不會導致凸塊上部從保護用接著層露出等之事態，可適當地形成能夠實現良好的凸塊保護之保護用接著層。又，此點並不排除本發明之積層體中保護用接著層比半導體基板的凸塊高度厚，即使在如此情況下，亦可適當地形成能夠實現良好的凸塊保護之保護用接著層。 如此地，保護用接著劑塗布層形成於附凸塊之半導體基板上。
塗布方法無特別限定，通常為旋轉塗布法。又，亦可採用另以旋轉塗布法等形成塗布膜，再貼附片材狀的塗布膜作為保護用接著劑塗布層之方法。 保護用接著劑塗布層的厚度，係考慮到積層體中保護用接著層的期望厚度、凸塊高度等而適宜決定。 亦能因保護用接著劑組成物含有溶劑等之理由，基於使已塗布之保護用接著劑組成物的塗膜乾燥之目的，對已塗布之保護用接著劑組成物進行加熱。 已塗布之保護用接著劑組成物的加熱溫度，係根據保護用接著劑組成物所含之接著劑成分的種類及量、含有溶劑與否、所使用之溶劑的沸點、所期望之保護用接著層的厚度等而異，故無法一概規定，通常為80～150℃；其加熱時間通常為30秒～5分鐘。 加熱可使用加熱板、烘箱等進行。
＜保護用接著層形成步驟＞ 保護用接著層形成步驟中，對保護用接著劑塗布層進行加熱，形成保護用接著層。 加熱的溫度及時間，只要係可使保護用接著劑塗布層轉化成保護用接著層之溫度及時間，則無特別限定。 加熱的溫度，從實現充分的硬化速度之觀點等而言，理想為120℃以上，更理想為150℃以上；從防止構成積層體之各層（包含支撐基板及半導體基板）之變質之觀點等而言，理想為250℃以下。進一步理想為180～200℃。 加熱的時間，從實現構成積層體之各層（包含支撐基板及半導體基板）之適當的接合之觀點而言，理想為1分鐘以上，更理想為5分鐘以上；從抑制或避免因過度加熱而對各層造成之不良影響等之觀點而言，理想為180分鐘以下，更理想為120分鐘以下。進一步理想係從基板處理效率之觀點而言為1～20分鐘。 加熱可使用加熱板、烘箱等進行。
＜剝離用接著劑塗布層形成步驟＞ 剝離用接著劑塗布層形成步驟，例如係藉由將剝離用接著劑組成物塗布於支撐基板上、或者將剝離用接著劑組成物塗布於保護用接著層上，形成剝離用接著劑塗布層之步驟。 剝離用接著劑塗布層形成步驟，只要係可形成剝離用接著劑塗布層之步驟，則無特別限制，可列舉例如包含如下之方法之步驟：在將剝離用接著劑組成物塗布於保護用接著層上或支撐基板上後，進行加熱（前加熱處理），從而形成作為未硬化或未完全硬化的剝離用接著層之剝離用接著劑塗布層。如此地，剝離用接著劑塗布層形成於半導體基板的保護用接著層上、或者支撐基板上。
塗布方法無特別限定，通常為旋轉塗布法。又，亦可採用另以旋轉塗布法等形成塗布膜，再貼附片材狀的塗布膜作為剝離用接著劑塗布層之方法。 剝離用接著劑塗布層的厚度，係考慮到積層體中剝離用接著層的期望厚度等而適宜決定。 亦能因剝離用接著劑組成物含有溶劑等之理由，基於使已塗布之剝離用接著劑組成物的塗膜乾燥之目的，對已塗布之剝離用接著劑組成物進行加熱。 已塗布之剝離用接著劑組成物的加熱溫度，係根據剝離用接著劑組成物所含之接著劑成分的種類及量、含有溶劑與否、所使用之溶劑的沸點、所期望之剝離用接著層的厚度等而異，故無法一概規定，通常為80～150℃；其加熱時間通常為30秒～5分鐘。 加熱可使用加熱板、烘箱等進行。
＜剝離用接著層形成步驟＞ 剝離用接著層形成步驟中，對剝離用接著劑塗布層進行加熱，形成剝離用接著層。 剝離用接著層形成步驟，只要係可對剝離用接著劑塗布層進行加熱而形成剝離用接著層之步驟，則無特別限定（後加熱處理）。例如，可使用形成有保護用接著層及剝離用接著劑塗布層之半導體基板與支撐基板，或者使用形成有保護用接著層之半導體基板與形成有剝離用接著劑塗布層之支撐基板，以將兩個層（保護用接著層及剝離用接著劑塗布層）夾住之方式配置兩個基板（半導體基板及支撐基板），藉此使支撐基板與剝離用接著劑塗布層接觸，且使剝離用接著劑塗布層與保護用接著層接觸，然後施予加熱處理。 加熱的溫度及時間，只要係可使剝離用接著劑塗布層轉化成剝離用接著層之溫度及時間，則無特別限定。 加熱的溫度，從實現充分的硬化速度之觀點等而言，理想為120℃以上，更理想為150℃以上；從防止構成積層體之各層（包含支撐基板及半導體基板）之變質之觀點等而言，理想為250℃以下。進一步理想為180～200℃。 加熱的時間，從實現構成積層體之各層（包含支撐基板及半導體基板）之適當的接合之觀點而言，理想為1分鐘以上，更理想為5分鐘以上；從抑制或避免因過度加熱而對各層造成之不良影響等之觀點而言，理想為180分鐘以下，更理想為120分鐘以下。進一步理想係從基板處理效率之觀點而言為1～20分鐘。 加熱可使用加熱板、烘箱等進行。
＜貼合步驟＞ 為了使半導體基板與支撐基板充分地貼合，在剝離用接著劑塗布層形成步驟與剝離用接著層形成步驟之間，理想係進行貼合步驟。 貼合步驟，只要能使基板與層貼合且不會對基板及層造成損傷，則無特別限定，典型而言，其為可在支撐基板及半導體基板的厚度方向上施加荷重之步驟，更理想為可於減壓下在支撐基板及半導體基板的厚度方向上施加荷重之步驟。 荷重，只要能使基板與層貼合且不會對基板及層造成損傷，則無特別限定，例如為10～1,000N。 減壓度，只要能使基板與層貼合且不會對基板及層造成損傷，則無特別限定，例如為10～10,000Pa。
（半導體基板之製造方法） 本發明之積層體，係用於為對半導體基板進行加工之暫時接著，並用於在對積層體中之半導體基板進行加工後使支撐基板與半導體基板分離之用途。 本發明之半導體基板之製造方法，至少包含對半導體基板進行加工之加工步驟、及使支撐基板與加工後之半導體基板分離之剝離步驟，並且進一步根據需要而包含除去步驟等其他步驟。
＜加工步驟＞ 加工步驟，只要係對本發明之積層體中之半導體基板進行加工之步驟，則無特別限定，例如包含研磨處理、貫通電極形成處理等。 例如，各種加工步驟中，有時會在高溫高壓下進行加工處理，但本發明之積層體係即使在高溫（例如250～350℃）及高壓下進行處理，亦可有效地防止半導體基板之凸塊變形。
＜＜研磨處理＞＞ 研磨處理，例如只要係對半導體基板中與存在凸塊之面為相反側的面進行研磨以薄化半導體基板之處理，則無特別限定，可列舉例如使用研磨劑或磨石之物理研磨等。 研磨處理可使用研磨半導體基板時所使用之一般的研磨裝置進行。 藉由研磨處理減少半導體基板的厚度，而可獲得已薄化至所期望之厚度之半導體基板。已薄化之半導體基板的厚度無特別限定，例如可為10～300μm，亦可為30～100μm。
＜＜貫通電極形成步驟＞＞ 經研磨之半導體基板上有時會形成有貫通電極，該貫通電極係用以在積層複數個已薄化之半導體基板時實現已薄化之半導體基板間之導通。 因此，半導體基板之製造方法亦可在研磨處理之後、剝離步驟之前，包含在經研磨之半導體基板上形成貫通電極之貫通電極形成處理。 在半導體基板上形成貫通電極之方法無特別限定，可列舉例如：形成貫通孔後再將導電性材料填充至所形成之貫通孔等。 貫通孔之形成係例如藉由光刻進行。 向貫通孔填充導電性材料係例如藉由鍍技術進行。
＜剝離步驟＞ 剝離步驟，只要係在加工步驟之後使支撐基板與加工後之半導體基板分離之步驟，則無特別限定。 可列舉例如以具銳部之機材（所謂剝離機（日文：ディボンダー））進行機械性剝離之方法。具體而言，例如將銳部***半導體基板與支撐基板之間後，使半導體基板與支撐基板分離。剝離通常發生在剝離用接著層內部、剝離用接著層與保護用接著層之界面、及剝離用接著層與支撐基板之界面中之任一處，亦常見組合此等中之兩處以上而發生剝離。又，在剝離用接著層內部發生剝離，係意指剝離用接著層裂開。
＜除去步驟＞ 除去步驟，只要係在剝離步驟之後將半導體基板上的保護用接著層及其上的剝離用接著層殘渣除去之步驟，則無特別限定，可列舉例如使用洗淨劑組成物將此等溶解除去之方法。此外，溶解除去亦可結合使用除去膠帶等之除去。 在使用洗淨劑組成物之情形時，例如可將附保護用接著層之半導體基板浸漬於洗淨劑組成物中，或者可噴塗洗淨劑組成物。 在使用洗淨劑組成物洗淨半導體基板之情形時，注意不要對凸塊造成損傷。
本發明所使用之洗淨劑組成物之一理想例，可列舉含有四級銨鹽及溶劑之洗淨劑組成物。 四級銨鹽係由四級銨陽離子及陰離子所構成，並且只要係用於此種用途則無特別限定。 典型而言，如此之四級銨陽離子可列舉四(烴)銨陽離子。另一方面，與之成對之陰離子可列舉：氫氧離子（OH -）；氟離子（F -）、氯離子（Cl -）、溴離子（Br -）、碘離子（I -）等鹵素離子；四氟硼酸離子（BF 4 -）；六氟磷酸離子（PF 6 -）等，但不限於此等。
本發明中，四級銨鹽理想為含鹵素之四級銨鹽，更理想為含氟之四級銨鹽。 四級銨鹽中，鹵素原子可含在陽離子中，亦可含在陰離子中，但理想係含在陰離子中。
一理想態樣中，含氟之四級銨鹽為氟化四(烴)銨。 氟化四(烴)銨中烴基之具體例可列舉：碳數1～20的烷基、碳數2～20的烯基、碳數2～20的炔基、碳數6～20的芳基等。 一更理想態樣中，氟化四(烴)銨係含有氟化四烷銨。 氟化四烷銨之具體例可列舉：氟化四甲銨、氟化四乙銨、氟化四丙銨、氟化四丁銨（亦稱作四丁基氟化銨）等，但不限於此等。其中，理想為氟化四丁銨。
使用圖2A至圖2H說明進行一連串積層體製造及薄化晶圓製造之態樣之一例。 圖2A至圖2H係用以說明進行積層體製造及薄化晶圓製造之一態樣之圖。 首先，準備具有凸塊1a之晶圓1（圖2A）。 接著，藉由使用塗布裝置11進行之旋轉塗布將保護用接著劑組成物塗布於晶圓1中存在凸塊1a之面上，從而形成保護用接著劑塗布層2a（圖2B）。 接著，在晶圓1中與存在凸塊1a之面為相反側之面上，配置加熱裝置（加熱板）12，並藉由加熱裝置12對保護用接著劑塗布層2a進行加熱以使其硬化並轉化成保護用接著層2（圖2C）。 接著，藉由使用塗布裝置13進行之旋轉塗布將剝離用接著劑組成物塗布於保護用接著層2上，從而形成剝離用接著劑塗布層3a（圖2D）。 接著，在剝離用接著劑塗布層3a上，配置支撐基板4（圖2E）。 接著，於減壓下在晶圓1及支撐基板4的厚度方向上施加荷重後，在晶圓1中與存在凸塊1a之面為相反側之面上，配置加熱裝置（加熱板）14，藉由加熱裝置14對剝離用接著劑塗布層3a進行加熱以使其硬化並轉化成剝離用接著層3（圖2F）。 藉由圖2A至圖2F所示之步驟，可獲得積層體。 接著，說明薄化晶圓製造之一例。 接著，使用研磨裝置（未圖示），對晶圓1中與存在凸塊1a之面為相反側之面進行研磨，薄化晶圓1（圖2G）。又，亦可對已薄化之晶圓1施予貫通電極之形成等。 接著，使用剝離裝置（未圖示），將已薄化之晶圓1與支撐基板4剝離（圖2H）。 接著，使用洗淨裝置（未圖示），藉由洗淨劑組成物將保護用接著層2等從已薄化之晶圓1上溶解除去，從而洗淨已薄化之晶圓1。 藉由以上步驟可獲得已薄化之晶圓1。 ［實施例］
以下，列舉實施例以更加具體說明本發明，但本發明不限於下述實施例。又，所使用之裝置如下述。
（1）攪拌機A：新基股份有限公司製之自轉公轉攪拌機 ARE-500 （2）複數黏度之測定：安東帕股份有限公司製之流變儀MCR-302 （3）真空貼合裝置X：休斯微技術股份有限公司製之手動接合機 （4）真空貼合裝置Y：休斯微技術股份有限公司製之自動接合機 （5）剝離裝置X：休斯微技術股份有限公司製之手動剝離機
實施例所使用之各成份之結構式如下所示。
〔化7〕
Figure 02_image013
［分子量之測定］ 聚二甲基矽氧烷的重量平均分子量、數平均分子量及分散度，係使用GPC裝置（東曹股份有限公司製之EcoSEC HLC-8320GPC）及GPC管柱（東曹股份有限公司之TSKgel SuperMultiporeHZ-N、TSKgel SuperMultiporeHZ-H），將管柱溫度設為40℃，使用四氫呋喃作為溶離液（溶出溶劑），流量（流速）設為0.35mL/min，使用聚苯乙烯（昭和電工股份有限公司製之Shodex）作為標準樣品進行測定。
［1-1］保護用接著劑組成物之調製 ［調製例1］ 在攪拌機A600mL攪拌容器中加入：作為前述之成分（a1）之以式（V）表示之黏度200mPa･s的含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷62.10g及由含乙烯基之MQ樹脂所成之基底聚合物（瓦克化學公司製）82.25g、作為前述之成分（a2）之黏度100mPa･s的含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷（瓦克化學公司製）15.23g、以及作為前述之成分（A3）之1-乙炔基-1-環己醇（瓦克化學公司製）0.42g，以攪拌機A攪拌5分鐘，從而獲得混合物（I）。 在螺紋管50mL中將作為前述之成分（A2）之鉑觸媒（瓦克化學股份有限公司製）0.24g、及作為前述之成分（a1）之以式（W）表示之黏度1000mPa･s的含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷（瓦克化學公司製）10.07g以攪拌機A攪拌5分鐘，從而獲得混合物（II）。 將所獲得之混合物（II）中的7.14g加入混合物（I）中，再以攪拌機A攪拌5分鐘，從而獲得混合物（III）。 最後，以尼龍過濾器300網目過濾所獲得之混合物（III），從而獲得保護用接著劑組成物1。又，使用旋轉黏度計所測定之保護用接著劑組成物1的黏度為9900mPa･s。
［1-2］剝離用接著劑組成物之調製 ［調製例2］ 在攪拌機A專用的600mL攪拌容器中加入：作為前述之成分（a1）之具有聚矽氧烷骨架及乙烯基之MQ樹脂（瓦克化學公司製）的對薄荷烷溶液（濃度80.6質量%）104.14g、作為前述之成分（B）之以式（M1）表示之聚有機矽氧烷（複數黏度800Pa･s、重量平均分子量171,899（分散度2.18），瓦克化學公司製）58.11g、作為溶劑之對薄荷烷（日本萜類化學（Nippon Terpene Chemicals）股份有限公司製）34.94g及正癸烷（三協化學股份有限公司製）6.20g，以攪拌機A攪拌5分鐘從而獲得混合物（I）。 在所獲得之混合物（I）中加入：作為前述之成分（a2）之黏度100mPa･s的含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷（瓦克化學公司製）16.79g、以及作為前述之成分（a1）之以式（V）表示之黏度200mPa･s的含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷（瓦克化學公司製）24.54g，從而獲得混合物（II）。 將作為成分（A3）之1,1-二苯基-2-丙炔-1-醇（東京化成工業股份有限公司製）1.61g及1-乙炔基-1-環己醇（瓦克化學公司製）1.61g、以及作為溶劑之對薄荷烷（日本萜類化學股份有限公司製）3.23g以攪拌機A攪拌60分鐘，從而獲得混合物（III）。 將所獲得之混合物（III）中的1.29g加入混合物（II）中，再以攪拌機A攪拌5分鐘，從而獲得混合物（IV）。 將作為前述之成分（A2）之鉑觸媒（瓦克化學公司製）0.65g、及作為前述之成分（a1）之以式（W）表示之黏度1000mPa･s的含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷（瓦克化學公司製）19.37g以攪拌機A攪拌5分鐘，從而獲得混合物（V）。 將所獲得之混合物（V）中的4.00g加入混合物（IV）中，再以攪拌機A攪拌5分鐘，從而獲得混合物（VI）。 最後，以尼龍過濾器300網目過濾所獲得之混合物（VI），從而獲得剝離用接著劑組成物1。又，所獲得之剝離用接著劑組成物1的黏度為3000mPa･s。
［調製例3］ 在攪拌機A專用的600mL攪拌容器中加入：作為前述之成分（a1）之具有聚矽氧烷骨架及乙烯基之MQ樹脂（瓦克化學公司製）的對薄荷烷溶液（濃度80.6質量%）105.26g、作為前述之成分（B）之以式（M1）表示之聚有機矽氧烷（複數黏度6000Pa･s、重量平均分子量642,000（分散度2.6），瓦克化學公司製，商品名GENIOPLAST GUM）35.24g、對薄荷烷（日本萜類化學股份有限公司製）54.11g及正癸烷（三協化學股份有限公司製）8.35g，使用攪拌機A攪拌5分鐘，以於過程中穿插短暫休息之方式重覆攪拌共8次，從而獲得混合物（I）。 在所獲得之混合物（I）中加入：作為前述之成分（a2）之黏度100mPa･s的含SiH基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷（瓦克化學公司製）16.97g、及作為前述之成分（a1）之黏度200mPa･s的含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷（瓦克化學公司製）24.80g，從而獲得混合物（II）。 將作為前述之成分（A3）之1,1-二苯基-2-丙炔-1-醇（東京化成工業股份有限公司製）1.63g、作為（A3）之1-乙炔基-1-環己醇（瓦克化學公司製）1.63g、以及對薄荷烷（日本萜類化學股份有限公司製）3.26g以攪拌機A攪拌5分鐘，從而獲得混合物（III）。 將所獲得之混合物（III）中的1.31g加入混合物（II）中，再以攪拌機A攪拌5分鐘，從而獲得混合物（IV）。 將作為前述之成分（A2）之鉑觸媒（瓦克化學公司製）0.26g、作為前述之成分（a1）之黏度1000mPa･s的含乙烯基之直鏈狀聚二甲基矽氧烷（瓦克化學公司製）19.58g以攪拌機A攪拌5分鐘，從而獲得混合物（V）。 將所獲得之混合物（V）中的3.97g加入混合物（IV）中，再以攪拌機A攪拌5分鐘，從而獲得混合物（VI）。 最後，以尼龍過濾器300網目過濾所獲得之混合物（VI），從而獲得剝離用接著劑組成物2。又，所獲得之剝離用接著劑組成物2的黏度為3900mPa･s。
［2］接著性及剝離性之評價 ［實施例1-1］ 以旋轉塗布將調製例1中所獲得之保護用接著劑組成物1塗布於作為裝置側之晶圓之300mm的矽晶圓（厚度：770μm）上，並以200℃加熱10分鐘，藉此在晶圓的電路面上形成厚度約32.5μm的保護用接著層。 接著，以旋轉塗布將調製例2中所獲得之剝離用接著劑組成物1塗布於保護用接著層上，並以120℃加熱1.5分鐘（前加熱處理），藉此在保護用接著層上以積層體中之剝離用接著層的厚度約32.5μm的方式形成剝離用接著劑塗布層。 之後，在真空貼合裝置Y內，對具有保護用接著層及剝離用接著劑塗布層之矽晶圓、與作為載體側之晶圓（支撐體）之300mm玻璃晶圓（厚度：700μm）以夾住保護用接著層及剝離用接著劑塗布層之方式進行貼合，再於加熱板上以裝置側晶圓朝下以200℃加熱10分鐘（後加熱處理），藉此製作積層體。又，貼合係在溫度23℃、減壓度1,000Pa下施加30N的荷重而進行。
［實施例1-2〕 以旋轉塗布將調製例1中所獲得之保護用接著劑組成物1塗布於作為裝置側之晶圓之300mm的矽晶圓（厚度：770μm）上，並以200℃加熱10分鐘，藉此在晶圓的電路面上形成厚度約32.5μm的保護用接著層。 接著，以旋轉塗布將調製例3中所獲得之剝離用接著劑組成物2塗布於保護用接著層上，並以120℃加熱1.5分鐘（前加熱處理），藉此在保護用接著層上以積層體中之剝離用接著層的厚度約32.5μm的方式形成剝離用接著劑塗布層。 之後，在真空貼合裝置Y內，對具有保護用接著層及剝離用接著劑塗布層之矽晶圓、與作為載體側之晶圓（支撐體）之300mm玻璃晶圓（厚度：700μm）以夾住保護用接著層及剝離用接著劑塗布層之方式進行貼合，再於加熱板上以裝置側晶圓朝下以200℃加熱10分鐘（後加熱處理），藉此製作積層體。又，貼合係在溫度23℃、減壓度1,000Pa下施加30N的荷重而進行。
［比較例1-1〕 以旋轉塗布將調製例1中所獲得之保護用接著劑組成物1塗布於作為裝置側之晶圓之300mm的矽晶圓（厚度：770μm）上，藉此在晶圓的電路面上以積層體中之保護用接著層的厚度約65μm的方式形成保護用接著劑塗布層。 之後，在真空貼合裝置Y內，對具有保護用接著劑塗布層之矽晶圓、與作為載體側之晶圓（支撐體）之300mm玻璃晶圓（厚度：700μm）以夾住保護用接著劑塗布層之方式進行貼合，再於加熱板上以裝置側晶圓朝下以200℃加熱10分鐘（後加熱處理），藉此製作積層體。又，貼合係在溫度23℃、減壓度1,000Pa下施加30N的荷重而進行。
［比較例1-2〕 以旋轉塗布將調製例2中所獲得之剝離用接著劑組成物1塗布於作為裝置側之晶圓之300mm的矽晶圓（厚度：770μm）上，並以120℃加熱1.5分鐘（前加熱處理），藉此在晶圓的電路面上以積層體中之剝離用接著層的厚度約65μm的方式形成剝離用接著劑塗布層。 之後，在真空貼合裝置Y內，對具有剝離用接著劑塗布層之矽晶圓、與作為載體側之晶圓（支撐體）之300mm玻璃晶圓（厚度：700μm）以夾住剝離用接著劑塗布層之方式進行貼合，再於加熱板上以裝置側晶圓朝下以200℃加熱10分鐘（後加熱處理），藉此製作積層體。又，貼合係在溫度23℃、減壓度1,000Pa下施加30N的荷重而進行。
［比較例1-3〕 以旋轉塗布將調製例3中所獲得之剝離用接著劑組成物2塗布於作為裝置側之晶圓之300mm的矽晶圓（厚度：770μm）上，並以120℃加熱1.5分鐘（前加熱處理），藉此在晶圓的電路面上形成積層體中之剝離用接著層的厚度約65μm的剝離用接著劑塗布層。 之後，在真空貼合裝置Y內，對具有剝離用接著劑塗布層之矽晶圓、與作為載體側之晶圓（支撐體）之300mm玻璃晶圓（厚度：700μm）以夾住接著層之方式進行貼合，再於加熱板上以裝置側晶圓朝下以200℃加熱10分鐘（後加熱處理），藉此製作積層體。又，貼合係在溫度23℃、減壓度1,000Pa下施加30N的荷重而進行。
使用實施例1-1、實施例1-2、比較例1-1、比較例1-2、以及比較例1-3中所獲得之積層體，對各積層體中之接著層的接著性及剝離性進行評價。 接著性的評價，係藉由從積層體的玻璃晶圓（支撐體）側以肉眼確認有無孔隙來進行，未確認到孔隙之情形評為良好，有確認到孔隙之情形評為不良。在此，孔隙係意指在積層體之基板與層之間、兩個層之間或層中存在氣泡之狀態，在存在不理想的氣泡之如此狀態下，無法期待對半導體基板的充分保護。 剝離性的評價，係測定將半導體基板與支撐基板剝離時所需之力，能夠使用剝離裝置X完成剝離之情形評為良好，不能剝離之情形評為不良。 其結果，所有的積層體中均未確認到孔隙。關於剝離性，在實施例1-1及實施例1-2中，能以15N的力將半導體基板與支撐基板良好地剝離。此外，發現比較例1-1並無法使用剝離裝置X進行剝離。又，比較例1-2及比較例1-3能以15N的力進行剝離。 據此可知，本發明之積層體，即使在不能剝離的保護用接著劑組成物1的存在下，亦可藉由具有剝離用接著層來表現出良好的剝離性。
［3-1］凸塊保護性能之確認 ［實施例2-1］ 以旋轉塗布將調製例1中所獲得之保護用接著劑組成物1塗布於作為裝置側之基板之PI TEG 4×4cm之晶片（厚度：770μm、凸塊直徑：0.03mm、凸塊高度：0.04mm、凸塊間距：0.06×0.1mm）上，並以200℃加熱10分鐘，藉此在晶片的電路面上形成厚度約32.5μm的保護用接著層。 接著，以旋轉塗布將調製例2中所獲得之剝離用接著劑組成物1塗布於保護用接著層上，並以120℃加熱1.5分鐘（前加熱處理），藉此以積層體中之剝離用接著層的厚度約32.5μm的方式形成剝離用接著劑塗布層。 之後，在真空貼合裝置X內，對具有保護用接著層及剝離用接著劑塗布層之晶片、與作為載體側之晶圓（支撐體）之100mm的玻璃晶圓（厚度：770μm）以夾住保護用接著層及剝離用接著劑塗布層之方式進行貼合，再於加熱板上以裝置側晶圓朝下以200℃加熱10分鐘（後加熱處理），藉此製作積層體。又，貼合係在溫度23℃、減壓度1,000Pa下施加30N的荷重而進行。
［實施例2-2］至［實施例2-8］ 實施例2-1中，除了如下述表1所示變更各接著劑組成物之種類、及各層之膜厚以外，採用與實施例2-1同樣的方法，得到實施例2-2至2-8的積層體。
［比較例2-1］ 以旋轉塗布將調製例2中所獲得之剝離用接著劑組成物1塗布於作為裝置側之基板之PI TEG 4×4cm之晶片（厚度：770μm、凸塊直徑：0.03mm、凸塊高度：0.04mm、凸塊間距：0.06×0.1mm）上，並以120℃加熱1.5分鐘（前加熱處理），藉此在晶片上以積層體中之剝離用接著層的厚度約65μm的方式形成剝離用接著劑塗布層。 之後，在真空貼合裝置X內，對具有剝離用接著劑塗布層之晶片、與作為載體側之晶圓（支撐體）之100mm的玻璃晶圓（厚度：770μm）以夾住剝離用接著劑塗布層之方式進行貼合，再於加熱板上以裝置側晶圓朝下以200℃加熱10分鐘（後加熱處理），藉此製作積層體。又，貼合係在溫度23℃、減壓度1,000Pa下施加30N的荷重而進行。
［比較例2-2］ 以旋轉塗布將調製例3中所獲得之剝離用接著劑組成物2塗布於作為裝置側之基板之PI TEG 4×4cm之晶片（厚度：770μm、凸塊直徑：0.03mm、凸塊高度：0.04mm、凸塊間距：0.06×0.1mm）上，並以120℃加熱1.5分鐘（前加熱處理），藉此在晶片上以積層體中之剝離用接著層的厚度約65μm的方式形成剝離用接著劑塗布層。 之後，在真空貼合裝置X內，對具有剝離用接著劑塗布層之晶片、與作為載體側之晶圓（支撐體）之100mm的玻璃晶圓（厚度：770μm）以夾住剝離用接著劑塗布層之方式進行貼合，再於加熱板上以裝置側晶圓朝下以200℃加熱10分鐘（後加熱處理），藉此製作積層體。又，貼合係在溫度23℃、減壓度1,000Pa下施加30N的荷重而進行。
［比較例2-3］ 以旋轉塗布將調製例1中所獲得之保護用接著劑組成物1塗布於作為裝置側之基板之PI TEG 4×4cm之晶片（厚度：770μm、凸塊直徑：0.03mm、凸塊高度：0.04mm、凸塊間距：0.06×0.1mm）上，藉此在晶片上以積層體中之保護用接著層的厚度約65μm的方式形成保護用接著劑塗布層。 之後，在真空貼合裝置X內，對具有該接著層之晶片、與作為載體側之晶圓（支撐體）之100mm的玻璃晶圓（厚度：770μm）以夾住接著層之方式進行貼合，再於加熱板上以裝置側晶圓朝下以200℃加熱10分鐘（後加熱處理），藉此製作積層體。又，貼合係在溫度23℃、減壓度1,000Pa下施加30N的荷重而進行。
［比較例2-4］ 以旋轉塗布將調製例2中所獲得之剝離用接著劑組成物1塗布於作為裝置側之基板之PI TEG 4×4cm之晶片（厚度：770μm、凸塊直徑：0.03mm、凸塊高度：0.04mm、凸塊間距：0.06×0.1mm）上，並以120℃加熱1.5分鐘（前加熱處理），藉此除去晶片上之殘留溶劑，進一步以200℃加熱10分鐘，藉此在晶片上以積層體中之剝離用接著層的厚度約32.5μm的方式形成剝離用接著劑塗布層。 接著，以旋轉塗布將調製例1中所獲得之保護用接著劑組成物1塗布於剝離用接著劑塗布層上，從而在剝離用接著劑塗布層上以積層體中之保護用接著層的厚度約32.5μm的方式形成保護用接著劑塗布層。 之後，在真空貼合裝置X內，對具有剝離用接著劑塗布層及保護用接著劑塗布層之晶片、與作為載體側之晶圓（支撐體）之100mm的玻璃晶圓（厚度：770μm）以夾住剝離用接著劑塗布層及保護用接著劑塗布層之方式進行貼合，再於加熱板上以裝置側晶圓朝下以200℃加熱10分鐘（後加熱處理），藉此製作積層體。又，貼合係在溫度23℃、減壓度1,000Pa下施加30N的荷重而進行。
［3-2〕高溫處理之評價 使用加熱板，對實施例2-1、實施例2-2、實施例2-3、實施例2-4、實施例2-5、實施例2-6、實施例2-7、實施例2-8、比較例2-1、比較例2-2、比較例2-3、以及比較例2-4中所獲得之各積層體施予高溫處理。高溫處理係對各積層體在製作日當日（預製前）與製作日的10日後（預製後）進行。高溫處理係依以下順序進行。 將積層體的玻璃晶圓（支撐基板）朝下放置於設定為270℃之加熱板上，進行加熱5分鐘。 隔著作為支撐基板之玻璃晶圓，使用光學顯微鏡觀察處理後之各積層體之作為半導體基板之矽晶圓的狀況，以肉眼確認有無凸塊變形。 一塊積層體中存在5044個凸塊，將有變形之凸塊的數量在0個以上且未滿50個之情形評為○，50個以上且未滿100個之情形評為△，100個以上之情形評為×。 結果示於下述表1。表1中，括號內的數字表示各層的膜厚。
〔表1〕
Figure 02_image015
如表1之結果所示，實施例2-1至實施例2-8中所獲得之積層體中具有良好的凸塊保護性能。特別係在預製後亦具有良好的凸塊保護性能。 另一方面，比較例2-1、比較例2-2及比較例2-4之積層體中，在預製後確認到多個凸塊變形。 由實施例之結果可知，本發明之積層體，係可將半導體基板與支撐基板輕易地剝離並且能夠抑制凸塊變形之凸塊保護性能優異的積層體。 〔產業利用性〕
根據本發明，可提供一種可將半導體基板與支撐基板輕易地剝離並且能夠抑制凸塊變形之積層體，因此在製造加工後之半導體基板上係有用的。
1:晶圓 1a:凸塊 2:保護用接著層 2a:保護用接著劑塗布層 3:剝離用接著層 3a:剝離用接著劑塗布層 4:支撐基板 11,13:塗布裝置 12,14:加熱裝置
〔圖1〕為積層體之一例之概略斷面圖。 〔圖2A〕為用以說明進行積層體製造及薄化晶圓製造之一態樣之圖（其一）。 〔圖2B〕為用以說明進行積層體製造及薄化晶圓製造之一態樣之圖（其二）。 〔圖2C〕為用以說明進行積層體製造及薄化晶圓製造之一態樣之圖（其三）。 〔圖2D〕為用以說明進行積層體製造及薄化晶圓製造之一態樣之圖（其四）。 〔圖2E〕為用以說明進行積層體製造及薄化晶圓製造之一態樣之圖（其五）。 〔圖2F〕為用以說明進行積層體製造及薄化晶圓製造之一態樣之圖（其六）。 〔圖2G〕為用以說明進行積層體製造及薄化晶圓製造之一態樣之圖（其七）。 〔圖2H〕為用以說明進行積層體製造及薄化晶圓製造之一態樣之圖（其八）。
1:晶圓
1a:凸塊
2:保護用接著層
3:剝離用接著層
4:支撐基板

Claims (6)

  1. 一種積層體，其係具備：附凸塊之半導體基板；支撐基板；保護用接著層，其形成為與該附凸塊之半導體基板接觸；以及剝離用接著層，其形成在該保護用接著層與該支撐基板之間；其特徵係， 該保護用接著層係由保護用接著劑組成物所形成，該保護用接著劑組成物係含有藉由矽氫化反應而硬化之成分（A），且不含有不會發生硬化反應之剝離劑成分（B）； 該剝離用接著層係由剝離用接著劑組成物所形成，該剝離用接著劑組成物係含有藉由矽氫化反應而硬化之成分（A）、以及不會發生硬化反應之剝離劑成分（B）。
  2. 如請求項1所述之積層體，其中，該保護用接著層中所含之該成分（A）含有：具有與矽原子鍵結之碳數2～40之烯基之聚有機矽氧烷（a1）、具有Si-H基之聚有機矽氧烷（a2）、以及鉑族金屬系觸媒（A2）； 該剝離用接著層中所含之該成分（A）含有：具有與矽原子鍵結之碳數2～40之烯基之聚有機矽氧烷（a1）、具有Si-H基之聚有機矽氧烷（a2）、以及鉑族金屬系觸媒（A2）。
  3. 如請求項1或2所述之積層體，其中，該剝離用接著層中所含之該剝離劑成分（B）為可經改性之聚二甲基矽氧烷。
  4. 一種半導體基板之製造方法，其特徵係包含： 加工步驟，對如請求項1至3中任一項所述之積層體中之該半導體基板進行加工；以及 分離步驟，藉由使該保護用接著層與該剝離用接著層分離，從而將該支撐基板與加工後之該半導體基板分離。
  5. 如請求項4所述之半導體基板之製造方法，其中，該加工步驟包含薄化處理，對該半導體基板中與存在該凸塊之面為相反側的面進行研磨，以薄化該半導體基板。
  6. 一種積層體之製造方法，其係製造如請求項1至3中任一項所述之積層體，其特徵係包含： 保護用接著劑塗布層形成步驟，藉由將該保護用接著劑組成物塗布於該半導體基板中存在該凸塊之面上而形成保護用接著劑塗布層； 保護用接著層形成步驟，對該保護用接著劑塗布層進行加熱，形成該保護用接著層； 剝離用接著劑塗布層形成步驟，藉由將該剝離用接著劑組成物塗布於該支撐基板上、或者將該剝離用接著劑組成物塗布於該保護用接著層上，形成剝離用接著劑塗布層；以及 剝離用接著層形成步驟，在該剝離用接著劑塗布層與該保護用接著層接觸，且該剝離用接著劑塗布層與該支撐基板接觸之狀態下，對該剝離用接著劑塗布層進行加熱，形成該剝離用接著層。
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JP6588404B2 (ja) * 2015-10-08 2019-10-09 信越化学工業株式会社 仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法
JP7157391B2 (ja) * 2017-05-24 2022-10-20 日産化学株式会社 エポキシ変性ポリシロキサンを含有する仮接着剤
JP7486025B2 (ja) * 2018-12-27 2024-05-17 日産化学株式会社 光照射剥離用接着剤組成物及び積層体並びに積層体の製造方法及び剥離方法

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