CN1168209C - 石英振荡装置 - Google Patents
石英振荡装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1168209C CN1168209C CNB018004075A CN01800407A CN1168209C CN 1168209 C CN1168209 C CN 1168209C CN B018004075 A CNB018004075 A CN B018004075A CN 01800407 A CN01800407 A CN 01800407A CN 1168209 C CN1168209 C CN 1168209C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- rete
- leading
- thin layer
- electrode pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 38
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 75
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 75
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 33
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 18
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 61
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 25
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 21
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 13
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0509—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of adhesive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0514—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
- H03H9/0519—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps for cantilever
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)
Abstract
本发明的石英振荡装置包括一个具有两个主表面的石英振荡板，每个主表面上形成有激励电极和从激励电极引出的引导电极，以及在基底上形成的电极极板，石英振荡板和电极极板通过硅酮基导电粘合剂电连接，在激励电极和引导电极中，至少每个引导电极包括一个Cr膜层、一个Au膜层和一个Cr薄膜层或Ag薄膜层，它们以上述顺序叠置在石英振荡板上。另外，每个电极极板包括一个钨或钼制成的金属层、一个Ni膜层和一个Au膜层，它们以上述顺序叠置在基底上；Ni膜层中的Ni至少在涂布硅酮基导电粘合剂的部位扩散入每个电极极板中的Au膜层的预定区域中。
Description
技术领域
本发明涉及石英振荡装置，其中石英振荡板借助硅酮基导电粘合剂固定安装。
背景技术
关于石英振荡装置如石英振荡器和石英振荡发生器，采用陶瓷封装的表面安装的振荡器已开始占据主要份额。另外，为了适应微型化的形式，越来越多的表面安装的振荡器用于支承石英振荡板而不采用弹性金属支承件。在省去弹性支承件的情形中，为了保证耐冲击性，石英振荡板往往采用硅酮基导电粘合剂固定在陶瓷封装中。例如，硅酮基导电粘合剂是通过在硅酮树脂粘合剂中添加导电填料而制成的。硅酮基导电粘合剂在固化后保持其挠性，在缓触作用在石英振荡板的外部应力方面性能优越。
作为一种传统的实例，现对照图13描述一种表面安装振荡器。这种表面安装的石英振荡器包括：一个陶瓷封装7，其外部形状基本呈矩形体，并且在顶部有有凹口；一个矩形石英振荡板8，它作为压电式振荡元件装在陶瓷封装7中；以及一个金属盖，它粘合在陶瓷封装7的凹口中。
陶瓷封装7由带有一凹口的陶瓷本体70和一个沿陶瓷本体70的周壁701的顶面设置的金属层71构成。金属层71由钨等金属层构成，在金属层上相继叠置着Ni镀层和超薄Au镀层。在陶塑封装7的内底面上在短侧方向上设有两个电极极板72(图中只画出一个)。电极极板72通过连接电极73，分别借助电极线74，75将电导至封装的外底面。
矩形石英振荡板8在一个纵向端部借助这两个电极极板72悬伸。石英振荡板形成有一对在前、后表面上的激励电极81，82。这些激励电极81，82被引至电极极板72部分，并通过导电粘合剂300与其电连接。每个激励电极81，82由Cr膜层和Au膜层构成，这两个层依上述次序通过溅射或真空蒸发而叠置起来。另外，金属盖9用银钎焊材料400钎焊和焊接起来，从而形成密封。
但是，硅酮基导电粘合剂对Au表面表现出弱的粘合强度，这可能增加导电阻力，也会引起粘接表面的开裂。考虑到在表面上的Au不能进行氧化反应而保持稳定，由于Au难于化学结合于硅酮基导电粘合剂，因而粘合强度的下降是可以推测的。
具体来说，在石英振荡板悬伸的情形中，支承重量或冲击重量集中在粘合区域上，从而引起开裂。
在近来为型面高度不大的装置而设计的布置中，粘合剂只涂布在石英振荡板的粘合表面上，而并不涂布在其顶面上。这种布置也导致了粘合强度的变劣。
为了补偿下降的粘合强度，现有技术(例如日本专利公开文本第H3-190410号和第H7-283683号)中已提出通过在石英振荡板的底部上涂布粘合剂，或通过露出(作为底座的)陶瓷封装的陶瓷底部，并在露出的底部上涂布粘合剂的方式来提高粘合强度。
近来，石英振荡装置的微型化不仅需要较小的石英振荡板，而且使引导电极只能有更小的面积。与此相关，如果在上述现有技术中减小了引导电极的尺寸，那么，相对于驱动水平的改变来说，CI(晶体阻抗)会显著改变。
本发明是为了解决上述问题而做出的，本发明的目的是提供一种石英振荡装置，其中石英振荡板借助硅酮基导电粘合剂粘接于基底上的电极极板，该装置可以保持良好的粘合状态和粘合强度，这可以显示出显著的耐冲击性，并且在以后的步骤中有利于频率调节。
发明内容
为了解决上述问题，本发明公开一种结构，在这种结构中，一种适当的易于氧化的金属很薄地至少设置在限定在石英振荡板上形成的每个引导电极的表面的金属膜上或设置在限定在基底上形成的每个电极极板的表面的金属膜上，从而使石英振荡板和电极极板可以被硅酮基导电粘合剂粘合。这种结构是通过下述布置实现的。
按照本发明的第一方面，提供一种石英振荡装置，包括在一基底上形成的电极极板和一个具有两个主表面的石英振荡板，每个主表面形成有一个激励电极和从激励电极引至电极极板的引导电极，所述电极极板和引导电极通过硅酮基导电粘合剂电连接，其特征在于：在激励电极和引导电极中，至少每个引导电极包括一个Cr膜层、一个Au膜层和一个Cr薄膜层或一个Ag薄膜层，它们以上述顺序叠置在石英振荡板上。
在按照本发明第一方面的石英振荡装置中，Cr薄膜层或Ag薄膜层形成每个引导电极的最上层。因此，当采用硅酮基导电粘合剂时，不仅相对较容易氧化的Cr或Ag可以改善粘合强度，而且Au膜也可保证良好的导电性。
按照本发明的第二方面，提供一种石英振荡装置，包括在一基底上形成的电极极板和一个具有两个主表面的石英振荡板，每个主表面形成有一个激励电极和从激励电极引至电极极板的引导电极，所述电极极板和引导电极通过硅酮基导电粘合剂电连接，其特征在于：每个电极极板包括一个钨或钼制成的金属层、一个Ni膜层和一个Au膜层，它们以上述顺序叠置在基底上；Ni膜层中的Ni至少在涂布硅酮基导电粘合剂的部位扩散入每个电极极板中的Au膜层的预定区域中。
在按照本发明第二方面的石英振荡装置中，Ni扩散入电极极板中的最上部的Au膜层中，这可以提高硅酮基导电粘合剂的粘合强度而不增加电极极板的总体膜厚。这种扩散显然可以通过相当简单的热处理完成。
按照本发明的第三方面，提供一种石英振荡装置，包括在一基底上形成的电极极板和一个具有两个主表面的石英振荡板，每个主表面形成有一个激励电极和从激励电极引至电极极板的引导电极，所述电极极板和引导电极通过硅酮基导电粘合剂电连接，其特征在于：每个电极极板包括一个钨或钼制成的金属层、一个Ni膜层、一个Au膜层和一个Ag薄膜层或一个Al薄膜层，它们以上述顺序叠置在基底上。
在按照本发明第三方面的石英振荡装置中，作为电极极板的最上层形成的Ag薄膜层或Al薄膜层可增加电极极板的厚度。尽管如此，这种布置与最上层的Au膜层的情形比较可以提高硅酮基导电粘合剂的粘合强度。
按照本发明第二方面或第三方面的石英振荡装置可以布置得在激励电极和引导电极之间，至少每个引导电极包括一个Cr膜层、一个Au膜层和一个Cr薄膜层或一个Ag薄膜层，它们以上述次序叠置在石英振荡板上。
按照这种布置，引导电极的最上层和电极极板的最上层都不只包括Au，而且也包括相对较容易氧化的金属如Cr、Ag、Al或Ni。因此，引导电极和电极极板可良好地粘合于硅酮基导电粘合剂，增加粘合强度。
按照本发明的第四方面，提供一种石英振荡装置，包括在一基底上形成的电极极板和一个具有两个主表面的石英振荡板，每个主表面形成有一个激励电极和从激励电极引至电极极板的引导电极，所述电极极板和引导电极通过硅酮基导电粘合剂电连接，其特征在于：每个激励电极和引导电极包括一个Cr膜层和一个Au膜层，它们以上述顺序叠置在石英振荡板上；在相对于基底的引导电极和激励电极中，至少每个引导电极包括叠置在引导电极的Au膜层上的一个Cr薄膜层或一个Ag薄膜层。
在按照本发明第四方面的石英振荡装置中，在与基底相对的引导电极和激励电极中，至少每个引导电极包括一个作为最上层叠置的Cr薄膜层或一个Ag薄膜层。因此，不仅相对较易氧化的Cr或Ag改善了粘合强度，而且Au膜也保证了良好的导电性。
另外，Cr膜仅设置在石英振荡板的背面，即，在基底上形成的电极极板侧，而在石英振荡板的正面不存在Cr膜。因此，与正面上的Au膜相关可有效地进行频率调节，从而取得较好的电学特性。
在按照本发明的第四方面的石英振荡装置中，每个电极极板可以包括一个钨或钼制成的金属层、一个Ni膜层和一个Au膜层，它们以上述顺序叠置在基底上；在涂布硅酮基导电粘合剂的部位，Ni膜层中的Ni至少可以扩散入每个电极极板中的Au膜层的预定区域中。
或者，在按照本发明第四方案的石英振荡装置中，每个电极极板可以包括一个钨或钼制成的金属层、一个Ni膜层、一个Au膜层和一个Ag薄膜层或Al薄膜层，它们以上述的顺序叠置在基底上。
薄的Cr膜层或薄的Ag膜层具有0.5nm至5.0nm的厚度。
至于激励电极的每个引导电极的最上层(即，Cr薄膜层或Ag薄膜层)，膜厚为0.5nm或更薄的薄膜层不会表现出所需要的效果，因此，使粘合强度降低。另一方面，在膜厚超过5.0nm的情形中，石英振荡装置表示出高的CI，这使振荡特性受到负面影响。鉴于上述情形，作为最上层的Cr薄膜层或Ag薄膜层应当具有上述范围内的厚度，从而提高耐冲击性，并将CI和其它电学特性保持在良好的状态。
另外，相应于权利要求9的石英振荡装置可以布置得使石英振荡板的两个主表面上形成的引导电极在形状或电极式样方面互不相同。
这种布置有利于区分设有这些电极的石英振荡板的正、反表面。举例来说，为了使石英振荡器具有良好的电学特性，反面最好形成最上层的Cr薄膜层。在这种情形中，往往难于通过肉眼或采用数码照相机等的图象处理技术来判断是否存在Cr膜。但是，按照权利要求9的布置，可以直观地作出上述判断。此外，关于使用自动机器等的生产，上述布置可以高效地工作，提高产量。
附图说明
图1的剖视图表示本发明的第一实施例。
图2是图1有关部分的放大剖视图。
图3是放大剖视图表示本发明第二实施例的有关部分。
图4的平面图表示本发明的第三实施例。
图5的曲线图表示石英振荡装置中CI和最上层Cr膜层的膜厚之间的关系。
图6的平面图表示本发明的第四实施例。
图7是沿图6中A-A线截取的剖视图。
图8的放大剖视图表示第四实施例的有关部分。
图9(a)的平面图表示本发明的第五实施例。
图9(b)表示从底侧看去的本发明第五实施例的石英振荡板。
图10是沿图9(a)中B-B线截取的有关部分的剖视图。
图11(a)和图11(b)的平面图分别表示第五实施例的第一和第二变型实例。
图12的表格表示本发明实例和传统的实例在落下试验中的结果，表格中的结果是由完好产品的百分数来表示的。
图13的剖视图表示传统的实例。
具体实施方式
以表面安装石英振荡器为例，下面对照附图描述本发明的实施例。
<第一实施例>
图1是表示本发明第一实施例的剖视图。图2是图1中有关部分的放大剖视图。
本发明的表面安装石英振荡器包括一个陶瓷封装1，陶瓷封装的外形呈矩形体，包括一个作为基底的凹部；一个矩形石英振荡板2，它是作为压力式振荡元件安装在陶瓷封装1中的；以及一个粘接在陶瓷封装1的开口处的金属盖3。
陶瓷封装1由带有凹部的陶瓷本体10和沿陶瓷本体10的周壁101的顶面设置的金属层11构成。金属层11由钨金属层、在该金属层上叠置的镀Ni层、和在镀Ni层上叠置的超薄镀Au层构成的。关于每层的厚度，例如，金属层为大约10至20μm，镀Ni层约为2至6μm，镀Au层约为0.5至1.0μm。
在陶瓷封装1的内底面(作为基底)上，在短侧的方向上并排设置电极极板12，16。电极极板通过连接电极13，17引出直至引导电极14，15，所述引导电极以纵向相反的方式设置在封装1的外底面上。另外，一个接地电极(未画出)设置在陶瓷封装1的外底面上，并电连接于金属层11。
每个电极极板由一个W(钨)或Mo(钼)制成的金属层121、一个Ni膜层122和一个Au膜层123构成，它们以上述次序通过电镀或类似方式形成。在每个电极极板中，至少在涂布硅酮基导电粘合剂的部位，位于Au膜层123下面的Ni膜层122中的Ni通过热处理可扩散入在表面上的Au膜层123中。在这个实施例中，在每个下述的电极设置以后，通过在300℃左右的真空气氛中加热整个封装2小时的方式，Ni可扩散入Au膜层123中。
这种热处理可采用激光束等只在需要的部分进行局部处理。
一个石英振荡板2安装在电极极板12(16)部分上，电极极板的一个纵向端部悬伸。一对激励电极21，22设置在石英振荡板2的前、后表面上，并分别借助引导电极210(230)，220(240)引出至电极极板12(16)部分。对于激励电极21，22和引导电极210(230)，220(240)来说，石英振荡板2的各主表面相继地叠置厚约16的第一Cr膜层211，221、厚约0.5μm的Au膜层212，222及厚约1.0nm的第二Cr膜层213，223。每个上述膜层是通过溅射、真空蒸发或类似方法形成的。电极极板12(16)借助硅酮基导电粘合剂30导电地粘合于引导电极210(230)，220(240)。在这个实施例中，硅酮基导电粘合剂30只在石英振荡板2的一个表面上涂布。
顺便讲到，第二Cr膜层可以只在引导电极上设置。在这种情形中，激励电极部分的最上层是Au膜。与相对较硬的Cr膜相比较，软的Au膜有助于通过调节金属膜层的厚度(例如，通过离子磨碎(ionmilling))来进行特性调节，以便提高调节速率。
至于金属盖3，科伐镍基合金构成基底材料，Ni镀在表面上。另外，银钎焊材料40形成在金属层11上。在真空气氛或惰性气体气氛中，金属盖3通过银钎焊材料40安装在金属层11上，并且通过按照局部加热法(例如射束焊接法(beam soldering)、缝焊、高频感应加热)的加热方式钎焊并焊接在其上。陶瓷封装1是用这种方式密封的。
<第二实施例>
图3是表示本发明第二实施例的有关部分的放大剖视图。类似于第一实施例的结构使用相同的标号并不再赘述。
这个实施例与第一实施例在电极极板的结构上不同。具体来说，电极极板120具有一个W(钨)或Mo(钼)制成的金属层121、一个Ni膜层122、一个Au膜层123和一个Ag膜层124的四层结构，这些层通过电镀或类似方式以上述次序形成。
一个石英振荡板2安装在电极极板120上，它的一个纵向端部悬伸。一对激励电极21，22设置在石英振荡板2的前、后表面上，并分别通过引导电极210，220引出至每个电极极板120。对于激励电极21，22和引导电极210，220来说，石英振荡板2的各主表面相继地叠置厚约1.6nm的第一Cr膜层211，221、厚约0.5μm的Au膜层212，222和厚约1.0nm的第二Cr膜层213，223。每个电极极板120借助硅酮基导电粘合剂30导电地粘合于引导电极210，220。
按照这个实施例，限定每个电极极板120的最上层的Ag膜，以及位于激励电极21，22的最上层的第二Cr膜用于增加对硅酮基导电粘合剂的粘合强度，从而有助于改善石英振荡装置的耐冲击性。
<第三实施例>
图4是表示本发明第三实施例的平面图。类似于第一实施例的结构使用相同的件号并不再赘述。
这个实施例与第一实施例的区别在于引导电极的结构。
电极极板12(16)由W(钨)或Mo(钼)制成的金属层121、一个Ni膜层122和一个Au膜层123构成，它们以上述顺序形成。关于电极极板12(16)，Ni膜层122中的Ni至少扩散入Au膜层123上涂布硅酮基导电粘合剂的预定区域内。
另一方面，关于准备安装在电极极板12(16)上的石英振荡板2上形成的激励电极21和引导电极210，一个厚约1.6nm的第一Cr膜层和一个厚约0.5μm的Au膜层以上述顺序叠置，使Au膜层露在表面。另外，在引导电极210，230的角部，石英振荡板2的基底部分作为暴露部分23，24而露出。这种结构可以使硅酮基导电粘合剂30涂布在暴露部分23，24上，以便保持粘合强度。
<第四实施例>
图6是表示本发明第四实施例的平面图。图7是沿图6中A-A线截取的剖视图。图8是表示第四实施例有关部分的放大剖视图。
类似于第一实施例的结构使用相同的件号并不再赘述。
这个实施例与第一实施例的区别在于激励电极和引导电极的结构。
激励电极21，22设置在石英振荡板2的两个主表面上。引导电极218，219从激励电极21引出至电极极板16，12部分。在另一表面上，引导电极209，210与引导电极218，219粘合于电极极板16，12的部位相对地设置。引导电极218，219可分别通过导电膜与引导电极209，210直接形成导电连接。
对于激励电极21，22和引导电极218，219，209，210，石英振荡板2的各个主表面相继地叠置有厚约1.6nm的第一Cr膜层216，215和厚约0.5μm的Au膜层215，216。每个上述膜层是通过溅射、真空蒸发或类似方法形成的。另外，一个厚约1.0nm的第二Cr膜层227在位于电极极板12(16)侧上的激励电极22和引导电极210的顶面上形成。电极极板12(16)借助硅酮基导电粘合剂30导电地粘合在引导电极210(209)上。在这个实施例中，与前述各实施例类似，硅酮基导电粘合剂30只涂布在石英振荡板2的后表面上。在需要低型面的压电式振荡器的情形中，这种结构可有效地减小容纳空间的高度。
<第五实施例>
图9(a)是表示本发明第五实施例的平面图。图9(b)表示从基底侧看去的本发明第五实施例的石英振荡板。图10是沿图9(a)中B-B线截取的剖视图。
类似于第一实施例的结构使用相同的标号并不再赘述。
这个实施例与第一实施例的不同之处在于激励电极和引导电极的结构。
激励电极21，22设置在石英振荡板2的两个主表面上。引导电极150，151从激励电极21引出至电极极板12，16的部分。在另一表面上，引导电极250，251在与引导电极150，151粘合于电极极板12，16的部位相对地设置。
如图9(a)所示，在第一主表面上的引导电极150，151在形状和尺寸上互不相同。现在参阅图9(b)，在第二主表面上的引导电极按照相同的电极式样设计。因此，按照这种结构，在这些主表面上的引导电极总的来说具有彼此不同的电极式样。因此，装有这些电极的石英振荡板可以通过使用数码照相机等的图象处理技术检测尺寸或形状的不同来区分前表面和后表面。
对于这个实施例的激励电极21和引导电极150，151，250，251来说，石英振荡板2的各个主表面相继地叠置有厚约16的第一Cr膜层216，225和厚约0.5μm的Au膜层。另外，一个厚约1.0nm的第二Cr膜层227只在引导电极250，251通过硅酮基导电粘合剂30粘合于电极极板12，16的部位上形成。
除了上述结构以外，还可以提到一些实例，其中在各主表面上的引导电极具有彼此不同的电极式样。图11(a)和图11(b)是分别表示第五实施例的第一和第二变型实例的平面图。
按照第一变型实例，在前主表面和后主表面之间，在第一电极极板侧上的引导电极是不同的。即，在前主表面上形成的引导电极160在尺寸和形状上与在后主表面上形成的引导电极161是不同的。在第二电极极板侧上，在前主表面上形成的引导电极260具有与在后主表面上的引导电极261相同的式样。
在第二变型实例中，引导电极171，270都不伸向相反的主表面。此外，引导电极171，270彼此形状不同。
按照上述第五实施例，引导电极的前、后可以根据其电极式样的形状和尺寸区别开来。另外，由于透明的石英振荡板，在第一主表面上的引导电极的电极式样可以容易地借助形状和尺寸与第二主表面侧识别出来。
在上面所述的各实施例中，石英振荡装置的一般代表是石英振荡器。但是，这些实施例并不受限制，也可适用于其它石英振荡装置如石英过滤器和石英发生器。
[实例]
图12的表格给出了本发明和传统实例进行的下落试验的结果，在该表格中结果是由完好产品的百分数代表的。下面描述各实例和传统实例中使用的试验过程和试样模式。
这种试验的石英振荡器通常采用图所示的结构。具体来说，由于采用了硅酮基导电粘合剂30，在陶瓷封装的内底部设置的电极极板12(16)导电地且机械地连接于激励电极21，22一起在石英振荡板2上形成的引导电极210，220(230，240)。在烘烤处理以后，氮气被封闭以形成密封的气氛。在这种气氛中，金属盖3通过钎焊银密封以形成特定的结构。硅酮基导电粘合剂30采用FUJIKURA KASEI有限公司制造的XA-670W(型号名称)。以这种结构为基础，石英振荡器通过下述布置改型，每种布置给出100个试样。对于这些试样进行下落试验，取得完好产品的百分数。
在下落试验中，石英振荡器设置在下落评估的基准夹具上，该基准夹具呈矩形实体形状，重100克。一个试验循环包括在六个侧面的每个方向上的下落。该循环重复20次。关于完好产品的百分数(％)，完好产品的定义是，表示出不大于±2ppm的频率改变率(Δf/f)和不大于2Ω的CI改变。下面描述各试样的形式。
作为传统产品的试样，在陶瓷封装中的每个电极极板包括一个W(钨)制成的金属层、一个厚约5μm的镀Ni膜层和一个厚约1μm的镀Au膜层，它们以上述顺序叠置。对于引导电极和激励电极来说，一个1.6nm厚的Cr溅射膜层和一个0.5μm厚的Au溅射膜层相继地叠置在石英振荡板的每个主表面上。
作为实例A的试样，在陶瓷封装中的每个电极极板包括一个W(钨)制成的金属层、一个5μm厚的镀Ni膜层和一个1μm厚的镀Au膜层，它们以上述顺序叠置。对于引导电极和激励电极来说，一个1.6nm厚的第一Cr溅射膜层、一个0.5μm厚的Au溅射膜层和一个0.5nm厚的第二Cr溅射膜层相继地叠置在石英振荡板的每个主表面。在真空气氛中，整个陶瓷封装加热至300℃左右2小时。
实例B-G的试样按照与实例A类似的方式布置，只是第二Cr溅射膜层的厚度除外。在实例B，C，D，E，F和G的试样中，第二Cr溅射膜层分别具有1.0nm，2.0nm，3.0nm，4.0nm，5.0nm和6.0nm，的厚度。
至于实例H的试样，封装中的每个电极极板包括一个W(钨)制成的金属层、一个5μm厚的镀Ni膜层、一个1μm厚的镀Au膜层和一个3.0nm厚的Ag膜层，它们以上述顺序叠置。对于引导电极和激励电极来说，一个1.6nm厚的第一Cr溅射膜层、一个0.5μm厚的Au溅射膜层和一个1.0nm厚的第二Cr溅射膜层相继地叠置在石英振荡板的每个主表面上。
关于实例I的试样，陶瓷封装中的电极极板包括一个W(钨)制成的金属层、一个5μm厚的镀Ni膜层和一个1μm厚的镀Au膜层，它们以上述顺序叠置。对于引导电极和激励电极来说，一个1.6nm厚的第一Cr溅射膜层和一个0.5μm厚的Au溅射膜层相继地叠置在石英振荡板的每个主要表面上。一个1.0nm厚的第二Cr溅射膜层只在位于电极极板侧面上的引导电极部分上形成。在真空气氛中，整个陶瓷封装加热至300℃左右2小时。
实例J和K的试样按照与实例I类似的方式布置，只是第二Cr溅射膜层的厚度除外，所述第二Cr溅射膜层只在位于电极极板侧上的引导电极部分上形成。在实例J和K的试样中，第二Cr溅射膜层分别具有2.0nm和3.0nm的厚度。
如图12所示，本实例改善的耐冲击性优于传统产品。耐冲击性随着引导电极中最上层的Cr膜层的厚度的增加而变好。因此，厚度为5或更厚的Cr膜层使耐冲击性得到改善。但是，过厚的Cr膜也可变成减小导电性或阻碍振荡的因素。因此，在设定膜的厚度时应考虑上述关系。最上层的Cr膜的厚度显然是平均膜厚度。
关于传统产品和实例A-G的试样，图5表示CI在每个激励电极或引导电极中的最上层Cr膜层的厚度的基础上的变化。
CI是按照每个试样的平均值绘制的。如图5所示，当Cr膜的预定厚度超过50时，CI按指数规律增加并变劣。同时，CI的变化变得较宽(未画出)。从图5可以看出，厚度为5.0nm或较薄的Cr膜可保证相对较好的CI，厚度为3.0nm或更薄的Cr膜可保证更好的CI。
鉴于上述确证的数据，作为每个激励电极或引导电极中的最上层，Cr膜的适当厚度为大约0.5nm至5.0nm，最好为0.5nm至3.0nm。这种膜厚度显然是平均膜厚度。
下面的描述涉及在频率调节过程中的确证试验和研磨速率(milling rate)的试验结果。试验是针对下述情形进行的：Cr膜作为激励电极和引导电极的最上层，在石英振荡板的两个主表面上形成的情形(实例C)；Cr膜只设置在电极极板侧上的引导电极部分上。
实例C和实例J的石英振荡器承受使用Ar气体的离子研磨(ionmilling)，从而使电极的膜厚度减小，以实现预定的频率调节。这种调节所需时间被测量。对于5批试样进行确证，每批包括144个试样。目标频率设定在24.576MHz，有关试样给出的频率为20至30KHz，平均来说，低于目标频率。这就是说，电极具有过大的膜厚度。
关于这种确证试验的结果，对实例J和实例C进行了比较。比较显示每批实例J比每批实例C的处理平均快210秒。按照一件试样的处理时间来说，实例J比实例C少需要大约1.46秒。这种比较证实频率调节速度的改善，换言之，证实研磨速率的改善。这可能是由于比Au膜硬的Cr膜(包括经过氧化的CrO2)降低了研磨速率的缘故。因此，上述结果证实了在研磨处理中，Cr膜设置在石英振荡板的两个主表面上的实例C要花费比Cr膜只形成在一个主表面上的实例J更长时间的原因。
工业实用性
如上所述，包括使用硅酮基导电粘合剂的悬伸支承结构的、本发明的石英振荡装置不仅在支承强度和耐冲击性方面，而且也在耐用性方面表现出优越性。此外，这种石英振荡装置由于能够在以后的步骤中进行高效的频率调节，从而有助于提高生产率。
Claims (12)
1.一种石英振荡装置，包括在一基底上形成的电极极板和一个具有两个主表面的石英振荡板，每个主表面形成有一个激励电极和从激励电极引至电极极板的引导电极，所述电极极板和引导电极通过硅酮基导电粘合剂电连接，其特征在于：在激励电极和引导电极中，至少每个引导电极包括一个Cr膜层、一个Au膜层和一个Cr薄膜层或一个Ag薄膜层，它们以上述顺序叠置在石英振荡板上。
2.如权利要求1所述的石英振荡装置，其特征在于：在所述激励电极和引导电极之间，至少在每个引导电极中所述Cr薄膜层或Ag薄膜层具有0.5nm至5.0nm的厚度。
3.一种石英振荡装置，包括在一基底上形成的电极极板和一个具有两个主表面的石英振荡板，每个主表面形成有一个激励电极和从激励电极引至电极极板的引导电极，所述电极极板和引导电极通过硅酮基导电粘合剂电连接，其特征在于：每个电极极板包括一个钨或钼制成的金属层、一个Ni膜层和一个Au膜层，它们以上述顺序叠置在基底上；Ni膜层中的Ni至少在涂布硅酮基导电粘合剂的部位扩散入每个电极极板中的Au膜层的预定区域中。
4.如权利要求3所述的石英振荡装置，其特征在于：在激励电极和引导电极中，至少每个引导电极包括一个Cr膜层、一个Au膜层和一个Cr薄膜层或Ag薄膜层，它们以上述顺序叠置在石英振荡板上。
5.一种石英振荡装置，包括在一基底上形成的电极极板和一个具有两个主表面的石英振荡板，每个主表面形成有一个激励电极和从激励电极引至电极极板的引导电极，所述电极极板和引导电极通过硅酮基导电粘合剂电连接，其特征在于：每个电极极板包括一个钨或钼制成的金属层、一个Ni膜层、一个Au膜层和一个Ag薄膜层或一个Al薄膜层，它们以上述顺序叠置在基底上。
6.如权利要求5所述的石英振荡装置，其特征在于：在激励电极和引导电极中，至少每个引导电极包括一个Cr膜层、一个Au膜层和一个Cr薄膜层或Ag薄膜层，它们以上述顺序叠置在石英振荡板上。
7.如权利要求6所述的石英振荡装置，其特征在于：在所述激励电极和引导电极之间，至少在每个引导电极中的所述Cr薄膜层或Ag薄膜层具有0.5nm至5.0nm的厚度。
8.一种石英振荡装置，包括在一基底上形成的电极极板和一个具有两个主表面的石英振荡板，每个主表面形成有一个激励电极和从激励电极引至电极极板的引导电极，所述电极极板和引导电极通过硅酮基导电粘合剂电连接，其特征在于：每个激励电极和引导电极包括一个Cr膜层和一个Au膜层，它们以上述顺序叠置在石英振荡板上；在相对于基底的引导电极和激励电极中，至少每个引导电极包括叠置在引导电极的Au膜层上的一个Cr薄膜层或一个Ag薄膜层。
9.如权利要求8所述的石英振荡装置，其特征在于：每个电极极板包括一个钨或钼制成的金属层、一个Ni膜层和一个Au膜层，它们以上述顺序叠置在基底上；Ni膜层中的Ni至少在涂布硅酮基导电粘合剂的部位扩散入每个电极极板中的Au膜层的预定区域中。
10.如权利要求8所述的石英振荡装置，其特征在于：每个电极极板包括一个钨或钼制成的金属层、一个Ni膜层、一个Au膜层和一个Ag薄膜层或一个Al薄膜层，它们以上述顺序叠置在基底上。
11.如权利要求8，9或10所述的石英振荡装置，其特征在于：在所述激励电极和引导电极之间，至少每个引导电极中的所述Cr薄膜层或Ag薄膜层具有0.5nm至5.0nm的厚度。
12.如权利要求8，9或10所述的石英振荡装置，其特征在于：在石英振荡板的两个主表面上形成的引导电极在电极样式的形状或尺寸方面彼此不同。
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP058978/2000 | 2000-03-03 | ||
| JP2000058978 | 2000-03-03 | ||
| JP058978/00 | 2000-03-03 | ||
| JP182151/2000 | 2000-06-16 | ||
| JP2000182151 | 2000-06-16 | ||
| JP182151/00 | 2000-06-16 | ||
| JP003068/2001 | 2001-01-10 | ||
| JP2001003068 | 2001-01-10 | ||
| JP003068/01 | 2001-01-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1364338A CN1364338A (zh) | 2002-08-14 |
| CN1168209C true CN1168209C (zh) | 2004-09-22 |
Family
ID=27342576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB018004075A Expired - Lifetime CN1168209C (zh) | 2000-03-03 | 2001-03-02 | 石英振荡装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6700312B2 (zh) |
| EP (1) | EP1187323B1 (zh) |
| JP (1) | JP3925199B2 (zh) |
| CN (1) | CN1168209C (zh) |
| AT (1) | ATE378732T1 (zh) |
| AU (1) | AU3605601A (zh) |
| DE (1) | DE60131343T2 (zh) |
| WO (1) | WO2001067600A1 (zh) |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8181338B2 (en) * | 2000-11-02 | 2012-05-22 | Danfoss A/S | Method of making a multilayer composite |
| US7518284B2 (en) * | 2000-11-02 | 2009-04-14 | Danfoss A/S | Dielectric composite and a method of manufacturing a dielectric composite |
| US7548015B2 (en) | 2000-11-02 | 2009-06-16 | Danfoss A/S | Multilayer composite and a method of making such |
| US20020074897A1 (en) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Qing Ma | Micro-electromechanical structure resonator frequency adjustment using radient energy trimming and laser/focused ion beam assisted deposition |
| ES2299614T3 (es) | 2001-12-21 | 2008-06-01 | Danfoss A/S | Estructura de dispositivo dielectrico de accionamiento o deteccion y metodo para fabricar el mismo. |
| JP4060090B2 (ja) * | 2002-02-15 | 2008-03-12 | 沖電気工業株式会社 | 弾性表面波素子 |
| JP2004037181A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Hitachi Maxell Ltd | 振動センサー |
| CN100530931C (zh) | 2002-09-20 | 2009-08-19 | 丹福斯有限公司 | 弹性体致动器及制造致动器的方法 |
| US7868221B2 (en) * | 2003-02-24 | 2011-01-11 | Danfoss A/S | Electro active elastic compression bandage |
| JP4852850B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2012-01-11 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動素子、圧電振動子、圧電発振器、周波数安定化方法、及び圧電振動子の製造方法 |
| JP2006284551A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-10-19 | Sony Corp | 振動型ジャイロセンサ |
| US8004157B2 (en) | 2005-04-18 | 2011-08-23 | Daishinku Corporation | Piezoelectric resonator plate and piezoelectric resonator device |
| JP2007013381A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Seiko Epson Corp | 水晶振動片、水晶振動子、及び水晶発振器 |
| US8278801B2 (en) * | 2005-09-30 | 2012-10-02 | Daishinku Corporation | Piezoelectric resonator device |
| TWI325687B (en) * | 2006-02-23 | 2010-06-01 | Murata Manufacturing Co | Boundary acoustic wave device and method for producing the same |
| JP2007274610A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子及び水晶振動子パッケージ |
| US20070239253A1 (en) * | 2006-04-06 | 2007-10-11 | Jagger Karl A | Oscillation assisted drug elution apparatus and method |
| US7732999B2 (en) * | 2006-11-03 | 2010-06-08 | Danfoss A/S | Direct acting capacitive transducer |
| US7880371B2 (en) | 2006-11-03 | 2011-02-01 | Danfoss A/S | Dielectric composite and a method of manufacturing a dielectric composite |
| JP2009100353A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶デバイス |
| JP2009135749A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子及び圧電発振器 |
| JP5166015B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-03-21 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 周波数調整装置 |
| JP2010074422A (ja) | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子素子の製造方法、水晶振動子素子、水晶振動子及び水晶発振器 |
| JP5026574B2 (ja) * | 2010-04-27 | 2012-09-12 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス |
| JP2012054893A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 音叉型水晶振動片及び水晶デバイス |
| JP2013021667A (ja) * | 2011-03-23 | 2013-01-31 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶デバイス |
| KR101771717B1 (ko) * | 2011-03-31 | 2017-08-25 | 삼성전기주식회사 | 수정 진동자 및 수정 진동자의 전극 구조 |
| JP2013046167A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Seiko Epson Corp | 振動デバイス、及び振動デバイスの製造方法 |
| US8692442B2 (en) | 2012-02-14 | 2014-04-08 | Danfoss Polypower A/S | Polymer transducer and a connector for a transducer |
| US8891222B2 (en) | 2012-02-14 | 2014-11-18 | Danfoss A/S | Capacitive transducer and a method for manufacturing a transducer |
| JP6155551B2 (ja) * | 2012-04-10 | 2017-07-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子機器および電子デバイスの製造方法 |
| JP5986801B2 (ja) * | 2012-05-23 | 2016-09-06 | 日本発條株式会社 | ディスク装置用サスペンションの配線部材と、ディスク装置用サスペンション |
| JP2014011657A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Kyocera Crystal Device Corp | 水晶振動素子 |
| JP5776854B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2015-09-09 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動部品 |
| WO2014148107A1 (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | 株式会社村田製作所 | 水晶振動装置 |
| WO2016143183A1 (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-15 | 株式会社村田製作所 | 加速度検出装置及びその製造方法 |
| JP6687049B2 (ja) * | 2018-03-12 | 2020-04-22 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子デバイス用回路基板、電子機器、移動体 |
| TWI828371B (zh) * | 2022-10-17 | 2024-01-01 | 台灣晶技股份有限公司 | 壓電振動元件 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3293471A (en) * | 1963-10-28 | 1966-12-20 | Gen Electric | Laminated core construction for electric inductive device |
| US4000000A (en) * | 1972-09-05 | 1976-12-28 | Mendenhall Robert Lamar | Process for recycling asphalt-aggregate compositions |
| JPS4979797A (zh) * | 1972-12-09 | 1974-08-01 | ||
| JPS5411173U (zh) * | 1977-06-24 | 1979-01-24 | ||
| JPS59225606A (ja) * | 1983-06-07 | 1984-12-18 | Fujitsu Ltd | 圧電振動子 |
| JPS60100814A (ja) * | 1984-10-12 | 1985-06-04 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 薄膜構造 |
| US5000000A (en) * | 1988-08-31 | 1991-03-19 | University Of Florida | Ethanol production by Escherichia coli strains co-expressing Zymomonas PDC and ADH genes |
| JPH0749862Y2 (ja) * | 1988-09-12 | 1995-11-13 | 株式会社明電舎 | 水晶振動子 |
| JPH07109969B2 (ja) * | 1989-08-31 | 1995-11-22 | キンセキ株式会社 | 圧電振動子の電極構造 |
| JP3039971B2 (ja) * | 1989-09-19 | 2000-05-08 | 株式会社日立製作所 | 接合型圧電装置及び製造方法並びに接合型圧電素子 |
| JPH03190410A (ja) | 1989-12-20 | 1991-08-20 | Seiko Electronic Components Ltd | 水晶振動子の支持構造 |
| US5176946A (en) * | 1991-05-10 | 1993-01-05 | Allen-Bradley Company, Inc. | Laminated contactor core with blind hole |
| JPH0749862A (ja) | 1993-08-06 | 1995-02-21 | Nec Corp | 文書管理システム |
| JP3377850B2 (ja) | 1994-02-28 | 2003-02-17 | 京セラ株式会社 | 表面実装型水晶発振器及びその製造方法 |
| JPH07283683A (ja) | 1994-04-07 | 1995-10-27 | Seiko Epson Corp | 圧電発振片及び圧電振動子並びに圧電発振器 |
| US5495828A (en) * | 1994-06-30 | 1996-03-05 | Solomon; Irving | Animal boots with detachable, vertically adjustable fastening strap |
| US5884323A (en) * | 1995-10-13 | 1999-03-16 | 3Com Corporation | Extendible method and apparatus for synchronizing files on two different computer systems |
| JP2000040935A (ja) | 1998-07-22 | 2000-02-08 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電デバイス |
| JP3420090B2 (ja) | 1998-11-06 | 2003-06-23 | 日本電波工業株式会社 | 水晶振動子の電極構造及び表面実装用水晶振動子 |
| JP3405329B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2003-05-12 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
-
2001
- 2001-03-02 US US09/959,476 patent/US6700312B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-02 AT AT01908254T patent/ATE378732T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-03-02 EP EP01908254A patent/EP1187323B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-02 JP JP2001566261A patent/JP3925199B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-02 DE DE60131343T patent/DE60131343T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-02 CN CNB018004075A patent/CN1168209C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-02 AU AU36056/01A patent/AU3605601A/en not_active Abandoned
- 2001-03-02 WO PCT/JP2001/001627 patent/WO2001067600A1/ja active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1187323A1 (en) | 2002-03-13 |
| JP3925199B2 (ja) | 2007-06-06 |
| EP1187323A4 (en) | 2005-04-06 |
| EP1187323B1 (en) | 2007-11-14 |
| US20020158699A1 (en) | 2002-10-31 |
| DE60131343D1 (de) | 2007-12-27 |
| AU3605601A (en) | 2001-09-17 |
| US6700312B2 (en) | 2004-03-02 |
| WO2001067600A1 (fr) | 2001-09-13 |
| DE60131343T2 (de) | 2008-09-04 |
| ATE378732T1 (de) | 2007-11-15 |
| CN1364338A (zh) | 2002-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1168209C (zh) | 石英振荡装置 | |
| CN1182589C (zh) | 发光或者受光用半导体组件及其制造方法 | |
| CN1114946C (zh) | 半导体装置及其制造方法和其测试方法 | |
| CN1246899C (zh) | 半导体装置 | |
| CN1317922C (zh) | 布线电路板 | |
| JP5312506B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
| CN1791305A (zh) | 电路部件模块及其制造方法和电子电路装置 | |
| CN1416129A (zh) | 压电体驱动元件及其制造方法 | |
| CN101036239A (zh) | 芯片部件型发光器件及其使用的布线基板 | |
| CN1340856A (zh) | 包括表面弹性波元件的射频模块部件及其制造方法 | |
| TW200905907A (en) | Package structure of compound semiconductor device and fabrication method thereof | |
| CN1343043A (zh) | 压电装置及其制造方法和压电振荡器的制造方法 | |
| CN1842912A (zh) | 气体密封用盖子、气体密封用盖子的制造方法、和电子部件收容用封装件 | |
| CN1534868A (zh) | 表面声波器件及其制造方法 | |
| US20130134300A1 (en) | Optical sensor device and method of manufacturing the same | |
| CN1766701A (zh) | 导电结构及其形成方法、阵列基板以及液晶显示面板 | |
| CN1168195A (zh) | 半导体器件的凸出电极形成方法 | |
| CN1905168A (zh) | 半导体器件及其制造方法以及在其中所使用的粘接材料及其制造方法 | |
| CN1909237A (zh) | 半导体摄像装置及其制造方法 | |
| CN101110579B (zh) | 表面声波器件及其制造方法 | |
| CN1391242A (zh) | 金属膜及其制备方法,层压陶瓷电子元件及其制备方法 | |
| CN1678175A (zh) | 电路部件模块及其制造方法 | |
| CN1294756A (zh) | 半导体装置、安装基板及其制造方法、电路基板和电子装置 | |
| CN1174548C (zh) | 压电装置及其制造方法 | |
| CN1400734A (zh) | 声表面波元件及其制造方法以及使用该元件的声表面波装置及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20040922 |