CN115916767A - 茚并氮杂萘 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及茚并氮杂萘，特别是在电子器件中的用途。本发明还涉及一种制造根据本发明的茚并氮杂萘的方法，以及包含其的电子器件。

Description

茚并氮杂萘
本发明描述了茚并氮杂萘，尤其是在电子器件中的用途。本发明还涉及一种制备本发明化合物的方法以及包含这些化合物的电子器件。
使用有机半导体作为功能材料的有机电致发光器件(OLED)的结构描述于例如US4539507、US 5151629、EP 0676461、WO 98/27136、JP 2007-161934 A和JP 2008-010649 A中。所用的发光材料通常是表现出磷光的有机金属络合物。出于量子力学原因，使用有机金属化合物作为磷光发光体可以使能量效率和功率效率高至四倍。一般来说，仍然需要例如在效率、工作电压和寿命方面改进OLED，尤其是表现出磷光的OLED。
有机电致发光器件的性能不仅由所用的发光体确定。尤其地，所用的其它材料在这里也特别重要，例如主体和基质材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、空穴传输材料和电子或激子阻挡材料。这些材料的改进可以导致电致发光器件的明显改进。
根据现有技术，通常用作磷光化合物的基质材料和用作空穴传输材料的是芳族或杂芳族化合物，例如三芳基胺衍生物或咔唑衍生物。此外，还使用三嗪衍生物或嘧啶衍生物作为基质材料和电子传输材料。
一般来说，在这些材料的情况下，例如用作基质材料时，仍然需要改进，特别是在器件的寿命方面，以及在效率、工作电压和色纯度方面。
因此，本发明的一个目的是提供适用于有机电子器件，尤其是有机电致发光器件，并且在用于这种器件时实现良好器件性能的化合物，以及提供相应的电子器件。
更特别地，本发明解决的问题是提供导致长寿命、良好效率和低工作电压的化合物。特别地，基质材料的性能对有机电致发光器件的寿命和效率也有重大影响。
本发明解决的另一个问题可被视为提供适用于磷光或荧光OLED的化合物，尤其是作为基质材料的化合物。本发明解决的一个具体问题是提供适用于红色和绿色磷光OLED而且还可以用于蓝色磷光OLED的基质材料。
此外，所述化合物，尤其当它们在有机电致发光器件中用作基质材料、空穴传导材料或电子传输材料时将会导致具有优异色纯度的器件。
此外，所述化合物应该能以非常简单的方式加工，尤其是表现出良好的溶解性和成膜性。举例来说，所述化合物应当表现出提高的氧化稳定性和改进的玻璃化转变温度。
另一个问题可被认为是非常廉价地并且以恒定质量提供具有优异性能的电子器件。
此外，应当可以使用或调整所述电子器件以用于许多目的。更特别地，所述电子器件的性能应当在宽温度范围内得以保持。
令人惊讶地发现，下文详述的特定化合物解决了这些问题。使用所述化合物导致有机电子器件，尤其是有机电致发光器件具有非常好的性能，尤其是在寿命、色纯度、效率和工作电压方面。因此，本发明提供了包含这种化合物的电子器件，尤其是有机电致发光器件，以及相应的优选实施方式。
因此，本发明提供了一种包含至少一种式(Ia)和/或(Ib)结构的化合物，优选式(Ia)和/或(Ib)化合物：
Figure BDA0004000667950000031
其中所用的符号如下：
X在每种情况下相同或不同并且是N或CR，优选CR；
Xa在每种情况下相同或不同并且是N或CRa，优选CRa；
Ra在每种情况下相同或不同并且是H，D，OH，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ara)2，N(R)2，C(＝O)Ara，C(＝O)R2，P(＝O)(Ara)2，P(Ara)2，B(Ara)2，B(OR)2，Si(Ara)3，Si(R)3，Ge(R)3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，它们各自可被一个或多个R基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被-RC＝CR-、-C≡C-、Si(R)2、Ge(R)2、Sn(R)2、C＝O、C＝S、-O-、-Se-、-S-、C＝Se、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR-、C＝NR、NR、P(＝O)(R)、SO或SO2代替，其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或者具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们各自可被一个或多个R基团取代，或者具有5至60个芳族环原子并可被一个或多个R基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或者具有5至60个芳族环原子并可被一个或多个R基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的Ra基团可彼此形成环系或者与R基团形成环系；
Ara在每种情况下相同或不同并且是具有5至30个芳族环原子并可被一个或多个优选非芳族的R基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合至同一硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个Ara基团还可以经由通过单键的桥连基或选自B(R)、C(R)2、Si(R)2、Ge(R)2、C＝O、C＝NR、C＝C(R)2、O、S、Se、S＝O、SO2、N(R)、P(R)和P(＝O)R的桥连基连接在一起；
R在每种情况下相同或不同并且是H，D，OH，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar)2，N(R1)2，C(＝O)Ar，C(＝O)R1，P(＝O)(Ar)2，P(Ar)2，B(Ar)2，B(OR1)2，Si(Ar)3，Si(R1)3，Ge(R1)3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，它们各自可被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被–R1C＝CR1-、-C≡C-、Si(R1)2、Ge(R1)2、Sn(R1)2、C＝O、C＝S、C＝Se、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR1-、C＝NR1、NR1、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、-Se-、SO或SO2代替，其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或者具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们各自可被一个或多个R1基团取代，或者具有5至60个芳族环原子并可被一个或多个R1基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或者具有5至60个芳族环原子并可被一个或多个R1基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的R基团可以一起形成环系；
Ar在每种情况下相同或不同并且是具有5至30个芳族环原子并可被一个或多个优选非芳族的R1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合至同一硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个Ar基团还可以经由通过单键的桥连基或选自B(R1)、C(R1)2、Si(R1)2、Ge(R1)2、C＝O、C＝NR1、C＝C(R1)2、O、S、Se、S＝O、SO2、N(R1)、P(R1)和P(＝O)R1的桥连基连接在一起；
R1在每种情况下相同或不同并且是H，D，OH，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar1)2，N(R2)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R2，P(＝O)(Ar1)2，P(Ar1)2，B(Ar1)2，B(OR2)2，Si(Ar1)3，Si(R2)3，Ge(R2)3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，它们各自可被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被-R2C＝CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR2-、NR2、P(＝O)(R2)、-O-、-S-、-Se-、SO或SO2代替，其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或者具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们各自可被一个或多个R2基团取代，或者具有5至40个芳族环原子并可被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或者具有5至40个芳族环原子并可被一个或多个R2基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的R1基团可一起形成环系；
Ar1在每种情况下相同或不同并且是具有5至30个芳族环原子并可被一个或多个优选非芳族的R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合至同一硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个Ar1基团还可以经由通过单键的桥连基或选自B(R2)、C(R2)2、Si(R2)2、Ge(R2)2、C＝O、C＝NR2、C＝C(R2)2、O、S、Se、S＝O、SO2、N(R2)、P(R2)和P(＝O)R2的桥连基彼此连接；
R2在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，CN，B(OR3)2，NO2，C(＝O)R3，CR3＝C(R3)2，C(＝O)OR3，C(＝O)N(R3)2，Si(R3)3，Ge(R3)3，P(R3)2，B(R3)2，N(R3)2，NO2，P(＝O)(R3)2，OSO2R3，OR3，S(＝O)R3，S(＝O)2R3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，它们各自可被一个或多个R3基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被-R3C＝CR3-、-C≡C-、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝NR3、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR3-、NR3、P(＝O)(R3)、-O-、-S-、-Se-、SO或SO2代替，其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或者具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R3基团取代的芳族或杂芳族环系，或者具有5至40个芳族环原子并可被一个或多个R3基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的取代基R2可彼此形成环系；
R3在每种情况下相同或不同并且选自H，D，F，CN，具有1至20个碳原子的脂族烃基基团，和具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I或CN代替并且其可被一个或多个烷基基团取代，所述烷基基团各自具有1至4个碳原子；同时，两个或更多个优选相邻的R3取代基可彼此形成环系。
本发明的上下文中的相邻的碳原子是彼此直接键合的碳原子。此外，基团定义中的“相邻的基团”意指这些基团与同一碳原子或与相邻碳原子键合。这些定义相应地尤其适用于术语“相邻的基团”和“相邻的取代基”。
在本说明书的上下文中，两个或更多个基团可一起形成环的措辞应当理解为尤其意指，两个基团形式上消除两个氢原子而通过化学键彼此连接。这通过以下方案来说明：
Figure BDA0004000667950000061
然而，此外，上述措辞还应当理解为意指，如果两个基团中有一个是氢，则第二个基团结合到所述氢原子键合的位置，从而形成环。这将通过以下方案来说明：
Figure BDA0004000667950000071
本发明上下文中的稠合芳基基团、稠合芳族环系或稠合杂芳族环系是其中两个或更多个芳族基团沿共用边彼此稠合，即增环，使得例如两个碳原子属于至少两个芳族或杂芳族环的基团，如在例如萘中。相比之下，例如，由于芴中的两个芳族基团不具有共用边，因此芴不是本发明上下文中的稠合芳基基团。相应的定义适用于杂芳基基团和可以但不必还含有杂原子的稠合环系。
本发明上下文中的芳基基团含有6至60个碳原子，优选6至40个碳原子；本发明上下文中的杂芳基基团含有2至60个碳原子，优选2至40个碳原子，以及至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总和至少为5。所述杂原子优选地选自N、O和/或S。此处，芳基基团或杂芳基基团理解为意指简单的芳族环，即苯，或简单的杂芳族环，例如吡啶、嘧啶、噻吩等，或者稠合的芳基或杂芳基基团，例如萘、蒽、菲、喹啉、异喹啉等。
本发明上下文中的芳族环系在环系中含有6至60个碳原子，优选6至40个碳原子。本发明上下文中的杂芳族环系在环系中含有1至60个碳原子，优选1至40个碳原子，以及至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总和至少为5。所述杂原子优选地选自N、O和/或S。本发明上下文中的芳族或杂芳族环系应当理解为意指如下体系：其不必仅含有芳基或杂芳基基团，而是其中多个芳基或杂芳基基团还可通过非芳族单元(优选少于非H原子的10％)连接，例如碳、氮或氧原子或羰基基团。举例来说，本发明上下文中的体系如9,9'-螺二芴、9,9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、茋等也因此应当被视为本发明上下文中的芳族环系，并且其中两个或更多个芳基基团被例如直链的或环状的烷基基团或被甲硅烷基基团中断的体系同样应被认为是芳族环系。此外，其中两个或更多个芳基或杂芳基基团彼此直接键合的体系，例如联苯、三联苯、四联苯或联吡啶同样应当被视为芳族环系或杂芳族环系。
本发明上下文中的环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团理解为意指单环、双环或多环基团。
在本发明的上下文中，个别氢原子或CH2基团还可被上述基团取代的C1至C20烷基基团应理解为意指例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、环戊基、正己基、仲己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、环己基、1-甲基环戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、环庚基、1-甲基环己基、正辛基、2-乙基己基、环辛基、1-双环[2.2.2]辛基、2-双环[2.2.2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金刚烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二烷-1-基、1,1-二甲基-正十四烷-1-基、1,1-二甲基-正十六烷-1-基、1,1-二甲基-正十八烷-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四烷-1-基、1,1-二乙基-正十六烷-1-基、1,1-二乙基-正十八烷-1-基、1-(正丙基)环己-1-基、1-(正丁基)环己-1-基、1-(正己基)环己-1-基、1-(正辛基)环己-1-基和1-(正癸基)环己-1-基基团。烯基基团应理解为意指例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基或环辛二烯基。炔基基团应理解为意指例如乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。C1至C40烷氧基基团应理解为意指例如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基或2-甲基丁氧基。
具有5至60个、优选5至40个芳族环原子并且在每种情况下还可被上述基团取代并且可以经由任何所期望的位置与芳族或杂芳族体系连接的芳族或杂芳族环系，应理解为意指例如来源于以下物质的基团：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、苣、苝、荧蒽、苯并荧蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、联苯、联二苯叉、三联苯、联三苯叉、芴、螺二芴、二氢菲、二氢芘、四氢芘、顺式或反式茚并芴、顺式或反式单苯并茚并芴、顺式或反式二苯并茚并芴、三聚茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩
Figure BDA0004000667950000091
嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、
Figure BDA0004000667950000092
唑、苯并
Figure BDA0004000667950000093
唑、萘并
Figure BDA0004000667950000094
唑、蒽并
Figure BDA0004000667950000095
唑、菲并
Figure BDA0004000667950000096
唑、异
Figure BDA0004000667950000097
唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮杂蒽、2,7-二氮杂芘、2,3-二氮杂芘、1,6-二氮杂芘、1,8-二氮杂芘、4,5-二氮杂芘、4,5,9,10-四氮杂苝、吡嗪、吩嗪、吩
Figure BDA0004000667950000098
嗪、吩噻嗪、荧红环、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-***、1,2,4-***、苯并***、1,2,3-
Figure BDA0004000667950000099
二唑、1,2,4-
Figure BDA00040006679500000910
二唑、1,2,5-
Figure BDA00040006679500000911
二唑、1,3,4-
Figure BDA00040006679500000912
二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲哚嗪和苯并噻二唑。
可以的优选情况为Ra基团中至少一个、优选至少两个为具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R基团取代的芳族或杂芳族环系。
在另一种配置中，可以的情况为Ra基团中至少一个、优选至少两个为具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，它们各自可被一个或多个R基团取代。可优选芴桥连基上存在两个甲基，这样式(Ia)或(Ib)中的相邻Ra基团各自表示一个甲基基团。
在一个优选配置中，本发明的化合物可以含有至少一个式(II-1)、(II-2)、(II-3)、(II-4)、(II-5)、(II-6)、(II-7)、(II-8)、(II-9)、(II-10)、(II-11)、(II-12)、(II-13)、(II-14)、(II-15)和/或(II-16)的结构，其中所述化合物可以优选地由式(II-1)、(II-2)、(II-3)、(II-4)、(II-5)、(II-6)、(II-7)、(II-8)、(II-9)、(II-10)、(II-11)、(II-12)、(II-13)、(II-14)、(II-15)和/或(II-16)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000101
Figure BDA0004000667950000111
Figure BDA0004000667950000121
其中所用的符号R和X具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义，p是0或1，Y是B(R)、C(R)2、Si(R)2、Ge(R)2、C＝O、C＝NR、C＝C(R)2、O、S、Se、S＝O、SO2、N(R)、P(R)和P(＝O)R，优选B(R)、C(R)2、Si(R)2、O、S、Se、S＝O、SO2、N(R)、P(R)和P(＝O)R，更优选O或N(R)，其中当p＝0时，在所示的芳族或杂芳族环之间存在一个键。这里优选式(II-5)、(II-6)、(II-7)、(II-8)、(II-13)、(II-14)、(II-15)和(II-16)的结构，特别优选式(II-13)、(II-14)、(II-15)和(II-16)的结构。
此外，特别优选式(II-9)和(II-13)的结构(优选化合物)：
Figure BDA0004000667950000131
其中所用的符号R和X可以具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义，p是0或1，Y是B(R)、C(R)2、Si(R)2、Ge(R)2、C＝O、C＝NR、C＝C(R)2、O、S、Se、S＝O、SO2、N(R)、P(R)和P(＝O)R，优选B(R)、C(R)2、Si(R)2、O、S、Se、S＝O、SO2、N(R)、P(R)和P(＝O)R，更优选O或N(R)，其中当p＝0时，在所示的芳族或杂芳族环之间存在一个键。关于式(II-9)和(II-13)，优选p＝0的结构(优选化合物)，这样在两个环之间形成一个键。
可以的优选情况为在式(Ia)、(Ib)和/或(II-1)至(II-16)中，每个环中不超过两个X基团为N；每个环中的X基团中优选至少一个、更优选至少两个选自C-H和C-D。
优选地，在式(Ia)、(Ib)和/或(II-1)至(II-16)中，不超过四个、优选不超过两个X基团是N；更优选地，所有X基团都是CR，其中X表示的CR基团中优选至多4个、更优选至多3个、尤其优选至多2个不是CH基团。
还可以的情况为本发明化合物包括至少一个式(III-1)、(III-2)、(III-3)、(III-4)、(III-5)、(III-6)、(III-7)、(III-8)、(III-9)、(III-10)、(III-11)、(III-12)、(III-13)、(III-14)、(III-15)和/或(III-16)的结构，其中所述化合物可以优选由式(III-1)、(III-2)、(III-3)、(III-4)、(III-5)、(III-6)、(III-7)、(III-8)、(III-9)、(III-10)、(III-11)、(III-12)、(III-13)、(III-14)、(III-15)和/或(III-16)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000141
Figure BDA0004000667950000151
其中R具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义，符号Y和p具有上文尤其是针对式(II-1)至(II-16)给出的定义，l是1、2、3、4或5，优选0、1或2，m在每种情况下相同或不同并且是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2。这里优选式(III-5)、(III-6)、(III-8)、(III-13)、(III-14)和(III-16)的结构。
此外，特别优选式(III-9)和(III-13)的结构(优选化合物)：
Figure BDA0004000667950000161
其中R具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义，符号Y和p具有上文尤其是针对式(II-1)至(II-16)给出的定义，l是1、2、3、4或5，优选0、1或2，m在每种情况下相同或不同并且是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2。关于式(III-9)和(III-13)，优选p＝0的结构(优选化合物)，这样在两个环之间形成一个键。
优选地，在式(III-1)至(III-16)的结构中、优选化合物中，标记l和m的总和不超过6，优选不超过4，更优选不超过2。
还可以的情况为所述化合物包含空穴传输基团，其中优选地，式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(III-1)至(III-16)的结构/化合物的Ra基团和/或R基团中的至少一个包含空穴传输基团并且优选为空穴传输基团。
空穴传输基团是技术领域中已知的，它们优选地包括三芳基胺或咔唑基团。
在另一个实施方式中，可以的情况为可用于生产电子器件功能层的化合物包含含电子传输基团的基团。
还可以的情况为所述化合物包含含电子传输基团的基团，其中在式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(III-1)至(III-16)的结构/化合物中，优选Ra基团或R基团中的至少一个包含含电子传输基团的基团并且优选为含电子传输基团的基团。
电子传输基团在技术领域中广为人知并促进化合物传输和/或传导电子的能力。
此外，用于制造电子器件功能层的化合物示出了令人惊讶的优点，所述化合物包含选自以下的至少一个结构：吡啶、嘧啶、吡嗪、哒嗪、三嗪、喹唑啉、喹喔啉、喹啉、异喹啉、咪唑和/或苯并咪唑，特别优选嘧啶、三嗪和喹唑啉。这些结构通常促进化合物传输和/或传导电子的能力。
在本发明的一个优选配置中，可以的情况为含电子传输基团的基团是可以由式(QL)表示的基团
Figure BDA0004000667950000171
其中L1表示一个键或具有5至40个、优选5至30个芳族环原子并可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，Q是电子传输基团，其中R1具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义，虚线键标记连接位置。
优选地，L1基团可以与Q基团和与式(QL)的L1基团键合的原子(优选碳或氮原子)形成完全共轭。一旦相邻的芳族或杂芳族环之间形成了直接键，就形成了芳族或杂芳族体系的完全共轭。上述共轭基团之间的另一个键，例如经由硫、氮或氧原子或羰基基团，不会对共轭不利。在芴体系的情况下，两个芳族环直接键合，其中9位上的sp3杂化碳原子确实防止了这些环的稠合，但共轭是可行的，因为9位上的这个sp3杂化碳原子未必位于电子传输Q基团和式(QL)基团与本发明化合物的其它结构元件键合所经由的原子之间。相比之下，在第二螺二芴结构的情况下，如果Q基团和式(QL)的L1基团所键合的芳族或杂芳族基团之间的键是经由螺二芴结构中的同一苯基或通过螺二芴结构中彼此直接键合并且在一个平面上的苯基，则可以形成完全共轭。如果Q基团和式(QL)的L1基团所键合的芳族或杂芳族基团之间的键是通过经由第9位上的sp3杂化碳原子键合的第二螺二芴结构中的不同苯基键合，则共轭被中断。
在本发明的另一个优选实施方式中，L1是一个键或具有5至14个芳族或杂芳族环原子的芳族或杂芳族环系，优选具有6至12个碳原子并可被一个或多个R1基团取代但优选未被取代的芳族环系，其中R1可以具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义。更优选地，L1为具有6至10个芳族环原子的芳族环系或具有6至13个杂芳族环原子的杂芳族环系，它们各自可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代，其中R2可以具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义。
更优选地，尤其式(QL)所示的符号L1在每种情况下相同或不同，并且是一个键或具有5至24个环原子、优选6至13个环原子、更优选6至10个环原子的芳基或杂芳基基团，使得芳族或杂芳族环系的芳族或杂芳族基团直接(即，经由芳族或杂芳族基团的原子)键合至另一基团的相应原子。
此外可以的情况为式(QL)所示的L1基团包含具有不超过两个稠合芳族和/或杂芳族6元环的芳族环系，优选不包含任何稠合芳族或杂芳族环系。因此，相比蒽结构，萘基结构是优选的。此外，相比萘基结构，芴基、螺二芴基、二苯并呋喃基和/或二苯并噻吩基结构是优选的。
特别优选不存在稠合的结构，例如苯基、联苯基、三联苯基和/或四联苯基结构。
合适的芳族或杂芳族环系L1的实例选自邻苯亚基、间苯亚基或对苯亚基、邻联苯亚基、间联苯亚基或对联苯亚基、三联苯亚基(尤其是支化三联苯亚基)、四联苯亚基(尤其是支化四联苯亚基)、芴亚基、螺二芴亚基、二苯并呋喃亚基、二苯并噻吩基亚和咔唑亚基，它们各自可被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代。
此外可以的情况为尤其式(QL)中所示的L1基团具有不超过1个氮原子，优选不超过2个杂原子，尤其优选不超过一个杂原子，更优选没有杂原子。
优选地，尤其式(QL)中所示的Q基团或电子传输基团可以选自式(Q-1)、(Q-2)、(Q-3)、(Q-4)、(Q-5)、(Q-6)、(Q-7)、(Q-8)、(Q-9)和/或(Q-10)的结构：
Figure BDA0004000667950000191
Figure BDA0004000667950000201
其中虚线键标记连接位置，
Q'在每种情况下相同或不同并且是CR1或N；
Q”为NR1、O或S；
其中至少一个Q'为N；
R1如上文尤其是在式(Ia)或(Ib)中所定义。
此外，尤其式(QL)中所示的Q基团或电子传输基团可优选选自式(Q-11)、(Q-12)、(Q-13)、(Q-14)和/或(Q-15)的结构：
Figure BDA0004000667950000202
Figure BDA0004000667950000211
其中符号R1具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义，X1为N或CR1，虚线键标记连接位置，其中X1优选为氮原子。
在另一个实施方式中，尤其式(QL)中所示的Q基团或电子传输基团可以选自式(Q-16)、(Q-17)、(Q-18)、(Q-19)、(Q-20)、(Q-21)和/或(Q-22)的结构：
Figure BDA0004000667950000212
Figure BDA0004000667950000221
其中符号R1具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)详述的定义，虚线键标记连接位置，m为0、1、2、3或4，优选为0、1或2，n为0、1、2或3，优选为0、1或2，o为0、1或2，优选为1或2。这里优选式(Q-16)、(Q-17)、(Q-18)和(Q-19)的结构。
在另一个实施方式中，尤其式(QL)中所示的Q基团或电子传输基团可以选自式(Q-23)、(Q-24)和/或(Q-25)的结构：
Figure BDA0004000667950000222
其中符号R1具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)所述的定义，虚线键标记连接位置。
在另一个实施方式中，尤其式(QL)中所示的Q基团或电子传输基团可以选自式(Q-26)、(Q-27)、(Q-28)、(Q-29)和/或(Q-30)的结构：
Figure BDA0004000667950000231
其中符号Ar1和R1具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义，X1为N或CR1，虚线键标记连接位置。优选地，在式(Q-26)、(Q-27)和(Q-28)的结构中，恰好一个X1是氮原子。
优选地，尤其式(QL)中所示的Q基团或电子传输基团可以选自式(Q-31)、(Q-32)、(Q-33)、(Q-34)、(Q-35)、(Q-36)、(Q-37)、(Q-38)、(Q-39)、(Q-40)、(Q-41)、(Q-42)、(Q-43)和/或(Q-44)的结构：
Figure BDA0004000667950000241
Figure BDA0004000667950000251
其中符号Ar1和R1具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)所述的定义，虚线键标记连接位置，m为0、1、2、3或4，优选0、1或2，n为0、1、2或3，优选0或1，n为0、1、2或3，优选0、1或2，l为1、2、3、4或5，优选0、1或2。
在本发明的另一个优选实施方式中，Ar1在每种情况下相同或不同，并且是具有5至24个芳族环原子、优选具有6至18个芳族环原子的芳族或杂芳族环系(优选芳基或杂芳基基团)，更优选为具有6至12个芳族环原子的芳族环系(优选芳基基团)或具有5至13个芳族环原子的杂芳族环系(优选杂芳基基团)，它们各自可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代，其中R2可以具有上文尤其是在式(Ia)和/或(Ib)中详述的定义。
优选地，符号Ar1是芳基或杂芳基基团，使得芳族或杂芳族环系的芳族或杂芳族基团直接(即，经由芳族或杂芳族基团的原子)键合至另一基团的相应原子，例如上文所示的(H-1)至(H-26)或(Q-26)至(Q-44)基团的碳或氮原子。
有利地，式(H-1)至(H-26)或(Q-26)至(Q-44)中的Ar1是具有6至12个芳族环原子并可被一个或多个R2基团取代但优选未被取代的芳族环系，其中R2可以具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)详述的定义。
优选地，式(H-1)至(H-26)或(Q-1)至(Q-44)中的R1或R2基团不与芳基基团或杂芳基基团Ar1、Ar2、Ar3和/或Ar4中与R1或R2基团键合的环原子形成稠合环系。这包括与可以与R1或R2基团键合的可能取代基R2、R3形成稠合环系。
这些电子传输基团可以达到意想不到的效果。
还可以的情况为Ar、Ar1、Ar2、Ar3和/或Ar4基团选自苯基、邻联苯基、间联苯基或对联苯基、三联苯基(尤其是支化三联苯基)、四联苯基(尤其是支化四联苯基)、1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基、1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基、吡啶基、嘧啶基、1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基、1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基、芘基、三嗪基、咪唑基、苯并咪唑基、苯并
Figure BDA0004000667950000271
唑基、苯并噻唑基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基、茚并咔唑基、1-萘基或2-萘基、蒽基(优选9-蒽基)、菲基和/或联三苯叉基，它们各自可被一个或多个R1和/或R2基团取代，但优选未被取代，特别优选苯基、螺二芴、芴、二苯并呋喃、二苯并噻吩、蒽、菲、联三苯叉基团。
此外，可以的情况为式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(III-1)至(III-16)的杂芳族环系的取代基R不与杂芳族环系的环原子形成稠合芳族环系或稠合杂芳族环系，优选任何稠合环系。这包括与可以与R基团键合的可能R1、R2、R3取代基形成稠合环系。可以的优选情况为式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(III-1)至(III-16)中的取代基R不与芳族或杂芳族环系的环原子形成任何环系。这包括与可以与R基团键合的可能R1、R2、R3取代基形成环系。
当尤其可以选自R、R1、R2、R和/或R3的两个基团彼此形成环系时，该环系可以是单环或多环的脂族、杂脂族、芳族或杂芳族的。在这种情况下，一起形成环系的基团可以是相邻的，意指这些基团与同一个碳原子键合或与彼此直接键合的碳原子键合，或者它们还可以进一步彼此远离。
在一个优选配置中，本发明化合物由式(Ia)、(Ib)、(II-1)、(II-2)、(II-3)、(II-4)、(II-5)、(II-6)、(II-7)、(II-8)、(II-9)、(II-10)、(II-11)、(II-12)、(II-13)、(II-14)、(II-15)、(II-16)、(III-1)、(III-2)、(III-3)、(III-4)、(III-5)、(III-6)、(III-7)、(III-8)、(III-9)、(III-10)、(III-11)、(III-12)、(III-13)、(III-14)、(III-15)或(III-16)的结构定义，或由稍后将阐述的这些结构的优选实施方式定义。因此，优选具有式(Ia)、(Ib)、(II-1)、(II-2)、(II-3)、(II-4)、(II-5)、(II-6)、(II-7)、(II-8)、(II-9)、(II-10)、(II-11)、(II-12)、(II-13)、(II-14)、(II-15)、(II-16)、(III-1)、(III-2)、(III-3)、(III-4)、(III-5)、(III-6)、(III-7)、(III-8)、(III-9)、(III-10)、(III-11)、(III-12)、(III-13)、(III-14)、(III-15)或(III-16)的结构的化合物，或稍后将阐述的这些结构的优选实施方式之一的化合物。优选地，包括式(Ia)、(Ib)、(II-1)、(II-2)、(II-3)、(II-4)、(II-5)、(II-6)、(II-7)、(II-8)、(II-9)、(II-10)、(II-11)、(II-12)、(II-13)、(II-14)、(II-15)、(II-16)、(III-1)、(III-2)、(III-3)、(III-4)、(III-5)、(III-6)、(III-7)、(III-8)、(III-9)、(III-10)、(III-11)、(III-12)、(III-13)、(III-14)、(III-15)或(III-16)的结构的化合物，或包括这些结构的优选实施方式的化合物的分子量为不超过5000g/mol，优选不超过4000g/mol，特别优选不超过3000g/mol，尤其优选不超过2000g/mol，最优选不超过1200g/mol。
此外，本发明的优选化合物的特征在于它们是可升华的。这些化合物的摩尔质量通常为小于约1200g/mol。
在另一个优选实施方式中，可以的情况为上文所示的结构中的R基团选自苯基、邻联苯基、间联苯基或对联苯基、三联苯基(尤其是支化三联苯基)、四联苯基(尤其是支化四联苯基)、1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基、1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基、吡啶基、嘧啶基、1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基、1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基、芘基、三嗪基、咪唑基、苯并咪唑基、苯并
Figure BDA0004000667950000281
唑基、苯并噻唑基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基、1-萘基或2-萘基、蒽基(优选9-蒽基)、菲基和/或联三苯叉基，除了芴基和咔唑基以外，它们各自可被一个或多个R或R1基团取代，但优选未被取代，特别优选螺二芴、芴、二苯并呋喃、二苯并噻吩、蒽、菲、联三苯叉基团。
当X为CR时或当芳族和/或杂芳族基团被取代基R取代时，这些取代基R优选地选自H，D，F，CN，N(Ar)2，C(＝O)Ar，P(＝O)(Ar)2，具有1至10个碳原子的直链的烷基或烷氧基基团或者具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团或者具有2至10个碳原子的烯基基团，它们各自可被一个或多个R1基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被O代替并且其中一个或多个氢原子可被D或F代替，具有5至24个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代但优选未被取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至25个芳族环原子并可被一个或多个R1基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团；同时，与同一碳原子或与相邻碳原子键合的两个取代基R可以任选地形成可被一个或多个R1基团取代的单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；其中Ar基团在每种情况下相同或不同并且表示具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，具有5至40个芳族环原子并可被一个或多个R1基团取代的芳氧基基团，或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳烷基基团，其中两个或更多个优选相邻的取代基R1可以任选地形成单环或多环的脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系，优选单环或多环的脂族环系，所述环系可被一个或多个R2基团取代，其中符号R2可以具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义。优选地，Ar在每种情况下相同或不同，并且是具有5至24个、优选5至12个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代但优选未被取代的芳基或杂芳基基团。
合适的Ar基团的实例选自苯基、邻联苯基、间联苯基或对联苯基、三联苯基(尤其是支化三联苯基)、四联苯基(尤其是支化四联苯基)、1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基、1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基、吡啶基、嘧啶基、1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基、1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基以及1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基，它们各自可被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代。
更优选地，这些取代基R选自H，D，F，CN，N(Ar)2，具有1至8个碳原子、优选具有1、2、3或4个碳原子的直链的烷基基团，或具有3至8个碳原子、优选具有3或4个碳原子的支链或环状的烷基基团，或具有2至8个碳原子、优选具有2、3或4个碳原子的烯基基团，它们各自可被一个或多个R1基团取代但优选未被取代，或者具有6至24个芳族环原子、优选6至18个芳族环原子、更优选6至13个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个非芳族R1基团取代但优选未被取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一碳原子或与相邻碳原子键合的两个取代基R可以任选地形成可被一个或多个R1基团取代但优选未被取代的单环或多环的脂族环系，其中Ar可以具有如上所述的定义。
最优选地，取代基R选自H和具有6至18个芳族环原子、优选具有6至13个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们各自可被一个或多个非芳族R1基团取代，但优选未被取代。
在一个优选配置中，可以的情况为式(Ia)、(Ib)、(II-1)、(II-2)、(II-3)、(II-4)、(II-5)、(II-6)、(II-7)、(II-8)、(II-9)、(II-10)、(II-11)、(II-12)、(II-13)、(II-14)、(II-15)、(II-16)、(III-1)、(III-2)、(III-3)、(III-4)、(III-5)、(III-6)、(III-7)、(III-8)、(III-9)、(III-10)、(III-11)、(III-12)、(III-13)、(III-14)、(III-15)或(III-16)中的R和/或Ra基团中的至少一个是可以由式L1-Z表示的基团，其中L1表示一个键或者具有5至40个、优选5至30个芳族环原子并可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，Z表示R1、Ar或者式Za或Zb的基团，其中符号Ar和R1具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义，Za或Zb为
Figure BDA0004000667950000311
其中W在每种情况下相同或不同并且是具有5至30个芳族环原子并可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系、氮原子、硼原子、磷原子或氧化膦基团，虚线键标记连接位置，符号Ar和R1具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义。
可以的优选情况为本发明化合物包括至少一个式(IV-1)、(IV-2)、(IV-3)、(IV-4)、(IV-5)、(IV-6)、(IV-7)、(IV-8)、(IV-9)、(IV-10)、(IV-11)、(IV-12)、(IV-13)、(IV-14)、(IV-15)、(IV-16)、(IV-17)、(IV-18)、(IV-19)、(IV-20)、(IV-21)、(IV-22)、(IV-23)和/或(IV-24)的结构，其中所述化合物可以优选由式(IV-1)、(IV-2)、(IV-3)、(IV-4)、(IV-5)、(IV-6)、(IV-7)、(IV-8)、(IV-9)、(IV-10)、(IV-11)、(IV-12)、(IV-13)、(IV-14)、(IV-15)、(IV-16)、(IV-17)、(IV-18)、(IV-19)、(IV-20)、(IV-21)、(IV-22)、(IV-23)和/或(IV-24)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000312
Figure BDA0004000667950000321
Figure BDA0004000667950000331
Figure BDA0004000667950000341
其中符号X表示N、CR，或者如果-L1-Z基团与X键合，则符号X表示C，所用的符号R、Y、p、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义。
此外，特别优选式(IV-9)、(IV-13)、(IV-17)和(IV-21)的结构(优选化合物)：
Figure BDA0004000667950000342
其中符号X表示N、CR，或者如果-L1-Z基团与X键合，则符号X表示C，所用的符号R、Y、p、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义。关于式(IV-9)、(IV-13)、(IV-17)和(IV-21)，优选p＝0，因此在两个环之间形成一个键的结构(优选化合物)。
在另一个实施方式中，可以的情况为本发明化合物包括至少一个式(V-1)、(V-2)、(V-3)、(V-4)、(V-5)、(V-6)、(V-7)、(V-8)、(V-9)、(V-10)、(V-11)、(V-12)、(V-13)、(V-14)、(V-15)、(V-16)、(V-17)、(V-18)、(V-19)、(V-20)、(V-21)、(V-22)、(V-23)、(V-24)、(V-25)、(V-26)、(V-27)、(V-28)、(V-29)、(V-30)、(V-31)和/或(V-32)的结构，其中所述化合物可以优选由式(V-1)、(V-2)、(V-3)、(V-4)、(V-5)、(V-6)、(V-7)、(V-8)、(V-9)、(V-10)、(V-11)、(V-12)、(V-13)、(V-14)、(V-15)、(V-16)、(V-17)、(V-18)、(V-19)、(V-20)、(V-21)、(V-22)、(V-23)、(V-24)、(V-25)、(V-26)、(V-27)、(V-28)、(V-29)、(V-30)、(V-31)和/或(V-32)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000351
Figure BDA0004000667950000361
Figure BDA0004000667950000371
Figure BDA0004000667950000381
Figure BDA0004000667950000391
其中符号X表示N、CR，或者如果-L1-Z基团与X键合，则符号X表示C，所用的符号R、Y、p、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义。
此外，特别优选式(V-17)、(V-21)、(V-25)和(V-29)的结构(优选化合物)：
Figure BDA0004000667950000401
其中符号X表示N、CR，或者如果-L1-Z基团与X键合，则符号X表示C，所用的符号R、Y、p、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义。关于式(V-17)、(V-21)、(V-25)和(V-29)，优选p＝0，因此在两个环之间形成一个键的结构(优选化合物)。
在一个优选配置中，可以的情况为本发明化合物包括至少一个式(VI-1)、(VI-2)、(VI-3)、(VI-4)、(VI-5)、(VI-6)、(VI-7)和/或(VI-8)的结构，其中所述化合物可以优选由式(VI-1)、(VI-2)、(VI-3)、(VI-4)、(VI-5)、(VI-6)、(VI-7)和/或(VI-8)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000411
Figure BDA0004000667950000421
其中符号X表示N、CR，或者如果-L1-Z基团与X键合，则符号X表示C，所用的符号R、Y、p、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义。这里优选式(VI-1)、(VI-2)、(VI-4)、(VI-5)、(VI-6)和(VI-8)的结构(优选化合物)，特别优选式(VI-5)、(VI-6)、(VI-8)的结构(优选化合物)。特别优选式(VI-5)，优选p＝0，因此在两个环之间形成一个键的结构(优选化合物)。
Y基团，尤其是在式(II-1)至(II-16)、(III-1)至(III-16)、(IV-1)至(IV-24)、(V-1)至(V-32)和/或(VI-1)至(VI-8)的结构中，优选为O或NR。
更优选地，可以的情况为本发明化合物包括至少一个式(VII-1)、(VII-2)、(VII-3)、(VII-4)、(VII-5)、(VII-6)、(VII-7)和/或(VII-8)的结构，其中所述化合物可以优选由式(VII-1)、(VII-2)、(VII-3)、(VII-4)、(VII-5)、(VII-6)、(VII-7)和/或(VII-8)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000422
Figure BDA0004000667950000431
其中符号X表示N、CR，或者如果-L1-Z基团与X键合，则符号X表示C，所用的符号R、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义。
在另一个优选实施方式中，可以的情况为本发明化合物包括至少一个式(VIII-1)、(VIII-2)、(VIII-3)、(VIII-4)、(VIII-5)、(VIII-6)、(VIII-7)、(VIII-8)、(VIII-9)和/或(VIII-10)的结构，其中所述化合物可以优选由式(VIII-1)、(VIII-2)、(VIII-3)、(VIII-4)、(VIII-5)、(VIII-6)、(VIII-7)、(VIII-8)、(VIII-9)和/或(VIII-10)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000441
Figure BDA0004000667950000451
其中符号X表示N、CR，或者如果-L1-Z基团与X键合，则符号X表示C，所用的符号R、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义。
还可以的优选情况为本发明化合物包括至少一个式(IX-1)、(IX-2)、(IX-3)、(IX-4)、(IX-5)、(IX-6)、(IX-7)和/或(IX-8)的结构，其中所述化合物可以优选由式(IX-1)、(IX-2)、(IX-3)、(IX-4)、(IX-5)、(IX-6)、(IX-7)和/或(IX-8)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000452
Figure BDA0004000667950000461
其中符号X表示N、CR，或者如果-L1-Z基团与X键合，则符号X表示C，所用的符号R、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义。
还可以的情况为本发明化合物包括至少一个式(X-1)、(X-2)、(X-3)、(X-4)、(X-5)、(X-6)、(X-7)和/或(X-8)的结构，其中所述化合物可以优选由式(X-1)、(X-2)、(X-3)、(X-4)、(X-5)、(X-6)、(X-7)和/或(X-8)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000471
其中符号X表示N、CR，或者如果-L1-Z基团与X键合，则符号X表示C，所用的符号R、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义。
还可以的优选情况为本发明化合物包括至少一个式(XI-1)、(XI-2)、(XI-3)、(XI-4)、(XI-5)、(XI-6)、(XI-7)、(XI-8)、(XI-9)和/或(XI-10)的结构，其中所述化合物可以优选由式(XI-1)、(XI-2)、(XI-3)、(XI-4)、(XI-5)、(XI-6)、(XI-7)、(XI-8)、(XI-9)和/或(XI-10)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000481
Figure BDA0004000667950000491
其中符号X表示N、CR，或者如果-L1-Z基团与X键合，则符号X表示C，所用的符号R、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义。
可以的优选情况为在式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)、(III-1)至(III-16)、(IV-1)至(IV-24)、(V-1)至(V-32)、(VI-1)至(VI-8)、(VII-1)至(VII-8)、(VIII-1)至(VIII-10)、(IX-1)至(IX-8)、(X-1)至(X-8)和/或(XI-1)至(XI-10)中，每个环中不超过两个X基团为N；优选每个环中至少一个且更优选至少两个X基团选自C-H和C-D。
优选地，在式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)、(III-1)至(III-16)、(IV-1)至(IV-24)、(V-1)至(V-32)、(VI-1)至(VI-8)、(VII-1)至(VII-8)、(VIII-1)至(VIII-10)、(IX-1)至(IX-8)、(X-1)至(X-8)和/或(XI-1)至(XI-10)中，不超过四个且优选不超过两个X基团为N；更优选地，所有X基团都是CR，其中X表示的CR基团中优选不超过4个、更优选不超过3个且尤其优选不超过2个不是CH基团。
还可以的情况为本发明化合物包括至少一个式(XII-1)、(XII-2)、(XII-3)、(XII-4)、(XII-5)、(XII-6)、(XII-7)、(XII-8)、(XII-9)、(XII-10)、(XII-11)、(XII-12)、(XII-13)、(XII-14)、(XII-15)、(XII-16)、(XII-17)、(XII-18)、(XII-19)、(XII-20)、(XII-21)、(XII-22)、(XII-23)和/或(XII-24)的结构，其中所述化合物可以优选由式(XII-1)、(XII-2)、(XII-3)、(XII-4)、(XII-5)、(XII-6)、(XII-7)、(XII-8)、(XII-9)、(XII-10)、(XII-11)、(XII-12)、(XII-13)、(XII-14)、(XII-15)、(XII-16)、(XII-17)、(XII-18)、(XII-19)、(XII-20)、(XII-21)、(XII-22)、(XII-23)和/或(XII-24)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000501
Figure BDA0004000667950000511
Figure BDA0004000667950000521
其中所用的符号R、Y、p、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义，标记l是1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2，标记n是0、1、2或3，优选0、1或2，更优选0或1。这里优选具有式(XII-1)至(XII-9)和(XII-13)至(XII-21)的基团的化合物。
此外，特别优选式(XII-13)、(XII-17)和(XII-21)的结构(优选化合物)：
Figure BDA0004000667950000531
其中所用的符号R、Y、p、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义，标记l是1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2，标记n是0、1、2或3，优选0、1或2，更优选0或1。关于式(XII-13)、(XII-17)和(XII-21)，优选p＝0，因此在两个环之间形成一个键的结构(优选化合物)。
可以的优选情况为本发明化合物包括至少一个式(XIII-1)、(XIII-2)、(XIII-3)、(XIII-4)、(XIII-5)、(XIII-6)、(XIII-7)、(XIII-8)、(XIII-9)、(XIII-10)、(XIII-11)、(XIII-12)、(XIII-13)、(XIII-14)、(XIII-15)、(XIII-16)、(XIII-17)、(XIII-18)、(XIII-19)、(XIII-20)、(XIII-21)、(XIII-22)、(XIII-23)、(XIII-24)、(XIII-25)、(XIII-26)、(XIII-27)、(XIII-28)、(XIII-29)、(XIII-30)、(XIII-31)和/或(XIII-32)的结构，其中所述化合物可以优选由式(XIII-1)、(XIII-2)、(XIII-3)、(XIII-4)、(XIII-5)、(XIII-6)、(XIII-7)、(XIII-8)、(XIII-9)、(XIII-10)、(XIII-11)、(XIII-12)、(XIII-13)、(XIII-14)、(XIII-15)、(XIII-16)、(XIII-17)、(XIII-18)、(XIII-19)、(XIII-20)、(XIII-21)、(XIII-22)、(XIII-23)、(XIII-24)、(XIII-25)、(XIII-26)、(XIII-27)、(XIII-28)、(XIII-29)、(XIII-30)、(XIII-31)和/或(XIII-32)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000541
Figure BDA0004000667950000551
Figure BDA0004000667950000561
Figure BDA0004000667950000571
Figure BDA0004000667950000581
其中所用的符号R、Y、p、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义，标记l是1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2，标记n是0、1、2或3，优选0、1或2，更优选0或1。
此外，特别优选式(XIII-13)、(XIII-17)、(XIII-21)、(XIII-25)和(XIII-29)的结构(优选化合物)：
Figure BDA0004000667950000582
Figure BDA0004000667950000591
其中所用的符号R、Y、p、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义，标记l是1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2，标记n是0、1、2或3，优选0、1或2，更优选0或1。关于式(XIII-13)、(XIII-17)、(XIII-21)、(XIII-25)和(XIII-29)的结构，优选p＝0，因此在两个环之间形成一个键的结构(优选化合物)。
更优选地，可以的情况为本发明化合物包括至少一个式(XIV-1)、(XIV-2)、(XIV-3)、(XIV-4)、(XIV-5)、(XIV-6)、(XIV-7)和/或(XIV-8)的结构，其中所述化合物可以优选由式(XIV-1)、(XIV-2)、(XIV-3)、(XIV-4)、(XIV-5)、(XIV-6)、(XIV-7)和/或(XIV-8)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000592
Figure BDA0004000667950000601
其中所用的符号R、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义，标记l是1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2，标记n是0、1、2或3，优选0、1或2，更优选0或1。
还可以的优选情况为本发明化合物包括至少一个式(XV-1)、(XV-2)、(XV-3)、(XV-4)、(XV-5)、(XV-6)、(XV-7)、(XV-8)、(XV-9)和/或(XV-10)的结构，其中所述化合物可以优选由式(XV-1)、(XV-2)、(XV-3)、(XV-4)、(XV-5)、(XV-6)、(XV-7)、(XV-8)、(XV-9)和/或(XV-10)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000611
Figure BDA0004000667950000621
其中所用的符号R、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义，标记l是1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2，标记n是0、1、2或3，优选0、1或2，更优选0或1。
在另一个优选实施方式中，可以的情况为本发明化合物包括至少一个式(XVI-1)、(XVI-2)、(XVI-3)、(XVI-4)、(XVI-5)、(XVI-6)、(XVI-7)和/或(XVI-8)的结构，其中所述化合物可以优选由式(XVI-1)、(XVI-2)、(XVI-3)、(XVI-4)、(XVI-5)、(XVI-6)、(XVI-7)和/或(XVI-8)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000622
Figure BDA0004000667950000631
其中所用的符号R、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义，标记l是1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2，标记n是0、1、2或3，优选0、1或2，更优选0或1。
还可以的情况为本发明化合物包括至少一个式(XVII-1)、(XVII-2)、(XVII-3)、(XVII-4)、(XVII-5)、(XVII-6)、(XVII-7)和/或(XVII-8)的结构，其中所述化合物可以优选由式(XVII-1)、(XVII-2)、(XVII-3)、(XVII-4)、(XVII-5)、(XVII-6)、(XVII-7)和/或(XVII-8)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000641
其中所用的符号R、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义，标记l是1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2，标记n是0、1、2或3，优选0、1或2，更优选0或1。
可以的优选情况为本发明化合物包括至少一个式(XVIII-1)、(XVIII-2)、(XVIII-3)、(XVIII-4)、(XVIII-5)、(XVIII-6)、(XVIII-7)、(XVIII-8)、(XVIII-9)和/或(XVIII-10)的结构，其中所述化合物可以优选由式(XVIII-1)、(XVIII-2)、(XVIII-3)、(XVIII-4)、(XVIII-5)、(XVIII-6)、(XVIII-7)、(XVIII-8)、(XVIII-9)和/或(XVIII-10)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000651
Figure BDA0004000667950000661
其中所用的符号R、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义，标记l是1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2，标记n是0、1、2或3，优选0、1或2，更优选0或1。
在另一个优选实施方式中，可以的情况为本发明化合物包括至少一个式(XIX-1)、(XIX-2)、(XIX-3)、(XIX-4)、(XIX-5)、(XIX-6)、(XIX-7)、(XIX-8)、(XIX-9)和/或(XIX-10)的结构，其中所述化合物可以优选由式(XIX-1)、(XIX-2)、(XIX-3)、(XIX-4)、(XIX-5)、(XIX-6)、(XIX-7)、(XIX-8)、(XIX-9)和/或(XIX-10)的结构表示：
Figure BDA0004000667950000671
Figure BDA0004000667950000681
其中所用的符号R、L1和Z具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)和/或(L1-Z)给出的定义，标记l是1、2、3、4或5，优选0、1或2，标记m是0、1、2、3或4，优选0、1、2或3，更优选0、1或2，标记n是0、1、2或3，优选0、1或2，更优选0或1。
还可以的情况为在式(XII-1)至(XII-24)、(XIII-1)至(XIII-32)、(XIV-1)至(XIV-8)、(XV-1)至(XV-10)、(XVI-1)至(XVI-8)、(XVII-1)至(XVII-8)、(XVIII-1)至(XVIII-10)和/或(XIX-1)至(XIX-10)中，标记l、m和n的总和不超过5，优选不超过3，更优选不超过1。
还可以的情况为式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)、(III-1)至(III-16)、(IV-1)至(IV-24)、(V-1)至(V-32)、(VI-1)至(VI-8)、(VII-1)至(VII-8)、(VIII-1)至(VIII-10)、(IX-1)至(IX-8)、(X-1)至(X-8)、(XI-1)至(XI-10)、(XII-1)至(XII-24)、(XIII-1)至(XIII-32)、(XIV-1)至(XIV-8)、(XV-1)至(XV-10)、(XVI-1)至(XVI-8)、(XVII-1)至(XVII-8)、(XVIII-1)至(XVIII-10)和/或(XIX-1)至(XIX-10)中的至少一个R基团、优选所有R基团都是可以由如上下文所述的式R1的基团表示的基团，其中R1具有上文尤其是针对式(Ia)或(Ib)给出的定义。
上文详述的式(H-1)至(H-26)的空穴传输基团和/或含电子传输基团的基团，优选式(QL)的含电子传输基团的基团，是优选的R1基团，在这种情况下，式(H-1)至(H-26)、(QL)和/或(Q-1)至(Q-44)中的R1基团将被R2基团代替。
还可以的情况为上述式中，尤其是式(IV-1)至(IV-24)、(V-1)至(V-32)、(VI-1)至(VI-8)、(VII-1)至(VII-8)、(VIII-1)至(VIII-10)、(IX-1)至(IX-8)、(X-1)至(X-8)、(XI-1)至(XI-10)、(XII-1)至(XII-24)、(XIII-1)至(XIII-32)、(XIV-1)至(XIV-8)、(XV-1)至(XV-10)、(XVI-1)至(XVI-8)、(XVII-1)至(XVII-8)、(XVIII-1)至(XVIII-10)和/或(XIX-1)至(XIX-10)中的L1-Z基团包括空穴传输基团和/或电子传输基团或者是空穴传输基团和/或电子传输基团。
还可以的情况为式L1-Z中或式(IV-1)至(IV-24)、(V-1)至(V-32)、(VI-1)至(VI-8)、(VII-1)至(VII-8)、(VIII-1)至(VIII-10)、(IX-1)至(IX-8)、(X-1)至(X-8)、(XI-1)至(XI-10)、(XII-1)至(XII-24)、(XIII-1)至(XIII-32)、(XIV-1)至(XIV-8)、(XV-1)至(XV-10)、(XVI-1)至(XVI-8)、(XVII-1)至(XVII-8)、(XVIII-1)至(XVIII-10)和/或(XIX-1)至(XIX-10)的结构/化合物中的符号Z是选自式(Z-1)至(Z-91)的基团：
Figure BDA0004000667950000691
Figure BDA0004000667950000701
Figure BDA0004000667950000711
Figure BDA0004000667950000721
Figure BDA0004000667950000731
Figure BDA0004000667950000741
Figure BDA0004000667950000751
其中所用的符号如下：
k在每种情况下独立地为0或1；
i在每种情况下独立地为0、1或2；
j在每种情况下独立地为0、1、2或3；
h在每种情况下独立地为0、1、2、3或4；
虚线键标记连接位置；
Ar1，R1具有上文尤其是针对式(Ia)或(Ib)给出的定义。
优选地，L1基团可以与Z基团和L1基团或根据式(L1-Z)所键合的原子形成完全共轭。一旦相邻的芳族或杂芳族环之间形成了直接键，就形成了芳族或杂芳族体系的完全共轭。上述共轭基团之间的另一个键，例如经由硫、氮或氧原子或羰基，不会对共轭不利。
在本发明的另一个优选实施方式中，L1是一个键或具有5至14个芳族或杂芳族环原子的芳族或杂芳族环系，优选具有6至12个碳原子并可被一个或多个R1基团取代但优选未被取代的芳族环系，其中R1可以具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义。更优选地，L1为具有6至10个芳族环原子的芳族环系或具有6至13个杂芳族环原子的杂芳族环系，它们各自可被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代，其中R1可以具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义。
更优选地，尤其式(L1-Z)中所示的符号L1在每种情况下相同或不同，并且是一个键或具有5至24个环原子、优选6至13个环原子、更优选6至10个环原子的芳基或杂芳基基团，使得芳族或杂芳族环系的芳族或杂芳族基团直接(即，经由所述芳族或杂芳族基团的原子)键合至另一基团的相应原子。
此外，可以的情况为式(L1-Z)中所示的L1基团包括具有不超过两个稠合芳族和/或杂芳族6元环的芳族环系，优选不包括任何稠合芳族或杂芳族环系。因此，相比蒽结构，萘基结构是优选的。此外，相比萘基结构，芴基、螺二芴基、二苯并呋喃基和/或二苯并噻吩基结构是优选的。
特别优选不存在稠合的结构，例如苯基、联苯基、三联苯基和/或四联苯基结构。
合适的芳族或杂芳族环系L1的实例选自邻苯亚基、间苯亚基或对苯亚基、邻联苯亚基、间联苯亚基或对联苯亚基、三联苯亚基(尤其是支化三联苯亚基)、四联苯亚基(尤其是支化四联苯亚基)、芴亚基、螺二芴亚基、二苯并呋喃亚基、二苯并噻吩基亚和咔唑亚基，它们各自可被一个或多个R1基团取代，但优选未被取代。
还可以的情况为尤其式(L1-Z)中所示的L1基团具有不超过1个氮原子，优选不超过2个杂原子，尤其优选不超过一个杂原子，更优选无杂原子。
可以的优选情况为式(IV-1)至(IV-24)、(V-1)至(V-32)、(VI-1)至(VI-8)、(VII-1)至(VII-8)、(VIII-1)至(VIII-10)、(IX-1)至(IX-8)、(X-1)至(X-8)、(XI-1)至(XI-10)、(XII-1)至(XII-24)、(XIII-1)至(XIII-32)、(XIV-1)至(XIV-8)、(XV-1)至(XV-10)、(XVI-1)至(XVI-8)、(XVII-1)至(XVII-8)、(XVIII-1)至(XVIII-10)和/或(XIX-1)至(XIX-10)的结构单元L1-Z中和/或式QL中的L1基团、式H-1至H-44的L1基团或Ar2基团是一个键或选自式(L1-1)至(L1-167)的基团：
Figure BDA0004000667950000771
Figure BDA0004000667950000781
Figure BDA0004000667950000791
Figure BDA0004000667950000801
Figure BDA0004000667950000811
Figure BDA0004000667950000821
Figure BDA0004000667950000831
Figure BDA0004000667950000841
Figure BDA0004000667950000851
Figure BDA0004000667950000861
其中虚线键在每种情况标记记连接位置，标记k为0或1，标记l为0、1或2，标记j在每种情况下独立地为0、1、2或3；标记h在每种情况下独立地为0、1、2、3或4，标记g为0、1、2、3、4或5；符号Y1为O、S或NR1，优选为O或S；符号R1具有上文尤其是针对式(Ia)或(Ib)给出的定义。
可以的优选情况为式(L1-1)至(L1-167)的结构中的标记k、l、g、h和j的总和在每种情况下为至多3，优选为至多2，更优选为至多1。
具有式(L1-Z)和/或(QL)的优选本发明化合物包含L1基团，所述基团表示一个键或选自式(L1-1)至(L1-78)和/或(L1-92)至(L1-167)中的一个，优选式(L1-1)至(L1-54)和/或(L1-92)至(L1-167)，尤其优选式(L1-1)至(L1-29)和/或(L1-92)至(L1-167)。有利地，式(L1-1)至(L1-78)和/或(L1-92)至(L1-167)、优选式(L1-1)至(L1-54)和/或(L1-92)至(L1-167)、尤其优选式(L1-1)至(L1-29)和/或(L1-92)至(L1-167)的结构中标记k、l、g、h和j的总和可以在每种情况下不超过3，优选不超过2，更优选不超过1。
优选地，式(L1-1)至(L1-167)中的R1基团不与R1基团所键合的芳基基团或杂芳基基团的环原子形成稠合芳族环系或稠合杂芳族环系，优选不形成任何稠合环系。这包括与可以与R1或R2基团键合的可能取代基R2、R3形成稠合环系。
还可以的情况为Ar1和/或R1基团选自苯基、邻联苯基、间联苯基或对联苯基、三联苯基(尤其是支化三联苯基)、四联苯基(尤其是支化四联苯基)、1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基、1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基、吡啶基、嘧啶基、1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基、1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基、芘基、三嗪基、咪唑基、苯并咪唑基、苯并
Figure BDA0004000667950000871
唑基、苯并噻唑基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基、1-萘基或2-萘基、蒽基(优选9-蒽基)、菲基和/或联三苯叉基，它们各自可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代，特别优选苯基、螺二芴、芴、二苯并呋喃、二苯并噻吩、蒽、菲、联三苯叉基团。
还可以的情况为在式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)、(III-1)至(III-16)、(IV-1)至(IV-24)、(V-1)至(V-32)、(VI-1)至(VI-8)、(VII-1)至(VII-8)、(VIII-1)至(VIII-10)、(IX-1)至(IX-8)、(X-1)至(X-8)、(XI-1)至(XI-10)、(XII-1)至(XII-24)、(XIII-1)至(XIII-32)、(XIV-1)至(XIV-8)、(XV-1)至(XV-10)、(XVI-1)至(XVI-8)、(XVII-1)至(XVII-8)、(XVIII-1)至(XVIII-10)和/或(XIX-1)至(XIX-10)的结构中，至少一个R1或Ar1基团是选自式(R1-1)至(R1-179)的基团，或在式(H-1)至(H-26)、(Q-1)至(Q-44)、(Z-1)至(Z-91)、(L1-1)至(L1-167)的结构中，至少一个Ar1或R1基团是选自式(R1-1)至(R1-179)的基团：
Figure BDA0004000667950000881
Figure BDA0004000667950000891
Figure BDA0004000667950000901
Figure BDA0004000667950000911
Figure BDA0004000667950000921
Figure BDA0004000667950000931
Figure BDA0004000667950000941
Figure BDA0004000667950000951
Figure BDA0004000667950000961
Figure BDA0004000667950000971
Figure BDA0004000667950000981
Figure BDA0004000667950000991
Figure BDA0004000667950001001
其中所用的符号如下：
Y1为O、S或NR2，优选为O或S；
k在每种情况下独立地为0或1；
i在每种情况下独立地为0、1或2；
j在每种情况下独立地为0、1、2或3；
h在每种情况下独立地为0、1、2、3或4；
g在每种情况下独立地为0、1、2、3、4或5；
R2具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义，
虚线键标记连接位置。
在上述式(R1-1)至(R1-179)的结构中，优选式(R1-1)至(R1-177)的基团，特别优选(R1-1)至(R1-64)和(R1-94)至(R1-177)的基团，非常特别优选(R1-1)至(R1-64)和(R1-115)至(R1-177)的基团。
可以的优选情况为式(R1-1)至(R1-179)的结构中标记k、i、j、h和g的总和在每种情况下都不超过3，优选不超过2，更优选不超过1。
优选地，式(R1-1)至(R1-179)中的R2基团不与R2基团所键合的芳基基团或杂芳基基团的环原子形成稠合芳族环系或稠合杂芳族环系，优选不形成任何稠合环系。这包括与可以与R2基团键合的可能取代基R3形成稠合环系。
当本发明化合物被芳族或杂芳族R1或R2基团取代时，尤其是在其配置为主体材料、电子传输材料或空穴传输材料的情况下，优选它们不具有存在超过两个彼此直接稠合的芳族六元环的任何芳基或杂芳基基团。更优选地，取代基完全不具有存在彼此直接稠合的六元环的任何芳基或杂芳基基团。这种优选选项的原因是此类结构的低三重态能量。存在超过两个彼此直接稠合的芳族六元环但尽管如此根据本发明也合适的稠合芳基基团为菲和联三苯叉，因为这些化合物也具有高三重态能级。
在本发明的另一个优选实施方式中，例如式(Ia)和/或(Ib)的结构以及引用这些式的这一个或多个结构的优选实施方式中的R2在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，具有1至10个碳原子、优选具有1、2、3或4个碳原子的脂族烃基基团，或具有5至30个芳族环原子、优选5至24个芳族环原子、更优选5至13个芳族环原子并且可被一个或多个各自具有1至4个碳原子的烷基基团取代但优选未被取代的芳族或杂芳族环系。
在本发明的另一个优选实施方式中，例如式(Ia)和/或(Ib)的结构以及引用这些式的这一个或多个结构的优选实施方式中的R3在每种情况下相同或不同，并且选自H，D，F，CN，具有1至10个碳原子、优选具有1、2、3或4个碳原子的脂族烃基基团，或具有5至30个芳族环原子、优选5至24个芳族环原子、更优选5至13个芳族环原子并且可被一个或多个各自具有1至4个碳原子的烷基基团取代但优选未被取代的芳族或杂芳族环系。
特别优选具有式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)、(IV-1)至(IV-24)、(V-1)至(V-32)、(VI-1)至(VI-8)、(VII-1)至(VII-8)、(VIII-1)至(VIII-10)、(IX-1)至(IX-8)、(X-1)至(X-8)、(XI-1)至(XI-10)的结构的本发明化合物，其中总共不超过4个、优选不超过2个式X的基团不是CH或CD，其中至少一个R基团包括电子传输基团，优选三嗪基团，更优选式(L1-Z)的基团，其中Z表示式(Z-48)、(Z-49)、(Z-50)或(Z-51)的基团，更优选式(Z-48)的基团，具有以下性质：
Figure BDA0004000667950001021
特别优选具有式(Ia)、(Ib)、(II-1)至(II-16)、(IV-1)至(IV-24)、(V-1)至(V-32)、(VI-1)至(VI-8)、(VII-1)至(VII-8)、(VIII-1)至(VIII-10)、(IX-1)至(IX-8)、(X-1)至(X-8)、(XI-1)至(XI-10)的结构的本发明化合物，其中总共不超过4个、优选不超过2个式X的基团不是CH或CD，其中至少一个R基团包括稠合芳族环系，优选蒽、菲、联三苯叉基团，更优选式(L1-Z)的基团，其中Z表示式(Z-78)、(Z-79)、(Z-80)的基团，具有以下性质：
Figure BDA0004000667950001031
合适的本发明化合物的实例为下式1至432的结构，如下所示：
Figure BDA0004000667950001032
Figure BDA0004000667950001041
Figure BDA0004000667950001051
Figure BDA0004000667950001061
Figure BDA0004000667950001071
Figure BDA0004000667950001081
Figure BDA0004000667950001091
Figure BDA0004000667950001101
Figure BDA0004000667950001111
Figure BDA0004000667950001121
Figure BDA0004000667950001131
Figure BDA0004000667950001141
Figure BDA0004000667950001151
Figure BDA0004000667950001161
Figure BDA0004000667950001171
Figure BDA0004000667950001181
Figure BDA0004000667950001191
Figure BDA0004000667950001201
Figure BDA0004000667950001211
Figure BDA0004000667950001221
Figure BDA0004000667950001231
Figure BDA0004000667950001241
Figure BDA0004000667950001251
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实施例详述了本发明化合物的优选实施方式，出于本发明的所有目的，这些化合物可单独或与其它化合物组合。
上述优选实施方式可以根据需要彼此组合，条件是满足权利要求1所述的条件。在本发明的一个特别优选的实施方式中，上述优选实施方式同时适用。
原则上可通过各种方法制备本发明化合物。然而，已经发现下文所述的方法特别合适。
因此，本发明还提供了一种制备包括式(Ia)和/或(Ib)的结构的化合物的方法，其中在偶联反应中，包含至少一个含氮杂环基团的化合物与包含至少一个芳族或杂芳族基团的化合物连接。
包含至少一个含氮杂环基团的合适的化合物多数情况下商购获得，实施例详述的起始化合物可通过已知方法获得，因此参考了已知方法。
包含至少一个含氮杂环基团的化合物可以通过已知的偶联反应与其它芳基或杂芳基化合物反应，用于此目的的必要条件是本领域技术人员已知的，实施例中的详细说明有助于本领域技术人员进行这些反应。
导致C-C键形成和/或C-N键形成的所有特别合适且优选的偶联反应是根据BUCHWALD、SUZUKI、YAMAMOTO、STILLE、HECK、NEGISHI、SONOGASHIRA和HIYAMA的那些。这些反应广为人知，实施例将为本领域技术人员提供进一步指导。
上文详述的制备方法的原理原则上可从关于类似化合物的文献中获知，本领域技术人员可以容易地加以调整以制备本发明化合物。其它信息可见于实施例。
通过这些方法，如有必要，则继以纯化，例如重结晶或升华后，可以获得高纯度，优选超过99％(通过1H NMR和/或HPLC测定)的包含式(Ia)和/或(Ib)结构的本发明化合物。
本发明化合物还可以具有合适的取代基，例如被相对较长的烷基基团(约4至20个碳原子)，尤其是支链烷基基团，或者任选取代的芳基基团，例如二甲苯基、均三甲苯基或支链三联苯基或四联苯基基团取代，从而在标准有机溶剂中具有溶解度，使得所述化合物在室温下可溶于甲苯或二甲苯，例如以足够从溶液中处理化合物的浓度。这些可溶性化合物特别良好地适合于从溶液中处理，例如通过印刷方法。此外，应当强调，包含至少一个式(Ia)和/或(Ib)的结构的本发明化合物在这些溶剂中的溶解度已经得到了增强。
本发明化合物还可以与聚合物混合。同样可将这些化合物共价并入聚合物中。被反应性离去基团如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯或者被反应性可聚合基团如烯烃或氧杂环丁烷取代的化合物尤其可行。这些可以用作制造相应低聚物、树枝状大分子或聚合物的单体。低聚或聚合优选经由卤素官能度或硼酸官能度或经由可聚合基团实现。此外可行的是经由这种基团使聚合物交联。本发明的化合物和聚合物可以交联或未交联层的形式使用。
因此，本发明还提供了含有一个或多个上文详述的式(Ia)和/或(Ib)结构或本发明化合物的低聚物、聚合物或树枝状大分子，其中存在一个或多个本发明的化合物中或者式(Ia)和/或(Ib)的结构中与所述聚合物、低聚物或树枝状大分子连接的键。根据式(Ia)和/或(Ib)的结构或化合物的连接，这些因此形成了低聚物或聚合物的侧链或在主链内键合。所述聚合物、低聚物或树枝状大分子可以是共轭的、部分共轭的或非共轭的。所述低聚物或聚合物可以是线性的、支化的或树枝状的。关于低聚物、树枝状大分子和聚合物中的本发明化合物的重复单元，适用与上文所述相同的优选特征。
为了制备所述低聚物或聚合物，使本发明的单体均聚或与其它单体共聚。优选共聚物，其中式(Ia)和/或(Ib)的单元或上下文所述的优选实施方式以0.01至99.9摩尔％、优选5至90摩尔％、更优选20至80摩尔％的范围存在。形成聚合物基础骨架的合适且优选的共聚单体选自芴(例如根据EP 842208或WO 2000/022026)、螺二芴(例如根据EP 707020、EP894107或WO 2006/061181的)、对苯亚基(例如根据WO 92/18552的)、咔唑(例如根据WO2004/070772或WO 2004/113468的)、噻吩(例如根据EP 1028136的)、二氢菲(例如根据WO2005/014689的)、顺式和反式茚并芴(例如根据WO 2004/041901或WO 2004/113412的)、酮(例如根据WO 2005/040302的)、菲(例如根据WO 2005/104264或WO 2007/017066的)或者多个这些单元。所述聚合物、低聚物和树枝状大分子可以含有其它单元，例如空穴传输单元，尤其是基于三芳基胺的那些，和/或电子传输单元。
此外特别关注的是以高玻璃化转变温度为特征的本发明化合物。就此而言，尤其优选包含通式(Ia)和/或(Ib)的结构或上下文所述的优选实施方式的本发明化合物，根据DIN 51005(2005-08版)测得的玻璃化转变温度为至少70℃，更优选至少110℃，甚至更优选至少125℃，尤其优选至少150℃。
为了从液相加工本发明化合物，例如通过旋涂或通过印刷方法进行加工，需要本发明化合物的制剂。这些制剂可以是例如溶液、分散液或乳液。为此目的，可优选使用两种或更多种溶剂的混合物。合适且优选溶剂是例如甲苯、苯甲醚、邻二甲苯、间二甲苯或对二甲苯、苯甲酸甲酯、均三甲苯、萘满、邻二甲氧基苯、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二
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烷、苯氧基甲苯(尤其是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、2-甲基苯并噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯烷酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯并噻唑、苯甲酸丁酯、异丙基苯、环己醇、环己酮、环己基苯、十氢化萘、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚满、苯甲酸甲酯、NMP、对伞花烃、苯***、1,4-二异丙基苯、二苄醚、二乙二醇丁基甲基醚、三乙二醇丁基甲基醚、二乙二醇二丁基醚、三乙二醇二甲基醚、二乙二醇单丁基醚、三丙二醇二甲基醚、四乙二醇二甲基醚、2-异丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷、六甲基茚满或这些溶剂的混合物。
因此，本发明还提供了一种制剂，所述制剂包含本发明化合物和至少一种其它化合物。所述其它化合物可以例如是溶剂，尤其是上述溶剂之一或这些溶剂的混合物。所述其它化合物可以替代地为至少一种同样用于电子器件的其它有机或无机化合物，例如发光化合物，尤其是磷光掺杂剂，和/或其它基质材料。这种其它化合物还可以是聚合物。
因此，本发明还提供了一种组合物，所述组合物包含本发明化合物和至少一种其它有机功能材料。功能材料通常是引入在阳极和阴极之间的有机或无机材料。优选地，所述有机功能材料选自：荧光发光体、磷光发光体、多足发光体、表现出TADF(热激活延迟荧光)的发光体、主体材料、电子传输材料、电子注入材料、空穴传输材料、空穴注入材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料、宽带隙材料和n型掺杂剂。
在本发明的一个特定方面，本发明化合物可以用作基质材料，尤其是用于磷光发光体的基质材料，并且基质材料在多数情况下与其它基质材料组合使用。
因此，本发明还涉及一种组合物，所述组合物包含至少一种包括上下文所述的式(Ia)和/或(Ib)的结构或优选实施方式的化合物，以及至少一种其它基质材料。
本发明还提供了一种组合物，所述组合物包含至少一种包括上下文所述的至少一个式(Ia)和/或(Ib)的结构或优选实施方式的化合物，以及至少一种宽带隙材料，宽带隙材料被理解为意指US 7,294,849的公开意义上的材料。这些体系在电致发光器件中表现出了异常有利的性能数据。
优选地，所述其它化合物的带隙可以为2.5eV或更高，优选3.0eV或更高，非常优选3.5eV或更高。计算带隙的一种方法是经由最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)的能级。
经由量子化学计算确定所述材料的分子轨道，还尤其是最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)，其能级以及最低三重态T1的能量和最低激发单重态S1的能量。对于有机物质的计算，首先通过“基态/半经验/默认自旋/AM1/电荷0/自旋单重态”方法进行几何结构优化。随后，在优化的几何结构基础上实现了能量计算。这使用“TD-SCF/DFT/默认自旋/B3PW91”方法并用“6-31G(d)”基组(电荷0，自旋单重态)进行。从能量计算获得以哈特里计的HOMO能级HEh或LUMO能级LEh。这用于确定如下通过循环伏安法测量值校准的以电子伏特计的HOMO和LUMO能级：
HOMO(eV)＝((HEh*27.212)-0.9899)/1.1206
LUMO(eV)＝((LEh*27.212)-2.0041)/1.385
在本申请的上下文中，这些值被视为材料的HOMO和LUMO能级。
最低三重态T1定义为具有最低能量的三重态能量，其显而易见由所述量子化学计算产生。
最低激发单重态S1定义为具有最低能量的激发单重态能量，其显而易见由所述量子化学计算产生。
本文所述的方法与所用的软件包无关并且始终给出相同的结果。经常用于此目的的程序的实例为“Gaussian09W”(高斯公司)和Q-Chem4.1(Q-Chem公司)。
本发明还涉及一种组合物，所述组合物包含至少一种包括上下文所述的式(Ia)和/或(Ib)的结构或优选实施方式的化合物以及至少一种磷光发光体，术语“磷光发光体”还理解为意指磷光掺杂剂。
包含基质材料和掺杂剂的体系中的掺杂剂理解为意指混合物中具有较小比例的组分。相应地，包含基质材料和掺杂剂的体系中的基质材料理解为意指混合物中具有较大比例的组分。
用于基质体系、优选混合基质体系中的优选磷光掺杂剂是下文指定的优选磷光掺杂剂。
术语“磷光掺杂剂”通常涵盖其中通过自旋禁阻跃迁，例如从激发三重态或具有更高自旋量子数的状态(例如五重态)跃迁来实现发光的化合物。
合适的磷光化合物(＝三重态发光体)尤其是这样的化合物：其在受到适当激发时发光，优选在可见区内发光，并且还含有至少一个原子序数大于20、优选大于38且小于84、更优选大于56且小于80的原子，尤其是具有该原子序数的金属的化合物。优选所用的磷光发光体是含有铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕的化合物，尤其是含有铱或铂的化合物。在本发明的上下文中，所有含上述金属的发光化合物都被认为是磷光化合物。
上述发光体的实例可见于以下申请中：WO 00/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373、US 2005/0258742、WO 2009/146770、WO 2010/015307、WO 2010/031485、WO 2010/054731、WO 2010/054728、WO 2010/086089、WO 2010/099852、WO 2010/102709、WO 2011/032626、WO 2011/066898、WO 2011/157339、WO 2012/007086、WO 2014/008982、WO 2014/023377、WO 2014/094961、WO 2014/094960、WO 2015/036074、WO 2015/104045、WO 2015/117718、WO 2016/000803、WO 2016/124304、WO 2016/015815、WO 2017/032439、WO 2018/019687、WO 2018/019688、WO 2018/041769、WO 2018/054798、WO 2018/069196、WO 2018/069197和WO 2018/069273。一般来说，根据现有技术且如有机电致发光领域的技术人员已知的用于磷光OLED的所有磷光络合物都合适，本领域技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下使用其它磷光络合物。
下表举出了磷光掺杂剂的明确实例：
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在本发明的一个具体方面，本发明化合物可以用作空穴阻挡材料，优选用于空穴阻挡层，其中用作空穴阻挡材料的本发明化合物包含至少一个电子传输基团。在一个优选实施方式中，用作空穴阻挡材料的本发明化合物包含比电子传输基团少的空穴传输基团，更优选不含空穴传输基团。
上述包括式(Ia)和/或(Ib)结构的化合物或上文详述的优选实施方式可以优选地用作电子器件中的活性组分。电子器件理解为意指包括阳极、阴极以及在阳极和阴极之间的至少一个层的任何器件，所述层包含至少一种有机化合物或有机金属化合物。因此，本发明的电子器件包含阳极、阴极以及至少一个含有至少一种包括式(Ia)和/或(Ib)结构的化合物的中间层。这里优选的电子器件选自：有机电致发光器件(OLED、PLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)、有机电传感器、发光电化学电池(LEC)、有机激光二极管(O-激光器)和有机等离子体发光器件(D.M.Koller等人,Nature Photonics 2008,1-4)，优选有机电致发光器件(OLED、PLED)，尤其是磷光OLED，所述电子器件包含在至少一个层中含有至少一种包括式(Ia)和/或(Ib)结构的化合物。特别优选有机电致发光器件。活性组分一般是引入在阳极和阴极之间的有机或无机材料，例如电荷注入材料、电荷传输材料或电荷阻挡材料，但是尤其是发光材料和基质材料。
本发明的一个优选实施方式是有机电致发光器件。所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和至少一个发光层。除了这些层以外，它还可以包括其它层，例如在每种情况下，一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层、电子阻挡层、电荷产生层和/或有机或无机p/n结。同时，一个或多个空穴传输层可以是p型掺杂的，例如掺杂有金属氧化物如MoO3或WO3或者掺杂有(全)氟化缺电子芳族体系，和/或一个或多个电子传输层被n型掺杂。同样，可以在两个发光层之间引入中间层，这些中间层具有例如激子阻挡功能和/或控制电致发光器件的电荷平衡。然而，应当指出，这些层中不必每一个都需要存在。
在这种情况下，有机电致发光器件可以含有一个发光层，或者它可以含有多个发光层。如果存在多个发光层，则这些发光层优选地总共具有多个在380nm与750nm之间的发光峰值，使得总体结果是白色发光；换言之，在发光层中使用可以发荧光或发磷光的多种发光化合物。尤其优选三层体系，其中三个层表现出蓝色、绿色和橙色或红色发光(关于基本构造，参见例如WO 2005/011013)，或具有超过三个发光层的体系。所述体系还可以是混合体，其中一个或多个层发荧光，并且一个或多个其它层发磷光。
在本发明的一个优选实施方式中，所述有机电致发光器件包含含有式(Ia)和/或(Ib)的结构或上述优选实施方式的本发明化合物在一个或多个发光层中作为基质材料，优选作为电子传导基质材料，优选与其它基质材料，优选空穴传导基质材料组合。在本发明的另一个优选实施方式中，其它基质材料是空穴传输化合物。在本发明的另一个优选实施方式中，其它基质材料是电子传导化合物。在另一个优选实施方式中，其它基质材料是具有大带隙的化合物，其即使参与层中的空穴和电子传输，也不会达到显著程度。发光层包含至少一种发光化合物。
可以与式(Ia)和/或(Ib)或根据优选实施方式的化合物组合使用的合适的基质材料为芳族酮、芳族氧化膦或者芳族亚砜或砜，例如根据WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627或WO 2010/006680的；三芳基胺，尤其是单胺，例如根据WO 2014/015935的；咔唑衍生物，例如CBP(N,N-双咔唑基联苯)或公开在WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851中的咔唑衍生物；吲哚并咔唑衍生物，例如根据WO 2007/063754或WO 2008/056746的；茚并咔唑衍生物，例如根据WO 2010/136109和WO 2011/000455的；氮杂咔唑衍生物，例如根据EP 1617710、EP 1617711、EP1731584、JP 2005/347160的；双极性基质材料，例如根据WO 2007/137725的；硅烷，例如根据WO 2005/111172的；硼氮杂环戊熳或硼酸酯，例如根据WO 2006/117052的；三嗪衍生物，例如根据WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746的；锌络合物，例如根据EP652273或WO 2009/062578的；硅二氮杂环戊熳或硅四氮杂环戊熳衍生物，例如根据WO2010/054729的；磷二氮杂环戊熳衍生物，例如根据WO 2010/054730的；桥连咔唑衍生物，例如根据US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107、WO 2011/088877和WO 2012/143080的；联三苯叉衍生物，例如根据WO 2012/048781的；内酰胺，例如根据WO 2011/116865、WO 2011/137951或WO 2013/064206的；或4-螺咔唑衍生物，例如根据WO 2014/094963或迄今尚未公开的申请EP 14002104.9的。以比实际发光体更短的波长发光的其它磷光发光体同样可以作为共主体存在于混合物中。
优选的共主体材料为三芳基胺衍生物，尤其是单胺、茚并咔唑衍生物、4-螺咔唑衍生物、内酰胺和咔唑衍生物。
与本发明化合物一起用作共主体材料的优选三芳基胺衍生物选自以下式(TA-1)的化合物：
Figure BDA0004000667950001471
其中Ar1在每种情况下相同或不同并且是具有6至40个碳原子并在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系、具有5至60个芳族环原子并可被一个或多个R2基团取代的芳氧基基团，或具有5至60个芳族环原子并在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳烷基基团，其中两个或更多个相邻R2取代基可以任选地形成单环或多环的脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系，优选单环或多环的脂族环系，所述环系可被一个或多个R3基团取代，其中符号R2具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义。优选地，Ar1在每种情况下相同或不同，并且是具有5至24个、优选5至12个芳族环原子并在每种情况下可被一个或多个R2基团取代但优选未被取代的芳基或杂芳基基团。
合适的Ar1基团的实例选自苯基、邻联苯基、间联苯基或对联苯基、三联苯基(尤其是支化三联苯基)、四联苯基(尤其是支化四联苯基)、1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基、1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基、吡啶基、嘧啶基、1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基、1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基以及1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基，它们各自可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代。
优选地，Ar1基团在每种情况下相同或不同，并且选自上述R1-1至R1-177基团，更优选R1-1至R1-64。
在式(TA-1)的化合物的一个优选实施方式中，至少一个Ar1基团选自联苯基团，所述联苯基团可以是邻联苯基、间联苯基或对联苯基。在式(TA-1)的化合物的另一个优选实施方式中，至少一个Ar1基团选自芴基团或螺二芴基团，其中这些基团可以各自在1位、2位、3位或4位与氮原子键合。在式(TA-1)的化合物的又一个优选实施方式中，至少一个Ar1基团选自苯亚基或联苯基团，其中所述基团是邻位、间位或对位键合的基团，其被二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团或咔唑基团、尤其是二苯并呋喃基团取代，其中所述二苯并呋喃或二苯并噻吩基团经由1位、2位、3位或4位与所述苯亚基或联苯基团键合，其中所述咔唑基团经由1位、2位、3位或4位或者经由氮原子与所述苯亚基或联苯基团键合。
在式(TA-1)的化合物的一个特别优选的实施方式中，一个Ar1基团选自芴或螺二芴基团，尤其是4-芴或4-螺二芴基团，一个Ar1基团选自联苯基团(尤其是对联苯基团)或芴基团(尤其是2-芴基团)，第三个Ar1基团选自对苯亚基基团或对联苯基团，其被二苯并呋喃基团(尤其是4-二苯并呋喃基团)或咔唑基团(尤其是N-咔唑基团或3-咔唑基团)取代。
与本发明化合物一起用作共主体材料的优选茚并咔唑衍生物选自以下式(TA-2)的化合物：
Figure BDA0004000667950001491
其中Ar1和R1具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)和/或(TA-1)列出的定义。Ar1基团的优选实施方式是上文列出的结构R1-1至R1-177，更优选R1-1至R1-64。
式(TA-2)化合物的一个优选实施方式是以下式(TA-2a)的化合物：
Figure BDA0004000667950001492
其中Ar1和R1具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)和/或(TA-1)列出的定义。与茚并碳原子键合的两个R1基团优选相同或不同，并且是具有1至4个碳原子的烷基基团，尤其是甲基基团，或具有6至12个碳原子的芳族环系，尤其是苯基基团。更优选地，与茚并碳原子键合的两个R1基团是甲基基团。更优选地，与式(TA-2a)中的茚并咔唑基础骨架键合的取代基R1是H或咔唑基团，所述基团可以经由1、2、3或4位或经由氮原子，尤其是经由3位与茚并咔唑基础骨架键合。
与本发明化合物一起用作共主体材料的优选4-螺咔唑衍生物选自以下式(TA-3)的化合物：
Figure BDA0004000667950001501
其中Ar1和R1具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)和/或(Q-1)列出的定义。Ar1基团的优选实施方式是上文列出的结构R1-1至R1-177，更优选R1-1至R1-64。
式(TA-3)化合物的一个优选实施方式是以下式(TA-3a)的化合物：
Figure BDA0004000667950001511
其中Ar1和R1具有上文尤其是针对式(Ia)、(Ib)和/或(Q-1)列出的定义。Ar1基团的优选实施方式是上文列出的结构R1-1至R1-177，更优选R1-1至R1-64。
与本发明化合物一起用作共主体材料的优选内酰胺选自以下式(LAC-1)的化合物：
Figure BDA0004000667950001512
其中R1具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)列出的定义。
式(LAC-1)化合物的一个优选实施方式是以下式(LAC-1a)的化合物：
Figure BDA0004000667950001521
其中R1具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义。这里R1优选在每种情况下相同或不同，并且是H或具有5至40个芳族环原子并可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，其中R2可以具有上文尤其是针对式(Ia)和/或(Ib)给出的定义。最优选地，取代基R1选自H或具有6至18个芳族环原子、优选6至13个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，并且在每种情况下可被一个或多个非芳族R2基团取代，但优选未被取代。合适的取代基R1的实例选自苯基、邻联苯基、间联苯基或对联苯基、三联苯基(尤其是支化三联苯基)、四联苯基(尤其是支化四联苯基)、1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基、1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基、吡啶基、嘧啶基、1-二苯并呋喃基、2-二苯并呋喃基、3-二苯并呋喃基或4-二苯并呋喃基、1-二苯并噻吩基、2-二苯并噻吩基、3-二苯并噻吩基或4-二苯并噻吩基以及1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基或4-咔唑基，它们各自可被一个或多个R2基团取代，但优选未被取代。这里合适的R1结构是与上文针对R-1至R-177，更优选R1-1至R1-64所述相同的结构。
非常特别优选的共主体材料是双咔唑。
还可优选使用作为混合物的多种不同的基质材料，尤其是至少一种电子传导基质材料和至少一种空穴传导基质材料。同样优选使用电荷传输基质材料和电惰性基质材料的混合物，所述电惰性基质材料即使参与电荷传输也不显著，如在例如WO 2010/108579中所述。
更优选使用两种或更多种三重态发光体与基质的混合物。在这种情况下，具有较短波发光光谱的三重态发光体用作具有较长波发光光谱的三重态发光体的共基质。
更优选地，在一个优选实施方式中，包括式(Ia)和/或(Ib)结构的本发明化合物可以在有机电子器件，尤其是在有机电致发光器件的例如OLED或OLEC的发光层中的基质材料。在这种情况下，包括含有上下文所述的式(Ia)和/或(Ib)结构或优选实施方式的化合物的基质材料与一种或多种掺杂剂，优选磷光掺杂剂组合存在于电子器件中。
在这种情况下，发光层中基质材料的比例对于荧光发光层而言为50.0体积％至99.9体积％，优选为80.0体积％至99.5体积％，更优选为92.0体积％至99.5体积％，而对于磷光发光层而言为85.0体积％至97.0体积％。
相应地，掺杂剂的比例对于荧光发光层而言为0.1体积％至50.0体积％，优选为0.5体积％至20.0体积％，更优选为0.5体积％至8.0体积％，而对于磷光发光层而言为3.0体积％至15.0体积％。
有机电致发光器件的发光层还可以包含含有多种基质材料的体系(混合基质体系)和/或多种掺杂剂。同样在这种情况下，掺杂剂通常为体系中具有较小比例的那些材料，而基质材料为体系中具有较大比例的那些材料。然而，在个别情况下，体系中单一基质材料的比例可小于单一掺杂剂的比例。
在本发明的另一个优选实施方式中，包含上下文所述的式(Ia)和/或(Ib)的结构或优选实施方式的化合物用作混合基质体系的组分。所述混合基质体系优选包含两种或三种不同的基质材料，更优选两种不同的基质材料。优选地，在这种情况下，所述两种材料中的一种是具有空穴传输性质的材料，另一种材料是具有电子传输性质的材料。然而，混合基质组分的所需电子传输和空穴传输性质也可以主要或完全地合并在单一混合基质组分中，在这种情况下，其它混合基质组分满足其它功能。两种不同的基质材料可以以1:50至1:1、优选1:20至1:1、更优选1:10至1:1、最优选1:4至1:1的比率存在。优选在磷光有机电致发光器件中使用混合基质体系。关于混合基质体系的更详细信息的一个来源是申请WO 2010/108579。
本发明还提供了一种电子器件，优选有机电致发光器件，所述电子器件在一个或多个空穴传导层中包含一种或多种本发明的化合物和/或至少一种本发明的低聚物、聚合物或树枝状大分子作为空穴传导化合物。
在本发明的一个优选实施方式中，所述有机电致发光器件包含含有式(Ia)和/或(Ib)的结构或上文详述的优选实施方式的本发明化合物和/或至少一种本发明的低聚物、聚合物或树枝状大分子作为电子传导层中的电子传导化合物。
本发明还提供了一种电子器件，优选有机电致发光器件，所述电子器件在一个或多个电子传输层中包含一种或多种本发明的化合物和/或至少一种本发明的低聚物、聚合物或树枝状大分子，优选与具有高介电常数的材料，例如碱金属或碱土金属氟化物以及相应的氧化物或碳酸盐(例如LiF、Li2O、BaF2、MgO、NaF、CsF、Cs2CO3等)、镧系元素化合物(例如Yb2O3)或有机碱金属络合物，例如Liq(羟基喹啉锂)组合，特别优选有机碱金属络合物、优选Liq与本发明的化合物和/或本发明的低聚物、聚合物或树枝状大分子的组合。电子传输层中的两种不同的材料可以以1:50至50:1、优选1:10至10:1、更优选1:4至4:1、最优选1:2至2:1的比率存在。
本发明另外提供了一种电子器件，优选有机电致发光器件，所述电子器件在发光层中包含一种或多种本发明的化合物和/或至少一种本发明的低聚物、聚合物或树枝状大分子作为基质材料，优选与磷光发光体组合。
优选的阴极是具有低逸出功的金属、金属合金或多层结构，所述金属、金属合金或多层结构包含多种金属，例如碱土金属、碱金属、主族金属或镧系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)。此外合适的是包含碱金属或碱土金属和银的合金，例如包含镁和银的合金。在多层结构的情况下，除了所提到的金属以外，还可以使用具有相对较高的逸出功的其它金属，例如Ag，在这种情况下，一般使用例如金属的组合，如Mg/Ag、Ca/Ag或Ba/Ag。还可优选将具有高介电常数的材料的薄中间层引入金属阴极与有机半导体之间。就此目的而言有用的材料的实例为碱金属或碱土金属氟化物，以及相应的氧化物或碳酸盐(例如LiF、Li2O、BaF2、MgO、NaF、CsF、Cs2CO3等)。就此目的而言同样有用的是有机碱金属络合物，例如Liq(羟基喹啉锂)。此层的层厚度优选地在0.5nm和5nm之间。
优选的阳极是具有高逸出功的材料。优选地，所述阳极的逸出功相对于真空大于4.5eV。首先，具有高氧化还原电位的金属适合此目的，例如Ag、Pt或Au。其次，金属/金属氧化物电极(例如Al/Ni/NiOx、Al/PtOx)也可以是优选的。对于一些应用，所述电极中的至少一个必须是透明或部分透明的，以使得能够照射有机材料(O-SC)或发光(OLED/PLED、O-激光器)。这里优选的阳极材料是导电混合金属氧化物。特别优选氧化锡铟(ITO)或氧化铟锌(IZO)。还优选导电掺杂有机材料，尤其是导电掺杂聚合物，例如PEDOT、PANI或这些聚合物的衍生物。更优选p型掺杂空穴传输材料作为空穴注入层施加到阳极，在这种情况下，合适的p型掺杂剂是金属氧化物，例如MoO3或WO3，或(全)氟化缺电子芳族体系。其它合适的p型掺杂剂是HAT-CN(六氰基六氮杂联三苯叉)或来自Novaled的化合物NPD9。这样的层简化了在具有低HOMO(即，就量值而言大的HOMO)的材料中的空穴注入。
在其它层中，通常可以使用根据现有技术用于所述层的任何材料，本领域技术人员能够在不付出创造性劳动的情况下将这些材料中的任一种与本发明的材料在电子器件中组合。
由于此类器件的寿命在存在水和/或空气时会严重缩短，因此将所述器件相应地(根据应用)结构化、提供接触并最终气密密封。
此外优选一种电子器件，尤其是有机电致发光器件，其特征在于通过升华工艺涂覆一个或多个层。在这种情况下，在真空升华***中在通常低于10-5毫巴、优选低于10-6毫巴的初始压力下通过气相沉积来施加所述材料。初始压力还可甚至更低或甚至更高，例如低于10-7毫巴。
同样优选一种电子器件，尤其是有机电致发光器件，其特征在于通过OVPD(有机气相沉积)方法或借助载气升华来涂覆一个或多个层。在这种情况下，在10-5毫巴和1巴之间的压力下涂覆所述材料。这种方法的一个特例是OVJP(有机蒸气喷印)方法，其中所述材料通过喷嘴直接施加并因此结构化(例如M.S.Arnold等人,Appl.Phys.Lett.2008,92,053301)。
此外优选一种电子器件，尤其是有机电致发光器件，其特征在于从溶液制造一个或多个层，例如通过旋涂，或通过任何印刷方法例如丝网印刷、柔版印刷、胶板印刷或喷嘴印刷，但更优选LITI(光引发热成像、热转印)或喷墨印刷。为此目的，需要例如通过合适的取代获得的可溶性化合物。
所述电子器件，尤其是有机电致发光器件还可以通过从溶液施加一个或多个层并且通过气相沉积施加一个或多个其它层而制造为混合体系。例如，可以从溶液施加包含含有式(Ia)和/或(Ib)的结构的本发明化合物以及基质材料的发光层，并且在减压下通过气相沉积向其施加空穴阻挡层和/或电子传输层。
这些方法一般是本领域技术人员已知的，并且可以由本领域技术人员毫无困难地应用于包含含有上文详述的式(Ia)和/或(Ib)的结构或优选实施方式的本发明化合物的电子器件，尤其是有机电致发光器件。
与现有技术相比，本发明的电子器件，尤其是有机电致发光器件以如下令人惊讶的优点中的一个或多个著称：
1.包含具有上下文所述的式(Ia)和/或(Ib)的结构或优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子，尤其是作为主体材料或作为电子传导材料和/或空穴传导材料的电子器件，尤其是有机电致发光器件具有非常好的寿命。在这种情况下，这些化合物尤其会带来低滚降，即所述器件在高亮度下的功率效率下降幅度小。
2.包含具有上下文所述的式(Ia)和/或(Ib)的结构或优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子作为电子传导材料、空穴传导材料和/或主体材料的电子器件，尤其是有机电致发光器件具有优异的效率。在这种情况下，具有上下文所述的式(Ia)和/或(Ib)的结构或优选实施方式的本发明化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子在用于电子器件时带来低工作电压。
3.包含具有上下文所述的式(Ia)和/或(Ib)的结构或优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子的电子器件，尤其是有机电致发光器件具有优异的色纯度。
4.具有上下文所述的式(Ia)和/或(Ib)的结构或优选实施方式的本发明化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子表现出极高的稳定性和寿命。
5.利用具有上下文所述的式(Ia)和/或(Ib)的结构或优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子，可以避免在电子器件，尤其是有机电致发光器件中形成光损耗通道。因此，这些器件的特征在于发光体的高PL效率和由此而来的高EL效率，以及基质对掺杂剂的优异能量传输。
6.在电子器件，尤其是有机电致发光器件的层中使用具有上下文所述的式(Ia)和/或(Ib)的结构或优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子导致电子导体结构的高迁移率。
7.具有上下文所述的式(Ia)和/或(Ib)的结构或优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子的特征在于优异的热稳定性，以及摩尔质量小于约1200g/mol的化合物具有良好的升华性。
8.具有上下文所述的式(Ia)和/或(Ib)的结构或优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子具有优异的玻璃膜形成。
9.具有上下文所述的式(Ia)和/或(Ib)的结构或优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子从溶液形成了极好的膜。
10.包括上下文所述的式(Ia)和/或(Ib)的结构或优选实施方式的化合物、低聚物、聚合物或树枝状大分子具有令人惊讶的高三重态水平T1。
这些上述优点不伴随其它电子特性的劣化。
本发明的化合物和混合物适合用于电子器件。这里电子器件应理解为意指含有至少一个层的器件，所述至少一个层含有至少一种有机化合物。然而，所述组分还可以包含无机材料或完全由无机材料形成的层。
因此，本发明还提供了本发明化合物或混合物在电子器件中，尤其是在有机电致发光器件中的用途，优选作为空穴传输材料、电子传输材料或主体材料，更优选作为红色磷光化合物的主体材料。
本发明还提供了本发明的化合物和/或本发明的低聚物、聚合物或树枝状大分子在电子器件作为磷光发光体的主体材料、电子传输材料和/或空穴传输材料的用途，优选作为红色或绿色磷光化合物的主体材料或作为具有荧光发光体的有机电致发光器件中的空穴传输材料或电子传输材料。
本发明还提供了本发明的化合物和/或本发明的低聚物、聚合物或树枝状大分子在电子器件中作为电子传输层的一部分的用途，尤其是与具有高介电常数的材料组合。
本发明还提供了一种电子器件，所述电子器件包含至少一种上文详述的本发明的化合物或混合物。在这种情况下，上文针对化合物详述的优选选项还适用于所述电子器件。更优选地，所述电子器件选自有机电致发光器件(OLED、PLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)、有机电传感器、发光电化学电池(LEC)、有机激光二极管(O-激光器)和有机等离子体发光器件(D.M.Koller等人,Nature Photonics 2008,1-4)，优选有机电致发光器件(OLED、PLED)，尤其是磷光OLED。
在本发明的另一个实施方式中，本发明的有机电致发光器件不含有任何单独的空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴阻挡层和/或电子传输层，意指发光层直接邻接空穴注入层或阳极，和/或发光层直接邻接电子传输层或电子注入层或阴极，如例如在WO 2005/053051中所述。此外可以使用与发光层中的金属络合物相同或相似的金属络合物作为直接邻接发光层的空穴传输或空穴注入材料，如例如在WO 2009/030981所述。
在本发明的有机电致发光器件的其它层中，可以使用根据现有技术通常使用的任何材料。因此，本领域技术人员能够在不付出创造性劳动的情况下使用已知用于有机电致发光器件的任何材料与式(Ia)和/或(Ib)或根据优选实施方式的本发明化合物组合。
本发明化合物在用于有机电致发光器件中时通常具有非常好的性能。尤其在本发明化合物用于有机电致发光器件中的情况下，与根据现有技术的类似化合物相比，寿命显著更好。同时，所述有机电致发光器件的其它性能，尤其是效率和电压，同样更好或至少相当。
应当指出，本发明的范围涵盖本发明所述的实施方式的变化。除非明确排除，否则本发明公开的任何特征都可以交换为用于相同目的或者等效或类似目的的可选特征。因此，除非另外说明，否则本发明公开的任何特征应当被视为通用系列的一个实例或者被视为等效或类似特征。
除非特定特征和/或步骤相互排斥，否则本发明的所有特征都可以以任何方式彼此组合。这对本发明的优选特征尤其如此。同样，非必要组合的特征可以单独(而非组合)使用。
还应当指出，许多特征，尤其是本发明的优选实施方式的那些特征，本身应当被认为是创造性的，而非仅作为本发明的一些实施方式。对于这些特征，可以作为任何目前要求保护的发明的补充或替代来寻求独立的保护。
本发明公开的技术教导可被提炼出来并与其它实施例组合。
通过以下实施例详细地示例了本发明，无意由此限制本发明。
本领域技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下使用所给出的细节来制造本发明的其它电子器件，并因此在整个要求保护范围内实施本发明。
合成实施例
a)2-(4-氯苯基)-3-苯基喹啉-4-甲酸
Figure BDA0004000667950001611
在1L烧瓶中，将14.0g(93.3mmol；1.00当量；98％纯)靛红[CAS91-56-5]、24.2g(103mmol；1.10当量)1-(4-氯苯基)-2-苯基乙酮[CAS1889-71-0]和15.7g(280mmol；3.00当量)氢氧化钾粉末[CAS 1310-58-3]悬浮在630mL乙醇[CAS 64-17-5]中。在100℃下将反应混合物搅拌48小时。冷却至室温后，在减压下除去溶剂。将残余物溶解在200mL乙酸乙酯[CAS 141-78-6]和200mL水中，进行相分离。用水(2×100mL)萃取有机相后，用乙酸乙酯(3×100mL)洗涤所合并的水相。用25mL发烟盐酸[CAS 7647-01-0]将水相调节至pH＝1，滤出沉淀的固体。随后用乙醇洗涤后，获得白色固体形式的22.5g(62.7mmol；理论值的67％)产物。
可以类似地获得以下化合物：
Figure BDA0004000667950001612
Figure BDA0004000667950001621
b)6-(4-氯苯基)茚并[1,2-c]喹啉-11-酮
Figure BDA0004000667950001622
在500mL烧瓶中，将21.0g(58.4mmol；1.00当量)2-(4-氯苯基)-3-苯基喹啉-4-羧酸和32.1mL(350mmol；6.00当量)磷酰氯[CAS 10025-87-3]溶解在183mL氯苯[CAS 108-90-7]中并加热至150℃后持续24小时。检查转化率后，将反应混合物冷却降至室温，加入8.17g(61.3mmol；1.05当量)无水氯化铝[CAS 7446-70-0]，将混合物加热至回流后持续3小时。冷却之后，使反应混合物在冰水中沉淀。倒掉水，向粗产物加入乙醇。滤出产生的固体并干燥。15.53g(44.9mmol；理论值的77％)的产物被转化，没有进行进一步纯化。
可以类似地获得以下化合物：
Figure BDA0004000667950001631
Figure BDA0004000667950001641
c)11-联苯-2-基-6-(4-氯苯基)-11H-茚并[1,2-c]喹啉-11-醇
Figure BDA0004000667950001642
在500mL烧瓶中，在保护气体下，将13.0g(53.3mmol；1.24当量)2-溴联苯[CAS2052-07-5]溶解在80mL无水THF[CAS 109-99-9]中并冷却至-76℃。然后滴加20.7mL(2.5mol/L；51.7mmol；1.20当量)正丁基锂[CAS 109-72-8]，将混合物再搅拌1小时。在-40℃将14.8g(43.1mmol，1.00当量)6-(4-氯苯基)茚并[1,2-c]喹啉-11-酮在370mL无水THF[CAS 109-99-9]中的悬浮液滴加到该混合物中。使所得混合物逐渐升温至室温，再搅拌72小时。通过加入100mL水淬灭反应物，分离所得相。用乙酸乙酯(3×150mL)[CAS 141-78-6]萃取水相后，用水(3×150mL)洗涤所合并的有机相。在减压下浓缩有机相，在庚烷[CAS142-82-5]中沉淀。借助于柱色谱法纯化粗产物，得到7.65g(15.4mmol；理论值的36％)固体形式的产物。
可以类似地获得以下化合物：
Figure BDA0004000667950001643
Figure BDA0004000667950001651
Figure BDA0004000667950001661
d)6'-(4-氯苯基)螺[芴-9,11'-茚并[1,2-c]喹啉]
Figure BDA0004000667950001662
在500mL烧瓶中，将7.50g(15.1mmol；1.00当量)11-联苯-2-基-6-(4-氯苯基)-11H-茚并[1,2-c]喹啉-11-醇和28.8g(150mmol；10.0当量)甲苯磺酸一水合物[CAS 6192-52-5]悬浮在250mL甲苯[CAS 108-88-3]中，在115℃将混合物搅拌24小时。转化完毕后，将混合物冷却至室温，将反应溶液与水混合。相分离后，用二氯甲烷[CAS 75-09-2](3×150mL)萃取水相。用水(3×150mL)洗涤所合并的有机相。在旋转蒸发器上除去有机溶剂，干燥所得固体。7.00g产物(14.6mmol；理论值的97％)被转化，没有进行进一步纯化。
可以类似地获得以下化合物：
Figure BDA0004000667950001671
Figure BDA0004000667950001681
e)6'-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)苯基]螺[芴-9,11'-茚并[1,2-c]喹啉]
Figure BDA0004000667950001682
在500mL烧瓶中，在保护气体下，将6.34g(13.3mmol；1.00当量)6'-(4-氯苯基)螺[芴-9,11'-茚并[1,2-c]喹啉]和4.30g(16.9mmol；1.28当量)双(频哪醇合)二硼烷[CAS73183-34-3]溶解在200mL无水二
Figure BDA0004000667950001683
烷[CAS 123-91-1]中，将混合物脱气45分钟。随后，加入3.20g(32.6mmol；2.46当量)乙酸钾[CAS 127-08-2]和510mg(0.69mmol；0.05当量)双(三环己基膦)二氯化钯[CAS 29934-17-6]，将混合物加热至110℃过夜。转化完毕后，冷却至室温后，将300mL乙酸乙酯[CAS 141-78-6]和300mL水加入反应。相分离并用乙酸乙酯萃取水相后，浓缩所合并的有机相并用水洗涤。除去溶剂后，得到所期望的产物(7.60g；12.3mmol；理论值的93％)。
可以类似地获得以下化合物：
Figure BDA0004000667950001691
Figure BDA0004000667950001701
f)6'-[4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]螺[芴-9,11'-茚并[1,2-c]喹啉]
Figure BDA0004000667950001711
将7.00g(11.3mmol；1.05当量)6'-[4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)苯基]螺[芴-9,11'-茚并[1,2-c]喹啉]、2.89g(10.8mmol；1.00当量)2-氯-4,6-二苯基-[1,3,5]三嗪[CAS 3842-55-5]和8.04g(32.4mmol；3.00当量)磷酸三钾[CAS 7778-53-2]悬浮在75mL二
Figure BDA0004000667950001712
烷[CAS 123-91-1]、75mL甲苯[CAS 108-88-3]和75mL水中。向该悬浮液中加入121mg(0.54mmol；0.05当量)乙酸钯(II)[CAS 3375-31-3]和329mg(1.08mmol；0.10当量)三邻甲苯基膦[CAS 6163-58-2]，在回流下将反应混合物加热16小时。冷却后，除去溶剂并将残余物溶解在二氯甲烷[CAS 75-09-2]和水中，进行相分离。用二氯甲烷(2×150mL)萃取水相后，用水(2×150mL)洗涤所合并的有机相，然后浓缩至干燥。借助于Soxhlet萃取进行纯化，用乙酸乙酯[CAS 141-78-6]洗涤并真空升华，得到所期望的产物(1.78g；2.64mmol；理论值的24％)。
可以类似地获得以下化合物：
Figure BDA0004000667950001713
Figure BDA0004000667950001721
Figure BDA0004000667950001731
Figure BDA0004000667950001741
Figure BDA0004000667950001751
根据上述实施例可以得到式(Ia)的异喹啉衍生物，其中一些相应的异喹啉可商购获得，或这些可通过已知的反应，例如Bischler-Napieralski反应、Pictet-Gams反应或Pictet-Spengler反应获得。
OLED
本发明化合物可以用于有机电致发光器件，尤其是OLED。这些是通过本领域技术人员所熟知的方法进行制造和表征。含有本发明化合物的OLED与已知的OLED相比具有上述优点。使用本发明化合物尤其可以增强OLED的性能数据如电压、寿命、稳定性和效率。
OLED的一般制造工艺和OLED的表征：涂覆有结构化ITO(氧化锡铟)的50nm厚玻璃板形成了施加OLED的基底。
OLED基本上具有以下层结构：基底/空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL)/电子阻挡层(EBL)/发光层(EML)/电子传输层(ETL)/电子注入层(EIL)和最后的阴极。阴极由100nm厚的铝层形成。表1示出了可用于制造OLED的典型材料。
Figure BDA0004000667950001761
Figure BDA0004000667950001771
所有材料都是在真空室中通过热气相沉积施加。在这种情况下，发光层由至少一种基质材料(主体材料)和通过共蒸发以特定体积比例加入到基质材料中的发光掺杂剂(发光体)组成。以H:SEB(95％:5％)这样的形式给出的细节在这里意指材料H以95％的体积比例而SEB以5％的比例存在于层中。
以类似的方式，电子传输层和空穴注入层也由两种材料的混合物组成。
以标准方式对OLED进行表征。为此目的，测定了电致发光光谱、由呈现朗伯发光特性的电流-电压-亮度特性线(IUL特性线)计算作为亮度函数的外量子效率(EQE，以％度量)，以及测定了寿命。参数在10mA/cm2下的EQE是指在10mA/cm2下实现的外量子效率。参数在10mA/cm2下的U是指在10mA/cm2下的工作电压。寿命LT定义为在以恒定电流密度工作过程中，亮度从起始亮度下降到一定比例后的时间。LT80数值在这里意指所报告的寿命对应于亮度下降到其起始值的80％后的时间。在60或40mA/cm2下的数值在这里意指所述寿命是在60或40mA/cm2下测量。
发现含有本发明化合物的OLED具有极好的性能数据；特别地，它们与现有技术的可比OLED相比明显改善了寿命。此外，电压和效率都处于极高水平。
器件实施例：OLED的制造
通过根据WO 04/058911的一般方法制造本发明的OLED和根据现有技术的OLED，所述一般方法针对这里描述的情况进行了调整(改变了层厚度、材料)。
在下面的实施例(参见表2至表4)中，呈现了各种OLED的数据。所用的基底是涂覆有结构化ITO(氧化锡铟)的50nm厚玻璃基底。OLED基本上具有以下层结构：
-基底，
-ITO(50nm)，
-缓冲层(20nm)，
-空穴注入层(HTL 95％，HIL 5％)(20nm)，
-空穴传输层(HTL)(195nm)，
-发光层(EML)(20nm)，
-电子传输层(ETL 50％，EIL 50％)(30nm)，
-电子注入层(EIL)(1nm)，
-阴极。
阴极由100nm厚的铝层形成。通过旋涂施加的缓冲层是20nm厚的Clevios P VP AI4083(来源于Heraeus Clevios GmbH，Leverkusen)层。所有其余材料都是在真空室中通过热气相沉积施加。OLED的结构如表2所示。所用的材料如表4所示。
发光层始终由至少一种基质材料(主体＝H)和通过共蒸发以特定体积比例加入到所述基质材料中的发光掺杂剂(＝D)组成。以H:D(97％:3％)这样的形式给出的细节在这里意指材料H以97％的体积比例而D以3％的比例存在于层中。类似地，电子传输层还可以由两种材料的混合物组成。
以标准方式对OLED进行表征。为此目的，记录了电致发光光谱，由呈现朗伯发光特性的电流-电压-亮度特性线(IUL特性线)计算作为亮度函数的电流效率(以cd/A度量)和外量子效率(EQE，以百分比度量)，最后测定了组件的寿命。记录了在1000cd/m2亮度下的电致发光光谱，并由此计算CIE 1931x和y颜色坐标。参数在1000cd/m2下的EQE是指在1000cd/m2工作亮度下的外量子效率。寿命是起始亮度1000cd/m2下降5％前经过的时间，即在1000cd/m2下的LD95。针对各种OLED得到的数据整理在表3中。
使用本发明化合物作为OLED的电子传输材料
本发明的材料适合用作OLED的电子传输材料(ETL)并得到了优异的性能数据；参见实施例E1至E4。
Figure BDA0004000667950001791
Figure BDA0004000667950001792
Figure BDA0004000667950001801
Figure BDA0004000667950001802
Figure BDA0004000667950001811

Claims (19)

1.一种化合物，所述化合物包括至少一个式(Ia)和/或(Ib)结构，优选选自式(Ia)和/或(Ib)的化合物：
Figure FDA0004000667940000011
其中所用的符号如下：
X在每种情况下相同或不同并且是N或CR，优选CR；
Xa在每种情况下相同或不同并且是N或CRa，优选CRa；
Ra在每种情况下相同或不同并且是H，D，OH，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ara)2，N(R)2，C(＝O)Ara，C(＝O)R2，P(＝O)(Ara)2，P(Ara)2，B(Ara)2，B(OR)2，Si(Ara)3，Si(R)3，Ge(R)3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，它们各自可被一个或多个R基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被-RC＝CR-、-C≡C-、Si(R)2、Ge(R)2、Sn(R)2、C＝O、C＝S、-O-、-Se-、-S-、C＝Se、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR-、C＝NR、NR、P(＝O)(R)、SO或SO2代替，其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或者具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们各自可被一个或多个R基团取代，或者具有5至60个芳族环原子并可被一个或多个R基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或者具有5至60个芳族环原子并可被一个或多个R基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的Ra基团可彼此形成环系或者与R基团一起形成环系；
Ara在每种情况下相同或不同并且是具有5至30个芳族环原子并可被一个或多个优选非芳族的R基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合至同一硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个Ara基团还可以经由通过单键的桥连基或选自B(R)、C(R)2、Si(R)2、Ge(R)2、C＝O、C＝NR、C＝C(R)2、O、S、Se、S＝O、SO2、N(R)、P(R)和P(＝O)R的桥连基连接在一起；
R在每种情况下相同或不同并且是H，D，OH，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar)2，N(R1)2，C(＝O)Ar，C(＝O)R1，P(＝O)(Ar)2，P(Ar)2，B(Ar)2，B(OR1)2，Si(Ar)3，Si(R1)3，Ge(R1)3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，它们各自可被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被–R1C＝CR1-、-C≡C-、Si(R1)2、Ge(R1)2、Sn(R1)2、C＝O、C＝S、C＝Se、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR1-、C＝NR1、NR1、P(＝O)(R1)、-O-、-S-、-Se-、SO或SO2代替，其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或者具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们各自可被一个或多个R1基团取代，或者具有5至60个芳族环原子并可被一个或多个R1基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或者具有5至60个芳族环原子并可被一个或多个R1基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的R基团可以一起形成环系；
Ar在每种情况下相同或不同并且是具有5至30个芳族环原子并可被一个或多个优选非芳族的R1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合至同一硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个Ar基团还可以经由通过单键的桥连基或选自B(R1)、C(R1)2、Si(R1)2、Ge(R1)2、C＝O、C＝NR1、C＝C(R1)2、O、S、Se、S＝O、SO2、N(R1)、P(R1)和P(＝O)R1的桥连基连接在一起；
R1在每种情况下相同或不同并且是H，D，OH，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar1)2，N(R2)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R2，P(＝O)(Ar1)2，P(Ar1)2，B(Ar1)2，B(OR2)2，Si(Ar1)3，Si(R2)3，Ge(R2)3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，它们各自可被一个或多个R2基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被-R2C＝CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR2-、NR2、P(＝O)(R2)、-O-、-S-、-Se-、SO或SO2代替，其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或者具有5至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们各自可被一个或多个R2基团取代，或者具有5至40个芳族环原子并可被一个或多个R2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或者具有5至40个芳族环原子并可被一个或多个R2基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的R1基团可以一起形成环系；
Ar1在每种情况下相同或不同并且是具有5至30个芳族环原子并可被一个或多个优选非芳族的R2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合至同一硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个Ar1基团还可以经由通过单键的桥连基或选自B(R2)、C(R2)2、Si(R2)2、Ge(R2)2、C＝O、C＝NR2、C＝C(R2)2、O、S、Se、S＝O、SO2、N(R2)、P(R2)和P(＝O)R2的桥连基彼此连接；
R2在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，CN，B(OR3)2，NO2，C(＝O)R3，CR3＝C(R3)2，C(＝O)OR3，C(＝O)N(R3)2，Si(R3)3，Ge(R3)3，P(R3)2，B(R3)2，N(R3)2，NO2，P(＝O)(R3)2，OSO2R3，OR3，S(＝O)R3，S(＝O)2R3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，它们各自可被一个或多个R3基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被-R3C＝CR3-、-C≡C-、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝NR3、-C(＝O)O-、-C(＝O)NR3-、NR3、P(＝O)(R3)、-O-、-S-、-Se-、SO或SO2代替，其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或者具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R3基团取代的芳族或杂芳族环系，或者具有5至40个芳族环原子并可被一个或多个R3基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的取代基R2可彼此形成环系；
R3在每种情况下相同或不同并且选自H，D，F，CN，具有1至20个碳原子的脂族烃基基团，和具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I或CN代替并且其可被一个或多个烷基基团取代，所述烷基基团各自具有1至4个碳原子；同时，两个或更多个优选相邻的R3取代基可彼此形成环系。
2.根据权利要求1所述的化合物，所述化合物包括至少一个式(II-1)、(II-2)、(II-3)、(II-4)、(II-5)、(II-6)、(II-7)、(II-8)、(II-9)、(II-10)、(II-11)、(II-12)、(II-13)、(II-14)、(II-15)或(II-16)的结构，优选选自式(II-1)、(II-2)、(II-3)、(II-4)、(II-5)、(II-6)、(II-7)、(II-8)、(II-9)、(II-10)、(II-11)、(II-12)、(II-13)、(II-14)、(II-15)或(II-16)的化合物：
Figure FDA0004000667940000041
Figure FDA0004000667940000051
Figure FDA0004000667940000061
其中符号R和X具有权利要求1所给出的定义，p是0或1，Y表示B(R)、C(R)2、Si(R)2、C＝O、C＝NR、C＝C(R)2、O、S、Se、S＝O、SO2、N(R)、P(R)和P(＝O)R，优选B(R)、C(R)2、Si(R)2、O、S、Se、S＝O、SO2、N(R)、P(R)和P(＝O)R，其中当p＝0时，在所示的芳族或杂芳族环之间存在一个键，优选式(II-5)、(II-6)、(II-8)、(II-13)、(II-14)和(II-16)的结构，特别优选式(II-5)、(II-6)和(II-8)的结构。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，所述化合物包括至少一个式(III-1)、(III-2)、(III-3)、(III-4)、(III-5)、(III-6)、(III-7)、(III-8)、(III-9)、(III-10)、(III-11)、(III-12)、(III-13)、(III-14)、(III-15)或(III-16)的结构，优选选自式(III-1)、(III-2)、(III-3)、(III-4)、(III-5)、(III-6)、(III-7)、(III-8)、(III-9)、(III-10)、(III-11)、(III-12)、(III-13)、(III-14)、(III-15)或(III-16)的化合物：
Figure FDA0004000667940000071
Figure FDA0004000667940000081
其中符号R具有权利要求1所给出的定义，符号Y和p具有权利要求2所给出的定义，l为1、2、3、4或5，优选为0、1或2，m为0、1、2、3或4，优选为0、1、2或3，更优选为0、1或2，优选式(IIIe)、(IIIf)、(IIIh)、(IIIn)、(IIIo)和(IIIq)的结构。
4.根据上述权利要求中的至少一项所述的化合物，其特征在于所述化合物包括空穴传输基团，其中优选所述Ra基团中的一个或所述R基团中的一个包含空穴传输基团并且优选为空穴传输基团。
5.根据上述权利要求中的至少一项所述的化合物，所述化合物包含含电子传输基团的基团，其中优选所述Ra基团中的一个或所述R基团中的一个包含含电子传输基团的基团并且优选为含电子传输基团的基团。
6.根据上述权利要求中的至少一项所述的化合物，其特征在于式(Ia)、(Ib)、(II-1)、(II-2)、(II-3)、(II-4)、(II-5)、(II-6)、(II-7)、(II-8)、(II-9)、(II-10)、(II-11)、(II-12)、(II-13)、(II-14)、(II-15)、(II-16)、(III-1)、(III-2)、(III-3)、(III-4)、(III-5)、(III-6)、(III-7)、(III-8)、(III-9)、(III-10)、(III-11)、(III-12)、(III-13)、(III-14)、(III-15)或(III-16)中的至少一个Ra或R基团是可以由式L1-Z表示的基团，其中L1表示一个键或者具有5至40个、优选5至30个芳族环原子并可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，Z表示R1、Ar或者式Za或Zb的基团，其中符号Ar和R1具有权利要求1给出的定义，Za或Zb为
Figure FDA0004000667940000091
其中W在每种情况下相同或不同并且是具有5至30个芳族环原子并可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，氮原子，硼原子，磷原子或氧化膦基团，虚线键标记连接位置，符号Ar和R1具有权利要求1给出的定义。
7.根据权利要求6所述的化合物，所述化合物包括至少一个式(IV-1)、(IV-2)、(IV-3)、(IV-4)、(IV-5)、(IV-6)、(IV-7)、(IV-8)、(IV-9)、(IV-10)、(IV-11)、(IV-12)、(IV-13)、(IV-14)、(IV-15)、(IV-16)、(IV-17)、(IV-18)、(IV-19)、(IV-20)、(IV-21)、(IV-22)、(IV-23)或(IV-24)的结构，优选选自式(IV-1)、(IV-2)、(IV-3)、(IV-4)、(IV-5)、(IV-6)、(IV-7)、(IV-8)、(IV-9)、(IV-10)、(IV-11)、(IV-12)、(IV-13)、(IV-14)、(IV-15)、(IV-16)、(IV-17)、(IV-18)、(IV-19)、(IV-20)、(IV-21)、(IV-22)、(IV-23)或(IV-24)的化合物：
Figure FDA0004000667940000101
Figure FDA0004000667940000111
Figure FDA0004000667940000121
Figure FDA0004000667940000131
其中符号X表示N、CR，或者如果-L1-Z基团与X键合，则符号X表示C，符号R具有权利要求1给出的定义，所述-L1-Z基团具有权利要求6给出的定义。
8.根据权利要求6所述的化合物，所述化合物包括至少一个式(V-1)、(V-2)、(V-3)、(V-4)、(V-5)、(V-6)、(V-7)、(V-8)、(V-9)、(V-10)、(V-11)、(V-12)、(V-13)、(V-14)、(V-15)、(V-16)、(V-17)、(V-18)、(V-19)、(V-20)、(V-21)、(V-22)、(V-23)、(V-24)、(V-25)、(V-26)、(V-27)、(V-28)、(V-29)、(V-30)、(V-31)或(V-32)的结构，优选选自式(V-1)、(V-2)、(V-3)、(V-4)、(V-5)、(V-6)、(V-7)、(V-8)、(V-9)、(V-10)、(V-11)、(V-12)、(V-13)、(V-14)、(V-15)、(V-16)、(V-17)、(V-18)、(V-19)、(V-20)、(V-21)、(V-22)、(V-23)、(V-24)、(V-25)、(V-26)、(V-27)、(V-28)、(V-29)、(V-30)、(V-31)或(V-32)的化合物：
Figure FDA0004000667940000132
Figure FDA0004000667940000141
Figure FDA0004000667940000151
Figure FDA0004000667940000161
Figure FDA0004000667940000171
其中符号X表示N、CR，或者如果-L1-Z基团与X键合，则符号X表示C，符号R具有权利要求1给出的定义，符号Y和标记p具有权利要求2给出的定义，所述-L1-Z基团具有权利要求6给出的定义，其中Y优选为O或NR。
9.根据权利要求8所述的化合物，所述化合物包括至少一个式(VI-1)、(VI-2)、(VI-3)、(VI-4)、(VI-5)、(VI-6)、(VI-7)或(VI-8)的结构，优选选自式(VI-1)、(VI-2)、(VI-3)、(VI-4)、(VI-5)、(VI-6)、(VI-7)或(VI-8)的化合物：
Figure FDA0004000667940000181
Figure FDA0004000667940000191
其中符号X表示N、CR，或者如果-L1-Z基团与X键合，则符号X表示C，符号R具有权利要求1给出的定义，符号Y和标记p具有权利要求2给出的定义，所述-L1-Z基团具有权利要求6给出的定义，优选结构(VI-1)、(VI-2)、(VI-4)、(VI-5)、(VI-6)和(VI-8)，特别优选式(VI-1)、(VI-2)和(VI-4)的结构。
10.根据权利要求6至8中的至少一项所述的化合物，所述化合物包括至少一个式(VII-1)、(VII-2)、(VII-3)、(VII-4)、(VII-5)、(VII-6)、(VII-7)或(VII-8)的结构，优选选自式(VII-1)、(VII-2)、(VII-3)、(VII-4)、(VII-5)、(VII-6)、(VII-7)或(VII-8)的化合物：
Figure FDA0004000667940000201
其中符号X表示N、CR，或者如果-L1-Z基团与X键合，则符号X表示C，符号R具有权利要求1给出的定义，所述-L1-Z基团具有权利要求6给出的定义。
11.根据权利要求6至8中的至少一项所述的化合物，所述化合物包括至少一个式(VIII-1)、(VIII-2)、(VIII-3)、(VIII-4)、(VIII-5)、(VIII-6)、(VIII-7)、(VIII-8)、(VIII-9)或(VIII-10)的结构，优选选自式(VIII-1)、(VIII-2)、(VIII-3)、(VIII-4)、(VIII-5)、(VIII-6)、(VIII-7)、(VIII-8)、(VIII-9)或(VIII-10)的化合物：
Figure FDA0004000667940000211
Figure FDA0004000667940000221
其中符号X表示N、CR，或者如果-L1-Z基团与X键合，则符号X表示C，符号R具有权利要求1给出的定义，所述-L1-Z基团具有权利要求6给出的定义。
12.根据权利要求6至8中的至少一项所述的化合物，所述化合物包括至少一个式(IX-1)、(IX-2)、(IX-3)、(IX-4)、(IX-5)、(IX-6)、(IX-7)或(IX-8)的结构，优选选自式(IX-1)、(IX-2)、(IX-3)、(IX-4)、(IX-5)、(IX-6)、(IX-7)或(IX-8)的化合物：
Figure FDA0004000667940000231
Figure FDA0004000667940000241
其中符号X表示N、CR，或者如果-L1-Z基团与X键合，则符号X表示C，符号R具有权利要求1给出的定义，所述-L1-Z基团具有权利要求6给出的定义。
13.根据权利要求6至12中的至少一项所述的化合物，所述化合物包括至少一个式(XII-1)、(XII-2)、(XII-3)、(XII-4)、(XII-5)、(XII-6)、(XII-7)、(XII-8)、(XII-9)、(XII-10)、(XII-11)、(XII-12)、(XII-13)、(XII-14)、(XII-15)、(XII-16)、(XII-17)、(XII-18)、(XII-19)、(XII-20)、(XII-21)、(XII-22)、(XII-23)或(XII-24)的结构，优选选自式(XII-1)、(XII-2)、(XII-3)、(XII-4)、(XII-5)、(XII-6)、(XII-7)、(XII-8)、(XII-9)、(XII-10)、(XII-11)、(XII-12)、(XII-13)、(XII-14)、(XII-15)、(XII-16)、(XII-17)、(XII-18)、(XII-19)、(XII-20)、(XII-21)、(XII-22)、(XII-23)或(XII-24)的化合物：
Figure FDA0004000667940000242
Figure FDA0004000667940000251
Figure FDA0004000667940000261
Figure FDA0004000667940000271
其中符号R具有权利要求1给出的定义，符号Y和标记p具有权利要求2给出的定义，所述-L1-Z基团具有权利要求6给出的定义，l为1、2、3、4或5，优选为0、1或2，m为0、1、2、3或4，优选为0、1、2或3，更优选为0、1或2，n为0、1、2或3，优选为0、1或2，更优选为0或1，优选式(XII-1)至(XII-9)和(XII-13)至(XII-21)的结构。
14.一种低聚物、聚合物或树枝状大分子，所述低聚物、聚合物或树枝状大分子含有一种或多种根据权利要求1至13中的任一项所述的化合物，其中所述化合物具有一个或多个与所述聚合物、低聚物或树枝状大分子连接的键来代替氢原子或取代基。
15.一种组合物，所述组合物包含至少一种根据权利要求1至13中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求14所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子以及至少一种选自以下的其它化合物：荧光发光体、磷光发光体、表现出TADF(热激活延迟荧光)的发光体、主体材料、电子传输材料、电子注入材料、空穴传导材料、空穴注入材料、电子阻挡材料和空穴阻挡材料。
16.一种制剂，所述制剂包含至少一种根据权利要求1至13中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求14所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子或根据权利要求15所述的组合物以及至少一种溶剂。
17.一种根据权利要求1至13中的一项或多项所述的化合物、根据权利要求14所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子或根据权利要求15所述的组合物在电子器件中作为主体材料、优选作为红色磷光化合物的主体材料、空穴传输材料或电子传输材料的用途。
18.一种制备根据权利要求1至13中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求14所述的低聚物、聚合物和/或树枝状大分子的方法，其特征在于，在偶联反应中，包含至少一个含氮杂环基团的化合物连接到包含至少一个芳族或杂芳族基团的化合物。
19.一种电子器件，所述电子器件包含至少一种根据权利要求1至13中的一项或多项所述的化合物、根据权利要求14所述的低聚物、聚合物或树枝状大分子或根据权利要求15所述的组合物，其中所述电子器件优选选自有机电致发光器件、有机集成电路、有机场效应晶体管、有机薄膜晶体管、有机发光晶体管、有机太阳能电池、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件、发光电化学电池或有机激光二极管。
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