CN113745385A - 垂直结构led芯片及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 143
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 120
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 120
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 14
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 8
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- MNKMDLVKGZBOEW-UHFFFAOYSA-M lithium;3,4,5-trihydroxybenzoate Chemical compound [Li+].OC1=CC(C([O-])=O)=CC(O)=C1O MNKMDLVKGZBOEW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010956 nickel silver Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- LFZDAHRVLLCLMR-UHFFFAOYSA-N platinum silver titanium Chemical compound [Ti][Pt][Ag] LFZDAHRVLLCLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
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Abstract
公开了一种垂直结构LED芯片及其制造方法，垂直结构LED芯片包括：第一衬底；位于第一衬底的第一表面上且由下至上依次堆叠的键合层、反射镜层、第一欧姆接触层以及外延层，外延层包括位于第一欧姆接触层表面上且由下至上依次堆叠的第二半导体层、发光层、第一半导体层和本征半导体层；多个贯穿本征半导体层并露出第一半导体层表面的通孔；以及位于本征半导体层表面和通孔的侧壁底部的透明导电层和金属纳米线层。本申请通过在本征半导体层表面和多个通孔侧壁和底部设置电阻率低于本征半导体层的透明导电层和金属纳米线层，提升了电流注入的均匀性、且获得更好的电流扩展效果。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种垂直结构LED芯片及其制造方法。
背景技术
垂直结构LED芯片相比水平结构LED芯片具有高亮度的优势。一方面，垂直结构LED芯片是将外延层从绝缘和散热差的蓝宝石衬底转移到导电导热能力优异的键合衬底上，进而能承受更高的工作电流从而获得更高的亮度。另一方面，垂直结构LED芯片更容易将出光表面进行微纳加工，进而降低外延层和空气界面的全反射来增加光提取效率。目前垂直结构LED芯片主要包括垂直反极性(N电极向上)结构和垂直正极性(P电极向上)结构。
垂直反极性结构的LED芯片一般采用梳状电极结合n-GaN层来实现电流扩展的目的，但该方案在较高的电流密度下会造成较严重的电流拥堵现象，一般会采用电流阻挡层方案来缓解电流拥堵问题，但是电流阻挡层和N电极都会阻挡和吸收一部分的发光，最终导致垂直反极性结构的LED芯片光提取效率降低。
目前常采用垂直正极性结构的LED芯片设计来解决上述技术问题。但是垂直正极性结构的LED芯片需要采用同侧金属层方案，需要设计并制备复杂的金属--介质--金属叠对层方案，并且由于金属和介质之间必然有应力存在，在制造过程中尤其是键合和衬底转移过程中，应力调控会面临较大的技术挑战，即垂直正极性结构的LED芯片的制造过程复杂。
发明内容
本发明的目的在于提供一种垂直结构LED芯片及其制造方法，其垂直结构LED芯片为具备良好的电流扩展和均匀注入效果，以及更好的光提取效果的垂直反极性结构的LED芯片；并且垂直结构LED芯片的制造方法简单，相比垂直正极性结构的制造方案，降低了工艺复杂度；整面设置的第一欧姆接触层、反射镜层和键合层具有优良的导热能力，可以有效降低垂直结构LED芯片的热阻，有效提高垂直结构LED芯片的工艺良率和器件可靠性。
本申请提供了一种垂直结构LED芯片，包括：第一衬底；
位于所述第一衬底的第一表面上且由下至上依次堆叠的键合层、反射镜层、第一欧姆接触层以及外延层，所述外延层包括位于所述第一欧姆接触层表面上且由下至上依次堆叠的第二半导体层、发光层、第一半导体层和本征半导体层；
多个贯穿所述本征半导体层并露出所述第一半导体层表面的通孔；以及
位于所述本征半导体层表面和所述通孔的侧壁和底部的透明导电层和金属纳米线层。
可选地，所述通孔的直径为100纳米～10微米。
可选地，相邻所述通孔之间的孔间距为5微米～50微米。
可选地，所述多个通孔阵列排布，阵列形状为六边形、三角形、四边形或圆形阵列中的一种。
可选地，至少部分所述通孔之间的孔间距沿垂直结构LED芯片的中心向边缘区域均匀分布或渐变缩小。
可选地，所述透明导电层的材料为氧化铟锡、氧化锌铝或石墨烯中的一种或多种组合，所述透明导电层的透射率大于90％。
可选地，所述金属纳米线层的材料为银纳米线层、铝纳米线层、金纳米线层、铜纳米线层中的一种，所述金属纳米线层的透射率大于90％。
可选地，还包括：
第一电极，位于所述第一半导体层表面，且所述第一电极与所述第一半导体层之间还包括所述本征半导体层、所述透明导电层和所述金属纳米线层，且所述第一电极覆盖部分所述金属纳米线层的表面；以及
第二电极，位于所述第一衬底的第二表面。
可选地，还包括：
第一电极，位于所述第一半导体层表面；
第二电极，位于所述第一衬底的第二表面；以及
电流阻挡层，位于所述第一欧姆接触层与所述第二半导体层之间，且位于所述第一电极的下方并被所述第二半导体层覆盖，
其中，所述第一电极与所述第一半导体层之间还包括所述透明导电层和金属纳米线层，且所述第一电极覆盖部分所述金属纳米线层的表面。
可选地，所述第一电极为N电极，所述第二电极为P电极。
可选地，还包括：
钝化层，位于所述金属纳米线层的表面并露出所述第一电极，所述钝化层与所述透明导电层和所述外延层形成折射率渐变结构。
可选地，还包括：
电子阻挡层，位于所述发光层与所述第二半导体层之间。
可选地，还包括：
第一台阶，位于所述垂直结构LED芯片的四周，贯穿所述本征半导体层、所述第一半导体层、所述发光层、所述第二半导体层并暴露所述第一欧姆接触层的表面，所述第一台阶的侧壁与底部之间形成第一夹角，所述第一夹角为30°～60°，其中，所述钝化层还覆盖所述第一台阶的底部和侧壁。
可选地，所述第一电极为复合金属层，包括依次位于所述金属纳米线层表面的第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第一金属层的厚度为1纳米～100纳米，所述第二金属层和所述第三金属层的厚度均为100纳米～1微米。
可选地，所述第一金属层为铬层、钛层、钒层、铪层中的一种，所述第二金属层为铝、钛、铂、金材料中的一种或多种组合材料层，所述第三金属层为金层。
可选地，所述本征半导体层的表面为粗糙表面。
本申请还提供了一种垂直结构LED芯片的制造方法，包括：
在第一晶圆表面形成第一键合层，所述第一晶圆包括第二衬底以及位于所述第二衬底表面的外延层、第一欧姆接触层以及反射镜层，所述外延层包括依次位于所述第二衬底表面的本征半导体层、第一半导体层、发光层和第二半导体层；
在第一衬底的第一表面形成第二键合层；
通过所述第一键合层、所述第二键合层将所述第一晶圆与所述第一衬底键合在一起；
将所述第二衬底剥离；
形成多个贯穿所述本征半导体层并露出所述第一半导体层表面的通孔；以及
在所述本征半导体层表面和所述通孔的侧壁和底部形成透明导电层和金属纳米线层。
可选地，所述通孔的直径为100纳米～10微米。
可选地，相邻所述通孔之间的孔间距为5微米～50微米。
可选地，所述多个通孔阵列排布，阵列形状为六边形、三角形、四边形或圆形阵列中的一种。
可选地，至少部分所述通孔之间的孔间距相等或者沿垂直结构LED芯片的中心向边缘区域均匀分布或渐变缩小。
可选地，所述透明导电层的材料为氧化铟锡、氧化锌铝或石墨烯中的一种或多种组合，所述透明导电层的透射率大于90％。
可选地，所述金属纳米线层的材料为银纳米线层、铝纳米线层、金纳米线层、铜纳米线层中的一种，所述金属纳米线层的透射率大于90％。
可选地，还包括：
在所述第一半导体层表面形成第一电极，所述第一电极与所述第一半导体层之间还包括所述本征半导体层、所述透明导电层和所述金属纳米线层，且所述第一电极覆盖部分所述金属纳米线层的表面；以及
在所述第一衬底的第二表面形成第二电极。
可选地，还包括：
在所述第一半导体层表面形成第一电极；
在所述第一衬底的第二表面形成第二电极；以及
在所述第一欧姆接触层与所述第二半导体层之间形成电流阻挡层，且所述电流阻挡层位于所述第一电极的下方并被所述第二半导体层覆盖，
其中，所述第一电极与所述第一半导体层之间还包括所述透明导电层和金属纳米线层，且所述第一电极覆盖部分所述金属纳米线层的表面。
可选地，所述第一电极为N电极，所述第二电极为P电极。
可选地，还包括：
在所述金属纳米线层的表面形成露出所述第一电极的钝化层，所述钝化层与所述透明导电层和所述外延层形成折射率渐变结构。
可选地，还包括：
在所述发光层与所述第二半导体层之间形成电子阻挡层。
可选地，还包括：
在所述垂直结构LED芯片的四周形成第一台阶，所述第一台阶贯穿所述本征半导体层、所述第一半导体层、所述发光层、所述第二半导体层并暴露所述第一欧姆接触层的表面，所述第一台阶的侧壁与底部之间形成第一夹角，所述第一夹角为30°～60°，其中，所述钝化层还覆盖所述第一台阶的底部和侧壁。
可选地，所述第一电极为复合金属层，包括依次位于所述金属纳米线层表面的第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第一金属层的厚度为1纳米～100纳米，所述第二金属层和所述第三金属层的厚度均为100纳米～1微米。
可选地，所述第一金属层为铬层、钛层、钒层、铪层中的一种，所述第二金属层为铝、钛、铂、金材料中的一种或多种组合材料层，所述第三金属层为金层。
可选地，所述本征半导体层的表面为粗糙表面。
可选地，还包括：
在所述第二衬底与所述本征半导体层之间形成缓冲层，
其中，在将所述第二衬底剥离的过程中，对所述缓冲层进行分解，采用化学湿法腐蚀技术将所述缓冲层分解后的产物去除，以露出所述本征半导体层。
可选地，还包括：
采用晶圆切割技术切割并得到垂直结构LED芯片，所述晶圆切割技术为水导激光、激光表切或砂轮刀加工方式中的一种。
根据本发明实施例提供的垂直结构LED芯片，在本征半导体层表面和贯穿本征半导体层到达第一半导体层表面的多个通孔的侧壁和底部设置透明导电层和金属纳米线层。其中，本征半导体层为相对高阻半导体，透明导电层和金属纳米线层为相对低阻材料，透明导电层绝大部分为横向薄膜，位于通孔中的透明导电层起到向第一半导体层均匀注入电流的作用。进而利用第一半导体层的纵向相对高阻、透明导电层和金属纳米线层的横向相对低阻的特性，使得垂直结构的LED芯片的电流分布和扩展性能有效提升。
更进一步地，透明导电层和金属纳米线层皆具备高透射率特性，使得垂直结构LED芯片的发光表面具有优异的光透射率。
更进一步地，钝化层、透明导电层和外延层形成折射率渐变结构，从钝化层到外延层的折射率递增，能够实现更好的光提取效果。
根据本发明实施例提供的垂直结构LED芯片的制造方法，制造多个贯穿本征半导体层并到达第一半导体层表面的通孔，随后在整面本征半导体层上制备透明导电层、金属纳米线层，后续制备形成第一电极完成垂直反极性结构的LED芯片加工。该工艺避免了垂直正极性芯片复杂的工艺方案，显著降低了工艺困难度。且由于采用了多通孔本征半导体层、透明导电层和金属纳米线层，提升了发光层内的载流子分布均匀性，改善了外延效率降低的问题，使得垂直反极性LED芯片的电流分布和扩展性能得到了提升。
附图说明
通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
图1示出根据本发明实施例提供的垂直结构LED芯片的制造方法流程示意图；
图2a至2g示出根据本发明实施例提供的垂直结构LED芯片在制造过程中不同阶段的结构截面图；
图3示出了图2e所示的半导体结构的俯视图。
具体实施方式
以下将参照附图更详细地描述本发明的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。
本发明可以各种形式呈现，以下将描述其中一些示例。
图1示出根据本发明实施例提供的垂直结构LED芯片的制造方法流程示意图。图2a至2g示出根据本发明实施例提供的垂直结构LED芯片在制造过程中不同阶段的结构截面图。图3示出了图2e所示的半导体结构的俯视图。本实施例提供的制造方法是对整片晶圆操作的，为方便理解，附图仅仅示出一个垂直结构LED芯片单元。
如图1所示，垂直结构LED芯片的制造方法包括以下步骤。
步骤S110：在第一晶圆表面形成第一键合层，第一晶圆包括第二衬底以及位于第二衬底表面的外延层、第一欧姆接触层以及反射镜层。具体地，如图2a所示，首先在第二衬底110的表面上形成外延层120。外延层120的总厚度为5微米～10微米。进一步地，制备外延层120例如采用金属有机物化学气相沉积工艺在第二衬底110的第一表面上依次形成本征半导体层122、第一半导体层123、发光层124、第二半导体层126。在其他实施例中，例如还在第二衬底110表面形成缓冲层121，缓冲层121位于第二衬底110与本征半导体层122之间。在其他实施例中，例如还在发光层124和第二半导体层126之间形成电子阻挡层125。本文后续制造工艺在包括缓冲层121、本征半导体层122、第一半导体层123、发光层124、电子阻挡层125以及第二半导体层126的外延层中进行。
在可替代的实施例中，还可以采用激光辅助分子束外延、激光溅射或氢化物气相外延等工艺形成外延层120。其中，本征半导体层122为非掺杂的氮化镓材料层，第一半导体层123为第一掺杂类型(N型)的氮化镓材料层，发光层124例如为多量子阱(MQW，multiplequantum well)层，电子阻挡层125例如为第二掺杂类型(P型)的氮化铝镓材料层，第二半导体层126例如为第二掺杂类型(P型)的氮化镓材料层，其中，多量子阱层例如由氮化镓/氮化铟镓/氮化铝镓材料所组成。
第二衬底110包含但不限于镜面或微米级/纳米级图形化蓝宝石衬底中的一种，在优选的实施例中，第二衬底110为微米级图形化蓝宝石。在其他可替代的实施例中，第二衬底110为异质衬底的一种，第二衬底110还可以是氧化镓、碳化硅、硅、氧化锌、镓酸锂单晶衬底或耐高温金属衬底。第二衬底110的厚度为300微米～2毫米，第二衬底110的直径为1英寸～8英寸。
接着，在第二半导体层126的表面上依次形成第一欧姆接触层131和反射镜层132，进而形成第一晶圆。更进一步地，采用光刻、物理气相沉积工艺在第二半导体层126的表面上形成第二掺杂类型(P型)的第一欧姆接触层131以及在第一欧姆接触层131的表面上形成反射镜层132。第一欧姆接触层131例如为氧化铟锡，反射镜层132例如为银铂钛叠层。
之后在第二半导体层126表面形成第一欧姆接触层131以及在第一欧姆接触层131表面形成反射镜层132。
在可替代的实施例中，第一欧姆接触层131还可以是氧化锌铝(AZO)、氧化铟镓(GTO)、镍金、镍银、镍铝中的一种，第一欧姆接触层131的厚度为1纳米～200纳米。反射镜层132还可以是银层、铝层、镁层、铂层、铑层、金层中的一种，反射镜层132的厚度为60纳米～200纳米。
然后在反射镜层132远离第一欧姆接触层131的表面(第一晶圆的表面)形成第一键合层134。第一键合层134为铜、镍、银、金等高熔点金属和锡、铟等低熔点金属组成的二元共晶金属体系方案中的一种。第一键合层134例如为镍/锡二元金属层。
步骤S120：在第一衬底表面形成第二键合层。具体地，如图2b所示，在第一衬底210的表面上形成第二键合层144。第二键合层144为铜、镍、银、金等高熔点金属和锡、铟等低熔点金属组成的二元共晶金属体系方案中的一种。更进一步地，第一衬底210例如为直径4英寸、厚度200微米的铜钨金属衬底。第二键合层144例如为镍/锡二元金属层。在其他可替代的实施例中，第一衬底210可以是硅、铜、钼、钨、钼铜合金、铝硅合金衬底中的一种，第一衬底210的直径为1英寸～8英寸，第一衬底210的厚度为100微米～1微米。
步骤S130：通过第一键合层、第二键合层将第一晶圆与第一衬底键合在一起。具体地，如图2c所示，采用液相瞬态键合工艺，在温度约260℃的环境下将第一晶圆和第一衬底210键合在一起。
步骤S140：将第二衬底剥离。具体地，如图2d所示，通过衬底转移技术将第二衬底110剥离。更进一步地，衬底转移技术可以是激光剥离、化学机械减薄、化学湿法腐蚀、干法刻蚀中的一种或多种工艺的组合。更进一步地，在剥离过程中会对缓冲层121进行分解，采用化学湿法腐蚀技术将所述缓冲层分解后的产物去除，以露出本征半导体层122。例如采用直径为30微米的圆形小光斑的激光将缓冲层121剥离分解，进而剥离位于缓冲层121表面的第二衬底110，实现第二衬底110与外延层120的分离，并采用稀盐酸溶液腐蚀本征半导体层122的表面以去除缓冲层121分解形成的金属镓材料，进而得到如图2d所示的半导体结构。其中，激光为波长为266nm的紫外激光。
步骤S150：在外延层中形成第一台阶以及形成多个贯穿外延层中本征半导体层的通孔。具体地，如图2e以及图3所示，其中，图2e的为沿图3中AA线截面得到的半导体结构的截面示意图。为清楚起见，图3中未具体示出台阶154侧壁与底部形成第一夹角的俯视细节，台阶154侧壁与底部形成第一夹角的细节请见附图2e。采用光刻工艺和刻蚀工艺对去除了缓冲层121的外延层120的四周进行刻蚀以形成第一台阶154。具体的，依次刻蚀本征半导体层122、第一半导体层123、发光层124、电子阻挡层125和第二半导体层126以露出第一欧姆接触层131的表面。其中，第一台阶154的侧壁与底部(第一台阶154中的第一欧姆接触层131)的表面形成第一夹角，第一夹角为30°～60°，优选地，第一夹角为40°。在其他实施例中，还对本征半导体层122的表面进行粗化，例如采用浓度约为2mol/L的热氢氧化钾溶液腐蚀本征半导体层122以得到粗化表面。在其他实施例中，也可以采用湿法腐蚀或干法刻蚀形成粗化表面。
接着采用光刻和干法刻蚀工艺在外延层中形成阵列分布的多个通孔153。进一步地，例如采用ICP干法刻蚀工艺在本征半导体层122中除第一电极之外的区域刻蚀形成多个通孔153，通孔153的直径例如为100纳米～10微米，通孔153贯穿本征半导体层122并露出第一半导体层123表面。相邻通孔153之间的孔间距为5微米～50微米。多个通孔153所形成的阵列形状为六边形、三角形、四边形或圆形阵列中的一种。更进一步地，通孔153的截面形状例如为圆形，多个通孔153阵列排布的形状为四边形阵列。在其他实施例中，通孔153的截面形状例如还可以是六边形、四边形、三角形等。至少部分通孔153之间的孔间距沿垂直结构LED芯片的中心向边缘区域均匀分布或渐变缩小。
在其他实施例中，在形成通孔153的过程中还可以同时去除位于第一电极区域的本征半导体层122。进一步地，在该实例中还在如图2a所示的步骤中在形成外延层120之后在第一电极区域的第二半导体层126表面形成电流阻挡层(图中未示出)。更进一步，采用等离子体增强化学气相沉积法、光刻和湿法腐蚀工艺制备电流阻挡层。电流阻挡层覆盖部分第二半导体层126。之后在第二半导体层126和电流阻挡层表面形成第一欧姆接触层131以及在第一欧姆接触层131表面形成反射镜层132。
步骤S160：在外延层的本征半导体层表面和通孔的侧壁和底部依次形成透明导电层和金属纳米线层。具体地，如图2f所示，在如图2e所示的半导体结构的表面形成透明导电层161和金属纳米线层162。更进一步地，在本征半导体层122的表面和通孔153中形成透明导电层161，透明导电层161为氧化铟锡、氧化锌铝、石墨烯材料中的一种或多种组合，其透射率大于90％，折射率为1.8～2.0。透明导电层161的厚度为30纳米-200纳米。接着例如采用溶液模板法在透明导电层161表面形成金属纳米线层162，金属纳米线层为银纳米线层、铝纳米线层、金纳米线层、铜纳米线层中的一种，其透射率大于90％，折射率可以考虑不计。金属纳米线层162的厚度为100纳米-600纳米。其中，本征半导体层122为相对高阻半导体，透明导电层161和金属纳米线层162是相对低阻材料，透明导电层161绝大部分为横向薄膜，位于通孔153中的透明导电层161起到向第一半导体层123均匀注入电流的作用。进而利用第一半导体层123的纵向相对高阻、透明导电层161和金属纳米线层162的横向相对低阻的特性，使得垂直结构的LED芯片的电流分布和扩展性能有效提升。
步骤S170：形成第一电极、第二电极以及钝化层。具体地，如图2g所示，采用光刻工艺和电子束蒸发工艺在本征半导体层122的表面(第一电极区域所在的第一半导体层123的表面)形成第一电极(N电极)137，第一电极137与第一半导体层123之间还包括本征半导体层122、透明导电层161和金属纳米线层162，且第一电极137覆盖部分金属纳米线层162的表面。在其他实施例中，当在形成通孔153的过程中还同时去除位于第一电极区域的本征半导体层122时，也即第一电极137与第一半导体层123之间只包括透明导电层161和金属纳米线层162，此时还可以在形成外延层120之后在第一电极区域的第二半导体层126表面形成电流阻挡层，且电流阻挡层位于第一电极137的下方，其中第一电极137可以覆盖或者部分覆盖电流阻挡层。然后对第一衬底210远离第二键合层144的表面进行减薄，并在减薄的第一衬底210表面形成第二电极139(P电极)。第一电极137为复合金属层，包括依次位于金属纳米线层162表面的第一金属层、第二金属层和第三金属层。其中，第一金属层为铬层、钛层、钒层、铪层中的一种，第一金属层的厚度为1纳米～100纳米；第二金属层为铝、钛、铂、金材料中的一种或多种组合材料层，第三金属层为金层，第二金属层和第三金属层的厚度范围均为100纳米～1微米。
更进一步地，还包括形成钝化层。具体地，采用化学气相淀积工艺在剩余部分金属纳米线层162的表面、第一台阶154的侧壁和底部形成钝化层138，钝化层138暴露出第一电极137。钝化层138例如为二氧化硅层等绝缘材料。其中，钝化层138、透明导电层161和不包括缓冲层121的外延层形成折射率渐变结构，从钝化层138到外延层折射率递增，能够实现更好的光提取效果。透明导电层161和金属纳米线层162皆具备高透射率特性，使得垂直结构LED芯片的发光表面具有优异的光透射率。
接着采用晶圆切割技术得到多个垂直结构LED芯片，晶圆切割技术为水导激光、激光表切或砂轮刀加工方式中的一种，且切割方案为单面切割或双面切割中的一种。
依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
Claims (34)
1.一种垂直结构LED芯片，其中，包括：
第一衬底；
位于所述第一衬底的第一表面上且由下至上依次堆叠的键合层、反射镜层、第一欧姆接触层以及外延层，所述外延层包括位于所述第一欧姆接触层表面上且由下至上依次堆叠的第二半导体层、发光层、第一半导体层和本征半导体层；
多个贯穿所述本征半导体层并露出所述第一半导体层表面的通孔；以及
位于所述本征半导体层表面和所述通孔的侧壁和底部的透明导电层和金属纳米线层。
2.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其中，所述通孔的直径为100纳米～10微米。
3.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其中，相邻所述通孔之间的孔间距为5微米～50微米。
4.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其中，所述多个通孔阵列排布，阵列形状为六边形、三角形、四边形或圆形阵列中的一种。
5.根据权利要求4所述的垂直结构LED芯片，其中，至少部分所述通孔之间的孔间距沿垂直结构LED芯片的中心向边缘区域均匀分布或渐变缩小。
6.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其中，所述透明导电层的材料为氧化铟锡、氧化锌铝或石墨烯中的一种或多种组合，所述透明导电层的透射率大于90％。
7.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其中，所述金属纳米线层的材料为银纳米线层、铝纳米线层、金纳米线层、铜纳米线层中的一种，所述金属纳米线层的透射率大于90％。
8.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其中，还包括：
第一电极，位于所述第一半导体层表面，且所述第一电极与所述第一半导体层之间还包括所述本征半导体层、所述透明导电层和所述金属纳米线层，且所述第一电极覆盖部分所述金属纳米线层的表面；以及
第二电极，位于所述第一衬底的第二表面。
9.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其中，还包括：
第一电极，位于所述第一半导体层表面；
第二电极，位于所述第一衬底的第二表面；以及
电流阻挡层，位于所述第一欧姆接触层与所述第二半导体层之间，且位于所述第一电极的下方并被所述第二半导体层覆盖，
其中，所述第一电极与所述第一半导体层之间还包括所述透明导电层和金属纳米线层，且所述第一电极覆盖部分所述金属纳米线层的表面。
10.根据权利要求8或9所述的垂直结构LED芯片，其中，所述第一电极为N电极，所述第二电极为P电极。
11.根据权利要求8或9所述的垂直结构LED芯片，其中，还包括：
钝化层，位于所述金属纳米线层的表面并露出所述第一电极，所述钝化层与所述透明导电层和所述外延层形成折射率渐变结构。
12.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其中，还包括：
电子阻挡层，位于所述发光层与所述第二半导体层之间。
13.根据权利要求11所述的垂直结构LED芯片，其中，还包括：
第一台阶，位于所述垂直结构LED芯片的四周，贯穿所述本征半导体层、所述第一半导体层、所述发光层、所述第二半导体层并暴露所述第一欧姆接触层的表面，所述第一台阶的侧壁与底部之间形成第一夹角，所述第一夹角为30°～60°，其中，所述钝化层还覆盖所述第一台阶的底部和侧壁。
14.根据权利要求8或9所述的垂直结构LED芯片，其中，所述第一电极为复合金属层，包括依次位于所述金属纳米线层表面的第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第一金属层的厚度为1纳米～100纳米，所述第二金属层和所述第三金属层的厚度均为100纳米～1微米。
15.根据权利要求14所述的垂直结构LED芯片，其中，所述第一金属层为铬层、钛层、钒层、铪层中的一种，所述第二金属层为铝、钛、铂、金材料中的一种或多种组合材料层，所述第三金属层为金层。
16.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其中，所述本征半导体层的表面为粗糙表面。
17.一种垂直结构LED芯片的制造方法，其中，包括：
在第一晶圆表面形成第一键合层，所述第一晶圆包括第二衬底以及位于所述第二衬底表面的外延层、第一欧姆接触层以及反射镜层，所述外延层包括依次位于所述第二衬底表面的本征半导体层、第一半导体层、发光层和第二半导体层；
在第一衬底的第一表面形成第二键合层；
通过所述第一键合层、所述第二键合层将所述第一晶圆与所述第一衬底键合在一起；
将所述第二衬底剥离；
形成多个贯穿所述本征半导体层并露出所述第一半导体层表面的通孔；以及
在所述本征半导体层表面和所述通孔的侧壁和底部形成透明导电层和金属纳米线层。
18.根据权利要求17所述的制造方法，其中，所述通孔的直径为100纳米～10微米。
19.根据权利要求17所述的制造方法，其中，相邻所述通孔之间的孔间距为5微米～50微米。
20.根据权利要求17所述的制造方法，其中，所述多个通孔阵列排布，阵列形状为六边形、三角形、四边形或圆形阵列中的一种。
21.根据权利要求20所述的制造方法，其中，至少部分所述通孔之间的孔间距相等或者沿垂直结构LED芯片的中心向边缘区域均匀分布或渐变缩小。
22.根据权利要求17所述的制造方法，其中，所述透明导电层的材料为氧化铟锡、氧化锌铝或石墨烯中的一种或多种组合，所述透明导电层的透射率大于90％。
23.根据权利要求17所述的制造方法，其中，所述金属纳米线层的材料为银纳米线层、铝纳米线层、金纳米线层、铜纳米线层中的一种，所述金属纳米线层的透射率大于90％。
24.根据权利要求17所述的制造方法，其中，还包括：
在所述第一半导体层表面形成第一电极，所述第一电极与所述第一半导体层之间还包括所述本征半导体层、所述透明导电层和所述金属纳米线层，且所述第一电极覆盖部分所述金属纳米线层的表面；以及
在所述第一衬底的第二表面形成第二电极。
25.根据权利要求17所述的制造方法，其中，还包括：
在所述第一半导体层表面形成第一电极；
在所述第一衬底的第二表面形成第二电极；以及
在所述第一欧姆接触层与所述第二半导体层之间形成电流阻挡层，且所述电流阻挡层位于所述第一电极的下方并被所述第二半导体层覆盖，
其中，所述第一电极与所述第一半导体层之间还包括所述透明导电层和金属纳米线层，且所述第一电极覆盖部分所述金属纳米线层的表面。
26.根据权利要求24或25所述的制造方法，其中，所述第一电极为N电极，所述第二电极为P电极。
27.根据权利要求24或25所述的制造方法，其中，还包括：
在所述金属纳米线层的表面形成露出所述第一电极的钝化层，所述钝化层与所述透明导电层和所述外延层形成折射率渐变结构。
28.根据权利要求17所述的制造方法，其中，还包括：
在所述发光层与所述第二半导体层之间形成电子阻挡层。
29.根据权利要求27所述的制造方法，其中，还包括：
在所述垂直结构LED芯片的四周形成第一台阶，所述第一台阶贯穿所述本征半导体层、所述第一半导体层、所述发光层、所述第二半导体层并暴露所述第一欧姆接触层的表面，所述第一台阶的侧壁与底部之间形成第一夹角，所述第一夹角为30°～60°，其中，所述钝化层还覆盖所述第一台阶的底部和侧壁。
30.根据权利要求24或25所述的制造方法，其中，所述第一电极为复合金属层，包括依次位于所述金属纳米线层表面的第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第一金属层的厚度为1纳米～100纳米，所述第二金属层和所述第三金属层的厚度均为100纳米～1微米。
31.根据权利要求30所述的制造方法，其中，所述第一金属层为铬层、钛层、钒层、铪层中的一种，所述第二金属层为铝、钛、铂、金材料中的一种或多种组合材料层，所述第三金属层为金层。
32.根据权利要求17所述的制造方法，其中，所述本征半导体层的表面为粗糙表面。
33.根据权利要求17所述的制造方法，其中，还包括：
在所述第二衬底与所述本征半导体层之间形成缓冲层，
其中，在将所述第二衬底剥离的过程中，对所述缓冲层进行分解，采用化学湿法腐蚀技术将所述缓冲层分解后的产物去除，以露出所述本征半导体层。
34.根据权利要求17所述的制造方法，其中，还包括：
采用晶圆切割技术切割并得到垂直结构LED芯片，所述晶圆切割技术为水导激光、激光表切或砂轮刀加工方式中的一种。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110854167.4A CN113745385B (zh) | 2021-07-28 | 2021-07-28 | 垂直结构led芯片及其制造方法 |
| PCT/CN2022/078633 WO2023005203A1 (zh) | 2021-07-28 | 2022-03-01 | 垂直结构led芯片及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110854167.4A CN113745385B (zh) | 2021-07-28 | 2021-07-28 | 垂直结构led芯片及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113745385A true CN113745385A (zh) | 2021-12-03 |
| CN113745385B CN113745385B (zh) | 2023-11-21 |
Family
ID=78729255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110854167.4A Active CN113745385B (zh) | 2021-07-28 | 2021-07-28 | 垂直结构led芯片及其制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113745385B (zh) |
| WO (1) | WO2023005203A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114267760A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-04-01 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种正装led芯片及其制作方法 |
| WO2023005203A1 (zh) * | 2021-07-28 | 2023-02-02 | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 | 垂直结构led芯片及其制造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116565093A (zh) * | 2023-07-11 | 2023-08-08 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种led芯片制备方法及led芯片 |
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| CN106449955A (zh) * | 2016-11-17 | 2017-02-22 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种垂直结构发光二极管及其制造方法 |
| CN106876532A (zh) * | 2017-01-13 | 2017-06-20 | 南京大学 | 一种高出光率、高可靠性的紫外发光二极管及其制造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4148494B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2008-09-10 | シャープ株式会社 | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| CN102738347B (zh) * | 2012-01-18 | 2015-01-14 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 | 具有自组成式纳米结构的白光led芯片结构 |
| JP5514274B2 (ja) * | 2012-09-03 | 2014-06-04 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| KR20150019820A (ko) * | 2013-08-16 | 2015-02-25 | 일진엘이디(주) | 나노와이어를 이용한 질화물 반도체 발광소자 |
| KR101749154B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2017-06-20 | 전북대학교산학협력단 | 발광 다이오드 칩 및 이의 제조방법 |
| CN113745385B (zh) * | 2021-07-28 | 2023-11-21 | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 | 垂直结构led芯片及其制造方法 |
-
2021
- 2021-07-28 CN CN202110854167.4A patent/CN113745385B/zh active Active
-
2022
- 2022-03-01 WO PCT/CN2022/078633 patent/WO2023005203A1/zh unknown
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113745385B (zh) | 2023-11-21 |
| WO2023005203A1 (zh) | 2023-02-02 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |