CN114843376A - Led芯片的制造方法 - Google Patents

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CN114843376A CN202210341563.1A CN202210341563A CN114843376A CN 114843376 A CN114843376 A CN 114843376A CN 202210341563 A CN202210341563 A CN 202210341563A CN 114843376 A CN114843376 A CN 114843376A
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陈浩
陈亚珍
沈铭
赵进超
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Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co Ltd
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Abstract

公开了一种LED芯片的制造方法，包括：在第一晶圆表面形成第一键合层，所述第一晶圆包括第一衬底以及位于所述第一衬底表面的外延层；在第二衬底的表面形成第二键合层；通过第一键合层和第二键合层将第一晶圆和所述第二衬底键合在一起形成第二晶圆；对第二晶圆的边缘进行化学腐蚀处理以及机械磨削处理；将所述第一衬底剥离。本申请先对键合形成的第二晶圆的边缘进行化学腐蚀处理，然后再进行机械磨削处理，改善晶圆边缘粘连现象，保证后续的剥离过程中第一衬底和外延层容易分离，提高LED芯片的良率。

Description

LED芯片的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种LED芯片的制造方法。
背景技术
垂直结构LED芯片相比水平结构LED芯片具有高亮度的优势。一方面，垂直结构LED芯片是将外延层从绝缘和散热差的蓝宝石衬底转移到导电导热能力优异的键合衬底上，进而能承受更高的工作电流从而获得更高的亮度。另一方面，垂直结构LED芯片更容易将出光表面进行微纳加工，进而降低外延层和空气界面的全反射来增加光提取效率。
在垂直结构LED芯片的制造过程中，衬底转移技术是至关重要的步骤。目前的衬底转移技术中一般会采用共晶键合或热压键合方式。共晶键合工艺是利用具有合适共晶温度的二元或多元键合层实现外延层和键合衬底的粘结，键合层一般由导电性能良好和低熔点的金属组成。但是低熔点的金属在键合温度超过其熔点后且金属比例或厚度设计方案不佳情况下会向晶圆的四周溢出，从而导致降温后键合衬底和外延层的边缘粘连，对于衬底为硬脆性材料例如硅衬底的情况，在衬底剥离过程或后续加工过程中，容易出现碎片现象，进而使得制造得到的垂直结构LED芯片良率低、成本高。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种LED芯片的制造方法，以避免在衬底转移过程中因键合造成的晶圆边缘粘连现象。
根据本发明的第一方面，提供一种LED芯片的制造方法，包括：在第一晶圆表面形成第一键合层，所述第一晶圆包括第一衬底以及位于所述第一衬底表面的外延层；在第二衬底的表面形成第二键合层；通过第一键合层和第二键合层将第一晶圆和所述第二衬底键合在一起形成第二晶圆；对第二晶圆的边缘进行化学腐蚀处理以及机械磨削处理；将所述第一衬底剥离。
优选地，所述化学腐蚀采用的腐蚀液为弱酸性腐蚀液、弱酸性缓冲腐蚀液或金属腐蚀液。
优选地，所述金属腐蚀液为无机酸和有机酸的混合液、盐酸和氯化铁的混合液、碘化钾和碘的混合液中的一种。
优选地，腐蚀温度为30℃～60℃。
优选地，所述机械磨削处理采用的磨削工具为砂轮、研磨头、砂纸中的一种。
优选地，所述第二衬底为硅、铜、钼、钨、钼铜合金、钨铜合金、铝硅合金衬底中的一种。
优选地，所述第一衬底为氧化镓、碳化硅、硅、蓝宝石、氧化锌、镓酸锂单晶衬底中的一种。
优选地，所述第一键合层和第二键合层分别为锡、铟、金、铜、镍、银单层，或其中两种、三种不同金属层组成的多叠对层中的一种，所述第一键合层和第二键合层的厚度范围为200纳米～2微米。
优选地，在第一衬底表面形成外延层的步骤包括：
在所述第一衬底表面上形成依次堆叠的缓冲层、本征半导体层、第一半导体层、发光层、电子阻挡层以及第二半导体层。
优选地，所述制造方法还包括：在所述第二半导体层表面依次形成第一欧姆接触层、反射镜层以形成所述第一晶圆；将所述第一衬底剥离之后，还包括：采用光刻工艺和刻蚀工艺依次刻蚀所述本征半导体层、所述第一半导体层、所述发光层、所述电子阻挡层、所述第二半导体层的边缘以形成暴露所述第一欧姆接触层的表面的第一台阶；在所述本征半导体层中形成开口并在所述开口中形成与所述第一半导体层接触的第一电极；在所述第二衬底远离所述第二键合层的表面形成第二电极；以及在所述本征半导体层的表面、所述第一台阶的侧壁和所述第一欧姆接触层的表面形成钝化层。
优选地，将所述第一衬底剥离包括：对所述缓冲层进行分解，采用化学湿法腐蚀技术将所述缓冲层分解后的产物去除，以露出所述本征半导体层。
优选地，还包括：在所述第二衬底和所述第二键合层之间形成金属阻挡层，以及在所述反射镜层和所述第一键合层之间形成金属阻挡层。
优选地，所述制造方法还包括：形成依次贯穿所述第二半导体层、所述电子阻挡层、所述发光层的通孔，所述通孔暴露所述第一半导体层的表面；在所述通孔中形成与所述第一半导体层接触的第二欧姆接触层；在所述第二半导体层表面依次形成第一欧姆接触层、反射镜层、金属阻挡层；在所述金属阻挡层表面以及所述通孔中形成介质层，并在所述介质层中形成暴露所述第二欧姆接触层的开口，以形成所述第一晶圆；在所述介质层表面形成所述第一键合层，在所述第二衬底表面形成所述第二键合层。
优选地，所述制造方法还包括：在所述第二衬底和所述第二键合层之间形成金属阻挡层。
优选地，将所述第一衬底剥离之后，还包括：采用光刻工艺和刻蚀工艺依次刻蚀所述本征半导体层、所述第一半导体层、所述发光层、所述电子阻挡层、所述第二半导体层、所述第一欧姆接触层、所述反射镜层的边缘以形成暴露所述金属阻挡层表面的第二台阶；在所述第二台阶的下表面形成与所述金属阻挡层接触的第二电极；在所述本征半导体层表面以及所述第二台阶的侧壁形成钝化层；以及在所述第二衬底远离所述第二键合层的表面形成第一电极。
优选地，还包括：采用激光砂轮刀切割、水导激光切割、激光表面切割、激光隐形切割工艺得到多个LED芯片。
本发明实施例提供的LED芯片的制造方法，先对键合形成的第二晶圆的边缘进行化学腐蚀处理，然后再进行机械磨削处理，改善晶圆边缘粘连现象，保证后续的剥离过程中第一衬底和外延层容易分离，提高LED芯片的良率。
进一步地，先进行化学腐蚀处理再进行机械磨削处理可以改善单纯机械磨削过程中应力导致的晶圆碎裂或者键合层分离的问题，提高LED晶圆磨边工艺的稳定性，提高良率。
附图说明
通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
图1示出根据本发明实施例提供的垂直结构LED芯片的制造方法流程示意图；
图2示出根据本发明实施例提供的化学腐蚀处理的示意图；
图3示出根据本发明实施例提供的机械磨削处理的示意图；
图4a至图4g示出根据本发明实施例提供的一种垂直结构LED芯片在制造过程中不同阶段的结构截面图；
图5a至图5h示出根据本发明实施例提供的另一种垂直结构LED芯片在制造过程中不同阶段的结构截面图。
具体实施方式
以下将参照附图更详细地描述本发明的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。
图1示出根据本发明实施例提供的垂直结构LED芯片的制造方法流程示意图。图4a至图4g示出根据本发明实施例提供的一种垂直结构LED芯片在制造过程中不同阶段的结构截面图，本实施例提供的制造方法是对整片晶圆操作的，为方便理解，附图仅仅示出一个垂直结构LED芯片单元。
如图1所示，垂直结构LED芯片的制造方法包括以下步骤。
步骤S110：在第一晶圆表面形成低熔点的第一键合层，第一晶圆包括第一衬底以及位于第一衬底表面的外延层。
具体地，如图4a所示，首先在第一衬底110的表面上形成外延层120。外延层120的总厚度为5微米～10微米。
进一步地，制备外延层120例如采用金属有机物化学气相沉积工艺在第一衬底110的第一表面上依次形成缓冲层121、本征半导体层122、第一半导体层123、发光层124、电子阻挡层125和第二半导体层126。
接着，在第二半导体层126的表面上依次形成第一欧姆接触层131、反射镜层132，进而形成第一晶圆。更进一步地，采用光刻、物理气相沉积工艺在第二半导体层126的表面上形成第二掺杂类型的第一欧姆接触层131、以及在第一欧姆接触层131的表面上形成反射镜层132。第一欧姆接触层131例如为镍银层(NiAg)，反射镜层132例如包括银、钛、钨、钛的叠层(AgTiWTi)。
可选的，在反射镜层132上还可以形成金属阻挡层133，金属阻挡层133例如为钛镍叠层。在可替代的实施例中，第一欧姆接触层131还可以是氧化铟锡(ITO)、氧化锌铝(AZO)、镍金层、镍铝层中的一种，第一欧姆接触层131的厚度例如为10纳米～200纳米。反射镜层132还可以是铝层、镁层、铂层、铑层、金层中的一种或任意组合，反射镜层132的厚度例如为60纳米～200纳米。金属阻挡层133还可以是铬、钛、镍、铂、金中的二元或多元体系中的一种，金属阻挡层133的厚度例如为50纳米～1微米。优选地，金属阻挡层133中钛层的厚度为200纳米，镍层的厚度为200nm。
在可替代的实施例中，还可以采用激光辅助分子束外延、激光溅射或氢化物气相外延等工艺形成外延层120。其中，本征半导体层122为非掺杂的氮化镓材料层，第一半导体层123为第一掺杂类型(N型)的氮化镓材料层，发光层124例如为多量子阱(MQW，multiplequantum well)层，电子阻挡层125例如为第二掺杂类型(P型)的氮化铝镓材料层，第二半导体层126例如为第二掺杂类型(P型)的氮化镓材料层，其中，外延层120可以是多晶结构层或单晶结构层。其中，多量子阱层例如由氮化镓/氮化铟镓/氮化铝镓材料所组成。
第一衬底110包含但不限于镜面或微米级/纳米级图形化蓝宝石衬底中的一种，在优选的实施例中，第一衬底110为微米级图形化蓝宝石。在其他可替代的实施例中，第一衬底110为异质衬底的一种，第一衬底110还可以是氧化镓、碳化硅、硅、氧化锌、镓酸锂单晶衬底。第一衬底110的厚度例如为300微米～2毫米，第一衬底110的直径例如为1英寸～8英寸。
然后在金属阻挡层133远离反射镜层132的表面(第一晶圆的表面)形成第一键合层134。其中，第一键合层134例如为锡、铟、金、铜、镍、银单层，或其中两种、三种不同金属层组成的多叠对层中的一种。第一键合层134的厚度为200纳米～2微米。优选地第一键合层的厚度为500nm。
步骤S120：在第二衬底表面形成第二键合层。
具体地，如图4b所示，在第二衬底210的表面上形成第二键合层144。更进一步地，第二衬底210例如为直径4英寸、厚度600微米的硅衬底。第二键合层144为金属键合层，例如为锡、铟、金、铜、镍、银单层，或其中两种、三种不同金属层组成的多叠对层中的一种，第二键合层144的厚度为200纳米～2微米。优选地第二键合层的厚度为500nm。在其他可替代的实施例中，第二衬底210可以是硅、铜、钼、钨、铜钨合金、钼铜合金、铝硅合金衬底中的一种，第二衬底210的直径例如为1英寸～8英寸，第二衬底210的厚度例如为100微米～1微米。可选的，在第二衬底210和第二键合层144之间还可以形成金属阻挡层133。金属阻挡层133例如为钛镍叠层。
步骤S130：通过第一键合层以及第二键合层将第一晶圆与第二衬底键合在一起形成第二晶圆。
具体地，如图4c所示，采用晶圆键合工艺，键合温度例如为260℃，键合压力例如为8000kgf，第一晶圆和第二衬底210的键合环境为真空。具体地，在温度约260℃的真空环境下将第一晶圆和第二衬底210键合在一起。
步骤S140：对第二晶圆的边缘进行化学腐蚀处理以及机械磨削处理。
具体地，参见图2，将第二晶圆放入腐蚀液中进行化学腐蚀处理，然后用纯水冲洗去除残留腐蚀液。所述化学腐蚀采用的腐蚀液为弱酸性腐蚀液、弱酸性缓冲腐蚀液或金属腐蚀液，腐蚀温度例如为30℃～60℃，腐蚀时间例如为5min。所述金属腐蚀液例如为无机酸和有机酸的混合液、盐酸和氯化铁的混合液(HCl+FeCl3)、碘化钾和碘的混合液(KI+I2)中的一种。例如，将第二晶圆放入40℃温度下的盐酸和氯化铁的混合液中腐蚀5min，以去除第二晶圆边缘溢出的第一键合层和第二键合层。
参见图3，然后将第二晶圆真空吸附在可旋转的承载台上，利用磨削工具对第二晶圆的边缘进行机械磨削处理，并用纯水进行清洗，然后进行烘干。所述机械磨削处理采用的磨削工具为砂轮、研磨头、砂纸中的一种，研磨时间例如为5min。磨削过程可以采用单独旋转方式、同向旋转方式或反向旋转方式中的一种。具体地，例如利用带有金刚石颗粒磨料的研磨头对第二晶圆的边缘进行机械研磨5min，以去除第二晶圆边缘溢出的第一键合层和第二键合层。
步骤S150：将第一衬底剥离。
具体地，如图4d所示，通过衬底转移技术将第一衬底110剥离。更进一步地，衬底转移技术可以是激光剥离、化学机械减薄、化学湿法腐蚀、电化学腐蚀中的一种或多种工艺的组合。例如利用DPSS激光器提供能量呈高斯分布的正圆形小光斑(光斑直径约20um)，采用螺旋或直线扫描剥离方式将缓冲层121剥离分解，进而剥离位于缓冲层121表面的第一衬底110，实现第一衬底110与外延层120的分离，并采用稀盐酸溶液腐蚀本征半导体层122的表面以去除被分解形成的金属镓材料，进而得到如图4d所示的半导体结构。
更进一步地，还包括形成第一台阶。具体地，如图4e所示，采用光刻工艺和刻蚀工艺对去除了缓冲层121的外延层120的边缘进行刻蚀以形成第一台阶154。具体的，依次刻蚀本征半导体层122、第一半导体层123、发光层124、电子阻挡层125和第二半导体层126以露出第一欧姆接触层131的表面。其中，第一台阶154的侧壁与第一欧姆接触层131的表面形成第一夹角，第一夹角例如为30°～60°，优选地，第一夹角为40°。进一步的，对本征半导体层122的表面进行粗化，例如采用浓度约为2mol/L的热氢氧化钾溶液腐蚀本征半导体层122以得到粗化表面。在其他实施例中，也可以采用湿法腐蚀或干法刻蚀形成粗化表面。接着采用干法刻蚀工艺对本征半导体层122进行刻蚀以形成露出第一半导体层123的开口，该开口中后续可以形成第一电极(N电极)。
更进一步地，还包括形成第一电极和第二电极。具体地，如图4f所示，采用光刻工艺和电子束蒸发工艺在本征半导体层122的开口中制备第一电极(N电极)137，第一电极137与第一半导体层123接触。然后对第二衬底210远离第二键合层144的表面进行减薄，并在减薄的第二衬底210表面形成第二电极139(P电极)。第一电极137和第二电极139的材料例如为Al、Ti、Pt、Au、Cr中的一种或多种金属叠层。
更进一步地，还包括形成钝化层。具体地，如图4g所示，采用化学气相淀积工艺在本征半导体层122的表面、第一台阶154的侧壁和第一欧姆接触层131的表面形成钝化层138，钝化层138例如为二氧化硅层。
接着采用激光切割和裂片工艺得到多个垂直结构LED芯片。
图5a至5h示出根据本发明实施例提供的另一种垂直结构LED芯片在制造过程中不同阶段的结构截面图，本实施例提供的制造方法是对整片晶圆操作的，为方便理解，附图仅仅示出一个垂直结构LED芯片单元。
结合图1，制造另一种垂直结构LED芯片的制造方法包括以下步骤。
步骤S110：在第一晶圆表面形成第一键合层，第一晶圆包括第一衬底以及位于第一衬底表面的外延层。
具体地，首先，如图5a所示，在第一衬底410的表面上形成外延层420。外延层420的总厚度为5微米～10微米。进一步地，制备外延层420例如采用金属有机物化学气相沉积工艺在第一衬底410的第一表面上依次形成缓冲层421、本征半导体层422、第一半导体层423、发光层424、电子阻挡层425和第二半导体层426。
接着，采用光刻和干法刻蚀工艺在外延层420中形成阵列分布的至少一个通孔401，通孔401依次贯穿第二半导体层426、电子阻挡层425、发光层424并露出第一半导体层423。其中，本征半导体层422为非掺杂的氮化镓材料层，第一半导体层423为第一掺杂类型(N型)的氮化镓材料层，发光层424例如为多量子阱(MQW，multiple quantum well)层，电子阻挡层425例如为第二掺杂类型(P型)的氮化铝镓材料层，第二半导体层426例如为第二掺杂类型(P型)的氮化镓材料层，其中，外延层420可以是多晶结构层或单晶结构层。第一衬底410例如为硅衬底。第一衬底410的直径例如为6英寸。
接着，如图5b所示，采用光刻和物理气相沉积工艺在通孔401中形成第二欧姆接触层427。第二欧姆接触层427例如是铬、铝、钛、钒、铪、镍、铂、金中的一种或多种金属叠层，总厚度例如为800nm。之后在第二半导体层426表面依次形成第一欧姆接触层431、反射镜层432。更进一步地，采用光刻、湿法腐蚀和溅射工艺在外延层420除通孔401区域外的第二半导体层426表面形成第一欧姆接触层431、以及在第一欧姆接触层431表面形成反射镜层432。第一欧姆接触层431例如为氧化铟锡层，反射镜层432例如为厚度200纳米的银、钛、钨、钛的叠层(AgTiWTi)。可选的，在反射镜层432上还可以形成金属阻挡层433，金属阻挡层433例如为厚度200纳米的钛钨叠层。
接着，采用化学气相沉积工艺在金属阻挡层433的表面以及通孔401中形成介质层404。介质层404例如为氧化硅层，厚度例如为1um。接着采用光刻和干法刻蚀技术在介质层404中形成与第二欧姆接触层427连通的开口402，进而形成第一晶圆。介质层404覆盖金属阻挡层433的表面、通孔401的侧壁，并露出第二欧姆接触层427的表面，也即第二欧姆接触层427与外延层420的侧壁之间设置有介质层404。在其他实施例中，介质层404也可以是其他绝缘材料。
接着，如图5c所示，采用物理气相沉积工艺在介质层404远离金属阻挡层433的表面以及开口402中(第一晶圆的表面)形成粘附层(图中未示出)，以及在粘附层表面形成第一键合层434。更进一步地，形成于介质层404表面以及开口402中的粘附层例如为厚度200纳米的钛层，第一键合层434例如为厚度800纳米的锡层，第一键合层134还可以是铟、金、铜、镍、银单层，或其中两种、三种不同金属层组成的多叠对层中的一种。
步骤S120：在第二衬底表面形成第二键合层。具体地，如图5d所示，采用物理气相沉积工艺在第二衬底520的表面依次形成粘附层(图中未示出)和第二键合层444。第二衬底520例如为直径6英寸、厚度400微米的硅衬底。形成于第二衬底520表面的粘附层例如为钛层，第二键合层444例如为锡层。第二键合层434还可以是铟、金、铜、镍、银单层，或其中两种、三种不同金属层组成的多叠对层中的一种。在可替代的实施例中，在第二衬底520和粘附层之间还形成金属阻挡层433。
步骤S130：通过第一键合层以及第二键合层将第一晶圆与第二衬底键合在一起。
具体地，如图5e所示，采用晶圆键合工艺，键合温度例如为260℃，键合压力例如为8000kgf，第一晶圆和第二衬底210的键合环境为真空。具体地，在温度约260℃的真空环境下将第一晶圆和第二衬底520键合在一起。
步骤S140：对第二晶圆的边缘进行化学腐蚀处理以及机械磨削处理。
具体地，参见图2，将第二晶圆放入腐蚀液中进行化学腐蚀处理，然后用纯水冲洗去除残留腐蚀液。所述化学腐蚀采用的腐蚀液为弱酸性腐蚀液、弱酸性缓冲腐蚀液或金属腐蚀液，腐蚀温度例如为30℃～60℃，腐蚀时间例如为5min。所述金属腐蚀液例如为无机酸和有机酸的混合液、盐酸和氯化铁的混合液(HCl+FeCl3)、碘化钾和碘的混合液(KI+I2)中的一种。例如，将第二晶圆放入40℃温度下的盐酸和乙酸的混合液中腐蚀5min，以去除第二晶圆边缘溢出的第一键合层和第二键合层。
参见图3，然后将第二晶圆真空吸附在可旋转的承载台上，利用磨削工具对第二晶圆的边缘进行机械磨削处理，并用纯水进行清洗，然后进行烘干。所述机械磨削处理采用的磨削工具为砂轮、研磨头、砂纸中的一种，研磨时间例如为5min。磨削过程可以采用单独旋转方式、同向旋转方式或反向旋转方式中的一种。具体地，例如利用带有金刚石颗粒磨料的研磨头对第二晶圆的边缘进行机械研磨5min，以去除第二晶圆边缘溢出的第一键合层和第二键合层。
步骤S150：将第一衬底剥离。
具体地，如图5f所示，通过衬底转移技术将第一衬底110剥离。更进一步地，衬底转移技术可以是激光剥离、化学机械减薄、化学湿法腐蚀、电化学腐蚀中的一种或多种工艺的组合。例如利用248nm KrF准分子激光器提供能量呈平顶分布的正方形小光斑(光斑尺寸20*20um)，采用螺旋或直线扫描剥离方式将缓冲层421剥离分解，进而剥离位于缓冲层421表面的第一衬底410，实现第一衬底410与外延层420的分离，并采用稀盐酸溶液腐蚀本征半导体层422的表面以去除被分解形成的金属镓材料。接着采用化学湿法腐蚀工艺利用浓度约6mol/L的氢氧化钾热溶液，在温度约80℃的环境下对本征半导体层422表面进行粗化处理以形成粗化表面，有利于增加出光。
更进一步地，还包括形成第二台阶。具体地，如图5g所示，采用光刻和干法刻蚀工艺对去除了缓冲层421的外延层420的边缘进行刻蚀以形成第二台阶454。具体的，依次刻蚀本征半导体层422、第一半导体层423、发光层424、电子阻挡层425、第二半导体层426、第一欧姆接触层431、反射镜层432以暴露金属阻挡层433表面。在第二台阶454的下表面的金属阻挡层433上后续可以形成第二电极(P电极)。
更进一步地，还包括形成第一电极、第二电极以及钝化层。具体地，如图5h所示，采用光刻工艺和电子束蒸发工艺在第二台阶454的下表面形成与金属阻挡层433接触的第二电极439。第二电极439例如为Cr/Pt/Au。然后对第二衬底520远离第二键合层444的表面进行减薄，并在减薄的第二衬底520表面形成第一电极437(N电极)，第一电极437例如为钛铂金层。
进一步的，采用化学气相淀积工艺在本征半导体层422表面以及第二台阶454的侧壁形成钝化层438，钝化层438例如为厚度200纳米的二氧化硅层。
接着采用激光砂轮刀切割、水导激光切割、激光表面切割、激光隐形切割和裂片工艺得到多个垂直结构LED芯片。
依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims (16)

1.一种LED芯片的制造方法，其特征在于，包括：
在第一晶圆表面形成第一键合层，所述第一晶圆包括第一衬底以及位于所述第一衬底表面的外延层；
在第二衬底的表面形成第二键合层；
通过第一键合层和第二键合层将第一晶圆和所述第二衬底键合在一起形成第二晶圆；
对第二晶圆的边缘进行化学腐蚀处理以及机械磨削处理；
将所述第一衬底剥离。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述化学腐蚀采用的腐蚀液为弱酸性腐蚀液、弱酸性缓冲腐蚀液或金属腐蚀液。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述金属腐蚀液为无机酸和有机酸的混合液、盐酸和氯化铁的混合液、碘化钾和碘的混合液中的一种。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，腐蚀温度为30℃～60℃。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述机械磨削处理采用的磨削工具为砂轮、研磨头、砂纸中的一种。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二衬底为硅、铜、钼、钨、钼铜合金、钨铜合金、铝硅合金衬底中的一种。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一衬底为氧化镓、碳化硅、硅、蓝宝石、氧化锌、镓酸锂单晶衬底中的一种。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一键合层和第二键合层分别为锡、铟、金、铜、镍、银单层，或其中两种、三种不同金属层组成的多叠对层中的一种，所述第一键合层和第二键合层的厚度范围为200纳米～2微米。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在第一衬底表面形成外延层的步骤包括：
在所述第一衬底表面上形成依次堆叠的缓冲层、本征半导体层、第一半导体层、发光层、电子阻挡层以及第二半导体层。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，还包括：
在所述第二半导体层表面依次形成第一欧姆接触层、反射镜层以形成所述第一晶圆；
将所述第一衬底剥离之后，还包括：
采用光刻工艺和刻蚀工艺依次刻蚀所述本征半导体层、所述第一半导体层、所述发光层、所述电子阻挡层、所述第二半导体层的边缘以形成暴露所述第一欧姆接触层的表面的第一台阶；
在所述本征半导体层中形成开口并在所述开口中形成与所述第一半导体层接触的第一电极；
在所述第二衬底远离所述第二键合层的表面形成第二电极；以及
在所述本征半导体层的表面、所述第一台阶的侧壁和所述第一欧姆接触层的表面形成钝化层。
11.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，将所述第一衬底剥离包括：
对所述缓冲层进行分解，采用化学湿法腐蚀技术将所述缓冲层分解后的产物去除，以露出所述本征半导体层。
12.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，还包括：在所述第二衬底和所述第二键合层之间形成金属阻挡层，以及在所述反射镜层和所述第一键合层之间形成金属阻挡层。
13.根据权利要求9所述的制造方法，其中，还包括：
形成依次贯穿所述第二半导体层、所述电子阻挡层、所述发光层的通孔，所述通孔暴露所述第一半导体层的表面；
在所述通孔中形成与所述第一半导体层接触的第二欧姆接触层；
在所述第二半导体层表面依次形成第一欧姆接触层、反射镜层、金属阻挡层；
在所述金属阻挡层表面以及所述通孔中形成介质层，并在所述介质层中形成暴露所述第二欧姆接触层的开口，以形成所述第一晶圆；
在所述介质层表面形成所述第一键合层，在所述第二衬底表面形成所述第二键合层。
14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，还包括：在所述第二衬底和所述第二键合层之间形成金属阻挡层。
15.根据权利要求13或14所述的制造方法，其中，将所述第一衬底剥离之后，还包括：
采用光刻工艺和刻蚀工艺依次刻蚀所述本征半导体层、所述第一半导体层、所述发光层、所述电子阻挡层、所述第二半导体层、所述第一欧姆接触层、所述反射镜层的边缘以形成暴露所述金属阻挡层表面的第二台阶；
在所述第二台阶的下表面形成与所述金属阻挡层接触的第二电极；
在所述本征半导体层表面以及所述第二台阶的侧壁形成钝化层；以及
在所述第二衬底远离所述第二键合层的表面形成第一电极。
16.根据权利要求1所述的制造方法，其中，还包括：采用激光砂轮刀切割、水导激光切割、激光表面切割、激光隐形切割工艺得到多个LED芯片。
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