CN113711290B - 显示基板及其制备方法、显示母板和显示装置 - Google Patents

显示基板及其制备方法、显示母板和显示装置 Download PDF

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Abstract

提供一种显示基板，包括柔性基底(10)和设置在柔性基底(10)上的复合绝缘层，显示基板的边缘区域(500)包括由柔性基底(10)和复合绝缘层形成的台阶结构；台阶结构中台阶的高度从显示基板边缘到显示基板内部的方向依次增大；边缘区域(500)还包括覆盖台阶结构的第一平坦层(20)，第一平坦层(20)的边缘与柔性基板(10)的边缘平齐。还提供显示基板的制备方法、显示母板和显示装置。

Description

显示基板及其制备方法、显示母板和显示装置
本申请要求于2020年3月23日提交中国受理局、申请号为PCT/CN2020/080700、发明名称为显示基板及其制备方法、显示母板和显示装置的PCT国际专利申请的优先权，其内容应理解为通过引用的方式并入本申请中。
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、显示母板和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。随着显示技术的不断发展，OLED技术越来越多的应用于柔性显示装置中。
目前，制备柔性OLED显示装置是先制备显示母板，然后对显示母板进行切割，从而使显示母板被分隔成多个显示基板，分开的显示基板均可以用于形成单个OLED显示装置。图1为显示母板上包括多个显示基板的排布示意图。如图1所示，显示母板100上的多个基板区域300呈周期性规则排布，切割区域400位于基板区域300的外侧。基板区域300至少包括显示区域310和绑定区域302，显示区域310包括矩阵排列的多个像素，绑定区域302包括扇出区和驱动电路，绑定区域302设置在显示区域310的一侧。切割区域400内设置有第一切割道701和第二切割道702，在显示母板的所有膜层制备完成后，切割设备分别沿着第一切割道701和第二切割道702进行粗切割和精切割，形成显示基板。
现有生产中，显示基板存在暗点不良等问题，影响了显示品质。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
一方面，本公开提供了一种显示基板，包括柔性基底和设置在所述柔性基底上的复合绝缘层，所述显示基板的边缘区域包括由所述复合绝缘层形成的台阶结构；所述台阶结构中台阶的高度从显示基板边缘到显示基板内部的方向依次增大；所述边缘区域还包括覆盖所述台阶结构的第一平坦层，所述第一平坦层的边缘与所述柔性基板的边缘平齐。
在一些可能的实现方式中，所述台阶结构包括第一台阶、第二台阶和第三台阶，所述第一台阶的厚度大于所述第二台阶的厚度，所述第一台阶的厚度大于所述第三台阶的厚度。
在一些可能的实现方式中，所述第一台阶的厚度为15μm到20.7μm，所述第二台阶的厚度为0.2μm到1.3μm，所述第三台阶的厚度为0.5μm到1.4μm。
在一些可能的实现方式中，所述显示基板的边缘区域还包括设置在所述第一平坦层上的第二平坦层，所述第二平坦层在所述柔性基底上的正投影与所述第一台阶和第二台阶在所述柔性基底上的正投影部分重叠。
在一些可能的实现方式中，在显示基板内部到显示基板边缘的方向，所述第二平坦层在所述柔性基底上的正投影与所述第一台阶在所述柔性基底上的正投影重叠的宽度为10μm到20μm，所述第二平坦层在所述柔性基底上的正投影与所述第二台阶在所述柔性基底上的正投影重叠的宽度为20μm到30μm。
在一些可能的实现方式中，所述显示基板的基板区域包括：设置在所述柔性基底上的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的有源层，覆盖所述有源层的第二绝缘层，设置在所述第二绝缘层上的第一栅金属层，覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层，设置在所述第三绝缘层上的第二栅金属层，覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层，设置在所述第四绝缘层上的源漏金属层，覆盖所述源漏金属层的第五绝缘层，设置在所述第一平坦层上的金属导电层，覆盖所述金属导电层的第二平坦层。
在一些可能的实现方式中，所述柔性基底包括依次叠设的第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层、第二柔性层和第二阻挡层，所述复合绝缘层包括在所述第二阻挡层上叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层；所述第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层和第二柔性层的总厚度为15μm到20μm，所述第二阻挡层的厚度为0.4μm到0.7μm，所述第一绝缘层的厚度为0.2μm到0.6μm。
在一些可能的实现方式中，所述第二阻挡层包括在所述第二柔性层上叠设的第一子层和第二子层；所述第一台阶包括所述第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层、第二柔性层和所述第二阻挡层的第一子层，所述第二台阶包括所述第二阻挡层的第二子层和第一绝缘层，所述第三台阶包括所述第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层；所述第一台阶的上表面与参考面之间的距离为0.05μm到0.06μm，所述第二台阶的上表面与参考面之间的距离为0.75μm到0.95μm，所述第三台阶的上表面与参考面之间的距离可以为1.40μm到1.80μm，所述参考面为所述第一子层邻近所述第二柔性层一侧的表面。
在一些可能的实现方式中，所述第二台阶和第三台阶的侧壁为坡面，所述坡面的母线与所述显示基板的法线方向的夹角为20°到50°。
在一些可能的实现方式中，第一台阶的边缘到第二台阶的边缘的距离大于第二台阶的边缘到第三台阶的边缘的距离，第一台阶的边缘到第二台阶的边缘的距离大于第三台阶的边缘到裂缝坝的边缘的距离。
在一些可能的实现方式中，第一台阶的边缘到第二台阶的边缘的距离为55μm到210μm，第二台阶的边缘到第三台阶的边缘的距离为5μm到40μm，第三台阶的边缘到裂缝坝的边缘的距离为5μm到15μm。
在一些可能的实现方式中，所述边缘区域的复合绝缘层上还设置有裂缝坝，所述裂缝坝包括多个间隔设置的裂缝，所述裂缝暴露出所述第一绝缘层；所述第一平坦层覆盖所述裂缝坝。
在一些可能的实现方式中，所述显示基板的边缘区域包括周边区和切割内区，所述切割内区位于所述周边区远离基板区域的一侧；所述台阶结构设置在所述切割内区，所述裂缝坝设置在所述周边区。
在一些可能的实现方式中，所述显示基板的基板区域包括显示区域和设置在所述显示区域一侧的绑定区域，所述绑定区域远离所述显示区域一侧的边缘区域形成阶梯结构，所述阶梯结构包括第一阶梯和第二阶梯，所述第一阶梯由柔性基底和复合绝缘层形成，所述第二阶梯由所述第一平坦层和第二平坦层形成；除了所述绑定区域远离所述显示区域一侧的边缘区域，所述台阶结构设置在所述显示区域和绑定区域的其它边缘区域中。
另一方面，本公开还提供了一种显示母板，包括多个基板区域和围绕所述基板区域的切割区域；所述显示母板包括：设置在所述基板区域和切割区域的驱动结构层，设置在所述驱动结构层上的第一平坦层；所述切割区域的驱动结构层包括复合绝缘层，所述复合绝缘层设置有凹槽，所述第一平坦层填充所述凹槽。
在一些可能的实现方式中，所述基板区域的驱动结构层包括：设置在柔性基底上的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的有源层，覆盖所述有源层的第二绝缘层，设置在所述第二绝缘层上的第一栅金属层，覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层，设置在所述第三绝缘层上的第二栅金属层，覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层，设置在所述第四绝缘层上的源漏金属层，覆盖所述源漏金属层的第五绝缘层；所述切割区域的驱动结构层包括：在柔性基底上叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层；所述柔性基底包括叠设的第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层、第二柔性层和第二阻挡层；所述第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层和第二柔性层的总厚度为15μm到20μm，所述第二阻挡层的厚度为0.4μm到0.7μm，所述第一绝缘层的厚度为0.2μm到0.6μm。
在一些可能的实现方式中，所述第二阻挡层包括在所述第二柔性层上叠设的第一子层和第二子层；所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽设置在所述第一绝缘层和第二阻挡层的第二子层上，所述第一凹槽暴露出所述第二阻挡层的第一子层，所述第二凹槽设置在所述第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层上，所述第二凹槽暴露出所述第一绝缘层和所述第二阻挡层的第一子层，所述第二凹槽在柔性基底上的正投影包含所述第一凹槽在柔性基底上的正投影；所述第一凹槽的深度为0.2μm到1.3μm，所述第二凹槽的深度为0.5μm到1.4μm。
又一方面，本公开还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
在多个基板区域和围绕所述基板区域的切割区域形成驱动结构层，所述切割区域的驱动结构层包括设置在柔性基底上的复合绝缘层，所述复合绝缘层形成台阶结构的凹槽；
形成覆盖所述驱动结构层的第一平坦层，所述第一平坦层填充所述凹槽；
在所述切割区域进行切割形成显示基板，在所述显示基板的边缘区域形成台阶结构；所述台阶结构中台阶的高度从显示基板边缘到显示基板内部的方向依次增大；所述第一平坦层覆盖所述台阶结构，所述第一平坦层的边缘与所述柔性基板的边缘平齐。
在一些可能的实现方式中，在切割区域形成驱动结构层，包括：
在柔性基底上依次形成第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层；所述柔性基底包括叠设的第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层、第二柔性层和第二阻挡层，所述第二阻挡层包括在所述第二柔性层上叠设的第一子层和第二子层；所述第一绝缘层形成在所述第二阻挡层的第二子层上；
通过第一次构图工艺，在所述第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层上形成暴露出所述第一绝缘层的第二凹槽；
通过第二次构图工艺，在所述第二凹槽内的第一绝缘层和第二阻挡层的第二子层上形成暴露出所述第二阻挡层的第一子层的第一凹槽，所述第二凹槽暴露出所述第一凹槽。
又一方面，本公开还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。
在阅读理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为显示母板上包括多个显示基板的排布示意图；
图2为显示母板切割区域金属块残留的示意图；
图3为本公开显示母板的结构示意图；
图4为本公开形成柔性基底后的示意图；
图5为本公开形成驱动结构层图案后的示意图；
图6为本公开形成凹槽和裂缝坝后的示意图；
图7为本公开形成第一平坦层图案后的示意图；
图8为本公开形成金属导电层图案后的示意图；
图9为本公开形成第二平坦层图案后的示意图；
图10为本公开形成阳极和第三连接电极图案后的示意图；
图11为本公开形成像素定义层和坝基图案后的示意图；
图12为本公开形成隔离柱图案后的示意图；
图13为本公开形成有机发光层和阴极图案后的示意图；
图14为本公开形成封装层图案后的示意图；
图15为本公开贴附背膜后的示意图；
图16为本公开切割的示意图；
图17为本公开显示基板边缘区域的结构示意图；
图18为本公开绑定区域的结构示意图；
图19为图18中B-B向的剖视图；
图20为图18中C-C向的剖视图。
附图标记说明:
1—玻璃载板； 10—柔性基底； 10A—第一柔性层；
10B—第一阻挡层； 10C—非晶硅层； 10D—第二柔性层；
10E—第二阻挡层； 11—第一绝缘层； 12A—第一有源层；
12B—第二有源层； 12C—第三有源层； 13—第二绝缘层；
14A—第一栅电极； 14B—第二栅电极； 14C—第三栅电极；
15—第三绝缘层； 16—第四绝缘层； 17A—第一源电极；
17B—第二源电极； 17C—第三源电极； 18A—第一漏电极；
18B—第二漏电极； 18C—第三漏电极； 19—第五绝缘层；
20—第一平坦层； 21—第二平坦层； 23—阳极；
24—像素定义层； 25—有机发光层； 26—阴极；
27—封装层； 31—第一凹槽； 32—第二凹槽；
33—裂缝坝； 34—缝隙； 41A—第一电容电极；
42—第二电容电极； 42A—第三电容电极； 42B—第四电容电极；
51—第一台阶； 52—第二台阶； 53—第三台阶；
100—显示母板； 101—第一晶体管； 102—第二晶体管；
103—第三晶体管； 104A—第一存储电容； 104B—第二存储电容；
105—低压线； 106—第一连接电极； 107—第二连接电极；
108—第三连接电极； 201—第一坝基； 202—第二坝基；
203—隔离柱； 300—基板区域； 302—绑定区域；
303—第一扇出区； 304—弯折区； 305—第二扇出区；
306—防静电区； 307—驱动芯片区； 308—绑定针区；
310—显示区域； 320—***电路区； 330—周边区；
400—切割区域； 410—切割道区； 420—切割内区；
430—切割外区； 500—边缘区域； 600—阵列测试单元；
701—第一切割线； 702—第二切割线； 311—绑定电路区域；
312—绑定切割区域。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
经研究发现，显示基板存在暗点不良等问题，是由于制备过程中切割区域存在金属残留和颗粒污染等因素造成的。一种显示基板切割区域的制备过程包括：在柔性基底上依次形成第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层，为了减少后续切割工艺的切割厚度和难度，切割区域的上述绝缘层上开设有暴露出柔性基底中柔性材料层的凹槽。随后形成平坦层，切割区域的部分平坦层被去除，暴露出该凹槽。这样，切割区域的上述膜层形成台阶状的凹槽结构，凹槽的侧壁为坡面。随后沉积金属薄膜，通过构图工艺对金属薄膜进行构图，在平坦层上形成金属导电层图案。由于切割区域形成有台阶状的凹槽，不仅所沉积的金属薄膜各个位置的高度不一样，而且金属薄膜具有较大的高度差，导致构图工艺中刻蚀金属薄膜不完全，构图工艺后凹槽底面和台阶面上残留有金属块a，如图2所示。由于金属薄膜采用钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)叠层结构，因此当后续工艺的刻蚀液含有银Ag离子时，残留的金属块50会置换出Ag粒子，Ag粒子混在刻蚀液中随处流动和附着，当Ag粒子附着在显示区域时，则导致显示区域出现暗点不良等缺陷。此外，由于沉积的金属薄膜和残留的金属块与柔性基底的柔性材料层直接接触，金属与有机材料发生化学反应并产生颗粒(particle)，颗粒不仅污染设备，而且也会混在刻蚀液中随处流动和附着。
本公开提供了一种显示基板，所述显示基板包括柔性基底和设置在所述柔性基底上的复合绝缘层，所述显示基板的边缘区域包括由所述复合绝缘层形成的台阶结构；所述台阶结构中台阶的高度从显示基板边缘到显示基板内部的方向依次增大；所述边缘区域还包括覆盖所述台阶结构的第一平坦层，所述第一平坦层的边缘与所述柔性基板的边缘平齐。
在示例性实施方式中，所述台阶结构包括第一台阶、第二台阶和第三台阶，所述第一台阶的厚度大于所述第二台阶的厚度，所述第一台阶的厚度大于所述第三台阶的厚度。
在示例性实施方式中，所述第一台阶的厚度为15μm到20.7μm，所述第二台阶的厚度为0.2μm到1.3μm，所述第三台阶的厚度为0.5μm到1.4μm。
在示例性实施方式中，所述显示基板的基板区域包括：设置在所述柔性基底上的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的有源层，覆盖所述有源层的第二绝缘层，设置在所述第二绝缘层上的第一栅金属层，覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层，设置在所述第三绝缘层上的第二栅金属层，覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层，设置在所述第四绝缘层上的源漏金属层，覆盖所述源漏金属层的第五绝缘层；所述第一平坦层设置在所述第五绝缘层上。
在示例性实施方式中，所述显示基板的基板区域还包括：设置在所述第一平坦层上的金属导电层，覆盖所述金属导电层的第二平坦层。
在示例性实施方式中，所述柔性基底包括依次叠设的第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层、第二柔性层和第二阻挡层，所述第二阻挡层包括在所述第二柔性层上叠设的第一子层和第二子层；所述复合绝缘层包括在所述第二阻挡层的第二子层上叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层；所述第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层和第二柔性层的总厚度为15μm到20μm，所述第二阻挡层的厚度为0.4μm到0.7μm，所述第一绝缘层的厚度为0.2μm到0.6μm；所述台阶结构包括由所述第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层、第二柔性层和第二阻挡层的第一子层形成的第一台阶，由所述第二阻挡层的第二子层和第一绝缘层形成的第二台阶，以及由所述第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层形成的第三台阶，所述第一台阶、第二台阶和第三台阶的高度从所述第一台阶到第三台阶的方向依次增大。
在示例性实施方式中，所述第一台阶的上表面与参考面之间的距离为0.05μm到0.06μm，所述第二台阶的上表面与参考面之间的距离为0.75μm到0.95μm，所述第三台阶的上表面与参考面之间的距离可以为1.40μm到1.80μm，所述参考面为所述第一子层邻近所述第二柔性层一侧的表面。
在示例性实施方式中，所述第二台阶和第三台阶的侧壁为坡面，所述坡面的母线与所述显示基板的法线方向的夹角为20°到50°。
在示例性实施方式中，所述边缘区域的复合绝缘层上还设置有裂缝坝，所述裂缝坝包括多个间隔设置的裂缝，所述裂缝暴露出所述第一绝缘层；所述第一平坦层覆盖所述裂缝坝。
在示例性实施方式中，所述显示基板包括基板区域和边缘区域，所述边缘区域包括周边区和切割内区，所述切割内区位于所述周边区远离基板区域的一侧；所述台阶结构设置在所述切割内区，所述裂缝坝设置在所述周边区。
在示例性实施方式中，所述基板区域包括显示区域和设置在所述显示区域一侧的绑定区域，所述绑定区域远离所述显示区域一侧的边缘区域形成阶梯结构，所述阶梯结构包括第一阶梯和第二阶梯，所述第一阶梯由柔性基底和复合绝缘层形成，所述第二阶梯由所述第一平坦层和第二平坦层形成；除了所述绑定区域远离所述显示区域一侧的边缘区域，所述台阶结构设置在所述显示区域和绑定区域的其它边缘区域中。
图3为本公开显示基板的结构示意图，为图1中A-A向的剖视图，示意了双源漏金属层(双SD或2SD)结构基板区域和切割区域的剖面结构。在平行于显示基板的平面方向，显示基板包括显示区域310、***电路区320和边缘区域500，边缘区域500包括周边区330和切割内区420，切割内区420位于周边区330远离显示区域310的一侧。如图3所示，在垂直于显示基板的平面方向，本公开显示基板包括柔性基底10、设置在柔性基底10上的驱动结构层、设置在驱动结构层上的第一平坦层20、设置在第一平坦层20上的金属导电层以及覆盖金属导电层的第二平坦层21。显示区域310的驱动结构层包括形成像素驱动电路的多个晶体管，***电路区320的驱动结构层包括形成***电路的多个晶体管和存储电容，图3中以三个晶体管和二个存储电容为例进行示意。边缘区域500的驱动结构层包括由多个无机绝缘层组成的复合绝缘层，复合绝缘层设置有台阶结构和裂缝坝，边缘区域500的第一平坦层20覆盖并填充台阶结构和裂缝坝。
在示例性实施方式中，显示区域310和***电路区320的驱动结构层可以包括：设置在柔性基底10上的第一绝缘层11，设置在第一绝缘层11上的有源层，覆盖有源层的第二绝缘层13，设置在第二绝缘层13上的第一栅金属层，覆盖第一栅金属层的第三绝缘层15，设置在第三绝缘层15上的第二栅金属层，覆盖第二栅金属层的第四绝缘层16，设置在第四绝缘层16上的源漏金属层，覆盖源漏金属层的第五绝缘层19。有源层至少包括第一有源层、第二有源层和第三有源层，第一栅金属层至少包括第一栅电极、第二栅电极、第三栅电极、第一电容电极和第二电容电极，第二栅金属层至少包括第三电容电极和第四电容电极，源漏金属层至少包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极、第三源电极、第三漏电极和低压线105，第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极组成第一晶体管101，第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极组成第二晶体管102，第三有源层、第三栅电极、第三源电极和第三漏电极组成第三晶体管103，第一电容电极和第三电容电极组成第一存储电容104A，第二电容电极和第四电容电极组成第二存储电容104B。显示区域310和***电路区320还包括发光结构层，发光结构层包括：设置在第一平坦层20上的金属导电层，覆盖金属导电层的第二平坦层21，设置在第二平坦层21上的阳极23和第三连接电极108，以及像素定义层24、有机发光层25、阴极26和封装层27。金属导电层至少包括第一连接电极106和第二连接电极107。
在示例性实施方式中，边缘区域500的驱动结构层可以包括在柔性基底10上依次叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15、第四绝缘层16和第五绝缘层19，上述绝缘层均为无机绝缘层，作为本公开的复合绝缘层。台阶结构设置在切割内区420，裂缝坝设置在周边区330。在边缘区域500中的切割内区420，柔性基板10和复合绝缘层一起形成本公开的台阶结构。台阶结构包括由柔性基板10的第一柔性层10A、第一阻挡层10B、非晶硅层10C、第二柔性层10D和第二阻挡层10E的第一子层形成的第一台阶51，由第二阻挡层10E的第二子层和第一绝缘层11形成的第二台阶52，以及由第二绝缘层13、第三绝缘层15、第四绝缘层16和第五绝缘层19形成的第三台阶53，第一台阶51、第二台阶52和第三台阶53的高度从切割内区420(显示基板边缘)到显示区域310(显示基板内部)的方向依次增大，即沿着第一台阶51到第三台阶53的方向，第一台阶51、第二台阶52和第三台阶53的高度依次增大。本公开中，台阶的高度是指台阶表面距离柔性基底下表面的距离。切割内区420的第一平坦层20覆盖上述台阶结构，且第一平坦层20远离显示区域310一侧的边缘与柔性基板10的边缘平齐。在边缘区域500中的周边区330，复合绝缘层设置有裂缝坝33，裂缝坝33包括在复合绝缘层中开设的多个间隔设置的裂缝，裂缝中的第二绝缘层13、第三绝缘层15、第四绝缘层16和第五绝缘层19被去掉，暴露出第一绝缘层11的表面。周边区330的第一平坦层20覆盖裂缝坝33，填充裂缝坝33中的多个间隔设置的裂缝，周边区330的第一平坦层20的表面与切割内区420的第一平坦层20的表面基本平齐。
下面通过显示基板的制备过程的示例说明本公开显示基板的结构。本公开所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
由于本公开显示基板的制备过程是先制备显示母板，然后将显示母板切割成个显示基板，因此下述描述中，切割前的基板称之为显示母板，切割后的基板称之为显示基板。显示母板包括基板区域300和位于基板区域300***的切割区域400。
(1)在玻璃载板1上制备柔性基底10。本公开中，柔性基底10包括在玻璃载板1上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力，第一、第二无机材料层也称之为阻挡(Barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。在一示例性实施方式中，以叠层结构PI1/Barrier1/a-si/PI2/Barrier2为例，其制备过程可以包括：先在玻璃载板1上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性(PI1)层10A；随后在第一柔性层10A上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层10A的第一阻挡(Barrier1)层10B；然后在第一阻挡层10B上沉积一层非晶硅薄膜，形成覆盖第一阻挡层10B的非晶硅(a-si)层10C；然后在非晶硅层10C上再涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第二柔性(PI2)层10D；然后在第二柔性层10D上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性层10D的第二阻挡(Barrier2)层10E，完成柔性基底10的制备，如图4所示。本次工艺后，基板区域300和切割区域400均包括柔性基底10。
在示例性实施方式中，第一柔性层10A、第一阻挡层10B、非晶硅层10C和第二柔性层10D的总厚度可以为15μm到20μm，第二阻挡层10E的厚度可以为0.4μm到0.7μm。在一些可能的实现方式中，第一柔性层10A、第一阻挡层10B、非晶硅层10C和第二柔性层10D的总厚度可以为17.6μm，第二阻挡层10E的厚度可以为0.55μm。本公开中，厚度是指膜层上表面与下表面之间的距离。
(2)在柔性基底10上制备驱动结构层图案。基板区域300的驱动结构层包括构成像素驱动电路的第一晶体管101、第二晶体管102、第三晶体管103、第一存储电容104A、第一存储电容104B和低压线105，切割区域400的驱动结构层包括多个无机绝缘层构成的复合绝缘层，其上形成有暴露出柔性基底10的第二柔性层10D的凹槽。在一示例性实施方式中，驱动结构层的制备过程可以包括：
在柔性基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖整个柔性基底10的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的有源层图案，有源层图案形成在基板区域300，至少包括第一有源层12A、第二有源层12B和第三有源层12C。本次构图工艺后，切割区域400包括设置在柔性基底10上的第一绝缘层11。
在示例性实施方式中，第一绝缘层11的厚度可以为0.2μm到0.6μm。在一些可能的实现方式中，第一绝缘层11的厚度可以为0.4μm。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层图案的第二绝缘层13，以及设置在第二绝缘层13上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案形成在基板区域300，至少包括第一栅电极14A、第二栅电极14B、第三栅电极14C、第一电容电极41A和第二电容电极41B、多条栅线(未示出)和多条栅引线(未示出)。本次构图工艺后，切割区域400包括在柔性基底10叠设的第一绝缘层11和第二绝缘层13。
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层15，以及设置在第三绝缘层15上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案形成在基板区域300，至少包括第三电容电极42A、第四电容电极42B和第二栅引线(未示出)，第三电容电极42A的位置与第一电容电极41A的位置相对应，第四电容电极42B的位置与第二电容电极41B的位置相对应。本次构图工艺后，切割区域400包括在柔性基底10叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13和第三绝缘层15。
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层16图案，第四绝缘层16上开设有多个第一过孔，多个第一过孔形成在基板区域300，其位置分别与第一有源层12A、第二有源层12B和第三有源层12C的两端位置相对应，多个第一过孔内的第四绝缘层16、第三绝缘层15和第二绝缘层13被刻蚀掉，分别暴露出第一有源层12A、第二有源层12B和第三有源层12C的表面。本次构图工艺后，切割区域400包括在柔性基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层16。
随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层16上形成源漏金属层图案，源漏金属层形成在基板区域300，至少包括第一源电极17A、第一漏电极18A、第二源电极17B、第二漏电极17B、第三源电极17C、第三漏电极17C、低压(VSS)线105、多条数据线(未示出)和多条数据引线图案，第一源电极17A和第一漏电极18A分别通过第一过孔与第一有源层12A连接，第二源电极17B和第二漏电极17B分别通过第一过孔与第二有源层12B连接，第三源电极17C和第三漏电极17C分别通过第一过孔与第三有源层12C连接。在一示例性实施方式中，根据实际需要，源漏金属层还可以包括电源线(VDD)、补偿线和辅助阴极中的任意一种或多种，源漏金属层也称之为第一源漏金属层(SD1)。本次构图工艺后，切割区域400包括在柔性基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层16。
随后，沉积第五绝缘薄膜，形成覆盖源漏金属层的第五绝缘层19图案。本次构图工艺后，切割区域400包括设置在柔性基底10上的复合绝缘层，复合绝缘层包括叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15、第四绝缘层16和第五绝缘层19。
至此，在柔性基底10上制备完成驱动结构层图案，如图5所示。第一有源层12A、第一栅电极14A、第一源电极17A和第一漏电极18A组成第一晶体管101，第二有源层12B、第二栅电极14B、第二源电极17B和第二漏电极18B组成第二晶体管102，第三有源层12C、第三栅电极14C、第三源电极17C和第三漏电极18C组成第三晶体管103，第一电容电极41A和第三电容电极42A组成第一存储电容104A，第二电容电极42B和第四电容电极42B组成第二存储电容104B，多条栅引线和数据引线组成阵列基板栅极驱动(Gate Driver on Array，简称GOA)的驱动引线。在一示例性实施方式中，第一晶体管101可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，第二晶体管102可以是GOA中输出扫描(SCAN)信号的扫描晶体管，第三晶体管103可以是GOA中输出使能(EM)信号的使能晶体管，驱动晶体管、扫描晶体管和使能晶体管均可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)。
(3)通过构图工艺对切割区域400、邻近切割区域400的基板区域300的复合绝缘层进行构图，在切割区域400形成第一凹槽31和第二凹槽32，在基板区域300形成裂缝坝33，如图6所示。本公开中，基板区域300可以划分为显示区域310、***电路区320和周边区330，周边区330邻近切割区域400，显示区域310位于周边区330远离切割区域400的一侧，***电路区320位于显示区域310与周边区330之间。切割区域400可以划分为切割道区410、切割内区420和切割外区430，切割道区410位于切割区域400的中部，是切割显示母板时形成切口的区域，切割内区420位于切割道区410邻近基板区域300的一侧，切割外区430位于切割道区410远离基板区域300的一侧。在切割显示母板形成显示基板后，切割道区410和切割外区430被切割掉，切割内区420被保留。这样，对于制备完成的显示基板，基板区域300的周边区330和切割区域400的切割内区420组成显示基板的边缘区域500，如图6所示。
本公开中，在切割区域400形成的第一凹槽31和第二凹槽32后，第一凹槽31暴露出柔性基底10的第二阻挡层10E，第二凹槽32暴露出第一凹槽31，即第一凹槽31在柔性基底10上的正投影包含第二凹槽32在柔性基底10上的正投影。后续描述中，第一凹槽31和第二凹槽32称之为凹槽。裂缝坝33形成在基板区域300的周边区330，即形成在边缘区域500，裂缝坝33包括多个间隔设置的裂缝，每个裂缝暴露出第一绝缘层11的表面，如图6所示。本次构图工艺后，切割区域400包括设置在柔性基底10上具有凹槽的复合绝缘层，凹槽中第一凹槽31和第二凹槽32的宽度均大于切割道区410的宽度。
在示例性实施方式中，可以采用两次构图工艺形成第一凹槽31、第二凹槽32和裂缝坝33。通过第一次掩膜(Etch Bending A MASK，简称EBA MASK)刻蚀切割区域400和周边区330的第五绝缘层19、第四绝缘层16、第三绝缘层15和第二绝缘层13，在切割区域400的第二绝缘层13、第三绝缘层15和、第四绝缘层16和第五绝缘层19上形成第二凹槽32，在周边区330的第二绝缘层13、第三绝缘层15、第四绝缘层16和第五绝缘层19上形成裂缝坝33，第二凹槽32和裂缝坝33内的第五绝缘层19、第四绝缘层16、第三绝缘层15和第二绝缘层13被刻蚀掉，暴露出第一绝缘层11的表面。然后通过第二次掩膜(Etch Bending B MASK，简称EBBMASK)刻蚀切割区域400中第二凹槽32内的第一绝缘层11和柔性基底10的第二阻挡层10E的第二子层，在第二阻挡层10E的第二子层和第一绝缘层11上形成第一凹槽31，第一凹槽31内的第一绝缘层11和第二阻挡层10E的第二子层被刻蚀掉，暴露出柔性基底10的第二阻挡层10E的第一子层的表面。这样，在切割区域400，第二凹槽32暴露出第一凹槽31，即暴露出第一绝缘层11和柔性基底的第二阻挡层10E的第一子层，第一凹槽31暴露出柔性基底10的第二阻挡层10E的第一子层，形成台阶状的凹槽结构。在示例性实施方式中，第二阻挡层10E可以理解为由叠设的第一子层和第二子层组成，第一子层设置在第二柔性层10D上，第二子层设置在第一子层上，第一绝缘层11设置在第二子层上。在EBB MASK过程中，第二凹槽32内的第二子层被刻蚀掉，第一子层被保留，即所形成的第一凹槽31是开设在第一绝缘层11和部分厚度的第二阻挡层10E上。在一些可能的实现方式中，第一子层称为第二阻挡层10E的残留部分，第二子层称为第二阻挡层10E的被刻蚀掉部分。在周边区330，多个间隔设置的裂缝暴露出第一绝缘层11的表面，形成凹凸状的裂缝坝结构。EBA MASK和EBB MASK工艺是对显示母板的弯折区进行挖槽的构图工艺，以减少弯折区的厚度。本公开中，在周边区330形成凹凸状的裂缝坝结构，是用于避免在显示母板切割过程中影响显示区域310和***电路区320的膜层结构，多个间隔设置的裂缝不仅能够减小显示区域310和***电路区320的受力，而且能够截断裂纹向显示区域310和***电路区320方向传递。
在示例性实施方式中，采用EBA MASK和EBB MASK工艺形成第一凹槽31和第二凹槽32过程中，可以通过设置工艺参数使第一凹槽31和第二凹槽32的内侧壁为坡面，坡面的母线与显示基板的法线方向的夹角θ为20°到50°。在示例性实施方式中，第一凹槽31的深度h1小于第二凹槽32的深度h2。在一些可能的实现方式中，第一凹槽31的深度h1(即第二台阶的厚度)可以为0.2μm到1.3μm，第二凹槽32的深度h2(即第三台阶的厚度)可以为0.5μm到1.4μm。
(4)在形成前述图案的柔性基底上涂覆第一平坦薄膜，形成覆盖整个柔性基底10的第一平坦化(PLN)层20，通过构图工艺在第一平坦层20上形成第二过孔、第三过孔和隔断，第二过孔内形成在显示区域310，第二过孔内的第一平坦层20和第五绝缘层19被刻蚀掉，暴露出第一晶体管101的第一漏电极的表面，第三过孔和隔断形成在***电路区320，第三过孔内的第一平坦层20和第五绝缘层19被刻蚀掉，暴露出低压线105的表面，隔断内的第一平坦层20被显影掉，暴露出第五绝缘层19的表面。在基板区域300的周边区330，第一平坦层20完全填充裂缝坝33中的裂缝。在切割区域400，第一平坦层20完全填充第一凹槽31和第二凹槽32，具有较平坦的表面，即切割区域400的第一平坦层20远离柔性基底10一侧的表面较为平齐状，如图7所示。在示例性实施方式中，第一平坦层20的厚度可以为0.8μm到1.5μm。本次构图工艺后，切割区域400包括设置在柔性基底10上具有凹槽的复合绝缘层和设置在复合绝缘层并填充凹槽的第一平坦层20。本公开中，在基板区域300形成隔断是用于后续封装时，使封装层中的无机层直接接触第五绝缘层19第四绝缘层16，保证封装效果和工艺质量。
(5)在形成前述图案的柔性基底上沉积第四金属薄膜，通过构图工艺对第四金属薄膜进行构图，在第一平坦层20上形成金属导电层图案，金属导电层至少包括第一连接电极106和第二连接电极107，第一连接电极106设置在显示区域310，通过第二过孔与第一晶体管101的第一漏电极连接，第二连接电极107设置在***电路区320，通过第三过孔与低压线105连接，并向周边区330方向延伸，覆盖第三过孔与隔断之间的第一平坦层20，如图8所示。在一示例性实施方式中，金属导电层也称之为第二源漏金属层(SD2)，根据实际设计，金属导电层还可以包括电源线、电源引线、低压引线和辅助阴极中的任意一种或多种，切割区域400也可以设置金属导电层，如实现测试的信号线等。本次构图工艺中，由于切割区域400的凹槽被第一平坦层20填充，第四金属薄膜是形成在平坦的第一平坦层20表面上，消除了切割区域400中第四金属薄膜各个位置的高度差，因而避免了金属薄膜刻蚀不完全的情形，构图工艺后不会有金属块残留。
(6)在形成前述图案的柔性基底上涂覆第二平坦薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，在第一平坦层20上形成第二平坦层21图案。在显示区域310，第二平坦层21上开设有第四过孔，第四过孔内的第二平坦层21被显影掉，暴露出第一连接电极106的表面，在***电路区320，第二平坦层21上开设有第五过孔和缝隙34，第五过孔内的第二平坦层21靠近过孔侧壁部分的第二平坦层21被显影掉，暴露出第二连接电极107的表面，缝隙34设置在第四过孔与第五过孔之间，缝隙34内的第一平坦层20和第二平坦层21被显影掉，暴露出第五绝缘层19的表面。裂缝坝33所在区域以及隔断所在区域的第二平坦层21被显影掉，暴露出第一平坦层20和隔断。在切割区域400，切割内区420的部分位置和切割外区430的部分位置设置有第二平坦层21，其它位置的第二平坦层21被显影掉，暴露出第一平坦层20的表面，如图9所示。在示例性实施方式中，第二平坦层21的厚度可以为0.8μm到1.5μm。有关切割区域400中第二平坦层21的位置，后面详细说明。在缝隙34所在区域，第二平坦层21的开口在柔性基底10上的正投影包含第一平坦层20的开口，即第二平坦层21的开口宽度大于第一平坦层20的开口宽度，第一平坦层20的开口暴露出第五绝缘层19，第二平坦层21的开口暴露出第一平坦层20的开口，在缝隙34的侧壁上形成阶梯状，使后续形成的阴极也具有阶梯状，以保证阴极与第三连接电极的可靠连接。本次构图工艺后，切割区域400包括设置在柔性基底10上具有凹槽的复合绝缘层以及设置在复合绝缘层并填充凹槽的第一平坦层20。本公开中，在***电路区320形成缝隙34是用于排放在工艺过程中平坦化(PLN)膜层产生的气体，提高工艺质量。
(7)在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成阳极23和第三连接电极108图案，阳极23形成在显示区域310的第二平坦层21上，通过第四过孔与第一连接电极106连接，第三连接电极108形成在***电路区320的第二平坦层21上，第三连接电极108的一部分通过第五过孔与第二连接电极107连接，另一部分设置在缝隙34中，第五过孔与缝隙34之间的第三连接电极108上开设有多个第六过孔，如图10所示。由于缝隙34的侧壁为阶梯状，因此设置在缝隙34中的第三连接电极108也为阶梯状。本次构图工艺后，切割区域400和周边区330(裂缝坝33所在区域)的膜层结构没有变化。
(8)在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，在基板区域300形成像素定义(PDL)层24、第一坝基201和第二坝基202图案，像素定义层24形成在显示区域310，其上开设有像素开口，像素开口内的像素定义薄膜被显影掉，暴露出阳极23的表面。第一坝基201和第二坝基202形成在***电路区320，第一坝基201设置在第五过孔内的第三连接电极108上，第二坝基202设置在第五过孔与隔断之间的第二平坦层21上，第一坝基201和第二坝基202的截面形状为梯形，如图11所示。本公开中，第一坝基201和第二坝基202是用于形成两个支撑坝(dam)。本次构图工艺后，切割区域400和周边区330(裂缝坝33所在区域)的膜层结构没有变化。
(9)在形成前述图案的基底上涂覆有机材料薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，在***电路区320形成多个隔离柱(PS)203图案，多个隔离柱203分别设置在第一坝基201、第二坝基202以及缝隙34两侧的位置，多个隔离柱203的截面形状为梯形，第一坝基201与其上的隔离柱203形成第一支撑坝，第二坝基202与其上的隔离柱203形成第二支撑坝，如图12所示。本次构图工艺后，切割区域400和周边区330(裂缝坝33所在区域)的膜层结构没有变化。
(10)在形成前述图案的基底上依次形成有机发光层25和阴极26，如图13所示。有机发光层25包括叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，形成在基板区域300的像素开口内，实现有机发光层25与阳极23连接。由于阳极23与第一连接电极106连接，第一连接电极106与第一晶体管101的漏电极连接，因而实现了有机发光层25的发光控制。阴极26的一部分形成在有机发光层25上，阴极26与有机发光层25连接，阴极26的另一部分形成在像素开口与第五过孔之间的区域，阴极26通过缝隙34和第五过孔与第三连接电极108连接。由于第三连接电极108与第二连接电极107连接，第二连接电极107与低压线105连接，因而实现了阴极26与低压线105的连接。由于缝隙34位置的第三连接电极108为阶梯状，因此所形成的阴极26也具有阶梯状，在不同的台阶上与第三连接电极108接触，保证了阴极与第三连接电极108的可靠连接。本次构图工艺后，切割区域400和周边区330(裂缝坝33所在区域)的膜层结构没有变化。
(11)在形成前述图案的基础上形成封装层27，封装层27形成在基板区域300的显示区域310和***电路区域320，采用无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，两个无机材料层设置在显示区域310和***电路区域320，包裹第一支撑坝和第二支撑坝，有机材料层设置在两个无机材料层之间，位于第一支撑坝远离周边区330的一侧，如图14所示。本公开中，由于第一平坦层20形成有暴露出第五绝缘层19的表面的隔断，因而两个无机材料层直接形成在隔断内的第五绝缘层19上，保证封装效果和工艺质量。本次构图工艺后，切割区域400和周边区330(裂缝坝33所在区域)的膜层结构没有变化。
(12)在制备完成上述膜层结构后，先通过剥离工艺将显示母板从玻璃载板1上剥离，然后采用滚轮贴合方式在显示母板背面(柔性基底10远离膜层的一侧表面)贴附一层背膜2，完成显示母板的制备，如图15所示。
(13)切割设备沿着切割区域400的切割道区410进行切割，切割条L将显示母板分隔成本公开的显示基板，如图16所示。切割完成后，切割区域400的切割道区410和切割外区430被切割掉，切割内区420保留下来，基板区域300的周边区330和切割区域400的切割内区420组成本公开显示基板的边缘区域500，如图3所示。
结合图3到图16，本公开显示基板的边缘区域500包括柔性基板10和设置在柔性基板10上的复合绝缘层，复合绝缘层由多个无机绝缘层组成，包括在柔性基板10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15第四绝缘层16和第五绝缘层19。在边缘区域500中的切割内区420，柔性基板10和复合绝缘层形成台阶结构，台阶结构包括由柔性基板10的第一柔性层10A、第一阻挡层10B、非晶硅层10C、第二柔性层10D和第二阻挡层10E的第一子层形成的第一台阶51，由第二阻挡层10E的第二子层和第一绝缘层11形成的第二台阶52，以及由第二绝缘层13、第三绝缘层15、第四绝缘层16和第五绝缘层19形成的第三台阶53，第一台阶51、第二台阶52和第三台阶53的高度从切割内区420到周边区330的方向依次增大，即从第一台阶51到第三台阶53的方向依次增大。切割内区420还包括第一平坦层20和设置在第一平坦层20上的第二平坦层21，第一平坦层20覆盖上述台阶结构，第一平坦层20的外边缘(远离周边区330一侧的端面)与柔性基板10的外边缘基本平齐，第二平坦层21设置在第一台阶51和第二台阶52的交界区域。在边缘区域500中的周边区330，复合绝缘层形成有裂缝坝33和覆盖裂缝坝33的第一平坦层20，裂缝坝33包括设置在复合绝缘层中的多个间隔设置的裂缝，裂缝中的第二绝缘层13、第三绝缘层15、第四绝缘层16和第五绝缘层19被去掉，暴露出第一绝缘层11的表面。周边区330的第一平坦层20覆盖裂缝坝33，填充裂缝坝33中的多个间隔设置的裂缝。周边区330的第一平坦层20的表面与切割内区420的第一平坦层20的表面基本平齐。
图17为本公开显示基板边缘区域的结构示意图。如图17所示，本公开边缘区域的台阶结构中，第二台阶52和第三台阶53的侧壁为坡面，坡面的母线与显示基板的法线方向的夹角θ为20°到50°。
在示例性实施方式中，第一台阶51的厚度h0大于第三台阶53的厚度h2，第一台阶51的厚度h0大于第二台阶52的厚度h1。在一些可能的实现方式中，第三台阶53的厚度h2可以大于第二台阶52的厚度h1。本公开中，台阶的厚度是指台阶的上表面与台阶的下表面之间的距离。
在示例性实施方式中，第一台阶51的厚度h0可以为15μm到20.7μm，第二台阶52的厚度h1可以为0.2μm到1.3μm，第三台阶53的厚度h2可以为0.5μm到1.4μm。在一些可能的实现方式中，第一台阶51的厚度h0可以为17.654μm，第二台阶52的厚度h1可以为0.76μm，第三台阶53的厚度h2可以为0.80μm。
在示例性实施方式中，第一子层的厚度可以为0.05μm到0.06μm，第二子层的厚度可以为0.44μm到0.55μm，即厚度为0.4μm到0.7μm的第二阻挡层10E中，被刻蚀掉的厚度可以为0.44μm到0.55μm，残留的厚度可以为0.05μm到0.06μm。在一些可能的实现方式中，第二阻挡层10E的厚度可以为0.55μm，第一子层的厚度可以为0.054μm，第二子层的厚度可以为0.496μm。
在示例性实施方式中，以第一子层邻近第二柔性层一侧的表面(第二阻挡层邻近第二柔性层一侧的表面，或者第二柔性层邻近第二阻挡层一侧的表面)为参考面，第一台阶51的上表面与参考面之间的距离可以为0.05μm到0.06μm，第二台阶52的上表面与参考面之间的距离可以为0.75μm到0.95μm，第三台阶53的上表面与参考面之间的距离可以为1.40μm到1.80μm。在一些可能的实现方式中，第一台阶51的上表面与参考面之间的距离可以为0.054μm，第二台阶52的上表面与参考面之间的距离可以为0.812μm，第三台阶53的上表面与参考面之间的距离可以为1.614μm。
在示例性实施方式中，第一台阶51的边缘到第二台阶52的边缘的距离为s1，s1称为第一台阶51的宽度，第二台阶52的边缘到第三台阶53的边缘的距离为s2，s2称为第二台阶52的宽度，第三台阶53的边缘到裂缝坝的边缘的距离为s3，s3称为第三台阶53的宽度。第一台阶51的宽度s1大于第二台阶52的宽度s2，第一台阶51的宽度s1大于第三台阶53的宽度s3。
在示例性实施方式中，第一台阶51的宽度s1可以为55μm到210μm，第二台阶52的宽度s2可以为5μm到40μm，第三台阶53的宽度s3可以为5μm到15μm，第二台阶52的宽度s2可以大于或等于第三台阶53的宽度s3。在一些可能的实现方式中，第一台阶51的宽度s1可以为105μm。在另一些可能的实现方式中，第一台阶51的宽度s1可以为160μm。在一些可能的实现方式中，第二台阶52的宽度s2可以为35μm，第三台阶53的宽度s3可以为6μm。在一些可能的实现方式中，第二台阶52的宽度s2可以为10μm，第三台阶53的宽度s3可以为10μm。
在示例性实施方式中，边缘区域500的第二平坦层21在柔性基底10上的正投影与第一台阶51和第二台阶52在柔性基底10上的正投影部分重叠，即第二平坦层21在柔性基底10上的正投影与部分第二台阶52在柔性基底10上的正投影重叠，与部分第一台阶51在柔性基底10上的正投影重叠。边缘区域500的第二平坦层21远离显示区域的边缘到第二台阶52的边缘的距离为s4，s4称为第二平坦层21覆盖第一台阶51的宽度，即第二平坦层21在柔性基底10上的正投影与第一台阶51在柔性基底10上的正投影重叠的宽度。边缘区域500的第二平坦层21邻近显示区域的边缘到第二台阶52的边缘的距离为s5，s5称为第二平坦层21覆盖第二台阶52的宽度，即第二平坦层21在柔性基底10上的正投影与第二台阶52在柔性基底10上的正投影重叠的宽度。在示例性实施方式中，第二平坦层21覆盖第一台阶51的宽度s4可以为10μm到20μm，第二平坦层21覆盖第二台阶52的宽度s5可以为20μm到30μm。在一些可能的实现方式中，第二平坦层21覆盖第一台阶51的宽度s4可以为15μm，第二平坦层21覆盖第二台阶52的宽度s5可以为25μm。在示例性实施方式中，沿着远离显示区域的方向，边缘区域500的第二平坦层21的宽度s6可以为30μm到50μm。在一些可能的实现方式中，边缘区域500的第二平坦层21的宽度s6可以为40μm。本公开示例性实施例中，通过将第二平坦层21设置在第一台阶51与第二台阶52的交界区域，第二平坦层21覆盖第二台阶52的坡面侧壁所在区域，在后续形成阳极23和第三连接电极108图案的构图工艺中，可以避免透明导电薄膜的刻蚀残留，提高工艺质量。
在一种示例性实施方式中，基板区域还可以包括设置在封装层上的触控层或触控面板以及覆盖触控层或触控面板的保护层(OC)。在另一种示例性实施方式中，显示基板区域还可以包括保护膜(Temporary Protect Film，简称TPF)，保护膜贴设在封装层上，保护膜用于保护显示基板的膜层结构，贴附背膜操作是在贴附保护膜后进行。完成切割后，先去除该保护膜，然后在封装层上依次设置触控层和盖板，形成触控显示面板；或者在封装层上直接设置盖板，形成显示面板。
本公开中，第一绝缘薄膜、第二绝缘薄膜、第三绝缘薄膜、第四绝缘薄膜和第五绝缘薄膜可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称之为缓冲(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层称之为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层称之为层间绝缘(ILD)层，第五绝缘层称之为钝化(PVX)层。第一平坦层和第二平坦层可以采用有机材料。第一金属薄膜、第二金属薄膜、第三金属薄膜和第四金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Mo/Cu/Mo等。阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或更多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。
如图3～图16所示，本公开所提供的显示基板包括：
柔性基底10，柔性基底10包括依次叠设的第一柔性层10A、第一阻挡层10B、非晶硅(a-si)层10C、第二柔性层10D和第二阻挡层10E；
设置在柔性基底10上的第一绝缘层11；
设置在第一绝缘层11上的有源层图案，有源层图案设置在显示区域310，有源层图案至少包括第一有源层12A、第二有源层12B和第三有源层12C；
覆盖有源层的第二绝缘层13；
设置在第二绝缘层13上的第一栅金属层，第一栅金属层设置在显示区域310和***电路区320，第一栅金属层至少包括显示区域310的第一栅电极14A以及***电路区320的第二栅电极14B、第三栅电极14C、第一电容电极41A和第二电容电极41B；
覆盖第一栅金属层的第三绝缘层15；
设置在第三绝缘层15上的第二栅金属层，第二栅金属层设置在***电路区320，第二栅金属层至少包括第三电容电极42A和第四电容电极42B；
覆盖第二栅金属层的第四绝缘层16，显示区域310和***电路区320的第四绝缘层16上开设有多个第一过孔，多个第一过孔分别暴露出第一有源层12A、第二有源层12B和第三有源层12C；
设置在第四绝缘层16上的源漏金属层，源漏金属层设置在显示区域310和***电路区320，源漏金属层至少包括显示区域310的第一源电极17A和第一漏电极18A，以及***电路区320的第二源电极17B、第二漏电极18B、第三源电极17C、第三漏电极18C和低压线105，第一源电极17A和第一漏电极18A分别通过第一过孔与第一有源层12A连接，第二源电极17B和第二漏电极18B分别通过第一过孔与第二有源层12B连接，第三源电极17C和第三漏电极18C分别通过第一过孔与第三有源层12C连接；
覆盖源漏金属层的第五绝缘层19，第五绝缘层19设置在显示区域310和部分***电路区320；周边区330形成的复合绝缘层设置有裂缝坝33，裂缝坝33包括多个间隔设置的裂缝，裂缝暴露出第一绝缘层11；切割区域400形成的复合绝缘层设置有凹槽，凹槽暴露出柔性基底10的第二阻挡层10E的第一子层，凹槽包括第一凹槽31和第二凹槽32，第一凹槽31设置在第二阻挡层10E的第二子层和第一绝缘层11上，暴露出柔性基底10的第二阻挡层10E的第一子层，第二凹槽32设置在第二绝缘层13、第三绝缘层15、第四绝缘层16和第五绝缘层19上，暴露出第一凹槽31；
覆盖前述结构的第一平坦层20；在显示区域310，第一平坦层20上开设有第二过孔，在***电路区320，第一平坦层20上开设有第三过孔和隔断，第二过孔暴露出第一漏电极18A，第三过孔暴露出低压线105，隔断暴露出第五绝缘层19；在周边区330，第一平坦层20完全填充裂缝坝33，在切割区域400，第一平坦层20完全填充凹槽；
设置在第一平坦层20上的金属导电层，金属导电层至少包括显示区域310的第一连接电极106和***电路区320的第二连接电极107，第一连接电极106通过第二过孔与第一漏电极18A连接，第二连接电极107通过第三过孔与低压线105连接；
覆盖金属导电层的第二平坦层21；在显示区域310，第二平坦层21设置有第四过孔，在***电路区320，第二平坦层21设置有第五过孔和缝隙34，第四过孔暴露出第一连接电极106，第五过孔暴露出第二连接电极107，缝隙34暴露出第五绝缘层19；
设置在第二平坦层23上的阳极23和第三连接电极108，阳极23形成在显示区域310，第三连接电极108形成在***电路区320，阳极23通过第四过孔与第一连接电极106连接，第三连接电极108通过第五过孔与第二连接电极107连接；
设置在显示区域310的像素定义层24以及***电路区320的第一坝基201和第二坝基202，像素定义层24上开设有像素开口，像素开口暴露出阳极23，第一坝基201设置在第五过孔内的第三连接电极108上，第二坝基202设置在第一坝基201邻近切割区域400的一侧；
设置在***电路区320的多个隔离柱203；
设置在显示区域310的有机发光层25，有机发光层25与阳极23连接；
设置在显示区域310和***电路区320的阴极26，阴极26与分别与有机发光层25和第三连接电极108连接；
设置在显示区域310和***电路区320的封装层27。
图18为本公开绑定区域的结构示意图。如图18所示，在平行于显示基板的平面内，绑定区域302位于显示区域310的一侧，绑定区域302包括第一扇出区303、弯折区304、第二扇出区305、防静电区306、驱动芯片区307和绑定针区308，弯折区304的复合绝缘层采用EBAMASK和EBB MASK工艺去除，以减少弯折区的厚度。本公开中，前述形成第一凹槽和第二凹槽的工艺与弯折区304去除复合绝缘层的工艺是同步进行的。在制备显示母板过程中，绑定区域302远离显示区域310一侧，还设置有阵列测试(Array Test)单元600，阵列测试单元600通过信号线与绑定针区308连接，被配置为对显示基板进行测试，以检查是否有短路、断路等问题。绑定区域302的外侧设置有第一切割线701和第二切割线702，第二切割线702为精切割线，位于绑定区域302的***，第二切割线702的形状与绑定区域302的轮廓相同，第一切割线701为粗切割线，位于第二切割线702的***，第一切割线701的形状与第二切割线702的的轮廓相同，但绑定区域302与阵列测试单元600之间仅设置第二切割线702。在阵列测试单元600远离绑定区域302的一侧，还设置有至少一条第一切割线701。在完成显示母板的膜层工艺后，切割设备沿着第一切割线701(粗切割线)切割显示母板，形成多个基板区域，在完成显示基板测试后，切割设备沿着第二切割线702(精切割线)切割基板区域，形成显示基板。
图19为图18中B-B向的剖视图。在垂直于显示基板的平面内，绑定区域302包括：设置在柔性基底10上的第一绝缘层11，设置在第一绝缘层11上的第二绝缘层13，设置在第二绝缘层13上的第三绝缘层15，设置在第三绝缘层15上的第四绝缘层16，设置在第四绝缘层16上的多个第一引线，覆盖多个第一引线的第五绝缘层19和第一平坦层20，设置在第一平坦层20上的多个第二引线(未示出)，覆盖多个第二引线的第二平坦层21。多个第一引线与前述的源漏金属层同层设置，且通过同一次构图工艺同时形成，多个第二引线与前述的金属导电层同层设置，且通过同一次构图工艺同时形成。在一些可能的实现方式中，绑定区域302还可以包括与前述第一栅金属层同层设置的引线，或者可以包括与前述第二栅金属层同层设置的引线。位于绑定区域之外的切割区域，包括设置在柔性基底10上的复合绝缘层和第一平坦层20，复合绝缘层设置有台阶结构的凹槽，第一平坦层20填充该凹槽。
图19示意了凹槽的结构，凹槽的右侧为边缘区域的台阶结构，凹槽的左侧为切割外区430的台阶结构，切割外区430称之为虚拟(Dummy)区，凹槽中间部分的双虚线表示切割线。边缘区域的台阶结构特点及其相应几何参数已在图17中详细说明，这里不再赘述。如图19所示，虚拟区的台阶结构中，虚拟区的第二台阶52′和虚拟区的第三台阶53′的侧壁为坡面，坡面的母线与显示基板的法线方向的夹角θ为20°到50°。
在示例性实施方式中，虚拟区的第一台阶51′的厚度h0大于虚拟区的第三台阶53′的厚度h2，虚拟区的第一台阶51′的厚度h0大于虚拟区的第二台阶52′的厚度h1。在一些可能的实现方式中，虚拟区的第三台阶53′的厚度h2可以大于虚拟区的第二台阶52′的厚度h1。
在示例性实施方式中，虚拟区的第一台阶51′的厚度h0可以为15μm到20.7μm，虚拟区的第二台阶52′的厚度h1可以为0.2μm到1.3μm，虚拟区的第三台阶53′的厚度h2可以为0.5μm到1.4μm。在一些可能的实现方式中，虚拟区的第一台阶51′的厚度h0可以为17.654μm，虚拟区的第二台阶52′的厚度h1可以为0.76μm，虚拟区的第三台阶53′的厚度h2可以为0.80μm。
在示例性实施方式中，虚拟区的第一台阶51′的边缘到虚拟区的第二台阶52′的边缘的距离为s1′，s1′称为虚拟区的第一台阶51′的宽度，虚拟区的第二台阶52′的边缘到虚拟区的第三台阶53′的边缘的距离为s2′，s2′称为虚拟区的第二台阶52′的宽度，虚拟区的第一台阶51′的宽度s1′大于虚拟区的第二台阶52的宽度s2′。
在示例性实施方式中，虚拟区的第一台阶51′的宽度s1′为55μm到155μm，虚拟区的第二台阶52′的宽度s2′为5μm到15μm。在一些可能的实现方式中，虚拟区的第一台阶51′的宽度s1′为105μm。在一些可能的实现方式中，虚拟区的第二台阶52′的宽度s2′为10μm。
在示例性实施方式中，虚拟区的第二平坦层21在柔性基底10上的正投影包含虚拟区的第二台阶52′和第三台阶53′在柔性基底10上的正投影，包含部分虚拟区的第一台阶51′在柔性基底10上的正投影。虚拟区的第二平坦层21邻近显示区域的边缘到虚拟区的第二台阶52′的边缘的距离为s4′，s4′称为第二平坦层21覆盖虚拟区的第一台阶51′的宽度。在示例性实施方式中，第二平坦层21覆盖虚拟区的第一台阶51′的宽度s4′为10μm到20μm。在一些可能的实现方式中，第二平坦层21覆盖虚拟区的第一台阶51′的宽度s4′为15μm。
图20为图18中C-C向的剖视图。如图18和图20所示，沿着远离显示区域310的方向，绑定区域302包括绑定电路区域311和绑定切割区域312，第一扇出区303、弯折区304、第二扇出区305、防静电区306、驱动芯片区307和绑定针区308设置在绑定电路区域311，绑定区域302与阵列测试单元600之间的第二切割线702设置在绑定切割区域312。在形成第一平坦层20和第二平坦层21时，绑定切割区域312以及阵列测试单元600所在区域的第一平坦层20和第二平坦层21被去掉，即沿着远离显示区域310的方向，第一平坦层20和第二平坦层21延伸到绑定电路区域311与绑定切割区域312的边界。由于绑定区域302与阵列测试单元600之间设置有多条信号线，因此绑定切割区域312的复合绝缘层没有开设第一凹槽和第二凹槽。在完成显示基板测试后，切割设备沿着第二切割线702切割基板区域后，绑定区域302远离显示区域一侧的边缘区域形成阶梯结构，阶梯结构包括第一阶梯和第二阶梯，第一阶梯由柔性基底和复合绝缘层组成，柔性基底和复合绝缘层远离显示区域一侧的端面平齐，第二阶梯由第一平坦层和第二平坦层组成，第一平坦层和第二平坦层远离显示区域一侧的端面基本平齐。这样，绑定区域302远离显示区域310一侧的边缘区域形成有阶梯结构，除了绑定区域302远离显示区域310一侧的边缘区域，显示区域和绑定区域的其它边缘区域中均形成有台阶结构。
通过本公开显示基板的结构和制备流程可以看出，本公开所提供的显示基板，通过设置第一平坦层完全填充切割区域的凹槽，避免了金属导电层构图工艺中出现金属块残留，在后续工艺中既不会出现Ag粒子和颗粒，也不会出现Ag粒子和颗粒随处附着的情形，有效避免了显示基板出现暗点不良，提高了显示品质。
一种显示基板的结构中，为了减少后续切割工艺的切割厚度和难度，切割区域的复合绝缘层和第一平坦层上开设有暴露出基底的凹槽。由于凹槽的总深度为第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第五绝缘层和第一平坦层的厚度之和，不仅使得所沉积的金属薄膜各个位置的高度不一样，而且金属薄膜具有较大的高度差，导致构图工艺中金属薄膜刻蚀不完全，构图工艺后凹槽底面和台阶面上残留有金属块。此外，由于凹槽使得所沉积的金属薄膜直接与柔性基底接触，金属与有机材料发生化学反应并产生颗粒，因而存在颗粒污染设备的问题。本公开中，虽然切割区域的复合绝缘层上也开设有凹槽，但本公开的第一平坦层被设置成完全填充复合绝缘层的凹槽，利用第一平坦层消除了凹槽区域的高度差。后续沉积金属薄膜时，由于切割区域具有平坦的表面的，所沉积的金属薄膜在各个位置的高度相近，因此避免了在金属薄膜构图工艺中出现金属块残留，后续工艺中既不会出现Ag粒子，也不会出现Ag粒子随处附着的情形。此外，由于凹槽被第一平坦层填充，后续沉积的金属薄膜没有与柔性基底直接接触，既避免了金属与有机材料发生化学反应产生颗粒，又保护了柔性基底不被金属腐蚀。本公开的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，可以很好地与现有制备工艺兼容，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。总之，本公开有效避免了因金属块残留和颗粒污染造成的暗点不良，保证了产品良率，提高了产品品质。
本公开显示基板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，OLED可以是顶发射结构，或者可以是底发射结构。又如，驱动晶体管可以是顶栅结构，或者可以是底栅结构，可以是单栅结构，或者可以是双栅结构。再如，驱动结构层中还可以设置其它电极、引线和结构膜层，本公开在此不做具体的限定。
本公开还提供了一种显示母板，显示母板包括基板区域300和位于基板区域300***的切割区域400。如图4到图16所示，所述显示母板包括：设置在所述基板区域和切割区域的驱动结构层，设置在所述驱动结构层上的第一平坦层；所述切割区域的驱动结构层包括复合绝缘层，所述复合绝缘层设置有凹槽，所述第一平坦层填充所述凹槽。
在示例性实施方式中，所述复合绝缘层包括多个叠设的无机绝缘层，所述凹槽暴露出所述柔性基底。
在示例性实施方式中，所述基板区域的驱动结构层包括：设置在柔性基底上的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的有源层，覆盖所述有源层的第二绝缘层，设置在所述第二绝缘层上的第一栅金属层，覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层，设置在所述第三绝缘层上的第二栅金属层，覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层，设置在所述第四绝缘层上的源漏金属层，覆盖所述源漏金属层的第五绝缘层。
在示例性实施方式中，所述切割区域的驱动结构层包括：在柔性基底上叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层；所述柔性基底包括叠设的第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层、第二柔性层和第二阻挡层，所述第一绝缘层设置在所述第二阻挡层上，所述凹槽暴露出所述柔性基底的第二阻挡层。
在示例性实施方式中，所述第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层和第二柔性层的总厚度可以为15μm到20μm，所述第二阻挡层的厚度可以为0.4μm到0.7μm，所述第一绝缘层的厚度可以为0.2μm到0.6μm。
在示例性实施方式中，所述第二阻挡层包括在所述第二柔性层上叠设的第一子层和第二子层；所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽设置在所述第一绝缘层和第二阻挡层的第二子层上，所述第一凹槽暴露出所述柔性基底的第二阻挡层的第一子层，所述第二凹槽设置在所述第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层上，所述第二凹槽暴露出所述第一绝缘层和所述柔性基底的第二阻挡层的第一子层，所述第二凹槽在柔性基底上的正投影包含所述第一凹槽在柔性基底上的正投影。
在示例性实施方式中，显示母板还包括：设置在所述第一平坦层上的金属导电层，覆盖所述金属导电层的第二平坦层。
在示例性实施方式中，所述第一凹槽的深度可以为0.2μm到1.3μm，所述第二凹槽的深度可以为0.5μm到1.4μm。
本公开还提供了一种显示基板的制备方法。在示例性实施方式中，显示基板的制备方法可以包括：
S1、在多个基板区域和围绕所述基板区域的切割区域形成驱动结构层，所述切割区域的驱动结构层包括设置在柔性基底上的复合绝缘层，所述复合绝缘层形成台阶结构的凹槽；
S2、形成覆盖所述驱动结构层的第一平坦层，所述第一平坦层填充所述凹槽；
S3、在所述切割区域进行切割形成显示基板，在所述显示基板的边缘区域形成台阶结构；所述台阶结构中台阶的高度从显示基板边缘到显示基板内部的方向依次增大；所述第一平坦层覆盖所述台阶结构，所述第一平坦层的边缘与所述柔性基板的边缘平齐。
在示例性实施方式中，所述复合绝缘层可以包括多个叠设的无机绝缘层，所述凹槽可以暴露出所述柔性基底。
在示例性实施方式中，步骤S1中在切割区域形成驱动结构层，可以包括：
S11、在柔性基底上依次形成第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层；
S12、对所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层进行构图，形成暴露出所述柔性基底的凹槽。
在示例性实施方式中，所述柔性基底可以包括叠设的第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层、第二柔性层和第二阻挡层，所述第二阻挡层可以包括在所述第二柔性层上叠设的第一子层和第二子层；所述第一绝缘层可以形成在所述第二阻挡层的第二子层上；步骤S12包括：
通过第一次构图工艺，在所述第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层上形成暴露出所述第一绝缘层的第二凹槽；
通过第二次构图工艺，在所述第二凹槽内的第一绝缘层和第二阻挡层的第二子层上形成暴露出所述柔性基底的第二阻挡层的第一子层的第一凹槽，所述第二凹槽暴露出所述第一凹槽。
本公开提供了一种显示基板的制备方法，通过设置第一平坦层完全填充切割区域的凹槽，避免了在金属导电层构图工艺中出现金属块残留，在后续工艺中既不会出现Ag粒子和颗粒，也不会出现Ag粒子和颗粒随处附着的情形，有效避免了显示基板出现暗点不良。本公开的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，可以很好地与现有制备工艺兼容，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
本公开还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本申请中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本申请的权利要求的范围当中。

Claims (19)

1.一种显示基板，包括柔性基底和设置在所述柔性基底上的复合绝缘层，所述显示基板的边缘区域包括由所述复合绝缘层形成的台阶结构，所述台阶结构包括第一台阶、第二台阶和第三台阶；所述台阶结构中台阶的高度从显示基板边缘到显示基板内部的方向依次增大；所述边缘区域还包括覆盖所述台阶结构的第一平坦层和设置在所述第一平坦层上的第二平坦层，所述第一平坦层的边缘与所述柔性基板的边缘平齐，所述第二平坦层设置在所述第一台阶与所述第二台阶的交界区域，所述第二平坦层覆盖所述第二台阶的坡面侧壁所在区域，所述第二平坦层在所述柔性基底上的正投影与所述第一台阶和第二台阶在所述柔性基底上的正投影部分重叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一台阶的厚度大于所述第二台阶的厚度，所述第一台阶的厚度大于所述第三台阶的厚度。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述第一台阶的厚度为15μm到20.7μm，所述第二台阶的厚度为0.2μm到1.3μm，所述第三台阶的厚度为0.5μm到1.4μm。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其中，在显示基板内部到显示基板边缘的方向，所述第二平坦层在所述柔性基底上的正投影与所述第一台阶在所述柔性基底上的正投影重叠的宽度为10μm到20μm，所述第二平坦层在所述柔性基底上的正投影与所述第二台阶在所述柔性基底上的正投影重叠的宽度为20μm到30μm。
5.根据权利要求1到4任一项所述的显示基板，其中，所述显示基板的基板区域包括：设置在所述柔性基底上的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的有源层，覆盖所述有源层的第二绝缘层，设置在所述第二绝缘层上的第一栅金属层，覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层，设置在所述第三绝缘层上的第二栅金属层，覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层，设置在所述第四绝缘层上的源漏金属层，覆盖所述源漏金属层的第五绝缘层，设置在所述第一平坦层上的金属导电层，覆盖所述金属导电层的第二平坦层。
6.根据权利要求1到4任一项所述的显示基板，其中，所述柔性基底包括依次叠设的第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层、第二柔性层和第二阻挡层，所述复合绝缘层包括在所述第二阻挡层上叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层；所述第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层和第二柔性层的总厚度为15μm到20μm，所述第二阻挡层的厚度为0.4μm到0.7μm，所述第一绝缘层的厚度为0.2μm到0.6μm。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述第二阻挡层包括在所述第二柔性层上叠设的第一子层和第二子层；所述第一台阶包括所述第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层、第二柔性层和所述第二阻挡层的第一子层，所述第二台阶包括所述第二阻挡层的第二子层和第一绝缘层，所述第三台阶包括所述第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层；所述第一台阶的上表面与参考面之间的距离为0.05μm到0.06μm，所述第二台阶的上表面与参考面之间的距离为0.75μm到0.95μm，所述第三台阶的上表面与参考面之间的距离可以为1.40μm到1.80μm，所述参考面为所述第一子层邻近所述第二柔性层一侧的表面。
8.根据权利要求1到4任一项所述的显示基板，其中，所述第二台阶和第三台阶的侧壁为坡面，所述坡面的母线与所述显示基板的法线方向的夹角为20°到50°。
9.根据权利要求1到4任一项所述的显示基板，其中，第一台阶的边缘到第二台阶的边缘的距离大于第二台阶的边缘到第三台阶的边缘的距离，第一台阶的边缘到第二台阶的边缘的距离大于第三台阶的边缘到裂缝坝的边缘的距离。
10.根据权利要求9所述的显示基板，第一台阶的边缘到第二台阶的边缘的距离为55μm到210μm，第二台阶的边缘到第三台阶的边缘的距离为5μm到40μm，第三台阶的边缘到裂缝坝的边缘的距离为5μm到15μm。
11.根据权利要求1到4任一项所述的显示基板，其中，所述边缘区域的复合绝缘层上还设置有裂缝坝，所述裂缝坝包括多个间隔设置的裂缝，所述裂缝暴露出第一绝缘层；所述第一平坦层覆盖所述裂缝坝。
12.根据权利要求11所述的显示基板，其中，所述显示基板的边缘区域包括周边区和切割内区，所述切割内区位于所述周边区远离基板区域的一侧；所述台阶结构设置在所述切割内区，所述裂缝坝设置在所述周边区。
13.根据权利要求12所述的显示基板，其中，所述显示基板的基板区域包括显示区域和设置在所述显示区域一侧的绑定区域，所述绑定区域远离所述显示区域一侧的边缘区域形成阶梯结构，所述阶梯结构包括第一阶梯和第二阶梯，所述第一阶梯由柔性基底和复合绝缘层形成，所述第二阶梯由所述第一平坦层和第二平坦层形成；除了所述绑定区域远离所述显示区域一侧的边缘区域，所述台阶结构设置在所述显示区域和绑定区域的其它边缘区域中。
14.一种显示母板，包括多个基板区域和围绕所述基板区域的切割区域；所述显示母板包括：设置在所述基板区域和切割区域的驱动结构层，设置在所述驱动结构层上的第一平坦层和设置在所述第一平坦层上的第二平坦层；所述切割区域的驱动结构层包括复合绝缘层，所述复合绝缘层设置有凹槽，所述第一平坦层填充所述凹槽；所述凹槽靠近所述基板区域的一侧形成台阶结构，所述台阶结构包括第一台阶、第二台阶和第三台阶，所述第二平坦层设置在所述第一台阶与所述第二台阶的交界区域，所述第二平坦层覆盖所述第二台阶的坡面侧壁所在区域，所述第二平坦层在柔性基底上的正投影与所述第一台阶和第二台阶在所述柔性基底上的正投影部分重叠。
15.根据权利要求14所述的显示母板，其中，所述基板区域的驱动结构层包括：设置在柔性基底上的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的有源层，覆盖所述有源层的第二绝缘层，设置在所述第二绝缘层上的第一栅金属层，覆盖所述第一栅金属层的第三绝缘层，设置在所述第三绝缘层上的第二栅金属层，覆盖所述第二栅金属层的第四绝缘层，设置在所述第四绝缘层上的源漏金属层，覆盖所述源漏金属层的第五绝缘层；所述切割区域的驱动结构层包括：在柔性基底上叠设的第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层；所述柔性基底包括叠设的第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层、第二柔性层和第二阻挡层；所述第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层和第二柔性层的总厚度为15μm到20μm，所述第二阻挡层的厚度为0.4μm到0.7μm，所述第一绝缘层的厚度为0.2μm到0.6μm。
16.根据权利要求15所述的显示母板，其中，所述第二阻挡层包括在所述第二柔性层上叠设的第一子层和第二子层；所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽设置在所述第一绝缘层和第二阻挡层的第二子层上，所述第一凹槽暴露出所述第二阻挡层的第一子层，所述第二凹槽设置在所述第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层上，所述第二凹槽暴露出所述第一绝缘层和所述第二阻挡层的第一子层，所述第二凹槽在柔性基底上的正投影包含所述第一凹槽在柔性基底上的正投影；所述第一凹槽的深度为0.2μm到1.3μm，所述第二凹槽的深度为0.5μm到1.4μm。
17.一种显示基板的制备方法，包括：
在多个基板区域和围绕所述基板区域的切割区域形成驱动结构层，所述切割区域的驱动结构层包括设置在柔性基底上的复合绝缘层，所述复合绝缘层形成台阶结构的凹槽；
形成覆盖所述驱动结构层的第一平坦层和设置在所述第一平坦层上的第二平坦层，所述第一平坦层填充所述凹槽；
在所述切割区域进行切割形成显示基板，在所述显示基板的边缘区域形成台阶结构，所述台阶结构包括第一台阶、第二台阶和第三台阶；所述台阶结构中台阶的高度从显示基板边缘到显示基板内部的方向依次增大；所述第一平坦层覆盖所述台阶结构，所述第一平坦层的边缘与所述柔性基板的边缘平齐，所述第二平坦层设置在所述第一台阶与所述第二台阶的交界区域，所述第二平坦层覆盖所述第二台阶的坡面侧壁所在区域，所述第二平坦层在所述柔性基底上的正投影与所述第一台阶和第二台阶在所述柔性基底上的正投影部分重叠。
18.根据权利要求17所述的制备方法，其中，在切割区域形成驱动结构层，包括：
在柔性基底上依次形成第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层；所述柔性基底包括叠设的第一柔性层、第一阻挡层、非晶硅层、第二柔性层和第二阻挡层，所述第二阻挡层包括在所述第二柔性层上叠设的第一子层和第二子层；所述第一绝缘层形成在所述第二阻挡层的第二子层上；
通过第一次构图工艺，在所述第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层上形成暴露出所述第一绝缘层的第二凹槽；
通过第二次构图工艺，在所述第二凹槽内的第一绝缘层和第二阻挡层的第二子层上形成暴露出所述第二阻挡层的第一子层的第一凹槽，所述第二凹槽暴露出所述第一凹槽。
19.一种显示装置，包括如权利要求1到13任一项所述的显示基板。
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