KR102333671B1 - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102333671B1
KR102333671B1 KR1020170065883A KR20170065883A KR102333671B1 KR 102333671 B1 KR102333671 B1 KR 102333671B1 KR 1020170065883 A KR1020170065883 A KR 1020170065883A KR 20170065883 A KR20170065883 A KR 20170065883A KR 102333671 B1 KR102333671 B1 KR 102333671B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
region
substrate
disposed
insulating layer
Prior art date
Application number
KR1020170065883A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180130613A (ko
Inventor
이정호
김양희
신준철
권호균
김득종
이근수
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170065883A priority Critical patent/KR102333671B1/ko
Priority to US15/952,885 priority patent/US10658628B2/en
Priority to CN201810533364.4A priority patent/CN108933162B/zh
Priority to CN202311442149.0A priority patent/CN117500324A/zh
Publication of KR20180130613A publication Critical patent/KR20180130613A/ko
Priority to US16/877,048 priority patent/US11251412B2/en
Priority to KR1020210165601A priority patent/KR102480110B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102333671B1 publication Critical patent/KR102333671B1/ko
Priority to US17/648,728 priority patent/US20220149131A1/en

Links

Images

Classifications

    • H01L51/5253—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H01L27/3276—
    • H01L51/0097—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H01L2251/5338—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

유기 발광 표시 장치는 화소 영역 및 화소 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 표시 영역, 표시 영역으로부터 이격되는 패드 영역 및 표시 영역과 패드 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 포함하는 기판, 기판 상에 배치되고, 벤딩 영역에 위치한 기판의 상면을 노출시키는 제1 개구를 갖는 버퍼층, 버퍼층 상의 화소 영역에 배치되는 화소 구조물들, 버퍼층 상에 배치되고, 벤딩 영역에 위치한 기판의 상면 및 벤딩 영역에 인접하여 위치한 버퍼층의 제1 부분을 노출시키는 제2 개구를 갖는 절연층 구조물, 절연층 구조물 상에 배치되고, 상기 기판의 상면 및 상기 버퍼층의 제1 부분이 노출되도록 벤딩 영역에 인접하여 위치하는 상기 주변 영역 및 상기 패드 영역에 배치되는 팬-아웃 배선, 팬-아웃 배선, 벤딩 영역과 인접하여 위치한 절연층 구조물의 측벽 및 버퍼층의 제1 부분 상에 배치되고, 벤딩 영역에 위치한 기판의 상면을 노출시키는 제3 개구를 갖는 패시베이션층 및 기판 상의 벤딩 영역에 배치되고, 팬-아웃 배선과 직접적으로 접촉하며, 화소 구조물들과 외부 장치를 전기적으로 연결시키는 연결 전극을 포함할 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로써 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다.
최근 이러한 유기 발광 표시 장치에 포함된 표시 패널의 하부 기판과 상부 기판을 플렉서블한 재료로 구성하여, 유기 발광 표시 장치의 일부가 벤딩 또는 폴딩될 수 있는 플렉서블 유기 발광 표시 장치가 개발되고 있다. 예를 들면, 표시 패널에 포함된 하부 기판은 플렉서블한 기판으로 구성될 수 있고, 표시 패널에 포함된 상부 기판은 박막 봉지 구조물을 가질 수 있다. 여기서, 유기 발광 표시 장치가 용이하게 벤딩되도록 유기 발광 표시 장치가 벤딩되는 부분에 배치되는 무기 절연층들을 제거하는 마스크 공정이 추가적으로 수행될 수 있다. 이러한 경우, 마스크 공정 횟수가 증가함에 따라 유기 발광 표시 장치의 제조 비용도 증가될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 벤딩되는 부분에 무기 절연층들을 제거할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 마스크 공정 횟수를 상대적으로 줄일 수 있는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적들에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역 및 상기 화소 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 표시 영역, 상기 표시 영역으로부터 이격되는 패드 영역 및 상기 표시 영역과 상기 패드 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 제1 개구를 갖는 버퍼층, 상기 버퍼층 상의 상기 화소 영역에 배치되는 화소 구조물들, 상기 버퍼층 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면 및 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치한 상기 버퍼층의 제1 부분을 노출시키는 제2 개구를 갖는 절연층 구조물, 상기 절연층 구조물 상에 배치되고, 상기 기판의 상면 및 상기 버퍼층의 제1 부분이 노출되도록 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치하는 상기 주변 영역 및 상기 패드 영역에 배치되는 팬-아웃 배선, 상기 팬-아웃 배선, 상기 벤딩 영역과 인접하여 위치한 상기 절연층 구조물의 측벽 및 상기 버퍼층의 제1 부분 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 제3 개구를 갖는 패시베이션층 및 상기 기판 상의 벤딩 영역에 배치되고, 상기 팬-아웃 배선과 직접적으로 접촉하며, 상기 화소 구조물들과 외부 장치를 전기적으로 연결시키는 연결 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 버퍼층의 제1 부분은 상기 절연층 구조물의 측벽으로부터 돌출되고, 상기 버퍼층의 제2 부분은 상기 절연층 구조물과 중첩하여 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 부분의 두께는 상기 제2 부분의 두께보다 얇을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 버퍼층은 상기 기판 상에 배치되는 제1 무기층 및 상기 제1 무기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하고, 상기 버퍼층의 제1 부분은 상기 제1 무기층을 포함하고, 상기 버퍼층의 제2 부분은 상기 제1 무기층 및 제2 무기층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 무기층은 실리콘 질화물을 포함하고, 상기 제2 무기층은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판은 제1 유기층, 상기 제1 유기층 상에 배치되는 제1 베리어층, 상기 제1 베리어층 상에 배치되는 제2 유기층 및 상기 제2 유기층 상에 배치되는 제2 베리어층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 베리어층은 상기 벤딩 영역에서 상기 제2 유기층의 상면을 노출시키는 제4 개구를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판과 상기 연결 전극 사이에 개재되는 제1 평탄화층을 더 포함하고, 상기 제1 평탄화층은 상기 벤딩 영역에서 상기 제2 유기층의 상면과 직접적으로 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 베리어층은 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제1 및 제2 유기층은 폴리이미드계 수지를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 개구는 상기 제1 및 제3 개구들과 중첩하고, 상기 제2 개구의 크기는 상기 제1 및 제3 개구들 각각의 크기보다 클 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 개구의 크기는 상기 제3 개구의 크기보다 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 패시베이션층은 상기 주변 영역에 위치하는 제1 콘택홀 및 상기 패드 영역에 위치하는 제2 콘택홀을 포함하고, 상기 팬-아웃 배선과 상기 연결 전극은 상기 제1 및 제2 콘택홀들을 통해 직접적으로 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 팬-아웃 배선은 상기 주변 영역에 배치되는 제1 팬-아웃 배선 및 상기 패드 영역에 배치되는 제2 팬-아웃 배선을 포함하고, 상기 제1 팬-아웃 배선은 상기 화소 영역으로부터 상기 패드 영역으로의 방향인 제1 방향으로 연장되고, 상기 화소 구조물과 전기적으로 연결되며, 상기 제2 팬-아웃 배선은 상기 패드 영역에서 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 외부 장치와 전기적으로 연결될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 버퍼층과 상기 화소 구조물 사이에 개재되는 반도체 소자를 더 포함하고, 상기 반도체 소자는 상기 버퍼층 상에 배치되는 액티브층, 상기 액티브층 상에 배치되는 제1 게이트 전극, 상기 제1 게이트 전극 상에 배치되는 제2 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연층 구조물은 상기 버퍼층 상의 상기 화소 영역에서 상기 액티브층을 덮으며 상기 화소 영역으로부터 상기 패드 영역으로의 방향인 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상의 상기 화소 영역에서 상기 제1 게이트 전극을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 제1 층간 절연층 및 상기 제1 층간 절연층 상의 상기 화소 영역에서 상기 제2 게이트 전극을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 제2 층간 절연층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 패시베이션층은 상기 제2 층간 절연층 상에서 상기 소스 및 드레인 전극들을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역과 인접하여 위치하는 상기 주변 영역에서 상기 팬-아웃 배선 상에 배치되며, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 팬-아웃 배선과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 구조물은 상기 반도체 소자 상에 배치되는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층 및 상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 영역에서 상기 패시베이션층 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역, 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치한 상기 주변 영역 및 상기 패드 영역에서 상기 연결 전극과 기판 사이에 개재되는 제1 평탄화층, 상기 제1 평탄화층 상의 상기 화소 영역에 배치되는 배선 패턴 및 연결 패턴 및 상기 제1 평탄화층 상의 상기 화소 영역에서 상기 배선 패턴 및 상기 연결 패턴을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 연결 전극 상에 배치되는 제2 평탄화층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 전극은 상기 연결 패턴을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 구조물 상에 배치되는 박막 봉지 구조물을 더 포함하고, 상기 박막 봉지 구조물은 상기 화소 구조물 상에 배치되며 무기 물질을 포함하는 제1 박막 봉지층, 상기 제1 박막 봉지층 상에 배치되며 유기 물질을 포함하는 제2 박막 봉지층 및 상기 제2 박막 봉지층 상에 배치되며 무기 물질을 포함하는 제3 박막 봉지층을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 화소 영역 및 상기 화소 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 표시 영역, 상기 표시 영역으로부터 이격되는 패드 영역 및 상기 표시 영역과 상기 패드 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 제1 개구 및 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치한 상기 버퍼층의 제1 부분을 노출시키는 제2 개구가 형성되도록 상기 버퍼층 상에 반도체 소자 및 절연층 구조물을 형성하는 단계, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면 및 상기 버퍼층의 제1 부분이 노출되도록 상기 절연층 구조물 상의 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치하는 상기 주변 영역 및 상기 패드 영역에 팬-아웃 배선을 형성하는 단계, 상기 벤딩 영역에 위치하는 상기 기판의 상면을 노출시키는 제3 개구가 형성되도록 상기 팬-아웃 배선, 상기 벤딩 영역과 인접하여 위치한 상기 절연층 구조물의 측벽 및 상기 버퍼층의 제1 부분 상에 패시베이션층을 형성하는 단계, 상기 기판 상의 벤딩 영역에 상기 팬-아웃 배선과 직접적으로 접촉하는 연결 전극을 형성하는 단계 및 상기 반도체 소자 상에 화소 구조물들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면 및 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치한 상기 버퍼층의 제1 부분을 노출시키는 제2 개구가 형성되도록 상기 버퍼층 상에 반도체 소자 및 절연층 구조물을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 예비 절연층 구조물을 형성하는 단계 및 상기 예비 절연층 구조물에 선택적으로 제1 식각 공정을 수행하여 상기 벤딩 영역 및 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치한 상기 주변 및 상기 패드 영역들에 위치하는 상기 버퍼층의 상면을 노출시키는 상기 제2 개구를 갖는 상기 절연층 구조물을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 개구를 통해 노출된 상기 버퍼층의 일부가 상기 제1 식각 공정을 통해 제거될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 버퍼층은 상기 기판 상에 배치되는 제1 무기층 및 상기 제1 무기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하고, 상기 제1 식각 공정을 통해 상기 제2 무기층의 일 부분이 제거될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면 및 상기 버퍼층의 제1 부분이 노출되도록 상기 절연층 구조물 상의 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치하는 상기 주변 영역 및 상기 패드 영역에 팬-아웃 배선을 형성하는 단계는 상기 절연층 구조물 및 상기 제2 개구를 통해 노출된 상기 버퍼층 상에 예비 팬-아웃 배선을 형성하는 단계 및 상기 예비 팬-아웃 배선에 선택적으로 제2 식각 공정을 수행하여 상기 주변 영역에 배치되는 제1 팬-아웃 배선 및 상기 패드 영역에 배치되는 제2 팬-아웃 배선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 개구를 통해 노출된 상기 버퍼층의 일부가 상기 제2 식각 공정을 통해 제거되고, 상기 제2 개구를 통해 상기 버퍼층의 제1 무기층의 상면이 노출될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 식각 공정을 통해 상기 제2 무기층의 나머지 부분이 제거될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 벤딩 영역에 위치하는 상기 기판의 상면을 노출시키는 제3 개구가 형성되도록 상기 팬-아웃 배선, 상기 벤딩 영역과 인접하여 위치한 상기 절연층 구조물의 측벽 및 상기 버퍼층의 제1 부분 상에 패시베이션층을 형성하는 단계는 상기 팬-아웃 배선, 상기 절연층 구조물 및 상기 제2 개구를 통해 노출된 상기 버퍼층 상에 예비 패시베이션층을 형성하는 단계 및 상기 예비 패시베이션층에 선택적으로 제3 식각 공정을 수행하여 상기 주변 영역에 위치하는 제1 콘택홀, 상기 패드 영역에 위치하는 제2 콘택홀 및 상기 기판의 상면을 노출시키는 상기 제3 개구를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판은 제1 유기층, 상기 제1 유기층 상에 배치되는 제1 베리어층, 상기 제1 베리어층 상에 배치되는 제2 유기층 및 상기 제2 유기층 상에 배치되는 제2 베리어층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 개구를 통해 노출된 상기 버퍼층의 제1 무기층 및 상기 기판의 제2 베리어층이 상기 제3 식각 공정을 통해 제거되고, 상기 제3 개구를 통해 상기 기판의 제2 유기층의 상면이 노출될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 식각 공정을 통해 상기 버퍼층에 상기 제2 유기층의 상면을 노출시키는 상기 제1 개구가 형성되고, 제2 베리어층에 상기 제2 유기층의 상면을 노출시키는 제4 개구가 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 패시베이션층 및 상기 제2 베리어층 상에 제1 평탄화층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 콘택홀은 제1 팬-아웃 배선 패턴의 상면을 노출시키고, 상기 제2 콘택홀은 제2 팬-아웃 배선 패턴의 상면을 노출시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 식각 공정을 통해 상기 절연층 구조물의 측벽으로부터 돌출되는 상기 버퍼층의 제1 부분이 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 버퍼층과 상기 절연층 구조물과 중첩하는 부분이 상기 버퍼층의 제2 부분으로 정의되고, 상기 버퍼층의 제1 부분의 두께는 상기 제2 부분의 두께보다 얇을 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역 및 상기 화소 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 표시 영역, 상기 표시 영역으로부터 이격되는 패드 영역 및 상기 표시 영역과 상기 패드 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 제1 개구를 갖는 버퍼층, 상기 버퍼층 상의 상기 화소 영역에 배치되는 화소 구조물들, 상기 버퍼층 상에 배치되고, 복수의 절연층들을 포함하며, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면 및 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치한 상기 버퍼층의 제1 부분을 노출시키는 제2 개구를 갖는 절연층 구조물, 상기 절연층 구조물의 복수의 절연층들 중 인접한 두 개의 절연층들 사이에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치하는 상기 주변 영역 및 상기 패드 영역에 배치되는 팬-아웃 배선, 상기 절연층 구조물 상에 배치되고, 상기 팬-아웃 배선과 전기적으로 연결되는 도전 패턴, 상기 도전 패턴, 상기 벤딩 영역과 인접하여 위치한 상기 절연층 구조물의 측벽 및 상기 버퍼층의 제1 부분 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 제3 개구를 갖는 패시베이션층 및 상기 기판 상의 벤딩 영역에 배치되고, 상기 도전 패턴과 직접적으로 접촉하며, 상기 화소 구조물들과 외부 장치를 전기적으로 연결시키는 연결 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 버퍼층의 제1 부분은 상기 절연층 구조물의 측벽으로부터 돌출되고, 상기 버퍼층의 제2 부분은 상기 절연층 구조물과 중첩하여 위치하며, 상기 제1 부분의 두께는 상기 제2 부분의 두께보다 얇을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 버퍼층과 상기 화소 구조물 사이에 개재되는 반도체 소자를 더 포함하고, 상기 반도체 소자는 상기 버퍼층 상에 배치되는 액티브층, 상기 액티브층 상에 배치되는 제1 게이트 전극, 상기 제1 게이트 전극 상에 배치되는 제2 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연층 구조물은 상기 버퍼층 상의 상기 화소 영역에서 상기 액티브층을 덮으며 상기 화소 영역으로부터 상기 패드 영역으로의 방향인 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상의 상기 화소 영역에서 상기 제1 게이트 전극을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 제1 층간 절연층 및 상기 제1 층간 절연층 상의 상기 화소 영역에서 상기 제2 게이트 전극을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역과 인접하여 위치하는 상기 주변 영역에서 상기 팬-아웃 배선을 덮으며, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 제2 층간 절연층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연층 구조물은 상기 버퍼층 상의 상기 화소 영역에서 상기 액티브층을 덮으며 상기 화소 영역으로부터 상기 패드 영역으로의 방향인 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상의 상기 화소 영역에서 상기 제1 게이트 전극을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역과 인접하여 위치하는 상기 주변 영역에서 상기 팬-아웃 배선을 덮으며, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 제1 층간 절연층 및 상기 제1 층간 절연층 상의 상기 화소 영역에서 상기 제2 게이트 전극을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 제2 층간 절연층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 패시베이션층은 상기 절연층 구조물 상에서 상기 소스 및 드레인 전극들을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역과 인접하여 위치하는 상기 주변 영역에서 상기 도전 패턴 상에 배치되며, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 게이트 전극은 상기 팬-아웃 배선과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되고, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 도전 패턴과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 게이트 전극은 상기 팬-아웃 배선과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되고, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 도전 패턴과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 패시베이션층은 상기 주변 영역에 위치하는 제1 콘택홀 및 상기 패드 영역에 위치하는 제2 콘택홀을 포함하고, 상기 도전 패턴 상기 주변 영역에 위치하는 제1 도전 패턴 및 상기 패드 영역에 위치하는 제2 도전 패턴을 포함하며, 상기 제1 및 제2 도전 패턴들 각각은 상기 제1 및 제2 콘택홀들을 통해 상기 연결 전극과 직접적으로 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 팬-아웃 배선은 상기 주변 영역에 배치되는 제1 팬-아웃 배선 및 상기 패드 영역에 배치되는 제2 팬-아웃 배선을 포함하고, 상기 제1 팬-아웃 배선은 상기 화소 영역으로부터 상기 패드 영역으로의 방향인 제1 방향으로 연장되고, 상기 화소 구조물 및 상기 제1 도전 패턴과 전기적으로 연결되며, 상기 제2 팬-아웃 배선은 상기 패드 영역에서 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 외부 장치와 전기적으로 연결될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 팬-아웃 배선은 화소 영역으로부터 상기 패드 영역으로의 방향인 제1 방향으로 연장되고, 상기 화소 구조물 및 상기 제1 도전 패턴과 전기적으로 연결되며, 상기 제2 도전 패턴은 상기 패드 영역에서 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 외부 장치와 전기적으로 연결될 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 화소 영역 및 상기 화소 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 표시 영역, 상기 표시 영역으로부터 이격되는 패드 영역 및 상기 표시 영역과 상기 패드 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 제1 개구를 갖는 버퍼층, 상기 버퍼층 상의 상기 화소 영역에 배치되는 화소 구조물들, 상기 버퍼층 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면 및 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 제2 개구를 갖는 절연층 구조물, 상기 절연층 구조물 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 팬-아웃 배선, 상기 팬-아웃 배선을 커버하고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 제3 개구를 갖는 패시베이션층 및 상기 기판 상의 벤딩 영역에 배치되고, 상기 팬-아웃 배선과 직접적으로 접촉하며, 상기 화소 구조물들과 외부 장치를 전기적으로 연결시키는 연결 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판은 제1 유기층, 상기 제1 유기층 상에 배치되는 제1 베리어층, 상기 제1 베리어층 상에 배치되는 제2 유기층 및 상기 제2 유기층 상에 배치되는 제2 베리어층을 포함하고, 상기 벤딩 영역에서 상기 제2 유기층의 상면을 노출시키는 개구를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 개구, 상기 제2 개구 및 상기 제3 개구는 동시에 일체로 형성될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 내지 제3 건식 식각 공정을 통해 벤딩 영역에 위치하는 상기 무기 절연층들을 제거함으로써, 유기 발광 표시 장치의 제조 비용을 상대적으로 줄일 수 있다. 또한, 벤딩 영역과 인접하여 위치한 주변 영역 및 패드 영역에 절연층 구조물이 배치되지 않음으로써 유기 발광 표시 장치의 벤딩 영역이 용이하게 벤딩될 수 있고, 유기 발광 표시 장치는 벤딩 영역이 구부러진 형상을 갖는 플렉서블 유기 발광 표시 장치로 기능할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 상기 제1 내지 제3 건식 식각 공정들을 통해 벤딩 영역에서 무기 절연층들을 제거될 수 있고, 기판의 제2 유기층의 상면이 노출될 수 있다. 이에 따라, 벤딩 영역에 위치하는 상기 무기 절연층을 제거하기 위해 건식 식각 공정을 추가적으로 수행하지 않고, 상기 제1 내지 제3 건식 식각 공정을 통해 벤딩 영역에 위치하는 상기 무기 절연층들을 제거할 수 있다. 결과적으로, 유기 발광 표시 장치를 제조하기 위해 사용되는 마스크의 개수가 상대적으로 줄어들 수 있다.
다만, 본 발명의 효과들이 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1A는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1B는 도 1A의 유기 발광 표시 장치가 벤딩된 형상을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치와 전기적으로 연결된 외부 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 3은 도 1의 유기 발광 표시 장치를 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 3의 유기 발광 표시 장치의 "A" 영역을 확대 도시한 단면도이다.
도 5는 도 4의 유기 발광 표시 장치에 포함된 버퍼층을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6 내지 도 23은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 24는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 25는 도 24의 유기 발광 표시 장치에 포함된 팬-아웃 배선의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 26은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 27은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1A는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이고, 도 1B는 도 1A의 유기 발광 표시 장치가 벤딩된 형상을 설명하기 위한 단면도이며, 도 2는 도 1A의 유기 발광 표시 장치와 전기적으로 연결된 외부 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 1A, 1B 및 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 표시 영역(10), 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)을 포함할 수 있다. 표시 영역(10)에는 복수의 화소들(PX)이 배치될 수 있고, 표시 영역(10)으로부터 이격되어 패드 영역(60)이 위치할 수 있다. 패드 영역(60)에는 외부 장치(101)와 전기적으로 연결되는 패드 전극들(470)이 배치될 수 있다. 또한, 벤딩 영역(50)은 표시 영역(10)과 패드 영역(60) 사이에 위치할 수 있다.
표시 영역(10)은 광이 방출되는 화소 영역(30) 및 화소 영역(30)을 둘러싸는 주변 영역(40)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 광을 방출하는 화소들(PX)(예를 들어, 화소 구조물)은 화소 영역(30)에 배치될 수 있고, 주변 영역(40)에는 복수의 배선들이 배치될 수 있다. 상기 배선들은 패드 전극들(470)과 화소들(PX)을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 배선들은 데이터 신호 배선, 스캔 신호 배선, 발광 신호 배선, 전원 전압 배선 등을 포함할 수 있다. 또한, 주변 영역(40)에는 스캔 드라이버, 데이터 드라이버 등이 배치될 수도 있다. 더욱이, 주변 영역(40)의 일부는 화소 영역(30)과 벤딩 영역(50) 사이에 개재될 수 있다.
다만, 도 1A에서 화소 영역(30)을 둘러싸는 주변 영역(40)의 폭이 동일한 것으로 도시되어 있으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 주변 영역(40)은 유기 발광 표시 장치(100)의 평면도에서 열 방향에 해당되는 제1 방향(D1)을 따라 연장하는 제1 영역 및 행 방향에 해당되는 제2 방향(D2)을 따라 연장하는 제2 영역을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 주변 영역(40)의 제1 영역은 화소 영역(30)의 양측부에 위치할 수 있고, 주변 영역(40)의 제2 영역은 화소 영역(30)의 상부 및 벤딩 영역(50)과 인접하는 부분에 위치할 수 있다. 여기서, 상기 제1 영역의 제2 방향(D2)으로 연장하는 폭은 상기 제2 영역의 제1 방향(D1)으로 연장하는 폭보다 상대적으로 작을 수도 있다. 선택적으로, 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)의 제2 방향(D2)으로의 폭이 표시 영역(10)의 제2 방향(D2)으로의 폭보다 작을 수 있다.
도 1B에 도시된 바와 같이, 벤딩 영역(50)이 제2 방향(D2)을 축으로 벤딩됨으로써, 패드 영역(60)이 유기 발광 표시 장치(100)의 저면에 위치할 수 있다. 다시 말하면, 패드 영역(60)이 유기 발광 표시 장치(100)의 저면에 위치하는 경우, 벤딩 영역(50)은 구부러진 형상을 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 표시 장치(100)는 연결 전극들을 더 포함할 수 있다. 상기 연결 전극들은 벤딩 영역(50)에 중첩하여 배치될 수 있고, 상기 배선들과 패드 전극들(470)을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 벤딩 영역(50)에 배치된 상기 연결 전극들 및 주변 영역(40)에 배치된 상기 복수의 배선들을 통해 화소 영역(30)에 배치된 화소(PX)들과 패드 전극들(470)에 전기적으로 연결된 외부 장치(101)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 예를 들면, 외부 장치(101)는 유기 발광 표시 장치(100)와 연성 인쇄 회로 기판을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 외부 장치(101)는 데이터 신호, 스캔 신호, 발광 신호, 전원 전압 등을 유기 발광 표시 장치(100)에 제공할 수 있다. 또한, 상기 연성 인쇄 회로 기판에는 구동 집적 회로가 실장될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 구동 집적 회로가 패드 전극들(470)과 인접하여 유기 발광 표시 장치(100)에 실장될 수도 있다.
도 3은 도 1A의 유기 발광 표시 장치를 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 4는 도 3의 유기 발광 표시 장치의 "A" 영역을 확대 도시한 단면도이다. 또한, 도 5는 도 4의 유기 발광 표시 장치에 포함된 버퍼층을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 버퍼층(115), 절연층 구조물(200), 반도체 소자(250), 화소 구조물(400), 팬-아웃 배선(300), 패시베이션층(180), 제1 평탄화층(270), 제2 평탄화층(275), 연결 전극(330), 배선 패턴(215), 연결 패턴(235), 화소 정의막(310), 박막 봉지 구조물(450) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(110)은 제1 유기층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기층(113) 및 제2 베리어층(114)을 포함할 수 있고, 기판(110)은 화소 영역(30), 주변 영역(40)(예를 들어, 화소 영역(30)과 벤딩 영역(50) 사이에 위치한 주변 영역(40)), 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)으로 구분될 수 있다(도 1A 참조). 또한, 절연층 구조물(200)은 게이트 절연층(150), 제1 층간 절연층(190), 제2 층간 절연층(195)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 제1 게이트 전극(170), 제2 게이트 전극(175), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있다. 더욱이, 팬-아웃 배선(300)은 제1 팬-아웃 배선(301) 및 제2 팬-아웃 배선(302)을 포함할 수 있고, 화소 구조물(400)은 하부 전극(290), 발광층(335) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있으며, 박막 봉지 구조물(450)은 제1 박막 봉지층(451), 제2 박막 봉지층(452) 및 제3 박막 봉지층(453)을 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)가 플렉서블한 기판(110), 박막 봉지 구조물(450)을 포함하며 제2 방향(D2)을 축으로 벤딩 영역(50)이 벤딩됨으로써, 유기 발광 표시 장치(100)는 벤딩 영역(50)이 구부러진 형상을 갖는 플렉서블 유기 발광 표시 장치로 기능할 수 있다.
투명한 또는 불투명한 재료들을 포함하는 기판(110)이 제공될 수 있다. 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 기판(110)은 제1 유기층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기층(113) 및 제2 베리어층(114)이 순서대로 적층되는 구성을 가질 수 있고, 벤딩 영역(50)에서 제2 베리어층(114)이 제2 유기층(113)의 상면을 노출시키는 제4 개구(504)를 가질 수 있다(도 5 참조). 여기서, 제2 베리어층(114)의 두께는 대략 1500 옹스트롬일 수 있다. 다시 말하면, 기판(110)은 벤딩 영역(50)에서 그루브를 가질 수 있다. 제1 베리어층(112) 및 제2 베리어층(114)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 베리어층(112) 및 제2 베리어층(114) 각각은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 알루미늄 산화물(AlOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 등을 포함할 수 있다. 또한, 제1 유기층(111) 및 제2 유기층(113)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 베리어층들(112, 114) 각각은 실리콘 산화물을 포함할 수 있고, 제1 및 제2 베리어층들(112, 114) 각각은 제1 및 제2 유기층들(112, 114)을 통해 침투하는 수분을 차단할 수 있다. 더욱이, 제1 및 제2 유기층들(112, 114) 각각은 폴리이미드계 수지를 포함할 수 있다. 상기 폴리이미드계 수지는 랜덤 공중합체(random copolymer) 또는 블록 공중합체(block copolymer)일 수 있다. 상기 폴리이미드계 수지는 고투명성, 낮은 열팽창 계수(Coefficient of thermal expansion) 및 높은 유리 전이 온도를 가질 수 있다. 상기 폴리이미드계 수지는 이미드기(imide)를 함유하기 때문에, 내열성, 내화학성, 내마모성 및 전기적 특성이 우수할 수 있다.
기판(110)이 얇고 연성을 갖기 때문에, 기판(110)은 반도체 소자(250) 및 화소 구조물(400)의 형성을 지원하기 위해 단단한 유리 상에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2 베리어층(114) 상에 버퍼층(115)을 배치한 후, 버퍼층(115) 상에 반도체 소자(250) 및 화소 구조물(400)을 형성할 수 있다. 이러한 반도체 소자(250) 및 화소 구조물(400)의 형성 후, 상기 유리 기판은 제거될 수 있다. 다시 말하면, 기판(110)의 플렉서블한 물성 때문에, 기판(110) 상에 반도체 소자(250) 및 화소 구조물(400)을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 경질의 유리 기판을 이용하여 반도체 소자(250) 및 화소 구조물(400)을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 제1 유기층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기층(113) 및 제2 베리어층(114)이 기판(110)으로 이용할 수 있다. 선택적으로, 기판(110)은 석영 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘(calcium fluoride) 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 유리 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수도 있다.
다만, 기판(110)이 4개의 층들을 갖는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 기판(110)은 단일층 또는 복수의 층들로 구성될 수도 있다.
기판(110) 상에는 버퍼층(115)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(115)은 기판(110) 상의 화소 영역(30), 주변 영역(40) 및 패드 영역(60)에 전체적으로 배치될 수 있고, 벤딩 영역(50)에 위치한 기판(110)의 제2 유기층(113)의 상면을 노출시키는 제1 개구(501)를 가질 수 있다(도 4 참조). 여기서, 버퍼층(115)의 제1 개구(501)의 크기는 제2 베리어층(114)의 제4 개구(504)의 크기보다 클 수 있다. 또한, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 버퍼층(115)은 벤딩 영역(50)에 인접하여 위치하며 제2 두께(T2)를 갖는 제1 부분(116) 및 제2 두께(T2)보다 큰 제1 두께(T1)를 갖는 제2 부분으로 구분될 수 있다. 여기서, 제1 두께(T1)는 대략 2500 옹스트롬일 수 있고, 제2 두께(T2)는 대략 500 옹스트롬일 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(115)의 제1 부분(116)은 절연층 구조물(200)의 측벽으로부터 돌출될 수 있고, 버퍼층(115)의 제2 부분은 절연층 구조물(200)과 중첩하여 위치할 수 있다. 또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 버퍼층(115)은 제1 무기층(117) 및 제1 무기층(117) 상에 배치되는 제2 무기층(118)을 포함할 수 있다. 버퍼층(115)의 제1 부분(116)은 제1 무기층(117)을 포함할 수 있고, 버퍼층(115)의 제2 부분은 제1 무기층(117) 및 제2 무기층(118)을 포함할 수 있다.
버퍼층(115)은 기판(110)으로부터 반도체 소자(250)로 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층(130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층(130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 버퍼층(115)은 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 기판(110)의 유형에 따라 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층들(115)이 제공될 수 있거나 버퍼층(115)이 배치되지 않을 수 있다. 버퍼층(115)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(115)의 제1 무기층(117)은 실리콘 질화물을 포함할 수 있고, 버퍼층(115)의 제2 무기층(118)의 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
액티브층(130)이 버퍼층(115) 상의 화소 영역(30)에 배치될 수 있다. 액티브층(130)은 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
액티브층(130) 상에는 게이트 절연층(150)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 버퍼층(115) 상의 화소 영역(30)에서 액티브층(130)을 덮을 수 있으며, 화소 영역(30)으로부터 패드 영역(60)으로의 방향인 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 버퍼층(115) 상에서 액티브층(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 버퍼층(115) 상에서 액티브층(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 버퍼층(115) 상의 화소 영역(30), 주변 영역(40) 및 패드 영역(60)에 배치될 수 있고, 벤딩 영역(50)에 위치한 제2 유기층(113)의 상면 및 버퍼층(115)의 제1 부분(116)을 노출시키는 개구를 가질 수 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
제1 게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 제1 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 게이트 전극(170)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다.
제1 게이트 전극(170) 상에는 제1 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 제1 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상의 화소 영역(30)에서 제1 게이트 전극(170)을 덮을 수 있으며, 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 예를 들면, 제1 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 제1 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 제1 게이트 전극(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 제1 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 제1 게이트 전극(170)을 덮으며, 균일한 두께로 제1 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상의 화소 영역(30), 주변 영역(40) 및 패드 영역(60)에 배치될 수 있고, 벤딩 영역(50)에 위치한 제2 유기층(113)의 상면 및 버퍼층(115)의 제1 부분(116)을 노출시키는 개구를 가질 수 있다. 제1 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
제2 게이트 전극(175)은 제1 층간 절연층(190) 중에서 하부에 제1 게이트 전극(170)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 선택적으로, 제1 게이트 전극(170)과 제2 게이트 전극(175)은 스토리지 커패시터로 기능할 수도 있다. 제2 게이트 전극(175)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 게이트 전극(175)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다.
제2 게이트 전극(175) 상에는 제2 층간 절연층(195)이 배치될 수 있다. 제2 층간 절연층(195)은 제1 층간 절연층(190) 상의 화소 영역(30)에서 제2 게이트 전극(175)을 덮을 수 있으며, 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 예를 들면, 제2 층간 절연층(195)은 제1 층간 절연층(190) 상에서 제2 게이트 전극(175)을 충분히 덮을 수 있으며, 제2 게이트 전극(175)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 제2 층간 절연층(195)은 제1 층간 절연층(190) 상에서 제2 게이트 전극(175)을 덮으며, 균일한 두께로 제2 게이트 전극(175)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 층간 절연층(195)은 제1 층간 절연층(190) 상의 화소 영역(30), 주변 영역(40) 및 패드 영역(60)에 배치될 수 있고, 벤딩 영역(50)에 위치한 제2 유기층(113)의 상면 및 버퍼층(115)의 제1 부분(116)을 노출시키는 개구를 가질 수 있다. 제2 층간 절연층(195)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 이에 따라, 게이트 절연층(150), 제1 층간 절연층(190) 및 제2 층간 절연층(195)을 포함하는 절연층 구조물(200)이 배치될 수 있다. 여기서, 게이트 절연층(150)의 개구, 제1 층간 절연층(190)의 개구 및 제1 층간 절연층(190)의 개구가 절연층 구조물(200)의 제2 개구(502)로 정의될 수 있다(도 4 참조). 예시적인 실시예들에 있어서, 절연층 구조물(200)의 제2 개구(502)의 크기는 버퍼층(115)의 제1 개구(501)의 크기보다 클 수 있다.
제2 층간 절연층(195) 상의 화소 영역(30)에 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 배치될 수 있다. 소스 전극(210)은 절연층 구조물(200)의 제1 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 소스 영역에 접속될 수 있고, 드레인 전극(230)은 절연층 구조물(200)의 제2 부분을 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 드레인 영역에 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다. 이에 따라, 액티브층(130), 제1 게이트 전극(170), 제2 게이트 전극(175), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 배치될 수 있다.
다만, 반도체 소자(250)가 상부 게이트 구조를 갖는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 반도체 소자(250)는 하부 게이트 구조를 가질 수도 있다. 또한, 반도체 소자(250)의 구성에 게이트 절연층(150), 제1 층간 절연층(190) 및 제2 층간 절연층(195)이 포함될 수도 있다.
팬-아웃 배선(300)이 절연층 구조물(200) 상의 주변 영역(40) 및 패드 영역(60)에 배치될 수 있고, 기판(110)의 상면 및 버퍼층(115)의 제1 부분(116)이 노출되도록 팬-아웃 배선(300)은 벤딩 영역(50)에 위치한 제2 유기층(113)의 상면, 절연층 구조물(200)의 상면의 일부 및 버퍼층(115)의 제1 부분(116)에는 배치되지 않을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 팬-아웃 배선(300)은 제1 팬-아웃 배선(301) 및 제2 팬-아웃 배선(302)을 포함할 수 있다. 제1 팬-아웃 배선(301)은 절연층 구조물(200) 상의 주변 영역(40) 에서 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있고, 화소 영역(30)에 배치된 화소 구조물(400)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제2 팬-아웃 배선(302)은 절연층 구조물(200) 상의 패드 영역(60)에서 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있고, 패드 영역(60)에 배치된 패드 전극들(470)을 통해 외부 장치(101)와 전기적으로 연결될 수 있다(도 1A 참조).
팬-아웃 배선(300)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 팬-아웃 배선(300), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 팬-아웃 배선(300)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 스칸듐(Sc), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 팬-아웃 배선(300)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다.
소스 전극(210), 드레인 전극(230) 및 팬-아웃 배선(300) 상에는 패시베이션층(180)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 패시베이션층(180)은 제2 층간 절연층(195) 상의 화소 영역(30)에서 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮을 수 있으며, 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 또한, 패시베이션층(180)은 주변 영역(40) 및 패드 영역(60)에서 팬-아웃 배선(300), 벤딩 영역(50)과 인접하여 위치한 절연층 구조물(200)의 측벽(예를 들어, 제2 개구(502)의 측벽) 및 버퍼층(115)의 제1 부분(116) 상에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 패시베이션층(180)은 주변 영역(40)에서 제1 팬-아웃 배선(301) 및 패드 영역(60)에서 제2 팬-아웃 배선(302)을 덮으며 제2 개구(502)의 내측으로 연장될 수 있고, 버퍼층(115)의 제1 부분(116)과 직접적으로 접촉될 수 있다.
예를 들면, 패시베이션층(180)은 제2 층간 절연층(195) 상에서 소스 전극(210), 드레인 전극(230) 및 팬-아웃 배선(300)을 덮으며, 균일한 두께로 소스 전극(210), 드레인 전극(230) 및 팬-아웃 배선(300)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 패시베이션층(180)은 제2 층간 절연층(195) 상에서 소스 전극(210), 드레인 전극(230) 및 팬-아웃 배선(300)을 충분히 덮을 수 있으며, 소스 전극(210), 드레인 전극(230) 및 팬-아웃 배선(300)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 패시베이션층(180)은 제2 층간 절연층(195) 상의 화소 영역(30), 주변 영역(40) 및 패드 영역(60)에 전체적으로 배치될 수 있고, 패시베이션층(180)은 벤딩 영역(50)에 위치한 제2 유기층(113)의 상면을 노출시키는 제3 개구(503)를 가질 수 있다(도 4 참조). 여기서, 제3 개구(503)의 크기는 제2 개구(502)의 크기보다 작고, 제1 개구(501)의 크기보다 클 수 있다. 또한, 패시베이션층(180)은 주변 영역(40)에 위치하는 제1 콘택홀 및 패드 영역(60)에 위치하는 제2 콘택홀을 포함할 수 있다. 패시베이션층(180)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
패시베이션층(180) 상에 제1 평탄화층(270)이 배치될 수 있다. 제1 평탄화층(270)은 화소 영역(30)에서 패시베이션층(180)을 덮을 수 있고, 제1 평탄화층(270)은 주변 영역(40), 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)에서 패시베이션층(180)의 제1 및 제2 콘택홀과 중첩되지 않도록 제1 개구(501), 제2 개구(502), 제3 개구(503) 및 제4 개구(504)에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 기판(110) 상의 주변 영역(40)의 일부, 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)의 일부에서 연결 전극(330) 아래에(또는 연결 전극(330)과 기판(110) 사이에) 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 평탄화층(270)은 벤딩 영역(50)에서 제2 유기층(113)의 상면과 직접적으로 접촉할 수 있다. 예를 들면, 제1 평탄화층(270)은 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 제1 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 제1 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 제1 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 선택적으로, 제1 평탄화층(270)은 균일한 두께로 패시베이션층(180)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 제1 평탄화층(270)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
배선 패턴(215) 및 연결 패턴(235)이 제1 평탄화층(270) 상의 화소 영역(30)에 배치될 수 있다. 배선 패턴(215)은 스캔 신호, 데이터 신호, 발광 신호, 초기화 신호, 전원 전압 등을 전달할 수 있다. 연결 패턴(235)은 화소 영역(30)에 위치하는 제1 평탄화층(270)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 드레인 전극(230)에 접속될 수 있고, 연결 패턴(235)은 하부 전극(290)과 드레인 전극(230)을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 배선 패턴(215) 및 연결 패턴(235) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 배선 패턴(215) 및 연결 패턴(235) 각각은 복수의 층들로 구성될 수도 있다.
연결 전극(330)이 패시베이션층(180) 및 제1 평탄화층(270) 상의 주변 영역(40)의 일부, 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)의 일부 상에 배치될 수 있다. 연결 전극(330)은 팬-아웃 배선(300)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 예를 들면, 연결 전극(330)은 주변 영역(40)에서 상기 제1 콘택홀을 통해 제1 팬-아웃 배선(301)과 직접적으로 접촉할 수 있고, 연결 전극(330)은 패드 영역(60)에서 상기 제2 콘택홀을 통해 제2 팬-아웃 배선(302)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 연결 전극(330)이 제1 팬-아웃 배선(301) 및 제2 팬-아웃 배선(302)을 전기적으로 연결함으로써, 외부 장치(101)로부터 인가되는 스캔 신호, 데이터 신호, 발광 신호, 초기화 신호, 전원 전압 등이 화소 구조물(400)에 제공될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 연결 전극(330)은 배선 패턴(215) 및 연결 패턴(235)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 연결 전극(330)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 연결 전극(330)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다.
배선 패턴(215), 연결 패턴(235), 연결 전극(330), 제1 평탄화층(270) 및 패시베이션층(180) 상에 제2 평탄화층(275)이 배치될 수 있다. 제2 평탄화층(275)은 제1 평탄화층(270) 상의 화소 영역(30)에서 배선 패턴(215) 및 연결 패턴(235)을 덮으며 제1 방향(D1)을 따라 연장되어 주변 영역(40)의 일부, 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)의 일부에서 연결 전극(330)을 덮을 수 있다. 즉, 제2 평탄화층(275)은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다.
선택적으로, 유기 발광 표시 장치(100)는 화소 영역(30)과 벤딩 영역(50) 사이에 위치한 주변 영역(40)의 일부에서 제2 방향(D2)을 따라 연장되는 차단 영역을 더 포함할 수 있다(도 1A 참조). 상기 차단 영역은 벤딩 영역(50)과 평행하게 위치할 수 있고, 상기 차단 영역에는 제1 평탄화층(270) 및 제2 평탄화층(275)이 배치되지 않을 수 있다. 예를 들면, 패드 영역(60) 및/또는 벤딩 영역(50)에 배치된 제1 평탄화층(270) 및 제2 평탄화층(275)을 통해 수분 또는 습기가 화소 영역(30)으로 침투하는 것을 차단하기 위해 상기 차단 영역에는 제1 평탄화층(270) 및 제2 평탄화층(275)이 배치되지 않을 수 있다.
제2 평탄화층(275)은 배선 패턴(215), 연결 패턴(235) 및 연결 전극(330)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 제2 평탄화층(275)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 제2 평탄화층(275)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 제2 평탄화층(275)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 선택적으로, 제2 평탄화층(275)은 배선 패턴(215), 연결 패턴(235) 및 연결 전극(330)을 덮으며, 균일한 두께로 배선 패턴(215), 연결 패턴(235) 및 연결 전극(330)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 제2 평탄화층(275)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 평탄화층(275)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
하부 전극(290)은 제2 평탄화층(275) 상의 화소 영역(30)에 배치될 수 있다. 하부 전극(290)은 제2 평탄화층(275)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 연결 패턴(235)에 접속될 수 있고, 하부 전극(290)은 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 전극(290)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다.
화소 정의막(310)은 제2 평탄화층(275) 상의 화소 영역(30)에 배치될 수 있고, 하부 전극(290)의 일부를 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(310)에 의해 하부 전극(290)이 노출된 부분에 발광층(335)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
발광층(335)은 화소 정의막(310)에 의해 일부가 노출된 하부 전극(290) 상에 배치될 수 있다. 발광층(335)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(335)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수 있다. 이러한 경우, 발광층(335) 상에 컬러 필터가 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색(Yellow) 컬러 필터, 청남색(Cyan) 컬러 필터 및 자주색(Magenta) 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지로 구성될 수 있다.
상부 전극(340)은 화소 정의막(310) 및 발광층(335) 상의 화소 영역(30)에 배치될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다. 이에 따라, 하부 전극(290), 발광층(335) 및 상부 전극(340)을 포함하는 화소 구조물(400)이 배치될 수 있다.
상부 전극(340) 상에 박막 봉지 구조물(450)이 배치될 수 있다. 박막 봉지 구조물(450)은 제1 박막 봉지층(451), 제2 박막 봉지층(452) 및 제3 박막 봉지층(453)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 박막 봉지층(451) 상에 제2 박막 봉지층(452)이 배치될 수 있고, 제2 박막 봉지층(452) 상에 제3 박막 봉지층(453)이 배치될 수 있다.
상부 전극(340) 상의 화소 영역(30)에 제1 박막 봉지층(451)이 배치될 수 있다. 제1 박막 봉지층(451)은 상부 전극(340)을 덮으며, 균일한 두께로 상부 전극(340)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있다. 제1 박막 봉지층(451)은 화소 구조물(400)이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 박막 봉지층(451)은 외부의 충격으로부터 화소 구조물(400)을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제1 박막 봉지층(451)은 무기 물질들을 포함할 수 있다.
제1 박막 봉지층(451) 상에 제2 박막 봉지층(452)이 배치될 수 있다. 제2 박막 봉지층(452)은 유기 발광 표시 장치(100)의 평탄도를 향상시킬 수 있으며, 화소 구조물(400)을 보호할 수 있다. 제2 박막 봉지층(452) 유기 물질들을 포함할 수 있다.
제2 박막 봉지층(452) 상에 제3 박막 봉지층(453)이 배치될 수 있다. 제3 박막 봉지층(453)은 제2 박막 봉지층(452)을 덮으며, 균일한 두께로 제2 박막 봉지층(452)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있다. 제3 박막 봉지층(453)은 제1 박막 봉지층(451) 및 제2 박막 봉지층(452)과 함께 화소 구조물(400)이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제3 박막 봉지층(453)은 외부의 충격으로부터 제1 박막 봉지층(451) 및 제2 박막 봉지층(452)과 함께 화소 구조물(400)을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제3 박막 봉지층(453)은 무기 물질들을 포함할 수 있다.
선택적으로, 박막 봉지 구조물(450)은 제1 내지 제5 박막 봉지층들로 적층된 5층 구조 또는 제1 내지 제7 박막 봉지층들로 적층된 7층 구조로 구성될 수도 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 표시 장치(100)는 하부 보호 필름 및 벤딩 보호층을 더 포함할 수 있다. 상기 하부 보호 필름은 기판(110)의 저면 상에 하부 보호 필름이 배치될 수 있다. 상기 하부 보호 필름은 외부 충격으로부터 화소 구조물(400) 및 반도체 소자(250)를 보호할 수 있다. 상기 하부 보호 필름은 화소 영역(30), 주변 영역(40) 및 패드 영역(60)에 전체적으로 배치될 수 있고, 벤딩 영역(50)에 위치하는 기판(110)의 저면을 노출시킬 수 있다. 상기 하부 보호 필름은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate PET), 폴리에틸렌 나프탈렌(polyethylene naphthalene PEN), 폴리프로필렌(polypropylene PP), 폴리카보네이트(polycarbonate PC), 폴리스트렌(polystyrene PS), 폴리술폰(polysulfone PSul), 폴리에틸렌(polyethylene PE), 폴리프탈라미드(polyphthalamide PPA), 폴리에테르술폰(polyethersulfone PES), 폴리아리레이트(polyarylate PAR), 폴리 카보네이트 옥사이드(polycarbonate oxide PCO), 변성 폴리페닐렌 옥사이드(modified polyphenylene oxide MPPO) 등을 포함할 수 있다.
상기 벤딩 보호층은 제2 평탄화층(275) 상의 주변 영역(40)의 일부, 벤딩 영역(50) 및 패드 전극 영역(60)의 일부에 배치될 수 있다. 상기 벤딩 보호층은 연결 전극(330)을 보호할 수 있고, 벤딩 영역(50)에서 중립면을 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)과 수직하는 제3 방향(D3)으로 상대적으로 상승시킬 수 있다. 예를 들면, 벤딩 영역(50)이 벤딩되는 경우, 벤딩 영역(50)의 상기 중립면이 연결 전극(330)이 배치된 부분에 위치하기 때문에 상기 연결 전극들은 끊어지지 않을 수 있다. 상기 벤딩 보호층은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르, 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지와 같은 유기 물질, 실리콘, 우레탄, 열가소성 폴리우레탄 등을 포함하는 탄성재료 등을 포함할 수 있다.
한편, 유기 발광 표시 장치(100)가 제조되는 과정에 있어서, 예비 절연층 구조물이 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 상기 예비 절연층 구조물 상에 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 형성하는 공정 전에 제1 건식 식각 공정이 진행될 수 있다. 상기 제1 건식 식각 공정을 통해 화소 영역(30)에서 액티브층(130)의 소스 및 드레인 영역들이 노출될 수 있다. 또한, 상기 제1 건식 식각 공정을 통해 주변 영역(40)의 일부, 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)의 일부에서 절연층 구조물(200) 및 버퍼층(115)의 일부(예를 들어, 버퍼층(115)의 제2 무기층(118)의 일 부분)가 제거될 수 있다.
상기 제1 건식 식각 공정 이후, 기판(110) 상에 전체적으로 예비 전극층이 형성될 수 있다. 상기 예비 전극층이 형성된 후, 제2 건식 식각 공정이 수행될 수 있다. 상기 제2 건식 식각 공정을 통해 화소 영역(30)에서 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 형성될 수 있고, 주변 영역(40) 및 패드 영역(60)에 팬-아웃 배선(300)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 건식 식각 공정을 통해 주변 영역(40)의 일부, 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)의 일부에서 버퍼층(115)의 제2 무기층(118)의 나머지 부분이 제거될 수 있다.
상기 제2 건식 식각 공정 이후, 기판(110) 상에 전체적으로 예비 패시베이션층이 형성될 수 있다. 상기 예비 패시베이션층이 형성된 후, 제3 건식 식각 공정이 수행될 수 있다. 상기 제3 건식 식각 공정을 통해 화소 영역(30)에서 드레인 전극(230)을 노출시키는 콘택홀이 형성될 수 있고, 주변 영역(40) 및 패드 영역(60)에서 패시베이션층(180)의 제1 및 제2 콘택홀이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제3 건식 식각 공정을 통해 벤딩 영역(50)에서 버퍼층(115)의 제1 무기층(117) 및 기판(110)의 제2 베리어층(114)이 제거될 수 있다. 다시 말하면, 상기 제3 건식 식각 공정을 통해 벤딩 영역(50)에서 무기 절연층들이 제거될 수 있고, 기판(110)의 제2 유기층(113)의 상면이 노출될 수 있다. 이에 따라, 벤딩 영역(50)에 위치하는 상기 무기 절연층을 제거하기 위해 건식 식각 공정을 추가적으로 수행하지 않고, 상기 제1 내지 제3 건식 식각 공정을 통해 벤딩 영역(50)에 위치하는 상기 무기 절연층들을 제거할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 제1 내지 제3 건식 식각 공정을 통해 벤딩 영역(50)에 위치하는 상기 무기 절연층들을 제거함으로써, 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 비용을 상대적으로 줄일 수 있다. 또한, 벤딩 영역(50)과 인접하여 위치한 주변 영역(40) 및 패드 영역(60)에 절연층 구조물(200)이 배치되지 않음으로써 유기 발광 표시 장치(100)의 벤딩 영역(50)이 용이하게 벤딩될 수 있고, 유기 발광 표시 장치(100)는 벤딩 영역(50)이 구부러진 형상을 갖는 플렉서블 유기 발광 표시 장치로 기능할 수 있다.
도 6 내지 도 23은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 예를 들면, 도 9는 도 8의 "B" 영역을 확대 도시한 단면도이고, 도 10은 도 9의 버퍼층을 설명하기 위한 단면도이다. 또한, 도 14는 도 13의 "C" 영역을 확대 도시한 단면도이고, 도 15는 도 14의 버퍼층을 설명하기 위한 단면도이다. 더욱이, 도 19는 도 18의 "D" 영역을 확대 도시한 단면도이고, 도 20은 도 19의 버퍼층을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 경질의 유리 기판(105)이 제공될 수 있다. 유리 기판(105) 상에 투명한 또는 불투명한 재료들을 포함하는 기판(110)이 형성될 수 있다. 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 기판(110)은 제1 유기층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기층(113) 및 제2 베리어층(114)이 순서대로 적층되는 구성을 가질 수 있다. 제1 베리어층(112) 및 제2 베리어층(114)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등과 같은 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 베리어층(112) 및 제2 베리어층(114) 각각은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다. 또한, 제1 유기층(111) 및 제2 유기층(113)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등과 같은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 베리어층들(112, 114) 각각은 실리콘 산화물로 구성될 수 있고, 제1 및 제2 베리어층들(112, 114) 각각은 제1 및 제2 유기층들(112, 114)을 통해 침투하는 수분을 차단할 수 있다. 더욱이, 제1 및 제2 유기층들(112, 114) 각각은 폴리이미드계 수지로 구성될 수 있다. 상기 폴리이미드계 수지는 랜덤 공중합체 또는 블록 공중합체일 수 있다. 상기 폴리이미드계 수지는 고투명성, 낮은 열팽창 계수 및 높은 유리 전이 온도를 가질 수 있다. 상기 폴리이미드계 수지는 이미드기를 함유하기 때문에, 내열성, 내화학성, 내마모성 및 전기적 특성이 우수할 수 있다.
기판(110) 상에는 버퍼층(115)이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(115)은 기판(110) 상의 화소 영역(30), 주변 영역(40) 및 패드 영역(60)에 전체적으로 형성될 수 있다. 버퍼층(115)은 제1 무기층(117) 및 제1 무기층(117) 상에 배치되는 제2 무기층(118)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 무기층(117)의 두께는 대략 500 옹스트롬일 수 있고, 제2 무기층(118)의 두께는 대략 2000 옹스트롬일 수 있다. 버퍼층(115)은 기판(110)으로부터 반도체 소자로 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층을 수득하게 할 수 있다. 또한, 버퍼층(115)은 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 버퍼층(115)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(115)의 제1 무기층(117)은 실리콘 질화물로 구성될 수 있고, 버퍼층(115)의 제2 무기층(118)의 실리콘 산화물로 구성될 수 있다.
액티브층(130)이 버퍼층(115) 상의 화소 영역(30)에 형성될 수 있다. 액티브층(130)은 산화물 반도체, 무기물 반도체 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 형성될 수 있다.
액티브층(130) 상에는 예비 게이트 절연층(1150)이 형성될 수 있다. 예비 게이트 절연층(1150)은 버퍼층(115) 상의 화소 영역(30)에서 액티브층(130)을 덮을 수 있으며, 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 즉, 예비 게이트 절연층(1150)은 버퍼층(115) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 예비 게이트 절연층(150)은 버퍼층(115) 상에서 액티브층(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 예비 게이트 절연층(1150)은 버퍼층(115) 상에서 액티브층(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 예비 게이트 절연층(1150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 게이트 전극(170)은 예비 게이트 절연층(1150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 제1 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 게이트 전극(170)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다.
제1 게이트 전극(170) 상에는 예비 제1 층간 절연층(1190)이 형성될 수 있다. 예비 제1 층간 절연층(1190)은 예비 게이트 절연층(1150) 상의 화소 영역(30)에서 제1 게이트 전극(170)을 덮을 수 있으며, 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 즉, 예비 제1 층간 절연층(1190)은 예비 게이트 절연층(1150) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 예비 제1 층간 절연층(1190)은 예비 게이트 절연층(1150) 상에서 제1 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 제1 게이트 전극(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 예비 제1 층간 절연층(1190)은 예비 게이트 절연층(1150) 상에서 제1 게이트 전극(170)을 덮으며, 균일한 두께로 제1 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 예비 제1 층간 절연층(1190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제2 게이트 전극(175)은 예비 제1 층간 절연층(1190) 중에서 하부에 제1 게이트 전극(170)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 제2 게이트 전극(175)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 게이트 전극(175)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다.
제2 게이트 전극(175) 상에는 예비 제2 층간 절연층(1195)이 형성될 수 있다. 예비 제2 층간 절연층(1195)은 예비 제1 층간 절연층(1190) 상의 화소 영역(30)에서 제2 게이트 전극(175)을 덮을 수 있으며, 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 즉, 예비 제2 층간 절연층(1195)은 예비 제1 층간 절연층(1190) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 예비 제2 층간 절연층(1195)은 예비 제1 층간 절연층(1190) 상에서 제2 게이트 전극(175)을 충분히 덮을 수 있으며, 제2 게이트 전극(175)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 예비 제2 층간 절연층(1195)은 예비 제1 층간 절연층(1190) 상에서 제2 게이트 전극(175)을 덮으며, 균일한 두께로 제2 게이트 전극(175)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 예비 제2 층간 절연층(1195)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 예비 게이트 절연층(1150), 예비 제1 층간 절연층(1190) 및 예비 제2 층간 절연층(1195)을 포함하는 예비 절연층 구조물(1200)이 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 예비 절연층 구조물(200) 상에 선택적으로 제1 건식 식각 공정이 수행될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 건식 식각 공정은 플루오르화 탄소 및/또는 산소가 혼합된 가스를 이용하여 수행될 수 있다. 이와는 달리, 상기 제1 건식 식각 공정이 에천트를 이용하는 제1 습식 식각 공정으로 진행될 수도 있다
도 8, 도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 제1 건식 식각 공정을 통해 화소 영역(30)에서 액티브층(130)의 소스 및 드레인 영역들이 노출될 수 있다. 또한, 상기 제1 건식 식각 공정을 통해 벤딩 영역(50)에 인접하여 위치한 주변 영역(40)의 일부, 벤딩 영역(50) 및 벤딩 영역(50)에 인접하여 위치한 패드 영역(60)의 일부에서 예비 절연층 구조물(1200)의 일부를 제거하여 절연층 구조물(200)이 형성될 수 있고, 버퍼층(115)의 일부(예를 들어, 버퍼층(115)의 제2 무기층(118)의 일 부분)가 제거될 수 있다. 즉, 상기 제1 건식 식각 공정을 수행하는 동안 주변 영역(40)의 일부, 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)의 일부에서 오버 에칭되어 버퍼층(115)의 제2 무기층(118)의 일 부분이 제거될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 건식 식각 공정을 통해 주변 영역(40)의 일부, 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)의 일부에서 제2 무기층(118)의 절반인 대략 1000 옹스트롬이 제거될 수 있다(도 10 참조).
다시 말하면, 상기 제1 건식 식각 공정을 통해 절연층 구조물(200)에는 주변 영역(40)의 일부, 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)의 일부에 위치하는 버퍼층(115)의 상면을 노출시키는 제2 개구(502)가 형성될 수 있다. 또한, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 제1 건식 식각 공정을 통해 버퍼층(115)의 제2 무기층(118)의 일부가 제거되어 버퍼층(115)은 제1 두께(T1) 및 제2 두께(T2)를 가질 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(115)은 상기 제1 건식 식각 공정을 통해 버퍼층(115)의 제2 무기층(118)의 일부가 제거된 부분에 대응하며 제2 두께(T2)(예를 들어, 대략 1500 옹스트롬)를 갖는 제1 부분 및 절연층 구조물(200)과 중첩하여 위치하며 제1 두께(T1)(예를 들어, 대략 2500 옹스트롬)를 갖는 제2 부분으로 구분될 수 있다. 즉, 제1 두께(T1)는 제2 두께(T2)보다 클 수 있다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 상기 제1 건식 식각 공정 이후, 기판(110) 상에 전체적으로 예비 전극층(1301)이 형성될 수 있다. 예비 전극층(1301)이 형성된 후, 도 12에 도시된 바와 같이, 제2 건식 식각 공정이 예비 전극층(1301)에 선택적으로 수행될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 건식 식각 공정은 플루오르화 탄소 및/또는 산소가 혼합된 가스를 이용하여 수행될 수 있다. 이와는 달리, 상기 제2 건식 식각 공정이 에천트를 이용하는 제2 습식 식각 공정으로 진행될 수도 있다
도 13, 도 14 및 도 15를 참조하면, 상기 제2 건식 식각 공정을 통해 화소 영역(30)에서 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 형성될 수 있고, 주변 영역(40) 및 패드 영역(60)에 팬-아웃 배선(300)이 형성될 수 있다. 여기서, 팬-아웃 배선(300)은 제1 팬-아웃 배선(301) 및 제2 팬-아웃 배선(302)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 건식 식각 공정을 통해 주변 영역(40)의 일부, 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)의 일부에서 버퍼층(115)의 제2 무기층(118)의 나머지 부분이 제거될 수 있다. 즉, 상기 제2 건식 식각 공정을 수행하는 동안 주변 영역(40)의 일부, 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)의 일부에서 오버 에칭되어 버퍼층(115)의 제2 무기층(118)의 나머지 부분이 제거될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 건식 식각 공정을 통해 주변 영역(40)의 일부, 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)의 일부에서 제2 무기층(118)의 나머지 부분인 대략 1000 옹스트롬이 제거될 수 있다(도 15 참조).
다시 말하면, 상기 제2 건식 식각 공정을 통해 제1 팬-아웃 배선(301)이 절연층 구조물(200) 상의 주변 영역(40)에 형성될 수 있고, 제2 팬-아웃 배선(302)이 절연층 구조물(200) 상의 패드 영역(60)에 형성될 수 있다. 제1 팬-아웃 배선(301) 및 제2 팬-아웃 배선(302)은 기판(110)의 상면 및 버퍼층(115)의 제1 부분(116)이 노출되도록 주변 영역(40)의 일부, 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)의 일부에 위치하는 버퍼층(115)의 상면에는 형성되지 않을 수 있다.
또한, 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 제2 건식 식각 공정을 통해 버퍼층(115)의 제2 무기층(118)의 나머지 부분이 제거되어 버퍼층(115)은 제1 두께(T1) 및 제3 두께(T3)를 가질 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(115)은 상기 제2 건식 식각 공정을 통해 버퍼층(115)의 제2 무기층(118)이 제거된 부분에 대응하며 제3 두께(T3)(예를 들어, 대략 500 옹스트롬)를 갖는 제1 부분 및 절연층 구조물(200)과 중첩하여 위치하며 제1 두께(T1)(예를 들어, 대략 2500 옹스트롬)를 갖는 제2 부분으로 구분될 수 있다. 여기서, 제1 두께(T1)는 제3 두께(T3)보다 클 수 있다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 상기 제2 건식 식각 공정 이후, 기판(110) 상에 전체적으로 예비 패시베이션층(1180)이 형성될 수 있다. 예비 패시베이션층(1180)이 형성된 후, 도 17에 도시된 바와 같이, 제3 건식 식각 공정이 예비 패시베이션층(1180)에 선택적으로 수행될 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 건식 식각 공정은 플루오르화 탄소 및/또는 산소가 혼합된 가스를 이용하여 수행될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연층 구조물(200)의 제2 개구(502)의 측벽에는 식각 공정들에서 발생되는 파티클이 위치할 수 있다. 예비 패시베이션층(1180)이 제2 개구(502)의 측벽 상에 배치됨으로써 상기 파티클을 완전히 커버할 수 있다. 예를 들면, 상기 파티클을 커버하지 않을 경우, 상기 파티클에 의해 유기 발광 표시 장치가 손상될 수 있다. 이에 따라, 상기 파티클로부터 유기 발광 표시 장치를 보호할 수 있다.
도 18을 참조하면, 상기 제3 건식 식각 공정을 통해 화소 영역(30)에서 드레인 전극(230)을 노출시키는 콘택홀이 형성될 수 있고, 주변 영역(40) 및 패드 영역(60)에서 패시베이션층(180)의 제1 및 제2 콘택홀이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제3 건식 식각 공정을 통해 벤딩 영역(50)에서 버퍼층(115)의 제1 무기층(117) 및 기판(110)의 제2 베리어층(114)이 제거될 수 있다. 즉, 제3 건식 식각 공정을 수행하는 동안 벤딩 영역(50)에서 오버 에칭되어 제1 무기층(117) 및 제2 베리어층(114)이 제거될 수 있다. 예를 들면, 상기 제3 건식 식각 공정을 통해 벤딩 영역(50)에서 제1 무기층(117)의 대략 500 옹스트롬 및 제2 베리어층(114)의 대략 1500 옹스트롬이 제거될 수 있다(도 19 참조).
다시 말하면, 상기 제3 건식 식각 공정을 통해 패시베이션층(180)에는 벤딩 영역(50)을 노출시키는 제3 개구(503)가 형성될 수 있고, 제3 개구(503)는 제2 유기층(113)의 상면을 노출시킬 수 있다. 제2 베리어층(114)에는 벤딩 영역(50)에 위치하는 제2 유기층(113)의 상면을 노출시키는 제4 개구(504)가 형성될 수 있고, 버퍼층(115)에는 벤딩 영역(50)에 위치하는 제2 유기층(113)의 상면을 노출시키는 제1 개구(501)가 형성될 수 있다.
또한, 도 19에 도시된 바와 같이, 상기 제3 건식 식각 공정을 통해 벤딩 영역(50)에 위치하는 버퍼층(115)이 제거되어, 버퍼층(115)은 제3 두께(T3)를 가지며 절연층 구조물(200)의 측벽으로부터 돌출된 제1 부분 및 제1 두께(T1)를 가지며 절연층 구조물(200)과 중첩되는 제2 부분으로 구분될 수 있다. 여기서, 제1 두께(T1)는 대략 2500 옹스트롬일 수 있고, 제3 두께(T3)는 대략 500 옹스트롬일 수 있다. 즉, 제1 두께(T1)는 제3 두께(T3)보다 클 수 있다.
이와 같이, 상기 제1 내지 제3 건식 식각 공정들을 통해 벤딩 영역(50)에서 무기 절연층들이 제거될 수 있고, 기판(110)의 제2 유기층(113)의 상면이 노출될 수 있다. 이에 따라, 벤딩 영역(50)에 위치하는 상기 무기 절연층을 제거하기 위해 건식 식각 공정을 추가적으로 수행하지 않고, 상기 제1 내지 제3 건식 식각 공정을 통해 벤딩 영역(50)에 위치하는 상기 무기 절연층들을 제거할 수 있다. 결과적으로, 유기 발광 표시 장치를 제조하기 위해 사용되는 마스크의 개수가 상대적으로 줄어들 수 있다.
도 20을 참조하면, 패시베이션층(180) 상에 제1 평탄화층(270)이 형성될 수 있다. 제1 평탄화층(270)은 화소 영역(30)에서 패시베이션층(180)을 덮을 수 있고, 제1 평탄화층(270)은 주변 영역(40), 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)에서 패시베이션층(180)의 제1 및 제2 콘택홀과 중첩되지 않도록 제1 개구(501), 제2 개구(502), 제3 개구(503) 및 제4 개구(504)에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 평탄화층(270)은 벤딩 영역(50)에서 제2 유기층(113)의 상면과 직접적으로 접촉할 수 있다. 예를 들면, 제1 평탄화층(270)은 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 제1 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 제1 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 제1 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 선택적으로, 제1 평탄화층(270)은 균일한 두께로 패시베이션층(180)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 21을 참조하면, 배선 패턴(215) 및 연결 패턴(235)이 제1 평탄화층(270) 상의 화소 영역(30)에 형성될 수 있다. 배선 패턴(215)은 스캔 신호, 데이터 신호, 발광 신호, 초기화 신호, 전원 전압 등을 전달할 수 있다. 연결 패턴(235)은 화소 영역(30)에 위치하는 제1 평탄화층(270)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 드레인 전극(230)에 접속될 수 있다. 배선 패턴(215) 및 연결 패턴(235)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 배선 패턴(215) 및 연결 패턴(235)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다.
연결 전극(330)이 패시베이션층(180) 및 제1 평탄화층(270) 상의 주변 영역(40)의 일부, 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)의 일부 상에 형성될 수 있다. 연결 전극(330)은 팬-아웃 배선(300)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 예를 들면, 연결 전극(330)은 주변 영역(40)에서 상기 제1 콘택홀을 통해 제1 팬-아웃 배선(301)과 직접적으로 접촉할 수 있고, 연결 전극(330)은 패드 영역(60)에서 상기 제2 콘택홀을 통해 제2 팬-아웃 배선(302)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 연결 전극(330)이 제1 팬-아웃 배선(301) 및 제2 팬-아웃 배선(302)을 전기적으로 연결함으로써, 외부 장치(101)로부터 인가되는 스캔 신호, 데이터 신호, 발광 신호, 초기화 신호, 전원 전압 등이 화소 영역(30)에 배치된 화소 구조물에 제공될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 연결 전극(330)은 배선 패턴(215) 및 연결 패턴(235)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 기판(110) 상에 예비 전극막이 전체적으로 형성된 후, 상기 예비 전극막을 부분적으로 제거하여 배선 패턴(215), 연결 패턴(235) 및 연결 전극(330)이 동시에 형성될 수 있다. 연결 전극(330)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 연결 전극(330)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다.
도 22를 참조하면, 배선 패턴(215), 연결 패턴(235), 연결 전극(330), 제1 평탄화층(270) 및 패시베이션층(180) 상에 제2 평탄화층(275)이 형성될 수 있다. 제2 평탄화층(275)은 제1 평탄화층(270) 상의 화소 영역(30)에서 배선 패턴(215) 및 연결 패턴(235)을 덮으며 제1 방향(D1)을 따라 연장되어 주변 영역(40)의 일부, 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)의 일부에서 연결 전극(330)을 덮을 수 있다. 즉, 제2 평탄화층(275)은 기판(110) 상에 전체적으로 형성될 수 있다.
제2 평탄화층(275)은 배선 패턴(215), 연결 패턴(235) 및 연결 전극(330)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있고, 이러한 경우, 제2 평탄화층(275)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 제2 평탄화층(275)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 제2 평탄화층(275)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 선택적으로, 제2 평탄화층(275)은 배선 패턴(215), 연결 패턴(235) 및 연결 전극(330)을 덮으며, 균일한 두께로 배선 패턴(215), 연결 패턴(235) 및 연결 전극(330)의 프로파일을 따라 형성될 수 있다. 제2 평탄화층(275)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 평탄화층(275)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
하부 전극(290)은 제2 평탄화층(275) 상의 화소 영역(30)에 형성될 수 있다. 하부 전극(290)은 제2 평탄화층(275)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 연결 패턴(235)에 접속될 수 있고, 하부 전극(290)은 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 전극(290)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다.
화소 정의막(310)은 제2 평탄화층(275) 상의 화소 영역(30)에 형성될 수 있고, 하부 전극(290)의 일부를 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
발광층(335)은 화소 정의막(310)에 의해 일부가 노출된 하부 전극(290) 상에 형성될 수 있다. 발광층(335)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(335)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수 있다. 이러한 경우, 발광층(335) 상에 컬러 필터가 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색(Yellow) 컬러 필터, 청남색(Cyan) 컬러 필터 및 자주색(Magenta) 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지를 사용하여 형성될 수 있다.
상부 전극(340)은 화소 정의막(310) 및 발광층(335) 상의 화소 영역(30)에 형성될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340)은 복수의 층들로 구성될 수도 있다. 이에 따라, 하부 전극(290), 발광층(335) 및 상부 전극(340)을 포함하는 화소 구조물(400)이 형성될 수 있다.
도 23을 참조하면, 상부 전극(340) 상의 화소 영역(30)에 제1 박막 봉지층(451)이 형성될 수 있다. 제1 박막 봉지층(451)은 상부 전극(340)을 덮으며, 균일한 두께로 상부 전극(340)의 프로 파일을 따라 형성될 수 있다. 제1 박막 봉지층(451)은 화소 구조물(400)이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 박막 봉지층(451)은 외부의 충격으로부터 화소 구조물(400)을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제1 박막 봉지층(451)은 무기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 박막 봉지층(451) 상에 제2 박막 봉지층(452)이 형성될 수 있다. 제2 박막 봉지층(452)은 유기 발광 표시 장치의 평탄도를 향상시킬 수 있으며, 화소 구조물(400)을 보호할 수 있다. 제2 박막 봉지층(452) 유기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.
제2 박막 봉지층(452) 상에 제3 박막 봉지층(453)이 형성될 수 있다. 제3 박막 봉지층(453)은 제2 박막 봉지층(452)을 덮으며, 균일한 두께로 제2 박막 봉지층(452)의 프로 파일을 따라 형성될 수 있다. 제3 박막 봉지층(453)은 제1 박막 봉지층(451) 및 제2 박막 봉지층(452)과 함께 화소 구조물(400)이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제3 박막 봉지층(453)은 외부의 충격으로부터 제1 박막 봉지층(451) 및 제2 박막 봉지층(452)과 함께 화소 구조물(400)을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제3 박막 봉지층(453)은 무기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로, 박막 봉지 구조물(450)은 제1 내지 제5 박막 봉지층들로 적층된 5층 구조 또는 제1 내지 제7 박막 봉지층들로 적층된 7층 구조로 구성될 수도 있다. 박막 봉지 구조물(450)이 형성된 후 유리 기판(105)이 기판(110)으로부터 박리될 수 있다.
이에 따라, 도 3에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)가 제조될 수 있다.
도 24는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이고, 도 25는 도 24의 유기 발광 표시 장치에 포함된 팬-아웃 배선의 일 예를 나타내는 단면도이다. 도 24에 예시한 유기 발광 표시 장치(500)는 제3 펜-아웃 배선(401)을 제외하면 도 3을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 24에 있어서, 도 3을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 24를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(500)는 기판(110), 버퍼층(115), 절연층 구조물(200), 반도체 소자(250), 화소 구조물(400), 팬-아웃 배선(300), 제3 펜-아웃 배선(401), 패시베이션층(180), 제1 평탄화층(270), 제2 평탄화층(275), 연결 전극(330), 배선 패턴(215), 연결 패턴(235), 화소 정의막(310), 박막 봉지 구조물(450) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(110)은 제1 유기층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기층(113) 및 제2 베리어층(114)을 포함할 수 있고, 기판(110)은 화소 영역(30), 주변 영역(40)(예를 들어, 화소 영역(30)과 벤딩 영역(50) 사이에 위치한 주변 영역(40)), 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)으로 구분될 수 있다(도 1A 참조). 또한, 절연층 구조물(200)은 게이트 절연층(150), 제1 층간 절연층(190), 제2 층간 절연층(195)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 제1 게이트 전극(170), 제2 게이트 전극(175), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있다. 더욱이, 팬-아웃 배선(300)은 제1 팬-아웃 배선(301) 및 제2 팬-아웃 배선(302)을 포함할 수 있고, 화소 구조물(400)은 하부 전극(290), 발광층(335) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있으며, 박막 봉지 구조물(450)은 제1 박막 봉지층(451), 제2 박막 봉지층(452) 및 제3 박막 봉지층(453)을 포함할 수 있다.
제3 펜-아웃 배선(401)이 제1 층간 절연층(190) 상에 배치될 수 있다. 제3 펜-아웃 배선(401)은 제1 층간 절연층(190) 상의 주변 영역(40) 에서 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있고, 화소 영역(30)에 배치된 화소 구조물(400)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 펜-아웃 배선(401)은 제2 게이트 전극(175)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제3 펜-아웃 배선(401)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
제1 팬-아웃 배선(301)은 절연층 구조물(200) 상의 주변 영역(40) 상에 배치될 수 있고, 주변 영역(40)에 위치한 제2 층간 절연층(195)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제3 펜-아웃 배선(401)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 24의 제1 팬-아웃 배선(301)은 연결 전극(330)과 제3 펜-아웃 배선(401)을 전기적으로 연결시키는 연결 배선으로 기능할 수 있다. 이에 따라, 연결 전극(330)의 배선 저항이 상대적으로 감소될 수 있다.
또한, 도 25에 도시된 바와 같이, 도 3의 유기 발광 표시 장치가 보조 펜-아웃 배선(460)을 더 포함할 수 있다. 여기서, 보조 펜 아웃 배선(460)은 제3 펜-아웃 배선(401) 및 제4 펜-아웃 배선(402)을 포함할 수 있다. 여기서, 제2 팬-아웃 배선(302)은 절연층 구조물(200) 상의 패드 영역(60) 상에 배치될 수 있고, 패드 영역(60)에 위치한 제2 층간 절연층(195)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제4 펜-아웃 배선(402)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 25의 제2 팬-아웃 배선(302)은 연결 전극(330)과 제4 펜-아웃 배선(402)을 전기적으로 연결시키는 연결 배선으로 기능할 수 있다. 이에 따라, 연결 전극(330)의 배선 저항이 더욱 감소될 수 있다.
도 26은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 26에 예시한 유기 발광 표시 장치(700)는 제5 펜-아웃 배선(701)을 제외하면 도 3을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 26에 있어서, 도 3을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 26을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(500)는 기판(110), 버퍼층(115), 절연층 구조물(200), 반도체 소자(250), 화소 구조물(400), 팬-아웃 배선(300), 제5 펜-아웃 배선(701), 패시베이션층(180), 제1 평탄화층(270), 제2 평탄화층(275), 연결 전극(330), 배선 패턴(215), 연결 패턴(235), 화소 정의막(310), 박막 봉지 구조물(450) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(110)은 화소 영역(30), 주변 영역(40)(예를 들어, 화소 영역(30)과 벤딩 영역(50) 사이에 위치한 주변 영역(40)), 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)으로 구분될 수 있다(도 1A 참조). 또한, 절연층 구조물(200)은 게이트 절연층(150), 제1 층간 절연층(190), 제2 층간 절연층(195)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 제1 게이트 전극(170), 제2 게이트 전극(175), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있다. 더욱이, 팬-아웃 배선(300)은 제1 팬-아웃 배선(301) 및 제2 팬-아웃 배선(302)을 포함할 수 있다.
제5 펜-아웃 배선(701)이 게이트 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 제5 펜-아웃 배선(701)은 게이트 절연층(150) 상의 주변 영역(40) 에서 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있고, 화소 영역(30)에 배치된 화소 구조물(400)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제5 펜-아웃 배선(701)은 제1 게이트 전극(170)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제5 펜-아웃 배선(701)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
제1 팬-아웃 배선(301)은 절연층 구조물(200) 상의 주변 영역(40) 상에 배치될 수 있고, 주변 영역(40)에 위치한 제1 층간 절연층(190)의 일부 및 제2 층간 절연층(195)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제5 펜-아웃 배선(701)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 26의 제1 팬-아웃 배선(301)은 연결 전극(330)과 제3 펜-아웃 배선(401)을 전기적으로 연결시키는 연결 배선으로 기능할 수 있다. 이에 따라, 연결 전극(330)의 배선 저항이 상대적으로 감소될 수 있다.
도 27은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 27에 예시한 유기 발광 표시 장치(900)는 절연층들의 형상을 제외하면 도 3을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 27에 있어서, 도 3을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 27을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(900)는 기판(110), 버퍼층(115), 절연층 구조물(200), 반도체 소자(250), 화소 구조물(400), 팬-아웃 배선(300), 패시베이션층(180), 제1 평탄화층(270), 제2 평탄화층(275), 연결 전극(330), 배선 패턴(215), 연결 패턴(235), 화소 정의막(310), 박막 봉지 구조물(450) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(110)은 제1 유기층(111), 제1 베리어층(112), 제2 유기층(113) 및 제2 베리어층(114)을 포함할 수 있고, 기판(110)은 화소 영역(30), 주변 영역(40)(예를 들어, 화소 영역(30)과 벤딩 영역(50) 사이에 위치한 주변 영역(40)), 벤딩 영역(50) 및 패드 영역(60)으로 구분될 수 있다(도 1A 참조). 또한, 절연층 구조물(200)은 게이트 절연층(150), 제1 층간 절연층(190), 제2 층간 절연층(195)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 제1 게이트 전극(170), 제2 게이트 전극(175), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있다. 더욱이, 팬-아웃 배선(300)은 제1 팬-아웃 배선(301) 및 제2 팬-아웃 배선(302)을 포함할 수 있고, 화소 구조물(400)은 하부 전극(290), 발광층(335) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있으며, 박막 봉지 구조물(450)은 제1 박막 봉지층(451), 제2 박막 봉지층(452) 및 제3 박막 봉지층(453)을 포함할 수 있다.
기판(110) 상에는 버퍼층(115)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼층(115)은 기판(110) 상의 화소 영역(30), 주변 영역(40)에 전체적으로 배치될 수 있고, 벤딩 영역(50)에 위치한 기판(110)의 제2 유기층(113)의 상면을 노출시킬 수 있다.
절연층 구조물(200)이 버퍼층(115) 상에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연층 구조물(200)은 기판(110) 상의 화소 영역(30) 및 주변 영역(40)에 전체적으로 배치될 수 있고, 벤딩 영역(50)에 위치한 기판(110)의 제2 유기층(113)의 상면을 노출시킬 수 있다.
소스 전극(210), 드레인 전극(230) 및 팬-아웃 배선(300) 상에는 패시베이션층(180)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 패시베이션층(180)은 제2 층간 절연층(195) 상의 화소 영역(30)에서 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮을 수 있으며, 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 또한, 패시베이션층(180)은 주변 영역(40) 및 패드 영역(60)에서 팬-아웃 배선(300)을 커버할 수 있고, 벤딩 영역(50)에 위치한 기판(110)의 제2 유기층(113)의 상면을 노출시킬 수 있다.
이러한 경우, 상대적으로 벤딩 영역(50)의 제1 방향(D1)으로의 길이가 증가될 수 있다. 예를 들면, 유기 발광 표시 장치(900)는 상대적으로 큰 벤딩 영역(50)의 곡률 반경을 갖는 플렉서블 표시 장치에 적용될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
10: 표시 영역 30: 화소 영역
40: 주변 영역 50: 벤딩 영역
60: 패드 영역
100, 500, 700, 900: 유기 발광 표시 장치
101: 외부 장치 105: 유리 기판
110: 기판 111: 제1 유기층
112: 제1 베리어층 113: 제2 유기층
114: 제2 베리어층 115: 버퍼층
117: 제1 무기층 118: 제2 무기층
130: 액티브층 150: 게이트 절연층
170: 제1 게이트 전극 175: 제2 게이트 전극
190: 제1 층간 절연층 195: 제2 층간 절연층
200: 절연층 구조물 210: 소스 전극
215: 배선 패턴 230: 드레인 전극
235: 연결 패턴 250: 반도체 소자
270: 제1 평탄화층 275: 제2 평탄화층
290: 하부 전극 300: 팬-아웃 배선
301: 제1 팬-아웃 배선 302: 제2 팬-아웃 배선
310: 화소 정의막 330: 연결 전극
335: 발광층 340: 상부 전극
400: 화소 구조물 401: 제3 팬-아웃 배선
402: 제4 팬-아웃 배선 450: 박막 봉지 구조물
451: 제1 박막 봉지층 452: 제2 박막 봉지층
453: 제3 박막 봉지층 460: 보조 팬-아웃 배선
470: 패드 전극 501: 제1 개구
502: 제2 개구 503: 제3 개구
504: 제4 개구 701: 제5 팬-아웃 배선
1150: 예비 게이트 절연층 1180: 예비 패시베이션층
1190: 예비 제1 층간 절연층 1195: 예비 제2 층간 절연층
1200: 예비 절연층 구조물 1301: 예비 전극층

Claims (50)

  1. 화소 영역 및 상기 화소 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 표시 영역, 상기 표시 영역으로부터 이격되는 패드 영역 및 상기 표시 영역과 상기 패드 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 제1 개구를 갖는 버퍼층;
    상기 버퍼층 상의 상기 화소 영역에 배치되는 화소 구조물들;
    상기 버퍼층 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면 및 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치한 상기 버퍼층의 제1 부분을 노출시키는 제2 개구를 갖는 절연층 구조물;
    상기 절연층 구조물 상에 배치되고, 상기 기판의 상면 및 상기 버퍼층의 제1 부분이 노출되도록 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치하는 상기 주변 영역 및 상기 패드 영역에 배치되는 팬-아웃 배선;
    상기 팬-아웃 배선, 상기 벤딩 영역과 인접하여 위치한 상기 절연층 구조물의 측벽 및 상기 버퍼층의 제1 부분 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 제3 개구를 갖는 패시베이션층; 및
    상기 기판 상의 벤딩 영역에 배치되고, 상기 팬-아웃 배선과 직접적으로 접촉하며, 상기 화소 구조물들과 외부 장치를 전기적으로 연결시키는 연결 전극을 포함하고,
    상기 버퍼층의 제1 부분은 상기 절연층 구조물의 측벽으로부터 돌출되고, 상기 버퍼층의 제2 부분은 상기 절연층 구조물과 중첩하여 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 부분의 두께는 상기 제2 부분의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 버퍼층은 상기 기판 상에 배치되는 제1 무기층 및 상기 제1 무기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하고,
    상기 버퍼층의 제1 부분은 상기 제1 무기층을 포함하고, 상기 버퍼층의 제2 부분은 상기 제1 무기층 및 제2 무기층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제1 무기층은 실리콘 질화물을 포함하고, 상기 제2 무기층은 실리콘 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은,
    제1 유기층;
    상기 제1 유기층 상에 배치되는 제1 베리어층;
    상기 제1 베리어층 상에 배치되는 제2 유기층; 및
    상기 제2 유기층 상에 배치되는 제2 베리어층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제2 베리어층은 상기 벤딩 영역에서 상기 제2 유기층의 상면을 노출시키는 제4 개구를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 연결 전극 사이에 개재되는 제1 평탄화층을 더 포함하고,
    상기 제1 평탄화층은 상기 벤딩 영역에서 상기 제2 유기층의 상면과 직접적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 베리어층은 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제1 및 제2 유기층은 폴리이미드계 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 개구는 상기 제1 및 제3 개구들과 중첩하고, 상기 제2 개구의 크기는 상기 제1 및 제3 개구들 각각의 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 제1 개구의 크기는 상기 제3 개구의 크기보다 작은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션층은 상기 주변 영역에 위치하는 제1 콘택홀 및 상기 패드 영역에 위치하는 제2 콘택홀을 포함하고,
    상기 팬-아웃 배선과 상기 연결 전극은 상기 제1 및 제2 콘택홀들을 통해 직접적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 팬-아웃 배선은 상기 주변 영역에 배치되는 제1 팬-아웃 배선 및 상기 패드 영역에 배치되는 제2 팬-아웃 배선을 포함하고,
    상기 제1 팬-아웃 배선은 상기 화소 영역으로부터 상기 패드 영역으로의 방향인 제1 방향으로 연장되고, 상기 화소 구조물과 전기적으로 연결되며,
    상기 제2 팬-아웃 배선은 상기 패드 영역에서 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 외부 장치와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼층과 상기 화소 구조물 사이에 개재되는 반도체 소자를 더 포함하고,
    상기 반도체 소자는,
    상기 버퍼층 상에 배치되는 액티브층;
    상기 액티브층 상에 배치되는 제1 게이트 전극;
    상기 제1 게이트 전극 상에 배치되는 제2 게이트 전극; 및
    상기 제2 게이트 전극 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 절연층 구조물은,
    상기 버퍼층 상의 상기 화소 영역에서 상기 액티브층을 덮으며 상기 화소 영역으로부터 상기 패드 영역으로의 방향인 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 게이트 절연층;
    상기 게이트 절연층 상의 상기 화소 영역에서 상기 제1 게이트 전극을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 제1 층간 절연층; 및
    상기 제1 층간 절연층 상의 상기 화소 영역에서 상기 제2 게이트 전극을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 제2 층간 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 패시베이션층은 상기 제2 층간 절연층 상에서 상기 소스 및 드레인 전극들을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역과 인접하여 위치하는 상기 주변 영역에서 상기 팬-아웃 배선 상에 배치되며, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 팬-아웃 배선과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  18. 제 15 항에 있어서, 상기 화소 구조물은,
    상기 반도체 소자 상에 배치되는 하부 전극;
    상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 화소 영역에서 상기 패시베이션층 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역, 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치한 상기 주변 영역 및 상기 패드 영역에서 상기 연결 전극과 기판 사이에 개재되는 제1 평탄화층;
    상기 제1 평탄화층 상의 상기 화소 영역에 배치되는 배선 패턴 및 연결 패턴; 및
    상기 제1 평탄화층 상의 상기 화소 영역에서 상기 배선 패턴 및 상기 연결 패턴을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 연결 전극 상에 배치되는 제2 평탄화층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 하부 전극은 상기 연결 패턴을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  21. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소 구조물 상에 배치되는 박막 봉지 구조물을 더 포함하고,
    상기 박막 봉지 구조물은,
    상기 화소 구조물 상에 배치되며 무기 물질을 포함하는 제1 박막 봉지층;
    상기 제1 박막 봉지층 상에 배치되며 유기 물질을 포함하는 제2 박막 봉지층; 및
    상기 제2 박막 봉지층 상에 배치되며 무기 물질을 포함하는 제3 박막 봉지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  22. 화소 영역 및 상기 화소 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 표시 영역, 상기 표시 영역으로부터 이격되는 패드 영역 및 상기 표시 영역과 상기 패드 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
    상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 제1 개구 및 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치한 상기 버퍼층의 제1 부분을 노출시키는 제2 개구가 형성되도록 상기 버퍼층 상에 반도체 소자 및 절연층 구조물을 형성하는 단계;
    상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면 및 상기 버퍼층의 제1 부분이 노출되도록 상기 절연층 구조물 상의 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치하는 상기 주변 영역 및 상기 패드 영역에 팬-아웃 배선을 형성하는 단계;
    상기 벤딩 영역에 위치하는 상기 기판의 상면을 노출시키는 제3 개구가 형성되도록 상기 팬-아웃 배선, 상기 벤딩 영역과 인접하여 위치한 상기 절연층 구조물의 측벽 및 상기 버퍼층의 제1 부분 상에 패시베이션층을 형성하는 단계;
    상기 기판 상의 벤딩 영역에 상기 팬-아웃 배선과 직접적으로 접촉하는 연결 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 반도체 소자 상에 화소 구조물들을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면 및 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치한 상기 버퍼층의 제1 부분을 노출시키는 제2 개구가 형성되도록 상기 버퍼층 상에 반도체 소자 및 절연층 구조물을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 예비 절연층 구조물을 형성하는 단계; 및
    상기 예비 절연층 구조물에 선택적으로 제1 식각 공정을 수행하여 상기 벤딩 영역 및 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치한 상기 주변 및 상기 패드 영역들에 위치하는 상기 버퍼층의 상면을 노출시키는 상기 제2 개구를 갖는 상기 절연층 구조물을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 제2 개구를 통해 노출된 상기 버퍼층의 일부가 상기 제1 식각 공정을 통해 제거되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 제 22 항에 있어서, 상기 버퍼층은 상기 기판 상에 배치되는 제1 무기층 및 상기 제1 무기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하고, 상기 제1 식각 공정을 통해 상기 제2 무기층의 일 부분이 제거되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면 및 상기 버퍼층의 제1 부분이 노출되도록 상기 절연층 구조물 상의 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치하는 상기 주변 영역 및 상기 패드 영역에 팬-아웃 배선을 형성하는 단계는,
    상기 절연층 구조물 및 상기 제2 개구를 통해 노출된 상기 버퍼층 상에 예비 팬-아웃 배선을 형성하는 단계; 및
    상기 예비 팬-아웃 배선에 선택적으로 제2 식각 공정을 수행하여 상기 주변 영역에 배치되는 제1 팬-아웃 배선 및 상기 패드 영역에 배치되는 제2 팬-아웃 배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  27. 제 26 항에 있어서, 상기 제2 개구를 통해 노출된 상기 버퍼층의 일부가 상기 제2 식각 공정을 통해 제거되고, 상기 제2 개구를 통해 상기 버퍼층의 제1 무기층의 상면이 노출되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 제2 식각 공정을 통해 상기 제2 무기층의 나머지 부분이 제거되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  29. 제 27 항에 있어서, 상기 벤딩 영역에 위치하는 상기 기판의 상면을 노출시키는 제3 개구가 형성되도록 상기 팬-아웃 배선, 상기 벤딩 영역과 인접하여 위치한 상기 절연층 구조물의 측벽 및 상기 버퍼층의 제1 부분 상에 패시베이션층을 형성하는 단계는,
    상기 팬-아웃 배선, 상기 절연층 구조물 및 상기 제2 개구를 통해 노출된 상기 버퍼층 상에 예비 패시베이션층을 형성하는 단계; 및
    상기 예비 패시베이션층에 선택적으로 제3 식각 공정을 수행하여 상기 주변 영역에 위치하는 제1 콘택홀, 상기 패드 영역에 위치하는 제2 콘택홀 및 상기 기판의 상면을 노출시키는 상기 제3 개구를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  30. 제 29 항에 있어서, 상기 기판은,
    제1 유기층;
    상기 제1 유기층 상에 배치되는 제1 베리어층;
    상기 제1 베리어층 상에 배치되는 제2 유기층; 및
    상기 제2 유기층 상에 배치되는 제2 베리어층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  31. 제 30 항에 있어서, 상기 제3 개구를 통해 노출된 상기 버퍼층의 제1 무기층 및 상기 기판의 제2 베리어층이 상기 제3 식각 공정을 통해 제거되고, 상기 제3 개구를 통해 상기 기판의 제2 유기층의 상면이 노출되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  32. 제 30 항에 있어서, 상기 제3 식각 공정을 통해 상기 버퍼층에 상기 제2 유기층의 상면을 노출시키는 상기 제1 개구가 형성되고, 상기 제2 베리어층에 상기 제2 유기층의 상면을 노출시키는 제4 개구가 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  33. 제 30 항에 있어서,
    상기 패시베이션층 및 상기 제2 베리어층 상에 제1 평탄화층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  34. 제 29 항에 있어서, 상기 제1 콘택홀은 상기 제1 팬-아웃 배선의 상면을 노출시키고, 상기 제2 콘택홀은 상기 제2 팬-아웃 배선의 상면을 노출시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  35. 제 29 항에 있어서, 상기 제3 식각 공정을 통해 상기 절연층 구조물의 측벽으로부터 돌출되는 상기 버퍼층의 제1 부분이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  36. 제 35 항에 있어서, 상기 버퍼층과 상기 절연층 구조물과 중첩하는 부분이 상기 버퍼층의 제2 부분으로 정의되고, 상기 버퍼층의 제1 부분의 두께는 상기 제2 부분의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  37. 화소 영역 및 상기 화소 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 표시 영역, 상기 표시 영역으로부터 이격되는 패드 영역 및 상기 표시 영역과 상기 패드 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 제1 개구를 갖는 버퍼층;
    상기 버퍼층 상의 상기 화소 영역에 배치되는 화소 구조물들;
    상기 버퍼층 상에 배치되고, 복수의 절연층들을 포함하며, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면 및 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치한 상기 버퍼층의 제1 부분을 노출시키는 제2 개구를 갖는 절연층 구조물;
    상기 절연층 구조물의 복수의 절연층들 중 인접한 두 개의 절연층들 사이에 배치되고, 상기 기판의 상면 및 상기 버퍼층의 제1 부분이 노출되도록 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치하는 상기 주변 영역 및 상기 패드 영역에 배치되는 팬-아웃 배선;
    상기 절연층 구조물 상에 배치되고, 상기 팬-아웃 배선과 전기적으로 연결되는 도전 패턴;
    상기 도전 패턴, 상기 벤딩 영역과 인접하여 위치한 상기 절연층 구조물의 측벽 및 상기 버퍼층의 제1 부분 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 제3 개구를 갖는 패시베이션층; 및
    상기 기판 상의 벤딩 영역에 배치되고, 상기 도전 패턴과 직접적으로 접촉하며, 상기 화소 구조물들과 외부 장치를 전기적으로 연결시키는 연결 전극을 포함하고,
    상기 버퍼층의 제1 부분은 상기 절연층 구조물의 측벽으로부터 돌출되고, 상기 버퍼층의 제2 부분은 상기 절연층 구조물과 중첩하여 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  38. 제 37 항에 있어서, 상기 제1 부분의 두께는 상기 제2 부분의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  39. 제 37 항에 있어서,
    상기 버퍼층과 상기 화소 구조물 사이에 개재되는 반도체 소자를 더 포함하고,
    상기 반도체 소자는,
    상기 버퍼층 상에 배치되는 액티브층;
    상기 액티브층 상에 배치되는 제1 게이트 전극;
    상기 제1 게이트 전극 상에 배치되는 제2 게이트 전극; 및
    상기 제2 게이트 전극 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  40. 제 39 항에 있어서, 상기 절연층 구조물은,
    상기 버퍼층 상의 상기 화소 영역에서 상기 액티브층을 덮으며 상기 화소 영역으로부터 상기 패드 영역으로의 방향인 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 게이트 절연층;
    상기 게이트 절연층 상의 상기 화소 영역에서 상기 제1 게이트 전극을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 제1 층간 절연층; 및
    상기 제1 층간 절연층 상의 상기 화소 영역에서 상기 제2 게이트 전극을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역과 인접하여 위치하는 상기 주변 영역에서 상기 팬-아웃 배선을 덮으며, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 제2 층간 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  41. 제 39 항에 있어서, 상기 절연층 구조물은,
    상기 버퍼층 상의 상기 화소 영역에서 상기 액티브층을 덮으며 상기 화소 영역으로부터 상기 패드 영역으로의 방향인 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 게이트 절연층;
    상기 게이트 절연층 상의 상기 화소 영역에서 상기 제1 게이트 전극을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역과 인접하여 위치하는 상기 주변 영역에서 상기 팬-아웃 배선을 덮으며, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 제1 층간 절연층; 및
    상기 제1 층간 절연층 상의 상기 화소 영역에서 상기 제2 게이트 전극을 덮으며 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 제2 층간 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  42. 제 39 항에 있어서, 상기 패시베이션층은 상기 절연층 구조물 상에서 상기 소스 및 드레인 전극들을 덮으며 상기 화소 영역으로부터 상기 패드 영역으로의 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 벤딩 영역과 인접하여 위치하는 상기 주변 영역에서 상기 도전 패턴 상에 배치되며, 상기 벤딩 영역에서 상기 기판의 상면을 노출시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  43. 제 39 항에 있어서, 상기 제2 게이트 전극은 상기 팬-아웃 배선과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되고, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 도전 패턴과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  44. 제 39 항에 있어서, 상기 제1 게이트 전극은 상기 팬-아웃 배선과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되고, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 도전 패턴과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  45. 제 37 항에 있어서, 상기 패시베이션층은 상기 주변 영역에 위치하는 제1 콘택홀 및 상기 패드 영역에 위치하는 제2 콘택홀을 포함하고, 상기 도전 패턴은 상기 주변 영역에 위치하는 제1 도전 패턴 및 상기 패드 영역에 위치하는 제2 도전 패턴을 포함하며,
    상기 제1 및 제2 도전 패턴들 각각은 상기 제1 및 제2 콘택홀들을 통해 상기 연결 전극과 직접적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  46. 제 45 항에 있어서, 상기 팬-아웃 배선은 상기 주변 영역에 배치되는 제1 팬-아웃 배선 및 상기 패드 영역에 배치되는 제2 팬-아웃 배선을 포함하고,
    상기 제1 팬-아웃 배선은 상기 화소 영역으로부터 상기 패드 영역으로의 방향인 제1 방향으로 연장되고, 상기 화소 구조물 및 상기 제1 도전 패턴과 전기적으로 연결되며,
    상기 제2 팬-아웃 배선은 상기 패드 영역에서 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 외부 장치와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  47. 제 45 항에 있어서, 상기 팬-아웃 배선은 화소 영역으로부터 상기 패드 영역으로의 방향인 제1 방향으로 연장되고, 상기 화소 구조물 및 상기 제1 도전 패턴과 전기적으로 연결되며,
    상기 제2 도전 패턴은 상기 패드 영역에서 상기 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 외부 장치와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  48. 화소 영역 및 상기 화소 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 표시 영역, 상기 표시 영역으로부터 이격되는 패드 영역 및 상기 표시 영역과 상기 패드 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 제1 개구를 갖는 버퍼층;
    상기 버퍼층 상의 상기 화소 영역에 배치되는 화소 구조물들;
    상기 버퍼층 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면 및 상기 벤딩 영역에 인접하여 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 제2 개구를 갖는 절연층 구조물;
    상기 절연층 구조물 상에 배치되고, 상기 벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 팬-아웃 배선;
    상기 팬-아웃 배선을 커버하고, 상기벤딩 영역에 위치한 상기 기판의 상면을 노출시키는 제3 개구를 갖는 패시베이션층; 및
    상기 기판 상의 상기 벤딩 영역에 배치되고, 상기 팬-아웃 배선과 직접적으로 접촉하며, 상기화소 구조물들과 외부 장치를 전기적으로 연결시키는 연결 전극을 포함하고,
    상기 제1 개구, 상기 제2 개구 및 상기 제3 개구는 동시에 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  49. 제 48 항에 있어서, 상기 기판은,
    제1 유기층;
    상기 제1 유기층 상에 배치되는 제1 베리어층;
    상기 제1 베리어층 상에 배치되는 제2 유기층; 및
    상기 제2 유기층 상에 배치되는 제2 베리어층을 포함하고,
    상기 제2 베리어층은 상기 벤딩 영역에서 상기 제2 유기층의 상면을 노출시키는 개구를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  50. 삭제
KR1020170065883A 2017-05-29 2017-05-29 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 KR102333671B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170065883A KR102333671B1 (ko) 2017-05-29 2017-05-29 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US15/952,885 US10658628B2 (en) 2017-05-29 2018-04-13 Organic light emitting display device and a method of manufacturing organic light emitting display device
CN201810533364.4A CN108933162B (zh) 2017-05-29 2018-05-29 有机发光显示设备以及制造有机发光显示设备的方法
CN202311442149.0A CN117500324A (zh) 2017-05-29 2018-05-29 有机发光显示设备以及制造有机发光显示设备的方法
US16/877,048 US11251412B2 (en) 2017-05-29 2020-05-18 Organic light emitting display device and a method of manufacturing organic light emitting display device
KR1020210165601A KR102480110B1 (ko) 2017-05-29 2021-11-26 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US17/648,728 US20220149131A1 (en) 2017-05-29 2022-01-24 Organic light emitting display device and a method of manufacturing organic light emitting display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170065883A KR102333671B1 (ko) 2017-05-29 2017-05-29 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210165601A Division KR102480110B1 (ko) 2017-05-29 2021-11-26 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180130613A KR20180130613A (ko) 2018-12-10
KR102333671B1 true KR102333671B1 (ko) 2021-12-01

Family

ID=64401740

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170065883A KR102333671B1 (ko) 2017-05-29 2017-05-29 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR1020210165601A KR102480110B1 (ko) 2017-05-29 2021-11-26 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210165601A KR102480110B1 (ko) 2017-05-29 2021-11-26 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (3) US10658628B2 (ko)
KR (2) KR102333671B1 (ko)
CN (2) CN108933162B (ko)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102333671B1 (ko) * 2017-05-29 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
TWI634468B (zh) * 2017-08-18 2018-09-01 財團法人工業技術研究院 透明顯示裝置
CN107331694B (zh) * 2017-09-04 2020-03-17 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
WO2019064436A1 (ja) * 2017-09-28 2019-04-04 シャープ株式会社 表示装置
CN109755256B (zh) 2017-11-01 2022-01-11 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及制备方法、柔性显示装置
US10784326B2 (en) * 2017-12-13 2020-09-22 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED display panel and display device
WO2019150503A1 (ja) * 2018-01-31 2019-08-08 シャープ株式会社 表示装置
US11659746B2 (en) * 2018-03-09 2023-05-23 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
WO2019186702A1 (ja) * 2018-03-27 2019-10-03 シャープ株式会社 表示装置
KR102640726B1 (ko) * 2018-04-18 2024-02-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108400261B (zh) * 2018-05-02 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示器件及其制作方法
KR102522469B1 (ko) * 2018-07-18 2023-04-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102550689B1 (ko) 2018-08-23 2023-07-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102620972B1 (ko) * 2018-10-23 2024-01-05 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109616492B (zh) * 2018-10-26 2020-11-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板、柔性显示装置和柔性显示面板的制备方法
CN109599422B (zh) * 2018-12-05 2021-04-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性有机发光二极管装置以及其形成方法
KR20200087912A (ko) * 2019-01-11 2020-07-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN113287368B (zh) * 2019-01-17 2024-02-06 夏普株式会社 显示装置
KR20200094874A (ko) * 2019-01-30 2020-08-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109887972A (zh) * 2019-02-27 2019-06-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及具有该阵列基板的显示装置
CN109920332B (zh) * 2019-02-28 2020-08-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性阵列基板、其制备方法及显示面板
CN109887416B (zh) * 2019-03-15 2021-12-10 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制造方法、显示装置
KR102441330B1 (ko) 2019-03-27 2022-09-13 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
KR20200117101A (ko) * 2019-04-02 2020-10-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110071121B (zh) * 2019-04-17 2020-09-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110097828A (zh) * 2019-04-18 2019-08-06 武汉华星光电技术有限公司 柔性显示面板
US11043546B2 (en) * 2019-05-20 2021-06-22 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel, fabricating method thereof and display device
CN112567520A (zh) * 2019-06-14 2021-03-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
US11289687B2 (en) * 2019-07-04 2022-03-29 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light emitting diode (OLED) display panel and electronic device
CN110429107B (zh) * 2019-07-05 2021-04-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法
KR20210007074A (ko) 2019-07-09 2021-01-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11475804B2 (en) * 2019-07-26 2022-10-18 Au Optronics Corporation Display panel having an auxiliary layer overlapped with a bendable region
CN110571241B (zh) * 2019-08-09 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法
CN110534475A (zh) * 2019-08-19 2019-12-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN116844419A (zh) * 2019-09-27 2023-10-03 群创光电股份有限公司 电子设备
CN110838468A (zh) * 2019-11-19 2020-02-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制作方法、显示基板、显示面板及显示装置
CN111081739B (zh) * 2019-12-06 2022-05-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
KR20210109699A (ko) * 2020-02-27 2021-09-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
US20220115473A1 (en) * 2020-03-23 2022-04-14 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display Substrate, Preparation Method thereof, Display Mother Plate and Display Device
US11849608B2 (en) * 2020-03-25 2023-12-19 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Flexible display substrate and method for preparing the same, and display device
CN111416056A (zh) * 2020-03-27 2020-07-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN111725279B (zh) * 2020-06-11 2022-10-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及oled显示面板
KR20220002795A (ko) * 2020-06-30 2022-01-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220010364A (ko) * 2020-07-17 2022-01-25 삼성전자주식회사 메타 표면, 이를 포함하는 발광 소자 및 디스플레이 장치와 메타 표면의 제조 방법
KR20220014347A (ko) * 2020-07-23 2022-02-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치
CN112992937B (zh) * 2021-02-22 2022-07-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置、显示基板以及显示装置制备方法
CN113658990B (zh) * 2021-08-18 2024-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN113809102A (zh) * 2021-11-03 2021-12-17 合肥维信诺科技有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板及显示装置
KR20230077967A (ko) * 2021-11-26 2023-06-02 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160190522A1 (en) * 2014-12-30 2016-06-30 Lg Display Co., Ltd. Flexible Display Device with Chamfered Polarization Layer

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101960387B1 (ko) * 2012-12-21 2019-03-20 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 그의 제조방법
KR102091664B1 (ko) * 2013-09-27 2020-03-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법
KR102085961B1 (ko) * 2013-12-24 2020-03-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102323242B1 (ko) * 2015-03-10 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
KR102363261B1 (ko) 2015-04-16 2022-02-16 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 디스플레이 패널 및 그 제조방법
KR102463838B1 (ko) 2015-08-24 2022-11-04 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치와 이의 제조 방법
KR102399572B1 (ko) * 2015-09-15 2022-05-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
US10361385B2 (en) * 2016-02-12 2019-07-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device
TWI740908B (zh) * 2016-03-11 2021-10-01 南韓商三星顯示器有限公司 顯示設備
KR102606279B1 (ko) 2016-04-04 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102333671B1 (ko) 2017-05-29 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102416038B1 (ko) * 2017-11-30 2022-07-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160190522A1 (en) * 2014-12-30 2016-06-30 Lg Display Co., Ltd. Flexible Display Device with Chamfered Polarization Layer

Also Published As

Publication number Publication date
KR102480110B1 (ko) 2022-12-23
US20200287170A1 (en) 2020-09-10
KR20180130613A (ko) 2018-12-10
US20220149131A1 (en) 2022-05-12
US20180342707A1 (en) 2018-11-29
US10658628B2 (en) 2020-05-19
CN108933162A (zh) 2018-12-04
US11251412B2 (en) 2022-02-15
CN117500324A (zh) 2024-02-02
CN108933162B (zh) 2023-11-21
KR20210149661A (ko) 2021-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102480110B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102512975B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US20230209966A1 (en) Organic light emitting display device
US10651265B2 (en) Organic light emitting display device
KR102446425B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US10170525B2 (en) Organic light emitting display device
US9368757B2 (en) Organic light emitting display device including graded functional layers
US10937838B2 (en) Organic light emitting display device
KR20170119801A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102525343B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20200093718A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20180043434A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102591727B1 (ko) 정전기 방지 다이오드 및 정전기 방지 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20200099231A (ko) 유기 발광 표시 장치
US11257885B2 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing organic light emitting display device
KR102525989B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right