CN219919629U - 一种显示基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示基板及显示装置，涉及显示领域，显示基板包括孔区、围绕孔区的过渡区，以及围绕过渡区的显示区；过渡区设置有围绕孔区的隔离柱，隔离柱包括第一隔离部和第一包覆层；显示基板包括基底，第一隔离部包括第二导电层，第一隔离部的第一侧和第二侧分别朝向显示区和孔区；第一包覆层设于第一隔离部的远离基底一侧，并将第一隔离部的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆，在第一隔离部的第一侧和第二侧中的另一侧，第二导电层相较于第一包覆层内缩设置；第一包覆层为绝缘材料。所述显示基板可以避免隔离柱两侧的发光功能层通过隔离柱连接成导电通路，从而避免由此产生的产品信赖性失效问题。

Description

一种显示基板及显示装置

技术领域

本公开涉及但不限于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，人们对显示产品的性能要求越来越高，经得起长时间高温高湿测试、压力测试等一系列测试的显示器才能满足需求，才是合格的好产品。

有机发光二极管(OLED)显示产品由于具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度等优点，逐渐成为显示领域的主流产品，但是信赖性一直是对OLED显示产品的考验。高温高湿运行测试是在上电的情况下将显示屏放在高温高湿环境中，经过672小时后观察显示屏看是否有信赖性不良。对于设计有开孔的OLED显示产品，由于孔区的边框很窄，孔区附近是信赖性薄弱的地方，为了防止外界水汽和氧气从孔区经发光功能层和阴极层(OLED发光元件包括依次叠设的阳极、发光功能层和阴极层)侵入显示区，一些技术中在孔区的边框内设置了隔离柱以隔断发光功能层和阴极层，以阻挡水氧入侵的通道，但是，显示屏在上电的情况下，在电场作用下显示屏的导电胶或者偏光片里面的导电离子会游离至显示区而造成产品信赖性失效。

实用新型内容

本公开实施例提供一种显示基板，包括孔区、围绕所述孔区的过渡区，以及围绕所述过渡区的显示区；所述过渡区设置有围绕所述孔区的隔离柱，所述隔离柱包括第一隔离部和第一包覆层；所述显示基板包括基底，所述第一隔离部包括第二导电层，所述第一隔离部的第一侧朝向所述显示区，所述第一隔离部的第二侧朝向所述孔区；所述第一包覆层设于所述第一隔离部的远离所述基底一侧，并将所述第一隔离部的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆，在所述第一隔离部的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第二导电层相较于所述第一包覆层内缩设置；所述第一包覆层的材料为绝缘材料。

本公开实施例还提供一种显示装置，包括所述的显示基板。

本公开实施例的显示基板，通过设置绝缘材料的第一包覆层，并将所述第一隔离部的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆，在所述第一隔离部的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第二导电层相较于所述第一包覆层内缩设置，这样，发光功能层可以在第一隔离部的第一侧和第二侧中未被第一包覆层包覆的一侧断开，当发光功能层在隔离柱处断开后，位于第一包覆层上的发光功能层不会与第二导电层搭接，则，位于隔离柱朝向显示区一侧的发光功能层与位于隔离柱朝向孔区一侧的发光功能层不会通过具有导电功能的第一隔离部连接成导电通路，从而可以避免一些技术中显示屏在上电的情况下，在电场作用下显示屏的导电胶或者偏光片里面的导电离子通过所述的导电通路游离至显示区而造成产品信赖性失效的问题。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。

图1为一些示例性实施例的显示基板的平面结构示意图；

图2为在一些示例性实施例中图1中的A-A剖面结构示意图；

图3为一些技术中隔离柱隔断发光功能层的结构示意图；

图4为又一些技术中隔离柱隔断发光功能层的结构示意图；

图5为图4中的隔离柱的第三金属导电层上翘并与发光功能层搭接的结构示意图；

图6为图4中的发光功能层下弯并与隔离柱的第三金属导电层搭接的结构示意图；

图7a为一些示例性实施例的显示基板的隔离柱的剖面结构示意图；

图7b为另一些示例性实施例的显示基板的隔离柱的剖面结构示意图；

图7c为另一些示例性实施例的显示基板的隔离柱的剖面结构示意图；

图8为另一些示例性实施例的显示基板的隔离柱的剖面结构示意图；

图9为又一些示例性实施例的显示基板的隔离柱的剖面结构示意图；

图10为又一些示例性实施例的显示基板的隔离柱的剖面结构示意图；

图11为又一些示例性实施例的显示基板的隔离柱的剖面结构示意图；

图12a为一些示例性实施例的显示基板在形成第四绝缘层后的结构示意图；

图12b为一些示例性实施例的显示基板在形成第一源漏金属层后的结构示意图；

图12c为一些示例性实施例的显示基板在将第一隔离层的第三金属层去除后的结构示意图；

图12d为一些示例性实施例的显示基板在形成钝化层后的结构示意图；

图12e为一些示例性实施例的显示基板在形成第二源漏金属层后的结构示意图；

图12f为一些示例性实施例的显示基板在形成像素界定层后的结构示意图；

图12g为一些示例性实施例的显示基板在对第一隔离层的第二金属层进行刻蚀后的结构示意图；

图13a为另一些示例性实施例的显示基板在形成第二源漏金属层后的结构示意图；

图13b为另一些示例性实施例的显示基板在将第一隔离层的第六金属层去除后的结构示意图；

图13c为另一些示例性实施例的显示基板在形成第二平坦层后的结构示意图；

图13d为另一些示例性实施例的显示基板在形成第一电极后的结构示意图；

图13e为另一些示例性实施例的显示基板在形成像素界定层后的结构示意图；

图13f为另一些示例性实施例的显示基板在对第一隔离层的第五金属层进行刻蚀后的结构示意图；

图14a为又一些示例性实施例的显示基板在形成第四绝缘层后的结构示意图；

图14b为又一些示例性实施例的显示基板在形成第一源漏金属层后的结构示意图；

图14c为又一些示例性实施例的显示基板在对第一隔离层的第三金属层刻蚀一部分后的结构示意图；

图14d为又一些示例性实施例的显示基板在形成钝化层后的结构示意图；

图14e为又一些示例性实施例的显示基板在形成第二源漏金属层后的结构示意图；

图14f为又一些示例性实施例的显示基板在形成像素界定层后的结构示意图；

图14g为又一些示例性实施例的显示基板在对第一隔离层的第二金属层进行刻蚀后的结构示意图；

图15a为又一些示例性实施例的显示基板在形成第四绝缘层后的结构示意图；

图15b为又一些示例性实施例的显示基板在形成第一源漏金属层后的结构示意图；

图15c为又一些示例性实施例的显示基板在形成钝化层后的结构示意图；

图15d为又一些示例性实施例的显示基板在形成第二源漏金属层后的结构示意图；

图15e为又一些示例性实施例的显示基板在对第一隔离层的第三金属层刻蚀一部分后的结构示意图；

图15f为又一些示例性实施例的显示基板在对第一隔离层的第二金属层进行刻蚀后的结构示意图。

附图标记：1’、第一金属导电层，2’、第二金属导电层，3’、第三金属导电层，4’、绝缘层；

10、基底，20、驱动结构层，21、第一绝缘层，22、第二绝缘层，23、第三绝缘层，24、第四绝缘层，25、第五绝缘层，26、第二平坦层，30、发光结构层，31、第一电极，32、像素界定层，33、发光功能层，34、第二电极层，40、封装结构层，41、第一封装层，42、第二封装层，43、第三封装层，50、隔离柱，51、第一隔离部，52、第一包覆层，53、第二隔离部，54、第二包覆层，55、柱基，60、隔离坝；

100、显示区，200、孔区，201、晶体管，202、存储电容，203、连接电极，251、钝化层，252、第一平坦层，300、过渡区，301、第一金属层，302、第二金属层，303、第三金属层，401、第四金属层，402、第五金属层，403、第六金属层，511、第一导电层，512、第二导电层，513、第三导电层，531、第四导电层，532、第五导电层，533、第六导电层，551、第一柱基层，552、第二柱基层，553、第一无机绝缘层，554、第二无机绝缘层，555、第七金属层，556、第八金属层；

2011、有源层，2012、栅电极，2013、源电极，2014、漏电极，2021、第一极板，2022、第二极板。

具体实施方式

本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开实施例的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开实施例技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求范围当中。

如图1和图2所示，图1为一些示例性实施例的显示基板的平面结构示意图，图2为在一些示例性实施例中图1中的A-A剖面结构示意图，显示基板包括孔区200、围绕孔区200的过渡区300，以及围绕过渡区300的显示区100。

示例性地，所述显示区100包括依次叠设于基底10上的驱动结构层20、发光结构层30和封装结构层40。

所述驱动结构层20包括多个像素驱动电路，像素驱动电路包括多个晶体管(T)201和存储电容(C)202。像素驱动电路可以采用3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C等结构，本公开对此不作限制。

所述发光结构层30包括多个发光元件，发光元件可以为OLED(有机发光二极管)或QLED(量子点发光二极管)器件。在垂直于基底10的方向上，发光结构层30包括依次设置的第一电极层、像素界定层32、发光功能层和第二电极层34；第一电极层包括多个第一电极31，像素界定层32设于多个第一电极31的远离基底10一侧并设有多个像素开口，像素开口暴露出第一电极31，发光功能层和第二电极层34依次叠设于第一电极31的远离基底10一侧。发光元件包括第一电极31、发光功能层33和第二电极层34。发光功能层33包括有机发光层，还可以包括位于第一电极31和有机发光层之间的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的任一个或多个膜层，以及位于第二电极层34和有机发光层之间的电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的任一个或多个膜层。发光元件的第一电极31与像素驱动电路连接，发光元件在像素驱动电路的驱动下发光。

所述封装结构层40可以包括沿远离基底10方向依次叠设的第一封装层41、第二封装层42和第三封装层43。第一封装层41和第三封装层43的主要材料(膜层中成分最大的材料)为无机材料，可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种，第二封装层42的主要材料可以是有机材料，比如环氧树脂，这样有助于实现封装，避免水汽的侵蚀。第一封装层41和第三封装层43可以采用化学气相沉积(CVD)工艺形成，第二封装层42可以采用喷墨打印(IJP)工艺形成。

示例性地，所述过渡区300设置有隔离坝60和隔离柱50，隔离坝60和隔离柱50均围绕孔区200设置。隔离坝60的远离基底10的表面高于隔离柱50的远离基底10的表面。隔离坝60和隔离柱50的数目可以不限。在采用喷墨打印工艺形成封装结构层40的第二封装层42过程中，喷墨打印材料会发生溢流，隔离坝60可以起到防止喷墨打印材料溢流的作用。隔离柱50可以起到隔断发光功能层33以及第二电极层34的作用，以避免水氧从孔区200沿发光功能层33和第二电极层34向显示区100侵蚀，保护显示区100的发光功能层33和第二电极层34不受水氧侵蚀。

一些技术中，如图3所示，图3为一些技术中隔离柱隔断发光功能层的结构示意图，隔离柱包括沿远离基底方向依次叠设的第一金属导电层1’、第二金属导电层2’和第三金属导电层3’，在隔离柱的垂直于基底的截面上，第一金属导电层1’、第二金属导电层2’和第三金属导电层3’大致呈“工”字型，发光功能层33被隔离柱隔断后，位于隔离柱两侧(一侧朝向显示区100，另一侧朝向孔区200)的发光功能层33均搭接在第一金属导电层1’上，并通过第一金属导电层1’连接成导电通路，这样，由于在形成孔区后，显示屏的导电胶或者偏光片会在孔区边缘与发光功能层33黏连，这样，显示屏在上电的情况下，在电场作用下，所述导电胶或者偏光片里面的导电离子会通过所述的导电通路游离至显示区而造成产品信赖性失效。针对此问题，对隔离柱的结构做了优化，如图4所示，将隔离柱的一侧用绝缘层4’包覆，以阻断所述的导电通路，绝缘层4’将隔离柱的一侧(第一侧)包覆后，还会部分地位于第三金属导电层3’的远离基底的表面上，第三金属导电层3’的靠近隔离柱另一侧(第二侧)的部分没有被绝缘层4’包覆，发光功能层33在隔离柱的没有被绝缘层4’包覆的一侧的位置断开后，位于隔离柱的第一侧的发光功能层33部分地位于第三金属导电层3’的远离基底的表面上的绝缘层4’上，位于隔离柱的第二侧的发光功能层33部分地位于第一金属导电层1’上。在实际应用中发现，如图5所示，第三金属导电层3’的靠近隔离柱第二侧没有被绝缘层4’包覆的部分会上翘，并可以与位于第三金属导电层3’的远离基底的表面上的绝缘层4’上的发光功能层33搭接，或者，如图6所示，位于第三金属导电层3’的远离基底的表面上的绝缘层4’上的发光功能层33会下弯，并可以与第三金属导电层3’的靠近隔离柱第二侧没有被绝缘层4’包覆的部分搭接，从而位于隔离柱的第一侧的发光功能层33通过第三金属导电层3’、第二金属导电层2’和第一金属导电层1’与位于隔离柱的第二侧的发光功能层33仍然会连接成导电通路，这样，显示屏在上电的情况下，在电场作用下，所述导电胶或者偏光片里面的导电离子仍然会通过所述的导电通路游离至显示区而造成产品信赖性失效。

如图1、图2、图7a和图8所示，图7a为一些示例性实施例的显示基板的隔离柱的剖面结构示意图，图8为另一些示例性实施例的显示基板的隔离柱的剖面结构示意图，本公开实施例提供一种显示基板，显示基板包括孔区200、围绕所述孔区200的过渡区300，以及围绕所述过渡区300的显示区100；所述过渡区300设置有围绕所述孔区200的隔离柱50，所述隔离柱50包括第一隔离部51和第一包覆层52；所述显示基板包括基底10，所述第一隔离部51包括第二导电层512，所述第一隔离部51的第一侧朝向所述显示区100，所述第一隔离部51的第二侧朝向所述孔区200；所述第一包覆层52设于所述第一隔离部51的远离所述基底10一侧，并将所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆，在所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第二导电层512相较于所述第一包覆层52内缩设置；所述第一包覆层52的材料为绝缘材料。

本公开实施例的显示基板，通过设置绝缘材料的第一包覆层52，并将所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆，在所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第二导电层512相较于所述第一包覆层52内缩设置(即所述第一包覆层52相较于所述第二导电层512凸出设置)，这样，显示基板的发光功能层33可以在第一隔离部51的第一侧和第二侧中未被第一包覆层52包覆的一侧断开，当发光功能层33在隔离柱50处断开后，位于第一包覆层52上的发光功能层33不会与第二导电层512搭接，则，位于隔离柱50朝向显示区100一侧的发光功能层33与位于隔离柱50朝向孔区200一侧的发光功能层33不会通过具有导电功能的第一隔离部51连接成导电通路，从而可以避免一些技术中显示屏在上电的情况下，在电场作用下显示屏的导电胶或者偏光片里面的导电离子通过所述的导电通路游离至显示区100而造成产品信赖性失效的问题。

在一些示例性实施例中，如图7a所示，所述第一隔离部51还包括设于所述第二导电层512的靠近所述基底10一侧的第一导电层511，所述第一包覆层52设于所述第二导电层512的远离所述基底10的表面上，并将所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆，在所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第二导电层512还相较于所述第一导电层511内缩设置。本实施例中，所述第一隔离部51可以仅包括第一导电层511和第二导电层512。

本实施例的一些示例中，所述第二导电层512相较于所述第一包覆层52可以内缩大约0.35微米至0.4微米，这样有助于隔离柱50将发光功能层33隔断，且当发光功能层33在隔离柱50处断开后，位于第一包覆层52上的发光功能层33不会在所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的另一侧与第二导电层512搭接。

本实施例的一些示例中，如图7b所示，图7b为另一些示例性实施例的显示基板的隔离柱的剖面结构示意图，在所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的另一侧(未被第一包覆层52包覆的一侧)，所述第一包覆层52的靠近边缘的部分相较于第一包覆层52的其余部分厚度变小，且所述第一包覆层52的靠近边缘的部分可以具有大约20度至45度的坡度角θ。

在一些示例性实施例中，如图8所示，所述第一隔离部51还可以包括设于所述第二导电层512的远离所述基底10一侧的第三导电层513，所述第一包覆层52设于所述第三导电层513的远离所述基底10的表面上，并将所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆；在所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第二导电层512还相较于所述第三导电层513内缩设置。

本实施例的一些示例中，如图8所示，所述第一包覆层52还将所述第三导电层513的位于所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的另一侧(未被第一包覆层52包覆的一侧)的表面包覆，所述第三导电层513在所述基底10上的正投影落入所述第一包覆层52在所述基底10上的正投影内。

本实施例中，由于所述第一包覆层52还将所述第三导电层513的位于所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的另一侧的表面包覆，这样，当发光功能层33在隔离柱50处断开后，位于第一包覆层52上的发光功能层33不会在所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的另一侧与第三导电层513搭接，则，位于隔离柱50朝向显示区100一侧的发光功能层33与位于隔离柱50朝向孔区200一侧的发光功能层33不会通过具有导电功能的第一隔离部51连接成导电通路，从而可以避免一些技术中显示屏在上电的情况下，在电场作用下显示屏的导电胶或者偏光片里面的导电离子通过所述的导电通路游离至显示区100而造成产品信赖性失效的问题。

本实施例的一些示例中，所述第二导电层512相较于所述第一包覆层52可以内缩大约0.35微米至0.4微米。

本实施例的一些示例中，在所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第一包覆层52的靠近边缘的部分可以具有大约50度至75度的坡度，可以参考图7b中的坡度角θ。

在一些示例性实施例中，如图9所示，图9为又一些示例性实施例的显示基板的隔离柱的剖面结构示意图，所述隔离柱还可以包括第二隔离部53，所述第二隔离部53设于所述第一隔离部51的朝向所述基底10一侧，所述第二隔离部53包括沿远离所述基底10方向依次叠设的第四导电层531、第五导电层532和第六导电层533；所述第二隔离部53的第一侧朝向所述显示区100，所述第二隔离部53的第二侧朝向所述孔区200；所述第一包覆层52还将所述第二隔离部53的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆，在所述第二隔离部53的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第五导电层532相较于所述第四导电层531和所述第六导电层533内缩设置。在其他实施方式中，所述第二隔离部53可以仅包括沿远离所述基底10方向依次叠设的第四导电层531和第五导电层532，可以不设置第六导电层533。

本实施例中，通过设置所述第二隔离部53，可以使发光功能层33在第二隔离部53的第一侧和第二侧中未被第一包覆层52包覆的一侧断开，可以提高隔离柱对发光功能层33的隔断效果。

本实施例的一些示例中，如图9所示，所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的被所述第一包覆层52包覆的一侧，与所述第二隔离部53的第一侧和第二侧中的被所述第一包覆层52包覆的一侧位于所述隔离柱的同一侧，比如可以均位于所述隔离柱的朝向所述显示区100的一侧，或者可以均位于所述隔离柱的朝向所述孔区200的一侧。

本实施例的一些示例中，如图9所示，所述第一导电层511可以设于所述第六导电层533的远离所述基底10的表面上。所述第一导电层511和所述第六导电层533的材料可以相同或不同。

在一些示例性实施例中，如图9和图10所示，图10为又一些示例性实施例的显示基板的隔离柱的剖面结构示意图，所述隔离柱包括第一隔离部51、第一包覆层52和第二隔离部53。图9的示例中，第一隔离部51的结构可以与图7a的第一隔离部51的结构相同，第一隔离部51包括沿远离所述基底10方向依次叠设的第一导电层511和第二导电层512，所述第一包覆层52设于所述第二导电层512的远离所述基底10的表面上，并将所述第一隔离部51和第二隔离部53的朝向显示区100或孔区200的一侧包覆，在所述第一隔离部51的未被第一包覆层52包覆一侧，所述第二导电层512相较于所述第一导电层511和所述第一包覆层52内缩设置。图10的示例中，第一隔离部51的结构可以与图8的第一隔离部51的结构相同，所述第一隔离部51包括沿远离所述基底10方向依次叠设的第一导电层511、第二导电层512和第三导电层513，所述第一包覆层52设于第三导电层513的远离基底10的表面上，并将所述第一隔离部51和第二隔离部53的朝向显示区100或孔区200的一侧包覆，以及将第三导电层513的位于所述第一隔离部51的未被第一包覆层52包覆一侧的表面包覆；在所述第一隔离部51的未被第一包覆层52包覆一侧，所述第二导电层512相较于第一导电层511和所述第三导电层513内缩设置。

在一些示例性实施例中，如图11所示，图11为又一些示例性实施例的显示基板的隔离柱的剖面结构示意图，所述隔离柱50包括第一隔离部51和第一包覆层52；所述第一隔离部51包括沿远离所述基底10方向依次叠设的第一导电层511和第二导电层512，所述第一隔离部51的第一侧朝向所述显示区100，所述第一隔离部51的第二侧朝向所述孔区200；所述第一包覆层52设于所述第一隔离部51的远离所述基底10一侧，并将所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆，在所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第二导电层512相较于所述第一导电层511和所述第一包覆层52内缩设置；所述第一包覆层52的材料为绝缘材料；

所述隔离柱50还可以包括第二隔离部53和第二包覆层54；所述第二隔离部53设于所述第一隔离部51的朝向所述基底10一侧，所述第二隔离部53的第一侧朝向所述显示区100，所述第二隔离部53的第二侧朝向所述孔区200；所述第二包覆层54设于所述第二隔离部53和所述第一隔离部51之间，并将所述第二隔离部53的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆；所述第二隔离部53的材料为导电材料，所述第二包覆层54的材料为绝缘材料。

本实施例的一些示例中，如图11所示，所述第二隔离部53可以包括沿远离所述基底10方向依次叠设的第四导电层531、第五导电层532和第六导电层533；在所述第二隔离部53的第一侧和第二侧中的另一侧(未被所述第二包覆层54包覆的一侧)，所述第五导电层532相较于所述第四导电层531和所述第六导电层533内缩设置。

本实施例的一些示例中，如图11所示，所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的被所述第一包覆层52包覆的一侧，与所述第二隔离部53的第一侧和第二侧中的被所述第二包覆层54包覆的一侧可以位于所述隔离柱50的不同侧。比如，所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的被所述第一包覆层52包覆的一侧位于所述隔离柱50的朝向所述显示区100的一侧，所述第二隔离部53的第一侧和第二侧中的被所述第二包覆层54包覆的一侧位于所述隔离柱50的朝向所述孔区200的一侧；或者，所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的被所述第一包覆层52包覆的一侧位于所述隔离柱50的朝向所述孔区200的一侧，所述第二隔离部53的第一侧和第二侧中的被所述第二包覆层54包覆的一侧位于所述隔离柱50的朝向所述显示区100的一侧。在其他实施方式中，所述第一隔离部51的第一侧和第二侧中的被所述第一包覆层52包覆的一侧，与所述第二隔离部53的第一侧和第二侧中的被所述第二包覆层54包覆的一侧可以位于所述隔离柱50的同一侧。比如可以均位于所述隔离柱50的朝向所述显示区100的一侧，或者可以均位于所述隔离柱50的朝向所述孔区200的一侧。

在一些示例性实施例中，所述隔离柱的隔离部的数量可以为一个或多个，比如图7a和图8的示例中隔离部可以仅为一个(即第一隔离部)，图9、图10和图11的示例中隔离部可以为两个(即第一隔离部和第二隔离部)，在其他实施方式中，隔离部的数量可以为三个或四个等。本公开实施例对隔离柱的隔离部的数量不做限制。

在一些示例性实施例中，如图7a和图8所示，所述隔离柱50还可以包括设于所述第一隔离部51的朝向所述基底10一侧的柱基55，所述柱基55可以包括一个或多个膜层。

本实施例的一些示例中，所述柱基55可以包括一个无机绝缘层或叠设的多个无机绝缘层。或者，所述柱基55可以包括至少一个无机绝缘层和至少一个金属层，所述金属层可以被所述无机绝缘层包覆。

示例性地，如图7c所示，图7c为另一些示例性实施例的显示基板的隔离柱的剖面结构示意图，所述柱基55可以包括沿远离所述基底方向依次叠设的第七金属层555、第一无机绝缘层553、第八金属层556和第二无机绝缘层554，第一无机绝缘层553将第七金属层555包覆，第二无机绝缘层554将第八金属层556包覆。所述第一隔离部51可以设置在第二无机绝缘层554的远离所述基底的表面上。

本实施例的一些示例中，如图7a和图8所示，所述隔离柱50不包括所述第二隔离部53的情况下，所述第一隔离部51的所述第一导电层511可以设置在所述柱基55的远离所述基底10的表面上。

本实施例的一些示例中，如图9和图10所示，所述隔离柱50包括所述第二隔离部53的情况下，所述柱基55设于所述第二隔离部53的朝向所述基底10一侧，所述第二隔离部53的所述第四导电层531可以设置在所述柱基55的远离所述基底10的表面上。

在一些示例性实施例中，如图2所示，所述显示区100包括依次叠设于所述基底10上的驱动结构层20和发光结构层30，所述驱动结构层20包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括多个晶体管201和存储电容202，所述发光结构层30包括多个发光元件，所述发光元件包括沿远离所述基底10方向依次叠设的第一电极31、发光功能层33和第二电极层34。

在垂直于所述基底10的方向上，所述驱动结构层20可以包括沿远离所述基底10方向依次设置的第一源漏金属层、第五绝缘层25、第二源漏金属层和第二平坦层26；所述第一源漏金属层包括至少一个所述晶体管201的源电极2013和漏电极2014，所述第二源漏金属层包括与所述晶体管201的源电极2013或漏电极2014连接的连接电极203，所述连接电极203还与所述第一电极31连接。

本实施例的一些示例中，所述第一源漏金属层可以包括叠设的多个金属层，所述第一隔离部51与所述晶体管201的源电极2013和漏电极2014同层设置。所述第一隔离部51的膜层与所述晶体管201的源电极2013和漏电极2014的膜层可以相同，或者，所述第一隔离部51的膜层数量可以少于所述晶体管201的源电极2013和漏电极2014的膜层数量。

本文中，“A和B同层设置”是指，A的膜层和B的膜层来自于同一个薄膜，该薄膜可以是单层结构或多层复合结构，A的膜层和B的膜层可以相同或不同。“A和B同层设置”可以理解为，同一个薄膜经过同一次图案化工艺同时形成A和B，或者，同一个薄膜经过同一次图案化工艺同时形成A’和B’，对A’进行进一步地加工处理(比如刻蚀等)后得到A，对B’进行进一步地加工处理(比如刻蚀等)后得到B。

示例性地，所述第一源漏金属层可以包括沿远离基底10方向依次叠设的第一金属层301、第二金属层302和第三金属层303，比如，第一金属层301和第三金属层303可以为钛层，第二金属层302可以为铝层。所述晶体管201的源电极2013和漏电极2014的膜层与所述第一源漏金属层的膜层相同，即均包括叠设的第一金属层301、第二金属层302和第三金属层303。在一些示例中，如图7a所示，所述第一隔离部51包括两个膜层，即所述第一导电层511和所述第二导电层512，其中，第一导电层511与所述第一金属层301材质相同，第二导电层512与所述第二金属层302材质相同。在另一些示例中，如图8所示，所述第一隔离部51包括三个膜层，即所述第一导电层511、所述第二导电层512和所述第三导电层513，其中，第一导电层511与所述第一金属层301材质相同，第二导电层512与所述第二金属层302材质相同，第三导电层513与所述第三金属层303材质相同。

所述第一包覆层52可以与所述第五绝缘层25同层设置，所述第五绝缘层25可以为单层结构或者多层结构。所述第五绝缘层25为单层结构的情况下，所述第一包覆层52的材质与所述第五绝缘层25的材质相同；所述第五绝缘层25为多层结构的情况下，所述第一包覆层52的材质与所述第五绝缘层25中的任意一个膜层的材质相同，或者，所述第一包覆层52可以包括多个膜层，所述第一包覆层52的多个膜层的材质与所述第五绝缘层25中的多个膜层的材质相同。比如，所述第五绝缘层25可以包括沿远离基底10方向依次叠设的钝化层251和第一平坦层252，所述第一包覆层52的材质可以与钝化层251或第一平坦层252的材质相同，或者，所述第一包覆层52可以包括两个膜层，该两个膜层的材质分别与所述钝化层251和第一平坦层252的材质相同。又比如，所述第五绝缘层25可以仅包括第一平坦层252，则所述第一包覆层52的材质与第一平坦层252的材质相同。

本实施例的一些示例中，所述第二源漏金属层可以包括叠设的多个金属层，所述第一隔离部51与所述连接电极203同层设置。所述第一隔离部51的膜层与所述连接电极203的膜层可以相同，或者，所述第一隔离部51的膜层数量可以少于所述连接电极203的膜层数量。

示例性地，所述第二源漏金属层可以包括沿远离基底10方向依次叠设的第四金属层401、第五金属层402和第六金属层403，比如，第四金属层401和第六金属层403可以为钛层，第五金属层402可以为铝层。所述连接电极203的膜层与所述第二源漏金属层的膜层相同，即均包括叠设的第四金属层401、第五金属层402和第六金属层403。在一些示例中，如图7a所示，所述第一隔离部51包括两个膜层，即所述第一导电层511和所述第二导电层512，其中，第一导电层511与所述第四金属层401材质相同，第二导电层512与所述第五金属层402材质相同。在另一些示例中，如图8所示，所述第一隔离部51包括三个膜层，即所述第一导电层511、所述第二导电层512和所述第三导电层513，其中，第一导电层511与所述第四金属层401材质相同，第二导电层512与所述第五金属层402材质相同，第三导电层513与所述第六金属层403材质相同。

所述第一包覆层52可以与所述第二平坦层26同层设置且材质相同。

本实施例的一些示例中，如图9和图10所示，所述隔离柱50包括第一隔离部51、第一包覆层52和第二隔离部53。所述第一隔离部51可以与所述连接电极203同层设置，所述第一包覆层52可以与所述第二平坦层26同层设置且材质相同，所述第二隔离部53可以与所述晶体管201的源电极2013和漏电极2014同层设置。

示例性地，所述第一源漏金属层可以包括沿远离基底10方向依次叠设的第一金属层301、第二金属层302和第三金属层303，比如，第一金属层301和第三金属层303可以为钛层，第二金属层302可以为铝层。所述晶体管201的源电极2013和漏电极2014的膜层与所述第一源漏金属层的膜层相同，即均包括叠设的第一金属层301、第二金属层302和第三金属层303。所述第二隔离部53包括沿远离所述基底10方向依次叠设的第四导电层531、第五导电层532和第六导电层533，所述第四导电层531的材质与所述第一金属层301的材质相同，所述第五导电层532的材质与所述第二金属层302的材质相同，所述第六导电层533的材质与所述第三金属层303的材质相同。

所述第二源漏金属层可以包括沿远离基底10方向依次叠设的第四金属层401、第五金属层402和第六金属层403，比如，第四金属层401和第六金属层403可以为钛层，第五金属层402可以为铝层。所述连接电极203的膜层与所述第二源漏金属层的膜层相同，即均包括叠设的第四金属层401、第五金属层402和第六金属层403。在一些示例中，如图9所示，所述第一隔离部51包括两个膜层，即所述第一导电层511和所述第二导电层512，其中，第一导电层511与所述第四金属层401材质相同，第二导电层512与所述第五金属层402材质相同。在另一些示例中，如图10所示，所述第一隔离部51包括三个膜层，即所述第一导电层511、所述第二导电层512和所述第三导电层513，其中，第一导电层511与所述第四金属层401材质相同，第二导电层512与所述第五金属层402材质相同，第三导电层513与所述第六金属层403材质相同。

本实施例的一些示例中，如图11所示，所述隔离柱50包括第一隔离部51和第一包覆层52，以及第二隔离部53和第二包覆层54。所述第一隔离部51可以与所述连接电极203同层设置，所述第一包覆层52可以与所述第二平坦层26同层设置且材质相同，所述第二隔离部53可以与所述晶体管201的源电极2013和漏电极2014同层设置，所述第二包覆层54可以与所述第五绝缘层25同层设置。本示例中，第一隔离部51和第二隔离部53的膜层结构可以参考图10的示例，所述第二包覆层54的膜层结构可以参考前文示例中在第一包覆层52与所述第五绝缘层25同层设置的情况下第一包覆层52的膜层结构。

本实施例的一些示例中，如图2所示，所述驱动结构层20还可以包括设于所述第一源漏金属层的朝向所述基底10一侧的半导体层、第一栅金属层和第二栅金属层，所述半导体层包括所述晶体管201的有源层2011，所述第一栅金属层可以包括所述晶体管201的栅电极2012和所述存储电容202的一个极板，所述第二栅金属层可以包括所述存储电容202的另一个极板。

所述柱基55可以包括一个无机绝缘层或叠设的多个无机绝缘层。或者，所述柱基55可以包括至少一个无机绝缘层和至少一个金属层，所述金属层可以被所述无机绝缘层包覆。示例性地，所述柱基55的其中一个无机绝缘层可以与位于所述第一源漏金属层和所述第二栅金属层之间的绝缘层同层设置且材料相同。所述柱基55中的金属层可以与所述第一栅金属层或/和所述第二栅金属层同层设置且材料相同。示例性地，如图7c所示，所述柱基55可以包括沿远离所述基底方向依次叠设的第七金属层555、第一无机绝缘层553、第八金属层556和第二无机绝缘层554，第一无机绝缘层553将第七金属层555包覆，第二无机绝缘层554将第八金属层556包覆。所述第七金属层555可以与所述第一栅金属层同层设置且材料相同，所述第八金属层556可以与所述第二栅金属层同层设置且材料相同。

在一些示例性实施例中，如图2所示，所述驱动结构层20包括依次叠设于基底10上的第一绝缘层21、半导体层、第二绝缘层22、第一栅金属层、第三绝缘层23、第二栅金属层、第四绝缘层24、第一源漏金属层、第五绝缘层25、第二源漏金属层和第六绝缘层；其中，第五绝缘层25可以包括沿远离基底10方向依次叠设的钝化层251和第一平坦层252，或者，第五绝缘层25可以仅包括第一平坦层252；第六绝缘层为第二平坦层26。所述第一电极31可以设置在第二平坦层26的远离基底10的表面上。

示例性地，所述基底10可以是柔性基底10，比如可以包括聚酰亚胺(PI)材料。或者，基底10可以为刚性基底10，比如玻璃等。

示例性地，所述第一绝缘层21、第二绝缘层22、第三绝缘层23、第四绝缘层24和钝化层251可以为无机绝缘层，比如可以采用氧化硅(SiO_X)、氮化硅(SiN_X)和氮氧化硅(SiO_XN_Y)中的任意一种或更多种，可以是单层或多层结构。第一绝缘层21可称为缓冲(Buffer)层，用于提高基底10的抗水氧能力，第二绝缘层22和第三绝缘层23可称为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层24可称为层间绝缘(ILD)层。第一平坦层252和第二平坦层26为有机绝缘层，可以采用有机绝缘材料，比如树脂等。第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层和第二源漏金属层可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构或者多层结构，如Ti/Al/Ti叠设等。半导体层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等材料，即本公开适用于基于氧化物技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管201。

在一些示例性实施例中，如图2所示，图2中示意了隔离柱50a、隔离柱50b、隔离柱50c和隔离柱50d四个隔离柱。所述隔离柱50的数目可以不限，比如可以设置为一个或多个，所述隔离柱50可以设置在所述隔离坝60的朝向显示区100的一侧或/和朝向孔区200的一侧。所述隔离柱50的数目为多个的情况下，多个所述隔离柱50的结构可以相同或不同，多个所述隔离柱50可以为图7a、图8、图9、图10、图11示例的隔离柱50中的任一种或多种。多个所述隔离柱50中第一隔离部的被第一包覆层包覆的一侧可以均朝向显示区或孔区，或者，至少一个所述隔离柱50中第一隔离部的被第一包覆层包覆的一侧朝向孔区，至少一个所述隔离柱50中第一隔离部的被第一包覆层包覆的一侧朝向显示区。

在一些示例性实施例中，如图2所示，所述隔离坝60可以包括沿远离所述基底10方向依次叠设的第一坝层、第二坝层和第三坝层，所述第一坝层可以与所述第一平坦层252同层设置且材料相同，所述第二坝层可以与所述第二平坦层26同层设置且材料相同，所述第三坝层可以与所述像素界定层32同层设置且材料相同。所述隔离坝60还可以包括设于所述第一坝层的朝向所述基底10一侧的坝基，所述坝基可以包括至少一个无机绝缘层。

下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明显示基板的结构。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”或者“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。

在一些示例性实施例中，以图2示例的显示基板和图7a示例的隔离柱为例，且所述第一隔离部51与所述晶体管201的源电极2013和漏电极2014同层设置，第一包覆层52与第五绝缘层25中的钝化层251同层设置。示例性地，显示基板的制备过程可以包括如下操作：

(1)形成驱动结构层20，以及隔离柱50的膜层。

在基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖基底10的第一绝缘层21，以及设置在第一绝缘层21上的半导体层图案，半导体层图案包括位于显示区100的多个有源层2011。本次图案化工艺后，过渡区300包括设于基底10上的第一绝缘层21。如图12a所示。

随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一栅金属薄膜，通过图案化工艺对第一栅金属薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层22，以及设置在第二绝缘层22上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案包括位于显示区100的多个栅电极2012和多个第一极板2021。本次图案化工艺后，过渡区300包括依次叠设于基底10上的第一绝缘层21和第二绝缘层22。如图12a所示。

随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二栅金属薄膜，通过图案化工艺对第二栅金属薄膜进行图案化，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层23，以及设置在第三绝缘层23上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案包括位于显示区100的多个第二极板2022。其中，多个第二极板2022与多个第一极板2021相对设置并形成多个存储电容202。本次图案化工艺后，过渡区300包括依次叠设于基底10上的第一绝缘层21、第二绝缘层22和第三绝缘层23。如图12a所示。

随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺对第四绝缘薄膜进行图案化，形成覆盖第二栅金属层图案的第四绝缘层24图案，第四绝缘层24图案包括位于过渡区300的第一柱基层551，显示区100的第四绝缘层24设有多个第一过孔V1和多个第二过孔V2，多个第一过孔V1暴露出多个有源层2011的一端，多个第二过孔V2暴露出多个有源层2011的另一端。本次图案化工艺后，过渡区300包括依次叠设于基底10上的第一绝缘层21、第二绝缘层22、第三绝缘层23，以及设于第三绝缘层23上的第一柱基层551。如图12a所示。

随后，沉积第一源漏金属薄膜，通过图案化工艺对第一源漏金属薄膜进行图案化，在第四绝缘层24上形成第一源漏金属层图案，第一源漏金属层图案包括位于显示区100的多个源电极2013和多个漏电极2014，以及位于过渡区300的第一柱基层551上的第一隔离层。源电极2013通过第一过孔V1与有源层2011的一端连接，漏电极2014通过第二过孔V2与有源层2011的另一端连接，显示区100的多个有源层2011、多个栅电极2012、多个源电极2013和多个漏电极2014形成多个晶体管201。如图12b所示。

其中，所述第一源漏金属层可以包括沿远离基底10方向依次叠设的第一金属层301、第二金属层302和第三金属层303，比如，第一金属层301和第三金属层303可以为钛层，第二金属层302可以为铝层。则，源电极2013、漏电极2014和第一隔离层均包括沿远离基底10方向依次叠设的第一金属层301(Ti)、第二金属层302(Al)和第三金属层303(Ti)。第一隔离层的朝向显示区100的一侧以及朝向孔区200的一侧，第一隔离层的第一金属层301、第二金属层302和第三金属层303的边缘可以大致平齐。如图12b所示。

本文中，“A和B的边缘平齐”是指，A和B的边缘在工艺误差范围内的平齐，并非是绝对的平齐。

随后，利用掩模版，采用刻蚀工艺将位于过渡区300的第一隔离层的第三金属层303完全刻蚀掉。如图12c所示。

随后，沉积钝化薄膜，通过图案化工艺对钝化薄膜进行图案化，形成覆盖第一源漏金属层图案的钝化层251图案，钝化层251图案包括位于过渡区300的第一包覆层52，第一包覆层52设置在第一隔离层的第二金属层302的远离基底10的表面上并将第一隔离层的一侧(比如朝向显示区100的一侧)包覆，第一隔离层的第二金属层302的远离基底10的表面的靠近第一隔离层另一侧(比如朝向孔区200的一侧)的部分可以不被第一包覆层52覆盖。如图12d所示。

随后，涂覆第一平坦薄膜，通过图案化工艺对第一平坦薄膜进行图案化，形成设置在钝化层251上的第一平坦层252图案，第一平坦层252形成有位于显示区100的多个第三过孔V3，第三过孔V3内的第一平坦层252和钝化层251被去除并暴露出漏电极2014的表面。如图12e所示。其中，本示例中，钝化层251和第一平坦层252整体可以称为第五绝缘层25，钝化层251可以为无机绝缘材料，第一平坦层252可以为有机绝缘材料。在其他示例中，可以不设置钝化层251，第五绝缘层25可以仅包括第一平坦层252，此种情况下，可以在图案化形成第一平坦层252图案过程中，同时形成第一包覆层52。

随后，沉积第二源漏金属薄膜，采用图案化工艺对第二源漏金属薄膜进行图案化，在第一平坦层252上形成第二源漏金属层图案，第二源漏金属层图案包括位于显示区100的多个阳极连接电极203，阳极连接电极203通过第三过孔V3与漏电极2014连接。如图12e所示。

其中，第二源漏金属层的膜层结构及材料可以与第一源漏金属层的膜层结构及材料相同，比如，所述第二源漏金属层可以包括沿远离基底10方向依次叠设的第四金属层401、第五金属层402和第六金属层403，比如，第四金属层401和第六金属层403可以为钛层，第五金属层402可以为铝层。由此，在对第二源漏金属薄膜进行图案化过程中，过渡区300的第一隔离层的未被第一包覆层52覆盖的部分也会被刻蚀到，本次图案化工艺结束后，过渡区300的第一隔离层的第二金属层302的未被第一包覆层52覆盖的部分被刻蚀掉，在第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧，第一隔离层的第二金属层302的边缘与第一包覆层52的边缘大致平齐，第一隔离层的第一金属层301的边缘凸出于第二金属层302的边缘。由于第一隔离层的钛材质的第一金属层301相较于铝材质的第二金属层302难刻蚀，因此，本次图案化工艺结束后，在第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧，第一隔离层的第一金属层301的边缘凸出于第二金属层302的边缘。如图12e所示。

随后，涂覆第二平坦薄膜，采用图案化工艺对第二平坦薄膜进行图案化，形成覆盖第二源漏金属层图案的第二平坦层26图案，第二平坦层26形成有位于显示区100的多个第四过孔V4，第四过孔V4内的第二平坦层26被去除并暴露出阳极连接电极203的表面。如图12f所示。

至此，制备完成驱动结构层20，以及隔离柱50的膜层。

(2)形成发光结构层30。在示例性实施方式中，形成发光结构层30可以包括：

在形成前述图案的基底10上沉积第一电极薄膜，通过图案化工艺对第一电极薄膜进行图案化，形成第一电极层图案，第一电极层图案包括位于显示区100的多个第一电极31(阳极)，第一电极31通过第二平坦层26上的第四过孔V4与阳极连接电极203连接，从而第一电极31通过阳极连接电极203与漏电极2014连接。如图12f所示。

随后，在形成前述图案的基底10上涂覆像素界定薄膜，通过图案化工艺对像素界定薄膜进行图案化，形成像素界定层32图案，像素界定层32设置有多个像素开口，像素开口暴露出显示区100的第一电极31的表面。如图12f所示。

随后，可以利用掩模版，采用湿法刻蚀工艺，对过渡区300的第一隔离层的第二金属层302进行横向刻蚀，使第一隔离层的第二金属层302在第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧相较于第一包覆层52内缩一部分。至此，形成最终的隔离柱50结构，第一隔离层的第一金属层301和第二金属层302即成为了隔离柱50的第一隔离部51的第一导电层511和第二导电层512，第一柱基层551形成了柱基55。如图12g所示。

随后，在形成前述图案的基底10上，涂覆隔垫柱薄膜，通过图案化工艺对隔垫柱薄膜进行图案化，形成隔垫柱层图案，隔垫柱层图案包括位于显示区100的像素界定层32上的多个隔垫柱(图中未示出)。

随后，在形成前述图案的基底10上，可以通过蒸镀工艺依次形成发光功能层33的多个膜层，发光功能层33可以包括沿远离基底方向依次设置的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。除有机发光层外，发光功能层33的其余膜层均可以为一体的整面结构，即，发光功能层33的其余膜层可以为不同颜色子像素的共通层，这些共通层在蒸镀的时候可以形成在显示区100和过渡区300。由于在过渡区300设置了隔离柱50，这些共通层会在隔离柱50处断开，阻断了水氧由孔区200经发光功能层33向显示区100传输的路径，可避免水氧侵蚀显示区100的发光功能层33。如图2所示。

随后，在形成前述图案的基底10上，通过蒸镀工艺形成第二电极(阴极)层，不同颜色子像素的第二电极层34是连接为一体结构的共通层，第二电极层34可以形成在显示区100和过渡区300。第二电极层34可以在隔离柱50处断开，阻断了水氧由孔区200经第二电极层34向显示区100传输的路径，可避免水氧侵蚀显示区100的第二电极层34。如图2所示。

至此，制备完成发光结构层30。

(3)形成封装结构层40。在示例性实施方式中，形成封装结构层40可以包括：

在形成前述图案的基底10上，先利用开放式掩模版采用沉积方式沉积第一封装薄膜，形成位于显示区100和过渡区300的第一封装层41。随后，利用开放式掩模版采用喷墨打印工艺打印第二封装材料，形成位于显示区100和过渡区300的第二封装层42，其中，过渡区300的隔离坝60可以阻挡喷墨打印过程中墨水溢流。随后，利用开放式掩模版采用沉积方式沉积第三封装薄膜，形成位于显示区100和过渡区300的第三封装层43。第一封装层41和第三封装层43的材料可以采用无机材料，第二封装层42的材料可以采用有机材料。如图2所示。

随后，可以在封装结构层40的远离基底10一侧依次形成触控结构层和彩膜层等膜层。

在另一些示例性实施例中，以图2示例的显示基板和图7a示例的隔离柱为例，且所述第一隔离部51与所述连接电极203同层设置，第一包覆层52与第二平坦层26同层设置。示例性地，显示基板的制备过程可以包括如下操作：

(1)形成驱动结构层20，以及隔离柱50的膜层。

在基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖基底10的第一绝缘层21，以及设置在第一绝缘层21上的半导体层图案，半导体层图案包括位于显示区100的多个有源层2011。本次图案化工艺后，过渡区300包括设于基底10上的第一绝缘层21。如图13a所示。

随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一栅金属薄膜，通过图案化工艺对第一栅金属薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层22，以及设置在第二绝缘层22上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案包括位于显示区100的多个栅电极2012和多个第一极板2021。本次图案化工艺后，过渡区300包括依次叠设于基底10上的第一绝缘层21和第二绝缘层22。如图13a所示。

随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二栅金属薄膜，通过图案化工艺对第二栅金属薄膜进行图案化，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层23，以及设置在第三绝缘层23上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案包括位于显示区100的多个第二极板2022。其中，多个第二极板2022与多个第一极板2021相对设置并形成多个存储电容202。本次图案化工艺后，过渡区300包括依次叠设于基底10上的第一绝缘层21、第二绝缘层22和第三绝缘层23。如图13a所示。

随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺对第四绝缘薄膜进行图案化，形成覆盖第二栅金属层图案的第四绝缘层24图案，第四绝缘层24图案包括位于过渡区300的第一柱基层551，显示区100的第四绝缘层24设有多个第一过孔和多个第二过孔，多个第一过孔暴露出多个有源层2011的一端，多个第二过孔暴露出多个有源层2011的另一端。本次图案化工艺后，过渡区300包括依次叠设于基底10上的第一绝缘层21、第二绝缘层22、第三绝缘层23，以及设于第三绝缘层23上的第一柱基层551。如图13a所示。

随后，沉积第一源漏金属薄膜，通过图案化工艺对第一源漏金属薄膜进行图案化，在第四绝缘层24上形成第一源漏金属层图案，第一源漏金属层图案包括位于显示区100的多个源电极2013和多个漏电极2014，源电极2013通过第一过孔与有源层2011的一端连接，漏电极2014通过第二过孔与有源层2011的另一端连接。显示区100的多个有源层2011、多个栅电极2012、多个源电极2013和多个漏电极2014形成多个晶体管201。如图13a所示。

随后，沉积钝化薄膜，通过图案化工艺对钝化薄膜进行图案化，形成覆盖第一源漏金属层图案的钝化层251图案，钝化层251图案包括位于过渡区300的第一柱基层551上的第二柱基层552。如图13a所示。

随后，涂覆第一平坦薄膜，通过图案化工艺对第一平坦薄膜进行图案化，形成设置在钝化层251上的第一平坦层252图案，第一平坦层252形成有位于显示区100的多个第三过孔，第三过孔内的第一平坦层252和钝化层251被去除并暴露出漏电极2014的表面。如图13a所示。

随后，沉积第二源漏金属薄膜，采用图案化工艺对第二源漏金属薄膜进行图案化，在第一平坦层252上形成第二源漏金属层图案，第二源漏金属层图案包括位于显示区100的多个阳极连接电极203，以及位于过渡区300的第二柱基层552上的第一隔离层。阳极连接电极203通过第三过孔与漏电极2014连接。如图13a所示。

其中，所述第二源漏金属层可以包括沿远离基底10方向依次叠设的第四金属层401、第五金属层402和第六金属层403，比如，第四金属层401和第六金属层403可以为钛层，第五金属层402可以为铝层。则，所述阳极连接电极203的膜层，以及第一隔离层的膜层均与所述第二源漏金属层的膜层相同，即均包括叠设的第四金属层401、第五金属层402和第六金属层403。第一隔离层的朝向显示区100的一侧以及朝向孔区200的一侧，第一隔离层的第四金属层401、第五金属层402和第六金属层403的边缘可以大致平齐。如图13a所示。

随后，利用掩模版，采用刻蚀工艺将位于过渡区300的第一隔离层的第六金属层403完全刻蚀掉。如图13b所示。

随后，涂覆第二平坦薄膜，采用图案化工艺对第二平坦薄膜进行图案化，形成覆盖第二源漏金属层图案的第二平坦层26图案。第二平坦层26形成有位于显示区100的多个第四过孔V4，第四过孔V4内的第二平坦层26被去除并暴露出阳极连接电极203的表面；第二平坦层26图案包括位于过渡区300的第一包覆层52，第一包覆层52设置在第一隔离层的第五金属层402的远离基底10的表面上并将第一隔离层的一侧(比如朝向显示区100的一侧)包覆，第一隔离层的第五金属层402的远离基底10的表面的靠近第一隔离层另一侧(比如朝向孔区200的一侧)的部分可以不被第一包覆层52覆盖。如图13c所示。

至此，制备完成驱动结构层20，以及隔离柱50的膜层。

(2)形成发光结构层30。在示例性实施方式中，形成发光结构层30可以包括：

在形成前述图案的基底10上沉积第一电极薄膜，通过图案化工艺对第一电极薄膜进行图案化，形成第一电极层图案，第一电极层图案包括位于显示区100的多个第一电极31(阳极)，第一电极31通过第二平坦层26上的第四过孔与阳极连接电极203连接，从而第一电极31通过阳极连接电极203与漏电极2014连接。如图13d所示。

在对第一电极薄膜进行图案化过程中，过渡区300的第一隔离层的未被第一包覆层52覆盖的部分也会被刻蚀到，本次图案化工艺结束后，过渡区300的第一隔离层的第五金属层402的未被第一包覆层52覆盖的部分可以被刻蚀掉，在第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧，第一隔离层的第五金属层402的边缘与第一包覆层52的边缘可以大致平齐，第一隔离层的第四金属层401的边缘凸出于第五金属层402的边缘。由于第一隔离层的钛材质的第四金属层401相较于铝材质的第五金属层402难刻蚀，因此，本次图案化工艺结束后，在第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧，第一隔离层的第四金属层401的边缘可以凸出于第五金属层402的边缘。如图13d所示。

随后，在形成前述图案的基底10上涂覆像素界定薄膜，通过图案化工艺对像素界定薄膜进行图案化，形成像素界定层32图案，像素界定层32设置有多个像素开口，像素开口暴露出显示区100的第一电极31的表面。如图13e所示。

随后，可以利用掩模版，采用湿法刻蚀工艺，对过渡区300的第一隔离层的第五金属层402进行横向刻蚀，使第一隔离层的第五金属层402在第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧相较于第一包覆层52内缩一部分。至此，形成最终的隔离柱50结构，第一隔离层的第四金属层401和第五金属层402即成为了隔离柱50的第一隔离部51的第一导电层511和第二导电层512，第一柱基层551和第二柱基层552形成了柱基55。如图13f所示。

随后，在形成前述图案的基底10上，涂覆隔垫柱薄膜，通过图案化工艺对隔垫柱薄膜进行图案化，形成隔垫柱层图案，隔垫柱层图案包括位于显示区100的像素界定层32上的多个隔垫柱(图中未示出)。

随后，在形成前述图案的基底10上，可以通过蒸镀工艺依次形成发光功能层33的多个膜层，发光功能层33可以包括沿远离基底方向依次设置的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。除有机发光层外，发光功能层33的其余膜层均可以为一体的整面结构，即，发光功能层33的其余膜层可以为不同颜色子像素的共通层，这些共通层在蒸镀的时候可以形成在显示区100和过渡区300。由于在过渡区300设置了隔离柱50，这些共通层会在隔离柱50处断开，阻断了水氧由孔区200经发光功能层33向显示区100传输的路径，可避免水氧侵蚀显示区100的发光功能层33。如图2所示。

随后，在形成前述图案的基底10上，通过蒸镀工艺形成第二电极(阴极)层，不同颜色子像素的第二电极层34是连接为一体结构的共通层，第二电极层34可以形成在显示区100和过渡区300。第二电极层34可以在隔离柱50处断开，阻断了水氧由孔区200经第二电极层34向显示区100传输的路径，可避免水氧侵蚀显示区100的第二电极层34。如图2所示。

至此，制备完成发光结构层30。

随后，可以在发光结构层30的远离基底10一侧依次形成封装结构层40、触控结构层和彩膜层等膜层。

基于图12a至图12g的工艺过程或图13a至图13f的工艺过程，本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，包括制备图7a示例的隔离柱，图7a示例的隔离柱的制备过程可以包括：

在所述过渡区的基底上形成第一隔离层，所述第一隔离层包括沿远离所述基底方向依次叠设的第一膜层、第二膜层和第三膜层，在所述第一隔离层的朝向所述显示区一侧和朝向所述孔区一侧，所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层的边缘平齐；

采用刻蚀工艺将所述第三膜层完全去除；

在所述第二膜层的远离所述基底的表面上形成第一包覆层，且所述第一包覆层将所述第一隔离层的朝向所述显示区或所述孔区的一侧包覆，在所述第一隔离层的未被所述第一包覆层包覆一侧，所述第二膜层和所述第一膜层的边缘凸出于所述第一包覆层的边缘；

采用刻蚀工艺对所述第一隔离层进行刻蚀，使得在所述第一隔离层的未被所述第一包覆层包覆一侧，所述第二膜层的边缘与所述第一包覆层的边缘平齐，所述第一膜层的边缘凸出于或平齐于所述第二膜层的边缘；

采用刻蚀工艺对所述第二膜层进行刻蚀，使得在所述第一隔离层的未被所述第一包覆层包覆一侧，所述第二膜层的边缘相较于所述第一包覆层的边缘和所述第一膜层的边缘内缩，从而使得所述第一隔离层的所述第一膜层和所述第二膜层分别成为所述第一隔离部的所述第一导电层和所述第二导电层。

在又一些示例性实施例中，以图2示例的显示基板和图8示例的隔离柱为例，且所述第一隔离部51与所述晶体管201的源电极2013和漏电极2014同层设置，第一包覆层52与第五绝缘层25中的钝化层251同层设置。示例性地，显示基板的制备过程可以包括如下操作：

(1)形成驱动结构层20，以及隔离柱50的膜层。

在基底10上依次形成第一绝缘层21、半导体层、第二绝缘层22、第一栅金属层、第三绝缘层23、第二栅金属层和第四绝缘层24；

其中，在形成显示区100的第四绝缘层24的同时，在过渡区300的第三绝缘层23上形成第一柱基层551，即第一柱基层551与第四绝缘层24同层设置且材质相同。显示区100的第四绝缘层24设有多个第一过孔V1和多个第二过孔V2，多个第一过孔V1暴露出多个有源层2011的一端，多个第二过孔V2暴露出多个有源层2011的另一端。如图14a所示。

随后，沉积第一源漏金属薄膜，通过图案化工艺对第一源漏金属薄膜进行图案化，在第四绝缘层24上形成第一源漏金属层图案，第一源漏金属层图案包括位于显示区100的多个源电极2013和多个漏电极2014，以及位于过渡区300的第一柱基层551上的第一隔离层。源电极2013通过第一过孔与有源层2011的一端连接，漏电极2014通过第二过孔与有源层2011的另一端连接，显示区100的多个有源层2011、多个栅电极2012、多个源电极2013和多个漏电极2014形成多个晶体管201。如图14b所示。

其中，所述第一源漏金属层可以包括沿远离基底10方向依次叠设的第一金属层301、第二金属层302和第三金属层303，比如，第一金属层301和第三金属层303可以为钛层，第二金属层302可以为铝层。则，源电极2013、漏电极2014和第一隔离层均包括沿远离基底10方向依次叠设的第一金属层301(Ti)、第二金属层302(Al)和第三金属层303(Ti)。第一隔离层的朝向显示区100的一侧以及朝向孔区200的一侧，第一隔离层的第一金属层301、第二金属层302和第三金属层303的边缘可以大致平齐。如图14b所示。

随后，利用掩模版，采用刻蚀工艺将位于过渡区300的第一隔离层的第三金属层303的靠近显示区100或孔区200的一部分(图14c的示例中为靠近孔区200的一部分)刻蚀掉。如图14c所示。

随后，沉积钝化薄膜，通过图案化工艺对钝化薄膜进行图案化，形成覆盖第一源漏金属层图案的钝化层251图案，钝化层251图案包括位于过渡区300的第一包覆层52，第一包覆层52设置在第一隔离层的第三金属层303的远离基底10的表面上，并将第一隔离层的朝向显示区100的一侧包覆，以及将第三金属层303的远离基底10的表面和第三金属层303的位于第一隔离层的朝向孔区200一侧的表面(即第三金属层303的朝向孔区200的表面)包覆。第一隔离层的第二金属层302的远离基底10的表面的靠近孔区200的一部分可以不被第一包覆层52覆盖，即在第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧，第一隔离层的第二金属层302的边缘可以凸出于第一包覆层52的边缘。如图14d所示。

随后，涂覆第一平坦薄膜，通过图案化工艺对第一平坦薄膜进行图案化，形成设置在钝化层251上的第一平坦层252图案，第一平坦层252形成有位于显示区100的多个第三过孔V3，第三过孔V3内的第一平坦层252和钝化层251被去除并暴露出漏电极2014的表面。如图14e所示。其中，本示例中，钝化层251和第一平坦层252整体可以称为第五绝缘层25，钝化层251可以为无机绝缘材料，第一平坦层252可以为有机绝缘材料。在其他示例中，可以不设置钝化层251，第五绝缘层25可以仅包括第一平坦层252，此种情况下，可以在图案化形成第一平坦层252图案过程中，同时形成第一包覆层52。

随后，沉积第二源漏金属薄膜，采用图案化工艺对第二源漏金属薄膜进行图案化，在第一平坦层252上形成第二源漏金属层图案，第二源漏金属层图案包括位于显示区100的多个阳极连接电极203，阳极连接电极203通过第三过孔V3与漏电极2014连接。如图14e所示。

其中，第二源漏金属层的膜层结构及材料可以与第一源漏金属层的膜层结构及材料相同，比如，所述第二源漏金属层可以包括沿远离基底10方向依次叠设的第四金属层401、第五金属层402和第六金属层403，比如，第四金属层401和第六金属层403可以为钛层，第五金属层402可以为铝层。由此，在对第二源漏金属薄膜进行图案化过程中，过渡区300的第一隔离层的未被第一包覆层52覆盖的部分也会被刻蚀到，本次图案化工艺结束后，过渡区300的第一隔离层的第二金属层302的未被第一包覆层52覆盖的部分被刻蚀掉，在第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧，第一隔离层的第二金属层302的边缘与第一包覆层52的边缘大致平齐，第一隔离层的第一金属层301的边缘凸出于第二金属层302的边缘。由于第一隔离层的钛材质的第一金属层301相较于铝材质的第二金属层302难刻蚀，因此，本次图案化工艺结束后，在第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧，第一隔离层的第一金属层301的边缘凸出于第二金属层302的边缘。如图14e所示。

随后，涂覆第二平坦薄膜，采用图案化工艺对第二平坦薄膜进行图案化，形成覆盖第二源漏金属层图案的第二平坦层26图案，第二平坦层26形成有位于显示区100的多个第四过孔V4，第四过孔V4内的第二平坦层26被去除并暴露出阳极连接电极203的表面。如图14f所示。

至此，制备完成驱动结构层20，以及隔离柱50的膜层。

(2)形成发光结构层30。在示例性实施方式中，形成发光结构层30可以包括：

在形成前述图案的基底10上沉积第一电极薄膜，通过图案化工艺对第一电极薄膜进行图案化，形成第一电极层图案，第一电极层图案包括位于显示区100的多个第一电极31(阳极)，第一电极31通过第二平坦层26上的第四过孔V4与阳极连接电极203连接，从而第一电极31通过阳极连接电极203与漏电极2014连接。如图14f所示。

随后，在形成前述图案的基底10上涂覆像素界定薄膜，通过图案化工艺对像素界定薄膜进行图案化，形成像素界定层32图案，像素界定层32设置有多个像素开口，像素开口暴露出显示区100的第一电极31的表面。如图14f所示。

随后，可以利用掩模版，采用湿法刻蚀工艺，对过渡区300的第一隔离层的第二金属层302进行横向刻蚀，使第一隔离层的第二金属层302在第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧相较于第三金属层303内缩一部分。至此，形成最终的隔离柱50结构，第一隔离层的第一金属层301、第二金属层302和第三金属层303即成为了隔离柱50的第一隔离部51的第一导电层511、第二导电层512和第三导电层513，第一柱基层551形成了柱基55。如图14g所示。

随后，形成显示基板的其余膜层。

前文图14a至图14g的工艺过程形成了图8示例的隔离柱50，且所述第一隔离部51与所述晶体管201的源电极2013和漏电极2014同层设置，第一包覆层52与第五绝缘层25中的钝化层251同层设置。在其他实施方式中，图8示例的隔离柱50中，所述第一隔离部51与所述连接电极203同层设置，第一包覆层52与第二平坦层26同层设置，隔离柱50的形成方式可以与14a至图14g中隔离柱50的形成方式相同，此种情况下，可以在图案化形成第二源漏金属层图案的同时，在显示区100形成连接电极203，在过渡区300形成第一隔离层，其中，第二源漏金属层可以包括沿远离基底10方向依次叠设的第四金属层401、第五金属层402和第六金属层403，比如，第四金属层401和第六金属层403可以为钛层，第五金属层402可以为铝层，则第一隔离层包括沿远离基底10方向依次叠设的第四金属层401、第五金属层402和第六金属层403；随后，利用掩模版，采用刻蚀工艺将位于过渡区300的第一隔离层的第六金属层403的靠近显示区100或孔区200的一部分刻蚀掉；随后，在图案化形成第二平坦层26图案的同时，在过渡区300的第一隔离层的第六金属层403上形成第一包覆层52；随后，在图案化形成第一电极31的同时，将第一隔离层的第五金属层402的未被第一包覆层52覆盖的部分刻蚀去除，在第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧，第一隔离层的第五金属层402的边缘可以与第一包覆层52的边缘大致平齐，第四金属层401的边缘凸出于第五金属层402的边缘；随后，可以利用掩模版，采用湿法刻蚀工艺，对过渡区300的第一隔离层的第五金属层402进行横向刻蚀，使第一隔离层的第五金属层402在第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧相较于第六金属层403内缩一部分。至此，形成最终的隔离柱50结构，第一隔离层的第四金属层401、第五金属层402和第六金属层403即成为了隔离柱50的第一隔离部51的第一导电层511、第二导电层512和第三导电层513。

基于图14a至图14g的工艺过程，本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，包括制备图8示例的隔离柱，图8示例的隔离柱的制备过程可以包括：

在所述过渡区的基底上形成第一隔离层，所述第一隔离层包括沿远离所述基底方向依次叠设的第一膜层、第二膜层和第三膜层，在所述第一隔离层的朝向所述显示区一侧和朝向所述孔区一侧，所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层的边缘平齐；

采用刻蚀工艺将所述第三膜层的靠近所述显示区或所述孔区的一部分刻蚀去除，使得在所述第一隔离层的第一侧，所述第一膜层和所述第二膜层的边缘凸出于所述第三膜层的边缘；

在所述第三膜层的远离所述基底的表面上形成第一包覆层，且所述第一包覆层将所述第一隔离层的第二侧包覆，以及将所述第三膜层的远离所述基底的表面和所述第三膜层的位于所述第一隔离层的第一侧的表面包覆；

采用刻蚀工艺对所述第一隔离层进行刻蚀，使得在所述第一隔离层的未被所述第一包覆层包覆一侧(即所述第一隔离层的第一侧)，所述第二膜层的边缘与所述第一包覆层的边缘平齐，所述第一膜层的边缘凸出于或平齐于所述第二膜层的边缘；

采用刻蚀工艺对所述第二膜层进行刻蚀，使得在所述第一隔离层的未被所述第一包覆层包覆一侧，所述第二膜层的边缘相较于所述第三膜层的边缘和所述第一膜层的边缘内缩，从而使得所述第一隔离层的所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层分别成为所述第一隔离部的所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层。

在又一些示例性实施例中，以图2示例的显示基板和图8示例的隔离柱为例，且所述第一隔离部51与所述晶体管201的源电极2013和漏电极2014同层设置，第一包覆层52与第五绝缘层25中的钝化层251同层设置。示例性地，显示基板的制备过程可以包括如下操作：

在基底10上依次形成第一绝缘层21、半导体层、第二绝缘层22、第一栅金属层、第三绝缘层23、第二栅金属层和第四绝缘层24；

其中，在形成显示区100的第四绝缘层24的同时，在过渡区300的第三绝缘层23上形成第一柱基层551，即第一柱基层551与第四绝缘层24同层设置且材质相同。显示区100的第四绝缘层24设有多个第一过孔V1和多个第二过孔V2，多个第一过孔V1暴露出多个有源层2011的一端，多个第二过孔V2暴露出多个有源层2011的另一端。如图15a所示。

随后，沉积第一源漏金属薄膜，通过图案化工艺对第一源漏金属薄膜进行图案化，在第四绝缘层24上形成第一源漏金属层图案，第一源漏金属层图案包括位于显示区100的多个源电极2013和多个漏电极2014，以及位于过渡区300的第一柱基层551上的第一隔离层。源电极2013通过第一过孔与有源层2011的一端连接，漏电极2014通过第二过孔与有源层2011的另一端连接，显示区100的多个有源层2011、多个栅电极2012、多个源电极2013和多个漏电极2014形成多个晶体管201。如图15b所示。

其中，所述第一源漏金属层可以包括沿远离基底10方向依次叠设的第一金属层301、第二金属层302和第三金属层303，比如，第一金属层301和第三金属层303可以为钛层，第二金属层302可以为铝层。则，源电极2013、漏电极2014和第一隔离层均包括沿远离基底10方向依次叠设的第一金属层301(Ti)、第二金属层302(Al)和第三金属层303(Ti)。第一隔离层的朝向显示区100的一侧以及朝向孔区200的一侧，第一隔离层的第一金属层301、第二金属层302和第三金属层303的边缘可以大致平齐。如图15b所示。

随后，沉积钝化薄膜，通过图案化工艺对钝化薄膜进行图案化，形成覆盖第一源漏金属层图案的钝化层251图案，钝化层251图案包括位于过渡区300的第一包覆层52，第一包覆层52设置在第一隔离层的第三金属层303的远离基底10的表面上，并将第一隔离层的朝向显示区100或孔区200的一侧(图15c的示例中为朝向显示区100的一侧)包覆，第一隔离层的第三金属层303的靠近第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧的一部分未被第一包覆层52覆盖(即在第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧，第一隔离层的第三金属层303的边缘凸出于第一包覆层52的边缘)。如图15c所示。

随后，涂覆第一平坦薄膜，通过图案化工艺对第一平坦薄膜进行图案化，形成设置在钝化层251上的第一平坦层252图案，第一平坦层252形成有位于显示区100的多个第三过孔V3，第三过孔V3内的第一平坦层252和钝化层251被去除并暴露出漏电极2014的表面。如图15d所示。其中，本示例中，钝化层251和第一平坦层252整体可以称为第五绝缘层25，钝化层251可以为无机绝缘材料，第一平坦层252可以为有机绝缘材料。在其他示例中，可以不设置钝化层251，第五绝缘层25可以仅包括第一平坦层252，此种情况下，可以在图案化形成第一平坦层252图案过程中，同时形成第一包覆层52。

随后，沉积第二源漏金属薄膜，采用图案化工艺对第二源漏金属薄膜进行图案化，在第一平坦层252上形成第二源漏金属层图案，第二源漏金属层图案包括位于显示区100的多个阳极连接电极203，阳极连接电极203通过第三过孔V3与漏电极2014连接。如图15d所示。

其中，第二源漏金属层的膜层结构及材料可以与第一源漏金属层的膜层结构及材料相同，比如，所述第二源漏金属层可以包括沿远离基底10方向依次叠设的第四金属层401、第五金属层402和第六金属层403，比如，第四金属层401和第六金属层403可以为钛层，第五金属层402可以为铝层。由此，在对第二源漏金属薄膜进行图案化过程中，过渡区300的第一隔离层的未被第一包覆层52覆盖的部分也会被刻蚀到，本次图案化工艺结束后，过渡区300的第一隔离层的第三金属层303和第二金属层302的未被第一包覆层52覆盖的部分被刻蚀掉，在第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧，第一隔离层的第三金属层303和第二金属层302的边缘与第一包覆层52的边缘大致平齐，第一隔离层的第一金属层301的边缘凸出于第三金属层303和第二金属层302的边缘。由于第一隔离层的钛材质的第一金属层301相较于铝材质的第二金属层302难刻蚀，因此，本次图案化工艺结束后，在第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧，第一隔离层的第一金属层301的边缘凸出于第二金属层302的边缘。如图15d所示。

随后，采用刻蚀工艺将位于过渡区300的第一隔离层的第三金属层303的靠近第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧的一部分刻蚀去除，之后，第一包覆层52的靠近第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧的一部分在没有第三金属层303支撑下会下垂，并将第三金属层303的位于第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧的表面包覆。如图15e所示。

随后，可以利用掩模版，采用湿法刻蚀工艺，对过渡区300的第一隔离层的第二金属层302进行横向刻蚀，使第一隔离层的第二金属层302在第一隔离层的未被第一包覆层52包覆一侧相较于第三金属层303和第一金属层301内缩。至此，形成最终的隔离柱50结构，第一隔离层的第一金属层301、第二金属层302和第三金属层303即成为了隔离柱50的第一隔离部51的第一导电层511、第二导电层512和第三导电层513，第一柱基层551形成了柱基55。如图15f所示。

随后，形成显示基板的其余膜层。

基于图15a至图15f的工艺过程，本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，包括制备图8示例的隔离柱，图8示例的隔离柱的制备过程可以包括：

在所述过渡区的基底上形成第一隔离层，所述第一隔离层包括沿远离所述基底方向依次叠设的第一膜层、第二膜层和第三膜层，在所述第一隔离层的朝向所述显示区一侧和朝向所述孔区一侧，所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层的边缘平齐；

在所述第三膜层的远离所述基底的表面上形成第一包覆层，且所述第一包覆层将所述第一隔离层的朝向所述显示区或所述孔区的一侧包覆，在所述第一隔离层的未被所述第一包覆层包覆一侧，所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层的边缘凸出于所述第一包覆层的边缘(即，所述第三膜层的远离所述基底的表面的靠近所述第一隔离层的未被所述第一包覆层包覆一侧的一部分未被所述第一包覆层覆盖)；

采用刻蚀工艺对所述第一隔离层进行刻蚀，使得在所述第一隔离层的未被所述第一包覆层包覆一侧，所述第二膜层和所述第三膜层的边缘与所述第一包覆层的边缘平齐，且所述第一膜层的边缘凸出于所述第二膜层和所述第三膜层的边缘；

采用刻蚀工艺对所述第三膜层进行刻蚀，使得在所述第一隔离层的未被所述第一包覆层包覆一侧，所述第三膜层的边缘相较于所述第一包覆层的边缘内缩，之后，所述第一包覆层的未被所述第三膜层支撑的部分下垂，并将所述第三膜层的位于所述第一隔离层的未被所述第一包覆层包覆一侧的表面包覆；

采用刻蚀工艺对所述第二膜层进行刻蚀，使得在所述第一隔离层的未被所述第一包覆层包覆一侧，所述第二膜层的边缘相较于所述第三膜层的边缘和所述第一膜层的边缘内缩，从而使得所述第一隔离层的所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层分别成为所述第一隔离部的所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层。

本公开实施例还提供一种显示装置，包括前文任一实施例所述的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了一些例子，本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。

在本文描述中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本文描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“内”、“外”、“轴向”、“四角”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开实施例的简化描述，而不是指示或暗示所指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

在本文描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解，例如，可以是固定连接，或是可拆卸连接，或一体地连接；术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连，或通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开实施例中的含义。

Claims (21)

1.一种显示基板，其特征在于，包括孔区、围绕所述孔区的过渡区，以及围绕所述过渡区的显示区；所述过渡区设置有围绕所述孔区的隔离柱，所述隔离柱包括第一隔离部和第一包覆层；

所述显示基板包括基底，所述第一隔离部包括第二导电层，所述第一隔离部的第一侧朝向所述显示区，所述第一隔离部的第二侧朝向所述孔区；

所述第一包覆层设于所述第一隔离部的远离所述基底一侧，并将所述第一隔离部的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆，在所述第一隔离部的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第二导电层相较于所述第一包覆层内缩设置；所述第一包覆层的材料为绝缘材料。

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔离部还包括设于所述第二导电层的靠近所述基底一侧的第一导电层，所述第一包覆层设于所述第二导电层的远离所述基底的表面上，并将所述第一隔离部的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆，在所述第一隔离部的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第二导电层还相较于所述第一导电层内缩设置。

3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔离部还包括设于所述第二导电层的远离所述基底一侧的第三导电层，所述第一包覆层设于所述第三导电层的远离所述基底的表面上，并将所述第一隔离部的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆；在所述第一隔离部的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第二导电层还相较于所述第三导电层内缩设置。

4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一包覆层还将所述第三导电层的位于所述第一隔离部的第一侧和第二侧中的另一侧的表面包覆，所述第三导电层在所述基底上的正投影落入所述第一包覆层在所述基底上的正投影内。

5.如权利要求1至4任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二导电层相较于所述第一包覆层内缩0.35微米至0.4微米。

6.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，在所述第一隔离部的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第一包覆层的靠近边缘的部分具有20度至45度的坡度角。

7.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述隔离柱还包括第二隔离部，所述第二隔离部设于所述第一隔离部的朝向所述基底一侧，所述第二隔离部包括沿远离所述基底方向依次叠设的第四导电层和第五导电层；所述第二隔离部的第一侧朝向所述显示区，所述第二隔离部的第二侧朝向所述孔区；所述第一包覆层还将所述第二隔离部的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆，在所述第二隔离部的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第五导电层相较于所述第四导电层内缩设置。

8.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第二隔离部还包括设于所述第五导电层的远离所述基底一侧的第六导电层，在所述第二隔离部的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第五导电层还相较于所述第六导电层内缩设置。

9.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述隔离柱还包括第二隔离部和第二包覆层；所述第二隔离部设于所述第一隔离部的朝向所述基底一侧，所述第二隔离部的第一侧朝向所述显示区，所述第二隔离部的第二侧朝向所述孔区；所述第二包覆层设于所述第二隔离部和所述第一隔离部之间，并将所述第二隔离部的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆；所述第二隔离部的材料为导电材料，所述第二包覆层的材料为绝缘材料。

10.如权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述第二隔离部包括沿远离所述基底方向依次叠设的第四导电层、第五导电层和第六导电层；在所述第二隔离部的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第五导电层相较于所述第四导电层和所述第六导电层内缩设置。

11.如权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔离部的第一侧和第二侧中的被所述第一包覆层包覆的一侧，与所述第二隔离部的第一侧和第二侧中的被所述第二包覆层包覆的一侧位于所述隔离柱的不同侧。

12.如权利要求1至4任一项所述的显示基板，其特征在于，所述隔离柱还包括设于所述第一隔离部的朝向所述基底一侧的柱基，所述柱基包括一个或多个膜层。

13.如权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述柱基包括一个无机绝缘层或叠设的多个无机绝缘层；或者，所述柱基包括至少一个无机绝缘层和至少一个金属层，所述金属层被所述无机绝缘层包覆。

14.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示区包括依次叠设于所述基底上的驱动结构层和发光结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括多个晶体管和存储电容，所述发光结构层包括多个发光元件，所述发光元件包括沿远离所述基底方向依次叠设的第一电极、发光功能层和第二电极层；

在垂直于所述基底的方向上，所述驱动结构层包括沿远离所述基底方向依次设置的第一源漏金属层、第五绝缘层、第二源漏金属层和第二平坦层；所述第一源漏金属层包括至少一个所述晶体管的源电极和漏电极，所述第二源漏金属层包括与所述晶体管的源电极或漏电极连接的连接电极，所述连接电极还与所述第一电极连接。

15.如权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述第一源漏金属层包括叠设的多个金属层，所述第一隔离部与所述晶体管的源电极和漏电极同层设置，所述第一包覆层与所述第五绝缘层同层设置。

16.如权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述第二源漏金属层包括叠设的多个金属层，所述第一隔离部与所述连接电极同层设置，所述第一包覆层与所述第二平坦层同层设置。

17.如权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述隔离柱还包括第二隔离部，所述第二隔离部设于所述第一隔离部的朝向所述基底一侧，所述第二隔离部包括沿远离所述基底方向依次叠设的第四导电层和第五导电层；所述第二隔离部的第一侧朝向所述显示区，所述第二隔离部的第二侧朝向所述孔区；所述第一包覆层还将所述第二隔离部的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆，在所述第二隔离部的第一侧和第二侧中的另一侧，所述第五导电层相较于所述第四导电层内缩设置；

所述第一源漏金属层和所述第二源漏金属层均包括叠设的多个金属层，所述第一隔离部与所述连接电极同层设置，所述第一包覆层与所述第二平坦层同层设置，所述第二隔离部与所述晶体管的源电极和漏电极同层设置。

18.如权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述隔离柱还包括第二隔离部和第二包覆层；所述第二隔离部设于所述第一隔离部的朝向所述基底一侧，所述第二隔离部的第一侧朝向所述显示区，所述第二隔离部的第二侧朝向所述孔区；所述第二包覆层设于所述第二隔离部和所述第一隔离部之间，并将所述第二隔离部的第一侧和第二侧中的其中一侧包覆；所述第二隔离部的材料为导电材料，所述第二包覆层的材料为绝缘材料；

所述第一源漏金属层和所述第二源漏金属层均包括叠设的多个金属层，所述第一隔离部与所述连接电极同层设置，所述第一包覆层与所述第二平坦层同层设置，所述第二隔离部与所述晶体管的源电极和漏电极同层设置，所述第二包覆层与所述第五绝缘层同层设置。

19.如权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述驱动结构层还包括设于所述第一源漏金属层的朝向所述基底一侧的半导体层、第一栅金属层和第二栅金属层，所述半导体层包括所述晶体管的有源层，所述第一栅金属层包括所述晶体管的栅电极和所述存储电容的一个极板，所述第二栅金属层包括所述存储电容的另一个极板；

所述隔离柱还包括设于所述第一隔离部的朝向所述基底一侧的柱基，所述柱基包括至少一个无机绝缘层和至少一个金属层，所述金属层被所述无机绝缘层包覆，所述金属层与所述第一栅金属层或者所述第二栅金属层同层设置。

20.如权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述第五绝缘层包括沿远离所述基底方向依次叠设的钝化层和第一平坦层，所述钝化层为无机绝缘层，所述第一平坦层为有机绝缘层；或者，所述第五绝缘层仅包括第一平坦层，所述第一平坦层为有机绝缘层。

21.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至20任一项所述的显示基板。