CN114300488A - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域，显示面板包括显示区和围绕显示区设置的非显示区；显示面板包括：第一衬底以及第一衬底上的薄膜晶体管阵列层、平坦化层、第一绝缘层、第三金属层，薄膜晶体管阵列层至少包括相互绝缘的第一金属层和第二金属层；第一绝缘层位于平坦化层远离第一衬底的一侧，第三金属层位于第一绝缘层远离第一衬底的一侧；非显示区包括挖槽区，挖槽区不包括平坦化层。显示面板的制作方法用于制作上述显示面板。显示装置包括上述显示面板。本发明有利于减小非显示区的线路短路的风险，降低质量安全隐患发生的概率，可以提高显示面板产品良率。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。

背景技术

目前，显示技术主要包括有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)技术和液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)技术两大类。LCD显示器是最近快速发展并占据了主流的显示应用市场的一种新型显示器件，具有重量轻、分辨率高、响应速度快、功耗低，显示质量好等许多优点，广泛应用于电视、电子仪表、手机、电脑等常见的显示器件应用领域。有机发光二极管显示器作为一种电流型发光器件，因其所具有的自发光、快速响应、宽视角等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域。

传统的显示面板在制作完较为不平整的晶体管阵列层后，为了保证后续膜层的平坦度，往往需要在较为不平整的晶体管阵列层上方涂覆较厚的平坦化层，但是在显示面板的非显示区，平坦化层需要预留覆晶薄膜区域。

现有技术中，由于平坦化层较厚，因此在平坦化层在预留的覆晶薄膜区域经常会出现曝光后残留的导电结构，残留的导电结构极易会引起非显示区的线路短路或其他质量安全隐患，进而降低显示面板的质量及生产合格率，提高成本。

因此，提供一种能够解决导电结构残留问题，有利于提高产品良率的显示面板及其制作方法、显示装置，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，以解决现有技术中容易引起非显示区的线路短路或其他质量安全隐患，降低显示面板的质量及生产合格率的问题。

本发明公开了一种显示面板，包括：显示区和围绕显示区设置的非显示区；显示面板包括：第一衬底；薄膜晶体管阵列层，薄膜晶体管阵列层位于第一衬底的一侧；薄膜晶体管阵列层至少包括相互绝缘的第一金属层和第二金属层；平坦化层，平坦化层位于薄膜晶体管阵列层远离第一衬底的一侧；第一绝缘层，第一绝缘层位于平坦化层远离第一衬底的一侧；第三金属层，第三金属层位于第一绝缘层远离第一衬底的一侧；非显示区包括挖槽区，挖槽区不包括平坦化层。

基于同一发明构思，本发明还公开了一种显示面板的制作方法，该制作方法用于制作上述显示面板；该制作方法包括：提供第一衬底；在第一衬底的一侧制作薄膜晶体管阵列层，使得薄膜晶体管阵列层至少包括相互绝缘的第一金属层和第二金属层；在薄膜晶体管阵列层远离第一衬底的一侧制作平坦化层；在非显示区刻蚀平坦化层，形成挖槽区，使得挖槽区不包括平坦化层；在平坦化层远离第一衬底的一侧制作第一绝缘层，使得第一绝缘层位于显示区和非显示区；在第一绝缘层远离第一衬底的一侧制作第三金属层。

基于同一发明构思，本发明还公开了一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板。

与现有技术相比，本发明提供的显示面板及其制作方法、显示装置，至少实现了如下的有益效果：

本发明的显示面板中，在平坦化层远离第一衬底的一侧还包括第一绝缘层，第一绝缘层远离第一衬底的一侧再设置第三金属层，即本发明的显示面板在制作完平坦化层之后先制作一层第一绝缘层后再设置其他导电层，如第三金属层。本发明的非显示区包括挖槽区，挖槽区不包括平坦化层，即非显示区的挖槽区可以理解为在整层的平坦化结构制作完后，在挖槽区对应位置进行刻蚀处理，形成不包括平坦化层的挖槽区，然后再进行平坦化层后续膜层的制作。本发明的第三金属层和平坦化层之间还包括第一绝缘层，使得显示面板的非显示区形成挖槽区后，挖槽区通过第一绝缘层的设置，相当于垫高了挖槽区的膜层，使得后续制作完第三金属层后，由于挖槽区的膜层被第一绝缘层垫高，则减小了平坦化层原本形成的段差，进而使得挖槽区内可能残留的导电结构，如制作第三金属层时可能残留在挖槽区靠***坦化层侧壁区域的导电结构更接近曝光光源，使得残留的导电结构更容易被曝光干净，进而有利于减小非显示区的线路短路的风险，有利于降低质量安全隐患发生的概率，进而可以提高显示面板产品良率。

当然，实施本发明的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1是本发明实施例提供的显示面板的一种平面结构示意图；

图2是图1中A-A’向的剖面结构示意图；

图3是相关技术中显示面板在挖槽区附近的剖面结构示意图；

图4是图本实施例提供的显示面板在非显示区的一种膜层结构示意图；

图5是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；

图6是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；

图7是本发明实施例提供的显示面板的另一种平面结构示意图；

图8是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；

图9是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；

图10是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；

图11是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；

图12是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；

图13是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；

图14是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图；

图15是本发明实施例提供的显示面板的另一种平面结构示意图；

图16是图15中B-B’向的剖面结构示意图；

图17是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的一种流程框图；

图18是图17中提供的第一衬底的结构示意图；

图19是图17中制作完薄膜晶体管阵列层之后的结构示意图；

图20是图17中制作完平坦化层之后的结构示意图；

图21是图17中在非显示区形成挖槽区之后的结构示意图；

图22是图17中制作完第一绝缘层之后的结构示意图；

图23是图17中制作完第三金属层之后的结构示意图；

图24是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的另一种流程框图；

图25是图24中刻蚀完第一绝缘层之后的结构示意图；

图26是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的另一种流程框图；

图27是图26中制作完第三金属层之后的结构示意图；

图28是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的另一种流程框图；

图29是图28中曝光第三金属层之后的结构示意图；

图30是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的另一种流程框图；

图31是图30中在非显示区形成挖槽区之后的结构示意图；

图32是图30中制作完第一绝缘层之后的结构示意图；

图33是图30中制作完第三金属层之后的结构示意图；

图34是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的另一种流程框图；

图35是图34中制作完第一子层之后的结构示意图；

图36是图34中刻蚀完第一子层之后的结构示意图；

图37是图34中制作完第二子层之后的结构示意图；

图38是图34中刻蚀完第二子层之后的结构示意图；

图39是图34中制作完第一绝缘层之后的结构示意图；

图40是图34中制作完第三金属层之后的结构示意图；

图41是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的另一种流程框图；

图42是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

请结合参考图1和图2，图1是本发明实施例提供的显示面板的一种平面结构示意图，图2是图1中A-A’向的剖面结构示意图，本实施例提供的显示面板000，包括：显示区AA和围绕显示区AA设置的非显示区NA；

显示面板000包括：

第一衬底10；

薄膜晶体管阵列层20，薄膜晶体管阵列层20位于第一衬底10的一侧；薄膜晶体管阵列层20至少包括相互绝缘的第一金属层201和第二金属层202；

平坦化层30，平坦化层30位于薄膜晶体管阵列层20远离第一衬底10的一侧；

第一绝缘层40，第一绝缘层40位于平坦化层30远离第一衬底10的一侧；

第三金属层50，第三金属层50位于第一绝缘层40远离第一衬底10的一侧；

非显示区NA包括挖槽区NA1，挖槽区NA1不包括平坦化层30。

具体而言，本实施例提供的显示面板000至少包括显示区AA和围绕显示区AA设置的非显示区NA，其中显示区AA可以包括多个子像素，用于实现显示画面，非显示区NA用于设置一些边框结构、***信号线或绑定焊盘等，用于将外部驱动信号传输至显示面板000的显示区AA范围内的子像素。如图2所示，显示面板000的膜层结构可以至少包括第一衬底10，可选的，当本实施例的显示面板000为液晶显示面板时，第一衬底10可以理解为阵列基板一侧的衬底结构，此时显示面板000还可能包括第二衬底(图中未示意)，第二衬底则可以理解为彩膜基板一侧的另一个衬底结构。可选的，显示面板000也可以为其他类型的显示面板，如有机发光二极管显示面板或者次毫米发光二极管(Mini LED)或者微发光二极管(MicroLED)显示面板，此时第一衬底10可以理解为用于设置显示面板其他膜层结构的承载基板。本实施例的第一衬底10的一侧设置有薄膜晶体管阵列层20，可选的，薄膜晶体管阵列层20可以理解为设置薄膜晶体管的多个膜层，薄膜晶体管阵列层20至少包括相互绝缘的第一金属层201和第二金属层202，第一金属层201和第二金属层202可以用于制作薄膜晶体管的栅极、源漏极，还可以用于制作显示面板000包括的信号线(如扫描线、数据线等)本实施例不作赘述，具体可参考相关技术中显示面板的金属膜层结构进行理解。由于薄膜晶体管阵列层20制作完多个薄膜晶体管以及信号线等结构之后，其远离第一衬底10的一侧表面可能因为薄膜晶体管阵列层20相关膜层的刻蚀图案造成表面不太平整，因此本实施例在薄膜晶体管阵列层20远离第一衬底10的一侧还设置有平坦化层30，平坦化层30用于起到保护薄膜晶体管阵列层20的晶体管、信号线等结构作用的同时，还可以起到平坦表面的作用，有利于平坦化层30后续膜层的制作，保证后续膜层具有较高的平坦性。

本实施例的平坦化层30远离第一衬底10的一侧还包括第一绝缘层40，可选的，沿垂直于第一衬底10所在平面的方向Z，第一绝缘层40的厚度可以小于平坦化层30的厚度，第一绝缘层40远离第一衬底10的一侧再设置第三金属层50，即本实施例的显示面板000中，在制作完平坦化层30之后先制作一层第一绝缘层40后再设置其他导电层，如第三金属层50，第三金属层50可以用于制作显示面板的触控信号线或者电容导电层等结构，本实施例对于第三金属层50具体包括的导电结构不作具体限定，仅需满足在第一绝缘层40远离第一衬底10的一侧设置有第三金属层50即可。本实施例的非显示区NA包括挖槽区NA1，挖槽区NA1不包括平坦化层30，即非显示区NA的挖槽区NA1可以理解为在整层的平坦化结构制作完后，在挖槽区NA1对应位置进行刻蚀处理，形成不包括平坦化层30的挖槽区NA1，然后再进行平坦化层30后续膜层的制作，如再制作第一绝缘层40和第三金属层50等。非显示区NA的挖槽区NA1可以理解为显示面板000后续用于绑定驱动芯片或柔性电路板的绑定区、或者还可以理解为设置扇出引线的区域，扇出引线的区域用于设置扇出走线将绑定的驱动芯片上的信号传输至显示区AA范围内，实现显示面板的显示效果。

本实施例的第三金属层50和平坦化层30之间还包括第一绝缘层40，使得显示面板000的非显示区NA形成挖槽区NA1后，挖槽区NA1通过第一绝缘层40的设置，相当于垫高了挖槽区NA1的膜层，使得后续制作完第三金属层50后，由于挖槽区NA1的膜层被第一绝缘层40垫高，则减小了平坦化层30原本形成的段差。

如图3所示，图3是相关技术中显示面板在挖槽区附近的剖面结构示意图，相关技术中在平坦化层30’制作完后直接设置第三金属层50’，则在第三金属层50’制作前，由于平坦化层30’而造成的段差值H’(即挖槽区NA1’内膜层上表面与挖槽区NA1’外平坦化层30’上表面之间的距离)为平坦化层30’的厚度H0。

而采用本实施例提供的结构，即在平坦化层30和第三金属层50之间设置厚度为H1的第一绝缘层40后，若平坦化层30的厚度仍然为H0，则在第三金属层50制作前，由于平坦化层30而造成的段差值H为H0-H1(显然小于H0)，相当于减少了因平坦化层30的厚度造成的段差，进而使得挖槽区NA1内可能残留的导电结构(如制作第三金属层50时可能残留在挖槽区NA1靠***坦化层30侧壁区域的导电结构)更接近曝光光源(可以是进行曝光工艺的UV光源)，使得残留的导电结构更容易被曝光干净，进而有利于减小非显示区的线路短路的风险，如挖槽区NA1范围内不包括平坦化层30后，第三金属层50的残留导电结构很可能与其下方的第二金属层202或第一金属层201的结构(如在第一金属层201和第二金属层202设置的扇出引线等结构)之间接触而短路，有利于降低质量安全隐患发生的概率，进而可以提高显示面板000产品良率。

可以理解的是，本实施例中的曝光工序一般可以理解为在第三金属层50表面设置感光光阻后，UV(紫外线，Ultraviolet)光透过预设的掩膜板，照射到需要曝光的第三金属层的感光光阻表面，掩膜板上透明的部分，UV光可以透过并照射到感光光阻上，使光阻产生反应，掩膜板上黑色不透明的部分，UV光无法透过，故此部分的光阻不产生反应，从而使掩膜板的图案，投影到涂布在第三金属层表面的感光光阻上，感光光阻形成了与掩膜板对应的图案。然后再将显影液喷淋到曝光后的第三金属层的表面，显影液会将被UV光照射发生反应的感光光阻溶解掉，从第三金属层表面去除，留下未被UV光照射的部分保留在第三金属层表面，然后刻蚀掉未被感光光阻覆盖的第三金属层的其余部分，即可留下被感光光阻覆盖保护的部分，进而形成了所需要的已经被图案化的第三金属层的结构。

可以理解的是，本实施例的显示面板000的结构包括但不仅限于上述结构，还可以包括其他结构，如显示区AA的能够实现显示的结构，还比如膜层结构中的一些其他实现绝缘效果的绝缘层、电极层等，本实施例在此不作赘述，具体可参考相关技术中显示面板的结构进行理解。

需要说明的是，本实施例的显示面板000可以为液晶显示面板，也可以为有机发光二极管显示面板或者其他类型的显示面板，本实施例不做具体限定。比如有机发光二极管显示面板在制备时为了保证显示面板中阳极区的平坦度，往往需要在阳极层(可以理解为本实施例的第三金属层)下涂覆较厚的平坦层，而在后续的阳极黄光制程中，由于***的平坦化层的挖槽处段差较大，在进行曝光时出现曝光不足等问题，进而导致显影后仍有部分光刻胶残留，在后续阳极蚀刻过程中，残留的光刻胶保护了需要被蚀刻掉的阳极，造成部分阳极残留，而残留阳极也会使得显示面板出现短路。因此相关技术中的有机发光二极管显示面板中，平坦化层和阳极层之间也可以设置一个本实施例中的第一绝缘层，以解决产品良率低的问题。

需要进一步说明的是，本实施例提供的显示面板000的膜层结构包括但不局限于图2所示，在第三金属层50远离第一衬底10的一侧，还可以如图4所示，图4是图本实施例提供的显示面板在非显示区的一种膜层结构示意图，挖槽区NA1之外的范围内可以包括其他如第一电极层01、第二电极层02、两者之间的绝缘层03等结构，挖槽区NA1范围内也可以在远离平坦化层30的一侧保留一部分第二电极层02，用于实现导电焊盘03与挖槽区NA11的扇出引线04(可以采用第一金属层201和/或第二金属层202制作)之间的电连接等本实施例在此不作赘述，具体可参考相关技术中显示面板的膜层结构进行理解。可选的，如图4所示，本实施例的挖槽区NA内的扇出引线04采用了第一金属层201和第二金属层202换线共同制作，挖槽区NA1的第二金属层202具有一镂空区，通过将第一金属层201和第二金属层202的制作材料设置为不同，有利于减小扇出引线04的阻抗，本实施例在此不作赘述，具体可参考相关技术中对同一条扇出引线04进行不同金属膜层的换线结构的设计进行理解。

在一些可选实施例中，请结合参考图1和图5，图5是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，在平行于第一衬底10所在平面的方向Y上，挖槽区NA1包括靠近显示区AA的第一区NA11；

第一区NA11不包括第一绝缘层40。

本实施例解释说明了挖槽区NA1包括第一区NA11，该第一区NA11指的是在平行于第一衬底10所在平面的方向Y上，相比于挖槽区NA1中除该第一区NA11以外的区域，更靠近显示区AA的一个区域范围，可选的，第一区NA11可以包括的范围较小，即沿平行于第一衬底10所在平面的方向Y，第一区NA11的宽度W1较窄，如图5所示，第一区NA11可以指紧挨着挖槽区NA1外的平坦化层30的侧面30A的小部分区域，该区域由于平坦化层30的侧壁与第一衬底10所在平面形成的夹角较为垂直，因此金属更容易在该第一区NA11残留。本实施例设置至少在挖槽区NA1的第一区NA11范围内不包括第一绝缘层40，即该第一区NA11范围内的第一绝缘层40被刻蚀干净，那么假设在对第三金属层50曝光之后，在该第一区NA11的第一绝缘层40被刻蚀之前有残留金属，即段差减小后可能因制程工艺时曝光不均匀或工艺误差，导致仍然有较小的细微的第三金属层50的残留结构留在该第一区NA11内，也会在后续制程的第一绝缘层40的刻蚀过程中被刻蚀干净，从而进一步可以降低挖槽区NA1线路短路的风险，更加有效的提高显示面板000产品良率。

可选的，第一区NA11也可以包括的范围稍大些，如图6所示，图6是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，沿平行于第一衬底10所在平面的方向Y，第一区NA11的宽度W2较图5示意的稍宽些，从而可以使得挖槽区NA1内的大部分区域的第一区NA11内均不设置第一绝缘层40，有利于更好的避免挖槽区NA1内第三金属层50的残留，进而更好的保证产品良率。

可以理解的是，本实施例对于第一区NA11的具体宽窄范围不作具体限定，还可以设置整个挖槽区NA1均为第一区NA11，即整个挖槽区NA1均不包括第一绝缘层40，具体实施时，可根据实际需求设置不包括第一绝缘层40的第一区NA11的大小范围。

在一些可选实施例中，请继续结合图1-图2、图4-图6，本实施例中，挖槽区NA1不包括第三金属层50。

本实施例解释说明了通过在平坦化层30和第三金属层50之间设置第一绝缘层40后，相当于挖槽区NA1的膜层被第一绝缘层40垫高，减少了因平坦化层30的厚度造成的段差，进而使得挖槽区NA1内可能残留的如制作第三金属层50时可能残留在挖槽区NA1靠***坦化层30侧壁区域的导电结构更接近曝光光源，使得残留的第三金属层50更容易被曝光干净，因此挖槽区NA1可以不包括第三金属层50，即没有任何曝光残留的第三金属层50在挖槽区NA1范围内，进而降低了非显示区的线路短路的风险，提高了显示面板000产品良率。

可选的，本实施例中的平坦化层30还可以进行减薄处理，即可以将平坦化层30做的比现有技术中的薄一些，即在保证平坦化层30在显示区AA的作用，保证显示效果不受影响的基础上，可以将平坦化层30进一步做薄，使得挖槽区NA1位置因平坦化层30造成的段差进一步减小，如图3所示，若该相关技术中平坦化层30’的厚度为3.3μm，则图3中因平坦化层30’造成的段差H’等于3.3μm。而本实施例将平坦化层30做薄，如在保证显示效果的前提下将平坦化层30减薄至3μm，此时第一绝缘层40假设为0.3μm，则图2中因平坦化层30造成的段差H等于2.7μm，本实施例的图2与相关技术中的图3的方案比较，本实施例将平坦化层30减薄并在平坦化层30和第三金属层50之间设置第一绝缘层40后，可以大大的减小段差值，进而可以使得第三金属层50曝光时，挖槽区NA1范围内可能残留的金属更靠近曝光光源，并被曝光干净，进而更好的解决金属残留导致的线路短路问题。

可选的，请参考图7，图7是本发明实施例提供的显示面板的另一种平面结构示意图，本实施例的显示面板000还可以为异形显示面板，如图7所示，显示面板000在非显示区NA有部分异形形状的区域，如凹陷缺口等，从而使得一部分区域作为绑定驱动芯片或柔性电路板的挖槽区在第一方向X上的宽度也变小了，那么在挖槽区NA1需要设置扇出引线04将显示区AA的信号线(如扫描线或数据线)与挖槽区NA1的绑定焊盘03连接时，相邻两条扇出引线04之间的间距也会相应缩短。若本实施例的显示面板的膜层结构仍然采用相关技术中图3所示的结构，则很有可能在挖槽区NA1的一点点第三金属层50的金属残留即可将间距较小的两条不同的扇出引线04短路，造成产品良率问题。而采用本实施例的图2示意的结构，在平坦化层30和第三金属层50之间设置第一绝缘层40后，可以更好的将挖槽区NA1的可能残留的金属曝光干净。因此本实施例的技术方案也可以适用于图7所示的异形显示面板中，以更好的解决非显示区线路短路的问题。

在一些可选实施例中，请结合参考图1和图8，图8是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，在垂直于第一衬底10所在平面的方向Z上，平坦化层30包括朝向第一衬底10一侧的底面30B；在平行于第一衬底10所在平面的方向X上，平坦化层30包括朝向挖槽区NA1的侧面30A；底面30B与侧面30A相交形成的夹角α小于90度。

本实施例解释说明了平坦化层30朝向挖槽区NA1的侧面30A可以为带有一定坡度的结构，具体为在垂直于第一衬底10所在平面的方向Z上，平坦化层30包括朝向第一衬底10一侧的底面30B；在平行于第一衬底10所在平面的方向X上，平坦化层30包括朝向挖槽区NA1的侧面30A，底面30B与侧面30A相交形成的夹角α＜90°，可选的底面30B与侧面30A相交形成的夹角α可以为45°、60°、65°、70°、75°、80°等任意小于90度的坡度角，本实施例不作具体限定，具体实施时，可以根据实际需求设置，从而可以使得平坦化层30朝向挖槽区NA1的侧面30A倾斜设置，尽可能朝向显示面板的正上方的曝光光源所在的位置方向倾斜，以受到更多的光照，有利于在因平坦化层30造成的段差减小后，进一步使得可能残留的金属被曝光干净，进一步减小短路风险。

在一些可选实施例中，请结合参考图1和图9，图9是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，第一绝缘层40和第三金属层50之间还包括黑矩阵层60、彩膜层70、保护层80，黑矩阵层60位于第一绝缘层40远离第一衬底10的一侧，彩膜层70位于黑矩阵层60远离第一衬底10的一侧，保护层80位于彩膜层70远离第一衬底10的一侧；

黑矩阵层60包括第一黑矩阵部601和第二黑矩阵部602，彩膜层70包括第一彩膜部701和第二彩膜部702，第一黑矩阵部601和第一彩膜部701位于挖槽区NA1，第二黑矩阵部602和第二彩膜部702位于挖槽区NA1之外；

第二黑矩阵部602包括多个第一镂空孔6021，第二彩膜部702包括多个第一色阻7021，第一色阻7021位于第一镂空孔6021内。

本实施例解释说明了显示面板000还采用将彩色滤光片整合于阵列基板(Colorfilter On Array，COA)的技术，即第一衬底10上设置有薄膜晶体管阵列层20的同时，还包括彩色色阻，COA结构可以提高面板开口率，改善面板显示品质。本实施例的第一绝缘层40和第三金属层50之间还包括黑矩阵层60、彩膜层70、保护层80，黑矩阵层60用于设置遮挡金属信号线等的遮光结构，黑矩阵层60还可以用于设置防止不同颜色的彩色色阻之间光线串扰的结构。彩膜层70用于设置多个不同颜色的彩色色阻，保护层80覆盖于彩膜层70的上方，起到保护彩膜层70结构的同时，还可以使得第三金属层50的下方膜层尽量平整。本实施例的黑矩阵层60包括位于挖槽区NA1范围内的第一黑矩阵部601和位于挖槽区NA1范围之外的第二黑矩阵部602，彩膜层70包括位于挖槽区NA1范围内的第一彩膜部701和位于挖槽区NA1范围之外的第二彩膜部702，可选的，至少部分第二黑矩阵部602和至少部分第二彩膜部702位于显示区AA的范围内，用于形成显示区AA的子像素，实现效果。本实施例的第二黑矩阵部602包括多个第一镂空孔6021，第二彩膜部702包括多个第一色阻7021，第一色阻7021位于第一镂空孔6021内，可选的，第一色阻7021位于第一镂空孔6021内可以理解为沿平行于第一衬底10所在平面的方向Y，第一色阻7021的外径与第一镂空孔6021的孔径相同(如图9所示)，一个第一色阻7021恰好嵌合于第一镂空孔6021内；或者第一色阻7021位于第一镂空孔6021内还可以理解为沿平行于第一衬底10所在平面的方向Y，第一色阻7021的外径大于第一镂空孔6021的孔径(未附图示意)，使得一个第一色阻7021能够很好的覆盖住第一镂空孔6021，填满第二黑矩阵部602的第一镂空孔6021形成的孔隙。本实施例对于沿平行于第一衬底10所在平面的方向Y，第一色阻7021的外径与第一镂空孔6021的孔径大小不作具体限定，仅需满足至少部分第一色阻7021位于第一镂空孔6021内即可。

本实施例的挖槽区NA1包括第一黑矩阵部601和第一彩膜部701，可以通过将现有技术中仅设置在平坦化层30上方的黑矩阵层60和彩膜层70延伸设置到在挖槽区NA1范围内，使得挖槽区NA1的第一黑矩阵部601和第一彩膜部701也起到垫高挖槽区NA1内膜层的作用，通过与第一绝缘层40的共同配合，进一步减小因平坦化层30形成的段差，使得挖槽区NA1内可能残留的导电结构更接近曝光光源，更容易被曝光干净，进而进一步减小非显示区的线路短路的风险，提高产品良率。

可以理解的是，本实施例中对于挖槽区NA1内的第一黑矩阵部601和第一彩膜部701的具体结构不作限定，在挖槽区NA1内的第一黑矩阵部601和第一彩膜部701可以与挖槽区NA1之外的第二黑矩阵部602和第二彩膜部702同层同工艺制作，或者挖槽区NA1内的第一黑矩阵部601和第一彩膜部701也可以与挖槽区NA1之外的第二黑矩阵部602和第二彩膜部702同层但不同工艺制作，仅需满足挖槽区NA1也具有起到垫高作用的第一黑矩阵部601和第一彩膜部701即可。需要说明的是，本实施例中的挖槽区NA1内的第一黑矩阵部601和第一彩膜部701可以理解为虚拟黑矩阵部和虚拟彩膜部，其作用与显示无关，因此可以任意设置其形状，本实施例对此不作限定。

可选的，请结合参考图1和图10，图10是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，第一黑矩阵部601包括多个第二镂空孔6011，第一彩膜部701包括多个第二色阻7011，第二色阻7011位于第二镂空孔6011内；其中，在垂直于第一衬底10所在平面的方向Z上，第二色阻7011的厚度C1大于第一色阻7021的厚度C2。

本实施例解释说明了挖槽区NA1内的第一黑矩阵部601也可以包括多个第二镂空孔6011，第一彩膜部701包括多个第二色阻7011，即挖槽区NA1内的第一黑矩阵部601和第一彩膜部701和挖槽区NA1之外的第二黑矩阵部602和第二彩膜部702同层同工艺制作，可以降低黑矩阵层60和彩膜层70的制程难度。第一彩膜部701的第二色阻7011位于第一黑矩阵部601的第二镂空孔6011内，可以理解为沿平行于第一衬底10所在平面的方向Y，第二色阻7011的外径与第二镂空孔6011的孔径相同，一个第二色阻7011恰好嵌合于第二镂空孔6011内；或者第二色阻7011位于第二镂空孔6011内还可以理解为沿平行于第一衬底10所在平面的方向Y，第二色阻7011的外径大于第二镂空孔6011的孔径，使得一个第二色阻7011能够很好的覆盖住第二镂空孔6011，填满第一黑矩阵部601的第二镂空孔6011形成的孔隙。本实施例对于沿平行于第一衬底10所在平面的方向Y，第二色阻7011的外径与第二镂空孔6011的孔径大小不作具体限定，仅需满足至少部分第二色阻7011位于第二镂空孔6011内即可。

本实施例还设置了在垂直于第一衬底10所在平面的方向Z上，第二色阻7011的厚度C1大于第一色阻7021的厚度C2，即通过将挖槽区NA1内的第二色阻7011增厚，使得挖槽区NA1的第二色阻7011的厚度C1大于挖槽区NA1之外的第一色阻7021的厚度C2，进而可以进一步垫高挖槽区NA1内膜层，有利于进一步减小因平坦化层30的厚度造成的段差。

可选的，如图11所示，图11是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，本实施例通过增加挖槽区NA1的第二色阻7011的厚度C1，还可以使得挖槽区NA1内的保护层80远离第一衬底10一侧的表面80A与挖槽区NA1之外的平坦化层30远离第一衬底10一侧的表面30C齐平，进而可以更好的增加可能残留的金属受到的曝光光照，以更好解决短路问题。

在一些可选实施例中，请结合参考图1和图12，图12是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，挖槽区NA1内的第一黑矩阵部601在挖槽区NA1为整面结构，第一彩膜部701包括多个第三色阻7012，在垂直于第一衬底10所在平面的方向Z上，多个第三色阻7012位于第一黑矩阵部601远离第一衬底10的一侧。

本实施例解释说明了挖槽区NA1内的第一黑矩阵部601可以为整面结构，即不设置镂空孔用于放置第一彩膜部701，挖槽区NA1内的第一黑矩阵部601和挖槽区NA1之外的第二黑矩阵部602可以同层但不同工艺制作。由于挖槽区NA1的第一黑矩阵部601和第一彩膜部701可以理解为虚拟黑矩阵部和虚拟彩膜部，其作用与显示无关，因此将挖槽区NA1内的第一黑矩阵部601设置为整面结构，对显示区AA的显示效果无影响。本实施例将挖槽区NA1的第一彩膜部701仍然设置为包括多个第三色阻7012，在垂直于第一衬底10所在平面的方向Z上，多个第三色阻7012位于整面结构的第一黑矩阵部601远离第一衬底10的一侧，从而可以使得挖槽区NA1内的第一彩膜部701和挖槽区NA1之外的第二彩膜部702仍然可以同层同工艺制作，即第一色阻7021和第三色阻7012即使沉积的厚度相同，但是由于第一黑矩阵部601不设置镂空，因此也可以进一步垫高挖槽区NA1范围内的膜层，减小段差。

在一些可选实施例中，请结合参考图1和图13，图13是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，第一黑矩阵部601和第一彩膜部701在挖槽区NA1均为整面结构，在垂直于第一衬底10所在平面的方向Z上，第一彩膜部701位于第一黑矩阵部601远离第一衬底10的一侧。

本实施例解释说明了挖槽区NA1内的第一黑矩阵部601和第一彩膜部701可以均为整面结构，挖槽区NA1内的第一黑矩阵部601和挖槽区NA1之外的第二黑矩阵部602可以同层但不同工艺制作，挖槽区NA1内的第一彩膜部701和挖槽区NA1之外的第二彩膜部702可以同层但不同工艺制作。由于挖槽区NA1的第一黑矩阵部601和第一彩膜部701可以理解为虚拟黑矩阵部和虚拟彩膜部，其作用与显示无关，因此将挖槽区NA1内的第一黑矩阵部601和第一彩膜部701设置为整面结构，对显示区AA的显示效果无影响。在垂直于第一衬底10所在平面的方向Z上，整面结构的第一彩膜部701位于整面结构的第一黑矩阵部601远离第一衬底10的一侧，即整面设置完黑矩阵层60后，仅需对挖槽区NA1之外的第二黑矩阵部602进行镂空处理，然后即可设置彩膜层70，且也仅需对挖槽区NA1之外的第二彩膜部702进行图案化，以使得第二彩膜部702的第一色阻7021位于第二黑矩阵部602的第一镂空孔6021内，由于挖槽区NA1的第一黑矩阵部601和第一彩膜部701均为整面结构，因此也可以进一步垫高挖槽区NA1范围内的膜层，减小段差。

在一些可选实施例中，请结合参考图1和图14，图14是图1中A-A’向的另一种剖面结构示意图，本实施例中，在垂直于第一衬底10所在平面的方向Z上，第一彩膜部701包括堆叠设置的多个不同颜色的色阻子层701A。

本实施例解释说明了当挖槽区NA1的第一彩膜部701为整面结构时，一个色阻子层构成的第一彩膜部701在垂直于第一衬底10所在平面的方向Z上的厚度有限，因此为了进一步垫高挖槽区NA1的膜层，可以在显示面板000的挖槽区NA1之外制作不同颜色的第一色阻7021的制程中，也将挖槽区NA1内的第一彩膜部701设置为堆叠的多个不同颜色的色阻子层701A，该多个不同颜色的色阻子层701A可以与挖槽区NA1之外的多个不同颜色的第一色阻7021的颜色匹配，同一颜色的第一色阻7021和色阻子层701A可以采用相同材料制作，有利于减小段差的同时，还可以减少工艺步骤。

在一些可选实施例中，请结合参考图15和图16，图15是本发明实施例提供的显示面板的另一种平面结构示意图，图16是图15中B-B’向的剖面结构示意图，本实施例中，挖槽区NA1包括金属部90，金属部90与第三金属层50同层同材料；

在挖槽区NA1，显示面板000包括多条扇出引线100，一条扇出引线100至少包括第一子段100A、第二子段100B、第三子段100C，第二子段100B的两端分别与第一子段100A和第三子段100C电连接；

第二子段100B位于第一金属层201，第一子段100A和第三子段100C位于第二金属层202；

挖槽区NA1内，在平行于第一衬底10所在平面的方向上，沿第一子段100A的排列方向(如图12中的第一方向X)，金属部90的宽度为D1，相邻两个第一子段100A之间的距离为D2，D1＜D2。

本实施例解释说明了显示面板000的挖槽区NA1可以设置有多条扇出引线100，扇出引线100可以用于将显示面板000的显示区AA范围内的信号线与绑定焊盘03之间电连接。一条扇出引线100可以至少包括第一子段100A、第二子段100B、第三子段100C，第二子段100B的两端分别与第一子段100A和第三子段100C电连接，其中第一子段100A、第二子段100B、第三子段100C可以至少位于两个不同的金属层，即第二子段100B位于第一金属层201，第一子段100A和第三子段100C位于第二金属层202，由于第一金属层201和第二金属层202可以采用不同的金属材料制作，进而有利于减小阻抗的同时，还可以使得不同金属膜层的两条不同扇出引线100具有部分交叠的区域，有利于为扇出引线100提供更多的布线空间，避免相互之间距离过近造成短路。本实施例对于一条扇出引线100采用不同金属膜层的第一子段100A、第二子段100B、第三子段100C制作的效果不作具体赘述，具体可参考相关技术中的显示面板将扇出引线进行换线设计的结构进行理解。

本实施例的挖槽区NA1内也可以包括与第三金属层50同层同材料的金属部90，即在曝光第三金属层50的制程中，虽然通过第一绝缘层40减小了段差，但是也可能存在曝光强度不够有小部分第三金属层50的残留，即存在金属部90。本实施例设置在平行于第一衬底10所在平面的方向上，沿第一子段100A的排列方向(如图12中的第一方向X)，第一子段100A为一条扇出引线100中最靠***坦化层30侧面30A的部分，金属部90的宽度D1小于相邻两个第一子段100A之间的距离D2，从而可以使得即使挖槽区NA1的靠***坦化层30的侧面30A的区域有金属部90残留，但是该金属部90在第一方向X上的宽度D1较小，不足以将相邻两个第一子段100A连接短路(即使金属部90与一条扇出引线100的第一子段100A交叠，由于第一方向X上的宽度D1较小，不能将两条不同扇出引线100的两个第一子段100A短接)，因此本实施例的显示面板000仍然可以降低挖槽区NA1内线路短路的风险，提高产品良率。

可选的，请继续结合参考图15和图16，本实施例中，在显示面板000的显示区AA，显示面板000包括多条信号线S(本实施例中以信号线S为数据线为例进行示例)，第一子段100A与信号线S通过扇出线200电连接；扇出线200位于挖槽区NA1之外的非显示区NA；

在挖槽区NA1，显示面板000包括多个导电焊盘03，第三子段100C与导电焊盘03电连接。

本实施例解释说明了显示面板000的非显示区NA除了包括扇出引线100之外，还可以包括将扇出引线100的第一子段100A与显示区AA内的信号线S连接在一起的扇出线200，扇出线200的一端与信号线S靠近挖槽区NA1的一端连接，扇出线200的另一端与扇出引线100的第一子段100A连接，而扇出引线100的第三子段100C可以与显示面板000上设置的导电焊盘03电连接，导电焊盘03可以设置于挖槽区NA1范围内的距离显示区AA较远的区域，用于后续绑定驱动芯片或柔性电路板。本实施例的扇出线200的设置，可以将绑定焊盘03传输的外部驱动信号通过扇出引线100传输至显示面板000显示区AA的信号线S上，以实现显示面板的显示效果。

可以理解的是，本实施例对于扇出线200和扇出引线100的具体弯折形状、设置结构等不作赘述，具体可参考相关技术中能够尽量缩小边框宽度的显示面板的结构进行理解。

在一些可选实施例中，请结合参考图1-图2、图15-图16和图17、图18-图23(可以理解的是，本实施例的膜层结构图中仅示意出非显示区的显示面板的结构，显示区的膜层结构可参考相关技术中显示面板的制作流程进行理解，本实施例不作赘述)，图17是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的一种流程框图，图18是图17中提供的第一衬底10的结构示意图，图19是图17中制作完薄膜晶体管阵列层之后的结构示意图，图20是图17中制作完平坦化层之后的结构示意图，图21是图17中在非显示区形成挖槽区之后的结构示意图，图22是图17中制作完第一绝缘层之后的结构示意图，图23是图17中制作完第三金属层之后的结构示意图，本实施例提供的制作方法，用于制作上述实施例中的显示面板000，制作方法包括：

S10：提供第一衬底10，如图18所示；

S11：在第一衬底10的一侧制作薄膜晶体管阵列层20，使得薄膜晶体管阵列层20至少包括相互绝缘的第一金属层201和第二金属层202，如图19所示；

S12：在薄膜晶体管阵列层20远离第一衬底10的一侧制作平坦化层30，如图20所示；

S13：在非显示区NA刻蚀平坦化层30，形成挖槽区NA1，使得挖槽区NA1不包括平坦化层30，如图21所示；可选的，制作完成的相互绝缘的第一金属层201和第二金属层202后，可以使得在挖槽区NA1，显示面板000包括多条扇出引线100，一条扇出引线100至少包括第一子段100A、第二子段100B、第三子段100C，第二子段100B的两端分别与第一子段100A和第三子段100C电连接；第二子段100B位于第一金属层201，第一子段100A和第三子段100C位于第二金属层202；

S14：在平坦化层30远离第一衬底10的一侧制作第一绝缘层40，使得第一绝缘层40位于显示区AA和非显示区NA，如图22所示；

S15：在第一绝缘层40远离第一衬底10的一侧制作第三金属层50，如图23所示。

本实施例提供的制作方法中，通过在制作第三金属层50之前，在平坦化层30上方先制作一层第一绝缘层40，使得挖槽区NA1内的膜层被垫高，可选的，如图22所示，第一绝缘层40制作完后，在挖槽区NA1，第一绝缘层40远离第一衬底10的一侧为第一表面40A，在挖槽区NA1之外，平坦化层30远离第一衬底10一侧的表面为第二表面30C；在垂直于第一衬底10所在平面的方向Z上，第一表面40A与第二表面30C之间的距离H范围为2.0μm-3.3μm，可选的，在垂直于第一衬底10所在平面的方向Z上，第一表面40A与第二表面30C之间的距离H可以为2.2-2.7μm，通过第一绝缘层40的设置，将制作第三金属层50之前的平坦化层30的段差减小，可选的可以减小至到2.0μm-3.3μm或者2.2-2.7μm，有利于后续制程中，对第三金属层50曝光图案化时，将可能残留在挖槽区NA1靠***坦化层30侧壁区域的导电结构更接近曝光光源，使得残留的第三金属层50更容易被曝光干净，进而有利于减小非显示区的线路短路的风险，进而可以提高显示面板000产品良率。

可以理解的是，本实施例的制作方法制作的显示面板000具有上述实施例中的显示面板的有益效果，本实施例在此不作赘述，具体可参考上述实施例中的有益效果进行理解。

需要说明的是，本实施例的显示面板的制作方法包括但不仅限于上述制程步骤，还可以包括其他如图案化个膜层，设置两个金属膜层之间的绝缘层等制程步骤，具体实施时，可根据相关技术中的制程工艺进行理解。

在一些可选实施例中，请结合参考图1、图5、图6和图24、图25，图24是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的另一种流程框图，图25是图24中刻蚀完第一绝缘层之后的结构示意图，本实施例提供的制作方法中，在第一绝缘层40远离第一衬底10的一侧制作第三金属层50之后，还包括：

S16：刻蚀第一绝缘层40，至少使得挖槽区NA1的第一区NA11不包括第一绝缘层40；其中，第一区NA11为在平行于第一衬底10所在平面的方向Y上，挖槽区NA1中靠近显示区AA的区域，如图25所示。

本实施例解释说明了在第一绝缘层40远离第一衬底10的一侧制作第三金属层50之后，包括在对第三金属层50进行曝光图案化之后，还可以包括刻蚀第一绝缘层40，至少使得挖槽区NA1的第一区NA11不包括第一绝缘层40；其中，第一区NA11为在平行于第一衬底10所在平面的方向Y上，挖槽区NA1中靠近显示区AA的区域，该第一区NA11相比于挖槽区NA1中除该第一区NA11以外的区域，更靠近显示区AA的一个区域范围，可选的，第一区NA11可以包括的范围较小(如图5所示)，第一区NA11也可以包括的范围稍大些(如图6所示)，或者也可以将挖槽区NA1的所有第一绝缘层40均刻蚀(挖槽区NA1即为第一区NA11)，本实施例不作具体限定。第一区NA11可以指紧挨着挖槽区NA1外的平坦化层30的侧面30A的小部分区域，该区域由于平坦化层30的侧壁与第一衬底10所在平面形成的夹角较为垂直，因此在第三金属层50的曝光过程中更容易在该第一区NA11残留。本实施例设置至少在挖槽区NA1的第一区NA11范围内不包括第一绝缘层40，即该第一区NA11范围内的第一绝缘层40被刻蚀干净，那么假设在对第三金属层50曝光之后，在该第一区NA11的第一绝缘层40被刻蚀之前有残留金属，即段差减小后可能因制程工艺时曝光不均匀或工艺误差，导致仍然有较小的细微的第三金属层50的残留结构留在该第一区NA11内，也会在对第一区NA11的第一绝缘层40的刻蚀过程中被刻蚀干净，从而进一步可以降低挖槽区NA1线路短路的风险，更加有效的提高显示面板000产品良率。

在一些可选实施例中，请结合参考图1、图5、图6、图18-图23和图26、图27，图26是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的另一种流程框图，图27是图26中制作完第三金属层之后的结构示意图，本实施例提供的制作方法包括：

S20：提供第一衬底10，如图18所示；

S21：在第一衬底10的一侧制作薄膜晶体管阵列层20，使得薄膜晶体管阵列层20至少包括相互绝缘的第一金属层201和第二金属层202，如图19所示；

S22：在薄膜晶体管阵列层20远离第一衬底10的一侧制作平坦化层30，如图20所示；

S23：在非显示区NA刻蚀平坦化层30，形成挖槽区NA1，使得挖槽区NA1不包括平坦化层30，如图21所示；

S24：在平坦化层30远离第一衬底10的一侧制作第一绝缘层40，使得第一绝缘层40位于显示区AA和非显示区NA，如图22所示；

S25：在第一绝缘层40远离第一衬底10的一侧制作第三金属层50，如图27所示；

S26：曝光第三金属层50，使得挖槽区NA1不包括第三金属层50，如图23所示。

本实施例解释说明了由于在制作完整面的第三金属层50所在金属膜层，并对第三金属层50曝光图案化之前，在平坦化层30和第三金属层50之间先设置了第一绝缘层40，相当于挖槽区NA1的膜层被第一绝缘层40垫高，减少了因平坦化层30的厚度造成的段差，进而使得在曝光第三金属层50时，挖槽区NA1内可能残留的金属会更接近曝光光源，使得残留的第三金属层50更容易被曝光干净，因此在曝光第三金属层50之后，挖槽区NA1可以不包括第三金属层50，即没有任何曝光残留的第三金属层50在挖槽区NA1范围内，进而降低了非显示区的线路短路的风险，提高了显示面板000产品良率。

在一些可选实施例中，请结合参考图15-图16、图18-图22、图27和图28、图29，图28是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的另一种流程框图，图29是图28中曝光第三金属层之后的结构示意图，本实施例提供的制作方法包括：

S30：提供第一衬底10，如图18所示；

S31：在第一衬底10的一侧制作薄膜晶体管阵列层20，使得薄膜晶体管阵列层20至少包括相互绝缘的第一金属层201和第二金属层202，如图19所示；

S32：在薄膜晶体管阵列层20远离第一衬底10的一侧制作平坦化层30，如图20所示；

S33：在非显示区NA刻蚀平坦化层30，形成挖槽区NA1，使得挖槽区NA1不包括平坦化层30，如图21所示；

S34：在平坦化层30远离第一衬底10的一侧制作第一绝缘层40，使得第一绝缘层40位于显示区AA和非显示区NA，如图22所示；

S35：在第一绝缘层40远离第一衬底10的一侧制作第三金属层50，如图27所示；

S36：曝光第三金属层50，使得在挖槽区NA1，第三金属层50包括金属部90，且在平行于第一衬底10所在平面的方向Y上，沿第一子段100A的排列方向(第一方向X)，金属部90的宽度为D1，相邻两个第一子段100A之间的距离为D2，D1＜D2(如图15所示)。

本实施例提供的制作方法中，在曝光第三金属层50的制程中，虽然通过第一绝缘层40减小了段差，但是也可能存在曝光强度不够有小部分第三金属层50的残留，即存在金属部90。但是由于曝光时挖槽区NA1内的残留金属部90已比较接近曝光光源，因此可以被曝光的尽量小，使得最终在平行于第一衬底10所在平面的方向上，沿第一子段100A的排列方向(如图12中的第一方向X)，残留的金属部90的宽度D1小于相邻两个第一子段100A之间的距离D2，从而可以使得即使挖槽区NA1的靠***坦化层30的侧面的区域有金属部90残留，但是该金属部90在第一方向X上的宽度D1较小，不足以将相邻两个第一子段100A连接短路，仍然可以降低挖槽区NA1内线路短路的风险，提高产品良率。

在一些可选实施例中，请结合参考图1-图2和图18-图20、图30-图33，图30是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的另一种流程框图，图31是图30中在非显示区形成挖槽区之后的结构示意图，图32是图30中制作完第一绝缘层之后的结构示意图，图33是图30中制作完第三金属层之后的结构示意图，本实施例提供的制作方法，包括：

S40：提供第一衬底10，如图18所示；

S41：在第一衬底10的一侧制作薄膜晶体管阵列层20，使得薄膜晶体管阵列层20至少包括相互绝缘的第一金属层201和第二金属层202，如图19所示；

S42：在薄膜晶体管阵列层20远离第一衬底10的一侧制作平坦化层30，如图20所示；

S43：在非显示区NA刻蚀平坦化层30，形成挖槽区NA1，使得挖槽区NA1不包括平坦化层30；使得在垂直于第一衬底10所在平面的方向Z上，刻蚀后的平坦化层30包括朝向第一衬底10一侧的底面30B；在平行于第一衬底10所在平面的方向Y上，刻蚀后的平坦化层30包括朝向挖槽区NA1的侧面30A；底面30B与侧面30A相交形成的夹角α小于90度，如图30所示。

S44：在平坦化层30远离第一衬底10的一侧制作第一绝缘层40，使得第一绝缘层40位于显示区AA和非显示区NA，如图31所示；

S45：在第一绝缘层40远离第一衬底10的一侧制作第三金属层50，如图32所示。

本实施例在制作平坦化层30的过程中，对非显示区NA内的平坦化层30刻蚀时，可以使得最终平坦化层30朝向挖槽区NA1的侧面30A带有一定坡度的结构，具体为在非显示区NA刻蚀平坦化层30，形成挖槽区NA1，使得挖槽区NA1不包括平坦化层30，且在垂直于第一衬底10所在平面的方向Z上，刻蚀后的平坦化层30包括朝向第一衬底10一侧的底面30B；在平行于第一衬底10所在平面的方向Y上，刻蚀后的平坦化层30包括朝向挖槽区NA1的侧面30A；底面30B与侧面30A相交形成的夹角α小于90度，可选的底面30B与侧面30A相交形成的夹角α可以为45°、60°、65°、70°、75°、80°等任意小于90度的坡度角，本实施例不作具体限定，具体实施时，可以根据实际需求设置，从而可以使得平坦化层30朝向挖槽区NA1的侧面30A倾斜设置，尽可能朝向显示面板的正上方的曝光光源所在的位置方向倾斜，以受到更多的光照，有利于在因平坦化层30造成的段差减小后，进一步使得可能残留的金属被曝光干净，进一步减小短路风险。

在一些可选实施例中，请结合参考图18、图19、图34-图40，图34是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的另一种流程框图，图35是图34中制作完第一子层之后的结构示意图，图36是图34中刻蚀完第一子层之后的结构示意图，图37是图34中制作完第二子层之后的结构示意图，图38是图34中刻蚀完第二子层之后的结构示意图，图39是图34中制作完第一绝缘层之后的结构示意图，图40是图34中制作完第三金属层之后的结构示意图，本实施例提供的制作方法，用于制作上述实施例中的显示面板000，制作方法包括：

S50：提供第一衬底10，如图18所示；

S51：在第一衬底10的一侧制作薄膜晶体管阵列层20，使得薄膜晶体管阵列层20至少包括相互绝缘的第一金属层201和第二金属层202，如图19所示；

S52：在薄膜晶体管阵列层20远离第一衬底10的一侧制作第一子层301，如图35所示；

S53：在非显示区NA刻蚀第一子层301，形成挖槽区NA1，挖槽区NA1不包括第一子层301，在垂直于第一衬底10所在平面的方向Z上，使得刻蚀后的第一子层301包括朝向第一衬底10一侧的第一底面301B；在平行于第一衬底10所在平面的方向Y上，使得刻蚀后的第一子层301包括朝向挖槽区NA1的第一侧面301A；第一底面301B与第一侧面301A相交形成的夹角为α1，如图36所示；

S54：在第一子层301远离第一衬底10的一侧制作第二子层302，使得第二子层302覆盖第一子层301，如图37所示；

S55：在非显示区NA刻蚀第二子层302，使得挖槽区NA1不包括第二子层302，在垂直于第一衬底10所在平面的方向Z上，使得刻蚀后的第二子层302包括朝向第一衬底10一侧的第二底面302B；在平行于第一衬底10所在平面的方向Y上，使得刻蚀后的第二子层302包括朝向挖槽区NA1的第二侧面302A；第二底面302B与第二侧面302A相交形成的夹角为α2；其中，α1＞α2，α2＜90°，如图38所示，第一子层301和第二子层302形成了平坦化层30；

S56：在第二子层302远离第一衬底10的一侧制作第一绝缘层40，使得第一绝缘层40位于显示区AA和非显示区NA，如图39所示；

S57：在第一绝缘层40远离第一衬底10的一侧制作第三金属层50，如图40所示。

本实施例解释说明了为了使得平坦化层30朝向挖槽区NA1的侧面30A带有一定坡度的结构，可以将平坦化层30分为至少两个子层分层制作，两个子层分开制作最终制得的平坦化层30的侧面更容易形成坡度。即先在薄膜晶体管阵列层20远离第一衬底10的一侧制作第一子层301，然后在非显示区NA刻蚀该第一子层301，形成挖槽区NA1，使得挖槽区NA1不包括第一子层301，第一子层301的第一底面301B与第一侧面301A相交形成的夹角α1可以小于90度也可以等于90度。然后在第一子层301远离第一衬底10的一侧制作平坦化层30的第二子层302，使得第二子层302覆盖第一子层301后，再进行刻蚀，最终形成第二子层302的第二底面302B与第二侧面302A相交形成的夹角α2小于90°，可选的α1＞α2，可选的α2可以为45°、60°、65°、70°、75°、80°等任意小于90度的坡度角，本实施例不作具体限定，具体实施时，可以根据实际需求设置，从而可以使得平坦化层30的第二子层302朝向挖槽区NA1的第二侧面302A倾斜设置，尽可能朝向显示面板的正上方的曝光光源所在的位置方向倾斜，以受到更多的光照，有利于在因平坦化层30造成的段差减小后，进一步使得可能残留的金属被曝光干净，进一步减小短路风险。

可以理解的是，本实施例中的第一子层301和第二子层302可以采用相同材质的透明绝缘材料，也可以采用不同材质的透明绝缘材料，本实施例不作限定，具体实施时，可根据实际需求设置。

在一些可选实施例中，请结合参考图1、图9-图14、图41，图41是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的另一种流程框图，本实施例提供的制作方法中，在制作第三金属层50之前，还包括：

S140：在第一绝缘层40远离第一衬底10的一侧制作黑矩阵层60，使得黑矩阵层60包括第一黑矩阵部601和第二黑矩阵部602，第一黑矩阵部601位于挖槽区NA1，第二黑矩阵部602位于挖槽区NA1之外，第二黑矩阵部602包括多个第一镂空孔6021；

S141：在黑矩阵层60远离第一衬底10的一侧制作彩膜层70，使得彩膜层70包括第一彩膜部701和第二彩膜部702，第一彩膜部701位于挖槽区NA1，第二彩膜部702位于挖槽区NA1之外，第二彩膜部702包括多个第一色阻7021，第一色阻7021位于第一镂空孔6021内；

S142：在彩膜层70远离第一衬底10的一侧制作保护层80，使得保护层80覆盖彩膜层70。

本实施例提供的制作方法中，在制作第三金属层50之前，还可以在第一绝缘层40上制作黑矩阵层60和彩膜层70，并通过保护层80覆盖保护。即本实施例制作的显示面板000可以为采用将彩色滤光片整合于阵列基板(Color filter On Array，COA)技术的显示面板，即第一衬底10上设置有薄膜晶体管阵列层20的同时，还包括彩色色阻，COA结构可以提高面板开口率，改善面板显示品质。本实施例的挖槽区NA1也制作第一黑矩阵部601和第一彩膜部701，可以通过将现有技术中仅设置在平坦化层30上方的黑矩阵层60和彩膜层70延伸制作到在挖槽区NA1范围内，使得挖槽区NA1的第一黑矩阵部601和第一彩膜部701也起到垫高挖槽区NA1内膜层的作用，通过与第一绝缘层40的共同配合，进一步减小因平坦化层30形成的段差，使得挖槽区NA1内可能残留的导电结构更接近曝光光源，更容易被曝光干净，进而进一步减小非显示区的线路短路的风险，提高产品良率。

可以理解的是，本实施例对于黑矩阵层60的第一黑矩阵部601和第二黑矩阵部602、彩膜层70的第一彩膜部701和第二彩膜部702的具体结构不作赘述，具体可参考图9-图14对应的实施例进行理解。

在一些可选实施例中，请参考图42，图42是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，本实施例提供的显示装置111，包括本发明上述实施例提供的柔性显示面板000。图42实施例仅以手机为例，对显示装置111进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置111，可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置111，本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置111，具有本发明实施例提供的显示面板000的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板000的具体说明，本实施例在此不再赘述。

通过上述实施例可知，本发明提供的显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：

本发明的显示面板中，在平坦化层远离第一衬底的一侧还包括第一绝缘层，第一绝缘层远离第一衬底的一侧再设置第三金属层，即本发明的显示面板在制作完平坦化层之后先制作一层第一绝缘层后再设置其他导电层，如第三金属层。本发明的非显示区包括挖槽区，挖槽区不包括平坦化层，即非显示区的挖槽区可以理解为在整层的平坦化结构制作完后，在挖槽区对应位置进行刻蚀处理，形成不包括平坦化层的挖槽区，然后再进行平坦化层后续膜层的制作。本发明的第三金属层和平坦化层之间还包括第一绝缘层，使得显示面板的非显示区形成挖槽区后，挖槽区通过第一绝缘层的设置，相当于垫高了挖槽区的膜层，使得后续制作完第三金属层后，由于挖槽区的膜层被第一绝缘层垫高，则减小了平坦化层原本形成的段差，进而使得挖槽区内可能残留的导电结构，如制作第三金属层时可能残留在挖槽区靠***坦化层侧壁区域的导电结构更接近曝光光源，使得残留的导电结构更容易被曝光干净，进而有利于减小非显示区的线路短路的风险，有利于降低质量安全隐患发生的概率，进而可以提高显示面板产品良率。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (20)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：显示区和围绕所述显示区设置的非显示区；

所述显示面板包括：

第一衬底；

薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层位于所述第一衬底的一侧；所述薄膜晶体管阵列层至少包括相互绝缘的第一金属层和第二金属层；

平坦化层，所述平坦化层位于所述薄膜晶体管阵列层远离所述第一衬底的一侧；

第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述平坦化层远离所述第一衬底的一侧；

第三金属层，所述第三金属层位于所述第一绝缘层远离所述第一衬底的一侧；

所述非显示区包括挖槽区，所述挖槽区不包括所述平坦化层。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

在平行于所述第一衬底所在平面的方向上，所述挖槽区包括靠近所述显示区的第一区；

所述第一区不包括所述第一绝缘层。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述挖槽区不包括第三金属层。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述第一衬底所在平面的方向上，所述平坦化层包括朝向所述第一衬底一侧的底面；在平行于所述第一衬底所在平面的方向上，所述平坦化层包括朝向所述挖槽区的侧面；所述底面与所述侧面相交形成的夹角小于90度。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一绝缘层和所述第三金属层之间还包括黑矩阵层、彩膜层、保护层，所述黑矩阵层位于所述第一绝缘层远离所述第一衬底的一侧，所述彩膜层位于所述黑矩阵层远离所述第一衬底的一侧，所述保护层位于所述彩膜层远离所述第一衬底的一侧；

所述黑矩阵层包括第一黑矩阵部和第二黑矩阵部，所述彩膜层包括第一彩膜部和第二彩膜部，所述第一黑矩阵部和所述第一彩膜部位于所述挖槽区，所述第二黑矩阵部和所述第二彩膜部位于所述挖槽区之外；

所述第二黑矩阵部包括多个第一镂空孔，所述第二彩膜部包括多个第一色阻，所述第一色阻位于所述第一镂空孔内。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，

所述第一黑矩阵部包括多个第二镂空孔，所述第一彩膜部包括多个第二色阻，所述第二色阻位于所述第二镂空孔内；其中，在垂直于所述第一衬底所在平面的方向上，所述第二色阻的厚度大于所述第一色阻的厚度。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，

所述第一黑矩阵部在所述挖槽区为整面结构，所述第一彩膜部包括多个第三色阻，在垂直于所述第一衬底所在平面的方向上，多个所述第三色阻位于所述第一黑矩阵部远离所述第一衬底的一侧。

8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，

所述第一黑矩阵部和所述第一彩膜部在所述挖槽区均为整面结构，在垂直于所述第一衬底所在平面的方向上，所述第一彩膜部位于所述第一黑矩阵部远离所述第一衬底的一侧。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述第一衬底所在平面的方向上，所述第一彩膜部包括堆叠设置的多个不同颜色的色阻子层。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述挖槽区包括金属部，所述金属部与所述第三金属层同层同材料；

在所述挖槽区，所述显示面板包括多条扇出引线，一条所述扇出引线至少包括第一子段、第二子段、第三子段，所述第二子段的两端分别与所述第一子段和所述第三子段电连接；

所述第二子段位于所述第一金属层，所述第一子段和所述第三子段位于所述第二金属层；

所述挖槽区内，在平行于所述第一衬底所在平面的方向上，沿所述第一子段的排列方向，所述金属部的宽度为D1，相邻两个所述第一子段之间的距离为D2，D1＜D2。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，

在所述显示区，所述显示面板包括多条信号线，所述第一子段与所述信号线通过扇出线电连接；所述扇出线位于所述挖槽区之外的所述非显示区；

在所述挖槽区，所述显示面板包括多个导电焊盘，所述第三子段与所述导电焊盘电连接。

12.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法用于制作权利要求1-11任一项所述的显示面板；所述制作方法包括：

提供第一衬底；

在所述第一衬底的一侧制作薄膜晶体管阵列层，使得所述薄膜晶体管阵列层至少包括相互绝缘的第一金属层和第二金属层；

在所述薄膜晶体管阵列层远离所述第一衬底的一侧制作平坦化层；

在所述非显示区刻蚀所述平坦化层，形成挖槽区，使得所述挖槽区不包括所述平坦化层；

在所述平坦化层远离所述第一衬底的一侧制作第一绝缘层，使得所述第一绝缘层位于所述显示区和所述非显示区；

在所述第一绝缘层远离所述第一衬底的一侧制作第三金属层。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，在所述第一绝缘层远离所述第一衬底的一侧制作第三金属层之后，还包括：

刻蚀所述第一绝缘层，至少使得所述挖槽区的第一区不包括所述第一绝缘层；其中，所述第一区为在平行于所述第一衬底所在平面的方向上，所述挖槽区中靠近所述显示区的区域。

14.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，在所述第一绝缘层远离所述第一衬底的一侧制作第三金属层之后，还包括：

曝光所述第三金属层，使得所述挖槽区不包括所述第三金属层。

15.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，在所述第一衬底的一侧制作薄膜晶体管阵列层，包括：

在所述第一衬底一侧制作相互绝缘的所述第一金属层和所述第二金属层，使得在所述挖槽区，所述显示面板包括多条扇出引线，一条所述扇出引线至少包括第一子段、第二子段、第三子段，所述第二子段的两端分别与所述第一子段和所述第三子段电连接；所述第二子段位于所述第一金属层，所述第一子段和所述第三子段位于所述第二金属层。

16.根据权利要求15所述的制作方法，其特征在于，在所述第一绝缘层远离所述第一衬底的一侧制作第三金属层之后，还包括：

曝光所述第三金属层，使得在所述挖槽区，所述第三金属层包括金属部，且在平行于所述第一衬底所在平面的方向上，沿所述第一子段的排列方向，所述金属部的宽度为D1，相邻两个所述第一子段之间的距离为D2，D1＜D2。

17.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，在所述非显示区刻蚀所述平坦化层，形成挖槽区，使得所述挖槽区不包括所述平坦化层，包括：

在垂直于所述第一衬底所在平面的方向上，刻蚀后的所述平坦化层包括朝向所述第一衬底一侧的底面；在平行于所述第一衬底所在平面的方向上，刻蚀后的所述平坦化层包括朝向所述挖槽区的侧面；所述底面与所述侧面相交形成的夹角小于90度。

18.根据权利要求17所述的制作方法，其特征在于，

在所述薄膜晶体管阵列层远离所述第一衬底的一侧制作平坦化层，包括：

在所述薄膜晶体管阵列层远离所述第一衬底的一侧制作第一子层，在所述非显示区刻蚀所述第一子层，在垂直于所述第一衬底所在平面的方向上，使得刻蚀后的所述第一子层包括朝向所述第一衬底一侧的第一底面；在平行于所述第一衬底所在平面的方向上，使得刻蚀后的所述第一子层包括朝向所述挖槽区的第一侧面；所述第一底面与所述第一侧面相交形成的夹角为α1；

在所述第一子层远离所述第一衬底的一侧制作第二子层，使得所述第二子层覆盖所述第一子层；

在所述非显示区刻蚀所述第二子层，在垂直于所述第一衬底所在平面的方向上，使得刻蚀后的所述第二子层包括朝向所述第一衬底一侧的第二底面；在平行于所述第一衬底所在平面的方向上，使得刻蚀后的所述第二子层包括朝向所述挖槽区的第二侧面；所述第二底面与所述第二侧面相交形成的夹角为α2；

其中，α1＞α2，α2＜90°。

19.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，在制作所述第三金属层之前，还包括：

在所述第一绝缘层远离所述第一衬底的一侧制作黑矩阵层，使得所述黑矩阵层包括第一黑矩阵部和第二黑矩阵部，所述第一黑矩阵部位于所述挖槽区，所述第二黑矩阵部位于所述挖槽区之外，所述第二黑矩阵部包括多个第一镂空孔；

在所述黑矩阵层远离所述第一衬底的一侧制作彩膜层，使得所述彩膜层包括第一彩膜部和第二彩膜部，所述第一彩膜部位于所述挖槽区，所述第二彩膜部位于所述挖槽区之外，所述第二彩膜部包括多个第一色阻，所述第一色阻位于所述第一镂空孔内；

在所述彩膜层远离所述第一衬底的一侧制作保护层，使得所述保护层覆盖所述彩膜层。

20.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-11任一项所述的显示面板。

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