CN118215367A - 显示面板及制备方法以及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示面板的技术领域,具体提供一种显示面板,旨在解决现有显示面板封装效果不佳的问题。为此目的,本发明提供的显示面板包括衬底和至少一道隔离柱,隔离柱设置于阻隔区且围绕开孔区,隔离柱包括金属层,金属层包括沿远离衬底方向依次层叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层,第三导电层的材料为透明导电材料。在构图工艺的曝光阶段,光能够直接透过第三导电层照射至侧蚀区,从而使侧蚀区内的有机材料能充分曝光,之后在显影或者去除有机胶的阶段去除位于侧蚀区内的有机材料,避免在侧蚀区内聚集残余胶体,使得封装材料能够填充至侧蚀区内,从而提升显示面板的封装效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板的技术领域,具体提供一种显示面板及制备方法以及显示装置。
背景技术
当下全面屏成为发展趋势,为了提高屏占比,许多显示产品在显示区内设置开孔区,将摄像头等传感器放在开孔区的下方,以减小屏幕边框,提高占屏比。
这种类型的显示面板被划分为开孔区、阻隔区和显示区,阻隔区围绕显示区设置,显示区围绕阻隔区设置。为了阻碍水氧从开孔区侵入显示区,在阻隔区内设置隔离柱,隔离柱内容易残留有机材料,影响显示面板的封装效果。
发明内容
本发明旨在解决现有技术的问题,提供一种显示面板及制备方法以及显示装置。
在第一方面,本发明提供一种显示面板,包括:衬底;设置在所述衬底上的开孔区、围绕所述开孔区的显示区以及位于所述开孔区和所述显示区之间的阻隔区;至少一道隔离柱,设置于所述阻隔区且围绕所述开孔区,所述隔离柱包括金属层,所述金属层包括沿远离所述衬底方向依次层叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层,所述第三导电层在所述衬底的正投影范围大于所述第二导电层在所述衬底的正投影范围,以使得所述第三导电层具有第一屋檐结构,所述第三导电层的材料为透明导电材料。
在一些示例性实施方式中,所述第三导电层的材料为铟镓锌氧化物或者氧化铟锡。
在一些示例性实施方式中,所述显示区包括薄膜晶体管和存储电容;所述薄膜晶体管包括位于所述衬底上的有源层,位于所述有源层远离所处衬底一侧的栅极、栅绝缘层和层间绝缘层,以及位于所述层间绝缘层远离所述衬底一侧的源漏电极层;所述源漏电极层包括沿远离所述衬底方向依次层叠的第一金属子层、第二金属子层和第三金属子层,所述第一金属子层和所述第一导电层同层设置,所述第二金属子层和所述第二导电层同层设置;所述存储电容包括第一极板和第二极板,所述第一极板与所述栅极同层设置,所述第二极板位于所述栅绝缘层和所述层间绝缘层之间。
在一些示例性实施方式中,所述第三金属子层与所述第三导电层同层设置。
在一些示例性实施方式中,所述至少一道隔离柱包括第一隔离柱和第二隔离柱,所述第一隔离柱位于所述第二隔离柱朝向所述开孔区的一侧;所述第一隔离柱和所述第二隔离柱之间设置填充层,所述填充层填充于以下至少之一的位置:所述第一隔离柱靠近所述第二隔离柱一侧的所述第一屋檐结构的下方区域;所述第二隔离柱靠近所述第一隔离柱一侧的所述第一屋檐结构的下方区域。
在一些示例性实施方式中,所述显示面板还包括:设置在所述衬底上的非显示区,所述非显示区围绕所述显示区,所述非显示区包括邦定区,其中,所述邦定区包括:电源输入端,与为所述显示区提供电源信号的电源线电连接,所述电源输入端包括第二屋檐结构,所述电源输入端与所述金属层同层设置。
在第二方面,本发明还提供一种显示面板的制备方法,包括:提供衬底,所述衬底设置有开孔区,围绕所述开孔区的显示区以及位于所述开孔区和所述显示区之间的阻隔区;在所述阻隔区内形成围绕所述开孔区的至少一道隔离柱,所述隔离柱包括金属层,所述金属层包括沿远离所述衬底方向依次层叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层,所述第三导电层的材料为透明导电材料,所述第三导电层被形成为具有第一屋檐结构,其中,在形成像素界定层的过程中所述第一屋檐结构下方填充有有机材料。
在一些示例性实施方式中,“在所述阻隔区内形成围绕所述开孔区的至少一道隔离柱”包括:形成所述第一导电层的材料层;形成所述第二导电层的材料层;形成所述第三导电层的材料层;通过同一构图工艺形成所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层。
在一些示例性实施方式中,所述制备方法还包括:在所述显示区内形成源漏电极层,所述源漏电极层包括沿远离所述衬底方向依次设置的第一金属子层、第二金属子层和第三金属子层,其中,所述第一金属子层的材料层与所述第一导电层的材料层同层形成,所述第二金属子层的材料层与所述第二导电层的材料层同层形成。
在一些示例性实施方式中,所述制备方法还包括:形成平坦层,在形成所述平坦层时,所述第二导电层形成第一侧蚀;形成阳极层,在形成所述阳极层时,所述第二导电层形成第二侧蚀,使所述第三导电层形成第一屋檐结构;形成像素界定层,在形成所述像素界定层时,所述像素界定层的有机材料填充在所述第一屋檐结构下方。
在一些示例性实施方式中,所述衬底上还设置非显示区,所述非显示区围绕所述显示区,所述非显示区包括邦定区;所述制备方法还包括:在所述邦定区内形成电源输入端,所述电源输入端与为所述显示区提供电源信号的电源线电连接,所述电源输入端被形成为具有第二屋檐结构,其中在形成所述显示面板的过程中在所述第二屋檐结构下方填充有机材料,所述电源输入端与所述金属层同时形成。
在第三方面,本发明提供一种显示装置,包括上述的显示面板。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
本发明提供的显示面板包括衬底和至少一道隔离柱,衬底上设置开孔区、围绕开孔区的显示区以及位于开孔区和显示区之间的阻隔区;隔离柱设置于阻隔区且围绕开孔区,隔离柱包括金属层,金属层包括沿远离衬底方向依次层叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层,第三导电层在衬底的正投影范围大于第二导电层在衬底的正投影范围,以使得第三导电层具有第一屋檐结构,第三导电层的材料为透明导电材料。在构图工艺的曝光阶段,光能够直接透过第三导电层照射至侧蚀区,从而使侧蚀区内的有机材料能充分曝光,之后在显影或者去除有机胶的阶段去除位于侧蚀区内的有机材料,避免在侧蚀区内聚集残余胶体,使得封装材料能够填充至侧蚀区内,从而提升显示面板的封装效果。
附图说明
下面结合附图来描述本发明的优选实施方式,附图中:
图1是本发明至少一实施例提供的显示面板的平面图;
图2A是图1沿A-A向的第一种截面示意图;
图2B是图1沿B-B向的第一种截面示意图;
图3是本发明至少一实施例提供的显示面板隔离柱中金属层的截面图;
图4是本发明至少一实施例提供的显示面板中源漏电极层的截面图;
图5A是图1沿A-A向的第二种截面示意图;
图5B是图1沿B-B向的第二种截面示意图;
图6是本发明至少一实施例提供的显示面板在邦定区的平面图;
图7是图6中沿C-C向的截面示意图;
图8A-图8J为本公开至少一实施例提供的显示面板在制备过程中的截面示意图。
附图标记说明:
AA、显示区;NA、非显示区;BA、邦定区;20、阻隔区;21、隔离柱;211、金属层;2111、第一导电层;2112、第二导电层;2113、第三导电层;212、第一金属膜层;213、第一绝缘膜层;214、第二金属膜层;215、第二绝缘膜层;22、隔离坝;23、填充层;30、开孔区;40、子像素;50、像素驱动电路;EL、发光元件;10、第一电源总线;12、第一电源子线;13、第二电源线;11、电源输入端;111、第一电源输入端;112、第二电源输入端;3、衬底;31、阻挡层;32、缓冲层;4、薄膜晶体管;41、有源层;42、栅极;43、栅绝缘层;431、第一栅绝缘层;432、第二栅绝缘层;44、间绝缘层;45、源漏电极层;451、第一金属子层;452、第二金属子层;453、第三金属子层;46、底栅;5、存储电容;51、第一极板;52、第二极板;61、平坦层;62、像素界定层;63、隔垫物;64、阳极层;65、发光层;66、阴极层;7、封装层;8、侧蚀区;91、第一屋檐结构;92、第二屋檐结构。
具体实施方式
下面参照附图来描述本发明的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是,这些实施方式仅仅用于解释本发明的技术原理,并非旨在限制本发明的保护范围。
需要说明的是,在本发明的描述中,术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系,这仅仅是为了便于描述,而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
此外,还需要说明的是,在本发明的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“设置”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,还可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言,可根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
显示面板包括衬底,衬底划分为开孔区、阻隔区和显示区,显示区围绕阻隔区设置,阻隔区位于显示区和开孔区之间。显示面板还可以包括图像传感器和/或红外传感器,图像传感器和/或红外传感器结合于显示面板的非显示侧,并且在衬底上的正投影与开孔区至少部分重叠。由此,图像传感器和/或红外传感器可以通过开孔区实现拍照、面部识别、红外感应等多种功能。
显示区内设置有像素阵列,像素阵列包括多个子像素。子像素包括像素驱动电路和发光元件,像素驱动电路被配置为驱动发光元件发光。
阻隔区中设置有隔离柱,隔离柱用于阻碍水氧从开孔区经阻隔区侵入显示区。隔离柱中包括金属层,像素驱动电路包括源极和漏极,在一些示例中,为了简化显示面板的制备工艺,源极、漏极和金属层同层设置。其中,金属层的截面一般为Ti-Al-Ti的三层结构。
由于显示区的膜层比阻隔区的膜层更多,在源极、漏极和金属层形成之后,还需要通过构图工艺在显示区内形成多层膜层(例如平坦化层和阳极)。构图工艺主要包括涂覆有机胶(光刻胶)、曝光、显影、刻蚀和去除有机胶,其中,显影、刻蚀和去除有机胶的过程中都可能会用到化学药剂。金属层形成之后,在通过构图工艺在显示区内形成其他膜层的过程中,化学药剂会对金属层的侧边进行腐蚀,其中Al被腐蚀的速度最快,使金属层的侧边形成向内凹陷的侧蚀区。随着在显示区内形成的膜层数量增加,进行显影刻蚀工艺的次数增加,对金属层侧边的腐蚀逐渐累积,侧蚀区深度逐渐扩大。在构图工艺中进行涂覆有机胶的过程中以及形成像素界定层的过程中,胶体(主要指有机胶和像素界定层)会进入侧蚀区。在显影或者去除胶体的过程中,进入侧蚀区的胶体与化学药剂的接触面较小,反应速度较慢,很难完全清除,导致残余胶体堆积在侧蚀区内。残余胶体在金属层延伸方向的每个区段的侧蚀区内的厚度以及形状也不一致,侧蚀区内堆积的残余胶体在固化后彻底残留在侧蚀区内,在侧蚀区内形成形状复杂且多孔的残余胶体,容易引起显示面板在阻隔区的封装失效。
鉴于此,在本公开实施例中提供一种显示面板,该显示面板包括衬底;设置在衬底上的开孔区、围绕开孔区的显示区以及位于开孔区和显示区之间的阻隔区;至少一道隔离柱,设置于阻隔区且围绕开孔区,隔离柱包括金属层,金属层包括沿远离衬底方向依次层叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层,第三导电层在衬底的正投影范围大于第二导电层在衬底的正投影范围,以使得第三导电层具有第一屋檐结构,第三导电层的材料为透明导电材料。
下面通过几个具体的实施例对本公开一些实施例的显示面板及制备方法进行说明。
如图1和图2所示,显示面板包括衬底3。衬底3上设置开孔区30、阻隔区20和显示区AA,显示区AA围绕开孔区30设置,阻隔区20位于显示区AA和开孔区30之间。
显示区AA内设置有像素阵列,像素阵列包括多个子像素40。子像素40包括像素驱动电路50和发光元件EL,像素驱动电路50被配置为驱动发光元件EL发光。
例如,像素驱动电路50包括薄膜晶体管4和存储电容5等结构。薄膜晶体管4包括依次设置在衬底3上的有源层41、栅极42、栅绝缘层43(例如包括第一栅绝缘层431和第二栅绝缘层432)、层间绝缘层44和源漏电极层45。存储电容5包括第一极板51和第二极板52。其中,第一极板51与栅极42同层设置,第二极板52位于栅绝缘层43与层间绝缘层44之间。例如,电源输入端11与源漏电极层45同层设置。源漏电极包括源极S和漏极D。例如,如图3所示,源极S和漏极D均包括沿远离衬底方向依次层叠的第一金属子层451、第二金属子层452和第三金属子层453,例如钛/铝/钛或钼/铝/钼等三层叠层结构。
本发明公开的实施例中,两个或更多个功能层同层设置指的是这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并利用相同制备工艺(例如构图工艺等)形成,从而可以简化显示面板的制备工艺。
例如,显示面板的显示区AA还包括平坦层61、像素界定层62以及隔垫物63。平坦层61用于平坦化薄膜晶体管4,像素界定层62在平坦层61远离薄膜晶体管4的一侧,像素界定层62用于界定多个子像素40。隔垫物63在像素界定层62远离平坦层61的一侧。例如,显示区AA中每个子像素40包括的发光元件EL包括阳极层64、发光层65以及阴极层66。阳极层64通过平坦层61中的过孔连接到薄膜晶体管4的漏极D。例如,阴极层66在衬底3上整面形成。例如,阳极层64与发光层65之间以及阴极层66与发光层65之间还可以包括有助于发光层65发光的辅助发光层(图中未示出),例如包括电子传输层、电子注入层、空穴传输层以及空穴注入层中的一种或多种。辅助发光层例如为有机材料层。例如,辅助发光层也可以在衬底3上整面形成。
例如,显示面板还可以包括设置在衬底3上的阻挡层31和缓冲层32,阻挡层31可以防止水氧等杂质从衬底3渗入到薄膜晶体管4等功能结构中,缓冲层32可以提供平坦的表面,以便于显示面板其他功能层的设置。阻挡层31和缓冲层32可以共同对衬底3上的其他功能结构起到保护作用。
例如,显示面板还可以包括封装层7,封装层7可以包括无机封装层/有机封装层/无机封装层三层叠层结构,用于封装显示区AA。
如图2B所示,阻隔区20设置有至少一道隔离柱21,隔离柱21围绕开孔区30,用于阻隔水氧从开孔区30经阻隔区20侵入显示区AA。
如图2B和图4所示,隔离柱21包括金属层211,金属层211包括沿远离衬底方向依次层叠的第一导电层2111、第二导电层2112和第三导电层2113。在本公开的至少一实施例中,第三导电层2113的材料为透明材料,例如IZO(铟锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、ITO(氧化铟锡)或PEDOT(3,4-乙烯二氧噻吩聚合物)。例如,第一导电层2111与第一金属子层451采用相同的材料且同层设置,第二导电层2112与第二金属子层452采用相同的材料且同层设置。例如,第三导电层2113与第三金属子层453采用相同的材料且同层设置。例如,第三导电层2113与第三金属子层453所采用的材料不同。
需要说明的是,金属层211中的第一导电层2111、第二导电层2112和第三导电层2113在形成后的图案完全相同。金属层211形成之后,至少还需要通过构图工艺在显示区AA内形成平坦层61、像素界定层62、隔垫物63、阳极层64和阴极层66。通过构图工艺在显示区AA内形成平坦层61、像素界定层62、隔垫物63、阳极层64和阴极层66的过程中,位于阻隔区20的金属层211裸露在外,金属层211会被构图工艺中所采用的溶液腐蚀,尤其是经常选用铝作为材料的第二导电层2112,被腐蚀的速度更快,使得金属层211的侧边在第二导电层2112处形成内凹的侧蚀区8(如图4所示)。此时,第三导电层2113于衬底3上的正投影范围大于第二导电层2112于衬底3上的正投影范围,使得第三导电层2113形成第一屋檐结构91。
在侧蚀区8形成后,构图工艺中所使用的有机胶(例如光刻胶)会进入侧蚀区8内。并且,在形成像素界定层62的过程中,像素界定层62的材料层(例如,聚酰亚胺等有机材料)会同时形成于阻隔区20,会有一部分的像素界定层62的材料层进入侧蚀区8内。
结合图4所示,在构图工艺的曝光阶段,光能够直接透过第三导电层2113照射至侧蚀区8,从而使侧蚀区8内的有机材料(如有机胶或者形成像素界定层62的有机材料)能充分曝光,之后在显影或者去除有机胶的阶段去除位于侧蚀区8内的有机材料,避免在侧蚀区8内聚集残余胶体,使得封装材料能够填充至侧蚀区8内,从而提升显示面板的封装效果。
例如,如图2B所示,至少一道隔离柱21包括第一隔离柱和第二隔离柱,第一隔离柱位于第二隔离柱朝向开孔区30的一侧。例如,第一隔离柱和第二隔离柱之间设置填充层23,填充层23至少填充于第一隔离柱靠近第二隔离柱一侧的第一屋檐结构91的下方区域和第二隔离柱靠近第一隔离柱一侧的第一屋檐结构91的下方区域中的一处。例如,填充层23完全填充在第一隔离柱和第二隔离柱之间。例如,填充层23与形成像素界定层62采用同一构图工艺同层设置。利用填充层23填充第一隔离柱靠近第二隔离柱一侧的第一屋檐结构91的下方区域(即,第一隔离柱靠近第二隔离柱一侧的侧蚀区8)和/或第二隔离柱靠近第一隔离柱一侧的第一屋檐结构91的下方区域(即,第二隔离柱靠近第一隔离柱一侧的侧蚀区8),能够在一定程度上利用填充层23填充第一隔离柱靠近第二隔离柱一侧的侧蚀区8和/或第二隔离柱靠近第一隔离柱一侧的侧蚀区8,能够降低水氧在这两处侧蚀区8处侵入的可能性,从而提升封装效果。当然,至少一道隔离柱21还可能包括三个或三个以上的隔离柱21,任意两道相邻的隔离柱21之间均可以设置填充层23。
例如,如图2A和图2B所示,隔离柱21还包括依次设置于衬底3显示侧的第一金属膜层212和第一绝缘膜层213,金属层211位于第一绝缘膜层213远离衬底3的一侧,第一绝缘膜层213与栅极42同层设置,第一绝缘膜层213与层间绝缘层44和第二栅绝缘层432中的至少一个同层设置。
在一些示例中,阻隔区20内还设置隔离坝22,隔离坝22用以阻隔有机封装材料,避免有机封装材料溢出,同时也能够阻挡水氧向显示区AA侵入。例如,隔离柱21位于隔离坝22靠近开孔区30的一侧以及远离开孔区30的一侧中的至少一处。例如,隔离坝22与平坦层61和像素界定层62中的至少一个同层设置。
如图5A所示,薄膜晶体管4还包括底栅46,底栅46位于有源层41下方,例如阻挡层31和缓冲层32之间。例如,如图5B所示,隔离柱21还包括位于第一金属膜层212和衬底3之间的第二金属膜层214和第二绝缘膜层215,第二绝缘膜层215位于第一金属膜层212与第二金属膜层214之间。例如,第二金属膜层214与底栅46同层设置,第二绝缘膜层215与缓冲层32和第一栅绝缘层431中的至少一层同层设置。
如图1和图6所示,衬底3还包括非显示区NA,非显示区NA围绕显示区AA设置,非显示区NA包括位于显示区AA一侧的邦定区BA。申请人发现,在邦定区BA内也存在相似的问题。
显示面板还包括电源线,电源线包括第一电源线和第二电源线13。第一电源线被配置为传输正电压电源信号(例如,VDD信号)。第一电源线包括位于显示区AA的多条第一电源子线12和位于邦定区BA的第一电源总线10。第二电源线13位于非显示区NA且至少部分围绕显示区AA,第二电源线13被配置为传输负电压电源信号(例如,VSS信号)。非显示区NA设置有电源输入端11,电源输入端11包括第一电源输入端111和第二电源输入端112。第一电源输入端111与第一电源总线10电连接,多条第一电源子线12与多个子像素40电连接,其中每条第一电源子线12与一列子像素40电连接,第一电源输入端111能够向第一电源总线10传输正电压电源信号(例如,VDD信号),且多条第一电源子线12能够向多个子像素40传输正电压电源信号(例如,VDD信号)。第二电源输入端112与第二电源线13电连接。
在一些示例中,显示面板为柔性显示面板,邦定区BA包括弯折区,弯折区远离显示区AA,邦定区BA在弯折区处弯折,使显示面板的一部分翻转至衬底3远离像素阵列的一侧。邦定区BA内设置有用于邦定驱动芯片的多个第一焊盘pin1和用于邦定柔性电路板的多个第二焊盘pin2,多个第二焊盘pin2向电源输入端11提供电源信号,多个第一焊盘pin1用于向像素驱动电路50提供控制信号(如数据信号)。
结合图7所示,电源输入端11与金属层211同层设置,具有与金属层211相同的三层叠层结构。由于显示区AA内的膜层结构多于非显示区NA内的膜层结构,电源输入端11在形成后,显示区AA内仍需要通过构图工艺成型多个膜层(如平坦层61、像素界定层62、隔垫物63、阳极层64和阴极层66)。显示区AA在形成平坦层61、像素界定层62、隔垫物63、阳极层64和阴极层66的过程中,电源输入端11裸露在外,电源输入端11会被构图工艺中所采用的溶液腐蚀,尤其是与第二导电层2112同层设置的中间层常采用铝,被腐蚀的速度更快,使得电源输入端11的侧边在中间层处形成内凹的侧蚀区8(如图4所示)。此时,电源输入端11的三层叠层结构中最远离衬底3的一层在衬底3上的正投影范围大于中间层在衬底3上的正投影范围,使得电源输入端11的三层叠层结构中最远离衬底3的一层形成第二屋檐结构92。
结合图4所示,电源输入端11最远离衬底3的一层与第三导电层2113均采用透明导电材料。电源输入端11形成之后,在形成显示区AA内膜层的过程中,在构图工艺的曝光阶段光能够透过电源输入端11最远离衬底3的一层照射至侧蚀区8内,使侧蚀区8内的有机材料能够充分曝光,从而通过构图工艺中的显影或者去除有机胶的阶段去除侧蚀区8内的有机材料。
本公开至少一实施例还提供一种显示面板的制备方法,该制备方法可以制备上述显示面板。该制备方法包括:提供衬底,衬底设置有开孔区,围绕开孔区的显示区以及位于开孔区和显示区之间的阻隔区;在阻隔区内形成围绕开孔区的至少一道隔离柱,隔离柱包括金属层,金属层包括沿远离衬底方向依次层叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层,第三导电层的材料为透明导电材料,第三导电层被形成为具有第一屋檐结构,其中,在形成像素界定层的过程中第一屋檐结构下方填充有有机材料。
下面,以形成如图5A、图5B和图7所示的显示面板为例,对本公开实施例提供的显示面板的制备方法进行介绍。
首先,提供衬底3。例如,当显示面板为柔性显示面板时,所提供的衬底3可以为聚酰亚胺(PI)等柔性基板,当显示面板为刚性显示面板时,衬底3可以为玻璃、石英等刚性基板。
例如,如图8A和8B所示,可以通过沉积等方法在衬底3上形成阻挡层31;采用构图工艺在阻挡层31上同时形成底栅46和第二金属膜层214;在底栅46和第二金属膜层214上通过沉积等方法同时形成缓冲层32和第二绝缘膜层215的一部分。例如,阻挡层31可以整面形成在衬底3上,缓冲层32和第二绝缘膜层215的一部分也可以整面同时形成在衬底3上。例如,阻挡层31可以采用氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅等无机绝缘材料,缓冲层32也可以采用氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅等无机绝缘材料。
例如,在阻挡层31和缓冲层32形成之后,在显示区AA形成薄膜晶体管4以及存储电容5等结构,在阻隔区20形成隔离柱21,在邦定区BA内形成电源输入端11。
如图8C和图8D所示,采用构图工艺在衬底3上形成有源层41;在有源层41上通过沉积等方式形成第一栅绝缘层431和第二绝缘膜层215的一部分;在第一栅绝缘层431上采用构图工艺同时形成栅极42、第一极板51和第一金属膜层212;在栅极42、第一极板51和走线上通过沉积等方式同时形成第二栅绝缘层432和第一绝缘膜层213的一部分;采用构图工艺同时形成第二极板52;在第二极板52上采用沉积等方式同时形成层间绝缘层44和第一绝缘膜层213的一部分;然后,刻蚀栅绝缘层43以及层间绝缘层44以形成暴露有源层41的过孔。例如,一次构图工艺包括光刻胶的形成、曝光、显影以及刻蚀等工艺。
在层间绝缘层44中的过孔形成后,形成源漏电极层45、金属层211、电源线和电源输入端11。
例如,结合图8E至图8G所示,同层形成第一导电层2111、第一金属子层451和电源输入端11最靠近衬底一层的材料层,同时形成第二导电层2112、第二金属子层452和电源输入端11中间层的材料层。例如,形成第三金属子层453的材料层,通过构图工艺去除位于阻隔区20和非显示区NA内的第三金属子层453的材料层,之后在形成第三导电层2113和电源输入端11最远离衬底1的一层的材料层,并通过构图工艺去除位于显示区AA内的第三导电层2113的材料层;最后,如图8H至8J所示,通过同一构图工艺同时在显示区AA内形成源漏电极层45(即,第一金属子层451、第二金属子层452和第三金属子层453)、在阻隔区20内形成金属层211(即,第一导电层2111、第二导电层2112和第三导电层2113)以及在非显示区NA内形成电源输入端11。需要特别说明的是,在去除位于阻隔区20和非显示区NA内的第三金属子层453的材料层的过程中,所选择的刻蚀液对第三金属子层453的刻蚀速度大于对第二导电层2112的刻蚀速度,以降低对第二导电层2112的腐蚀程度;在去除位于显示区AA内的第三导电层2113的材料层的过程中,所选用的刻蚀液对第三导电层2113的刻蚀速度大于对第三金属子层453的刻蚀速度,以降低对第三金属子层453的腐蚀程度。当然,在另一些示例中,第三金属子层453和第三导电层2113可以采用相同材料且同层设置。
通过构图工艺形成平坦层61和隔离坝22的一部分。例如,平坦层61的材料可以采用聚酰亚胺、环氧树脂等有机绝缘材料。通过构图工艺形成平坦层61的过程中,首先形成平坦层61的材料层,之后曝光并去除多余的平坦层61,位于金属层211和电源输入端11上方的平坦化层会被去除,并且在去除多余平坦层61的过程中,所使用的药剂会腐蚀金属层211和电源输入端11,从而在第二导电层2112和电源输入端11的中间层形成第一侧蚀。
例如,如图5A和图5B所示,在形成平坦层61后,在平坦层61中形成过孔,之后采用构图工艺形成阳极层64,阳极层64通过该过孔与漏极D电连接。例如,阳极层64的材料包括ITO、IZO等金属氧化物或者Ag、Al、Mo等金属或其合金。通过构图工艺形成阳极层64的过程中,金属层211和电源输入端11会直接暴露在外,构图工艺中所使用的药剂会直接腐蚀金属层211和电源输入端11,从而在第二导电层2112和电源输入端11的中间层形成第二侧蚀。
例如,如图5A和图5B所示,通过构图工艺形成像素界定层62、填充层23和隔离坝22的一部分。像素界定层62中具有暴露阳极层64的开口,以便之后形成发光元件EL的发光层65和阴极层66等结构。例如,像素界定层62的材料可以包括聚酰亚胺、环氧树脂等有机绝缘材料。
例如,通过构图工艺形成隔垫物63。隔垫物63的材料包括聚酰亚胺、环氧树脂等有机绝缘材料。
例如,可以通过喷墨打印或者蒸镀等方式在像素界定层62的开口中形成发光层65,然后形成阴极层66。例如,发光层65与阳极层64之间还可以形成辅助发光层(未示出),辅助发光层例如包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层以及空穴传输层中的一种或多种。
例如,发光层65的材料和辅助发光层的材料为有机材料,发光层65的材料可根据需求选择可发出某一颜色光(例如红光、蓝光或者绿光等)的发光材料。阴极层66的材料可以包括Mg、Ca、Li或Al等金属或其合金,或者IZO、ZTO等金属氧化物,又或者PEDOT/PSS(聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)等具有导电性能有机材料。
例如,发光元件EL形成后,可以显示面板整面形成封装层7。
在形成平坦层61的过程中形成第一侧蚀以及在形成阳极层64的过程中形成第二侧蚀后,金属层211和电源输入端11的侧蚀区8深度加深,从而在金属层211处形成第一屋檐结构91,在电源输入端11处形成第二屋檐结构92。在后续形成像素界定层62的过程中,形成像素界定层62时所使用的有机材料会填充至金属层211和电源输入端11的侧蚀区8。通过构图工艺形成像素界定层62的过程中,在构图工艺的曝光阶段,光能够直接透过第三导电层2113照射至金属层211的侧蚀区8以及透过电源输入端11最远离衬底3的一层照射至电源输入端11的侧蚀区8,从而使侧蚀区8内的有机材料(如有机胶或者形成像素界定层62的有机材料)能充分曝光,之后在显影或者去除有机胶的阶段去除位于侧蚀区8内的有机材料,避免在侧蚀区8内聚集残余胶体,使得封装材料能够填充至侧蚀区8内,从而提升显示面板的封装效果。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置,包括上述的显示面板。该显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件,本公开的实施例对此不做限定。
还有以下几点需要说明:
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见,在用于描述本公开的实施例的附图中,层或区域的厚度被放大或缩小,即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下,本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底;
设置在所述衬底上的开孔区、围绕所述开孔区的显示区以及位于所述开孔区和所述显示区之间的阻隔区;
至少一道隔离柱,设置于所述阻隔区且围绕所述开孔区,所述隔离柱包括金属层,所述金属层包括沿远离所述衬底方向依次层叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层,所述第三导电层在所述衬底的正投影范围大于所述第二导电层在所述衬底的正投影范围,以使得所述第三导电层具有第一屋檐结构,所述第三导电层的材料为透明导电材料。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第三导电层的材料为铟镓锌氧化物或者氧化铟锡。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示区包括薄膜晶体管和存储电容;
所述薄膜晶体管包括位于所述衬底上的有源层,位于所述有源层远离所处衬底一侧的栅极、栅绝缘层和层间绝缘层,以及位于所述层间绝缘层远离所述衬底一侧的源漏电极层;
所述源漏电极层包括沿远离所述衬底方向依次层叠的第一金属子层、第二金属子层和第三金属子层,所述第一金属子层和所述第一导电层同层设置,所述第二金属子层和所述第二导电层同层设置;
所述存储电容包括第一极板和第二极板,所述第一极板与所述栅极同层设置,所述第二极板位于所述栅绝缘层和所述层间绝缘层之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第三金属子层与所述第三导电层同层设置。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述至少一道隔离柱包括第一隔离柱和第二隔离柱,所述第一隔离柱位于所述第二隔离柱朝向所述开孔区的一侧;
所述第一隔离柱和所述第二隔离柱之间设置填充层,所述填充层填充于以下至少之一的位置:
所述第一隔离柱靠近所述第二隔离柱一侧的所述第一屋檐结构的下方区域;
所述第二隔离柱靠近所述第一隔离柱一侧的所述第一屋檐结构的下方区域。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
设置在所述衬底上的非显示区,所述非显示区围绕所述显示区,所述非显示区包括邦定区,
其中,所述邦定区包括:
电源输入端,与为所述显示区提供电源信号的电源线电连接,所述电源输入端包括第二屋檐结构,所述电源输入端与所述金属层同层设置。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底,所述衬底设置有开孔区,围绕所述开孔区的显示区以及位于所述开孔区和所述显示区之间的阻隔区;
在所述阻隔区内形成围绕所述开孔区的至少一道隔离柱,所述隔离柱包括金属层,所述金属层包括沿远离所述衬底方向依次层叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层,所述第三导电层的材料为透明导电材料,所述第三导电层被形成为具有第一屋檐结构,其中,在形成像素界定层的过程中所述第一屋檐结构下方填充有有机材料。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,“在所述阻隔区内形成围绕所述开孔区的至少一道隔离柱”包括:
形成所述第一导电层的材料层;
形成所述第二导电层的材料层;
形成所述第三导电层的材料层;
通过同一构图工艺形成所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
在所述显示区内形成源漏电极层,所述源漏电极层包括沿远离所述衬底方向依次设置的第一金属子层、第二金属子层和第三金属子层,其中,所述第一金属子层的材料层与所述第一导电层的材料层同层形成,所述第二金属子层的材料层与所述第二导电层的材料层同层形成。
10.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
形成平坦层,在形成所述平坦层时,所述第二导电层形成第一侧蚀;
形成阳极层,在形成所述阳极层时,所述第二导电层形成第二侧蚀,使所述第三导电层形成第一屋檐结构;
形成像素界定层,在形成所述像素界定层时,所述像素界定层的有机材料填充在所述第一屋檐结构下方。
11.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
所述衬底上还设置非显示区,所述非显示区围绕所述显示区,所述非显示区包括邦定区;
所述制备方法还包括:
在所述邦定区内形成电源输入端,所述电源输入端与为所述显示区提供电源信号的电源线电连接,所述电源输入端被形成为具有第二屋檐结构,其中在形成所述显示面板的过程中在所述第二屋檐结构下方填充有机材料,所述电源输入端与所述金属层同时形成。
12.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至6中任意一项所述的显示面板。
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