JP2009238922A - 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板にパターンを好適に形成できる露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】制御装置は、ウエハが第2チャンバ内のウエハステージに設置されると(ステップS13)、ウエハにパターンを形成する際の形成条件を、該ウエハの膨張量に応じて調整する(ステップS14,S15)。その後、制御装置は、調整された形成条件で、ウエハに対してパターン像を投影する(ステップS16)。
【選択図】図3
【解決手段】制御装置は、ウエハが第2チャンバ内のウエハステージに設置されると(ステップS13)、ウエハにパターンを形成する際の形成条件を、該ウエハの膨張量に応じて調整する(ステップS14,S15)。その後、制御装置は、調整された形成条件で、ウエハに対してパターン像を投影する(ステップS16)。
【選択図】図3
Description
本発明は、大気圧よりも減圧された減圧雰囲気に設定されたチャンバ内で、感光性材料が塗布された基板上にパターンを形成するための露光装置、露光方法及び該露光方法を用いたデバイスの製造方法に関するものである。
一般に、EUV(Extreme Ultraviolet )光やEB(Electron Beam )などを用いて、基板にパターン像を投影する露光装置は、内部が真空雰囲気に設定されたチャンバ内に設置される。このような露光装置は、所定のパターンが形成された反射型のマスクを保持するマスク保持装置と、所定のパターンの像が投影されるウエハ、ガラスプレートなどの基板を保持する基板保持装置とを備えている(例えば、特許文献1参照)。
特開2005−276932号公報
ところで、大気圧雰囲気であるチャンバ外から真空雰囲気に設定されたチャンバ内に搬送された基板は、大気圧から解放された分だけ該基板に加わる圧力が低下するため、相似的に拡大、即ち膨張する。そして、チャンバ内においてパターンの像が投影された基板がチャンバ外に搬出された場合、該基板は、再び大気圧が加わることにより相似的に収縮する。
そのため、チャンバ内で基板に形成されたパターンは、基板の収縮に対応した分だけ相似的に収縮してしまい、この収縮に伴い、パターン及び該パターンと共に形成されるアライメントマークの位置ずれが生じるという問題があった。例えば、内部雰囲気が異なる複数のチャンバを有する露光装置を用いて、複数のパターンを重ね合わせてマイクロデバイスを製造する場合、内部が真空雰囲気に設定された第1チャンバ内で基板上に第1パターンが形成され、その後、該基板は、内部が大気圧雰囲気に設定された第2チャンバ内に搬送される。そして、第2チャンバ内で基板上に次の第2パターンを第1パターンに重ね合わせて露光した場合には、第1チャンバ内で形成した第1パターンと第2チャンバ内で形成した第2パターンとの間に重ね合わせ誤差が生じるおそれがあった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板にパターンを好適に形成できる露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法を提供することにある。
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図1〜図7に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の露光装置は、大気圧よりも減圧された減圧雰囲気に設定されたチャンバ(12)内で、感光性材料が塗布された基板(W)上にパターン(61)を形成する露光装置(11)であって、前記チャンバ(12)外からチャンバ(12)内に搬送された前記基板(W)の変形に応じて、該基板(W)への前記パターン(61)の形成条件を調整する調整装置(50)を備えたことを要旨とする。
本発明の露光装置は、大気圧よりも減圧された減圧雰囲気に設定されたチャンバ(12)内で、感光性材料が塗布された基板(W)上にパターン(61)を形成する露光装置(11)であって、前記チャンバ(12)外からチャンバ(12)内に搬送された前記基板(W)の変形に応じて、該基板(W)への前記パターン(61)の形成条件を調整する調整装置(50)を備えたことを要旨とする。
また、本発明の露光方法は、大気圧よりも減圧された減圧雰囲気に設定されたチャンバ(12)内で、感光性材料が塗布された基板(W)上にパターン(61)を形成する露光方法であって、前記チャンバ(12)外からチャンバ(12)内に搬送された前記基板(W)の変形に応じて、該基板(W)への前記パターン(61)の形成条件が調整される調整ステップ(S14,S15、S20)と、該調整ステップ(S14,S15、S20)後に、放射ビーム(EL)が前記基板(W)上に照射されることにより該基板(W)に前記パターン(61)が形成される露光ステップ(S16)とを有することを要旨とする。
上記構成によれば、減圧雰囲気に設定されたチャンバ内では、チャンバ外からチャンバ内に搬送されたことに起因した基板の変形に応じて、該基板へのパターンの形成条件が調整されてから、基板に対してパターンが形成される。そのため、チャンバ内でパターンが形成された基板をチャンバ外に搬出した場合、該基板には、適切な形状のパターンが形成されている。したがって、基板にパターンを好適に投影できる。
また、本発明の露光装置は、大気圧よりも減圧された減圧雰囲気に設定されたチャンバ(12)内で、感光性材料が塗布された基板(W)上にパターン(61)を形成する露光装置(11)であって、前記チャンバ(12)外からチャンバ(12)内に搬送された前記基板(W)を冷却する冷却装置(23)を備えた露光装置。
また、本発明の露光方法は、大気圧よりも減圧された減圧雰囲気に設定されたチャンバ(12)内で、感光性材料が塗布された基板(W)上にパターン(61)を形成する露光方法であって、前記チャンバ(12)外からチャンバ(12)内に搬送された前記基板(W)を冷却する冷却ステップ(S20)と、該冷却ステップ(S20)後に、放射ビーム(EL)を前記基板(W)上に照射することにより該基板(W)に前記パターンを形成する露光ステップ(S16)とを有する露光方法。
一般に、チャンバ外からチャンバ内に搬送された基板は、周囲の圧力雰囲気の相違に起因して変形する。そこで、本発明では、チャンバ内に搬送された基板は、冷却されることにより、その形状がチャンバ外にあった場合と略同等の形状に戻される。この状態で基板にパターンが投影される。したがって、基板にパターンを好適に投影できる。
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
本発明によれば、基板にパターンを好適に形成できる。
(第1の実施形態)
以下に、本発明を具体化した第1の実施形態について図1〜図4に基づき説明する。
図1に示すように、本実施形態の露光装置11は、波長が100nm程度以下の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光ELとして用いるEUV露光装置であって、内部が真空雰囲気となる第1チャンバ12内に設置されている。この第1チャンバ12には、該第1チャンバ12内にウエハW(本実施形態ではシリコンウエハ)を搬送するための第1搬送口13と、該第1搬送口13を開閉するための第1開閉装置14とが設けられている。また、第1チャンバ12のY方向側(図1では右側)には、第1搬送口13を介して内部が連通する第2チャンバ15が設けられている。この第2チャンバ15には、該第2チャンバ15内に外部からウエハWを搬送するための第2搬送口16と、該第2搬送口16を開閉するための第2開閉装置17と、第2搬送口16を介して第2チャンバ15内に搬送されたウエハWを載置する不図示の載置台とが設けられている。
以下に、本発明を具体化した第1の実施形態について図1〜図4に基づき説明する。
図1に示すように、本実施形態の露光装置11は、波長が100nm程度以下の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光ELとして用いるEUV露光装置であって、内部が真空雰囲気となる第1チャンバ12内に設置されている。この第1チャンバ12には、該第1チャンバ12内にウエハW(本実施形態ではシリコンウエハ)を搬送するための第1搬送口13と、該第1搬送口13を開閉するための第1開閉装置14とが設けられている。また、第1チャンバ12のY方向側(図1では右側)には、第1搬送口13を介して内部が連通する第2チャンバ15が設けられている。この第2チャンバ15には、該第2チャンバ15内に外部からウエハWを搬送するための第2搬送口16と、該第2搬送口16を開閉するための第2開閉装置17と、第2搬送口16を介して第2チャンバ15内に搬送されたウエハWを載置する不図示の載置台とが設けられている。
露光装置11は、露光光源18と、照明光学系19と、所定のパターンが形成された反射型のレチクルRを保持するレチクルステージ20と、投影光学系21と、表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハWを保持するウエハステージ22とを備えている。また、露光装置11には、第1チャンバ12内に搬送されたウエハWの温度を、露光装置11の設置された環境の温度と同等の基準温度(例えば23℃)に温度調整するための温度調整機構23が設けられている。なお、ウエハWを大気圧雰囲気から真空雰囲気の第1チャンバ12内に搬送される際、第2チャンバ(ロードロック室)15内は、第2搬送口16を介してウエハWが搬送されると、第2搬送口16を閉じ状態にして図示しない真空ポンプの駆動によって減圧、即ち真空引きされる。このとき、第2チャンバ15内では、気体の断熱膨張が発生して第2チャンバ内の温度が低下し、その結果、ウエハWの温度が低下する。そこで、温度調整機構23は、ウエハWが第2チャンバ15から第1チャンバ12内に搬送された場合に、第2チャンバ15内での気体の断熱膨張により温度低下したウエハWの温度を再び回復させる。
本実施形態の露光光源18としては、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該光源は、波長が5〜20nm(例えば13.5nm)となるEUV光を出力する。
照明光学系19は、露光光源18側から順に配置された反射型のコリメート用ミラー24、コンデンサミラー25、一対のフライアイミラー(不図示)を備えている。これら各ミラー24,25、一対のフライアイミラーの反射面には、露光光ELを反射する複数の反射層がそれぞれ形成されている。そして、コンデンサミラー25に反射された露光光ELは、一対のフライアイミラーを介してレチクルR側に配置された折り返し用の反射ミラー26により、レチクルステージ20に保持されるレチクルRに導かれる。
照明光学系19は、露光光源18側から順に配置された反射型のコリメート用ミラー24、コンデンサミラー25、一対のフライアイミラー(不図示)を備えている。これら各ミラー24,25、一対のフライアイミラーの反射面には、露光光ELを反射する複数の反射層がそれぞれ形成されている。そして、コンデンサミラー25に反射された露光光ELは、一対のフライアイミラーを介してレチクルR側に配置された折り返し用の反射ミラー26により、レチクルステージ20に保持されるレチクルRに導かれる。
レチクルステージ20は、後述する投影光学系21の物体面側に配置され、レチクルRを静電吸着する静電チャック27と、レチクルRを、Y軸方向(図1における左右方向)に所定ストロークで移動させると共に、X方向及びθz方向(Z軸周りの回転方向)にも微少量移動させるための移動機構28とを備えている。そして、レチクルRにおいて上記パターンが形成された被照射面(即ち、図1における下面)で反射された露光光ELは、投影光学系21に導かれる。なお、本実施形態のレチクルRは、シリコンウエハ、石英、低膨張ガラスなどの薄板、該薄板の裏面側に形成された導電層、該薄板の表面側に形成された反射層及び該反射層上に形成された吸収層を備え、該吸収層に上記パターンが形成されている。
投影光学系21は、複数枚(本実施形態では6枚)の反射型のミラー29,30,31,32,33,34を備えている。そして、レチクルR側から導かれた露光光ELは、第1ミラー29、第2ミラー30、第3ミラー31、第4ミラー32、第5ミラー33、第6ミラー34の順に反射され、ウエハステージ22に保持されるウエハWに導かれる。なお、各ミラー29〜34のうち第1ミラー29、第2ミラー30、第4ミラー32及び第6ミラー34は凹面鏡である一方、第3ミラー31及び第5ミラー33は凸面鏡である。
なお、投影光学系21は、複数枚の反射型のミラー29〜34のうち少なくとも一つのミラーに、投影光学系21の光学特性(例えば、波面収差、コマ収差、像面湾曲、ディストーション、後述する投影倍率等)を調整する不図示の光学特性調整機構を備えている。この光学特性調整機構は、投影光学系21の光軸に対してミラーを傾斜させたり、光軸方向と平行な方向に移動させたりすることが可能である。なお、光学特性調整機構は、ミラー自身の形状を変化させることが可能な構成であってもよい。
ウエハステージ22は、略直方体状のステージ本体35と、該ステージ本体35上においてウエハWを静電吸着可能であって且つ炭化珪素から構成される保持ホルダ36と、該保持ホルダ36を介してウエハWの温度を維持する温度維持機構37(例えばペルチェ素子)とを備えている。そして、保持ホルダ36に静電吸着されるウエハWの表面を投影光学系21から射出された露光光ELが照射することにより、ウエハWには、レチクルR上の上記パターンを所定倍率に縮小したパターン像が投影される。すなわち、ウエハWには、上記パターンを縮小させた縮小パターン(以下、単に「パターン」という。)が形成される。
また、ウエハステージ22には、ステージ本体35を介してウエハWをY軸方向に所定ストロークで移動させると共に、X方向及びZ方向に移動させるための移動機構38と、ウエハステージ22のXY平面上での位置を検出するためのウエハレーザ干渉計39とが設けられている。このウエハレーザ干渉計39は、ウエハステージ22の位置に関する位置情報を後述する制御装置50(図2参照)に出力する。また、ウエハステージ22には、保持ホルダ36をZ方向の位置、X方向周りの傾斜角及びY方向周りの傾斜角を制御するZレベリング機構(不図示)も組み込まれている。また、ステージ本体35上において保持ホルダ36の−Y方向側(図1では左側)には、表面のZ方向における高さ位置が保持ホルダ36に静電吸着されるウエハWの表面のZ方向における高さ位置と略同等となる基準マーク板40が設けられている。この基準マーク板の表面には、複数の基準マークが形成されている。
本実施形態において、投影光学系21の近傍には、ウエハWのXY平面上での位置合わせを行うためのオフアクシス・アライメント系41が設けられている。このオフアクシス・アライメント系41は、レチクルを感光させない波長を有するレーザ光でウエハW上のアライメントマークを照射することにより該アライメントマークを撮像し、該撮像結果を用いて基準マーク板40の基準マークに対する上記アライメントマークの位置(即ち、各マーク間の距離)を計測するものである。すなわち、本実施形態のオフアクシス・アライメント系41は、FIA(Field Image Alignment)系のセンサを備えた構成とされている。そして、オフアクシス・アライメント系41によって検出されたアライメントマークの位置に関する情報は、後述する制御装置50に出力される。
次に、本実施形態の露光装置11の駆動を制御する制御装置50について、図2に基づき説明する。
図2に示すように、制御装置50は、図示しないCPU、ROM及びRAMなどを有するデジタルコンピュータを備えた構成であって、露光装置11全体の駆動を制御している。すなわち、ベースラインチェックをする場合、制御装置50は、オフアクシス・アライメント系41、移動機構38及びウエハレーザ干渉計39の駆動を制御することにより、基準マーク板40の基準マークとウエハW上のアライメントマークとの間の距離を計測する。また、ウエハWに露光を行う場合、制御装置50は、露光光源18、照明光学系19及び投影光学系21を制御し、ウエハWを照射する露光光ELの光量やウエハWへのパターン像の投影倍率などを調整する。その後、制御装置50は、レチクルステージ20及びウエハステージ22の各移動機構28,38を制御し、ウエハW上にパターン像を投影する。
図2に示すように、制御装置50は、図示しないCPU、ROM及びRAMなどを有するデジタルコンピュータを備えた構成であって、露光装置11全体の駆動を制御している。すなわち、ベースラインチェックをする場合、制御装置50は、オフアクシス・アライメント系41、移動機構38及びウエハレーザ干渉計39の駆動を制御することにより、基準マーク板40の基準マークとウエハW上のアライメントマークとの間の距離を計測する。また、ウエハWに露光を行う場合、制御装置50は、露光光源18、照明光学系19及び投影光学系21を制御し、ウエハWを照射する露光光ELの光量やウエハWへのパターン像の投影倍率などを調整する。その後、制御装置50は、レチクルステージ20及びウエハステージ22の各移動機構28,38を制御し、ウエハW上にパターン像を投影する。
次に、本実施形態の制御装置50が実行する各制御処理のうち、一枚のウエハWにパターン像を投影する際に、パターン像の形成条件を調整するために実行される処理ルーチンについて図3に示すフローチャートに基づき説明する。なお、この処理ルーチンは、第1搬送口13を閉じ状態にして第1チャンバ12内を大気圧よりも減圧された減圧雰囲気、即ち真空雰囲気に設定されてから実行される。
さて、処理ルーチンが実行されると、制御装置50は、第2搬送口16を開状態にすべく第2開閉装置17の駆動を制御する。そして、制御装置50は、第2チャンバ15内に第2搬送口16を介してウエハWを上記載置台上に搬送させるべく図示しない基板搬送装置の駆動を制御する(ステップS10)。続いて、制御装置50は、第2開閉装置17を駆動させて第2搬送口16を閉状態にした後、第2チャンバ15内の圧力を第1チャンバ12内の圧力まで減圧させる。そして、制御装置50は、第2チャンバ15内の圧力が第1チャンバ12内の圧力とほぼ同程度になったとき、第1搬送口13を開状態にすべく第1開閉装置14の駆動を制御し、第2チャンバ15内のウエハWを第1チャンバ12内に搬送させるべく上記基板搬送装置の駆動を制御する(ステップS11)。その後、制御装置50は、第1搬送口13を閉状態にすべく第1開閉装置14の駆動を制御する。
続いて、制御装置50は、ウエハWを温度調整機構23に移送するべく上記基板搬送装置の駆動を制御する。そして、制御装置50は、ウエハWの温度Tを基準温度KTに調整すべく温度調整機構23を制御する(ステップS12)。そして、制御装置50は、温度調整機構23上のウエハWをウエハステージ22の保持ホルダ36上に移送するべく上記基板搬送装置の駆動を制御し、該保持ホルダ36にウエハWを静電吸着させる(ステップS13)。続いて、制御装置50は、上記光学特性調整機構を制御して、ウエハWに投影するパターン像の形成状態、例えば、パターン像の投影倍率(ウエハWに形成するパターン61(図4(a)参照)の大きさ)の微調整を行う(ステップS14)。
ここで、ウエハWは、第2チャンバ15の外(大気圧雰囲気)から第2チャンバ15を介して第1チャンバ12内(真空雰囲気)に搬送される。そのため、温度調整機構23によってウエハWの温度Tが基準温度KTに維持される場合、ウエハWは、真空雰囲気中において大気圧から解放される分だけ、相似的に拡大、即ち膨張する。このような第1チャンバ12内と外部との圧力差(以下、「静圧」という。)とウエハWの体積変動率との関係は、以下に示す関係式(式1)に示される。
ただし、P…静圧、K…体積弾性係数、ΔV/V…ウエハの体積変化率
また、ウエハWの弾性変形可能な範囲内では、体積弾性係数Kと、ウエハW(即ち、シリコン)のヤング率(縦弾性係数)及び剛性率(横弾性係数)との各関係は、以下に示す関係式(式2)(式3)に示される。
ただし、E…ヤング率、ν…ポワソン比、G…剛性率
また、ウエハWの体積変化率ΔV/VとウエハWの長さの変化率との関係は、ウエハWの膨張収縮が等方性を有し、且つ体積変化率ΔV/Vが1よりも十分に小さい場合、以下に示す関係式(式4)及び(式5)に示される。
そのため、シリコンは、そのヤング率Eが130GPaであると共に、ポワソン比νが0.28であることから、シリコンの体積弾性係数Kは99GPaとなる。すなわち、静圧P(略101325Pa)から解放された場合におけるウエハWの長さの変化率ΔL/L(即ち、伸び率)は、0.34ppm(=0.000034%)となる。
したがって、ステップS14では、ウエハWに形成されるパターン61が所望する大きさよりも0.34ppmだけ大きくなるように投影光学系21の光学特性が調整される。続いて、制御装置50は、ウエハWの中でパターン像を投影する位置、即ちパターン61を形成する位置の微調整を行う(ステップS15)。具体的には、制御装置50は、ベースラインチェックを行うべくオフアクシス・アライメント系41、移動機構38及びウエハレーザ干渉計39をそれぞれ制御し、基準マーク板40の基準マークとウエハW上のアライメントマークとの間の距離を計測する。この際、上述したように、ウエハWは、外部から第1チャンバ12内に搬送させたことにより膨張している。そのため、制御装置50は、オフアクシス・アライメント系41及びウエハレーザ干渉計39からの各種情報に基づいた実測値よりも0.34ppm分だけ短い補正値が上記距離として出力される。すなわち、制御装置50は、ウエハWの膨張量に対応するオフセット値、即ち、0.34ppmに相当する値を考慮し、上記距離を出力する。その結果、制御装置50は、0.34ppm分だけ余分にステージ本体35を移動させるべく移動機構38の駆動を制御する。
そして、制御装置50は、ウエハステージ22に保持されるウエハWに対してパターン像を投影すべく露光を行い(ステップS16)、その後、処理ルーチンを終了する。
次に、本実施形態の露光装置11による露光方法について図4(a)(b)に基づき説明する。前提として、ウエハWの温度Tは、温度調整機構23にて基準温度KTに調整されているものとする。また、図4(a)にて実線で示すパターン61は、ウエハWの膨張を考慮して各種調整が行われた状態で形成されたものである一方、図4(a)にて二点鎖線で示すパターン60は、ウエハWの膨張などを考慮せずに形成されたものであるとする。また、図4(b)にて実線で示すパターン61は、所望する位置であって且つ所望の大きさに形成されたものである一方、図4(b)にて二点鎖線で示すパターン60は、所望する位置からずれた位置であって且つ所望の大きさよりも小さく形成されたものであるとする。なお、図4(a)(b)では、明細書の説明理解の便宜上、パターン60,61の膨張や収縮を誇張して図示している。
次に、本実施形態の露光装置11による露光方法について図4(a)(b)に基づき説明する。前提として、ウエハWの温度Tは、温度調整機構23にて基準温度KTに調整されているものとする。また、図4(a)にて実線で示すパターン61は、ウエハWの膨張を考慮して各種調整が行われた状態で形成されたものである一方、図4(a)にて二点鎖線で示すパターン60は、ウエハWの膨張などを考慮せずに形成されたものであるとする。また、図4(b)にて実線で示すパターン61は、所望する位置であって且つ所望の大きさに形成されたものである一方、図4(b)にて二点鎖線で示すパターン60は、所望する位置からずれた位置であって且つ所望の大きさよりも小さく形成されたものであるとする。なお、図4(a)(b)では、明細書の説明理解の便宜上、パターン60,61の膨張や収縮を誇張して図示している。
さて、温度調整機構23にて温度Tが基準温度KTに調整されたウエハWがウエハステージの保持ホルダ36に静電吸着されると、投影光学系21によるウエハWに対するパターン像の投影倍率が微調整される。すなわち、ウエハWの膨張分だけ、ウエハWに大きくパターン像が投影されるように投影光学系21の光学特性が微調整される。そして次に、ウエハWの中でパターン像が投影される位置もまた、ウエハWの膨張分だけ微調整される。このようにウエハWの膨張に伴う微調整が行われてから、ウエハWに対して露光が行われる。
すなわち、本実施形態では、図4(a)に示すように、ウエハWには、上記の調整が行われない場合のパターン60に比して、0.34ppm分だけ相似的に拡大されたパターン61が形成される。また、本実施形態では、上記の調整が行われない場合のパターン60に比して、0.34ppm分だけY方向側の位置にパターン61が形成される。
そのため、上記のように露光されたウエハWを第1チャンバ12外、即ち、大気圧雰囲気内に搬送した場合、ウエハWは、第1チャンバ12内に設置された場合に比して大気圧が加わることにより収縮、即ち、相似的に縮小する。すると、ウエハWに形成されたパターン61もまた、ウエハWの収縮に基づき収縮すると共に、位置も変位する。その結果、図4(b)に示すように、大気圧雰囲気でのウエハWには、所望する位置に所望する大きさのパターン61が形成される。したがって、この後に複数のパターン像を大気圧雰囲気で重ね合わせ投影させる場合、従来の場合とは異なり、パターン61の収縮分を加味することなく、重ね合わせるパターンがウエハW上に形成される。
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
(1)真空雰囲気に設定された第1チャンバ12内では、大気雰囲気から第2チャンバ15を介して第1チャンバ12内に搬送されたことに起因したウエハWの変形に応じて、該ウエハWへのパターン61の形成条件を調整した後、ウエハWに対してパターン61が形成される。そのため、パターン61が形成されたウエハWを第1チャンバ12外に搬送した場合、ウエハWは収縮するものの、ウエハWには、適切な形状のパターン61が形成されている。したがって、ウエハWにパターン61を好適に形成できる。
(1)真空雰囲気に設定された第1チャンバ12内では、大気雰囲気から第2チャンバ15を介して第1チャンバ12内に搬送されたことに起因したウエハWの変形に応じて、該ウエハWへのパターン61の形成条件を調整した後、ウエハWに対してパターン61が形成される。そのため、パターン61が形成されたウエハWを第1チャンバ12外に搬送した場合、ウエハWは収縮するものの、ウエハWには、適切な形状のパターン61が形成されている。したがって、ウエハWにパターン61を好適に形成できる。
(2)ウエハWは、大気圧雰囲気から真空雰囲気である第1チャンバ12内に搬送されると、膨張する。そのため、本実施形態では、ウエハWの膨張分を加味し、所望する大きさよりも大きな形状のパターン像がウエハWに投影される。そして、第1チャンバ12内で露光が行われたウエハWを第1チャンバ12外に搬送した場合、該ウエハWには、所望の大きさのパターン61が形成されている。したがって、その後にパターン61に他のパターン像を重ね合わせ投影を行う場合、該他のパターン像の大きさを調整する工程を省略することができる。
(3)また、ウエハW上においてパターン像が投影される位置は、ウエハWの膨張分を加味して調整される。その結果、第1チャンバ12内で露光が行われたウエハWを第1チャンバ12外に搬送した場合、該ウエハWには、所望する位置にパターン61が形成されている。したがって、その後にパターン61に他のパターン像を重ね合わせ投影を行う場合、該他のパターン像の位置を調整する工程を省略することができる。
(4)一般に、ウエハWは、大気圧雰囲気から真空雰囲気に搬送されると、一時的に温度が低下し、該温度低下に基づき収縮する。この状態でウエハWに対して露光を行う場合、露光時のウエハWの温度も加味してパターン61の形成条件を調整する必要があり、その調整が非常に複雑になる。この点、本実施形態では、ウエハWの温度Tが基準温度KTに調整されてからウエハWに対する露光が行われる。そのため、温度変化に起因したウエハWの収縮を考慮しなくてもよい分、第1チャンバ12内におけるウエハWへのパターン61の形成条件の複雑化を回避できる。
(5)また、ウエハWに対する露光中、即ち、ウエハWに露光光ELが照射される間は、温度維持機構37によってウエハW及び保持ホルダ36の温度Tが温度調整機構23によって基準温度KTに維持される。そのため、露光中におけるウエハWの上昇が回避される結果、温度上昇に起因したウエハWの膨張を回避できる。したがって、ウエハWへのパターン61の好適な形成に貢献できる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態を図5に従って説明する。なお、第2の実施形態は、処理ルーチンの内容が第1の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第1の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第1の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
次に、本発明の第2の実施形態を図5に従って説明する。なお、第2の実施形態は、処理ルーチンの内容が第1の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第1の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第1の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
本実施形態の処理ルーチンについて、図5に示すフローチャートに基づき説明する。
さて、処理ルーチンにおいて、制御装置50は、上記ステップS10,S11と同等の処理を順番に実行する。続いて、制御装置50は、ウエハWの温度Tを基準温度KTよりも予め設定された調整温度ΔKT(本実施形態では0.08℃)だけ低い温度に調整すべく温度調整機構23を制御する(ステップS20)。
さて、処理ルーチンにおいて、制御装置50は、上記ステップS10,S11と同等の処理を順番に実行する。続いて、制御装置50は、ウエハWの温度Tを基準温度KTよりも予め設定された調整温度ΔKT(本実施形態では0.08℃)だけ低い温度に調整すべく温度調整機構23を制御する(ステップS20)。
ここで、シリコンの熱膨張係数は、略4.3ppm/Kである。そのため、ウエハWの温度Tを低下させることにより、ウエハWを0.34ppm分だけ収縮させるためには、ウエハWの温度Tを基準温度KTから0.08℃だけ低くする必要がある。すなわち、上記調整温度ΔKTは、ウエハWを0.34ppm、即ち、膨張分だけ収縮させるために必要な温度に設定されている。
ウエハWの温度Tが基準温度KTよりも調整温度ΔKTだけ低くなった場合、制御装置50は、上記基板搬送装置を制御してウエハWをウエハステージ22の保持ホルダ36上に搬送させ、上記ステップS16の処理を実行する。その後、制御装置50は、処理ルーチンを終了する。
すなわち、本実施形態では、第1チャンバ12内においてウエハWの温度Tが基準温度KTよりも調整温度ΔKTだけ低く設定されるため、ウエハWの大きさは、チャンバ12,15内への搬送前のウエハWの大きさと同等になる。そのため、第1の実施形態の場合とは異なり、ウエハWに投影するパターン像の大きさや投影する位置を調整する必要もなく、ウエハWにパターン像が投影される。このような形成条件でパターン61が形成されたウエハWがチャンバ12,15外に搬送され、該ウエハWの温度Tが基準温度KTに設定されると、ウエハWには、所望する位置に所望する大きさのパターン61が形成されている。
なお、ウエハWの温度Tが、第2チャンバ15内における真空引きによる気体の断熱膨張により、基準温度KTよりも調整温度ΔKTだけ低い所定温度よりも低くなることがある。この場合、温度調整機構23は、ウエハWの温度が上記所定温度となるまでウエハWの温度を上昇させればよい。
したがって、本実施形態では、上記第1の実施形態の効果(1)、(5)に加えて以下に示す効果を得ることができる。
(6)ウエハWは、大気圧雰囲気から真空雰囲気である第1チャンバ12内に搬送されると、膨張する。そのため、本実施形態では、ウエハWの大きさが大気圧雰囲気での大きさと同等となるようにウエハWの温度Tが基準温度KTよりも調整温度ΔKTだけ低く設定される。そして、この状態で露光が行われるため、第1チャンバ12外に搬送されたウエハWには、所望する位置に所望する大きさのパターン61が形成されている。したがって、その後にパターン61に他のパターン像を重ね合わせ投影を行う場合、該他のパターン像の大きさ及び投影する位置を調整する工程を省略することができる。
(6)ウエハWは、大気圧雰囲気から真空雰囲気である第1チャンバ12内に搬送されると、膨張する。そのため、本実施形態では、ウエハWの大きさが大気圧雰囲気での大きさと同等となるようにウエハWの温度Tが基準温度KTよりも調整温度ΔKTだけ低く設定される。そして、この状態で露光が行われるため、第1チャンバ12外に搬送されたウエハWには、所望する位置に所望する大きさのパターン61が形成されている。したがって、その後にパターン61に他のパターン像を重ね合わせ投影を行う場合、該他のパターン像の大きさ及び投影する位置を調整する工程を省略することができる。
(7)もし仮に保持ホルダ36にてウエハWを静電吸着した状態で該ウエハWの温度Tを基準温度KTよりも調整温度ΔKTだけ低くしたとすると、ウエハWとは異なる素材で保持ホルダ36が構成されているため、ウエハWと保持ホルダ36とがバイメタルとして機能する可能性がある。その結果、ウエハWが不必要に変形してしまい、パターン像の投影に不具合が生じる可能性があった。この点、本実施形態では、温度調整機構23にて基準温度KTよりも調整温度ΔKTだけ低い温度Tに調整されたウエハWが、ウエハステージ22の保持ホルダ36上に搬送される。そのため、保持ホルダ36に保持されるウエハWの変形に起因したパターン像の投影不良の発生を抑制できる。
なお、上記各実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・各実施形態において、保持ホルダ36は、ステージ本体35から着脱自在な構成であってもよい。この場合、ウエハWを、保持ホルダ36と共に搬送する構成であってもよい。すなわち、上記基板搬送装置は、保持ホルダ36上にウエハWを載置させた状態で、該ウエハWの搬送を行うことが望ましい。
・各実施形態において、保持ホルダ36は、ステージ本体35から着脱自在な構成であってもよい。この場合、ウエハWを、保持ホルダ36と共に搬送する構成であってもよい。すなわち、上記基板搬送装置は、保持ホルダ36上にウエハWを載置させた状態で、該ウエハWの搬送を行うことが望ましい。
・第2の実施形態において、第1チャンバ12内に搬送されたウエハWの温度Tを、ウエハステージ22で基準温度KTよりも調整温度ΔKTだけ低い温度に調整するようにしてもよい。この場合、ウエハWの温度Tが基準温度KTよりも調整温度ΔKTだけ低い温度になってから、保持ホルダ36にウエハWを静電吸着させることが望ましい。
同様に、第1の実施形態において、第1チャンバ12内に搬送されたウエハWの温度Tを、ウエハステージ22で基準温度KTに調整するようにしてもよい。
・各実施形態において、ウエハステージ22には、温度維持機構37を設けなくてもよい。
・各実施形態において、ウエハステージ22には、温度維持機構37を設けなくてもよい。
・各実施形態において、温度調整機構23は、冷却用の流体(循環液や気体)が流動する流体用配管を備えた構成であってもよい。この場合、温度調整機構23において、ウエハWは、上記流体用配管を介して該配管内を流動する流体に吸熱されることになる。
・各実施形態において、オフアクシス・アライメント系41は、レーザ光をウエハW上に形成されたアライメントマークを照射し、回折・散乱された光を利用して基準マーク板40の基準マークに対する上記アライメントマークの位置を計測する、LSA(Laser Step Alignment)系のセンサを備えた構成であってもよい。また、オフアクシス・アライメント系41は、ウエハW上のアライメントマークに周波数の異なる2種類のレーザ光を2方向から照射し、発生した2つの回折光を干渉させ、その位相から基準マーク板40の基準マークに対する上記アライメントマークの位置を計測する、LIA(Laser Interferometric Alignment)系のセンサを備えた構成であってもよい。さらに、オフアクシス・アライメント系41は、FIA系のセンサ、LSA系のセンサ及びLIA系のセンサを任意に組み合わせた構成であってもよい。
・第1の実施形態において、ステップS14の処理を省略してもよい。すなわち、パターン像の大きさの微調整を行うのであれば、ウエハWの膨張に基づくパターン像の投影位置の微調整を行わなくてもよい。
・第1の実施形態において、ステップS13の処理を省略してもよい。すなわち、パターン像の投影位置の微調整を行うのであれば、ウエハWの膨張に基づくパターン像の大きさの微調整を行わなくてもよい。
・第1の実施形態において、ウエハWに投影するパターン像の大きさを微調整する場合には、投影光学系21での調整だけではなく、レチクルRを投影光学系21に接近させるべくレチクルステージ20の移動機構28を駆動させるようにしてもよい。また、レチクルステージ20の移動機構28を駆動させるのであれば、投影光学系21での調整を行わなくてもよい。
・第1の実施形態において、基準マーク板40の基準マークからウエハWのアライメントマークまでの距離を実測値よりも短く出力する方法としては、ソフトウエア的に処理する方法であってもよいし、上記距離が短く計測されるような特殊な光学系を用いる方法、即ち、ハードウエア的に処理する方法であってもよい。
・各実施形態において、露光装置11は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンの像を投影する露光装置であってもよい。また、露光装置11は、液晶表示素子(LCD)などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンの像をガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
また、シリコン以外のウエハに露光を行う場合には、該ウエハの素材に応じてパターン像の形成条件を設定することが望ましい。
・各実施形態の露光装置11は、マスクと基板とが相対移動した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるスキャニング・ステッパ、及び、マスクと基板とが静止した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式のステッパを問わず適用することができる。
・各実施形態の露光装置11は、マスクと基板とが相対移動した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるスキャニング・ステッパ、及び、マスクと基板とが静止した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式のステッパを問わず適用することができる。
・各実施形態において、露光光源18は、例えばg線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、F2レーザ(157nm)、Kr2レーザ(146nm)、Ar2レーザ(126nm)等を出力可能な光源であってもよい。また、露光光源18は、DFB半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(またはエルビウムとイッテルビウムの双方)がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を出力可能な光源であってもよい。
また、この場合には、チャンバ12,15内を、真空雰囲気ではなく、大気圧よりも減圧された減圧雰囲気に設定してもよい。
次に、本発明の実施形態の露光装置11によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図6は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。
次に、本発明の実施形態の露光装置11によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図6は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップS101(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS102(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクルRなど)を製作する。一方、ステップS103(基板製造ステップ)において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板(シリコン材料を用いた場合にはウエハWとなる。)を製造する。
次に、ステップS104(基板処理ステップ)において、ステップS101〜ステップS104で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS105(デバイス組立ステップ)において、ステップS104で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップS105には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS106(検査ステップ)において、ステップS105で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
図7は、半導体デバイスの場合におけるステップS104の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS111(酸化ステップ)おいては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ステップS111(酸化ステップ)おいては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS115(レジスト形成ステップ)において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップS116(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置11)によってマスクの回路パターンを基板に形成する。次に、ステップS117(現像ステップ)において、ステップS116にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップS118(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS119(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップS118及びステップS119において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
11…露光装置、12…第1チャンバ、20…マスク保持装置としてのレチクルステージ、21…投影光学系、22…基板保持装置としてのウエハステージ、23…冷却装置としての温度調整機構、36…保持ホルダ、37…温度維持機構、39…計測装置としてのウエハレーザ干渉計、41…計測装置としてのオフアクシス・アライメント系、50…調整装置、計測装置としての制御装置、61…パターン、R…マスクとしてのレチクル、T…温度、W…基板としてのウエハ。
Claims (13)
- 大気圧よりも減圧された減圧雰囲気に設定されたチャンバ内で、感光性材料が塗布された基板上にパターンを形成する露光装置であって、
前記チャンバ外からチャンバ内に搬送された前記基板の変形に応じて、該基板への前記パターンの形成条件を調整する調整装置を備えた露光装置。 - 前記基板は、前記チャンバ外からチャンバ内に搬入されることによって膨張する請求項1に記載の露光装置。
- 前記パターンが形成されたマスクを保持するマスク保持装置と、
前記パターンを介した放射ビームを前記基板に照射する光学系とをさらに備え、
前記調整装置は、前記基板の膨張量に基づき、前記マスク保持装置及び前記光学系のうち少なくとも一方を調整する請求項2に記載の露光装置。 - 前記基板を保持して移動可能な基板保持装置と、
該基板保持装置の位置を計測する計測装置とをさらに備え、
前記調整装置は、前記基板の膨張量に対応するオフセット値に基づき、前記計測装置によって計測される前記基板保持装置の位置を補正する請求項2又は請求項3に記載の露光装置。 - 前記基板を冷却する冷却装置をさらに備え、
前記調整装置は、前記基板の膨張量に基づき、前記冷却装置を制御する請求項2に記載の露光装置。 - 前記基板を保持するための保持ホルダと、該保持ホルダに保持される前記基板の温度を維持するための温度維持機構とを有する基板保持装置をさらに備え、
前記冷却装置は、前記保持ホルダとは別体として設けられている請求項5に記載の露光装置。 - 大気圧よりも減圧された減圧雰囲気に設定されたチャンバ内で、感光性材料が塗布された基板上にパターンを形成する露光装置であって、
前記チャンバ外からチャンバ内に搬送された前記基板を冷却する冷却装置を備えた露光装置。 - 大気圧よりも減圧された減圧雰囲気に設定されたチャンバ内で、感光性材料が塗布された基板上にパターンを形成する露光方法であって、
前記チャンバ外からチャンバ内に搬送された前記基板の変形に応じて、該基板への前記パターンの形成条件を調整する調整ステップと、
該調整ステップ後に、放射ビームを前記基板上に照射することにより該基板に前記パターンを形成する露光ステップと
を有する露光方法。 - 前記調整ステップでは、前記基板の変形に基づき、前記基板上に形成される前記パターンの大きさの調整が行われる請求項8に記載の露光方法。
- 前記調整ステップでは、前記基板の変形に対応するオフセット値に基づき、前記基板を保持する基板保持装置の位置が調整される請求項8又は請求項9に記載の露光方法。
- 前記調整ステップでは、前記基板の変形に基づき、該基板が冷却される請求項8に記載の露光方法。
- 大気圧よりも減圧された減圧雰囲気に設定されたチャンバ内で、感光性材料が塗布された基板上にパターンを形成する露光方法であって、
前記チャンバ外からチャンバ内に搬送された前記基板を冷却する冷却ステップと、
該冷却ステップ後に、放射ビームを前記基板上に照射することにより該基板に前記パターンを形成する露光ステップと
を有する露光方法。 - リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項8〜請求項12のうち何れか一項に記載の露光方法を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
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JP2008081399A JP2009238922A (ja) | 2008-03-26 | 2008-03-26 | 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
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WO2020167408A1 (en) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | Applied Materials, Inc. | Model based dynamic positional correction for digital lithography tools |
-
2008
- 2008-03-26 JP JP2008081399A patent/JP2009238922A/ja active Pending
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WO2020167408A1 (en) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | Applied Materials, Inc. | Model based dynamic positional correction for digital lithography tools |
US10996572B2 (en) | 2019-02-15 | 2021-05-04 | Applied Materials, Inc. | Model based dynamic positional correction for digital lithography tools |
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