CN112638258A - 具有自动曝光控制的辐射检测器和自动曝光控制方法 - Google Patents

具有自动曝光控制的辐射检测器和自动曝光控制方法 Download PDF

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Abstract

本文公开了一种方法，所述方法包括：确定由辐射检测器的第一组的像素接收到的辐射剂量；确定所述剂量满足标准；根据满足标准的所述剂量调节辐射检测器对辐射的暴露量；以及基于由辐射检测器的第二组的像素接收到的辐射形成图像。

Description

具有自动曝光控制的辐射检测器和自动曝光控制方法
【技术领域】
本文的本公开涉及辐射检测器，尤其涉及具有自动曝光控制的辐射检测器。
【背景技术】
辐射检测器是一种测量辐射特性的装置。特性的示例可以包括辐射的强度、相位和极化的空间分布。辐射可以是与受试者相互作用的辐射。例如，由辐射检测器测量的辐射可以是已经从受试者穿透或反射的辐射。辐射可以是电磁辐射，例如红外光、可见光、紫外光、X射线或γ射线。辐射可以是其它类型，例如α射线和β射线。一种类型的辐射检测器是基于辐射和半导体之间的相互作用。例如，这种类型的辐射检测器可以具有吸收辐射并产生电荷载流子(例如电子和空穴)的半导体层和用于检测电荷载流子的电路。
自动曝光控制(AEC)装置(例如，物理上薄的辐射电离室)可以定位在辐射源(例如，X射线源)和辐射检测器之间，并且可以用于当辐射检测器已经接收到预定量的辐射时调节(例如，终止，减少)辐射暴露量。AEC装置可用于显著地减少或消除不同图像之间图像质量的变化，还可减少辐射剂量对于不同尺寸的对象(例如，如果用于医学射线照相的话，患者)横截面的变化。
【发明内容】
本文公开了一种方法，所述方法包括：确定由辐射检测器的第一组的像素接收到的辐射剂量；确定所述剂量满足标准；根据满足标准的所述剂量调节辐射检测器对辐射的暴露量；以及基于由辐射检测器的第二组的像素接收到的辐射形成图像。
根据实施例，第二组不包括第一组的任何成员。
根据实施例，第一组是第二组的子集。
根据实施例，第一组的像素位于阵列的同一行或同一列中。
根据实施例，确定所述剂量是基于由第一组的像素接收到的辐射产生的电信号。
根据实施例，标准是所述剂量的统计特征量高于阈值。
根据实施例，统计特征量是所述剂量的中值。
根据实施例，统计特征量是所述剂量的平均值
根据实施例，统计特征量是超过限制的剂量与由第一组的像素接收到的剂量的比率。
根据实施例，根据满足标准的所述剂量调节辐射检测器对辐射的暴露量包括防止辐射到达辐射检测器。
根据实施例，根据满足标准的所述剂量调节辐射检测器对辐射的暴露量包括停止产生辐射。
根据实施例，第一组的像素分布在一组芯片中；其中该组中的每个芯片包括第一组的像素的子集。
根据实施例，确定所述剂量满足标准包括对由每个子集的像素接收到的剂量满足条件的子集的数量进行计数；其中该标准是所述子集的数量与多个子集的总数的比率高于阈值。
根据实施例，所述条件是由每个子集的像素接收到的剂量的统计特征量高于另一阈值。
本文公开了一种装置，所述装置包括：辐射源；辐射检测器，包括处理器；其中，处理器配置为：确定由辐射检测器的第一组的像素接收到的辐射剂量，确定所述剂量满足标准，根据满足标准的所述剂量调节辐射检测器对辐射的暴露量，以及基于由辐射检测器的第二组的像素接收到的辐射形成图像。
根据实施例，第二组不包括第一组的任何成员。
根据实施例，第一组是第二组的子集。
根据实施例，第一组的像素位于阵列的同一行或同一列中。
根据实施例，标准是所述剂量的统计特征量高于阈值。
根据实施例，统计特征量是所述剂量的中值。
根据实施例，统计特征量是所述剂量的平均值
根据实施例，统计特征量是超过限制的剂量与由第一组的像素接收到的剂量的比率。
根据实施例，所述装置还包括快门，该快门被配置为当处理器根据满足标准的所述剂量调节辐射检测器对辐射的暴露量时，防止辐射到达辐射检测器。
根据实施例，辐射源被配置为当处理器根据满足标准的所述剂量调节辐射检测器对辐射的暴露量时，停止产生辐射。
根据实施例，第一组的像素分布在一组芯片中；其中该组中的每个芯片包括第一组的像素的子集。
根据实施例，处理器包括计数器，该计数器被配置为对由每个子集的像素接收到的剂量满足条件的子集的数量进行计数；其中该标准是所述子集的数量与多个子集的总数的比率高于阈值。
根据实施例，所述条件是由每个子集的像素接收到的剂量的统计特征量高于另一阈值。
【附图说明】
图1A和图1B示意性地示出了根据实施例的***。
图2A示意性地示出了根据实施例的辐射检测器。
图2B示意性地示出了根据实施例的辐射检测器的可替代示例。
图3A示意性地示出了根据实施例的辐射检测器的横截面图。
图3B示出了适用于AEC的方法的流程图，例如，使用如图1A和图1B所示的***。
图4A示意性地示出了根据实施例的图3A中所示的辐射检测器的详细横截面图。
图4B示意性地示出了根据实施例的图3A中所示的辐射检测器的详细横截面图。
图5A和图5B各自示出了根据实施例的被配置为测量辐射剂量的处理器的一部分的组件图。
图6示意性地示出了本文所述的***100用于医学成像，例如牙科X射线照相。
图7示意性地示出了包括本文描述的***100的全身扫描仪***。
图8示意性地示出了包括本文描述的***100的X射线计算机断层摄影(X射线CT)***。
【具体实施方式】
图1A和图1B示意性地示出了根据实施例的***100。***100可以具有辐射源110和辐射检测器300。辐射源110可以被配置为产生通过对象130朝向辐射检测器300引导的辐射。辐射检测器300可以检测来自辐射源110的辐射并处理由辐射产生的信号以生成对象130的图像。对象130的图像可以是在处理入射到其上的辐射之后由辐射检测器300产生的一组位置相关数据(例如，辐射的强度)。辐射检测器300可以被配置为当满足某些标准时调节(例如，终止或减少)辐射检测器300对来自辐射源110的辐射的暴露量。例如，处理器(例如，图3A中的处理器322)可以测量由辐射检测器300接收到的辐射剂量(例如，透过对象130的辐射剂量)，并在剂量满足标准时调节暴露量(例如，关断辐射源110或阻挡来自辐射源110的辐射)。例如，辐射源110可以由处理器(例如，图3A中的处理器322)控制，使得处理器可以关断辐射源110。如图1B的示例中所示，***100可以包括快门140，快门140被配置为防止辐射到达辐射检测器300或对象130。处理器可以控制快门140的操作。快门140可以包括对于来自辐射源110的辐射具有高质量衰减系数的材料。
图2A示意性地示出了根据实施例的辐射检测器300。辐射检测器300具有包括第一组像素204和第二组像素202的像素阵列。阵列中的每个像素可以被配置为检测入射在其上的来自辐射源110的辐射，并且可以被配置为测量辐射的特性(例如，粒子能量，波长和频率)。例如，每个像素被配置为在一段时间内对入射在其上的能量落在多个区间中的辐射粒子的数量进行计数。所有像素可以被配置为在同一段时间内对多个能量区间内的入射在其上的辐射粒子的数量进行计数。当入射辐射粒子具有相似能量时，像素可以简单地被配置为在一段时间内对入射在其上的辐射粒子的数量进行计数，而不测量各个辐射粒子的能量。每个像素可以具有其自己的模数转换器(ADC)，其被配置为将表示入射辐射粒子的能量的模拟信号数字化为数字信号，或者将表示多个入射辐射粒子的总能量的模拟信号数字化成数字信号。像素可以被配置为并行操作。例如，当一个像素测量入射辐射粒子时，另一个像素可能正在等待辐射粒子到达。
阵列可以是矩形阵列、蜂窝阵列、六边形阵列或任何其它合适的阵列。第二组可以包括或不包括第一组的任何成员。例如，第一组可以是第二组的子集。第一组像素204可以在阵列的同一行或同一列中，但不必一定如此布置。在图2A的示例中，第一组像素204在同一行中，并且第一组像素204中没有像素属于第二组像素202。在示例中，第二组像素202可以包括第一组像素204中的一些或全部像素，即第一组像素204是第二组像素202的子集。
图2B示意性地示出了根据实施例的辐射检测器300的可替代示例。辐射检测器300可以包括一组芯片210。第一组像素204可以分布在该组芯片210中。换句话说，每个芯片210可以包括第一组的子集，并且每个子集可以包括第一组的一个或多个像素204。一个子集中的像素204的数量和分布不必一定与另一个子集的数量和分布相同。
图3A示意性地示出了根据实施例的辐射检测器300的横截面图。辐射检测器300可以包括辐射吸收层310和电子器件层320(例如，ASIC)，其用于处理或分析入射辐射在辐射吸收层310中产生的电信号。辐射吸收层310可以包含半导体材料，例如硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。该半导体可以对关注的辐射具有高质量衰减系数。辐射吸收层310可以包括一个或多个二极管(例如，p-i-n或p-n)或电阻器，如图4A或图4B所示。辐射检测器300可以包括或不包括闪烁体。
当辐射撞击辐射吸收层310时，它可被吸收并通过多种机制产生一个或多个电荷载流子。辐射粒子可以产生10至100000个电荷载流子。电荷载流子可以在电场下漂移到电触点319A和319B。该场可以是外部电场。电荷载流子可以在各方向上漂移，使得由单个辐射粒子产生的电荷载流子基本上不被两个不同的像素(例如，204或202)共用(这里“基本上不共用”意指相比于其余的电荷载流子，小于2％，小于0.5％，小于0.1％或小于0.01％的这些电荷载流子流向一个不同的像素)。
辐射检测器300可以包括处理器322，处理器322被配置为确定由第一组像素204接收到的辐射剂量并调节辐射检测器300对辐射的暴露量，如图1A和图1B所示。处理器322可以在电子器件层320中。在实施例中，处理器322可以包括例如滤波器网络、放大器、积分器和比较器的模拟电路，或者诸如微处理器的数字电路，以及存储器。处理器322可以包括一个或多个ADC。处理器322可以包括由各像素共用的组件或专用于单个像素的组件。在图2B的情况下，处理器322可以包括由该组芯片210共用的组件或专用于单个芯片210的组件。处理器322可以通过通孔331电连接到像素。通孔之间的空间可以被填充材料330填充，填充材料330可以增加电子层320与辐射吸收层310的连接的机械稳定性。其它接合技术可以在不使用通孔的情况下将处理器322连接到像素。
图3B示出了适用于AEC的方法的流程图，例如，使用如图1A和图1B所示的***100。
在工序31中，确定由第一组像素204接收到的辐射剂量，例如，使用处理器322确定由第一组像素204接收到的辐射剂量。在实施例中，基于由第一组像素204接收到的辐射产生的电信号确定剂量。
在工序32中，确定剂量是否满足标准，例如，使用处理器322确定剂量是否满足标准。标准可以是剂量的统计特征量高于阈值。可以基于应用的特定需要来预先确定和设置阈值的值。在实施例中，统计特征量可以是剂量的中值或剂量的平均值。在实施例中，统计特征量可以是超过限制的剂量与第一组像素204接收到的剂量的比率。例如，超过限制的剂量的数量由计数器进行计数并用于计算比率。该限制可以是百分比值，例如80％、90％、100％或任何其它合适的值。在图2B所示的情况下，该组中的芯片210均包括第一组的子集，并且其剂量满足条件的子集的数量(即，芯片210的数量)可以由计数器进行计数。该条件可以是子集的剂量的统计特征量高于阈值。该标准可以是子集的数量与多个子集的总数的比率高于另一个阈值。例如，另一阈值可以是百分比值，例如80％、90％、100％或任何其它合适的值。
在工序33中，响应于剂量满足标准，调节辐射检测器300对辐射的暴露量。在实施例中，一旦剂量满足标准，辐射源110可以停止产生辐射。例如，处理器322可以连接到辐射源110(如图1A所示)，并在满足标准时将信号发送到辐射源110。在接收到信号之后，辐射源110可以自动关断。在实施例中，一旦剂量满足标准，辐射可以被物理阻挡(例如，通过如图1B所示的快门140)。例如，处理器322可以连接到快门140，并且当满足标准时控制快门的移动以防止辐射到达辐射检测器300或对象130。
在工序34中，在上面调节暴露量之前，基于由辐射检测器300的第二组像素202接收到的辐射形成图像。图像可以是由辐射检测器300生成的一组位置相关数据。图像可以基于透过对象130并由第二组像素202接收到的辐射的剂量形成，并且可以反映对象130的不同部位的衰减特性(例如，组成和厚度)。在实施例中，来自第一组像素204的信号(例如，辐射剂量)也可以用于生成图像的部分。
图4A示意性地示出了根据实施例的图3A中所示的辐射检测器300的详细横截面图。辐射吸收层310可以包括由第一掺杂区311、第二掺杂区313的一个或多个离散区314和电触点319B形成的一个或多个二极管(例如，p-i-n或p-n)。第二掺杂区313可以通过可选的本征区312与第一掺杂区311分离。离散区314通过第一掺杂区311或本征区312彼此分离。第一掺杂区311和第二掺杂区313具有相反的掺杂类型(例如，区域311是p型且区域313是n型，或者，区域311是n型且区域313是p型)。第二掺杂区313的每个离散区314与第一掺杂区311和可选的本征区312形成二极管。即，辐射吸收层310具有多个二极管，其具有第一掺杂区311作为共用电极。第一掺杂区311还可以具有离散的部分。电触点319B可以包括离散部分，每个离散部分与离散区314电接触。
在实施例中，由入射在这些离散区314之一的覆盖区周围的辐射粒子产生的电荷载流子基本上不与这些离散区314中的另一个共用。辐射吸收层310的与像素(202或204)相关联的部分可以是离散区314周围的区域，其中由入射到其中的辐射粒子产生的基本上全部(大于98％，大于99.5％、大于99.9％、或大于99.99％)的电荷载流子流向离散区314。即，小于2％、小于1％、小于0.1％或小于0.01％的这些电荷载流子流过与离散区314相关联的像素(202或204)。
如图4B中的辐射检测器300的可替代的详细横截面图所示，根据实施例，辐射吸收层310可以包括诸如硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合的半导体材料的电阻器，但不包括二极管。该半导体可以对关注的辐射具有高质量衰减系数。
在实施例中，电触点319B包括离散部分。由入射在电触点319B的这些离散部分之一的覆盖区周围的辐射粒子产生的电荷载流子基本上不与电触点319B的这些离散部分中的另一个共用。与像素(202或204)相关联的辐射吸收层310的部分可以是离散部分周围的区域，其中由入射到其中的辐射粒子产生的基本上全部(超过98％、超过99.5％、超过99.9％或超过99.99％)的电荷载流子流向电触点319B的离散部分。即，小于2％、小于0.5％、小于0.1％或小于0.01％的这些电荷载流子流过与电触点319B的离散部分相关联的像素(202或204)。
图5A和图5B各自示出了根据实施例的被配置为测量辐射剂量的处理器322的一部分的组件图。处理器322部分包括电连接到二极管400或电触点的电极的电容器模块409，其中电容器模块被配置为从电极收集电荷载流子。电容器模块可以包括电容器，并且来自电极的电荷载流子在一段时间(“积分期”)内累积在电容器上。积分期结束后，对电容器电压进行采样，然后通过复位开关复位。电容器模块可包括直接连接到电极的电容器。电容器可以位于放大器的反馈路径中。这样配置的放大器称为电容互阻抗放大器(CTIA)。CTIA通过阻止放大器饱和而具有高动态范围，并通过限制信号路径中的带宽来提高信噪比。
除了电容器模块409之外，处理器322部分还可以包括第一电压比较器401、第二电压比较器402、计数器420、开关405、电压表406和控制器410，如图5A和图5B所示。
第一电压比较器401被配置为将二极管400的电极的电压与第一阈值进行比较。二极管可以是由第一掺杂区311、第二掺杂区313的离散区314之一和可选的本征区312形成的二极管。或者，第一电压比较器401被配置为将电触点(例如，电触点319B的离散部分)的电压与第一阈值进行比较。第一电压比较器401可以被配置为直接监视电压，或者通过在一段时间内对流过二极管或电触点119B的电流进行积分来计算电压。第一电压比较器401可以由控制器410可控地激活或去激活。第一电压比较器401可以是连续比较器。即，第一电压比较器401可以被配置为连续激活并连续监视电压。被配置为连续比较器的第一电压比较器401降低了处理器322部分错过由入射辐射粒子产生的信号的机会。当入射辐射强度相对较高时，被配置为连续比较器的第一电压比较器401尤其适合。第一电压比较器401可以是时钟控制比较器，其具有较低功耗的益处。被配置为时钟控制比较器的第一电压比较器401可能会使处理器322部分错过由一些入射辐射粒子产生的信号。当入射辐射强度低时，由于两个连续粒子之间的时间间隔相对较长，因此错过入射辐射粒子的机会很低。因此，当入射辐射强度相对较低时，被配置为时钟控制比较器的第一电压比较器401尤其适合。第一阈值可以是一个入射辐射粒子可以在二极管或电阻器上产生的最大电压的5-10％、10％-20％、20-30％、30-40％或40-50％。最大电压可取决于入射辐射粒子的能量(即入射辐射的波长)、辐射吸收层310的材料和其它因素。例如，第一阈值可以是50mV、100mV、150mV或200mV。
第二电压比较器402被配置为将电压与第二阈值V2进行比较。第二电压比较器402可以被配置为直接监测电压或者通过在一段时间内对流过二极管或电触点的电流进行积分来计算电压。第二电压比较器402可以是连续比较器。第二电压比较器402可以由控制器410可控地激活或去激活。当第二电压比较器402被去激活时，第二电压比较器402的功耗可以小于在第二电压比较器402被激活时的功耗的1％、5％、10％或者20％。第二阈值的绝对值大于第一阈值的绝对值。如本文所使用的，实数x的术语“绝对值”或“模数”|x|是不考虑其符号的x的非负值。即，
Figure BDA0002954105560000101
第二阈值可以是第一阈值的200％-300％。第二阈值可以是一个入射辐射粒子可以在二极管或电阻器上产生的最大电压的至少50％。例如，第二阈值可以是100mV、150mV、200mV、250mV或300mV。第二电压比较器402和第一电压比较器401可以是同一组件。即，处理器322部分可以具有一个电压比较器，其可以在不同时间将电压与两个不同的阈值进行比较。
第一电压比较器401或第二电压比较器402可以包括一个或多个运算放大器或任何其他合适的电路。第一电压比较器401或第二电压比较器402可以具有高速以使得处理器322部分可在高通量的入射辐射粒子下操作。然而，具有高速度通常以功耗为代价。
计数器420被配置为记录到达二极管或电阻器的辐射粒子的数量。计数的辐射粒子的数量被认为是由像素(202或204)接收到的辐射剂量。在实施例中，计数器420还被配置为对超过限制的剂量的数量或其剂量满足如图3B的工序32中的条件的子集的数量进行计数。计数器420可以同时计数和记录多个数量。计数器420可以是软件组件(例如，存储在计算机存储器中的数字)或硬件组件(例如，4017IC和7490IC)。
控制器410可以是硬件组件，例如微控制器和微处理器。控制器410被配置为从第一电压比较器401确定电压的绝对值等于或超过第一阈值的绝对值(例如，电压的绝对值从低于第一阈值的绝对值增加为等于或高于第一阈值的绝对值的值)的时间开始时间延迟。这里使用绝对值是因为电压可以是负的或正的，这取决于是使用二极管的阴极还是阳极的电压或使用哪个电触点。控制器410可以被配置为在第一电压比较器402确定电压的绝对值等于或超过第一阈值的绝对值之前，保持第二电压比较器401、计数器420和第一电压比较器401的操作不需要的任何其他电路的去激活。时间延迟可以在电压变得稳定即电压的变化率基本上为零之前或之后到期。“电压的变化率基本上为零”的短语意指电压的时间变化小于0.1％/ns。“电压的变化率基本上不为零”的短语意指电压的时间变化至少为0.1％/ns。
控制器410可以被配置为在时间延迟期间(包括开始和到期)激活第二电压比较器。在实施例中，控制器410被配置为在时间延迟开始时激活第二电压比较器。术语“激活”意指使组件进入操作状态(例如，通过发送诸如电压脉冲或逻辑电平的信号，通过提供电力等)。术语“去激活”意指使组件进入非操作状态(例如，通过发送诸如电压脉冲或逻辑电平的信号，通过切断电力等)。操作状态可以具有比非操作状态更高的功耗(例如，为非操作状态的10倍，100倍，1000倍)。当电压的绝对值等于或超过第一阈值的绝对值时，控制器410本身可以被去激活，直到第一电压比较器401的输出激活控制器410为止。
控制器410可以被配置为如果在时间延迟期间，第二电压比较器402确定电压的绝对值等于或超过第二阈值的绝对值，则使得由计数器420记录的数量增加1。
控制器410可以被配置为使得电压表406在时间延迟到期时测量电压。控制器410可以被配置为将电极连接到电接地，以便使电压复位并对在电极上累积的任何电荷载流子进行放电。在实施例中，电极在时间延迟到期之后连接到电接地。在实施例中，电极在有限的复位时间段内连接到电接地。控制器410可以通过控制开关405将电极连接到电接地。开关可以是诸如场效应晶体管(FET)的晶体管。
在实施例中，处理器322部分不具有模拟滤波器网络(例如，RC网络)。
在实施例中，处理器322部分没有模拟电路。
电压表406可以将其测量的电压作为模拟或数字信号馈送到控制器410。
图6示意性地示出了本文所述的***100用于医学成像，例如牙科X射线照相。辐射源110是X射线源。从X射线源发射的X射线穿透作为哺乳动物(例如人)嘴部的对象630。对象630可包括上颌骨、上颚骨、牙齿、下颌骨或舌头。X射线通过对象630的不同结构被不同程度地衰减并且被投射到辐射检测器300。辐射检测器300通过检测X射线的强度分布来形成图像并自动控制对象630的X射线暴露量。牙齿比龋齿、感染部、牙周韧带吸收更多的X射线。牙科患者接收到的X射线辐射剂量通常很小(对于全口系列，约为0.150mSv)。
图7示意性地示出了包括本文描述的***100的全身扫描仪***。全身扫描仪***可以检测人体上的物体以进行安全检查，而无需物理地移除衣物或进行身体接触。全身扫描仪***可能能够检测非金属物体。辐射源110是X射线源。从X射线源发射的X射线可以从被检查的人730及其身上的物体反向散射，并且被投射到辐射检测器300。物体和人体可以不同地反向散射X射线。辐射检测器300通过检测反向散射X射线的强度分布来形成图像，并自动控制人730的X射线暴露量。辐射检测器300和X射线源可以被配置为沿线性或旋转方向扫描人。
图8示意性地示出了X射线计算机断层摄影(X射线CT)***。X射线CT***使用计算机处理的X射线来产生被扫描对象的特定区域的断层图像(虚拟“切片”)。断层图像可用于各种医学科系中的诊断和治疗目的，或用于探伤、失效分析、计量学、装配分析和逆向工程。X射线CT***包括本文描述的***100。辐射源110是X射线源。辐射检测器300和X射线源可以被配置为沿着一个或多个圆形或螺旋形路径同步旋转。
这里描述的***100可以具有其它应用，例如X射线望远镜，X射线***X线照相，工业X射线缺陷检测，X射线显微镜或微射线照相，X射线铸造检查，X射线无损测试，X射线焊缝检查，X射线数字减影血管造影等。可以使用该***100代替照相底板、照相胶片、PSP板、X射线图像增强器、闪烁体或其它半导体X射线检测器。
虽然本文已经公开了各个方面和实施例，但是其它方面和实施例对于本领域技术人员而言将是显而易见的。本文公开的各个方面和实施例是出于说明的目的而不意图是限制性的，真正的范围和精神由所附权利要求指示。

Claims (27)

1.一种方法，包括：
确定由辐射检测器的第一组的像素接收到的辐射剂量；
确定所述剂量满足标准；
根据满足标准的所述剂量调节辐射检测器对辐射的暴露量；以及
基于由辐射检测器的第二组的像素接收到的辐射形成图像。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，第二组不包括第一组的任何成员。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，第一组是第二组的子集。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，第一组的像素位于阵列的同一行或同一列中。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述剂量是基于由第一组的像素接收到的辐射产生的电信号。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述标准是所述剂量的统计特征量高于阈值。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述统计特征量是所述剂量的中值。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述统计特征量是所述剂量的平均值。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述统计特征量是超过限制的剂量与由第一组的像素接收到的剂量的比率。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，根据满足标准的所述剂量调节辐射检测器对辐射的暴露量包括防止辐射到达辐射检测器。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，根据满足标准的所述剂量调节辐射检测器对辐射的暴露量包括停止产生辐射。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一组的像素分布在一组芯片中；该组中的每个芯片包括所述第一组的像素的子集。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，确定所述剂量满足标准包括对由每个子集的像素接收到的剂量满足条件的子集的数量进行计数；该标准是所述子集的数量与多个子集的总数的比率高于阈值。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述条件是由每个子集的像素接收到的剂量的统计特征量高于另一阈值。
15.一种装置，包括：
辐射源；
辐射检测器，包括处理器；
其中，处理器配置为：
确定由辐射检测器的第一组的像素接收到的辐射剂量，
确定所述剂量满足标准，
根据满足标准的所述剂量调节辐射检测器对辐射的暴露量，以及
基于由辐射检测器的第二组的像素接收到的辐射形成图像。
16.根据权利要求15所述的装置，其中，所述第二组不包括第一组的任何成员。
17.根据权利要求15所述的装置，其中，所述第一组是第二组的子集。
18.根据权利要求15所述的装置，其中，所述第一组的像素位于阵列的同一行或同一列中。
19.根据权利要求15所述的装置，其中，所述标准是所述剂量的统计特征量高于阈值。
20.根据权利要求19所述的装置，其中，所述统计特征量是所述剂量的中值。
21.根据权利要求19所述的装置，其中，所述统计特征量是所述剂量的平均值。
22.根据权利要求19所述的装置，其中，所述统计特征量是超过限制的剂量与由第一组的像素接收到的剂量的比率。
23.根据权利要求15所述的装置，还包括快门，该快门被配置为当处理器根据满足标准的所述剂量调节辐射检测器对辐射的暴露量时，防止辐射到达辐射检测器。
24.根据权利要求15所述的装置，其中，所述辐射源被配置为当处理器根据满足标准的所述剂量调节辐射检测器对辐射的暴露量时，停止产生辐射。
25.根据权利要求15所述的装置，其中，第所述一组的像素分布在一组芯片中；该组中的每个芯片包括第一组的像素的子集。
26.根据权利要求25所述的装置，其中，所述处理器包括计数器，该计数器被配置为对由每个子集的像素接收到的剂量满足条件的子集的数量进行计数；该标准是所述子集的数量与多个子集的总数的比率高于阈值。
27.根据权利要求26所述的装置，其中，所述条件是由每个子集的像素接收到的剂量的统计特征量高于另一阈值。
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