CN112531003B - 一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置 - Google Patents

一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112531003B
CN112531003B CN202011399271.0A CN202011399271A CN112531003B CN 112531003 B CN112531003 B CN 112531003B CN 202011399271 A CN202011399271 A CN 202011399271A CN 112531003 B CN112531003 B CN 112531003B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
groove
insulating layer
substrate
display panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011399271.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112531003A (zh
Inventor
李磊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN202011399271.0A priority Critical patent/CN112531003B/zh
Publication of CN112531003A publication Critical patent/CN112531003A/zh
Priority to US17/354,416 priority patent/US11793038B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN112531003B publication Critical patent/CN112531003B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • H10K59/8731Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • H10K50/171Electron injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/822Cathodes characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65OLEDs integrated with inorganic image sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置,包括:衬底基板;位于衬底基板上的绝缘层;过渡区包括第一凹槽,第一凹槽至少部分围绕显示区;沿垂直于衬底基板且远离衬底基板的方向上,第一凹槽包括连通的第一部和第二部;第一凹槽贯穿至少部分绝缘层,且第一凹槽的第二部位于第一部背离衬底基板的一侧,第二部靠近第一部一侧的孔径小于第一部靠近第二部一侧的孔径;第一盖层;第一盖层位于绝缘层背离衬底基板的一侧;第一盖层包括第一子盖层和第二子盖层,第一子盖层位于绝缘层背离衬底基板一侧,第二子盖层覆盖第二部的侧壁;公共发光功能层在所述第一凹槽处断开,避免显示区的发光层受外界水氧侵蚀。

Description

一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置。
背景技术
全面屏是有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示技术发展的主要方向,全面屏是采用四周超窄边框设计,再结合在显示区域挖孔放置摄像头设计的面板架构,全面屏是面板显示屏占比最高的面板构架。
现有技术中的屏下摄像头技术主要为通孔和盲孔两种结构,通孔设计需要把摄像头区域内的基板全部挖空以形成通孔,会导致显示区域易受到水氧侵蚀,特别是水汽会随着公共发光功能层进入显示面板内,存在信赖性差的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置,以解决现有技术中当开口区采用通孔设计时,由于开口区在基板上形成通孔,导致显示区域易受到水氧侵蚀,进而影响产品的信赖性的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:开口区、过渡区和显示区;所述显示区至少部分围绕所述开口区;所述过渡区位于所述显示区与所述开口区之间;
所述显示面板包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的绝缘层;
所述过渡区包括第一凹槽,所述第一凹槽至少部分围绕所述显示区;沿垂直于所述衬底基板且远离所述衬底基板的方向上,所述第一凹槽包括连通的第一部和第二部;所述第一凹槽贯穿至少部分所述绝缘层,且所述第一凹槽的第二部位于所述第一部背离所述衬底基板的一侧,所述第二部靠近所述第一部一侧的孔径小于所述第一部靠近所述第二部一侧的孔径;
第一盖层;所述第一盖层位于所述绝缘层背离所述衬底基板的一侧;所述第一盖层包括第一子盖层和第二子盖层,所述第一子盖层位于所述绝缘层背离所述衬底基板一侧,所述第二子盖层覆盖所述第二部的侧壁;
公共发光功能层,所述公共发光功能层位于所述第一盖层背离所述衬底基板的一侧,所述公共发光功能层在所述第一凹槽处断开。
第二方面,本发明实施例还提供一种显示面板的制备方法,包括:
在衬底基板上形成第一绝缘层;所述衬底基板包括预留开口区、过渡区和显示区;所述显示区至少部分围绕所述预留开口区;所述过渡区位于所述显示区与所述预留开口区之间;
在所述过渡区形成至少一个第三凹槽;所述第三凹槽至少部分围绕所述显示区;
在所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成第一盖层;所述第一盖层覆盖所述过渡区中所述第一绝缘层的部分上表面,以及覆盖所述第三凹槽的部分侧壁;
在所述第一盖层背离所述衬底基板的一侧形成钝化层;
去除所述第三凹槽处的所述钝化层,形成第一凹槽;其中,沿垂直于所述衬底基板且远离所述衬底基板的方向上,所述第一凹槽包括连通的第一部和第二部,所述第一凹槽贯穿至少部分所述第一绝缘层,且所述第一凹槽的第二部位于所述第一部背离所述衬底基板的一侧,所述第二部靠近所述第一部一侧的孔径小于所述第一部靠近所述第二部一侧的孔径;所述第一盖层包括第一子盖层和第二子盖层,所述第一子盖层位于所述第一绝缘层背离所述衬底基板一侧,所述第二子盖层覆盖所述第二部的侧壁;
在所述钝化层背离所述衬底基板的一侧形成公共发光功能层,所述公共发光功能层在所述第一凹槽处断开。
第三方面,本发明实施例还提供一种显示装置,包括第一方面任一项所述的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板、显示面板的制备方法和显示装置,通过在显示面板的过渡区设置第一凹槽,第一凹槽贯穿至少部分绝缘层,第一凹槽包括第一部和第二部,第一盖层的第一子盖层位于绝缘层背离衬底基板一侧,第二子盖层覆盖第一凹槽的第二部的侧壁。由于绝缘层背离衬底基板一侧形成的第一盖层的第二子盖层覆盖第一凹槽的第二部的侧壁,而未被第二子盖层覆盖的第一凹槽的第一部的侧壁可以被刻蚀,进而实现第一凹槽的第二部靠近第一部一侧的孔径小于第一部靠近第二部一侧的孔径,当在第一盖层背离衬底基板一侧形成公共发光功能层时,位于第一凹槽侧壁的公共发光功能层与位于第一凹槽底部的公共发光功能层断开,进而使得公共发光功能层在过渡区不连续,即使得公共发光功能层在开口区和显示区是隔断且不连续的,从而可以有效避免外界水氧侵蚀显示区的公共发光功能层,提高显示面板的显示效果。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2是图1提供的显示面板沿A-A'的剖面结构示意图;
图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图;
图4是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图;
图5是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图;
图6是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图;
图7是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图;
图8是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图;
图9是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图;
图10是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图;
图11是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图;
图12是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图;
图13是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图;
图14是本发明实施例提供的一种显示面板的制备过程的剖面结构示意图;
图15是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备过程的剖面结构示意图;
图16是本发明实施例提供的又一种显示面板的制备过程的剖面结构示意图;
图17是本发明实施例提供的又一种显示面板的制备过程的剖面结构示意图;
图18是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图;
图19是本发明实施例提供的又一种显示面板的制备过程的剖面结构示意图;
图20是本发明实施例提供的又一种显示面板的制备过程的剖面结构示意图;
图21是本发明实施例提供的又一种显示面板的制备过程的剖面结构示意图;
图22是本发明实施例提供的又一种显示面板的制备过程的剖面结构示意图;
图23是本发明实施例提供的又一种显示面板的制备过程的剖面结构示意图;
图24是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
为解决上述问题,图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图,图2是图1提供的显示面板沿A-A'的剖面结构示意图,如图1和图2所示,显示面板包括开口区AA、过渡区BB和显示区CC,显示区CC至少部分围绕开口区AA,过渡区BB位于显示区与开口区之间。显示面板还包括:衬底基板 10,位于衬底基板10上的绝缘层20,过渡区BB包括第一凹槽30,第一凹槽30至少部分围绕显示区CC,沿垂直于衬底基板10且远离衬底基板10的方向上,第一凹槽30包括连通的第一部31和第二部32,第一凹槽30贯穿至少部分绝缘层20,且第一凹槽30的第二部32位于第一部31背离衬底基板10的一侧,第二部32靠近第一部31一侧的孔径X1小于第一部31靠近第二部32一侧的孔径X2。第一盖层40,第一盖层40包括第一子盖层41和第二子盖层42,第一子盖层41位于绝缘层20背离衬底基板10一侧,第二子盖层42覆盖第二部32的侧壁。公共发光功能层50,公共发光功能50层位于第一盖层40背离衬底基板10的一侧,公共发光功能层50在第一凹槽30处断开,不连续。
示例性的,如图1所示,显示面板包括显示区CC、过渡区BB和开口区 AA,显示面板的显示区CC设置有发光像素100实现显示面板的显示,显示面板的开口区AA可以设置感光元件,实现屏下摄像或者设置其它元件进而实现显示面板的多功能化。图1示例性表示显示区CC围绕开口区AA,当开口区位于显示面板的某一侧边时,此时可以设置显示区CC部分围绕开口区AA。过渡区BB位于显示区CC和开口区AA之间,由于过渡区BB设置有第一凹槽30,利用过渡区BB的第一凹槽30将开口区AA与显示区CC间隔开,避免显示面板的显示区CC因开口区AA的开口受到水氧侵蚀,从而提高显示产品的可靠性。
具体的,如图2所示,显示面板的过渡区BB设置第一凹槽30,第一凹槽 30贯穿至少部分绝缘层20,第一凹槽30包括第一部31和第二部32,第一盖层40的第一子盖层41位于绝缘层20背离衬底基板10一侧,第二子盖层42覆盖第一凹槽30的第二部32的侧壁(图2示例性用加粗实线表示第二部的侧壁,用加粗虚线表示第一部的侧壁)。通过在绝缘层20背离衬底基板10一侧形成第一盖层40,且第一盖层40的第二子盖层42覆盖第一凹槽30的第二部32的侧壁,未被第二子盖层42覆盖的第一凹槽30的第一部31的侧壁可以被进一步刻蚀,进而实现第一凹槽30的第二部32靠近第一部31一侧的孔径X1小于第一部31靠近第二部32一侧的孔径X2。当在第一盖层40背离衬底基板10一侧形成公共发光功能层50时,由于第一凹槽30的第二部32靠近第一部31一侧的孔径X1小于第一部31靠近第二部32一侧的孔径X2,而公共发光功能层50 的厚度有限,在蒸镀形成公共发光功能层50时,一部分公共发光功能层50的材料会蒸镀形成在第一盖层40的第一子盖层41上,一部分掉进第一凹槽30的底部,而第一凹槽30的侧壁处无蒸镀形成的公共发光功能层50,从而使得位于第一子盖层背离衬底基板一侧的公共发光功能层50与位于第一凹槽30底部的公共发光功能层50断开,进而使得公共发光功能层50在过渡区BB不连续,即使得公共发光功能层50在开口区AA和显示区CC不连续,从而可以有效避免外界水氧通过开口区AA的公共发光功能层50(公共发光功能层50包括有机材料层,容易成为水汽、氧气入侵的通道)向显示面板内部入侵,避免由于水、氧入侵显示区CC而造成封装失效。同时,无需额外设置掩膜版(Mask)即可提高产品的可靠性,简化工艺流程,节省制造成本。
需要说明的是,衬底基板10可以包括玻璃材料、聚合物材料或金属材料,衬底基板10可以是刚性的或柔性的。例如,衬底基板10可以是包含SiO2作为主要成分的透明玻璃基板,或者包括诸如增强塑料的聚合物树脂的基板,例如聚酰亚胺基板、聚丙烯酸树脂基板等,本发明实施例不对衬底基板10的具体材料和性能进行具体限定。
示例性的,图1中设置开口区AA的形状为矩形,也可以设置开口区AA 的形状为其他形状,例如圆形、椭圆形、水滴形等,而位于开口区AA与显示区CC之间的过渡区BB的形状与开口区AA设置的形状有关,本发明实施例不对开口区AA以及过渡区BB的具体形状进行限定。
本发明实施例提供的显示面板,通过在显示面板的过渡区设置第一凹槽,第一凹槽贯穿至少部分绝缘层,第一凹槽包括第一部和第二部,第一盖层的第一子盖层位于绝缘层背离衬底基板一侧,第二子盖层覆盖第一凹槽的第二部的侧壁。由于绝缘层背离衬底基板一侧形成的第一盖层的第二子盖层覆盖第一凹槽的第二部的侧壁,而未被第二子盖层覆盖的第一凹槽的第一部的侧壁在无机绝缘层刻蚀工艺中可以被刻蚀,进而实现第一凹槽的第二部靠近第一部一侧的孔径小于第一部靠近第二部一侧的孔径,当在第一盖层背离衬底基板一侧形成公共发光功能层时,位于第一子盖层背离衬底基板一侧的公共发光功能层与位于第一凹槽底部的公共发光功能层断开,进而使得公共发光功能层在过渡区不连续,从而可以有效避免外界水氧侵蚀显示区的公共发光功能层,防止封装失效,提高显示面板的显示效果。
可选的,在上述实施例的基础上,图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图,如图3所示,显示面板还包括第二盖层60,第二盖层 60位于第一凹槽30的底部。
示例性的,如图3所示,通过在第一凹槽30的底部设置第二盖层60,且第二盖层60在衬底基板10的垂直投影位于第一凹槽30的第一部31在衬底基板10的垂直投影内,当在第一盖层40背离衬底基板10一侧形成公共发光功能层50时,掉进第一凹槽30底部的公共发光功能层50的材料会形成在第二盖层 60上,由于形成在第二盖层60上的公共发光功能层50与第一凹槽的底部之间存在高度差,如果位于第二盖层上方的公共发光功能层未充分断开,可以利用第二盖层60与第一凹槽底部的高度差,避免公共发光功能层爬坡,从而使得形成于第二盖层上的公共发光功能层与位于第一凹槽底部的公共发光功能层完全断开,进一步避免外界水氧通过开口区侵蚀显示区的公共发光功能层,提升第一凹槽的隔断能力。
可选的,在上述实施例的基础上,图4是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图,如图4所示,第一凹槽30的底部还包括凸起结构70,第二盖层60覆盖凸起结构70。
示例性的,如图4所示,通过在第一凹槽30的底部设置凸起结构70,且第二盖层60覆盖凸起结构70,当在第一盖层40背离衬底基板10一侧形成公共发光功能层50时,掉进第一凹槽30底部的公共发光功能层50的材料会形成在第一盖层60上,由于设置的凸起结构70可以增大形成在第二盖层60上的公共发光功能层50距离第一凹槽30底部的距离,避免公共发光功能层50爬坡,进一步保证公共发光功能层50在第一凹槽30中断开。
需要说明的是,在其他可实施方式中,如图5所示,设置形成有第一盖层 60的侧壁与第一凹槽30的第一部31的侧壁之间的距离为D2,凸起结构70的侧壁与第一凹槽30的第一部31的侧壁之间的距离为D1,且D1>D2,通过在凸起结构70背离衬底基板一侧形成第二盖层60,使得位于第一凹槽30的底部的凸起结构70进行侧刻,进一步保证形成于第二盖层上的公共发光功能层与位于第一凹槽底部的公共发光功能层完全断开。
可选的,在上述实施例的基础上,图6是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图,如图6所示,沿背离衬底基板10的方向,第一凹槽30的第二部32的孔径逐渐增加。
如图6所示,通过设置沿背离衬底基板10的方向上第一凹槽30的第二部32的孔径逐渐增加,保证在采用溅射工艺在绝缘层20背离衬底基板10的一侧形成第一盖层42时,位于第一凹槽30的第二部32的侧壁可以形成第二盖层 40的第二子盖层42,进而使得被第二子盖层42覆盖位置处的第一凹槽30的第二部32的侧壁不会被刻蚀,而未被第二子盖层42覆盖的第一凹槽30的第一部 31的侧壁可以被进一步刻蚀,实现第一凹槽30的第二部32靠近第一部31一侧的孔径X1小于第一部31靠近第二部32一侧的孔径X2,能够实现良好的隔断效果。
可选的,第一凹槽30至少部分位于衬底基板10,且第一凹槽30的深度小于绝缘层20和衬底基板10的厚度之和。
在上述各实施例中,示例性表示显示面板的衬底基板10包括第一基板,且第一凹槽30贯穿部分绝缘层20,也可以设置第一凹槽30贯穿绝缘层20且第一凹槽30至少部分位于衬底基板10。示例性的,如图7所示,显示面板的衬底基板10包括下基板11和上基板12,以及位于上基板11和下基板12之间的第一缓冲层13,第一凹槽30贯穿绝缘层20且第一凹槽30至少部分位于上基板11,通过设置第一凹槽11至少部分位于衬底基板10,使得第一凹槽30在沿垂直于衬底基板10所在平面的方向上的深度更深,进一步保证位于第一盖层 40背离衬底基板10一侧的公共发光功能层50与位于第一凹槽30底部的公共发光功能层50断开,进而使得公共发光功能层50在过渡区BB不连续,从而可以有效避免外界水氧侵蚀显示区CC的公共发光功能层50,而在上基板11和下基板12之间设置第一缓冲层13可以保证衬底基板10整体的平坦性。
可选的,第一盖层40和第二盖层60同层。
示例性的,如图8所示,当采用溅射工艺形成第一盖层40时,在第一凹槽30的底部也同时溅射形成第二盖层60,通过设置第一盖层40与第二盖层60同层设置,使得第一盖层40和第二盖层60可以在同一道工艺中形成,降低显示面板制备工艺的复杂度。
需要说明的是,图8示例性表示第一盖层40和第二盖层60与显示区CC 薄膜晶体管T的源漏层230同层设置,也可以设置第一盖层40和第二盖层60 与显示区CC的第一金属层240同层,如图9所示,在形成显示区CC的第一金属层240的同时在过渡区BB中形成第一盖层40和第二盖层60,使得过渡区 BB中的第一盖层40和第二盖层60与显示区CC区的第一金属层240在同一道工艺中形成,降低显示面板制备的复杂度。其中第一金属层240位于源漏层230 远离衬底基板10一侧,且第一金属层240与阳极金属层250电连接,用于减少阳极金属层250的电阻,提高传导效率。
可选的,显示面板还包括阴极层,可以选择将阴极层与靠近显示区一侧的第一盖层40电连接,减小阴极层的电阻。
可选的,第一盖层40和第二盖层60不同层,第一盖层40与显示区CC的薄膜晶体T的源漏层230同层,第二盖层60与显示区CC的薄膜晶体T的栅极层220同层,如图10所示,或,第一盖层40与显示区CC的薄膜晶体T的源漏层230同层,第二盖层60与显示区CC的第一金属层240同层,第一金属层 240位于源漏层230远离衬底基板10的一侧,如图11所示。
当第一盖层40与第二盖层60不同层时,此时可以设置第一盖层40与显示区CC的薄膜晶体T的源漏层230同层,第二盖层60与显示区CC的薄膜晶体管T的栅极层220同层,如图10所示,或者,第一盖层40与显示区CC的薄膜晶体管T的源漏层230同层,第二盖层60与显示区CC的第一金属层240同层,第一金属层240位于源漏层230远离衬底基板10的一侧,如图11所示。当第一盖层40与第二盖层60不同层设置时,可以在形成显示区的栅极层220 的同时在过渡区BB中形成第二盖层60,在形成显示区的源漏层230的同时在过渡区BB中形成第一盖层40,或者在形成显示区CC的源漏层230的同时在过渡区BB中形成第一盖层40,在形成显示区CC的第一金属层240的同时在过渡区BB中形成第二盖层60,降低显示面板的工艺复杂度,提高制备效率。
可选的,绝缘层20包括第一绝缘层201和第二绝缘层202,显示区的薄膜晶体管T为顶栅结构,第一绝缘层201包括缓冲层21以及第一层间绝缘层22,第二绝缘层202包括第二层间绝缘层23,缓冲层21位于薄膜晶体管T的有源层210与衬底基板10之间,第一层间绝缘层22位于薄膜晶体管T的栅极层220 与薄膜晶体管T的有源层210之间,第二层间绝缘层23位于薄膜晶体管T的栅极层220与源漏层230之间。
示例性的,如图11所示,显示区CC的薄膜晶体管T为顶栅结构,绝缘层 20包括第一绝缘层201和第二绝缘层202,第一绝缘层包括缓冲层21和第一层间绝缘层22,第二绝缘层202包括第二层间绝缘层23,缓冲层21位于薄膜晶体管T的有源层210与衬底基板10之间,利用缓冲层21防止杂质渗透到薄膜晶体管T,缓冲层21可以包括无机绝缘材料,例如氮化硅或氧化硅,并且可以是包括无机绝缘材料的单层或多层。第一层间绝缘层22位于薄膜晶体管T的栅极层220与薄膜晶体管T的有源层210之间,利用第一层间绝缘层22实现薄膜晶体管T的栅极和有源层210相互绝缘,第二层间绝缘层23位于薄膜晶体管T 的栅极层220和源漏层230之间,利用第二层间绝缘层23实现薄膜晶体管T的栅极和源漏极相互绝缘。
需要说明的是,图11示例性表示薄膜晶体管T为顶栅结构,也可以设置薄膜晶体管T为底栅结构,当薄膜晶体管T为底栅结构时,此时第一绝缘层包括位于薄膜晶体管的栅极层与衬底基板之间的缓冲层,第二绝缘层包括第一层间绝缘层以及第二层间绝缘层,第一层间绝缘层位于薄膜晶体管的栅极层与薄膜晶体管的有源层之间,第二层间绝缘层位于薄膜晶体管的有源层与薄膜晶体管的源漏层之间,本发明实施例不对显示区中薄膜晶体管的具体类型进行限定。
此外,在其他可实施例方式中,若第一盖层40和第二盖层60与显示区CC 的第一金属层240同层时,且显示区CC的薄膜晶体管T为顶栅结构时,此时绝缘层20包括第一绝缘层201和第二绝缘层202,第一绝缘层包括缓冲层21 和第一层间绝缘层22,第二绝缘层202包括第二层间绝缘层23和第三层间绝缘层24,如图8所示,缓冲层21位于薄膜晶体管T的有源层210与衬底基板 10之间,第一层间绝缘层22位于薄膜晶体管T的栅极层220与薄膜晶体管T 的有源层210之间,第二层间绝缘层23位于薄膜晶体管T的栅极层220与源漏层230之间,第三层间绝缘层24位于薄膜晶体管T的源漏层230与第一金属层 240之间。
可选的,在上述实施例的基础上,图12是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构示意图,如图12所示,显示面板的过渡区BB还设置有至少一个挡墙结构300,挡墙结构300至少部分围绕开口区AA,挡墙结构300位于第一凹槽30与开口区AA之间,显示面板的过渡区BB包括多个第一凹槽30,至少一个第一凹槽30位于挡墙结构300与显示区CC之间,至少一个第一凹槽30 位于挡墙结构300与开口区AA之间。
示例性的,如图12所示,显示面板的过渡区BB还设置有至少一个挡墙结构300,挡墙结构300可以包括有机绝缘材料,且挡墙结构300具有围绕开口区AA的环形形状。挡墙结构300可以包括第一子挡墙结构310和第二子挡墙结构320,第一子挡墙结构310可以与显示区CC中的平坦化绝缘层410在同一道工艺中形成,第一子挡墙结构310可以与显示区CC中的像素限定层420同一道工艺形成,挡墙结构300可以在形成有机封装层73的工艺期间避免有机封装层73的流动。
此外,可在挡墙结构300与开口区AA之间设置至少一个第一凹槽30,进一步避免显示面板的显示区CC因开口区AA的开口受到水氧侵蚀。
需要说明的是,图12中,位于挡墙结构300与显示区CC之间的第一凹槽 30贯穿部分绝缘层20,位于挡墙结构300与开口区AA之间的第一凹槽30贯穿绝缘层20,也可以设置位于挡墙结构300与显示区CC之间的第一凹槽30贯穿绝缘层20,位于挡墙结构300与开口区AA之间的第一凹槽30贯穿部分绝缘层20,或者位于挡墙结构300与显示区CC之间的第一凹槽30贯穿部分绝缘层20,位于挡墙结构300与开口区AA之间的第一凹槽30贯穿部分绝缘层20,或者位于挡墙结构300与显示区CC之间的第一凹槽30贯穿绝缘层20,位于挡墙结构300与开口区AA之间的第一凹槽30贯穿绝缘层20,本发明实施例不对位于挡墙结构300与显示区CC之间的第一凹槽30与位于挡墙结构300与开口区 AA之间的第一凹槽30之间的具体深度进行限定。
示例性的,图12中挡墙结构300与显示区CC之间包括一个第一凹槽30,挡墙结构300与开口区AA之间包括一个第一凹槽30,也可以设置挡墙结构300 与显示区CC之间以及挡墙结构300与开口区AA之间包括多个第一凹槽30,本发明实施例对不第一凹槽的个数进行具体限定。
可选的,公共发光功能层50包括:空穴辅助层、电子辅助层、发光材料层以及阴极层中的至少一种。由于阴极材料的光透过率低,会影响开口区AA对应的感光元件接收到的环境光,因此需要在开口区AA对应位置处将阴极层断开。然而由于阴极层材料选择的原因,阴极层很难通过刻蚀除去,因此采用第一凹槽结构可以将阴极层进行隔断,提高开口区AA的透光率。
示例性的,继续参见图12,公共发光功能层50包括发光材料层51以及阴极层52,其中发光材料层包括可发射特定颜色的光的低分子量或高分量有机材料。在其他可实施方式中,公共发光功能层50包括:依次层叠设置的空穴辅助层、发光材料层、电子辅助层和阴极层,其中空穴辅助层包括空穴传输层和\或空穴注入层,电子辅助层包括电子传输层和\或电子注入层。
可选的,显示面板还包括封装层,封装层70位于公共发光功能层50背离衬底基板10的一侧,并填充第一凹槽30,封装层70包括层叠的至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
示例性的,继续参见图12,封装层70位于公共发光功能层50背离衬底基板10一侧,且封装层70填充第一凹槽30,通过在公共发光功能层50背离衬底基板10一侧设置封装层70,利用封装层70填充第一凹槽30,从而可以有效避免外界水氧侵蚀显示区CC的公共发光功能层。
需要说明的是,图12示例性表示封装层70包括第一无机封装层71和第二无机封装层72以及在它们之间的有机封装层73,但是第一无机封装层71和第二无机封装层72以及有机封装层73的堆叠顺序以及无机封装层和有机封装层的数目可以被改变,本发明实施例不对封装层的具体结构进行限定。
无机封装层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种的无机绝缘材料,并且可以经由化学气相沉积 (CVD)等形成。有机封装层可包括聚合物类材料,聚合物类材料的示例性可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。
需要说明的是,在上述各实施例中,示例性通过在过渡区BB设置第一凹槽30,使得位于第一盖层40背离衬底基板10一侧的公共发光功能层50与位于第一凹槽30底部的公共发光功能层50断开,进而避免外界水汽通过开口区 AA侵蚀显示区CC的公共发光功能层50,影响显示面板的显示。进一步的,可将位于过渡区BB的第一盖层40复用为显示面板的静电导出层,进而实现显示面板显示区的静电导出,可以将第一盖层40与低电位信号端电连接。
可选的,在上述实施例的基础上,图13是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图,如图13所示,制备方法包括:
S110、在衬底基板上形成第一绝缘层,衬底基板包括预留开口区、过渡区和显示区,显示区至少部分围绕预留开口区,过渡区位于显示区与预留开口区之间。
首先在衬底基板上采用沉积方式沉积形成绝缘层20。
S120、在过渡区形成至少一个第三凹槽,第三凹槽至少部分围绕显示区。
示例性的,如图14所示,在衬底基板10形成第一绝缘层201后,通过刻蚀位于过渡区BB的绝缘层20,在过渡区BB形成至少一个第三凹槽33。
S130、在第一绝缘层背离衬底基板的一侧形成第一盖层,第一盖层覆盖过渡区中第一绝缘层的部分上表面,以及覆盖第三凹槽的部分侧壁。
如图15所示,在形成第三凹槽33后,在第一绝缘层201背离衬底基板10 一侧形成第一盖层40,在形成第一盖层40后,在第一盖层背离衬底基板一侧形成涂覆一层光刻胶层,通过对光刻胶层进行曝光、显影,去除第三凹槽底部对应的部分光刻胶,然后采用刻蚀工艺去除位于第三凹槽内的第一盖层,使得第一盖层40覆盖过渡区BB中第一绝缘层201的部分上表面,以及覆盖第三凹槽33的部分侧壁。
S140、在第一盖层背离衬底基板的一侧形成钝化层。
S150、去除第三凹槽处的钝化层,形成第一凹槽。
如图16所示,由于在第一盖层40背离衬底基板10一侧形成钝化层80时,部分钝化层80位于第三凹槽33底表面,采用刻蚀工艺去除位于第三凹槽33处的钝化层80时,采用过刻工艺在未被第一盖层40覆盖的第三凹槽的侧表面进行过刻进而形成第一凹槽30。
其中,沿垂直于衬底基板10且远离衬底基板10的方向上,第一凹槽30包括连通的第一部31和第二部32,第一凹槽30贯穿至少部分第一绝缘层201,且第一凹槽30的第二部32位于第一部31背离衬底基板10的一侧,第二部32 靠近第一部31一侧的孔径X1小于第一部31靠近第二部32一侧的孔径X2,第一盖层40包括第一子盖层41和第二子盖层42,第一子盖层41位于绝缘层20 背离衬底基板10一侧,第二子盖层42覆盖第二部32的侧壁。
S160、在钝化层背离衬底基板的一侧形成公共发光功能层,公共发光功能层在第一凹槽处断开。
如图17所示,当在钝化层80背离衬底基板10的一侧形成公共发光功能层 50时,由于第一凹槽30的第二部32靠近第一部31一侧的孔径X1小于第一部31靠近第二部32一侧的孔径X2,而公共发光功能层50的厚度有限,在蒸镀形成公共发光功能层50时,一部分公共发光功能层50的材料会蒸镀形成在第一盖层40的第一子盖层41上,一部分掉进第一凹槽30的底部,而第一凹槽 30的侧壁处无蒸镀形成的公共发光功能层50,从而使得位于第一子盖层背离衬底基板一侧的公共发光功能层50与位于第一凹槽30底部的公共发光功能层50 断开,进而使得公共发光功能层50在过渡区BB不连续,即使得公共发光功能层50在开口区AA和显示区CC不连续性,从而可以有效避免外界水氧通过开口区AA侵蚀显示区CC的公共发光功能层50,提高产品的可靠性。
可选的,沿背离衬底基板的方向,第一凹槽的第二部的孔径逐渐增加。
如图17所示,形成的第一凹槽的第二部32在沿背离衬底基板10的方向上孔径逐渐增加,保证在采用溅射工艺在绝缘层20背离衬底基板10的一侧形成第一盖层42时,位于第一凹槽30的第二部32的侧壁可以形成第二盖层40的第二子盖层42,进而使得被第二子盖层42覆盖位置处的第一凹槽30的第二部 32的侧壁无法被刻蚀,而未被第二子盖层42覆盖的第一凹槽30的第一部31 的侧壁可以被进一步刻蚀,实现第一凹槽30的第二部32靠近第一部31一侧的孔径X1小于第一部31靠近第二部32一侧的孔径X2。
可选的,在上述实施例的基础上,图18是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图,如图18所示,在过渡区形成至少一个第三凹槽,第三凹槽至少部分围绕显示区之后还包括:
S210、在第三凹槽的底部形成第二盖层。
S220、在第一绝缘层背离衬底基板的一侧形成第二绝缘层。
S230、去除第三凹槽处的第二绝缘层,形成第二凹槽。
示例性的,如图19所示,在过渡区形成第三凹槽33后,通过在第三凹槽 33的底部形成第二盖层60,使得在后续公共发光功能层50时,掉进第三凹槽 33底部的公共发光功能层50的材料会形成在第二盖层60上,由于形成在第二盖层上的公共发光功能层与第三凹槽33的底部之间存在高度差,因此可以使得形成于第二盖层上的公共发光功能层与位于第三凹槽底部的公共发光功能层断开,进一步避免外界水氧通过开口区侵蚀显示区的公共发光功能层。在第三凹槽33底部形成第二盖层后在第一绝缘层背离衬底基板一侧形成第二绝缘层时,部分第二绝缘层位于第三凹槽33底表面,采用刻蚀工艺去除位于第三凹槽33 处的第二绝缘层形成第二凹槽。
可选的,对第三凹槽处的第二绝缘层进行过刻处理,形成第二凹槽,其中,第二盖层所在位置处的第二凹槽的底部与衬底基板背离绝缘层一侧的表面之间的距离为H1,未设置第二盖层的第二凹槽的底部与衬底基板背离绝缘层一侧的表面之间的距离为H2;H1≥H2。
示例性的,如图20所示,当在第一绝缘层背离衬底基板一侧形成第二绝缘层时,部分第二绝缘层落入第三凹槽内,通过对第三凹槽内的第二绝缘层进行过刻处理,使得未设置有第二盖层位置处的第二凹槽的底部与衬底基板背离绝缘层一侧的表面之间的距离小于等于设置有第二盖层位置处的第二凹槽的底部与衬底基板背离绝缘层一侧的表面之间的距离,进而增大了形成在第二盖层60 上的公共发光功能层50距离第二凹槽34底部的距离,进一步保证公共发光功能层50在凹槽中断开。
需要说明的是,图20示例性表示对第三凹槽处的第二绝缘层进行过刻处理,在其他可实施方式中,在对第三凹槽内的第二绝缘层进行刻蚀处理的同时也可以对第二盖层所在位置处的第一绝缘层201进行侧刻处理,如图21所示,形成有第一盖层的侧壁与第三凹槽的侧壁之间的距离为D2,位于第三凹槽内的第一绝缘层的侧壁与第二凹槽的侧壁之间的距离为D1,且D1>D2,通过在第二绝缘层背离衬底基板一侧形成第二盖层,使得第二凹槽内的第一绝缘层进行侧刻,进一步保证形成于第二盖层上的公共发光功能层与位于第二凹槽底部的公共发光功能层完全断开。
可选的,第一绝缘层背离衬底基板的一侧形成第一盖层还包括:在第三凹槽的底部形成第二盖层。
示例性的,如图22所示,当采用溅射工艺形成第一盖层40时,在第三凹槽33的底部也同时溅射形成第二盖层60,通过设置第一盖层40与第二盖层60 同层设置,使得第一盖层40和第二盖层60可以在同一道工艺中形成,降低显示面板制备工艺的复杂度。
可选的,在第一绝缘层背离衬底基板的一侧形成第一盖层之后还包括:在第三凹槽的底部形成第二盖层。
示例性的,如图11所示,在显示面板的显示区CC还包括第一金属层240,第一金属层240位于源漏金属层230背离衬底基板10一侧,其中第一金属层 240与有机发光元件的阳极金属层250电连接,用于降低有机发光元件的阳极电阻,因此,可以在制备显示面板显示区的第一金属层240的同时在显示面板的过渡区形成第二盖层60,即在第一绝缘层背离衬底基板的一侧形成第一盖层之后还包括:在第三凹槽的底部形成第二盖层,降低显示面板的工艺复杂度,提高制备效率。
可选的,在第三凹槽的底部形成第二盖层60还包括:在显示区CC形成薄膜晶体管T的栅极层220。
可选的,在第一绝缘层201背离衬底基板10的一侧形成第一盖层40还包括:在显示区CC形成薄膜晶体管T的源漏层230。
可选的,显示区的薄膜晶体管T为顶栅结构,第一绝缘层201包括缓冲层 21以及第一层间绝缘层22,第二绝缘层202包括第二层间绝缘层23,缓冲层 21位于薄膜晶体管T的有源层210与衬底基板10之间,第一层间绝缘层22位于薄膜晶体管T的栅极层220与薄膜晶体管T的有源层210之间,第二层间绝缘层23位于薄膜晶体管T的栅极层220与源漏层230之间。
示例性的,如图23所示,可以在形成显示区的栅极层220的同时在过渡区 BB中形成第二盖层60,在形成显示区的源漏层230的同时在过渡区BB中形成第一盖层40,降低显示面板的工艺复杂度,提高制备效率。
当显示区CC的薄膜晶体管T为顶栅结构,绝缘层20包括第一绝缘层201 和第二绝缘层202,第一绝缘层包括缓冲层21和第一层间绝缘层22,第二绝缘层202包括第二层间绝缘层23,缓冲层21位于薄膜晶体管T的有源层210与衬底基板10之间,利用缓冲层21防止杂质渗透到薄膜晶体管T,缓冲层21可以包括无机绝缘材料,例如氮化硅或氧化硅,并且可以是包括无机绝缘材料的单层或多层。第一层间绝缘层22位于薄膜晶体管T的栅极层220与薄膜晶体管 T的有源层210之间,利用第一层间绝缘层22实现薄膜晶体管T的栅极和有源层210相互绝缘,第二层间绝缘层23位于薄膜晶体管T的栅极层220和源漏层 230之间,利用第二层间绝缘层23实现薄膜晶体管T的栅极和源漏极相互绝缘。
可选的,在上述实施例的基础上,本发明实施例还提供的一种显示装置,该显示装置包括本发明实施例提供的显示面板,因此该显示装置也具有本发明实施例提供的显示面板所具有的有益效果,相同之处可参照上文理解,下文中不再赘述。
需要说明的是,本发明实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、智能可穿戴设备(例如,智能手表)以及本领域技术人员可知的其他具有指纹识别功能的显示装置,本发明实施例对此不作限定。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (21)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:开口区、过渡区和显示区;所述显示区至少部分围绕所述开口区;所述过渡区位于所述显示区与所述开口区之间;
所述显示面板包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的绝缘层;
所述过渡区包括第一凹槽,所述第一凹槽至少部分围绕所述显示区;沿垂直于所述衬底基板且远离所述衬底基板的方向上,所述第一凹槽包括连通的第一部和第二部;所述第一凹槽贯穿至少部分所述绝缘层,且所述第一凹槽的第二部位于所述第一部背离所述衬底基板的一侧,所述第二部靠近所述第一部一侧的孔径小于所述第一部靠近所述第二部一侧的孔径;
第一盖层;所述第一盖层包括第一子盖层和第二子盖层,所述第一子盖层位于所述绝缘层背离所述衬底基板一侧,所述第二子盖层覆盖所述第二部的侧壁;
公共发光功能层,所述公共发光功能层位于所述第一盖层背离所述衬底基板的一侧,所述公共发光功能层在所述第一凹槽处断开。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括第二盖层;所述第二盖层位于所述第一凹槽的底部。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一凹槽的底部还包括凸起结构,所述第二盖层覆盖所述凸起结构。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,沿背离所述衬底基板的方向,所述第一凹槽的第二部的孔径逐渐增加。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一凹槽至少部分位于所述衬底基板,且所述第一凹槽的深度小于所述绝缘层和所述衬底基板的厚度之和。
6.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一盖层和所述第二盖层同层。
7.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一盖层和所述第二盖层不同层;
所述第一盖层与所述显示区的薄膜晶体的源漏层同层,所述第二盖层与所述显示区的薄膜晶体的栅极层同层;或,
所述第一盖层与所述显示区的薄膜晶体的源漏层同层,所述第二盖层与所述显示区的第一金属层同层,所述第一金属层位于所述源漏层远离所述衬底基板的一侧。
8.根据权利要求6或7所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层,所述显示区的薄膜晶体管为顶栅结构;
所述第一绝缘层包括缓冲层以及第一层间绝缘层;所述第二绝缘层包括第二层间绝缘层;
所述缓冲层位于所述薄膜晶体管的有源层与所述衬底基板之间;所述第一层间绝缘层位于所述薄膜晶体管的栅极层与所述薄膜晶体管的有源层之间;所述第二层间绝缘层位于所述薄膜晶体管的栅极层与源漏层之间。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板的过渡区还设置有至少一个挡墙结构;
所述挡墙结构至少部分围绕所述开口区;
所述挡墙结构位于所述第一凹槽与所述开口区之间;
所述显示面板的过渡区包括多个所述第一凹槽;
至少一个所述第一凹槽位于所述挡墙结构与所述显示区之间;
至少一个所述第一凹槽位于所述挡墙结构与所述开口区之间。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述公共发光功能层包括:空穴辅助层、电子辅助层、发光材料层以及阴极层中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括封装层;所述封装层位于所述公共发光功能层背离所述衬底基板的一侧,且填充所述第一凹槽;
所述封装层包括层叠的至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
12.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成第一绝缘层;所述衬底基板包括预留开口区、过渡区和显示区;所述显示区至少部分围绕所述预留开口区;所述过渡区位于所述显示区与所述预留开口区之间;
在所述过渡区形成至少一个第三凹槽;所述第三凹槽至少部分围绕所述显示区;
在所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成第一盖层;所述第一盖层覆盖所述过渡区中所述第一绝缘层的部分上表面,以及覆盖所述第三凹槽的部分侧壁;
在所述第一盖层背离所述衬底基板的一侧形成钝化层;
去除所述第三凹槽处的所述钝化层,形成第一凹槽;其中,沿垂直于所述衬底基板且远离所述衬底基板的方向上,所述第一凹槽包括连通的第一部和第二部,所述第一凹槽贯穿至少部分所述第一绝缘层,且所述第一凹槽的第二部位于所述第一部背离所述衬底基板的一侧,所述第二部靠近所述第一部一侧的孔径小于所述第一部靠近所述第二部一侧的孔径;所述第一盖层包括第一子盖层和第二子盖层,所述第一子盖层位于所述第一绝缘层背离所述衬底基板一侧,所述第二子盖层覆盖所述第二部的侧壁;
在所述钝化层背离所述衬底基板的一侧形成公共发光功能层,所述公共发光功能层在所述第一凹槽处断开。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,沿背离所述衬底基板的方向,所述第一凹槽的第二部的孔径逐渐增加。
14.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述在所述过渡区形成至少一个第三凹槽;所述第三凹槽至少部分围绕所述显示区之后还包括:
在所述第三凹槽的底部形成第二盖层;
在所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层;
去除所述第三凹槽处的所述第二绝缘层,形成第二凹槽。
15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述去除所述第三凹槽处的所述第二绝缘层,形成第二凹槽,包括:
对所述第三凹槽处的所述第二绝缘层进行过刻处理,形成第二凹槽;
其中,所述第二盖层所在位置处的所述第二凹槽的底部与所述衬底基板背离所述绝缘层一侧的表面之间的距离为H1,未设置所述第二盖层的所述第二凹槽的底部与所述衬底基板背离所述绝缘层一侧的表面之间的距离为H2;H1≥H2。
16.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,在所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成第一盖层还包括:
在所述第三凹槽的底部形成第二盖层。
17.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,在所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成第一盖层之后还包括:
在所述第三凹槽的底部形成第二盖层。
18.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述在所述第三凹槽的底部形成第二盖层还包括:在所述显示区形成薄膜晶体管的栅极层。
19.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述在所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成第一盖层还包括:在所述显示区形成薄膜晶体管的源漏层。
20.根据权利要求18或19所述的方法,其特征在于,所述显示区的薄膜晶体管为顶栅结构;
所述第一绝缘层包括缓冲层以及第一层间绝缘层;所述第二绝缘层包括第二层间绝缘层;
所述缓冲层位于所述薄膜晶体管的有源层与所述衬底基板之间;所述第一层间绝缘层位于所述薄膜晶体管的栅极层与所述薄膜晶体管的有源层之间;所述第二层间绝缘层位于所述薄膜晶体管的栅极层与源漏层之间。
21.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-11任一项所述的显示面板。
CN202011399271.0A 2020-12-01 2020-12-01 一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置 Active CN112531003B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011399271.0A CN112531003B (zh) 2020-12-01 2020-12-01 一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置
US17/354,416 US11793038B2 (en) 2020-12-01 2021-06-22 Display panel,having discontinuous common light-emitting functional layer, method for manufacturing a display panel, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011399271.0A CN112531003B (zh) 2020-12-01 2020-12-01 一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112531003A CN112531003A (zh) 2021-03-19
CN112531003B true CN112531003B (zh) 2023-04-25

Family

ID=74998199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011399271.0A Active CN112531003B (zh) 2020-12-01 2020-12-01 一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11793038B2 (zh)
CN (1) CN112531003B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220082315A (ko) * 2020-12-10 2022-06-17 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 발광 표시 장치
CN114464754B (zh) * 2022-01-25 2023-05-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN114613923A (zh) * 2022-03-14 2022-06-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN114709347B (zh) * 2022-03-30 2023-06-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及移动终端
CN114914378A (zh) * 2022-04-22 2022-08-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN115332307A (zh) * 2022-08-30 2022-11-11 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN115802795A (zh) * 2023-01-05 2023-03-14 厦门天马显示科技有限公司 一种显示面板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020114052A1 (zh) * 2018-12-05 2020-06-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示设备及制造显示面板的方法
CN111293148A (zh) * 2020-02-20 2020-06-16 绵阳京东方光电科技有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6076626B2 (ja) * 2012-06-14 2017-02-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
US9653709B2 (en) * 2012-11-20 2017-05-16 The Regents Of The University Of Michigan Optoelectronic device formed with controlled vapor flow
KR102427249B1 (ko) * 2015-10-16 2022-08-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10205122B2 (en) * 2015-11-20 2019-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
KR102490891B1 (ko) * 2015-12-04 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6807223B2 (ja) * 2016-11-28 2021-01-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102671369B1 (ko) * 2016-12-02 2024-06-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US10096656B1 (en) * 2017-05-16 2018-10-09 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Manufacturing method for complementary TFT device and manufacturing method for OLED display panel
CN107579171B (zh) * 2017-08-31 2019-07-30 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置
KR102583898B1 (ko) * 2018-04-30 2023-10-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR102548987B1 (ko) * 2018-08-09 2023-06-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102598230B1 (ko) * 2018-08-13 2023-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102587878B1 (ko) * 2018-08-31 2023-10-11 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102465374B1 (ko) * 2018-09-12 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102612036B1 (ko) * 2018-09-27 2023-12-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함한 전자 장치
KR102624512B1 (ko) * 2018-09-28 2024-01-15 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 제조방법
KR102612769B1 (ko) * 2018-11-09 2023-12-11 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR20200060002A (ko) * 2018-11-22 2020-05-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102642791B1 (ko) * 2018-12-04 2024-02-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 영역 내에 관통-홀을 구비한 전계 발광 표시장치
KR20200073549A (ko) * 2018-12-14 2020-06-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200073544A (ko) * 2018-12-14 2020-06-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102621016B1 (ko) * 2018-12-28 2024-01-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN110429118A (zh) 2019-07-31 2019-11-08 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及其制备方法和显示装置
CN111463242B (zh) 2020-04-09 2023-12-01 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
KR20220051095A (ko) * 2020-10-16 2022-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220065122A (ko) * 2020-11-12 2022-05-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020114052A1 (zh) * 2018-12-05 2020-06-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示设备及制造显示面板的方法
CN111293148A (zh) * 2020-02-20 2020-06-16 绵阳京东方光电科技有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210313407A1 (en) 2021-10-07
CN112531003A (zh) 2021-03-19
US11793038B2 (en) 2023-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112531003B (zh) 一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置
CN110416434B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
US20210376293A1 (en) Display panel, preparation method thereof and display apparatus
CN107958916B (zh) 显示装置
CN112186023B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
US20230040100A1 (en) Display substrate, preparation method therefor, and display apparatus
CN114144886B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
US20220359632A1 (en) Display substrate and display panel
CN111900260A (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN109564986B (zh) 显示基板、显示设备和制造显示基板的方法
WO2021097690A1 (zh) 显示基板及其制作方法和显示装置
CN111312723A (zh) 一种显示面板及显示装置
CN111415970B (zh) Oled显示面板
CN111799399B (zh) 可拉伸显示面板及其制作方法
US20230006011A1 (en) Display panel and manufacturing method therefor, and display device
CN111819693A (zh) 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
CN110246983B (zh) 有机发光显示面板及其制造方法、封装薄膜
CN113875036A (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
CN110739340B (zh) 显示装置、显示面板及其制造方法
CN117642025A (zh) 显示面板
CN210516729U (zh) 显示面板及显示装置
CN112885975A (zh) 显示基板及其制备方法以及显示装置
CN113133330A (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
CN216698369U (zh) 显示基板及显示装置
CN113991039A (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant