CN111819693A - 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开至少一个实施例涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置。阵列基板包括：像素区，包括第一发光材料层；打孔区；隔断区，包括隔断结构，所述隔断结构包括至少一个第一凹槽，被配置为通过所述第一凹槽将所述第一发光材料层与所述打孔区隔断。

Description

阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的快速发展，显示器在越来越多的领域得到广泛应用。目前，手机等移动终端的摄像头大多设置在屏幕的非显示区，例如屏幕的边框，这使得边框的尺寸较大。
相关技术中，为了减小边框的尺寸，将摄像头设置在显示区，例如，通过对显示区进行挖孔，在孔的对应位置处设置摄像头。
发明内容
根据本公开的一些实施例，提供了一种阵列基板，包括：像素区，包括第一发光材料层；打孔区；隔断区，包括隔断结构，所述隔断结构包括至少一个第一凹槽，所述隔断结构被配置为通过所述第一凹槽将所述第一发光材料层与所述打孔区隔断。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括衬底结构，所述第一发光材料层和所述隔断结构位于衬底结构上，所述隔断结构的至少一个侧面与所述隔断结构的靠近所述衬底结构的底面的夹角小于或等于90度。
在一些实施例中，所述第一凹槽在垂直所述衬底结构的方向的截面为四边形，所述四边形的靠近所述衬底结构的至少一个底角小于或等于90度。
在一些实施例中，所述隔断区包括：第二发光材料层，所述第二发光材料层部分覆盖所述隔断结构，并在所述第一凹槽的靠近所述衬底结构的至少一个底角处断开。
在一些实施例中，所述隔断区还包括：位于所述第二发光材料层和所述隔断结构之间的阳极材料层。
在一些实施例中，所述四边形的靠近所述衬底结构的至少一个底角在30°至70°的范围。
在一些实施例中，所述四边形为梯形。
在一些实施例中，所述隔断区还包括：阳极材料层，至少部分覆盖所述隔断结构。
在一些实施例中，所述隔断区还包括：金属叠层，围绕所述打孔区设置，位于所述隔断结构与所述打孔区之间。
在一些实施例中，所述像素区还包括：薄膜晶体管结构，位于所述第一发光材料层与所述衬底结构之间，所述薄膜晶体管结构包括栅极、源极和漏极；其中，所述金属叠层包括与所述薄膜晶体管结构的栅极、源极的材料分别相同的第一金属层、第二金属层。
在一些实施例中，所述像素区还包括：电容器结构，位于所述第一发光材料层与所述衬底结构之间、且位于所述隔断结构与所述薄膜晶体管结构之间，所述电容器结构包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层与所述薄膜晶体管结构的栅极材料相同；其中，所述金属叠层包括与所述电容器结构的第二电极的材料相同的第三金属层。
在一些实施例中，所述隔断结构还包括：至少一个第二凹槽，所述第二凹槽在垂直所述衬底结构的方向的深度小于所述第一凹槽的深度，所述第二凹槽在所述衬底结构上的正投影面积小于所述第一凹槽在所述衬底结构上的正投影面积。
在一些实施例中，所述打孔区具有孔，所述孔贯穿所述衬底结构。
根据本公开的另一些实施例，提供了一种显示面板，包括前述任一实施例所述的阵列基板。
根据本公开的又一些实施例，提供了一种显示装置，包括前述任一实施例所述的显示面板。
根据本公开的再一些实施例，提供了一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底结构一侧形成隔断结构，所述隔断结构位于围绕打孔区的隔断区，并且所述隔断结构具有至少一个第一凹槽；在所述衬底结构一侧形成第一发光材料层，所述第一发光材料层位于像素区，并且通过所述第一凹槽与所述打孔区隔开。
在一些实施例中，通过蒸镀工艺形成发光材料层，所述发光材料层位于像素区的部分作为所述第一发光材料层，所述发光材料层位于隔断区的部分作为第二发光材料层，所述第二发光材料层部分覆盖所述隔断结构，并且不形成在所述第一凹槽的靠近所述衬底结构的至少一个底角处。
在一些实施例中，所述第二发光材料层不形成在所述第一凹槽的侧壁处。
在一些实施例中，所述制造方法还包括：在形成所述隔断结构之前，形成阳极材料层。
在一些实施例中，所述制造方法还包括：在形成所述隔断结构之后、且在形成所述发光材料层之前，形成阳极材料层，所述阳极材料层至少部分覆盖所述隔断结构。
在一些实施例中，所述制造方法还包括：去除覆盖在所述隔断结构上的所述第二发光材料层。
在一些实施例中，所述制造方法还包括：形成金属叠层，所述金属叠层位于所述隔断区中、在所述隔断结构与所述打孔区之间，并且包括第一金属层和第二金属层。
在一些实施例中，所述制造方法还包括：在形成所述发光材料层之前形成薄膜晶体管结构，所述薄膜晶体管结构位于所述像素区，并且包括栅极、源极和漏极；其中，所述金属叠层的第一金属层、第二金属层分别与所述薄膜晶体管的栅极、源极通过同一构图工艺形成。
在一些实施例中，所述制造方法还包括：形成电容器结构，所述电容器结构位于所述像素区、在所述薄膜晶体管结构与所述隔断区之间，并且包括第一电极层和第二电极层，其中，所述第一电极层与所述薄膜晶体管结构的栅极通过同一构图工艺形成；其中，所述金属叠层还包括第三金属层，所述第三金属层与所述电容器结构的第二电极通过同一构图工艺形成。
在一些实施例中，所述制造方法还包括：对所述打孔区进行刻蚀，以形成孔。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：
图1是示出根据本公开一个实施例的阵列基板的俯视图；
图2A是示出根据本公开一个实施例的阵列基板的截面图；
图2B是示出根据本公开另一个实施例的阵列基板的截面图；
图2C是示出根据本公开又一个实施例的阵列基板的截面图；
图3A是示出根据本公开一个实施例的阵列基板的制造方法的流程图；
图3B是示出根据本公开另一个实施例的阵列基板的制造方法的流程图；
图4是示出根据本公开一个实施例的TFT结构的制造方法的流程图；
图5A-5F分别示出根据本公开一些实施例的阵列基板的不同制造阶段的截面图；
图6A-6C分别示出根据本公开另一些实施例的阵列基板的不同制造阶段的截面图。
应当明白，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。此外，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现，不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。
本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
相关技术中，对显示区进行挖孔，以便在孔的对应位置处设置摄像头，从而实现全面屏。但是，如果孔周围的发光材料与像素区中的发光材料未能有效隔断，则孔周围的发光材料失效可能会延伸至像素区，导致像素区无法正常显示。
鉴于此，本公开提出一种阵列基板，能够有效防止孔周围的发光材料失效延伸。
根据本公开一些实施例，提供一种阵列基板，包括：像素区，包括第一发光材料层；打孔区；隔断区，包括隔断结构，所述隔断结构包括至少一个第一凹槽，所述隔断结构被配置为通过所述第一凹槽将所述第一发光材料层与所述打孔区隔断。
图1是示出根据本公开一个实施例的阵列基板的俯视图。如图1所示，阵列基板包括显示区1和边框2。显示区1包括像素区10、打孔区20和隔断区30。
在一些实施例中，打孔区20具有孔。如图1所示，孔位于显示区上半部分，为圆形。应当理解，孔在显示区上的位置和形状都不限于图1所示的情形。例如，孔可以位于显示区的任何位置。孔也可以为椭圆形，或者方形、菱形等其他多边形。
孔的大小根据透光量的需求来设置。例如，可以将孔径设置在1至6毫米的范围。孔的深度也可以根据透光量的需求来设置。例如，孔可以是通孔，即贯穿衬底基板。这样可以保证充足的外界光通过孔进入例如摄像头等装置。当然，如果不用通孔就能满足透光量的需求，也可以使用盲孔。
图2A是示出根据本公开一个实施例的阵列基板的截面图。图2A是沿图1所示的俯视图中线AB截取的阵列基板的截面图。在图2A中，通孔贯穿衬底基板。图2A示出通孔一侧的结构，即HA所指示的显示区的截面图。
如图2A所示，阵列基板包括像素区10和隔断区30。像素区10和隔断区30的功能层位于衬底结构100上。如图2A所示，衬底结构100包括衬底基板101。在一些实施例中，衬底结构100还包括在衬底基板101上形成的缓冲层102。缓冲层102的材料可以是无机物，也可以是有机物。例如，缓冲层102的材料可以包括硅的氧化物、硅的氮化物、聚酰亚胺中的至少一种。
如图2A所示，阵列基板还可以包括依次位于衬底结构100上的第一绝缘层103和第二绝缘层104和中间层105。第一绝缘层103、第二绝缘层104和中间层105可以是相同材料，也可以是不同材料，例如，材料可以包括硅的氧化物、硅的氮化物中的至少一种。
如图2A所示，像素区10可以包括薄膜晶体管结构TFT。TFT结构包括有源层201、栅极202、源极/漏极204。如图2A所示，TFT结构位于衬底结构之上。TFT结构的各个电极通过绝缘层隔开。
在一些实施例中，栅极202的材料可以包括钼、铜、铝、金、银或钛等导电材料中的至少一种，例如，可以包括上述材料的各种合金，也可以包括上述材料的叠层。源极/漏极204的材料也可以包括钼、铜、铝、金、银或钛等导电材料中的至少一种，例如，可以包括上述材料的各种合金，也可以包括上述材料的叠层。
如图2A所示，像素区10还可以包括电容器结构200。电容器结构200包括第一电极层202'和第二电极层203。在一些实施例中，第一电极层202'与TFT结构的栅极202的材料相同。第二电极层203的材料可以包括钼、铜、铝、金、银或钛等导电材料中的至少一种，例如，可以包括上述材料的各种合金，也可以包括上述材料的叠层。
像素区10还可以包括发光器件层。发光器件层包括阳极材料层401、第一发光材料层4021和第一阴极材料层4031。如图2A所示，阳极材料层401包括通过像素定义层303隔开的多个阳极单元(图中仅示出一个阳极单元)。阳极材料层的材料可以包括导电氧化物，例如氧化铟锡和氧化铟锌等；也可以包括反射金属，例如银、铝等；还可以是包括导电氧化物和反射金属的多层导电材料。阴极材料层的材料包括Li、Ag、Ca、Al、Mg中的至少一种。
发光器件层位于TFT结构和电容器结构远离衬底结构一侧。换言之，TFT结构和电容器结构均位于发光器件层与衬底结构之间。如图2A所示，像素定义层303位于电容器结构200上方。阳极单元位于TFT结构上方。
在一些实施例中，发光器件层与TFT结构之间设置有支撑层(也称平坦层)301。支撑层301为发光器件层提供平坦的表面。支撑层301的材料包括：聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺等聚合物材料中的至少一种。
前述的TFT结构、电容器结构、发光器件层，如果有的话，都位于像素区。像素区与打孔区通过隔断区隔开。如图2A所示，隔断区30包括隔断结构302。
隔断结构302也位于衬底结构100上，例如位于中间层105上方。如图2A所示，像素区中的TFT结构和电容器结构均位于隔断结构302远离孔的一端。电容器结构可以位于隔断结构302与TFT结构之间。
在一些实施例中，隔断结构302为单层结构。相比叠层结构，单层结构的附着力和稳定性更高。隔断结构302的材料可以采用负性光刻胶，这样在工艺上易实现。
在另一些实施例中，隔断结构302的至少一个侧面与其靠近衬底结构100的底面的夹角小于或等于90度，如图2A所示。这样的隔断结构，由于其下底的宽度大于上底的宽度，其在衬底结构上的附着力和稳定性更高。应当理解，根据实际需要，也可以将隔断结构302的至少一个侧面与其靠近衬底结构100的底面的夹角设置为小于或等于85度或95度。
为了有效地隔断像素区和孔，隔断结构302具有至少一个第一凹槽3021。在一些实施例中，第一凹槽3021在垂直衬底结构100的方向的截面为四边形，四边形的靠近衬底结构100的至少一个底角小于或等于90度。应当理解，四边形可以是严格四边形，也可以是近似四边形。例如，四边形的各个底角可以为圆角，各个边可以为不规则形状，例如锯齿或圆弧状。需要说明的是，四边形的底角过大可能影响像素区和打孔区的隔断效果，四边形的底角过小可能导致凹槽的结构稳定性变差，容易塌陷。相比底角更大或更小的凹槽，底角在合适的角度范围的凹槽能更有效地隔断像素区和打孔区，且保证凹槽具有良好的结构稳定性。例如，该底角α可以在30度至70度的范围。例如，该底角α也可以在25度至75度的范围。
图2A示出第一凹槽3021为梯形凹槽的情形，即第一凹槽在垂直衬底结构的方向的截面为梯形。应当理解，梯形可以是严格梯形，也可以是近似梯形。例如，梯形凹槽的上底宽度在2至10微米的范围，下底宽度在4至25微米的范围，高度在2至5微米的范围。这样的梯形凹槽，靠近衬底结构的底角较小，能更有效地隔断像素区和打孔区。
在一些实施例中，隔断结构302还具有至少一个第二凹槽3022。如图2A所示，第二凹槽3022为矩形凹槽，即第二凹槽在垂直所述衬底结构的方向的截面为矩形。从图2A还可以看出，第二凹槽3022的深度小于第一凹槽3021的深度。第二凹槽3022的口径小于第一凹槽3021的口径，即第二凹槽3022在衬底结构100上的正投影面积小于第一凹槽3021在衬底结构100上的正投影面积。第二凹槽的存在能够延长孔周围的封装距离，有利于提高阵列基板的可靠性。应当理解，第二凹槽的形状不限于图2A所示的矩形，还可以为其他的形状，例如为梯形。
如前所述，像素区与打孔区的隔断体现为像素区的发光材料层与孔的隔断。这样可以防止孔周围的发光材料失效延伸至像素区中的发光材料。
如图2A所示，隔断区30包括第二发光材料层4022。第二发光材料层4022部分覆盖隔断结构302，并在第一凹槽3021的靠近衬底结构100的至少一个底角处断开。
在一些实施例中，第二发光材料层4022在第一凹槽3021的两个底角和侧壁处都不存在，如图2A所示。在第一凹槽3021中，仅底部部分区域覆盖有第二发光材料层4022。
如图2A所示，第二阴极材料层4032与第二发光材料层4022层叠，也是部分覆盖隔断结构302，并在第一凹槽3021的底角处断开。
隔断区30还可以包括金属叠层。如图2A所示，金属叠层位于隔断结构302与孔之间。由于金属叠层的耐热性能较好，孔周围的金属叠层可以对其下层器件起到保护作用，减少激光烧蚀或其他刻蚀工艺时对孔周围的显示区产生的热影响及其他影响。
金属叠层包括第一金属层L1和第二金属层L2。在一些实施例中，第一金属层L1和第二金属层L2与TFT结构的栅极202、源极204的材料分别相同。如图2A所示，金属叠层还可以包括第三金属层L3。第三金属层L3的材料可以与电容器结构的第二电极层203的材料相同。金属叠层与薄膜晶体管或电容器结构通过相同的构图工艺形成，成本更低。
在一些实施例中，阵列基板上还覆盖有封装结构，用于保护显示区，防止显示区被水、氧等侵蚀。如图2A所示，覆盖像素区10的封装结构包括第一无机封装层501、有机封装层502和第二无机封装层503，而覆盖隔断区30的封装结构仅包括第一无机封装层501和第二无机封装层503。这样可以使得封装后的显示区较为平坦。
第一无机封装层和第二无机封装层的材料可以相同，也可以不同，例如可以包括氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化锌(ZnO)和二氧化钛(TiO2)中的至少一种。有机封装层的材料可以包括聚酰亚胺、聚氨酯和聚丙烯等材料中的至少一种。每层封装层的膜厚可以根据实际需要来设置，例如无机封装层的厚度可以为0.2至1.5微米。
图2B是示出根据本公开另一个实施例的阵列基板的截面图。图2B也是沿图1所示的俯视图中线AB截取的阵列基板的截面图。
图2B与图2A的不同之处主要在于：在图2A中，隔断区30包括部分覆盖隔断结构302的第二发光材料层4022，但不包括阳极材料层401；在图2B，隔断区30包括覆盖隔断结构302的阳极材料层401，但不包括第二发光材料层4022。图2B与图2A除了发光材料层和阳极材料层的设置不同之外，隔断结构302的第一凹槽3021的底角处的结构也不同。下面将仅描述图2B与图2A的不同之处，相同之处不再赘述。
阳极材料层至少部分覆盖隔断结构。如图2B所示，阳极材料层401完全覆盖隔断结构302。即，阳极材料层401没有通过隔断结构302与孔隔开。在图2B中，阳极材料层401覆盖第一凹槽3021的侧壁和底部，包括覆盖第一凹槽3021的底角。在一些实施例中，阳极材料层401作为金属叠层的第四金属层，可以进一步保护其下层器件。
在图2B中，由于第一发光材料层4021与孔的距离较远，即使隔断结构302的第一凹槽3021的底角较大，例如为80°，也能够实现第一发光材料层通过隔断结构与孔充分隔开，防止孔周围的发光材料失效延伸至像素区的发光材料。
从图2B还可以看出，除了在像素区存在像素定义层3031之外，隔断结构302的第一凹槽3021的底角处也存在像素定义层3032。
图2C是示出根据本公开又一个实施例的阵列基板的截面图。图2C也是沿图1所示的俯视图中线AB截取的阵列基板的截面图。
图2C与图2B的不同之处主要在于：在图2C中，隔断区30除了包括覆盖隔断结构302的阳极材料层401，还包括部分覆盖隔断结构302的第二发光材料层4022。
图2C与图2A的隔断区的不同之处主要在于：在图2C中，隔断区30还包括位于第二发光材料层4022和隔断结构302之间的阳极材料层401；隔断结构302的第一凹槽3021的底角处还存在像素定义层3032。
根据本公开实施例，还提供了阵列基板的制造方法。阵列基板的制造方法包括：在衬底结构一侧形成隔断结构，所述隔断结构位于围绕打孔区的隔断区，并且所述隔断结构具有至少一个第一凹槽；在所述衬底结构一侧形成第一发光材料层，所述第一发光材料层位于像素区，并且通过所述第一凹槽与所述打孔区隔开。
图3A示出根据本公开一个实施例的阵列基板的制造方法的流程图。图4示出根据本公开一个实施例的TFT结构的制造方法的流程图。图5A-5E分别示出根据本公开一些实施例的阵列基板的不同制造阶段的截面图。下面结合图3A、4和图5A-5E、2A来描述根据本公开一个实施例的阵列基板的制造方法。
如图3A所示，形成显示区包括：步骤S1，形成阳极材料层；步骤S2，形成隔断结构；步骤S4，形成发光材料层。在图3A中，在形成隔断结构之前，形成阳极材料层。
在一些实施例中，在形成阳极材料层之前，形成显示区还包括形成TFT结构。如图4所示，形成TFT结构包括步骤S01-S04。
在步骤S01，在衬底结构上形成图案化的有源层201和第一绝缘层103，例如形成图5A所示的结构。如图5A所示，衬底结构包括衬底基板101及其上的缓冲层102。打孔区在图5A的右侧外，在图中未示出。图案化的有源层201形成在缓冲层102上的指定位置。图案化的第一绝缘层103完全覆盖有源层201，部分覆盖衬底结构100的缓冲层102，在预留给金属叠层的第一金属层的开口L1o位置处露出缓冲层102。图案化可以通过掩膜、曝光、显影、刻蚀等工艺来实现。
在步骤S02，形成图案化的栅极材料层，例如形成如图5B所示的结构。如图5B所示，在第一绝缘层103上、与有源层201对应的位置形成TFT结构的栅极202。在一些实施例中，可以同时在开口位置处形成金属叠层的第一金属层L1。在另一些实施例中，还可以同时形成电容器结构的第一电极202'。即，金属叠层的第一金属层L1、电容器结构的第一电极202'与TFT结构的栅极202通过同一构图工艺形成。这样可以简化工艺，节约成本。
在步骤S03，形成图案化的第二绝缘层104。在一些实施例中，图案化的第二绝缘层104完全覆盖栅极202，部分覆盖第一绝缘层103，在预留给金属叠层的第二金属层的开口位置处露出第一绝缘层103。在图案化的第二绝缘层104上形成电容器结构的第二电极203，并在开口位置处形成金属叠层的第二金属层L2，例如形成如图5C所示的结构。即，金属叠层的第二金属层L2与电容器结构的第二电极203通过同一构图工艺形成，可以简化工艺，节约成本。
在步骤S04，形成图案化的中间层105和源极/漏极材料层。在一些实施例中，图案化的中间层105部分覆盖第二绝缘层104，在预留给金属叠层的第三金属层的开口位置处露出第二绝缘层104。在预定形成源极/漏极的位置处，刻蚀出贯穿中间层105、第二绝缘层104和第一绝缘层103直到有源层201的孔。在图案化的中间层105的基础上形成源极/漏极204，并在开口位置处形成金属叠层的第三金属层L3，例如形成如图5D所示的结构。即，金属叠层的第三金属层L3与TFT结构的源极/漏极204通过同一构图工艺形成，可以简化工艺，节约成本。
在步骤S1，形成图案化的阳极材料层401。图案化的阳极材料层401位于与TFT结构的对应位置处，通过像素定义层303隔开，如图5E所示。
在形成阳极材料层之前，还可以在中间层105上形成支撑层301。如图5E所示，支撑层301位于TFT结构和电容器结构200之上，为阳极材料层的形成提供平坦的表面。
在步骤S2，形成隔断结构302。在一些实施例中，隔断结构302为单层的负性光刻胶层。在中间层105上通过构图工艺形成图案化的隔断结构302。隔断结构位于打孔区与包括TFT结构和阳极层401E的像素区之间。隔断结构302具有至少一个第一凹槽3021。第一凹槽的底角较小，在30°至70°的范围。如图5F所示，隔断结构302还包括多个矩形凹槽3022。
在步骤S4，形成发光材料层。在一些实施例中，通过蒸镀工艺形成发光材料层。由于隔断结构中第一凹槽的底角较小，通过蒸镀工艺形成发光材料层时，发光材料层不会形成在第一凹槽的底角处。在一些实施例中，发光材料层也不形成在第一凹槽侧壁处。如图2A所示，发光材料层可以包括第一发光材料层4021和第二发光材料层4022。第一发光材料层4021形成在像素区10中，覆盖阳极材料层401和像素定义层303。第二发光材料层4022形成在隔断区30中，部分覆盖隔断结构302。如图2A所示，在第一凹槽3021中仅底部的部分区域上形成有第二发光材料层4022。
在形成发光材料层后，还可以通过类似的蒸镀工艺，形成阴极材料层。如图2A所示，阴极材料层也包括第一阴极材料层4031和第二阴极材料层4032，分别层叠在第一发光材料层4021和第二发光材料层4022上，也不形成在第一凹槽3021的底角处和侧壁处。
在形成隔断区和像素区的功能层之后，通过激光烧蚀或其他刻蚀工艺对打孔区进行刻蚀，以形成孔。
在一些实施例中，在形成显示区后还可以形成覆盖显示区的封装结构以保护显示区。例如，可以在像素区依次形成第一无机封装层501、有机封装层502和第二无机封装层503，以覆盖像素区。如图2A所示，覆盖隔断区的封装结构仅包括第一无机封装层501和第二无机封装层503。封装结构也可以覆盖孔的边缘。
图3B是示出根据本公开另一个实施例的阵列基板的制造方法的流程图。图6A-6C分别示出根据本公开另一些实施例的阵列基板的不同制造阶段的截面图。图3B与图3A的不同之处主要在于，阳极材料层在隔断结构之后形成。下面将结合图3B和6A-6D、2B、2C来描述根据本公开另一个实施例的阵列基板的制造方法，但仅描述图3B与图3A的不同之处，相同之处不再赘述。
如图3B所示，形成显示区包括：步骤S2'，形成隔断结构；步骤S3，形成阳极材料层；步骤S4'，形成发光材料层。在图3B中，在形成隔断结构之后，形成阳极材料层。
图6A示出阵列基板在步骤S2'形成隔断结构之后的截面图。图6B示出根据阵列基板在步骤S3形成阳极材料层之后的截面图。
图6A所示的隔断结构与图5F所示的隔断结构类似，也位于打孔区与包括TFT结构的像素区之间的隔断区中。
在形成阳极材料层之前，可以形成支撑层301，以便提供平坦的表面。如图6A所示，支撑层301位于TFT结构和电容器结构202'、203之上，为阳极材料层的形成提供平坦的表面。
图6B所示的阳极材料层与图5E和5F所示的阳极材料层不同，阳极材料层401完全覆盖隔断结构302。即，阳极材料层401覆盖第一凹槽3021的侧壁和底部，包括覆盖第一凹槽的底角。
在步骤S4'，形成发光材料层。在一些实施例中，在形成阳极材料层之后、形成发光材料层之前，形成图案化的像素定义层。如图2C所示，像素定义层包括：形成在像素区中用于隔开阳极单元的位置处的第一像素定义层3031；和存在于隔断区中第一凹槽3021的底角处的第二像素定义层3032。这是由于第一凹槽的底角较小的情况下，在像素定义层通过光刻工艺进行构图的过程中，底角位置处无法受到光照，因此底角位置处的像素定义层在光刻工艺中未被去除。
在步骤S4'中可以采用与步骤S4类似的蒸镀工艺形成发光材料层402。图2C所示的发光材料层与图2A所示的发光材料层类似，包括第一发光材料层4021和第二发光材料层4022，其中，第一发光材料层4021形成在像素区10中，覆盖阳极材料层401和像素定义层3031；第二发光材料层4022形成在隔断区30中，部分覆盖隔断结构302，不形成在第一凹槽3021的底角处和侧壁处，在第一凹槽3021中仅底部的部分区域上形成有第二发光材料层4022。
同样，在形成发光材料层后，还可以通过类似的蒸镀工艺，形成阴极材料层。如图2C所示，阴极材料层层叠在发光材料层上，也包括第一阴极材料层4031和第二阴极材料层4032，分别层叠在第一发光材料层4021和第二发光材料层4022上，也不形成在第一凹槽3021的底角处和侧壁处。
在一些实施例中，形成显示区还包括：步骤S5，去除覆盖在隔断结构上的发光材料层，例如形成如图6C所示的结构。如图6C所示，第一发光材料层4021形成在阳极材料层401上，而隔断结构302上不存在发光材料层。这样可以更有效地隔断像素区和孔，防止孔周围的发光材料失效延伸。图6C中还示出层叠在第一发光材料层4021上的第一阴极材料层4031，但隔断结构302上不存在阴极材料层。
在形成隔断区和像素区的功能层之后，通过激光烧蚀或其他刻蚀工艺对打孔区进行刻蚀，以形成孔。在一些实施例中，可以在形成孔的前期用较低的刻蚀能量去除覆盖在隔断结构上的发光材料层，之后再用较高的刻蚀能量来形成孔。当然，也可以根据实际需要，通过单独的刻蚀工艺来去除覆盖在隔断结构上的发光材料层。
在一些实施例中，还可以在形成的显示区上形成封装结构，例如形成图2B所示的结构。图2B所示的封装结构与图2A类似，也覆盖像素区和隔断区。
根据本公开实施例，还提供了显示面板，包括前述任意实施例所述的阵列基板。
根据本公开实施例，还提供了显示装置，包括前述任意实施例所述的显示面板。所述显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
至此，已经详细描述了本公开的各种实施例。为了避免遮蔽本公开的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本公开的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (25)

1.一种阵列基板，包括：
像素区，包括第一发光材料层；
打孔区；
隔断区，包括隔断结构，所述隔断结构包括至少一个第一凹槽，所述隔断结构被配置为通过所述第一凹槽将所述第一发光材料层与所述打孔区隔断。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括：衬底结构；
其中，所述第一发光材料层和所述隔断结构位于衬底结构上，所述隔断结构的至少一个侧面与所述隔断结构的靠近所述衬底结构的底面的夹角小于或等于90度。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述第一凹槽在垂直所述衬底结构的方向的截面为四边形，所述四边形的靠近所述衬底结构的至少一个底角小于或等于90度。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述隔断区包括：
第二发光材料层，所述第二发光材料层部分覆盖所述隔断结构，并在所述第一凹槽的靠近所述衬底结构的至少一个底角处断开。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述隔断区还包括：
位于所述第二发光材料层和所述隔断结构之间的阳极材料层。
6.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其中，所述四边形的靠近所述衬底结构的至少一个底角在30度至70度的范围。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述四边形为梯形。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述隔断区还包括：
阳极材料层，至少部分覆盖所述隔断结构。
9.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述隔断区还包括：
金属叠层，围绕所述打孔区设置，位于所述隔断结构与所述打孔区之间。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其中，所述像素区还包括：
薄膜晶体管结构，位于所述第一发光材料层与所述衬底结构之间，所述薄膜晶体管结构包括栅极、源极和漏极；
其中，所述金属叠层包括与所述薄膜晶体管结构的栅极、源极的材料分别相同的第一金属层、第二金属层。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其中，所述像素区还包括：
电容器结构，位于所述第一发光材料层与所述衬底结构之间、且位于所述隔断结构与所述薄膜晶体管结构之间，所述电容器结构包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层与所述薄膜晶体管结构的栅极材料相同；
其中，所述金属叠层包括与所述电容器结构的第二电极的材料相同的第三金属层。
12.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述隔断结构还包括：
至少一个第二凹槽，所述第二凹槽在垂直所述衬底结构的方向的深度小于所述第一凹槽的深度，所述第二凹槽在所述衬底结构上的正投影面积小于所述第一凹槽在所述衬底结构上的正投影面积。
13.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述打孔区具有孔，所述孔贯穿所述衬底结构。
14.一种显示面板，包括根据权利要求1至13中任一项所述的阵列基板。
15.一种阵列基板的制造方法，包括：
在衬底结构一侧形成隔断结构，所述隔断结构位于围绕打孔区的隔断区，并且所述隔断结构具有至少一个第一凹槽；
在所述衬底结构一侧形成第一发光材料层，所述第一发光材料层位于像素区，并且通过所述第一凹槽与所述打孔区隔开。
16.根据权利要求15所述的制造方法，其中，通过蒸镀工艺形成发光材料层，所述发光材料层位于像素区的部分作为所述第一发光材料层，所述发光材料层位于隔断区的部分作为第二发光材料层，所述第二发光材料层部分覆盖所述隔断结构，并且不形成在所述第一凹槽的靠近所述衬底结构的至少一个底角处。
17.根据权利要求16所述的制造方法，其中，所述第二发光材料层不形成在所述第一凹槽的侧壁处。
18.根据权利要求16所述的制造方法，还包括：
在形成所述隔断结构之前，形成阳极材料层。
19.根据权利要求16所述的制造方法，还包括：
在形成所述隔断结构之后、且在形成所述发光材料层之前，形成阳极材料层，所述阳极材料层至少部分覆盖所述隔断结构。
20.根据权利要求19所述的制造方法，还包括：
去除覆盖在所述隔断结构上的所述第二发光材料层。
21.根据权利要求16-20中任一项所述的制造方法，还包括：
形成金属叠层，所述金属叠层位于所述隔断区中、在所述隔断结构与所述打孔区之间，并且包括第一金属层和第二金属层。
22.根据权利要求21所述的制造方法，还包括：
在形成所述发光材料层之前形成薄膜晶体管结构，所述薄膜晶体管结构位于所述像素区，并且包括栅极、源极和漏极；
其中，所述金属叠层的第一金属层、第二金属层分别与所述薄膜晶体管的栅极、源极通过同一构图工艺形成。
23.根据权利要求22所述的制造方法，还包括：
形成电容器结构，所述电容器结构位于所述像素区、在所述薄膜晶体管结构与所述隔断区之间，并且包括第一电极层和第二电极层，其中，所述第一电极层与所述薄膜晶体管结构的栅极通过同一构图工艺形成；
其中，所述金属叠层还包括第三金属层，所述第三金属层与所述电容器结构的第二电极通过同一构图工艺形成。
24.根据权利要求15至23中任一项所述的制造方法，还包括：
对所述打孔区进行刻蚀，以形成孔。
25.一种显示装置，包括根据权利要求14所述的显示面板。
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