CN216698369U - 显示基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示基板及显示装置。该显示基板具有显示区、阻隔区和开孔区，且包括衬底基板，阻隔区包括至少部分围绕开孔区的至少一个阻隔墙，每个阻隔墙包括第一金属层结构和第一叠层结构，第一金属层结构的围绕开孔区的至少一个侧面具有第一凹口；显示区包括多个子像素，多个子像素的每个包括像素驱动电路和发光器件，像素驱动电路包括薄膜晶体管和连接电极，薄膜晶体管包括第一源漏电极和第二源漏电极，发光器件包括第一电极、第二电极以及第一电极和第二电极之间的发光材料层，连接电极配置为电连接第一电极和第一源漏电极；第一金属层结构与连接电极同层设置。该显示基板具有较高的信赖性且制备工艺更简单。

Description

显示基板及显示装置

技术领域

本公开的实施例涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术

目前，显示器件的显示屏正往大屏化、全屏化方向发展。通常，显示器件(例如手机、平板电脑等)具有摄像装置(或成像装置)，该摄像装置通常设置在显示屏显示区域外的一侧。但是，由于摄像装置的安装需要一定的位置，因此不利于显示屏的全屏化、窄边框设计。例如，可以将摄像装置与显示屏的显示区域结合在一起，在显示区域中为摄像装置预留位置，以获得显示屏显示区域的最大化。

实用新型内容

本公开至少一实施例提供一种显示基板，该显示基板具有显示区、阻隔区和开孔区，且包括衬底基板，其中，所述显示区和所述阻隔区围绕所述开孔区，所述阻隔区位于所述显示区和所述开孔区之间，所述阻隔区包括至少部分围绕所述开孔区的至少一个阻隔墙，所述至少一个阻隔墙的每个包括第一金属层结构和第一叠层结构，所述第一金属层结构位于所述第一叠层结构的远离所述衬底基板的一侧，所述第一金属层结构的围绕所述开孔区的至少一个侧面具有第一凹口；所述显示区包括多个子像素，所述多个子像素的每个包括像素驱动电路和发光器件，所述像素驱动电路包括薄膜晶体管和连接电极，所述薄膜晶体管包括第一源漏电极和第二源漏电极，所述发光器件包括第一电极、第二电极以及所述第一电极和所述第二电极之间的发光材料层，所述连接电极配置为电连接所述第一电极和所述第一源漏电极；其中，所述第一金属层结构与所述连接电极同层设置。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一金属层结构包括第一金属子层和设置在所述第一金属子层的远离所述衬底基板一侧的第二金属子层，在平行于所述衬底基板的板面的方向，所述第一金属子层相对于所述第二金属子层内缩，以形成所述第一凹口；或者所述第一金属层结构包括第一金属子层、设置在所述第一金属子层的远离所述衬底基板一侧的第二金属子层以及设置在所述第一金属子层的靠近所述衬底基板一侧的第三金属子层，在平行于所述衬底基板的板面的方向，所述第一金属子层相对于所述第二金属子层和所述第三金属子层内缩，以形成所述第一凹口。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述显示区还包括设置在所述第一源漏电极和第二源漏电极的远离所述衬底基板一侧的第一平坦化层，所述第一平坦化层具有第一过孔，所述连接电极设置在所述第一平坦化层的远离所述衬底基板的一侧，并通过所述第一过孔与所述第一源漏电极电连接，所述第一叠层结构包括设置在所述衬底基板上的第一绝缘子层，所述第一绝缘子层与所述第一平坦化层同层设置。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述至少一个阻隔墙包括多个阻隔墙；所述多个阻隔墙的第一金属层结构同层且间隔设置，所述多个阻隔墙的第一叠层结构同层且间隔设置；或者所述多个阻隔墙的第一金属层结构同层且间隔设置，所述多个阻隔墙的第一叠层结构同层设置且为一体结构。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述一体结构在相邻的阻隔墙的第一金属层结构之间具有阻隔凹槽。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述显示区还包括设置在所述第一平坦化层远离所述衬底基板一侧的第一钝化层，所述第一钝化层具有与所述第一过孔贯穿的第二过孔，所述连接电极设置在所述第一钝化层的远离所述衬底基板的一侧，并通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第一源漏电极电连接，所述第一叠层结构还包括设置在所述第一绝缘子层的远离所述衬底基板一侧的第二绝缘子层，所述第二绝缘子层与所述第一钝化层同层设置。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一绝缘子层在相邻的阻隔墙的第一金属层结构之间具有凹槽，所述第二绝缘子层等厚形成在所述第一绝缘子层的远离所述衬底基板的一侧，以在所述凹槽处形成阻隔凹槽。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述显示区还包括设置在所述第一源漏电极和第二源漏电极的远离所述衬底基板一侧的第二钝化层，所述第二钝化层具有第三过孔，所述连接电极设置在所述第二钝化层的远离所述衬底基板的一侧，并通过所述第三过孔与所述第一源漏电极电连接，所述第一叠层结构包括设置在所述衬底基板上的第三绝缘子层，所述第三绝缘子层与所述第二钝化层同层设置。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述至少一个阻隔墙包括多个阻隔墙；所述多个阻隔墙的第一金属层结构同层且间隔设置，所述多个阻隔墙的第一叠层结构同层且间隔设置；或者所述多个阻隔墙的第一金属层结构同层且间隔设置，所述多个阻隔墙的第一叠层结构同层设置且为一体结构。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述一体结构中的第三绝缘子层在相邻的阻隔墙的第一金属层结构之间具有阻隔凹槽。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一叠层结构还包括第一金属层，所述第一金属层设置在所述第一绝缘子层的靠近所述衬底基板的一侧，所述第一金属层与所述第一源漏电极和所述第二源漏电极同层设置。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述像素驱动电路还包括存储电容，所述薄膜晶体管还包括第一栅极，所述第一栅极设置在所述第一源漏电极和所述第二源漏电极的靠近所述衬底基板的一侧，所述存储电容包括第一电容极板和第二电容极板，所述第一电容极板与所述第一栅极同层设置，所述第二电容极板设置在所述第一电容极板的远离所述衬底基板的一侧，所述第一叠层结构还包括第二金属层和第三金属层，所述第二金属层设置在所述第三金属层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二金属层与所述第二电容极板同层设置，所述第三金属层与所述第一电容极板同层设置。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述显示区还包括设置在所述第一栅极和所述第二电容极板之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层还延伸至所述阻隔区中，且设置在所述第二金属层和所述第三金属层之间。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述显示区还包括设置在所述第二电容极板的远离所述衬底基板一侧的层间绝缘层，所述层间绝缘层还延伸至所述阻隔区中，且设置在所述第二金属层的远离所述衬底基板的一侧。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述薄膜晶体管还包括第二栅极，所述第二栅极设置在所述层间绝缘层远离所述衬底基板一侧，所述第一叠层结构还包括第四金属层，所述第四金属层与所述第二栅极同层设置。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括设置在所述显示区和所述阻隔区之间且至少部分围绕所述显示区的电路区，所述电路区包括多个导电层以及位于相邻的导电层之间的多个绝缘层。

本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括本公开实施例提供的显示基板。

本公开至少一实施例还提供一种显示基板的制备方法，包括：形成显示区、阻隔区和开孔区，其中，所述显示区和所述阻隔区围绕所述开孔区，所述阻隔区位于所述显示区和所述开孔区之间；其中，形成所述阻隔区包括：形成至少部分围绕所述开孔区的至少一个阻隔墙，所述至少一个阻隔墙的每个包括第一金属层结构和第一叠层结构，所述第一金属层结构形成于所述第一叠层结构的远离所述衬底基板的一侧，所述第一金属层结构的围绕所述开孔区的至少一个侧面具有第一凹口；形成所述显示区包括：形成多个子像素，所述多个子像素的每个包括像素驱动电路和发光器件，所述像素驱动电路包括薄膜晶体管和连接电极，所述薄膜晶体管包括第一源漏电极和第二源漏电极，所述发光器件包括第一电极、第二电极和所述第一电极和所述第二电极之间的发光材料层，所述连接电极形成为电连接所述第一电极和所述第一源漏电极；其中，所述第一金属层结构与所述连接电极同层形成。

例如，本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述第一金属层结构包括第一金属子层和形成在所述第一金属子层的远离所述衬底基板一侧的第二金属子层，在平行于所述衬底基板的板面的方向上，所述第一金属子层形成为相对于所述第二金属子层内缩，以形成所述第一凹口；或者所述第一金属层结构包括第一金属子层、形成在所述第一金属子层的远离所述衬底基板一侧的第二金属子层以及形成在所述第一金属子层的靠近所述衬底基板一侧的第三金属子层，在平行于所述衬底基板的板面的方向上，所述第一金属子层形成为相对于所述第二金属子层和所述第三金属子层内缩，以形成所述第一凹口；形成所述显示区还包括：在所述第一源漏电极和第二源漏电极的远离所述衬底基板一侧形成第一平坦化层，所述第一平坦化层具有第一过孔，所述连接电极形成在所述第一平坦化层的远离所述衬底基板的一侧，并通过所述第一过孔与所述第一源漏电极电连接，所述第一叠层结构包括形成在所述衬底基板上的第一绝缘子层，所述第一绝缘子层与所述第一平坦化层同层形成。

例如，本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述第一金属层结构包括第一金属子层和形成在所述第一金属子层的远离所述衬底基板一侧的第二金属子层，在平行于所述衬底基板的板面的方向上，所述第一金属子层形成为相对于所述第二金属子层内缩，以形成所述第一凹口；或者所述第一金属层结构包括第一金属子层、形成在所述第一金属子层的远离所述衬底基板一侧的第二金属子层以及形成在所述第一金属子层的靠近所述衬底基板一侧的第三金属子层，在平行于所述衬底基板的板面的方向上，所述第一金属子层形成为相对于所述第二金属子层和所述第三金属子层内缩，以形成所述第一凹口；形成所述显示区还包括：在所述第一源漏电极和第二源漏电极的远离所述衬底基板一侧形成第二钝化层，所述第二钝化层具有第三过孔，所述连接电极形成在所述第二钝化层的远离所述衬底基板的一侧，并通过所述第三过孔与所述第一源漏电极电连接，所述第一叠层结构包括形成在所述衬底基板上的第三绝缘子层，所述第三绝缘子层与所述第二钝化层同层形成。

例如，本公开至少一实施例提供的制备方法中，形成所述第一金属层结构与所述连接电极包括：形成连接电极材料层，对所述连接电极材料层进行构图，以形成所述连接电极以及第一金属层初始结构；在所述连接电极以及第一金属层初始结构的远离所述衬底基板的一侧形成第二平坦化层，所述第二平坦化层包括暴露所述连接电极的第三过孔以及暴露所述第一金属层初始结构的开口；在所述第二平坦化层的远离所述衬底基板的一侧形成第一电极材料层，采用相同的刻蚀液对所述第一电极材料层和所述第一金属层初始结构进行刻蚀，以形成所述第一电极和所述第一凹口，所述第一电极通过所述第三过孔电连接所述连接电极。

例如，本公开至少一实施例提供的制备方法还包括：在所述显示区和所述阻隔区之间且至少部分围绕所述显示区形成电路区，所述电路区包括多个导电层以及位于相邻的导电层之间的多个绝缘层；其中，在形成所述连接电极以及所述第一金属层初始结构后，形成所述多个导电层以及位于相邻的导电层之间的多个绝缘层，然后采用相同的刻蚀液对所述第一电极材料层和所述第一金属层初始结构进行刻蚀。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1A为一种显示基板的平面示意图；

图1B为图1A中的显示基板沿A-A线的截面示意图；

图2为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的平面示意图；

图3为图2中的显示基板沿B-B线的截面示意图；

图4为图2中的显示基板沿C-C线的截面示意图；

图5A为本公开至少一实施例提供的显示基板中阻隔墙的截面示意图；

图5B为本公开至少一实施例提供的显示基板中阻隔墙的另一截面示意图；

图5C为本公开至少一实施例提供的显示基板中连接电极的截面示意图；

图5D为本公开至少一实施例提供的显示基板中连接电极的另一截面示意图；

图5E为本公开至少一实施例提供的显示基板中阻隔墙断开发光材料层的截面示意图；

图6A为图2中的显示基板沿B-B线的另一截面示意图；

图6B为图2中的显示基板沿B-B线的再一截面示意图；

图6C为图2中的显示基板沿B-B线的再另一截面示意图；

图6D为图2中的显示基板沿B-B线的再另一截面示意图；

图7A为图2中的显示基板沿C-C线的另一截面示意图；

图7B为图2中的显示基板沿C-C线的再另一截面示意图；

图8为图2中的显示基板沿B-B线的再一截面示意图；以及

图9A-图13B为本公开至少一实施例提供的显示基板在制备过程中的截面示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

为实现显示装置的显示区域的最大化，可以将显示装置所具有的摄像装置(成像装置)与显示区域整合在一起，将摄像装置布置在显示区域之中。

例如，图1A示出了一种用于显示装置的显示基板的平面示意图，图1B为图1A中的显示基板沿A-A线的截面示意图。如图1A所示，显示基板10包括显示区域12，显示区域12包括像素阵列且具有在像素阵列中的开孔11，该开孔11为摄像装置(未示出)预留位置，摄像装置可以设置在该显示基板10的与显示侧相对的背侧，从而摄像装置可以通过开孔11获取图像。由此，将摄像装置与显示基板10的显示区域12整合在一起。

显示区域12具有用于显示的发光器件，例如该发光器件为有机发光二极管，显示区域12的全部或部分中的多个发光器件具有的有机材料层13和电极层14通常在显示区域12中形成为一整面，因此采用封装层15进行封装时，位于开孔11附近的区域往往难以被封装，或者即使被封装，也难以保证该区域的封装效果。此时，如图1B所示，例如水、氧等杂质可以从开孔11沿整面形成的有机功能层13和电极层14进入到显示区域12内部，污染显示区域12中的功能材料，导致这些功能材料的性能退化，进而影响显示区域12的显示效果。

本公开至少一实施例提供一种该显示基板及其制备方法、显示装置，该显示基板具有显示区、阻隔区和开孔区，且包括衬底基板，其中，显示区和阻隔区围绕开孔区，阻隔区位于显示区和开孔区之间，阻隔区包括至少部分围绕开孔区的至少一个阻隔墙，至少一个阻隔墙的每个包括第一金属层结构和第一叠层结构，第一金属层结构位于第一叠层结构的远离衬底基板的一侧，第一金属层结构的围绕开孔区的至少一个侧面具有第一凹口；显示区包括多个子像素，多个子像素的每个包括像素驱动电路和发光器件，像素驱动电路包括薄膜晶体管和连接电极，薄膜晶体管包括第一源漏电极和第二源漏电极，发光器件包括第一电极、第二电极以及第一电极和第二电极之间的发光材料层，连接电极配置为电连接第一电极和第一源漏电极；其中，第一金属层结构与连接电极同层设置。

该显示基板可以利用阻隔墙将发光材料层等功能层断开，以有效地防止水氧等杂质从开孔区沿着发光材料层等功能层进入到显示基板的显示区，从而可以提高显示基板的信赖性；另外，阻隔墙的第一金属层结构与连接电极同层设置，由此可以在制备过程中采用相同的构图工艺形成，简化了显示基板的制备工艺；另一方面，由于阻隔墙包括第一叠层结构以及设置在第一叠层结构上的第一金属层结构，因此第一金属层结构相对于衬底基板的高度较高，在采用构图工艺形成在阻隔墙的第一金属层结构时，可以避免由于光刻胶过厚而难以刻蚀形成第一金属层结构的第一凹口等问题。

下面通过几个具体的实施例对本公开的显示基板及其制备方法、显示装置进行说明。

本公开至少一实施例提供一种显示基板，图2示出了该显示基板的平面示意图，图3示出了该显示基板沿B-B线的截面示意图，图4示出了该显示基板沿C-C线的截面示意图。

如图2和图3所示，该显示基板具有显示区101、阻隔区201和开孔区301，且包括衬底基板1011。如图2所示，显示区101和阻隔区201围绕开孔区301，阻隔区201位于显示区101和开孔区301之间。

例如，如图3所示，阻隔区201包括至少部分围绕(例如完全围绕)开孔区301的至少一个阻隔墙202(图中示出五个阻隔墙202作为示例)，每个阻隔墙202包括第一金属层结构202A和第一叠层结构202B，第一金属层结构202A位于第一叠层结构202B的远离衬底基板1011的一侧，第一金属层结构202A的围绕开孔区301的至少一个侧面具有第一凹口202C。

例如，第一金属层结构202A面向开孔区301的侧面具有第一凹口202C，或者第一金属层结构202A面向显示区101的侧面具有第一凹口202C，或者第一金属层结构202A的面向开孔区301的侧面和面向显示区101的侧面均具有第一凹口202C，即图3中示出的情况。

本公开的实施例中，阻隔墙202可以断开显示基板上整面形成的功能层，例如发光器件的发光材料层等(稍后详述)，从而可有效地防止水氧等杂质从开孔区301沿着发光材料层等功能层进入到显示基板的显示区101，从而可以提高显示基板的信赖性。

例如，如图4所示，显示区101包括多个子像素，每个子像素包括像素驱动电路和发光器件104，像素驱动电路包括薄膜晶体管102、存储电容103和连接电极CEL等结构。例如，薄膜晶体管102包括有源层1021以及第一源漏电极1023和第二源漏电极1024等结构，第一源漏电极1023和第二源漏电极1024中的一个为源极，另一个为漏极。存储电容103包括第一电容极板1031和第二电容极板1032。

例如，发光器件104包括第一电极1041、第二电极1043以及第一电极1041和第二电极1043之间的发光材料层1042，连接电极CEL配置为电连接第一电极1041和第一源漏电极1023。例如，第一电极1041实现为发光器件104的阳极，第二电极1043实现为发光器件104的阴极。发光材料层1042可以包括有机发光层和辅助发光层，辅助发光层包括电子传输层、电子注入层、空穴传输层和空穴注入层等中的一种或多种。

例如，阻隔墙202的第一金属层结构202A与连接电极CEL同层设置。

本公开的实施例中，“同层设置”为两个(或更多个)功能层或结构层在显示基板的层级结构中同层且同材料形成，即在制备工艺中，该两个功能层或结构层可以由同一个材料层形成，且可以通过同一构图工艺形成所需要的图案和结构。由此可以简化显示基板的制备工艺。

例如，在一些实施例中，如图5A所示，第一金属层结构202A包括第一金属子层2021和设置在第一金属子层2021的远离衬底基板1011一侧的第二金属子层2022，在平行于衬底基板1011的板面的方向，也即图中的水平方向上，第一金属子层2021相对于第二金属子层2022内缩，以形成第一凹口202C；或者，在另一些实施例中，如图5B所示，第一金属层结构202A包括第一金属子层2021、设置在第一金属子层2021的远离衬底基板1011一侧的第二金属子层2022以及设置在第一金属子层2021的靠近衬底基板1011一侧的第三金属子层2023，在平行于衬底基板1011的板面的方向，第一金属子层2021相对于第二金属子层2022和第三金属子层2023内缩，以形成所述第一凹口202C，也即图3中示出的情况。

例如，对于如图5A所示的第一金属层结构202A，如图5C所示，此时的连接电极CEL包括第一子层CEL1和第二子层CEL2，第一金属层结构202A的第一金属子层2021和第二金属子层2022分别与第一子层CEL1和第一子层CEL2一一对应同层设置。例如，对于图5B所示的第一金属层结构202A，如图5D所示，此时的连接电极CEL包括第一子层CEL1、第二子层CEL2和第三子层CEL3，第一金属层结构202A的第一金属子层2021、第二金属子层2022和第三金属子层2023分别与第一子层CEL1、第二子层CEL2和第三子层CEL3一一对应同层设置。为示出清楚和简洁，图4中未示出连接电极CEL的多层结构。

例如，对于图5A和图5C的实施例，连接电极CEL和第一金属层结构202A的双层金属层结构例如可以为钛/铝、钼/铝、钛/铜或者钼/铜等，对于对于图5B和图5D的实施例，连接电极CEL和第一金属层结构202A的三层金属层结构例如可以为钛/铝/钛、钼/铝/钼、钛/铜/钛或者钼/铜/钼等，本公开的实施例对连接电极CEL和第一金属层结构202A的具体材料不做限定。

例如，在一些实施例中，发光材料层1042和第二电极1043在显示基板上整面形成，此时，如图5E所示，阻隔墙202可以断开发光材料层1042和第二电极1043，当位于靠近开孔区301一侧的发光材料层1042和第二电极1043被水、氧等杂质污染时，由于发光材料层1042和第二电极1043被阻隔墙202断开，使得这些污染杂质不会延伸至发光材料层1042和第二电极1043的位于显示区101的用于发光的部分中。例如，阻隔墙202的顶部上也形成有部分的发光材料层1042和第二电极1043，但是这些部分与其他部分相分离。

例如，在一些实施例中，如图4所示，显示区101还包括设置在第一源漏电极1023和第二源漏电极1024的远离衬底基板101一侧的第一平坦化层1016，第一平坦化层1016具有第一过孔1016A，连接电极CEL设置在第一平坦化层1016的远离衬底基板1011的一侧，并通过第一过孔1016A与第一源漏电极1023电连接。例如，如图3所示，阻隔墙202的第一叠层结构202B包括设置在衬底基板1011上的第一绝缘子层2016，第一绝缘子层2016与第一平坦化层1016同层设置。

例如，在一些实施例中，如图4所示，显示区101还可以包括设置在第一平坦化层1016远离衬底基板1011一侧的第一钝化层1019，第一钝化层1019具有与第一过孔1016A贯穿的第二过孔1019A，连接电极CEL设置在第一钝化层1019的远离衬底基板1011的一侧，并通过第一过孔1016A和第二过孔1019A与第一源漏电极1023电连接。例如，如图3所示，第一叠层结构202B还包括设置在第一绝缘子层2016A的远离衬底基板1011一侧的第二绝缘子层2019，第二绝缘子层2019与第一钝化层1019同层设置。

例如，在一些实施例中，如图3所示，至少一个阻隔墙202包括多个阻隔墙202。例如，多个阻隔墙202的第一金属层结构202A同层且间隔设置，多个阻隔墙202的第一叠层结构202B同层设置且为一体结构。由此，多个阻隔墙202可以充分实现断开发光材料层1042和第二电极1043等功能层的作用，第一叠层结构202B可以垫高第一金属层结构202A，使第一金属层结构202A相对衬底基板1011的高度较高。

例如，在一些实施例中，如图6A所示，多个阻隔墙202的第一叠层结构202B形成的一体结构在相邻的阻隔墙202的第一金属层结构202A之间具有阻隔凹槽202D。该阻隔凹槽202D更有助于断开整面形成的发光材料层1042以及第二电极1043等功能层。

例如，在一些实施例中，如图6A所示，第一绝缘子层2016在相邻的阻隔墙202的第一金属层结构202A之间具有凹槽2016B，第二绝缘子层2019等厚形成在第一绝缘子层2016的远离衬底基板1011的一侧，以在凹槽2016B处形成阻隔凹槽202D。

例如，在一些实施例中，如图3和图6A所示，第一叠层结构202B还可以包括第一金属层2023，第一金属层2023设置在第一绝缘子层2016的靠近衬底基板1011的一侧。例如，第一金属层2023与第一源漏电极1023和第二源漏电极1024同层设置。

例如，在一些实施例中，如图4所示，薄膜晶体管102还包括第一栅极1022，第一栅极1022设置在第一源漏电极1023和第二源漏电极1024的靠近衬底基板1011的一侧，存储电容103的第一电容极板1031与第一栅极1022同层设置，第二电容极板1032设置在第一电容极板1031的远离衬底基板1011的一侧。例如，如图3所示，第一叠层结构202B还可以包括设置在第一金属层2023的靠近衬底基板1011一侧的第二金属层2032和第三金属层2031，第二金属层2032设置在第三金属层2031的远离衬底基板1011的一侧。例如，第二金属层2032与第二电容极板1032同层设置，第三金属层2031与第一电容极板1031同层设置。

例如，如图4所示，显示区101还包括设置在第一栅极1022和第二电容极板1032之间的栅绝缘层1014B，栅绝缘层1014B还延伸至阻隔区201中，且设置在第二金属层2032和第三金属层2031之间，如图3所示。

例如，如图4所示，显示区101还包括设置在第二电容极板1032的远离衬底基板101一侧的层间绝缘层1015，层间绝缘层1015还延伸至阻隔区201中，且设置在第二金属层2032的远离衬底基板1011的一侧，如图3所示。

例如，在另一些实施例中，如图7A所示，薄膜晶体管还可以包括第二栅极1025，也即薄膜晶体管形成为双栅薄膜晶体管的形式，此时，第一栅极1022和第二栅极1025分别位于有源层1021的相对两侧，例如，第一栅极1022位于有源层1021的靠近衬底基板1011的一侧，第二栅极1025位于有源层1021的远离衬底基板1011的一侧。例如，如图7A所示，第二栅极1025设置在层间绝缘层1015远离衬底基板1011一侧。例如，如图8所示，第一叠层结构202B还可以包括设置在第一金属层2023和第二金属层2032之间的第四金属层2025，第四金属层2025与第二栅极1025同层设置。

例如，如图7A所示，显示区101还包括设置在第二栅极1025的远离衬底基板101一侧的另一层间绝缘层1020，层间绝缘层1020还延伸至阻隔区201中，且设置在第四金属层2025的远离衬底基板1011的一侧，如图8所示。

由此，第一叠层结构202B包括多个绝缘层和金属层的叠层，并具有较高的厚度，因此第一叠层结构202B上设置的第一金属层结构202A相对于衬底基板的高度较高。例如，在显示基板的制备过程中，第一金属层结构202A的第一凹口202C可以与第一电极1041采用同一刻蚀工艺利用同一刻蚀液形成，在刻蚀时，显示基板上通常形成一定厚度的光刻胶图案，例如需要覆盖电路区401的多个导电层4011和绝缘层4012(稍后详细描述)，此时，由于第一金属层结构202A相对于衬底基板的距离较远，因此可避免光刻胶过厚、刻蚀不完全而导致无法准确形成第一金属层结构202A的第一凹口202C的问题。

例如，在一些实施例中，如图6B所示，多个阻隔墙202的第一金属层结构202A同层且间隔设置，多个阻隔墙202的第一叠层结构202B也同层且间隔设置。

例如，在图6B的实施例中，第一叠层结构202B包括与栅绝缘层1014A、栅绝缘层1014B、层间绝缘层1015和第一平坦化层1016同层设置的多个子层。

例如，在另一些实施例中，如图6C所示，第一叠层结构202B包括与栅绝缘层1014A、第一栅极1021、栅绝缘层1014B、第二电容极板1032、层间绝缘层1015、第一源漏极1023和第一平坦化层1016同层设置的多个子层。

例如，在再一些实施例中，如图7B和图6D所示，显示区还包括设置在第一源漏电极1023和第二源漏电极1024的远离衬底基板1011一侧的第二钝化层1029，第二钝化层1029具有第三过孔1029A，连接电极CEL设置在第二钝化层1029的远离衬底基板1011的一侧，并通过第三过孔1029A与第一源漏电极1023电连接。例如，第一平坦化层1016设置在第二钝化层1029的远离衬底基板1011的一侧，第一平坦化层1016中的第一过孔1016A与第三过孔1029A相互贯穿，连接电极CEL通过第一过孔1016A与第三过孔1029A与第一源漏电极1023电连接。

例如，如图6D所示，第一叠层结构202B包括设置在衬底基板1011上的第三绝缘子层2029，第三绝缘子层2029与第二钝化层1029同层设置。

例如，如图6D所示，阻隔区包括多个阻隔墙202，多个阻隔墙202的第一金属层结构202A同层且间隔设置，多个阻隔墙202的第一叠层结构202B同层设置且为一体结构。例如，一体结构中的第三绝缘子层2029在相邻的阻隔墙202的第一金属层结构202A之间具有阻隔凹槽202D。例如，在其他实施例中，多个阻隔墙202的第一叠层结构202B也可以同层且间隔设置，从而具有类似于图6B或图6C示出的结构。

例如，在一些实施例中，如图4所示，显示基板还可以包括像素界定层1017以及隔垫物1018等结构。像素界定层1017设置在第一平坦化层1016远离薄膜晶体管102的一侧，像素界定层1017包括多个子像素开口，用于限定发光器件104的发光区域。隔垫物1018设置在像素界定层1017远离平坦层1016的一侧，用于限定封装空间。

例如，在一些实施例中，如图3所示，阻隔区201还可以包括设置在阻隔墙202的靠近开孔区301一侧的至少一个拦截墙203，例如多个拦截墙203(图中示出两个作为示例)，多个拦截墙203至少部分围绕(例如完全围绕)开孔区301，例如用于在制备过程中拦截显示区101中形成的有机材料，避免这些有机材料流出。例如，拦截墙203包括多个绝缘子层，这些绝缘子层分别与平坦化层1016、像素界定层1017和隔垫物1018中的至少两种同层设置。

例如，如图3所示，拦截墙203A包括两个绝缘子层，该两个绝缘子层可以分别与平坦化层1016、像素界定层1017和隔垫物1018中的两种一一对应且同层设置。例如，拦截墙203B包括三个绝缘子层，该三个绝缘子层分别与平坦化层1016、像素界定层1017和隔垫物1018一一对应且同层设置。由此，在制备工艺中这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并通过相同的构图工艺形成，以简化显示基板的制备工艺。

例如，如图4所示，显示基板还包括封装层105，封装层105包括依次叠层设置的第一无机封装层1051，第一有机封装层1052以及第二无机封装层1053。例如，第一无机封装层1051和第二无机封装层1053可以在显示基板上整面形成，由于拦截墙203的拦截作用，第一有机封装层1052可以终止于拦截墙203处。

例如，在一些实施例中，如图3所示，阻隔区201还可以包括设置在拦截墙203的靠近开孔区301一侧的至少一个裂纹阻挡坝204，例如多个裂纹阻挡坝204，多个裂纹阻挡坝204至少部分围绕(例如完全围绕)开孔区301，例如用于在制备过程中在通过冲压或切割等工艺形成开孔区301时，避免形成裂纹以及阻挡裂纹向显示区101延伸，从而起到保护显示基板的作用。

例如，如图3所示，裂纹阻挡坝204包括第二金属层结构204A和第二叠层结构204B，第二金属层结构204A与第一金属层结构202A同层设置且结构基本相同，第二叠层结构204B例如包括多个金属子层，这些金属子层例如分别与第一栅极1022和第二电容极板1032同层设置，或者，在另一些实施例中，如图8所示，这些金属子层分别与第一栅极1022、第二电容极板1032以及第二栅极1025中的至少两种同层设置。

例如，在一些实施例中，如图2和图3所示，显示基板还包括设置在显示区101和阻隔区201之间且至少部分围绕显示区101的电路区401，电路区401包括多个导电层4011以及分别位于相邻的导电层4011之间的多个绝缘层4012。例如，电路区401还包括导电层4011A，导电层4011A与连接电极CEL和第一金属层结构202A同层设置，但是导电层4011A的侧壁不具有凹口，而是具有平齐的侧壁结构。

例如，多个导电层4011可以采用ITO、IZO等透明金属氧化物或者铜、铝、钼等金属材料或者合金材料，多个绝缘层4012可以采用聚酰亚胺、树脂等有机绝缘材料。例如，多个导电层4011形成的电路图案可以是为显示区101提供显示信号，例如扫描信号或者数据信号的电路图案，或者是用于为在开孔区301形成的图像传感器/红外传感器501提供驱动信号的电路图案，本公开的实施例对多个导电层4011的具体形式不做限定。

例如，多个导电层4011和多个绝缘层4012的整体具有较高的厚度，在通过刻蚀形成阻隔墙202的第一金属层结构202A时，多个导电层4011和多个绝缘层4012的整体需要被光刻胶覆盖、保护。本公开的实施例中，通过在第一金属层结构202A下方设置第一叠层结构202B，第一金属层结构202A也可以处于较高的位置，从而位于第一金属层结构202A上的光刻胶不会过厚而无法被精确刻蚀，由此便于后续第一金属层结构202A的第一凹口的形成。

例如，在一些实施例中，如图3所示，显示基板还可以包括图像传感器和/或红外传感器501，图像传感器和/或红外传感器501结合于衬底基板1011，且结合于显示基板的非显示侧，并且在衬底基板1011上的正投影与开孔区301至少部分重叠。由此，图像传感器和/或红外传感器501可以通过开孔区301实现拍照、面部识别、红外感应等多种功能。

本公开的实施例中，显示基板可以为柔性显示基板，此时，衬底基板1011可以为聚酰亚胺(PI)等柔性基板，或者，显示基板也可以为刚性基板，此时，衬底基板1011可以为玻璃、石英等刚性基板。

例如，衬底基板1011上还可以设置有阻挡层1012和缓冲层1013。例如，阻挡层1012和缓冲层1013可以整面形成在衬底基板1011上，为图示清楚且简洁，图3、图6A和图8等图中未示出阻挡层1012和缓冲层1013。例如，阻挡层1012可以采用氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅等无机绝缘材料，阻挡层1012可以防止水氧等杂质从衬底基板1011渗入到薄膜晶体管102等功能结构中。例如，缓冲层1013也可以采用氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅等无机绝缘材料。缓冲层1013可以提供平坦的表面，以便于显示基板其他功能层的设置。阻挡层1012和缓冲层1013可以共同对衬底基板1011上的其他功能结构起到保护作用。

例如，第一栅极1022、第二栅极1025、第一电容极板1031以及第二电容极板1032的材料可以包括铝、钛、铜、钴等金属或者合金材料，可以形成为单层金属结构或者多层金属结构，例如钛/铝/钛、钼/铝/钼、钛/铜/钛或者钼/铜/钼等三层金属层结构。有源层1021可以采用多晶硅和金属氧化物等材料，有源层1021上设置有另一栅绝缘层1014A，栅绝缘层1014A、栅绝缘层1014B和层间绝缘层1015可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料。

例如，连接电极CEL上还设置有第二平坦化层PL，第二平坦化层PL中具有第三过孔，第一电极1041通过第三过孔与连接电极CEL电连接。例如，第一平坦化层1016、第二平坦化层PL、像素界定层1017、隔垫物1018以及第一有机封装层1052的材料可以采用聚酰亚胺、环氧树脂等有机绝缘材料。第一无机封装层1051和第二无机封装层1053可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料。

例如，第一电极1041的材料包括ITO、IZO等金属氧化物或者Ag、Al、Mo等金属或其合金。发光材料层1042中有机发光层的材料可根据需求选择可发出某一颜色光(例如红光、蓝光或者绿光等)的发光材料。第二电极1043的材料可以包括Mg、Ca、Li或Al等金属或其合金，或者IZO、ZTO等金属氧化物，又或者PEDOT/PSS(聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)等具有导电性能有机材料。

本公开的实施例对各功能层的材料不做限定，各功能层的材料也并不局限于上述示例。

本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括本公开实施例提供的显示基板。例如，该显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本公开的实施例对此不做限定。

本公开至少一实施例还提供一种显示基板的制备方法，该制备方法包括：形成显示区、阻隔区和开孔区，其中，显示区和阻隔区围绕开孔区，阻隔区位于显示区和开孔区之间。形成阻隔区包括：形成至少部分围绕开孔区的至少一个阻隔墙，至少一个阻隔墙的每个包括第一金属层结构和第一叠层结构，第一金属层结构形成于第一叠层结构的远离所述衬底基板的一侧，第一金属层结构的围绕开孔区的至少一个侧面具有第一凹口；形成显示区包括：形成多个子像素，多个子像素的每个包括像素驱动电路和发光器件，像素驱动电路包括薄膜晶体管和连接电极，薄膜晶体管包括第一源漏电极和第二源漏电极，发光器件包括第一电极、第二电极和第一电极和第二电极之间的发光材料层，连接电极形成为电连接第一电极和所述第一源漏电极。例如，第一金属层结构与连接电极同层形成。

例如，在一些实施例中，第一金属层结构包括第一金属子层和形成在第一金属子层的远离衬底基板一侧的第二金属子层，在平行于衬底基板的板面的方向上，第一金属子层形成为相对于第二金属子层内缩，以形成第一凹口，参考图5A；或者，第一金属层结构包括第一金属子层、形成在第一金属子层的远离衬底基板一侧的第二金属子层以及形成在第一金属子层的靠近衬底基板一侧的第三金属子层，在平行于衬底基板的板面的方向上，第一金属子层形成为相对于第二金属子层和第三金属子层内缩，以形成第一凹口，参考图5B。

下面，结合图9A-图11B来示例性描述本公开实施例提供的显示基板的制备方法，例如，以图3和图4所示的显示基板作为示例对其制备方法进行介绍。

如图9A所示，首先，提供衬底基板1011，例如，当显示基板为柔性显示基板时，所提供的衬底基板1011可以为聚酰亚胺(PI)等柔性基板，当显示基板为刚性基板时，衬底基板1011可以为玻璃、石英等刚性基板。

如图9A所示，首先在衬底基板1011上形成用于显示区101、阻隔区201以及电路区401的功能层，并为开孔区301预留位置，以便于显示区101、阻隔区201以及电路区401的功能层形成完成后，通过例如冲压或者切割等方式形成开孔区301。

例如，可以通过沉积等方法在衬底基板1011上依次形成阻挡层1012和缓冲层1013。例如，阻挡层1012和缓冲层1013可以整面形成在衬底基板1011上。例如，阻挡层1012可以采用氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅等无机绝缘材料，缓冲层1013也可以采用氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅等无机绝缘材料。

例如，在阻挡层1012和缓冲层1013形成之后，如图9A所示，在显示区101形成薄膜晶体管102、存储电容103以及第一平坦化层1016等结构，如图9B所示，在阻隔区201形成阻隔墙202的第一叠层结构202B以及裂纹阻挡坝204的第二叠层结构204B。这些结构均可采用构图工艺形成，例如，一次构图工艺包括光刻胶的形成、曝光、显影以及刻蚀等工艺。

例如，如图9A和图9B所示，采用构图工艺在衬底基板1011上形成有源层1021；在有源层1021上通过沉积等方式形成栅绝缘层1014A；在栅绝缘层1014A上采用构图工艺同时形成第一栅极1022、第一电容极板1031以及第一叠层结构的第三金属层2031和第二叠层结构中的金属子层2041；然后，例如通过沉积等方式形成栅绝缘层1014B；之后，采用构图工艺同时形成第二电容极板1032、第一叠层结构202B的第二金属层2032和第二叠层结构204B的金属子层2042；然后，采用沉积等方式形成层间绝缘层1015，并在栅绝缘层1014A/1014B以及层间绝缘层1015以形成暴露有源层1021的过孔。

例如，第一栅极1022、第一电容极板1031以及第一叠层结构202B的第三金属层2031和第二叠层结构204B中的金属子层2041的材料包括铝、钛、钴等金属或者合金材料。在制备时，首先采用溅射或者蒸镀等方式形成一层栅极材料层，然后对栅极材料层进行构图工艺，以形成图案化的栅极211、第一极板1031以及第一叠层结构202B的第二金属层2032和第二叠层结构204B中的金属子层2041。同层形成的其他结构的形成方式与此类似，因此不再赘述。

例如，有源层1021可以采用多晶硅和金属氧化物等材料，栅绝缘层1014A/1014B可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料，第二电容极板1032以及第一叠层结构202B的第二金属层2032和第二叠层结构204B的金属子层2042可以采用铝、钛、钴等金属或者合金材料，层间绝缘层1015可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料。本公开的实施例对各功能层的材料不做限定，各功能层的材料并不局限于上述示例。

如图9A所示，在栅绝缘层1014A/1014B以及层间绝缘层1015中的过孔形成后，形成第一源漏极1023和第二源漏极1024以及阻隔墙202的第一叠层结构202B的第一金属层2023。

例如，第一源漏极1023和第二源漏极1024可以形成为多层金属结构，例如三层金属层结构。例如，在一个示例中，可以采用溅射或者蒸镀等方式依次形成钛材料层、铝材料层以及钛材料层，然后采用同一次构图工艺对三个材料层进行构图，从而形成构成第一源漏极1023和第二源漏极1024的钛/铝/钛三层金属结构。为图示清楚及简介，部分图中未示出该三层金属层结构。

例如，如图9A和图9B所示，在第一源漏电极1023和第二源漏电极1024的远离衬底基板1011一侧例如采用构图工艺形成第一平坦化层1016，以及用于阻隔墙的第一叠层结构的第一绝缘子层2016，第一绝缘子层2016中形成有凹槽2016B。例如，在形成第一平坦化层1016的同时，还形成有拦截墙203A的绝缘子层203A1和拦截墙203B的绝缘子层203B1。

如图10A和图10B所示，在第一平坦化层1016和第一绝缘子层2016上同层形成第一钝化层1019和第二绝缘子层2019。例如，在第一平坦化层1016上形成第一钝化层1019，并在第一钝化层1019和第一平坦化层1016中形成暴露第一源漏极1023的相互贯穿的第二过孔1019A和第一过孔1016A，此时，第二绝缘子层2019例如等厚形成在阻隔墙的第一叠层结构202B的第一绝缘子层2016上，并在凹槽2016B的位置形成阻隔凹槽202D。

例如，在一些实施例中，显示基板具有多个阻隔墙202，多个阻隔墙202的第一叠层结构202B同层形成且形成为一体结构，该一体结构在相邻的第一金属层结构之间形成上述阻隔凹槽202D。

例如，在其他实施例中，对应于图6D和图7B所示的结构，在第一源漏电极1023和第二源漏电极1024的远离衬底基板1011一侧形成第二钝化层1029，第二钝化层1029具有第三过孔1029A，在第二钝化层1029的远离衬底基板1011的一侧形成第一平坦化层1016，第一平坦化层1016中具有与第三过孔1029A相互贯穿的第一过孔1016A，连接电极CEL形成在第二钝化层1029的远离衬底基板1011的一侧，更具体地在第一平坦化层1016的远离衬底基板1011的一侧，并通过第三过孔1029A和第一过孔1016A与第一源漏电极1023电连接。例如，在形成第二钝化层1029的同时，同层形成第一叠层结构202B的第三绝缘子层2029，并在第三绝缘子层2029中形成阻隔凹槽202D，如图6D所示。

例如，如图10A和图10B所示，例如采用溅射或者沉积等方式在第一钝化层1019上形成连接电极材料层，然后对连接电极材料层进行构图，以形成连接电极CEL以及第一金属层初始结构201A0，例如同时还形成裂纹阻挡坝204的第二金属层初始结构2040以及位于电路区401的导电层4011A。此时，第一金属层初始结构201A0、第二金属层初始结构2040以及位于电路区401的导电层4011A具有侧壁平齐的结构。

例如，多个阻隔墙202的第一金属层初始结构201A0同层且间隔形成，以使得最终形成的多个阻隔墙202的第一金属层结构202A同层且间隔形成。例如，多个裂纹阻挡坝204的第二金属层初始结构2040也同层且间隔形成。

例如，如图11A和图11B所示，在连接电极CEL以及第一金属层初始结构201A0的远离衬底基板1011的一侧形成第二平坦化层PL，第二平坦化层PL包括暴露连接电极CEL的第三过孔PLH以及暴露第一金属层初始结构201A0的开口PLO；在第二平坦化层PL的远离衬底基板1011的一侧形成第一电极材料层10410，采用相同的刻蚀液对第一电极材料层10410和第一金属层初始结构202A0进行刻蚀，以形成第一电极1041和第一凹口202C，例如同时还形成第二金属层结构中的第二凹口204C，第一电极1041通过第三过孔PLH电连接连接电极CEL，如图12A和图12B所示。

例如，上述使用的刻蚀液对第一金属层结构202A和第二金属层结构204A的中间层具有刻蚀效果或者对中间层的刻蚀速率大于对其他层的刻蚀速率，从而该刻蚀工艺可以形成第一金属层结构202A和第二金属层结构204A中的凹口。

例如，在一些实施例中，显示基板上还形成有电路区401，例如，在显示区101和阻隔区201之间且至少部分围绕显示区101形成电路区401，电路区401包括多个导电层4011以及位于相邻的导电层4011之间的多个绝缘层4012；例如，在形成连接电极CEL以及第一金属层初始结构202A0后，形成多个导电层4011以及位于相邻的导电层之间的多个绝缘层4012，然后采用相同的刻蚀液对第一电极材料层10410和第一金属层初始结构202A0进行刻蚀。

例如，多个导电层4011和多个绝缘层4012的整体具有较高的厚度，在通过刻蚀形成阻隔墙202的第一金属层结构202A时，多个导电层4011和多个绝缘层4012的整体需要被光刻胶覆盖、保护，例如，光刻胶的涂覆范围为图12B中的虚线框所示。本公开的实施例中，通过在第一金属层结构202A下方设置第一叠层结构202B，使得第一金属层结构202A也可以处于较高的位置，从而位于第一金属层结构202A上的光刻胶不会过厚而无法被精确刻蚀，由此便于后续第一金属层结构202A的第一凹口202C的形成。

例如，第一电极1041形成好后，依次形成像素界定层1017、隔垫物1018、发光材料层1042、第二电极1043以及封装层105等，并同时形成拦截墙203的其他绝缘子层，参考图13A和图13B所示。

例如，通过构图工艺同层形成像素界定层1017以及拦截墙203A的绝缘子层203A2和拦截墙203B的绝缘子层203B2。像素界定层1017中具有暴露第一电极1041的子像素开口，以便之后形成发光器件的发光材料层1042以及第二电极1043等结构。例如，像素界定层1017的材料可以包括聚酰亚胺、环氧树脂等有机绝缘材料。

例如，通过构图工艺同层形成隔垫物1018和拦截墙203B的绝缘子层203B3。隔垫物1018的材料包括聚酰亚胺、环氧树脂等有机绝缘材料。

例如，可以通过喷墨打印或者蒸镀等方式在像素界定层1017的子像素开口中形成发光材料层1042，然后例如通过溅射等方法形成第二电极1043。例如，发光材料层1042和第二电极1043在显示基板上整面形成，并且在阻隔墙202以及裂纹阻挡坝204处断开。

例如，发光材料层1042的材料可根据需求选择可发出某一颜色光(例如红光、蓝光或者绿光等)的有机发光材料。第二电极1043的材料可以包括Mg、Ca、Li或Al等金属或其合金，或者IZO、ZTO等金属氧化物，又或者PEDOT/PSS(聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)等具有导电性能有机材料。

例如，发光器件104形成后，形成封装层105。例如，封装层105包括第一无机封装层1051、第一有机封装层1052以及第二无机封装层1053。例如，第一无机封装层1051和第二无机封装层1053采用沉积等方式形成。第一有机封装层1052采用喷墨打印的方式形成。例如，由于拦截墙203的拦截作用，第一有机封装层1052可以终止于拦截墙203。

例如，第一无机封装层1051和第二无机封装层1053可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机材料形成，第一有机封装层1052可以采用聚酰亚胺(PI)、环氧树脂等有机材料形成。由此，第一无机封装层1051，第一有机封装层1052以及第二无机封装层1053形成为复合封装层，由此具有更好的封装效果。

例如，在显示区101形成完成后，可以采用激光切割或者机械冲压的方式形成开孔区301。开孔区301贯穿衬底基板1011，开孔区301处可以安装图像传感器、红外传感器等结构，并与例如中央处理器等信号连接。例如，该图像传感器或者红外传感器等结构可以设置在衬底基板1011的远离发光器件的一侧(即显示基板的非显示侧)，并可通过开孔区301实现拍照、面部识别、红外感应等多种功能。

例如，在开孔区301形成后，还可以在显示基板上形成偏光片、盖板等结构，本公开的实施例对此不做限定。

还有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。

(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种显示基板，其特征在于，具有显示区、阻隔区和开孔区，且包括衬底基板，其中，所述显示区和所述阻隔区围绕所述开孔区，所述阻隔区位于所述显示区和所述开孔区之间，

所述阻隔区包括至少部分围绕所述开孔区的至少一个阻隔墙，所述至少一个阻隔墙的每个包括第一金属层结构和第一叠层结构，所述第一金属层结构位于所述第一叠层结构的远离所述衬底基板的一侧，所述第一金属层结构的围绕所述开孔区的至少一个侧面具有第一凹口；

所述显示区包括多个子像素，所述多个子像素的每个包括像素驱动电路和发光器件，所述像素驱动电路包括薄膜晶体管和连接电极，所述薄膜晶体管包括第一源漏电极和第二源漏电极，所述发光器件包括第一电极、第二电极以及所述第一电极和所述第二电极之间的发光材料层，所述连接电极配置为电连接所述第一电极和所述第一源漏电极；

其中，所述第一金属层结构与所述连接电极同层设置。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一金属层结构包括第一金属子层和设置在所述第一金属子层的远离所述衬底基板一侧的第二金属子层，在平行于所述衬底基板的板面的方向，所述第一金属子层相对于所述第二金属子层内缩，以形成所述第一凹口；或者

所述第一金属层结构包括第一金属子层、设置在所述第一金属子层的远离所述衬底基板一侧的第二金属子层以及设置在所述第一金属子层的靠近所述衬底基板一侧的第三金属子层，在平行于所述衬底基板的板面的方向，所述第一金属子层相对于所述第二金属子层和所述第三金属子层内缩，以形成所述第一凹口。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示区还包括设置在所述第一源漏电极和第二源漏电极的远离所述衬底基板一侧的第一平坦化层，所述第一平坦化层具有第一过孔，所述连接电极设置在所述第一平坦化层的远离所述衬底基板的一侧，并通过所述第一过孔与所述第一源漏电极电连接，

所述第一叠层结构包括设置在所述衬底基板上的第一绝缘子层，

所述第一绝缘子层与所述第一平坦化层同层设置。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述至少一个阻隔墙包括多个阻隔墙；

所述多个阻隔墙的第一金属层结构同层且间隔设置，所述多个阻隔墙的第一叠层结构同层且间隔设置；或者

所述多个阻隔墙的第一金属层结构同层且间隔设置，所述多个阻隔墙的第一叠层结构同层设置且为一体结构。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述一体结构在相邻的阻隔墙的第一金属层结构之间具有阻隔凹槽。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述显示区还包括设置在所述第一平坦化层远离所述衬底基板一侧的第一钝化层，所述第一钝化层具有与所述第一过孔贯穿的第二过孔，所述连接电极设置在所述第一钝化层的远离所述衬底基板的一侧，并通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第一源漏电极电连接，

所述第一叠层结构还包括设置在所述第一绝缘子层的远离所述衬底基板一侧的第二绝缘子层，

所述第二绝缘子层与所述第一钝化层同层设置。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一绝缘子层在相邻的阻隔墙的第一金属层结构之间具有凹槽，所述第二绝缘子层等厚形成在所述第一绝缘子层的远离所述衬底基板的一侧，以在所述凹槽处形成阻隔凹槽。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示区还包括设置在所述第一源漏电极和第二源漏电极的远离所述衬底基板一侧的第二钝化层，所述第二钝化层具有第三过孔，所述连接电极设置在所述第二钝化层的远离所述衬底基板的一侧，并通过所述第三过孔与所述第一源漏电极电连接，

所述第一叠层结构包括设置在所述衬底基板上的第三绝缘子层，

所述第三绝缘子层与所述第二钝化层同层设置。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述至少一个阻隔墙包括多个阻隔墙；

所述多个阻隔墙的第一金属层结构同层且间隔设置，所述多个阻隔墙的第一叠层结构同层且间隔设置；或者

所述多个阻隔墙的第一金属层结构同层且间隔设置，所述多个阻隔墙的第一叠层结构同层设置且为一体结构。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述一体结构中的第三绝缘子层在相邻的阻隔墙的第一金属层结构之间具有阻隔凹槽。

11.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一叠层结构还包括第一金属层，所述第一金属层设置在所述第一绝缘子层的靠近所述衬底基板的一侧，

所述第一金属层与所述第一源漏电极和所述第二源漏电极同层设置。

12.根据权利要求8或11所述的显示基板，其特征在于，所述像素驱动电路还包括存储电容，所述薄膜晶体管还包括第一栅极，所述第一栅极设置在所述第一源漏电极和所述第二源漏电极的靠近所述衬底基板的一侧，

所述存储电容包括第一电容极板和第二电容极板，所述第一电容极板与所述第一栅极同层设置，所述第二电容极板设置在所述第一电容极板的远离所述衬底基板的一侧，

所述第一叠层结构还包括第二金属层和第三金属层，所述第二金属层设置在所述第三金属层的远离所述衬底基板的一侧，

所述第二金属层与所述第二电容极板同层设置，所述第三金属层与所述第一电容极板同层设置。

13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述显示区还包括设置在所述第一栅极和所述第二电容极板之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层还延伸至所述阻隔区中，且设置在所述第二金属层和所述第三金属层之间。

14.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述显示区还包括设置在所述第二电容极板的远离所述衬底基板一侧的层间绝缘层，所述层间绝缘层还延伸至所述阻隔区中，且设置在所述第二金属层的远离所述衬底基板的一侧。

15.根据权利要求14所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第二栅极，所述第二栅极设置在所述层间绝缘层远离所述衬底基板一侧，

所述第一叠层结构还包括第四金属层，所述第四金属层与所述第二栅极同层设置。

16.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，还包括：设置在所述显示区和所述阻隔区之间且至少部分围绕所述显示区的电路区，

所述电路区包括多个导电层以及位于相邻的导电层之间的多个绝缘层。

17.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-16任一所述的显示基板。

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