CN110416434B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示基板及其制备方法、显示装置。该显示基板具有显示区和位于所述显示区周围的边框区，包括基底、像素单元、至少一个阻挡坝和第一封装层。该像素单元位于所述显示区位置对应的所述基底上；至少一个阻挡坝位于所述边框区位置对应的所述基底上，至少一个所述阻挡坝中的至少一个在背离所述基底的一侧设置有至少一个凹槽，所述凹槽的深度方向垂直于所述基底、延伸方向与设置有所述凹糟的所述阻挡坝的延伸方向相同，且所述凹槽远离所述基底的一侧是开口的；以及第一封装层覆盖所述阻挡坝，所述第一封装层在所述凹槽上的部分与所述凹槽共形。该凹槽可以提高显示基板的封装效果。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开至少一个实施例涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着电子显示产品的普及，如何提升电子显示产品对环境的适应能力越来越受到用户的关注。例如，在电子显示产品的生产和使用过程中，外界环境中的水汽、氧气等会侵入电子显示产品内部，例如水汽、氧气等可以与电子显示产品内部的结构发生反应而影响其电学性能，从而降低电子显示产品的性能和寿命。然而，针对上述问题，虽然各厂商已研发多种封装技术，但是，当前的封装技术并不能满足客户对电子显示产品的封装效果的进一步需求。
发明内容
本公开提供了一种显示基板，该显示基板具有显示区和位于所述显示区周围的边框区，包括基底、像素单元、至少一个阻挡坝和第一封装层；该像素单元位于所述显示区位置对应的所述基底上；至少一个阻挡坝位于所述边框区位置对应的所述基底上，至少一个所述阻挡坝中的至少一个在背离所述基底的一侧设置有至少一个凹槽，所述凹槽的深度方向垂直于所述基底、延伸方向与设置有所述凹糟的所述阻挡坝的延伸方向相同，且所述凹槽远离所述基底的一侧是开口的；以及第一封装层覆盖所述阻挡坝，所述第一封装层在所述凹槽上的部分与所述凹槽共形。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，设置有所述凹槽的所述阻挡坝中至少一个包括依次叠置在所述基底上的第二膜层和第一膜层，所述凹槽位于所述第一膜层中。
例如，本公开至少一个实施例提供的一种显示基板还包括位于所述显示区的隔离柱，其中，所述隔离柱与所述第一膜层配置为由同一膜层构图形成。
例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还包括位于所述显示区的像素界定层，其中，所述像素界定层与所述第二膜层配置为由同一膜层构图形成。
例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还包括至少覆盖所述显示区的平坦层，其中，所述阻挡坝还包括位于所述第二膜层和所述基底之间的第三膜层，所述平坦层与所述第三膜层配置为由同一膜层构图形成。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述至少一个阻挡坝包括第一阻挡坝和第二阻挡坝，所述第一阻挡坝位于所述显示区和所述第二阻挡坝之间，以及所述第一阻挡坝包括所述第一膜层和所述第二膜层，所述第二阻挡坝包括所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述阻挡坝设置为至少两个，且环绕所述显示区由内向外依次排布，所述凹槽设置为环绕所述显示区，且所述凹槽在所述基底上的正投影为闭合的。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，沿从所述显示区至所述边框区的方向，多个所述阻挡坝的高度逐渐增加。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，在至少一个所述阻挡坝中，所述凹槽设置为至少两个且环绕所述显示区由内向外依次排布。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述凹槽中设置有沿着所述凹槽的延伸方向依次排布的多个彼此间隔的突出部。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述突出部与所述阻挡坝的背离所述基底的部分配置为由同一膜层构图形成。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述突出部在所述基底上的正投影为三角形、矩形、多边形和圆形之一。
例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还包括第二封装层和第三封装层，其中，所述第三封装层位于所述第一封装层和所述第二封装层之间，所述第二封装层覆盖所述显示区和所述阻挡坝，所述第三封装层至少覆盖所述显示区，所述阻挡坝在所述基底上的正投影的背离所述显示区的边缘位于所述第三封装层在所述基底上的正投影之外。
本公开至少一个实施例提供一种显示装置，该显示装置包括上述任一项实施例中的显示基板。
本公开至少一个实施例提供一种显示基板的制备方法，该制备方法包括：提供基底，所述基底包括显示区以及位于所述显示区周围的边框区；在所述边框区的所述基底上形成至少一个阻挡坝，所述阻挡坝环绕所述显示区，且所述阻挡坝的背离所述基底的一侧形成有至少一个凹槽；以及在所述基底上形成第一封装层，以覆盖所述显示区和所述阻挡坝；其中，所述第一封装层的与所述阻挡坝重叠的部分与所述阻挡坝的一侧共形。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法中，所述阻挡坝包括依次叠置在所述基底上的第二膜层和第一膜层，所述凹槽形成在所述第一膜层中，形成所述阻挡坝包括：在所述基底上形成第一材料层；以及提供半色调掩模板构图所述第一材料层，包括：在第一材料层的背离所述基底的一侧涂覆光刻胶；采用半色调掩模板曝光所述光刻胶，显影所述光刻胶，形成光刻胶全部去除区、光刻胶半保留区以及光刻胶全部保留区；蚀刻所述第一材料层，去除所述光刻全部去除区的第一材料层；采用灰化工艺，去除光刻胶半保留区的光刻胶；蚀刻光刻胶半保留区对应的第一材料层的部分厚度，形成第一膜层和隔离柱；剥离所述光刻胶，其中，在所述显示区，所述第一材料层的背离所述基底的部分形成为隔离柱，所述第一材料层的面向所述基底的部分形成为像素界定层，以及在所述边框区，所述第一材料层的背离所述基底的部分形成为所述第一膜层，所述第一材料层的面向所述基底的部分形成为所述第二膜层。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法中，所述阻挡坝包括依次叠置在所述基底上的第二膜层和第一膜层，所述凹槽形成在所述第一膜层中，形成所述阻挡坝包括：在所述基底上依次沉积第二材料层和第一材料层以形成叠层；以及提供半色调掩模板同时构图所述第一材料层和所述第二材料层；其中，所述第一材料层的位于所述显示区的部分形成为所述隔离柱，所述第一材料层的位于所述边框区的部分形成为所述第一膜层，所述第二材料层的位于所述显示区的部分形成为所述像素界定层，所述第二材料层的位于所述边框区的部分形成为所述第二膜层。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法中，所述阻挡坝还包括位于所述第二膜层和所述基底之间的第三膜层，形成所述阻挡坝包括：在所述基底上沉积绝缘材料薄膜以平坦化所述基底的表面，对所述绝缘材料薄膜进行构图工艺，所述绝缘材料薄膜的位于所述显示区的部分形成为平坦层，所述绝缘材料薄膜的位于所述边框区的部分形成为所述第三膜层。
例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法还包括：形成所述第一封装层之后，在所述阻挡坝的面向所述显示区的区域涂覆包括有机材料的液体；以及对所述液体进行干燥固化以形成第三封装层。例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法中，施加所述液体的方法包括喷墨打印。
在本公开至少一个实施例提供的显示基板及其制备方法、显示装置中，凹槽可以增加阻挡坝与第一封装层的接触面积，从而提高阻挡坝与第一封装层的结合强度，同时也增加裂纹扩展、水氧侵入等的路径，此外，该凹槽还可以起到提高阻挡坝的防溢流效果的作用，从而提高显示基板的封装效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1A为本公开一些实施例提供的一种显示基板的平面图；
图1B为图1A所示显示基板沿A1-B1的截面图；
图1C为图1A所示显示基板沿A1-B1和C1-C2的截面图；
图2A为本公开一些实施例提供的一种显示基板的平面图；
图2B为图2A所示显示基板沿A2-B2的截面图；
图3A为本公开一些实施例提供的一种显示基板的平面图；
图3B为图3A所示显示基板沿A3-B3的截面图；
图4A为本公开一些实施例提供的一种显示基板的平面图；
图4B为图4A所示显示基板沿A4-B4的截面图；
图4C为图4A所示显示基板沿A5-B5的截面图；
图5为本公开一些实施例提供的一种显示基板的部分区域的截面图；以及
图6A～图6H为本公开一些实施例提供的一种显示基板的制备方法的过程图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
对于显示基板例如柔性有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED，简称OLED)显示器件，封装工艺的水平决定着其中的器件的寿命。显示基板上会设置阻挡坝以用于形成封装结构(例如下述实施例中的第三封装层，例如，有机封装层)，但是阻挡坝的设置需要占用显示基板边框区的设计面积。当前主要是通过减小阻挡坝的设置数量例如只设置一个阻挡坝，从而实现显示基板的窄边框设计，但是对于当前的显示基板，减少阻挡坝的设置数量会降低显示基板的封装效果，造成显示基板的寿命缩短、显示不良等问题。
本公开提供了一种显示基板，该显示基板具有显示区和位于所述显示区周围的边框区，包括基底、像素单元、至少一个阻挡坝和第一封装层。该像素单元位于所述显示区位置对应的所述基底上；至少一个阻挡坝位于所述边框区位置对应的所述基底上，至少一个所述阻挡坝中的至少一个在背离所述基底的一侧设置有至少一个凹槽，所述凹槽的深度方向垂直于所述基底、延伸方向与设置有所述凹糟的所述阻挡坝的延伸方向相同，且所述凹槽远离所述基底的一侧是开口的；以及第一封装层覆盖所述阻挡坝，所述第一封装层在所述凹槽上的部分与所述凹槽共形。例如，第一封装层为无机封装层。凹槽可以增加阻挡坝与第一封装层的接触面积，从而提高阻挡坝与第一封装层的结合强度，同时也增加裂纹扩展、水氧侵入等的路径，提高了第一封装层对显示基板的封装效果。此外，在对显示基板的封装过程中，通常会在第一封装层上涂覆包括封装材料的液体以形成第三封装层，该凹槽可以增加该液体越过阻挡坝的难度，从而起到提高阻挡坝的防溢流效果的作用，即，与未设置上述凹槽的原阻挡坝相比，在防溢流的作用上，设置有至少一个凹槽的阻挡坝可以等效于至少两个原阻挡坝。如此，显示基板可以允许减小阻挡坝的设计数量，从而减小显示基板边框区的宽度，即有利于窄边框设计，或者，在不改变阻挡坝的设计数量的情况下，提高整个显示基板的封装效果。
下面，结合附图对根据本公开至少一个实施例中的显示基板及其制备方法、显示装置进行说明。此外，在该至少一个实施例中，以显示基板的基底为基准建立空间直角坐标系，以对显示基板中的各个结构的位置进行说明。在该空间直角坐标系中，X轴、Y轴平行于基底所在面，Z轴垂直于基底所在面。
示例性的，如图1A和图1B所示，本公开至少一个实施例提供的显示基板具有显示区101(由虚线框限定的区域)以及位于显示区101周围的边框区102，包括基底100、像素单元、至少一个阻挡坝200和第一封装层310。该像素单元位于所述显示区101位置对应的所述基底上；至少一个阻挡坝200位于所述边框区102位置对应的基底100上，阻挡坝200的背离基底100的一侧设置有至少一个凹槽20，所述凹槽的深度方向垂直于所述基底、延伸方向与设置有所述凹糟的所述阻挡坝的延伸方向相同，且所述凹槽远离所述基底的一侧是开口的，第一封装层310覆盖阻挡坝200。所述第一封装层在所述凹槽上的部分与所述凹槽共形。该“共形”可以表示两个形状相同或大致相似，如图1B所示，在阻挡坝200上沉积形成第一封装层310时，由于凹槽20的存在，第一封装层310的覆盖阻挡坝200的部分会形成与凹槽20形状相似的凹陷(如图1B所示的D区域)。凹槽20使得阻挡坝200的背离基底100的表面形成有两个凸起，在形成第三封装层330的过程中，液体如果需要越过阻挡坝，则需要依次越过该两个凸起，即，液体的边界在通过攀爬第一封装层310的与阻挡坝200在面向显示区101的侧壁重合的部分，以进入第一封装层310的与凹槽20共形的部分之后，还需要再通过攀爬第一封装层310的与凹槽20的背离显示区101的侧壁共形的部分才可以越过阻挡坝200，即，设置凹槽20后，液体需要额外经历一次攀爬过程才可以完全越过阻挡坝200，因此凹槽20增加了溢流的难度，起到提高阻挡坝200的防溢流的作用。
例如，在本公开至少一个实施例中，凹槽的宽度可以不小于5微米，例如进一步为不小于10微米、15微米、20微米等。
在本公开至少一个实施例中，对凹槽在阻挡坝中的形成方式不做限定，可以根据阻挡坝的构成结构进行设计。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，设置有所述凹槽的所述阻挡坝中至少一个包括依次叠置在基底上的第二膜层和第一膜层，凹槽位于第一膜层中。示例性的，如图1B所示，显示基板的阻挡坝200包括第一膜层210和第二膜层220，第二膜层220位于第一膜层210和基底100之间。凹槽20形成在第一膜层210中。在实际工艺中，第一膜层210和第二膜层220可以由两个不同的膜层在不同的工艺中形成，与当前的工艺相比，只在第一膜层210中形成凹槽20可以不需要考虑对第二膜层220进行额外的加工，而且在构图第一膜层210的过程中可以同步形成凹槽20，不会增加显示基板的制备工艺的步骤。
示例性地，第一膜层和第二膜层的材料可以相同或者不同。
需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，在凹槽位于第一膜层中的情况下，该凹槽的底和侧壁都可以由第一膜层的表面构成，即，第一膜层在凹槽处没有断开；或者，该凹槽由第一膜层的开口以及第二膜层的表面构成，即，第一膜层在凹槽处断开，凹槽贯通第一膜层，凹槽的底面为第一膜层和第二膜层界面处的第二膜层，该情况可以参见图1B所示的凹槽20。
例如，本公开至少一个实施例提供的一种显示基板还包括位于显示区的隔离柱，其中，隔离柱与第一膜层配置为由同一膜层构图形成。示例性的，如图1C所示，显示基板的显示区101中设置有隔离柱211，第一膜层210和隔离柱211位于同层。例如，在形成第一膜层210和隔离柱211的过程中，可以先沉积一材料层，对该材料层进行构图工艺，该材料层的位于显示区101的部分形成为隔离柱211，该材料层的位于边框区102的部分形成为第一膜层210，例如，在该过程中，可以同时形成凹槽20。如此，第一膜层210及其中的第一凹槽20的形成不会增加制造显示基板的工艺步骤。在显示基板的制备过程中，需要蒸镀工艺以形成显示基板上的一些功能层(例如图1C所示的有机功能层420)。在蒸镀工艺中，隔离柱可以用于支撑掩模板(例如精细金属掩模板等)，以使得掩模板(例如其中设置有掩模图案的掩模条)与显示基板的表面(在该情况下，为显示基板的除隔离柱之外的其它部分的表面)存在一定的间隔，以免掩模板完全贴附在显示基板表面上而造成蒸镀不良。
例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还包括位于显示区的像素界定层，其中，像素界定层与第二膜层配置为由同一膜层构图形成。示例性的，如图1C所示，显示基板的显示区101中设置有像素界定层221，第二膜层220和像素界定层221位于同层。例如，在形成第二膜层220和像素界定层221的过程中，可以先沉积一材料层，对该材料层进行构图工艺，该材料层的位于显示区101的部分形成为像素界定层221，该材料层的位于边框区102的部分形成为第二膜层220。如此，第二膜层220的形成不会增加制造显示基板的工艺步骤。像素界定层221可以用于限定显示基板的子像素区域，例如，可以如图1C所示的用于限定发光功能层420的形成位置。
例如，在本公开一些实施例中，像素界定层和隔离柱的材料可以相同，从而二者可以由一个膜层经过构图工艺形成。如此，阻挡坝中的第一膜层和第二膜层可以为一体化结构，即，像素界定层、隔离柱、第一膜层和第二膜层都可以由一个膜层经过构图工艺形成。如此，可以简化显示基板的制备工艺。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，阻挡坝还包括位于第二膜层和基底之间的第三膜层。示例性的，如图1B和图1C所示，显示基板的阻挡坝200还包括第三膜层230，第三膜层230位于基底100和第二膜层220之间。第三膜层220可以增加阻挡坝200的厚度，即，阻挡坝200的防止溢流的效果提高，阻挡坝200与第一封装层310的接触面积增加，从而显示基板的封装效果提高。
例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还包括至少覆盖显示区的平坦层。例如，平坦层与第三膜层配置为由同一膜层构图形成。如图1C所示，显示基板的显示区101中设置有平坦层231，第三膜层230和平坦层231位于同层。例如，在形成第三膜层230和平坦层231的过程中，可以先沉积一材料层，对该材料层进行构图工艺，该材料层的位于显示区101的部分形成为平坦层231，该材料层的位于边框区102的部分形成为第三膜层230。如此，第三膜层230的形成不会增加制造显示基板的工艺步骤。在显示基板的制造过程中，平坦层231可以用于提供平坦化的表面，以提高在平坦层上形成的结构(例如图1C中的发光器件400、像素界定层221、第一封装层310等)的质量。例如，平坦层231的材料可以包括有机材料，以提供应力缓冲，并有利于显示基板的柔性设计。
例如，在本公开的实施例中，“厚度”可以为结构层(例如图1C所示的阻挡坝200)的背离基底的表面至该结构层的面向基底的表面的距离。
需要说明的是，在本公开的实施例中，阻挡坝的膜层数量可以根据需要进行设计，例如，阻挡坝可以包括上述的第一膜层、第二膜层和第三膜层的至少一个，也可以还包括其它方式形成的膜层。
例如，当阻挡坝仅包括第一膜层时，凹槽可以不穿透第一膜层，或者凹槽可以穿透第一膜层而形成为开口。当阻挡坝包括第一和第二膜层时，凹槽可以不穿透第一膜层，或者凹槽可以穿透第一膜层而第二膜层的面对第一膜层的表面作为凹槽的底面，或者凹槽可以穿透第一膜层而部分穿透第二膜层，或者凹槽可以穿透第一和第二膜层。对于阻挡坝包括三个甚至更多膜层的情况，依次类推。
在本公开的实施例中，对阻挡坝的平面形状不做限制。例如，在本公开一些实施例中，阻挡坝的平面形状可以为如图1A所示的环绕显示区的闭合环形，例如，可以根据显示区的形状而设置为矩形环、圆环、接近圆环、椭圆等形状，从而使得阻挡坝可以在任一平面方向上具有防溢流的作用。或者，阻挡坝的平面形状可以是带有缺口的环形，该缺口设置在不容易出现溢流的区域，从而防止阻挡坝材料受热膨胀时造成***等，保持良好的防止溢流的效果。例如，在本公开另一些实施例中，阻挡坝的平面形状可以为分段式，例如，直线段或曲线段，例如，阻挡坝可以包括至少一段分阻挡坝，例如，多段阻挡坝，多段分阻挡坝可以共同围成环形，或者至少一段阻挡板可以仅设置在容易出现溢流的区域，如此，可以在显示基板的容易出现溢流的区域设置阻挡坝，以简化显示基板的结构。
例如，阻挡坝的平面形状可以不是直线形状，可以带有弯曲，例如，矩形环的边可以稍微带有弯曲，分段式的每段可以带有弯曲等，只要能够实现良好的防溢流效果，本申请的实施例并不对此进行限制。
需要说明的是，在本公开的实施例中，“平面形状”可以为结构在基底所在面(X-Y确定的平面)上的正投影的形状，“平面方向”同时平行于X轴和Y轴。
下面，以阻挡坝的平面结构为环绕显示区的闭合环形为例，对本公开至少一个实施例中的显示基板及其制备方法、显示装置进行说明。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，凹槽设置为环绕显示区，例如，凹槽在基底上的正投影为闭合环形。示例性的，如图1A～图1C所示，凹槽20的平面形状为环绕显示区101的闭合的，从而使得凹槽可以在任一平面方向上提高阻挡坝的防溢流效果。
在本公开至少一个实施例中，对显示基板的阻挡坝的数量不做限制。例如，在本公开一些实施例中，阻挡坝设置为如图1A～图1C所示的一个。例如，在本公开另一些实施例中，阻挡坝设置为至少两个，例如，该至少两个阻挡坝环绕显示区由内向外依次排布。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，至少一个阻挡坝包括第一阻挡坝和第二阻挡坝，第一阻挡坝位于显示区和第二阻挡坝之间。示例性的，如图2A和图2B所示，阻挡坝包括第一阻挡坝201和第二阻挡坝202，第一阻挡坝201和第二阻挡坝202同心环形排布，且第一阻挡坝201位于第二阻挡坝202和显示区101之间。两个阻挡坝的设置，可以降低在封装过程中出现溢流的风险，提高显示基板的封装良率。
例如，每个阻挡坝的平面形状和设置方式都可以参考前面的描述，这里将不进行赘述，可以是一个阻挡坝为闭合环形，另一个是分段式；两个都是分段式，其中一个阻挡坝的至少一个开口对应于另一个阻挡坝的一段分阻挡坝，或者两个阻挡坝的至少一个开口至少有部分交叠等；或者一个是分段式，另一个是闭合环形。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，沿从显示区至边框区的方向，多个(至少两个)阻挡坝的背离基底的端部至基底的距离依次增加，即，多个所述阻挡坝的高度逐渐增加，例如，每两个相邻的阻挡坝的高度差可以相同或者不相同。如此，距离显示区越近的阻挡坝的高度较小，从而在显示基板的制备工艺(例如蒸镀工艺、封装工艺等)中，可以降低因阻挡坝高度较大而造成形成在显示区的结构出现不良。
需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，“高度”可以为结构(例如阻挡坝)的背离基底的表面至基底的距离。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，在显示基板上设置有第一阻挡坝和第二阻挡坝，且第一阻挡坝位于显示区和第二阻挡坝之间的情况下，如图2B所示，第一阻挡坝201可以设置为包括第一膜层210a和第二膜层220a，第二阻挡坝可以设置为包括第一膜层210a、第二膜层220a和第三膜层230a。如此，远离显示区的第二阻挡坝202的高度可以大于靠近显示区的第一阻挡坝201的高度。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，在至少一个阻挡坝中，凹槽设置为至少两个且环绕显示区由内向外依次排布。示例性的，如图2A所示，阻挡坝包括第一阻挡坝201和第二阻挡坝202，第一阻挡坝201和第二阻挡坝202同心环形排布，且第一阻挡坝201位于第二阻挡坝202和显示区101之间。第一阻挡坝201中设置有环绕显示区101的第一凹槽21，第二阻挡坝202中设置有环绕显示区101的第二凹槽22。如此，可以进一步降低在封装过程中出现溢流的风险，从而提高显示基板的封装良率。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，一个阻挡坝中可以设置一个凹槽，也可以设置多个凹槽。例如，在一个阻挡坝中，多个凹槽环绕显示区排布，且彼此为同心环形排布。示例性的，如图3A和图3B所示，显示基板上设置有一个阻挡坝200c，阻挡坝200c的背离基底100的一侧设置有三个凹槽20c，该三个凹槽20c同心环形排布。在形成第三封装层的过程中，液体如果需要越过阻挡坝，则液体的边界需进入三次凹槽20c(第一封装层310的与该凹槽20c共形以形成的凹陷)，即液体的边界需要在第一封装层310的与阻挡坝200c重叠的部分上攀爬四次才可以完全越过阻挡坝200c。如此，与未设置本公开实施例中的凹槽的阻挡坝相比，在防溢流的作用上，具有该三个凹槽20c的阻挡坝200c可以等效于四个原阻挡坝。如此，显示基板可以允许减小阻挡坝的设计数量，从而减小显示基板边框区的宽度，即有利于窄边框设计，例如，显示基板中可以只设置一个阻挡坝例如上述的阻挡坝200c。
例如，在本公开至少一个实施例中，阻挡坝的宽度可以根据其中设置的凹槽的数量进行设计。示例性的，如图1B或图2B所示的显示基板，阻挡坝的宽度可以设置为20～80微米，例如进一步为30～40微米。示例性的，如图3B所示的显示基板，阻挡坝的宽度可以设置为60～80微米。
例如，凹槽可以为设置为如图1A所示的环绕显示区的闭合形状，例如，可以根据显示区的形状而设置为矩形环、圆环、接近圆环、椭圆等形状，凹槽的平面形状可以是带有缺口的环形，该缺口设置在不容易出现溢流的区域。例如，在本公开另一些实施例中，凹槽可以形成为分段式，例如，直线段或曲线段，例如，凹槽可以包括至少一段分阻挡坝，例如，多段阻挡坝，多段分阻挡坝可以共同围成环形，或者至少一段阻挡板可以仅设置在容易出现溢流的区域，也就是，在部分阻挡坝区域没有形成凹槽。
需要说明的是，在实际工艺中，考虑工艺因素，在设置多个阻挡坝的情况下，相邻阻挡坝之间的间距是比较大的，该间距远大于在一个阻挡坝上形成的凹槽的宽度。因此，如图3B所示的阻挡坝200c的宽度远小于在显示基板上设置的四个阻挡坝及其之间的间隙的总宽度，从而在保证防溢流的同时，实现窄边框设计。
在本公开的实施例中，“宽度”为结构(例如阻挡坝)在沿显示区至边框区的方向上的尺寸。例如，如图3B所示，阻挡坝200c的宽度为阻挡坝200c沿X轴方向上的尺寸。
例如，该阻挡坝200c例如可以包括依次叠置在基底100上的第三膜层230c、第二膜层220c和第一膜层210c，该第三膜层230c、第二膜层220c和第一膜层210c的结构可以参见前述实施例中对第三膜层、第二膜层和第一膜层的相关说明，在此不做赘述。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，凹槽中设置有沿着凹槽的延伸方向依次排布的多个彼此间隔的突出部。示例性的，如图4A、图4B和图4C所示，阻挡坝200d的凹槽20d中设置有多个彼此间隔的突出部30。突出部30可以等效为消波块，即，在形成第三封装层的过程中，液体如果溢入凹槽20d，由于突出部30的作用，液体溢流的动能减弱，从而难以再从凹槽20d中溢出。例如，在本公开至少一个实施例中，如图4A所示，多个突出部30沿着凹槽20d的延伸方向依次排布，即，凹槽20d的平面形状为环形的情况下，多个突出部30可以环绕显示区101。如此，可以进一步降低在封装过程中出现溢流的风险，从而提高显示基板的封装良率。
例如，突出部30可以在一侧与所在凹槽的侧壁无间隔，且与所述膜层一体形成。
例如，在本公开一些实施例提供的显示基板中，突出部与阻挡坝的背离基底的部分配置为由同一膜层构图形成。示例性的，如图4C所示，该阻挡坝200d例如可以包括依次叠置在基底100上的第三膜层230d、第二膜层220d和第一膜层210d。凹槽20d形成在第一膜层210d中，例如，在对材料层进行构图以形成第一膜层210d的过程中，可以同时形成突出部30，如此，可以简化阻挡坝200d的制备工艺，降低成本。例如，第三膜层230d、第二膜层220d和第一膜层210d的结构可以参见前述实施例中对第三膜层、第二膜层和第一膜层的相关说明，在此不做赘述。
例如，在本公开另一些实施例中，如图4C所示的突出部30也可以通过额外的工艺单独形成。例如，在形成具有凹槽20d的阻挡坝200d之后，在该凹槽20d中再沉积材料层，对该材料层进行构图以形成突出部30。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，突出部在基底上的正投影为三角形、矩形、多边形、圆形，也可以为其它的形状。示例性的，如图4A所示，突出部30在基底100上的正投影的形状(即平面形状)为矩形。
例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还包括第二封装层和第三封装层，其中，第三封装层位于第一封装层和第二封装层之间，第二封装层覆盖显示区和阻挡坝，第三封装层至少覆盖显示区，所述阻挡坝在所述基底上的正投影的背离所述显示区的边缘位于所述第三封装层在所述基底上的正投影之外。示例性的，图5可以为如图1A所示的显示面板在完成封装后的部分区域的截面图，如图5所示，形成第一封装层310之后，在显示基板上形成第三封装层330，由于阻挡坝200的阻挡，第三封装层330的区域由阻挡坝200限定。需要说明的是，在形成第三封装层330的过程中，在部分区域可能存在液体溢入第一封装层310的与凹槽20对应的凹陷中，但是该液体未从该凹陷中溢出，即，在该区域，凹槽20(或者该凹陷)的背离显示区101的侧壁可以限定第三封装层330的位置。第二封装层320覆盖第三封装层330，例如第二封装层320进一步覆盖第一封装层310。
在本公开的实施例中，对第一封装层、第二封装层和第三封装层的具体材料不做限制。例如，第一封装层和第二封装层的材料可以包括无机材料，即，二者都为无机封装层。该无机材料例如可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等，该无机材料形成的第一无机封装层和第二无机封装层的致密性高，可以防止水、氧等的侵入。例如，第三封装层为有机封装层，材料可以为含有干燥剂的高分子材料或可阻挡水汽的高分子材料等，例如高分子树脂等以对显示基板的表面进行平坦化处理，并且可以缓解第一封装层和第二封装层的应力，例如，第三封装层还可以包括吸水性材料，例如碱金属(例如Li、Na)、碱土金属(例如Ba、Ca)或其它湿气反应性金属(例如Al、Fe)；还可以为碱金属氧化物(例如Li2O、Na2O)、碱土金属氧化物(例如MgO、CaO、BaO)、硫酸盐(例如无水MgSO4)、金属卤化物(例如CaCl2)或高氯酸盐(例如Mg(ClO4)2)等，以吸收侵入内部的水、氧等物质。
例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还包括阵列排布在显示区的多个发光器件，其中，发光器件位于第一封装层和基底之间。示例性的，如图5所示，像素界定层221限定发光器件400所在的区域。发光器件400包括依次叠置在基底100(或者平坦层231)上的第一电极410、发光功能层420和第二电极420，发光功能层420位于像素界定层221的开口中。
在本公开的实施例中，对有机发光器件中的第一电极和第二电极的材料不做限制。例如，第一电极和第二电极中的一方可以为阳极，另一方可以为阴极。阳极例如可由具有高功函数的透明导电材料形成，其电极材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)和碳纳米管等；阴极例如可由高导电性和低功函数的材料形成，其电极材料可以包括镁铝合金(MgAl)、锂铝合金(LiAl)等合金或者镁、铝、锂、银等单金属。
例如，在本公开至少一个实施例中，发光功能层包括发光层，还可以包括阳极和发光层之间的空穴注入层、空穴传输层，以及阴极和发光层之间的电子传输层、电子注入层等结构，进一步还可以包括空穴阻挡层和电子阻挡层，空穴阻挡层例如可设置在电子传输层和发光层之间，电子阻挡层例如可设置在空穴传输层和发光层之间。
例如，在本公开至少一个实施例中，发光层的材料可以根据其发射光颜色的不同进行选择。例如，发光层的材料包括荧光发光材料或磷光发光材料。例如，在本公开至少一个实施例中，发光层可以采用掺杂体系，即在主体发光材料中混入掺杂材料来得到可用的发光材料。例如，主体发光材料可以采用金属化合物材料、蒽的衍生物、芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、或三芳胺聚合物等。
例如，在本公开至少一个实施例中，基底可以包括多个功能层。例如，基底可以包括衬底基板以及设置在衬底基板上的驱动电路层等。例如，驱动电路层可以包括像素驱动电路，像素驱动电路包括多个晶体管、电容以及发光器件等，例如形成为2T1C(即2个晶体管(T)和1个电容(C))、3T1C或者7T1C等多种形式。本公开的实施例对驱动电路层的结构、组成等不作限制。像素驱动电路可以位于显示区，并位于平坦层和衬底基板之间。平坦层中可以设置有过孔，以使得发光器件的第一电极可以与晶体管的漏极连接。
本公开至少一个实施例提供一种显示装置，该显示装置包括上述任一项实施例中的显示基板。例如，在本公开至少一个实施例提供的显示装置中，显示基板的显示侧可以设置触控结构，以获得触控功能。
例如，在本公开至少一个实施例中，该显示面板可以为电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。
需要说明的是，为表示清楚，并没有叙述该显示面板的全部结构。为实现显示面板的必要功能，本领域技术人员可以根据具体应用场景进行设置其他结构，本公开对此不做限制。
本公开至少一个实施例提供一种显示基板的制备方法，该制备方法包括：提供基底，基底包括显示区以及位于显示区周围的边框区；在边框区的基底上形成至少一个阻挡坝，阻挡坝环绕显示区，且阻挡坝的背离基底的一侧形成有至少一个凹槽；以及在基底上形成第一封装层，以覆盖显示区和阻挡坝；其中，第一封装层的与阻挡坝重叠的部分与阻挡坝的一侧共形。在利用该方法获得的显示基板中，凹槽可以增加阻挡坝与第一封装层的接触面积，从而提高阻挡坝与第一封装层的结合强度，同时也增加裂纹扩展、水氧侵入等的路径，提高了第一封装层对显示基板的封装效果。此外，在后续的对显示基板的封装过程中，该凹槽可以增加该液体越过阻挡坝的难度，从而起到提高阻挡坝的防溢流效果的作用，即，与未形成有上述凹槽的原阻挡坝相比，在防溢流的作用上，形成有至少一个凹槽的阻挡坝可以等效于至少两个原阻挡坝。如此，显示基板可以允许减小阻挡坝的设计数量，从而减小显示基板边框区的宽度，即有利于窄边框设计，或者，在不改变阻挡坝的设计数量的情况下，提高整个显示基板的封装效果。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法中，阻挡坝包括依次叠置在基底上的第二膜层和第一膜层，凹槽形成在第一膜层中，形成阻挡坝包括：在基底上形成第一材料层；以及提供半色调掩模板构图第一材料层；其中，在显示区，第一材料层的距背离基底的一侧具有预定厚度的部分形成为隔离柱，第一材料层的剩余部分形成为像素界定层，以及在边框区，第一材料层的距背离基底的一侧具有预定厚度的部分形成为第一膜层，第一材料层的剩余部分形成为第二膜层。如此，像素界定层、隔离柱以及至阻挡坝的第一膜层和第二膜层都可以由一个第一材料层经过一次构图工艺形成，简化显示基板的制备工艺。
例如，对于第一材料层形成为第一膜层、第二膜层、像素界定层和隔离柱的情况下，由图可见，像素界定层的宽度大于隔离柱的宽度，在形成时，可以在第一材料层的背离所述基底的一侧涂覆光刻胶，采用半色调掩模板曝光所述光刻胶，显影所述光刻，形成光刻胶全部去除区、光刻胶半保留区以及光刻胶全部保留区；蚀刻所述第一材料层，去除所述光刻全部去除区的第一材料层，在所述显示区蚀刻全部第一材料层的厚度而形成像素界定层，在边框区，蚀刻全部第一材料层的厚度而形成所述阻挡坝的最宽部分，然后，采用灰化工艺，去除光刻胶半保留区的光刻胶，然后蚀刻光刻胶半保留区对应的第一材料层的部分厚度，也就是，距背离基底的一侧具有预定厚度的部分，而形成第一膜层和隔离柱；而后剥离光刻胶，其中在灰化工艺后未被继续蚀刻的所述阻挡坝的最宽部分形成为第二膜层，显示区中在灰化工艺后未被继续蚀刻的第一材料层形成为像素界定层。例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法中，阻挡坝包括依次叠置在基底上的第二膜层和第一膜层，凹槽形成在第一膜层中，形成阻挡坝包括：在基底上依次沉积第二材料层和第一材料层以形成叠层；以及提供半色调掩模板同时构图第一材料层和第二材料层；其中，第一材料层的位于显示区的部分形成为隔离柱，第一材料层的位于边框区的部分形成为第一膜层，第二材料层的位于显示区的部分形成为像素界定层，第二材料层的位于边框区的部分形成为第二膜层。如此，通过一次构图工艺形成像素界定层、隔离柱和至少部分阻挡坝，而且隔离柱和阻挡坝的第一膜层和第二膜层可以在一次构图工艺中形成，简化显示基板的制备工艺。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法中，阻挡坝还包括位于第二膜层和基底之间的第三膜层，形成阻挡坝包括：在基底上沉积绝缘材料薄膜以平坦化基底的表面，对绝缘材料薄膜进行构图工艺，绝缘材料薄膜的位于显示区的部分形成为平坦层，绝缘材料薄膜的位于边框区的部分形成为第三膜层。如此，第三膜层的形成不会增加制造显示基板的工艺步骤。
例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法还包括：形成第一封装层之后，在阻挡坝的面向显示区的区域涂覆包括有机材料的液体；以及对液体进行干燥固化以形成第三封装层。阻挡坝及其中的凹槽用于限定液体的所在的区域，防止液体溢流，如此，在液体干燥后，第三封装层的背离基底的表面相对平缓，从而起到平坦化的作用。
例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法中，涂覆液体的方法包括喷墨打印或其它的方法。
在本公开实施例的一个示例中，以制造如图5所示的显示基板为例，显示基板的制备方法可以包括如图6A～图6H所示的过程。具体如下。
如图6A所示，提供基底100，在基底400上沉积具有平坦化功能的绝缘材料薄膜，对该绝缘材料薄膜进行构图工艺，该绝缘材料薄膜的位于显示区101的部分形成为平坦层231，该绝缘材料薄膜的位于边框区的部分形成为第三膜层230。
例如，在本公开至少一个实施例中，平坦层的材料可以为有机材料，例如环氧树脂、聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸或其他合适的材料。在如图6A所示的实施例中，第三膜层230的材料与平坦层的材料相同。
例如，该基底可以包括衬底基板和设置在衬底基板上的驱动电路层等。例如，衬底基板可以为玻璃板、石英板、金属板或树脂类板件等。例如，衬底基板的材料可以包括有机材料，例如该有机材料可以为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂类材料。例如，该衬底基板可以由多个材料层形成，例如衬底基板可以包括基底，基底的材料可以由上述的材料构成，基底的表面上可以形成缓冲层以作为过渡层，其即可以防止衬底基板中的有害物质侵入显示基板的内部，又可以增加显示基板中的膜层在衬底基板上的附着力。例如，缓冲层的材料可以为氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等。
例如，该基底可以包括衬底基板以及设置在衬底基板上的驱动电路层等。在衬底基板上形成驱动电路层的制备方法与晶体管的类型有关，例如，晶体管可以为顶栅型、底栅型、双栅型或者其它类型的薄膜晶体管。在衬底基板上形成驱动电路层的过程可以参见常规工艺，在此不做赘述。
如图6A～图6B所示，在平坦层231上沉积导电材料层，对该导电材料层进行构图以形成第一电极410，例如，第一电极410为多个且彼此间隔(图6B中只示出一个)。第一电极410的材料可以参见前述实施例中的相关说明，在此不做赘述。
需要说明的是，在沉积导电材料层时，该导电材料层还可以进一步沉积在边框区，在构图导电材料层以形成第一电极410的过程中，导电材料层的位于边框区的部分可以用于形成信号线、接触垫等元件。
如图6B～图6C所示，在基底100上依次沉积第二材料层2和第一材料层1。例如，第二材料层2和第一材料层1可以都为光敏树脂材料，例如光刻胶。例如，该光敏树脂材料为正性光刻胶。然后提供半色调掩模板40以对第二材料层2和第一材料层1进行曝光。
例如，半色调掩模板40包括第一区域41、第二区域42和第三区域43。第一区域41、第二区域42和第三区域43的透光率依次减小，例如第一区域41可以设置为开口，例如第三区域43设置为不透光。如此，通过设计第一区域41、第二区域42和第三区域43的透光率，并在曝光过程中控制曝光强度，以使得第一材料层1和第二材料层2的与第一区域41对应的部分被完全曝光、第一材料层1的与第二区域42对应的部分被完全曝光、第一材料层1和第二材料层2的与第三区域43对应的部分不被曝光。
需要说明的是，在实际工艺中，利用半色调掩模板进行构图，从而获得的图形的边缘角度小，从而可以缓解高度差引起的膜层应力。如此，有利于缩减在显示基板的边缘(边框区)进行封装的距离(封装层的边缘距离显示基板的边缘的距离)，有利于显示基板的窄边框设计。
如图6C～图6D所示，在对第一材料层1和第二材料层2曝光、显影之后，第二材料层2的位于显示区101的部分形成为像素界定层221，像素界定层221中形成有开口以暴露第一电极410，第二材料层2的位于边框区102的部分形成为第二膜层220，第一材料层1的位于显示区101的部分形成为隔离柱211，以及第一材料层1的位于边框区102的部分形成为第一膜层210。
需要说明的是，在本公开的实施例中，上述第一材料层和第二材料层的材料可以设置为相同，如此，可以在基底上沉积一个膜层以等效于图6C的第一材料层1和第二材料层2，例如，可以将第一材料层加厚，以在厚度上等效于图6C所示的第一材料层1和第二材料层2，从而不需要再沉积第二材料层2。然后利用上述的半色调掩模板构图该加厚的第一材料层，通过控制曝光强度，也可以形成为如图6D所示的第一膜层210、第二膜层220、隔离柱211和像素界定层221，如此，可以简化显示基板的制备工艺。此外，在该情况下，第一膜层210和第二膜层220为一体化结构，即，第一膜层210和第二膜层220之间没有物理界面；隔离柱211和像素界定层221为一体化结构，即，隔离柱211和像素界定层221之间没有物理界面。
如图6D～图6E所示，利用喷墨打印、蒸镀等工艺依次形成发光功能层420和第二电极430。依次叠置在基底100上的第一电极410、发光功能层420和第二电极430构成发光器件400。
如图6E～图6F所示，在基底100上沉积无机材料以形成第一封装层310，第一封装层310覆盖显示区101并覆盖边框区102的阻挡坝200。
如图6F～图6G所示，在形成有第一封装层310的基底100上涂覆液体3。例如，可以通过喷墨打印的方式涂覆液体3。
例如，在本公开至少一个实施例中，可以通过对液体进行选择，以使得第一封装层相对于该液体具有疏液性，如此，如图6G所示，在涂覆液体3时，可以使得液体3的液面高度大于阻挡坝200及覆盖在该阻挡坝200的第一封装层310的高度，从而使得显示基板上可以涂覆更多的液体，即，在阻挡坝的设计高度固定的情况下，上述设计可以增加待形成的第三封装层的厚度。
如图6G～图6H所示，干燥液体3后对其进行固化，形成第三封装层330。
如图5所示，在形成有第三封装层330的基底100上沉积无机材料以形成第二封装层320，第二封装层320覆盖第三封装层330并覆盖边框区102的阻挡坝200。
对于本公开，还有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。
(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种显示基板，具有显示区和位于所述显示区周围的边框区，所述显示基板包括：
基底；
像素单元，位于所述显示区位置对应的所述基底上；
至少一个阻挡坝，位于所述边框区位置对应的所述基底上，至少一个所述阻挡坝中的至少一个在背离所述基底的一侧设置有至少一个凹槽，所述凹槽的深度方向垂直于所述基底、延伸方向与设置有所述凹槽的所述阻挡坝的延伸方向相同，且所述凹槽远离所述基底的一侧是开口的；以及
第一封装层，覆盖所述阻挡坝；
其中，所述第一封装层在所述凹槽上的部分与所述凹槽共形；
所述凹槽中设置有沿着所述凹槽的延伸方向依次排布的多个彼此间隔的突出部。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，
设置有所述凹槽的所述阻挡坝中至少一个包括：依次叠置在所述基底上的第二膜层和第一膜层，所述凹槽位于所述第一膜层中。
3.根据权利要求2所述的显示基板，还包括位于所述显示区的隔离柱，其中，
所述隔离柱与所述第一膜层由同一膜层构图形成；
还包括位于所述显示区的像素界定层，其中，
所述像素界定层与所述第二膜层由同一膜层构图形成。
4.根据权利要求2所述的显示基板，还包括至少覆盖所述显示区的平坦层，其中，
所述阻挡坝还包括位于所述第二膜层和所述基底之间的第三膜层，所述平坦层与所述第三膜层由同一膜层构图形成。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其中，
所述至少一个阻挡坝包括第一阻挡坝和第二阻挡坝，所述第一阻挡坝位于所述显示区和所述第二阻挡坝之间，以及
所述第一阻挡坝包括所述第一膜层和所述第二膜层，所述第二阻挡坝包括所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的显示基板，其中，
所述阻挡坝设置为至少两个，且环绕所述显示区由内向外依次排布，所述凹槽设置为环绕所述显示区，且所述凹槽在所述基底上的正投影为闭合形状。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其中，
沿从所述显示区至所述边框区的方向，多个所述阻挡坝的高度逐渐增加。
8.根据权利要求1-4中任一项所述的显示基板，其中，
在至少一个设置有所述凹槽的所述阻挡坝中，设置有至少有两个环绕所述显示区的凹槽，且所述至少两个凹槽由内向外依次排布。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其中，
所述突出部与所述阻挡坝的背离所述基底的部分由同一膜层构图形成。
10.根据权利要求1所述的显示基板，其中，
所述突出部在所述基底上的正投影为三角形、矩形、多边形和圆形之一。
11.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板，还包括第二封装层和第三封装层，其中，
所述第三封装层位于所述第一封装层和所述第二封装层之间，所述第二封装层覆盖所述显示区和所述阻挡坝，所述第三封装层至少覆盖所述显示区，
所述阻挡坝在所述基底上的正投影的背离所述显示区的边缘位于所述第三封装层在所述基底上的正投影之外。
12.一种显示装置，包括权利要求1-11中任一项所述的显示基板。
13.一种显示基板的制备方法，包括
提供基底，所述基底包括显示区以及位于所述显示区周围的边框区；
在所述边框区的所述基底上形成至少一个阻挡坝，所述阻挡坝环绕所述显示区，且所述阻挡坝的背离所述基底的一侧形成有至少一个凹槽；以及
在所述基底上形成第一封装层，以覆盖所述显示区和所述阻挡坝；
其中，所述第一封装层的与所述阻挡坝重叠的部分与所述阻挡坝的一侧共形；
所述凹槽中设置有沿着所述凹槽的延伸方向依次排布的多个彼此间隔的突出部。
14.根据权利要求13所述的制备方法，其中，所述阻挡坝包括依次叠置在所述基底上的第二膜层和第一膜层，所述凹槽形成在所述第一膜层中，形成所述阻挡坝包括：
在所述基底上形成第一材料层；以及
提供半色调掩模板构图所述第一材料层，包括：
在第一材料层的背离所述基底的一侧涂覆光刻胶；
采用半色调掩模板曝光所述光刻胶，显影所述光刻胶，形成光刻胶全部去除区、光刻胶半保留区以及光刻胶全部保留区；
蚀刻所述第一材料层，去除所述光刻胶全部去除区的第一材料层；
采用灰化工艺，去除光刻胶半保留区的光刻胶；
蚀刻光刻胶半保留区对应的第一材料层的部分厚度，形成第一膜层和隔离柱；
剥离所述光刻胶，
其中，在所述显示区，所述第一材料层的背离所述基底的部分形成为隔离柱，所述第一材料层的面向所述基底的部分形成为像素界定层，以及
在所述边框区，所述第一材料层的背离所述基底的部分形成为所述第一膜层，所述第一材料层的面向所述基底的部分形成为所述第二膜层。
15.根据权利要求13所述的制备方法，其中，所述阻挡坝包括依次叠置在所述基底上的第二膜层和第一膜层，所述凹槽形成在所述第一膜层中，形成所述阻挡坝包括：
在所述基底上依次沉积第二材料层和第一材料层以形成叠层；以及
提供半色调掩模板同时构图所述第一材料层和所述第二材料层；
其中，所述第一材料层的位于所述显示区的部分形成为隔离柱，所述第一材料层的位于所述边框区的部分形成为所述第一膜层，
所述第二材料层的位于所述显示区的部分形成为像素界定层，所述第二材料层的位于所述边框区的部分形成为所述第二膜层。
16.根据权利要求14或15所述的制备方法，其中，所述阻挡坝还包括位于所述第二膜层和所述基底之间的第三膜层，形成所述阻挡坝包括：
在所述基底上沉积绝缘材料薄膜以平坦化所述基底的表面，对所述绝缘材料薄膜进行构图工艺，所述绝缘材料薄膜的位于所述显示区的部分形成为平坦层，所述绝缘材料薄膜的位于所述边框区的部分形成为所述第三膜层。
17.根据权利要求14或15所述的制备方法，还包括：
形成所述第一封装层之后，在所述阻挡坝的面向所述显示区的区域涂覆包括有机材料的液体；以及
对所述液体进行干燥固化以形成第三封装层。
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