CN109564986B - 显示基板、显示设备和制造显示基板的方法 - Google Patents

显示基板、显示设备和制造显示基板的方法 Download PDF

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Abstract

一种具有显示区域和周边区域的显示基板。该显示基板包括：基底基板；第一绝缘层，其位于所述基底基板上并且至少位于所述周边区域中；多个发光元件，其位于所述基底基板上且位于所述显示区域中；以及封装层，其位于所述多个发光元件的远离所述基底基板的一侧，用于封装所述多个发光元件。所述封装层包括从所述显示区域延伸至所述周边区域中的第一无机封装子层。所述显示基板具有延伸至所述周边区域中的所述第一绝缘层中的凹部，从而形成实质上围绕所述显示区域的第一周界。所述第一无机封装子层延伸至所述凹部的至少一部分中。

Description

显示基板、显示设备和制造显示基板的方法
技术领域
本发明涉及显示技术，更具体地，涉及显示基板、显示设备和制造显示基板的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示设备是自发光装置且无需背光。与传统液晶显示(LCD)设备相比，OLED显示设备还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外，OLED显示设备可以制作得比典型的LCD设备更易弯曲、更薄且更轻。OLED显示设备通常包括阳极、包括有机发光层的有机层、以及阴极。OLED可以为底发射型OLED或顶发射型OLED。
发明内容
在一方面，本发明提供了一种具有显示区域和周边区域的显示基板，包括：基底基板；第一绝缘层，其位于所述基底基板上并且至少位于所述周边区域中；多个发光元件，其位于所述基底基板上且位于所述显示区域中；以及，封装层，其位于所述多个发光元件的远离所述基底基板的一侧，用于封装所述多个发光元件；其中，所述封装层包括从所述显示区域延伸至所述周边区域中的第一无机封装子层；所述显示基板具有延伸至所述周边区域中的所述第一绝缘层中的凹部，从而形成实质上围绕所述显示区域的第一周界；并且，所述第一无机封装子层延伸至所述凹部的至少一部分中。
可选地，所述第一无机封装子层实质上围绕所述第一周界地延伸至所述凹部中。
可选地，所述封装层还包括：第二无机封装子层，其位于第一无机封装子层的远离所述基底基板的一侧；并且，所述第二无机封装子层延伸至所述凹部的至少一部分中。
可选地，所述第二无机封装子层实质上围绕所述第一周界地延伸至所述凹部中。
可选地，所述凹部沿着从所述第一绝缘层至所述基底基板的方向的深度大于50nm。
可选地，所述凹部沿着从所述显示区域到所述周边区域的方向的宽度大于10μm。
可选地，所述凹部延伸至包括所述第一绝缘层的多个绝缘层中。
可选地，所述凹部延伸至所述第一绝缘层、位于所述第一绝缘层的远离所述基底基板的一侧的第二绝缘层、以及位于所述第二绝缘层的远离所述基底基板的一侧的第三绝缘层中；并且，所述第三绝缘层是层间介电层。
可选地，所述显示基板还包括裂缝阻挡层，其位于所述基底基板上并且位于所述周边区域中。
可选地，所述显示基板具有延伸至所述周边区域中的所述第一绝缘层中的一个或多个沟部，从而形成一个或多个第二周界，所述一个或多个第二周界中的每一个实质上围绕所述第一周界；并且，所述裂缝阻挡层延伸至所述一个或多个沟部中。
可选地，所述一个或多个沟部沿着从所述第一绝缘层至所述基底基板的方向的深度与所述凹部沿着从所述第一绝缘层至所述基底基板的方向的深度实质上相同。
可选地，所述裂缝阻挡层包括第一阻挡子层和位于所述第一阻挡子层的远离所述基底基板的一侧的第二阻挡子层；并且，所述第一阻挡子层延伸至所述一个或多个沟部中。
可选地，所述显示基板还包括：平坦化层，其位于所述显示区域中；以及，像素限定层，其位于所述平坦化层的远离所述基底基板的一侧，用于限定多个子像素孔；其中，所述第一阻挡子层和所述平坦化层位于同一层并且包括相同材料；并且，所述第二阻挡子层和所述像素限定层位于同一层并且包括相同材料。
可选地，显示基板还包括：坝层，其位于所述第一绝缘层的远离所述基底基板的一侧；其中，所述坝层形成限定所述显示区域的第三周界。
可选地，所述坝层包括：第一坝子层，其位于所述第一绝缘层的远离所述基底基板的一侧；第二坝子层，其位于所述第一坝子层的远离所述第一绝缘层的一侧；以及，第三坝子层，其位于所述第二坝子层的远离所述第一坝子层的一侧。
可选地，所述显示基板还包括：平坦化层，其位于所述显示区域中；像素限定层，其位于所述平坦化层的远离所述基底基板的一侧，用于限定多个子像素孔；以及，间隔层，其用于使所述显示基板与包括所述显示基板的显示面板中的对置基板间隔开；其中，所述第一坝子层和所述平坦化层位于同一层并且包括相同材料；所述第二坝子层和所述像素限定层位于同一层并且包括相同材料；并且，所述第三坝子层和所述间隔层位于同一层并且包括相同材料。
在另一方面，本发明提供了一种显示设备，其包括：本文描述的显示基板或通过本文描述的方法制造的显示基板；以及，对置基板，其面对所述显示基板。
在另一方面，本发明提供了一种制造具有显示区域和周边区域的显示基板的方法，包括：在基底基板上并且至少在所述周边区域中形成第一绝缘层；形成延伸至所述周边区域中的所述第一绝缘层中的凹部，所述凹部形成实质上围绕所述显示区域的第一周界；在所述基底基板上且在所述显示区域中形成多个发光元件；以及，在所述多个发光元件的远离所述基底基板的一侧形成封装层以封装所述多个发光元件；其中，形成所述封装层包括形成从所述显示区域延伸至所述周边区域中的第一无机封装子层；并且，所述第一无机封装子层形成为使得所述第一无机封装子层延伸至所述凹部的至少一部分中。
可选地，所述方法还包括形成延伸至所述周边区域中的所述第一绝缘层中的一个或多个沟部，所述一个或多个沟部形成一个或多个第二周界，所述一个或多个第二周界中的每一个实质上围绕所述第一周界；以及在所述基底基板上并且在所述周边区域中形成裂缝阻挡层；其中，所述裂缝阻挡层形成为使得所述裂缝阻挡层延伸至所述一个或多个沟部中。
可选地，所述方法还包括：在所述显示区域中形成平坦化层；在所述平坦化层的远离所述基底基板的一侧形成限定多个子像素孔的像素限定层；形成用于使所述显示基板与包括所述显示基板的显示面板中的对置基板间隔开的间隔层；以及，形成位于所述第一绝缘层的远离所述基底基板的一侧的坝层，所述坝层形成限定所述显示区域的第三周界；其中，形成所述裂缝阻挡层包括形成第一阻挡子层和在所述第一阻挡子层的远离所述基底基板的一侧形成第二阻挡子层；以及形成所述坝层包括在所述第一绝缘层的远离所述基底基板的一侧形成第一坝子层，在所述第一坝子层的远离所述第一绝缘层的一侧形成第二坝子层；以及，在所述第二坝子层的远离所述第一坝子层的一侧形成第三坝子层；其中，利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成所述第一阻挡子层、所述第一坝子层和所述平坦化层；利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成所述第二阻挡子层、所述第二坝子层和所述像素限定层；利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成所述第三阻挡子层和所述间隔层；并且，利用单个掩膜板在单次构图工艺中形成所述凹部和所述一个或多个沟部。
附图说明
以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本发明的范围。
图1是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。
图2A是示出根据本公开的一些实施例中的封装层的结构的示意图。
图2B是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板在显示区域中的结构的示意图。
图3是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。
图4是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。
图5是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。
图6是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。
图7A至图7D示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的过程。
图8A至图8E示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的过程。
图9是示出根据本公开的一些实施例中的显示设备的结构的示意图。
具体实施方式
现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。
在本公开中发现，显示基板中的封装层的无机封装子层易于从显示基板的绝缘层剥落，特别是当受到外力时，导致封装缺陷。
因此，本公开特别提供了显示基板、显示设备和制造显示基板的方法，其实质上消除了由于相关技术的限制和缺陷而导致的问题中的一个或多个。在一方面，本公开提供了一种具有显示区域和周边区域的显示基板。在一些实施例中，显示基板包括：基底基板；第一绝缘层，其位于所述基底基板上并且至少位于所述周边区域中；多个发光元件，其位于所述基底基板上且位于所述显示区域中；以及封装层，其位于所述多个发光元件的远离所述基底基板的一侧，用于封装所述多个发光元件。可选地，所述封装层包括从所述显示区域延伸至所述周边区域中的第一无机封装子层。可选地，所述显示基板具有延伸至所述周边区域中的所述第一绝缘层中的凹部，从而形成实质上围绕所述显示区域的第一周界。可选地，所述第一无机封装子层延伸至所述凹部的至少一部分中。
本文使用的术语“显示区域”指的是显示面板中的显示基板(例如，对置基板或阵列基板)的实际显示图像的区域。可选地，显示区域可以包括子像素区域和子像素间区域。子像素区域指的是子像素的发光区域，比如液晶显示器中与像素电极对应的区域或者有机发光二极管显示面板中与发光层对应的区域。子像素间区域指的是相邻子像素区域之间的区域，比如液晶显示器中与黑矩阵对应的区域或者有机发光二极管显示面板中与像素限定层对应的区域。可选地，子像素间区域是同一像素中相邻子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是来自两个相邻像素的两个相邻子像素区域之间的区域。
本文使用的术语“周边区域”指的是显示面板中的显示基板(例如，对置基板或阵列基板)的设置有用于向显示基板发送信号的各种电路和走线的区域。为了增加显示设备的透明度，显示设备的非透明或不透明部件(例如，电池、印刷电路板、金属框)可以布置在周边区域中而非布置在显示区域中。
本文使用的术语“实质上围绕”指的是围绕某个区域的周长的至少50％(例如，至少60％、至少70％、至少80％、至少90％、至少95％、至少99％、以及100％)。
图1是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。图3是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。参照图1和图3，在一些实施例中，显示基板具有显示区域DA和周边区域PA。在一些实施例中，显示基板包括：基底基板10；第一绝缘层21，其位于基底基板10上并且至少位于周边区域PA中。在图1中，第一绝缘层21从显示区域DA延伸至周边区域PA的至少一部分中。可选地，显示基板还包括位于基底基板10上且位于显示区域DA中的多个发光元件LE以及位于所述多个发光元件LE的远离基底基板10的一侧的封装层以封装所述多个发光元件LE。可选地，参照图1，所述封装层包括从显示区域DA延伸至周边区域PA中的第一无机封装子层41。
图2A是示出根据本公开的一些实施例中的封装层的结构的示意图。参照图2A，在一些实施例中，封装层可以包括多个子层，其包括一个或多个无机封装子层和一个或多个有机封装子层，以增强封装能力从而防止氧气或水分进入显示基板。在图2A所示的一个示例中，封装层40包括：第一有机封装子层43；第一无机封装子层41，其位于第一有机封装子层43上；第二有机封装子层44，其位于第一无机封装子层41的远离第一有机封装子层43的一侧；以及第二无机封装子层42，其位于第二有机封装子层44的远离第一无机封装子层41的一侧。
图2B是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板在显示区域中的结构的示意图。参照图2B，显示基板在显示区域中包括：基底基板10；第一绝缘层21，其位于基底基板10上；平坦化层60，其位于第一绝缘层21的远离基底基板10的一侧；像素限定层70，其位于平坦化层60的远离基底基板10的一侧并且限定多个子像素孔；以及间隔层90，其位于像素限定层70的远离基底基板10的一侧。间隔层90构造为使所述显示基板与具有所述显示基板的显示面板中的对置基板间隔开。在一些实施例中，所述多个发光元件LE中的每一个包括：第一电极80；发光层81，其位于所述多个子像素孔中的相应一个中并且位于第一电极80的远离基底基板10的一侧；以及第二电极82，其位于发光层81的远离第一电极80的一侧。第二电极82可以在开放掩膜工艺中形成为延伸遍及显示区域。
参照图1，在一些实施例中，所述显示基板具有延伸至周边区域PA中的第一绝缘层21中的凹部G1，从而形成实质上围绕显示区域DA的第一周界。可选地，第一无机封装子层41延伸至凹部G1的至少一部分中。如本文所用，术语“延伸至……中”用于指部分延伸穿过或完全延伸穿过。在图1中，凹部G1仅部分延伸穿过第一绝缘层21。
在一些实施例中，参照图1与图3，第一无机封装子层41实质上围绕第一周界地延伸至所述凹部G1中。例如，第一无机封装子层41在第一周界的每一部分处延伸至凹部G1中。
在一些实施例中，第一无机封装子层41在第一周界的一些部分处延伸至凹部G1中，但是在第一周界的其他部分处不存在于凹部G1中。
图4是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。参照图4，在一些实施例中，封装层还包括：第二无机封装子层42，其位于第一无机封装子层41的远离基底基板10的一侧。类似于第一无机封装子层41，第二无机封装子层42也从显示区域DA延伸至周边区域PA中。在如图4所示的显示基板中，第二无机封装子层42未延伸至凹部G1中。
图5是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。参照图5，在一些实施例中，封装层还包括：第二无机封装子层42，其位于第一无机封装子层41的远离基底基板10的一侧。在如图5所示的显示基板中，不仅第一无机封装子层41延伸至凹部G1的至少一部分中，而且第二无机封装子层42也延伸至凹部G1的至少一部分中。在图5中，凹部G1延伸穿过第一绝缘层21。
在一些实施例中，第二无机封装子层42实质上围绕第一周界地延伸至凹部G1中。例如，第二无机封装子层42在第一周界的每一部分处延伸至凹部G1中。
在一些实施例中，第二无机封装子层42在第一周界的一些部分处延伸至凹部G1中，但是在第一周界的其他部分处不存在于凹部G1中。
参照图1，在一些实施例中，凹部G1沿着从第一绝缘层21至基底基板10的方向具有深度D。可选地，深度D大于50nm，例如，大于100nm、大于200nm、大于300nm、大于400nm、大于500nm、大于600nm、大于700nm、大于800nm、大于900nm、以及大于1000nm。可选地，深度D在大约500nm至大约700nm的范围内，例如，大约为600nm。
参照图1，在一些实施例中，凹部G1沿着从显示区域DA至周边区域PA的方向具有宽度W。可选地，宽度W大于10μm，例如，大于20μm、大于30μm、大于40μm、大于50μm、大于60μm、大于70μm、大于80μm、大于90μm、大于100μm、大于150μm、大于200μm、以及大于500μm。可选地，宽度W在大约50μm至大约150μm的范围内，例如，大约为100μm。
参照图1、图4和图5，在一些实施例中，显示基板还包括裂缝阻挡层50，其位于基底基板10上并且位于周边区域PA中。裂缝阻挡层50位于凹部G1的远离显示区域DA的一侧。可选地，裂缝阻挡层50形成为围绕由凹部G1所形成的第一周界。
在一些实施例中，显示基板具有延伸至周边区域PA中的第一绝缘层21中的一个或多个沟部T，从而形成一个或多个第二周界，所述一个或多个第二周界中的每一个实质上围绕第一周界。裂缝阻挡层50延伸至所述一个或多个沟部T中。可选地，利用单个掩膜板在单次构图工艺(例如，同一刻蚀工艺)中形成所述一个或多个沟部T和凹部G1。可选地，所述一个或多个沟部T沿着从第一绝缘层21至基底基板10的方向的深度与凹部G1沿着从第一绝缘层21至基底基板10的方向的深度实质上相同。可选地，所述一个或多个沟部T的深度大于50nm，例如，大于100nm、大于200nm、大于300nm、大于400nm、大于500nm、大于600nm、大于700nm、大于800nm、大于900nm、以及大于1000nm。可选地，所述一个或多个沟部T的深度在大约500nm至大约700nm的范围内，例如，大约为600nm。
参照图1、图4和图5，在一些实施例中，显示基板还包括：坝层30，其位于第一绝缘层21的远离基底基板10的一侧。坝层30形成限定显示区域DA的第三周界，例如，形成显示区域DA与周边区域PA之间的边界。第一无机封装子层41或第二无机封装子层42攀越坝层30并且从显示区域DA延伸至周边区域PA中。
在一些实施例中，凹部G1延伸至多个绝缘层中。图6是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。参照图6，显示基板包括所述第一绝缘层21、位于第一绝缘层21的远离基底基板10的一侧的第二绝缘层22、以及位于第二绝缘层22的远离基底基板10的一侧的第三绝缘层23。凹部G1延伸至(例如，完全延伸穿过)第一绝缘层21、第二绝缘层22和第三绝缘层23中。
在一个示例中，第一绝缘层21是显示基板的第一栅绝缘层，第二绝缘层22是显示基板的第二栅绝缘层，并且第三绝缘层23是显示基板的层间介电层。
再次参照图6，在一些实施例中，所述裂缝阻挡层包括第一阻挡子层51和位于第一阻挡子层51的远离基底基板10的一侧的第二阻挡子层52。可选的，第一阻挡子层51延伸至所述一个或多个沟部T中。在一些实施例中，第一阻挡子层51和显示基板的平坦化层位于同一层并且由相同材料制成。如本文所用，术语“同一层”指的是在相同步骤中同时形成的各层之间的关系。在一个示例中，当第一阻挡子层51和平坦化层作为在同一材料层中执行的同一构图工艺的一个或多个步骤的结果而形成时，它们位于同一层。在另一个示例中，可以通过同时执行形成第一阻挡子层51的步骤和形成平坦化层的步骤而将第一阻挡子层和51和平坦化层形成在同一层。术语“同一层”不总是意味着层的厚度或层的高度在截面图中是相同的。
在一些实施例中，第二阻挡子层52和显示基板的像素限定层(参见，例如图2B)位于同一层并由相同材料制成。
再次参照图6，在一些实施例中，坝层包括：第一坝子层31，其位于第一绝缘层21的远离基底基板10的一侧；第二坝子层32，其位于第一坝子层31的远离第一绝缘层21的一侧；以及第三坝子层33，其位于第二坝子层32的远离第一坝子层31的一侧。可选地，第一坝子层31和显示基板的平坦化层(参见，例如图2B)位于同一层并由相同材料制成。可选地，第二坝子层32和显示基板的像素限定层(参见，例如图2B)位于同一层并由相同材料制成。可选地，第三坝子层33和显示基板的间隔层(参见，例如图2B)位于同一层并由相同材料制成。
各种适当绝缘材料和各种适当制造方法可用于制作裂缝阻挡层50、坝层30、像素限定层70、平坦化层60、第一绝缘层21、第二绝缘层22、第三绝缘层23以及间隔层90。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在基板上沉积绝缘材料并对其构图。用于制作裂缝阻挡层50、坝层30、像素限定层70、平坦化层60、第一绝缘层21、第二绝缘层22、第三绝缘层23以及间隔层90的适当绝缘材料的示例包括但不限于：硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNy，例如，Si3N4)、硅的氮氧化物(SiOxNy)、各种树脂、以及各种有机聚合物。
在另一方面，本公开提供了一种制造具有显示区域和周边区域的显示基板的方法。在一些实施例中，所述方法包括：在基底基板上并且至少在周边区域中形成第一绝缘层；形成延伸至所述周边区域中的所述第一绝缘层中的凹部，所述凹部形成实质上围绕所述显示区域的第一周界；在所述基底基板上且在所述显示区域中形成多个发光元件；以及在所述多个发光元件的远离所述基底基板的一侧形成封装层以封装所述多个发光元件。
可选地，形成封装层的步骤包括形成从显示区域延伸至周边区域中的第一无机封装子层。可选地，第一无机封装子层形成为使得第一无机封装子层延伸至凹部的至少一部分中。可选地，第一无机封装子层形成为实质上围绕第一周界地延伸至凹部中。
可选地，形成封装层的步骤还包括：在第一无机封装子层的远离所述基底基板的一侧形成第二无机封装子层。可选地，第二无机封装子层形成为使得第二无机封装子层延伸至凹部的至少一部分中。可选地，第二无机封装子层形成为使得第二无机封装子层实质上围绕第一周界地延伸至凹部中。
可选地，凹部形成为沿着从第一绝缘层至基底基板的方向的深度大于50nm。可选地，所述深度大于50nm，例如，大于100nm、大于200nm、大于300nm、大于400nm、大于500nm、大于600nm、大于700nm、大于800nm、大于900nm、以及大于1000nm。可选地，所述深度在大约500nm至大约700nm的范围内，例如，大约为600nm。
可选地，凹部形成为沿着从显示区域到周边区域的方向具有大于10μm的宽度。可选地，所述宽度大于10μm，例如，大于20μm、大于30μm、大于40μm、大于50μm、大于60μm、大于70μm、大于80μm、大于90μm、大于100μm、大于150μm、大于200μm、以及大于500μm。可选地，所述宽度在大约50μm至大约150μm的范围内，例如，大约为100μm。
在一些实施例中，所述方法包括：在基底基板上形成多个绝缘层，所述多个绝缘层中的一个是第一绝缘层。可选地，凹部形成为延伸至所述多个绝缘层中。在一个示例中，所述方法包括：在基底基板上形成第一绝缘层、在第一绝缘层的远离基底基板的一侧形成第二绝缘层、以及在第二绝缘层的远离基底基板的一侧形成第三绝缘层。可选地，凹部形成为延伸至第一绝缘层、位于第一绝缘层的远离基底基板的一侧的第二绝缘层、以及位于第二绝缘层的远离基底基板的一侧的第三绝缘层中。在一个示例中，第一绝缘层是显示基板的第一栅绝缘层，第二绝缘层是显示基板的第二栅绝缘层，并且第三绝缘层是显示基板的层间介电层。
在一些实施例中，所述方法还包括：在基底基板上并且在周边区域中形成裂缝阻挡层。在一些实施例中，在形成裂缝阻挡层之前，所述方法还包括：形成延伸至周边区域的第一绝缘层中的一个或多个沟部。所述一个或多个沟部形成一个或多个第二周界，所述一个或多个第二周界中的每一个实质上围绕第一周界。裂缝阻挡层形成为使得裂缝阻挡层延伸至所述一个或多个沟部中。可选地，所述一个或多个沟部形成为其沿着从第一绝缘层至基底基板的方向的深度与凹部沿着从第一绝缘层至基底基板的方向的深度实质上相同。可选地，利用单个掩膜板在单次构图工艺中形成所述凹部和所述一个或多个沟部。
在一些实施例中，形成裂缝阻挡层的步骤包括形成第一阻挡子层和在所述第一阻挡子层的远离所述基底基板的一侧形成第二阻挡子层。可选地，所述第一阻挡子层形成为延伸至所述一个或多个沟部中。
在一些实施例中，所述方法还包括：在显示区域中形成平坦化层，并且在平坦化层的远离基底基板的一侧形成限定多个子像素孔的像素限定层。可选地，利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成所述第一阻挡子层和平坦化层。可选地，利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成第二阻挡子层和像素限定层。
在一些实施例中，所述方法还包括：在第一绝缘层的远离基底基板的一侧形成坝层。所述坝层形成限定显示区域的第三周界。
在一些实施例中，形成坝层的步骤包括：在第一绝缘层的远离基底基板的一侧形成第一坝子层，在所述第一坝子层的远离第一绝缘层的一侧形成第二坝子层；以及在第二坝子层的远离第一坝子层的一侧形成第三坝子层。
在一些实施例中，所述方法还包括：在显示区域中形成平坦化层；在平坦化层的远离基底基板的一侧形成限定多个子像素孔的像素限定层；以及形成用于使显示基板与包括显示基板的显示面板中的对置基板间隔开的间隔层。可选地，利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成所述第一坝子层和平坦化层。可选地，利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成第二坝子层和像素限定层。可选地，利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成所述第三坝子层和间隔层。
可选地，利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成第一阻挡子层、第一坝子层和平坦化层。可选地，利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成第二阻挡子层、第二坝子层和像素限定层。可选地，利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成第三坝子层和间隔层。
图7A至图7D示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的过程。参照图7A，在基底基板10上形成第一绝缘层21，在第一绝缘层21的远离基底基板10的一侧形成第二绝缘层22，并且在第二绝缘层22的远离基底基板10的一侧形成第三绝缘层23。在一个示例中，第一绝缘层21是显示基板的第一栅绝缘层，第二绝缘层22是显示基板的第二栅绝缘层，并且第三绝缘层23是显示基板的层间介电层。在显示基板的显示区域DA中形成多个发光元件LE。在第三绝缘层23的远离基底基板10的一侧形成坝层，所述坝层包括：第一坝子层31，其位于第一绝缘层21的远离基底基板10的一侧；第二坝子层32，其位于第一坝子层31的远离第一绝缘层21的一侧；以及第三坝子层33，其位于第二坝子层32的远离第一坝子层31的一侧。
参照图7B，形成凹部G1和一个或多个沟部T以延伸至第一绝缘层21、第二绝缘层22和第三绝缘层23中。
参照图7C，在周边区域PA并且在凹部G1的远离显示区域DA的一侧形成第一阻挡子层51。第一阻挡子层51形成为延伸至所述一个或多个沟部T中。此外，形成封装层的第一无机封装子层41以从显示区域DA延伸至周边区域PA中。第一无机封装子层41形成为延伸至凹部G1的至少一部分中。
参照图7D，在第一无机封装子层41的远离基底基板10的一侧形成第二无机封装子层42。第二无机封装子层42形成为延伸至凹部G1的至少一部分中。此外，在第一阻挡子层51的远离基底基板10的一侧形成第二阻挡子层52。
图8A至图8E示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的过程。参照图8A，在基底基板10上形成第一绝缘层21，在第一绝缘层21的远离基底基板10的一侧形成第二绝缘层22，并且在第二绝缘层22的远离基底基板10的一侧形成第三绝缘层23。在一个示例中，第一绝缘层21是显示基板的第一栅绝缘层，第二绝缘层22是显示基板的第二栅绝缘层，并且第三绝缘层23是显示基板的层间介电层。
参照图8B，形成凹部G1和一个或多个沟部T以延伸至第一绝缘层21、第二绝缘层22和第三绝缘层23中。利用单个掩膜板在单次构图工艺中形成凹部G1和所述一个或多个沟部T。
参照图8C，在第一绝缘层21的远离基底基板10的一侧形成平坦化层60，在第一绝缘层21的远离基底基板10的一侧形成第一坝子层31以限定显示区域DA，并且在周边区域PA中并在凹部G1的远离显示区域DA的一侧形成第一阻挡子层51。第一阻挡子层51形成为延伸至所述一个或多个沟部T中。利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成第一阻挡子层51、第一坝子层31和平坦化层60。通过在单次构图工艺中形成第一阻挡子层51、第一坝子层31和平坦化层60，可以大大简化制造过程。
参照图8D，在第一坝子层31的远离第一绝缘层21的一侧形成第二坝子层32，在第一阻挡子层51的远离基底基板10的一侧形成第二阻挡子层52，并且在显示区域DA中形成像素限定层70以限定多个子像素孔。利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成第二阻挡子层52、第二坝子层32和像素限定层70。通过在单次构图工艺中形成第二阻挡子层52、第二坝子层32和像素限定层70，可以大大简化制造过程。
参照图8E，在第二坝子层32的远离第一坝子层31的一侧形成第三坝子层33。可以利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成第三坝子层33和间隔层。随后，形成封装层的第一无机封装子层41以从显示区域DA延伸至周边区域PA中。第一无机封装子层41形成为延伸至凹部G1的至少一部分中。在第一无机封装子层41的远离基底基板10的一侧形成第二无机封装子层42。第二无机封装子层42形成为延伸至凹部G1的至少一部分中。
在另一方面，本公开提供了一种显示面板，其包括本文描述的显示基板和面对显示基板的对置基板。在一些实施例中，所述多个发光元件是多个有机发光二极管，并且所述显示面板是有机发光二极管显示面板。在一些实施例中，所述多个发光元件是多个量子点发光二极管，并且所述显示面板是量子点发光二极管显示面板。在一些实施例中，所述多个发光元件是多个微发光二极管，并且所述显示面板是微发光二极管显示面板。
在另一方面，本公开提供了一种显示设备，其包括本文描述的显示面板以及与所述显示基板连接的一个或多个集成电路。图9是示出根据本公开的一些实施例中的显示设备的结构的示意图。参照图9，在一些实施例中，显示设备包括显示基板1和面对显示基板1的对置基板2。显示设备包括间隔层90，其使显示基板1与对置基板2间隔开。适当显示设备的示例包括但不限于：电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相框、GPS等。
出于示意和描述目的已示出对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明适用于特定用途或所构思的实施方式的各种实施例及各种变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而非意在对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变化。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。

Claims (17)

1.一种显示基板，其具有显示区域和周边区域，所述显示基板包括：
基底基板；
第一绝缘层，其位于所述基底基板上并且至少位于所述周边区域中；
多个发光元件，其位于所述基底基板上且位于所述显示区域中；以及
封装层，其位于所述多个发光元件的远离基底基板的一侧，用于封装所述多个发光元件；
其中，所述封装层包括从所述显示区域延伸至所述周边区域中的第一无机封装子层；
所述显示基板具有延伸至所述周边区域中的所述第一绝缘层中的凹部，从而形成围绕所述显示区域的第一周界；并且
所述第一无机封装子层延伸至所述凹部的至少一部分中；
所述显示基板还包括裂缝阻挡层，其位于所述基底基板上并且位于所述周边区域中；
所述显示基板具有延伸至所述周边区域中的所述第一绝缘层中的一个或多个沟部，从而形成一个或多个第二周界，所述一个或多个第二周界中的每一个围绕所述第一周界；并且
所述裂缝阻挡层延伸至所述一个或多个沟部中；
所述沟部不与所述第一无机封装子层接触。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一无机封装子层围绕所述第一周界地延伸至所述凹部中。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述封装层还包括：第二无机封装子层，其位于所述第一无机封装子层的远离所述基底基板的一侧；并且
所述第二无机封装子层延伸至所述凹部的至少一部分中。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述第二无机封装子层围绕所述第一周界地延伸至所述凹部中。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示基板，其中，所述凹部沿着从所述第一绝缘层至所述基底基板的方向的深度大于50nm。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述凹部沿着从所述显示区域到所述周边区域的方向的宽度大于10μm。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述凹部延伸至包括所述第一绝缘层的多个绝缘层中。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述凹部延伸至所述第一绝缘层、位于所述第一绝缘层的远离所述基底基板的一侧的第二绝缘层、以及位于所述第二绝缘层的远离所述基底基板的一侧的第三绝缘层中；并且
所述第三绝缘层是层间介电层。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述一个或多个沟部沿着从所述第一绝缘层至所述基底基板的方向的深度与所述凹部沿着从所述第一绝缘层至所述基底基板的方向的深度相同。
10.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述裂缝阻挡层包括第一阻挡子层和位于所述第一阻挡子层的远离所述基底基板的一侧的第二阻挡子层；并且
所述第一阻挡子层延伸至所述一个或多个沟部中。
11.根据权利要求10所述的显示基板，还包括：平坦化层，其位于所述显示区域中；和
像素限定层，其位于所述平坦化层的远离所述基底基板的一侧，用于限定多个子像素孔；
其中，所述第一阻挡子层和所述平坦化层位于同一层并且包括相同材料；并且
所述第二阻挡子层和所述像素限定层位于同一层并且包括相同材料。
12.根据权利要求1所述的显示基板，还包括：位于所述第一绝缘层的远离所述基底基板的一侧的坝层；
其中，所述坝层形成限定所述显示区域的第三周界。
13.根据权利要求12所述的显示基板，其中，所述坝层包括：第一坝子层，其位于所述第一绝缘层的远离所述基底基板的一侧；
第二坝子层，其位于所述第一坝子层的远离所述第一绝缘层的一侧；和
第三坝子层，其位于所述第二坝子层的远离所述第一坝子层的一侧。
14.根据权利要求13所述的显示基板，还包括：平坦化层，其位于所述显示区域中；
像素限定层，其位于所述平坦化层的远离所述基底基板的一侧，用于限定多个子像素孔；和
间隔层，其用于使所述显示基板与包括所述显示基板的显示面板中的对置基板间隔开；
其中，所述第一坝子层和所述平坦化层位于同一层并且包括相同材料；
所述第二坝子层和所述像素限定层位于同一层并且包括相同材料；并且
所述第三坝子层和所述间隔层位于同一层并且包括相同材料。
15.一种显示设备,包括权利要求1至14中任一项所述的显示基板；和
对置基板，其面对所述显示基板。
16.一种制造权利要求1至14中任一项所述的显示基板的方法，包括：
在基底基板上并且至少在所述周边区域中形成第一绝缘层；
形成延伸至所述周边区域中的所述第一绝缘层中的凹部，所述凹部形成围绕所述显示区域的第一周界；
在所述基底基板上且在所述显示区域中形成多个发光元件；和
在所述多个发光元件的远离所述基底基板的一侧形成封装层，用于封装所述多个发光元件；
其中，形成所述封装层包括形成从所述显示区域延伸至所述周边区域中的第一无机封装子层；并且
所述第一无机封装子层形成为使得所述第一无机封装子层延伸至所述凹部的至少一部分中；
所述方法还包括：形成延伸至所述周边区域中的所述第一绝缘层中的一个或多个沟部，所述一个或多个沟部形成一个或多个第二周界，所述一个或多个第二周界中的每一个围绕所述第一周界；和
在所述基底基板上并且在所述周边区域中形成裂缝阻挡层；
其中，所述裂缝阻挡层形成为使得所述裂缝阻挡层延伸至所述一个或多个沟部中。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括：
在所述显示区域中形成平坦化层；
在所述平坦化层的远离所述基底基板的一侧形成限定多个子像素孔的像素限定层；
形成用于使所述显示基板与包括所述显示基板的显示面板中的对置基板间隔开的间隔层；和
形成位于所述第一绝缘层的远离所述基底基板的一侧的坝层，所述坝层形成限定所述显示区域的第三周界；
其中，形成所述裂缝阻挡层包括：形成第一阻挡子层和在所述第一阻挡子层的远离所述基底基板的一侧形成第二阻挡子层；以及
形成所述坝层包括在所述第一绝缘层的远离所述基底基板的一侧形成第一坝子层，在所述第一坝子层的远离所述第一绝缘层的一侧形成第二坝子层；以及在所述第二坝子层的远离所述第一坝子层的一侧形成第三坝子层；
其中，利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成所述第一阻挡子层、所述第一坝子层和所述平坦化层；
利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成所述第二阻挡子层、所述第二坝子层和所述像素限定层；
利用相同材料和单个掩膜板在单次构图工艺中在同一层形成所述第三坝子层和所述间隔层；并且
利用单个掩膜板在单次构图工艺中形成所述凹部和所述一个或多个沟部。
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