CN112420786A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括：基板、第一有源层、第一功能结构层、第二有源层、第一电极层、第二功能结构层以及第二电极层，所述第一电极层具有第一电极走线，所述第二电极层具有第三电极走线；所述第三电极走线贯穿所述第二功能结构层并分别连接至所述第一电极走线和所述第二有源层的源极，形成桥接结构。本发明的技术效果在于，无需挖深孔实现两个有源层之间的搭接，降低工艺难度。

Description

显示面板及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

目前在显示面板领域，为了形成高响应速度高对比度高亮度的屏幕显示，OLED有机发光二极管技术在显示领域得到了大幅的发展。但是随着可穿戴设备以及可穿戴显示领域的发展，以及目前电池领域技术未得到显著突破的背景下，人们对显示设备的功耗要求越来越高。

目前用于驱动TFT和开关TFT的低温多晶硅LTPS技术是一种主流技术趋势，功耗较低。但是由于LTPS载流子迁移率较大，存在漏电流较高的问题。因此LTPO(Low TemperaturePolycrystalline-Si Oxide)低温多晶氧化物技术应运而生。它结合了LTPS和Oxide(如IGZO铟镓锌氧化物)两者的优异点，形成了一种响应速度快，功耗更低的LTPO解决方案。

但是LTPO因为同时采用了两种有源层，因此在进行深孔电性连接时，深孔工艺难度较大，而且很难形成小尺寸深孔，不易提高像素密度(PPI)。

发明内容

本发明的目的在于，解决现有LTPO显示装置中两种有源层之间的深孔搭接工艺难度大，像素密度低的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，包括：基板；第一有源层，设于所述基板一侧的表面；第一功能结构层，设于所述第一有源层远离所述基板一侧的表面；第二有源层，设于所述第一功能结构层远离所述基板一侧的表面，且所述第二有源层在所述基板上的正投影与所述第一有源层在所述基板上的正投影互不重合；第一电极层，设于所述第一功能结构层远离所述基板一侧的表面，所述第一电极层具有第一电极走线，所述第一电极走线贯穿所述第一功能结构层并连接至所述第一有源层的漏极；第二功能结构层，覆盖所述第一电极层和所述第二有源层；以及第二电极层，设于所述第二功能结构层远离所述基板一侧的表面，所述第二电极层具有第三电极走线；所述第三电极走线贯穿所述第二功能结构层并分别连接至所述第一电极走线和所述第二有源层的源极，形成桥接结构。

进一步地，所述第一电极层还具有第二电极走线；所述第二电极走线贯穿所述第一功能结构层并连接至所述第一有源层的源极。

进一步地，所述第二电极层还具有第四电极走线、第五电极走线和第六电极走线；所述第四电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第二电极走线，所述第二电极走线和所述第四电极走线形成所述第一有源层的源极走线；所述第五电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第一电极走线，所述第一电极走线与所述第五电极走线形成所述第一有源层的漏极走线；所述第六电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第二有源层的漏极。

进一步地，所述第一功能结构层包括第一栅极绝缘层，设于所述基板上且覆盖所述第一有源层；第二栅极绝缘层，设于所述第一栅极绝缘层上；第一介电绝缘层，设于所述第二栅极绝缘层上；所述显示面板还包括第一栅极层，设于所述第一栅极绝缘层上且对应于所述第一有源层；第二栅极层；设于所述第二栅极绝缘层上且对应于所述第一有源层。

进一步地，所述第二功能结构层包括第三栅极绝缘层，设于所述第一介电绝缘层上；第二介电绝缘层，设于所述第三栅极绝缘层上；所述显示面板还包括第三栅极层，设于所述第三栅极绝缘层，所述第二介电绝缘层覆盖所述第三栅极层。

为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：提供一基板；在所述基板的上表面制备出第一有源层；在所述第一有源层的上表面制备出第一功能结构层；形成贯穿所述第一功能结构层并连通至所述第一有源层源极和漏极的第一通孔；形成第一电极层和所述第二有源层于所述第一功能结构层上，其中所述第一电极层中的第一电极走线从所述第一通孔延伸至所述第一有源层的漏极上；形成所述第二功能结构层于所述第一功能结构层上且覆盖所述第一电极层和所述第二有源层；形成贯穿所述第二功能结构层的第二通孔，其中一个第二通孔连通于所述第一电极走线上，另一个第二通孔连通于所述第二有源层上的源极；以及形成第二电极层于所述第二功能结构层的上表面，其中所述第二电极层中的第三电极走线通过两个第二通孔连接至所述第一电极走线和所述第二有源层的源极，形成桥接结构。

进一步地，在所述第一有源层的上表面制备出第一功能结构层的步骤中，在所述第一有源层的上表面制备出第一栅极绝缘层；在所述第一栅极绝缘层的上表面制备出第一栅极层，所述第一栅极层与所述第一有源层相对设置；在所述第一栅极绝缘层以及所述第一栅极层的上表面制备出第二栅极绝缘层；在所述第二栅极绝缘层的上表面制备出第二栅极层，所述第二栅极层与所述第一栅极层相对设置；以及在所述第二栅极绝缘层以及所述第二栅极层的上表面制备出第一介电绝缘层。

进一步地，在所述第一功能结构层的上表面以及所述第一通孔内制备出第一电极层以及第二有源层的步骤中，在所述第一功能结构层的上表面以及所述第一通孔内涂布一层半导体氧化物材料，对所述第一通孔内的半导体氧化物材料进行导体化处理，形成第一电极层和第二有源层；所述第一电极层还包括第二电极走线；所述第二电极走线贯穿所述第一功能结构层并连接至所述第一有源层的源极。

进一步地，在所述第二功能结构层的上表面以及所述第二通孔内制备出第二电极层的步骤中，对所述第二通孔底部的第一电极层进行导体化处理；在所述第二功能结构层的上表面以及所述第二通孔内制备出第二电极层，所述第二电极层还具有第四电极走线、第五电极走线和第六电极走线；所述第四电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第二电极走线，所述第二电极走线和所述第四电极走线形成所述第一有源层的源极走线；所述第五电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第一电极走线，所述第一电极走线与所述第五电极走线形成第一有源层的漏极走线；所述第六电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第二有源层的漏极。

进一步地，所述第二功能结构层的步骤中，在所述第一介电绝缘层、所述第一电极层以及所述第二有源层的上表面制备出第三栅极绝缘层；在所述第三栅极绝缘层的上表面制备出第三栅极层，所述第三栅极层与所述第二有源层相对设置；在所述第三栅极绝缘层以及所述第三栅极层的上表面制备出第二介电绝缘层。

本发明的技术效果在于，借用第一电极层将第一有源层的电信号导通至第二有源层所在膜层，使得第一有源层与第二有源层的电信号同层设置，使得第二电极层跨线连接时无需下挖深孔，保证电信号导通的同时，降低深孔工艺难度，同时，减小通孔的下挖深度可以有效提到挖孔密度，进一步提高显示面板的像素密度。

附图说明

图1为本发明实施例所述基板的示意图；

图2为本发明实施例所述显示面板制备出第一通孔后的示意图；

图3为本发明实施例所述显示面板制备出第二通孔后的示意图；

图4为本发明实施例所述显示面板制备出第一电极层和第二有源层后的示意图；

图5为本发明实施例所述显示面板的结构示意图；

图6为本发明实施例所述显示面板的制备方法的流程图。

部分组件标识如下：

1、基板；2、第一有源层；3、第二有源层；4、第一功能结构层；5、栅极层；6、第一电极层；7、第二功能结构层；8、第二电极层；9、钝化层；10、平坦层；11、阳极层；12、像素定义层；13、发光层；14、隔垫物；

110、第一柔性基层；120、阻隔层；130、第二柔性基层；140、缓冲层；

21、半导体部；22、导体部；

41、第一栅极绝缘层；42、第二栅极绝缘层；43、第一介电绝缘层；

51、第一栅极层；52、第二栅极层；

61、第一电极走线；62、第二电极走线；

71、第三栅极绝缘层；72；第二介电绝缘层；70、第三栅极层；

81、第三电极走线；82、第四电极走线；83、第五电极走线；84、第六电极走线；

100、第一通孔；200、第二通孔。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。

具体的，请参阅图1至图5，本发明实施例提供一种显示面板，包括基板1、第一有源层2、第二有源层3、第一功能结构层4、栅极层5、第一电极层6、第二功能结构层7、第三栅极层70、第二电极层8、钝化层9、平坦层10、阳极层11、像素定义层12、发光层13以及隔垫物14。

如图1所示，基板1为柔性基板，包括层叠设置的第一柔性基层110、阻隔层120、第二柔性基板130和缓冲层140，第一柔性基层110和第二柔性基板130的材质为聚酰亚胺材料，阻隔层120和缓冲层140的材质均为无机材料，基板1起到衬底作用，具有良好的缓冲性能。

第一有源层2设于缓冲层140的上表面，第一有源层2的材质为半导体材料，第一有源层2包括半导体部21和导体部22，导体部22环绕半导体部21设置，导体部22为导体化后的有源层，具有良好的导电性能。

第一功能结构层4设于第一有源层2的上表面，第一功能结构层4包括第一栅极绝缘层41、第二栅极绝缘层42以及第一介电绝缘层43，具有良好的绝缘性。

栅极层5设于第一功能结构层4内，栅极层5包括第一栅极层51和第二栅极层52，可作为薄膜晶体管的扫描线等信号线。

具体地，第一栅极绝缘层41设于第一有源层2的上表面，第一栅极层51设于第一栅极绝缘层41的上表面，且与第一有源层2的半导体部21相对设置。第二栅极绝缘层42设于第一栅极层51以及第一栅极绝缘层41的上表面，第二栅极层51设于第二栅极绝缘层42的上表面，且设于第一栅极层41的上方。第一介电绝缘层43设于第二栅极层52和第二栅极绝缘层42的上表面。

第一通孔100贯穿第一功能结构层4，与第一有源层2的导体部22相对设置，第一通孔100将部分导体部22裸露出来，为后续第一电极层6与第一有源层2的电连接提供通道(参见图2)。

第一电极层6设于第一功能结构层4的上表面，具体地，设于第一介电绝缘层43的上表面，且延伸至第一通孔100内。第一电极层6的材质为半导体材料，例如半导体氧化物材料，在本实施例中，优选为氧化铟镓锌材料，氧化铟镓锌材料的电阻为500～1500Ω，只有一般聚乙烯材料的三分之一，可作为有源层的优选材料。第一通孔100内的第一电极层6为导体化处理后的导电层，具有较小的借出电阻。

第一电极层6包括第一电极走线61和第二电极走线62，第一电极走线61贯穿第一功能结构层4并连接至第一有源层2的漏极，第二电极62走线贯穿第一功能结构层4并连接至第一有源层2的源极。

第二有源层3设于第一功能结构层4的上表面，且其在基板1上的正投影与第一有源层2在基板1上的正投影互不重合，具体地，位于第一介电绝缘层43的上表面，与第一电极层6位于同一表面，且其材料与第一电极层6的材料相同。

第二功能结构层7设于第二有源层3、第一电极层6以及第一功能结构层4的上表面，起到绝缘作用，第二功能结构层7包括第三栅极绝缘层71和第二介电绝缘层72。第三栅极层70设于第三栅极绝缘层71的上表面，且与第二有源层3相对设置。

第二通孔200贯穿第二功能结构层7，与第一电极层6和第二有源层3相对设置，用以为后续第二电极层8与第一电极层6和第二有源层3的电连接提供通道(参见图3)。

第二电极层8设于第二功能结构层7的上表面，且延伸至第二通孔200内，至少一第二电极层8通过第二通孔200内的第二电极层跨线连接第一电极层6和第二有源层3(参见图4)。

第二电极层8包括第三电极走线81、第四电极走线82、第五电极走线83和第六电极走线81。

第三电极走线81贯穿第二功能结构层7并分别连接至第一电极走线61和第二有源层3的源极，形成桥接结构。

第四电极走线82贯穿第二功能结构层7并连接至第二电极走线62，第二电极走线62和第四电极走线82形成第一有源层2的源极走线。

第五电极走线83贯穿第二功能结构层7并连接至第一电极走线61，第一电极走线61与第五电极走线83形成第一有源层2的漏极走线。

第六电极走线84贯穿第二功能结构层7并连接至第二有源层3的漏极。

钝化层9设于第二电极层8和第二功能结构层7的上表面，具有良好的隔绝外界水氧的技术效果。

平坦层10设于钝化层9的上表面，起到平滑表面的作用，便于后续膜层的沉积制备。

阳极层11设于平坦层10的上表面，且贯穿平坦层10以及钝化层9，电连接至一第二电极层8，通过薄膜晶体管驱动阳极层9上方的发光层13发光。

像素定义层12设于阳极层11以及平坦层10的上表面，像素定义层12上开设的通孔内放置发光层13，所述通孔用以定义发光区的大小。

隔垫物14设于像素定义层12的上表面，具有良好的支撑作用。

本实施例所述显示面板为低温多晶硅氧化物(LTPO，Low TemperaturePolycrystalline-Si Oxide)显示面板，结合了LTPS和Oxide显示面板的优点，在本实施例中Oxide优选为铟镓锌氧化物(IGZO)，具有良好的响度速度和更低的功耗。

如图5所示，本实施例所述显示面板包括LTPS薄膜晶体管010和IGZO薄膜晶体管020，第一有源层2属于LTPS薄膜晶体管010，第二有源层3属于IGZO薄膜晶体管020，第一电极层6与第一有源层2的材质相同，又与第一有源层2电连接，相当于将第一有源层2设于第一电极层6所在位置，即与第二有源层3位于同一膜层，此时，第三电极走线81跨线连接第一电极层6和第二有源层3，相当于将第一有源层2与第二有源层3电连接，因为第一有源层2被第一电极层6导通至与第二有源层3同一膜层，所以导通处的第二电极层8的第二通孔200的深度相同，无需另外挖一深孔进行连接。

本实施例所述显示面板的技术效果在于，借用第一电极层6将第一有源层2的电信号导通至第二有源层3所在膜层，使得第一有源层2与第二有源层3的电信号同层设置，使得第二电极层8跨线连接时无需下挖深孔，保证电信号导通的同时，降低深孔工艺难度，同时，减小通孔的下挖深度可以有效提到挖孔密度，进一步提高显示面板的像素密度。

如图6所示，本实施例还提供一种显示面板的制备方法，包括步骤S1～S8。

S1提供一基板1，所述基板1为柔性基板，基板1为柔性基板，包括层叠设置的第一柔性基层110、阻隔层120、第二柔性基板130和缓冲层140，第一柔性基层110和第二柔性基板130的材质为聚酰亚胺材料，阻隔层120和缓冲层140的材质均为无机材料，基板1起到衬底作用，具有良好的缓冲性能(参见图1)。

S2在基板1的上表面制备出第一有源层2，第一有源层2设于缓冲层140的上表面，第一有源层2的材质为半导体材料，第一有源层2包括半导体部21和导体部22，导体部22环绕半导体部21设置，导体部22为导体化后的有源层，具有良好的导电性能。

S3在第一有源层2的上表面制备出第一功能结构层4和栅极层5，具体地，依次制备出第一栅极绝缘层41、第一栅极层51、第二栅极绝缘层42、第二栅极层52以及第一介电绝缘层43。

在第一有源层2的上表面制备出第一栅极绝缘层41；在第一栅极绝缘层41的上表面制备出第一栅极层51，第一栅极层51与第一有源层2相对设置；在第一栅极绝缘层41以及第一栅极层51的上表面制备出第二栅极绝缘层42；在第二栅极绝缘层42的上表面制备出第二栅极层52，第二栅极层52与第一栅极层51相对设置；在第二栅极绝缘层42以及第二栅极层52的上表面制备出第一介电绝缘层43。

S4在第一功能结构层4上进行开孔处理，制备出第一通孔100，第一通孔100贯穿第一功能结构层4，与第一有源层2的导体部22相对设置，第一通孔100将部分导体部22裸露出来，为后续第一电极层6与第一有源层2的电连接提供通道(参见图2)。

S5在第一功能结构层4和第一通孔100内沉积一层半导体材料，制备出第一电极层6，具体地，第一电极层6设于第一介电绝缘层43的上表面，且延伸至第一通孔100内。所述半导体材料为半导体氧化物材料，在本实施例中，优选为氧化铟镓锌材料，氧化铟镓锌材料的电阻为500～1500Ω，只有一般聚乙烯材料的三分之一，可作为有源层的优选材料。第一通孔100内的第一电极层6为导体化处理后的导电层，具有较小的借出电阻。

第一电极层6包括第一电极走线61和第二电极走线62，第一电极走线61贯穿第一功能结构层4并连接至第一有源层2的漏极，第二电极62走线贯穿第一功能结构层4并连接至第一有源层2的源极。

第二有源层3设于第一功能结构层4的上表面，且其在基板1上的正投影与第一有源层2在基板1上的正投影互不重合，具体地，位于第一介电绝缘层43的上表面，与第一电极层6位于同一表面，且其材料与第一电极层6的材料相同。

S6在第一电极层6以及第二有源层3的上表面制备出第二功能结构层7，第二功能结构层7设于第二有源层3、第一电极层6以及第一功能结构层4的上表面，起到绝缘作用，第二功能结构层7包括第三栅极绝缘层71和第二介电绝缘层72。

具体地，在第一介电绝缘层43、第一电极层6以及第二有源层3的上表面制备出第三栅极绝缘层71；在第三栅极绝缘层71的上表面制备出第三栅极层70，第三栅极层70与第二有源层3相对设置；在第三栅极绝缘层71以及第三栅极层70的上表面制备出第二介电绝缘层72。

S7在第二功能结构层7上进行开孔处理，形成第二通孔200，第二通孔200贯穿第二功能结构层7，与第一电极层6和第二有源层3相对设置，用以为后续第二电极层8与第一电极层6和第二有源层3的电连接提供通道(参见图3)。

S8在第二功能结构层7和第二通孔200内制备出第二电极层8，具体地，第二电极层8设于第二功能结构层7的上表面，且延伸至第二通孔200内，至少一第二电极层8通过第二通孔200内的第二电极层跨线连接第一电极层6和第二有源层3(参见图4)。

第二电极层8包括第三电极走线81、第四电极走线82、第五电极走线83和第六电极走线81。

第三电极走线81贯穿第二功能结构层7并分别连接至第一电极走线61和第二有源层3的源极，形成桥接结构。

第四电极走线82贯穿第二功能结构层7并连接至第二电极走线62，第二电极走线62和第四电极走线82形成第一有源层2的源极走线。

第五电极走线83贯穿第二功能结构层7并连接至第一电极走线61，第一电极走线61与第五电极走线83形成第一有源层2的漏极走线。

第六电极走线84贯穿第二功能结构层7并连接至第二有源层3的漏极。

本实施例所述显示面板的制备方法中还包括钝化层制备步骤、平坦层制备步骤、阳极层制备步骤、像素定义层制备步骤、发光层制备步骤以及隔垫物设置步骤等。

钝化层9设于第二电极层8和第二功能结构层7的上表面，具有良好的隔绝外界水氧的技术效果。

平坦层10设于钝化层9的上表面，起到平滑表面的作用，便于后续膜层的沉积制备。

阳极层11设于平坦层10的上表面，且贯穿平坦层10以及钝化层9，电连接至一第二电极层8，通过薄膜晶体管驱动阳极层9上方的发光层13发光。

像素定义层12设于阳极层11以及平坦层10的上表面，像素定义层12上开设的通孔内放置发光层13，所述通孔用以定义发光区的大小。

隔垫物14设于像素定义层12的上表面，具有良好的支撑作用。

本实施例制备所得的显示面板为低温多晶硅氧化物(LTPO，Low TemperaturePolycrystalline-Si Oxide)显示面板，结合了LTPS和Oxide显示面板的优点，在本实施例中Oxide优选为铟镓锌氧化物(IGZO)，具有良好的响度速度和更低的功耗。

本实施例所述显示面板的制备方法的技术效果在于，借用第一电极层6将第一有源层2的电信号导通至第二有源层3所在膜层，使得第一有源层2与第二有源层3的电信号同层设置，使得第二电极层8跨线连接时无需下挖深孔，保证电信号导通的同时，降低深孔工艺难度，同时，减小通孔的下挖深度可以有效提到挖孔密度，进一步提高显示面板的像素密度。

本实施例还可提供一种显示装置，包括如前文所述显示面板，还包括背光模组等装置，同时也能实现降低深孔工艺难度，同时，减小通孔的下挖深度可以有效提到挖孔密度，进一步提高显示面板的像素密度的技术效果。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板；

第一有源层，设于所述基板一侧的表面；

第一功能结构层，设于所述第一有源层远离所述基板一侧的表面；

第二有源层，设于所述第一功能结构层远离所述基板一侧的表面，且所述第二有源层在所述基板上的正投影与所述第一有源层在所述基板上的正投影互不重合；

第一电极层，设于所述第一功能结构层远离所述基板一侧的表面，所述第一电极层具有第一电极走线，所述第一电极走线贯穿所述第一功能结构层并连接至所述第一有源层的漏极；

第二功能结构层，覆盖所述第一电极层和所述第二有源层；以及

第二电极层，设于所述第二功能结构层远离所述基板一侧的表面，所述第二电极层具有第三电极走线；所述第三电极走线贯穿所述第二功能结构层并分别连接至所述第一电极走线和所述第二有源层的源极，形成桥接结构。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一电极层还具有第二电极走线；

所述第二电极走线贯穿所述第一功能结构层并连接至所述第一有源层的源极。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述第二电极层还具有第四电极走线、第五电极走线和第六电极走线；

所述第四电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第二电极走线，所述第二电极走线和所述第四电极走线形成所述第一有源层的源极走线；

所述第五电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第一电极走线，所述第一电极走线与所述第五电极走线形成所述第一有源层的漏极走线；

所述第六电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第二有源层的漏极。

4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一功能结构层包括

第一栅极绝缘层，设于所述基板上且覆盖所述第一有源层；

第二栅极绝缘层，设于所述第一栅极绝缘层上；

第一介电绝缘层，设于所述第二栅极绝缘层上；

所述显示面板还包括

第一栅极层，设于所述第一栅极绝缘层上且对应于所述第一有源层；

第二栅极层；设于所述第二栅极绝缘层上且对应于所述第一有源层。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，

所述第二功能结构层包括

第三栅极绝缘层，设于所述第一介电绝缘层上；

第二介电绝缘层，设于所述第三栅极绝缘层上；

所述显示面板还包括

第三栅极层，设于所述第三栅极绝缘层，所述第二介电绝缘层覆盖所述第三栅极层。

6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板的上表面制备出第一有源层；

在所述第一有源层的上表面制备出第一功能结构层；

形成贯穿所述第一功能结构层并连通至所述第一有源层源极和漏极的第一通孔；

形成第一电极层和所述第二有源层于所述第一功能结构层上，其中所述第一电极层中的第一电极走线从所述第一通孔延伸至所述第一有源层的漏极上；

形成所述第二功能结构层于所述第一功能结构层上且覆盖所述第一电极层和所述第二有源层；

形成贯穿所述第二功能结构层的第二通孔，其中一个第二通孔连通于所述第一电极走线上，另一个第二通孔连通于所述第二有源层上的源极；以及

形成第二电极层于所述第二功能结构层的上表面，其中所述第二电极层中的第三电极走线通过两个第二通孔连接至所述第一电极走线和所述第二有源层的源极，形成桥接结构。

7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述第一有源层的上表面制备出第一功能结构层的步骤中，

在所述第一有源层的上表面制备出第一栅极绝缘层；

在所述第一栅极绝缘层的上表面制备出第一栅极层，所述第一栅极层与所述第一有源层相对设置；

在所述第一栅极绝缘层以及所述第一栅极层的上表面制备出第二栅极绝缘层；

在所述第二栅极绝缘层的上表面制备出第二栅极层，所述第二栅极层与所述第一栅极层相对设置；以及

在所述第二栅极绝缘层以及所述第二栅极层的上表面制备出第一介电绝缘层。

8.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述第一功能结构层的上表面以及所述第一通孔内制备出第一电极层以及第二有源层的步骤中，

在所述第一功能结构层的上表面以及所述第一通孔内涂布一层半导体氧化物材料，对所述第一通孔内的半导体氧化物材料进行导体化处理，形成第一电极层和第二有源层；

所述第一电极层还包括第二电极走线；所述第二电极走线贯穿所述第一功能结构层并连接至所述第一有源层的源极。

9.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述第二功能结构层的上表面以及所述第二通孔内制备出第二电极层的步骤中，

对所述第二通孔底部的第一电极层进行导体化处理；

在所述第二功能结构层的上表面以及所述第二通孔内制备出第二电极层，所述第二电极层还具有第四电极走线、第五电极走线和第六电极走线；

所述第四电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第二电极走线，所述第二电极走线和所述第四电极走线形成所述第一有源层的源极走线；

所述第五电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第一电极走线，所述第一电极走线与所述第五电极走线形成第一有源层的漏极走线；

所述第六电极走线贯穿所述第二功能结构层并连接至所述第二有源层的漏极。

10.如权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，形成所述第二功能结构层的步骤中，

在所述第一介电绝缘层、所述第一电极层以及所述第二有源层的上表面制备出第三栅极绝缘层；

在所述第三栅极绝缘层的上表面制备出第三栅极层，所述第三栅极层与所述第二有源层相对设置；

在所述第三栅极绝缘层以及所述第三栅极层的上表面制备出第二介电绝缘层。

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