CN110767827A - 显示面板、复合屏、显示终端和复合屏的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示器件技术领域，特别是涉及一种显示面板、复合屏、显示终端和复合屏的制备方法。本申请的实施例中提供了一种显示面板，可包括阴极；阴极隔离柱，其用于将相邻的两个所述阴极隔离开；其中，在所述显示面板的纵截面图中，所述阴极隔离柱的侧壁具有非平坦部，所述非平坦部位于所述阴极的上方通过在阴极隔离柱的侧壁表面形成非平坦部，能够进一步的改善阴极隔离柱隔离阴极的效果，提升显示屏及显示终端的显示性能。

Description

显示面板、复合屏、显示终端和复合屏的制备方法

技术领域

本发明涉及显示器件技术领域，特别是涉及一种显示面板、复合屏、显示终端和复合屏的制备方法。

背景技术

随着电子设备的快速发展，用户对屏占比的要求越来越高，使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。

对于传统的电子设备如手机、平板电脑等，由于需要集成诸如前置摄像头、听筒和红外感应元件等的器件，所以需要在显示屏上开槽(notch)或在显示屏上开孔，以在开槽区域或开孔区域设置这些器件。但是，开槽区域或开孔区域均不用于显示画面。

因此，这些电子设备均不是真正意义上的全面屏，并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示，如在摄像头区域不能显示画面。同时，PMOLED显示屏中的阴极隔离柱的隔断效果较差。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题提供了一种显示面板、复合屏、显示终端和复合屏的制备方法，来有效改善显示屏中阴极隔离柱的阴极隔断效果，提升显示屏及显示终端的显示性能。

在一个可选的实施例中，一种显示面板可包括：

阴极；

阴极隔离柱，其用于将相邻的两个所述阴极隔离开；

其中，在所述显示面板的纵截面图中，所述阴极隔离柱的侧壁具有非平坦部，所述非平坦部位于所述阴极的上方。

在一个可选的实施例中，所述非平坦部的数量为至少一个。

在一个可选的实施例中，所述非平坦部为凹陷或凸起。

在一个可选的实施例中，当所述非平坦部为所述凹陷时，所述凹陷的深度为1.5μm～2.5μm，所述凹陷的开口口径为

所述刻蚀阻挡层的厚度为

在一个可选的实施例中，所述阴极隔离柱为复合膜层结构。

在一个可选的实施例中，所述复合膜层结构包括依次层叠的刻蚀阻挡层、无机层和有机胶层；其中，所述无机层与所述刻蚀阻挡层之间的选择刻蚀比大于1；

在一个可选的实施例中，所述复合膜层结构包括依次层叠的第一氮化硅层、氧化硅层、第二氮化硅层和光敏聚酰亚胺层。

在一个可选的实施例中，所述复合膜层结构包括依次层叠的第一膜层和第二膜层；其中，所述第二膜层覆盖并凸出于所述第一膜层的上表面，以使得所述第一膜层的侧面和所述第二膜层的侧面交错形成所述阶梯状结构。

在一个可选的实施例中，所述第一膜层和所述第二膜层的材质均为负性光刻胶。

在一个可选的实施例中，所述显示面板为PMOLED显示面板。

在一个可选的实施例中，一种复合屏可包括一体化的主屏体和副屏体，所述副屏体为PM屏体或类AM屏体，所述主屏体为AM屏体；

其中，所述副屏体为PM屏体时，该副屏体包括如上述任意一项所述的显示面板。

在一个可选的实施例中，所述类AM屏的像素电路仅包含一个开关元件

在一个可选的实施例中，一种显示终端可包括：

设备本体，具有器件区；

如上述的复合屏，覆盖在所述设备本体上；

其中，所述器件区位于所述副屏体的下方，且所述器件区中设置有透过所述副屏体进行光线采集的感光器件。

在一个可选的实施例中，所述器件区为开槽区；以及

所述感光器件包括摄像头和/或光线感应器。

在一个可选的实施例中，一种复合屏的制备方法可包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有AM显示区和PM显示区；

于所述AM显示区中制备AM阳极层，于所述PM显示区中制备像素定义层；其中，在所述像素定义层中制备有贯穿该像素定义层的PM发光层；

制备依次叠置的刻蚀阻挡薄膜、无机薄膜和有机胶薄膜，所述刻蚀阻挡薄膜覆盖所述AM阳极层的上表面、所述像素定义层的上表面和所述PM发光层的上表面；

图形化所述有机胶薄膜形成有机胶层；

以所述有机胶层为掩膜，湿法刻蚀所述无机薄膜形成无机层；

刻蚀去除部分所述刻蚀阻挡薄膜，形成刻蚀阻挡层；以及

继续制备阴极层；

其中，在远离所述像素定义层的上表面方向上，依次叠置的所述刻蚀阻挡层、所述无机层和所述有机胶层形成倒梯形的阴极隔离柱；以及

所述阴极隔离柱的侧面形成有非平坦部，所述非平坦部用于将位于相邻所述发光层之上的阴极层隔断为相互隔离的阴极。

在一个可选的实施例中，所述非平坦部为凹槽。

在一个可选的实施例中，湿法刻蚀所述无机薄膜形成无机层时，所述刻蚀阻挡层与所述无机薄膜之间的刻蚀选择比大于1。

附图说明

图1是一个可选的实施例中显示面板的结构示意图；

图2是一个可选的实施例中侧壁设置有凹槽的阴极隔离柱的结构示意图；

图3是一个可选的实施例中侧壁设置有鸟嘴形凹槽的阴极隔离柱的结构示意图；

图4是一个可选的实施例中侧壁设置有阶梯的阴极隔离柱的结构示意图；

图5是一个可选的实施例中显示终端的结构示意图；

图6是图5中所示设备本体的结构示意图；

图7是图5中所示复合屏的结构示意图；

图8为一实施例中的类AM屏体的剖视图；

图9是一个可选的实施例中复合屏的制备方法的流程示意图；

图10a～10d是一个可选的实施例中制备具有侧壁凹槽的阴极隔离柱的流程结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

在描述位置关系时，除非另有规定，否则当一元件例如层、膜或基板被指为在另一膜层“上”时，其能直接在其他膜层上或亦可存在中间膜层。进一步说，当层被指为在另一层“下”时，其可直接在下方，亦可存在一或多个中间层。亦可以理解的是，当层被指为在两层“之间”时，其可为两层之间的唯一层，或亦可存在一或多个中间层。

在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下，除非使用了明确的限定用语，例如“仅”、“由……组成”等，否则还可以添加另一部件。除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式，并不能理解为其数量为一个。

应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件和另一个元件区分开。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

还应当理解的是，在解释元件时，尽管没有明确描述，但元件解释为包括误差范围，该误差范围应当由本领域技术人员所确定的特定值可接受的偏差范围内。例如，“大约”、“近似”或“基本上”可以意味着一个或多个标准偏差内，在此不作限定。

此外，在说明书中，短语“平面示意图”是指当从上方观察目标部分时的附图，短语“截面示意图”是指从侧面观察通过竖直地切割目标部分截取的剖面时的附图。

此外，附图并不是1：1的比例绘制，并且各元件的相对尺寸在附图中仅以示例地绘制，而不一定按照真实比例绘制。

正如背景技术所述，传统的电子设备如手机、平板电脑等，由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等，故而可通过在显示屏上开槽 (Notch)，在开槽区域设置摄像头、听筒以及红外感应元件等。但开槽区域并不用来显示画面，如现有技术中的刘海屏，或者采用在屏幕上开孔的方式，对于实现摄像功能的电子设备来说，外界光线可通过屏幕上的开孔处进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏，并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示，如在摄像头区域不能显示画面。

针对上述问题，技术人员研发了一种显示屏，其通过在在开槽区域设置透明显示面板的方式来实现电子设备的全面屏显示。根据驱动方式的不同，OLED 可以分为PMOLED(Passive Matrix OLED，被动式驱动有机发光二极管)和 AMOLED(Active Matrix OLED，主动式驱动有机发光二极管)两种。以PMOLED 为例，PMOLED显示阵列的同一行显示单元的同一性质电极是共用的，并且同一列显示单元同一性质电极也是共用的。具体而言，PMOLED显示面板是以阴极、阳极构成矩阵，以扫描方式点亮阵列中的像素，每个像素都是操作在短脉冲模式下，为瞬间高亮度发光。研究发现，由于PMOLED显示面板无TFT背板和金属走线，使得光线透过率高，而可以被应用于前述的透明显示面板。

通常，PMOLED显示面板需要通过光刻工艺形成位于相邻两行、列之间的隔离挡墙，以避免相邻的两行、列的阴极之间短路。发明人研究发现，溅射形成阴极层的过程中，由金属原子的移动方向不定，使隔离挡墙的侧壁上也会形成阴极层，而且形成的阴极层与隔离挡墙的侧壁的粘附性比较好不易脱落，从而使隔离挡墙上阴极层与发光层上的阴极层连接为一体，进而导致相邻的行、列的阴极发生短路。同时，在蒸镀形成其他结构膜层时，由于考虑到蒸镀的阴影效应，隔离挡墙的高度需与用于支撑掩膜板的支撑层(SPC)的高度相同(例如，1.6微米)。现有设计中隔离挡墙通常采用光刻技术形成，而受限于隔离墙高度、材料及设备，例如现有设计中的倒梯形的隔离挡墙的侧壁倾斜角度无法做到较小，进一步加大了阴极阻断的难度，不利于实现全面屏正常显示。

由于显示器件越来越薄，针对被动矩阵有机发光二极管(passive matrixorganic light emitting diode，PMOLED)显示屏而言，会限制阴极隔离柱的高度，进而会使得阴极隔离柱隔不断阴极，造成相邻阴极短路的缺陷。当采用复合屏时，例如采用主动矩阵有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode) 屏体(以下简称AM屏体)和PMOLED屏体(以下简称PM屏体)一体化设计的复合屏，为了利于后续AM屏体工艺的进行，会进一步的限制PM屏体中阴极隔离柱的高度。

另外，一体化复合屏中可采用氧化铟锡(indium tin oxide，以下简称ITO) 来代替Mg/Ag作为PM屏的阴极，阴极隔离柱的材质可为有机胶，在采用物理气相沉积(physicalvapor deposition，以下简称PVD)制备ITO薄膜时，由于ITO 在有机胶上具有较好的台阶覆盖性，会使得阴极隔离柱的侧壁也会附着有ITO 薄膜，而该附着在侧壁的ITO薄膜会与邻近的阴极相邻，从而会使得相邻的阴极之间通过附着在阴极隔离柱侧壁的ITO薄膜，以及覆盖在阴极隔离柱上表面的ITO薄膜形成连续的金属膜层，进而会出现阴极短路的缺陷，即目前的阴极隔离柱的隔断阴极的效果不佳，会增大PM屏体中相邻阴极连接的风险。

为了解决上述的问题，本申请的实施例中创造性的提出，通过在阴极隔离柱的侧壁上形成诸如凹槽、凸起等非平坦部，以利用该非平坦部来进一步提升阴极隔离柱隔断阴极的效果，同时还可保持阴极隔离柱的高度不变或更小，使得所制备的显示屏具有更好的显示性能及更薄的厚度。

图1是一个可选的实施例中显示面板的结构示意图。如图1所示，显示面板可包括衬底10、阳极层11、像素定义层12、发光层13、阴极隔离柱15和阴极层16等部件。衬底10可为复合膜层结构，例如该衬底10可包括依次叠置的玻璃基板、PI层、缓冲层(BL)等，而发光层13则为PMOLED发光层。上述的阳极层11设置在衬底10之上，像素定义层12覆盖衬底10的暴露出的表面以及阳极层11的部分上表面，发光层13则可贯穿该像素定义层12并覆盖阳极层11的暴露出的表面，阴极隔离柱15则可临近发光层13设置在像素定义层12 的上表面，而阴极层16则可形成在发光层13之上。应当理解，在形成阴极层 16时，阴极隔离柱15上也会不可避免的形成材料与阴极层16的材料相同的层 161。

如图1所示，上述的阴极隔离柱15的侧面形成有非平坦部151，该非平坦部151可为例如图1中所示的凹陷也可为4中所示的凸起，只要该阴极隔离柱 15能够用于将位于相邻发光层13之上的阴极层16隔断为相互隔离的阴极层16 即可。换言之，在制备形成阴极层16时，上述的阴极隔离柱15将阴极层16隔断成若干个相互隔离的区域，进而有效避免阴极层16之间出现连续的膜层而造成短路，以提升显示面板的显示性能。

图2是一个可选的实施例中侧壁设置有凹槽的阴极隔离柱的结构示意图。在一个可选的实施例中，如图1～2所示，为了进一步提升阴极隔离柱隔断阴极层16的效果，可根据实际工艺需求在上述的阴极隔离柱15的侧壁上形成诸如弧形凹槽24、梯形凸起、或鸟嘴形凹槽等各种形状的非平坦部151。

在一个可选的实施例中，上述的阴极隔离柱15可为单层膜层结构或复合膜层结构，具体可根据实际需求而设定。下面就以具有复核膜层结构的阴极隔离柱15进行详细说明。

如图2所示，阴极隔离柱可包括刻蚀阻挡层21、无机层22和有机胶层23，且该刻蚀阻挡层21、无机层22和有机胶层23在沿远离上述像素定义层12的上表面的方向依次叠置，同时上述的无机层22与刻蚀阻挡层21之间的选择刻蚀比大于1，比如可以为3、5或10等，以使得通过刻蚀工艺(如湿法刻蚀)在无机层22的侧壁形成弧形凹槽24；同时，刻蚀阻挡层21还能够对于所覆盖的膜层(例如阳极)起到刻蚀阻挡保护作用，避免因过刻蚀而对位于刻蚀阻挡层21 所覆盖的膜层造成损伤。

在一个可选的实施例中，如图2所示，上述的阴极层16的材质均可为ITO，而图2中所示的弧形凹槽24的深度可为1.5μm～2.5μm(如1.5μm、1.75μm、 2.0μm、2.25μm或2.5μm等)，该凹槽24的开口在垂直于上述像素定义层12 的上表面的方向上的高度可为(如

或等)，而刻蚀阻挡层21的厚度则可对应为(如

或

等)，以使得由刻蚀阻挡层21、无机层22和有机胶层23 所构成的阴极隔离柱高度不变的情况下，凹槽24能够有效隔断后续制备的阴极层，避免相邻的阴极层出现短接的缺陷。

图3是一个可选的实施例中侧壁设置有鸟嘴形凹槽的阴极隔离柱的结构示意图。如图3所示，上述的阴极隔离柱还可由第一氮化硅层31、氧化硅层32、第二氮化硅层33和光敏聚酰亚胺层34构成，即在沿远离上述像素定义层12的上表面的方向上，上述的第一氮化硅层31、氧化硅层32、第二氮化硅层33和光敏聚酰亚胺层34依次叠置而构成如图3所示的隔离结构；同时，通过在刻蚀氧化硅层32时，利用氮化硅与氧化硅之间所存在的刻蚀速率差异，在第二氮化硅层33的侧壁相对于光敏聚酰亚胺层34形成凹陷区，并基于尖端效应在上述凹陷区域与光敏聚酰亚胺层34接触的区域形成延伸至该光敏聚酰亚胺层34内的凹陷，从而与第二氮化硅层33刻蚀形成结构一起构成形成如图3所示的鸟嘴凹槽35，以提升阴极隔离柱隔断后续制备的阴极层的效果。

图4是一个可选的实施例中侧壁设置有阶梯的阴极隔离柱的结构示意图。如图4所示，阴极隔离柱还可由第一膜层41和第二膜层42构成，即第一膜层 41覆盖在像素定义层12的上表面，第二膜层42覆盖并凸出于第一膜层41的上表面，以使得第一膜层41的侧面和第二膜层的侧面42交错形成图4所示的阶梯43，以利用该阶梯来提升阴极隔离柱隔断后续制备的阴极层的效果。其中，上述的第一膜层41和第二膜层42的材质可相同或相异，当第一膜层41和第二膜层42的材质相同时，例如该第一膜层41和第二膜层42的材质均为负性光刻胶，能够有效降低工艺难度及成本。

图5是一个可选的实施例中显示终端的结构示意图，图6是图5中所示设备本体的结构示意图，图7是图5中所示复合屏的结构示意图。

本申请还提供了一种复合屏，该复合屏为图7所示的复合屏54，如图7所示，该复合屏54可包括一体化的主屏体542和副屏体544，主屏体542可为AM 屏体，而副屏体544可为PM屏体或类AM屏体，类AM屏是指其像素电路仅包含一个开关元件(即驱动TFT)，而无电容结构。类AMOLED显示面板的其他结构与AMOLED显示面板相同。且当副屏体544为PM屏体时，该副屏体 544中可设置有本申请中任一实施例所阐述的显示面板，即可通过诸如图1～4所对应的任一实施例所阐述的凹槽或阶梯等非平坦部，来进一步提升阴极层隔离柱隔断阴极层的效果，以提升复合屏的显示性能及效果。

在另一个可选的实施例中，如图5～7所示，本申请还提供了一种显示终端 50，可包括设备本体52和复合屏54，复合屏54覆盖在设备本体52上并相互连接，且该设备本体52上可开设有非器件区522和器件区524(如开槽区)，且在器件区524中可设置有诸如摄像头526及光线传感器等感光器件。继续参见图7 所示，上述的复合屏54可包括一体化的主屏体542和副屏体544，主屏体542 可为AM屏体，副屏体544可为PM屏体或类AM屏体。参见图5～7所示，当复合屏54贴合固定在设备本体52上时，副屏体544可作为开槽区对应上述的器件区524贴合在一起，以使得上述的诸如摄像头526及光线传感器等感光器件能够透过该副屏体544，对外部光线进行光线采集及感测等操作。其中，上述的副屏体544中可包括上述任意一个实施例所描述的显示面板，即通过在阴极隔离柱的侧壁形成诸如凹槽或阶梯等非平坦部，来有效提升阴极层隔断形成阴极的效果，避免相邻阴极出现短接而影响显示终端的显示性能及效果。

在一个可选的实施例中，参见图5～7，在一个可选的实施例中，上述的显示终端可为手机、个人电脑、智能手表、智能手环等具有显示屏的电子设备。另外，如图7所示，为了提升感光器件透过上述的副屏体544所采集光线的数量，可在感光器件工作时使得副屏体544处于非显示状态，以提升副屏体544的透光率，进而提升感光器件采集外部光线的性能。

图8为一实施例中的类AM屏体的剖视图。参见图8所示，该类AM屏体包括基板710以及设置于基板710上的像素电路720(也即TFT阵列)。像素电路720上设置有第一电极层。第一电极层包括多个第一电极730。第一电极730 与像素电路720一一对应。此处的第一电极730为阳极。类AM屏体还包括像素限定层740，设置于第一电极730上。像素限定层740上具有多个开口，开口内设置有发光结构层750，以形成多个子像素，子像素与第一电极730一一对应。发光结构层750的上方设置有第二电极770，第二电极770为阴极，该阴极为面电极，也就是由整面的电极材料形成的整面电极。像素电路740中设置有扫描线、数据线和TFT开关元件。扫描线和数据线均与TFT开关元件连接。扫描线控制TFT开关元件的开启和关闭，数据线在像素开启时，为第一电极730提供驱动电流，以控制子像素发光。

图9是一个可选的实施例中复合屏的制备方法的流程示意图，图10a～10d 是一个可选的实施例中制备具有侧壁凹槽的阴极隔离柱的流程结构示意图。如图9、10a～10d所示，在另一个可选的实施例中，针对目前具有一体化的AM屏体和PM屏体的复合屏，在采用诸如PVD制备ITO阴极时，由于ITO阴极层在阴极隔离柱(如有机胶)上具有较好的台阶覆盖性，同时复合屏中的AM屏体又限制了上述阴极隔离柱的高度(一般为2.5μm左右)，进而会造成该阴极隔离柱的阴极隔断效果不佳，本申请创造性的提供了一种复合屏的制备方法，可应用于制备上述任一实施例中所阐述的复合屏，该方法可包括：

步骤S01，提供一半导体衬底。

具体的，该半导体衬底上可具有AM显示区和PM显示区，且该半导体衬底的PM显示区中可包括玻璃衬底、PI层、BL层、SiN/SiO层、GI层、CI层、 ILD层、PLN层和PM阳极层等结构，具体可依次通过诸如双层PI工艺、三层膜工艺、P-Si图形化工艺、G1层/M1图形化工艺、CI层/M2图形化工艺、ILD/M3 图形化工艺、PLA层/PM阳极制备工艺等制备上述的半导体衬底。

步骤S02，在半导体衬底上制备AM阳极层和PM像素定义层。

具体的，于上述AM显示区中制备AM阳极层，于PM显示区中制备像素定义层(即PDL)；其中，在上述像素定义层中制备有贯穿该像素定义层的PM 发光层。

步骤S03，制备依次叠置的刻蚀阻挡薄膜、无机薄膜和有机胶薄膜。

具体的，可通过采用化学气相沉积(chemical vapor deposition，以下简称 CVD)制备刻蚀阻挡薄膜，然后制备

的ITO薄膜，并涂覆形成有机胶层。例如，如图10a所示，先在复合膜层的基底60上PM区中形成PM 阳极61、像素定影层62及贯穿该像素定义层62的发光层63，而在AM区中形成AM阳极(图中未示出)；然后，采用CVD工艺制备刻蚀阻挡薄膜64，该刻蚀阻挡薄膜64覆盖上述像素定义层62的上表面、发光层63的上表面以及AM 阳极的上表面，继续制备ITO薄膜65和涂覆光刻胶层66(即有机胶层)。其中，由于AM阳极的材质一般为结晶的ITO膜，上述的刻蚀阻挡薄膜64能够有效规避后续制备ITO薄膜65与AM阳极接触而结晶，从而便于后续去除位于AM阳极上的ITO薄膜65。

步骤S04，图形化有机胶薄膜形成有机胶层。

具体的，如图10b所示，可通过曝光、显影等工艺后，采用诸如灰化工艺去除多余的光刻胶，以形成具有阴极隔离柱图形的有机胶层661。

步骤S05，以有机胶层为掩膜，湿法刻蚀无机薄膜形成无机层。

具体的，如图10c所示，以上述的有机胶层661为掩膜，对ITO薄膜65进行湿法刻蚀，由于有机胶层661和刻蚀阻挡薄膜64对于上述的湿法刻蚀溶液均具有一定的抗腐蚀性(刻蚀阻挡层64与无机薄膜之间的刻蚀选择比大于1)，故而能够有效保护位于刻蚀阻挡层下方的诸如AM阳极、像素定义层62及发光层 63等不会受到该湿法刻蚀的影响，同时继续过刻蚀处理后，所形成的ITO层651 的侧壁上形成凹槽652，上述的刻蚀阻挡层也能在上述的过刻蚀处理中对AM阳极进行保护，避免因过刻蚀而造成厚度较薄(一般在20nm左右)损伤。其中，该凹槽652的切入深度可为1.5μm～2.5μm(如1.5μm、2.1μm或2.5μm等)，而凹槽的开口在ITO层651厚度方向上的宽度可在

(如

或

等)。

步骤S06，刻蚀去除部分刻蚀阻挡薄膜形成刻蚀阻挡层，以使依次叠置的刻蚀阻挡层、无机层和有机胶层形成阴极隔离柱，且该阴极隔离柱为侧面具有凹槽的倒梯形结构。

具体的，如图10d所示，刻蚀去除多余的刻蚀阻挡薄膜64，例如刻蚀去除位于AM阳极之上、发光层63之上以及部分位于像素定义层62之上的刻蚀阻挡薄膜64，即以上述有机胶层661和ITO层651为掩膜，去除其余部分的刻蚀阻挡薄膜，从而形成如图10d中所示的侧壁具有凹槽652的刻蚀阻挡层641。其中，上述的刻蚀阻挡层641、ITO层651和有机胶层661依次叠置，从而形成倒梯形的阴极隔离柱6，且该阴极隔离柱6的侧面可为具有25°～30°(如25°、 27°或30°等)的倾斜面。

步骤S07，在阴极隔离柱之上制备阴极层，以利用上述的凹槽将该阴极层隔断为相互隔离的PM阴极。能够有效降低PVD制备ITO薄膜时的覆盖性。

具体的，基于上述图10d中所形成的阴极隔离柱6继续后续的阴极层的沉积，由于凹槽652的存在，进而能够有效降低阴极层在阴极隔离柱6的表面上的覆盖特性，即该侧壁具有凹槽652的阴极隔离柱6能够有效的将上述的阴极层隔断为相互隔离的阴极结构。

在上述复合屏的制备方法的实施例中，通过利用无机层(即ITO)和有机胶等复合膜层所构成的阴极隔离柱，能够在阴极隔离柱的侧壁形成凹槽，从而有效提升后续阴极隔断的概率；同时，在阴极隔离柱的底层增加CVD刻蚀阻挡层，能够有效保护AM阳极在制备上述无机层的过程中免受损伤，同时也避免了制备无机层时因与结晶的AM阳极接触而出现的结晶缺陷，降低后续刻蚀去除多余无机层的工艺难度及成本。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，该显示面板包括：

阴极；

阴极隔离柱，其用于将相邻的两个所述阴极隔离开；

在所述显示面板的纵截面图中，所述阴极隔离柱的侧壁具有非平坦部，所述非平坦部位于所述阴极的上方。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述非平坦部的数量为至少一个。

3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述非平坦部为凹陷或凸起。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，当所述非平坦部为所述凹陷时，所述凹陷的深度为1.5μm～2.5μm，所述凹陷的开口尺寸为

5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴极隔离柱为复合膜层结构；

优选的，所述显示面板为PMOLED显示面板；

优选的，所述复合膜层结构包括依次层叠的刻蚀阻挡层、无机层和有机胶层；其中，所述无机层与所述刻蚀阻挡层之间的选择刻蚀比大于1；

优选的，所述刻蚀阻挡层的厚度为

优选的，所述复合膜层结构包括依次层叠的第一氮化硅层、氧化硅层、第二氮化硅层和光敏聚酰亚胺层；

优选的，所述复合膜层结构包括依次层叠的第一膜层和第二膜层；其中，所述第二膜层覆盖并凸出于所述第一膜层的上表面，以使得所述第一膜层的侧面和所述第二膜层的侧面交错形成所述阶梯状结构；

优选的，所述第一膜层和所述第二膜层的材质均为负性光刻胶。

6.一种复合屏，其特征在于，包括一体化的主屏体和副屏体，所述副屏体为PM屏体或类AM屏体，所述主屏体为AM屏体；

其中，所述副屏体为PM屏体时，该副屏体包括如权利要求1～5中任意一项所述的显示面板；

优选的，所述类AM屏的像素电路仅包含一个开关元件。

7.一种显示终端，其特征在于，包括：

设备本体，具有器件区；

如权利要求6所述的复合屏，覆盖在所述设备本体上；

其中，所述器件区位于所述副屏体的下方，且所述器件区中设置有透过所述副屏体进行光线采集的感光器件。

8.如权利要求7所述的显示终端，其特征在于，所述器件区为开槽区；以及

所述感光器件包括摄像头和/或光线感应器。

9.一种复合屏的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有AM显示区和PM显示区；

于所述AM显示区中制备AM阳极层，于所述PM显示区中制备像素定义层；其中，在所述像素定义层具有像素开口，在所述像素开口制备有PM发光层；

制备依次叠置的刻蚀阻挡薄膜、无机薄膜和有机胶薄膜，所述刻蚀阻挡薄膜覆盖所述AM阳极层的上表面、所述像素定义层的上表面和所述PM发光层的上表面；

图形化所述有机胶薄膜形成有机胶层；

以所述有机胶层为掩膜，湿法刻蚀所述无机薄膜形成无机层；

刻蚀去除部分所述刻蚀阻挡薄膜，形成刻蚀阻挡层；以及

继续制备阴极层；

其中，在远离所述像素定义层的上表面方向上，依次叠置的所述刻蚀阻挡层、所述无机层和所述有机胶层形成倒梯形的阴极隔离柱；以及

所述阴极隔离柱的侧面形成有非平坦部，所述非平坦部用于将位于相邻所述发光层之上的阴极层隔断为相互隔离的阴极；

优选的，所述非平坦部为凹槽。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，湿法刻蚀所述无机薄膜形成无机层时，所述刻蚀阻挡层与所述无机薄膜之间的刻蚀选择比大于1。

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