CN114127946B - 有机发光显示基板及其制作方法、有机发光显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光显示基板(1)及其制作方法、有机发光显示装置(100)。有机发光显示基板(1)包括衬底和(101)位于衬底(101)一侧且依次设置的有机层(102)、阳极层(104)、有机功能层(105)和阴极层(106),在被动矩阵有机发光显示区(20),有机层(102)包括沿第一方向间隔排列且沿第二方向延伸的多个槽(1020),阳极层(104)包括阵列排布的多个第一阳极(1041)和沿第一方向间隔排列且沿第二方向延伸的多个遮挡部(1042),多个遮挡部(1042)和多个槽(1020)在衬底(101)上的正投影分布于多个第一阳极(1041)在衬底(101)上的正投影的各个沿第二方向延伸的间隙中,且每个遮挡部(1042)与一个槽(1020)在衬底(101)上的正投影部分交叠以形成隔断槽(103),阴极层(106)包括沿第二方向延伸且沿第一方向交替排列的多个阴极条(1061)和多个阴极材料部(1062),每个阴极材料部(1062)位于一个隔断槽(103)内且与相邻阴极条(1061)不连接。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光显示基板及其制作方法、有机发光显示装置。
背景技术
由于具有自发光、对比度高、视角宽、功耗低、响应速度快以及制造成本低等一系列优异特性,有机发光器件作为新一代显示装置的基础,受到越来越多的关注。
有机发光显示基板的制作良品率,是制约有机发光显示装置走向大规模应用的一个关键问题。
发明内容
根据本公开实施例的一方面,提供一种有机发光显示基板,包括被动矩阵有机发光显示区,有机发光显示基板包括:
衬底;
有机层,位于衬底的一侧,包括位于被动矩阵有机发光显示区的沿第一方向间隔排列且沿第二方向延伸的多个槽;
阳极层,位于有机层远离衬底的表面,包括位于被动矩阵有机发光显示区的呈阵列排布的多个第一阳极,以及位于被动矩阵有机发光显示区的沿第一方向间隔排列且沿第二方向延伸的多个遮挡部,多个遮挡部在衬底上的正投影以及多个槽在衬底上的正投影分布于多个第一阳极在衬底上的正投影的各个沿第二方向延伸的间隙中,并且每个遮挡部在衬底上的正投影与一个槽在衬底上的正投影部分交叠,以形成隔断槽;
有机功能层,形成于阳极层远离衬底的一侧;以及
阴极层,形成于有机功能层远离衬底的一侧,包括位于被动矩阵有机发光显示区的沿第二方向延伸且沿第一方向交替排列的多个阴极条和多个阴极材料部,其中,每个阴极条比阳极层更加远离衬底,每个阴极材料部位于一个隔断槽内且与相邻的阴极条不相连接。
在一些实施例中,有机功能层包括位于被动矩阵有机发光显示区的多个第一部分和多个第二部分,其中,每个第一部分比阳极层更加远离衬底,每个第二部分位于一个隔断槽内且与相邻的第一部分不相连接。
在一些实施例中,每个遮挡部包括位于槽的两岸且间隔设置的两个遮挡条,两个遮挡条在衬底上的正投影分别与槽在衬底上的正投影部分交叠。
在一些实施例中,有机层包括第一有机层和第二有机层,有机发光显示基板在所述衬底的一侧还包括第一数据金属层、第一无机层、第二数据金属层、像素界定层和隔垫物层,其中:
第一数据金属层、第一无机层、第一有机层、第二数据金属层、第二有机层、阳极层、像素界定层、隔垫物层、有机功能层和阴极层沿远离衬底的方向依次设置;
在被动矩阵有机发光显示区,第二数据金属层通过多个第一过孔与第一数据金属层连接,通过多个第二过孔与阳极层连接,任意沿第一方向相邻的两个第一阳极之间通过第一数据金属层或第二数据金属层连接。
在一些实施例中,槽贯穿第二有机层并且延伸至第一有机层内。
在一些实施例中,每个槽在衬底上的正投影的沿第一方向的宽度为5微米-10微米。
在一些实施例中,每个槽在垂直于衬底方向上的深度为2微米-2.5微米。
在一些实施例中,每个槽的两个侧壁与底壁的夹角分别为120度-140度。
在一些实施例中,每个遮挡条在衬底上的正投影与对应的槽在衬底上的正投影的交叠部分的沿第一方向的宽度为0.8微米-1微米。
在一些实施例中,所述的有机发光显示基板,还包括主动矩阵有机发光显示区,有机发光显示基板还包括位于衬底与第一数据金属层之间、且沿远离衬底的方向依次设置的半导体层、第一绝缘层、第一栅金属层、第二绝缘层、第二栅金属层和第三绝缘层,其中:
在主动矩阵有机发光显示区,第一数据金属层通过多个第三过孔与半导体层连接,通过多个第四过孔与第二数据金属层连接,阳极层通过多个第五过孔与第二数据金属层连接。
在一些实施例中,主动矩阵有机发光显示区围绕被动矩阵有机发光显示区的部分边缘;或者,主动矩阵有机发光显示区包绕被动矩阵有机发光显示区。
在一些实施例中,衬底包括第一有机柔性层、第二有机柔性层,以及位于第一有机柔性层和第二有机柔性层之间的第一无机阻挡层。
根据本公开实施例的另一方面,提供一种有机发光显示装置,包括前述任一实施例的有机发光显示基板。
在一些实施例中,有机发光显示基板还包括主动矩阵有机发光显示区;有机发光显示装置还包括:在有机发光显示基板上的正投影位于被动矩阵有机发光显示区的至少一个功能器件。
根据本公开实施例的又一方面,提供一种有机发光显示基板的制作方法,有机发光显示基板包括被动矩阵有机发光显示区,制作方法包括:
在衬底的一侧形成有机层;
在有机层远离衬底的表面形成阳极层,阳极层包括位于被动矩阵有机发光显示区的呈阵列排布的多个第一阳极,以及位于被动矩阵有机发光显示区的沿第一方向间隔排列且沿第二方向延伸的多个遮挡部,多个遮挡部在衬底上的正投影分布于多个第一阳极在衬底上的正投影的各个沿第二方向延伸的间隙中;
在阳极层远离衬底的一侧依次形成像素界定层和隔垫物层;
对有机层进行刻蚀,形成位于被动矩阵有机发光显示区的沿第二方向延伸的多个槽,多个槽在衬底上的正投影分布于多个第一阳极在衬底上的正投影的各个沿第二方向延伸的间隙中,并且每个槽在衬底上的正投影与一个遮挡部在衬底上的正投影部分交叠,以形成隔断槽;
在隔垫物层远离衬底的一侧依次形成有机功能层和阴极层,其中,阴极层包括位于被动矩阵有机发光显示区的沿第二方向延伸且沿第一方向交替排列的多个阴极条和多个阴极材料部,其中,每个阴极条比阳极层更加远离衬底,每个阴极材料部位于一个隔断槽内且与相邻的阴极条不相连接。
在一些实施例中,对有机层进行刻蚀包括:
在隔垫物层远离衬底的一侧形成硬掩模,硬掩模对应隔断槽的槽口的区域为镂空区域;
透过硬掩模对有机层进行干刻,形成槽;
剥离掉硬掩模。
在一些实施例中,形成硬掩模包括:
在隔垫物层远离衬底的一侧依次形成硬掩模覆盖层和光致刻蚀剂覆盖层;
对光致刻蚀剂覆盖层依次进行曝光和显影,得到光致刻蚀剂保护掩模,光致刻蚀剂保护掩模对应隔断槽的槽口的区域为镂空区域;
透过光致刻蚀剂保护掩模对硬掩模覆盖层进行湿刻,得到硬掩模。
在一些实施例中,硬掩模的材料包括金属氧化物。
在一些实施例中,硬掩模的材料包括铟镓锌氧化物。
在一些实施例中,形成有机层包括在衬底的一侧依次形成第一有机层和第二有机层,制作方法还包括:
在形成第一有机层之前,在衬底的一侧依次形成第一数据金属层和第一无机层;及
在形成第一有机层之后,在形成第二有机层之前,在第一有机层远离衬底的一侧形成第二数据金属层;
其中,在被动矩阵有机发光显示区,第二数据金属层通过多个第一过孔与第一数据金属层连接,通过多个第二过孔与阳极层连接,任意沿第一方向相邻的两个第一阳极之间通过第一数据金属层或第二数据金属层连接。
在一些实施例中,每个槽贯穿第二有机层并且延伸至第一有机层内。
在一些实施例中,有机发光显示基板还包括主动矩阵有机发光显示区,制作方法还包括:
在形成第一数据金属层之前,在衬底的一侧依次形成半导体层、第一绝缘层、第一栅金属层、第二绝缘层、第二栅金属层和第三绝缘层,在主动矩阵有机发光显示区,第一数据金属层通过多个第三过孔与半导体层连接,通过多个第四过孔与第二数据金属层连接,阳极层通过多个第五过孔与第二数据金属层连接。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例,并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图,根据下面的详细描述,可以更加清楚地理解本公开,其中:
图1a是本公开一实施例的有机发光显示基板的主视图;
图1b是本公开一实施例的有机发光显示基板在图1a的A处放大示意图;
图1c是本公开一实施例的有机发光显示基板在图1b的B-B处的截面示意图;
图1d本公开一实施例中隔断槽的截面放大示意图;
图2是本公开另一实施例的有机发光显示基板的主视图;
图3a是相关技术中有机发光显示基板在被动矩阵有机发光显示区的截面示意图;
图3b是相关技术中有机发光显示基板在制作过程中的一些截面示意图;
图4a是本公开一实施例的有机发光显示基板的制作方法流程图;
图4b是本公开一实施例的有机发光显示基板在制作过程中的一些截面示意图;
图5a是本公开一实施例中制作隔断槽的流程图;
图5b是本公开一实施例的有机发光显示基板在制作过程中的一些截面示意图;
图6是本公开一实施例有机发光显示装置的主视图。
应当明白,附图中所示出的各个部分的尺寸并不必然是按照实际的比例关系绘制的。此外,相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的,决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现,不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整,并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。
本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素,并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
在本公开中,当描述到特定部件位于第一部件和第二部件之间时,在该特定部件与第一部件或第二部件之间可以存在居间部件,也可以不存在居间部件。当描述到特定部件连接其它部件时,该特定部件可以与所述其它部件直接连接而不具有居间部件,也可以不与所述其它部件直接连接而具有居间部件。
本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同,除非另外特别定义。还应当理解,在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义,而不应用理想化或极度形式化的意义来解释,除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
有机发光显示基板由于具有轻薄、可弯曲的特点,被广泛用于柔性显示装置中。为提高有机发光显示基板的制作良品率,本公开实施例提供了一种有机发光显示基板及其制作方法、有机发光显示装置。
如图1a所示,本公开一实施例提供的有机发光显示基板1,包括被动矩阵有机发光显示区20。图1b是本公开一实施例的有机发光显示基板在图1a的A处放大示意图,图中关于遮光矩阵的结构被省略未示出。图1c是本公开一实施例的有机发光显示基板在图1b的B-B处的截面示意图。
如图1b和图1c所示,本公开实施例提供的有机发光显示基板1,包括:
衬底101;
有机层102,位于衬底101的一侧,包括位于被动矩阵有机发光显示区20的沿第一方向间隔排列且沿第二方向延伸的多个槽1020;
阳极层104,位于有机层102远离衬底101的表面,包括位于被动矩阵有机发光显示区20的呈阵列排布的多个第一阳极1041,以及位于被动矩阵有机发光显示区20的沿第一方向间隔排列且沿第二方向延伸的多个遮挡部1042,多个遮挡部1042在衬底101上的正投影以及多个槽1020在衬底101上的正投影均分布于多个第一阳极1041在衬底101上的正投影的各个沿第二方向延伸的间隙中,并且每个遮挡部1042在衬底101上的正投影与一个槽1020在衬底101上的正投影部分交叠,以形成隔断槽103;
有机功能层105,形成于阳极层104远离衬底101的一侧;以及
阴极层106,形成于有机功能层105远离衬底101的一侧,包括位于被动矩阵有机发光显示区20的沿第二方向延伸且沿第一方向交替排列的多个阴极条1061和多个阴极材料部1062,其中,每个阴极条1061比阳极层104更加远离衬底101,每个阴极材料部1062位于一个隔断槽103内且与相邻的阴极条1061不相连接。
在本公开实施例中,有机功能层105形成于阳极层104远离衬底101的一侧,应理解为有机功能层105的整体图案层位于阳极层104的整体图案层远离衬底101的一侧,而不应理解为局部结构的绝对位置关系。其它图案层之间的位置关系与此类似,这里不再重复赘述。
如图1c所示,在本公开的一些实施例中,有机功能层105包括位于被动矩阵有机发光显示区20的多个第一部分1051和多个第二部分1052,其中,每个第一部分1051比阳极层104更加远离衬底101,每个第二部分1052位于一个隔断槽103内且与相邻的第一部分1051不相连接。
在本公开实施例中,对第一方向和第二方向不做具体限定。例如,在一些实施例中,第一方向为行向,第二方向为列向。在另一些实施例中,第一方向为列向,第二方向为行向。
有机发光显示基板1的被动矩阵有机发光显示区20包括呈阵列排布的多个被动矩阵型的有机发光器件5a(Passive matrix organic light-emitting diode,PMOLED),这些有机发光器件5a通过扫描方式被点亮,每个有机发光器件5a在短脉冲下瞬间发光。在图1a所示的实施例中,有机发光显示基板1还包括主动矩阵有机发光显示区50。如图1c所示,主动矩阵有机发光显示区50包括呈阵列排布的多个主动矩阵型的有机发光器件5b(Active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED),其中,每个有机发光器件5b被薄膜晶体管器件3控制,从而可以实现独立且连续的发光。
被动矩阵有机发光显示区20的形状不限,例如呈圆形、椭圆形、矩形或多边形,等等。由于被动矩阵有机发光显示区20不需要设置薄膜晶体管器件,因此透过率较高。有机发光显示装置中,例如摄像头、距离传感器等功能器件可以设置在有机发光显示基板1的背侧,并与被动矩阵有机发光显示区20相对,这样,光线可以穿过被动矩阵有机发光显示区20从而射入功能器件。这样的设计,有利于提高有机发光显示装置的屏占比,更加适用于窄边框、超窄边框的设计。在图1a所示的实施例中,主动矩阵有机发光显示区50围绕被动矩阵有机发光显示区20的其中一部分边缘设置。在图2所示的实施例中,主动矩阵有机发光显示区50也可以包绕被动矩阵有机发光显示区20。
在本公开的一些实施例中,有机发光显示基板也可以为被动矩阵有机发光显示基板,其显示区域只包括被动矩阵有机发光显示区。
如图1c所示,在该实施例中,有机层102包括分别用作平坦层的第一有机层1021和第二有机层1022,槽1020贯穿第二有机层1022并且延伸至第一有机层1021内。有机发光显示基板1的结构还包括:在衬底101的一侧且沿远离衬底101的方向依次设置第二无机阻挡层131、缓冲层132、半导体层109、第一绝缘层110、第一栅金属层111、第二绝缘层112、第二栅金属层113和第三绝缘层114、第一数据金属层115、第一无机层116、第二数据金属层117、像素界定层107和隔垫物层108。第一有机层1021位于第一无机层116和第二数据金属层117之间,第二有机层1022位于第二数据金属层117和阳极层104之间。有机功能层105位于隔垫物层108远离衬底101的一侧。在被动矩阵有机发光显示区20,第二数据金属层117通过多个第一过孔6a与第一数据金属层115连接,通过多个第二过孔6b与阳极层104连接。
在被动矩阵有机发光显示区20,任意沿第一方向相邻的两个第一阳极1041之间通过第一数据金属层115连接,即,沿第一方向排列的多个第一阳极1041通过第一数据金属层115电性导通,从而使得,呈矩阵排布的有机发光器件5a能够通过扫描方式被点亮。在本公开的另一实施例中,任意沿第一方向相邻的两个第一阳极之间也可以通过第二数据金属层连接。
在主动矩阵有机发光显示区50,第一数据金属层115通过多个第三过孔6c与半导体层109连接,通过多个第四过孔6d与第二数据金属层117连接。此外,为实现对基板内部结构的封装保护,有机发光显示基板1还包括了薄膜封装层7。
半导体层109包括薄膜晶体管器件3的有源层,第一栅金属层111包括薄膜晶体管器件3的栅极和电容器件4的第一极板,第二栅金属层113包括电容器件4的第二极板,第一数据金属层115包括第一层走线以及薄膜晶体管器件3的源极和漏极,第二数据金属层117包括第二层走线。双层走线设计相当于将电阻并联,可以起到降低走线电阻,进而降低基板功耗的效果。
在主动矩阵有机发光显示区50,阳极层104包括呈阵列排布的多个第二阳极1043,第二阳极1043通过多个第五过孔6e与第二数据金属层117连接。在被动矩阵有机发光显示区20,第一阳极1041、有机发光层105与第一阳极1041正对的部分、阴极条1061与第一阳极1041正对的部分构成一个有机发光器件5a。在主动矩阵有机发光显示区50,第二阳极1043、有机发光层105与第二阳极1043正对的部分、阴极层106与第二阳极1043正对的部分构成一个有机发光器件5b。
有机发光显示基板1的有机功能层105和阴极层106通常采用蒸镀工艺成膜。在蒸镀过程中,蒸镀材料气体基本是沿衬底101的法线方向成膜,故而,隔断槽103的底切状结构可以阻挡蒸镀材料气体在槽1020的侧壁成膜,使膜层位于隔断槽103内的部分和位于隔断槽103外的部分不相连接,也就是使膜层在隔断槽103的两侧无法连续。在本公开实施例中,在被动矩阵有机发光显示区20,由于隔断槽103的隔断作用,阴极层106的多个阴极条1061沿第二方向延伸且沿第一方向间隔排列,在主动矩阵有机发光显示区50,阴极层106可以连续延伸。有机功能层105可以大面积蒸镀,也可以使用掩模板进行图案化蒸镀。
在本公开的一些实施例中,如图1b和图1c所示,遮挡部1042包括位于槽1020的两岸且间隔设置的两个遮挡条1042a、1042b,两个遮挡条1042a、1042b在衬底101上的正投影分别与槽1020在衬底101上的正投影部分交叠。这样,两个遮挡条1042a、1042b均可以阻挡阴极材料在槽1020的两个侧壁成膜,从而进一步保障相邻阴极条1061之间被隔断槽103隔断。
阳极层104的具体材料不限。在一些实施例中,阳极层104包括第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层,以及夹在第一氧化铟锡层和第二氧化铟锡层之间的银层,其中,第一氧化铟锡层和第二氧化铟锡层的厚度为60-80埃,例如为70埃,银层的厚度为800-1200埃,例如为1000埃。阳极层104在制作时,首先采用溅射工艺成膜,然后采用掩模构图工艺,通过湿法刻蚀形成图案。
有机层102的图案一般采用掩模构图工艺,通过干法刻蚀形成。由于阳极层104属于无机材料,与有机层102的材料差异较大,因此,通过选择合适的选择比对有机层102进行干刻,可以在两个遮挡条1042a、1042b的靠近衬底101的一侧形成底切状结构,即,两个遮挡条1042a、1042b在衬底101上的正投影分别与槽1020在衬底101上的正投影部分交叠。如图1c所示,两个遮挡条1042a、1042b在衬底101上的正投影与像素界定层107在衬底101上的正投影之间无间隔。在本公开的其它实施例中,两个遮挡条在衬底上的正投影与像素界定层在衬底上的正投影之间也可以间隔一定距离或部分交叠。
如图1d所示,在本公开的一些实施例中,槽1020在衬底101上的正投影的沿第一方向的宽度c为5微米-10微米。槽1020在垂直于衬底101方向上的深度d为2微米-2.5微米。槽1020的两个侧壁1020a与底壁1020b的夹角α分别为120度-140度。遮挡条1042a、1042b在衬底101上的正投影与对应的槽1020在衬底101上的正投影的交叠部分的沿第一方向的宽度s为0.8微米-1微米,由于该交叠宽度S的存在,隔断槽103具有底切状结构。
一种相关技术中,如图3a所示,有机发光显示基板在被动矩阵有机发光显示区的结构包括:沿远离衬底的方向依次设置的数据金属层001、有机层002、无机层003、阳极层004、像素界定层005、隔垫物层006、有机功能层007和阴极层008,其中,阳极层004通过过孔与数据金属层001连接,多个隔断槽009的结构由有机层002和无机层003共同形成,多个隔断槽009用于将阴极层008隔断,从而得到沿行向间隔排列且沿列向延伸的多个阴极条。该有机发光显示基板在制作时,先形成隔断槽009,再形成阳极层004,之后再依次形成像素界定层005、隔垫物层006、有机功能层007和阴极层008。该相关技术存在以下技术缺陷:
一、有机层002在高温工艺环境中会释放出气体,无机层003大面积覆盖有机层002,可能导致有机层002与无机层003之间产生气泡。
二、无机层003形成在有机层002的表面,在刻蚀无机层003时,容易损伤到有机层002。
三、有机层002通常用作平坦层,无机层003制作在有机层002的表面并作为制作阳极层004的制作基面,其表面平坦性欠佳。
四、如图3b所示,像素界定层005和隔垫物层006的制作工序在隔断槽009的制作工序完成之后进行,容易导致隔断槽009内残留像素界定层和/或隔垫物层的制作材料010,进而导致隔断槽009的隔断作用失效,从而无法有效将阴极条之间隔断。
五、阳极层004的制作工序在隔断槽009的制作工序之后进行,在采用掩模构图工艺形成阳极层004的过程中,光致刻蚀剂层与隔断槽009内壁之间可能产生气泡,气泡爆开会导致后续工艺产生不良。
上述技术缺陷严重影响了有机发光显示基板的制作良品率。
在本公开实施例中,如图1c所示,一方面,由于阳极层104形成在有机层102的远离衬底101的表面,隔断槽103的结构由阳极层104和有机层102共同形成,阳极层104与有机层102之间不再设置无机层,因此,对比前述相关技术,采用本公开实施例,可以克服相关技术中由于无机层导致的一系列不良问题。另一方面,采用本公开实施例,可以在形成阳极层104、像素界定层107和隔垫物层108之后再形成隔断槽103的结构,这样,可以避免因隔断槽内残留像素界定层和/或隔垫物层的制作材料导致的隔断槽失效,以及因气泡残留导致的后续工艺不良的发生。因此,本公开实施例有机发光显示基板的结构设计,有利于提高制作良品率。
如图1c所示,在该实施例中,衬底101为柔性衬底,包括第一有机柔性层101a、第二有机柔性层101c,以及位于第一有机柔性层101a和第二有机柔性层101c之间的第一无机阻挡层101b,其中,第一有机柔性层101a和第二有机柔性层101c的材料包括聚酰亚胺,第一无机阻挡层101b的材料包括氮化硅。这样设计,不但可以提高衬底的韧性,而且有利于提高有机发光显示基板的封装性能。在本公开的另一些实施例中,衬底也可以为硬质衬底。
本公开实施例还提供了一种有机发光显示基板的制作方法,该制作方法可用于制作前述包括被动矩阵有机发光显示区20的有机发光显示基板1。如图4a和图4b所示,制作方法包括以下步骤S101至步骤S105。
在步骤S1,在衬底101的一侧形成有机层102。
在步骤S2,在有机层102远离衬底101的表面形成阳极层104,阳极层104包括位于被动矩阵有机发光显示区20的呈阵列排布的多个第一阳极1041,以及位于被动矩阵有机发光显示区20的沿第一方向间隔排列且沿第二方向延伸的多个遮挡部1042,多个遮挡部1042在衬底101上的正投影分布于多个第一阳极1041在衬底101上的正投影的各个沿第二方向延伸的间隙中。
在步骤S3,在阳极层104远离衬底101的一侧依次形成像素界定层107和隔垫物层108。
在步骤S4,对有机层102进行刻蚀,形成位于被动矩阵有机发光显示区20的沿第二方向延伸的多个槽1020,多个槽1020在衬底101上的正投影分布于多个第一阳极1041在衬底101上的正投影的各个沿第二方向延伸的间隙中,并且每个槽1020在衬底101上的正投影与一个遮挡部1042在衬底101上的正投影部分交叠,以形成隔断槽103。
在步骤S5,在隔垫物层108远离衬底101的一侧依次形成有机功能层105和阴极层106,其中,阴极层106包括位于被动矩阵有机发光显示区20的沿第二方向延伸且沿第一方向交替排列的多个阴极条1061和多个阴极材料部1062,其中,每个阴极条1061比阳极层104更加远离衬底101,每个阴极材料部1062位于一个隔断槽103内且与相邻的阴极条1061不相连接。
在本公开的一些实施例中,在步骤S5中形成有机功能层105后,有机功能层105也被隔断槽隔断而不连续。如图4b所示,有机功能层105包括位于被动矩阵有机发光显示区20的多个第一部分1051和多个第二部分1052,其中,每个第一部分1051比阳极层104更加远离衬底101,每个第二部分1052位于一个隔断槽103内且与相邻的第一部分1051不相连接。
在本公开的一个实施例中,衬底101为柔性衬底,并预先形成在一玻璃基板(图中未示出)上。例如,在玻璃基板的一侧依次形成第一有机柔性层、第一无机阻挡层和第二有机柔性层,第一有机柔性层、第一无机阻挡层和第二有机柔性层整体作为有机发光显示基板的衬底。玻璃基板在有机发光显示基板的制作过程中起支撑作用,待有机发光显示基板的结构制作完毕,还需要将玻璃基板与衬底剥离,以支持有机发光显示基板的柔性特性。
如图4b所示,上述形成有机层102包括在衬底101的一侧依次形成第一有机层1021和第二有机层1022。在一些实施例中,槽1020贯穿第二有机层1022,并且延伸至第一有机层1021内。在另一些实施例中,槽1020也可以不贯穿第二有机层1022,也就是终止在第二有机层1022内。在此基础上,有机发光显示基板的制作方法还进一步包括:
在形成第一有机层1021之前,在衬底101的一侧依次形成第一数据金属层115和第一无机层116;
在形成第一有机层1021之后,在形成第二有机层1022之前,在第一有机层1021远离衬底101的一侧形成第二数据金属层117,在被动矩阵有机发光显示区20,第二数据金属层117通过多个第一过孔6a与第一数据金属层115连接,通过多个第二过孔6b与阳极层104连接,任意沿第一方向相邻的两个第一阳极1041之间通过第一数据金属层115或第二数据金属层117连接。
如图4b所示,所制作的有机发光显示基板除被动矩阵有机发光显示区20外,还包括主动矩阵有机发光显示区50,该有机发光显示基板的制作方法进一步还包括:
在形成第一数据金属层115之前,在衬底101的一侧依次形成半导体层109、第一绝缘层110、第一栅金属层111、第二绝缘层112、第二栅金属层113和第三绝缘层114,在主动矩阵有机发光显示区50,第一数据金属层115通过多个第三过孔6c与半导体层109连接,第二数据金属层117通过多个第四过孔6d与第一数据金属层115连接,阳极层104通过多个第五过孔6e与第二数据金属层117连接。
如图5a和图5b所示,在本公开的一些实施例中,对有机层进行刻蚀包括以下步骤S41至步骤S43。
在步骤S41,在隔垫物层远离衬底的一侧形成硬掩模,硬掩模对应隔断槽的槽口的区域为镂空区域。硬掩模的材料类型不限,在一些实施例中,硬掩模的材料包括例如铟镓锌氧化物等金属氧化物。
如图5b所示,在一个实施例中,该步骤S41具体包括:
子步骤一,在隔垫物层108远离衬底101的一侧依次形成硬掩模覆盖层3010和光致刻蚀剂覆盖层302;
子步骤二,对光致刻蚀剂覆盖层302依次进行曝光和显影,得到光致刻蚀剂保护掩模,光致刻蚀剂保护掩模对应隔断槽的槽口的区域为镂空区域;
子步骤三,透过光致刻蚀剂保护掩模对硬掩模覆盖层3010进行湿刻,得到硬掩模。
在步骤S42,透过硬掩模对有机层102进行干刻,形成槽1020;
在步骤S43,剥离掉硬掩模。
如前所述,由于阳极层形成在有机层远离衬底的表面,隔断槽的结构由阳极层和有机层共同形成,阳极层与有机层之间不再设置无机层,因此,对比前述相关技术,采用本公开实施例的有机发光显示基板的制造方法,可以克服相关技术中由于无机层导致的一系列制作不良问题。此外,用于形成隔断槽的刻蚀工序在形成阳极层、像素界定层和隔垫物层之后进行,对比前述相关技术,可以避免因隔断槽内残留像素界定层和/或隔垫物层的制作材料导致的隔断槽失效,以及因气泡残留导致的后续工艺不良的发生。因此,采用本公开实施例的有机发光显示基板的制造方法,有利于提高制作良品率。
如图6所示,本公开实施例还提供了一种有机发光显示装置100,包括前述任一实施例的有机发光显示基板1。
在一些实施例中,有机发光显示基板1包括被动矩阵有机发光显示区20和主动矩阵有机发光显示区50,有机发光显示装置100还包括至少一个功能器件30,该至少一个功能器件30在有机发光显示基板1上的正投影位于被动矩阵有机发光显示区20。功能器件30的具体类型不限,例如为摄像头或者距离传感器等。
上述有机发光显示装置的具体产品类型包括但不限于手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备、电子纸或者展示屏等等。
由于有机发光显示基板具有上述有益效果,因此,有机发光显示装置也具有上述有益效果,其制作良品率较高。
至此,已经详细描述了本公开的各实施例。为了避免遮蔽本公开的构思,没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述,完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上示例仅是为了进行说明,而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本公开的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。
Claims (22)
1.一种有机发光显示基板,包括被动矩阵有机发光显示区,有机发光显示基板包括:
衬底;
有机层,位于衬底的一侧,包括位于被动矩阵有机发光显示区的沿第一方向间隔排列且沿第二方向延伸的多个槽;
阳极层,位于有机层远离衬底的表面,包括位于被动矩阵有机发光显示区的呈阵列排布的多个第一阳极,以及位于被动矩阵有机发光显示区的沿第一方向间隔排列且沿第二方向延伸的多个遮挡部,多个遮挡部在衬底上的正投影以及多个槽在衬底上的正投影分布于多个第一阳极在衬底上的正投影的各个沿第二方向延伸的间隙中,并且每个遮挡部在衬底上的正投影与一个槽在衬底上的正投影部分交叠,以形成隔断槽;
有机功能层,形成于阳极层远离衬底的一侧;以及
阴极层,形成于有机功能层远离衬底的一侧,包括位于被动矩阵有机发光显示区的沿第二方向延伸且沿第一方向交替排列的多个阴极条和多个阴极材料部,其中,每个阴极条比阳极层更加远离衬底,每个阴极材料部位于一个隔断槽内且与相邻的阴极条不相连接。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示基板,其中,有机功能层包括位于被动矩阵有机发光显示区的多个第一部分和多个第二部分,其中,每个第一部分比阳极层更加远离衬底,每个第二部分位于一个隔断槽内且与相邻的第一部分不相连接。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示基板,其中,每个遮挡部包括位于槽的两岸且间隔设置的两个遮挡条,两个遮挡条在衬底上的正投影分别与槽在衬底上的正投影部分交叠。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示基板,其中,有机层包括第一有机层和第二有机层,有机发光显示基板在所述衬底的一侧还包括第一数据金属层、第一无机层、第二数据金属层、像素界定层和隔垫物层,其中:
第一数据金属层、第一无机层、第一有机层、第二数据金属层、第二有机层、阳极层、像素界定层、隔垫物层、有机功能层和阴极层沿远离衬底的方向依次设置;
在被动矩阵有机发光显示区,第二数据金属层通过多个第一过孔与第一数据金属层连接,通过多个第二过孔与阳极层连接,任意沿第一方向相邻的两个第一阳极之间通过第一数据金属层或第二数据金属层连接。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示基板,其中,每个槽贯穿第二有机层并且延伸至第一有机层内。
6.根据权利要求4所述的有机发光显示基板,其中,每个槽在衬底上的正投影的沿第一方向的宽度为5微米-10微米。
7.根据权利要求4所述的有机发光显示基板,其中,每个槽在垂直于衬底方向上的深度为2微米-2.5微米。
8.根据权利要求4所述的有机发光显示基板,其中,每个槽的两个侧壁与底壁的夹角分别为120度-140度。
9.根据权利要求4所述的有机发光显示基板,其中,每个遮挡条在衬底上的正投影与对应的槽在衬底上的正投影的交叠部分的沿第一方向的宽度为0.8微米-1微米。
10.根据权利要求4所述的有机发光显示基板,还包括主动矩阵有机发光显示区,有机发光显示基板还包括位于衬底与第一数据金属层之间、且沿远离衬底的方向依次设置的半导体层、第一绝缘层、第一栅金属层、第二绝缘层、第二栅金属层和第三绝缘层,其中:
在主动矩阵有机发光显示区,第一数据金属层通过多个第三过孔与半导体层连接,通过多个第四过孔与第二数据金属层连接,阳极层通过多个第五过孔与第二数据金属层连接。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示基板,其中,主动矩阵有机发光显示区围绕被动矩阵有机发光显示区的部分边缘;或者,主动矩阵有机发光显示区包绕被动矩阵有机发光显示区。
12.根据权利要求1-11任一项所述的有机发光显示基板,其中,衬底包括第一有机柔性层、第二有机柔性层,以及位于第一有机柔性层和第二有机柔性层之间的第一无机阻挡层。
13.一种有机发光显示装置,包括根据权利要求1-12任一项所述的有机发光显示基板。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置,其中,有机发光显示基板还包括主动矩阵有机发光显示区;
有机发光显示装置还包括:在有机发光显示基板上的正投影位于被动矩阵有机发光显示区的至少一个功能器件。
15.一种有机发光显示基板的制作方法,有机发光显示基板包括被动矩阵有机发光显示区,制作方法包括:
在衬底的一侧形成有机层;
在有机层远离衬底的表面形成阳极层,阳极层包括位于被动矩阵有机发光显示区的呈阵列排布的多个第一阳极,以及位于被动矩阵有机发光显示区的沿第一方向间隔排列且沿第二方向延伸的多个遮挡部,多个遮挡部在衬底上的正投影分布于多个第一阳极在衬底上的正投影的各个沿第二方向延伸的间隙中;
在阳极层远离衬底的一侧依次形成像素界定层和隔垫物层;
对有机层进行刻蚀,形成位于被动矩阵有机发光显示区的沿第二方向延伸的多个槽,多个槽在衬底上的正投影分布于多个第一阳极在衬底上的正投影的各个沿第二方向延伸的间隙中,并且每个槽在衬底上的正投影与一个遮挡部在衬底上的正投影部分交叠,以形成隔断槽;
在隔垫物层远离衬底的一侧依次形成有机功能层和阴极层,其中,阴极层包括位于被动矩阵有机发光显示区的沿第二方向延伸且沿第一方向交替排列的多个阴极条和多个阴极材料部,其中,每个阴极条比阳极层更加远离衬底,每个阴极材料部位于一个隔断槽内且与相邻的阴极条不相连接。
16.根据权利要求15所述的制作方法,其中,对有机层进行刻蚀包括:
在隔垫物层远离衬底的一侧形成硬掩模,硬掩模对应隔断槽的槽口的区域为镂空区域;
透过硬掩模对有机层进行干刻,形成槽;
剥离掉硬掩模。
17.根据权利要求16所述的制作方法,其中,形成硬掩模包括:
在隔垫物层远离衬底的一侧依次形成硬掩模覆盖层和光致刻蚀剂覆盖层;
对光致刻蚀剂覆盖层依次进行曝光和显影,得到光致刻蚀剂保护掩模,光致刻蚀剂保护掩模对应隔断槽的槽口的区域为镂空区域;
透过光致刻蚀剂保护掩模对硬掩模覆盖层进行湿刻,得到硬掩模。
18.根据权利要求16所述的制作方法,其中,硬掩模的材料包括金属氧化物。
19.根据权利要求16所述的制作方法,其中,硬掩模的材料包括铟镓锌氧化物。
20.根据权利要求15-19任一项所述的制作方法,其中,形成有机层包括在衬底的一侧依次形成第一有机层和第二有机层,制作方法还包括:
在形成第一有机层之前,在衬底的一侧依次形成第一数据金属层和第一无机层;
在形成第一有机层之后,在形成第二有机层之前,在第一有机层远离衬底的一侧形成第二数据金属层;
其中,在被动矩阵有机发光显示区,第二数据金属层通过多个第一过孔与第一数据金属层连接,通过多个第二过孔与阳极层连接,任意沿第一方向相邻的两个第一阳极之间通过第一数据金属层或第二数据金属层连接。
21.根据权利要求20所述的制作方法,其中,每个槽贯穿第二有机层并且延伸至第一有机层内。
22.根据权利要求20所述的制作方法,其中,有机发光显示基板还包括主动矩阵有机发光显示区,制作方法还包括:
在形成第一数据金属层之前,在衬底的一侧依次形成半导体层、第一绝缘层、第一栅金属层、第二绝缘层、第二栅金属层和第三绝缘层,在主动矩阵有机发光显示区,第一数据金属层通过多个第三过孔与半导体层连接,通过多个第四过孔与第二数据金属层连接,阳极层通过多个第五过孔与第二数据金属层连接。
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