CN110783382A - 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。其中，显示面板至少包括第一显示区，第一显示区具有第一子像素，第一显示区包括：第一基板，第一基板为透光基板；位于第一基板一侧的第一电极和第一像素限定层，第一像素限定层位于第一电极上；其中，第一像素限定层包括多个像素区和隔离区；每个像素区包括至少一个第一像素开口，每个第一像素开口内包括层叠的第一发光层和第二电极，第一子像素包括第一电极、第一发光层和第二电极；每个隔离区包括一个隔离槽，隔离槽内设置有隔离结构，隔离结构用于隔断相邻两个像素区的第二电极。本发明通过在第一像素限定层的隔离槽中设置隔离结构，实现了对相邻两个像素区的第二电极的自动隔断。

Description

显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。

背景技术

随着显示终端的快速发展，用户对屏幕占比的要求越来越高，使得显示终端的全面屏显示受到业界越来越多的关注。现有技术中的全面屏多为开槽或开孔的方式，如苹果的刘海屏等，均是在摄像头、传感器等元件对应的显示屏区域开槽或开孔。在实现拍照功能时，外部光线通过显示屏上的槽或孔射入显示屏下方的摄像头，从而实现拍照。但是，不论是刘海屏还是打孔屏，均不是真正的全面屏，因此，业界急需研发出真正的全面屏。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，有必要提供一种基于全面屏的显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，至少包括第一显示区，所述第一显示区具有第一子像素，所述第一显示区包括：

第一基板，所述第一基板为透光基板；

位于所述第一基板一侧的第一电极和第一像素限定层，所述第一像素限定层位于所述第一电极上；

其中，所述第一像素限定层包括多个像素区和隔离区；每个所述像素区包括至少一个第一像素开口，每个所述第一像素开口内包括层叠的第一发光层和第二电极，所述第一子像素包括所述第一电极、所述第一发光层和所述第二电极；每个所述隔离区包括一个隔离槽，所述隔离槽内设置有隔离结构，所述隔离结构用于隔断相邻两个所述像素区的所述第二电极。

可选地，所述第一子像素为被动驱动方式发光；所述像素区和所述隔离区在第一方向上交替排布，每个所述像素区包括至少一个沿第二方向排布的所述第一像素开口，所述隔离槽及所述隔离结构均沿所述第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相交。

可选地，所述隔离结构的高度小于或等于所述第一像素限定层的高度；或者，所述第一像素限定层上设置有支撑柱，所述支撑柱用于支撑蒸镀用掩模板，所述隔离结构的高度小于或等于所述支撑柱的高度；

优选地，所述隔离槽的深度小于所述第一像素开口的深度；

优选地，所述隔离结构的厚度范围为1μm～2μm；

优选地，所述隔离槽包括两个相对的且平行于所述隔离槽的延伸方向的侧壁，所述隔离结构与至少一个所述侧壁不接触。

可选地，所述隔离结构包括层叠的支撑部和隔断部，所述支撑部与所述隔离槽的底部接触，所述隔断部的靠近相邻像素区的至少一侧凸出于所述支撑部设置；

优选地，所述支撑部和所述隔断部一体成型；

优选地，所述隔离结构呈T型或者倒梯形；

优选地，所述隔离结构的材料包括透明有机胶；

优选地，所述透明有机胶包括光敏胶。

可选地，在所述隔离结构的延伸方向上，所述隔离结构的宽度连续变化或间断变化，所述隔离结构的延伸方向平行于所述第一基板，所述隔离结构的宽度为所述隔离结构在所述第一基板上的正投影，在垂直于所述隔离结构的延伸方向上的尺寸；

优选地，所述正投影的靠近所述像素区的至少一侧边为非直线形；

优选地，所述非直线形包括折线段、弧形和波浪形中的至少一种。

可选地，所述显示面板还包括第二显示区，所述第二显示区具有第二子像素，所述第二显示区包括：

第二基板；位于所述第二基板一侧的第三电极和第二像素限定层，所述第二像素限定层位于所述第三电极上；所述第二像素限定层包括多个第二像素开口，每个所述第二像素开口内包括层叠的第二发光层和第四电极，所述第二子像素包括所述第三电极、所述第二发光层和所述第四电极；

优选地，所述第二子像素为主动驱动方式发光；

优选地，所述第三电极为块状电极，所述第四电极为面电极；

优选地，所述第二显示区完全或部分围绕所述第一显示区；

优选地，所述第二基板和所述第一基板相拼接，或者所述第二基板和所述第一基板为一体结构；

优选地，所述第一显示区和所述第二显示区的部分膜层位于同一层，其中，所述第一显示区和所述第二显示区的部分膜层位于同一层满足以下至少一种情况：所述第一电极和所述第三电极位于同一层，所述第一像素限定层和所述第二像素限定层位于同一层，所述第一发光层和所述第二发光层位于同一层，所述第二电极和所述第四电极位于同一层；

优选地，所述第一显示区为透明显示区；

优选地，所述透明显示区的透光率大于70％；

优选地，所述第一电极为透明电极，所述透明电极的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡及掺杂银的氧化铟锌中的至少一种；

优选地，所述显示面板还包括至少位于所述第二显示区的偏光片，所述偏光片位于所述第二像素限定层远离所述第二基板的一侧。

第二方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括：

设备本体，具有器件区；

以及本发明实施例提供的显示面板，覆盖在所述设备本体上；

其中，所述器件区位于所述显示面板的第一显示区下方，且所述器件区中设置有透过所述第一显示区发射或者采集光线的感光器件。

第三方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括：

提供第一基板，其中，所述第一基板为透光基板；

在所述第一基板的一侧依次形成第一电极和第一像素限定层，其中，所述第一像素限定层包括多个像素区和隔离区；

在每个所述像素区形成至少一个第一像素开口，暴露出第一电极，且在每个所述隔离区形成一个隔离槽；

在所述隔离槽内形成隔离结构；

在暴露出的第一电极上形成第一发光层；

整面蒸镀第二电极材料，所述第二电极材料由所述隔离结构隔断形成多个第二电极。

可选地，在所述隔离槽内形成隔离结构，包括：

整面沉积一层牺牲层；

在位于所述隔离槽底部的牺牲层上形成开口；

整面形成隔离结构层，其中，所述隔离结构层完全填充所述开口且高出所述开口；

图案化所述隔离结构层，形成所述隔离结构；

去除剩余所述牺牲层；

优选地，所述牺牲层的厚度大于所述第二电极的厚度；

优选地，所述隔离结构的厚度范围为1μm～2μm；

优选地，在去除剩余所述牺牲层之前，还包括：

对所述隔离结构进行烘烤。

可选地，在位于所述隔离槽底部的牺牲层上形成开口，包括：

采用光刻和湿法刻蚀在位于所述隔离槽底部的牺牲层上形成开口；

优选地，去除剩余所述牺牲层，包括：

采用湿法刻蚀去除所述牺牲层；

优选地，所述牺牲层的材料为氧化铟锌或氧化铟镓锌，湿法刻蚀的刻蚀液包括草酸；

优选地，所述牺牲层的材料为钼或钛，湿法刻蚀的刻蚀液包括硝酸、醋酸和磷酸的混合液。

本发明的有益效果是：本发明实施例提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，通过设置第一显示区包括透光的第一基板，在第一基板上形成依次层叠的第一电极和第一像素限定层，在第一像素限定层的隔离区形成隔离槽，并在隔离槽内设置隔离结构。由此，在第一显示区整面形成第二电极时，隔离结构可以将第二电极在隔离结构处自动隔断，从而隔断相邻两个像素区的第二电极，避免因刻蚀第二电极而对第一显示区的第一子像素造成影响；同时，由于第一像素限定层的厚度较大，隔离结构设置于第一像素限定层的隔离槽内，因此，隔离结构的厚度不受显示面板厚度的限制，可以通过设置较厚的隔离结构，保证第二电极完全隔断。

附图说明

下面将通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，使本领域的普通技术人员更清楚本发明的上述及其他特征和优点，附图中：

图1是本发明实施例提供的第一像素开口和隔离槽的分布示意图；

图2是本发明实施例提供的显示面板的平面结构示意图；

图3是沿图2中剖面线A-A’剖切得到的剖视图；

图4是本发明实施例提供的另一种第一像素开口和隔离槽的分布示意图；

图5是本发明实施例提供的显示面板的俯视图；

图6是本发明实施例提供的显示面板第二显示区的部分剖面图；

图7是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图8是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图；

图9-图14是本发明实施例提供的制作显示面板时的中间结构图。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

正如背景技术中所述，现有技术中不论是刘海屏还是打孔屏，均无法实现真正的全面屏。经发明人研究发现，若要实现全面屏，需要将显示面板直接覆盖在摄像头等感光器件上，这就要求位于摄像头等感光器件上方的显示面板具有高透光率。

针对上述问题，技术人员研发了一种显示屏，其通过在开槽区域设置透明显示面板的方式来实现电子设备的全面屏显示。根据驱动方式的不同，OLED显示面板可以分为PMOLED(Passive Matrix OLED，被动式驱动有机发光二极管)显示面板和AMOLED(ActiveMatrix OLED，主动式驱动有机发光二极管)显示面板两种。以PMOLED为例，PMOLED显示阵列的同一行显示单元的同一性质电极是共用的，并且同一列显示单元同一性质电极也是共用的。具体而言，PMOLED显示面板是以阴极、阳极构成矩阵，以扫描方式点亮阵列中的像素，每个像素都是操作在短脉冲模式下，为瞬间高亮度发光。研究发现，由于PMOLED显示面板无TFT背板和金属走线，使得光线透过率高，而可以被应用于前述的透明显示面板。然而，为了使相邻两行或两列的显示单元的阴极相互绝缘，在整面蒸镀阴极材料层后需要对阴极材料层进行图形化，而现有的阴极材料层图形化需对阴极材料层进行刻蚀，难免会对显示单元中的发光层造成损伤，导致显示异常。

基于上述问题，本发明实施例提供了一种显示面板，图1是本发明实施例提供的第一像素开口和隔离槽的分布示意图；图2是本发明实施例提供的显示面板的平面结构示意图；图3是沿图2中剖面线A-A’剖切得到的剖视图。如图1、图2和图3所示，本实施例提供的显示面板至少包括第一显示区100，第一显示区100具有第一子像素2，第一显示区100包括：

第一基板1，第一基板1为透光基板；

位于第一基板1一侧的第一电极21和第一像素限定层3，第一像素限定层3位于第一电极21上；

其中，第一像素限定层3包括多个像素区10和隔离区20；每个像素区10包括至少一个第一像素开口101，每个第一像素开口101内包括层叠的第一发光层22和第二电极23，第一子像素2包括第一电极21、第一发光层22和第二电极23；每个隔离区20包括一个隔离槽201，隔离槽201内设置有隔离结构4，隔离结构4用于隔断相邻两个像素区10的第二电极23。

其中，第一基板1可以为显示装置提供缓冲、保护或支撑等作用。第一基板1可以为柔性基板，也可以为刚性基板。柔性基板的材料可以为聚酰亚胺(PI)，刚性基板的材料可以为玻璃。

第一电极21可以为阳极，第二电极23为阴极。例如，第一电极21为阳极，其为透明电极，透明电极的材料包括透明金属氧化物，例如包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)、掺杂银的氧化铟锡及掺杂银的氧化铟锌中的至少一种，或者也可以采用三层结构，其中的第一层与第三层的材料可为透明金属氧化物，例如可以是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铝锌氧化物(AZO)，中间的第二层的材料可为金属，如银或铜；第二电极23为阴极，材料可以是ITO或镁银合金。需要说明的是，第一电极和第二电极的膜层的材料和厚度的设置需要满足透明显示面板的透明度的要求，以满足设置于其下方的感光器件的感光效果。第一发光层22可以为有机发光层，其中，有机发光层可以只包括单层结构，例如只包括有机发光材料层；有机发光层还可以包括多层结构，例如有机发光层可以包括从第一电极21至第二电极23依次设置的空穴注入层、空穴传输层、有机发光材料层、电子传输层和电子注入层等功能膜层，有机发光层的具体结构根据实际应用设置，在此不做具体限定。

第一像素限定层3的材料可以为透明有机材料，可采用光刻工艺形成像素区10和隔离区20。第一子像素2可以为主动驱动方式发光或被动驱动方式发光。当为主动驱动方式发光时，第一子像素2的第一电极21与第二电极23可以均为电极块，或其中一个为电极块，另一个为整面的面电极。当为被动驱动方式发光时，第一电极21与第二电极23可以均为电极条，第一子像素2阵列排布，例如如图2所示，第一电极21沿第一方向x延伸，第二电极23沿第二方向y延伸，第一子像素2位于第一电极21和第二电极23的交叉点。

隔离结构4沿隔离槽201的延伸方向设置，隔离结构4的材料可以为透明无机材料，也可以为透明有机材料。示例性地，隔离结构4的材料为透明有机材料，优选地，隔离结构的材料为透明有机胶，进一步地，透明有机胶为光敏胶，由此通过对光敏胶直接进行光刻即可形成隔离结构，不必再旋涂光刻胶进行光刻以及干法刻蚀或湿法刻蚀等，制备工艺简单。另外，隔离结构4呈T型或者倒梯形，优选为T型，可以保证隔离结构4对第二电极23的隔断效果。

本实施例中，可以在形成第一像素开口101和隔离槽201后便在隔离槽201制作隔离结构4，本实施例对隔离结构4的具体形状不作限制，只要保证在整面形成第二电极23时，第二电极23在隔离结构4处断开即可，此时，形成在第一发光层22上及部分第一像素限定层3上形成相连的第二电极23，在隔离结构4上形成与第二电极相绝缘的导电层24，使得相邻两个像素区10的第二电极23相绝缘。另外，由于第一像素限定层3的厚度较大，远大于第二电极23的厚度，因此，通过在第一像素限定层3的隔离槽201内形成隔离结构4即可保证隔离结构4的厚度大于第二电极23的厚度，进而保证显示面板厚度不变的情况下，实现第二电极23的隔断。

需要说明的是，图3仅为示意图，在实际整面形成第二电极23时，随着隔离结构4尺寸的不同，部分第二电极可能覆盖在隔离槽201的侧壁甚至隔离槽201的底部，形成的第二电极23以及导电层24在第一基板1上的正投影仍连成一整面，只是第二电极23与导电层24在隔离结构4的靠近像素区10的边缘处断开。

本实施例提供的显示面板，通过设置第一显示区包括透光的第一基板，在第一基板上形成依次层叠的第一电极和第一像素限定层，在第一像素限定层的隔离区形成隔离槽，并在隔离槽内设置隔离结构。由此，在第一显示区整面形成第二电极时，隔离结构可以将第二电极在隔离结构处自动隔断，从而隔断相邻两个像素区的第二电极，避免因刻蚀第二电极而对第一显示区的第一子像素造成影响；同时，由于第一像素限定层的厚度较大，隔离结构设置于第一像素限定层的隔离槽内，因此，隔离结构的厚度不受显示面板厚度的限制，可以通过设置较厚的隔离结构，保证第二电极完全隔断。

可选地，基于上述实施例，在本发明一实施例中，如图4所示，第一子像素为主动驱动方式发光，每个像素区包括一个第一像素开口101。此时，为实现相邻(上述第一方向以及第二方向上相邻)两个像素区的第二电极相绝缘，隔离槽201围绕各第一像素开口101设置(位于第一显示区100边缘的第一像素开口101可除外)，相应地，隔离结构围绕各第一像素开口101设置，参见图4，隔离槽201呈网格状，每个网格内形成一个第一像素开口101，此时形成的第二电极为电极块。

可选地，基于上述实施例，在本发明另一实施例中，继续参考图1，第一子像素为被动驱动方式发光；像素区10和隔离区20在第一方向x上交替排布，每个像素区10包括多个沿第二方向y排布的第一像素开口101，隔离槽201及隔离结构均沿第二方向y延伸，第一方向x和第二方向y相交。此时，参考图1和图2，在任一像素区10内，各第一像素开口101对应的第二电极23在第二方向y上相连形成电极条，在第一方向x上相邻的两个电极条相绝缘。本实施例的第一子像素为被动驱动方式发光，膜层结构简单，便于感光器件的设置，可以避免设置驱动TFT和金属走线，从而增大了透光率，提高了感光器件的工作性能。

可选地，隔离结构的高度小于或等于第一像素限定层的高度；或者，第一像素限定层上设置有支撑柱，支撑柱用于支撑蒸镀用掩模板，隔离结构的高度小于或等于支撑柱的高度；即第一像素限定层的远离第一基板的一面与隔离结构的远离第一基板的一面齐平，或在远离第一基板方向上，第一像素限定层的远离第一基板的一面凸出于隔离结构的远离第一基板的一面；或者支撑柱远离第一基板的一面与隔离结构的远离第一基板的一面齐平，或在远离第一基板方向上，支撑柱远离第一基板的一面凸出于隔离结构的远离第一基板的一面；由此，可防止隔离结构影响第一像素限定层或支撑柱对蒸镀用掩模板的支撑效果。

优选地，隔离槽的深度小于第一像素开口的深度，即隔离槽未贯穿第一像素限定层，位于隔离槽处的第一电极的表面覆盖一层第一像素限定层，此时，在整面形成第二电极时，可防止因第二电极沿隔离槽侧壁延伸至隔离槽底部而导致的第二电极与第一电极短接，进而防止显示面板显示异常。优选地，隔离结构的厚度范围为1μm～2μm，在保证隔离结构的厚度大于第二电极的厚度，实现对第二电极隔断功能的同时，保证隔离结构的高度小于或等于第一像素限定层的高度。本实施例对隔离槽的深度不作限制，只要可以使隔离结构位于隔离槽内且隔离结构可以实现第二电极的隔断作用即可。

优选地，隔离槽包括两个相对的且平行于隔离槽的延伸方向的侧壁，隔离结构与至少一个侧壁不接触。由此，隔离结构与侧壁相邻的至少一个侧边不与第一像素限定层接触，进而可在隔离结构的至少一侧边处实现相邻两个像素区的第二电极的隔断。

可选地，可继续参考图3，隔离结构4具体可包括层叠的支撑部41和隔断部42，支撑部41与隔离槽201的底部接触，隔断部42的靠近相邻像素区的至少一侧凸出于支撑部41设置。其中，支撑部41其支撑和垫高隔断部42的作用，避免第二电极23的厚度大于隔离结构4厚度而导致第二电极23与导电层24电连接，进而造成相邻两个像素区的第二电极23电连接，使得显示异常；同时，隔断部42的靠近相邻像素区的至少一侧凸出于支撑部41设置，可使得第二电极23靠近隔断部42的至少一侧的部分落入隔离槽201的底部，从而使得第二电极23与导电层24断开，实现相邻两个像素区的第二电极23的隔断。

可选地，支撑部和隔断部一体成型；隔离结构呈T型或者倒梯形；隔离结构的材料为透明有机胶；透明有机胶为光敏胶。

可选地，在隔离结构的延伸方向上，隔离结构的宽度连续变化或间断变化，隔离结构的延伸方向平行于第一基板，隔离结构的宽度为隔离结构在第一基板上的正投影，在垂直于隔离结构的延伸方向上的尺寸；可选地，正投影的靠近像素区的至少一侧边为非直线形；优选地，非直线形包括折线段、弧形和波浪形中的至少一种。由于外部光线经过隔离结构时会出现衍射现象，衍射是光波遇到障碍物时偏离原来直线传播的物理现象。具体地，光波在穿过狭缝、小孔或圆盘之类的障碍物后会发生不同程度的弯散传播。当外部光线经过隔离结构时，隔离结构作为障碍物会导致光线经过时产生衍射，其衍射条纹位置由各处的最大宽度决定。因此设置隔离结构在其延伸方向具有变化的最大宽度，外部光线在不同最大宽度位置处产生的衍射条纹的位置不同，从而使得衍射不明显，达到改善衍射的效果。

图5是本发明实施例提供的显示面板的俯视图；图6是本发明实施例提供的显示面板第二显示区的部分剖面图。如图5和图6所示，在本发明另一实施例中，显示面板还包括第二显示区200，第二显示区200具有第二子像素6，第二显示区200包括：

第二基板5；位于第二基板5一侧的第三电极61和第二像素限定层7，第二像素限定层7位于第三电极61上；第二像素限定层7包括多个第二像素开口301，每个第二像素开口301内包括层叠的第二发光层62和第四电极63，第二子像素6包括第三电极61、第二发光层62和第四电极63。

可选地，第二子像素6为主动驱动方式发光。

可选地，第三电极61为块状电极，第四电极63为面电极。

可选地，第二显示区200完全或部分围绕第一显示区100。

可选地，第二基板和第一基板相拼接，或者第二基板和第一基板为一体结构。本实施例中，第二基板5可以是柔性基板，也可以是刚性基板，并且可以为透光基板，也可为非透光基板。另外，第二基板5和第一基板1可为一体结构，在第二基板5和第一基板1分别形成第二显示区200和第一显示区100，也可以是不同的基板结构，在形成整个显示面板结构时，再将第二基板5和第一基板1进行拼接。第三电极61可以是阳极，第四电极63可以是阴极。

优选地，第一显示区100和第二显示区200的部分膜层位于同一层，其中，第一显示区100和第二显示区200的部分膜层位于同一层满足以下至少一种情况：参考图3和图6，第一电极21和第三电极61位于同一层，第一像素限定层3和第二像素限定层7位于同一层，第一发光层22和第二发光层62位于同一层，第二电极23和第四电极63位于同一层。将第一显示区100和第二显示区200的部分膜层设置于同一层，在制作显示面板时，第一显示区100和第二显示区200中位于同一层的膜层可以同时制作，形成一体结构的显示面板，进而简化工艺步骤，降低制备成本。另外，第二显示区的阵列基板还可以包括缓冲层81、栅极绝缘层82、层间绝缘层83和平坦化层84等透明膜层，此时，在同时制作第一显示区100和第二显示区200时，也可以在第一显示区100同时形成缓冲层81、栅极绝缘层82、层间绝缘层83和平坦化层84等透明膜层，以使得第一显示区100和第二显示区200的整体膜层厚度相匹配。第一显示区100和第二显示区200的各个膜层也可分开制作，使得第一显示区100和第二显示区200可以制作成更加灵活的形状，然后将第一显示区100和第二显示区200拼接在一起，例如第一显示区100可以是图5所示的矩形，还可以是水滴形，圆形，梯形，条形，或者与显示面板显示时状态栏的形状大小相切合，本发明在此不做具体限定。本实施例提供的显示面板，可实现全面屏显示。

优选地，所述第一显示区为透明显示区；优选地，所述透明显示区的透光率大于70％；优选地，所述第一电极为透明电极，所述透明电极的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡及掺杂银的氧化铟锌中的至少一种。

可选地，显示面板还包括第四电极远离基底一侧的依次设置的封装层、偏光片和盖板，其中，偏光片至少位于第二显示区。

本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可为手机、电脑、智能手表、智能手环等设备。图7是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图7所示，该显示装置包括：

设备本体300，具有器件区400；

以及本发明实施例提供的显示面板，覆盖在设备本体300上；

其中，器件区400位于显示面板的第一显示区100下方，且器件区400中设置有透过第一显示区100发射或者采集光线的感光器件。可选地，感光器件2可以包括：摄像头和/或光线感应器；光线感应器包括：虹膜识别传感器以及指纹识别传感器中的一种或组合。

本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，图8是本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图；图9-图14是本发明实施例提供的制作显示面板时的中间结构图。本发明实施例提供的显示面板的制作方法，包括：

步骤110、提供第一基板。

其中，第一基板可以为透光基板。

步骤120、在第一基板的一侧依次形成第一电极和第一像素限定层。

其中，第一像素限定层包括像素区和隔离区。参考图9，在第一基板1的一侧依次形成第一电极21和第一像素限定层3。

步骤130、在每个像素区形成至少一个第一像素开口，暴露出第一电极，且在每个隔离区形成一个隔离槽。

参考图10，在每个像素区形成至少一个第一像素开口101，暴露出第一电极21，且在每个隔离区形成一个隔离槽201。

步骤140、在隔离槽内形成隔离结构。

可选地，参考图11，整面沉积一层牺牲层91，优选地，牺牲层的材料为氧化铟锌或氧化铟镓锌，或者，牺牲层的材料为钼或钛，以便后续采用湿法刻蚀去除牺牲层91。

参考图12，在位于隔离槽201底部的牺牲层91上形成开口401，本实施例可采用光刻及刻蚀(湿法刻蚀或干法刻蚀)工艺对牺牲层91进行刻蚀，以形成开口401。

参考图13，整面形成隔离结构层，其中，隔离结构层完全填充开口且高出开口；图案化隔离结构层，形成隔离结构4，其中，隔离结构4填充于开口中的部分为隔离结构4的支撑部，隔离结构4覆盖牺牲层91的部分为牺牲层91的隔断部。本实施例中，隔离结构层的材料可以为透明无机材料或透明有机材料。当隔离结构层的材料为透明无机材料时，可以为二氧化硅和氮化硅等，各个隔离结构4可以通过光刻以及干法刻蚀或湿法腐蚀形成。当隔离结构层的材料为透明有机材料时，优选为透明有机胶，透明有机胶的流动性强、填充效果好且容易固化，因此可有效填充上述开口401且可形成牢固的隔离结构4。优选地，隔离结构层的材料为光敏胶，光敏胶可以是正性胶或负性胶，由此仅通过光刻工艺(曝光和显影)即可形成隔离结构4，从而避免了对隔离结构层进行干法刻蚀或湿法刻蚀，工艺简单。

最后，参考图14，去除剩余牺牲层。本实施例可采用湿法刻蚀方法去除剩余牺牲层，示例性地，当牺牲层的材料为氧化铟锌或氧化铟镓锌时，湿法刻蚀的刻蚀液可以为草酸，此时，牺牲层的刻蚀选择比较大，不会导致过刻，即刻蚀牺牲层不会影响第一像素限定层及第一电极。需要说明的是，虽然第一电极21的材料可以为氧化铟锡，但第一电极21的氧化铟锡需经高温退火处理。而草酸无法腐蚀经高温退火处理的氧化铟锡，因而，去除牺牲层时，不会刻蚀第一电极21。当牺牲层的材料为钼或钛，湿法刻蚀的刻蚀液包括硝酸、醋酸和磷酸的混合液。

可选地，牺牲层的厚度大于第二电极的厚度。由于隔离结构层填充于牺牲层开口中的部分形成了隔离结构的支撑部，因此，牺牲层的厚度限定了隔离结构的支撑部的厚度，设置牺牲层的厚度大于第二电极的厚度，可使制作的隔离结构的支撑部的厚度大于第二电极的厚度，从而可避免后续形成的第二电极与隔离结构上的导电层电接触，保证各像素区的第二电极相互断开。

可选地，隔离结构的厚度范围为1μm～2μm。由此可在保证隔离结构的厚度大于第二电极的厚度，实现对第二电极隔断功能的同时，保证隔离结构的高度小于或等于第一像素限定层的高度。

目前，现有隔离结构的制作工艺普遍存在隔离结构的附着力差的问题。本实施例通过设置一层牺牲层，以填充牺牲层开口的方式在牺牲层的开口处形成隔离结构，可有效提高隔离结构与隔离槽底部的附着力，防止隔离结构脱落。

另外，优选地，在去除剩余牺牲层之前，还可包括：对隔离结构进行烘烤。由此可固定隔离结构，防止隔离结构塌陷。

步骤150、在暴露出的第一电极上形成第一发光层。

步骤160、整面蒸镀第二电极材料，第二电极材料由隔离结构隔断形成多个第二电极。

示例性地，可参考图3，在暴露出的第一电极21上形成第一发光层22，即在第一像素开口101中蒸镀有机发光材料，形成第一发光层22；接着整面蒸镀第二电极材料，第二电极材料由隔离结构4隔断形成多个第二电极23。

本实施例提供的显示面板的制作方法，通过设置第一显示区包括透光的第一基板，在第一基板上形成依次层叠的第一电极和第一像素限定层，在第一像素限定层的隔离区形成隔离槽，并在隔离槽内设置隔离结构，在第一显示区整面形成第二电极时，隔离结构可以将第二电极在隔离结构处自动隔断，从而隔断相邻两个像素区的第二电极，避免因刻蚀第二电极而对第一显示区的第一子像素造成影响；同时，由于第一像素限定层的厚度较大，隔离结构设置于第一像素限定层的隔离槽内，因此，隔离结构的厚度不受显示面板厚度的限制，可以通过设置较厚的隔离结构，保证第二电极完全隔断。另外，通过设置一层牺牲层，以填充牺牲层开口的方式在牺牲层的开口处形成隔离结构，可有效提高隔离结构与隔离槽底部的附着力，防止隔离结构脱落。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，至少包括第一显示区，所述第一显示区具有第一子像素，所述第一显示区包括：

第一基板，所述第一基板为透光基板；

位于所述第一基板一侧的第一电极和第一像素限定层，所述第一像素限定层位于所述第一电极上；

其中，所述第一像素限定层包括多个像素区和隔离区；每个所述像素区包括至少一个第一像素开口，每个所述第一像素开口内包括层叠的第一发光层和第二电极，所述第一子像素包括所述第一电极、所述第一发光层和所述第二电极；每个所述隔离区包括一个隔离槽，所述隔离槽内设置有隔离结构，所述隔离结构用于隔断相邻两个所述像素区的所述第二电极。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素为被动驱动方式发光；所述像素区和所述隔离区在第一方向上交替排布，每个所述像素区包括至少一个沿第二方向排布的所述第一像素开口，所述隔离槽及所述隔离结构均沿所述第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相交。

3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述隔离结构的高度小于或等于所述第一像素限定层的高度；或者，所述第一像素限定层上设置有支撑柱，所述支撑柱用于支撑蒸镀用掩模板，所述隔离结构的高度小于或等于所述支撑柱的高度；

优选地，所述隔离槽的深度小于所述第一像素开口的深度；

优选地，所述隔离结构的厚度范围为1μm～2μm；

优选地，所述隔离槽包括两个相对的且平行于所述隔离槽的延伸方向的侧壁，所述隔离结构与至少一个所述侧壁不接触。

4.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述隔离结构包括层叠的支撑部和隔断部，所述支撑部与所述隔离槽的底部接触，所述隔断部的靠近相邻像素区的至少一侧凸出于所述支撑部设置；

优选地，所述支撑部和所述隔断部一体成型；

优选地，所述隔离结构呈T型或者倒梯形；

优选地，所述隔离结构的材料包括透明有机胶；

优选地，所述透明有机胶包括光敏胶。

5.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，在所述隔离结构的延伸方向上，所述隔离结构的宽度连续变化或间断变化，所述隔离结构的延伸方向平行于所述第一基板，所述隔离结构的宽度为所述隔离结构在所述第一基板上的正投影，在垂直于所述隔离结构的延伸方向上的尺寸；

优选地，所述正投影的靠近所述像素区的至少一侧边为非直线形；

优选地，所述非直线形包括折线段、弧形和波浪形中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第二显示区，所述第二显示区具有第二子像素，所述第二显示区包括：

第二基板；位于所述第二基板一侧的第三电极和第二像素限定层，所述第二像素限定层位于所述第三电极上；所述第二像素限定层包括多个第二像素开口，每个所述第二像素开口内包括层叠的第二发光层和第四电极，所述第二子像素包括所述第三电极、所述第二发光层和所述第四电极；

优选地，所述第二子像素为主动驱动方式发光；

优选地，所述第三电极为块状电极，所述第四电极为面电极；

优选地，所述第二显示区完全或部分围绕所述第一显示区；

优选地，所述第二基板和所述第一基板相拼接，或者所述第二基板和所述第一基板为一体结构；

优选地，所述第一显示区和所述第二显示区的部分膜层位于同一层，其中，所述第一显示区和所述第二显示区的部分膜层位于同一层满足以下至少一种情况：所述第一电极和所述第三电极位于同一层，所述第一像素限定层和所述第二像素限定层位于同一层，所述第一发光层和所述第二发光层位于同一层，所述第二电极和所述第四电极位于同一层；

优选地，所述第一显示区为透明显示区；

优选地，所述透明显示区的透光率大于70％；

优选地，所述第一电极为透明电极，所述透明电极的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡及掺杂银的氧化铟锌中的至少一种；

优选地，所述显示面板还包括至少位于所述第二显示区的偏光片，所述偏光片位于所述第二像素限定层远离所述第二基板的一侧。

7.一种显示装置，其特征在于，包括：

设备本体，具有器件区；

以及如权利要求1-6任一所述的显示面板，覆盖在所述设备本体上；

其中，所述器件区位于所述显示面板的第一显示区下方，且所述器件区中设置有透过所述第一显示区发射或者采集光线的感光器件。

8.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一基板，其中，所述第一基板为透光基板；

在所述第一基板的一侧依次形成第一电极和第一像素限定层，其中，所述第一像素限定层包括多个像素区和隔离区；

在每个所述像素区形成至少一个第一像素开口，暴露出第一电极，且在每个所述隔离区形成一个隔离槽；

在所述隔离槽内形成隔离结构；

在暴露出的第一电极上形成第一发光层；

整面蒸镀第二电极材料，所述第二电极材料由所述隔离结构隔断形成多个第二电极。

9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述隔离槽内形成隔离结构，包括：

整面沉积一层牺牲层；

在位于所述隔离槽底部的牺牲层上形成开口；

整面形成隔离结构层，其中，所述隔离结构层完全填充所述开口且高出所述开口；

图案化所述隔离结构层，形成所述隔离结构；

去除剩余所述牺牲层；

优选地，所述牺牲层的厚度大于所述第二电极的厚度；

优选地，所述隔离结构的厚度范围为1μm～2μm；

优选地，在去除剩余所述牺牲层之前，还包括：

对所述隔离结构进行烘烤。

10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在位于所述隔离槽底部的牺牲层上形成开口，包括：

采用光刻和湿法刻蚀在位于所述隔离槽底部的牺牲层上形成开口；

优选地，去除剩余所述牺牲层，包括：

采用湿法刻蚀去除所述牺牲层；

优选地，所述牺牲层的材料为氧化铟锌或氧化铟镓锌，湿法刻蚀的刻蚀液包括草酸；

优选地，所述牺牲层的材料为钼或钛，湿法刻蚀的刻蚀液包括硝酸、醋酸和磷酸的混合液。

Images