CN116709832A - 屏下摄像显示屏和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种屏下摄像显示屏和显示装置。屏下摄像显示屏具有显示区和非显示区。显示区包括屏下摄像区，非显示区包括至少一个拐角区域。屏下摄像区靠近拐角区域设置。屏下摄像显示屏包括像素电路，像素电路包括第一像素电路，第一像素电路用于驱动屏下摄像区对应的发光器件发光。其中，第一像素电路设置于靠近屏下摄像区的拐角区域内。本申请通过将驱动屏下摄像区对应的发光器件发光的第一像素电路设置于非显示区的拐角区域，利用拐角区域的剩余空间放置第一像素电路，从而避免第一像素电路占用屏下摄像区的面积，以提升屏下摄像区的透光率，从而使屏下摄像区具备透光和显示的双重功能，并提升屏下摄像显示屏的屏占比。

Description

屏下摄像显示屏和显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种屏下摄像显示屏和显示装置。

背景技术

随着显示技术突飞猛进，前置摄像头变成了追求高屏占比的一道壁垒。在现有技术中，为了实现前置摄像，采用了降低摄像头区域分辨率、挖槽、开孔和升降式摄像头等妥协的设计。

然挖槽开孔的设计影响美观，无法达到超高屏占比，升降式摄像头需要额外的机械结构支持，存在易损的风险。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种屏下摄像显示屏和显示装置，解决现有技术中前置摄像难以达到高屏占比的问题。

为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种屏下摄像显示屏，所述屏下摄像显示屏具有显示区和非显示区；所述显示区包括屏下摄像区；所述非显示区包括至少一个拐角区域；所述屏下摄像区靠近所述拐角区域设置；所述屏下摄像显示屏包括：

像素电路，所述像素电路包括第一像素电路，所述第一像素电路用于驱动所述屏下摄像区对应的发光器件发光；

其中，所述第一像素电路设置于靠近所述屏下摄像区的所述拐角区域内。

其中，所述非显示区包围所述显示区设置，所述非显示区还包括侧边非显示区，所述拐角区域位于相邻两条所述侧边非显示区的交接区域。

其中，所述第一像素电路所在的所述拐角区域还用于设置驱动所述显示区的栅极驱动电路。

其中，所述像素电路还包括第二像素电路，所述显示区还包括非屏下摄像区；所述第二像素电路用于驱动所述非屏下摄像区对应的所述发光器件发光。

其中，所述屏下摄像区包括屏下像素区和设置于所述屏下像素区之间的透光区，所述屏下像素区对应所述发光器件设置。

其中，所述屏下摄像显示屏包括驱动基板，所述驱动基板包括衬底，以及依次形成于所述衬底一侧的第一金属层、第二金属层和第三金属层；

所述第一金属层用于形成遮光金属层；

所述第二金属层用于形成绝缘设置的第一栅极和第二栅极；

所述第三金属层用于形成彼此绝缘设置的第一源极、第二源极、第一漏极和第二漏极；

其中，所述第一栅极、所述第一漏极和所述第一源极用于形成所述第一像素电路的驱动晶体管，所述驱动晶体管用于控制所述发光器件的电流；所述第二栅极、第二源极和所述第二漏极用于形成所述第一像素电路的开关晶体管；在所述第一像素电路中，所述开关晶体管连接于所述发光器件与所述驱动晶体管之间；

所述发光器件的阳极与所述开关晶体管的第二漏极通过过孔引线层连接，所述过孔引线层在垂直于所述衬底的方向上与所述驱动晶体管的第一源极至少部分重叠设置以形成存储电容。

其中，所述驱动晶体管为顶栅结构，所述遮光金属层分别与所述驱动晶体管的第一栅极和所述驱动晶体管的第一源极连接，以形成双栅晶体管。

其中，所述屏下摄像显示屏还包括设置于所述驱动基板远离所述衬底一侧的发光器件层，所述发光器件层包括像素定义层、间隔件和所述发光器件，所述像素定义层具有开口，所述发光器件设置于所述开口；所述间隔件设置于所述像素定义层远离所述衬底的一侧且避让所述开口设置；

其中，所述间隔件包括导电层和设置于所述导电层远离所述衬底一侧的绝缘阻隔层；所述发光器件的阴极与所述导电层连接。

其中，所述发光器件为有机发光二极管。

为了解决上述技术问题，本申请提供的第二个技术方案为：提供一种显示装置，其中，所述显示装置包括上述的屏下摄像显示屏和摄像模组；

所述屏下摄像显示屏具有相对设置的出光侧和非出光侧，所述摄像模组设置于所述屏下摄像显示屏的非出光侧，且对应屏下摄像区设置。

本申请的有益效果：区别于现有技术，本申请提供了一种屏下摄像显示屏和显示装置，屏下摄像显示屏具有显示区和非显示区。显示区包括屏下摄像区，非显示区包括至少一个拐角区域。屏下摄像区靠近拐角区域设置。屏下摄像显示屏包括像素电路，像素电路包括第一像素电路，第一像素电路用于驱动屏下摄像区对应的发光器件发光。其中，第一像素电路设置于靠近屏下摄像区的拐角区域内。本申请通过将驱动屏下摄像区对应的发光器件发光的第一像素电路设置于非显示区的拐角区域，利用拐角区域的剩余空间放置第一像素电路，从而避免第一像素电路占用屏下摄像区的面积，以提升屏下摄像区的透光率，从而使屏下摄像区具备透光和显示的双重功能，并提升屏下摄像显示屏的屏占比。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出任何创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本申请提供的屏下摄像显示屏一实施例的结构示意图；

图2是图1中A处的局部放大示意图；

图3是本申请提供的像素排布一实施例的局部结构示意图；

图4是图3中H处的放大结构示意图；

图5是图3中K处的放大结构示意图；

图6是本申请提供的阵列基板和像素器件层一实施例的纵截面结构示意图；

图7是本申请提供的第一像素电路一实施例的结构示意图；

图8是本申请提供的显示装置一实施例的结构示意图。

附图标号说明：

屏下摄像显示屏100、显示区10、屏下摄像区11、屏下像素区111、透光区112、非屏下摄像区12、非显示区20、拐角区域21、第一拐角区域210、空余布线空间211、侧边非显示区22、红像素R、蓝像素B、绿像素G、像素单元30、驱动基板40、衬底41、绝缘层410、第一金属层42、遮光金属层420、第二金属层43、第一栅极G1、第二栅极G2、第三金属层44、第一源极S1、第二源极S2、第一漏极D1、第二漏极D2、缓冲层45、层间介质层46、钝化层47、平坦层48、过孔引线层49、过孔引线490、发光器件层50、像素定义层51、开口510、间隔件52、导电层521、绝缘阻隔层522、发光器件53、阴极531、阳极532、发光层533、有效GOA单元60、第一像素电路70、驱动晶体管DTFT、有源层ACT1/ACT2、开关晶体管STFT、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、电容C、第一控制信号GA、第二控制信号GB、第一发光控制信号EM1、第二发光控制信号EM2、初始信号Vint、电源电压VDD、数据电压Vdata、低电位信号线VSS、出光侧101、非出光侧102、摄像模组200。

具体实施方式

下面结合说明书附图，对本申请实施例的方案进行详细说明。

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定***结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请。

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

请参阅图1和图2，图1是本申请提供的屏下摄像显示屏一实施例的结构示意图，图2是图1中A处的局部放大示意图。

本申请提供一种屏下摄像显示屏100。屏下摄像显示屏100具有显示区10和非显示区20。显示区10包括屏下摄像区11，非显示区20包括至少一个拐角区域21。屏下摄像区11靠近拐角区域21设置。屏下摄像显示屏100包括像素电路，像素电路包括第一像素电路70，第一像素电路70用于驱动屏下摄像区11对应的发光器件53（如图6所示）发光。其中，第一像素电路70设置于靠近屏下摄像区11的拐角区域21内。本申请通过将驱动屏下摄像区11对应的发光器件53发光的第一像素电路70设置于非显示区20的拐角区域21，利用拐角区域21的剩余空间放置第一像素电路70，从而避免第一像素电路70占用屏下摄像区11的面积，以提升屏下摄像区11的透光率，从而使屏下摄像区11具备透光和显示的双重功能，并提升屏下摄像显示屏100的屏占比。

非显示区20包围显示区10设置，非显示区20还包括侧边非显示区22，拐角区域21位于相邻两条侧边非显示区22的交接区域。侧边非显示区22设置于显示区10的侧边。

在本实施例中，非显示区20环绕显示区10设置，即，非显示区20设置于显示区10的四周。屏下摄像显示屏100为矩形。也就是说，非显示区20包括四个侧边非显示区22和四个拐角区域21。第一像素电路70设置于一个拐角区域21内。第一拐角区域210位于屏下摄像显示屏100的左上角。

应当可以理解，第一拐角区域210可以位于屏下摄像显示屏100的右上角、左下角和右下角中的任意一个，可以根据实际需求进行选择。

第一像素电路70所在的拐角区域21还用于设置驱动显示区10的栅极驱动电路（图未示）。第一像素电路70连接发光器件53的一端通过引线引入显示区10与发光器件53连接。

栅极驱动电路包括多级级联的有效GOA（Gate Driven on Array，阵列基板栅极驱动）单元60(也可以称为有效栅极驱动电路)以及虚拟GOA单元(即Dummy GOA单元，也可以称为虚拟栅极驱动电路)。其中，有效GOA单元60与位于显示区10的栅线（图未示）连接，而虚拟GOA单元不连接栅线，从而使得有效GOA单元60和虚拟GOA单元的负载不同。在现有技术中，拐角区域21除了设置有效GOA单元60外，还会多出空余布线空间211，一般会在多出的空余布线空间211内填充虚拟GOA单元。

本申请保留拐角区域21内有效GOA单元60的正常排布，去除掉空余布线空间211内填充的虚拟GOA单元，将第一像素电路70设置于拐角区域21内的空余布线空间211，在不影响拐角区域21内的栅极驱动电路的正常功能的情况下，避免第一像素电路70占用屏下摄像区11的面积，以提升屏下摄像区11的透光率，从而提升屏下摄像显示屏100的屏占比。

像素电路还包括第二像素电路（图未示），显示区10还包括非屏下摄像区12。第二像素电路用于驱动非屏下摄像区12对应的发光器件53发光。第二像素电路对应非屏下摄像区12设置，即，位于非屏下摄像区12的下方。

第一像素电路70的结构和第二像素电路的结构可以相同，也可以不同。此处对第一像素电路70的结构和第二像素电路的结构不作限制，根据实际需求选择即可。

需要说明的是，非屏下摄像区12为屏下摄像显示屏100的正常显示区域，前置摄像功能的使用并不影响非屏下摄像区12的画面的显示。屏下摄像区11在使用前置摄像功能的时候不显示画面。

在本实施中，屏下摄像区11靠近第一拐角区域210设置。屏下摄像区11设置于左上角区域。此处对屏下摄像区11的形状和大小不作限制，根据实际需求进行选择。

应当可以理解，当屏下摄像区域11靠近第一拐角区域210设置时，屏下摄像区11还可以位于左上角与右上角的中间区域，且靠近左上角区域设置；还可以位于左上角与左下角的中间区域，且靠近左上角区域设置，只需保证屏下摄像区11靠近第一像素电路70所在的拐角区域21设置即可，以减少走线。

请参阅图1至图5，图3是本申请提供的像素排布一实施例的局部结构示意图，图4是图3中H处的放大结构示意图，图5是图3中K处的放大结构示意图。

屏下摄像区11包括屏下像素区111和设置于屏下像素区111之间的透光区112，屏下像素区111对应发光器件53设置。屏下像素区111用于设置像素以在不使用前置摄像功能时可以显示画面；透光区112用于在使用前置摄像功能时，能透射外界光线，从而使屏下摄像区11具备透光和显示的双重功能，实现屏下摄像区11的正常显示，提高屏下摄像显示屏100的屏占比。

下面以一种显示区10的像素排布为例对屏下摄像区11和非屏下摄像区12的像素排布进行说明。

非屏下摄像区12包括三种不用颜色的像素，分别为红像素R、蓝像素B和绿像素G，红像素R、蓝像素B和绿像素G各一个组成一个像素单元30。像素单元30呈阵列排布。每个像素单元30中，红像素R和绿像素G并排设置于蓝像素B的同一侧。像素与像素之间分布有绝缘阻隔层522。屏下摄像区11的像素排布方式与非屏下摄像区12的像素排布方式相同，在此基础上，如图5所示，屏下摄像区11还包括位于屏下像素区111之间的透光区112，透光区112会牺牲部分像素空间，使得像素单元30内各像素的发光面积减少。可以理解为，屏下摄像区11的像素密度小于非屏下摄像区12的像素密度。此处对透光区112的分布、形状和尺寸均不作限制，根据实际需求进行选择。其中，图5中圆形虚线表示摄像模组200的位置。需要说明的是，屏下摄像显示屏100不包括摄像模组200。

需要说明的是，本申请的显示区10的像素排布结构包括但不仅限于此。本申请的屏下摄像显示屏100适用于现有技术中各种像素排布结构。

请参阅图2、图6和图7，图6是本申请提供的阵列基板和像素器件层一实施例的纵截面结构示意图，图7是本申请提供的第一像素电路一实施例的结构示意图。

如图6所示，屏下摄像显示屏100包括驱动基板40，驱动基板40包括衬底41，以及依次形成于衬底41一侧的第一金属层42、第二金属层43和第三金属层44。

第一金属层42用于形成遮光金属层420。

第二金属层43用于形成绝缘设置的第一栅极G1和第二栅极G2。

第三金属层44用于形成彼此绝缘设置的第一源极S1、第二源极S2、第一漏极D1和第二漏极D2。

其中，第一栅极G1、第一漏极D1和第一源极S1用于形成第一像素电路70的驱动晶体管DTFT，驱动晶体管DTFT用于控制发光器件53的电流。第二栅极G2、第二源极S2和第二漏极D2用于形成第一像素电路70的开关晶体管STFT。在第一像素电路70中，开关晶体管STFT连接于发光器件53与驱动晶体管DTFT之间。发光器件53的阳极532与开关晶体管STFT的第二漏极D2通过过孔引线层49连接，过孔引线层49在垂直于衬底41的方向上与驱动晶体管DTFT的第一源极S1至少部分重叠设置以形成存储电容C。

驱动晶体管DTFT为顶栅结构，驱动晶体管DTFT还包括有源层ACT1。在驱动晶体管DTFT的底部设置遮光金属层420，使用前置摄像功能时，可以遮挡来自于摄像头的散射光，保护驱动晶体管DTFT性能不受光照影响。

在本实施例中，开关晶体管STFT也为顶栅结构，开关晶体管STFT还包括有源层ACT2。遮光金属层420分别与驱动晶体管DTFT的第一栅极G1和驱动晶体管DTFT的第一源极S1连接，以形成双栅晶体管。具体地，遮光金属层420与驱动晶体管DTFT的第一源极S1通过过孔引线490连接。可以理解为第一栅极G1、第一漏极D1、第一源极S1和遮光金属层420形成双栅晶体管，即，第一像素电路70中的驱动晶体管DTFT为双栅晶体管，遮光金属层420作为底栅使用。也就是说，在摄像头边缘区域利用自生底栅遮挡摄像头散射光，以保护驱动晶体管DTFT的性能不受光照影响。遮光金属层420的设置不仅可以起到遮光保护作用，还可以形成双栅晶体管提高驱动晶体管DTFT的使用性能从而提升发光器件53的发光性能。

在其他实施例中，遮光金属层420也可以独立设置，不需要与第一源极S1和第一栅极G1导通，遮光金属层420仅起到遮光保护作用。

驱动基板40还包括依次形成于衬底41一侧的绝缘层410、缓冲层45、层间介质层46、钝化层47和平坦层48。绝缘层410覆盖第一金属层42，缓冲层45设置于绝缘层410和第二金属层43之间，层间介质层46设置于第二金属层43和第三金属层44之间。绝缘层410和缓冲层45可以为相同的材质并由一道工序制备，也可以为不同的材料，此处不作限制，根据实际需求进行选择。钝化层47和平坦层48依次层叠设置于第三金属层44远离衬底41的一侧。过孔引线层49设置于钝化层47与平坦层48之间。发光器件53的阳极532穿过平坦层48与过孔引线层49连接。此处对绝缘层410、缓冲层45、层间介质层46、钝化层47和平坦层48的材料不作限制，根据实际需求进行选择。

屏下摄像显示屏100还包括设置于驱动基板40远离衬底41一侧的发光器件层50，发光器件层50包括像素定义层51、间隔件52和发光器件53，像素定义层51具有开口510，发光器件53设置于开口510。间隔件52设置于像素定义层51远离衬底41的一侧且避让开口510设置。其中，间隔件52包括导电层521和设置于导电层521远离衬底41一侧的绝缘阻隔层522。发光器件53的阴极531与导电层521连接。发光器件53还包括位于阴极531与阳极532之间的发光层533。绝缘阻隔层522之间限定像素，像素正对开口510设置。

本申请通过设置间隔件52，区别于FMM（Fine Metal Mask，高精度金属掩膜版）工艺的整面蒸镀，在制备阴极531的过程中不需要增加镭射制程将阴极531图案化，可以简化制程。

发光器件53为有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）。

下面以一具体第一像素电路70为例进行说明。

如图7所示，第一像素电路70除了包括驱动晶体管DTFT和开关晶体管STFT之外，还包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和电容C。第一晶体管T1的控制端和第二晶体管T2的控制端均接入第一控制信号GA。第一晶体管T1用于接入初始信号Vint以对第一像素电路70进行复位清零。第三晶体管T3响应于第二控制信号GB，用于接入数据电压，给电容C充电。第四晶体管T4响应于第一发光控制信号EM1，用于接入电源电压VDD。开关晶体管STFT的控制端（即，第二栅极G2）接入第二发光控制信号EM2。发光器件53的阴极531与低电位信号线VSS连接。第一像素电路70的具体电路连接关系如图7所示，此处不作过多描述。

需要说明的是，本申请的第一像素电路70包括但不仅限于此。

在本实施例中，第一像素电路70中除了驱动晶体管DTFT为四端器件，其余晶体管均为三端器件。四端器件指的是双栅晶体管。晶体管均为氧化物薄膜晶体管。本实施例中的驱动晶体管DTFT的开启速度相对较慢，亚阈值摆幅（Subthreshold swing，SS）更大，利于灰阶展开。其余晶体管的开启速度快，开关比大，适合做开关器件。

应当可以理解，在其他实施例中，其余晶体管中至少一个为四端器件。

本申请提供一种屏下摄像显示屏100。屏下摄像显示屏100具有显示区10和非显示区20。显示区10包括屏下摄像区11，非显示区20包括至少一个拐角区域21。屏下摄像区11靠近拐角区域21设置。屏下摄像显示屏100包括像素电路，像素电路包括第一像素电路70，第一像素电路70用于驱动屏下摄像区11对应的发光器件53发光。其中，第一像素电路70设置于靠近屏下摄像区11的拐角区域21内。本申请通过将驱动屏下摄像区11对应的发光器件53发光的第一像素电路70设置于非显示区20的拐角区域21，利用拐角区域21的剩余空间放置第一像素电路70，从而避免第一像素电路70占用屏下摄像区11的面积，以提升屏下摄像区11的透光率，从而使屏下摄像区11具备透光和显示的双重功能，并提升屏下摄像显示屏100的屏占比。

请参阅图8，图8是本申请提供的显示装置一实施例的结构示意图。

本申请提供一种显示装置，显示装置包括摄像模组200和上述的屏下摄像显示屏100。

屏下摄像显示屏100具有相对设置的出光侧101和非出光侧102，摄像模组200设置于屏下摄像显示屏100的非出光侧102，且对应屏下摄像区11设置。

摄像模组200包括摄像头。摄像头为前置摄像头。使用摄像头时，该屏下摄像区11不显示，使摄像头可以拍摄；不使用摄像头时，该屏下摄像区11可以显示，这样在保留摄像头功能的情况下可增大屏占比。

以上仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利保护范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种屏下摄像显示屏，所述屏下摄像显示屏具有显示区和非显示区；所述显示区包括屏下摄像区；所述非显示区包括至少一个拐角区域；所述屏下摄像区靠近所述拐角区域设置；所述屏下摄像显示屏包括：

像素电路，所述像素电路包括第一像素电路，所述第一像素电路用于驱动所述屏下摄像区对应的发光器件发光；

其特征在于，所述第一像素电路设置于靠近所述屏下摄像区的所述拐角区域内。

2.根据权利要求1所述的屏下摄像显示屏，其特征在于，所述非显示区包围所述显示区设置，所述非显示区还包括侧边非显示区，所述拐角区域位于相邻两条所述侧边非显示区的交接区域。

3.根据权利要求2所述的屏下摄像显示屏，其特征在于，所述第一像素电路所在的所述拐角区域还用于设置驱动所述显示区的栅极驱动电路。

4.根据权利要求1所述的屏下摄像显示屏，其特征在于，所述像素电路还包括第二像素电路，所述显示区还包括非屏下摄像区；所述第二像素电路用于驱动所述非屏下摄像区对应的所述发光器件发光。

5.根据权利要求1所述的屏下摄像显示屏，其特征在于，所述屏下摄像区包括屏下像素区和设置于所述屏下像素区之间的透光区，所述屏下像素区对应所述发光器件设置。

6.根据权利要求1所述的屏下摄像显示屏，其特征在于，所述屏下摄像显示屏包括驱动基板，所述驱动基板包括衬底，以及依次形成于所述衬底一侧的第一金属层、第二金属层和第三金属层；

所述第一金属层用于形成遮光金属层；

所述第二金属层用于形成绝缘设置的第一栅极和第二栅极；

所述第三金属层用于形成彼此绝缘设置的第一源极、第二源极、第一漏极和第二漏极；

其中，所述第一栅极、所述第一漏极和所述第一源极用于形成所述第一像素电路的驱动晶体管，所述驱动晶体管用于控制所述发光器件的电流；所述第二栅极、第二源极和所述第二漏极用于形成所述第一像素电路的开关晶体管；在所述第一像素电路中，所述开关晶体管连接于所述发光器件与所述驱动晶体管之间；

所述发光器件的阳极与所述开关晶体管的第二漏极通过过孔引线层连接，所述过孔引线层在垂直于所述衬底的方向上与所述驱动晶体管的第一源极至少部分重叠设置以形成存储电容。

7.根据权利要求6所述的屏下摄像显示屏，其特征在于，所述驱动晶体管为顶栅结构，所述遮光金属层分别与所述驱动晶体管的第一栅极和所述驱动晶体管的第一源极连接，以形成双栅晶体管。

8.根据权利要求7所述的屏下摄像显示屏，其特征在于，所述屏下摄像显示屏还包括设置于所述驱动基板远离所述衬底一侧的发光器件层，所述发光器件层包括像素定义层、间隔件和所述发光器件，所述像素定义层具有开口，所述发光器件设置于所述开口；所述间隔件设置于所述像素定义层远离所述衬底的一侧且避让所述开口设置；

其中，所述间隔件包括导电层和设置于所述导电层远离所述衬底一侧的绝缘阻隔层；所述发光器件的阴极与所述导电层连接。

9.根据权利要求1所述的屏下摄像显示屏，其特征在于，所述发光器件为有机发光二极管。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至9中任一项所述的屏下摄像显示屏和摄像模组；

所述屏下摄像显示屏具有相对设置的出光侧和非出光侧，所述摄像模组设置于所述屏下摄像显示屏的非出光侧，且对应屏下摄像区设置。