CN110462809B - 基片处理装置和基片输送方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施方式的基片处理装置包括承载器载置部(11)、基片载置部、第一输送装置(13)、多个处理部、第二输送装置(17)和控制部(18)。承载器载置部(11)载置收纳多个基片的承载器(C)。基片载置部能够载置多个基片。第一输送装置(13)在载置于承载器载置部(11)的承载器(C)与基片载置部之间输送基片。多个处理部处理基片。第二输送装置(17)在多个处理部与基片载置部之间输送基片。此外，控制部(18)以第一输送装置(13)从承载器(C)取出基片而将其载置到基片载置部并且从基片载置部取出基片而收纳到承载器(C)为止的所需时间以上的时间间隔，使第一输送装置(13)执行从承载器(C)取出基片而将其载置到基片载置部的取出动作。

Description

基片处理装置和基片输送方法
技术领域
本发明的实施方式涉及基片处理装置和基片输送方法。
背景技术
一直以来，已知用于处理半导体晶片、玻璃基片等基片的基片处理装置。例如，专利文献1中公开了一种基片处理装置，其包括：载置基片的基片载置部；在收纳多个基片的承载器与基片载置部之间输送基片的第一输送装置；处理基片的多个处理部；和在多个处理部与基片载置部之间输送基片的第二输送装置。
在专利文献1记载的基片处理装置中，第一输送装置从承载器取出多个基片，将取出的多个基片临时载置在基片载置部上。随后，第二输送装置从基片载置部逐一地取出基片并将它们输送到处理部。随后，当处理部中的处理完成时，第二输送装置从处理部取出已处理的基片，将取出的基片临时载置在基片载置部上。然后，第一输送装置从基片载置部取出多个基片并将它们送回到承载器。
如上所述，在专利文献1记载的基片处理装置中，利用基片载置部进行第一输送装置与第二输送装置之间的基片的交接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4767783号说明书
发明内容
发明要解决的技术问题
然而，专利文献1记载的基片处理装置在不使基片载置部中的所有基片在基片载置部滞留超过允许时间的方面尚有改进的空间。
实施方式的一个形态的目的在于提供基片处理装置和基片输送方法，其能够使得基片载置部中的所有基片不在基片载置部滞留超过允许时间。
用于解决技术问题的技术方案
实施方式的一个形态的基片处理装置包括承载器载置部、基片载置部、第一输送装置、多个处理部、第二输送装置和控制部。承载器载置部载置收纳多个基片的承载器。基片载置部能够载置多个基片。第一输送装置在载置于承载器载置部的承载器与基片载置部之间输送基片。多个处理部处理基片。第二输送装置在多个处理部与基片载置部之间输送基片。控制部控制第一输送装置、多个处理部和第二输送装置。控制部以第一输送装置从承载器取出基片而将其载置到基片载置部并且从基片载置部取出基片而收纳到承载器为止的所需时间以上的时间间隔，使第一输送装置执行从承载器取出基片而将其载置到基片载置部的取出动作。
发明效果
依照实施方式的一个形态，能够使得基片载置部中的所有基片不在基片载置部滞留超过允许时间。
附图说明
图1是表示本实施方式的基片处理***的概略构成的图。
图2是表示处理单元的概略构成的图。
图3是用于说明基片处理***中的晶片输送路径的图。
图4是表示控制装置的构成的一例的框图。
图5是表示输送控制部的构成的一例的框图。
图6是表示对第一输送装置的输送控制处理的内容的一例的流程图。
图7是表示路径确保条件的一例的图。
图8是用于说明抑制事件的执行的处理的图。
图9是表示路径再判断处理的内容的流程图。
图10是用于说明对第一输送装置的输送控制处理的变形例的图。
具体实施方式
在下文中，参照附图，详细说明本申请公开的基片处理装置和基片输送方法的实施方式。另外，本发明由以下所示的实施方式限定。
图1是表示本实施方式的基片处理***的概略构成的图。在下文中，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，并且设Z轴的正方向为铅垂向上的方向。
如图1所示，基片处理***1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3彼此相邻地设置。
送入送出站2包括承载器载置部11和输送部12。在承载器载置部11载置以水平状态收纳多个基片(在本实施方式中为半导体晶片(下文中称为晶片W))的多个承载器C。
输送部12与承载器载置部11相邻地设置，在内部具有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13具有保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并且绕铅垂轴转动，使用晶片保持机构在承载器C与交接部14之间进行晶片W的输送。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16排列地设置在输送部15的两侧。
输送部15在内部具有基片输送装置17。基片输送装置17包括保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并且绕铅垂轴转动，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的输送。
处理单元16对由基片输送装置17输送的晶片W进行规定的基片处理。
另外，基片处理***1包括控制装置4。控制装置4例如是计算机，包括控制部18和存储部19。存储部19存储用于控制在基片处理***1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读取并执行存储于存储部19的程序来控制基片处理***1的动作。
另外，上述程序也可以记录于计算机可读取存储介质中，从该存储介质安装到控制装置4的存储部19。计算机可读取存储介质的示例有硬盘(HD)，软盘(FD)，光盘(CD)，磁光盘(MO)和存储卡等。
在如上述那样构成的基片处理***1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于承载器载置部11的承载器C取出晶片W，将取出的晶片W载置到交接部14。载置于交接部14的晶片W由处理站3的基片输送装置17从交接部14取出后送入处理单元16。
被送入处理单元16的晶片W由处理单元16处理后，由基片输送装置17从处理单元16送出，载置到交接部14。然后，载置于交接部14的已处理的晶片W由基片输送装置13送回到承载器载置部11的承载器C。
接下来，参照图2，说明处理单元16。图2是表示处理单元16的概略构成的图。
如图2所示，处理单元16包括腔室20、基片保持机构30、处理流体供给部40和回收杯50。
腔室20收纳基片保持机构30、处理流体供给部40和回收杯50。在腔室20的顶部设置有FFU(Fan Filter Unit：风扇过滤器单元)21。FFU21在腔室20内形成下降流。
基片保持机构30包括保持部31、支柱部32和驱动部33。保持部31水平地保持晶片W。支柱部32是在铅垂方向上延伸的部件，根端部由驱动部33可旋转地支承，在前端部水平地支承保持部31。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴旋转。该基片保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转来使支承于支柱部32的保持部31旋转，从而使保持于保持部31的晶片W旋转。
处理流体供给部40对晶片W供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源70连接。
回收杯50以围绕保持部31的方式配置，收集因保持部31的旋转而从晶片W飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，由回收杯50收集的处理液从该排液口51排出到处理单元16的外部。此外，在回收杯50的底部形成有排气口52，该排气口52用于将从FFU21供给的气体排出到处理单元16外部。
接下来，参照图3，具体说明晶片W的输送路径。图3是用于说明基片处理***1中的晶片W的输送路径的图。
图3示出了从Y轴的负方向透视基片处理***1的简化侧视示意图。在下面的说明中，在基片输送装置13和17中，基片输送装置13被记载为“第一输送装置13”，基片输送装置17被记载为“第二输送装置17”。
首先，具体说明送入送出站2的构成。如图3所示，送入送出站2的输送部12包括送入送出室12a和交接室12b。
送入送出室12a与承载器载置部11相邻地设置，在内部配置有第一输送装置13。第一输送装置13包括晶片保持机构13a和移动机构13b。晶片保持机构13a能够保持一个晶片W。移动机构13b使晶片保持机构13a沿在垂直方向上延伸的垂直引导件13c升降。移动机构13b使晶片保持机构13a沿水平方向移动并使其绕铅垂轴旋转。
此处，第一输送装置13逐一地输送晶片W，但是第一输送装置13也可以包括能够保持多个晶片W的晶片保持机构，一次性输送多个晶片W。这一点将在后面说明。
交接室12b设置在送入送出室12a与处理站3之间，在内部配置有多个(这里是2个)交接部14。两个交接部14在高度方向(Z轴方向)上排列地配置。
各交接部14是“基片载置部”的一例，具有能够多层地载置多个晶片W的多个槽。在2个交接部14中上部交接部14载置对后面说明的上部输送部15送入送出的晶片W。在2个交接部14中下部交接部14载置对后面说明的下部输送部15送入送出的晶片W。
另外，各交接部14也可以分为供要送入输送部15的晶片W(即，由处理单元16处理前的晶片W)载置的单元和供要从输送部15送出的晶片W(即，由处理单元16已处理晶片W)载置的单元。在这种情况下，各单元只要能够载置至少一个晶片W即可。
接下来，具体说明处理站3的构成。如图3所示，处理站3包括多个(这里是2个)输送部15。输送部15在高度方向(Z轴方向)上排列地配置。
在各输送部15配置第二输送装置17。第二输送装置17包括第一晶片保持机构17a、第二晶片保持机构17b和移动机构17c。
第一晶片保持机构17a和第二晶片保持机构17b分别能够保持一个晶片W。具体而言，第一晶片保持机构17a保持由处理单元16处理前的晶片W(下文中，有时称为“未处理晶片W”)，第二晶片保持机构17b保持由处理单元16已处理晶片W(下文中，有时称为“已处理晶片W”)。
移动机构17c使第一晶片保持机构17a和第二晶片保持机构17b沿在水平方向(X轴方向)上延伸的水平引导件17d移动，使第一晶片保持机构17a和第二晶片保持机构17b沿在垂直方向上延伸的垂直引导件17e升降。此外，移动机构17c还使第一晶片保持机构17a和第二晶片保持机构17b沿与水平引导件17d的延伸方向正交的水平方向(Y轴方向)移动，并使其绕铅垂轴旋转。
虽然这里省略了图示，但是多个处理单元16配置在各输送部15。此外，在处理站3中，在下部输送部15的下方设置有空间。在该空间中例如配置有收纳着各种配管的配管箱和作为处理流体供给源70的药液罐。
接着，说明晶片W的输送路径。首先，第一输送装置13从承载器C取出一个未处理晶片W并将其载置到交接部14。随后，第二输送装置17从交接部14取出一个未处理晶片W并将其送入任一处理单元16。另外，载置于上部交接部14的未处理晶片W由上部第二输送装置17取出并被送入上部处理单元16。此外，载置于下部交接部14的未处理晶片W由下部第二输送装置17取出并被送入下部处理单元16。
随后，当处理单元16的处理完成时，第二输送装置17从处理单元16取出已处理晶片W并将其载置到交接部14。然后，第一输送装置13从交接部14取出已处理晶片W并将其收纳到承载器C。
如上所述，未处理晶片W从承载器C经由第一输送装置13、交接部14和第二输送装置17被送入处理单元16。此外，已处理晶片W从处理单元16经由第二输送装置17、交接部14和第一输送装置13被送回承载器C。
当处理晶片W时，从防止晶片W变质等观点出发，优选尽可能不使晶片W接触空气。
因此，在基片处理***1中，为了防止在处理单元16中处理中的晶片W与空气接触，将非活性气体(例如氮气)从处理单元16的FFU21供给到腔室20内。
另一方面，FFU 6也设置在送入送出室12a、交接部14和各输送部15的顶部上，将净化后的空气从FFU 6供给到送入送出室12a、交接部14和各输送部15。因此，为了尽可能地使晶片W不接触空气，优选缩短晶片W在送入送出室12a、交接室12b和输送部15中的滞留时间。
此处，虽然稍后将说明细节，但是在现有的基片处理装置中，发生了晶片W滞留在交接部14中的现象。因此，在本实施方式的基片处理***1中，适当地控制第一输送装置13从承载器C取出未处理晶片W的时刻，以便缩短晶片W在交接部14中的滞留时间。下面，具体说明这一点。
图4是表示控制装置4的构成的一例的框图。图4仅示出了控制装置4所具有的多个构成要素中的一部分。
如图4所示，控制装置4包括控制部18和存储部19。
控制部18例如包括具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微型计算机和各种电路。控制部18包括多个处理部，该多个处理部通过由CPU将RAM作为工作区域来执行存储于ROM中的程序而发挥作用。具体而言，控制部18包括方案执行部18a，信息收集部18b和输送控制部18c。方案执行部18a，信息收集部18b和输送控制部18c各自的一部分或全部可以由诸如ASIC(Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路)或FPGA(Field Programmable Gate Array：现场可编程门阵列)等硬件构成。
存储部19例如由诸如RAM、闪存(Flash Memory)等半导体存储元件或者诸如硬盘、光盘存储装置来实现。该存储部19存储方案信息19a和状态信息19b。
方案执行部18a根据方案信息19a控制处理单元16，从而使处理单元16执行对晶片W的处理。
例如，方案执行部18a根据方案信息19a控制处理单元16，从而使处理单元16执行处理，该处理包括对晶片W供给药液的药液处理、对晶片W供给冲洗液的冲洗处理和干燥晶片W的干燥处理。
方案信息19a是表示要使处理单元16执行的处理的内容的信息。具体而言，方案信息19a包括各处理的执行顺序、处理时间、要使用的处理流体的种类、处理流体的排出流量、处理流体供给部40的位置、保持部31的旋转速度等的信息。
信息收集部18b从设置于第一输送装置13、各第二输送装置17、各处理单元16和基片处理***1的各种传感器(未示出)等收集关于基片处理***1的状态的信息。此外，信息收集部18b将收集到的信息作为状态信息19b存储在存储部19中。
状态信息19b是关于基片处理***1的状态的信息。具体而言，状态信息19b至少包括关于“第一输送装置13的状态”“交接部14的状态”“第二输送装置17的状态”和“处理单元16的状态”的信息。
关于“第一输送装置13的状态”的信息和关于“第二输送装置17的状态”的信息中，包括是否保持晶片W、是否在移动中这样的信息。此外，关于“交接部14的状态”的信息中包括空槽数量的信息。另外，关于“处理单元16的状态”的信息包括是否完成了对晶片W的处理的开始准备、是否在腔室20内收纳了晶片W、是否正在执行对晶片W的处理这样的信息。
输送控制部18c基于状态信息19b控制第一输送装置13和第二输送装置17。
具体而言，输送控制部18c指示第一输送装置13执行“取出动作”和“回收动作”，指示第二输送装置17执行“送入动作”和“送出动作”。“取出动作”是从承载器C取出未处理晶片W并将其载置到交接部14的动作，“回收动作”是从交接部14取出已处理晶片W并将其送回到承载器C的动作。此外，“送入动作”是用于从交接部14取出未处理晶片W并将其送入处理单元16的动作。“送出动作”是从处理单元16取出已处理晶片W并将其载置到交接部14的动作。
这里，输送控制部18c基于状态信息19b，当未处理晶片W载置于交接部14时指示第二输送装置17执行“送入动作”，当处理单元16的处理结束时指示第二输送装置17执行“送出动作”。
另一方面，输送控制部18c在考虑了从前一次“取出动作”开始时刻起的经过时间和晶片W的输送路径的状况的时刻，指示第一输送装置13执行“取出动作”和“回收动作”。
此处，参照图5，说明输送控制部18c的具体构成的一例。图5是表示输送控制部18c的构成的一例的框图。此外，图5仅示出了输送控制部18c具有的多个构成要素中的一部分。
如图5所示，输送控制部18c包括时间判断部181、路径判断部182和指示部183。
时间判断部181判断从前一次“取出动作”的开始时刻起的经过时间是否已达到阈值。这里，设定为“阈值”的时间是第一输送装置13从承载器C取出未处理晶片W而将其载置到交接部14，到将已处理晶片W从交接部14取出而收纳到承载器C为止的所需时间(例如，20秒)以上的时间。
另外，例如，上述所需时间是使第一输送装置13进行如下动作的情况下最短的所需时间：从在预先决定的初始位置以预先决定的初始姿势待机的状态直到从承载器C取出未处理晶片W的动作；从承载器C取出未处理晶片W直到载置到交接部14的动作；从将未处理晶片W载置到交接部14直到从交接部14取出已处理晶片W的动作；从交接部14取出已处理晶片W直到送回到承载器C的动作；和从将已处理晶片W送回到承载器C直到回到初始位置和初始姿势的动作。
路径判断部182判断是否确保了晶片W的输送路径。这里，如使用图3所说明的那样，晶片W的输送路径包括从承载器C去到处理单元16的去路和从处理单元16回到承载器C的回路。基于状态信息19b，路径判断部182判断去路和回路是否被确保，即，判断是否能够无延迟地将未处理晶片W送入处理单元16，并且能够无延迟地使已处理晶片W返回承载器C。
在时间判断部181判断从前一次“取出动作”的开始时刻起的经过时间已经达到了阈值，并且路径判断部182判断为确保了晶片W的输送路径的情况下，指示部183指示第一输送装置13执行“取出动作”。
接下来，参照图6，说明对第一输送装置13的输送控制处理的内容。图6是表示对第一输送装置13的输送控制处理的内容的一例的流程图。
图6所示的输送控制处理例如按将一个承载器C包含的多个晶片W设为一组的处理单位来被执行。此外，在图6中，为了易于理解，虽然对于从承载器C取出第一个的处理和从承载器C取出处理单位中的所有晶片W之后的处理省略了图示，不过对这些处理也将在下面进行说明。
如图6所示，控制部18判断从由第一输送装置13进行的前一次取出动作的开始时刻起的经过时间是否已达到阈值(步骤S101)。具体而言，控制部18判断在后面说明的步骤S106中开始计时的结果是否已达到阈值。
在步骤S101中，当判断为从由第一输送装置13进行的前一次取出动作的开始时刻起的经过时间已达到阈值时(步骤S101，是)，控制部18使处理前进到步骤S102。另一方面，当判断为上述的经过时间没有达到阈值时(步骤S101，否)，控制部18反复进行步骤S101的判断处理，直到上述的经过时间达到阈值。
例如，由于在基片处理开始之后一段时间在交接部14中不存在已处理晶片W，因此第一输送装置13仅执行“取出动作”和“回收动作”中的“取出动作”。在仅执行“取出动作”的情况下，第一输送装置13成为能够以比进行“取出动作”和“回收动作”这两者的情况下所需的时间(例如，20秒)短的时间(例如，15秒)对下一晶片W进行“取出动作”的状态。
在这种状态下，如果使第一输送装置13以15秒的间隔执行“取出动作”，则第一输送装置13以比进行“取出动作”和“回收动作”这两者的情况下所需的时间短的15秒的间隔对下一晶片W进行“取出动作”。
另一方面，在从将已处理晶片W载置到交接部14起直到将所有未处理晶片W从承载器C取出的期间，第一输送装置13执行“取出动作”和“回收动作”这两者。
如上所述，第一输送装置13最短也需要20秒来执行“取出动作”和“回收动作”这两者。此处，基片处理***1被设定成能够使第二输送装置17以与第一输送装置13将未处理晶片W载置到交接部14的间隔相同的间隔，将已处理晶片W载置到交接部14。因此，在仅执行“取出动作”和“回收动作”中的“取出动作”期间从承载器C取出而被载置到交接部14的未处理晶片W，被视为已处理晶片W而以15秒的间隔被载置到交接部14。与此相对，第一输送装置13仅能够以最短20秒的间隔从交接部14取出已处理晶片W。结果，已处理晶片W滞留在交接部14中，有可能会长于允许时间地滞留。
于是，在本实施方式的基片处理***1中，进行“取出动作”和“回收动作”这两者所需的时间，即，第一输送装置13从承载器C取出未处理晶片W而将其载置到交接部14并且从交接部14取出已处理晶片W而将其收纳到承载器C为止所需的时间以上的时间经过之前，不指示第一输送装置13执行“取出动作”。
因此，能够防止来不及由第一输送装置13从交接部14取出已处理晶片W而已处理晶片W滞留在交接部14中。
此外，当要从承载器C取出的晶片W是处理单位中的第一个晶片时，控制部18省略步骤S101的处理而进行到步骤S102的处理。
随后，在步骤S102中，控制部18判断是否确保了晶片W的输送路径。具体而言，控制部18基于状态信息19b来判断基片处理***1的当前状态是否满足预先决定的路径确保条件。
此处，参照图7，说明路径确保条件的一例。图7是表示路径确保条件的一例的图。
如图7所示，作为路径确保条件例如有：第一输送装置13没有保持着晶片W(条件Q1)；在交接部14中存在未处理晶片W用的空槽(条件Q2)；第二输送装置17没有保持晶片W(条件Q3)；存在空置的处理单元16(条件Q4)；空置的处理单元16的处理开始准备已完成(条件Q5)；在交接部14中存在已处理晶片W用的空槽(条件Q6)。
其中，条件Q4中的“空置的处理单元16”是指在腔室20内没有收纳晶片W的状态的处理单元16。此外，条件Q5中的“处理开始准备已完成”是指在空置的处理单元16的腔室20内收纳了晶片W的情况下能够立即处理晶片W的状态。具体而言，这意味着能够从处理流体供给部40(参见图2)排出在对晶片W的一连串处理中使用的一种或多种处理流体。
控制部18基于状态信息19b判断当前的基片处理***1的状态是否满足上述条件Q1～Q6。然后，当满足条件Q1～Q6时，控制部18判断为确保了晶片W的输送路径(步骤S102，是)，使处理前进到步骤S103。另一方面，当不满足条件Q1～Q6时，即，当晶片W的输送路径没有被确保时(步骤S102，否)，控制部18反复进行步骤S102的处理，直到满足条件Q1～Q6。此外，当步骤S102的处理持续了规定刻间以上时，控制部18也可以进行输出错误信号等的异常对应处理。
当满足条件Q1和Q2时，第一输送装置13能够无延迟地进行“取出动作”。也就是说，当满足条件Q1时，第一输送装置13能够立即从承载器C取出未处理晶片W，当满足条件Q2时，能够将从承载器C取出的未处理晶片W载置到交接部14而不会在送入送出室12a内停滞。
此外，当满足条件Q3和Q4时，第二输送装置17能够无延迟地进行“送入动作”。也就是说，当满足条件Q3时，第二输送装置17能够立即从交接部14取出载置于交接部14的未处理晶片W。因此，能够缩短未处理晶片W在交接部14中的滞留时间。此外，当满足条件Q4时，第二输送装置17能够立即将从交接部14取出的未处理晶片W送入处理单元16而不会在输送部15内停滞。
当未处理晶片W被送入到腔室20时，处理单元16从FFU 21对腔室20内供给非活性气体。因此，晶片W在收纳于处理单元16的期间与空气隔离。
此外，当满足条件Q5时，处理单元16能够立即开始对未处理晶片W执行一连串处理。因此，能够尽可能地缩短晶片W在处理单元16内的滞留时间。此外，当满足条件Q6时，即，当确保了晶片W的输送路径中的回路时，第二输送装置17能够将从处理单元16送出的已处理晶片W立即载置到交接部14而不会在输送部15内停滞。
如上所述，通过在满足条件Q1～Q6的状态下指示第一输送装置13执行“取出动作”，能够尽可能地缩短晶片W在送入送出室12a、交接室12b和输送部15中的滞留时间。因此，依照本实施方式的基片处理***1，能够尽可能地缩短未处理晶片W接触空气的时间。
此外，控制部18也可以仅判断上述条件Q1～Q6中的条件Q2～Q4。当满足条件Q2～Q4时，即使不满足其他条件，也至少能够缩短未处理晶片W在交接部14中的滞留时间。
返回图6，在步骤S103中，控制部18例如基于状态信息19b来判断已处理晶片W是否载置在交接部14。然后，当已处理晶片W载置于交接部14时(步骤S103，是)，指示第一输送装置13执行“取出动作”和“回收动作”(步骤S104)。另一方面，当已处理晶片W没有载置在交接部14时(步骤S103，否)，控制部18指示第一输送装置13执行“取出动作”(步骤S105)。
随后，控制部18开始计时(步骤S106)。该计时结果用于下一次的步骤S101中的判断处理。
随后，控制部18例如基于状态信息19b判断是否已经从承载器C取出了处理单位中的所有未处理晶片W(步骤S107)。当在承载器C仍存留有未处理晶片W时(步骤S107，否)，使处理进行到步骤S101。在步骤S101中，如上所述，判断从前一次取出动作的开始时刻起的经过时间是否已达到阈值，至少在该判断的结果为肯定之后，指示执行下一次的“取出动作”。因此，控制部18以第一输送装置13从承载器C取出晶片W而将其载置到交接部14并且从交接部14取出晶片W而将其收纳到承载器C为止所需的时间以上的时间间隔，使第一输送装置13执行“取出动作”。此外，例如因晶片W滞留在处理单元16中等原因而未能满足路径确保条件时，继续“回收动作”而不进行“取出动作”。因此，已处理晶片W不会滞留在交接部14中。
在步骤S107中，判断为已从承载器C取出了处理单位中的所有未处理晶片W时(步骤S107，是)，每当将已处理晶片W载置到交接部14时，控制部18都指示第一输送装置13执行“回收动作”，直到将所有已处理晶片W收纳在承载器C为止，在所有已处理晶片W收纳于承载器C后，结束对第一输送装置13的输送控制处理。
如上所述，本实施方式的基片处理***1(基片处理装置的一例)包括承载器载置部11、交接部14(基片载置部的一例)、第一输送装置13、多个处理单元16(处理部的一例)、第二输送装置17和控制部18。承载器载置部11载置收纳多个晶片W(基片的一例)的承载器C。交接部14能够载置多个晶片W。第一输送装置13在载置于承载器载置部11的承载器C与交接部14之间输送晶片W。多个处理单元16处理晶片W。第二输送装置17在多个处理单元16与交接部14之间输送晶片W。控制部18控制第一输送装置13、多个处理单元16和第二输送装置17。此外，控制部18以第一输送装置13从承载器C取出晶片W而将其载置到交接部14并且从交接部14取出晶片W而将其收纳到承载器C为止所需的时间以上的时间间隔，使第一输送装置13执行从承载器C取出晶片W而将其载置到交接部14的取出动作。
因此，依照本实施方式的基片处理***1，能够防止交接部14中的所有晶片W长于允许时间地滞留在交接部14中。
(第一变形例)
在基片处理***1中，有时会发生与上述对晶片W的基片处理不同的各种事件。作为事件，例如有清洗处理单元16的腔室20内部的腔室清洗处理，或者从处理流体供给部40所具有的喷嘴排出处理液体的仿真分配处理。
各事件在预先决定的事件发生条件成立时发生。例如，当喷嘴不排出处理液的状态持续一段时间时，发生虚分配处理。
此时，当在执行基片处理的期间执行这些事件时，可能会发生晶片W的滞留。例如，在第一输送装置13将未处理晶片W载置到交接部14后发生了使用第二输送装置17的事件的情况下，第二输送装置17在直到事件结束的期间不能从交接部14取出未处理晶片W。结果，未处理晶片W将滞留在交接部14中。
因此，在基片处理***1中，当在执行基片处理的期间事件发生条件成立时，也可以抑制事件的执行。参照图8，说明这一点。图8是用于说明抑制事件的执行的处理的图。
如图8所示，例如，在执行对处理单位P1的基片处理的期间，使某一事件的事件发生条件成立。在这种情况下，控制装置4的控制部18抑制事件的执行，直到对处理单位P1的基片处理结束，即，直到在从承载器C取出处理单位P1包含的所有晶片W并且将取出的所有晶片W收纳于承载器C结束。
然后，在对处理单位P1的基片处理结束并且对下一处理单位P2的基片处理开始之前，控制部18指示执行在对处理单位P1的基片处理的处理的执行期间事件发生条件成立的事件。
如上所述，当在将多个晶片W作为处理对象的一个处理单位的处理的执行期间特定事件的发生条件成立的情况下，控制部18也可以在一个处理单位的处理已结束，另一个处理单位的处理开始之前，执行该事件。这样一来，能够使得在交接部14中难以发生晶片W的滞留。
(第二变形例)
例如，在第一输送装置13将未处理晶片W载置到交接部14之后，在空置的处理单元16中发生异常而不能够处理晶片W的情况下，未处理晶片W滞留在交接部14中，直到另一个处理单元16能够腾空出来。
于是，也可以在第一输送装置13将未处理晶片W载置到交接部14之后，在指示第二输送装置17执行“送入动作”之前，控制部18再次判断是否确保了从交接部14到处理单元16的路径，在路径没有被确保的情况下，使第二输送装置17执行用于避免晶片W与空气接触的规定的退让动作。
下面，参照图9，说明路径再判断处理的内容。图9是表示路径再判断处理的内容的流程图。
如图9所示，控制部18例如基于状态信息19b，来判断未处理晶片W是否载置在交接部14(步骤S201)。当未处理晶片W没有载置在交接部14时(步骤S201，否)，控制部18反复进行步骤S201的处理，直到将未处理晶片W载置到交接部14。
另一方面，当未处理晶片W载置于交接部14时(步骤S201，是)，控制部18判断是否确保了从交接部14到处理单元16的路径(步骤S202)。例如，当满足图7所示的条件Q3～Q6时，控制部18判断为确保了从交接部14到处理单元16的路径。
在步骤S202中，当判断为确保了从交接部14到处理单元16的路径时(步骤S202，是)，控制部18指示第二输送装置17执行“送入处理”(步骤S203)。
另一方面，当没有确保从交接部14到处理单元16的路径时(步骤S202，否)，控制部18指示第二输送装置17执行“退让动作”(步骤S204)。
此处，“退让动作”是将载置于交接部14的未处理晶片W送入充满了非活性气体的规定退让场所的处理。退让场所例如设置在交接室12b内的交接部14的上方或下方。例如，在退让场所，例如设置有能够将内部密封的腔室和用于对腔室内供给非活性气体的气体供给部。通过使晶片W退让到该退让场所，能够缩短晶片W暴露于空气的时间。
此外，也可以为当在空置的处理单元16中发生了异常时，如果能够在空置的处理单元16的腔室20内收纳晶片W并且能够从FFU 21对腔室20内供给非活性气体，则控制部18执行将从交接部14取出未处理晶片W并将其送入上述空置的处理单元16中的动作作为“退让动作”。由此，也能够缩短晶片W暴露于空气的时间。
(第三变形例)
在上述实施方式中，在基片处理***1的当前状态满足预先决定的路径确保条件的情况下，指示第一输送装置13执行“取出动作”。
然而，本发明不限于此，控制部18也可以预测满足路径确保条件的情况，在满足路径确保条件的时刻的规定刻间之前，指示第一输送装置13执行“取出动作”。
下面，参照图10来说明这一点。图10是用于说明对第一输送装置的输送控制处理的变形例的图。
如图10所示，例如，使当由第二输送装置17进行的“送出动作”结束时，满足路径确保条件(图7中所示的条件Q1～Q6)。在上述实施方式中，当路径确保条件成立时，即，在由第二输送装置17进行的“送出动作”结束之后，指示第一输送装置13执行“取出动作”(图10中所示的虚线表示的“取出动作”)。在该情况下，已处理晶片W在由第一输送装置13进行的“取出动作”结束后直到“回收动作”开始的期间将滞留在交接部14中。
另一方面，当由处理单元16进行的处理的剩余时间Xsec和“送出动作”的所需时间Ysec的合计时间为“取出动作”的所需时间Zsec以下时，变形例的控制部18指示第一输送装置13执行“取出动作”。
由此，第一输送装置13能够在于由第二输送装置17进行的“送出动作”结束的时刻相同的时刻结束“取出动作”，能够立即从交接部14中取出由第二输送装置17载置到交接部14的已处理晶片W并将其输送到承载器C。
这样一来，也可以为在判断为从前一次取出动作的开始时刻起的经过时间达到了阈值之后，在比所预计的从承载器C到处理单元16的晶片W的输送路径被确保的时刻提起“取出动作”以下的时间，控制部18指示第一输送装置13执行“取出动作”。由此，能够缩短已处理晶片W在交接部14中的滞留时间。
此外，控制部18例如能够基于方案信息19a和状态信息19b来计算直到由处理单元16进行的处理结束为止的剩余时间。此外，当处理单元16具有测量上述剩余时间的功能时，能够直接从处理单元16获取该剩余时间。此外，在该变形例中，在存储部19(参见图4)分别存储预先决定的时间作为“取出动作”和“送出动作”的所需时间，控制部18从存储部19获取这些信息。
(其他变形例)
在上述实施方式中，说明了第一输送装置13使用能够保持一个晶片W的晶片保持机构13a逐一地输送晶片W的情况的例子，不过也可以使用能够保持多个晶片W的晶片保持机构一次性地输送多个晶片W。
此外，在上述实施方式中，当从前一次“取出动作”的开始时刻起的经过时间达到阈值并且确保了晶片W的输送路径时，指示第一输送装置13执行“取出动作”。然而，控制部18不一定必须判断是否确保了晶片W的输送路径。即，无论是否确保了晶片W的输送路径，当从前一次“取出动作”的开始时刻起的经过时间达到阈值时，控制部18可以指示第一输送装置13执行“取出动作”。
另外，当存在多个空置的处理单元16时，控制部18可以根据由各空置的处理单元16进行的处理的执行次数来决定要送入未处理晶片W的空置的处理单元16。例如，控制部18可以从处理的执行次数较少的空置的处理单元16起依次送入未处理晶片W。由此，能够处理单元16之间的处理的执行次数不产生偏差。
另外，当基于同一方案信息执行两个连续的处理单位时，控制部18可以使用上部交接部14、第二输送装置17和多个处理单元16来执行一个处理单位，使用下部交接部14、第二输送装置17和多个处理单元16来执行另一个处理单位。另一方面，当基于不同的方案信息执行两个连续的处理单位时，如果要同时执行这些处理单位，则第一输送装置13的“取出动作”的执行周期存在崩溃的风险。因此，当基于不同的方案信息执行两个连续的处理单位时，控制部18可以在一个处理单位结束之后执行另一个处理单位。
本领域技术人员能够容易地导出进一步的效果和变形例。因此，本发明的更广泛的方式不限于以上给出和说明的具体细节和代表性实施方式。因此，在不脱离由所附权利要求及其等同物定义的总发明构思的精神或范围的情况下，能够进行各种改变。
附图标记说明
W 晶片
1 基片处理***
11 承载器载置部
12 输送部
12a 送入送出室
12b 交接室
13 第一输送装置
14 交接部
15 输送部
16 处理单元
18 控制部。

Claims (9)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
承载器载置部，其载置收纳多个基片的承载器；
能够载置多个所述基片的基片载置部；
第一输送装置，其在载置于所述承载器载置部的所述承载器与所述基片载置部之间输送所述基片；
处理所述基片的多个处理部；
第二输送装置，其在所述多个处理部与所述基片载置部之间输送所述基片；和
控制部，其控制所述第一输送装置、所述多个处理部和所述第二输送装置，
所述控制部以所述第一输送装置从所述承载器取出所述基片而将其载置到所述基片载置部并且从所述基片载置部取出所述基片而将其收纳到所述承载器为止的所需时间以上的时间间隔，使所述第一输送装置执行从所述承载器取出所述基片而将其载置到所述基片载置部的取出动作，
所述控制部判断从前一次所述取出动作起的经过时间是否已达到作为所述所需时间以上的时间的预先设定的阈值，在判断为已达到所述阈值时，使所述第一输送装置执行所述取出动作。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部还判断是否确保了从所述承载器到所述处理部的所述基片的输送路径，当判断为从前一次所述取出动作起的经过时间已达到所述阈值并且确保了所述输送路径时，使所述第一输送装置执行所述取出动作。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
当满足如下的路径确保条件时所述控制部判断为确保了所述输送路径，所述路径确保条件包括：在所述基片载置部存在能够收纳所述基片的空槽的条件；所述第二输送装置没有保持所述基片的条件；和在所述多个处理部中存在没有收纳所述基片的空置的处理部的条件。
4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述路径确保条件还包括所述第一输送装置没有保持所述基片的条件。
5.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述路径确保条件还包括所述空置的处理部的处理开始准备已完成。
6.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
当满足如下的路径确保条件时所述控制部判断为确保了所述输送路径，所述路径确保条件包括在所述基片载置部存在能够收纳由所述处理部处理后的所述基片即已处理基片的空槽的条件。
7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
当在将多个所述基片作为处理对象的一个处理单位的处理的执行期间特定事件的发生条件成立时，所述控制部在所述一个处理单位的处理已结束，另一个处理单位的处理开始之前执行所述事件。
8.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
在判断为从前一次所述取出动作起的经过时间已达到所述阈值之后，在比所预计的从所述承载器到所述处理部的所述基片的输送路径被确保的时刻提前所述取出动作的所需时间以下的时间，所述控制部指示所述第一输送装置执行所述取出动作。
9.一种基片输送方法，其特征在于，包括：
取出步骤，其使用在载置于承载器载置部的承载器与能够载置多个基片的基片载置部之间输送所述基片的第一输送装置，以从所述承载器取出所述基片而将其载置到所述基片载置部并且从所述基片载置部取出所述基片而将其收纳到所述承载器为止的所需时间以上的时间间隔，执行从所述承载器取出所述基片而将其载置到所述基片载置部的取出动作，其中所述承载器载置部载置能够收纳多个所述基片的所述承载器；和
送入步骤，其使用在处理所述基片的多个处理部与所述基片载置部之间输送所述基片的第二输送装置，从所述基片载置部取出所述基片而将其送入所述处理部，
控制部判断从前一次所述取出动作起的经过时间是否已达到作为所述所需时间以上的时间的预先设定的阈值，在判断为已达到所述阈值时，使所述第一输送装置执行所述取出动作。
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