JP6089082B1 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
基板を処理するチャンバと、チャンバを複数備える処理ユニットと、処理ユニットが複数接続される真空搬送室と、真空搬送室に接続されるロードロック室と、複数枚の基板が格納された格納容器を複数載置可能なロードポートと、ロードロック室とロードポートとの間に設けられ、第1搬送ロボットを有する大気搬送室と、真空搬送室に設けられ、ロードロック室とチャンバとの間で基板を搬送する第2搬送ロボットと、を有し、X番目(Xは整数)の格納容器に収容された最後の基板を、m番目(mは整数)の処理ユニットの内、基板が無い状態の複数のチャンバの内の一つのチャンバに搬送し、X+1番目の格納容器に収容された複数の基板の内の最初に搬送する基板を、m+1番目の処理ユニットの内の複数の前記チャンバのいずれかに搬送するように、第1搬送ロボットと第2搬送ロボットとを制御する制御部と、を有する技術が提供される。
以下に本発明の第1実施形態を図面に即して説明する。
(1)基板処理システムの構成
本発明の一実施形態に係る基板処理システムの概要構成を、図1から図4を用いて説明する。図1は本実施形態に係る基板処理システムの構成例を示す横断面図である。図2は、本実施形態に係る基板処理システムの構成例を示す図1のα−α’における縦断面図である。図3は図1のアームの詳細を説明した説明図である。図4は図1のβ−β’の縦断面図であり、プロセスモジュールに供給するガス供給系を説明する説明図である。図5は、プロセスモジュールに設けられるチャンバを説明する説明図である。
なお、ウエハ200の表面には、半導体デバイスが形成され、基板処理システム1000では、半導体デバイス製造の一工程が行われる。ここで、半導体デバイスとは、集積回路や、電子素子単体(抵抗素子、コイル素子、キャパシタ素子、半導体素子)のいずれか、若しくは複数を含むものを言う。また、半導体デバイスの製造途中で必要となるダミー膜であっても良い。
基板処理システム1000の手前には、IOステージ(ロードポート)1100が設置されている。IOステージ1100上には複数のポッド1001が搭載されている。ポッド1001はシリコン(Si)基板などの基板200を搬送するキャリアとして用いられ、ポッド1001内には、未処理の基板(ウエハ)200や処理済の基板200がそれぞれ水平姿勢で複数格納されるように構成されている。
ロードロック室1300は大気搬送室1200に隣接する。ロードロック室1300を構成する筐体1310が有する面のうち、大気搬送室1200とは異なる面には、後述するように、真空搬送室1400が配置される。ロードロック室1300は、大気搬送室1200の圧力と真空搬送室1400の圧力に合わせて筐体1310内の圧力が変動するため、負圧に耐え得る構造に構成されている。
基板処理システム1000は、負圧下で基板200が搬送される搬送空間となる搬送室としての真空搬送室(トランスファモジュール)1400を備えている。真空搬送室1400を構成する筐体1410は平面視が五角形に形成され、五角形の各辺には、ロードロック室1300及びウエハ200を処理するプロセスモジュール110a〜110dが連結されている。真空搬送室1400の略中央部には、負圧下で基板200を移載(搬送)する第2搬送ロボットとしての真空搬送ロボット1700がフランジ1430を基部として設置されている。なお、ここでは、真空搬送室1400を五角形の例を示すが、四角形や六角形などの多角形であっても良い。なお、好ましくは、プロセスモジュールは、偶数台設けられる。
続いて各プロセスモジュール(処理ユニット)110の内、プロセスモジュール110aについて、図1、図2、図4を例にして説明する。図4はプロセスモジュール110aとプロセスモジュール110aに接続されるガス供給部と、プロセスモジュール110aに接続されるガス排気部との関連を説明する説明図である。
図4に示すように、処理ガス源113からプロセスモジュール110aの間には、バッファタンク114、とマスフローコントローラ(MFC)115a,115bと、処理室側バルブ116(116a,116b)がそれぞれ設けられている。また、これらは、処理ガス共通管112や、処理ガス供給管111a,111bなどで接続されている。これら、処理ガス共通管112、MFC115a,115b、処理室側バルブ116(116a,116b)、第1ガス供給管(処理ガス供給管)111a,111bで第1ガス供給部が構成される。なお、処理ガス源113を第1ガス供給部に含めるように構成しても良い。また、基板処理システムに設けられるプロセスモジュールの数に応じて、同様の構成を増減させて構成しても良い。
図4に示すように、反応ガス源123からプロセスモジュール110aの間には、活性化部としてのリモートプラズマユニット(RPU)124、MFC125a,125b、処理室側バルブ126(126a,126b)が設けられている。これらの各構成は、反応ガス共通管122と第2ガス供給管(反応ガス供給管)121a,121bなどで接続されている。これら、RPU124、MFC125a,125b、処理室側バルブ126(126a,126b)、反応ガス共通管122、反応ガス供給管121a,121bなどで、第2ガス供給部が構成される。
なお、反応ガス供給源123を第2ガス供給部に含めるように構成しても良い。また、基板処理システムに設けられるプロセスモジュールの数に応じて、同様の構成を増減させて構成しても良い。
図4に示すように、第1パージガス(不活性ガス)源133からプロセスモジュール110aの間には、MFC135a,135b、処理室側バルブ136(136a,136b),バルブ176a,176b、186a,186bなどが設けられている。これらの各構成は、パージガス(不活性ガス)共通管132、パージガス(不活性ガス)供給管131a,131bなどで接続されている。これら、MFC135a,135b、処理室側バルブ136(136a,136b)、不活性ガス共通管132、不活性ガス供給管131a,131bなどで、第3ガス供給部が構成されている。なお、パージガス(不活性ガス)源133を第3ガス供給部(第1パージガス供給部)に含めるように構成しても良い。また、基板処理システムに設けられるプロセスモジュールの数に応じて、同様の構成を増減させて構成しても良い。
図4に示すように、第4ガス供給部は、処理ガス供給管111a,111b、反応ガス供給管121a,121bそれぞれを介して各処理室110a,110bに不活性ガスを供給可能に構成される。第2パージガス(不活性ガス)源143から各供給管の間には、第2パージガス供給管141a,141b,151a,151b、MFC145a,145b,155a,155b、バルブ146a,146b,156a,156bなどが設けられている。これらの構成によって第4ガス供給部(第2パージガス供給部)が構成される。なお、ここでは、第3ガス供給部と第4ガス供給部のガス源を別々に構成したが、まとめて1つだけ設けるように構成しても良い。
処理室201(上部容器202a)の内壁には、処理室201の雰囲気を排気する第1排気部としての排気口221が設けられている。排気口221には処理室排気管224が接続されており、バルブ227が順に直列に接続されている。主に、排気口221、処理室排気管224、第1の排気部(排気ライン)220が構成される。なお、バルブ227を第1の排気部に含めるように構成しても良い。
上部容器202aの側壁には処理室201内に各種ガスを供給するための第1ガス導入口241aが設けられている。第1ガス導入口241aには、第1ガス供給管111aが接続されている。また、処理室201の上部に設けられるシャワーヘッド234の上面(天井壁)には、処理室201内に各種ガスを供給するための第2ガス導入口241bが設けられている。第2ガス導入口241bには第2ガス供給管121bが接続されている。第1ガス供給部の一部として構成される第1ガス導入口241a及び第2ガス供給部の一部として構成される第2ガス導入口241bに接続される各ガス供給ユニットの構成については後述する。なお、第1ガスが供給される第1ガス導入口241aをシャワーヘッド234の上面(天井壁)に設けて、第1ガスを、第1バッファ空間232aの中央から供給する様に構成しても良い。中央から供給することで、第1バッファ空間232a内のガス流れが中心から外周に向かって流れ、空間内のガス流れを均一にし、ウエハ200へのガス供給量を均一化させることができる。
シャワーヘッド234は、第1のバッファ室(空間)232a、第1の分散孔234a、第2のバッファ室(空間)232b及び第2の分散孔234bにより構成されている。シャワーヘッド234は、第2ガス導入口241bと処理室201との間に設けられている。第1ガス導入口241aから導入される第1ガスはシャワーヘッド234の第1バッファ空間232a(第1分散部)に供給される。更に、第2ガス導入口241bはシャワーヘッド234の蓋231に接続され、第2ガス導入口241bから導入される第2のガスは蓋231に設けられた孔231aを介してシャワーヘッド234の第2バッファ空間232b(第2分散部)に供給される。シャワーヘッド234は、例えば、石英、アルミナ、ステンレス、アルミなどの材料で構成される。
第1バッファ空間232aから処理室201へ複数の分散孔234aが延びている。第2バッファ空間232bから処理室201へ複数の分散孔234bが延びている。第1バッファ空間232aの上側に第2バッファ空間232bが設けられている。このため、図5に示すように、第1バッファ空間232a内を第2バッファ空間232bからの分散孔(分散管)234bが貫通するように処理室201へ延びている。
シャワーヘッド234の蓋231に接続されたガス導入孔241には、ガス供給部が接続されている。ガス供給部からは、処理ガス、反応ガス、パージガスが供給される。
図5に示すようにチャンバ100は、チャンバ100の各部の動作を制御するコントローラ260を有している。
次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて半導体装置(半導体デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜であって、例えばシリコン含有膜としてのシリコン酸化(SiO)膜を成膜するシーケンス例について図7,8を参照して説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ260により制御される。
第1基板処理工程S200Aに際しては、先ず、ウエハ200を処理室201に搬入させる。具体的には、基板支持部210を昇降機構218によって下降させ、リフトピン207が貫通孔214から基板支持部210の上面側に突出させた状態にする。また、処理室201内を所定の圧力に調圧した後、ゲートバルブ1490を開放し、ゲートバルブ1490からリフトピン207上にウエハ200を載置させる。ウエハ200をリフトピン207上に載置させた後、昇降218によって基板支持部210を所定の位置まで上昇させることによって、ウエハ200が、リフトピン207から基板支持部210へ載置されるようになる。
続いて、処理室201内が所定の圧力(真空度)となるように、処理室排気管224を介して処理室201内を排気する。この際、圧力センサが測定した圧力値に基づき、圧力調整器222(222a)としてのAPCバルブの弁の開度をフィードバック制御する。また、温度センサ(不図示)が検出した温度値に基づき、処理室201内が所定の温度となるようにヒータ213への通電量をフィードバック制御する。具体的には、基板支持部210をヒータ213により予め加熱しておき、ウエハ200又は基板支持部210の温度変化が無くなってから一定時間置く。この間、処理室201内に残留している水分あるいは部材からの脱ガス等が有る場合は、真空排気やN2ガスの供給によるパージによって除去しても良い。これで成膜プロセス前の準備が完了することになる。なお、処理室201内を所定の圧力に排気する際に、一度、到達可能な真空度まで真空排気しても良い。
続いて、ウエハ200にSiO膜を成膜する例について説明する。第1成膜工程S301Aの詳細について、図7,8を用いて説明する。
第1ガス供給工程S203では、第1ガス供給部から処理室201内に第1ガス(原料ガス)としてのアミノシラン系ガスを供給する。アミノシラン系ガスとしては、例えば、ビスジエチルアミノシラン(H2Si(NEt2)2、Bis(diethylamino)silane:BDEAS)ガスがある。具体的には、ガスバルブ160を開き、アミノシラン系ガスをガス源からチャンバ100に供給する。その際、処理室側バルブ116aを開き、MFC115aで所定流量に調整する。流量調整されたアミノシラン系ガスは、第1バッファ空間232aを通り、シャワーヘッド234の分散孔234aから、減圧状態の処理室201内に供給される。また、排気系による処理室201内の排気を継続し処理室201内の圧力を所定の圧力範囲(第1圧力)となるように制御する。このとき、ウエハ200に対してアミノシラン系ガスが供給されることとなるアミノシラン系ガスは、所定の圧力(第1圧力:例えば100Pa以上20000Pa以下)で処理室201内に供給する。このようにして、ウエハ200にアミノシラン系ガスを供給する。アミノシラン系ガスが供給されることにより、ウエハ200上に、シリコン含有層が形成される。
ウエハ200上にシリコン含有層が形成された後、第1ガス供給管111aのガスバルブ116aを閉じ、アミノシラン系ガスの供給を停止する。原料ガスを停止することで、処理室201中に存在する原料ガスや、第1バッファ空間232aの中に存在する原料ガスを処理室排気管224から排気されることにより第1パージ工程S204が行われる。
第1ガスパージ工程の後、バルブ126を開け、ガス導入孔241b、第2バッファ空間232b、複数の分散孔234bを介して、処理室201内に第2のガス(反応ガス)としての、酸素含有ガスを供給する。酸素含有ガスは例えば、酸素ガス(O2)やオゾンガス(O3)、水(H2O)、亜酸化窒素ガス(N2O)等が有る。ここでは、O2ガスを用いる例を示す。第2バッファ空間232b、分散孔234bを介して処理室201に供給するので、基板上に均一にガスを供給することができる。そのため、膜厚を均一にすることができる。なお、第2のガスを供給する際に、活性化部(励起部)としてのリモートプラズマユニット(RPU)124を介して、活性化させた第2のガスを処理室201内に供給可能に構成しても良い。
O2ガスの供給を停止することで、処理室201中に存在するO2ガスや、第2バッファ空間232aの中に存在するO2ガスを第1の排気部から排気されることにより第2パージ工程S206が行われる。第2パージ工程S206は上述の第1パージ工程S204と同様の工程が行われる。
第1パージ工程S206の終了後、コントローラ260は、上記の第1成膜工程S301Aの内、S203〜S206が所定のサイクル数cが実行されたか否かを判定する(cは自然数)。即ち、ウエハ200上に所望の厚さの膜が形成されたか否かを判定する。上述したステップS203〜S206を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行う(ステップS207)ことにより、ウエハ200上に所定膜厚のシリコンおよび酸素を含む絶縁膜、すなわち、SiO膜を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、複数回繰返すことが好ましい。これにより、ウエハ200上に所定膜厚のSiO膜が形成される。
搬送圧力調整工程S208では、処理室201内や搬送空間203が所定の圧力(真空度)となるように、処理室排気管224を介して処理室201内や搬送空間203内を排気する。この時の処理室201内や搬送空間203内の圧力は、真空搬送室1400内の圧力以上に調整される。なお、この搬送圧力調整工程S208の間や前や後で、ウエハ200の温度が所定の温度まで冷却するようにリフトピン207で保持するように構成しても良い。
搬送圧力調整工程S208で処理室201内が所定圧力になった後、ゲートバルブ1490を開き、搬送空間203から真空搬送室1400にウエハ200を搬出する。
図11に示す様に、25枚で1Lotを複数回処理する場合、特定のチャンバの使用回数が偏ることがある。ここでは、25枚の処理を9回行った例を示している。この様に、PM1のチャンバ1の処理回数と他のPMの処理回数に最大で9回の差が生じる。この場合、チャンバ1と他のチャンバ(2〜8)では、パーティクルの発生確率や、メンテナンスタイミングが変わってしまうことがある。特に、チャンバ1とチャンバ2は、同じPM1に設けられ、ガス供給部を共用しているため、メンテナンスタイミングが異なった場合、生産性の低下が顕著となる。
半導体装置では、積層構造が主流となっており、一つの処理を複数回行われている。一つの処理を複数回行う場合に、同じチャンバで同じウエハ200を処理することがある。チャンバ毎に癖(機差)が有る場合、特定のウエハで形成される半導体装置の特性と、他のウエハで形成される半導体装置の特性が異なる課題を生じる。例えば、チャンバch1とチャンバch3とで、膜特性が異なることがある。ここで、膜特性とは、膜厚、膜質、結晶性、誘電率、屈折率、膜密度、エッチングレート、等が有る。
即ち、奇数枚のウエハ群を処理する場合であっても生産性を向上させることができる。また、ウエハ200毎の処理均一性を向上させることができることを見出した。
1枚〜24枚目のウエハ200の処理が特定の同じチャンバで行われてしまい、特定のウエハ200で形成される膜特性に偏りを生じる。
前のLotの最後のウエハを処理した処理ユニットの次の処理ユニットから搬送を開始させることによって、解決できる。例えば、1Lot当たりウエハ200が25枚の処理を複数回行わせる際に、X番目(Xは、整数)のLotの最後のウエハ200が搬送された処理ユニットm番を制御部260で記録し、X+1番目のLotでは、m+1番目の処理ユニットから搬送を開始する様に、第1搬送ロボットとしての大気搬送ロボット1220と第2搬送ロボットとしての真空搬送ロボット1700を制御させる。図12を例に説明する。Lot.1の最後のウエハNo.25を処理した処理ユニットの番号mに1を記録し、Lot.2のウエハNo.1は、m+1となる、処理ユニット2から搬送を始める。また、Lot.2の最後のウエハNo.25を処理した処理ユニットの番号mに2を記録し、Lo3.のウエハNo.1は、m+1となる、処理ユニット3から搬送を始める。即ち、Lot中の最後のウエハ200を処理した処理ユニットの中でチャンバに余りが生じていても、次のLotでは、余っていたチャンバを飛ばして、次の処理ユニットから搬送を開始させる。この様に構成することによって、各チャンバの使用回数の差を図11の搬送シーケンスと比べて、各チャンバの総使用カウントの最大値と最小値の差を減少させることができ、偏りを減少させることができる。即ち、各チャンバの使用回数を平準化することができる。
(a)の搬送シーケンスに加えて、X番目のLotの最後のウエハが搬送されたチャンバn番を制御部260で記録し、X+1番目のLotの最後のウエハ200を、n+1番目に搬送させるように、大気搬送ロボット1220と真空搬送ロボット1700を制御させる。図14を例に説明する。Lot.1の最後のウエハNo.25を処理した処理ユニットの番号mに1を記録し、また、ウエハNo.25を処理したチャンバnに1を記録する。次いで、Lot.2のウエハNo.1は、m+1となる、処理ユニット2から搬送を始め、ウエハNo.25は、n+1となる、チャンバ2に搬送する。この様に搬送させることによって、(a)の搬送時と比較して、各チャンバの総使用カウントの最大値と最小値を減少させることができ、偏りを減少させることができる。また、ウエハNo.25を使うチャンバの偏りも抑制することができる。
上述の(a)と(b)の搬送シーケンスのいずれかまたは両方に加えて、ロードロック室1300に設けられた、載置面1311aと載置面1311bへの搬送順を交互に入れ替える様に第1搬送ロボットとしての大気搬送ロボット1220を制御することによって、上述の課題を解決することができる。
第3パージ工程S403では、チャンバ100aで第1処理ガス供給工程S203が行われている間、第4ガス供給部から第1バッファ空間232aを介して処理室201内に不活性ガスを供給する。具体的には、基板載置部311にウエハ200が載置されていない状態で、バルブ146bを開き、MFC145bで流量調整された不活性ガスを、第1ガス供給管111bを介してチャンバ100bに供給する。この不活性ガスの流量は、第2成膜工程S301Bが行われるチャンバ100bから処理室排気管224bへの排気コンダクタンスを、第1成膜工程S301Aが行われるチャンバ100aから処理室排気管224aへの排気コンダクタンスと同等になる流量に設定する。例えば、チャンバ100aに供給される第1処理ガスの流量と同じ流量に設定する。なお、第1処理ガスの分子量と不活性ガスの分子量が異なる場合は、必ずしも同じにする必要は無く、排気コンダクタンスが同等になるような流量に設定すれば良い。なお、ここでは、第4ガス供給部を用いて不活性ガスを供給する様に構成したが、第3ガス供給部から供給する様に構成しても良い。第3ガス供給部から供給する様に構成することによって、配管数を減らすことができる。一方で、第1パージ工程、第2パージ工程、第3パージ工程、第4パージ工程のそれぞれで流量を切り替える必要が発生した場合に流量切替が間に合わなくなる可能性が有る。このような場合においても、第4ガス供給部を設けることによって、MFC135の流量切り替えの待ち時間を無くすことができる。なお、第4ガス供給部からの処理室201への不活性ガス供給を、第1処理ガスの供給流路と同じ流路で構成することによって、チャンバ100aの排気コンダクタンスとチャンバ100bの排気コンダクタンスのバランスを保つことが容易となる。なお、コンダクタンスの差異が許容範囲内のときは、異なる流路を用いても良い。
第4パージ工程S405では、チャンバ100aで第2処理ガス供給工程S205が行われている間、第4ガス供給部から第2バッファ空間232bを介して、処理室201内に不活性ガスを供給する。具体的には、バルブ156bを開き、MFC155bで流量調整された不活性ガスを第2ガス供給管121bを介してチャンバ100bに供給する。なお、ここでは、第4ガス供給部を用いて不活性ガスを供給する様に構成したが、第3ガス供給部から供給するように構成しても良い。また、第4パージ工程S405における不活性ガスの流量は、チャンバ100aに供給される第2処理ガスの流量と同じ流量に設定する。なお、第2処理ガスの分子量と不活性ガスの分子量が異なる場合は、必ずしも同じにする必要は無く、排気コンダクタンスが同等になるような流量に調整すれば良い。なお、第4ガス供給部からの処理室201への不活性ガスの供給を、第2処理ガスの供給流路と同じ流路で構成することによって、チャンバ100aの排気コンダクタンスとチャンバ100bの排気コンダクタンスのバランスを保つことが容易となる。なお、コンダクタンスの差異が許容範囲内のときは、異なる流路を用いても良い。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
一態様によれば、
複数のチャンバを有し、複数設けられた処理ユニットと、
複数枚の基板が格納された格納容器を複数載置可能なロードポートと、
前記ロードポートとロードロック室の間で前記基板を搬送する第1搬送ロボットと、
前記ロードロック室と前記チャンバとの間で前記基板を搬送する第2搬送ロボットと、
を有し、
X番目(Xは整数)の前記格納容器に収容された最後の基板を、m番目(mは整数)の前記処理ユニットの内、基板が無い状態の複数の前記チャンバの内の一つのチャンバに搬送し、
X+1番目の前記格納容器に収容された複数の基板の内の最初に搬送する基板を、m+1番目の処理ユニットの内の複数の前記チャンバのいずれかに搬送するように、
前記第1搬送ロボットと前記第2搬送ロボットとを制御する制御部と、
を有する基板処理装置、または、半導体装置の製造装置が提供される。
付記1に記載の装置であって、好ましくは、
前記制御部は、
前記X番目の前記格納容器に収容された最後の基板が搬送されたn番目(nは整数)のチャンバを記録し、
前記X+1番目の格納容器に収容された複数の基板の内の最後の基板を、n+1番目のチャンバに搬送するように前記第2搬送ロボットを制御する様に構成される。
付記1または2に記載の装置であって、好ましくは、
前記ロードロック室に複数の載置面が設けられ、
前記制御部は、
奇数番目の格納容器に収容された最後の基板を載置させる前記載置面と、偶数番目の格納容器に収容された最後の基板を載置させる前記載置面とを、異ならせるように、前記第1搬送ロボットを制御する様に構成される。
付記1乃至3のいずれかに記載の装置であって、好ましくは、
前記ロードロック室に第1載置面と第2載置面と、が設けられ、
前記制御部は、奇数(2X−1)番目の前記格納容器内の4Y−1番目の基板を前記第1載置台面に搬送し、
偶数(2X)番目の前記格納容器内の4Y−3番目の基板を前記第2載置面に搬送する様に前記第1搬送ロボットを制御するように構成される。
付記1乃至4のいずれかに記載の装置であって、好ましくは、
前記チャンバは偶数台設けられる。
付記3乃至5のいずれかに記載の装置であって、好ましくは、
前記第2搬送ロボットは、前記基板を保持するエンドエフェクタを2つ設けられたアームを有する。
付記6に記載の装置であって、好ましくは、
前記制御部は、
前記ロードロック室内の前記基板を前記第2搬送ロボットで保持して前記処理ユニットに搬送するように構成される。
更に他の態様によれば、
複数のチャンバを有し、複数設けられた処理ユニットと、
複数枚の基板が格納された格納容器を複数載置可能なロードポートと、
前記ロードポートとロードロック室との間で前記基板を搬送する第1搬送ロボットと、
前記ロードロック室と前記チャンバとの間で前記基板を搬送する第2搬送ロボットと、
を有する装置であって、
X番目(Xは整数)の前記格納容器に収容された最後の基板を、m番目(mは整数)の前記処理ユニットの内、基板が無い状態の複数の前記チャンバの内の一つのチャンバに搬送する工程と、
X+1番目の前記格納容器に収容された複数の基板の内の最初に搬送する基板を、m+1番目の処理ユニットの内の複数の前記チャンバのいずれかに搬送する工程と、
を有する基板処理方法、または、半導体装置の製造方法が提供される。
付記8に記載の方法であって、好ましくは、
前記格納容器に収容された前記基板が奇数枚のとき、
前記X番目の前記格容器に収容された最後の基板が搬送されたn番目(nは整数)のチャンバを記録する工程と、
前記X+1番目の格納容器に収容された複数の基板の内の最後の基板を、n+1番目のチャンバに搬送する工程と、
を有する。
付記8または9に記載の方法であって、好ましくは、
前記ロードロック室に複数の載置面が設けられ、
奇数(2X−1)番目の格納容器に収容された最後の基板を載置させる前記載置面と、偶数(2X)番目の格納容器に収容された最後の基板を載置させる前記載置面とを異ならせる工程と、を有する。
付記8乃至10のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記ロードロック室に第1載置面と第2載置面と、が設けられ、
前記制御部は、奇数(2X−1)番目の前記格納容器内の4Y−1番目の基板を前記第1載置面に搬送する工程と、
偶数(2X)番目の前記格納容器内の4Y−3番目の基板を前記第2載置面に搬送する工程と、
を有する。
付記8乃至11のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記処理ユニットの内、前記基板が搬送されたチャンバに処理ガスを供給する工程と、
前記処理ガスを供給する工程と並行して、前記処理ユニットの内、前記基板が搬送されなかったチャンバで、不活性ガスを供給する工程と、
を行う。
付記12に記載の方法であって、好ましくは、
前記処理ガスを供給する工程を行うチャンバの排気コンダクタンスと、
前記不活性ガスを供給する工程を行うチャンバの排気コンダクタンスとを、同じにする工程と、を有する。
更に他の態様によれば、
複数のチャンバを有し、複数設けられた処理ユニットと、
複数枚の基板が格納された格納容器を複数載置可能なロードポートと、
前記ロードポートとロードロック室との間で前記基板を搬送する第1搬送ロボットと、
前記ロードロック室と前記チャンバとの間で前記基板を搬送する第2搬送ロボットと、
を有する装置であって、
X番目(Xは整数)の前記格納容器に収容された最後の基板を、m番目(mは整数)の前記処理ユニットの内、基板が無い状態の複数の前記チャンバの内の一つのチャンバに搬送させる手順と、
X+1番目の前記格納容器に収容された複数の基板の内の最初に搬送する基板を、m+1番目の処理ユニットの内の複数の前記チャンバのいずれかに搬送させる手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム、または、該プログラムが記録された記録媒体が提供される。
更に他の態様によれば、
基板を処理するチャンバと、
前記チャンバを複数備える処理ユニットと、
前記処理ユニットが複数接続される真空搬送室と、
前記真空搬送室に接続されるロードロック室と、
複数枚の基板が格納された格納容器を複数載置可能なロードポートと、
前記ロードロック室と前記ロードポートとの間に設けられ、第1搬送ロボットを有する大気搬送室と、
前記真空搬送室に設けられ、前記ロードロック室と前記チャンバとの間で前記基板を搬送する第2搬送ロボットと、
を有し、
前記格納容器に収容された複数の基板を前記複数のチャンバに順番に配して処理する場合に、
X番目(Xは整数)の前記格納容器に収容された最後の基板を、m番目(mは整数)の前記処理ユニットの内、基板が無い状態の複数の前記チャンバの内の一つのチャンバに搬送し、
X+1番目の前記格納容器に収容された複数の基板の内の最初に搬送する基板を、m+1番目の処理ユニットの内の複数の前記チャンバのいずれかに搬送するように、
前記第1搬送ロボットと前記第2搬送ロボットとを制御する制御部と、
を有する基板処理装置、または、半導体装置の製造装置が提供される。
更に他の態様によれば、
基板を処理するチャンバと、
前記チャンバを複数備える処理ユニットと、
前記処理ユニットが複数接続される真空搬送室と、
前記真空搬送室に接続されるロードロック室と、
複数枚の基板が格納された格納容器を複数載置可能なロードポートと、
前記ロードロック室と前記ロードポートとの間に設けられ、第1搬送ロボットを有する大気搬送室と、
前記真空搬送室に設けられ、前記ロードロック室と前記チャンバとの間で前記基板を搬送する第2搬送ロボットと、
を有する装置であって、
前記格納容器に収容された複数の基板を前記複数のチャンバに順番に配して処理する場合に、
X番目(Xは整数)の前記格納容器に収容された最後の基板を前記格納容器から前記チャンバに搬送した処理ユニットの番号mを記録する工程と(mは整数)、
X+1番目の前記格納容器に収容された前記基板をm+1番目の処理ユニットから搬送開始する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
110・・・プロセスモジュール
200・・・ウエハ(基板)
201・・・処理室
202・・・処理容器
211・・・載置面
212・・・基板載置台
215・・・外周面
232a・・・第1バッファ空間
232b・・・第2バッファ空間
234・・・シャワーヘッド
234a・・・第1の分散孔
234b・・・第2の分散孔
234c・・・第3の分散孔
234d・・・第4の分散孔
241a・・・第1ガス導入口
241b・・・第2ガス導入口
1000・・・基板処理システム
1100・・・IOステージ
1200・・・大気搬送室
1220・・・第1搬送ロボット(大気搬送ロボット)
1300・・・ロードロック室
1400・・・真空搬送室
1700・・・第2搬送ロボット(真空搬送ロボット)
Claims (8)
- 基板を処理するチャンバと、
前記チャンバを複数備える処理ユニットと、
前記処理ユニットが複数接続される真空搬送室と、
前記真空搬送室に接続されるロードロック室と、
複数枚の基板が格納された格納容器を複数載置可能なロードポートと、
前記ロードロック室と前記ロードポートとの間に設けられ、第1搬送ロボットを有する大気搬送室と、
前記真空搬送室に設けられ、前記ロードロック室と前記チャンバとの間で前記基板を搬送する第2搬送ロボットと、を有し、
X番目(Xは整数)の前記格納容器に収容された最後の基板を、m番目(mは整数)の前記処理ユニットの内、基板が無い状態の複数の前記チャンバの内の一つのチャンバに搬送し、
前記X番目の前記格納容器に収容された最後の基板が搬送されたn番目(nは整数)のチャンバを記録し、
X+1番目の前記格納容器に収容された複数の基板の内の最初に搬送する基板を、m+1番目の処理ユニットの内の複数の前記チャンバのいずれかに搬送し、
前記X+1番目の前記格納容器に収容された複数の基板の内の最後の基板を、n+1番目のチャンバに搬送するように、
前記第1搬送ロボットと前記第2搬送ロボットとを制御する制御部と、を有する基板処理装置。
- 前記ロードロック室に複数の載置面が設けられ、
前記制御部は、
奇数番目の格納容器に収容された最後の基板を載置させる前記載置面と、偶数番目の格納容器に収容された最後の基板を載置させる前記載置面とを、異ならせるように、前記第1搬送ロボットを制御する請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記ロードロック室に第1載置面と第2載置面と、が設けられ、
前記制御部は、奇数番目の前記格納容器内の4Y−1番目の基板を前記第1載置面に搬送し(Yは整数)、
偶数番目の前記格納容器内の4Y−3番目の基板を前記第2載置面に搬送する様に前記第1搬送ロボットを制御する請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 基板を処理するチャンバと、
前記チャンバを複数備える処理ユニットと、
前記処理ユニットが複数接続される真空搬送室と、
前記真空搬送室に接続されるロードロック室と、
複数枚の基板が格納された格納容器を複数載置可能なロードポートと、
前記ロードロック室と前記ロードポートとの間に設けられ、第1搬送ロボットを有する大気搬送室と、
前記真空搬送室に設けられ、前記ロードロック室と前記チャンバとの間で前記基板を搬送する第2搬送ロボットと、を有する基板処理装置において半導体装置を製造する方法であって、
X番目(Xは整数)の前記格納容器に収容された最後の基板を、m番目(mは整数)の前記処理ユニットの内、基板が無い状態の複数の前記チャンバの内の一つのチャンバに搬送する工程と、
前記X番目の前記格納容器に収容された最後の基板が搬送されたn番目(nは整数)のチャンバを記録する工程と、
X+1番目の前記格納容器に収容された複数の基板の内の最初に搬送する基板を、m+1番目の処理ユニットの内の複数の前記チャンバのいずれかに搬送する工程と、
前記X+1番目の前記格納容器に収容された複数の基板の内の最後の基板を、n+1番目のチャンバに搬送する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
- 前記ロードロック室に複数の載置面が設けられ、
奇数番目の格納容器に収容された最後の基板を載置させる前記載置面と、偶数番目の格納容器に収容された最後の基板を載置させる前記載置面とを異ならせる工程と、を有する請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ロードロック室に第1載置面と第2載置面と、が設けられ、
前記制御部は、奇数番目の前記格納容器内の4Y−1番目の基板を前記第1載置面に搬送する工程と、
偶数番目の前記格納容器内の4Y−3番目の基板を前記第2載置面に搬送する工程と、
を有する請求項4または5に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を処理するチャンバと、
前記チャンバを複数備える処理ユニットと、
前記処理ユニットが複数接続される真空搬送室と、
前記真空搬送室に接続されるロードロック室と、
複数枚の基板が格納された格納容器を複数載置可能なロードポートと、
前記ロードロック室と前記ロードポートとの間に設けられ、第1搬送ロボットを有する大気搬送室と、
前記真空搬送室に設けられ、前記ロードロック室と前記チャンバとの間で前記基板を搬送する第2搬送ロボットと、を有する基板処理装置において半導体装置を製造する方法であって、
X番目(Xは整数)の前記格納容器に収容された最後の基板を、m番目(mは整数)の前記処理ユニットの内、基板が無い状態の複数の前記チャンバの内の一つのチャンバに搬送させる手順と、
前記X番目の前記格納容器に収容された最後の基板が搬送されたn番目(nは整数)のチャンバを記録させる手順と、
X+1番目の前記格納容器に収容された複数の基板の内の最初に搬送する基板を、m+1番目の処理ユニットの内の複数の前記チャンバのいずれかに搬送させる手順と、
前記X+1番目の前記格納容器に収容された複数の基板の内の最後の基板を、n+1番目のチャンバに搬送させる手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム。
- 基板を処理するチャンバと、
前記チャンバを複数備える処理ユニットと、
前記処理ユニットが複数接続される真空搬送室と、
前記真空搬送室に接続されるロードロック室と、
複数枚の基板が格納された格納容器を複数載置可能なロードポートと、
前記ロードロック室と前記ロードポートとの間に設けられ、第1搬送ロボットを有する大気搬送室と、
前記真空搬送室に設けられ、前記ロードロック室と前記チャンバとの間で前記基板を搬送する第2搬送ロボットと、を有する基板処理装置において半導体装置を製造する方法であって、
X番目(Xは整数)の前記格納容器に収容された最後の基板を、m番目(mは整数)の前記処理ユニットの内、基板が無い状態の複数の前記チャンバの内の一つのチャンバに搬送させる手順と、
前記X番目の前記格納容器に収容された最後の基板が搬送されたn番目(nは整数)のチャンバを記録させる手順と、
X+1番目の前記格納容器に収容された複数の基板の内の最初に搬送する基板を、m+1番目の処理ユニットの内の複数の前記チャンバのいずれかに搬送させる手順と、
前記X+1番目の前記格納容器に収容された複数の基板の内の最後の基板を、n+1番目のチャンバに搬送させる手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが記録された記録媒体。
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