CN110416277A - 一种显示面板、显示装置和检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板、显示装置和检测方法，以改善现有技术中的显示面板，使用光电二极管在进行指纹识别时存在有光照和无光照时的电流比值较小，以及检测电流较小，检测灵敏度差的问题。所述显示面板，包括：透明衬底基板，位于所述透明衬底基板一面的多个像素单元，每一所述像素单元包括发光区域以及除所述发光区域以外的受光区域；所述发光区域具有底发射型发光器件，所述受光区域具有光敏结构和位于所述光敏结构背离所述透明衬底基板一面的第一双栅型薄膜晶体管，所述第一双栅型薄膜晶体管的一栅极与所述光敏结构电连接。

Description

一种显示面板、显示装置和检测方法

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置和检测方法。

背景技术

光电二极管，如，具体的PIN型光电二极管，是一种利用半导体的光电效应的器件，可在受光辐照时产生光生电子，从而输出电流或电压信号；结合这一特点，可将光电二极管应用为指纹识别、灰阶补偿等传感器应用于显示面板；但目前应用的光电二极管传感器只串联在检测薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的源漏极的其中一端，利用检测TFT关态漏电流的方法工作，在有光照和无光照时，电流比值约为10³级别，且产生的电流较小，光电二极管的检测灵敏度也较弱。

发明内容

本发明提供一种显示面板、显示装置和检测方法，以改善现有技术中的显示面板，使用光电二极管在进行指纹识别时存在有光照和无光照时的电流比值较小，以及检测电流较小，检测灵敏度差的问题。

本发明实施例提供一种显示面板，包括：透明衬底基板，位于所述透明衬底基板一面的多个像素单元，每一所述像素单元包括发光区域以及除所述发光区域以外的受光区域；所述发光区域具有底发射型发光器件，所述受光区域具有光敏结构和位于所述光敏结构背离所述透明衬底基板一面的第一双栅型薄膜晶体管，所述第一双栅型薄膜晶体管的一栅极与所述光敏结构电连接。

在一种可能的实施方式中，所述光敏结构包括相对的第一电极和第二电极，以及位于所述第一电极和第二电极之间的光敏层，所述光敏层覆盖所述受光区域。

在一种可能的实施方式中，所述第二电极位于所述光敏层的背离所述透明衬底基板的一面；

所述第一双栅型薄膜晶体管包括：第一光敏栅极、位于所述第一光敏栅极的背离所述透明衬底基板一面的光敏有源层、位于所述光敏有源层的背离所述第一光敏栅极的第二光敏栅极、和位于所述第二光敏栅极的背离所述光敏有源层一面的光敏源极和光敏漏极；

所述第二电极与所述第一光敏栅极之间具有第一平坦层，所述第一光敏栅极通过贯穿所述第一平坦层的第一通孔与所述第二电极导通。

在一种可能的实施方式中，所述第一光敏栅极与所述光敏有源层之间还具有第一栅极绝缘层，所述光敏有源层与所述第二光敏栅极还具有第二栅极绝缘层，所述光敏有源层与所述光敏源极之间还具有层间介质层；

所述显示面板还包括：与所述第一光敏栅极同层的第一连接电极，与所述光敏源极同层的第二连接电极；

所述第一连接电极通过贯穿所述第一平坦层的第二通孔与所述第一电极电连接；所述第二连接电极通过贯穿所述层间介质层、所述第二栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层的第三通孔与所述第一连接电极电连接；所述光敏源极和所述光敏漏极通过贯穿所述层间介质层和所述第二栅极绝缘层的第四通孔分别与所述光敏有源层电连接。

在一种可能的实施方式中，所述显示面板还包括：与所述底发射型发光器件电连接的第二双栅型薄膜晶体管；

所述第二双栅型薄膜晶体管包括：与所述第一光敏栅极同层的第一发光栅极，与所述光敏有源层同层的发光有源层，与所述光敏源极同层的发光源极和发光漏极；所述发光漏极包括电连接的第一子发光漏极和第二子发光漏极；

所述第一子发光漏极和所述发光源极通过贯穿所述层间介质层、所述第二栅极绝缘层的第五通孔分别与所述发光有源层电连接；所述第二子发光漏极通过贯穿所述层间介质层、所述第二栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层的第六通孔与所述第一发光栅极电连接。

在一种可能的实施方式中，所述第一光敏栅极、所述第一连接电极、所述第一发光栅极均为遮光性材质。

在一种可能的实施方式中，所述显示面板还包括：位于所述发光区域的凹槽；

所述凹槽由所述层间介质层的背离所述第二栅极绝缘层的一面向所述第一平坦层延伸，并暴露所述第一平坦层的背离所述光敏结构的表面。

在一种可能的实施方式中，所述第一平坦层与所述透明衬底基板之间在所述发光区域还具有彩膜；

所述第一双栅型薄膜晶体管的背离所述光敏结构的一面还具有第二平坦层，所述第二平坦层的背离所述第一平坦层的一面还具有阳极层，所述阳极层的背离所述第二平坦层的一面还具有像素界定层，所述像素界定层的背离所述阳极层的一面还具有隔垫物。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的所述显示面板。

本发明实施例还提供一种如本发明实施例提供的所述显示面板的检测方法，检测方法包括：

向所述第一双栅型薄膜晶体管的另一栅极加载预设电压，以使所述第一双栅型薄膜晶体管工作在亚阈值区，其中，所述另一栅极为与所述光敏结构电连接的栅极以外的栅极；

根据所述第一双栅型薄膜晶体管在所述亚阈值区时输出的电流，确定手指纹路。

本发明实施例有益效果如下：本发明实施例提供的显示面板，每一所述像素单元包括发光区域以及除所述发光区域以外的受光区域；其中，所述发光区域具有底发射型发光器件，所述受光区域具有光敏结构和位于所述光敏结构背离所述透明衬底基板一面的第一双栅型薄膜晶体管，所述第一双栅型薄膜晶体管的一栅极与所述光敏结构电连接，即，与光敏结构电连接的为双栅型的第一双栅薄膜晶体管，进而，在进行指纹识别时，通过向该双栅型薄膜晶体管的另一栅极加载使该第一双栅型薄膜晶体管可以工作在亚阈值区的电压，可以使该双栅型薄膜晶体管对光敏结构检测到的电流进行放大，可以改善现有技术中的显示面板，使用光电二极管在进行指纹识别时存在有光照和无光照时的电流比值较小，以及检测电流较小，检测灵敏度差的问题。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的像素单元的俯视结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种光敏结构和第一双栅型薄膜晶体管的等效电路图；

图4为本发明实施例提供的设置有第一连接电极和第二连接电极的显示面板的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的设置有第二双栅型薄膜晶体管的显示面板的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的设置有凹槽的显示面板的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的一种具体的显示面板的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的一种显示面板的制作流程示意图；

图9为本发明实施例提供的制作第一光敏栅极的显示面板的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的制作第二光敏栅极的显示面板的结构示意图。

具体实施方式

为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。

参见图1和图2所示，其中，图1为图2沿虚线AB的截面示意图，本发明实施例提供一种显示面板，包括：透明衬底基板1，位于透明衬底基板1一面的多个像素单元(图1和图2仅是以一个像素单元进行举例示意说明，但本发明不以此为限)，每一像素单元包括发光区域S1以及除发光区域S1以外的受光区域S2；发光区域S1具有底发射型发光器件，受光区域S2具有光敏结构2和位于光敏结构2背离透明衬底基板1一面的第一双栅型薄膜晶体管3，第一双栅型薄膜晶体管3的一栅极与光敏结构2电连接。

本发明实施例提供的显示面板，每一像素单元包括发光区域S1以及除发光区域S1以外的受光区域S2；其中，发光区域S1具有底发射型发光器件，受光区域S2具有光敏结构2和位于光敏结构2背离透明衬底基板1一面的第一双栅型薄膜晶体管3，第一双栅型薄膜晶体管3的一栅极与光敏结构2电连接，即，与光敏结构2电连接的为双栅型的第一双栅薄膜晶体管3，进而，在进行指纹识别时，通过向该第一双栅型薄膜晶体管3的另一栅极加载使该第一双栅型薄膜晶体管3可以工作在亚阈值区的电压，可以使该第一双栅型薄膜晶体管3对光敏结构2检测到的电流进行放大，可以改善现有技术中的光电二极管在有光照和无光照时的电流比值较小，以及检测电流较小，检测灵敏度差的问题。具体的，结合图3所示，其中，图3的左图为图1的光敏结构2和第一双栅型薄膜晶体管3的等效结构示意图，图3的右图为光敏结构2在光照和无光照时的I-V特性曲线图，第一双栅型薄膜晶体管3具有阈值电压Vth稳定精确可控，漏电流较小等特点，光敏结构2(具体可以为图3中的PIN)受光照时，在产生光生电流的同时，也可产生光生电压，将光生电压变化应用在第一双栅型薄膜晶体管3的一端，改变第一双栅型薄膜晶体管3的电压，使之在第一双栅型薄膜晶体管3的亚阈值区变化，达到放大电流的目的。如图3所示，向光敏结构2的第一电极21具体可以加载-5V的电压，光敏结构2在暗态或亮态下，在光敏结构2的另一端对应产生不同的电位Vtg′或Vtg″，在第一双栅型薄膜晶体管3的作用下，产生不同的I-V特性，最终使第一双栅型薄膜晶体管3在相同的Vbg(具体可以为第一双栅型薄膜晶体管3的第二光敏栅极33所加载的电压，通过控制加载的Vbg的电压，可以使第一双栅型薄膜晶体管3工作在亚阈值区)、Vs(具体可以为第一双栅型薄膜晶体管3的光敏源极34所加载的电压，具体可以加载一参考电压)电压下，可以通过光敏漏极35，也即图3中的Vd端输出不同的电流Id′和Id″，亮态和暗态的电流比值约为10⁶级，放大了光生电流，提高了检测灵敏度。

在具体实施时，本发明实施例提供的显示面板具体可以为底发射型有机电致发光显示面板，即，发光器件发出的光从透明衬底基板1的一侧进行出射。光敏结构2具体可以为PIN型光电二极管。

在具体实施时，结合图1和图2所示，光敏结构2包括相对的第一电极21和第二电极22，以及位于第一电极21和第二电极22之间的光敏层23，光敏层23覆盖受光区域S2。本发明实施例中，光敏结构2的光敏层23覆盖受光区域S2，即，该像素单元中，除发光区域S1以外，其它区域均覆盖有光敏层23，由于发光显示面板为底发射显示面板，显示面位于透明衬底基板1侧，可以利用发光开口区外的区域堆叠光敏结构与发光电路，可以扩大光敏结构2的受光面积，可以有效提升光敏结构2的光照电流，有利于进一步提升光敏结构2的检测灵敏度。

在具体实施时，结合图1所示，第二电极22位于光敏层23的背离透明衬底基板1的一面；第一双栅型薄膜晶体管3包括：第一光敏栅极31、位于第一光敏栅极31的背离透明衬底基板1一面的光敏有源层32、位于光敏有源层32的背离第一光敏栅极31的第二光敏栅极33、和位于第二光敏栅极33的背离光敏有源层32一面的光敏源极34和光敏漏极35；第二电极22与第一光敏栅极31之间具有第一平坦层36，第一光敏栅极31通过贯穿第一平坦层36的第一通孔与第二电极22导通。本发明实施例中，第一双栅型薄膜晶体管3具体可以通过第一光敏栅极31与光敏结构1电连接。第一双栅型薄膜晶体管3可以位于与受光区域S2对应的区域，即，位于非发光区域，避免对显示产生影响。

在具体实施时，结合图4所示，第一光敏栅极31与光敏有源层32之间还具有第一栅极绝缘层37，光敏有源层32与第二光敏栅极33还具有第二栅极绝缘层38，光敏有源层32与光敏源极34之间还具有层间介质层39；显示面板还包括：与第一光敏栅极31同层的第一连接电极5，与光敏源极34同层的第二连接电极6；第一连接电极5通过贯穿第一平坦层36的第二通孔与第一电极21电连接；第二连接电极6通过贯穿层间介质层39、第二栅极绝缘层38和第一栅极绝缘层37的第三通孔与第一连接电极5电连接；光敏源极34和光敏漏极35通过贯穿层间介质层39和第二栅极绝缘层38的第四通孔分别与光敏有源层32电连接。本发明实施例中，显示面板具体还设置有第一连接电极5和第二连接电极6，进而可以实现为光敏结构1的第一电极21提供信号。

在具体实施时，参见图5所示，显示面板还包括：与底发射型发光器件电连接的第二双栅型薄膜晶体管4；第二双栅型薄膜晶体管4包括：与第一光敏栅极31同层的第一发光栅极41，与光敏有源层32同层的发光有源层42，与光敏源极34同层的发光源极44和发光漏极；发光漏极包括电连接的第一子发光漏极451和第二子发光漏极452；第一子发光漏极451和发光源极44通过贯穿层间介质层39、第二栅极绝缘层38的第五通孔分别与发光有源层42电连接；第二子发光漏极452通过贯穿层间介质层39、第二栅极绝缘层38和第一栅极绝缘层37的第六通孔与第一发光栅极41电连接。本发明实施例中，第二双栅型薄膜晶体管4具体可以驱动底发射型发光器件，也将其制作为双栅型薄膜晶体管，可以第一双栅型薄膜晶体管3一并形成。

在具体实施时，第一光敏栅极31、第一连接电极5、第一发光栅极41均为遮光性材质。本发明实施例中，第一光敏栅极31、第一连接电极5、第一发光栅极41均为遮光性材质，可以在兼为电极的同时，也作为遮光层，遮蔽底发射型发光器件在显示面板内部光的折射、散射和衍射等，用以保护光敏结构2不受内部光路影响。

在具体实施时，参见图6所示，显示面板还包括：位于发光区域S1的凹槽12；凹槽12由层间介质层39的背离第二栅极绝缘层38的一面向第一平坦层36延伸，并暴露第一平坦层36的背离光敏结构2的表面。本发明实施例中，显示面板在发光区域还设置有凹槽12，即，对中间的层间介质层39挖孔，挖去第一栅极绝缘层37、第二栅极绝缘层38，可以防止底发射型发光器件的出射光线在该发光区域S1发生折射和反射时，影响光敏结构2对指纹识别的检测。

在具体实施时，参见图7所示，第一平坦层36与透明衬底基板1之间在发光区域还具有彩膜7；第一双栅型薄膜晶体管3的背离光敏结构2的一面还具有第二平坦层8，第二平坦层8的背离第一平坦层36的一面还具有阳极层10，阳极层10的背离第二平坦层8的一面还具有像素界定层9，像素界定层9的背离阳极层10的一面还具有隔垫物11。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的显示面板。

基于同一发明构思，参见图8所示，本发明实施例还提供一种如本发明实施例提供的显示面板的检测方法，检测方法包括：

步骤S101、向第一双栅型薄膜晶体管的另一栅极加载预设电压，以使第一双栅型薄膜晶体管工作在亚阈值区，其中，另一栅极为与光敏结构电连接的栅极以外的栅极。具体的，与光敏结构连接的栅极具体可以是图7中的第一光敏栅极31，第一双栅型薄膜晶体管的另一栅极具体可以是图7的第二光敏栅极32。

步骤S102、根据第一双栅型薄膜晶体管在亚阈值区时输出的电流，确定手指纹路。

为了更清楚地理解本发明实施例提供的显示面板的结构，以下结合图9-图10对本发明实施例提供的显示面板的制作方法进行详细说明，如下：

1、光敏结构2的制作，如图9所示，在透明衬底基板1(具体可以为玻璃基板)上依次制作底层第一电极21(具体可以为ITO)、光敏层22(具体可以包括P型半导体有缘层、N型半导体有源层、以及位于P型半导体有源层和N型半导体有源层之间的I型半导体层)、顶层第二电极(具体可以为ITO)并做图形化处理，形成PIN传感器。在预留发光区域S1制作彩膜7，每一像素单元的彩膜7具体可以为R、G、B彩膜中的一种。接着涂覆第一平坦层36(具体可以为PLN-1)做流平处理，在第一平坦层36上挖不同深度的孔，沉积金属LS层，连接光敏结构2，金属LS包括但不限于Cu、Mo、Al等金属或其合金，最左侧的金属LS，即，第一连接电极5，为光敏结构2的第一电极21(即，P端ITO)供电；中间的金属LS，即，第一光敏栅极31，连接光敏结构2的第二电极22(即，N端ITO)，形成第一双栅型薄膜晶体管3的底栅极；最右侧金属LS，即，第一发光栅极41，形成后续驱动底发射型发光器件的第二双栅型薄膜晶体管4的底栅极；所有的金属LS在兼为电极的同时，也作为遮光层遮蔽发光材料在显示面板内部光的折射、散射和衍射等，用以保护光敏结构2不受内部光路影响。

2、光学电路制作，如图10所示，在上述步骤的基础上依次形成第一栅极绝缘层37、光敏有源层32(同时形成发光有源层42，光敏有源层32以及发光有源层的材质具体可以为氧化物)、第二栅极绝缘层38和光敏栅极33(同时形成发光栅极42)、制作层间介质层39并做挖孔处理，沉积金属层并作图形化处理，形成源漏极层以及各电路的连接线。其中，最左侧的第二连接电极6连接最左侧的第一连接电极5，作为光敏结构2的P端ITO供电极，第一光敏栅极31、上部的光敏有源层32、第二光敏栅极33形成光敏结构2的双栅薄膜晶体管放大器，用以放大光生电流，提高灵敏度；中间的层间介质层39挖孔则挖去第一栅极绝缘层37、第二栅极绝缘层38，防止底发射型发光器件的出射光线在此发生折射和反射。

3、透明阳极的制作，如图7所示，涂覆第二平坦层8做电路层的流平，挖孔连接右侧发光电路的漏极，之后沉积透明阳极层10(具体可以为ITO和Ag合金的复合层)；接着做像素界定层9和隔垫物11，形成发光材料沉积孔。完成底发射有机电致发光显示面板的基板制作。

本发明实施例有益效果如下：本发明实施例提供的显示面板，每一像素单元包括发光区域以及除发光区域以外的受光区域；其中，发光区域具有底发射型发光器件，受光区域具有光敏结构和位于光敏结构背离透明衬底基板一面的第一双栅型薄膜晶体管，第一双栅型薄膜晶体管的一栅极与光敏结构电连接，即，与光敏结构电连接的为双栅型的第一双栅薄膜晶体管，进而，在进行指纹识别时，通过向该双栅型薄膜晶体管的另一栅极加载使该第一双栅型薄膜晶体管可以工作在亚阈值区的电压，可以使该双栅型薄膜晶体管对光敏结构检测到的电流进行放大，可以改善现有技术中的光电二极管在有光照和无光照时的电流比值较小，以及检测电流较小，检测灵敏度差的问题。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：透明衬底基板，位于所述透明衬底基板一面的多个像素单元，每一所述像素单元包括发光区域以及除所述发光区域以外的受光区域；所述发光区域具有底发射型发光器件，所述受光区域具有光敏结构和位于所述光敏结构背离所述透明衬底基板一面的第一双栅型薄膜晶体管，所述第一双栅型薄膜晶体管的一栅极与所述光敏结构电连接。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光敏结构包括相对的第一电极和第二电极，以及位于所述第一电极和第二电极之间的光敏层，所述光敏层覆盖所述受光区域。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极位于所述光敏层的背离所述透明衬底基板的一面；

所述第一双栅型薄膜晶体管包括：第一光敏栅极、位于所述第一光敏栅极的背离所述透明衬底基板一面的光敏有源层、位于所述光敏有源层的背离所述第一光敏栅极的第二光敏栅极、和位于所述第二光敏栅极的背离所述光敏有源层一面的光敏源极和光敏漏极；

所述第二电极与所述第一光敏栅极之间具有第一平坦层，所述第一光敏栅极通过贯穿所述第一平坦层的第一通孔与所述第二电极导通。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一光敏栅极与所述光敏有源层之间还具有第一栅极绝缘层，所述光敏有源层与所述第二光敏栅极还具有第二栅极绝缘层，所述光敏有源层与所述光敏源极之间还具有层间介质层；

所述显示面板还包括：与所述第一光敏栅极同层的第一连接电极，与所述光敏源极同层的第二连接电极；

所述第一连接电极通过贯穿所述第一平坦层的第二通孔与所述第一电极电连接；所述第二连接电极通过贯穿所述层间介质层、所述第二栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层的第三通孔与所述第一连接电极电连接；所述光敏源极和所述光敏漏极通过贯穿所述层间介质层和所述第二栅极绝缘层的第四通孔分别与所述光敏有源层电连接。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：与所述底发射型发光器件电连接的第二双栅型薄膜晶体管；

所述第二双栅型薄膜晶体管包括：与所述第一光敏栅极同层的第一发光栅极，与所述光敏有源层同层的发光有源层，与所述光敏源极同层的发光源极和发光漏极；所述发光漏极包括电连接的第一子发光漏极和第二子发光漏极；

所述第一子发光漏极和所述发光源极通过贯穿所述层间介质层、所述第二栅极绝缘层的第五通孔分别与所述发光有源层电连接；所述第二子发光漏极通过贯穿所述层间介质层、所述第二栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层的第六通孔与所述第一发光栅极电连接。

6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一光敏栅极、所述第一连接电极、所述第一发光栅极均为遮光性材质。

7.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：位于所述发光区域的凹槽；

所述凹槽由所述层间介质层的背离所述第二栅极绝缘层的一面向所述第一平坦层延伸，并暴露所述第一平坦层的背离所述光敏结构的表面。

8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一平坦层与所述透明衬底基板之间在所述发光区域还具有彩膜；

所述第一双栅型薄膜晶体管的背离所述光敏结构的一面还具有第二平坦层，所述第二平坦层的背离所述第一平坦层的一面还具有阳极层，所述阳极层的背离所述第二平坦层的一面还具有像素界定层，所述像素界定层的背离所述阳极层的一面还具有隔垫物。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的显示面板。

10.一种如权利要求1-8任一项所述的显示面板的检测方法，其特征在于，检测方法包括：

向所述第一双栅型薄膜晶体管的另一栅极加载预设电压，以使所述第一双栅型薄膜晶体管工作在亚阈值区，其中，所述另一栅极为与所述光敏结构电连接的栅极以外的栅极；

根据所述第一双栅型薄膜晶体管在所述亚阈值区时输出的电流，确定手指纹路。