CN109962114A - 双栅tft、像素电路及其控制方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种双栅TFT、像素电路及其控制方法。双栅薄膜晶体管还包括设置在衬底上的有源层；设置在衬底上的第一栅极和第二栅极；设置在衬底上的第一电极、第二电极和第三电极，第一电极和第二电极分别通过第一通孔和第二通孔与有源层电连接，第三电极用于与光敏器件电连接，其中，第三电极与所述第一栅极或第二栅极通过第三通孔电连接；或者，第三电极与有源层通过第四通孔连接。根据本申请实施例的技术方案，双栅薄膜晶体管在不同的控制信号驱动下，实现一个双栅薄膜液晶管同时作为光敏器件和有机放光器件的开关，大大减少了TFT数量，有助于实现高分辨率。

Description

双栅TFT、像素电路及其控制方法
技术领域
本申请一般涉及显示技术领域，尤其涉及双栅TFT、像素电路及其控制方法。
背景技术
随着显示技术的发展，显示装置的显示效果越来越好，给人们带来了良好的视觉体验，但由于生活水平的提高，人们对显示装置的要求不仅局限于显示效果，还要求显示其具有多样化的功能。
例如显示装置将图像显示和指纹识别技术结合起来，形成具有指纹识别功能的显示装置。但是这种显示装置中图像显示和指纹识别都是通过独立的薄膜晶体管TFT(ThinFilm Transistor)，作为驱动开关，这样导致像素密度被大大地降低了，也不利于获得高分辨率的显示效果。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种双栅TFT、像素电路及其控制方法来解决上述问题。
第一方面，本申请实施例提供了一种双栅薄膜晶体管，其设置在衬底上，该双栅薄膜晶体管还包括：
设置在衬底上的有源层；
设置在衬底上的第一栅极和第二栅极；
设置在衬底上的第一电极、第二电极和第三电极，第一电极和第二电极分别通过第一通孔和第二通孔与有源层电连接，第三电极用于与光敏器件电连接，其中，第三电极与所述第一栅极或第二栅极通过第三通孔电连接；或者，第三电极与有源层通过第四通孔电连接。
第二方面，本申请提供了一种像素电路，像素电路包括如第一方面描述的双栅薄膜晶体管、光敏器件、有机发光器件，其中光敏器件间接与第一栅极或第二栅极电连接；
双栅薄膜晶体管用于经第一栅极和第二栅极同步接收第一控制信号，使得双栅薄膜晶体管工作在亚阈值区域；
光敏器件用于在双栅薄膜晶体管接收第一控制信号的同时，同步接收第二控制信号，使得光敏器件处于反偏状态；
在光敏器件处于反偏状态的时间周期内，光敏器件响应于检测到的光信号，将光信号转换成电荷以使得第一栅极产生偏压，并使得双栅薄膜晶体管在偏压作用下产生第一电流值，第一电流用于指纹识别；
或者，双栅薄膜晶体管用于经第一栅极和第二栅极同步接收第三控制信号，使得双栅薄膜晶体管处于导通状态，以产生第二电流值，第二电流值用于驱动所述有机发光器件进行像素显示。
进一步地，光敏器件还用于在所述双栅薄膜晶体管处于导通状态时，同步接收第四控制信号以使得所述光敏器件处于正偏状态。
第三方面，本申请提供了一种像素电路，像素电路包括如第一方面描述的双栅薄膜晶体管、光敏器件、有机发光器件，其中光敏器件间接与有源层电连接；
双栅薄膜晶体管用于经第一栅极和第二栅极同步接收第五控制信号，使得双栅薄膜晶体管处于截止状态；
光敏器件用于在双栅薄膜晶体管处于截止状态的同时，光敏器件接收第二控制信号，使得光敏器件处于反偏状态，此时，光敏器件响应于检测到的光信号，将光信号转换成电荷并积累电荷；
双栅薄膜晶体管还用于经第一栅极接收第三控制信号，第二栅极接收第五控制信号，使得双栅薄膜晶体管处于第一部分导通状态，以导出电荷作为第三电流值，第三电流值用于指纹识别；或者
双栅薄膜晶体管用于经第一栅极和第二栅极同步接收第三控制信号，使得双栅薄膜晶体管处于导通状态，以产生第四电流值，第四电流值用于驱动所述有机发光器件进行像素显示。
进一步地，光敏器件还用于在双栅薄膜晶体管处于第一部分导通状态时，同步接收第四控制信号，使得光敏器件处于正偏状态。
进一步地，双栅晶体管还用于经第一栅极接收第五控制信号，第二栅极接收第三控制信号，使得双栅薄膜晶体管处于第二部分导通状态，以产生第五电流值，第五电流值用于驱动有机发光器件进行像素显示。
第四方面，本申请实施例还提供了一种像素电路控制方法，像素电路如第二方面描述，则该方法包括：
第一栅极和第二栅极同步接收第一控制信号，使得双栅薄膜晶体管工作在亚阈值区域；
在接收第一控制信号的同时，光敏器件同步接收第二控制信号，使得光敏器件处于反偏状态；
在光敏器件处于反偏状态的时间周期内，光敏器件响应于检测到的光信号，将光信号转换成电荷以使得第一栅极产生偏压，并使得双栅薄膜晶体管在偏压作用下产生第一电流值，第一电流值用于指纹识别；或者，
第一栅极和第二栅极同步接收第三控制信号，使得双栅薄膜晶体管处于导通状态，以产生第二电流值，第二电流值用于驱动有机发光器件进行像素显示。
进一步地，在第一栅极和第二栅极同步接收第一控制信号之前，该方法还包括：
在双栅薄膜晶体管处于导通状态时，光敏器件同步接收第四控制信号，使得光敏器件处于正偏状态。
第五方面，本申请实施例还提供了一种像素电路控制方法，像素电路如第三方面描述的，则该方法包括：
第一栅极和第二栅极同步接收第五控制信号，使得双栅薄膜晶体管处于截止状态，同时光敏器件接收第二控制信号，使得光敏器件处于反偏状态，此时，光敏器件响应于检测到的光信号，将所述光信号转换成电荷并积累所述电荷；
第一栅极接收第三控制信号，第二栅极接收第五控制信号，使得双栅薄膜晶体管处于第一部分导通状态，以导出电荷作为第三电流值，第三电流值用于指纹识别；或者，
第一栅极和第二栅极同步接收第三控制信号，使得双栅薄膜晶体管处于导通状态，以产生第四电流值，第四电流值用于驱动有机发光器件进行像素显示。
进一步地，在第一栅极和第二栅极同步接收第五控制信号之前，该方法还包括：在双栅薄膜晶体管处于第一部分导通状态时，光敏器件同步接收第四控制信号，使得光敏器件处于正偏状态。
本申请实施例提供的双栅薄膜晶体管在不同的控制信号驱动下，实现一个双栅薄膜液晶管同时作为光敏器件和有机放光器件的开关，大大减少了TFT数量，有助于实现高分辨率。
进一步地，通过光敏器件与双栅薄膜液晶管的其中一个栅极连接，还可以增强用于指纹检测的信号强度。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1示出了本申请实施例提供像素电路的示意性结构图；
图2示出了本申请实施例提供的双栅薄膜晶体管101的结构示意图；
图3示出了本申请又一实施例提供的双栅薄膜晶体管101的结构示意图；
图4示出了本申请实施例提供的像素电路控制方法的流程示意图；
图5示出了本申请又一实施例提供的像素电路控制方法的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关公开，而非对该公开的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与公开相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
请参考图1，图1示出了本申请实施例提供像素电路的示意性结构图。
如图1所示，包括双栅薄膜晶体管101、光敏器件102、有机发光器件103。
双栅薄膜晶体管101包括第一电极101a、第二电极101b、第三电极101c、第一栅极101d和第二栅极101e。
光敏器件102与第一栅极101d电连接。
有机发光器件103与第一电极101a电连接。
双栅薄膜晶体管101在不同控制信号下，可以驱动光敏器件102工作，或者驱动有机发光器件103工作，从而实现利用一个双栅薄膜晶体管101，既作为光敏器件102，又作为有机发光器件103的开关，有效地节省了开关的数量。光敏器件102还可以与第二栅极101e或第三电极101c电连接。
其中，光敏器件102可以是PIN光敏器件、PN光敏器件或者肖特基型光敏器件。光敏器件102用于指纹识别，即当有手指靠近或接触显示装置的发光面，显示装置发出的光被反射回显示装置内，可以通过光敏器件接收指纹区域对发射光的感应，经光敏器件将光信号转换成电荷，被数据读取线读取出来。例如，手指包括指纹谷和指纹脊。与之对应的发射光在光敏器件中产生的电流值大小不同，通过识别电流值的大小从而实现指纹识别的目的。
其中，有机发光器件103的结构：玻璃基板上面是一层透明的ITO(氧化铟锡)阳极，上面镀一薄层铜酞菁染料，它能使ITO的表面钝化，以增加其稳定性，再向上就是P型和N型有机半导体材料，最顶上是镁银合金阴极，这一层金属阴极也起到反光的作用。这些涂层都是蒸镀到玻璃基板上的，因此厚度非常薄。在电极两端加上5V～10V的电压，有机发光材料就可以发出相当明亮的光，光是从玻璃基板、也就是向下发出的。这块玻璃基板也可以用可弯曲的柔性塑料基板代替。
光敏器件102与双栅薄膜晶体管101的栅极电连接的方式，不仅可以实现1个TFT同时控制光敏器件102用于指纹识别，还可以控制有机发光器件103实现像素显示。进一步地，该电路还可以利用光敏器件感光后产生的偏压对栅极电压形成影响，使得光敏器件将光信号可以通过双栅薄膜晶体管的漏极输出电流来实现检测，从而提高了信号强度。
本申请实施例提出的双栅薄膜晶体管101可以如图2所示，图2示出了本申请实施例提供的双栅薄膜晶体管101的结构示意图。
双栅薄膜晶体管101设置在衬底11上；双栅薄膜晶体管101包括：
设置在衬底11上的有源层12；
设置在衬底11上的第一栅极101d和第二栅极101e；
设置在衬底11上的第一电极101a、第二电极101b和第三电极101c，第一电极101a和第二电极101b分别通过第一通孔13和第二通孔14与有源层12电连接，第三电极101c和光敏器件102电连接。其中，第三电极101c还与第一栅极101d或第二栅极101e通过第三通孔15电连接，第一电极101a还与有机发光器件103通过第四通孔16电连接。
双栅薄膜晶体管101还包括：
设置在衬底11上的栅极绝缘层17，栅极绝缘层17位于有源层12的上方或者有源层12的下方。
双栅薄膜晶体管101还包括：
设置在衬底11上的保护层18，保护层18位于第一栅极101d和第二栅极101e所在层的上方或者紧邻有源层12的上方。
双栅薄膜晶体管101还可以如图3所示，图3示出了本申请又一实施例提供的双栅薄膜晶体管101的结构示意图。
双栅薄膜晶体管101设置在衬底11上；
设置在衬底101上的有源层12；
设置在衬底上的第一栅极101d和第二栅极101e；
设置在衬底11上的第一电极101a、第二电极101b和第三电极101c，第一电极101a、第二电极101b和第三电极101c与有源层12分别通过第五通孔21、第六通孔22、第七通孔23电连接，第三电极101c与光敏器件102电连接，第一电极101a还与有机发光器件103通过第八通孔24电连接。
双栅薄膜晶体管101还包括：
设置在衬底11上的栅极绝缘层17，栅极绝缘层17位于有源层12的上方或者有源层12的下方。
双栅薄膜晶体管101还包括：
设置在衬底11上的保护层18，保护层18位于第一栅极101d和第二栅极101e所在层的上方或者紧邻有源层12的上方。
上述双栅薄膜晶体管101也可以基于底栅和顶栅作出适应性修改，例如在图3的基础上通过延长通孔，使得光敏器件与第一栅极或第二栅极电连接来实现。或者，在图2基础上，通过改变通孔，使得光敏器件与有源层连接。
图2示出的双栅薄膜晶体管101的制作过程，光敏器件以发光二极管PIN管为例，该过程可以包括如下描述的步骤：
在玻璃衬底或柔性衬底上，沉积缓冲层(Buffer)，该层由SiN/SiO2叠层组成，其中SiN厚度50～150nm，SiO2为100～400nm。
在Buffer层上沉积有源层12，该有源层12可以为a-Si或由a-Si晶化为p-Si，也可以为Oxide有源层，包括铟镓锌氧化物IGZO、铟锌氧化物IZO等，可以为非晶态或是准晶态、晶态。在有源层12上与漏极和源极接触部分及第一栅极gate1和第二栅极gate2中间区域需要进行导体化处理，通过doping、plasma处理、气氛退火等工艺，增加载流子浓度，保证此部分有源层和相应电极实现欧姆接触。
在有源层12上沉积栅极绝缘层GI和栅极Gate层，其中GI为SiO2或是SiN/SiO2叠层，厚度为80～150nm，Gate为200～400nm金属，如Mo等
然后，进行按工艺实现保护层PVX1和SD层，其中PVX1为SiO2或是SiN/SiO2叠层，厚度为80～150nm，SD为200～400nm金属，如Mo等。
本申请实施例中，在SD层制备时，可以同时实现TFT SD层和PIN下电极层共用的目的。
在基板上沉积PIN管，PIN包括：ITO层，P+a-Si层，a-Si层N+a-SiPIN的形成可以通过PECVD直接形成，也可通过Doping工艺逐步形成。其中P+a-Si层为10～20nm，a-Si层为500～1000nm和N+a-Si层分别为10～50nm。
ITO层作为PIN窗口层，在PIN图案化过程中起hard mask作用，厚度在50～130nm之间。
PIN图案化后，制备PLN平坦层，厚度比PIN稍大，1.2～3μm之间(PLN之前也可沉积cover层保护PIN侧壁，cover选用SiO、SiN等，厚度为50～150nm左右)。
图3示出的双栅薄膜晶体管101的制作过程，光敏器件以发光二极管PIN管为例，该过程可以包括如下描述的步骤：
在玻璃衬底或柔性衬底沉积栅极gate层，如金属200～400nm的Mo；
在栅极层上按工艺形成栅极绝缘层GI层，该层由SiN/SiO2叠层组成，其中SiN厚度50～150nm，SiO2为100～400nm。
在栅极绝缘层GI上沉积有源层1，该层可以为a-Si或由a-Si晶化为p-Si，也可以为Oxide有源层，包括铟镓锌氧化物IGZO、铟锌氧化物IZO等，可以为非晶态或是准晶态、晶态；与源极S、漏极Dd、漏极源极Ds接触部分需要进行导体化处理，通过doping、plasma处理、气氛退火等工艺，增加载流子浓度，保证此部分有源层和相应电极实现欧姆接触。
在有源层12上沉积第一保护层PVX1和SD层，其中PVX1为SiO2或是SiN/SiO2叠层，厚度为80～150nm，SD层为200～400nm金属，如Mo等；源极S和漏极Dd组成用于控制像素显示功能的开关。
沉积第二保护层PVX2和漏极Ds，其中PVX2为SiO2或是SiN/SiO2叠层，厚度为80～150nm，Ds为200～400nm金属，如Mo等；源极S和漏极Ds组成用于控制光敏器件的开关(Ds也称为PIN管的下电极)。
在基板上，沉积PIN管，PIN的形成可以由PECVD直接形成，也可通过Doping工艺逐步形成，其中P+a-Si层为10～20nm，a-Si层为500～1000nm，n+a-Si层为10～50nm。
ITO层作为PIN窗口层，在PIN图案化过程中起hard mask作用，厚度在50～130nm之间。
PIN图案化后，制备PLN平坦层，厚度比PIN稍大，1.2～3μm之间。
如图4所示，图4示出了本申请实施例提供的像素电路控制方法的流程示意图。控制双栅薄膜晶体管101在光敏器件102和有机发光器件103切换。
步骤401，在双栅薄膜晶体101处于导通状态时，光敏器件102同步接收第四控制信号，使得光敏器件处于正偏状态。其中，第一栅极和第二栅极同步接收第三控制信号，使得双栅薄膜晶体管处于导通状态。即第一阶段为双栅TFT开启清空电荷的阶段。第三控制信号可以为第一高电平，例如+2V。第四控制信号可以为第二高电平，例如+5V。第三控制信号可以是第一栅极控制端和第二栅极控制端同步接收的控制信号。
步骤402，双栅薄膜晶体管101的第一栅极101d和第二栅极101e同步接收第一控制信号，使得双栅薄膜晶体管工作在亚阈值区域，光敏器件102在双栅薄膜晶体管101接收第一控制信号的同时，同步接收第二控制信号，使得光敏器件处于反偏状态。第二阶段为双栅TFT处于亚阈值区域的阶段。其中，第一控制信号可以是0V电压。第二控制信号可以为-5V。第一控制信号可以是第一栅极控制端和第二栅极控制端同步接收的控制信号。
步骤403，在光敏器件处于反偏状态的时间周期内，光敏器件响应于检测到的光信号，将光信号转换成电荷以使得第一栅极产生偏压，并使得双栅薄膜晶体管在偏压作用下产生第一电流值，第一电流值用于指纹识别。第三阶段为PIN管实现指纹检测阶段，以图2示出的电路结构，当第一栅极101d和第二栅极101e同步接收0v电压的控制信号时，双栅薄膜晶体管101工作在亚阈值区域。此时光敏器件102受-5V电压信号控制处于反偏状态，在反偏状态过程中，如果有手指按压在显示装置上，则手指的光线反射到光敏器件上，由于手指上的纹理对光线的反射程度不同，使得光敏器件在反偏状态下积累电荷产生的偏压值不同，进而在偏压值的影响下，双栅薄膜晶体管与光敏器件连接的第一栅极101d的电压呈现出负值，根据电荷数量，产生的负电压值不同，在负电压值的作用下，在第一电极101a处输出第一电流值，该电流值用于指纹检测。
步骤404，经第一栅极和第二栅极同步接收第三控制信号，使得双栅薄膜晶体管处于导通状态，以产生第二电流值，第二电流值用于驱动有机发光器件进行像素显示。其中，第三控制信号可以为+2V。即第四阶段为像素显示阶段。以图2示出的电路结构，当第一栅极101d和第二栅极101e同步接收到+2V的电压控制信号时，使得双栅薄膜晶体管101导通，图像信号可以通过第二电极101b输入，用于驱动有机发光器件103进行像素显示的第二电流值可以通过第一电极101a输出，从而实现显示功能。
如图5所示，图5示出了本申请又一实施例提供的像素电路控制方法的流程示意图。该像素电路如图3所示。控制双栅薄膜晶体管101在光敏器件102和有机发光器件103切换。
步骤501，在双栅薄膜晶体管处于第一部分导通状态时，光敏器件同步接收第四控制信号，使得光敏器件处于正偏状态。使得双栅薄膜晶体管101处于第一部分导通状态可以通过第一栅极接收第三控制信号，第二栅极接收第五控制信号。其中第三控制信号可以为+2V电压，第四控制信号可以为+5V电压，第五控制信号可以为-2V电压。即第一阶段为双栅TFT开启清空电荷的阶段。第一部分导通状态可以理解为双栅薄膜晶体管的部分导通，例如以图3示出的电路结构为例，当第一栅极101d接收+2V电压，第二栅极101e接收-2V电压，则在第一栅极的电场控制下，可以在第一电极101a和第三电极101c之间形成沟道，使得处于正偏的PIN管的电荷被清除。第二栅极101e控制的双栅TFT的第二部分则处于截止状态。第一部分，第二部分不作约束限定，根据TFT工作原理，也可以称第二栅极101e，第二电极101b，第三电极101c限定的部分称为第一部分，第一栅极101d，第一电极101a，第三电极101c限定的部分称为第二部分。
步骤502，第一栅极和第二栅极同步接收第五控制信号，使得双栅薄膜晶体管处于截止状态。即第二阶段为双栅TFT开关断开阶段。
步骤503，在双栅薄膜晶体管处于截止状态同时，光敏器件接收第二控制信号，使得光敏器件处于反偏状态，此时，光敏器件响应于检测到的光信号，将光信号转换成电荷并积累电荷。
步骤504，第一栅极接收第三控制信号，第二栅极接收第五控制信号，使得双栅薄膜晶体管处于第一部分导通状态，以导出电荷作为第三电流值，第三电流值用于指纹识别。以图3示出的电路结构为例，当第一栅极101d接收+2V电压时，在第一电极101a与第三电极101c之间形成沟道，将PIN积累的电荷导出至第一电极101a，第一电极101a输出第三电流值，用于指纹识别。步骤503和504为第三阶段，即PIN管实现指纹检测阶段。第一部分，第二部分不作约束限定，根据TFT工作原理，也可以称第二栅极101e，第二电极101b，第三电极101c限定的部分称为第一部分，第一栅极101d，第一电极101a，第三电极101c限定的部分称为第二部分。
步骤505，第一栅极和第二栅极同步接收第三控制信号，使得双栅薄膜晶体管处于导通状态，以产生第四电流值，该第四电流值用于驱动有机发光器件进行像素显示。第四阶段为像素显示阶段。以图3示出的电路结构为例，在第一栅极101d和第二电极101e接收+2V电压时，在第一电极101a和第二电极101b之间形成沟道，图像信号经过第二电极101b输入，第一电极101a输出的第四电流值，用于驱动有机发光器件进行像素显示。
在第四阶段，还可以通过仅在第二栅极接收控制信号，使得第一栅极与第一电极和第三电极作为单栅TFT控制像素显示。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的公开范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离前述公开构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (10)

1.一种双栅薄膜晶体管，其设置在衬底上，其特征在于，所述双栅薄膜晶体管还包括：
设置在所述衬底上的有源层；
设置在所述衬底上的第一栅极和第二栅极；
设置在所述衬底上的第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极和第二电极分别通过第一通孔和第二通孔与所述有源层电连接，所述第三电极用于与光敏器件电连接，其中，所述第三电极与所述第一栅极或所述第二栅极通过第三通孔电连接；或者，所述第三电极与所述有源层通过第四通孔电连接。
2.一种像素电路，其特征在于，所述像素电路包括如权利要求1所述的双栅薄膜晶体管、光敏器件、有机发光器件，其中所述光敏器件间接与所述第一栅极或第二栅极电连接；
所述双栅薄膜晶体管用于经所述第一栅极和所述第二栅极同步接收第一控制信号，使得所述双栅薄膜晶体管工作在亚阈值区域；
所述光敏器件用于在所述双栅薄膜晶体管接收所述第一控制信号的同时，同步接收第二控制信号，使得所述光敏器件处于反偏状态；
在所述光敏器件处于反偏状态的时间周期内，所述光敏器件响应于检测到的光信号，将所述光信号转换成电荷以使得所述第一栅极产生偏压，并使得所述双栅薄膜晶体管在所述偏压作用下产生第一电流值，所述第一电流值用于指纹识别；
或者，所述双栅薄膜晶体管用于经所述第一栅极和所述第二栅极同步接收第三控制信号，使得所述双栅薄膜晶体管处于导通状态，以产生第二电流值，所述第二电流值用于驱动所述有机发光器件进行像素显示。
3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述光敏器件还用于在所述双栅薄膜晶体管处于导通状态时，同步接收第四控制信号以使得所述光敏器件处于正偏状态。
4.一种像素电路，其特征在于，所述像素电路包括如权利要求1所述的双栅薄膜晶体管、光敏器件、有机发光器件，其中所述光敏器件间接与所述有源层电连接；
所述双栅薄膜晶体管用于经所述第一栅极和所述第二栅极同步接收第五控制信号，使得所述双栅薄膜晶体管处于截止状态；
所述光敏器件用于在所述双栅薄膜晶体管处于截止状态的同时，所述光敏器件接收第二控制信号，使得所述光敏器件处于反偏状态，此时，所述光敏器件响应于检测到的光信号，将所述光信号转换成电荷并积累所述电荷；
所述双栅薄膜晶体管还用于经所述第一栅极接收第三控制信号，所述第二栅极接收所述第五控制信号，使得所述双栅薄膜晶体管处于第一部分导通状态，以导出所述电荷作为第三电流值，所述第三电流值用于指纹识别；或者，
所述双栅薄膜晶体管用于经所述第一栅极和所述第二栅极同步接收所述第三控制信号，使得所述双栅薄膜晶体管处于导通状态，以产生第四电流值，所述第四电流值用于驱动所述有机发光器件进行像素显示。
5.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，
所述光敏器件还用于在所述双栅薄膜晶体管处于所述第一部分导通状态时，同步接收所述第四控制信号，使得所述光敏器件处于正偏状态。
6.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述双栅晶体管还用于经所述第一栅极接收所述第五控制信号，所述第二栅极接收所述第三控制信号，使得所述双栅薄膜晶体管处于第二部分导通状态，以产生第五电流值，所述第五电流值用于驱动有机发光器件进行像素显示。
7.一种像素电路控制方法，其特征在于，所述像素电路如权利要求2或3任意一项所述，则该方法包括：
所述第一栅极和所述第二栅极同步接收第一控制信号，使得所述双栅薄膜晶体管工作在亚阈值区域；
在接收所述第一控制信号的同时，所述光敏器件同步接收第二控制信号，使得所述光敏器件处于反偏状态；
在所述光敏器件处于反偏状态的时间周期内，所述光敏器件响应于检测到的光信号，将光信号转换成电荷以使得所述第一栅极产生偏压，并使得所述双栅薄膜晶体管在所述偏压作用下产生所述第一电极输出的第一电流值，所述第一电流值用于指纹识别；
或者，所述第一栅极和所述第二栅极同步接收第三控制信号，使得所述双栅薄膜晶体管处于导通状态，以产生第二电流值，所述第二电流值用于驱动有机发光器件进行像素显示。
8.根据权利要求7所述的像素电路控制方法，其特征在于，在所述第一栅极和所述第二栅极同步接收第一控制信号之前，该方法还包括：
在所述双栅薄膜晶体管处于导通状态时，所述光敏器件同步接收所述第四控制信号，使得所述光敏器件处于正偏状态。
9.一种像素电路控制方法，其特征在于，所述像素电路如权利要求4-6任意一项所述，则该方法包括：
所述第一栅极和所述第二栅极同步接收第五控制信号，使得所述双栅薄膜晶体管处于截止状态，同时所述光敏器件接收第二控制信号，使得所述光敏器件处于反偏状态，此时，所述光敏器件响应于检测到的光信号，将所述光信号转换成电荷并积累所述电荷；
所述第一栅极接收第三控制信号，所述第二栅极接收第五控制信号，使得所述双栅薄膜晶体管处于第一部分导通状态，以导出所述电荷作为第三电流值，所述第三电流值用于指纹识别；或者，
所述第一栅极和第二栅极同步接收所述第三控制信号，使得所述双栅薄膜晶体管处于导通状态，以产生第四电流值，所述第四电流值用于驱动有机发光器件进行像素显示。
10.根据权利要求9所述的像素电路控制方法，其特征在于，在所述第一栅极和所述第二栅极同步接收第五控制信号之前，该方法还包括：在所述双栅薄膜晶体管处于第一部分导通状态时，所述光敏器件同步接收所述第四控制信号，使得所述光敏器件处于正偏状态。
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