CN115016173A - 背光模组及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种背光模组及显示装置，背光模组包括发光基板，发光基板包括：基板；阵列层，设置于基板上，阵列层包括感光单元和开关单元；以及发光芯片，设置于阵列层远离基板的一侧，发光芯片与感光单元错开设置，发光芯片与至少一个开关单元电性连接。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种背光模组及显示装置。
背景技术
目前，红外遥控技术已经广泛应用于显示屏领域，例如，使用红外激光笔对显示屏上显示的演示文稿进行翻页。然而，传统红外遥控技术需要红外发射端对准红外接收器，否则无法实现红外遥控，即传统红外遥控技术存在方向性强的缺点。
因此，如何解决传统红外遥控技术方向性强的缺点是需要解决的问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种背光模组及显示装置，有利于解决传统红外遥控技术方向性强的问题。
为实现上述目的，技术方案如下：
一种背光模组，所述背光模组包括发光基板，所述发光基板包括：
基板；
阵列层，设置于所述基板上，所述阵列层包括感光单元和开关单元；以及
发光芯片，设置于所述阵列层远离所述基板的一侧，所述发光芯片与所述感光单元错开设置，所述发光芯片与至少一个所述开关单元电性连接。
在一些实施例的背光模组中，所述感光单元用于感应第一波长的光线，所述发光基板还包括：
选择性透光层，设置于所述阵列层远离所述基板的一侧，且位于所述发光芯片之间，所述选择性透光层与所述感光单元重叠，所述选择性透光层透过第二波长的光线且阻挡所述第二波长的光线之外的光线，所述第二波长在所述第一波长对应的波段内。
在一些实施例的背光模组中，所述第二波长的光线为红外光线，所述第一波长的光线包括紫外光线、可见光光线以及红外光线。
在一些实施例的背光模组中，所述选择性透光层为油墨层。
在一些实施例的背光模组中，所述油墨层为白色油墨层或黑色油墨层。
在一些实施例的背光模组中，所述选择性透光层的厚度大于或等于10微米且小于或等于100微米。
在一些实施例的背光模组中，至少部分所述感光单元设置于相邻的两个所述发光芯片之间，和/或，至少部分发光芯片设置于相邻两个所述感光单元之间。
在一些实施例的背光模组中，所述阵列层还包括：
多个叠置的膜层；以及
过孔，所述过孔在所述发光基板的厚度方向上贯穿至少部分所述膜层；
所述感光单元包括感光层，所述感光层的至少部分设置于所述过孔的底部。
在一些实施例的背光模组中，所述感光层位于所述过孔内和多个所述膜层中与所述基板距离最大的一个所述膜层远离所述基板的表面上。
在一些实施例的背光模组中，所述开关单元包括第一有源层，所述感光层的厚度大于所述第一有源层的厚度。
在一些实施例的背光模组中，所述感光层的厚度与所述第一有源层的厚度的比值大于或等于1.5且小于或等于10。
在一些实施例的背光模组中，所述感光层的厚度大于或等于1000埃且小于或等于3500埃。
在一些实施例的背光模组中，所述阵列层还包括：
透光保护层，所述透光保护层的至少部分形成于所述过孔中且位于所述感光层上。
在一些实施例的背光模组中，所述透光保护层对光线的透过率大于或等于80％。
在一些实施例的背光模组中，所述透光保护层的制备材料为氧化铟锡。
在一些实施例的背光模组中，所述阵列层还包括：
信号读取开关，所述信号读取开关与所述感光单元电性连接。
在一些实施例的背光模组中，所述信号读取开关包括：
第二有源层，所述第二有源层包括沟道、源极重掺杂部以及漏极重掺杂部，所述源极重掺杂部和所述漏极重掺杂部分别位于所述沟道的相对两侧；以及
导电电极，所述导电电极与所述源极重掺杂部和所述漏极重掺杂部中的一者接触；
所述过孔对应所述源极重掺杂部和所述漏极重掺杂部中的另一者设置；
所述感光层通过所述过孔与所述源极重掺杂部和所述漏极重掺杂部中的另一者接触。
在一些实施例的背光模组中，所述感光单元包括感光层；
所述开关单元包括第一有源层，所述第一有源层与所述感光层同层设置。
在一些实施例的背光模组中，所述阵列层还包括：
信号读取开关，所述信号读取开关的栅极与所述感光层连接。
在一些实施例的背光模组中，所述阵列层还包括重置开关，所述重置开关与所述感光单元电性连接。
在一些实施例的背光模组中，所述信号读取开关包括第二有源层，所述重置开关包括第三有源层，所述第二有源层和所述第三有源层与所述第一有源层同层设置；
所述阵列层还包括桥接线，所述桥接线与所述感光层、所述第三有源层以及所述信号读取开关的所述栅极连接。
在一些实施例的背光模组中，所述背光模组还包括：
光学组件，所述光学组件位于所述发光基板的出光侧，所述光学组件包括至少一个光学片材，一个所述光学片材对所述第二波长的光线的透过率大于或等于50％且小于或等于90％。
在一些实施例的背光模组中，所述光学组件包括多个所述光学片材，所述光学组件对所述第二波长的光线的透过率大于或等于20％且小于或等于80％。
一种显示装置，所述显示装置包括：
上述背光模组；以及
液晶显示面板，所述液晶显示面板位于所述背光模组的出光侧。
有益效果：本申请提供一种背光模组及显示装置，通过将感光单元集成于背光模组的阵列层中，遥控用的光线可以从任意角度入射至显示装置，穿过液晶显示面板而进入至背光模组中，而为背光模组的阵列层中的感光单元接收，感光单元将接收的光线转换为电信号，背光模组将电信号传输至液晶显示面板，以实现任意位置对显示装置的控制。
附图说明
图1为本申请实施例显示装置的截面示意图；
图2为图1所示显示装置的平面示意图；
图3为图1所示发光基板的截面示意图；
图4为图3所示发光基板的平面示意图；
图5为图3所示发光基板的第一种局部放大示意图；
图6为图3所示发光基板的第二种局部放大示意图；
图7为图3所示发光基板的第三种局部放大示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1和图2，本申请提供一种显示装置100，显示装置100配合激光笔，以实现远程遥控交互。显示装置100包括液晶显示面板10、背光模组20、第一柔性印刷电路板30以及支撑件40。
液晶显示面板10位于背光模组20的出光侧，第一柔性印刷电路板30绑定于液晶显示面板10的一端，背光模组20包括第二柔性印刷电路板50，第二柔性印刷电路板50与第一柔性印刷电路板30连接，以实现背光模组20与液晶显示面板10之间的电性连接。
背光模组20包括背板201、发光基板202以及光学组件203。背板201包括底板2011和四个第一侧板2012，四个第一侧板2012分别沿着底板2011的四个边缘设置，相邻两个第一侧板2012连接，底板2011与四个第一侧板2012围合成一个容置空间201a。发光基板202和光学组件203设置于容置空间201a中，光学组件203位于发光基板202的出光侧。
支撑件40固定于背板201上。支撑件40包括第二侧板401、支撑板402以及第三侧板403，支撑板402连接于第二侧板401与第三侧板403之间，且支撑板402与第二侧板401与第三侧板403均垂直连接。第二侧板401设置于容置空间201a中且与第一侧板2012平行对应设置，第二侧板401与第一侧板2012之间通过第一连接件601连接。支撑板402设置于第一侧板2012上，液晶显示面板10通过第二连接件602固定于支撑板402上。其中，第一连接件601和第二连接件602可以是胶层、泡棉胶或胶带。
光学组件203包括多个叠置的光学片材，多个光学片材包括扩散板、扩散片、增亮膜以及反射式增亮膜，扩散片的数目可以为一个或多个。光学组件203还可以包括一个或多个色转换膜，例如量子点荧光转换膜等。
请参阅图3和图4，第二柔性印刷电路板50绑定于发光基板202上。发光基板202包括基板70、阵列层80以及发光芯片90。
基板70为玻璃基板。阵列层80设置于基板70上，发光芯片90设置于阵列层80远离基板70的一侧。
多个发光芯片90在行方向上和列方向上阵列排布。发光芯片90可以包括红光发光芯片、蓝光发光芯片以及绿光发光芯片；或者，发光芯片90只是包括蓝光发光芯片；或者，发光芯片90只是包括白光发光芯片。发光芯片90选自无机发光二极管、微型发光二极管以及次毫米发光二极管中的任意一种。
需要说明的是，发光芯片90只是包括蓝光发光芯片时，发光基板202还可以包括荧光转换膜或者量子点转换膜。光学组件203也可以包括量子点转换膜。
阵列层80包括间隔设置的开关单元801和感光单元802，发光芯片90与感光单元802错开设置，发光芯片90与至少一个开关单元801电性连接，以使得感光单元802集成于背光模组20的发光基板202中的同时，感光单元802能接收光而实现感光功能。
多个感光单元802在行方向上和列方向上阵列排布，在行方向上和列方向上，任意相邻两个感光单元802之间的间距相等。
至少部分感光单元802设置于相邻的两个发光芯片90之间，和/或，至少部分发光芯片90设置于相邻两个感光单元802之间。
具体地，相邻两个发光芯片90之间可以设置一个或多个感光单元802，且相邻两个感光单元802之间设置有一个或多个发光芯片90。
由于发光基板202中可以设置多个感光单元802，激光笔对显示装置100进行远程遥控时，激光笔发射出的遥控用的光线可以从任意角度入射显示装置100，遥控用的光线穿过液晶显示面板10以及光学组件203而入射至背光模组20的发光基板202中，为背光模组20的阵列层80中的感光单元802接收，感光单元802将接收的光线转换为电信号，背光模组20通过第二柔性印刷电路板50和第一柔性印刷电路板30将电信号传输至液晶显示面板10，从而实现任意位置对显示装置100的控制。
感光单元802用于感应第一波长的光线，感光单元802接收第一波长的光线而受激发，产生电流信号。第一波长的光线包括紫外光线、红外光线以及可见光光线，即感光单元802能感应全波段的光线。
具体地，第一波长的波段为300纳米至1500纳米。可以理解的是，感光单元802也可以只是感应紫外光线，或者感光单元802可以只是感应红外光线。
当感光单元802可以感应全波段的光线时，为了使遥控用的光线为感光单元802接收，且避免遥控用的光线之外的其他光线对遥控过程造成干扰，本申请在发光基板202上还设置有选择性透光层110，选择性透光层110透过第二波长的光线且阻挡第二波长的光线之外的光线，第二波长的光线为遥控用的光线，第二波长在第一波长对应的波段内。
具体地，第二波长的光线为红外光线，例如波长为800纳米、850纳米、900纳米、940纳米、1000纳米或者1150纳米的红外光线。
选择性透光层110设置于阵列层80远离基板70的一侧，选择性透光层110位于发光芯片90之间，选择性透光层110与感光单元802重叠，使得穿过选择性透光层110的第二波长的光线为感光单元802接收，而第二波长的光线之外的其他光线不会穿过选择性透光层110而为感光单元802接收。
选择性透光层110为油墨层，选择性透光层110的厚度大于或等于10微米且小于或等于100微米，例如选择性透光层110的厚度为20微米、30微米、40微米、50微米、60微米、70微米或者80微米。
选择性透光层110为白色油墨层或者黑色油墨层。具体地，选择性透光层110为白色油墨层，以使得第二波长的光线透过的同时，选择性透光层110对发光芯片90发出的光起到反射作用，提高对发光芯片90发出的光的利用率。
光学组件203的多个光学片材中的任意一者对第二波长的光线的透过率大于或等于50％且小于或等于90％，例如透过率为60％、70％、80％或者90％。
光学组件203作为一个整体对第二波长的光线的透过率大于或等于20％且小于或等于80％，例如透过率为25％、30％、40％、60％、70％或者80％。
液晶显示面板10对第二波长的光线的透过率大于或等于20％且小于或等于50％，例如透过率为20％、30％、40％、45％或者48％。
需要说明的是，光学组件203对第二波长的光线的透过率是通过第二波长的光线穿过光学组件203后的亮度与第二波长的光线穿过光学组件203前的亮度的比值百分数计算得到。同理，液晶显示面板10对第二波长的光线的透过率可以依此类推，此处不作赘述。
到达发光基板202的第二波长的光线对应的亮度与入射至显示装置100的第二波长的光线对应的亮度的比值百分数大于或等于5％且小于或等于15％，例如为6％、7％、8％或者10％。
请参阅图5和图6，阵列层80还包括多个叠置的膜层以及过孔80a，过孔80a在发光基板202的厚度方向上贯穿至少部分膜层，感光单元802包括感光层8021，感光层8021的至少部分设置于过孔80a的底部，以使得入射至发光基板202的第二波长的光线穿过更少的膜层而到达感光单元802，有利于感光单元802接收更多的第二波长的光线而产生更大的电流。
如图5所示，阵列层80的多个膜层包括缓冲层803、半导体层、栅极绝缘层805、第一金属层、层间绝缘层807、第二金属层、第一平坦化层809、第三金属层、第二平坦化层811以及钝化层812。
缓冲层803设置基板70的表面上。缓冲层803的制备材料选自氮化硅或氧化硅中的至少一种。缓冲层803的厚度大于或等于2000埃且小于或等于4000埃。
半导体层设置于缓冲层803远离基板70的表面上。半导体层包括同层设置的第二有源层8041和开关单元801的第一有源层8011。半导体层的制备材料为多晶硅，半导体层的厚度大于或等于400埃且小于或等于600埃。
第一有源层8011和第二有源层8041的厚度相同。第一有源层8011和第二有源层8041均包括沟道W1、源极重掺杂部W2、漏极重掺杂部W3、源极轻掺杂部W4以及漏极轻掺杂部W5，沟道W1位于源极重掺杂部W2与漏极重掺杂部W3之间，源极轻掺杂部W4位于沟道W1与源极重掺杂部W2之间，漏极轻掺杂部W5位于沟道W1与漏极重掺杂部W3之间。
栅极绝缘层805覆盖半导体层和缓冲层803。栅极绝缘层805的制备材料选自氮化硅或氧化硅中的至少一种。栅极绝缘层805的厚度大于或等于1000埃且小于或等于1500埃。
第一金属层设置于栅极绝缘层805远离基板70的表面上。第一金属层包括间隔且同层设置的第一栅极8061和第二栅极8062，第一栅极8061对应第一有源层8011的沟道W1设置，第二栅极8062对应第二有源层8041的沟道W1设置。第一金属层的制备材料选自钼、铝、钛、铜以及银中的至少一种。第一金属层的厚度大于或等于2500埃且小于或等于5000埃。
层间绝缘层807覆盖第一金属层和栅极绝缘层805。层间绝缘层807的制备材料选自氮化硅或氧化硅中的至少一种。层间绝缘层807的厚度大于或等于2000埃且小于或等于5000埃。
第二金属层设置于层间绝缘层807远离第一金属层的表面上。第二金属层包括间隔且同层设置的第一源极8081、第一漏极8082以及第二源极8083。第二金属层的制备材料选自钼、铝、钛、铜以及银中的至少一种。第二金属层的厚度大于或等于2500埃且小于或等于5000埃。
第一源极8081通过贯穿层间绝缘层807和栅极绝缘层805的第一接触孔与第一有源层8011的源极重掺杂部W2接触，第一漏极8082通过贯穿层间绝缘层807和栅极绝缘层805的第二接触孔与第一有源层8011的漏极重掺杂部W3接触。开关单元801包括第一有源层8011、第一栅极8061、第一源极8081以及第一漏极8082。
第二源极8083通过贯穿层间绝缘层807和栅极绝缘层805的第三接触孔与第二有源层8041的源极重掺杂部W2接触。第二有源层8041、第二栅极8062、以及第二源极8083为信号读取开关S1的部分。
第一平坦化层809覆盖第二金属层和层间绝缘层807。第一平坦化层809为有机绝缘层。第一平坦化层809的厚度大于或等于1微米且小于或等于3微米。
第三金属层设置于第一平坦化层809远离第二金属层的表面上。第三金属层包括同层且间隔设置的第一导电垫8101和第二导电垫8102，第二导电垫8102通过贯穿第一平坦化层809的第四接触孔与第一漏极8082接触。第三金属层的制备材料选自钼、铝、钛、铜以及银中的至少一种。第三金属层的厚度大于或等于2500埃且小于或等于5000埃。
第二平坦化层811和钝化层812依次叠置于第三金属层上。第二平坦化层811为有机绝缘层，其厚度大于或等于1微米且小于或等于3微米。钝化层812为无机绝缘层，其厚度大于或等于800埃且小于或等于1600埃。
贯穿第二平坦化层811和钝化层812的两个开口使第一导电垫8101和第二导电垫8102暴露，发光芯片90绑定于第一导电垫8101和第二导电垫8102上。
过孔80a贯穿钝化层812、第二平坦化层811、第一平坦化层809、层间绝缘层807以及栅极绝缘层805，过孔80a对应第二有源层8041的漏极重掺杂部W3设置，感光层8021通过过孔80a与第二有源层8041的漏极重掺杂部W3接触。
可以理解的是，也可以过孔80a对应第二有源层8041的源极重掺杂部W2设置，且第二源极8083通过贯穿层间绝缘层807和栅极绝缘层805的第三接触孔与第二有源层8041的漏极重掺杂部W3接触。
另外，过孔80a也可以贯穿钝化层812、第二平坦化层811、第一平坦化层809、层间绝缘层807以及栅极绝缘层805中五个以下且两个以上相邻的膜层。例如，过孔80a可以只贯穿第二平坦化层811、第一平坦化层809、层间绝缘层807以及栅极绝缘层805，或者，过孔80a可以只贯穿第一平坦化层809、层间绝缘层807以及栅极绝缘层805。
需要说明的是，感光层8021通过过孔80a与第二有源层8041的漏极重掺杂部W3接触，使得信号读取开关S1与感光单元802电性连接，感光层8021接收第二波长的光线产生的电流满足信号读取开关S1的导通条件时，会使信号读取开关S1导通，信号读取开关S1将导通信息传输至液晶显示面板10，即可以实现对显示装置100的控制。
感光层8021设置于过孔80a的底部、过孔80a的侧壁以及钝化层812远离基板70的表面上，即感光层8021除了设置于过孔80a的底部和过孔80a的侧壁上，还位于多个膜层中与基板70距离最大的一个膜层远离基板70的表面上，有利于感光层8021接收更多的第二波长的光线，增大感光单元802的光感应电流。
感光层8021的厚度大于第一有源层8011的厚度，使得感光单元8021的厚度大于传统有源层的厚度，有利于增大感光单元802接收第二波长的光线产生的电流。
感光层8021的厚度与第一有源层8011的厚度的比值大于或等于1.5且小于或等于10，例如比值为2、3、4、5、6、7、8或者9。
具体地，感光层8021的制备材料包括非晶硅(α-Si)。感光层8021的厚度大于或等于1000埃且小于或等于3500埃，例如感光层8021的厚度为1500埃、1800埃、2000埃、2500埃或者3000埃。
阵列层80还包括透光保护层813，透光保护层813的至少部分形成于过孔80a中且位于感光层8021上，以对感光层8021起到保护作用的同时，保证透光保护层813的透光率，进而有更多的第二波长的光线穿过透光保护层813而为感光层8021接收。
具体地，透光保护层813覆盖感光层8021，以对整个感光层8021起到保护作用。
透光保护层813对第二波长的光线的透过率大于或等于80％，例如透光保护层813对第二波长的光线的透过率为85％、85％、90％或95％。
具体地，透光保护层813的制备材料为氧化铟锡。透光保护层813的厚度大于或等于400埃且小于或等于800埃。
需要说明的是，氧化铟锡层对第二波长的光线的透过率大于阵列层80中绝缘层对第二波长的光线的透过率，透光保护层813的制备材料为氧化铟锡，有利于更多的第二波长的光线穿过透光保护层813而为感光层8021接收。
如图6所示，图6所示发光基板202与图5所示发光基板基本相似，不同之处在于，阵列层80在第二平坦化层811与第一平坦化层809之间设置有另一个钝化层812，且感光层8021只是形成于过孔80a中，感光层8021的厚度小于过孔80a的深度。
图6所示发光基板202的感光层8021的厚度大于或等于层间绝缘层807的厚度且小于层间绝缘层807的厚度与第一平坦化层809的厚度之和，更有利于增大感光单元802接收第二波长的光线产生的电流。
请参阅图7，图7所示发光基板与图5所示发光基板相似，相同之处不再赘述，不同之处包括：
阵列层80不包括过孔80a和透光保护层813；
开关单元801的第一有源层8011与感光层8021同层设置，即阵列层80的半导体层还包括感光层8021，感光层8021包括未掺杂部8021a和与未掺杂部8021a连接的重掺杂部8021b；
阵列层80的半导体层还包括第三有源层8042，第三有源层8042也包括沟道W1、源极重掺杂部W2、漏极重掺杂部W3、源极轻掺杂部W4以及漏极轻掺杂部W5，阵列层80的第一金属层还包括第三栅极8063，第三栅极8063对应第三有源层8042的沟道W1设置；
阵列层80的第二金属层还包括桥接线8084和信号传输线8085，信号传输线8085通过贯穿层间绝缘层807和栅极绝缘层805的第五接触孔与感光层8021的未掺杂部8021a接触，桥接线8084通过贯穿层间绝缘层807和栅极绝缘层805的第六接触孔与感光层8021的重掺杂部8021b接触，桥接线8084通过贯穿层间绝缘层807和栅极绝缘层805的第七接触孔与第三有源层8042的漏极重掺杂部W3接触，桥接线8084通过贯穿层间绝缘层807的第八接触孔与第二栅极8062接触。
需要说明的是，第三有源层8042、第三栅极8063组成重置开关S2的部分，重置开关S2通过桥接线8084与感光单元802电性连接，重置开关S2用于通过桥接线8084对感光层8021的重掺杂部8021b的电位进行复位。
桥接线8084通过贯穿层间绝缘层807的第八接触孔与第二栅极8062接触，使得信号读取开关S1的第二栅极8062与感光层8021连接，感光单元802接收第二波长的光线产生的电流控制第二栅极8062，以控制信号读取开关S1的导通与关闭。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (24)
1.一种背光模组，其特征在于，所述背光模组包括发光基板，所述发光基板包括：
基板；
阵列层，设置于所述基板上，所述阵列层包括感光单元和开关单元；以及
发光芯片，设置于所述阵列层远离所述基板的一侧，所述发光芯片与所述感光单元错开设置，所述发光芯片与至少一个所述开关单元电性连接。
2.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述感光单元用于感应第一波长的光线，所述发光基板还包括：
选择性透光层，设置于所述阵列层远离所述基板的一侧，且位于所述发光芯片之间，所述选择性透光层与所述感光单元重叠，所述选择性透光层透过第二波长的光线且阻挡所述第二波长的光线之外的光线，所述第二波长在所述第一波长对应的波段内。
3.根据权利要求2所述的背光模组，其特征在于，所述第二波长的光线为红外光线，所述第一波长的光线包括紫外光线、可见光光线以及红外光线。
4.根据权利要求2或3所述的背光模组，其特征在于，所述选择性透光层为油墨层。
5.根据权利要求4所述的背光模组，其特征在于，所述油墨层为白色油墨层或黑色油墨层。
6.根据权利要求4所述的背光模组，其特征在于，所述选择性透光层的厚度大于或等于10微米且小于或等于100微米。
7.根据权利要求1-3任一项所述的背光模组，其特征在于，至少部分所述感光单元设置于相邻的两个所述发光芯片之间，和/或，至少部分发光芯片设置于相邻两个所述感光单元之间。
8.根据权利要求1-3任一项所述的背光模组，其特征在于，所述阵列层还包括：
多个叠置的膜层；以及
过孔，所述过孔在所述发光基板的厚度方向上贯穿至少部分所述膜层；
所述感光单元包括感光层，所述感光层的至少部分设置于所述过孔的底部。
9.根据权利要求8所述的背光模组，其特征在于，所述感光层位于所述过孔内和多个所述膜层中与所述基板距离最大的一个所述膜层远离所述基板的表面上。
10.根据权利要求8所述的背光模组，其特征在于，所述开关单元包括第一有源层，所述感光层的厚度大于所述第一有源层的厚度。
11.根据权利要求10所述的背光模组，其特征在于，所述感光层的厚度与所述第一有源层的厚度的比值大于或等于1.5且小于或等于10。
12.根据权利要求8所述的背光模组，其特征在于，所述感光层的厚度大于或等于1000埃且小于或等于3500埃。
13.根据权利要求8所述的背光模组，其特征在于，所述阵列层还包括：
透光保护层，所述透光保护层的至少部分形成于所述过孔中且位于所述感光层上。
14.根据权利要求13所述的背光模组，其特征在于，所述透光保护层对光线的透过率大于或等于80％。
15.根据权利要求13所述的背光模组，其特征在于，所述透光保护层的制备材料为氧化铟锡。
16.根据权利要求8所述的背光模组，其特征在于，所述阵列层还包括：
信号读取开关，所述信号读取开关与所述感光单元电性连接。
17.根据权利要求16所述的背光模组，其特征在于，所述信号读取开关包括：
第二有源层，所述第二有源层包括沟道、源极重掺杂部以及漏极重掺杂部，所述源极重掺杂部和所述漏极重掺杂部分别位于所述沟道的相对两侧；以及
导电电极，所述导电电极与所述源极重掺杂部和所述漏极重掺杂部中的一者接触；
所述过孔对应所述源极重掺杂部和所述漏极重掺杂部中的另一者设置；
所述感光层通过所述过孔与所述源极重掺杂部和所述漏极重掺杂部中的另一者接触。
18.根据权利要求1-3任一项所述的背光模组，其特征在于，所述感光单元包括感光层；
所述开关单元包括第一有源层，所述第一有源层与所述感光层同层设置。
19.根据权利要求18所述的背光模组，其特征在于，所述阵列层还包括：
信号读取开关，所述信号读取开关的栅极与所述感光层连接。
20.根据权利要求19所述的背光模组，其特征在于，所述阵列层还包括重置开关，所述重置开关与所述感光单元电性连接。
21.根据权利要求20所述的背光模组，其特征在于，所述信号读取开关包括第二有源层，所述重置开关包括第三有源层，所述第二有源层和所述第三有源层与所述第一有源层同层设置；
所述阵列层还包括桥接线，所述桥接线与所述感光层、所述第三有源层以及所述信号读取开关的所述栅极连接。
22.根据权利要求2所述的背光模组，其特征在于，所述背光模组还包括：
光学组件，所述光学组件位于所述发光基板的出光侧，所述光学组件包括至少一个光学片材，一个所述光学片材对所述第二波长的光线的透过率大于或等于50％且小于或等于90％。
23.根据权利要求22所述的背光模组，其特征在于，所述光学组件包括多个所述光学片材，所述光学组件对所述第二波长的光线的透过率大于或等于20％且小于或等于80％。
24.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
如权利要求1-23任一项所述的背光模组；以及
液晶显示面板，所述液晶显示面板位于所述背光模组的出光侧。
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