CN109814339B - 用于光刻的设备及清洁静电式掩模固定座的方法及设备 - Google Patents

用于光刻的设备及清洁静电式掩模固定座的方法及设备 Download PDF

Info

Publication number
CN109814339B
CN109814339B CN201811131646.8A CN201811131646A CN109814339B CN 109814339 B CN109814339 B CN 109814339B CN 201811131646 A CN201811131646 A CN 201811131646A CN 109814339 B CN109814339 B CN 109814339B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
mask holder
electrostatic
ultrasonic
ultrasonic transducer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811131646.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109814339A (zh
Inventor
林钰富
张东荣
陈家桢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd filed Critical Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Publication of CN109814339A publication Critical patent/CN109814339A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109814339B publication Critical patent/CN109814339B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/02—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by distortion, beating, or vibration of the surface to be cleaned
    • B08B7/026—Using sound waves
    • B08B7/028—Using ultrasounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本公开提出一种用于光刻的设备，一种清洁一静电式掩模固定座的方法以及一种清洁一静电式掩模固定座的设备。用于清洁使用于一光刻***内的静电式掩模固定座的设备，包括供应低压环境于静电式掩模固定座的一腔体，以及配置用于施加超音波至静电式掩模固定座的一超音波换能器。此设备还包括配置用于控制超音波换能器的控制器，以及一气流控制器。气流控制器配置用于使腔体加压或减压。

Description

用于光刻的设备及清洁静电式掩模固定座的方法及设备
技术领域
本公开涉及用于光刻的多种方法及设备，特别涉及清洁用于一光刻工具的一掩模固定座。
背景技术
半导体集成电路(IC)的功能密度(亦即，在每一芯片内的相互连结的装置的数量)在过去几年已具有成长。通过减少芯片上每一装置的体积，功能密度的成长得已实现。半导体制造技术，例如光刻，需要持续这种装置的体积持续缩小的趋势，是通过减少用于光刻中的光线的波长而被符合。
举例而言，用于光刻的辐射的波长已由紫外线减少至深紫外线(DUV)，近来减少至极紫外线(EUV)。元件尺寸的进一步减小需要进一步改进使用极紫外光光刻(极紫外光光刻)可实现的光刻分辨率。极紫外光光刻采用具有约1-100nm波长的辐射。
由于极紫外线的辐射是离子辐射，极紫外光光刻通常在低压或者类真空的情况下执行。在此类情况下，通常用于深紫外线光刻的吸取式掩模固定座无法发生作用。因此，采用静电式掩模固定座固定用于极紫外光光刻的掩模(mask)。
发明内容
根据本公开的一个层面，一种用于光刻的设备包括一曝光腔，腔体提供一低压环境。腔体具有一气流控制器，气流控制器配置用于使曝光腔加压或减压。一静电夹设置于曝光腔。静电夹配置用于固定一掩模。设备还包括一超音波换能器，配置用于施加超音波至静电夹。超音波配置用于自静电夹去除颗粒物质。
根据本公开的另一个层面，一种清洁使用在一光刻***的一静电夹的方法包括对光刻***的一曝光腔增压或减压。静电夹设置于在由腔体围绕的一空间当中。上述方法还包括在增压或减压曝光腔的过程中，施加超音波至静电夹。超音波配置用于自静电夹移除颗粒状物质。
根据本公开的另一个层面，一清洁用于一光刻***的一静电夹的设备包括供应一低压环境于静电夹的一曝光腔，以及配置用于施加超音波至静电夹的一超音波换能器。上述设备还包括配置用于控制超音波换能器的一控制器以及一气流控制器。气流控制器配置用于使曝光腔加压或减压。
本公开提出一种用于光刻的设备，包括：一曝光腔，提供一低压环境并具有一气流控制器，该气流控制器配置用于使该曝光腔增压或减压；一静电式掩模固定座，设置于该曝光腔，该静电式掩模固定座配置用于固定一掩模；以及一超音波换能器，配置用于施加超音波至该静电式掩模固定座，其中该超音波配置用于自该静电式掩模固定座去除颗粒物质。
根据本公开有利的是，用于光刻的设备还包括一控制器，并且该控制器配置用于将使用该气流控制器的一增压操作或一降压操作，与使用该超音波换能器施加该超音波至该掩模固定座的操作进行同步。
根据本公开有利的是，该控制器配置用于将使用该气流控制器的一增压操作或一降压操作，与使用该超音波换能器对该掩模固定座的该超音波的一施加进行同步。
根据本公开有利的是，用于光刻的设备还包括：一掩模感测器，该掩模感测器配置用于感测该掩模固定座上一掩模的存在；以及一控制器，该控制器配置用于控制该超音波换能器以及该气流控制器，并配置用于根据来自该掩模感测器表示该掩模未设置于该静电式掩模固定座上的信号。
根据本公开有利的是，用于光刻的设备还包括一控制器，该控制器配置用于控制该超音波换能器以及该气流控制器，并配置用于根据来自该掩模感测器的信号启动该超音波的一施加，该掩模未设置于该静电式掩模固定座上。
根据本公开有利的是，该静电式掩模固定座包括多个凸起，并具有介于5μm至100μm的范围之间的高度。
根据本公开有利的是，该颗粒物质具有介于10nm至50nm的范围之间的平均直径。
根据本公开有利的是，该气流控制器配置用于以介于1标准升每分钟至20标准升每分钟的范围之间的一气体流动速率加压或减压该曝光腔。
根据本公开有利的是，该超音波换能器配置用于施加具有从20kHz到5GHz的范围内的频率的超音波。
根据本公开有利的是，该超音波换能器配置用于施加具有从大约1瓦每平方厘米至大约1千瓦每平方厘米的范围内的一功率密度的超音波。
本公开提出一种清洁一静电式掩模固定座的方法，该静电式掩模固定座使用在一光刻***，包括：对该光刻***的一曝光腔增压或减压，该静电式掩模固定座设置于在由该曝光腔围绕的一空间当中；以及在增压或减压该曝光腔的过程中，施加超音波至该静电式掩模固定座；其中该超音波配置用于自该静电式掩模固定座移除颗粒状物质。
根据本公开有利的是，清洁一静电式掩模固定座的方法还包括在施加该超音波至该静电式掩模固定座之前，感测一掩模在该静电式掩模固定座上的存在。
根据本公开有利的是，该超音波的施加是在感测该掩模未存在于该静电式掩模固定座时执行。
根据本公开有利的是，该超音波的施加包括施加具有从20kHz到5GHz的范围内的频率的超音波。
根据本公开有利的是，该超音波的施加包括施加具有从大约1瓦每平方厘米至大约1千瓦每平方厘米的范围内的一功率密度的超音波。
本公开提出一种清洁一静电式掩模固定座的设备，该掩模固定座用于一光刻***，包括：一曝光腔，供应一低压环境于该静电式掩模固定座；一超音波换能器，配置用于施加超音波至该静电式掩模固定座；一控制器，配置用于控制该超音波换能器；以及一气流控制器，其中该气流控制器配置用于使该曝光腔加压或减压。
根据本公开有利的是，该控制器配置用于将使用该气流控制器的一增压操作或一降压操作，与使用该超音波换能器施加该超音波至该掩模固定座的操作进行同步。
根据本公开有利的是，清洁一静电式掩模固定座的设备还包括一掩模感测器，该掩模感测器配置用于感测该掩模固定座上一掩模的存在。
根据本公开有利的是，该控制器还配置用于根据来自该掩模感测器的信号启动该超音波的一施加，该掩模未设置于该静电式掩模固定座上。
根据本公开有利的是，该超音波换能器配置用于施加具有从大约1瓦每平方厘米至大约1千瓦每平方厘米的范围内的一功率密度的超音波。
附图说明
图1A为关连于本公开部分实施例所建构的一极紫外光光刻***的示意图。
图1B为关连于本公开部分实施例的一极紫外光刻工具的细节的简化示意图。
图2A为关连于本公开的一实施例示意性地绘制一掩模固定机构。
图2B为关连于本公开部分实施例的一掩模由于多个污染物或其他多种因素而造成的夹持地形。
图3A示意性描绘关连于本公开部分实施例中多个颗粒状污染物利用气流的移除。
图3B示意性描绘关连于本公开部分实施例中多个颗粒状污染物利用气流的移除。
图3C示意性描绘关连于本公开部分实施例中多个颗粒状污染物利用一粘胶膜的移除。
图3D示意性描绘关连于本公开部分实施例中多个颗粒状污染物利用一粘胶膜的移除。
图4A示意性描绘本公开一实施例中使用超音波以自掩模固定座移除污染物的一设备。
图4B示意性地示出本公开一实施例中图4A的设备中的超音波换能器的一替代配置。
图4C示意性地示出本公开一实施例中图4A的设备中的超音波换能器的一替代配置。
图5显示本公开一实施例中清洁一掩模固定座的一方法的流程图。
附图标记说明：
100～极紫外光辐射源
105～腔体
110～收集器
200～曝光工具
205～曝光腔
210～掩模座
220～掩模固定座(静电夹)
225～凸起
250～图案化光学件(掩模)
250'～虚设掩模
250a、250b～光学件
250c、250d～缩小投影光学件
252～基板
255～吸收层
265～粘胶膜
270～控制器
275～掩模感测器
280～气流控制器
285～超音波换能器
287～超音波
290～污染物
300～激发激光源
410～基板
S510、S520、S530、S550～步骤
BF～地下地板
DP1、DP2～吸震器
h～高度
MF～主楼地板
PP1、PP2～托架
ZE～极紫外光光线发射器
具体实施方式
以下公开内容提供许多不同的实施例或优选范例以实施本公开的不同特征。当然，本公开也可以许多不同形式实施，而不局限于以下所述的实施例。以下公开内容配合附图详细叙述各个构件及其排列方式的特定范例，为了简化说明，使公开得以更透彻且完整，以将本公开的范围完整地传达予同领域熟悉此技术者。
在下文中所使用的空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中示出的方位之外，这些空间相关用词也意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，而在此所使用的空间相关用词也可依此相同解释。
必须了解的是，未特别图示或描述的元件可以本领域技术人士所熟知的各种形式存在。此外，若实施例中叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征与上述第二特征是直接接触的情况，亦可能包含了有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使得上述第一特征与第二特征未直接接触的情况。
以下不同实施例中可能重复使用相同的元件标号及/或文字，这些重复为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。在附图中，结构的形状或厚度可能扩大，以简化或便于标示。
目前公开是广泛地关连于极紫外光光刻***以及多种方法。更具体而言，涉及清洁在一极紫外光光刻曝光工具内用于固定掩模的一掩模固定座的多个装置及多个方法。
由于气体原子吸收极紫外光光线，用于极紫外光刻图案化的光刻***维持于真空或低压力环境以避免极紫外光强度衰退，并防止离子化气体在极紫外光光刻正被执行的晶圆上产生负面影响。于是，在极紫外光光刻***中使用静电式掩模固定座以固定掩模。然而，由于掩模固定座用于固定掩模的力，掩模固定座上的污染会损坏掩模固定座以及掩模。另外，这种在掩模固定座上的污染粒子会导致掩模表面的微小形变，造成产生于晶圆上的图案的形变。本公开实施例的一目的是在清洁掩模固定座的同时减少曝光工具的停工时间并减少对掩模固定座以及掩模的损坏。
图1A为根据本公开部分实施例具有一激光产生等离子体(laser productionplasma，LPP)原理的极紫外光辐射源的一极紫外光光刻***的示意图。极紫外光光刻***包括产生极紫外辐射的一极紫外光辐射源100、一曝光工具200，例如扫描器、及一激发激光源300。如图1A所示，在部分实施例中，极紫外光辐射源100及曝光工具200安装在一无尘室的一主楼地板MF上，同时激发激光源300安装在主楼地板MF下方的地下地板BF之上。每一极紫外光辐射源100以及曝光工具200各自通过吸震器DP1及DP2放置在托架板PP1以及PP2上方。极紫外光辐射源100及曝光工具200彼此通过连轴机构耦接，连轴机构可包括对焦单元。
光刻***为一极紫外光光刻***，极紫外光光刻***是设计用以通过极紫外光光线(在此亦可交换地称作极紫外辐射)曝光光刻胶层。光刻胶层为对极紫外光光线敏感的一材料。极紫外光光刻***采用极紫外光辐射源100产生极紫外光光线，例如具有波长在大约1nm至大约100nm的范围内的极紫外光光线。在一特定范例中，极紫外光辐射源100产生具有大约正中在13.5nm的波长。
曝光工具200包括多种反射光学元件，例如凸透镜/凹透镜/平面镜、具有一掩模座的一掩模固定机构、及一晶圆固定机构。曝光工具200还包括一曝光腔205。曝光腔205包围曝光工具200所有的光源元件、掩模固定机构晶圆固定机构。曝光腔205提供一真空环境的低压至曝光工具200以避免受气体吸收造成极紫外辐射强度的损耗。
图1B为本公开实施例的一极紫外光光刻工具的细节的简化示意图，其显示覆盖有光刻胶的基板410以极紫外光光线的一图案化光束进行曝光。曝光装置200为一集成电路光刻工具，例如步进机、扫描机、步进及扫描***、直接写入***、使用接触式掩模及/或邻近式掩模的装置等。曝光装置200配备有以极紫外光光线的光束照射一图案化光学件250(例如掩模)的一或多个光学件(例如光学件250a及250b)，以产生图案化光束以及一或多个缩小投影光学件250c及250d，以照射图案化光束至基板410。可配备有一机械组件(图未示)以在基板410以及图案化光学件250之间产生一可控制的相对运动。如图1B进一步所示，极紫外光光刻工具包括一极紫光辐射源100。极紫外光辐射源100包括一极紫外光光线发射器ZE，极紫外光光线发射器ZE在腔体105内发出极紫外光光线，极紫外光光线由收集器110沿一路径反射至曝光工具200内以照射基板410。
本公开所述的“光学件”意图广义地解释为包括但不限于对入射光反射和/或传输和/或操作的一个或多个部件，并且包括但不限于一个或多个透镜，窗口、滤波器、楔形物、棱镜(prism)，棱镜(grism)、渐变(grading)、透射光纤、标准具(etalon)、扩散器、均化器、检测器和其他仪器部件、开口、轴棱镜(axicon)和包括多层镜的镜、接近法向入射镜、掠入射镜(grazing incidence mirror)、镜面反射镜、漫射反射镜及其组合。此外，除非另外指明，否则本公开所述的“光学件”并不表示限定于仅在一个或多个特定波长范围内操作的组件，例如在极紫外输出光波长、辐射激光波长、适用于计量或任何其他特定波长的波长。
由于气体分子吸收极紫外光光线，极紫外光光刻图案化的光刻***维持在由曝光腔205提供的一真空或一低压环境，以避免极紫外光强度损失。
在本公开多种实施例中，由光刻胶所覆盖的基板410为一半导体晶圆，例如欲被图案化的硅晶圆或其他种类的晶圆。
图2A根据目前公开的一实施例示意性地绘制一掩模固定机构。以下说明参照图1B及图2A。由极紫外光辐射源100产生的极紫外辐射通过反射光学元件导引至固定在掩模座210上的掩模250。在部分实施例中，掩模座210包括一静电式掩模固定座220(在此亦可交换地称作静电吸座或e-chuck)以固定掩模250。
在目前公开中，本公开中掩膜、光掩膜及掩模可以互换使用。在本实施例中，掩模250是反射式掩模。在一个实施例中，掩模250包括由例如低热膨胀材料或熔融石英的合适材料形成的基板252。在各种范例中，上述材料包括TiO2掺杂的SiO2或具有低热膨胀的其他合适的材料。掩模250包括沉积在基板252上的多个反射多层(ML)(图未示)。反射多层包括多个膜对，诸如钼-硅(Mo/Si)膜对(例如在每一膜对中钼层位于硅层之上或之下)。或者，反射多层可以包括钼-铍(Mo/Be)膜对或可配置为高度反射极紫外光线的其他合适材料。掩模250可进一步包括置于反射多层上用于保护的覆盖层(图未示)，例如钌(Ru)。掩模250还包括沉积在反射多层上的吸收层255，例如氮化钽(TaBN)层。吸收层255被图案化以限定集成电路(IC)层。或者，可以在反射多层上沉积另一个反射层，并将其图案化以限定集成电路层，由此形成极紫外相位移掩模。
图2A的掩模250及静电夹220是被放置使极紫外光辐射源100所供应的极紫外辐射在到达半导体工件的表面时进行对焦。
在目前实施例中，掩模250通过静电电位由静电夹220夹固。掩模250抵靠于存在在静电夹220的一表面的多个凸起(burls)225，并且多个凸起具有介于大约100μm至大约500μm的范围内的宽度w、具有在大约1.0mm至大约5.0mm的范围内之间距s、及相对掩模220的底表面具有大约1.0μm至大约100μm的范围内的高度。部分工业标准的静电夹使用大于较2000个更多的凸起，这些凸起包括静电夹220的表面面积的粗糙度1.4％以支撑掩模250。
相较于传统真空夹有相同或更大的力，静电夹持可以低于1秒的时间执行夹持及松开的动作。除了因为掩模误对位而产生的重叠误差，在掩模250以及静电夹220之间的夹持地形(clamping topography)亦会导致重叠误差。夹持地形会因为凸起的磨耗或在静电夹220的表面的污染物290(见例如图3A及图3B)而造成。举例而言，因为重复使用凸起磨耗可以在多个凸起的多个角落已经变圆的地方观察得到，这种凸起磨耗导致不平坦夹持。另外，若另一凸起包含一被压平的污染物290(例如金，等)掩模的地形将进一步变形。并且，虽然在凸起之间较小的污染物290(例如具有较h小的直径)不会冲击掩模地形，较大的污染物290(例如具有较h大的直径)将冲击掩模地形。
在多种状况中，污染物290是一金属粒子，一光刻胶粒子或一任何通常使用于半导体制造加工中的材料的粒子，举例而言，二氧化硅，氮化硅等。根据污染物290的材料种类及大小，污染物具有变异的粘附力而粘附在掩模固定座220的表面或是凸起225的表面。举例而言，光刻胶粒子可能较金粒子具有较大的粘附力而粘附在掩模固定座220的表面。同样的，根据污染物290的大小及材料，当掩模固定座220夹持掩模250时，不同的力施加于掩模250之上。举例而言，金属粒子可能较光刻胶粒子施加较大的力在掩模250之上。
图2B描绘掩模250受多个污染物或其他多种因素影像而造成的夹持地形，污染物或其他因素产生掩模表面的超出平面变形(out of plane distortion，OPD)，进而导致辐射的侧向位移或在平面变形(in plane distortion，IPD)。举例而言，若特定的污染物290具有大于凸起的高度h的直径并被粘附至掩模固定座220上相邻两个凸起之间的表面，当掩模250夹持至掩模固定座220时，污染物290推挤掩模250的背面。根据掩模的材料特性(例如弹力、延展性等)以及污染物290的材料特性，掩模250的背面的变形可能传递至掩模250的前表面(意即反射表面)。这种在掩模250的反射表面的局部地形的变形显示于图2B，并以OPD表示。尽管这种OPD可能不会显著影响芯片表面410的极紫外光辐射的焦点，但OPD会移动入射在弯曲部分上的极紫外辐射的光学路径而导致IPD。举例而言，对于在掩模250上具有与反射区域横向相邻的吸收区域的图案，IPD可能导致应该被反射的极紫外光辐射被吸收，并且导致应该被吸收的极紫外光辐射被反射。换句话说，IPD导致图案的保真度的损失。在其他范例中，IPD可能另外导致掩模250的重叠控制的损失和图案均匀性的降低，例如临界尺寸(CD)变化，形状偏差等。
图3A及图3B示意性描绘多个颗粒状污染物利用气流的移除。在一实施例中，一颗粒状污染物290位于静电掩模固定座220的面向掩模的表面上。虽然图中显示污染物290位于凸起225之间，但污染物290可位于掩模固定座220表面上的任何地方，例如包括其中一个凸起。当曝光工具200减压时(例如，在曝光之前)或加压(例如，用于更换掩模或者其他原因)时，曝光腔205内的气体在曝光腔205内产生扰流。
与扰流相关连的涡旋(eddies)在污染粒子290上产生粘滞阻力(viscous drag)，有助于减少颗粒状污染物290与掩模固定座250的表面之间的粘附力，进而从掩模固定座250的表面去除污染物粒子290。由扰流产生的粘滞阻力取决于与气流流动相关的扰流动能(turbulent kinetic energy,TKE)。与给定气流相关的扰流动能是由均方根速度波动(root-mean-squared velocity fluctuations)所决定。于是，扰流动能可通过控制进入或离开曝光腔205的气体流量而进行控制。气体流率通过使用一气流控制器280来进行控制。在多种实施例中，气体是空气或惰性气体，例如氩气、氖气或氮气。在多种实施例中，气体的流动速率在从大约1标准升每分钟(slm)到大约20slm的范围内。根据污染物290的大小和材料，污染物290和掩模固定座220表面之间的粘附力可大到使因为流速增加而产生的阻力不足以从掩模固定座220的表面驱除污染物290(如图3B所示)。
图3C与图3D示意性描述多个颗粒状污染物利用一粘胶膜的移除。如本公开其他地方所讨论的，在部分实施例中，气流速率的增加不足以驱逐一污染物290。在此实施例中，粘胶膜265放置在虚设掩模(dummy reticle)250'的后表面上，后表面是虚设掩模250'与多个凸起225接触的表面。本公开中虚设掩模250的用语可互换地与清洁掩模的用语一起使用，并且是指用于清洁掩模固定座的掩模，并且设置有具有粘性的背表面。
在多种实施例中，粘胶膜265是聚酰亚胺膜。在部分实施例中，所述粘胶膜265是具有第一粘性层(未示出)，第二海绵层(未示出)和第三粘性层(未示出)的三层膜。在此类的实施例中，第一粘性层接触虚设掩模250'的后表面，第二海绵层提供用于第一和第三粘性层的基板，并且第三粘性层接触凸起225和掩模固定座220。在部分实施例中，第二海绵层具有大于凸起225的高度的厚度，并且足够柔韧，以致当掩模固定座225夹住虚设掩模250'时，凸起225因受夹持力而陷入粘胶膜265中，使得粘胶膜265的第三粘性层接触位于凸起225之间掩模固定座220的部分。这种构造使得小于凸起高度的颗粒也能够粘附到粘胶膜265，并且可以提供更多表面积与污染物290的第三粘性层接触，借此增加粘附力。
在大约1秒至大约1分钟的范围内的一段时间之后，将虚设掩模250'从掩模固定座220上松开。如果污染物290和粘胶膜265的第三粘合层之间的粘附力大于污染物290和掩模固定座220的表面(或者凸起225的表面)之间的粘附力，污染物290则从掩模固定座220上脱落。
另一方面，如果污染物290与粘胶膜265的第三粘性层之间的粘附力小于污染物290与掩模固定座220表面(或污染物290的表面)之间的粘附力，污染物290保留在掩模固定座220上。在此情况下，使用粘胶膜265对污染物290的移除是通过多次自掩模固定座220夹紧和松开虚设掩模250'而进行尝试。在部分实施例中，在每次尝试之后更换粘胶膜265。在此实施例中，使用掩模移动机器人270将具有一次性使用的粘胶膜265的虚设掩模250'移出曝光工具200的真空环境，并将一次性使用的粘胶膜265替换为新的粘胶膜265，并将具有新的粘胶膜265的虚设掩模250'利用掩模移动机器人270移回到曝光工具200的真空环境中到达掩模固定座220。将虚设掩模250'移入和移出真空以更换粘胶膜265的过程可能需要几秒至几分钟，这取决于重复移除污染物290的次数。
图4A至图4C示意性描述用超音波自掩模固定座移除一污染物的设备。在一实施例中，超音波换能器285设置在曝光腔205中并且配置为将超音波287施加到掩模固定座220。在部分实施例中，超音波换能器285远离掩模固定座220放置，使得超音波287入射到具有多个凸起225的掩模固定座220的表面上。在此实施例中，超音波287在加压或减压曝光腔205时进行施加。换句话说，超音波287入射到掩模固定座220在掩模侧的表面上。根据波的强度和频率，超音波287破坏依附在污染物290与掩模固定座220表面之间的粘着剂，进而将光污染物290自掩模固定座220除去。
在多种实施例中，超音波换能器285包括压电换能器，电容性换能器或磁致伸缩换能器。在部分实施例中，超音波换能器285配置为产生具有某种固定频率和功率的多个超音波287。在其他实施例中，超音波换能器285配置为产生不同频率和功率且可调整的超音波287。在部分实施例中，超音波换能器285产生入射在掩模固定座220整个面向掩模侧的表面上一种宽的超音波波束。在其他实施例中，超音波换能器285产生入射在掩模固定座220面向掩模一侧的表面的一小部分的聚焦超音波波束。在此实施例中，通过横向移动超音波换能器285以扫描掩模固定座220的表面，使超音波的波束扫过掩模固定座220的表面。或者，通过改变超音波换能器285相对于掩模固定座220的角度来调整超音波287的波束，使超音波的波束扫过掩模固定座220的表面。
在一实施例中，超音波287具有从大约20kHz到大约5GHz的范围内的频率。在多种实施例中，超音波换能器285包括多于一个的超音波换能器，每个超音波换能器提供特定频率范围内的超音波287。例如，在一实施例中，超音波换能器285具有产生超音波的多个换能器，所述超音波的频率范围为大约20kHz至大约200kHz、大约200kHz至大约2MHz、大约2MHz至大约200MHz、大约200MHz至大约2GHz、或者大约20kHz至大约5GHz的频率范围内的任何其他频率范围。
在部分实施例中，超音波换能器285具有从大约1瓦每平方厘米(W/cm2)至大约1kW/cm2的范围内的超音波输出(ultrasound output)。超音波287去除颗粒状污染物290的能力与超音波的功率密度成正比。然而，使用非常高的功率会导致掩模固定座220甚至曝光腔205中的其他部件的损坏。并且，较高的功率也需要较大的换能器，而曝光腔205内的空间限制可能不允许换能器大于特定尺寸。因此，在部分实施例中，选择超音波287的功率密度(或超音波换能器285的功率输出)不高于去除污染物290所需的功率密度。
在部分实施例中，使用气流控制器280增加曝光腔205中的气流，同时施加超音波287到掩模固定座220。在此实施例中，虽然超音波287减弱污染物290与掩模固定座220表面之间的粘附力，但增加的气流却增加曝光腔205内的扰流动能。增加的扰流动能增加了污染物290上的摩擦力，并进一步减弱了粘附力，最终将污染物290从掩模固定座220的表面去除。增加的扰流动能还有助于将脱落的污染物290从附近的掩模固定座220去除，进而使得污染物290不重新附着到掩模固定座220。
在部分实施例中，曝光工具200中的压力暂时降低，以利于污染物290完全从曝光腔205去除(从掩模固定座220的表面去除)。本领域技术人员可以理解的是，因为超音波需要利用介质进行传播，故在曝光腔205进行减压的实施例中，超音波287不会在减压期间进行施加以节省能量。在多种实施例中，曝光工具200中的气流速率可在约1slm至约20slm的范围内增加。
在一个实施例中，用于清洁掩模固定座220的一设备包括一超音波换能器285和一控制器270。控制器270配置用于控制气流控制器280和超音波换能器285。在需要时，控制器270通过将施加超音波换能器285产生的超音波287与气流控制器280对气流流速的增加进行同步，以增加曝光腔205内的扰流动能。在部分实施例中，气流控制器280包括一气体流量阀和一气体泵(或用于从曝光腔205供应或去除气体的其他类似设备)。
本领域技术人员可以理解的是，施加超音波到掩模有可能损坏掩模上的图案。因此，在部分实施例中，用于清洁掩模固定座220的设备还包括掩模感测器275。掩模感测器275配置为感测掩模250的存在并且发送相应的电子信号。掩模感测器275的例子包括但不限于一霍尔传感器，一电容式传感器，一光学传感器等。在一实施例中，掩模感测器275在掩模250正在接触凸起225或与凸起225相距一定距离时发送电子信号。掩模感测器275可操作地连接到超音波换能器285，使得在部分实施例中，当掩模感测器检测到掩模250的存在时，停用超音波换能器285。在其他实施例中，掩模感测器275连接到控制器270(而不是直接连接到超音波换能器285)，掩模感测器275又连接到超音波换能器285。在此实施例中，控制器270配置为根据从掩模感测器275接收到指示掩模250存在于或靠近掩模固定座220的信号而使超音波换能器285失效。
在一实施例中，控制器270为一电路(或一处理器)并配置用以接收来自各种输入(例如：掩模感测器275，计时器电路(图未示)等)的电子信号。控制器270对接收到的信号执行逻辑运算并将信号发送到超音波换能器285和气流控制器280。发送到超音波换能器285的信号包括但不限定于计时信号、关于何时打开或关闭换能器的信息、关于要产生或正在产生的超音波287的频率和功率的信号、及关于要产生或正在产生的超音波波束的方向的信号。传送到气流控制器280的信号包括但不限于何时打开或关闭气流的计时信号、及对给定操作所设定的气体流速和方向。
在一实施例中，控制器270将超音波换能器285的操作与气流控制器280的操作进行同步。例如，在一实施例中，控制器270向超音波换能器285和气流控制器280两者发送一信号，以同时打开、保持打开一段时间，然后同时关闭。在超音波换能器285可进行调整的实施例中，控制器270发送一额外的信号以指定要产生或正在产生的超音波287的频率和功率。类似地，在多种实施例中，控制器270配置为发送信号以指定气流控制器280的各种操作参数以及开/关信号。
图4B示意性地示出图4A的设备中的超音波换能器285的一替代配置。在一实施例中，超音波换能器285设置在掩模座210上方，使得由超音波换能器285产生的超音波287通过掩模座210传导至掩模固定座220，以去除污染物290。在此实施例中，超音波287于掩模固定座220面向掩模的表面横向传播。在部分实施例中，超音波换能器285与掩模座210接触。而在其他实施例中，超音波换能器配置于远离掩模座210的空间中。在一实施例中，超音波换能器285嵌入或连接到掩模座210的主体，以直接将超音振动施加到掩模座210或掩模固定座250。在其他实施例中，超音波换能器285是嵌入或固定到掩模固定座220的主体上，以直接将超音波振动施加到掩模座210或掩模固定座250。
相似于图4A所示出的设备，图4B所示出的设备包括气体流量控制器280和控制器270。在部分实施例中，超音波换能器285和气流控制器280连接到控制器270。在此实施例中，控制器270传送信号控制超音波换能器285和气流控制器280的操作及操作参数。
图4C示意性地示出图4A的设备中的超音波换能器285的一替代配置。在一实施例中，超音波换能器285设置在掩模座210附近并位于其一侧，超音波换能器285产生的超音波287通过掩模座210并传导至掩模固定座220以去除污染物290。在此实施例中，超音波287平行于掩模固定座220的面向掩模的表面传播。在部分实施例中，超音波换能器285与基板210接触。在其他实施例中，超音波换能器配置在远离基板210的空间中。在一实施例中，超音波换能器285嵌入或连接到基板210的主体，以直接将超音振动施加到基板210或掩模固定座220。在其他实施例中，超音波换能器285嵌入或贴附到掩模固定座220的主体，以直接将超音波振动施加到基板210或掩模固定座220。由于用于清洁掩模固定座220的设备的其他方面维持相同，为了简化内容故不进行描述。
如第4A-4C图所示，用于清洁掩模固定座220的设备还包括设置在掩模固定座220上的一石英晶体微量天平(quartz crystal microbalanc，QCM)(图未示)。在此实施例中，石英晶体微量天平连接到控制器270，并且配置为测量掩模固定座220质量的变化，以监测掩模固定座220上是否存在污染物290。在此实施例中，由石英晶体微量天平检测到的掩模固定座220的质量增加，作为控制器270的一触发信号，以启动超音波换能器285或气流控制器280或者超音波换能器285和气流控制器280二者。
图5显示清洁一掩模固定座的一方法的流程图。在一实施例中，方法包括步骤S510，在步骤S510中使用掩模感测器感测掩模固定座之上或掩模固定座附近是否有掩模的存在。掩模感测器配置为感测掩模是否存在，并传送对应的电子信号。掩模感测器的例子包括但不限于霍尔传感器、电容式传感器、光学传感器等。在一实施例中，掩模感测器在掩模接触掩模固定座的凸起时发送电子信号，或距离凸起一特定距离时发送电子信号。若感测的结果为是，则在步骤S550中将掩模自掩模固定座移开，以及/或者此方法进行等待直至掩模自掩模固定座移除。
若感测的结果为否(即，如果掩模不存在于掩模固定座之上或掩模固定座附近)，则方法持续至步骤S520。在步骤S520中，使用超音波换能器将超音波施加至掩模固定座，以去除掩模固定座表面的污染物。在多种实施例中，超音波换能器包括压电换能器、电容式换能器或磁致伸缩换能器。在部分实施例中，超音波换能器配置用以产生具有一固定频率和功率的超音波。在其他实施例中，超音波换能器配置用于产生不同频率和功率且可调整的超音波。在多种实施例中，超音波换能器包括超过一个的超音波换能器，且每一超音波换能器提供特定频率范围内的超音波。举例而言，在一实施例中，超音波换能器具有多个换能器。换能器在大约20kHz至大约5GHz的频率的不同频带中产生超音波。在部分实施例中，超音波换能器对掩模固定座面向掩模的整个表面产生一种宽的超音波波束在其他实施例中，超音波换能器对掩模固定座面向掩模的表面的一小部分产生一聚焦的超音波波束。在此实施例中，超音波波束通过横向移动超音波换能器以扫描掩模固定座的表面来扫描掩模固定座的表面，或者根据超音波换能器相对于掩模固定座的位置改变超音波换能器的角度来扫描超音波波束。在部分实施例中，超音波的功率密度在大约1瓦每平方厘米(W/cm2)至约1kW/cm2的范围内。
此方法持续至步骤S530，在步骤S530中，增加曝光腔内气体的流动速率，以利移除和去除掩模固定座的表面的污染物。在部分实施例中，超音波的施加与气体流量的增加同步。
在部分实施例中，在将掩模固定到掩模固定座之前，并且将掩模从掩模固定座上取下之后，施加超音波至掩模固定座上，以将掩模固定座保持在无污染的状态。
在目前公开中，通过对掩模固定座施加超音波，可以在相对短的时间内有效移除粘附在掩模固定座表面上的颗粒状污染物，而没有粘胶膜掩模所产生的时间迟滞或成本。
有效去除掩模固定座表面上的颗粒状污染物有助于延长掩模的使用寿命并确保由掩模反射的图案的保真度。当掩模不在掩模固定座上或未靠近掩模固定座时，施加超音波可防止对掩模造成损坏。
应当理解的是，并非所有优点都必然已在本公开中讨论到，并非所有实施例或示例皆需具备特定的优点，并且其他实施例或示例可以提供不同的优点。
根据本公开的一个层面，一种用于光刻的设备包括一曝光腔，腔体提供一低压环境。曝光腔具有一气流控制器，气流控制器配置用于使曝光腔加压或减压。一静电夹设置于曝光腔。静电夹配置用于固定一掩模。设备还包括一超音波换能器，配置用于施加超音波至静电夹。超音波配置用于自静电夹去除颗粒物质。在一或多个上述实施例中，用于光刻的设备还包括一控制器，控制器配置用于控制超音波换能器以及气流控制器。在一实施例中，控制器配置用于将使用气流控制器的一增压操作或一降压操作，与使用该超音波换能器施加该超音波至该掩模固定座的操作进行同步。在部分实施例中，用于光刻的设备还包括一掩模感测器，掩模感测器配置用于感测掩模固定座上一掩模的存在。在部分实施例中，控制器还配置用于根据来自掩模感测器的信号启动超音波的一施加，掩模未设置于静电夹上。在部分实施例中，静电夹包括多个凸起，凸起具有介于5μm至100μm的范围之间的高度。在部分实施例中，颗粒物质具有介于10nm至50nm的范围之间的平均直径。在部分实施例中，气流控制器配置用于以介于1标准升每分钟(slm)至20标准升每分钟的范围之间的一气体流动速率加压或减压曝光腔。在部分实施例中，超音波换能器配置用于施加具有从20kHz到5GHz的范围内的频率的超音波。在部分实施例中，超音波换能器配置用于施加具有从大约1瓦每平方厘米至大约1千瓦每平方厘米的范围内的一功率密度的超音波。
根据本公开的另一个层面，一种清洁使用在一光刻***的一静电夹的方法包括对光刻***的一曝光腔增压或减压。静电夹设置于在由腔体围绕的一空间当中。上述方法还包括在增压或减压曝光腔的过程中，施加超音波至静电夹。超音波配置用于自静电夹移除颗粒状物质。在一或多个上述及后续的实施例中，上述方法还包括在施加超音波至静电夹之前，感测一掩模在静电夹上的存在。在部分实施例中，超音波的施加是在感测掩模未存在于静电夹时执行。在一实施例中，超音波的施加包括施加具有从20kHz到5GHz的范围内的频率的超音波。在部分实施例中，超音波的施加包括施加具有从大约1瓦每平方厘米至大约1千瓦每平方厘米的范围内的一功率密度的超音波。
根据本公开的另一个层面，一清洁用于一光刻***的一静电夹的设备包括供应一低压环境于静电夹的一曝光腔，以及配置用于施加超音波至静电夹的一超音波换能器。上述设备还包括配置用于控制超音波换能器的一控制器以及一气流控制器。气流控制器配置用于使曝光腔加压或减压。在一或多个上述及后续的实施例中，控制器配置用于将使用气流控制器的一增压操作或一降压操作，与使用该超音波换能器施加该超音波至该掩模固定座的操作进行同步。在部分实施例中，上述设备还包括一掩模感测器，掩模感测器配置用于感测掩模固定座上一掩模的存在。在一实施例中，控制器还配置用于根据来自掩模感测器的信号启动超音波的一施加，掩模未设置于静电夹上。在部分实施例中，超音波换能器配置用于施加具有从大约1瓦每平方厘米至大约1千瓦每平方厘米的范围内的一功率密度的超音波。
以上虽然详细描述了实施例及它们的优势，但应该理解，在不背离所附权利要求限定的本公开的构思和范围的情况下，对本公开可作出各种变化、替代和修改。此外，本申请的范围不旨在限制于说明书中所述的工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法和步骤的特定实施例。作为本领域的普通技术人员将容易地从本公开中理解，根据本公开，可以利用现有的或今后将被开发的、执行与在本公开所述的对应实施例基本相同的功能或实现基本相同的结果的工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤。因此，所附权利要求旨在将这些工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤包括它们的范围内。此外，每一个权利要求构成一个单独的实施例，且不同权利要求和实施例的组合都在本公开的范围内。

Claims (20)

1.一种用于光刻的设备，包括：
一曝光腔，提供一低压环境并具有一气流控制器，该气流控制器配置用于使该曝光腔增压或减压；
一掩模座，设置于该曝光腔；
一静电式掩模固定座，设置于该曝光腔，该静电式掩模固定座配置用于固定一掩模；以及
一超音波换能器，配置用于施加一超音波至该静电式掩模固定座，且该超音波通过该掩模座传导至该静电式掩模固定座，
其中该超音波配置用于自该静电式掩模固定座去除颗粒物质，
其中该超音波换能器嵌入该掩模座的主体。
2.如权利要求1所述的用于光刻的设备，还包括一控制器，该控制器配置用于控制该超音波换能器以及该气流控制器。
3.如权利要求2所述的用于光刻的设备，其中该控制器配置用于将使用该气流控制器的一增压操作或一降压操作，与使用该超音波换能器对该掩模固定座的该超音波的施加进行同步。
4.如权利要求1所述的用于光刻的设备，还包括：
一掩模感测器，该掩模感测器配置用于感测该掩模固定座上一掩模的存在。
5.如权利要求4所述的用于光刻的设备，还包括一控制器，该控制器配置用于控制该超音波换能器以及该气流控制器，并配置用于根据来自该掩模感测器表示该掩模未设置于该静电式掩模固定座上的信号启动该超音波的一施加。
6.如权利要求1所述的用于光刻的设备，其中该静电式掩模固定座包括多个凸起，并具有介于5μm至100μm的范围之间的高度。
7.如权利要求1所述的设备，其中该颗粒物质具有介于10nm至50nm的范围之间的平均直径。
8.如权利要求1所述的用于光刻的设备，其中该气流控制器配置用于以介于1标准升每分钟至20标准升每分钟的范围之间的一气体流动速率加压或减压该曝光腔。
9.如权利要求1所述的用于光刻的设备，其中该超音波换能器配置用于施加具有从20kHz到5GHz的范围内的频率的超音波。
10.如权利要求1所述的设备，其中该超音波换能器配置用于施加具有从大约1瓦每平方厘米至大约1千瓦每平方厘米的范围内的一功率密度的超音波。
11.一种清洁一静电式掩模固定座的方法，该静电式掩模固定座使用在一光刻***，包括：
对该光刻***的一曝光腔增压或减压，该静电式掩模固定座设置于在由该曝光腔围绕的一空间当中；以及
在增压或减压该曝光腔的过程中，通过一超音波换能器施加一超音波，且该超音波通过一掩模座传导至该静电式掩模固定座；
其中该超音波配置用于自该静电式掩模固定座移除颗粒状物质，
其中该超音波换能器嵌入该掩模座的主体。
12.如权利要求11所述的清洁一静电式掩模固定座的方法，还包括在施加该超音波至该静电式掩模固定座之前，感测一掩模在该静电式掩模固定座上的存在。
13.如权利要求12所述的清洁一静电式掩模固定座的方法，其中该超音波的施加是在感测该掩模未存在于该静电式掩模固定座时执行。
14.如权利要求11所述的清洁一静电式掩模固定座的方法，其中该超音波的施加包括施加具有从20kHz到5GHz的范围内的频率的超音波。
15.如权利要求11所述的清洁一静电式掩模固定座的方法，其中该超音波的施加包括施加具有从大约1瓦每平方厘米至大约1千瓦每平方厘米的范围内的一功率密度的超音波。
16.一种清洁一静电式掩模固定座的设备，该掩模固定座用于一光刻***，包括：
一曝光腔，供应一低压环境于该静电式掩模固定座；
一超音波换能器，配置用于施加一超音波，且该超音波通过一掩模座传导至该静电式掩模固定座；
一控制器，配置用于控制该超音波换能器；以及
一气流控制器，其中该气流控制器配置用于使该曝光腔加压或减压，
其中该超音波换能器嵌入该掩模座的主体。
17.如权利要求16所述的清洁一静电式掩模固定座的设备，其中该控制器配置用于将使用该气流控制器的一增压操作或一降压操作，与使用该超音波换能器施加该超音波至该掩模固定座的操作进行同步。
18.如权利要求16所述的清洁一静电式掩模固定座的设备，还包括一掩模感测器，该掩模感测器配置用于感测该掩模固定座上一掩模的存在。
19.如权利要求16所述的清洁一静电式掩模固定座的设备，其中该控制器还配置用于根据来自该掩模感测器的信号启动该超音波的一施加，该掩模未设置于该静电式掩模固定座上。
20.如权利要求16所述的清洁一静电式掩模固定座的设备，其中该超音波换能器配置用于施加具有从大约1瓦每平方厘米至大约1千瓦每平方厘米的范围内的一功率密度的超音波。
CN201811131646.8A 2017-11-20 2018-09-27 用于光刻的设备及清洁静电式掩模固定座的方法及设备 Active CN109814339B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762588768P 2017-11-20 2017-11-20
US62/588,768 2017-11-20
US15/902,528 2018-02-22
US15/902,528 US10684559B2 (en) 2017-11-20 2018-02-22 Apparatus and method for cleaning reticle stage

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109814339A CN109814339A (zh) 2019-05-28
CN109814339B true CN109814339B (zh) 2021-10-22

Family

ID=66532329

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811131646.8A Active CN109814339B (zh) 2017-11-20 2018-09-27 用于光刻的设备及清洁静电式掩模固定座的方法及设备

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10684559B2 (zh)
CN (1) CN109814339B (zh)
TW (1) TWI701520B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111051986B (zh) * 2017-08-28 2024-04-16 Asml控股股份有限公司 清洁在光刻装置内的支撑件的装置和方法
CN112526803B (zh) * 2019-08-28 2021-12-10 杭州海康威视数字技术股份有限公司 摄像机
JP2023500106A (ja) * 2019-10-29 2023-01-04 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． リソグラフィ装置および静電クランプの設計
CN111215398A (zh) * 2020-02-26 2020-06-02 昆山国显光电有限公司 掩模板的清洗***和清洗方法
US20210384881A1 (en) * 2020-05-20 2021-12-09 Ebara Corporation Method for determining cleanliness of cleaning member, method for determining adsorption characteristics of contaminants that contaminate cleaning member, method for determining cleanliness of substrate, program for determining cleanliness of substrate, and program for determining end point of cleaning process
JP6844798B1 (ja) * 2020-05-26 2021-03-17 レーザーテック株式会社 光学装置、及び光学装置の汚染防止方法
TWI832303B (zh) * 2021-11-05 2024-02-11 邱俊榮 半導體製程設備的清潔方法及清潔系統
CN116251803B (zh) * 2023-04-12 2023-09-22 东莞市晟鼎精密仪器有限公司 基于微波等离子干法清洗氮化硅涂层的石墨舟清洗设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104049469A (zh) * 2013-03-15 2014-09-17 台湾积体电路制造股份有限公司 具有嵌入式清洗模块的光刻***
CN106391542A (zh) * 2015-07-29 2017-02-15 台湾积体电路制造股份有限公司 清洁掩模的***、清洁基板的***、与清洁方法
CN107078081A (zh) * 2014-12-26 2017-08-18 艾克塞利斯科技公司 基于振动或声学特性分析的晶片夹持检测

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI319123B (en) 2002-02-22 2010-01-01 Asml Holding Nv System and method for using a two part cover for protecting a reticle
US6829035B2 (en) * 2002-11-12 2004-12-07 Applied Materials Israel, Ltd. Advanced mask cleaning and handling
TWI417649B (zh) 2005-12-28 2013-12-01 尼康股份有限公司 十字標記運送裝置、曝光裝置、十字標記運送方法以及十字標記的處理方法
US7808616B2 (en) 2005-12-28 2010-10-05 Nikon Corporation Reticle transport apparatus, exposure apparatus, reticle transport method, and reticle processing method
JP6192711B2 (ja) * 2012-04-23 2017-09-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 静電クランプ、リソグラフィ装置および方法
US10459353B2 (en) 2013-03-15 2019-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography system with an embedded cleaning module
US10067418B2 (en) 2014-05-12 2018-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Particle removal system and method thereof
DE102015204521A1 (de) 2015-03-12 2016-10-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Reinigungsvorrichtung für ein EUV-Lithographiesystem, EUV-Lithographiesystem damit und Reinigungsverfahren

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104049469A (zh) * 2013-03-15 2014-09-17 台湾积体电路制造股份有限公司 具有嵌入式清洗模块的光刻***
CN107078081A (zh) * 2014-12-26 2017-08-18 艾克塞利斯科技公司 基于振动或声学特性分析的晶片夹持检测
CN106391542A (zh) * 2015-07-29 2017-02-15 台湾积体电路制造股份有限公司 清洁掩模的***、清洁基板的***、与清洁方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI701520B (zh) 2020-08-11
US20190155178A1 (en) 2019-05-23
TW201923472A (zh) 2019-06-16
US10684559B2 (en) 2020-06-16
US11054756B2 (en) 2021-07-06
CN109814339A (zh) 2019-05-28
US20200310258A1 (en) 2020-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109814339B (zh) 用于光刻的设备及清洁静电式掩模固定座的方法及设备
JP6882420B2 (ja) 基板ホルダ及び基板ホルダ製造方法
JP6630790B2 (ja) リソグラフィ装置
US10481498B2 (en) Droplet generator for lithographic apparatus, EUV source and lithographic apparatus
KR100874736B1 (ko) 표면 세정 방법, 디바이스 제조방법, 세정 조립체, 세정장치 및 리소그래피 장치
TWI448826B (zh) 將基板載於基板台上之方法，器件製造方法，電腦程式，資料載體及裝置
KR100563102B1 (ko) 표면들로부터 입자들을 제거함으로써 세정하는 방법,세정장치 및 리소그래피투영장치
JP4446996B2 (ja) 放射システムおよびリソグラフィ装置
JP4383408B2 (ja) リソグラフィ機器及びデバイスの製作方法
JP4599334B2 (ja) 物品支持部材を製造する方法
KR20140023927A (ko) 정전기 클램프 장치 및 리소그래피 장치
JP2019516137A (ja) 基板支持部、リソグラフィ装置、およびローディング方法
US7508494B2 (en) Lithographic apparatus and a subtrate table for exciting a shockwave in a substrate
JP2007335665A (ja) パーティクル除去装置および露光装置
JP2005191497A (ja) 光源ユニット、露光装置、デバイスの製造方法
US20240142871A1 (en) Membrane cleaning apparatus
KR20210107694A (ko) 리소그래피 시스템에서 지지 구조물을 세정하기 위한 장치 및 방법
EP1411388B1 (en) A method of cleaning by removing particles from surfaces, a cleaning apparatus and a lithographic projection apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant