JP2005191497A - 光源ユニット、露光装置、デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 発光点から発するEUV光を集光ミラーで反射し、該EUV光を用いて露光を行う露光装置であって、前記発光点又は前記発光点近傍から発生するデブリを低減するデブリ低減手段を有し、前記集光ミラーと前記デブリ低減手段とを一体的に構成する。
【選択図】 図1
Description
2×d×sinθ=λ
の関係を満足するようなλを中心とした狭いバンド幅のEUV光だけが効率よく反射される。このときのバンド幅は0.6〜1nm程度である。しかしながら、反射されるEUV光の反射率は最大でも0.7程度であり、反射されなかったEUV光は多層膜中あるいは基板中で吸収されてしまう。
Claims (11)
- EUV光を発する光源ユニットであって、前記発光点又は前記発光点近傍から発生するデブリを低減するデブリ低減手段を有し、前記集光ミラーと前記デブリ低減手段とを一体的に構成することを特徴とする光学ユニット。
- EUV光を発する光源ユニットであって、前記発光点又は前記発光点近傍から発生するデブリを低減するデブリ低減手段と、
前記発光点にターゲット材を供給する供給器と、
前記ターゲット材のうち不要なターゲット材を回収する回収器とを有し、
前記EUV集光ミラー、前記デブリ低減、前記供給器及び前記回収機とのうち少なくとも2つを一体的に構成することを特徴とする光学ユニット。 - 発光点から発するEUV光を集光ミラーで反射し、該EUV光を用いて露光を行う露光装置であって、
前記発光点又は前記発光点近傍から発生するデブリを低減するデブリ低減手段を有し、前記集光ミラーと前記デブリ低減手段とを一体的に構成することを特徴とする露光装置。 - 発光点から発するEUV光を集光ミラーで反射し、該EUV光を用いて露光を行う露光装置であって、
前記発光点又は前記発光点近傍から発生するデブリを低減するデブリ低減手段と、
前記発光点にターゲット材を供給する供給器と、
前記ターゲット材のうち不要なターゲット材を回収する回収器とを有し、
前記EUV集光ミラー、前記デブリ低減、前記供給器及び前記回収器とのうち少なくとも2つを一体的に構成することを特徴とする露光装置。 - 前記回収器とは、前記回収するノズルであることを特徴とする請求項4記載の露光装置。
- 前記集光ミラーと前記フォイ−ルトラップと前記供給器の少なくとも2つ以上を予め位置調整しておくことを特徴とする請求項4又は5記載の露光装置。
- 前記発光点を形成する光源ユニットを有し、該光源ユニットはキネマチックマウントで前記露光装置に位置決めされていることを特徴とする請求項3乃至6いずれかに記載の露光装置。
- 前記発光点を形成する光源ユニットは3本の固定軸はV、フラット、コーンのキネマチックマウントにより、前記照明光学系の固定台に対して位置決めされていることを特徴とする請求項3乃至7いずれかに記載の露光装置。
- 前記発光点を形成する光源ユニットが前記照明光学系の固定台に対して6軸方向に可動な状態で位置決めされていることを特徴とする請求項3乃至8いずれかに記載の露光装置。
- 請求項1又は2の光源ユニットを搭載したことを特徴とする露光装置。
- 請求項3乃至10のいずれかの露光装置を用いて被露光体を露光する工程と、前記露光された被露光体を現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
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