JP2023500106A - リソグラフィ装置および静電クランプの設計 - Google Patents

Abstract

本書の実施形態は、改良された静電クランプを使用してクランプ・レチクル界面での電場を低減するための方法、装置、システムを記述する。とくに、静電クランプは、クランプ本体と、クランプ本体の上面に配置された電極層と、クランプ本体の底面から突出する複数のバールとを含み、電極層は、クランプ本体の底面での複数のバールの位置に鉛直に対応する所定位置に複数の切り欠きを備える。【選択図】図４Ｂ

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１９年１０月２９日に出願された米国仮出願６２／９２７，２１４号の優先権を主張し、その全体が本明細書に援用される。

本開示は、リソグラフィ装置における静電クランプ設計および電場低減のためのシステムおよび方法に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通例は基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。その場合、マスク又はレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ＩＣの個々の層に回路パターンを生成するために使用されうる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上の（例えばダイの一部、１つのダイ、又はいくつかのダイを備える）目標部分に転写されることができる。パターンの転写は典型的には基板に設けられた放射感応性材料（レジスト）層への結像により行われる。一般に、一枚の基板にはネットワーク状に隣接する目標部分が含まれ、これらは連続的に露光される。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（「走査」方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をこの方向に平行または逆平行に同期して走査するようにして各目標部分は照射を受ける。パターニングデバイスから基板へと、パターンを基板にインプリントすることによってパターンを転写することも可能である。

リソグラフィはＩＣや他のデバイス及び／又は構造の製造における主要な工程のひとつとして広く認知されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作成されるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、リソグラフィは小型のＩＣや他のデバイス及び／又は構造を製造可能とするためのよりクリティカルな要因となってきている。

パターンを基板に投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用してもよい。この放射の波長が基板に形成することのできるフィーチャの最小サイズを定める。４～２０ｎｍの範囲内（例えば６．７ｎｍまたは１３．５ｎｍ）の波長をもつ極紫外（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置が、例えば１９３ｎｍの波長をもつ放射を使用するリソグラフィ装置よりも小さいフィーチャを基板に形成するために使用されてもよい。

ＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置では、リソグラフィ動作中、ＥＵＶ放射ビーム経路、またはその少なくとも大部分を真空に保つ必要がありうる。リソグラフィ装置のそのような真空領域では、パターニングデバイスおよび／または基板などの物体を、それぞれパターニングデバイステーブルおよび／または基板テーブルなどのリソグラフィ装置の構造体にクランプするために、静電クランプが使用されうる。

場合によっては、静電クランプは、リソグラフィ装置においてレチクルを所定の位置に保持するために利用されうる。静電クランプは、クランプの上面に電極を含み、クランプの底面に配置された複数のバールを含むことができる。クランプが通電されて（例えば、クランプ電圧を使用して）、バールに接触したレチクルが引き付けられるとき、導電性バールの上面がレチクル裏面とは異なる電位になることがある。接触の瞬間にこの電位差が放電メカニズムを生じさせ、それら２つの電位は等しくなる。この放電メカニズムは、材料の移動及びパーティクルの発生を引き起こし、最終的にレチクル及び／又はクランプに損傷を与える可能性がある。

また、レチクルの冷却及び熱伝導を容易にするために、静電クランプにおけるバール・レチクル界面にバックフィルガスが提供されることがある。場合によっては、バックフィルガスは、レチクルと静電クランプのバールとの接触を失わせ、レチクルとクランプの間に隙間を生じさせうる追加の力をレチクルに作用させうる。この力を相殺するために、静電クランプの電圧を増加させる場合がある。しかし、電圧の増加は、バールとレチクル裏面と間で電荷に差をもたらし、放電を発生させ、レチクル及び／又はクランプに損傷を与える原因となりうる。

従って、本開示は、静電クランプのバールとレチクルとの間の接触点における電場及び放電を最小化するための方法、装置、及びシステムを提供する。

いくつかの実施形態では、静電クランプは、クランプ本体と、クランプ本体の上面に配置された電極層と、クランプ本体の底面から突出する複数のバールと、を含む。電極層は、クランプ本体の底面での複数のバールの位置に鉛直に対応する所定位置に複数の切り欠きを含む。

いくつかの実施形態では、静電クランプを改良する方法は、クランプ本体と、クランプ本体の上面に配置された電極層と、クランプ本体の底面から突出する複数のバールと、を含み、複数のバールがレチクルの裏面に接触するように構成される、静電クランプを製作することを含む。また、方法は、複数のバールとレチクルとの間の電場を低減するために静電クランプに修正を適用することを含む。

ある実施形態では、修正を適用することは、複数のバールのレチクル接触面上の導電性コーティングの厚さを、複数のバールとレチクルとの間に低減された電圧差を可能にするように、減らすことを含む。他のある実施形態では、修正を適用することは、各バールの位置に対応する位置で電極層の所定部分を、電極層における複数の切り欠きを可能にするように、除去することを含む。

他のある実施形態では、修正を適用することは、静電クランプに仮想接地を提供するように、複数のバールにおける各バールを共に接続することを含む。他のある実施形態では、修正を適用することは、複数のバールを接地することを含む。他のある実施形態では、修正を適用することは、複数のバールのレチクル接触面またはレチクルの裏面に導電性コーティングを適用することを含み、導電性コーティングは、酸化物、ダイヤモンド、またはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）材料を備える。

いくつかの実施形態では、リソグラフィ装置は、照明システム、支持構造、および投影システムを含む。照明システムは、放射ビームを調整するように構成される。支持構造は、放射ビームの断面にパターンを付与してパターニングされた放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構築される。投影システムは、パターニングされた放射ビームを基板の目標部分に投影するように構成される。支持構造は、静電クランプを含む。静電クランプは、クランプ本体と、クランプ本体の上面に配置された電極層と、クランプ本体の底面から突出する複数のバールと、を含む。電極層は、クランプ本体の底面での複数のバールの位置に鉛直に対応する所定位置に複数の切り欠きを含む。

本発明の更なる特徴および利点は、本発明の種々の実施形態の構造および動作とともに、付属の図面を参照しつつ以下に詳しく説明される。本発明は本明細書に述べる特定の実施形態には限定されないものと留意されたい。こうした実施形態は例示の目的のために提示されるにすぎない。付加的な実施形態は、本明細書に含まれる教示に基づいて関連技術分野の当業者には明らかであろう。

付属の図面は本明細書に組み込まれてその一部をなし、本発明を図示するものであり、発明の詳細な説明とともに本発明の原理を説明し本発明を関連技術分野の当業者が製造し使用可能とするために供されるものである。

本開示のある実施形態に係り、リソグラフィ装置の概略図である。

本開示のある実施形態に係り、レチクルステージの概略斜視図である。

レチクルステージの上面図である。

本開示の実施形態に係り、静電クランプの概略図である。 本開示の実施形態に係り、静電クランプの概略図である。

本開示の実施形態に係り、静電クランプの上部の三次元斜視図である。

本開示の実施形態に係り、静電クランプにおけるバールの底面視の概略図である。 本開示の実施形態に係り、静電クランプにおけるバールの底面視の概略図である。 本開示の実施形態に係り、静電クランプにおけるバールの底面視の概略図である。

本開示の実施形態に係り、静電クランプにおけるバール・レチクル界面の概略図である。

本開示の実施形態に係り、静電クランプにおける電気的に接続されるバールの概略図である。

本開示の実施形態に係り、静電クランプを改良するためのフローチャートの概略図である。

本発明の特徴および利点は、同様の参照文字が対応する要素を特定する本図面に関連付けて後述される発明の詳細な説明によって、より明らかとなろう。図面において同様の参照番号は大概、同一の要素、機能的に類似の要素、および／または、構造的に類似の要素を指し示す。また、一般に、参照番号の左端の桁は、その参照番号が最初に現れる図面を表す。そうではないと指示されない限り、本開示を通じて提供される図面は原寸通りの図面であると解すべきではない。

この明細書は、この発明の特徴を組み込んだ１つ又は複数の実施形態を開示する。開示された実施形態は単に本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示された実施形態には限定されない。本発明は添付の特許請求の範囲により定義される。

説明される実施形態、および本明細書での「一つの実施形態」、「ある実施形態」、「例示的な実施形態」等への言及は、説明される実施形態が特定の特徴、構造または特性を備えてもよいが、必ずしもあらゆる実施形態がその特定の特徴、構造または特性を備える必要はないことを示している。また、このような表現は同一の実施形態を必ずしも指し示すものではない。さらに、ある実施形態に関連してある特定の特徴、構造または特性が説明される場合、明示的に述べたか否かに関わらず、そのような特徴、構造または特性を他の実施形態に結び付けて作用させることは当業者の知識内であると理解されたい。

本書では説明を容易にするために、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」などの空間的に相対的な用語を使用して、図面に示されるある要素または特徴と別の要素または特徴との関係を説明することがある。このような空間的に相対的な用語は、図示される向きに加えて、使用時や動作時における装置の異なる向きを包含することを意図している。本装置は、他の向き（９０度回転した状態や他の向き）とされてもよく、本書で使用される空間的に相対的な説明もそれに応じて同様に解釈されうる。

本書で使用される「約」という用語は、特定の技術に基づいて変化しうる所与の量の値を示すものである。特定の技術に基づいて、「約」という用語は、例えば、値の１０～３０％（例えば、値の±１０％、±２０％、または±３０％）の範囲内で変化する所与の量の値を示すことができる。

本開示の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらの任意の組み合わせで実装されてもよい。また、本開示の実施形態は、１つ又は複数のプロセッサにより読み込まれ、実行されうる機械可読媒体に保存された命令として実装されてもよい。機械可読媒体は、機械（例えば、コンピュータデバイス）により読み取り可能な形式の情報を保存または伝送する任意のメカニズムを含んでもよい。例えば、機械可読媒体は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリ装置、電気的、光学的、音響的またはその他の形式の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号）などである。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、および／または命令は、特定の動作を実行するものとして本書に説明されうる。しかしながら、このような説明は単に便宜上のためだけであり、このような動作は実際には、コンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、またはその他のデバイスがファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行することで生じるものであると理解すべきである。

しかしながら、こうした実施形態をより詳細に説明する前に、本開示の実施形態を実装しうる例示的な環境を提示することは有益である。

リソグラフィシステムの例

図１は、放射源ＳＯとリソグラフィ装置ＬＡとを備えるリソグラフィシステムを示す。放射源ＳＯは、ＥＵＶ放射ビームＢを生成し、リソグラフィ装置ＬＡにＥＵＶ放射ビームＢを供給するように構成されている。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）を支持するように構成された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴとを備える。

照明システムＩＬは、ＥＵＶ放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡに入射する前に、ＥＵＶ放射ビームＢを調整するように構成されている。そのために、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１を含んでもよい。ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１は共に、所望の断面形状および所望の強度分布を有するＥＵＶ放射ビームＢを提供する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて、またはその代わりに、他のミラーまたはデバイスを含んでもよい。

このように調整された後、ＥＵＶ放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡと相互作用する。この相互作用の結果、パターニングされたＥＵＶ放射ビームＢ’が生成される。投影システムＰＳは，パターニングされたＥＵＶ放射ビームＢ’を基板Ｗに投影するように構成されている。そのために、投影システムＰＳは、パターニングされたＥＵＶ放射ビームＢ’を、基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗに投影するように構成された複数のミラー１３、１４を備えてもよい。投影システムＰＳは、パターニングされたＥＵＶ放射ビームＢ’に縮小率を適用して、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さいフィーチャを有する像を形成してもよい。例えば、４倍または８倍の縮小率が適用されてもよい。図１では投影システムＰＳは２つのミラー１３、１４のみを有するものとして図示されているが、投影システムＰＳは異なる数のミラー（例えば６つまたは８つのミラー）を含んでもよい。

基板Ｗは、以前に形成されたパターンを含んでもよい。このような場合、リソグラフィ装置ＬＡは、パターニングされたＥＵＶ放射ビームＢ’によって形成される像を、基板Ｗ上に以前に形成されたパターンと位置合わせする。

相対的な真空、すなわち、大気圧よりも十分に低い圧力の少量のガス（例えば水素）が、放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、および／または投影システムＰＳに与えられてもよい。

放射源ＳＯは、レーザー生成プラズマ（ＬＰＰ）源、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源、自由電子レーザー（ＦＥＬ）、またはＥＵＶ放射を生成することが可能な他の放射源であってもよい。

レチクルステージの例

図２および図３は、いくつかの実施形態に係り、例示的なレチクルステージ２００の概略図である。レチクルステージ２００は、トップステージ表面２０２、ボトムステージ表面２０４、サイドステージ表面２０６、およびクランプ３００を含むことができる。いくつかの実施形態では、クランプ３００を有するレチクルステージ２００は、リソグラフィ装置ＬＡに実装することができる。例えば、レチクルステージ２００は、リソグラフィ装置ＬＡにおける支持構造ＭＴであってもよい。いくつかの実施形態では、クランプ３００は、トップステージ表面２０２上に配置されうる。例えば、図２に示すように、クランプ３００は、クランプ前面３０２がトップステージ表面２０２から垂直に離れる方向に向いた状態で、トップステージ表面２０２の中央に配置されうる。

いくつかのリソグラフィ装置、例えばリソグラフィ装置ＬＡでは、クランプ３００をもつレチクルステージを使用して、走査またはパターニング動作のためにレチクルを保持および位置決めすることができる。一例として、レチクルステージ２００は、それを支持するために、強力な駆動装置、大きなバランスマス、および重いフレームを必要としうる。一例として、レチクルステージ２００は大きな慣性を持っており、約０．５ｋｇのレチクルを推進させ位置決めするために、５００ｋｇ以上の重さになることがある。リソグラフィ走査またはパターニング動作で典型的に見られるレチクルの往復運動を達成するために、加速力および減速力がレチクルステージ２００を駆動するリニアモーターによって提供されうる。

いくつかの実施形態では、図２および図３に示すように、レチクルステージ２００は、位置決め動作のための第１エンコーダ２１２および第２エンコーダ２１４を含むことができる。例えば、第１および第２エンコーダ２１２、２１４は、干渉計とすることができる。第１エンコーダ２１２は、レチクルステージ２００の第１方向、例えば横方向（すなわちＸ方向）に沿って取り付けられてもよく、第２エンコーダ２１４は、レチクルステージ２００の第２方向、例えば縦方向（すなわちＹ方向）に沿って取り付けられてもよい。いくつかの実施形態では、図２および図３に示すように、第１エンコーダ２１２は、第２エンコーダ２１４と直交することができる。

図２及び図３に示すように、レチクルステージ２００は、クランプ３００を含むことができる。クランプ３００は、レチクルステージ２００上の固定された平面にレチクルを保持するように構成される。クランプ３００は、クランプ前面３０２を含み、トップステージ表面２０２上に配置されうる。いくつかの実施形態では、クランプ３００は、静電クランプ技術を使用して物体を保持し固定することができる。例えば、クランプ３００は、真空環境においてレチクルなどの物体を静電的にクランプする（すなわち、保持する）ように構成されうる、静電クランプとすることができる。ＥＵＶ放射が真空環境で行われることが要求されるため、真空クランプをマスク又はレチクルのクランプに使用することはできず、代わりに静電クランプが使用されうる。例えば、クランプ３００は、電極と、電極上の抵抗層と、抵抗層上の誘電体層と、誘電体層から突出したバールとを含むことができる。使用時には、クランプ３００に、例えば、数ｋＶの電圧が印加されることができる。そして、電流が抵抗層を流れ、それにより抵抗層の上面の電圧が電極の電圧と実質的に等しくなり、電場を発生させることができる。また、クーロン力、つまり電気的に反対の荷電粒子間の引力が、物体をクランプ３００に引きつけ、この物体を定位置に固定することになる。いくつかの実施形態では、クランプ３００は、例えば、金属、誘電体、セラミック、又はそれらの組み合わせなどの剛性材料とすることができる。

例示的な静電クランプの設計

図４Ａ及び図４Ｂは、それぞれ、本開示の実施形態に係る静電クランプ４００及び４１０の側面図の概略図である。いくつかの実施形態において、静電クランプ４００及び４１０は、図２及び図３に示されるクランプ３００の例示的な実施形態を表す。図４Ａは、クランプ本体４０４と、電極層４０６と、複数のバール４０８と、を備える静電クランプ４００を示している。電極層４０６は、静電クランプ４００の上面に配置され、複数のバール４０８は、静電クランプ４００の底面から突出しており、クランプ本体４０４は、電極層４００をバール４０８から物理的に隔てている。

いくつかの実施形態において、クランプ本体４０４は、約１００マイクロメートルの高さを有してもよく、超低膨張ガラス（ＵＬＥ）、リチウムアルミノシリケートガラスセラミック、シリコン浸潤シリコンカーバイド（ＳｉＳｉＣ）、ベンゾシクロブテン系ポリマー（ＢＣＢ）など、ガラス、セラミック及び／又はポリマー材料を備えてもよい。複数のバール４０８は、導電性コーティングを備え、レチクル４０９に接触するように構成される。いくつかの実施形態では、複数のバールは、約１０マイクロメートルの高さを有してもよい。複数のバール４０８は、レチクル４０９に接触する矩形の表面を有するように例示の目的で示されているが、複数のバール４０８は、丸みを帯びたエッジをもつ円柱形状、または円形表面、またはレチクル４０９に接触する他の面形状（例えば、正方形、長円、楕円など）であってもよいことが理解されるべきである。また、図４Ａには３つのバール４０８のみが描かれているが、任意の数のバール４０８及びクランプ本体４０４の底面にわたるバールの任意の配置（例えば、格子状の分布又はランダムな分布）が使用されてもよい。いくつかの実施形態では、レチクルに接触するバール４０８の表面は、本明細書ではバールトップと呼ぶことがある。図４Ａに示されるように、レチクル４０９は、一例として、レチクル４０９を引き下げる重力に起因する重力たるみを有するものとして示されている。

いくつかの実施形態では、電極層４０６は、連続した層を備え、金属又は金属合金、例えば、アルミニウム、クロム、白金、金、又はそれらの任意の組み合わせなど、任意の適切な導電材料で作られてもよい。いくつかの実施形態では、静電クランプ４００は通電されてもよく、電圧が電極層４０６に印加されて電場（図４Ａの矢印で示すように）を発生させてもよい。この電場は、レチクル４０９の表面上に、バール４０８の電荷とは反対の電荷を誘起しうる。バール４０８とレチクル４０９との間の引力は、レチクル４０９を静電クランプ４００に密着させて保持してもよい。いくつかの実施形態では、レチクル４０９の裏面は導電性薄膜で被覆されてもよく、これにより、静電クランプ４００は、バール４０８とレチクル４０９の導電面との間の引力を介してレチクル４０９を定位置に保持することがさらに可能である。

いくつかの実施形態では、重力に打ち勝ってレチクル４０９の裏面を静電クランプ４００に引き寄せる静電気力を発生させるために、１００～５０００Ｖの範囲の電圧が電極層４０６に印加されてもよい。しかし、レチクル４０９の裏面との界面となる静電クランプ４００の構成要素であるバール４０８は、レチクル４０９と異なる電位にある場合がある。バール・レチクル界面での電位差は、潜在的な材料移動、パーティクル生成、及び／又は、静電クランプ及び／又はレチクルへの損傷をもたらす可能性のある放電を引き起こす。

いくつかの実施形態では、図４Ｂは、静電クランプとレチクルとの間の接触点での電場及び放電を最小化する静電クランプ４１０を示している。

いくつかの実施形態では、静電クランプ４１０は、クランプ本体４１４と、電極層４１６と、複数のバール４１８と、を備える。

いくつかの実施形態では、電極層４１６は、複数の切り欠き４１７又は欠落を備え、これらにおいては電極材料がクランプ本体４１４の上面における複数の位置で除去されている。いくつかの実施形態では、電極層４１６における複数の切り欠き４１７の位置は、クランプ本体４１４の底面におけるバール４１８の位置に鉛直に対応してもよい。例えば、切り欠き４１７は、静電クランプ４１４におけるそれぞれのバール４１８の位置の真上に配置されてもよい。各切り欠き４１７は、クランプ本体４１４の底面ではなくクランプ本体４１４の上面で、それぞれのバール４１８の位置に対して同心円状に存在する円形の切り欠き（または正方形、長円、楕円など、他の面形状）を備えてもよい。図４Ｂには、３つのバール４１８および３つの切り欠き４１７のみが描かれているが、任意の数のバール４１８および切り欠き４１７、ならびにクランプ本体４１４の底面および上面それぞれにわたる任意の配置が使用されてもよい。いくつかの実施形態では、電極層４１６をバール４１８の近傍で切り欠き４１７で遮断することによって、バール４１８での電場は、静電クランプ４１０とレチクル４１９との間の接触点を改善し放電を最小限に抑えるために、大幅に低減されることができる。

図５は、本開示の実施形態に係り、静電クランプ４１０の上部の三次元斜視図である。例えば、図５は、静電クランプ４１０の上面での電極層４１４を示す。電極層４１４は、クランプの底面におけるバール４１８の位置に対応するクランプの上面における位置において、電極材料が除去された切り欠き４１７又は欠落を備えてもよい。いくつかの実施形態では、電極層４１４の所定の部分が、機械加工プロセス、エッチング、レーザーアブレーションなどによって除去されてもよく、それにより切り欠き４１７を形成可能である。例えば、エッチングは、ウェットエッチング技術またはドライエッチング技術において化学物質を使用することなどにより、電極層４１４の所定部分を剥離するために使用されてもよい。図５には、円形の面積を有する２つの切り欠き４１７のみが示されているが、他の面形状（例えば、正方形、長円、楕円など）を有する任意の数の切り欠き４１７が電極層４１４において使用されてもよいことが理解されるべきである。いくつかの実施形態では、各切り欠き４１７は、約５０～２０００ナノメートル（ｎｍ）の高さ（例えば、厚さ）及び約８００～１４００マイクロメートルの直径を有してもよい。いくつかの実施形態では、バールの周囲３００μｍの所定の電極領域を除去すると、電極面積が約７％減少しうる。したがって、この面積減少を考慮するために、より高いクランプ力及びクランプ電圧が必要とされうる。

図６Ａ、６Ｂ、及び６Ｃは、本開示の実施形態に係り、静電クランプにおけるバールの底面図の概略図である。特に、図６Ａは、電極層６０６及びバール６０８を有する静電クランプの構成６００を示し、電極層６０６は、切り欠きが１つもない連続した層である。いくつかの実施形態では、電極層６０６及びバール６０８は、図４Ａに示される電極層４０６及びバール４０８それぞれの例示的な実施形態を表すことができる。バール６０８及び電極層６０６は、静電クランプ本体（図４Ａにおいてクランプ本体４０４によって示されるように）によって隔てられてもよい。いくつかの実施形態では、バール６０８は、約４６０マイクロメートルの直径Ｄを有してもよく、レチクルの裏面に接触するように構成されてもよい。いくつかの例では、バール６０８とレチクルの間の電位差は、レチクル及び／又は静電クランプの損傷をもたらす可能性のある放電を引き起こす可能性がある。

図６Ｂは、電極層６１６、切り欠き６１７、及びバール６１８を有する静電クランプの構成６１０を示す。いくつかの実施形態では、電極層６１６、切り欠き６１７、およびバール６１８は、それぞれ、図４Ｂに示される電極層４１６、切り欠き４１７、およびバール４１８の例示的な実施形態を表しうる。いくつかの実施形態では、切り欠き６１７は、バール６１８での電場を低減するために、電極層６１６から除去される所定領域の一部を構成する。いくつかの実施形態では、電極層６１６に切り欠き６１７を施すことによって、電極層６１６の面積が減少しうる。いくつかの実施形態では、面積の減少は、静電クランプとレチクルとの間の接触を維持するために、より高いクランプ力を必要とする場合がある。したがって、電極面積の損失を補償し、クランプ・レチクル界面での接触を維持するための適切なクランプ力を提供するために、より高いクランプ電圧が必要とされる場合がある。いくつかの実施形態では、クランプ力の均一性は、レチクルの剛性によって可能になる空間的フィルタリングによって維持されうる。例えば、空間的フィルタリングは、レチクルの厚さに起因して発生するものであってもよい。言い換えれば、レチクルの厚さを増加させると、レチクルの裏面の小さな局所的な変動が「ぼかされ」、前面を通じた印刷物からフィルタリングにより効果的に除去されうる。

いくつかの実施形態では、電極層６１６の１つ又は複数の部分が除去され、約８００マイクロメートルの直径Ｄを有する１つ又は複数の切り欠き６１７を可能にしうる。例えば、電極層６１６の１つ又は複数の部分（例えば、直径Ｄが８００μｍの切り欠き６１７）を除去することによって、バール６１８での電場は、約８．８分の１に低減され、クランプ電圧は、クランプ力を維持するために約１．０７倍に増加されてもよく、結果として約８．２分の１が得られる。

図６Ｃは、実施形態に係り、電極層６２６、切り欠き６２７、およびバール６２８を有する静電クランプの別の構成６２０を示す。いくつかの実施形態では、電極層６２６、切り欠き６２７、およびバール６２８は、それぞれ、図４Ｂに示される電極層４１６、切り欠き４１７、およびバール４１８の例示的な実施形態を表すことができる。構成６２０では、電極層６２６の１つ又は複数の部分が除去されてもよく、約１，４００マイクロメートルの直径Ｄを有する１つ又は複数の切り欠き６２７を可能にする。いくつかの実施形態では、約１，４００マイクロメートルの切り欠き直径Ｄは、バール６２８での電場を約１２５分の１に低減することを可能にしうる。また、クランプ電圧は、クランプ力を維持するために約１．２６倍に増加されてもよく、結果として約９９分の１が得られる。

電場低減のための例示的な実施形態

いくつかの実施形態では、方法は、電場を最小化し、バール・レチクル界面を改善するために、静電クランプ設計をさらに改良する。いくつかの実施形態では、レチクルは、重力及び／又はバックフィルガスによってたるむことがあり、したがって、クランプ電圧がかなりのレベル（例えば、およそ数百ボルト）であっても、レチクルステージにおけるアンローディング及び再クランプの間に接触を失う可能性がある。この接触喪失は、クランプとレチクルの間隙におけるマイクロギャップ放電（例えば、電気アーク又はアーク放電）につながる可能性がある。また、いくつかの実施形態では、バールトップ（例えば、レチクルに接触するバールの表面）とレチクル裏面との接触は、ローディング中（及び再クランプの再接触部分）にクランプ電圧が数百ボルトのときのみ行われうる。さらに、バールトップは、しばしば、前回クランプしたときから逆の極性で帯電したままとなっていることがある（逆極性で帯電される場合）。例えば、この電荷は、約１０～１００ピコクーロム（ｐＣ）の値を有しうる。

いくつかの実施形態では、この電荷差は、マイクロギャップ放電を引き起こしうるだけでなく、バールトップの凹凸を流れる電流、及び／又はこの凹凸による絶縁レチクル被覆酸化物最上層の破壊をもたらしうる。例えば、これは、１０，０００Ｋを超える局所的な温度を、材料（金属と酸化物の両方）の局所的な溶融または気化、必然的な材料移動、及び／又はマイクロ溶接とともにもたらす可能性がある。また、電荷差は、レチクルの固着及びエンドユーザーに対するオーバーレイの問題を引き起こす可能性がある。

図７は、本開示の実施形態に係り、静電クランプにおけるバール・レチクル界面７００の概略図である。バール・レチクル界面７００は、静電クランプ７１０、バール７１５、バールトップ７２０、及びレチクル７３０を備える。図７には１つのバール７１５のみが示されているが、静電クランプ７１０には任意の数のバール７１５が存在してもよい。

いくつかの実施形態では、バール・レチクル界面７００は、２ｋＶのクランプ電圧についてバールトップ上で９０Ｖ／μｍを超える公称値（また、畝状***などの電場が増幅される場所ではより高い値となりうる）によって、本質的にバリア層破壊の危険にさらされうる。例えば、バリア層破壊は、フリッティングと呼ばれることもあり、１００Ｖ／μｍのオーダーの内部電場について発生しうる。いくつかの実施形態では、電場は、隣接バール７１５間の場所よりもバールトップ７２０の上で本質的により高くなる。なぜなら、バール７１５は、１０μｍの真空ギャップ無しの誘電体（例えば、約５の誘電率εｒをもつ１１０ミクロン）であるからである。バール間（真空ギャップ内）の電場は、２ｋＶのクランプ電圧について７０Ｖ／μｍ程度であるが、図７に示すように、バール上の電場は８０Ｖ／μｍを超える。いくつかの実施形態では、このバリア破壊閾値は、機械的せん断がバリア層の完全性を損なう場合（これは実際のクランプにおいて予想されるものである）、より低い電場値にシフトする可能性がある。

従って、本開示のいくつかの実施形態は、静電クランプを最適化することによって電場を低減するためにバール・レチクル界面を改善する方法及びデバイスを提供する。いくつかの実施形態では、静電クランプは、クランプに様々な修正を適用することによって、バール・レチクル界面における電場を低減するように最適化されうる。適用されうる修正の一例は、静電クランプの複数のバールのレチクル接触面（例えば、バールトップ）上の導電性コーティングの厚さを減少させることであってもよい。例えば、バールトップ上の導電層又はコーティングは、窒化チタン（ＴｉＮ）を備え、バールとレチクルとの間の電圧差は、１００ｎｍ程度のバールトップについて１０Ｖより大きいオーダーであると見積もられうる。いくつかの実施形態では、この電圧差を１Ｖ未満に最小化することが望ましい場合があり、これは、バールトップ上の導電層の厚さを１０ｎｍ未満に低減することによって達成されうる。したがって、バールトップとレチクルとの間の局所電場は、より薄い導電層をバールトップに適用することによって低減され、それにより、複数のバールとレチクルとの間の低減された電圧差により接触前にバールトップの電圧をレチクル裏面の電圧に近づけうる。

いくつかの実施形態では、修正は、静電クランプに仮想接地を提供するように、複数のバールにおける各バールを共に接続することによって、局所電場を最小化することを含む。例えば、バールは、組み合わされて実効的に１つの電気的表面となるように電気的に接続されてもよい。この修正は、バールトップを仮想接地に維持しうるので、バールがレチクル裏面とほぼ同じ電圧（例えば、この文脈では２ｋＶについて約１％または約２０Ｖ未満の小さい電極公差の範囲内で）になりうる。

いくつかの実施形態では、仮想接地は、外部インタフェースが不要であり、仮想接地における接地ループのリスクがないため、完全接地よりも実装が容易でありうる。

いくつかの実施形態では、静電クランプにおける複数のバールトップは、バール・レチクル界面での局所電場を最小化するために物理的に接地されてもよい。この修正は、バールトップを約０Ｖの接地状態に維持しうるので、仮想接地のようにバールがレチクル裏面と同じ電圧になりうる。

図８は、本開示の実施形態に係り、静電クランプにおいて電気的に接続されたバールの概略図である。特に、図８は、複数のバール８０５、バールトップ８１０、コーティング８１５、及び電極Ｅ、８２０を示している。いくつかの実施形態では、静電クランプは、４つの電極８２０を備えてもよく、この場合、電極８２０のうちの２つは正電圧で動作し、一方、他の２つの電極８２０は負電圧で動作する。複数のバール８０５は、クロム（Ｃｒ）又は窒化クロム（ＣｒＮ）を備えてもよく、バールトップ８１０は、窒化チタン（ＴｉＮ）を備えてもよく、一方、静電クランプのクランプ本体は、超低膨張ガラス（ＵＬＥ）、リチウムアルミノシリケートガラスセラミック、シリコン浸潤シリコンカーバイド（ＳｉＳｉＣ）、ベンゾシクロブテン系ポリマー（ＢＣＢ）など、ガラス、セラミック及び／又はポリマー材料を備えてもよい。

いくつかの実施形態では、バールトップ８１０は、仮想接地を確立するために電気的に接続されてもよい。例えば、バールトップ８１０の電気的接続は、コーティング８１５の下であってもよく、この場合、コーティング８１５は、導電性又は非導電性でありうる耐磨耗性コーティングである。別の例では、バールトップ８１０の電気的接続は、コーティング８１５の側面にあってもよく、この場合、コーティング８１５は導電性であってもよい。

いくつかの実施形態では、正電極８２０の上のバールトップ８１０を負電極８２０の上のバールトップと相互接続することによって、仮想接地が達成されてもよい。いくつかの実施形態では、すべてのバールトップ８１０が、（例えば、電極の正確なバランスに依存するが）０Ｖであってもよい。したがって、バールトップは、レチクル裏面と同じ電位であってもよく、これにより、レチクルとバールが接触することによるフリッティング及び放電のリスクを防止しうる。いくつかの実施形態では、図８に示す構成は、バールトップ８１０のための適切なゼロ電圧を確立するための接地接続を含んでもよい。

バール・レチクル界面を改良するために静電クランプを修正するいくつかの実施形態は、レチクルコーティング、バール、及び動作条件を最適化することを含んでもよい。いくつかの実施形態では、レチクルコーティングを最適化することは、複数のバールのレチクル接触面又はレチクルの裏面に導電性コーティングを適用することを含んでもよく、この場合、導電性コーティングは、酸化物、ダイヤモンド、又はダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）材料を備える。例えば、レチクル裏面コーティング又は最上層は、製造、保管、及び／又は洗浄中の酸化の場合に誘電体バリアの形成を防止するために、導電性酸化物を形成する材料を用いることによって最適化されてもよい。いくつかの実施形態では、二酸化チタン（ＴｉＯｘ）、酸化バナジウム（ＶＯｘ）等の半導電性酸化物がコーティングのために考慮されてもよい。

いくつかの実施形態では、レチクル裏面コーティング上の厚く堅牢な最上層は、フリッティング効果の限界をより高い電圧に押し上げ、レチクルをクランプまたは使用中の機械的変形に影響されにくくするためにも利用されうる。いくつかの実施形態では、レチクルコーティングは、層の品質及び厚さを維持するために、互換性のある洗浄工程を必要とする場合がある。

いくつかの実施形態では、フリッティングは、ほとんどの金属酸化物によって形成されるような絶縁バリアを含む。二酸化モリブデン（ＭｏＯ２）、ルテニウム（ＩＶ）酸化物（ＲｕＯ２）等の特定の金属酸化物は、耐摩耗性最上層を提供しつつ導電性を維持しうるので、これらはフリッティングを生じないかもしれない。同様に、ＤＬＣ又は（ナノ）ダイヤモンドなどの耐摩耗性非金属層は、いくらかの導電性を設計する（例えばホウ素（Ｂ）でドーピングする）ことによって、保護されるかもしれない。

いくつかの実施形態では、静電クランプのバールは、バール・レチクル界面における電場を最小化するために最適化されてもよい。いくつかの実施形態では、バールトップにおける電荷蓄積及びバール・レチクル界面における電場増幅を防止するために、導電性バールトップ材料が全誘電性バールトップ材料で置換されてもよい。いくつかの実施形態では、非導電性又は誘電性のバールトップは、摩擦電気効果（又は接触帯電）の影響を受けやすいかもしれないが、これは、導電性レチクル裏面コーティングの観点からは（ウェーハクランプとは対照的に）問題とはみなされない。

いくつかの実施形態では、導電性バールトップ材料は、非常に高いシート抵抗を有する材料など、導電性の低いバールトップ材料に置換されてもよい。バールトップに導電性の低い材料を使用すると、極性切り替え後の電荷均等化電流と同様にフリッティング電流を低減して、局所溶融及び電気化学的マイグレーションを防止するのに十分低い瞬時温度を維持することができる。いくつかの実施形態では、電場増幅はまた、畝状***のような鋭い幾何学的段差を含む、バール・レチクル界面に近接する鋭い形状、エッジ、及び三重点の回避によって防止されうる。いくつかの実施形態では、バールトップ材料は、バール材料がレチクルに転写されるように選択されてもよい（例えば、Ａｕ／Ｐｔ／Ａｇ含有合金）。

いくつかの実施形態では、静電クランプの動作条件は、バール・レチクル界面における電場を低減するように最適化されてもよい。例えば、レチクルの再クランプ及びアンローディングの間（例えば、レチクルがバールトップに接触しているとき）、バックフィルガス圧力が除去されてもよい。これは、かなり低い押し出し力及びかなり低いクランプ電圧でバール・レチクル接触が破壊され再確立されることにつながりうる。バックフィルガス圧の除去はまた、バールトップ上の残留電荷が少ないことを示しうるため、極性の切り替え後（例えば、再クランプ時またはアンロード・ロードシーケンス時）に接触が再確立されるときの均等化電流がより少なくなりうる。いくつかの実施形態では、バックフィルガスは、スループットへの影響を回避または最小化するために、供給ラインを通じて能動的に排気されてもよい。例えば、バックフィルガスがリークシールを介して漏れ出すのを待つのは、長時間を要するかもしれない。したがって、供給ラインは、バックフィルガスを能動的に除去するための排気ラインを兼ねてもよい。

いくつかの実施形態では、反対の極性を有するバールトップからの残留電荷は、イオン化ガスへの曝露（例えば、ＥＵＶ誘起プラズマによるイオン化又は専用のイオン化器によるイオン化）により、アンローディングとローディングとの間に除去されてもよい。いくつかの実施形態では、専用のイオン化器は、静電クランプ（例えば、水素供給部）に近接又は一体化されてもよい。いくつかの実施形態では、バールトップ及びレチクルを放電し、均一な電位を維持するために、レチクルが静電クランプに存在する間、導電性媒体又はイオン化ガス（例えば、プラズマ）がバール・レチクル界面に適用されてもよい。

いくつかの実施形態では、動作条件が修正されてもよく、フリッティングを減らすべく残留吸着水を防ぐために、レチクル裏面がローディング／クランピングの前に除湿されてもよい。いくつかの実施形態では、バールとレチクルの間の乾燥した界面は、バール上の凹凸が酸化物バリア層の弱い箇所に一致する場合（この可能性は限定的でありうるが）、そうした弱所を通じてのみ電流を流しうる。湿った表面は、レチクル上に表面導電性を生じさせうる。つまり、凹凸と弱所との間の上記の位置合わせが、酸化物バリア弱所を通るフリッティング電流を生成する程度に近接することを必要とするにすぎないかもしれず、これはフリッティングの確率を増加させる。したがって、レチクル裏面を除湿することは、フリッティングを低減するのに役立つであろう。

いくつかの実施形態では、レチクル裏面コーティングは、フリッティングリスク及び／又はせん断損傷を最小化すべく最上層（例えば、酸化物）を強化又は再強化するように、ローディング／クランピングの前に調整されてもよい。このレチクル調整は、レチクルの洗浄中のステップ及び／又は保管要件として実施されてもよい。

いくつかの実施形態では、本明細書に記載されるように静電クランプにこれらの様々な修正を適用することによって、静電クランプは、バールとレチクルとの間の電場を低減するように改良され、それにより、レチクルの固着又は付着を防止し、及び再クランプによるレチクル材料からのパーティクル形成による高次のドリフトを除去できる。他の利点としては、レチクルローディンググリッドの改善、及び（例えば、より頻繁な再クランプによる）レチクル加熱に対処するための設計自由度の向上が挙げられる。

動作方法の例

図９は、本開示の実施形態に係り、静電クランプを改良するための例示的な方法９００のフローチャートである。いくつかの実施形態では、方法９００は、図２から図８を参照して上述した静電クランプ（例えば静電クランプ４００、４１０、及び／または７１０など）の製作および修正を説明する。方法９００に示された動作は網羅的なものではなく、図示された動作のいずれかの前、後、または間に同様に他の動作も行うことができることを理解すべきである。本開示の様々な実施形態では、方法９００の動作は、異なる順序で実行することができ、及び／又は変化させることができる。

操作９０２において、静電クランプが製作される。静電クランプは、クランプ本体と、クランプ本体の上面に配置された電極層と、クランプ本体の底面から突出する複数のバールとを含むように製作され、複数のバールはレチクルの裏面に接触するように構成される。いくつかの実施形態では、静電クランプは、電極層を絶縁基板上に堆積させることによって製作されてもよい。絶縁基板は、ガラス、セラミック等を備えてもよい。次いで、絶縁層が電極層に配置され接着される（又は電極層の上に堆積される）。いくつかの実施形態では、複数のバールは、絶縁基板（例えば、クランプ本体）の底面から突出するように形成されてもよい。例えば、複数のバールは、リソグラフィプロセスによって形成されてもよく、この場合、マスクがクランプ表面に適用され、マスクされていない材料（例えば、マスクによって覆われていないクランプ表面の部分）がエッチングにより除去されて、複数のバールがもたらされる。他の実施形態では、複数のバールは、成膜プロセスによって形成されてもよい。いくつかの実施形態では、複数のバールは、所定の材料でコーティングされてもよく、コーティングは、レチクルを接地するように機能し、及び／又はバールとレチクルとの間に耐摩耗性界面を提供するように機能してもよい。

動作９０４において、複数のバールとレチクルとの間の電場を低減するための静電クランプへの修正が適用される。修正を適用することは、複数のバールとレチクルとの間の電圧差を減少させることを可能にすべく複数のバールのレチクル接触面上の導電性コーティングの厚さを減少させること、及び／又は電極層における複数の切り欠きを可能にすべく各バールの位置に対応する位置において電極層の所定の部分を除去することを含みうる。

いくつかの実施形態では、修正を適用することは、静電クランプに仮想接地を提供するように複数のバールにおける各バールを共に接続すること、複数のバールを接地すること、及び／又は複数のバールのレチクル接触面又はレチクルの裏面に導電性コーティングを施すことを含みうる。導電性コーティングは、酸化物、ダイヤモンド又はダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）材料を備える。

本発明の他の態様は、以下の番号付けられた項に提示される。
１．クランプ本体と、
前記クランプ本体の上面に配置された電極層と、
前記クランプ本体の底面から突出する複数のバールと、を備え、
前記電極層は、前記クランプ本体の前記底面での前記複数のバールの位置に鉛直に対応する所定位置に複数の切り欠きを備える、静電クランプ。
２．前記複数のバールは、前記静電クランプとレチクルとの接触点を備える、項１に記載の静電クランプ。
３．前記複数の切り欠きは、前記複数のバールの周りに発生する電場を低減する前記電極層における欠落を備える、項１に記載の静電クランプ。
４．前記複数のバールは、レチクルの裏面に接触するように構成されている、項１に記載の静電クランプ。
５．前記レチクルは、導電性コーティングを備える、項４に記載の静電クランプ。
６．前記複数のバールにおける各バールは、導電性コーティングを備える、項１に記載の静電クランプ。
７．前記複数の切り欠きにおける各切り欠きは、およそ３００から１４００μｍの直径を有する、項１記載の静電クランプ。
８．静電クランプを改良する方法であって、
クランプ本体と、前記クランプ本体の上面に配置された電極層と、前記クランプ本体の底面から突出する複数のバールと、を備え、複数のバールがレチクルの裏面に接触するように構成される、前記静電クランプを製作することと、
前記複数のバールと前記レチクルとの間の電場を低減するために前記静電クランプに修正を適用することと、を備える方法。
９．前記適用することは、前記複数のバールのレチクル接触面上の導電性コーティングの厚さを、前記複数のバールと前記レチクルとの間に低減された電圧差を可能にするように、減らすことを備える、項８に記載の方法。
１０．前記適用することは、各バールの位置に対応する位置で前記電極層の所定部分を、前記電極層における複数の切り欠きを可能にするように、除去することを備える、項８に記載の方法。
１１．前記適用することは、前記静電クランプに仮想接地を提供するように、前記複数のバールにおける各バールを共に接続することを備える、項８に記載の方法。
１２．前記静電クランプに前記修正を適用することは、前記複数のバールを接地することを備える、項８に記載の方法。
１３．前記静電クランプに前記修正を適用することは、前記複数のバールのレチクル接触面または前記レチクルの前記裏面に導電性コーティングを適用することを備え、前記導電性コーティングが、酸化物、ダイヤモンド、またはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）材料を備える、項８に記載の方法。
１４．放射ビームを調整するように構成される照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターニングされた放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構築される支持構造と、
前記パターニングされた放射ビームを基板の目標部分に投影するように構成される投影システムと、を備え、
前記支持構造は、
クランプ本体と、
前記クランプ本体の上面に配置された電極層と、
前記クランプ本体の底面から突出する複数のバールと、を備え、
前記電極層は、前記クランプ本体の前記底面での前記複数のバールの位置に鉛直に対応する所定位置に複数の切り欠きを備える、静電クランプを備える、リソグラフィ装置。
１５．前記複数のバールは、前記静電クランプと前記パターニングデバイスとの接触点を備える、項１４に記載のリソグラフィ装置。
１６．前記複数の切り欠きは、前記複数のバールの周りに発生する電場を低減する前記電極層における欠落を備える、項１４に記載のリソグラフィ装置。
１７．前記パターニングデバイスは、レチクルを備え、
前記複数のバールは、前記レチクルの裏面に接触するように構成される、項１４に記載のリソグラフィ装置。
１８．前記レチクルは、導電性コーティングを備える、項１７に記載のリソグラフィ装置。
１９．前記複数のバールにおける各バールは、導電性コーティングを備える、項１４に記載のリソグラフィ装置。
２０．前記複数の切り欠きにおける各切り欠きは、およそ３００から１４００μｍの直径を有する、項１４に記載のリソグラフィ装置。

結辞

本書では「レチクル」について具体的な言及がなされている場合があるが、これはパターニングデバイスの一例に過ぎず、本明細書に記載の実施形態は、任意のタイプのパターニングデバイスに適用可能でありうることを理解すべきである。また、本明細書に記載の実施形態は、クランプの失敗によって物体が落下して自身または他の装置のいずれかを損傷することがないように、任意の物体に安全支持を提供するために使用されてもよい。

本書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされている場合があるが、ここに説明したリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤ、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有しうるものと理解されたい。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及された基板は露光前または露光後において、例えばトラックユニット（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジユニット、及び／又はインスペクションユニットにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらの又は他の基板処理装置にも適用されうる。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は、処理された多数の層を既に含む基板をも意味しうる。

上記では光リソグラフィにおける本発明の実施形態の使用について具体的に言及がなされている場合があるが、文脈が許す限り、本発明は光リソグラフィに限定されず、例えばインプリントリソグラフィなどの他の用途に使用されうることが理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィによって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスのトポグラフィを基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力またはその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離すと、硬化したレジストにパターンが残される。

本明細書の言葉遣いまたは専門用語は、限定ではなく説明を目的とするものであり、本書の教示を考慮して関連技術分野の当業者によって解釈されるべきものである。

本書で使用される「基板」という用語は、ある材料に複数の材料層が追加されたものを記述している。いくつかの実施形態では、基板自体がパターニングされておりその上に追加される材料もパターニングされてもよいし、あるいはパターニングされずに残っていてもよい。

本書ではＩＣの製造における本発明に係る装置及び／またはシステムの使用について具体的な言及がなされている場合があるが、このような装置及び／またはシステムは、例えば集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターン及び検出パターン、ＬＣＤパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造といった多くの他の用途を有しうるものと理解されたい。当業者であればこうした代替の用途の文脈において、本書における「レチクル」、「ウェーハ」、または「ダイ」という用語がそれぞれ「マスク」、「基板」、「目標部分」という、より一般的な用語に置換されるとみなされると理解することができるであろう。

後述の例は、本開示の実施形態を例示するものであるが、限定するものではない。関連技術分野の当業者にとって明らかであろう当該分野で通常遭遇する様々な条件およびパラメータについての他の適切な修正および適応は、本開示の精神および範囲内にある。

「発明の概要」および「要約」の欄ではなく、「詳細な説明」の欄が特許請求の範囲の解釈に使用されるよう意図されていることを認識されたい。「発明の概要」および「要約」の欄は、発明者によって考案された実施形態のうち一つまたは複数について述べているが、全ての例示的な実施形態について述べているわけではなく、したがって、本発明および添付の特許請求の範囲をいかなる方法によっても限定する意図はない。

上記では、本発明が特定の機能およびその関係の実装を示す機能ブロックを用いて説明されている。これらの機能ブロックの境界は、本書では説明の便宜上任意に定められている。特定の機能およびその関係が適切に実行される限り、代替の境界が定められてもよい。

特定の実施形態についての上記説明は本発明の一般的性質を完全に公開しており、したがって、当業者の知識を適用することによって、過度の実験をすることなく、および本発明の一般概念から逸脱することなく、こうした特定の実施形態を種々の応用に対して直ちに修正し及び／又は適応させることができる。したがって、そのような修正および適応は、本書に提示された教示および助言に基づき、開示された実施形態の意義および等価物の範囲内にあるものと意図されている。

本発明の広がりおよび範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、特許請求の範囲およびその等価物にしたがってのみ定められるべきである。

図４Ａ及び図４Ｂは、それぞれ、本開示の実施形態に係る静電クランプ４００及び４１０の側面図の概略図である。いくつかの実施形態において、静電クランプ４００及び４１０は、図２及び図３に示されるクランプ３００の例示的な実施形態を表す。図４Ａは、クランプ本体４０４と、電極層４０６と、複数のバール４０８と、を備える静電クランプ４００を示している。電極層４０６は、静電クランプ４００の上面に配置され、複数のバール４０８は、静電クランプ４００の底面から突出しており、クランプ本体４０４は、電極層４０６をバール４０８から物理的に隔てている。

いくつかの実施形態では、電極層４１６は、複数の切り欠き４１７又は欠落を備え、これらにおいては電極材料がクランプ本体４１４の上面における複数の位置で除去されている。いくつかの実施形態では、電極層４１６における複数の切り欠き４１７の位置は、クランプ本体４１４の底面におけるバール４１８の位置に鉛直に対応してもよい。例えば、切り欠き４１７は、静電クランプ４１０におけるそれぞれのバール４１８の位置の真上に配置されてもよい。各切り欠き４１７は、クランプ本体４１４の底面ではなくクランプ本体４１４の上面で、それぞれのバール４１８の位置に対して同心円状に存在する円形の切り欠き（または正方形、長円、楕円など、他の面形状）を備えてもよい。図４Ｂには、３つのバール４１８および３つの切り欠き４１７のみが描かれているが、任意の数のバール４１８および切り欠き４１７、ならびにクランプ本体４１４の底面および上面それぞれにわたる任意の配置が使用されてもよい。いくつかの実施形態では、電極層４１６をバール４１８の近傍で切り欠き４１７で遮断することによって、バール４１８での電場は、静電クランプ４１０とレチクル４１９との間の接触点を改善し放電を最小限に抑えるために、大幅に低減されることができる。

Claims (20)

1. クランプ本体と、
   前記クランプ本体の上面に配置された電極層と、
   前記クランプ本体の底面から突出する複数のバールと、を備え、
   前記電極層は、前記クランプ本体の前記底面での前記複数のバールの位置に鉛直に対応する所定位置に複数の切り欠きを備える、静電クランプ。
2. 前記複数のバールは、前記静電クランプとレチクルとの接触点を備える、請求項１に記載の静電クランプ。
3. 前記複数の切り欠きは、前記複数のバールの周りに発生する電場を低減する前記電極層における欠落を備える、請求項１に記載の静電クランプ。
4. 前記複数のバールは、レチクルの裏面に接触するように構成されている、請求項１に記載の静電クランプ。
5. 前記レチクルは、導電性コーティングを備える、請求項４に記載の静電クランプ。
6. 前記複数のバールにおける各バールは、導電性コーティングを備える、請求項１に記載の静電クランプ。
7. 前記複数の切り欠きにおける各切り欠きは、およそ３００から１４００μｍの直径を有する、請求項１記載の静電クランプ。
8. 静電クランプを改良する方法であって、
   クランプ本体と、前記クランプ本体の上面に配置された電極層と、前記クランプ本体の底面から突出する複数のバールと、を備え、複数のバールがレチクルの裏面に接触するように構成される、前記静電クランプを製作することと、
   前記複数のバールと前記レチクルとの間の電場を低減するために前記静電クランプに修正を適用することと、を備える方法。
9. 前記適用することは、前記複数のバールのレチクル接触面上の導電性コーティングの厚さを、前記複数のバールと前記レチクルとの間に低減された電圧差を可能にするように、減らすことを備える、請求項８に記載の方法。
10. 前記適用することは、各バールの位置に対応する位置で前記電極層の所定部分を、前記電極層における複数の切り欠きを可能にするように、除去することを備える、請求項８に記載の方法。
11. 前記適用することは、前記静電クランプに仮想接地を提供するように、前記複数のバールにおける各バールを共に接続することを備える、請求項８に記載の方法。
12. 前記静電クランプに前記修正を適用することは、前記複数のバールを接地することを備える、請求項８に記載の方法。
13. 前記静電クランプに前記修正を適用することは、前記複数のバールのレチクル接触面または前記レチクルの前記裏面に導電性コーティングを適用することを備え、前記導電性コーティングが、酸化物、ダイヤモンド、またはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）材料を備える、請求項８に記載の方法。
14. 放射ビームを調整するように構成される照明システムと、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターニングされた放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構築される支持構造と、
    前記パターニングされた放射ビームを基板の目標部分に投影するように構成される投影システムと、を備え、
    前記支持構造は、
    クランプ本体と、
    前記クランプ本体の上面に配置された電極層と、
    前記クランプ本体の底面から突出する複数のバールと、を備え、
    前記電極層は、前記クランプ本体の前記底面での前記複数のバールの位置に鉛直に対応する所定位置に複数の切り欠きを備える、静電クランプを備える、リソグラフィ装置。
15. 前記複数のバールは、前記静電クランプと前記パターニングデバイスとの接触点を備える、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
16. 前記複数の切り欠きは、前記複数のバールの周りに発生する電場を低減する前記電極層における欠落を備える、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
17. 前記パターニングデバイスは、レチクルを備え、
    前記複数のバールは、前記レチクルの裏面に接触するように構成される、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
18. 前記レチクルは、導電性コーティングを備える、請求項１７に記載のリソグラフィ装置。
19. 前記複数のバールにおける各バールは、導電性コーティングを備える、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
20. 前記複数の切り欠きにおける各切り欠きは、およそ３００から１４００μｍの直径を有する、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。

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