CN111215398A - 掩模板的清洗***和清洗方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种掩模板的清洗***和清洗方法。该掩模板的清洗***包括：掩模板支撑设备和清洗设备，所述掩模板支撑设备用于支撑掩模板；所述清洗设备用于向所述掩模板的表面吹超声波气体，所述超声波气体为经超声波处理的气体；所述超声波气体的流速大于预设速度，以在所述掩模板表面形成空化泡，清洗所述掩模板表面的污渍。与现有技术相比，本发明实施例在确保对掩模板的清洗效果的基础上，减少了药液用量、减少了产生的废液量以及降低了危险性。

Description

掩模板的清洗***和清洗方法

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩模板的清洗***和清洗方法。

背景技术

随着显示技术的不断发展，显示面板的应用范围越来越广泛，人们对显示面板的要求越来越高，显示面板生产厂商对显示面板的工艺要求也越来越高。

其中，蒸镀工艺是面板制造工艺的重要步骤，掩模板是蒸镀工艺中使用的关键部件。随着蒸镀生产的进行，掩模板表面会残留蒸镀材料，形成污渍，遮挡掩模板的开口。若污渍不及时清洗，会影响显示面板的产品良率。现有技术中多采用水系清洗的方式对掩模板进行清洗，然而，水系清洗存在药液用量大、产生的废液较多和危险性高的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种掩模板的清洗***和清洗方法，以减少药液的用量、减少产生的废液量以及降低危险性。

为实现上述技术目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种掩模板的清洗***，包括：

掩模板支撑设备，所述掩模板支撑设备用于支撑掩模板；

清洗设备，所述清洗设备用于向所述掩模板的表面吹超声波气体，所述超声波气体为经超声波处理的气体；所述超声波气体的流速大于预设速度，以在所述掩模板表面形成空化泡，清洗所述掩模板表面的污渍。

从上述技术方案可以看出，本发明实施例创造性地提出了一种新的掩模板的清洗***。该清洗***与现有技术不同的是，其清洗设备能够向掩模板的表面吹超声波气体，超声波气体的流速大于预设速度，以在掩模板表面形成的空化泡迅速膨胀，起到微型***的效果，微型***的能量较大，能够使掩模板表面的污渍脱离掩模板并呈悬浮状态，以实现清洗污渍的效果。由此可见，与现有技术相比，本发明实施例无需采用多种药液对掩模板进行浸泡和清洗，减少了药液的用量和废液的产生。本发明实施例也无需采用IPA溶液对掩模板进行脱水处理，避免了IPA溶液带来的危险性。因此，本发明实施例在确保对掩模板的清洗效果的基础上，减少了药液用量、减少了产生的废液量以及降低了危险性。

进一步地，所述清洗设备包括压力腔、超声波增幅器、排气通道和排气装置，所述压力腔用于容纳高压气体；所述超声波增幅器与所述压力腔连接，用于生成高压超声波气体；所述排气装置设置于所述排气通道的一端，所述排气装置用于将清洗掉的污渍通过所述排气通道排出。本发明实施例通过设置清洗设备包括压力腔、超声波增幅器、排气通道和排气装置，用以实现清洗设备向掩模板吹出超声波气体。

进一步地，所述超声波增幅器的频率范围为40kHz～170kHz。例如，超声波增幅器的频率可选为40kHz、80kHz、120kHz和170kHz等。经发明人研究发现，超声波增幅器的频率越高，在掩模板表面产生的微型***的能量越大，能够清洗的污渍颗粒越小，掩模板清洗的越干净。

进一步地，所述排气装置包括风扇。

进一步地，所述压力腔内部的高压气体的压力高于所述掩模板表面的气体的压力，且高出的范围为12kPa～28kPa。这样设置，使得高压超声波气体在该压力差下产生的超声波气体更容易形成空化泡，增强掩模板的清洗效果。

进一步地，所述超声波增幅器位于所述压力腔的内部；所述清洗设备还包括喷嘴，所述喷嘴设置于所述压力腔靠近所述掩模板的表面的一端，用于将所述超声波气体吹出。其中，喷嘴可以将高压超声波气体引出至掩模板的相应位置上，有利于实现清洗位置的精准对位。

进一步地，所述喷嘴与所述掩模板的距离范围为0.3mm～3mm，例如0.3mm、0.5mm、0.8mm、1mm、1.5mm、2mm、2.5mm或3mm。经发明人研究发现，喷嘴与掩模板的距离小于0.3mm时，超声波气体形成的空化泡的数量较少，不利于清洗掩模板；喷嘴与掩模板的距离大于3mm时，空化泡膨胀爆裂的位置距离掩模板较远，不利于清洗掩模板；喷嘴与掩模板的距离介于0.3mm至3mm时，超声波气体形成的空化泡的数量较多，且空化泡膨胀爆裂的位置距离掩模板较近，有利于清洗掩模板。

进一步地，所述压力腔和所述排气通道相邻设置；所述喷嘴远离所述压力腔的一端向所述排气通道倾斜。这样设置，可以在污渍颗粒从掩模板上脱离悬浮之后，迅速由排气通道排出至清洗腔室之外，从而有利于增强掩模板的清洗效果。

进一步地，所述清洗设备包括第一压力腔、第二压力腔、第一喷嘴和第二喷嘴，所述排气通道设置于所述第一压力腔和所述第二压力腔之间；所述第一喷嘴设置于所述第一压力腔的一端，所述第一喷嘴远离所述第一压力腔的一端向所述排气通道倾斜；所述第二喷嘴设置于所述第二压力腔的一端，所述第二喷嘴远离所述第二压力腔的一端向所述排气通道倾斜。这样，第一喷嘴和第二喷嘴共用排气通道，在不影响掩模板的清洗效果的基础上，简化了清洗设备的结构，节省了排气通道和排气装置的材料成本。

进一步地，所述清洗设备还包括第一超声波增幅器和第二超声波增幅器；所述第一超声波增幅器设置于所述第一压力腔内；所述第二超声波增幅器设置于所述第二压力腔内。

进一步地，掩模板的清洗***包括至少两个所述清洗设备；至少两个所述清洗设备分别位于所述掩模板支撑设备的两侧。这样设置，可以从掩模板的两侧对掩模板进行高速超声波清洗，实现双向清洗的方式清洗掉掩模板两面的污渍，进一步提升了掩模板的清洗效果。

进一步地，掩模板的清洗***还包括：喷淋设备，所述喷淋设备用于向所述掩模板喷淋药液，所述药液用于溶解所述掩模板表面的污渍。其中，掩模板表面的污渍一般为蒸镀材料(有机物)；可选地，药液包括NMP溶液，NMP溶液能够溶解蒸镀材料，干燥后形成白色结晶。相比于蒸镀材料，白色结晶更容易在超声波气体的作用下从掩模板上分离，因此，设置喷淋设备向掩模板喷淋药液进一步提升了掩模板的清洗效果。

相应地，本发明还提供了一种掩模板的清洗方法，包括：

将掩模板放置于掩模板支撑设备上；

向所述掩模板的表面吹超声波气体，所述超声波气体为经超声波处理的气体；所述超声波气体的流速大于预设速度，以在所述掩模板表面形成空化泡，清洗所述掩模板表面的污渍。

进一步地，在向所述掩模板的表面吹超声波气体之前，还包括：

向所述掩模板喷淋药液，所述药液用于溶解所述掩模板表面的污渍；

对所述掩模板进行干燥处理，以在所述掩模板表面形成结晶物质；

进一步地，对所述掩模板进行干燥处理，包括：

将所述掩模板静置预设时间；或者，

采用风刀向所述掩模板吹风；或者，

加热所述掩模板。

本发明实施例创造性地提出了一种新的掩模板的清洗***。该清洗***与现有技术不同的是，其清洗设备能够向掩模板的表面吹超声波气体，超声波气体的流速大于预设速度，以在掩模板表面形成的空化泡迅速膨胀，起到微型***的效果，微型***的能量较大，能够使掩模板表面的污渍脱离掩模板并呈悬浮状态，以实现清洗污渍的效果。由此可见，与现有技术相比，本发明实施例无需采用多种药液对掩模板进行浸泡和清洗，减少了药液的用量和废液的产生。本发明实施例也无需采用IPA溶液对掩模板进行脱水处理，避免了IPA溶液带来的危险性。因此，本发明实施例在确保对掩模板的清洗效果的基础上，减少了药液用量、减少了产生的废液量以及降低了危险性。

附图说明

图1为现有的一种掩模板的清洗方法的流程示意图；

图2为本发明实施例提供的一种掩模板的清洗***的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种掩模板的清洗***的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的又一种掩模板的清洗***的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的又一种掩模板的清洗***的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的又一种掩模板的清洗***的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的又一种掩模板的清洗***的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的又一种掩模板的清洗***的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的又一种掩模板的清洗***的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的又一种掩模板的清洗***的结构示意图；

图11为本发明实施例提供的又一种掩模板的清洗***的结构示意图；

图12为本发明实施例提供的一种掩模板的清洗方法的流程示意图；

图13为本发明实施例提供的另一种掩模板的清洗方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

正如背景技术所述，现有掩模板的清洗方法存在药液用量大、产生的废液较多和危险性高的问题，经发明人研究发现，出现该问题的原因如下。图1为现有的一种掩模板的清洗方法的流程示意图。参见图1，掩模板的清洗方法为水系清洗，水系清洗包括以下步骤：

S010、采用NMP(N-甲基吡咯烷酮)溶液对掩模板进行浸泡，去除掩模板上残留的有机物；

S020、采用DIW(去离子水)对掩模板进行浸泡，去除掩模板上残留的NMP溶液；

S030、采用KOH(氢氧化钾)溶液对掩模板进行浸泡，去除掩模板上残留的无机物；

S040、采用DIW(去离子水)对掩模板进行浸泡，去除掩模板上残留的KOH溶液；

S050、采用IPA(异丙醇)溶液对掩模板进行脱水处理，并烘干掩模板。

由上述步骤可以看出，在现有技术中，掩模板的清洗方法需要使用NMP溶液、DIW、KOH溶液和IPA溶液等药液，且采用浸泡的方式使药液和掩模板上残留的污渍进行化学反应，从而去除掩模板上残留的污渍。其中，采用浸泡的方式需要的药液较多，药液用量大。浸泡过掩模板的药液在清洗结束后变为废液，因而产生的废液也较多。在现有技术使用的药液中，IPA溶液具有易燃易爆的特性，对IPA溶液的存储和使用均存在危险性。综上，现有掩模板的清洗方法存在药液用量大、产生的废液较多和危险性高的问题。

有鉴于此，本发明实施例提供了一种掩模板的清洗***，该掩模板的清洗***可应用于清洗腔室，并设置于清洗腔室内。图2为本发明实施例提供的一种掩模板的清洗***的结构示意图。参见图2，该掩模板的清洗***包括掩模板支撑设备100和清洗设备200；掩模板支撑设备100用于支撑掩模板300；清洗设备200用于向掩模板300的表面吹超声波气体，超声波气体为经超声波处理的气体；超声波气体的流速大于预设速度，以在掩模板300表面形成空化泡，清洗掩模板300表面的污渍。

其中，预设速度是指能够使得超声波气体在掩模板300表面形成空化泡的速度，示例性地，预设速度大于等于20m/s。与风扇的气流速度相比，该超声波气体的流速较大，因此可称为高速超声波气体，高速超声波气体是指高速气流和超声波共同作用的气体，高速超声波气体可以在掩模板300表面形成的空化泡迅速膨胀，起到微型***的效果，微型***的能量能够使掩模板300表面的污渍脱离掩模板300并呈悬浮状态；继而在超声波的反射作用下将污渍带动起来，以实现清洗污渍的效果。优选地，高速超声波气体的流速介于20m/s至50m/s之间，这样设置既能够有效清洗掩模板300表面的污渍，又能够确保掩模板300不被高速的超声波气体打坏。

示例性地，该掩模板的清洗***的使用方法包括：将掩模板300放置于掩模板支撑设备100上；向掩模板300的表面吹高速超声波气体，以清洗掩模板300表面的污渍。

综上所述，本发明实施例创造性地提出了一种新的掩模板的清洗***。该清洗***与现有技术不同的是，其清洗设备200能够向掩模板300的表面吹超声波气体，超声波气体的流速大于预设速度，以在掩模板300表面形成的空化泡迅速膨胀，起到微型***的效果，微型***的能量较大，能够使掩模板300表面的污渍脱离掩模板300并呈悬浮状态，以实现清洗污渍的效果。由此可见，与现有技术相比，本发明实施例无需采用多种药液对掩模板300进行浸泡和清洗，减少了药液的用量和废液的产生。本发明实施例也无需采用IPA溶液对掩模板300进行脱水处理，避免了IPA溶液带来的危险性。因此，本发明实施例在确保对掩模板300的清洗效果的基础上，减少了药液用量、减少了产生的废液量以及降低了危险性。

图3为本发明实施例提供的另一种掩模板的清洗***的结构示意图。参见图3，在本发明的一种实施方式中，可选地，清洗设备200包括压力腔210、超声波增幅器220、排气通道230和排气装置240。压力腔210用于容纳高压气体；超声波增幅器220与压力腔210连接，用于生成高压超声波气体；排气装置240设置于排气通道230的一端，排气装置240用于将掩模板300上清洗掉的污渍通过排气通道230排出。

其中，高压气体是指压力腔210内部的气体压力高于掩模板300所处空间(清洗腔室)的气体压力。超声波增幅器220是指能够将输入的电功率转换成超声波的装置，超声波增幅器能够将高压气体进行超声波处理，形成高压超声波气体。该高压超声波气体在内外压力差的驱动下，在排出时产生超声波气体，超声波气体在掩模板300表面形成的空化泡迅速膨胀，起到微型***的效果，能够使掩模板300表面的污渍脱离掩模板300并呈悬浮状态。

排气装置240是指能够将气体排出清洗腔室的装置，腔室内的气体通过排气通道230和排气装置240排出。在将气体排出清洗腔室的同时，悬浮的污渍颗粒随之排出。可选地，排气装置240通过带动清洗腔室的气体流动将气体排出。例如，排气装置240包括风扇，风扇的扇叶旋转时，排气通道230上部的气体受力“流走”，流走气体的位置会产生负压，排气通道230下部的气体在负压的作用下“流入”上部区域，形成气体流动。本发明实施例通过设置排气通道230和排气装置240将污渍颗粒排出清洗腔室，保持清洗腔室的洁净，以避免悬浮的污渍颗粒对掩模板300产生二次污染。

由此可见，本发明实施例通过设置清洗设备200包括压力腔210、超声波增幅器220、排气通道230和排气装置240，用以实现清洗设备200向掩模板300吹出超声波气体。

在本发明的一种实施方式中，可选地，向压力腔210注入的气体包括压缩干燥空气(Compress Dry Air，CDA)或高纯氮(Purity Nitrogen，PN2)等洁净气体，从避免产生的超声波气体中存在杂质对掩模板产生污染，有利于提升掩模板300的清洗效果。

在本发明的一种实施方式中，可选地，超声波增幅器220的频率范围为40kHz～170kHz，即超声波增幅器220的频率可调。可选地，超声波增幅器220为复频超声波增幅器，复频超声波增幅器工作时有多个频率可选，从而实现对超声波增幅器220的频率调节。例如，超声波增幅器220的频率可选为40kHz、80kHz、120kHz和170kHz等。经发明人研究发现，在超声波增幅器220的频率为40kHz～170kHz的范围内，超声波增幅器220的频率越高，在掩模板300表面产生的微型***的能量越大，能够清洗的污渍颗粒越小，掩模板300清洗的越干净。

在上述各实施例的基础上，可选地，压力腔210内部的高压气体的压力高于掩模板300表面的气体的压力，且高出的范围为12kPa～28kPa。这样设置，使得高压超声波气体在该压力差下产生的超声波气体更容易形成空化泡，增强掩模板300的清洗效果。

继续参见图3，在本发明的一种实施方式中，可选地，超声波增幅器220位于压力腔210内部靠近掩模板支撑设备100的位置，从而有利于高压超声波气体从超声波增幅器200吹出。

继续参见图3，可选地，压力腔210包括进气孔(图3中未示出)，高压气体通过压力腔210的进气孔注入压力腔内，并在压力腔210内加压，形成高压气体。位于压力腔210内的超声波增幅器220对高压气体进行超声波处理，形成高压超声波气体，该高压超声波气体通过超声波增幅器220的出气孔2201排出至掩模板的表面。相应地，由于超声波增幅器220位于压力腔210内部，为了使得超声波增幅器220产生的高压超声波气体吹出，压力腔210对应超声波增幅器220的出气孔2201的位置设置有开口。

需要说明的是，图3中示例性地示出了超声波增幅器220和压力腔210的相对位置为，超声波增幅器220位于压力腔210的内部，并非对本发明的限定。参见图4，在其他实施例中还可以设置超声波增幅器220位于压力腔210的外部靠近掩模板支撑设备100的位置，超声波增幅器220和压力腔210通过管路260传输高压气体。

继续参见图4，可选地，压力腔210包括进气孔(图4中未示出)和出气孔(图4中未示出)，高压气体通过进气孔注入压力腔210内，并在压力腔210内加压，形成高压气体。压力腔210的出气孔与管路260连接，高压气体通过出气孔注入超声波增幅器220内，超声波增幅器220对高压气体进行超声波处理形成高压超声波气体，该高压超声波气体通过超声波增幅器220的出气孔2201排出至掩模板的表面。

图5为本发明实施例提供的又一种掩模板的清洗***的结构示意图。参见图5，在上述各实施例的基础上，可选地，超声波增幅器220位于压力腔210的内部，清洗设备200还包括喷嘴250，喷嘴250设置于压力腔210靠近掩模板300的表面的一端，用于将超声波气体吹出。其中，喷嘴250可以将高压超声波气体引出至掩模板300的相应位置上，有利于实现清洗位置的精准对位。

可选地，喷嘴250与掩模板300的距离范围为0.3mm～3mm，例如0.3mm、0.5mm、0.8mm、1mm、1.5mm、2mm、2.5mm或3mm。经发明人研究发现，喷嘴250与掩模板300的距离小于0.3mm时，超声波气体形成的空化泡的数量较少，不利于清洗掩模板300；喷嘴250与掩模板300的距离大于3mm时，空化泡膨胀爆裂的位置距离掩模板300较远，不利于清洗掩模板300；喷嘴250与掩模板300的距离介于0.3mm至3mm时，超声波气体形成的空化泡的数量较多，且空化泡膨胀爆裂的位置距离掩模板300较近，有利于清洗掩模板300。

继续参见图5，在上述各实施例的基础上，可选地，压力腔210和排气通道230相邻设置；喷嘴250远离压力腔210的一端向排气通道230倾斜。这样设置，可以在污渍颗粒从掩模板300上脱离悬浮之后，迅速由排气通道230排出至清洗腔室之外，从而有利于增强掩模板300的清洗效果。

可选地，压力腔210的侧壁与排气通道230的管道壁共用，从而节约清洗设备200的材料成本。

需要说明的是，图3～图5示例性地示出了清洗设备200包括一个压力腔210和一个排气通道230，并非对本发明的限定。在其他实施例中，还可以设置两个压力腔210共用一个排气通道230。

图6为本发明实施例提供的又一种掩模板的清洗***的结构示意图。参见图6，在本发明的一种实施方式中，可选地，清洗设备200包括第一压力腔211、第二压力腔212、第一喷嘴251和第二喷嘴252，排气通道230设置于第一压力腔211和第二压力腔212之间。第一喷嘴251设置于第一压力腔211的一端，第一喷嘴251远离第一压力腔211的一端向排气通道230倾斜；第二喷嘴252设置于第二压力腔212的一端，第二喷嘴252远离第二压力腔212的一端向排气通道230倾斜。

其中，第一喷嘴251和第二喷嘴252可以同时向掩模板300吹出超声波气体，增强了掩模板300的清洗效果；第一喷嘴251和第二喷嘴252均向排气通道230倾斜，可以在污渍颗粒从掩模板300上脱离悬浮之后，迅速由排气通道230排出至清洗腔室之外，增强了掩模板300的清洗效果；第一喷嘴251和第二喷嘴252共用排气通道230，在不影响掩模板300的清洗效果的基础上，简化了清洗设备200的结构，节省了排气通道230和排气装置240的材料成本。

可选地，第一压力腔211的侧壁和第二压力腔212的侧壁均与排气通道230的管道壁共用，进一步节约了清洗设备200的材料成本。

对应地，清洗设备200还包括第一超声波增幅器221和第二超声波增幅器222；第一超声波增幅器221设置于第一压力腔211内；第二超声波增幅器222设置于第二压力腔212内。

图7为本发明实施例提供的又一种掩模板的清洗***的结构示意图。参见图7，在上述各实施例的基础上，可选地，掩模板的清洗***包括至少两个清洗设备200(图7中示例性地示出了两个清洗设备200)；至少两个清洗设备200分别位于掩模板支撑设备100的两侧。这样设置，可以从掩模板300的两侧对掩模板300进行高速超声波清洗，实现双向清洗的方式清洗掉掩模板300两面的污渍，进一步提升了掩模板300的清洗效果。

继续参见图7，可选地，位于掩模板支撑设备100上部和位于清洗设备200下部的清洗设备200交错排列，也就是说，位于掩模板支撑设备100上部和下部的清洗设备200，在所述掩模板所在平面上的投影无重合区域。这样设置，避免了位于上部的清洗设备200和位于下部的清洗设备200相互干扰。

需要说明的是，图3～图7示例性地示出了清洗设备200分别为一个或者两个，并非对本发明的限定。在其他实施例中，还可以根据需要设置清洗设备200的数量为多个，以增强掩模板300的清洗效果。

结合图2～图7，在上述各实施例的基础上，可选地，掩模板支撑设备100包括支撑架110和滚轮120。其中，支撑架110可以支撑掩模板300，滚轮120可以带动掩模板300在支撑架110上移动，从而有利于产线的流水作业。

图8为本发明实施例提供的又一种掩模板的清洗***的结构示意图。参见图8，在上述各实施例的基础上，可选地，清洗***还包括喷淋设备400，喷淋设备400用于向掩模板300喷淋药液，该药液用于溶解掩模板300表面的污渍。其中，掩模板300表面的污渍一般为蒸镀材料(有机物)；可选地，药液包括NMP溶液，NMP溶液能够溶解蒸镀材料，干燥后形成白色结晶。相比于蒸镀材料，白色结晶更容易在超声波气体的作用下从掩模板300上分离，因此，设置喷淋设备400向掩模板300喷淋药液进一步提升了掩模板300的清洗效果。

示例性地，该掩模板的清洗***的使用方法包括：将掩模板300放置于掩模板支撑设备100上；向掩模板300喷淋药液，溶解掩模板300表面的污渍；对掩模板300进行静置等干燥处理，以在掩模板300表面形成结晶物质；向掩模板300的表面吹超声波气体。

表1为分别采用现有的清洗方法和本发明实施例所提供的清洗***的清洗方法的药液用量的对比数据。

表1

由表1可以看出，在实现相同的清洗效果下(20Particle@≥5um)，即达到大于等于5um的污渍的数量为20颗；现有技术需要300L的NMP溶液、900L的DIW、300L的KOH溶液和300L的IPA溶液，而采用本发明实施例提供的方案，仅需要200L的NMP溶液，无KOH溶液和IPA溶液，且由于喷淋方式相较于浸泡方式可减少NMP用量，因此，本发明实施例减少了药液的用量并且无危险性。

需要说明的是，图8中示例性地示出了喷淋设备400与清洗设备200共用一个掩模板支撑设备100，并非对本发明的限定。在其他实施例中，可选地，设置喷淋设备400和清洗设备200分别对应不同的掩模板支撑设备100，也就是说，将掩模板300设置在一个掩模板支撑设备上采用喷淋设备400进行喷淋，然后将该掩模板300移送至另一个掩模板支撑设备上，采用清洗设备200进行清洗；可选地，设置喷淋设备400和清洗设备200位于不同的腔室内。

在上述各实施例的基础上，可选地，掩模板的清洗***还包括干燥设备500，干燥设备500用于对掩模板300进行干燥处理。如图9所示，干燥设备500可以包括风刀510，对掩模板300的干燥处理可以是采用风刀510对掩模板300吹风；或者，如图10所示，干燥设备500还可以包括加热丝520，对掩模板300的干燥处理可以是采用加热丝520对掩模板300进行加热；或者，如图11所示，干燥设备500还可以包括风刀510和加热丝520，对掩模板300的干燥处理可以是采用风刀510对掩模板300吹热风。本发明实施例设置干燥设备500，加快了掩模板300的干燥时间，提升了生产效率。

本发明实施例还提供了一种掩模板的清洗方法。该掩模板的清洗方法可适用于本发明任意实施例所提供的掩模板的清洗***。图12为本发明实施例提供的一种掩模板的清洗方法的流程示意图。参见图12，该掩模板的清洗方法包括以下步骤：

S110、将掩模板放置于掩模板支撑设备上。

S120、向掩模板的表面吹超声波气体，所述超声波气体为经超声波处理的气体；超声波气体的流速大于预设速度，以在掩模板表面形成空化泡，清洗掩模板表面的污渍。

本发明实施例创造性地提出了一种新的掩模板的清洗方法。该清洗方法与现有技术不同的是，向掩模板的表面吹超声波气体，超声波气体的流速大于预设速度，以在掩模板表面形成的空化泡迅速膨胀，起到微型***的效果，微型***的能量较大，能够使掩模板表面的污渍脱离掩模板并呈悬浮状态，以实现清洗污渍的效果。由此可见，与现有技术相比，本发明实施例无需采用多种药液对掩模板进行浸泡和清洗，减少了药液的用量和废液的产生。本发明实施例也无需采用IPA溶液对掩模板进行脱水处理，避免了IPA溶液带来的危险性。因此，本发明实施例在确保对掩模板的清洗效果的基础上，减少了药液用量、减少了产生的废液量以及降低了危险性。另外，本发明实施例所采用的步骤更少，有利于提升生产效率。

图13为本发明实施例提供的另一种掩模板的清洗方法的流程示意图。参见图13，在上述各实施例的基础上，可选地，该掩模板的清洗方法包括以下步骤：

S210、将掩模板放置于掩模板支撑设备上。

S220、向掩模板喷淋药液，该药液用于溶解掩模板表面的污渍。

S230、对掩模板进行干燥处理，以在掩模板表面形成结晶物质。

S240、向掩模板的表面吹超声波气体，所述超声波气体为经超声波处理的气体；超声波气体的流速大于预设速度，以在掩模板表面形成空化泡，清洗掩模板表面的结晶物质。

其中，掩模板表面的污渍一般为蒸镀材料(有机物)；可选地，药液包括NMP溶液，NMP溶液能够溶解蒸镀材料，干燥后形成白色结晶。相比于蒸镀材料，白色结晶更容易在超声波气体的作用下从掩模板上分离，因此，在向掩模板的表面吹超声波气体之前，向掩模板喷淋药液并干燥形成结晶物质，进一步提升了掩模板的清洗效果。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种掩模板的清洗***，其特征在于，包括：

掩模板支撑设备，所述掩模板支撑设备用于支撑掩模板；

清洗设备，所述清洗设备用于向所述掩模板的表面吹超声波气体，所述超声波气体为经超声波处理的气体；所述超声波气体的流速大于预设速度，以在所述掩模板表面形成空化泡，清洗所述掩模板表面的污渍。

2.根据权利要求1所述的清洗***，其特征在于，所述清洗设备包括压力腔、超声波增幅器、排气通道和排气装置，所述压力腔用于容纳高压气体；所述超声波增幅器与所述压力腔连接，用于生成高压超声波气体；所述排气装置设置于所述排气通道的一端，所述排气装置用于将清洗掉的污渍通过所述排气通道排出；

优选地，所述超声波增幅器的频率范围为40kHz～170kHz；

优选地，所述排气装置包括风扇。

3.根据权利要求2所述的清洗***，其特征在于，所述压力腔内部的高压气体的压力高于所述掩模板表面的气体的压力，且高出的范围为12kPa～28kPa。

4.根据权利要求2所述的清洗***，其特征在于，所述超声波增幅器位于所述压力腔的内部；所述清洗设备还包括喷嘴，所述喷嘴设置于所述压力腔靠近所述掩模板的表面的一端，用于将所述超声波气体吹出；

优选地，所述喷嘴与所述掩模板的距离范围为0.3mm～3mm。

5.根据权利要求4所述的清洗***，其特征在于，所述压力腔和所述排气通道相邻设置；所述喷嘴远离所述压力腔的一端向所述排气通道倾斜。

6.根据权利要求4所述的清洗***，其特征在于，所述清洗设备包括第一压力腔、第二压力腔、第一喷嘴和第二喷嘴，所述排气通道设置于所述第一压力腔和所述第二压力腔之间；

所述第一喷嘴设置于所述第一压力腔的一端，所述第一喷嘴远离所述第一压力腔的一端向所述排气通道倾斜；所述第二喷嘴设置于所述第二压力腔的一端，所述第二喷嘴远离所述第二压力腔的一端向所述排气通道倾斜；

优选地，所述清洗设备还包括第一超声波增幅器和第二超声波增幅器；所述第一超声波增幅器设置于所述第一压力腔内；所述第二超声波增幅器设置于所述第二压力腔内。

7.根据权利要求1所述的清洗***，其特征在于，包括至少两个所述清洗设备；

至少两个所述清洗设备分别位于所述掩模板支撑设备的两侧。

8.根据权利要求1所述的清洗***，其特征在于，还包括：喷淋设备，所述喷淋设备用于向所述掩模板喷淋药液，所述药液用于溶解所述掩模板表面的污渍。

9.一种掩模板的清洗方法，其特征在于，包括：

将掩模板放置于掩模板支撑设备上；

向所述掩模板的表面吹超声波气体，所述超声波气体为经超声波处理的气体；所述超声波气体的流速大于预设速度，以在所述掩模板表面形成空化泡，清洗所述掩模板表面的污渍。

10.根据权利要求9所述的清洗方法，其特征在于，在向所述掩模板的表面吹超声波气体之前，还包括：

向所述掩模板喷淋药液，所述药液用于溶解所述掩模板表面的污渍；

对所述掩模板进行干燥处理，以在所述掩模板表面形成结晶物质；

优选地，对所述掩模板进行干燥处理，包括：

将所述掩模板静置预设时间；或者，

采用风刀向所述掩模板吹风；或者，

加热所述掩模板。

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