CN109719374A - 被加工物的加工方法 - Google Patents

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Abstract

提供被加工物的加工方法，能够降低在后续工序中产生问题的可能性。被加工物的加工方法具有如下的步骤：第1激光加工槽形成步骤(ST2)，沿着第1间隔道照射对于被加工物具有吸收性的波长的激光束而形成第1激光加工槽；第2激光加工槽形成步骤(ST3)，沿着第2间隔道照射激光束而形成第2激光加工槽；以及清洁步骤(ST4)，沿着第1间隔道照射激光束而去除如下的加工屑：该加工屑在第1激光加工槽形成步骤(ST2)中产生于第1激光加工槽的槽缘，并且由于实施第2激光加工槽形成步骤(ST3)而在第1间隔道与第2间隔道的交叉部处沿第2方向延伸。

Description

被加工物的加工方法
技术领域
本发明涉及被加工物的加工方法，该被加工物具有由在第1方向上延伸的第1间隔道和在与第1方向交叉的第2方向上延伸的第2间隔道构成的多条间隔道。
背景技术
使用如下的激光加工装置：对被加工物的在第1方向上延伸的第1间隔道照射激光束而形成第1激光加工槽，对在与第1方向交叉的第2方向上延伸的第2间隔道照射激光束而形成第2激光加工槽(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2003-320466号公报
但是，关于使用了专利文献1所示的激光加工装置的被加工物的加工方法，当沿着第1间隔道照射激光束而形成第1激光加工槽时，因激光加工而生成的加工屑会堆积在所形成的第1激光加工槽的边缘。并且，被加物的加工方法中，当沿着第2间隔道照射激光束而形成第2激光加工槽时，在第1间隔道与第2间隔道的交叉部，堆积在第1激光加工槽的边缘的加工屑会沿着第2间隔道延伸，从而加工屑会积存在交叉部。积存在交叉部的加工屑例如有时在切削加工及等离子蚀刻等激光加工的后续工序中产生问题。
即，例如在如专利文献1所公开的那样通过激光束的照射来形成激光加工槽而将层叠膜断开然后利用切削刀具对被加工物进行分割的情况下，有可能由于加工屑而使切削刀具弯曲行进，产生突发崩边或裂纹，或者切削刀具发生破损。另外，在激光加工后实施等离子蚀刻的情况下，有可能由于加工屑而阻碍等离子蚀刻，产生局部未加工的区域。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供被加工物的加工方法，能够降低在后续工序中产生问题的可能性。
为了解决上述课题实现目的，本发明的被加工物的加工方法中，该被加工物具有由沿第1方向延伸的第1间隔道和沿与该第1方向交叉的第2方向延伸的第2间隔道构成的多条间隔道，该被加工物的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：第1激光加工槽形成步骤，沿着该第1间隔道照射对于被加工物具有吸收性的波长的激光束而形成第1激光加工槽；第2激光加工槽形成步骤，在实施了该第1激光加工槽形成步骤之后，沿着该第2间隔道照射该激光束而形成第2激光加工槽；以及清洁步骤，在实施了该第2激光加工槽形成步骤之后，沿着该第1间隔道照射该激光束而去除如下的加工屑：该加工屑在该第1激光加工槽形成步骤中产生于该第1激光加工槽的槽缘，并且由于实施该第2激光加工槽形成步骤而在该第1间隔道与该第2间隔道的交叉部处沿该第2方向延伸。
在所述被加工物的加工方法中，也可以是，具有如下的保护膜包覆步骤：在实施该第1激光加工槽形成步骤之前，对被加工物包覆等离子蚀刻用保护膜，通过实施该第1激光加工槽形成步骤、该第2激光加工槽形成步骤以及该清洁步骤而使该第1间隔道和该第2间隔道露出，该被加工物的加工方法具有如下的等离子蚀刻步骤：在实施了该清洁步骤之后，隔着该等离子蚀刻用保护膜对被加工物实施等离子蚀刻。
在所述被加工物的加工方法中，也可以是，在该清洁步骤中，与第1激光加工槽形成步骤和该第2激光加工槽形成步骤相比，加工进给速度较快。
本发明起到如下的效果：能够降低在后续工序中产生问题的可能性。
附图说明
图1是示出实施方式1的被加工物的加工方法的加工对象的被加工物的一例的立体图。
图2是示出实施方式1的被加工物的加工方法的流程的流程图。
图3是示出图2所示的被加工物的加工方法的保护膜包覆步骤的侧剖视图。
图4是图2所示的被加工物的加工方法的保护膜包覆步骤后的被加工物的剖视图。
图5是示出图2所示的被加工物的加工方法的第1激光加工槽形成步骤等中所用的激光加工装置的立体图。
图6是示出图2所示的被加工物的加工方法的第1激光加工槽形成步骤的侧剖视图。
图7是示出图2所示的被加工物的加工方法的第1激光加工槽形成步骤后的被加工物的正面的一部分的俯视图。
图8是示出图2所示的被加工物的加工方法的第2激光加工槽形成步骤后的被加工物的正面的一部分的俯视图。
图9是示出图2所示的被加工物的加工方法的清洁步骤后的被加工物的正面的一部分的俯视图。
图10是示出图2所示的被加工物的加工方法的等离子蚀刻步骤中所用的蚀刻装置的结构的剖视图。
图11是示出实施方式2的被加工物的加工方法的流程的流程图。
图12是示出图11所示的被加工物的加工方法的第1激光加工槽形成步骤后的被加工物的正面的一部分的俯视图。
图13是示出图11所示的被加工物的加工方法的第2激光加工槽形成步骤后的被加工物的正面的一部分的俯视图。
图14是示出图11所示的被加工物的加工方法的第1宽槽形成步骤后的被加工物的正面的一部分的俯视图。
图15是示出图11所示的被加工物的加工方法的第2宽槽形成步骤后的被加工物的正面的一部分的俯视图。
图16是示出实施方式3的被加工物的加工方法的流程的流程图。
图17是示出图16所示的被加工物的加工方法的第1激光加工槽形成步骤和第2激光加工槽形成步骤的侧剖视图。
图18是示出图16所示的被加工物的加工方法的切割步骤的侧剖视图。
标号说明
1：被加工物；3：第1间隔道；4：第2间隔道；5：间隔道；9：交叉部；10：等离子蚀刻用保护膜；14、14-2：第1激光加工槽；15、15-2：第2激光加工槽；101：第1方向；102：第2方向；200：激光束；303：部分(在第2方向上延伸的加工屑)；ST1：保护膜包覆步骤；ST2、ST2-2：第1激光加工槽形成步骤；ST3、ST3-2：第2激光加工槽形成步骤；ST4、ST4-3：清洁步骤；ST5：等离子蚀刻步骤；ST6：第1宽槽形成步骤(清洁步骤)。
具体实施方式
参照附图，对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细说明。本发明并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[实施方式1]
根据附图对本发明的实施方式1的被加工物的加工方法进行说明。图1是示出实施方式1的被加工物的加工方法的加工对象的被加工物的一例的立体图。图2是示出实施方式1的被加工物的加工方法的流程的流程图。
实施方式1的被加工物的加工方法是图1所示的被加工物1的加工方法。在实施方式1中，被加工物1是以硅、蓝宝石或砷化镓等为基板2的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。如图1所示，被加工物1具有正面7，该正面7具有多条间隔道5，该多条间隔道5由在直线状的第1方向101上延伸的第1间隔道3和在与第1方向101交叉的(在实施方式1中为垂直)直线状的第2方向102上延伸的第2间隔道4构成，在由多条间隔道5划分的各区域分别形成有器件6。
构成器件6的电路被未图示的低介电常数绝缘膜(以下称为Low-k膜)支承。Low-k膜构成器件6，是作为层间绝缘膜使用且对于等离子蚀刻具有耐性的膜。另外，在实施方式1中，被加工物1在间隔道5的正面上也层叠有Low-k膜，但在本发明中，也可以是，被加工物1在间隔道5的正面上不层叠Low-k膜，在间隔道5中使基板2的正面露出。
另外，在实施方式1中，被加工物1在间隔道5上局部形成未图示的TEG(TestElements Group：测试元件组)等金属膜。TEG是用于发现在器件6上产生的设计上或制造上的问题的评价用的元件，在正面上具有作为电极垫的金属膜。TEG根据被加工物1的种类等任意配置。在实施方式1中，被加工物1在间隔道5上形成有TEG等金属膜，但本发明也可以不在间隔道5上形成TEG等金属膜。另外，在实施方式1中，被加工物1是半导体晶片或光器件晶片等晶片，但在本发明中不限于晶片。
实施方式1的被加工物的加工方法是图1所示的被加工物1的加工方法，在实施方式1中，该方法将被加工物1分割成各个器件6。如图2所示，被加工物的加工方法具有保护膜包覆步骤ST1、第1激光加工槽形成步骤ST2、第2激光加工槽形成步骤ST3、清洁步骤ST4以及等离子蚀刻步骤ST5。
(保护膜包覆步骤)
图3是示出图2所示的被加工物的加工方法的保护膜包覆步骤的侧剖视图。图4是图2所示的被加工物的加工方法的保护膜包覆步骤后的被加工物的剖视图。
保护膜包覆步骤ST1是在实施第1激光加工槽形成步骤ST2之前对被加工物1的正面7包覆对于等离子蚀刻具有耐性的等离子蚀刻用保护膜10的步骤。在实施方式1中，在保护膜包覆步骤ST1中，在被加工物1的背面8上粘贴外周缘粘贴于环状框架12的粘接带13。在实施方式1中，如图3所示，在保护膜包覆步骤ST1中，使被加工物1的正面7的相反侧的背面8吸附保持于保护膜包覆装置20的容器21内的旋转工作台22，一边使旋转工作台22绕轴心旋转一边从喷嘴23对被加工物1的正面7涂布水溶性的保护膜溶液11。水溶性的保护膜溶液11包含聚乙烯醇(polyvinyl alcohol：PVA)或聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone：PVP)等对于等离子蚀刻具有耐性且为水溶性的液态树脂等。
在保护膜包覆步骤ST1中，在对被加工物1的正面7涂布了水溶性的保护膜溶液11之后，使保护膜溶液11硬化而如图4所示那样对被加工物1的整个正面7包覆保护膜溶液11硬化而构成的等离子蚀刻用保护膜10。在实施方式1中，等离子蚀刻用保护膜10是保护膜溶液11硬化而构成的，因此为水溶性。当对被加工物1的整个正面7包覆等离子蚀刻用保护膜10时，被加工物的加工方法进入到第1激光加工槽形成步骤ST2。
(第1激光加工槽形成步骤)
图5是示出图2所示的被加工物的加工方法的第1激光加工槽形成步骤等中所用的激光加工装置的立体图。图6是示出图2所示的被加工物的加工方法的第1激光加工槽形成步骤的侧剖视图。图7是示出图2所示的被加工物的加工方法的第1激光加工槽形成步骤后的被加工物的正面的一部分的俯视图。
第1激光加工槽形成步骤ST2是沿着第1间隔道3照射对于被加工物1具有吸收性的波长的激光束200而形成第1激光加工槽14的步骤。在第1激光加工槽形成步骤ST2中，图5所示的激光加工装置30的控制单元38将正面7被等离子蚀刻用保护膜10包覆的被加工物1的背面8侧吸引保持于卡盘工作台31，并且利用夹持部32对环状框架12进行夹持。在第1激光加工槽形成步骤ST2中，激光加工装置30的控制单元38利用拍摄单元33对卡盘工作台31所保持的被加工物1的正面7进行拍摄而执行对准，进行被加工物1与激光束照射单元34的对位，然后利用旋转单元35使卡盘工作台31绕与铅垂方向(Z轴方向)平行的轴心旋转而使第1间隔道3与作为加工进给方向的X轴方向平行。
在第1激光加工槽形成步骤ST2中，激光加工装置30的控制单元38利用X轴移动单元36使卡盘工作台31在X轴方向上移动，利用Y轴移动单元37使卡盘工作台31在Y轴方向上移动，从而一边使第1间隔道3与激光束照射单元34沿着第1间隔道3相对移动一边如图6所示那样从激光束照射单元34对第1间隔道3的宽度方向的中央照射对于被加工物1具有吸收性的波长(在实施方式1中为355nm)的激光束200。在第1激光加工槽形成步骤ST2中，激光加工装置30的控制单元38对第1间隔道3的宽度方向的中央实施烧蚀加工而将第1间隔道3的宽度方向的中央的等离子蚀刻用保护膜10、Low-k膜和TEG等金属膜去除，从而如图7中较密的平行斜线所示，沿着第1间隔道3的长度方向形成从基板2的正面凹入的第1激光加工槽14。
另外，在第1激光加工槽形成步骤ST2中，会沿着第1间隔道3的长度方向形成加工屑301，该加工屑301由当激光加工装置30的控制单元38进行烧蚀加工时产生于第1间隔道3的第1激光加工槽14的宽度方向的双方的槽缘的碎屑构成。另外，加工屑301从被加工物1的正面呈凸状形成，由于由上述的碎屑构成因而对于等离子蚀刻具有耐性。另外，在实施方式1中，在第1激光加工槽形成步骤ST2中，激光加工装置30的控制单元38将激光束200的输出设为3W(瓦特)，利用X轴移动单元36使卡盘工作台31按照500mm/秒的恒定的速度沿着X轴方向移动。当在被加工物1的所有的第1间隔道3形成第1激光加工槽14时，被加工物的加工方法进入到第2激光加工槽形成步骤ST3。
(第2激光加工槽形成步骤)
图8是示出图2所示的被加工物的加工方法的第2激光加工槽形成步骤后的被加工物的正面的一部分的俯视图。
第2激光加工槽形成步骤ST3是在实施了第1激光加工槽形成步骤ST2之后沿着第2间隔道4照射激光束200而形成第2激光加工槽15的步骤。在实施方式1中，在第2激光加工槽形成步骤ST3中，激光加工装置30的控制单元38利用旋转单元35使卡盘工作台31绕与铅垂方向(Z轴方向)平行的轴心旋转，从而使第2间隔道4与作为加工进给方向的X轴方向平行。
在第2激光加工槽形成步骤ST3中，激光加工装置30的控制单元38一边利用X轴移动单元36和Y轴移动单元37使第2间隔道4与激光束照射单元34沿着第2间隔道4相对移动一边从激光束照射单元34对第2间隔道4的宽度方向的中央照射对于被加工物1具有吸收性的波长(在实施方式1中为355nm)的激光束200。在第2激光加工槽形成步骤ST3中，激光加工装置30的控制单元38对第2间隔道4的宽度方向的中央实施烧蚀加工而将第2间隔道4的宽度方向的中央的等离子蚀刻用保护膜10、Low-k膜和TEG等金属膜去除，从而如图8中较密的平行斜线所示，沿着第2间隔道4的长度方向形成从基板2的正面凹入的第2激光加工槽15。
另外，在第2激光加工槽形成步骤ST3中，会沿着第2间隔道4的长度方向形成加工屑401，该加工屑401由当激光加工装置30的控制单元38进行烧蚀加工时产生于第2间隔道4的第2激光加工槽15的宽度方向的双方的槽缘的碎屑构成。另外，在第2激光加工槽形成步骤ST3中，当激光加工装置30的控制单元38形成第2激光加工槽15时，会使在第1激光加工槽形成步骤ST2中形成的加工屑301中的位于间隔道3、4彼此的交叉部9的部分303如图8所示那样沿着第2间隔道4从第1激光加工槽14的宽度方向的端部朝向中央部延伸。
另外，加工屑301的部分303相当于在第1激光加工槽形成步骤ST2中产生于第1激光加工槽14的槽缘且由于实施第2激光加工槽形成步骤ST3而在第1间隔道3与第2间隔道4的交叉部9沿第2方向102延伸的加工屑。另外，加工屑401从被加工物1的正面7呈凸状形成。另外，在实施方式1中，在第2激光加工槽形成步骤ST3中，激光加工装置30的控制单元38将激光束200的输出设为3W(瓦特)，利用X轴移动单元36使卡盘工作台31按照500mm/秒的恒定的速度沿着X轴方向移动。当在被加工物1的所有的第2间隔道4形成第2激光加工槽15时，被加工物的加工方法进入到清洁步骤ST4。
(清洁步骤)
图9是示出图2所示的被加工物的加工方法的清洁步骤后的被加工物的正面的一部分的俯视图。
清洁步骤ST4是在实施了第2激光加工槽形成步骤ST3之后沿着第1间隔道3照射激光束200而将上述的加工屑301的部分303去除的步骤。在实施方式1中，在清洁步骤ST4中，激光加工装置30的控制单元38利用旋转单元35使卡盘工作台31绕与铅垂方向(Z轴方向)平行的轴心旋转，从而使第1间隔道3与作为加工进给方向的X轴方向平行。
在清洁步骤ST4中，激光加工装置30的控制单元38一边利用X轴移动单元36和Y轴移动单元37使第1间隔道3与激光束照射单元34沿着第1间隔道3相对移动，一边从激光束照射单元34对形成在第1间隔道3的宽度方向的中央的第1激光加工槽14照射对于被加工物1具有吸收性的波长(在实施方式1中为355nm)的激光束200。在清洁步骤ST4中，激光加工装置30的控制单元38对形成在第1间隔道3的宽度方向的中央的第1激光加工槽14内实施烧蚀加工，从而如图9所示那样将加工屑301的上述部分303去除。
这样，实施方式1的被加工物的加工方法中，形成第1激光加工槽14和第2激光加工槽15并且将加工屑301的部分303去除，从而通过实施第1激光加工槽形成步骤ST2、第2激光加工槽形成步骤ST3以及清洁步骤ST4，在第1间隔道3与第2间隔道4这双方使基板2露出。
另外，在实施方式1中，在清洁步骤ST4中，激光加工装置30的控制单元38将激光束200的输出设为3W(瓦特)，利用X轴移动单元36使卡盘工作台31按照比第1激光加工槽形成步骤ST2和第2激光加工槽形成步骤ST3高速的600mm/秒的恒定的速度沿着X轴方向移动。这样，在实施方式1的被加工物的加工方法的清洁步骤ST4中，与第1激光加工槽形成步骤ST2和第2激光加工槽形成步骤ST3相比，作为加工进给速度的卡盘工作台31的X轴方向的移动速度较快。另外，在实施方式1中，在激光加工槽形成步骤ST2、ST3和清洁步骤ST4中，使用了图5所示的激光加工装置30，但在本发明中，激光加工槽形成步骤ST2、ST3和清洁步骤ST4中所用的激光加工装置不限于图5所示的激光加工装置。当对被加工物的所有的第1间隔道3的第1激光加工槽14照射激光束200时，被加工物的加工方法进入到等离子蚀刻步骤ST5。
另外，实施方式1的激光加工槽形成步骤ST2、ST3和清洁步骤ST4中所用的上述激光加工装置30具有卡盘工作台31、夹持部32、拍摄单元33、激光束照射单元34、旋转单元35、X轴移动单元36、Y轴移动单元37、以及控制单元38。控制单元38分别对激光加工装置30的各构成要素进行控制，使激光加工装置30实施对于被加工物1的加工动作。另外，控制单元38是计算机，该控制单元38具有：运算处理装置，其具有CPU(central processing unit：中央处理器)那样的微处理器；存储装置，其具有ROM(read only memory：只读存储器)或RAM(random access memory：随机存取存储器)那样的存储器；以及输入输出接口装置。控制单元38的运算处理装置按照存储于存储装置的计算机程序实施运算处理，将用于控制激光加工装置30的控制信号经由输入输出接口装置而输出至激光加工装置30的上述构成要素。控制单元38连接有：未图示的显示单元，其由显示加工动作的状态或图像等的液晶显示装置等构成；未图示的输入单元，其在操作者登记加工内容信息等时使用；以及未图示的通知单元。输入单元由设置于显示单元的触摸面板和键盘等外部输入装置中的至少一个构成。
(等离子蚀刻步骤)
图10是示出图2所示的被加工物的加工方法的等离子蚀刻步骤中所用的蚀刻装置的结构的剖视图。
等离子蚀刻步骤ST5是在实施了清洁步骤ST4之后隔着等离子蚀刻用保护膜10对被加工物1实施等离子蚀刻的步骤。在等离子蚀刻步骤ST5中，图10所示的蚀刻装置40将闸阀41打开，将被加工物1从搬入搬出口42搬入至腔室43内，将被加工物1的背面8侧隔着粘接带13静电保持于静电卡盘(ESC：Electrostatic chuck)44。另外，当在静电卡盘44上对被加工物1进行静电保持时，经由匹配器45将偏压高频电源46的电力提供至静电卡盘44的电极47。
并且，在等离子蚀刻步骤ST5中，蚀刻装置40交替地重复进行蚀刻步骤和被膜堆积步骤，其中，蚀刻步骤中，利用排气装置49通过排气管48而对腔室43内进行减压，使腔室43内的压力例如为0.10～0.15Pa，并且使静电卡盘44的温度为不从粘接带13产生气体的温度，例如为70℃以下，对在间隔道5露出的基板2进行蚀刻而使激光加工槽14、15朝向背面8行进；被膜堆积步骤接续蚀刻步骤而使被膜堆积在激光加工槽14、15的内表面。另外，被膜堆积步骤后的蚀刻步骤将激光加工槽14、15的槽底的被膜去除而对激光加工槽14、15的槽底进行蚀刻。这样，等离子蚀刻步骤ST5利用所谓博世(BOSCH)法对被加工物1进行等离子蚀刻。
另外，在蚀刻步骤中，蚀刻装置40从气体提供部50将作为蚀刻气体的SF6气体经由气体配管51和气体导入口52而从气体喷出头53的气体喷出部54喷射。并且，蚀刻装置40在已提供了等离子产生用的SF6气体的状态下，经由匹配器55从高频电源56对气体喷出头53施加维持制造等离子的高频电力，从高频电源56对静电卡盘44施加用于引入离子的高频电力。由此，在静电卡盘44与气体喷出头53之间的空间产生由SF6气体构成的具有各向同性的等离子，该等离子被引入至被加工物1的基板2而对激光加工槽14、15的槽底进行蚀刻，从而使激光加工槽14、15朝向被加工物1的背面8行进。
另外，在被膜堆积步骤中，蚀刻装置40从气体提供部50将作为堆积性气体的C4F8气体从气体喷出头53的多个气体喷出部54朝向静电卡盘44所保持的被加工物1喷出。并且，蚀刻装置40在已提供了被膜堆积用的C4F8气体的状态下，从高频电源56对气体喷出头53施加维持制造等离子的高频电力，从高频电源56对静电卡盘44施加用于引入离子的高频电力。由此，在静电卡盘44与气体喷出头53之间的空间产生由C4F8气体构成的等离子，该等离子被引入至被加工物1的基板2，从而使被膜堆积在激光加工槽14、15的内表面。
在等离子蚀刻步骤ST5中，蚀刻装置40根据激光加工槽14、15的深度和被加工物1的厚度，预先设定重复进行蚀刻步骤和被膜堆积步骤的次数。在等离子蚀刻步骤ST5中，重复进行了预先设定的次数的蚀刻步骤和被膜堆积步骤的被加工物1的激光加工槽14、15到达背面8侧而被分割成各个器件6。另外，在实施方式1中，在等离子蚀刻步骤ST5中，使用了图10所示的蚀刻装置40，但在本发明中，等离子蚀刻步骤ST5中所用的蚀刻装置不限于图10所示的蚀刻装置。当将被加工物1分割成各个器件6时，被加工物的加工方法结束。另外，然后对被加工物1例如进行将清洗水提供至正面7等，将等离子蚀刻用保护膜10去除后，从粘接带13上拾取各个器件6。
实施方式1的被加工物的加工方法在实施了第1激光加工槽形成步骤ST2和第2激光加工槽形成步骤ST3之后，实施清洁步骤ST4，从而将加工屑301的部分303去除。因此，实施方式1的被加工物的加工方法能够抑制在清洁步骤ST4的后续工序的等离子蚀刻步骤ST5中因加工屑301的部分303阻碍等离子蚀刻的情况。其结果是，被加工物的加工方法能够降低在清洁步骤ST4的后续工序中产生问题的可能性。
另外，实施方式1的被加工物的加工方法中，在保护膜包覆步骤ST1中对被加工物1的正面7包覆等离子蚀刻用保护膜10，在激光加工槽形成步骤ST2、ST3和清洁步骤ST4中使间隔道5的基板2露出，在等离子蚀刻步骤ST5中对被加工物1实施等离子蚀刻。因此，被加工物的加工方法能够将被加工物1分割成各个器件6。
另外，实施方式1的被加工物的加工方法中，在清洁步骤ST4中，与激光加工槽形成步骤ST2、ST3相比，卡盘工作台31的移动速度较快，因此即使实施清洁步骤ST4，也能够抑制被加工物1的加工所需时间耗时变长。
[实施方式2]
根据附图对本发明的实施方式2的被加工物的加工方法进行说明。图11是示出实施方式2的被加工物的加工方法的流程的流程图。图12是示出图11所示的被加工物的加工方法的第1激光加工槽形成步骤后的被加工物的正面的一部分的俯视图。图13是示出图11所示的被加工物的加工方法的第2激光加工槽形成步骤后的被加工物的正面的一部分的俯视图。图14是示出图11所示的被加工物的加工方法的第1宽槽形成步骤后的被加工物的正面的一部分的俯视图。图15是示出图11所示的被加工物的加工方法的第2宽槽形成步骤后的被加工物的正面的一部分的俯视图。另外，图11至图15中，在与实施方式1相同的部分标记相同的标号并省略了说明。
如图11所示，实施方式2的被加工物的加工方法具有保护膜包覆步骤ST1、第1激光加工槽形成步骤ST2-2、第2激光加工槽形成步骤ST3-2、作为清洁步骤的第1宽槽形成步骤ST6、第2宽槽形成步骤ST7以及等离子蚀刻步骤ST5。
实施方式2的被加工物的加工方法的第1激光加工槽形成步骤ST2-2与实施方式1同样是沿着第1间隔道3照射对于被加工物1具有吸收性的波长的激光束200而形成第1激光加工槽14-2的步骤。在实施方式2中，在第1激光加工槽形成步骤ST2中，激光加工装置30的控制单元38对第1间隔道3的宽度方向的两缘部实施烧蚀加工而将第1间隔道3的宽度方向的两缘部的等离子蚀刻用保护膜10、Low-k膜和TEG等金属膜分别去除，从而如图12中较密的平行斜线所示，沿着第1间隔道3的长度方向形成从基板2的正面凹入的第1激光加工槽14-2。在实施方式2的被加工物的加工方法的第1激光加工槽形成步骤ST2-2中，在第1间隔道3的宽度方向的两缘部分别形成宽度比实施方式1的第1激光加工槽14窄的第1激光加工槽14-2。
另外，在第1激光加工槽形成步骤ST2-2中，与实施方式1同样地会沿着第1间隔道3的长度方向形成加工屑301，该加工屑301由当激光加工装置30的控制单元38进行烧蚀加工时产生于第1间隔道3的第1激光加工槽14-2的宽度方向的双方的槽缘的碎屑构成。另外，在实施方式2中，在第1激光加工槽形成步骤ST2-2中，激光加工装置30的控制单元38将激光束200的波长设为355nm、将激光束200的输出设为2.5W(瓦特)，利用X轴移动单元36使卡盘工作台31按照300mm/秒的恒定的速度沿着X轴方向移动。
实施方式2的被加工物的加工方法的第2激光加工槽形成步骤ST3-2与实施方式1同样是在实施了第1激光加工槽形成步骤ST2-2之后沿着第2间隔道4照射激光束200而形成第2激光加工槽15-2的步骤。在实施方式2中，在第2激光加工槽形成步骤ST3-2中，激光加工装置30的控制单元38对第2间隔道4的宽度方向的两缘部实施烧蚀加工而将第2间隔道4的宽度方向的两缘部的等离子蚀刻用保护膜10、Low-k膜和TEG等金属膜分别去除，从而如图13中较密的平行斜线所示，沿着第2间隔道4的长度方向形成从基板2的正面凹入的第2激光加工槽15-2。在实施方式2的被加工物的加工方法的第2激光加工槽形成步骤ST3-2中，在第2间隔道4的宽度方向的两缘部分别形成宽度比实施方式1的第2激光加工槽15窄的第2激光加工槽15-2。
另外，在第2激光加工槽形成步骤ST3-2中，与实施方式1同样地会沿着第2间隔道4的长度方向形成加工屑401，该加工屑401由当激光加工装置30的控制单元38进行烧蚀加工时产生于第2间隔道4的第2激光加工槽15-2的宽度方向的双方的槽缘的碎屑构成。另外，在第2激光加工槽形成步骤ST3-2中，当激光加工装置30的控制单元38形成第2激光加工槽15-2时，会使在第1激光加工槽形成步骤ST2-2中形成的加工屑301中的位于激光加工槽14-2、15-2彼此的交叉部9的部分303如图13所示那样沿着第2间隔道4从第1激光加工槽14-2的宽度方向的端部朝向中央部延伸。
另外，加工屑301的部分303相当于在第1激光加工槽形成步骤ST2-2中产生于第1激光加工槽14-2的槽缘且由于实施第2激光加工槽形成步骤ST3-2而在第1间隔道3与第2间隔道4的交叉部9沿第2方向102延伸的加工屑。另外，在实施方式2中，在第2激光加工槽形成步骤ST3-2中，激光加工装置30的控制单元38将激光束200的波长设为355nm、将激光束200的输出设为2.5W(瓦特)，利用X轴移动单元36使卡盘工作台31按照300mm/秒的恒定的速度沿着X轴方向移动。
在实施方式2的被加工物的加工方法的第1宽槽形成步骤ST6中，激光加工装置30的控制单元38利用旋转单元35使卡盘工作台31绕与铅垂方向(Z轴方向)平行的轴心旋转，从而使第1间隔道3与作为加工进给方向的X轴方向平行。在第1宽槽形成步骤ST6中，激光加工装置30的控制单元38一边利用X轴移动单元36和Y轴移动单元37使第1间隔道3与激光束照射单元34沿着第1间隔道3相对移动一边从激光束照射单元34对第1间隔道3的宽度方向的中央照射对于被加工物1具有吸收性的波长(在实施方式1中为355nm)的激光束200。在第1宽槽形成步骤ST6中，激光加工装置30的控制单元38对第1间隔道3的宽度方向的中央实施烧蚀加工而将第1间隔道3的宽度方向的中央的等离子蚀刻用保护膜10、Low-k膜和TEG等金属膜去除，从而如图14中较疏的平行斜线所示，在第1激光加工槽14-2间形成从基板2的正面凹入的第1宽槽16，并且沿着第1间隔道3的长度方向形成。在第1宽槽形成步骤ST6中形成的第1宽槽16与第1激光加工槽14-2连通。
另外，在第1宽槽形成步骤ST6中，激光加工装置30的控制单元38将形成在第1激光加工槽14-2的宽度方向的槽缘的加工屑301中的靠近第1间隔道3的中央的加工屑301去除，并且将靠近第1间隔道3的外侧的加工屑301的部分303中的位于第1宽槽16内的部分去除。在实施方式2中，在第1宽槽形成步骤ST6中，激光加工装置30的控制单元38将激光束200的输出设为3W(瓦特)，利用X轴移动单元36使卡盘工作台31按照600mm/秒的恒定的速度沿着X轴方向移动。这样，第1宽槽形成步骤ST6是在实施了第2激光加工槽形成步骤ST3-2之后沿着第1间隔道3照射激光束200而将上述的加工屑301的部分303去除的清洁步骤。另外，在第1宽槽形成步骤ST6中，与第1激光加工槽形成步骤ST2-2和第2激光加工槽形成步骤ST3-2相比，作为加工进给速度的卡盘工作台31的X轴方向的移动速度较快。
在实施方式2的被加工物的加工方法的第2宽槽形成步骤ST7中，激光加工装置30的控制单元38利用旋转单元35使卡盘工作台31绕与铅垂方向(Z轴方向)平行的轴心旋转，从而使第2间隔道4与作为加工进给方向的X轴方向平行。在第2宽槽形成步骤ST7中，激光加工装置30的控制单元38一边利用X轴移动单元36和Y轴移动单元37使第2间隔道4与激光束照射单元34沿着第2间隔道4相对移动一边从激光束照射单元34对第2间隔道4的宽度方向的中央照射对于被加工物1具有吸收性的波长(在实施方式1中为355nm)的激光束200。在第2宽槽形成步骤ST7中，激光加工装置30的控制单元38对第2间隔道4的宽度方向的中央实施烧蚀加工而将第2间隔道4的宽度方向的中央的等离子蚀刻用保护膜10、Low-k膜和TEG等金属膜去除，从而如图15中较疏的平行斜线所示，在第2激光加工槽15-2间形成从基板2的正面凹入的第2宽槽17，并且沿着第2间隔道4的长度方向形成。在第2宽槽形成步骤ST7中形成的第2宽槽17与第2激光加工槽15-2连通。
另外，在第2宽槽形成步骤ST7中，激光加工装置30的控制单元38将形成在第2激光加工槽15的宽度方向的槽缘的加工屑401中的靠第2间隔道4的中央的加工屑401去除。在实施方式2中，在第2宽槽形成步骤ST7中，激光加工装置30的控制单元38将激光束200的输出设为3W(瓦特)，利用X轴移动单元36使卡盘工作台31按照600mm/秒的恒定的速度沿着X轴方向移动。
实施方式2的被加工物的加工方法在实施了第1激光加工槽形成步骤ST2-2和第2激光加工槽形成步骤ST3-2之后，实施作为清洁步骤的第1宽槽形成步骤ST6，从而将加工屑301的部分303去除。因此，实施方式2的被加工物的加工方法能够抑制在第1宽槽形成步骤ST6的后续工序的等离子蚀刻步骤ST5中因加工屑301的部分303阻碍等离子蚀刻的情况。其结果是，被加工物的加工方法与实施方式1同样地能够降低在第1宽槽形成步骤ST6的后续工序中产生问题的可能性。
另外，实施方式2的被加工物的加工方法在激光加工槽形成步骤ST2-2、ST3-2中，在间隔道3、4的宽度方向的两缘部分别形成宽度比实施方式1窄的激光加工槽14-2、15-2，因此能够抑制Low-k膜从基板2剥离。
[变形例]
对实施方式1和实施方式2的变形例的被加工物1的加工方法进行说明。实施方式1和实施方式2的被加工物的加工方法在保护膜包覆步骤ST1中涂布了水溶性的保护膜溶液11，但在本发明中，也可以是，将作为当硬化时具有等离子耐性的液体的抗蚀剂涂布在被加工物1的整个正面7上并进行曝光、显影而将间隔道5上的抗蚀剂去除。另外，在涂布抗蚀剂时，例如在将被加工物1保持于绕轴心旋转的旋转工作台上之后，一边使旋转工作台绕轴心旋转一边对正面7提供抗蚀剂。另外，变形例的被加工物1的加工方法在激光加工槽形成步骤ST2、ST2-2、ST3、ST3-2中与实施方式1和实施方式2同样地实施烧蚀加工而将Low-k膜等去除，从而形成激光加工槽14、14-2、15、15-2。另外，变形例的被加工物1的加工方法在将抗蚀剂去除时，进行周知的灰化等。
[实施方式3]
根据附图对本发明的实施方式3的被加工物的加工方法进行说明。图16是示出实施方式3的被加工物的加工方法的流程的流程图。图17是示出图16所示的被加工物的加工方法的第1激光加工槽形成步骤和第2激光加工槽形成步骤的侧剖视图。图18是示出图16所示的被加工物的加工方法的切割步骤的侧剖视图。另外，图16至图18中，在与实施方式1和实施方式2相同的部分标记相同的标号并省略了说明。
如图16所示，实施方式3的被加工物的加工方法具有保护膜包覆步骤ST1、第1激光加工槽形成步骤ST2-2、第2激光加工槽形成步骤ST3-2、清洁步骤ST4-3以及切割步骤ST8。
实施方式3的被加工物的加工方法的激光加工槽形成步骤ST2-2、ST3-2如图17所示那样一边使间隔道5与激光束照射单元34沿着间隔道5相对移动一边从激光束照射单元34对被加工物1照射激光束200。实施方式3的被加工物的加工方法的激光加工槽形成步骤ST2-2、ST3-2与实施方式2同样，在间隔道3、4的宽度方向的两缘部分别形成宽度比实施方式1窄的激光加工槽14-2、15-2。
实施方式3的被加工物的加工方法的清洁步骤ST4-3是在实施了第2激光加工槽形成步骤ST3-2之后沿着第1间隔道3照射激光束200而将加工屑301的部分303去除的步骤。在实施方式3中，在清洁步骤ST4-3中，沿着第1激光加工槽14-2的全长对第1激光加工槽14-2内照射激光束200，但在本发明中，也可以仅对第1激光加工槽14-2内的交叉部9的附近照射激光束200。当对被加工物1的所有的第1间隔道3的第1激光加工槽14-2照射激光束200时，实施方式3的被加工物的加工方法进入到切割步骤ST8。
切割步骤ST8是使用切削装置60将被加工物1分割成各个器件6的步骤。在切割步骤ST8中，切削装置60将被加工物1的背面8侧隔着粘接带13吸引保持于卡盘工作台61的保持面62上，并且利用夹持部63对环状框架12进行夹持。在切割步骤ST8中，如图18所示，切削装置60一边使切削刀具64与被加工物1沿着间隔道5相对移动一边使切削刀具64切入间隔道5直至切入至粘接带13而将被加工物1分割成各个器件6。当将被加工物1分割成各个器件6时，被加工物的加工方法结束。另外，然后被加工物1例如将清洗水提供至正面7后，从粘接带13上拾取各个器件6。
实施方式3的被加工物的加工方法中，在实施了第1激光加工槽形成步骤ST2-2和第2激光加工槽形成步骤ST3-2之后，实施清洁步骤ST4-3，从而将加工屑301的部分303去除。因此，实施方式3的被加工物的加工方法能够抑制在作为清洁步骤ST4-3的后续工序的切割步骤ST8中因加工屑301的部分303而使切削刀具64弯曲行进，从而能够抑制崩边的产生、裂纹的产生和切削刀具64的破损。其结果是，实施方式3的被加工物的加工方法与实施方式1同样地能够降低在清洁步骤ST4-3的后续工序中产生问题的可能性。
另外，实施方式3的被加工物的加工方法中，在激光加工槽形成步骤ST2-2、ST3-2中在间隔道3、4的宽度方向的两缘部，分别形成宽度比实施方式1窄的激光加工槽14-2、15-2，因此能够抑制Low-k膜从基板2剥离。
另外，本发明并不限于上述实施方式和变形例。即，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形并实施。在上述的实施方式等中，被加工物的加工方法在保护膜包覆步骤ST1中涂布水溶性的保护膜溶液11而形成等离子蚀刻用保护膜10。但是，在本发明中，当在被加工物1的正面7上层叠有由感光性聚酰亚胺等构成的钝化膜的情况下，被加工物的加工方法可以将钝化膜用作等离子蚀刻用保护膜。钝化膜为如下的膜：其层叠在基板2的正面上而保护器件6的电路免受外部环境的影响，对器件6的电路进行物理和化学保护，对等离子蚀刻具有耐性。在本发明中，钝化膜可以包含间隔道5而层叠在被加工物1的整个正面7上，也可以仅层叠在器件6的正面上而在间隔道5中使基板2露出。

Claims (3)

1.一种被加工物的加工方法，该被加工物具有由沿第1方向延伸的第1间隔道和沿与该第1方向交叉的第2方向延伸的第2间隔道构成的多条间隔道，
该被加工物的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：
第1激光加工槽形成步骤，沿着该第1间隔道照射对于被加工物具有吸收性的波长的激光束而形成第1激光加工槽；
第2激光加工槽形成步骤，在实施了该第1激光加工槽形成步骤之后，沿着该第2间隔道照射该激光束而形成第2激光加工槽；以及
清洁步骤，在实施了该第2激光加工槽形成步骤之后，沿着该第1间隔道照射该激光束而去除如下的加工屑：该加工屑在该第1激光加工槽形成步骤中产生于该第1激光加工槽的槽缘，并且由于实施该第2激光加工槽形成步骤而在该第1间隔道与该第2间隔道的交叉部处沿该第2方向延伸。
2.根据权利要求1所述的被加工物的加工方法，其特征在于，
该被加工物的加工方法具有如下的保护膜包覆步骤：在实施该第1激光加工槽形成步骤之前，对被加工物包覆等离子蚀刻用保护膜，
通过实施该第1激光加工槽形成步骤、该第2激光加工槽形成步骤以及该清洁步骤而使该第1间隔道和该第2间隔道露出，
该被加工物的加工方法具有如下的等离子蚀刻步骤：在实施了该清洁步骤之后，隔着该等离子蚀刻用保护膜对被加工物实施等离子蚀刻。
3.根据权利要求1所述的被加工物的加工方法，其特征在于，
在该清洁步骤中，与第1激光加工槽形成步骤和该第2激光加工槽形成步骤相比，加工进给速度较快。
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