JP5840875B2 - 光デバイスウエーハの加工方法 - Google Patents
光デバイスウエーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5840875B2 JP5840875B2 JP2011137759A JP2011137759A JP5840875B2 JP 5840875 B2 JP5840875 B2 JP 5840875B2 JP 2011137759 A JP2011137759 A JP 2011137759A JP 2011137759 A JP2011137759 A JP 2011137759A JP 5840875 B2 JP5840875 B2 JP 5840875B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- optical device
- laser beam
- substrate
- device wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 110
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 132
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 132
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 33
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第1の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第1の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第1のレーザー加工溝を形成する第1の金属膜除去工程と、
該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第2の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程と、を含み、
該第2の金属膜除去工程は、該第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝との交差領域を除いてレーザー光線を照射する、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。
該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第1の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第1の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第1のレーザー加工溝を形成する第1の金属膜除去工程と、
該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第2の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程と、を含み、
該第1の金属膜除去工程は、該第2の分割予定ラインと対応する領域との交差領域を除いてレーザー光線を照射する、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。
また、本発明によれば、第1の金属膜除去工程は、第2の分割予定ラインと対応する領域との交差領域を除いてレーザー光線を照射するので、その後、第2の金属膜除去工程において第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射する際に第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝との交差領域には金属膜が存在しているため、レーザー光線が基板の表面に形成された光デバイス層に照射されることはなく、光デバイス層にダメージを与えることが防止できる。
即ち、図4の(a)で示すようにチャックテーブル31をレーザー光線照射手段32の集光器322が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第1の分割予定ライン221の一端(図4の(a)において左端)に対応する座標値をレーザー光線照射手段32の集光器322の直下に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段32の集光器322からレーザー光線を照射しつつチャックテーブル31を図4の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図4の(b)で示すように第1の分割予定ライン221の他端(図4の(b)において右端)が集光器322の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル31の移動を停止する。この第1の金属膜除去工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを図4の(a)に示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24の上面付近に合わせる。この結果、図4の(b)で示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24は、第1の分割予定ライン221と対応する領域が除去されて第1のレーザー加工溝241が形成される(第1の金属膜除去工程)。
レーザー光線の波長 :355nm
繰り返し周波数 :40kHz
平均出力 :0.5〜2W(金属膜24の金属によって異なる)
集光スポット径 :50μm
加工送り速度 :300mm/秒
この第2の実施形態においては、第1の金属膜除去工程は第2の分割予定ライン222と対応する領域との交差領域を除いてレーザー光線を照射する。第2の実施形態における第1の金属膜除去工程は、図6の(a)で示すようにチャックテーブル31をレーザー光線照射手段32の集光器322が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第1の分割予定ライン221の一端(図6の(a)において左端)に対応する座標値をレーザー光線照射手段32の集光器322の直下に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段32の集光器322からレーザー光線を照射しつつチャックテーブル31を図6の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、上記第2の分割予定ライン222と対応する領域との交差領域が集光器322の直下に達したらパルスレーザー光線の照射を停止し、第2の分割予定ライン222と対応する領域との交差領域が集光器322の直下を越えたらパルスレーザー光線を再度照射する。このようにして、パルスレーザー光線の照射と停止を繰り返し、図6の(b)で示すように第2の分割予定ライン222の他端(図6の(b)において右端)が集光器322の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル31の移動を停止する。この第1の金属膜除去工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを図6の(a)に示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24の上面付近に合わせる。この結果、図6の(b)で示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24は、第2の分割予定ライン222と対応する領域との交差領域を除いて第1の分割予定ライン221と対応する領域が除去されて第1のレーザー加工溝241が形成される(第1の金属膜除去工程)。
レーザー光線の波長 :1045nm
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :0.3W
集光スポット径 :φ1〜2μm
加工送り速度 :400mm/秒
20:サファイア基板
21:光デバイス層
221:第1の分割予定ライン
222:第2の分割予定ライン
23:光デバイス
24:金属膜
3:レーザー加工装置
30:レーザー加工装置
31:チャックテーブル
32:レーザー光線照射手段
322:集光器
33:撮像手段
T:保護テープ
Claims (3)
- 基板の表面に光デバイス層が積層され所定の方向に延びる複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成され、該基板の裏面に該光デバイスの輝度を向上させる金属膜が被覆された光デバイスウエーハの加工方法であって、
該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第1の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第1の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第1のレーザー加工溝を形成する第1の金属膜除去工程と、
該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第2の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程と、を含み、
該第2の金属膜除去工程は、該第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝との交差領域を除いてレーザー光線を照射する、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。 - 基板の表面に光デバイス層が積層され所定の方向に延びる複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成され、該基板の裏面に該光デバイスの輝度を向上させる金属膜が被覆された光デバイスウエーハの加工方法であって、
該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第1の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第1の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第1のレーザー加工溝を形成する第1の金属膜除去工程と、
該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第2の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程と、を含み、
該第1の金属膜除去工程は、該第2の分割予定ラインと対応する領域との交差領域を除いてレーザー光線を照射する、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。 - 該第2の金属膜除去工程を実施した後に、該基板の裏面側から該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を該第1のレーザー加工溝および該第2のレーザー加工溝に沿って照射し、該基板の内部に該第1のレーザー加工溝および該第2のレーザー加工溝に沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施する、請求項1又は2記載の光デバイスウエーハの加工方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011137759A JP5840875B2 (ja) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | 光デバイスウエーハの加工方法 |
TW101115761A TWI538040B (zh) | 2011-06-21 | 2012-05-03 | Processing method of optical element wafers |
CN201210199722.5A CN102842534B (zh) | 2011-06-21 | 2012-06-14 | 光器件晶片的加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011137759A JP5840875B2 (ja) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | 光デバイスウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013004925A JP2013004925A (ja) | 2013-01-07 |
JP5840875B2 true JP5840875B2 (ja) | 2016-01-06 |
Family
ID=47369767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011137759A Active JP5840875B2 (ja) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | 光デバイスウエーハの加工方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5840875B2 (ja) |
CN (1) | CN102842534B (ja) |
TW (1) | TWI538040B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7005281B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2022-01-21 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
CN111009463B (zh) * | 2019-11-22 | 2022-11-01 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种使SiC芯片激光划片后背面金属整齐分离的方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4659300B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
JP2003258304A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP4286497B2 (ja) * | 2002-07-17 | 2009-07-01 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2005116844A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005246450A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工方法及びレーザ加工装置並びに強度調節器 |
JP2007048995A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2009184002A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工方法 |
JP2010016116A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2010045117A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの加工方法 |
-
2011
- 2011-06-21 JP JP2011137759A patent/JP5840875B2/ja active Active
-
2012
- 2012-05-03 TW TW101115761A patent/TWI538040B/zh active
- 2012-06-14 CN CN201210199722.5A patent/CN102842534B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102842534B (zh) | 2016-08-03 |
JP2013004925A (ja) | 2013-01-07 |
TW201301377A (zh) | 2013-01-01 |
CN102842534A (zh) | 2012-12-26 |
TWI538040B (zh) | 2016-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6062287B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
US8497189B1 (en) | Processing method for wafer | |
JP5443104B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP4767711B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP6208430B2 (ja) | レーザー加工方法 | |
JP6113529B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6026222B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2006229021A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP6147982B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP4694795B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2011035253A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2005203541A (ja) | ウエーハのレーザー加工方法 | |
JP2010087433A (ja) | レーザ加工方法、レーザ加工装置およびチップの製造方法 | |
US20140014976A1 (en) | Optical device and processing method of the same | |
JP6189066B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
US9735040B2 (en) | Method of processing single-crystal substrate | |
KR20160053783A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
US20160225945A1 (en) | Method of processing single-crystal member | |
JP2016111119A (ja) | 光デバイスの加工方法 | |
JP5823749B2 (ja) | 光デバイス基板の分割方法 | |
JP5840875B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP5878292B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP2014096526A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5868193B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2009277778A (ja) | ウエーハの分割方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140516 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150416 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150428 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151020 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151112 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5840875 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |